JPH11219990A - 半導体ウェーハの検査方法およびその装置 - Google Patents
半導体ウェーハの検査方法およびその装置Info
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- JPH11219990A JPH11219990A JP10033586A JP3358698A JPH11219990A JP H11219990 A JPH11219990 A JP H11219990A JP 10033586 A JP10033586 A JP 10033586A JP 3358698 A JP3358698 A JP 3358698A JP H11219990 A JPH11219990 A JP H11219990A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウェーハの表裏面の品質検査を同時
に行うようにして、検査時間を短縮し、検査装置間の移
送中の新たなウェーハ欠陥の発生を防ぎ、クリーンルー
ムの小型化を図る。 【解決手段】 シリコンウェーハＷの外周部を把持し、
ウェーハＷを検査位置にセットする。この状態を維持し
て、ウェーハＷの表面ｗ１と裏面ｗ２とに存在する異
物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどａを同時に検査す
る。これにより、検査時間の短縮化が図れるとともに、
第１，第２のパーティクル検出装置１２，１３間の移送
中における新たなウェーハ欠陥の発生が防止でき、さら
に第１，第２のパーティクル検出装置１２，１３を収納
したクリーンルームの小型化も図れる。
に行うようにして、検査時間を短縮し、検査装置間の移
送中の新たなウェーハ欠陥の発生を防ぎ、クリーンルー
ムの小型化を図る。 【解決手段】 シリコンウェーハＷの外周部を把持し、
ウェーハＷを検査位置にセットする。この状態を維持し
て、ウェーハＷの表面ｗ１と裏面ｗ２とに存在する異
物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどａを同時に検査す
る。これにより、検査時間の短縮化が図れるとともに、
第１，第２のパーティクル検出装置１２，１３間の移送
中における新たなウェーハ欠陥の発生が防止でき、さら
に第１，第２のパーティクル検出装置１２，１３を収納
したクリーンルームの小型化も図れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウェーハの
検査方法およびその装置、詳しくは半導体ウェーハの表
裏面の品質検査を同時に行うことができる半導体ウェー
ハの検査方法およびその装置に関する。
検査方法およびその装置、詳しくは半導体ウェーハの表
裏面の品質検査を同時に行うことができる半導体ウェー
ハの検査方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】研磨、洗浄後、デバイス工場へ出荷され
るＣＺシリコンウェーハの表裏面には、その大きさや個
数の違いはあるものの、通常、ウェーハ傷や異物などが
存在する。例えば、ウェーハ表面のスリップ（ウェーハ
の傷）や、金属不純物，有機物などのパーティクル（ご
み）などがそれである。これらの異物、キズ、突起、Ｃ
ＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒ
ｔｉｃｌｅ）、汚れなどは、デバイスの微細化が進み、
かつチップ面積が大きくなるにつれて、デバイスの製品
歩留りや信頼性に大きな影響を与えてしまう。これは、
ウェーハ表裏面、特にウェーハ表面の外観形状不良が、
製品歩留りの低下の最大要因となっているためである。
この結果、ウェーハの傷や異物などが基準値以上であれ
ば不良品となり、少ないほど良品の度合いが増す。
るＣＺシリコンウェーハの表裏面には、その大きさや個
数の違いはあるものの、通常、ウェーハ傷や異物などが
存在する。例えば、ウェーハ表面のスリップ（ウェーハ
の傷）や、金属不純物，有機物などのパーティクル（ご
み）などがそれである。これらの異物、キズ、突起、Ｃ
ＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒ
ｔｉｃｌｅ）、汚れなどは、デバイスの微細化が進み、
かつチップ面積が大きくなるにつれて、デバイスの製品
歩留りや信頼性に大きな影響を与えてしまう。これは、
ウェーハ表裏面、特にウェーハ表面の外観形状不良が、
製品歩留りの低下の最大要因となっているためである。
この結果、ウェーハの傷や異物などが基準値以上であれ
ば不良品となり、少ないほど良品の度合いが増す。
【０００３】このようなウェーハの表裏面の異物、キ
ズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどは、通常、全反射蛍光Ｘ線
分析装置，原子間力顕微鏡などの顕微鏡，パーティクル
検出装置といった各種の検査装置によって検査される。
例えば、パーティクル検出装置としては、テンコール株
式会社製の「ＳＳ６２００」，「ＳＳ６４２０」などが
挙げられる。従来、シリコンウェーハの表裏面の異物、
キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなど検査は、これらの検査装
置を用いて、片面ずつ順番に行われていた。すなわち、
例えば第１の検査装置によってウェーハ表面を検査す
る。その後、ウェーハを裏返して、第２の検査装置を用
いてウェーハ裏面を検査する。
ズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどは、通常、全反射蛍光Ｘ線
分析装置，原子間力顕微鏡などの顕微鏡，パーティクル
検出装置といった各種の検査装置によって検査される。
例えば、パーティクル検出装置としては、テンコール株
式会社製の「ＳＳ６２００」，「ＳＳ６４２０」などが
挙げられる。従来、シリコンウェーハの表裏面の異物、
キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなど検査は、これらの検査装
置を用いて、片面ずつ順番に行われていた。すなわち、
例えば第１の検査装置によってウェーハ表面を検査す
る。その後、ウェーハを裏返して、第２の検査装置を用
いてウェーハ裏面を検査する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ウェーハの表裏面の異物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れな
どを、このように片面ずつ順番に検査するのでは、手間
がかかり、検査時間が長くなっていた。また、第１の検
査装置から第２の検査装置へと、半導体ウェーハを移送
するときに、半導体ウェーハの表裏面に新たなごみが付
いたり、傷つけたりするおそれがあった。しかも、この
ようなウェーハ片面ずつの検査では、検査ライン上に、
