JP6764322B2 - デバイスウェーハの加工方法 - Google Patents

デバイスウェーハの加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6764322B2
JP6764322B2 JP2016226608A JP2016226608A JP6764322B2 JP 6764322 B2 JP6764322 B2 JP 6764322B2 JP 2016226608 A JP2016226608 A JP 2016226608A JP 2016226608 A JP2016226608 A JP 2016226608A JP 6764322 B2 JP6764322 B2 JP 6764322B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
protective film
water
etching
time
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016226608A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018085400A (ja
Inventor
重松　孝一
重松　　孝一
哲 熊澤
哲 熊澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2016226608A priority Critical patent/JP6764322B2/ja
Priority to US15/819,012 priority patent/US10679897B2/en
Publication of JP2018085400A publication Critical patent/JP2018085400A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6764322B2 publication Critical patent/JP6764322B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02076—Cleaning after the substrates have been singulated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3081—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54413—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising digital information, e.g. bar codes, data matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54433—Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、表面にデバイスが形成されたデバイスウェーハの加工方法に関する。
デバイスウェーハ等の被加工物にドライエッチング加工を施す場合には、例えば、ウェーハの表面に形成されたデバイスにプラズマ耐性を有するレジスト膜を被覆し、このレジスト膜によってデバイスを保護する（例えば、特許文献１参照）。
特開２００６−１２０８３４号公報
上記のようにレジスト膜をドライエッチングのための保護膜とするには、レジスト膜形成装置を用いてレジスト膜を形成する必要がある。また、保護膜の除去を行う際には、レジスト膜を灰化させるアッシング装置が必要となる。そのため、ウェーハの処理工程が全体として複雑化し、コストも増大するという問題がある。
よって、ドライエッチングをウェーハに施す工程を含むウェーハの加工方法においては、上記問題を鑑み、コストの増大や処理工程の複雑化が起きないようにして、より効率的にデバイスウェーハを個々のチップに分割できるようにするという課題がある。
上記課題を解決するための本発明は、分割予定ラインで区画された領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有したデバイスウェーハの加工方法であって、デバイスウェーハの表面に水溶性保護膜剤を塗布してデバイスを保護するとともに該分割予定ラインを露出させた保護膜を形成する保護膜形成ステップと、デバイスウェーハに該水溶性保護膜剤が塗布された時刻を記録する塗布時刻記録ステップと、該保護膜形成ステップと該塗布時刻記録ステップとを実施した後、デバイスウェーハに該分割予定ラインに沿ってドライエッチングを施すエッチングステップと、該エッチングステップを実施した後、該保護膜に洗浄水を供給して該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を備え、該エッチングステップを実施する前に、該塗布時刻記録ステップで記録した該時刻から所定時間が経過しているか否かを判定する判定ステップを更に備え、該判定ステップにおいて該時刻から該所定時間が経過していない判定されたデバイスウェーハに対して該エッチングステップと該保護膜除去ステップとを実施する、デバイスウェーハの加工方法である。
前記判定ステップを実施した後、該判定ステップで該時刻から該所定時間が経過したと判定されたデバイスウェーハに洗浄水を供給して該保護膜を除去する洗浄除去ステップと、該洗浄除去ステップを実施した後、前記保護膜形成ステップと、前記塗布時刻記録ステップと、該判定ステップと、を順に実施する、請求項１に記載のデバイスウェーハの加工方法である。
本発明に係るデバイスウェーハの加工方法においては、デバイスウェーハの表面に水溶性保護膜剤を塗布してデバイスを保護するとともに分割予定ラインを露出させた保護膜を形成する保護膜形成ステップと、デバイスウェーハに水溶性保護膜剤が塗布された時刻を記録する塗布時刻記録ステップと、保護膜形成ステップと塗布時刻記録ステップとを実施した後、デバイスウェーハに分割予定ラインに沿ってドライエッチングを施すエッチングステップと、エッチングステップを実施した後、保護膜に洗浄水を供給して保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を備えているため、洗浄水を供給するだけでデバイスウェーハの表面から保護膜を容易に除去できる。よって、レジスト膜形成装置やアッシング装置等の各種設備が不要となり、コストを抑えることができるとともにデバイスウェーハを効率良く個々のチップに分割できる。
水溶性保護膜剤をウェーハの表面に塗布して保護膜を形成した後、所定時間が経過すると、ウェーハにドライエッチングを施した際に水溶性保護膜剤が変質してしまうことがある。保護膜剤がドライエッチングによって変質してしまうと、デバイスウェーハを分割する前又は分割した後に、保護膜を除去するために洗浄水をウェーハに供給しても保護膜が溶解せず除去できないおそれがある。そして、保護膜が除去できないとデバイスウェーハ全体を損傷させてしまうため、大きな問題となる。そこで、本発明に係るデバイスウェーハの加工方法においては、上記エッチングステップを実施する前に、塗布時刻記録ステップで記録した時刻から所定時間が経過しているか否かを判定する判定ステップを更に備え、塗布時刻記録ステップで記録した時刻から所定時間が経過していないと判定されたデバイスウェーハに対してのみ、エッチングステップと保護膜除去ステップとを実施することによって、保護膜が洗浄水により除去できないといった事態が生じることがなくなる。そのため、ウェーハ加工時において、デバイスウェーハ全体を損傷させるおそれがなくなる。
