JP7286464B2 - レーザー加工装置 - Google Patents

レーザー加工装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7286464B2
JP7286464B2 JP2019142863A JP2019142863A JP7286464B2 JP 7286464 B2 JP7286464 B2 JP 7286464B2 JP 2019142863 A JP2019142863 A JP 2019142863A JP 2019142863 A JP2019142863 A JP 2019142863A JP 7286464 B2 JP7286464 B2 JP 7286464B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
laser processing
predetermined value
laser beam
modified layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019142863A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021027119A (ja
Inventor
勝 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2019142863A priority Critical patent/JP7286464B2/ja
Priority to SG10202006743PA priority patent/SG10202006743PA/en
Priority to US16/941,013 priority patent/US20210035826A1/en
Priority to KR1020200094484A priority patent/KR20210015687A/ko
Priority to CN202010755803.3A priority patent/CN112388187A/zh
Publication of JP2021027119A publication Critical patent/JP2021027119A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7286464B2 publication Critical patent/JP7286464B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67271—Sorting devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702—Auxiliary equipment
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
    • G—PHYSICS
    • G08—SIGNALLING
    • G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
    • G08B21/00—Alarms responsive to a single specified undesired or abnormal condition and not otherwise provided for
    • G08B21/18—Status alarms
    • G08B21/182—Level alarms, e.g. alarms responsive to variables exceeding a threshold
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing

Description

本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハにレーザー加工を施すレーザー加工装置に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
レーザー加工装置は、ウエーハを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置付けて照射し、分割の起点となる改質層を形成するレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段と、を相対的に加工送りする送り手段と、ウエーハを撮像する撮像手段と、制御手段と、を含み構成されていて、ウエーハを高精度に分割することができる(例えば、特許文献１を参照）。
特許第３４０８８０５号公報
上記したように、ウエーハの分割予定ラインの内部にレーザー光線の集光点を位置付けて改質層を形成した場合、肉眼では容易に改質層の存在を確認することができず、そのウエーハが加工済であるのか否かの判別ができない。よって、カセットに収容されたウエーハが加工済であるにも関わらず、何等かの理由により、そのカセットがレーザー加工装置にセットされて、カセットに収容された加工済のウエーハに対し、再びレーザー加工を施してしまうという問題がある。仮に、分割予定ラインに対して既に改質層が形成された加工済のウエーハに対して、再びレーザー光線を照射してしまうと、既に形成された改質層でレーザー光線が乱反射して、デバイスを損傷させ、大きな損害となる。
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、既に加工されたウエーハに対して、再び加工することがないレーザー加工装置を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハにレーザー加工を施すレーザー加工装置であって、ウエーハを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置付けて照射し分割の起点となる改質層を形成するレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする送り手段と、ウエーハを透過して撮像する撮像手段と、制御手段とを含み、該制御手段は、該撮像手段によって改質層が形成される前の分割予定ラインを撮像して基準画像として記憶する基準画像記憶部と、該基準画像記憶部に記憶された基準画像と該撮像手段によって撮像した該保持手段に保持されたウエーハの画像とを比較して一致度を算出する算出部と、該算出部が算出した一致度が第一の所定値を上回る場合は、該保持手段に保持されたウエーハは改質層が形成されていない未加工のウエーハであると判断し、該一致度が第二の所定値以下である場合は、該保持手段に保持されたウエーハは改質層が形成された加工済のウエーハであると判断する判断部と、を備えるレーザー加工装置が提供される。
