JP6752638B2 - 内部クラック検出方法、および内部クラック検出装置 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 42
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000237536 Mytilus edulis Species 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 235000020638 mussel Nutrition 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
- G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/002—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring two or more coordinates
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3563—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing solids; Preparation of samples therefor
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
- G01B2210/40—Caliper-like sensors
- G01B2210/48—Caliper-like sensors for measurement of a wafer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
- G01B2210/50—Using chromatic effects to achieve wavelength-dependent depth resolution
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3563—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing solids; Preparation of samples therefor
- G01N2021/3568—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing solids; Preparation of samples therefor applied to semiconductors, e.g. Silicon
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8887—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10048—Infrared image
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Quality & Reliability (AREA)
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
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Description
図示の研削装置1は、略直方体の装置ハウジング2を備えている。装置ハウジング2の図1において右上端には、静止支持板21が立設されている。この静止支持板21の前面には上下方向に延びる2対の案内レール22、22、および23、23が設けられている。一方の案内レール22、22には粗研削手段としての粗研削ユニット3が上下方向に移動可能に装着されており、他方の案内レール23、23には、仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット4が上下方向に移動可能に装着されている。
先ず、加工後に内部クラック検出すべきウエーハと同じで、未加工のウエーハ10を用意する。より具体的には、図3に示すように、LT基板の表面10a側にSAWデバイス10cを形成した加工前のウエーハ10を用意し、表面10a側に合成樹脂シートからなる保護テープPTを貼着する。そしてこの加工前のウエーハ10の裏面10bを上にして、すなわち保護テープPT側を下にして、図1に示す被加工物搬入・搬出域Aに位置付けられたチャックテーブル6上に載置する。チャックテーブル6上にウエーハ10を載置したならば、制御手段20の作用により、撮像手段74を被加工物搬入・搬出域Aに移動させて、撮像部75をチャックテーブル6上に保持された該ウエーハ10の直上に位置付ける。撮像部75をウエーハ10の直上に位置付けたならば、ウエーハ10の裏面に対して近赤外線照明手段752から近赤外線(波長1000nm)を照射して撮像し、撮像部75により撮像された撮像データを制御手段20に送信する。上述したように、制御手段20に送信された撮像データは、表示手段18に表示されると共に、ランダムアクセスメモリ(RAM)に送られ記憶される。なお、上記撮像部75から照射される近赤外線は、可視光よりも透過性がよく、図4に示すように、表面側のSAWデバイス10cも撮像される。
3:粗研削ユニット
4:仕上げ研削ユニット
5:ターンテーブル
6:チャックテーブル
7:内部クラック検出装置
10:ウエーハ
18:表示手段
20:制御手段
20a:第1の画像記録部
20b:第2の画像記録部
20c:判定部
20d:座標記録部
74:撮像手段
75:撮像部
751:撮像レンズ
752:近赤外線照明手段
P1:第1の画像
P2:第2の画像
C1〜C4:内部クラック
Claims (5)
- 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハの内部クラックを検出する内部クラック検出方法であって、
加工後に内部クラックを検出するウエーハと同じで加工前であるウエーハに対して透過性を有する近赤外線を照射して撮像される内部にクラックがないウエーハの画像を第1の画像として取得し、該第1の画像を記録する第1の画像記録工程と、
検出すべきウエーハに加工を施す加工工程と、
加工されたウエーハに対して透過性を有する近赤外線を照射して撮像し第2の画像を記録する第2の画像記録工程と、
該第2の画像から該第1の画像と一致する画像情報を取り除き残った画像を内部クラックとして検出する内部クラック検出工程と、
から少なくとも構成される内部クラック検出方法。 - 該加工は、検出すべきウエーハの裏面を研削して薄化する裏面研削加工である請求項1に記載の内部クラック検出方法。
- 該ウエーハは、LT基板、またはLN基板の表面に複数のSAWデバイスが分割予定ラインによって区画された領域に形成されたウエーハであり、
該近赤外線は、1000〜1500nmの波長である請求項1、又は2に記載の検出方法。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の内部クラック検出方法を実施するための内部クラック検出装置であって、ウエーハを支持するテーブルと、ウエーハに対して透過性を有する近赤外線を照射して撮像する撮像手段と、表示手段と、制御手段と、を含み、
該制御手段は、
加工後に内部クラックを検出するウエーハと同じで加工前であるウエーハの内部にクラックがない第1の画像を取得し、取得した該第1の画像を記録する第1の画像記録部と、
該撮像手段で加工後のウエーハを撮像した第2の画像を記録する第2の画像記録部と、
該第2の画像記録部に記録された第2の画像から、第1の画像記録部に記録された第1の画像と一致する画像情報を取り除き残った画像を内部クラックと判定する判定部と、
から少なくとも構成される内部クラック検出装置。 - 該制御手段は該内部クラックの位置座標を記録する座標記録部を備える請求項4に記載の内部クラック検出装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016126204A JP6752638B2 (ja) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | 内部クラック検出方法、および内部クラック検出装置 |
SG10201704649QA SG10201704649QA (en) | 2016-06-27 | 2017-06-07 | Internal crack detecting method and internal crack detecting apparatus |
