JP2006351669A - 赤外検査装置および赤外検査方法ならびに半導体ウェハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 赤外検査装置は、被検体に赤外線を照射する赤外光源と、前記被検体を透過した赤外線を集光する赤外線レンズと、前記赤外線レンズにより集光された赤外線を受光して電気信号に変換して出力する赤外線カメラと、前記赤外線カメラから出力する電気信号を入力して画像信号に変換し、前記画像信号に基づいて画像を表示するモニタと、前記赤外光源と前記被検体の外周部との光路上、又は、前記被検体の外周部と前記赤外線レンズとの光路上のうち少なくとも一方の光路上に設けられ、前記赤外光源からの赤外線が前記被検体を透過することなく前記赤外線レンズに達することを妨げる赤外線漏洩防止部材とを備える。
【選択図】 図1
Description
前記被検体を透過した赤外線を集光する赤外線レンズと、
前記赤外線レンズにより集光された赤外線を受光して電気信号に変換して出力する赤外線カメラと、
前記赤外線カメラから出力する電気信号を入力して画像信号に変換し、前記画像信号に基づいて画像を表示するモニタと、
前記赤外光源と前記被検体の外周部との光路上、又は、前記被検体の外周部と前記赤外線レンズとの光路上のうち少なくとも一方の光路上に設けられ、前記赤外光源からの赤外線が前記被検体を透過することなく前記赤外線レンズに達することを妨げる赤外線漏洩防止部材と
を備えることを特徴とする。
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体ウェハ検査装置1の構成を示すブロック図である。実施の形態1に係る半導体ウェハ検査装置1は、例えば多結晶シリコン基板などを被検体2とすることができる。被検体2は微動台4によって支持されると共に、その水平位置および垂直位置が決定される。赤外光源6は、被検体2に赤外線を照射する光源であり、例えば赤外線を照射可能なハロゲンランプが利用される。後述のモニタ12上の画像を鮮明にするため赤外光源6の先には可視光線をカットできるフィルタを設けてもよい。赤外線レンズ8を備える赤外線カメラ10は、被検体2からの赤外線を集光し該赤外線を光電変換して電気信号に変え、赤外線カメラ10に接続するモニタ12にその電気信号を送信する。モニタ12は、赤外線カメラ10からの電気信号を受け赤外線カメラ10が撮像した画像を表示する。被検体2に接触して設置されるガイド18は、被検体2の外周部全周に渡って接触させて設けている。このガイド18によって、被検体2の下部に設置された赤外光源6からの赤外線が被検体2の端部外より漏れて赤外線レンズに達することを防止することができる。このガイド18は、被検体2と接触するため被検体2が割れたり、傷つかないように柔らかい材料からなることが望ましい。具体的には、ガイド18は、被検体2より柔らかいことが好ましい。また、このガイド18は、使用する赤外線の波長0.8〜2μmを透過しない素材からなることが望ましい。ここでは、ガイド18として、上記のような条件を満足する、カーボンをスポンジに練り込んだ導電性のスポンジを用いた。
赤外光源6から出射された赤外線14は、被検体2の一方の主面から照射される。被検体2は微動台4に支持されており、微動台4を適宜操作することにより、赤外光源6および赤外線カメラ10に対して被検体2を適切な位置に保持することができる。赤外線カメラ10に備える赤外線レンズ8は、赤外線カメラ10付属の操作手段により赤外線カメラ10に対する相対的距離を設定される。したがって、赤外光源6と赤外線10とを結ぶ線上を被検体2と赤外線レンズ8とを適宜平行移動させることにより、赤外線カメラ10のピントを被検体2に合わせることができる。赤外光源6から出射された赤外線14は被検体2を透過する。以下では、被検体2を透過した後の赤外線を「透過後の赤外線16」という。透過後の赤外線16は、赤外線レンズ8によって赤外線カメラ10内部の受光素子上に被検体2の像を結ぶ。赤外線カメラ10は、この被検体2の像を光電変換し、さらに増幅などの信号処理を行い規定のビデオ信号に変換して赤外線カメラ10に接続するモニタ12に送信する。モニタ12はこのビデオ信号を入力し画像に変換して表示する。
被検体2が多結晶シリコン基板である場合、その内部には微少なクラック(異常部分)が存在していることがある。半導体ウェハ検査装置1は、異常部分とその他の部分との赤外線の透過状態の差異を利用して異常の特定を行う。異常部分とその他の部分との赤外線の透過状態の差異とは、次のようなことである。まず、多結晶シリコン基板は、概ね0.8〜2μmの赤外線を透過する。ここで、基板は多結晶性から、結晶の面方位によって透過率に多少の違いは生じ得るが、シリコン基板は一定量の赤外線を透過する。したがって、シリコン基板の赤外線画像は一様な画像となる。一方、シリコン基板にクラックなどの異常部分が含まれているときには、その異常部分では赤外線の透過状態が多結晶シリコン基板部分とは異なるために、異常部分と多結晶シリコン部分とで赤外線の透過状態に差異が生じる。この差異が赤外線カメラ10で影として捕らえられる。半導体ウェハ検査装置1は、赤外線画像において正常な透過部分と影の部分とのコントラスト比により異常部分の位置を特定している。しかし、赤外線レンズ8に直接赤外線14と被検体2を透過した赤外線16が入射すると、透過後の赤外線16よりも赤外光源6から直接入射する赤外線14の強度が強いために、透過した赤外線16を十分に識別することができなくなる。このため、画像全体が明るく異常部分の識別が出来ない。そこで、この赤外検査装置1では、赤外線漏洩部材としてガイド18を被検体2の端部の全外周部に渡って密着させて設けている。これによって、赤外光源6から赤外線レンズ8に直接入射する赤外線14を抑止することができ、被検体2の端部外からの赤外線漏れを防止することができる。その結果、透過した赤外線16で異常部分とその他の部分でのコントラスト比を十分に得ることが出来るので、異常部分の位置を特定することができるようになる。
図2は、本発明の実施の形態2に係る半導体ウェハ検査装置1aの構成を示すブロック図である。この半導体ウェハ検査装置1aは、実施の形態1に係る半導体ウェハ検査装置1と比較すると、赤外線漏洩防止部材として、半導体ウェハの外周部に設けたガイドに代えて赤外光源と半導体ウェハの外周部との間の光路上にスリット20を設けている点で相違する。なお、実質的に同一の部位には同一の符号を付しており、その説明を省略する。
半導体ウェハの製造方法において、実施の形態1に示したような半導体ウェハの検査装置を用いた場合の実施例を示す。
Claims (7)
- 被検体に赤外線を照射する赤外光源と、
前記被検体を透過した赤外線を集光する赤外線レンズと、