該制御手段は、該レーザー光線照射手段によりウエーハに対して改質層を形成するレーザー加工を実施する前に、該判断部が該保持手段に保持されたウエーハは加工済であると判断した場合、警告信号を発することが好ましい。また、該第一の所定値を第二の所定値よりも大きい値に設定し、該判断部は、該算出部が算出した一致度が、該第一の所定値を上回らず、且つ該第二の所定値を下回らない場合に、加工不良である旨の警告信号を発するようにしてもよい。さらに、上記した第一の所定値と第二の所定値とを、同じ値に設定することもできる。
本発明のレーザー加工装置は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハにレーザー加工を施すレーザー加工装置であって、ウエーハを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置付けて照射し分割の起点となる改質層を形成するレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする送り手段と、ウエーハを透過して撮像する撮像手段と、制御手段とを含み、該制御手段は、該撮像手段によって改質層が形成される前の分割予定ラインを撮像して基準画像として記憶する基準画像記憶部と、該基準画像記憶部に記憶された基準画像と、該撮像手段によって撮像した該保持手段に保持されたウエーハの画像とを比較して一致度を算出する算出部と、該算出部が算出した一致度が第一の所定値を上回る場合は、該保持手段に保持されたウエーハは改質層が形成されていない未加工のウエーハであると判断し、該一致度が第二の所定値以下である場合は、該保持手段に保持されたウエーハは改質層が形成された加工済のウエーハであると判断する判断部と、を備えることから、加工済のウエーハを再びレーザー加工装置によって加工することがなく、先に形成された改質層にレーザー光線が乱反射してデバイスを損傷させるという問題が解消する。
レーザー加工装置の全体斜視図である。 図１に示すレーザー加工装置によって加工されるウエーハ、及び保護テープの斜視図である。 図１に示すレーザー加工装置において、基準画像を撮像し、記憶する際の態様を示す斜視図である。 図１に示すレーザー加工装置において、ウエーハに対してレーザー加工を施す態様を示す斜視図である。 図１に示すレーザー加工装置において、ウエーハを撮像し、算出部及び判断部を実施する態様を示す斜視図である。
以下、本発明に基づいて構成されるレーザー加工装置に係る具体的な実施形態について、添付図面を参照しながら、詳細に説明する。
図１には、本実施形態のレーザー加工装置１の全体斜視図が示されている。レーザー加工装置１は、基台２上に配置され、被加工物であるウエーハに対してレーザー光線を照射する加工手段としてのレーザー光線照射手段４と、該ウエーハを保持する保持手段３０と、保持手段３０に保持されるウエーハを撮像する撮像手段６と、レーザー光線照射手段４及び保持手段３０とを相対的に加工送りし、撮像手段６及び保持手段３０とを相対的に移動させる送り手段２０と、基台２上の奥側に立設される垂直壁部２６１及び垂直壁部２６１の上端部から水平方向に延びる水平壁部２６２からなる枠体２６と、基台２の送り手段２０に隣接して配設されるカセット載置機構４０及び搬出入手段５０と、レーザー加工装置１の各作動部を制御する制御手段１００と、を備えている。
枠体２６の水平壁部２６２の内部には、レーザー光線照射手段４を構成する光学系（図示は省略）が収容される。レーザー光線照射手段４は、図示しないレーザー発振器、出力調整手段等を含み、水平壁部２６２の先端部下面側には、レーザー光線照射手段４の一部を構成する集光器４ａが配設されている。
撮像手段６は、レーザー光線照射手段４の集光器４ａに対して図中矢印Ｘで示すＸ軸方向で隣接する位置に配設される。水平壁部２６２の上方には、制御手段１００に接続され、レーザー加工装置２の加工条件を表示したり、オペレータが加工条件を入力したりするタッチパネル機能を備えた表示手段８が配置される。
制御手段１００は、コンピュータにより構成され、制御プログラムに従って演算処理する中央演算処理装置（ＣＰＵ）と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）と、撮像手段６が撮像した画像、検出した検出値、及び演算結果等を一時的に格納するための読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）と、入力インターフェース、及び出力インターフェースとを備えている（詳細についての図示は省略）。制御手段１００は、レーザー加工装置１の各作動部を制御すると共に、撮像手段６によって撮像された画像を含む適宜の情報を記録すると共に、撮像手段６によって撮像された画像を解析し、例えば、ウエーハが未加工であるか、加工済であるか否かを判断する機能を備える。なお、図１では、説明の都合上、制御手段１００をレーザー加工装置１の外部に示しているが、実際は、レーザー加工装置１の内部に収容されている。
保持手段３０は、図１に示すように、Ｘ軸方向において移動自在に基台２に搭載された矩形状のＸ軸方向可動板３１と、Ｙ軸方向において移動自在にＸ軸方向可動板３１に搭載された矩形状のＹ軸方向可動板３２と、Ｙ軸方向可動板３２の上面に固定された円筒状の支柱３３と、支柱３３の上端に固定された矩形状のカバー板３４とを含む。カバー板３４にはカバー板３４上に形成された長穴を通って上方に延びるチャックテーブル３５が配設されている。チャックテーブル３５は、円形状のウエーハを保持し、支柱３３内に収容された図示しない回転駆動手段により矢印Ｒ１で示す方向に回転可能に構成される。チャックテーブル３５の上面は、通気性を有する多孔質材料から形成され実質上水平に延在する保持面を構成する。チャックテーブル３５は、支柱３３内を通る図示しない流路によって吸引手段（図示は省略）に接続されている。