US15/629,228 US10119921B2 (en) | 2016-06-27 | 2017-06-21 | Internal crack detecting method and internal crack detecting apparatus |
DE102017210694.8A DE102017210694B4 (de) | 2016-06-27 | 2017-06-26 | Detektionsverfahren für einen inneren Riss und Detektionsvorrichtung für einen inneren Riss |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016126204A JP6752638B2 (ja) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | 内部クラック検出方法、および内部クラック検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018001276A JP2018001276A (ja) | 2018-01-11 |
JP6752638B2 true JP6752638B2 (ja) | 2020-09-09 |
Family
ID=60579391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016126204A Active JP6752638B2 (ja) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | 内部クラック検出方法、および内部クラック検出装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10119921B2 (ja) |
JP (1) | JP6752638B2 (ja) |
DE (1) | DE102017210694B4 (ja) |
SG (1) | SG10201704649QA (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019169608A (ja) * | 2018-03-23 | 2019-10-03 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP7195758B2 (ja) * | 2018-04-19 | 2022-12-26 | 株式会社ディスコ | Sawデバイスの製造方法 |
TWI705244B (zh) * | 2018-07-31 | 2020-09-21 | 由田新技股份有限公司 | 半導體瑕疵檢測設備 |
CN110216530B (zh) * | 2019-07-18 | 2020-11-24 | 佛山市高明金石建材有限公司 | 一种板材磨削装置及磨削方法 |
JP7286464B2 (ja) * | 2019-08-02 | 2023-06-05 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP2021041472A (ja) * | 2019-09-09 | 2021-03-18 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
KR20220023019A (ko) | 2020-08-20 | 2022-03-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판 및 반도체 기판의 소잉 방법 |
CN112362676B (zh) * | 2020-11-06 | 2023-05-16 | 苏州精濑光电有限公司 | 一种曲面屏幕裂纹检测设备 |
CN112563170A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-03-26 | 苏州斯尔特微电子有限公司 | 晶片切割检测设备 |
CN116394161B (zh) * | 2023-06-05 | 2023-08-11 | 深圳市鑫冠亚科技有限公司 | 一种基于数据分析的电极生产管理方法及系统 |
CN116551475B (zh) * | 2023-07-04 | 2023-09-22 | 张家港市卓华金属科技有限公司 | 一种用于五金工具的磨削加工方法及系统 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2557732B1 (fr) * | 1983-12-28 | 1986-04-11 | Lefevre Rene | Procede de realisation de dispositifs piezoelectriques miniatures utilisant un usinage par laser et dispositifs obtenus par ce procede |
JP4468696B2 (ja) * | 2001-09-19 | 2010-05-26 | オリンパス株式会社 | 半導体ウエハ検査装置 |
AU2003220830A1 (en) * | 2002-03-12 | 2003-09-22 | Olympus Corporation | Semiconductor manufacturing method and device thereof |
JP2006351669A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外検査装置および赤外検査方法ならびに半導体ウェハの製造方法 |
JP4575886B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2010-11-04 | シャープ株式会社 | 多結晶半導体ウエハの割れ検査装置および割れ検査方法 |
JP2010123823A (ja) | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
JP2011033383A (ja) | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機 |
JP2011033449A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Sumco Corp | ウェーハの欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
US10460998B2 (en) * | 2010-11-09 | 2019-10-29 | Nikon Corporation | Method for inspecting substrate, substrate inspection apparatus, exposure system, and method for producing semiconductor device |
JP5594254B2 (ja) * | 2011-08-09 | 2014-09-24 | 三菱電機株式会社 | シリコン基板の検査装置、および検査方法 |
US9341580B2 (en) * | 2014-06-27 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Linear inspection system |
-
2016
- 2016-06-27 JP JP2016126204A patent/JP6752638B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-07 SG SG10201704649QA patent/SG10201704649QA/en unknown
- 2017-06-21 US US15/629,228 patent/US10119921B2/en active Active
- 2017-06-26 DE DE102017210694.8A patent/DE102017210694B4/de active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102017210694B4 (de) | 2024-03-28 |
JP2018001276A (ja) | 2018-01-11 |
DE102017210694A1 (de) | 2017-12-28 |
US10119921B2 (en) | 2018-11-06 |
SG10201704649QA (en) | 2018-01-30 |
US20170370856A1 (en) | 2017-12-28 |
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