また、本発明に係るデバイスウェーハの加工方法においては、判定ステップで塗布時刻記録ステップで記録した時刻から所定時間が経過したと判定されたデバイスウェーハは、ドライエッチングを実施する前に洗浄除去ステップを実施して一旦保護膜を除去し、その後、保護膜形成ステップと、塗布時刻記録ステップと、判定ステップと、を順に実施することによって、再度保護膜を形成してからドライエッチングを施すことが可能となるため、デバイスウェーハを無駄にすることがなくなる。
保護膜形成装置及び環状フレームによって支持されたウェーハの一例を示す斜視図である。 デバイスウェーハの表面に水溶性保護膜剤を塗布している状態を示す断面図である。 水溶性保護膜剤が塗布されたウェーハの一例を示す断面図である。 水溶性保護膜剤が塗布されたウェーハに対してレーザビームを照射してウェーハの分割予定ラインを露出させている状態を示す断面図である。 保護膜が形成されたウェーハの一例を示す断面図である。 ドライエッチングをデバイスウェーハに施すことができるプラズマエッチング装置の一例を示す断面図である。 分割予定ラインに沿ってエッチング溝が形成されたウェーハの一例を示す断面図である。 保護膜に洗浄水を供給してウェーハから保護膜を除去している状態を示す断面図である。 ウェーハの裏面を研削して仕上げ厚さへと薄化するとともにエッチング溝をウェーハの裏面に露出させてウェーハを個々のチップに分割する状態を示す断面図である。
以下に、本発明に係るウェーハの加工方法を実施して図１に示すデバイスウェーハＷを個々のデバイスチップに分割する場合の各ステップについて説明していく。
図１に示すデバイスウェーハＷ（以下、ウェーハＷとする。）は、例えば、シリコン基板等からなる半導体ウェーハであり、ウェーハＷの表面Ｗａ上には、分割予定ラインＳによって区画された格子状の領域に多数のデバイスＤが形成されている。例えば、ウェーハＷには、結晶方位を示すオリエンテーションフラットＯＦ（以下、「オリフラＯＦ」とする。）が、ウェーハＷの外周領域の一部をフラットに切欠くことで形成されている。例えば、ウェーハＷの表面ＷａにおけるオリフラＯＦが形成された領域に、ウェーハＷの固体識別情報を示す図示しないマーク（例えば、バーコードやＩＣタグ）が形成されている。なお、ウェーハＷの固体識別情報としては、例えば、ロット番号、デバイスＤの種類、基板の種類、ウェーハＷの外径、分割予定ラインＳの間隔寸法等が含まれる。
ウェーハＷの裏面Ｗｂは、ウェーハＷよりも大径の保護テープＴの粘着面に貼着されており、保護テープＴの粘着面の外周部は、環状フレームＦに貼着された状態になっている。例えば、保護テープＴは、プラズマエッチングに対する耐性を備える基材で構成されていると望ましく、又は、プラズマエッチングによって切断されない程度の厚みを備えているものとしてもよい。環状フレームＦの外周部分には、例えば、環状フレームＦの中心に向かって径方向内側に窪む窪み部ＦＶが２箇所形成されている。環状フレームＦの２箇所の窪み部ＦＶの間の外周辺とウェーハＷのオリエンテーションフラットＯＦが向き合った状態で、かつ、ウェーハＷの表面Ｗａが上側に露出した状態で、ウェーハＷは保護テープＴを介して環状フレームＦに支持されており、環状フレームＦによりウェーハＷのハンドリングが可能な状態になっている。なお、ウェーハＷの形状は特に限定されず、ウェーハＷの種類も半導体ウェーハに限定されるものではなく、また、ウェーハＷが環状フレームＦによって支持されていなくてもよい。また、ウェーハＷの固体識別情報を示す図示しないマーク（例えば、バーコード）が、ウェーハＷではなく、例えば、環状フレームＦの２箇所の窪み部ＦＶの間の外周領域上等に形成されていてもよい。環状フレームＦにウェーハＷの固体識別情報を示す図示しないマークを形成している場合には、後述する水溶性保護膜剤が塗布されることでウェーハＷの表面Ｗａが被覆されても、環状フレームＦを介してウェーハＷの固体識別情報を把握することがより容易になる。
図１に示す保護膜形成装置３は、例えば、ウェーハＷを保持する保持テーブル３０と、保持テーブル３０を回転させる回転手段３２と、上端側に円形の開口を備えた有底円筒状のケーシング３４とを備えており、ウェーハＷの表面Ｗａに水溶性保護膜剤を塗布することができるとともに、ウェーハＷの表面Ｗａに形成された水溶性の保護膜に洗浄水を供給して保護膜を除去することもできる。
保持テーブル３０は、例えば、その外形が円形状であり、ポーラス部材等からなりウェーハＷを吸着する吸着部３００と、吸着部３００を支持する枠体３０１とを備える。吸着部３００は図示しない吸引源に連通し、吸引源が吸引することで生み出された吸引力が、吸着部３００の露出面であり枠体３０１と面一に形成された保持面３００ａに伝達されることで、保持テーブル３０は保持面３００ａ上でウェーハＷを吸引保持することができる。また、枠体３０１の周囲には、環状フレームＦを固定する固定クランプ３０１ａが例えば４つ均等に配設されている。
保持テーブル３０の下側に配設された回転手段３２は、保持テーブル３０の底面側に上端が固定され鉛直方向の軸心周りに回転可能なスピンドル３２０と、モータ等で構成されスピンドル３２０の下端側に連結する回転駆動源３２１とを少なくとも備えている。回転駆動源３２１がスピンドル３２０を回転させることで、スピンドル３２０に固定された保持テーブル３０も回転する。回転駆動源３２１は、エアシリンダ等からなる支持機構３２２によって上下方向に移動可能に支持されている。支持機構３２２は、回転駆動源３２１を上昇させることで保持テーブル３０を上昇させて、保持テーブル３０をウェーハＷの搬入・搬出高さ位置に位置付け、また、回転駆動源３２１を下降させることでウェーハＷを保持した状態の保持テーブル３０を下降させて、保持テーブル３０をケーシング３４内における作業高さ位置に位置付ける。
保持テーブル３０は、ケーシング３４の内部空間に収容されている。なお、図１においては、ケーシング３４の外側壁３４０等の一部を切欠いて内部が把握できるように示している。ケーシング３４は、保持テーブル３０を囲繞する外側壁３４０と、外側壁３４０の下部に一体的に連接し中央にスピンドル３２０が挿通される開口を有する底板３４１と、底板３４１の開口の内周縁から立設する内側壁３４２とから構成されている。ケーシング３４は、底板３４１に一端が固定された脚部３４３により支持されている。底板３４１には、排出口３４１ａが厚み方向に貫通形成されており、排出口３４１ａには、保持テーブル３０の保持面３００ａ上からケーシング３４内に流下した水溶性保護膜剤等をケーシング３４の外部に排出するホース３４１ｂが接続されている。
図２に示すように、保持テーブル３０の下面とケーシング３４の内側壁３４２の上端面との間には、スピンドル３２０に挿嵌された円形状のカバー部材３４４が配設されており、保持テーブル３０をケーシング３４内における作業高さ位置に位置付けると、カバー部材３４４の外周縁から−Ｚ方向に向かって垂下するスカート部３４４ａが、内側壁３４２の周囲を囲んだ状態になる。スカート部３４４ａは、スピンドル３２０と底板３４１の開口との隙間に、保持テーブル３０の保持面３００ａ上から流下する水溶性保護膜剤等を入り込ませないようにしている。