それぞれの面を検査する単独の検査装置が並設されてい
なければならない。これにより、検査装置の設置スペー
スが大きくなるという問題点もあった。加えて、この設
置スペースが増大することで、ウェーハ表裏面の検査用
のクリーンルームを比較的広く設計する必要がある。こ
のクリーンルームは、通常、そのクリーンな度合いがき
わめて高レベルに設定されている。このため、設備コス
トや、クリーン環境の維持にコストがかかるという問題
点があった。
ウェーハの表裏面の異物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れな
どを、このように片面ずつ順番に検査するのでは、手間
がかかり、検査時間が長くなっていた。また、第１の検
査装置から第２の検査装置へと、半導体ウェーハを移送
するときに、半導体ウェーハの表裏面に新たなごみが付
いたり、傷つけたりするおそれがあった。しかも、この
ようなウェーハ片面ずつの検査では、検査ライン上に、
それぞれの面を検査する単独の検査装置が並設されてい
なければならない。これにより、検査装置の設置スペー
スが大きくなるという問題点もあった。加えて、この設
置スペースが増大することで、ウェーハ表裏面の検査用
のクリーンルームを比較的広く設計する必要がある。こ
のクリーンルームは、通常、そのクリーンな度合いがき
わめて高レベルに設定されている。このため、設備コス
トや、クリーン環境の維持にコストがかかるという問題
点があった。
【０００５】
【発明の目的】そこで、この発明は、半導体ウェーハの
表裏面の品質検査を同時に行うことができ、この結果、
検査時間の短縮化が図れるとともに、ウェーハ表裏面用
の検査装置間の移送中における新たなウェーハ異物、キ
ズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどの発生を防止することがで
き、さらに検査装置用のクリーンルームの小型化も図れ
る半導体ウェーハの検査方法およびその装置を提供する
ことを、その目的としている。また、ウェーハ表裏面の
同時検査を正確に行える半導体ウェーハの検査装置を提
供することを、その目的としている。
表裏面の品質検査を同時に行うことができ、この結果、
検査時間の短縮化が図れるとともに、ウェーハ表裏面用
の検査装置間の移送中における新たなウェーハ異物、キ
ズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどの発生を防止することがで
き、さらに検査装置用のクリーンルームの小型化も図れ
る半導体ウェーハの検査方法およびその装置を提供する
ことを、その目的としている。また、ウェーハ表裏面の
同時検査を正確に行える半導体ウェーハの検査装置を提
供することを、その目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体ウェーハの外周部を把持した後、この把持さ
れた半導体ウェーハの表面および裏面に存在する異物、
キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどを同時に検査する半導体
ウェーハの検査方法である。半導体ウェーハの外周部の
把持は、半導体ウェーハを把持用のアームで環状に挟み
付ける把持でも、またクランプ爪の先で、ウェーハ外周
部の複数箇所を摘むような把持など限定されない。この
把持された半導体ウェーハは、請求項４のように鉛直状
態に配置しても、水平状態に配置しても、さらに傾斜状
態に配置してもよい。ここでいう半導体ウェーハの表裏
面の異物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどとは、例えば
シリコンウェーハの傷やごみなどをいう。ごみとして
は、金属不純物，有機物，パーティクルが挙げられる。
半導体ウェーハの表裏面の検査方法としては、例えば、
半導体面検機による目視検査などが挙げられる。なお、
半導体ウェーハの検査方法（装置）は、ウェーハ表面の
検査とウェーハ裏面のそれとが同じでもよく、異なって
いてもよい。
は、半導体ウェーハの外周部を把持した後、この把持さ
れた半導体ウェーハの表面および裏面に存在する異物、
キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどを同時に検査する半導体
ウェーハの検査方法である。半導体ウェーハの外周部の
把持は、半導体ウェーハを把持用のアームで環状に挟み
付ける把持でも、またクランプ爪の先で、ウェーハ外周
部の複数箇所を摘むような把持など限定されない。この
把持された半導体ウェーハは、請求項４のように鉛直状
態に配置しても、水平状態に配置しても、さらに傾斜状
態に配置してもよい。ここでいう半導体ウェーハの表裏
面の異物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどとは、例えば
シリコンウェーハの傷やごみなどをいう。ごみとして
は、金属不純物，有機物，パーティクルが挙げられる。
半導体ウェーハの表裏面の検査方法としては、例えば、
半導体面検機による目視検査などが挙げられる。なお、
半導体ウェーハの検査方法（装置）は、ウェーハ表面の
検査とウェーハ裏面のそれとが同じでもよく、異なって
いてもよい。
【０００７】請求項２に記載の発明は、半導体ウェーハ
の外周部を把持する把持手段と、半導体ウェーハの表面
に存在する異物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどを検査
する表面検査手段と、半導体ウェーハの裏面に存在する
異物、キズ、突起、汚れなどを検査する裏面検査手段と
を備えた半導体ウェーハの検査装置である。このウェー
ハ外周部の把持手段は、どのような構造のものでもよ
い。表面および裏面検査手段の構造は限定されない。例
えば、ＣＣＤカメラを用いてウェーハ裏面のパーティク
ルを撮像し、それを画像処理して検出するタイプのもの
でもよい。その他の検査手段としては、光電子倍増管な
どが挙げられる。
の外周部を把持する把持手段と、半導体ウェーハの表面
に存在する異物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどを検査
する表面検査手段と、半導体ウェーハの裏面に存在する
異物、キズ、突起、汚れなどを検査する裏面検査手段と
を備えた半導体ウェーハの検査装置である。このウェー
ハ外周部の把持手段は、どのような構造のものでもよ
い。表面および裏面検査手段の構造は限定されない。例
えば、ＣＣＤカメラを用いてウェーハ裏面のパーティク
ルを撮像し、それを画像処理して検出するタイプのもの
でもよい。その他の検査手段としては、光電子倍増管な
どが挙げられる。
【０００８】請求項３に記載の発明は、上記表面検査手
段が、半導体ウェーハの鏡面仕上げされた表面に対し
て、任意の方向からレーザ光を照射する第１のパーティ
クル検出装置であり、上記裏面検査手段が、半導体ウェ
