CN108206150B - 芯片接合机 - Google Patents

芯片接合机 Download PDF

Info

Publication number
CN108206150B
CN108206150B CN201711317672.5A CN201711317672A CN108206150B CN 108206150 B CN108206150 B CN 108206150B CN 201711317672 A CN201711317672 A CN 201711317672A CN 108206150 B CN108206150 B CN 108206150B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
led
wafer
unit
holding unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201711317672.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108206150A (zh
Inventor
川合章仁
森数洋司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN108206150A publication Critical patent/CN108206150A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108206150B publication Critical patent/CN108206150B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

提供芯片接合机，其将LED、IC、LSI等器件高效地接合在基板上。芯片接合机至少包含：基板保持单元(42)，其具有对在外延基板(201、221、241)的上表面上隔着剥离层(30)层叠LED层而供器件接合的基板进行保持的由X轴方向、Y轴方向规定的保持面；晶片保持单元(50)，其对在正面上隔着剥离层配设有多个器件的晶片(LED晶片20、22、24)的外周进行保持；面对单元，其使晶片保持单元所保持的晶片的正面面对基板保持单元所保持的基板的上表面；器件定位单元，其使基板保持单元与晶片保持单元在X方向、Y方向上相对地移动而将配设在晶片上的器件定位于基板的规定位置；和激光照射单元，其从晶片的背面照射激光光线，将对应的器件的剥离层破坏而将器件接合在基板的规定位置上。