ケーシング３４内には、保持面３００ａで吸引保持されたウェーハＷの表面Ｗａに液状の水溶性保護膜剤を噴射する保護膜剤噴射ノズル３５Ａと、保持面３００ａで吸引保持されたウェーハＷの表面Ｗａに洗浄水を噴射する洗浄水噴射ノズル３５Ｂとが配設されている。保護膜剤噴射ノズル３５Ａ及び洗浄水噴射ノズル３５Ｂは、ケーシング３４の底板３４１から立設しており、外形が側面視略Ｌ字状となっており、それぞれの先端部分に形成された噴射口が保持テーブル３０の保持面３００ａに向かって開口している。両ノズルは、Ｚ軸方向の軸心周りに回転可能となっており、保持テーブル３０の上方から退避位置までそれぞれの噴射口を移動することができる。保護膜剤噴射ノズル３５Ａは、ウェーハＷの表面Ｗａに水溶性保護膜剤Ｇを供給する図２に示す保護膜剤供給手段３６Ａに連通している。また、洗浄水噴射ノズル３５Ｂは、ウェーハＷの表面Ｗａに洗浄水を供給する図２に示す洗浄水供給手段３６Ｂに連通している。
保護膜剤供給手段３６ＡがウェーハＷに供給する水溶性保護膜剤Ｇは、例えば、ＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）やＰＶＡ（ポリビニルアルコール）などの水溶性の液状樹脂である。この水溶性保護膜剤Ｇには、例えば、金属酸化物（酸化チタン又は酸化亜鉛等）の微粒子が分散されて混入されていることが望ましい。
保護膜形成装置３は、例えば、ＣＰＵ及びメモリ等の記憶素子等から構成される制御部３９を備えており、制御部３９による制御の下で、水溶性保護膜剤Ｇの供給量や噴射時間、保持テーブル３０の回転速度等の条件がコントロールされる。
例えば、ケーシング３４の上方には、ウェーハＷの固体識別情報を示すマークを読み取るマーク読み取り部３８が配設されている。マーク読み取り部３８は、ウェーハＷ又は環状フレームＦに形成されたウェーハＷの固体識別情報を示すマークがバーコードであればバーコードリーダーであり、マークがＩＣタグの場合にはＩＣタグリーダーである。マーク読み取り部３８は、保持テーブル３０に保持されたウェーハＷの固体識別情報をマークを介して読み取り、読み取った情報を制御部３９に送信する。なお、保護膜形成装置３はマーク読み取り部３８を備えない構成としてもよい。
（１−１）保護膜形成ステップにおけるウェーハの表面に対する水溶性保護膜剤の塗布
まず、デバイスウェーハＷの表面Ｗａに水溶性保護膜剤Ｇを塗布してデバイスＤを保護する。図１に示す搬入高さ位置に位置付けられた状態の保持テーブル３０の中心とウェーハＷの中心とが略合致するように、ウェーハＷが、保護テープＴ側を下にして保持面３００ａ上に載置される。そして、図示しない吸引源により生み出される吸引力が保持面３００ａに伝達されることにより、表面Ｗａが上方に向かって露出した状態でウェーハＷが保持テーブル３０によって吸引保持された状態になる。また、各固定クランプ３０１ａによって環状フレームＦが固定される。
例えば、保持テーブル３０に保持されたウェーハＷのオリフラＯＦが検出され、マーク読み取り部３８が、ウェーハＷの表面ＷａにおけるオリフラＯＦが形成された領域の上方に位置付けられ、マーク読み取り部３８がウェーハＷの固体識別情報を示す図示しないマークを読み取る。なお、環状フレームＦにウェーハＷの固体識別情報を示す図示しないマークが形成されている場合には、マーク読み取り部３８が環状フレームＦの上方に位置付けられた後、マーク読み取り部３８がウェーハＷの固体識別情報を示す図示しないマークを読み取る。次いで、マーク読み取り部３８は、読み取ったウェーハＷの固体識別情報を制御部３９に送信し、送られた情報は制御部３９のメモリに記憶される。なお、保護膜形成装置３がマーク読み取り部３８を備えていないものである場合や、ウェーハＷ又は環状フレームＦにウェーハＷの固体識別情報を示すマークが形成されていない場合等においては、例えば、オペレータが、ウェーハＷについての固体識別情報を示すマーク等を環状フレームＦに記載して把握できるようにしてもよい。
制御部３９の制御の下で、支持機構３２２が、ウェーハＷを保持した状態の保持テーブル３０を下降させて、保持テーブル３０をケーシング３４内における作業高さ位置に位置付ける。図２に示すように、保護膜剤噴射ノズル３５Ａが旋回移動し、保護膜剤噴射ノズル３５Ａの噴射口が保持テーブル３０により吸引保持されたウェーハＷの表面Ｗａの中央領域上方に位置付けられる。そして、保護膜剤供給手段３６Ａが保護膜剤噴射ノズル３５Ａに水溶性保護膜剤Ｇを供給し、保護膜剤噴射ノズル３５Ａの噴射口からウェーハＷの表面Ｗａの中心部に所定量の水溶性保護膜剤Ｇが滴下されていく。また、回転駆動源３２１がスピンドル３２０を＋Ｚ方向側から見て例えば反時計周り方向に向かって回転させることによって、保持テーブル３０が同様に回転する。
ウェーハＷの表面Ｗａに滴下された水溶性保護膜剤Ｇは、保持テーブル３０の回転により発生する遠心力によって、ウェーハＷの表面Ｗａ上を中心から外周側に向けて流れていきウェーハＷの表面Ｗａの全面にいきわたることで、ウェーハＷの表面Ｗａ全面に水溶性保護膜剤Ｇが塗布される。保持テーブル３０上からケーシング３４の底板３４１へと流下した使用済みの水溶性保護膜剤Ｇは、排出口３４１ａからケーシング３４の外部に排出される。なお、ウェーハＷの表面Ｗａへの水溶性保護膜剤Ｇの塗布は、ウェーハＷの表面Ｗａの全面に必ずしもなされていなくてもよく、少なくともウェーハＷの表面ＷａのデバイスＤが形成されている領域全面になされていればよい。
その後、回転を継続して水溶性保護膜剤Ｇを図３に示すように所定の厚さに到るまで塗布し、回転乾燥させる。必要に応じて、ウェーハＷの表面Ｗａに塗布された水溶性保護膜剤Ｇの薄膜を例えばベーキングすることにより硬化させる。なお、例えば、水溶性保護膜剤Ｇに金属酸化物が混入されている場合は、水溶性保護膜剤Ｇからなる薄膜は、プラズマに対する耐性も向上するため、ウェーハＷの表面Ｗａに水溶性保護膜剤Ｇからなる薄膜を薄く形成しても、エッチングステップにおけるドライエッチングを良好に実施することができる。
（２）塗布時刻記録ステップ
例えば、図１に示すように、保護膜形成装置３の制御部３９には、ホストコンピュータ９が接続されている。このホストコンピュータ９は、図１，６に示すプラズマエッチング装置１０の制御部１Ａにも接続されている。ホストコンピュータ９は、例えば、制御プログラムに従って演算処理するＣＰＵ、制御プログラム等を格納するＲＯＭ、及び演算結果やその他の情報等を格納するＲＡＭ等から構成されている。例えば、上記のように、ウェーハＷの表面Ｗａに水溶性保護膜剤Ｇが滴下されウェーハＷの表面Ｗａ全面に水溶性保護膜剤Ｇの薄膜が所定の厚さで形成された時刻ｔ１（本実施形態におけるデバイスウェーハＷに水溶性保護膜剤Ｇが塗布された時刻ｔ１）を、制御部３９は処理情報としてメモリに記録し、時刻ｔ１についての情報と先にマーク読み取り部３８から送信されたウェーハＷの固体識別情報（例えば、番号１のウェーハＷの固体識別情報とする。）とが紐付けされる。制御部３９は、紐付けした時刻ｔ１についての情報と番号１のウェーハＷの固体識別情報とを、ホストコンピュータ９に送信する。そして、ホストコンピュータ９は、制御部３９から送られ互いに紐付けされた時刻ｔ１についての情報と番号１のウェーハＷの固体識別情報とをＲＡＭ等に記憶する。
本実施形態においては、上記のように、ウェーハＷの表面Ｗａに水溶性保護膜剤Ｇが滴下されウェーハＷの表面Ｗａ全面に水溶性保護膜剤Ｇの薄膜が所定の厚さで形成された時刻を、デバイスウェーハＷに水溶性保護膜剤Ｇが塗布された時刻ｔ１として制御部３９が記録しているが、デバイスウェーハＷに水溶性保護膜剤Ｇが塗布された時刻として制御部３９が記録する時刻はこれに限定されるものではない。