ーハの比較的粗い裏面に対して、傾斜方向からレーザ光
を照射する第２のパーティクル検出装置である請求項２
に記載の半導体ウェーハの検査装置である。第１のパー
ティクル検出装置は限定されない。例えば、テンコール
株式会社製の「ＳＳ６２００」、「ＳＰ−１」、株式会
社日立製作所製「ＬＳ−６３１０」、ＡＤＥ社製「ＷＩ
Ｓ−ＣＲ８０」などが挙げられる。また、第２のパーテ
ィクル検出装置も限定されない。例えばテンコール株式
会社製の「ＳＳ６４２０」が挙げられる。
段が、半導体ウェーハの鏡面仕上げされた表面に対し
て、任意の方向からレーザ光を照射する第１のパーティ
クル検出装置であり、上記裏面検査手段が、半導体ウェ
ーハの比較的粗い裏面に対して、傾斜方向からレーザ光
を照射する第２のパーティクル検出装置である請求項２
に記載の半導体ウェーハの検査装置である。第１のパー
ティクル検出装置は限定されない。例えば、テンコール
株式会社製の「ＳＳ６２００」、「ＳＰ−１」、株式会
社日立製作所製「ＬＳ−６３１０」、ＡＤＥ社製「ＷＩ
Ｓ−ＣＲ８０」などが挙げられる。また、第２のパーテ
ィクル検出装置も限定されない。例えばテンコール株式
会社製の「ＳＳ６４２０」が挙げられる。
【０００９】請求項４に記載の発明は、上記把持手段
は、半導体ウェーハを鉛直状態で把持する請求項２また
は請求項３に記載の半導体ウェーハの検査装置である。
は、半導体ウェーハを鉛直状態で把持する請求項２また
は請求項３に記載の半導体ウェーハの検査装置である。
【００１０】
【作用】この発明によれば、半導体ウェーハの外周部だ
けを把持して、半導体ウェーハを所定の検査位置にセッ
トする。この状態を維持して、ウェーハの表面と裏面と
に存在する異物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどを同時
に検査する。これにより、検査時間の短縮化を図ること
ができるとともに、表裏面側用の検査装置間の移送中に
おける新たなウェーハ異物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れ
などの発生が防止することができ、さらにウェーハ表裏
面の検査装置を収納したクリーンルームの小型化も図る
ことができる。
けを把持して、半導体ウェーハを所定の検査位置にセッ
トする。この状態を維持して、ウェーハの表面と裏面と
に存在する異物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどを同時
に検査する。これにより、検査時間の短縮化を図ること
ができるとともに、表裏面側用の検査装置間の移送中に
おける新たなウェーハ異物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れ
などの発生が防止することができ、さらにウェーハ表裏
面の検査装置を収納したクリーンルームの小型化も図る
ことができる。
【００１１】特に、請求項３の発明によれば、第１のパ
ーティクル検出装置を用い、半導体ウェーハの鏡面仕上
げされた表面に対して例えば垂直方向からレーザ光を照
射して、ウェーハ表面に存在する異物、キズ、突起、Ｃ
ＯＰ、汚れなどを検査する。また、これと同時に、第２
のパーティクル検出装置を使用して、半導体ウェーハの
比較的粗く仕上げられた裏面に対して傾斜方向（ウェー
ハ面に対して垂直ではなく所定角度傾斜した方向）から
レーザ光を照射し、ウェーハ裏面に存在する異物、キ
ズ、突起、汚れなどを検査する。これにより、ウェーハ
表裏面の同時検査を正確に行うことができる。
ーティクル検出装置を用い、半導体ウェーハの鏡面仕上
げされた表面に対して例えば垂直方向からレーザ光を照
射して、ウェーハ表面に存在する異物、キズ、突起、Ｃ
ＯＰ、汚れなどを検査する。また、これと同時に、第２
のパーティクル検出装置を使用して、半導体ウェーハの
比較的粗く仕上げられた裏面に対して傾斜方向（ウェー
ハ面に対して垂直ではなく所定角度傾斜した方向）から
レーザ光を照射し、ウェーハ裏面に存在する異物、キ
ズ、突起、汚れなどを検査する。これにより、ウェーハ
表裏面の同時検査を正確に行うことができる。
【００１２】さらに、請求項４の発明によれば、把持手
段により鉛直状態に把持した半導体ウェーハを所定の検
査位置にセットし、この状態を維持して、ウェーハ表裏
面を同時検査する。半導体ウェーハは鉛直に立っている
ので、自重によりウェーハの中央部が下方へ撓むことが
なくなり、この結果、ウェーハ表裏面の検査を正確に行
うことができる。
段により鉛直状態に把持した半導体ウェーハを所定の検
査位置にセットし、この状態を維持して、ウェーハ表裏
面を同時検査する。半導体ウェーハは鉛直に立っている
ので、自重によりウェーハの中央部が下方へ撓むことが
なくなり、この結果、ウェーハ表裏面の検査を正確に行
うことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。まず、この発明の第１実施例に係る
半導体ウェーハの検査方法およびその装置を説明する。
図１は、この発明の第１実施例に係るシリコンウェーハ
の検査装置の説明図である。図２は、同じく他の態様に
係るシリコンウェーハの検査装置の説明図である。図３
は、同じく把持手段の平面図である。図１において、１
０はこの発明の第１実施例に係るシリコンウェーハの検
査装置であり、このシリコンウェーハの検査装置１０
は、半導体ウェーハの一例であるシリコンウェーハＷの
外周部を把持する把持手段の一例であるロボットハンド
１１と、シリコンウェーハＷの表面ｗ１に存在する異
物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどを検査する表面検査
手段としての第１のパーティクル検出装置１２と、シリ
コンウェーハＷの裏面ｗ２に存在する異物、キズ、突
起、汚れなどを検査する裏面検査手段としての第２のパ
ーティクル検出装置１３とを備えている。
参照して説明する。まず、この発明の第１実施例に係る
半導体ウェーハの検査方法およびその装置を説明する。
図１は、この発明の第１実施例に係るシリコンウェーハ
の検査装置の説明図である。図２は、同じく他の態様に
係るシリコンウェーハの検査装置の説明図である。図３
は、同じく把持手段の平面図である。図１において、１
０はこの発明の第１実施例に係るシリコンウェーハの検
査装置であり、このシリコンウェーハの検査装置１０
は、半導体ウェーハの一例であるシリコンウェーハＷの
外周部を把持する把持手段の一例であるロボットハンド
１１と、シリコンウェーハＷの表面ｗ１に存在する異
物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどを検査する表面検査
手段としての第１のパーティクル検出装置１２と、シリ
コンウェーハＷの裏面ｗ２に存在する異物、キズ、突
起、汚れなどを検査する裏面検査手段としての第２のパ
ーティクル検出装置１３とを備えている。
【００１４】ここで使用されているシリコンウェーハＷ