送り手段２０は、Ｘ軸送り手段２１と、Ｙ軸送り手段２２と、上記した図示しない支柱３３内に収容された回転駆動手段とを含む。Ｘ軸送り手段２１は、図示しないモータの回転運動を、ボールねじを介して直線運動に変換してＸ軸方向可動板３１に伝達し、基台２上の案内レール２７、２７に沿ってＸ軸方向可動板３１をＸ軸方向において進退させる。Ｙ軸送り手段２１も略同様の構成を備えており、モータの回転運動を、ボールねじを介して直線運動に変換し、Ｙ軸方向可動板３２に伝達し、Ｘ軸方向可動板３１上の案内レール３６、３６に沿ってＹ軸方向可動板３２をＹ軸方向において進退させる。なお、基台２上の案内レール２７、２７、Ｘ軸方向可動板３１上の案内レール３６、３６、及びチャックテーブル３５には、適宜のスケール、及び読取手段からなる位置検出センサが配設されており（いずれも図示は省略する）、チャックテーブル３５のＸ軸方向、Ｙ軸方向、及び回転方向の正確な位置が検出可能に構成され、チャックテーブル３５の位置を検出しながら、送り手段２０を作動して、撮像手段６、及びレーザー光線照射手段４の集光器４ａに対してチャックテーブル３５を移動して所望の位置に位置付けることができる。
撮像手段６は、可視光線により撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）と、被加工物に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段により照射された赤外線を捕える光学系と、該光学系が捕えた赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）とを含む。撮像手段６は、上記したように、赤外線照射手段と、赤外線ＣＣＤを備えていることにより、シリコン等のウエーハを裏面から撮像した場合であっても、ウエーハを透過して表面側に形成された分割予定ライン、分割予定ラインに沿ってウエーハの内部に形成される改質層、アライメントを行う際に必要となる基準マーク等を撮像することができる。このように構成された撮像手段６は、レーザー光線照射手段４の集光器４ａによるレーザー照射位置と、該ウエーハの被加工領域との位置合わせを行うためのアライメントに利用される。
本実施形態のカセット載置機構４０は、複数のウエーハを収容する第１のカセット４２、及び第２のカセット４３を載置するカセット載置領域４１、４１を備えている。オペレータは、各カセット載置領域４１、４１に対して、未加工のウエーハが収容された第１のカセット４２、第２のカセット４３を所定の向きに揃えて載置する。第１のカセット４２、第２のカセット４３に収容された各ウエーハが加工されて、加工済のウエーハが第１のカセット４２、第２のカセット４３に収容されたならば、カセット載置領域４１から後工程の適宜の装置に搬送される。
搬出入手段５０は、第１のカセット４２の開口部４２ａ、及び第２のカセット４３の開口部４３ａと対向する領域に配設される。搬出入手段５０は、駆動機構５２と、アーム基台５３と、複数のアーム部を備えたアーム機構５４と、アーム機構５４の先端に形成されたロボットハンド５５とを備える。駆動機構５２は、モータ５２ａの回転運動を、ボールねじ５２ｂを介して直線運動に変換して搬出入用可動板５２ｃに伝達し、Ｘ軸方向に架け渡された案内レール５２ｄに沿って搬出入用可動板５２ｃをＸ軸方向において所望の位置に正確に位置付ける。搬出入用可動板５２ｃの前面には、上下方向に一対のレール５２ｅ、５２ｅが形成され、レール５２ｅ、５２ｅに沿って上下移動するアーム基台５３が支持されている。詳細な図示は省略するが、搬出入用可動板５２ｃとアーム基台５３との間にも、モータと、該モータの回転運動を、ボールねじを介して直線運動に変換してアーム基台５３に伝達する駆動機構を備え、アーム基台５３を、一対のレール５２ｅ、５２ｅに沿って矢印Ｚで示すＺ軸方向（上下方向）における所望の位置に正確に位置付ける。
アーム基台５３の内部には、アーム機構５４を駆動するための回転駆動機構（図示は省略する）が収容されており、各アーム部の関節部に配設されるモータと協働して、アーム機構５４の先端部に配設されたＵ字形状のロボットハンド５５を所望の位置に位置付けることができる。ロボットハンド５５には、複数の吸引孔が形成されており、アーム基台５３、アーム機構５４を介して該吸引孔に対して負圧が供給される。第１のカセット４２の開口部４２ａ、及び第２のカセット４３の開口部４３ａからウエーハを搬出入することが可能であり、アーム機構５４、及びロボットハンド５５の動作により、所望のウエーハを吸着し、図１にてチャックテーブル３５が位置付けられている搬出入位置に搬送する。該搬出入位置に位置付けられたチャックテーブル３５に搬送されたウエーハは、チャックテーブル３５上に規定の角度で正確に載置されて吸引保持される。チャックテーブル３５に吸引保持されたウエーハは、支柱３３内に配設された回転駆動手段（図示は省略する）によって所定の角度だけ回転させられた後、撮像手段６の直下に位置付けられて撮像され、さらにアライメント工程が実施される。アライメント工程が実施されたならば、チャックテーブル３５がレーザー光線照射手段４の集光器４ａの直下に位置付けられて、ウエーハの内部に形質層を形成すべくレーザー加工が施される。
ウエーハに対し、レーザー光線照射手段４によってレーザー加工が施されたならば、チャックテーブル３５は、再び図１に示す搬出入位置に位置付けられて、搬出入手段５０のロボットハンド５５によって加工済のウエーハが吸着されて、ウエーハが加工前に収容されていた第１のカセット４２、又は第２のカセット４３の、いずれかの位置に戻される。
本実施形態のレーザー加工装置１は、概ね上記したとおりの構成を備えており、その作用について、以下に説明する。
図２には、本実施形態でレーザー加工が施されるウエーハ１０の斜視図が示されている。ウエーハ１０は、例えば、複数のデバイス１２が格子状に形成された分割予定ライン１４によって区画され表面１０ａに形成されたシリコンウエーハである。ウエーハ１０の表面１０ａには、ウエーハ１０と同一の形状で形成された保護テープＴが貼着され一体化される。保護テープＴが表面１０ａに貼着されたウエーハ１０は、図２の最下段に示されているように反転され、保護テープＴを下側に向けウエーハ１０の裏面１０ｂを上方に向けた状態とされ、第１のカセット４２、又は第２のカセット４３に、所定の間隔を空けて複数枚収容される。