例えば、ウェーハＷの表面Ｗａ全面に水溶性保護膜剤Ｇの薄膜が所定の厚さに形成され、さらにこの薄膜の回転乾燥が終わった時刻を、デバイスウェーハＷに水溶性保護膜剤Ｇが塗布された時刻として、制御部３９が記録するものとしてもよい。
また、例えば、保護膜剤噴射ノズル３５Ａから水溶性保護膜剤ＧがウェーハＷに滴下され始めた時刻を、デバイスウェーハＷに水溶性保護膜剤Ｇが塗布された時刻として、制御部３９が記録するものとしてもよい。
なお、例えば、制御部３９ではなく、オペレータが、ウェーハＷに水溶性保護膜剤Ｇが塗布された時刻ｔ１を環状フレームＦに書き込む等して記録するものとしてもよい。
（１−２）保護膜形成ステップにおけるウェーハの表面の分割予定ラインの露出
水溶性保護膜剤Ｇで表面Ｗａ全面が被覆されたウェーハＷは、保護膜形成装置３から図４に示すレーザ加工装置４へと搬送される。図４に示すレーザ加工装置４は、例えば、ウェーハＷを吸引保持するチャックテーブル４０と、チャックテーブル４０に保持されたウェーハＷに対してレーザビームを照射するレーザビーム照射手段４１と、を少なくとも備えている。図４において模式的に示すチャックテーブル４０は、例えば、ポーラス部材等からなる保持面上でウェーハＷを吸引保持する。チャックテーブル４０は、鉛直方向（Ｚ軸方向）の軸心周りに回転可能であるとともに、Ｘ軸方向に往復移動可能となっている。
レーザビーム照射手段４１は、レーザビーム発振器４１０から発振されたレーザビームを、光ファイバー等の伝送光学系を介して集光器４１１の内部の集光レンズ４１１ａに入光させることで、レーザビームをチャックテーブル４０で保持されたウェーハＷの分割予定ラインＳ上に正確に集光することができる。
レーザビーム照射手段４１の近傍には、チャックテーブル４０上に保持されたウェーハＷの分割予定ラインＳを検出するアライメント手段４４が配設されている。アライメント手段４４は、ウェーハＷの表面Ｗａを撮像する撮像手段４４０を備えており、撮像手段４４０により取得した画像に基づきウェーハＷのレーザビームを照射すべき分割予定ラインＳを検出することができる。アライメント手段４４とレーザビーム照射手段４１とは一体となって構成されており、両者は連動してＹ軸方向及びＺ軸方向へと移動する。
表面Ｗａ全面に水溶性保護膜剤Ｇの薄膜が形成されたウェーハＷの分割予定ラインＳを露出させるために、まず、チャックテーブル４０によってウェーハＷが表面Ｗａ側を上側にして吸引保持される。次いで、チャックテーブル４０に保持されたウェーハＷが−Ｘ方向（往方向）に送られるとともに、撮像手段４４０により分割予定ラインＳが検出される。撮像手段４４０によって撮像された分割予定ラインＳの画像に基づいて、アライメント手段４４がパターンマッチング等の画像処理を実行し、分割予定ラインＳの位置を検出する。分割予定ラインＳが検出されるのに伴って、レーザビーム照射手段４１がＹ軸方向に駆動され、レーザビームを照射する分割予定ラインＳと集光器４１１とのＹ軸方向における位置合わせがなされる。
水溶性保護膜剤Ｇからなる薄膜に対して吸収性を有する波長のレーザビームをレーザビーム照射手段４１からウェーハＷに向かって照射しつつ、チャックテーブル４０を−Ｘ方向に向かって所定の加工送り速度で移動させていき、分割予定ラインＳに沿って分割予定ラインＳ上の水溶性保護膜剤Ｇの薄膜を蒸発させ除去していく。例えば、金属酸化物の微粒子が水溶性保護膜剤Ｇ中に分散されていると、水溶性保護膜剤Ｇからなる薄膜のレーザビームの吸収性が向上するため、分割予定ラインＳ上の水溶性保護膜剤Ｇの薄膜を容易に除去することができる。
なお、上記レーザビームの照射は、例えば以下の加工条件で行われる。
[加工条件]
レーザビーム ：ＹＡＧ／ＹＶＯ４
波長 ：３５５ｎｍ
平均出力 ：０．５Ｗ
繰り返し周波数 ：２００ｋＨｚ
照射スポット径 ：φ１０μｍ
チャックテーブル４０の加工送り速度 ：１００ｍｍ／ｓ
例えば、一本の分割予定ラインＳにレーザビームを照射し終えるＸ軸方向の所定の位置までウェーハＷが−Ｘ方向に進行すると、レーザビームの照射を停止するとともにウェーハＷの−Ｘ方向（往方向）での加工送りを一度停止させ、レーザビーム照射手段４１を＋Ｙ方向へ移動して、レーザビームが照射された分割予定ラインＳの隣に位置しレーザビームがまだ照射されていない分割予定ラインＳと集光器４１１とのＹ軸方向における位置合わせを行う。次いで、チャックテーブル４０が＋Ｘ方向（復方向）へ加工送りされ、往方向でのレーザビームの照射と同様に分割予定ラインＳ上の水溶性保護膜剤Ｇの薄膜にレーザビームが照射されていく。順次同様のレーザビームの照射を行うことにより、Ｘ軸方向に延びる全ての分割予定ラインＳに沿ってレーザビームが照射され、さらに、チャックテーブル４０を９０度回転させてから同様のレーザビームの照射を行う。その結果、図５に示すように、水溶性保護膜剤Ｇの薄膜のうち縦横全ての分割予定ラインＳ上に存在していた薄膜が除去され、分割予定ラインＳが露出する。そして、ウェーハＷの表面ＷａのデバイスＤを被覆している水溶性保護膜剤Ｇの薄膜は保護膜Ｇ１として残存する。保護膜Ｇ１が形成されたウェーハＷは、図６に示すプラズマエッチング装置１０へと搬送される。
図６に示すプラズマエッチング装置１０は、ガス供給部１１と、エッチング処理部１２とを備えている。ガス供給部１１には、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ４等などのフッ素を含むエッチングガス、及び、Ａｒ、Ｈｅ等の希ガス等のプラズマ支援ガスが蓄えられている。Ｈｅ等の希ガスは、エッチングガスのプラズマ化をアシストする。
エッチング処理部１２は、ウェーハＷを収容し、ガス供給部１１から供給されるエッチングガスをプラズマ化してウェーハＷをエッチングする構成となっている。具体的には、エッチング処理部１２は、プラズマエッチングが行われるチャンバ１３を備え、チャンバ１３の上部側にエッチングガス吐出手段１４を収容するとともに、エッチングしようとするウェーハＷを保持するチャックテーブル１６を下部側に収容した構成となっている。
エッチングガス吐出手段１４は、チャックテーブル１６に保持されたウェーハＷの露出面に向かってエッチングガスを吐出する機能を有し、軸部１４０がチャンバ１３に対して軸受け１４１を介して昇降自在に挿通されており、内部にはガス供給部１１に上端側が連通する流路１４２が形成されている。流路１４２の下端側はガス拡散空間１４２ａに連通し、ガス拡散空間１４２ａは、エッチングガス吐出手段１４の下面にチャックテーブル１６の保持面に向かって複数開口する噴出口１４３に連通している。
エッチングガス吐出手段１４は、昇降手段１５によって駆動されて昇降可能となっている。昇降手段１５は、モータ１５０と、モータ１５０に接続されたボールネジ１５１と、ボールネジ１５１に螺合したナットを有し軸部１４０に接続された昇降部１５２とを備えており、モータ１５０がボールネジ１５１が回動させることにより昇降部１５２が昇降し、昇降部１５２の昇降にともないエッチングガス吐出手段１４が昇降する構成となっている。