は、ＣＺ法により引き上げられたシリコン単結晶棒をブ
ロック切断、ウェーハ切断、面取り、機械的化学的研
磨、ＲＣＡ洗浄による最終洗浄を施して得られたシリコ
ンウェーハである。このシリコンウェーハＷは、ウェー
ハ表面ｗ１が鏡面に仕上げられており、ウェーハ裏面ｗ
２は、比較的粗い仕上げ面になっている。ロボットハン
ド１１は、固定側把持アーム１４と、この固定側把持ア
ーム１４とともに、シリコンウェーハＷの外周部を側方
から挟持する可動側把持アーム１５とを備えている。な
お、詳細は図３を参照して後述する。
は、ＣＺ法により引き上げられたシリコン単結晶棒をブ
ロック切断、ウェーハ切断、面取り、機械的化学的研
磨、ＲＣＡ洗浄による最終洗浄を施して得られたシリコ
ンウェーハである。このシリコンウェーハＷは、ウェー
ハ表面ｗ１が鏡面に仕上げられており、ウェーハ裏面ｗ
２は、比較的粗い仕上げ面になっている。ロボットハン
ド１１は、固定側把持アーム１４と、この固定側把持ア
ーム１４とともに、シリコンウェーハＷの外周部を側方
から挟持する可動側把持アーム１５とを備えている。な
お、詳細は図３を参照して後述する。
【００１５】上記第１のパーティクル検出装置１２は、
具体的にはテンコール株式会社製の「ＳＳ６２００」で
ある。すなわち、シリコンウェーハＷの表面ｗ１に対し
て、垂直方向からレーザ光を照射することで、この表面
ｗ１に存在する最小０．１０μｍのパーティクルａの個
数を検出する装置である。この装置構成は、ウェーハ表
面ｗ１に対して直交配置されたレーザ光の光源１６と、
この光源１６を中心にして垂直面内でそれぞれ左右に２
チャンネル（明視野用、暗視野用）ずつ放射配置された
ホトマルチプライヤ１７とを備えている。上方の光源１
６からウェーハ表面ｗ１へ向かって、９０°で照射され
たレーザ光は、鏡面加工されたウェーハ表面ｗ１に付着
したパーティクルａに当たって乱反射する。反射光は、
図１矢印に示すように放射状に広がる。これを任意のホ
トマルチプライヤ１７が捕獲することで、シリコンウェ
ーハＷの表面の異物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどで
あるパーティクルａの個数を検出する。
具体的にはテンコール株式会社製の「ＳＳ６２００」で
ある。すなわち、シリコンウェーハＷの表面ｗ１に対し
て、垂直方向からレーザ光を照射することで、この表面
ｗ１に存在する最小０．１０μｍのパーティクルａの個
数を検出する装置である。この装置構成は、ウェーハ表
面ｗ１に対して直交配置されたレーザ光の光源１６と、
この光源１６を中心にして垂直面内でそれぞれ左右に２
チャンネル（明視野用、暗視野用）ずつ放射配置された
ホトマルチプライヤ１７とを備えている。上方の光源１
６からウェーハ表面ｗ１へ向かって、９０°で照射され
たレーザ光は、鏡面加工されたウェーハ表面ｗ１に付着
したパーティクルａに当たって乱反射する。反射光は、
図１矢印に示すように放射状に広がる。これを任意のホ
トマルチプライヤ１７が捕獲することで、シリコンウェ
ーハＷの表面の異物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどで
あるパーティクルａの個数を検出する。
【００１６】上記第２のパーティクル検出装置１３は、
具体的にはテンコール株式会社製の「ＳＳ６４２０」で
ある。すなわち、シリコンウェーハＷのウェーハ裏面ｗ
２に対して、傾斜方向からレーザ光を照射して、この裏
面ｗ２上の最小０．１５μｍのパーティクルａをカウン
トする。なお、このカウントの他に、サイズによる分
類、ウェーハ表面特性の測定も行うことができる。この
装置構成は、シリコンウェーハＷの下方一側部に配置さ
れて、レーザ光をシリコンウェーハＷに対して平行に上
方照射する光源１８と、このレーザ光をシリコンウェー
ハＷ側へ上方屈曲させるミラー１９と、ビームエキスパ
ンダ２０と、これを通過したレーザ光を集光するレンズ
２１と、シリコンウェーハＷの下方他側部に配置され
て、ウェーハ裏面ｗ２から反射したレーザ光を捕獲する
大型のホトマルチプライヤ２２とを備えている。
具体的にはテンコール株式会社製の「ＳＳ６４２０」で
ある。すなわち、シリコンウェーハＷのウェーハ裏面ｗ
２に対して、傾斜方向からレーザ光を照射して、この裏
面ｗ２上の最小０．１５μｍのパーティクルａをカウン
トする。なお、このカウントの他に、サイズによる分
類、ウェーハ表面特性の測定も行うことができる。この
装置構成は、シリコンウェーハＷの下方一側部に配置さ
れて、レーザ光をシリコンウェーハＷに対して平行に上
方照射する光源１８と、このレーザ光をシリコンウェー
ハＷ側へ上方屈曲させるミラー１９と、ビームエキスパ
ンダ２０と、これを通過したレーザ光を集光するレンズ
２１と、シリコンウェーハＷの下方他側部に配置され
て、ウェーハ裏面ｗ２から反射したレーザ光を捕獲する
大型のホトマルチプライヤ２２とを備えている。
【００１７】光源１８から照射されたレーザ光は、ミラ
ー１９によりウェーハＷの裏面ｗ２に対して２０°〜８
０°の角度で屈曲され、その後、ビームエキスパンダ２
０，レンズ２１を経て、比較的粗面に加工されたウェー
ハ裏面ｗ２に照射される。このうち、パーティクルａに
当たって反射した反射光を２チャンネル（明視野用・暗
視野用）のホトマルチプライヤ２２が捕獲することで、
パーティクルａの検出が行われる。
ー１９によりウェーハＷの裏面ｗ２に対して２０°〜８
０°の角度で屈曲され、その後、ビームエキスパンダ２
０，レンズ２１を経て、比較的粗面に加工されたウェー
ハ裏面ｗ２に照射される。このうち、パーティクルａに
当たって反射した反射光を２チャンネル（明視野用・暗
視野用）のホトマルチプライヤ２２が捕獲することで、
パーティクルａの検出が行われる。
【００１８】なお、このＳＳ６４２０のスキャニング技
術を説明すると、スキャン平面にウェーハ裏面ｗ２を置
いた状態で、焦点機構が対象シリコンウェーハＷを上下
させる。シリコンウェーハＷは、一定の速度で波長４８
８ｎｍの高速テレセントリック・スキャニング・レーザ
ビームの中を移動する。このレーザビームは、基板表面
を２０°の角度で横切った時、直径７５μｍの円を投射
するように焦点を合わせている。また、このスキャニン
グビームは、シリコンウェーハＷ上の直線パスを前後に
横切り、確実にシリコンウェーハＷ全体をサンプリング
している。レーザビームがシリコンウェーハＷ上のＬＰ
Ｄ（異物）を照らすと、光が入射点から全方向へ散乱す
る。この散乱光の一部が収集され、低ノイズ光電子増倍
管に導かれて増幅する。低ノイズ光電子増倍管ＰＭＴか
ら出力されたアナログ信号は、高速アナログ−デジタル
変換器によってデジタル化される。データ収集電子回路
が、このデジタル変換器を定期的にサンプリングし、シ
リコンウェーハＷの裏面ｗ２のラスタ画像を生成する。
それから、このラスタ画像が、パイプラインプロセッサ
と専用の汎用コンピュータで分析されて、表面測定デー