レーザー加工装置１によってレーザー加工を実施する際には、オペレータが、未加工のウエーハ１０を複数収容した第１のカセット４２、及び第２のカセット４３をレーザー加工装置１に運び、カセット載置領域４１、４１に載置する。
第１のカセット４２、及び第２のカセット４３をカセット載置領域４１、４１に載置したならば、オペレータは、レーザー加工装置１に対して、レーザー加工の加工条件等を設定した後、レーザー加工の開始を指示する。レーザー加工の開始が指示されたならば、上記した搬送手段５０の駆動機構５２、アーム基台５３、アーム機構５４、及びロボットハンド５５が作動して、例えば、第１のカセット４２から、所定のウエーハ１０を吸着して搬出する。第１のカセット４２から搬出されたウエーハ１０は、図１に示す位置（搬出入位置）に位置付けられたチャックテーブル３５上に搬送され載置される。次いで、図示しない吸引手段が作動されて、ウエーハ１０がチャックテーブル３５に吸引保持される。
チャックテーブル３５上にウエーハ１０を載置し吸引保持したならば、所定のウエーハ１０に対してレーザー加工を実施する際の最初にのみ、以下に説明する基準画像撮像工程を実施する。基準画像撮像工程を実施するに際しては、送り手段２０を作動して、チャックテーブル３５を移動し、図３に示すように、撮像手段６の直下にチェックテーブル３５に吸引保持されたウエーハ１０を位置付ける。撮像手段６の直下にウエーハ１０を位置付けたならば、所定の領域を撮像し、制御手段１００を介して、表示手段８に表示する。該所定の領域は、予め定められた所定のマーク１６ａ、１６ｂを基準として規定される。図３で撮像されるウエーハ１０は未加工であり、改質層が形成される前であることが予め確認されている。図３の表示手段８に示される如く、未加工であるウエーハ１０の該所定の領域が撮像されたならば、表示手段８に表示された撮像領域のうち、マーク１６ａ及び１６ｂで挟まれ、且つＸ軸方向（左右方向）に延びる分割予定ライン１４を含む中央領域のみを基準画像Ｇ０として制御手段１００に設定された基準画像記憶部１１０に記憶する。また、この基準画像Ｇ０を記憶する際には、このときのチャックテーブル３５のＸ座標、Ｙ座標も併せて記憶される。なお、該撮像手段６は、上記したように、赤外線を使用して撮像する手段であることから、基準画像Ｇ０は、白黒の２色であり、例えば２５６階調の濃淡で表現される画像となる。以上により、基準画像撮像工程が完了する。
上記したように基準画像Ｇ０が制御手段１００の基準画像記憶部１１０に記憶されたならば、撮像手段６を使用してアライメント工程を実施する。アライメント工程を実施するに際しては、支柱３３内に収容された図示しない回転駆動手段を作動して、ウエーハ１０の結晶方位を所定の方向に位置付けるべく、ウエーハ１０を保持したチャックテーブル３５を適宜回転させる。該アライメント工程によって、レーザー光線照射手段４の集光器４ａからレーザー光線ＬＢが照射される位置と、ウエーハ１０の被加工位置（分割予定ライン１４）との位置合わせを行う。なお、このアライメント工程は、上記した基準画像撮像工程と同時に行ってもよく、アライメント工程を実施する過程で、上記した基準画像撮像工程を実施するようにしてもよい。
上記したようにアライメント工程を実施したならば、該アライメント工程によって得た位置情報に基づいて、図４の（ａ）及び（ｂ）に示すように、ウエーハ１０の分割予定ライン１４の内部にレーザー光線照射手段４の集光点Ｑを位置付ける。そして、上記したＸ軸送り手段２１を作動することによってチャックテーブル３５をＸ軸方向に加工送りしながら、レーザー光線ＬＢを照射して、分割予定ライン１４に沿って改質層１８を形成する。所定の分割予定ライン１４に沿って改質層１８を形成したならば、Ｙ軸送り手段２２を作動することによってウエーハ１０をＹ軸方向（割り出し送り方向）に割り出し送りして、未加工の分割予定ライン１４に対してレーザー光線ＬＢの照射を実施して改質層１８を形成する。このようなレーザー加工を繰り返すことにより、所定の方向に形成された全ての分割予定ライン１４に沿って改質層１８が形成される。
所定の方向に形成された全ての分割予定ライン１４に沿って改質層１８を形成したならば、チャックテーブル３５を９０°回転させて、該所定の方向に直交する未加工の分割予定ライン１４をＸ軸方向に沿うように位置付ける。そして、未加工の分割予定ライン１４の内部にレーザー光線照射手段４の集光点Ｑを位置付けて、Ｘ軸送り手段２１を作動することによってチャックテーブル３５をＸ軸方向に加工送りしながら、ウエーハ１０の分割予定ライン１４の内部に沿って改質層１８を形成する。このようにして所定の方向に直交する分割予定ライン１４に沿って改質層１８を形成したならば、Ｙ軸送り手段２２を作動することによってＹ軸方向（割り出し送り方向）に割り出し送りして、隣接する未加工の分割予定ライン１４に対してレーザー光線ＬＢの照射を実施して改質層１８を形成する。上記した加工を繰り返すことにより、ウエーハ１０上の全ての分割予定ライン１４に沿って改質層１８を形成する。
なお、本実施形態のレーザー加工条件は、例えば、以下のように設定することができる。
波長 ：１３４２ｎｍ
繰り返し周波数 ：９０ｋＨｚ
平均出力 ：１．２Ｗ
送り速度 ：７００ｍｍ／秒
ウエーハ１０の全ての分割予定ライン１４に沿って改質層１８を形成したならば、ウエーハ１０を吸引保持しているチャックテーブル３５を、図１に示す搬出入位置に位置付ける。次いで、搬出入手段５０を作動して、駆動機構５２、アーム基台５３、アーム機構５４、ロボットハンド５５等を作動して、チャックテーブル３５上に保持されたウエーハ１０を吸着して、第１のカセット４２の所定の位置に収容する。
１枚目のウエーハ１０に対して、上記した基準画像記憶工程を実施し、且つレーザー加工を終えたウエーハ１０を第１のカセット４２に収容したならば、第１のカセット４２に収容された他の未加工のウエーハ１０を順次搬出して、ウエーハ１０の内部に改質層１８を形成するレーザー加工を実施する。