チャックテーブル１６は、軸部１６０が軸受け１６１を介して回動可能にチャンバ１３の底板に挿通されており、内部にはコンプレッサー及び真空発生装置等からなる吸引源１６３に連通する吸引路１６４及び冷却部１６５に連通する冷却路１６６が形成されており、吸引路１６４の上端側は、チャックテーブル１６内部で分岐してチャックテーブル１６の上面において複数開口している。吸引源１６３により生み出される吸引力がチャックテーブル１６の保持面に伝達されることにより、チャックテーブル１６がウェーハＷを吸引保持する。冷却部１６５は冷却路１６６へ冷却水を流入させ、この冷却水が、チャックテーブル１６を内部から冷却し、プラズマエッチング処理中に、チャックテーブル１６の保持面の温度を、例えば、ウェーハＷが貼着された保護テープＴからガスが発生しない温度以下に保つことができる。なお、吸引源１６３は必須ではなく、チャックテーブル１６をその内部に金属板等で構成される電極が配設された静電チャックとすることで、この電極に直流電圧を印加して電荷の分極による静電吸着力をチャックテーブル１６の保持面とウェーハＷとの間に発生させて、この静電吸着力によってチャックテーブル１６がウェーハＷを保持できるようにしてもよい。
チャンバ１３の側部には、ウェーハＷの搬入出を行うための搬入出口１３０と、この搬入出口１３０を開閉するシャッター１３１とが設けられている。例えば、シャッター１３１は、エアシリンダ等のシャッター可動手段１３２によって上下動可能になっている。
例えば、搬入出口１３０には、ウェーハＷの固体識別情報を示すマークを読み取るマーク読み取り部１３３が配設されている。マーク読み取り部１３３は、ウェーハＷ又は環状フレームＦに形成されたウェーハＷの固体識別情報を示すマークがバーコードであればバーコードリーダーであり、マークがＩＣタグの場合にはＩＣタグリーダーである。マーク読み取り部１３３は、搬入出口１３０を通過するウェーハＷの固体識別情報をマークを介して読み取り、読み取った情報をＣＰＵ及びメモリ等の記憶素子等から構成される制御部１Ａに送信する。なお、マーク読み取り部１３３の配設箇所は、搬入出口１３０に限定されるものではなく、また、プラズマエッチング装置１０はマーク読み取り部１３３を備えない構成としてもよい。
チャンバ１３の底板には、排気口１７が貫通形成されており、排気口１７はガス排出部１８に連通している。そして、ガス排出部１８を作動させることにより、チャンバ１３の内部を所定の真空度まで減圧したり、使用済みのガスを排出したりすることができる。また、エッチングガス吐出手段１４及びチャックテーブル１６には高周波電源１９が接続され、チャックテーブル１６とエッチングガス吐出手段１４との間に高周波電圧を印加し、エッチングガスをプラズマ化することができる。高周波電圧としてはエッチングガスをエッチングに適した状態に解離でき、また十分な数のエッチング種を得ることができる周波数、パワーを選択すればよい。また、チャックテーブル１６には、バイアス高周波電圧供給手段１６ａが接続されている。
プラズマエッチング装置１０においては、制御部１Ａによる制御の下で、エッチングガス吐出手段１４からのエッチングガスの吐出量や吐出時間、印加されるべき高周波電圧等の条件がコントロールされる。そして、制御部１Ａには、図６に示すようにホストコンピュータ９が接続されている。
（３）判定ステップ
保護膜Ｇ１が形成されプラズマエッチング装置１０へと搬送されたウェーハＷについて、塗布時刻記録ステップで記録した時刻ｔ１から所定時間Ｔａが経過しているか否かを判定する判定ステップを実施する。所定時間Ｔａは、ドライエッチングをウェーハＷに施した場合にドライエッチングによる保護膜Ｇ１の変質が発生してしまう時間であり、例えば、保護膜Ｇ１が乾燥しすぎて必要以上に固化してしまう時間である。そして、所定時間Ｔａは、水溶性保護膜剤Ｇの種類や保護膜Ｇ１の厚み等の条件に基づいて任意に定められる時間である。なお、所定時間Ｔａについての情報は、例えば、予めホストコンピュータ９に記憶されている。
判定ステップは、具体的には、例えば以下のように実施される。プラズマエッチング装置１０のチャンバ１３のシャッター１３１が開かれ、搬入出口１３０からウェーハＷをチャンバ１３内に搬入していく。例えば、搬入出口１３０には、ウェーハＷの固体識別情報を示すマークを読み取るマーク読み取り部１３３が配設されているため、マーク読み取り部１３３が、搬入出口１３０を通過するウェーハＷの固体識別情報を示すマークを読み取る。そして、マーク読み取り部１３３は、読み取った情報、すなわち、番号１のウェーハＷの固体識別情報を制御部１Ａへと送信する。例えば、制御部１Ａは、ウェーハＷが搬入出口１３０を通過した時刻ｔ２を記録し、時刻ｔ２についての情報及びマーク読み取り部１３３が読み取った番号１のウェーハＷの固体識別情報をホストコンピュータ９へと送信する。なお、時刻ｔ２は本実施形態における時刻に限定されるものではない。
ホストコンピュータ９は、時刻ｔ２についての情報及びマーク読み取り部１３３が読み取った番号１のウェーハＷの固体識別情報が送られてくると、制御プログラムに従って、ＲＡＭ等に記憶されている番号１のウェーハＷの固体識別情報に基づいて、番号１のウェーハＷの固体識別情報に紐付けられている時刻ｔ１についての情報を読み出す。そして、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの間にどれだけの時間が経過しているかを経過時間Ｔｂとして算出する。
ホストコンピュータ９は、算出した経過時間Ｔｂと所定時間Ｔａとを比較して、時刻ｔ１から所定時間Ｔａが経過しているか否かを判定する。ホストコンピュータ９は、判定結果を制御部１Ａに送信するか、又は、判定結果をオペレータが判断できるようにスピーカー等から発報したり、モニターに表示したりする。
なお、判定ステップにおいては、オペレータが、ウェーハＷについて時刻ｔ１から所定時間Ｔａが経過しているか否かを判定するものとしてもよい。この場合においては、例えば、プラズマエッチング装置１０まで搬送されてきたウェーハＷについて、ウェーハＷを支持する環状フレームＦに書き込まれる等して記録されている時刻ｔ１についての情報とプラズマエッチング装置１０にウェーハＷが搬送されてきた時刻とから、オペレータがウェーハＷについて所定時間Ｔａが経過しているか否かを判定する。
（４）エッチングステップ
判定ステップにおいて塗布時刻記録ステップで記録した時刻ｔ１から所定時間Ｔａが経過していないと判定されたデバイスウェーハＷに対しては、制御部１Ａの制御の下で、分割予定ラインＳに沿ってドライエッチングを施すエッチングステップが実施されていく。
図６に示すチャックテーブル１６の保持面とウェーハＷの裏面Ｗｂに貼着された保護テープＴ側とが対向するように位置合わせを行い、次いで、チャックテーブル１６上に保護テープＴを介して環状フレームＦに支持されたウェーハＷを載置する。次いで、吸引源１６３が駆動し、チャックテーブル１６が保持面上でウェーハＷを吸引保持する。また、搬入出口１３０を閉め、チャンバ１３の内部を減圧排気し真空状態とする。
次に、エッチングガス吐出手段１４を下降させ、その状態でガス供給部１１から流路１４２にエッチングガスとして、例えば、ＳＦ６を主体とするエッチングガスを供給し、エッチングガス吐出手段１４の下面からエッチングガスを噴出させると共に、高周波電源１９からエッチングガス吐出手段１４とチャックテーブル１６との間に高周波電圧を印加してエッチングガスをプラズマ化させる。また、ウェーハＷにバイアス高周波電圧を印加して、プラズマ化したエッチングガスをウェーハＷに引き込んでエッチングする。
エッチング条件の一例は以下の通りである。

Figure 0006764322

＃１〜＃３を数十サイクル繰り返してエッチングする。プラズマ励起用、バイアス印加用共に、例えば、周波数は１３．５６ＭＨｚとする。