タを作成，表示，および操作するものである。
術を説明すると、スキャン平面にウェーハ裏面ｗ２を置
いた状態で、焦点機構が対象シリコンウェーハＷを上下
させる。シリコンウェーハＷは、一定の速度で波長４８
８ｎｍの高速テレセントリック・スキャニング・レーザ
ビームの中を移動する。このレーザビームは、基板表面
を２０°の角度で横切った時、直径７５μｍの円を投射
するように焦点を合わせている。また、このスキャニン
グビームは、シリコンウェーハＷ上の直線パスを前後に
横切り、確実にシリコンウェーハＷ全体をサンプリング
している。レーザビームがシリコンウェーハＷ上のＬＰ
Ｄ（異物）を照らすと、光が入射点から全方向へ散乱す
る。この散乱光の一部が収集され、低ノイズ光電子増倍
管に導かれて増幅する。低ノイズ光電子増倍管ＰＭＴか
ら出力されたアナログ信号は、高速アナログ−デジタル
変換器によってデジタル化される。データ収集電子回路
が、このデジタル変換器を定期的にサンプリングし、シ
リコンウェーハＷの裏面ｗ２のラスタ画像を生成する。
それから、このラスタ画像が、パイプラインプロセッサ
と専用の汎用コンピュータで分析されて、表面測定デー
タを作成，表示，および操作するものである。
【００１９】また、全体装置内での第１，第２のパーテ
ィクル検出装置１２，１３の各組み付け位置は、例えば
図２に示すように変更してもよい。すなわち、ロボット
ハンド１１によりシリコンウェーハＷを鉛直状態に維持
することで、第１のパーティクル検出装置１２をシリコ
ンウェーハＷの一側方に配置し、第２のパーティクル検
出装置１３をウェーハＷの他側方に配置してもよい。こ
のように、シリコンウェーハＷを鉛直状態に保持するこ
とで、図１に示すようにシリコンウェーハＷを水平保持
した場合に懸念される、ウェーハ中央部が自重で下方へ
撓むおそれが解消される。これにより、ウェーハ表裏面
ｗ１，ｗ２の検査を正確に行うことができる。
ィクル検出装置１２，１３の各組み付け位置は、例えば
図２に示すように変更してもよい。すなわち、ロボット
ハンド１１によりシリコンウェーハＷを鉛直状態に維持
することで、第１のパーティクル検出装置１２をシリコ
ンウェーハＷの一側方に配置し、第２のパーティクル検
出装置１３をウェーハＷの他側方に配置してもよい。こ
のように、シリコンウェーハＷを鉛直状態に保持するこ
とで、図１に示すようにシリコンウェーハＷを水平保持
した場合に懸念される、ウェーハ中央部が自重で下方へ
撓むおそれが解消される。これにより、ウェーハ表裏面
ｗ１，ｗ２の検査を正確に行うことができる。
【００２０】次に、図３を参照して、ロボットハンド１
１を詳細に説明する。図３に示すように、ロボットハン
ド１１は、ＸＹＺθ方向へ三次元的に可動のロボットア
ーム２３の先端部に装着されている。このロボットハン
ド１１は、基台部２４と、この基台部２４に固着された
ウェーハクランプ用の固定側把持アーム１４と、図外の
クランプ開閉モータを駆動源として、基台部２４に摺動
可能に取り付けられた可動側把持アーム１５と、シリコ
ンウェーハＷの回転手段２７とを備えている。
１を詳細に説明する。図３に示すように、ロボットハン
ド１１は、ＸＹＺθ方向へ三次元的に可動のロボットア
ーム２３の先端部に装着されている。このロボットハン
ド１１は、基台部２４と、この基台部２４に固着された
ウェーハクランプ用の固定側把持アーム１４と、図外の
クランプ開閉モータを駆動源として、基台部２４に摺動
可能に取り付けられた可動側把持アーム１５と、シリコ
ンウェーハＷの回転手段２７とを備えている。
【００２１】固定および可動側把持アーム１４，１５に
は、外周面にシリコンウェーハＷの外周部を保持する溝
を有するガイドローラ２８が複数個配設されている。ま
た、この回転手段２７は、基台部２４から固定側把持ア
ーム１４の元部にかけて組み付けられており、小型の駆
動モータ２９，駆動プーリ３０，従動プーリ３１，ガイ
ドローラ３２，動力伝達用のベルト３３およびウェーハ
回転用ローラ３４を有している。駆動モータ２９により
駆動プーリ３０が回転し、その回転力はベルト３３を介
して従動プーリ３１を経てウェーハ回転用ローラ３４へ
伝達される。これにより、このローラ３４が回転するこ
とで、固定，可動側把持アーム１４，１５に把持された
シリコンウェーハＷが、その周方向へ回転する。なお、
図３において、３５は基台部２４の側面から突出して、
可動側把持アーム１５の摺動を案内するガイドピン、３
６は可動側把持アーム１５の元部に穿設されて、ガイド
ピン３５が挿通される長孔、３７はクッションバネであ
る。
は、外周面にシリコンウェーハＷの外周部を保持する溝
を有するガイドローラ２８が複数個配設されている。ま
た、この回転手段２７は、基台部２４から固定側把持ア
ーム１４の元部にかけて組み付けられており、小型の駆
動モータ２９，駆動プーリ３０，従動プーリ３１，ガイ
ドローラ３２，動力伝達用のベルト３３およびウェーハ
回転用ローラ３４を有している。駆動モータ２９により
駆動プーリ３０が回転し、その回転力はベルト３３を介
して従動プーリ３１を経てウェーハ回転用ローラ３４へ
伝達される。これにより、このローラ３４が回転するこ
とで、固定，可動側把持アーム１４，１５に把持された
シリコンウェーハＷが、その周方向へ回転する。なお、
図３において、３５は基台部２４の側面から突出して、
可動側把持アーム１５の摺動を案内するガイドピン、３
６は可動側把持アーム１５の元部に穿設されて、ガイド
ピン３５が挿通される長孔、３７はクッションバネであ
る。
【００２２】次に、このシリコンウェーハの検査装置１
０を用いたシリコンウェーハの検査方法を説明する。図
１に示すように、ロボットハンド１１を作動させて、固
定，可動側把持アーム１４，１５で把持されたシリコン
ウェーハＷを、第１，第２のパーティクル検出装置１
２，１３の中間位置に、水平状態で配置する。その後、
シリコンウェーハＷの表裏面ｗ１，ｗ２に存在するパー
ティクルａを同時に検査する。すなわち、ウェーハ表面
ｗ１のパーティクル検査においては、第１のパーティク
ル検出装置１２の光源１６からウェーハ表面ｗ１へ向か
って９０°でレーザ光を照射し、その反射光をホトマル
チプライヤ１７で捕獲することにより、この表面ｗ１に
付着したパーティクルａを検出する。また、これと同時
に、第２のパーティクル検出装置１３を用いて、シリコ
ンウェーハＷの比較的粗く仕上げられた裏面ｗ２に対し
て、光源１８より傾斜方向からレーザ光を照射すること
で、ウェーハ裏面ｗ２に存在するパーティクルａを検出
する。検査中、シリコンウェーハＷの表裏面ｗ１，ｗ２
の検査位置を移動させるために、ロボットハンド１１を
可動させたり、回転手段２７の駆動モータ２９を駆動し
て、シリコンウェーハＷをＸＹＺ方向へ移動させたり、
θ方向へ回動させる。
０を用いたシリコンウェーハの検査方法を説明する。図
１に示すように、ロボットハンド１１を作動させて、固
定，可動側把持アーム１４，１５で把持されたシリコン