上記した基準画像記憶工程を実施した後、同一種類のウエーハ１０に対して上記した加工条件によりレーザー加工を実施する場合は、上記した基準画像記憶工程を実施することに代えて、制御手段１００に備えられた算出部１２０及び判断部１３０を実行する。算出部１２０では、基準画像記憶部１１０に記憶された基準画像Ｇ０と、撮像手段６によって新たに撮像した保持手段３０に保持されたウエーハ１０の対比画像Ｇ１とを比較して一致度を算出する一致度算出工程を実施する。また、判断部１３０では、算出部１２０が算出した一致度が所定値を上回る場合に、保持手段３０に保持されたウエーハ１０は改質層１８が形成されていない未加工のウエーハ１０であると判断し、該一致度が所定値を下回る場合に、保持手段３０に保持されたウエーハ１０は改質層１８が形成された加工済のウエーハであると判断する判断工程を実施する。
以下に説明する実施形態では、所定のウエーハ１０に関して、予め基準画像Ｇ０が撮像されて基準画像記憶部１１０に記憶されているものとし、第２のカセット４３に収容された全てのウエーハ１０に既に改質層１８を形成するレーザー加工が施されており、この第２のカセット４３に収容されたウエーハ１０に対してレーザー加工を施すように誤って指示がなされた場合を想定し、ウエーハ１０に対してレーザー加工が施される前に、上記した算出部１２０、判断部１３０が実施される例について説明する。
上記したように、本実施形態のレーザー加工装置１は、ウエーハ１０に対してレーザー加工を実施するに際し、搬出入手段５０を作動させ、第２のカセット４３からウエーハ１０を搬出して、チャックテーブル３５に載置する。チャックテーブル３５上に載置されたウエーハ１０は、撮像手段６の直下に位置付けられる。
撮像手段６の直下にウエーハ１０を位置付ける際には、上記した基準画像記憶工程を実施した際に基準画像Ｇ０と共に記憶されたＸ座標、Ｙ座標に基づいた位置にチャックテーブル３５を位置付けると共にマーク１６ａ、１６ｂに基づいてパターンマッチングを実施して撮像すべき領域を選定する。そして、図５に示すように、基準画像Ｇ０が撮像された際の領域に対応する領域が撮像され、表示手段８に表示される。表示手段８に表示される画像は、撮像手段６が備える赤外線照射手段、及び赤外線ＣＣＤの作用により、ウエーハ１０の分割予定ライン１４の内部に形成された改質層１８が捉えられ、上記した基準画像Ｇ０に対応する領域の画像を対比画像Ｇ１として特定する。ここで、算出部１２０を構成する制御プログラムによって、基準画像記憶部１１０に記憶された基準画像Ｇ０と、撮像手段６によって撮像された対比画像Ｇ１とを比較して両画像の一致度を算出する。基準画像Ｇ０と、対比画像Ｇ１との一致度を算出する方法は、種々の方法が採用し得るが、例えば、以下のようにして算出することができる。なお、図４、図５に示すチャックテーブル３５に保持されたウエーハ１０には、説明の都合上、改質層１８が表示されているが、実際は改質層１８を目視で確認することはできない。
基準画像Ｇ０、及び対比画像Ｇ１は、いずれも赤外線を使用して撮像された画像であり、上記したように、白黒２色の濃淡で表示される画像である。ここで、算出部１２０は、図３に示す基準画像Ｇ０、及び図５に示す対比画像Ｇ１に関連して、各画像を構成する全てのドットの色調（２５６段階）の数値を積算して、各画像に対応する色調評価値Ｐ０、Ｐ１を算出する。該色調の数値は、例えば、最も黒い色調である場合に０とし、白に近づくにしたがい増え、最も白い色調である場合に２５５となる。図３に示された基準画像Ｇ０は、Ｘ軸方向に延びる中央の分割予定ライン１４、及びＹ軸方向に延びる分割予定ライン１４のいずれにも改質層１８が形成されておらず白く映るため、基準画像Ｇ０を構成する全てのドットの色調を積算した色調評価値Ｐ０の数値は全体的に高くなる。
他方、図５に示された対比画像Ｇ１は、Ｘ軸方向に延びる分割予定ライン１４、Ｙ軸方向に延びる分割予定ライン１４の中央に改質層１８が形成され、黒く映し出される。これにより、対比画像Ｇ１を構成する全てのドットの色調を積算した色調評価値Ｐ１は、基準画像Ｇ０の色調評価値Ｐ０に対して、小さい値となる。算出部１２０では、基準画像Ｇ０の色調評価値Ｐ０を基準として、対比画像Ｇ１の色調評価値Ｐ１が、どの程度一致するのかを評価して一致度として算出する。仮に、対比画像Ｇ１が撮像されたウエーハ１０に改質層１８が形成されていない場合は、理論上、色調評価値Ｐ１が色調評価値Ｐ０と一致することになるので、算出部１２０により得られる一致度は１００％と算出される。これに対し、図５に示すように、ウエーハ１０の分割予定ラインに対して、既に改質層１８が形成されている場合は、色調評価値Ｐ１が小さい値で算出されるため、一致度が低下し、例えば８０％以下となる低い数値が算出される。
上記したように、算出部１２０によって、基準画像Ｇ０と、対比画像Ｇ１との一致度が算出されたならば、該一致度に基づいて、判断部１３０を実行する。判断部１３０は、算出部１２０が算出した一致度が第一の所定値（例えば９０％）を上回る場合は、該保持手段に保持されたウエーハは改質層１８が形成されていない未加工のウエーハであると判断し、該一致度が第二の所定値（例えば８０％）を下回る場合は、保持手段３０に保持されたウエーハは改質層１８が形成された加工済のウエーハであると判断する。
上記したように、第２のカセット４３に収容されていたウエーハ１０は、加工済ウエーハであり、本実施形態における一致度は８０％を下回る値が算出されるため、判断部１３０によって、保持テーブル３０のチャックテーブル３５に保持されたウエーハ１０が加工済であると判断される。その場合、そのままレーザー加工を実施するとデバイス１２が損傷するおそれがあることから、加工済のウエーハ１０に対してレーザー加工を実施しようとしている旨をオペレータに知らせるべく、種々の警告を発する。該警告は、従来知られた様々な警告方法が採用され得るが、例えば、警告音（ブザー等）を発したり、警告メッセージを表示手段８に表示したり、スピーカーから音声で知らせたり、赤色灯の点滅でエラーを知らせたりする、又はそれらを組み合わせる等の方法が採用され得る。また、この警告を発する際には、レーザー加工がそのまま実施されないように、レーザー加工装置１の作動を停止させる。
なお、仮に、第２のカセット４３に収容されているウエーハ１０が未加工であった場合は、判断部１３０によって、保持手段３０に保持されたウエーハ１０が未加工であることが判断され、その後は、そのまま通常のレーザー加工で実施されるアライメント工程を実施し、上記したレーザー加工を実施する。