プラズマ化したエッチングガスは、デバイスＤを保護する保護膜Ｇ１はほとんどエッチングせずに、ウェーハＷの表面Ｗａに露出している分割予定ラインＳに対応する領域のみを−Ｚ方向に向かって異方性エッチングを行っていく。そのため、図７に示すように、ウェーハＷの表面Ｗａに分割予定ラインＳに沿った格子状のエッチング溝Ｍが形成される。このとき、デバイスＤを保護する保護膜Ｇ１に金属酸化物が混入されている場合は、プラズマに対する耐性が向上するため、保護膜Ｇ１に対するエッチングがより抑制され、エッチング中に保護膜Ｇ１もエッチングされてデバイスＤが露出してしまうことを防ぐことができる。
あらかじめ設定した時間が経過し、ウェーハＷにエッチングが施されて、例えばエッチング溝ＭがウェーハＷの裏面Ｗｂに至らない所定の深さまで形成された時点で、プラズマエッチングを終了する。そして、搬入出口１３０を開いてエッチング溝Ｍが形成されたウェーハＷをチャンバ１３から搬出する。次いで、ウェーハＷを、図８に示す保護膜Ｇ１の除去機能も有する保護膜形成装置３へと搬送する。なお、プラズマエッチングを、ウェーハＷをフルカットするまで施すものとしてもよい。
（５）保護膜除去ステップ
次いで、保護膜Ｇ１に洗浄水を供給して保護膜Ｇ１をウェーハＷの表面Ｗａから除去する保護膜除去ステップを実施する。まず、表面Ｗａが上方に向かって露出した状態でウェーハＷが保持テーブル３０によって吸引保持された状態になる。また、各固定クランプ３０１ａによって環状フレームＦが固定される。ウェーハＷを吸引保持する保持テーブル３０がケーシング３４内における作業高さ位置に位置付けられた後、洗浄水噴射ノズル３５Ｂが旋回移動し、洗浄水噴射ノズル３５Ｂの噴射口が保持テーブル３０により吸引保持されたウェーハＷの表面Ｗａの中央領域上方に位置付けられる。そして、洗浄水供給手段３６Ｂが洗浄水噴射ノズル３５Ｂに、例えば洗浄水Ｊとして純水を供給し、洗浄水噴射ノズル３５Ｂの噴射口からウェーハＷの表面Ｗａの中心部に向かって洗浄水Ｊが噴射される。また、回転駆動源３２１がスピンドル３２０を＋Ｚ方向側から見て反時計周り方向に向かって回転させることによって、保持テーブル３０が同様に回転する。
これにより、水溶性の保護膜Ｇ１が洗浄水Ｊによって溶解し、保持テーブル３０の回転により発生する遠心力によって、洗浄水Ｊと共にウェーハＷの表面Ｗａ上を中心側から外周側に向けて流れていき、保持テーブル３０上からケーシング３４の底板３４１へと流下する。そのため、保護膜Ｇ１がウェーハＷのデバイスＤの上面から除去され、表面Ｗａ全面が露出した状態のウェーハＷが残存する。保護膜Ｇ１が除去されたウェーハＷは、例えば、図９に示す研削装置２に搬送される。
（６）研削ステップ
図９に示す研削装置２は、例えば、ウェーハＷを吸引保持する保持テーブル２０と、保持テーブル２０に保持されたウェーハＷを研削加工する研削手段２１とを少なくとも備えている。保持テーブル２０は、例えば、その外形が円形状であり、ポーラス部材等からなる保持面２０ａ上でウェーハＷを吸引保持する。保持テーブル２０は、鉛直方向の軸心周りに回転可能であるとともに、Ｘ軸方向送り手段２３によって、Ｘ軸方向に往復移動可能となっている。
研削手段２１は、研削手段２１を保持テーブル２０に対して離間又は接近するＺ軸方向に研削送りする研削送り手段２２によって上下動可能となっている。研削手段２１は、軸方向が鉛直方向（Ｚ軸方向）である回転軸２１０と、回転軸２１０を回転駆動するモータ２１２と、回転軸２１０の下端に接続された円環状のマウント２１３と、マウント２１３の下面に着脱可能に接続された研削ホイール２１４とを備える。
研削ホイール２１４は、ホイール基台２１４ａと、ホイール基台２１４ａの底面に環状に配設された略直方体形状の複数の研削砥石２１４ｂとを備える。研削砥石２１４ｂは、例えば、レジンボンドやメタルボンド等でダイヤモンド砥粒等が固着されて成形されている。なお、研削砥石２１４ｂの形状は、環状に一体に形成されているものでもよい。
例えば、回転軸２１０の内部には、研削水供給源に連通し研削水の通り道となる図示しない流路が、回転軸２１０の軸方向（Ｚ軸方向）に貫通して形成されており、流路はマウント２１３を通り、ホイール基台２１４ａの底面において研削砥石２１４ｂに向かって研削水を噴出できるように開口している。
保護膜Ｇ１が除去されたウェーハＷは、例えば、研削装置２によって裏面Ｗｂ側から研削され、仕上げ厚さへと薄化されると共にエッチング溝ＭをウェーハＷの裏面Ｗｂに露出させることで、デバイスＤを備える個々のチップに分割される。ウェーハＷは研削加工が施されるにあたって、図９に示すように、ウェーハＷと同等の直径を備える保護部材Ｔ１にウェーハＷの表面Ｗが貼着されて表面Ｗａが保護された状態になるとともに、裏面Ｗｂから保護テープＴが剥離され環状フレームＦによる支持が解除された状態になる。
まず、保持テーブル２０の中心とウェーハＷの中心とが略合致するようにして、ウェーハＷが、裏面Ｗｂ側を上に向けた状態で保持面２０ａ上に載置される。そして、図示しない吸引源により生み出される吸引力が保持面２０ａに伝達されることにより、保持テーブル２０がウェーハＷを吸引保持する。
次いで、ウェーハＷを保持した保持テーブル２０が、研削手段２１の下まで＋Ｘ方向へ移動して、研削手段２１に備える研削ホイール２１４とウェーハＷとの位置合わせがなされる。研削手段２１に備える研削ホイール２１４とウェーハＷとの位置合わせが行われた後、回転軸２１０がモータ２１２によって＋Ｚ方向側からみて反時計回り方向に回転駆動されるのに伴って、研削ホイール２１４が同方向に回転する。また、研削手段２１が研削送り手段２２により−Ｚ方向へと送られ、回転する研削ホイール２１４の研削砥石２１４ｂがウェーハＷの裏面Ｗｂに当接することで研削加工が行われる。研削中は、保持テーブル２０が＋Ｚ方向側からみて反時計回り方向に回転するのに伴って、保持面２０ａ上に保持されたウェーハＷも回転するので、研削砥石２１４ｂがウェーハＷの裏面Ｗｂの全面の研削加工を行う。
研削ホイール２１４を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、例えば、エッチング溝Ｍの底ＭｂがウェーハＷの裏面Ｗｂ側に露出するまでウェーハＷの裏面Ｗｂを研削する。そして、エッチング溝Ｍの底ＭｂがウェーハＷの裏面Ｗｂに露出することで、ウェーハＷはデバイスＤを備える個々のチップに分割される。
本発明に係るデバイスウェーハの加工方法においては、デバイスウェーハＷの表面Ｗａに水溶性保護膜剤Ｇを塗布してデバイスＤを保護するとともに分割予定ラインＳを露出させた保護膜Ｇ１を形成する保護膜形成ステップと、デバイスウェーハＷに水溶性保護膜剤Ｇが塗布された時刻を記録する塗布時刻記録ステップと、保護膜形成ステップと塗布時刻記録ステップとを実施した後、デバイスウェーハＷに分割予定ラインＳに沿ってドライエッチングを施すエッチングステップと、エッチングステップを実施した後、保護膜Ｇ１に洗浄水Ｊを供給して保護膜Ｇ１を除去する保護膜除去ステップと、を備えているため、洗浄水Ｊを供給するだけでデバイスウェーハＷの表面Ｗａから保護膜Ｇ１を容易に除去できる。よってレジスト膜形成装置やアッシング装置等の各種設備が不要となり、加工コストを抑えるとともにデバイスウェーハＷを効率良く個々のチップに分割できる。
また、本発明に係るデバイスウェーハの加工方法においては、上記エッチングステップを実施する前に、塗布時刻記録ステップで記録した時刻から所定時間が経過しているか否かを判定する判定ステップを更に備え、判定ステップにおいて塗布時刻記録ステップで記録した時刻から所定時間が経過していない判定されたデバイスウェーハＷに対してのみエッチングステップと保護膜除去ステップとを実施することによって、保護膜Ｇ１が洗浄水Ｊにより除去できないといった事態が生じることがなくなるので、デバイスウェーハＷ全体を損傷させるおそれがなくなる。