ウェーハＷを、第１，第２のパーティクル検出装置１
２，１３の中間位置に、水平状態で配置する。その後、
シリコンウェーハＷの表裏面ｗ１，ｗ２に存在するパー
ティクルａを同時に検査する。すなわち、ウェーハ表面
ｗ１のパーティクル検査においては、第１のパーティク
ル検出装置１２の光源１６からウェーハ表面ｗ１へ向か
って９０°でレーザ光を照射し、その反射光をホトマル
チプライヤ１７で捕獲することにより、この表面ｗ１に
付着したパーティクルａを検出する。また、これと同時
に、第２のパーティクル検出装置１３を用いて、シリコ
ンウェーハＷの比較的粗く仕上げられた裏面ｗ２に対し
て、光源１８より傾斜方向からレーザ光を照射すること
で、ウェーハ裏面ｗ２に存在するパーティクルａを検出
する。検査中、シリコンウェーハＷの表裏面ｗ１，ｗ２
の検査位置を移動させるために、ロボットハンド１１を
可動させたり、回転手段２７の駆動モータ２９を駆動し
て、シリコンウェーハＷをＸＹＺ方向へ移動させたり、
θ方向へ回動させる。
【００２３】このように、シリコンウェーハＷの表裏面
ｗ１，ｗ２に付着したパーティクルａを同時に検出する
ようにしたので、検査時間が短くなるとともに、従来の
第１，第２のパーティクル検出装置を検査ラインの上流
から下流へと並べたものの場合のように、両検出装置間
の移送中において新たなパーティクルａが付着するの防
止することができる。しかも、第１，第２のパーティク
ル検出装置１２，１３を収納するクリーンルームをコン
パクトに形成することもできる。また、シリコンウェー
ハＷの鏡面仕上げされた表面ｗ１用のパーティクル検出
装置として、ウェーハ表面ｗ１に対して垂直方向からレ
ーザ光を照射する装置（ここでは「ＳＳ６２００」）を
使用し、一方、比較的粗く仕上げられたウェーハ裏面ｗ
２に対して傾斜方向からレーザ光を照射する装置（ここ
では「ＳＳ６４２０」）を使用するようにしたので、ウ
ェーハ表裏面ｗ１，ｗ２の同時検査を、より正確に行う
ことができる。
ｗ１，ｗ２に付着したパーティクルａを同時に検出する
ようにしたので、検査時間が短くなるとともに、従来の
第１，第２のパーティクル検出装置を検査ラインの上流
から下流へと並べたものの場合のように、両検出装置間
の移送中において新たなパーティクルａが付着するの防
止することができる。しかも、第１，第２のパーティク
ル検出装置１２，１３を収納するクリーンルームをコン
パクトに形成することもできる。また、シリコンウェー
ハＷの鏡面仕上げされた表面ｗ１用のパーティクル検出
装置として、ウェーハ表面ｗ１に対して垂直方向からレ
ーザ光を照射する装置（ここでは「ＳＳ６２００」）を
使用し、一方、比較的粗く仕上げられたウェーハ裏面ｗ
２に対して傾斜方向からレーザ光を照射する装置（ここ
では「ＳＳ６４２０」）を使用するようにしたので、ウ
ェーハ表裏面ｗ１，ｗ２の同時検査を、より正確に行う
ことができる。
【００２４】次に、図４に基づいて、この発明の第２実
施例に係るシリコンウェーハの検査方法およびその装置
を説明する。図４は、この発明の第２実施例に係るシリ
コンウェーハの検査装置の説明図である。図４におい
て、４０はこの発明の第２実施例のシリコンウェーハの
検査装置に適用された第２のパーティクル検出装置であ
る。この第２のパーティクル検出装置４０は、ＣＣＤカ
メラ４１から取り込まれた画像を、図外のシリコンウェ
ーハの検査装置１０の制御部の画像処理回路４２によっ
て画像処理し、これに基づき粒径の大きなパーティク
ル、キズ、突起ａの個数を検出する。
施例に係るシリコンウェーハの検査方法およびその装置
を説明する。図４は、この発明の第２実施例に係るシリ
コンウェーハの検査装置の説明図である。図４におい
て、４０はこの発明の第２実施例のシリコンウェーハの
検査装置に適用された第２のパーティクル検出装置であ
る。この第２のパーティクル検出装置４０は、ＣＣＤカ
メラ４１から取り込まれた画像を、図外のシリコンウェ
ーハの検査装置１０の制御部の画像処理回路４２によっ
て画像処理し、これに基づき粒径の大きなパーティク
ル、キズ、突起ａの個数を検出する。
【００２５】すなわち、光源４３からシリコンウェーハ
Ｗと平行に照射されたレーザ光は、ウェーハ裏面ｗ２に
正対された偏光ミラー４４によって裏面ｗ２へ向かって
反射される。反射されたレーザ光は、集光用のレンズ４
５を通って、この裏面ｗ２に照射される。裏面ｗ２で正
反射したレーザ光は、途中、偏光ミラー４４を通過し
て、凸型のレンズ４５の焦点位置にあるＣＣＤカメラ４
１に入る。その後、ＣＣＤカメラ４１によって取り込ま
れた画像を、画像処理回路４２が画像処理し、粒径の大
きなパーティクル、キズ、突起ａを検出する。 このよ
うに、ＣＣＤカメラ４１を用いた第２のパーティクル検
出装置４０を採用したことで、目視検査と同レベル（マ
クロ）の検出、または、それ以上（ミクロ）の検出が可
能であるという効果が得られる。
Ｗと平行に照射されたレーザ光は、ウェーハ裏面ｗ２に
正対された偏光ミラー４４によって裏面ｗ２へ向かって
反射される。反射されたレーザ光は、集光用のレンズ４
５を通って、この裏面ｗ２に照射される。裏面ｗ２で正
反射したレーザ光は、途中、偏光ミラー４４を通過し
て、凸型のレンズ４５の焦点位置にあるＣＣＤカメラ４
１に入る。その後、ＣＣＤカメラ４１によって取り込ま
れた画像を、画像処理回路４２が画像処理し、粒径の大
きなパーティクル、キズ、突起ａを検出する。 このよ
うに、ＣＣＤカメラ４１を用いた第２のパーティクル検
出装置４０を採用したことで、目視検査と同レベル（マ
クロ）の検出、または、それ以上（ミクロ）の検出が可
能であるという効果が得られる。
【００２６】
【発明の効果】以上の結果、この発明の半導体ウェーハ
の検査方法およびその装置によれば、ウェーハの外周部
を把持して、半導体ウェーハの表面と裏面とに存在する
異物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどを同時に検査する
ことができる。この結果、検査時間の短縮化を図ること
ができ、しかも、表裏面側用の検査装置間の移送中にお
ける新たなウェーハ異物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れな
どの発生を防止することができる。さらに、ウェーハ表
裏面検査用のクリーンルームの小型化も図ることができ
る。
の検査方法およびその装置によれば、ウェーハの外周部
を把持して、半導体ウェーハの表面と裏面とに存在する
異物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどを同時に検査する
ことができる。この結果、検査時間の短縮化を図ること
ができ、しかも、表裏面側用の検査装置間の移送中にお
ける新たなウェーハ異物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れな
どの発生を防止することができる。さらに、ウェーハ表
裏面検査用のクリーンルームの小型化も図ることができ