本実施形態の判断部１３０では、算出部１２０において算出された一致度に基づく判断を、第１の所定値である９０％と、第２の所定値である８０％とにより行っており、この二つの異なる値の所定値を利用することにより、上記したウエーハが未加工であるか、加工済であるかの判断に加え、加工不良が生じているおそれがあることを判断することも可能である。より具体的に言えば、例えば、算出部１２０が算出した一致度が８５％である場合、第一の所定値（９０％）を上回らず、且つ該第二の所定値（８０％）を下回らないことから、改質層１８を形成すべくレーザー加工が施されているものの、改質層１８の形成が十分でないと推定され、加工不良であるおそれが高いと判断される。よって、その場合は、オペレータに対し、加工不良が生じている旨の警告信号を発する。警告信号を発する手段は、上記したように、警告音（ブザー等）を発したり、警告メッセージを表示手段８に表示したり、スピーカーから音声で知らせたり、赤色灯の点滅でエラーを知らせたり、又はそれらを組み合わせる等の方法が採用され得る。
なお、本発明では、判断部１３０において判断する際の所定値に関し、必ずしも第一の所定値と、第二の所定値とが別の値であることに限定されない。加工不良を検出する必要がない場合は、例えば、第一の所定値、第二の所定値を同じ値(例えば９０％）に設定して、該一致度が９０％を上回る場合に、保持手段３０に保持されたウエーハ１０が未加工であると判断し、該一致度が９０％以下である場合に、保持手段３０に保持されたウエーハ１０が加工済であると判断するものであってもよい。
このように、算出部１２０、判断部１３０を用いて、撮像手段６により撮像されたウエーハ１０が未加工であるか、又は加工済であるかを判断することができるので、加工済のウエーハ１０を再びレーザー加工装置によって加工することがなく、先に形成された改質層にレーザー光線が乱反射してデバイスを損傷させるという問題を解消することができる。
上記した実施形態では、基準画像Ｇ０、対比画像Ｇ１を特定するための領域を、撮像手段６が撮像した領域からさらに限定して特定したが、本発明はこれに限定されず、撮像手段６が撮像した画像全体を使用して、基準画像記憶部１１０、算出部１２０、判断部１３０を実行してもよい。ただし、上記したように、判断に用いる領域を、分割予定ライン１４を含む狭い領域に限定することで、未加工であるか加工済であるかを判定する際の精度を上げることができる。
１：レーザー加工装置
２：基台
４：レーザー光線照射手段
４ａ：集光器
６：撮像手段
１０：ウエーハ
１２：デバイス
１４：分割予定ライン
１６ａ、１６ｂ：マーク
１８：改質層
２０：送り手段
２１：Ｘ軸送り手段
２２：Ｙ軸送り手段
２６：枠体
２６１：垂直壁部
２６２：水平壁部
３０：保持手段
３１：Ｘ軸方向可動板
３２：Ｙ軸方向可働板
３３：支柱
３４：カバーテーブル
３５：チャックテーブル
４０：カセット載置機構
４１、４１：カセット載置領域
４２：第１のカセット
４３：第２のカセット
５０：搬出入手段
５２：駆動機構
５３：アーム基台
５４：アーム機構
５５：ロボットハンド
１００：制御手段
１１０：基準画像記憶部
１２０：算出部
１３０：判断部
ＬＢ：レーザー光線

Claims (4)

  1. 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハにレーザー加工を施すレーザー加工装置であって、
    ウエーハを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置付けて照射し分割の起点となる改質層を形成するレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする送り手段と、ウエーハを透過して撮像する撮像手段と、制御手段とを含み、
    該制御手段は、該撮像手段によって改質層が形成される前の分割予定ラインを撮像して基準画像として記憶する基準画像記憶部と、
    該基準画像記憶部に記憶された基準画像と、該撮像手段によって撮像した該保持手段に保持されたウエーハの画像とを比較して一致度を算出する算出部と、
    該算出部が算出した一致度が第一の所定値を上回る場合は、該保持手段に保持されたウエーハは改質層が形成されていない未加工のウエーハであると判断し、該一致度が第二の所定値以下である場合は、該保持手段に保持されたウエーハは改質層が形成された加工済のウエーハであると判断する判断部と、を備えるレーザー加工装置。
  2. 該制御手段は、該レーザー光線照射手段によりウエーハに対して改質層を形成するレーザー加工を実施する前に、該判断部が該保持手段に保持されたウエーハは加工済であると判断した場合、警告信号を発する請求項１に記載のレーザー加工装置。
  3. 該第一の所定値を第二の所定値よりも大きい値に設定し、該判断部は、該算出部が算出した一致度が、該第一の所定値を上回らず、且つ該第二の所定値を下回らない場合に、加工不良である旨の警告信号を発する請求項１、又は２に記載のレーザー加工装置。
  4. 上記した第一の所定値と第二の所定値とを、同じ値に設定する請求項１又は２に記載されたレーザー加工装置。
JP2019142863A 2019-08-02 2019-08-02 レーザー加工装置 Active JP7286464B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019142863A JP7286464B2 (ja) 2019-08-02 2019-08-02 レーザー加工装置
SG10202006743PA SG10202006743PA (en) 2019-08-02 2020-07-15 Laser processing apparatus
US16/941,013 US20210035826A1 (en) 2019-08-02 2020-07-28 Laser processing apparatus
KR1020200094484A KR20210015687A (ko) 2019-08-02 2020-07-29 레이저 가공 장치
CN202010755803.3A CN112388187A (zh) 2019-08-02 2020-07-31 激光加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019142863A JP7286464B2 (ja) 2019-08-02 2019-08-02 レーザー加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021027119A JP2021027119A (ja) 2021-02-22