（７）洗浄除去ステップ
上記（３）判定ステップにおいて、例えばホストコンピュータ９が、（２）塗布時刻記録ステップで記録した時刻ｔ１から所定時間Ｔａが経過していると判定した場合には、上記（４）エッチングステップではなく、ウェーハＷに洗浄水Ｊを供給して保護膜Ｇ１を除去する洗浄除去ステップを実施する。
例えば、図６に示すホストコンピュータ９から所定時間Ｔａが経過していると判定した旨の判定結果が制御部１Ａに送信されると、制御部１Ａの制御の下で、プラズマエッチング装置１０のチャンバ１３内へのウェーハＷの搬入が停止される。次いで、ウェーハＷが、図８に示す保護膜Ｇ１の除去機能も有する保護膜形成装置３へと搬送され、上記（５）保護膜除去ステップにおいて保護膜Ｇ１をウェーハＷの表面Ｗａから洗浄除去したのと同様の洗浄が、ウェーハＷに対して行われる。そして、保護膜Ｇ１がウェーハＷのデバイスＤ上から除去され、図１に示す保護膜形成ステップが実施される前と同様の表面Ｗａ全面が露出した状態のウェーハＷが残存する。その後、このウェーハＷに対して、上記（１−１）保護膜形成ステップにおけるウェーハの表面に対する水溶性保護膜剤の塗布から（３）判定ステップまでを順に実施する。
本発明に係るデバイスウェーハの加工方法においては、判定ステップで塗布時刻記録ステップで記録した時刻から所定時間が経過したと判定されたウェーハＷは、ドライエッチングを実施する前に洗浄除去ステップを実施して一旦保護膜Ｇ１を除去し、その後、保護膜形成ステップと、塗布時刻記録ステップと、判定ステップと、を順に実施することによって、再度保護膜Ｇ１を形成し、変質していない保護膜Ｇ１によってデバイスＤが保護されたウェーハＷに対してドライエッチングを施すことが可能となる。そのため、デバイスウェーハＷを無駄にすることがなくなる。
なお、本発明に係るデバイスウエーハの加工方法は上記実施形態に限定されるものではなく、また、添付図面に図示されている保護膜形成装置３、レーザ加工装置４、プラズマエッチング装置１０及び研削装置２の構成等についても、これに限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。
Ｗ：デバイスウェーハ Ｗａ：ウェーハの表面 Ｗｂ：ウェーハの裏面
Ｓ：分割予定ライン Ｄ：デバイス ＯＦ：オリエンテーションフラット
Ｔ：保護テープ Ｆ：環状フレーム ＦＶ：窪み部
３：保護膜形成装置
３０：保持テーブル ３００：吸着部 ３００ａ：保持面 ３０１：枠体
３０１ａ：固定クランプ
３２：回転手段 ３２０：スピンドル ３２１：回転駆動源 ３２２：支持機構
３４：ケーシング ３４０：外側壁 ３４１：底板 ３４１ａ：排出口
３４１ｂ：ホース ３４２：内側壁 ３４３：脚部 ３４４：カバー部材
３４４ａ：スカート部
３５Ａ：保護膜剤噴射ノズル ３６Ａ：保護膜剤供給手段 Ｇ：水溶性保護膜剤
３５Ｂ：洗浄水噴射ノズル ３６Ｂ：洗浄水供給手段
３８：保護膜形成装置のマーク読み取り部 ３９：保護膜形成装置の制御部
Ｇ：水溶性保護膜剤 Ｇ１：保護膜 ９：ホストコンピュータ
４：レーザ加工装置 ４０：チャックテーブル
４１：レーザビーム照射手段 ４１０：レーザビーム発振器 ４１１：集光器
４１１ａ：集光レンズ
４４：アライメント手段 ４４０：撮像手段
１０：プラズマエッチング装置 １１：ガス供給部 １２：エッチング処理部
１３：チャンバ １３０：搬入出口 １３１：シャッター １３２：シャッター可動手段
１３３：プラズマエッチング装置のマーク読み取り部
１４：エッチングガス吐出手段 １４０：軸部
１４１：軸受け １４２：流路 １４２ａ：ガス拡散空間 １４３：噴出口
１５：昇降手段 １５０：モータ １５１：ボールネジ １５２：昇降部
１６：チャックテーブル １６０：軸部 １６１：軸受け部
１６ａ：バイアス高周波電圧供給手段
１６３：吸引源 １６４：吸引路 １６５：冷却部 １６６：冷却路
１７：排気口 １８：ガス排出部 １９：高周波電源 Ｍ：エッチング溝 １Ａ：制御部
２：研削装置 ２０：保持テーブル ２０ａ：保持テーブルの保持面
２３：Ｘ軸方向送り手段
２１：研削手段 ２１０：回転軸 ２１２：モータ ２１３：マウント
２１４：研削ホイール ２１４ａ：ホイール基台 ２１４ｂ：研削砥石

Claims (2)

  1. 分割予定ラインで区画された領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有したデバイスウェーハの加工方法であって、
    デバイスウェーハの表面に水溶性保護膜剤を塗布してデバイスを保護するとともに該分割予定ラインを露出させた保護膜を形成する保護膜形成ステップと、
    デバイスウェーハに該水溶性保護膜剤が塗布された時刻を記録する塗布時刻記録ステップと、
    該保護膜形成ステップと該塗布時刻記録ステップとを実施した後、デバイスウェーハに該分割予定ラインに沿ってドライエッチングを施すエッチングステップと、
    該エッチングステップを実施した後、該保護膜に洗浄水を供給して該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を備え、
    該エッチングステップを実施する前に、該塗布時刻記録ステップで記録した該時刻から所定時間が経過しているか否かを判定する判定ステップを更に備え、
    該判定ステップにおいて該時刻から該所定時間が経過していないと判定されたデバイスウェーハに対して該エッチングステップと該保護膜除去ステップとを実施する、デバイスウェーハの加工方法。
  2. 前記判定ステップを実施した後、該判定ステップで該時刻から該所定時間が経過したと判定されたデバイスウェーハに洗浄水を供給して該保護膜を除去する洗浄除去ステップと、該洗浄除去ステップを実施した後、前記保護膜形成ステップと、前記塗布時刻記録ステップと、該判定ステップと、を順に実施する、請求項１に記載のデバイスウェーハの加工方法。
JP2016226608A 2016-11-22 2016-11-22 デバイスウェーハの加工方法 Active JP6764322B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016226608A JP6764322B2 (ja) 2016-11-22 2016-11-22 デバイスウェーハの加工方法
US15/819,012 US10679897B2 (en) 2016-11-22 2017-11-21 Device wafer processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016226608A JP6764322B2 (ja) 2016-11-22 2016-11-22 デバイスウェーハの加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018085400A JP2018085400A (ja) 2018-05-31
JP6764322B2 true JP6764322B2 (ja) 2020-09-30

Family

ID=62147828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016226608A Active JP6764322B2 (ja) 2016-11-22 2016-11-22 デバイスウェーハの加工方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10679897B2 (ja)