前記赤外線レンズにより集光された赤外線を受光して電気信号に変換して出力する赤外線カメラと、
前記赤外線カメラから出力する電気信号を入力して画像信号に変換し、前記画像信号に基づいて画像を表示するモニタと、
前記赤外光源と前記被検体の外周部との光路上、又は、前記被検体の外周部と前記赤外線レンズとの光路上のうち少なくとも一方の光路上に設けられ、前記赤外光源からの赤外線が前記被検体を透過することなく前記赤外線レンズに達することを妨げる赤外線漏洩防止部材と
を備えることを特徴とする赤外検査装置。 - 前記赤外線漏洩防止部材は、前記被検体の外周部に接触して設けられたガイドからなることを特徴とする請求項1に記載の赤外検査装置。
- 前記赤外線漏洩防止部材は、前記赤外光源と前記被検体の外周部との間の光路上に設けられたスリットからなることを特徴とする請求項1又は2に記載の赤外検査装置。
- 前記赤外線漏洩防止部材は、赤外線を透過しない材料からなることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の赤外検査装置。
- 前記赤外線漏洩防止部材は、前記被検体より柔らかいことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の赤外検査装置。
- 被検体に赤外線を照射する赤外光源と、
前記被検体を透過した赤外線を集光する赤外線レンズと、
前記赤外線レンズにより集光された赤外線を受光して電気信号に変換して出力する赤外線カメラと、
前記赤外線カメラから出力する電気信号を入力して画像信号に変換し、前記画像信号に基づいて画像を表示するモニタと、
前記赤外光源と前記被検体の外周部との光路上、又は、前記被検体の外周部と前記赤外線レンズとの光路上のうち少なくとも一方の光路上に設けられ、前記赤外光源からの赤外線が前記被検体を透過することなく前記赤外線レンズに達することを妨げる赤外線漏洩防止部材とを備えた赤外検査装置を用いた赤外検査方法であって、
前記赤外光源から前記被検体に赤外線を照射し、
前記被検体を透過した赤外線を前記赤外線レンズによって集光し、
前記集光された赤外線を前記赤外線カメラで受光して電気信号に変換し、
前記変換された電気信号に基づいて前記モニタに画像を表示し、
前記画像に基づいて前記被検体の異常部分と正常部分とを判別することを特徴とする赤外検査方法。 - 半導体ウェハの製造方法において、
前記半導体ウェハに赤外線を照射する赤外光源と、
前記半導体ウェハを透過した赤外線を集光する赤外線レンズと、
前記赤外線レンズにより集光された赤外線を受光して電気信号に変換して出力する赤外線カメラと、
前記赤外線カメラから出力する電気信号を入力して画像信号に変換し、前記画像信号に基づいて画像を表示するモニタと、
前記赤外光源と前記半導体ウェハの外周部との光路上、又は、前記半導体ウェハの外周部と前記赤外線レンズとの光路上のうち少なくとも一方の光路上に設けられ、前記赤外光源からの赤外線が前記半導体ウェハを透過することなく前記赤外線レンズに達することを妨げる赤外線漏洩防止部材とを備えた赤外検査装置を用いて、
前記赤外光源から前記半導体ウェハに赤外線を照射し、
前記半導体ウェハを透過した赤外線を前記赤外線レンズによって集光し、
前記集光された赤外線を前記赤外線カメラで受光して電気信号に変換し、
前記変換された電気信号に基づいて前記モニタに画像を表示し、
前記画像に基づいて前記半導体ウェハの異常部分と正常部分とを判別することにより半導体ウェハ製造装置内において半導体ウェハの割れによる装置異常の発生を抑制することを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
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---|---|---|---|
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US11/447,997 US20060278831A1 (en) | 2005-06-14 | 2006-06-07 | Infrared inspection apparatus, infrared inspecting method and manufacturing method of semiconductor wafer |
DE200610026710 DE102006026710A1 (de) | 2005-06-14 | 2006-06-08 | Infrarot-Prüfvorrichtung, Infrarot-Prüfverfahren und Halbleiterwafer-Herstellungsverfahren |
NO20062660A NO20062660L (no) | 2005-06-14 | 2006-06-09 | Anordning og fremgangsmate for infrarod inspeksjon, samt fremgangsmate for fremstilling av halvleder-skive |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007218638A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Sharp Corp | 多結晶半導体ウエハの割れ検査装置および割れ検査方法 |
JP2011523701A (ja) * | 2008-05-19 | 2011-08-18 | セミシスコ・カンパニー・リミテッド | 基板の品質検査装置及びその検査方法 |
DE102012010406A1 (de) | 2011-09-06 | 2013-03-07 | Shimadzu Corp. | Vorrichtung zur Prüfung einer Solarzelle |
JP5900628B2 (ja) * | 2012-09-05 | 2016-04-06 | 株式会社島津製作所 | 太陽電池セルの検査装置 |
US9322786B2 (en) | 2012-02-10 | 2016-04-26 | Shimadzu Corporation | Solar cell inspection apparatus and solar cell processing apparatus |
JP2018001276A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | 株式会社ディスコ | 内部クラック検出方法、および内部クラック検出装置 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7326929B2 (en) * | 2006-02-06 | 2008-02-05 | Northrop Grumman Corporation | Method and apparatus for inspection of semiconductor devices |