JP7286464B2 true JP7286464B2 (ja) 2023-06-05

Family

ID=74259223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019142863A Active JP7286464B2 (ja) 2019-08-02 2019-08-02 レーザー加工装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210035826A1 (ja)
JP (1) JP7286464B2 (ja)
KR (1) KR20210015687A (ja)
CN (1) CN112388187A (ja)
SG (1) SG10202006743PA (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113903676A (zh) * 2020-06-22 2022-01-07 长鑫存储技术有限公司 镭射机台自动化运行方法及系统

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019125599A (ja) 2018-01-11 2019-07-25 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
WO2004105109A1 (ja) * 2003-05-22 2004-12-02 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. ダイシング装置
JP4640174B2 (ja) * 2003-05-22 2011-03-02 株式会社東京精密 レーザーダイシング装置
JP4634089B2 (ja) * 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4917257B2 (ja) * 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2006159254A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
ES2428826T3 (es) * 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2008170366A (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Disco Abrasive Syst Ltd チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機
JP4402708B2 (ja) * 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5449665B2 (ja) * 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5011072B2 (ja) * 2007-11-21 2012-08-29 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5134928B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5054496B2 (ja) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
US20100074515A1 (en) * 2008-02-05 2010-03-25 Kla-Tencor Corporation Defect Detection and Response
JP5007979B2 (ja) * 2008-05-22 2012-08-22 独立行政法人産業技術総合研究所 欠陥を検査する方法及び欠陥検査装置
JP5241525B2 (ja) * 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
SG164292A1 (en) * 2009-01-13 2010-09-29 Semiconductor Technologies & Instruments Pte System and method for inspecting a wafer
JP5878330B2 (ja) * 2011-10-18 2016-03-08 株式会社ディスコ レーザー光線の出力設定方法およびレーザー加工装置
JP6290084B2 (ja) * 2012-08-23 2018-03-07 ギガフォトン株式会社 光源装置及びデータ処理方法
JP6121733B2 (ja) * 2013-01-31 2017-04-26 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6071775B2 (ja) * 2013-06-26 2017-02-01 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR102193334B1 (ko) * 2014-04-18 2020-12-22 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
JP2016120535A (ja) * 2014-12-24 2016-07-07 株式会社ディスコ 加工装置
CN104827191A (zh) * 2015-05-12 2015-08-12 大族激光科技产业集团股份有限公司 蓝宝石的激光切割方法
JP6620976B2 (ja) * 2015-09-29 2019-12-18 株式会社東京精密 レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP6716263B2 (ja) * 2016-01-22 2020-07-01 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US10340170B2 (en) * 2016-02-12 2019-07-02 Asm Technology Singapore Pte Ltd Method and device for grooving wafers