JP (1) JP6764322B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7233019B2 (ja) * 2018-06-05 2023-03-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
JP7209246B2 (ja) * 2018-09-25 2023-01-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
JP7209247B2 (ja) * 2018-09-25 2023-01-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
EP3633718A1 (en) * 2018-10-01 2020-04-08 Infineon Technologies AG Detection of adhesive residue on a wafer
JP7313204B2 (ja) * 2019-06-20 2023-07-24 株式会社ディスコ 加工装置
JP2021015938A (ja) * 2019-07-16 2021-02-12 株式会社ディスコ 水溶性の樹脂シート及びウェーハの加工方法
JP7286464B2 (ja) * 2019-08-02 2023-06-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2022021712A (ja) * 2020-07-22 2022-02-03 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4471632B2 (ja) * 2003-11-18 2010-06-02 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2006120834A (ja) 2004-10-21 2006-05-11 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの分割方法
JP2006253402A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
WO2008001698A1 (en) * 2006-06-26 2008-01-03 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2012023085A (ja) * 2010-07-12 2012-02-02 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP5681453B2 (ja) * 2010-11-08 2015-03-11 株式会社ディスコ 測定方法および測定装置
JP5973763B2 (ja) * 2012-03-28 2016-08-23 東京エレクトロン株式会社 自己組織化可能なブロック・コポリマーを用いて周期パターン形成する方法及び装置
JP6302644B2 (ja) * 2013-11-11 2018-03-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6295094B2 (ja) * 2014-02-06 2018-03-14 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US9576834B2 (en) * 2015-03-16 2017-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Stocker and method for dispatching wafer carrier in stocker

Also Published As

Publication number Publication date
US20180144983A1 (en) 2018-05-24
US10679897B2 (en) 2020-06-09
JP2018085400A (ja) 2018-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6764322B2 (ja) デバイスウェーハの加工方法
US11752576B2 (en) Substrate processing system for removing peripheral portion of substrate, substrate processing method and computer readable recording medium thereof
JP5133855B2 (ja) 保護膜の被覆方法
JP4777783B2 (ja) レーザー加工装置
JP6739873B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2004322168A (ja) レーザー加工装置
JP5385060B2 (ja) 保護膜被覆方法および保護膜被覆装置
JP2015213955A (ja) ウェーハの加工方法
JP2017117990A (ja) ウエーハの加工方法
JP2013207170A (ja) デバイスウェーハの分割方法
JP2008155292A (ja) 基板の加工方法および加工装置
JP2008006379A (ja) 保護被膜の被覆方法
JP2017092379A (ja) 保護膜被覆方法
JP5713749B2 (ja) 保護膜塗布装置
JP6137798B2 (ja) レーザー加工装置及び保護膜被覆方法
JP2010267638A (ja) 保護膜の被覆方法及びウエーハのレーザ加工方法
JP4666583B2 (ja) 保護被膜の被覆方法
JP5065722B2 (ja) レーザー加工装置
JP6305750B2 (ja) 静電気除去装置を備えた加工機
JP6199582B2 (ja) 保護膜形成装置
JP2017208460A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JP2009148793A (ja) 保護膜被覆装置およびレーザー加工機
JP2013021211A (ja) ウエーハの加工方法
JP6990070B2 (ja) 加工方法
JP5766518B2 (ja) 電極が埋設されたウエーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190920

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200806

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200818

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200911

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6764322

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250