US7705978B2 (en) * | 2006-02-06 | 2010-04-27 | Northrop Grumman Corporation | Method and apparatus for inspection of multi-junction solar cells |
DE102007006525B4 (de) * | 2007-02-06 | 2009-05-14 | Basler Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Detektierung von Defekten |
DE112008001330A5 (de) * | 2007-03-15 | 2010-02-18 | Gp Solar Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen eines Bruchs in kristallinem Material |
EP2165312A1 (en) * | 2007-06-12 | 2010-03-24 | Icos Vision Systems N.V. | Method for semiconductor substrate inspection |
DE102008016195B3 (de) * | 2008-03-27 | 2009-12-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Erkennung von Dichte- und/oder Dickenunterschieden |
SG158782A1 (en) * | 2008-07-28 | 2010-02-26 | Chan Sok Leng | Method and system for detecting micro-cracks in wafers |
SG158787A1 (en) | 2008-07-28 | 2010-02-26 | Chan Sok Leng | Apparatus for detecting micro-cracks in wafers and method therefor |
US9008408B2 (en) * | 2009-02-05 | 2015-04-14 | D.I.R. Technologies (Detection Ir) Ltd. | Method and system for determining the quality of pharmaceutical products |
JP2011033449A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Sumco Corp | ウェーハの欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
US9395346B2 (en) * | 2013-11-18 | 2016-07-19 | Zoetis Services Llc | Non-contact egg identification system for determining egg viability, and associated method |
KR20220047684A (ko) * | 2014-12-05 | 2022-04-18 | 케이엘에이 코포레이션 | 워크 피스들에서의 결함 검출을 위한 장치, 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품 |
US20190257876A1 (en) * | 2018-02-21 | 2019-08-22 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | System and method for detecting defects in an electronic device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62147348A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-07-01 | ツエルヴエ−ゲル・ウステル・アクチエンゲゼルシヤフト | 糸の毛羽検出装置 |
JPH0652240B2 (ja) * | 1989-02-16 | 1994-07-06 | 日本製紙株式会社 | 地合測定方法および地合測定装置 |
JPH06207914A (ja) * | 1993-01-11 | 1994-07-26 | Hitachi Ltd | 欠陥検出方法と装置および赤外線検出方法と装置 |
JPH08220008A (ja) * | 1995-02-15 | 1996-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外検査装置 |
JP2000292307A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Menicon Co Ltd | 光透過体の外観検査装置 |
JP2002039953A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-06 | Toyo Glass Co Ltd | 記憶媒体用ガラス基板及びガラス容器の欠点検出方法並びに装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5334844A (en) * | 1993-04-05 | 1994-08-02 | Space Systems/Loral, Inc. | Optical illumination and inspection system for wafer and solar cell defects |
JP3261362B2 (ja) * | 1998-05-28 | 2002-02-25 | 株式会社アドバンテスト | 表面状態測定方法及び装置 |
US6236044B1 (en) * | 1998-08-21 | 2001-05-22 | Trw Inc. | Method and apparatus for inspection of a substrate by use of a ring illuminator |