JP6444909B2 (ja) * 2016-02-22 2018-12-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6666173B2 (ja) * 2016-03-09 2020-03-13 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2017204574A (ja) * 2016-05-12 2017-11-16 株式会社ディスコ サファイアウェーハの加工方法及びレーザー加工装置
JP6688695B2 (ja) * 2016-06-24 2020-04-28 株式会社ディスコ 保護膜被覆装置および保護膜被覆方法
JP6752638B2 (ja) * 2016-06-27 2020-09-09 株式会社ディスコ 内部クラック検出方法、および内部クラック検出装置
EP3291008A1 (en) * 2016-09-06 2018-03-07 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus to monitor a process apparatus
KR102566170B1 (ko) * 2016-09-12 2023-08-10 삼성전자주식회사 웨이퍼 타공 장치
JP6764322B2 (ja) * 2016-11-22 2020-09-30 株式会社ディスコ デバイスウェーハの加工方法
JP2018121031A (ja) * 2017-01-27 2018-08-02 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP7032050B2 (ja) * 2017-03-14 2022-03-08 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2019029560A (ja) * 2017-08-01 2019-02-21 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP2019040919A (ja) * 2017-08-22 2019-03-14 株式会社ディスコ 切削装置及び溝検出方法
KR102508528B1 (ko) * 2017-09-12 2023-03-09 삼성전자주식회사 측정 장치 및 이를 포함하는 반도체 패키지 제조 시스템
JP6906859B2 (ja) * 2017-09-13 2021-07-21 株式会社ディスコ 加工装置
JP6925745B2 (ja) * 2017-11-30 2021-08-25 株式会社ディスコ ウェーハのレーザー加工方法
WO2019181063A1 (ja) * 2018-03-20 2019-09-26 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
US11138722B2 (en) * 2018-12-21 2021-10-05 Kla-Tencor Corporation Differential imaging for single-path optical wafer inspection

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019125599A (ja) 2018-01-11 2019-07-25 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210015687A (ko) 2021-02-10
CN112388187A (zh) 2021-02-23
US20210035826A1 (en) 2021-02-04
JP2021027119A (ja) 2021-02-22
SG10202006743PA (en) 2021-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6935168B2 (ja) 加工装置
US7625810B2 (en) Wafer processing method
TW201641204A (zh) 雷射加工裝置
JP3090567B2 (ja) 実装機における部品認識方法および同装置
CN109382591B (zh) 激光加工方法
CN112388154B (zh) 激光加工装置
US11222822B2 (en) Workpiece cutting method
JP7286464B2 (ja) レーザー加工装置
CN110010446B (zh) 加工方法
KR20210033888A (ko) 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP6721468B2 (ja) 加工装置
TW202339073A (zh) 被加工物之處理方法
JP2007128949A (ja) 加工装置及びターゲットパターンの登録支援方法
KR20230171386A (ko) 가공 장치
JP6623035B2 (ja) 被加工物の撮像方法、撮像装置、及び加工方法
CN113042880A (zh) 激光加工装置和加工痕的确认方法
CN115890933A (zh) 加工装置
JP2021068777A (ja) ワークのストリート位置の検出方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220617

TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230427

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230502

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230524

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7286464

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150