る。
【００２７】特に、請求項３の発明によれば、半導体ウ
ェーハの表面（鏡面仕上げ面）の異物、キズ、突起、Ｃ
ＯＰ、汚れなどを、任意方向からレーザ光を照射する第
１のパーティクル検出装置により検査し、また半導体ウ
ェーハの裏面（粗仕上げ面）の異物、キズ、突起、汚れ
などを、傾斜方向からレーザ光を照射する第２のパーテ
ィクル検出装置により検査するようにしたので、このウ
ェーハ表裏面の同時検査を、正確に行うことができる。
さらに、請求項４の発明によれば、半導体ウェーハを鉛
直状態にして表裏面の同時検査を行うようにしたので、
半導体ウェーハの自重により、ウェーハ中央部が下方へ
撓むことが防止される。この結果、ウェーハ表裏面の検
査を正確に行うことができる。
ェーハの表面（鏡面仕上げ面）の異物、キズ、突起、Ｃ
ＯＰ、汚れなどを、任意方向からレーザ光を照射する第
１のパーティクル検出装置により検査し、また半導体ウ
ェーハの裏面（粗仕上げ面）の異物、キズ、突起、汚れ
などを、傾斜方向からレーザ光を照射する第２のパーテ
ィクル検出装置により検査するようにしたので、このウ
ェーハ表裏面の同時検査を、正確に行うことができる。
さらに、請求項４の発明によれば、半導体ウェーハを鉛
直状態にして表裏面の同時検査を行うようにしたので、
半導体ウェーハの自重により、ウェーハ中央部が下方へ
撓むことが防止される。この結果、ウェーハ表裏面の検
査を正確に行うことができる。
【図１】この発明の第１実施例に係る半導体ウェーハの
検査装置の説明図である。
検査装置の説明図である。
【図２】この発明の第１実施例に係る他の態様に係る半
導体ウェーハの検査装置の説明図である。
導体ウェーハの検査装置の説明図である。
【図３】この発明の第１実施例に係る把持手段の平面図
である。
である。
【図４】この発明の第２実施例に係る半導体ウェーハの
検査装置の説明図である。
検査装置の説明図である。
１０，４０ シリコンウェーハの検査装置（半導体ウェ
ーハの検査装置）、 １１ ロボットハンド（把持手段）、 １２ 第１のパーティクル検出装置（表面検査手段）、 １３ 第２のパーティクル検出装置（裏面検査手段）、 Ｗ シリコンウェーハ、 ｗ１ 表面、 ｗ２ 裏面、 ａ 異物、キズ、突起、汚れなどのパーティクル。
ーハの検査装置）、 １１ ロボットハンド（把持手段）、 １２ 第１のパーティクル検出装置（表面検査手段）、 １３ 第２のパーティクル検出装置（裏面検査手段）、 Ｗ シリコンウェーハ、 ｗ１ 表面、 ｗ２ 裏面、 ａ 異物、キズ、突起、汚れなどのパーティクル。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの外周部を把持した後、
この把持された半導体ウェーハの表面および裏面に存在
する異物、キズ、突起、ＣＯＰ、汚れなどを同時に検査
する半導体ウェーハの検査方法。 - 【請求項２】 半導体ウェーハの外周部を把持する把持
手段と、 半導体ウェーハの表面に存在する異物、キズ、突起、Ｃ
ＯＰ、汚れなどを検査する表面検査手段と、 半導体ウェーハの裏面に存在する異物、キズ、突起、汚
れなどを検査する裏面検査手段とを備えた半導体ウェー
ハの検査装置。 - 【請求項３】 上記表面検査手段が、半導体ウェーハの
鏡面仕上げされた表面に対して、任意方向からレーザ光
を照射する第１のパーティクル検出装置であり、 上記裏面検査手段が、半導体ウェーハの比較的粗い裏面
に対して、傾斜方向からレーザ光を照射する第２のパー
ティクル検出装置である請求項２に記載の半導体ウェー
ハの検査装置。 - 【請求項４】 上記把持手段は、半導体ウェーハを鉛直
状態で把持する請求項２または請求項３に記載の半導体
ウェーハの検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03358698A JP3744176B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体ウェーハの検査方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03358698A JP3744176B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体ウェーハの検査方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219990A true JPH11219990A (ja) | 1999-08-10 |
| JP3744176B2 JP3744176B2 (ja) | 2006-02-08 |
Family
ID=12390629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03358698A Expired - Fee Related JP3744176B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体ウェーハの検査方法およびその装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3744176B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003027652A1 (fr) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Olympus Corporation | Dispositif d'inspection de defauts |
| JP2008131025A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Nippon Electro Sensari Device Kk | ウエーハ裏面検査装置 |
| JP2008539589A (ja) * | 2005-04-29 | 2008-11-13 | ジーエスアイ・グループ・コーポレーション | レーザマーキングシステム内でウエハを検査するシステム及び方法 |
| WO2009072389A1 (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | Shibaura Mechatronics Corporation | 基板表面検査装置及び基板表面検査方法 |
| FR2931295A1 (fr) * | 2008-05-13 | 2009-11-20 | Altatech Semiconductor | Dispositif et procede d'inspection de plaquettes semi-conductrices |
| JP2014146817A (ja) * | 2000-09-20 | 2014-08-14 | Kla-Encor Corp | 半導体製造プロセスのための方法とシステム |