US6111638A (en) * | 1998-08-21 | 2000-08-29 | Trw Inc. | Method and apparatus for inspection of a solar cell by use of a rotating illumination source |
US6384415B1 (en) * | 2000-06-20 | 2002-05-07 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Method of evaluating quality of silicon wafer and method of reclaiming the water |
WO2002095382A1 (en) * | 2001-05-21 | 2002-11-28 | Pressco Technology, Inc. | An apparatus and method for providing snapshot action thermal infrared imaging within automated process control article inspection applications |
SE0200782D0 (sv) * | 2002-03-14 | 2002-03-14 | Astrazeneca Ab | Method of analysing a pharmaceutical sample |
US7179553B2 (en) * | 2002-09-06 | 2007-02-20 | General Motors Corporation | Method for detecting electrical defects in membrane electrode assemblies |
JP2004340652A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置および陽電子線応用装置 |
-
2005
- 2005-06-14 JP JP2005173423A patent/JP2006351669A/ja active Pending
-
2006
- 2006-06-07 US US11/447,997 patent/US20060278831A1/en not_active Abandoned
- 2006-06-08 DE DE200610026710 patent/DE102006026710A1/de not_active Withdrawn
- 2006-06-09 NO NO20062660A patent/NO20062660L/no not_active Application Discontinuation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62147348A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-07-01 | ツエルヴエ−ゲル・ウステル・アクチエンゲゼルシヤフト | 糸の毛羽検出装置 |
JPH0652240B2 (ja) * | 1989-02-16 | 1994-07-06 | 日本製紙株式会社 | 地合測定方法および地合測定装置 |
JPH06207914A (ja) * | 1993-01-11 | 1994-07-26 | Hitachi Ltd | 欠陥検出方法と装置および赤外線検出方法と装置 |
JPH08220008A (ja) * | 1995-02-15 | 1996-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外検査装置 |
JP2000292307A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Menicon Co Ltd | 光透過体の外観検査装置 |
JP2002039953A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-06 | Toyo Glass Co Ltd | 記憶媒体用ガラス基板及びガラス容器の欠点検出方法並びに装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007218638A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Sharp Corp | 多結晶半導体ウエハの割れ検査装置および割れ検査方法 |
JP4575886B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2010-11-04 | シャープ株式会社 | 多結晶半導体ウエハの割れ検査装置および割れ検査方法 |
JP2011523701A (ja) * | 2008-05-19 | 2011-08-18 | セミシスコ・カンパニー・リミテッド | 基板の品質検査装置及びその検査方法 |
DE102012010406A1 (de) | 2011-09-06 | 2013-03-07 | Shimadzu Corp. | Vorrichtung zur Prüfung einer Solarzelle |
US9322786B2 (en) | 2012-02-10 | 2016-04-26 | Shimadzu Corporation | Solar cell inspection apparatus and solar cell processing apparatus |
JP5900628B2 (ja) * | 2012-09-05 | 2016-04-06 | 株式会社島津製作所 | 太陽電池セルの検査装置 |
JPWO2014038012A1 (ja) * | 2012-09-05 | 2016-08-08 | 株式会社島津製作所 | 太陽電池セルの検査装置 |
JP2018001276A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | 株式会社ディスコ | 内部クラック検出方法、および内部クラック検出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NO20062660L (no) | 2006-12-15 |
US20060278831A1 (en) | 2006-12-14 |
DE102006026710A1 (de) | 2006-12-28 |
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---|---|---|
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