| JP2015513111A (ja) * | 2012-04-12 | 2015-04-30 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | サンプル検査とレビューのためのシステム及び方法 |
| JP2018098441A (ja) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | 株式会社ディスコ | ダイボンダー |
| CN110261270A (zh) * | 2019-07-18 | 2019-09-20 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种硅片缺陷的分析方法及装置 |
| CN115808428A (zh) * | 2022-11-16 | 2023-03-17 | 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 | 一种硅环伤痕检测设备及硅环返修工艺 |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP03358698A patent/JP3744176B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014146817A (ja) * | 2000-09-20 | 2014-08-14 | Kla-Encor Corp | 半導体製造プロセスのための方法とシステム |
| WO2003027652A1 (fr) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Olympus Corporation | Dispositif d'inspection de defauts |
| US6954268B2 (en) | 2001-09-21 | 2005-10-11 | Olympus Corporation | Defect inspection apparatus |
| CN100370243C (zh) * | 2001-09-21 | 2008-02-20 | 奥林巴斯株式会社 | 缺陷检查装置 |
| JP2008539589A (ja) * | 2005-04-29 | 2008-11-13 | ジーエスアイ・グループ・コーポレーション | レーザマーキングシステム内でウエハを検査するシステム及び方法 |
| JP2008131025A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Nippon Electro Sensari Device Kk | ウエーハ裏面検査装置 |
| KR101140989B1 (ko) | 2007-12-03 | 2012-05-02 | 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤 | 기판 표면 검사 장치 및 기판 표면 검사 방법 |
| WO2009072389A1 (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | Shibaura Mechatronics Corporation | 基板表面検査装置及び基板表面検査方法 |
| WO2009141534A2 (fr) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Altatech Semiconductor | Dispositif et procédé d' inspection de plaquettes semi-conductrices |
| WO2009141534A3 (fr) * | 2008-05-13 | 2010-01-14 | Altatech Semiconductor | Dispositif et procédé d' inspection de plaquettes semi-conductrices |
| JP2011522401A (ja) * | 2008-05-13 | 2011-07-28 | アルタテック・セミコンダクター | 半導体ウエハの検査装置および検査方法 |
| FR2931295A1 (fr) * | 2008-05-13 | 2009-11-20 | Altatech Semiconductor | Dispositif et procede d'inspection de plaquettes semi-conductrices |
| US9007456B2 (en) | 2008-05-13 | 2015-04-14 | Altatech Semiconductor | Device and method for inspecting semiconductor wafers |
| JP2015513111A (ja) * | 2012-04-12 | 2015-04-30 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | サンプル検査とレビューのためのシステム及び方法 |
| JP2018098441A (ja) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | 株式会社ディスコ | ダイボンダー |
| CN108206150A (zh) * | 2016-12-16 | 2018-06-26 | 株式会社迪思科 | 芯片接合机 |
| KR20180070479A (ko) * | 2016-12-16 | 2018-06-26 | 가부시기가이샤 디스코 | 다이 본더 |
| CN108206150B (zh) * | 2016-12-16 | 2023-09-26 | 株式会社迪思科 | 芯片接合机 |
| CN110261270A (zh) * | 2019-07-18 | 2019-09-20 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种硅片缺陷的分析方法及装置 |
| CN115808428A (zh) * | 2022-11-16 | 2023-03-17 | 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 | 一种硅环伤痕检测设备及硅环返修工艺 |
| CN115808428B (zh) * | 2022-11-16 | 2024-04-30 | 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 | 一种硅环伤痕检测设备及硅环返修工艺 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3744176B2 (ja) | 2006-02-08 |
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