Description

芯片接合机
技术领域
本发明涉及将多个器件高效地接合在布线基板上的芯片接合机。
背景技术
对于在蓝宝石基板、SiC基板等外延基板的上表面上通过外延生长且由分割预定线划分而形成有多个LED的晶片，分割预定线与外延基板一起被激光光线等切断而生成各个LED，其中，该LED由外延层和电极构成，该外延层由缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层构成，该电极配设于N型半导体层和P型半导体层。并且，各个分割而得的红色LED、绿色LED、蓝色LED通过将它们接合在模块芯片(基板)的芯片接合机而作为模块进行组装，并用于例如监视器等(例如，参照专利文献1)。
IC、LSI等器件也利用夹头从粘贴在划片带上且已被分割成各个器件的晶片选择性地拾取，通过芯片接合机接合在布线基板上。
专利文献1：日本特开平10-305420号公报
在利用上述的芯片接合机将LED作为模块进行组装的情况下，要花费将分割得到的LED一个一个地接合在模块芯片上等的工夫，近年来LED不断小型化，因此存在生产率劣化的问题。
另外，IC、LSI等器件的尺寸的小型化也按照一条边为100μm以下、50μm以下逐渐发展，厚度也薄至20μm以下，因此存在下述问题：利用上推式夹头从粘贴在划片带上且已被分割成各个器件的晶片选择性地拾取器件而接合在布线基板上是极其困难的。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供一种芯片接合机，其将发展了小型化、薄化的LED、IC、LSI等器件高效地接合在基板侧。
为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供芯片接合机，其将器件接合在基板上，其中，该芯片接合机至少包含：基板保持单元，其具有对供器件接合的基板进行保持的由X轴方向、Y轴方向规定的保持面；晶片保持单元，其对晶片的外周进行保持，该晶片在正面上隔着而剥离层配设有多个器件；面对单元，其使该晶片保持单元所保持的晶片的正面面对该基板保持单元所保持的基板的上表面；器件定位单元，其使该基板保持单元与该晶片保持单元在X方向、Y方向上相对地移动而将配设在晶片上的器件定位于基板的规定的位置；以及激光照射单元，其从晶片的背面照射激光光线而将所对应的器件的剥离层破坏从而将器件接合在基板的规定的位置上。
优选在该基板上配设有与器件的电极对置的电极，在基板侧或器件侧敷设有接合层，利用与该器件对应地照射的激光光线的冲击波，将器件接合在基板的规定的位置上，作为该接合材料，可以采用各向异性导电体的结合材料。
也可以是，该晶片保持单元配设有两个以上，两种以上的器件被选择性地定位于该基板，也可以是，该激光光线照射单元包含：激光振荡器，其振荡出脉冲激光光线；fθ透镜，其将该激光振荡器所振荡出的激光光线会聚于该晶片保持单元所保持的晶片的剥离层；以及定位组件，其配设在该激光振荡器与该fθ透镜之间，将激光光线定位于所对应的器件。
作为该定位组件，可以包含：使该激光振荡器所振荡出的激光光线向X方向偏转的X方向声光偏转器(X方向AOD)和使该激光振荡器所振荡出的激光光线向Y方向偏转的Y方向声光偏转器(Y方向AOD)；或者该定位组件包含使该激光振荡器所振荡出的激光光线向X方向偏转的X方向共振扫描器和使该激光振荡器所振荡出的激光光线向Y方向偏转的Y方向共振扫描器；或者该定位组件包含使该激光振荡器所振荡出的激光光线向X方向偏转的X方向振镜扫描器和使该激光振荡器所振荡出的激光光线向Y方向偏转的Y方向振镜扫描器，除了这些之外，还可以具有多面镜。
本发明的芯片接合机至少包含：基板保持单元，其具有对供器件接合的基板进行保持的由X轴方向、Y轴方向规定的保持面；晶片保持单元，其对晶片的外周进行保持，该晶片在正面上隔着而剥离层配设有多个器件；面对单元，其使该晶片保持单元所保持的晶片的正面面对该基板保持单元所保持的基板的上表面；器件定位单元，其使该基板保持单元与该晶片保持单元在X方向、Y方向上相对地移动而将配设在晶片上的器件定位于基板的规定的位置；以及激光照射单元，其从晶片的背面照射激光光线而将所对应的器件的剥离层破坏从而将器件接合在基板的规定的位置上，由此，不需要利用上推式夹头从分割成各个器件的晶片选择性地拾取器件就能够进行接合，即使器件的尺寸变小，也能够高效地进行接合，与以往的芯片接合机相比，生产率显著提高。
附图说明
图1是示出根据本发明构成的芯片接合机的整体立体图以及将LED基板保持单元放大示出的图。
图2的(a)、(b)是用于对安装于图1所示的芯片接合机的激光光线照射单元进行说明的框图。
图3的(a)、(b)是示出在本实施方式中配设有供器件接合的基板的模块基板的图。
图4的(a)、(b)、(c)是用于对隔着剥离层配设有本实施方式中的器件的晶片进行说明的说明图。
图5的(a)、(b)、(c)是用于对晶片保持单元的作用进行说明的说明图，该晶片保持单元对配设有本实施方式的红色LED的LED晶片进行保持。
图6的(a)、(b)是用于对晶片保持单元的作用进行说明的说明图，该晶片保持单元对配设有本实施方式的绿色LED的LED晶片进行保持。
图7的(a)、(b)是用于对晶片保持单元的作用进行说明的说明图，该晶片保持单元对配设有本实施方式的蓝色LED的LED晶片进行保持。
图8是用于对在本实施方式中将基板保持单元定位于晶片保持单元正下方并照射激光光线的状态进行说明的说明图。
图9的(a)、(b)是用于对在本实施方式中对红色LED进行接合的工序进行说明的说明图。
图10的(a)、(b)是用于对在本实施方式中对绿色LED进行接合的工序进行说明的说明图。
图11的(a)、(b)是用于对在本实施方式中对蓝色LED进行接合的工序进行说明的说明图。
标号说明
10：模块基板；12：模块芯片；121～123：收纳区域；124：凸块；125：电极；20、22、24：LED晶片；21：红色LED；23：绿色LED；25：蓝色LED；40：芯片接合机；42：基板保持单元；43：移动单元；44：激光光线照射单元；44a：聚光器；44b：激光振荡器；44c：衰减器；44d：X轴AOD；44e：Y轴AOD；44h：多面镜；50：晶片保持单元；52、53、54：晶片保持环。
具体实施方式
以下，参照附图对根据本发明构成的芯片接合机的优选实施方式进行详细的说明。
参照图1，对本实施方式中的芯片接合机40进行说明。图中所示的芯片接合机40具有：基台41；基板保持单元42，其对接合有器件的基板进行保持；移动单元43，其使基板保持单元42移动；激光光线照射单元44，其照射激光光线；壳体45，其从基台41的上表面向上方延伸，接着实质上水平延伸，内置有该激光光线照射单元44；以及控制单元，其由后述的计算机构成，该芯片接合机40构成为利用该控制单元对各单元进行控制。另外，在水平延伸的该壳体45的前端部的下表面上配设有：构成激光光线照射单元44的聚光器44a，其包含fθ透镜；晶片保持单元50，其对与该聚光器44a在图中箭头X所示的方向上并列而相邻配设的多个器件晶片进行保持；以及拍摄单元48，其对被加工物的加工区域进行拍摄。
基板保持单元42包含：在图中箭头X所示的X方向上移动自如地搭载在基台41上的矩形状的X方向可动板60；在图中箭头Y所示的Y方向上移动自如地搭载在X方向可动板60上的矩形状的Y方向可动板61；固定在Y方向可动板61的上表面上的圆筒状的支柱62；以及固定在支柱62的上端的矩形状的罩板63。在罩板63上配设有通过形成在该罩板63上的长孔而向上方延伸的对圆形状的被加工物进行保持的保持工作台64。被加工物被构成该保持工作台64的上表面的与未图示的吸引单元连接的吸附卡盘吸引保持。在保持工作台64的外周配设有夹具65，该夹具65对借助粘接带而保持着被加工物的框架进行把持并固定。另外，在本实施方式中所说的X方向是指图1中箭头X所示的方向，Y方向是指图1中箭头Y所示的方向，是与X方向垂直的方向。由X方向、Y方向规定的平面实质上是水平的。
作为本发明的器件定位单元发挥功能的移动单元43包含X方向移动单元80和Y方向移动单元82。X方向移动单元80将电动机的旋转运动转换成直线运动而传递给X方向可动板60，使X方向可动板60沿着基台41上的导轨在X方向上进退。Y方向移动单元82将电动机的旋转运动转换成直线运动而传递给Y方向可动板61，使Y方向可动板61沿着X方向可动板60上的导轨在Y方向上进退。另外，虽省略了图示，但在X方向移动单元80、Y方向移动单元82上分别配设有位置检测单元，该位置检测单元能够准确地检测保持工作台64的X方向的位置、Y方向的位置以及周向的旋转位置，根据后述的控制单元所指示的信号对X方向移动单元80、Y方向移动单元82进行驱动，从而能够将上述保持工作台准确地定位于任意的位置和角度。
该拍摄单元48构成为具有构成显微镜的光学系统和拍摄元件(CCD)，将所拍摄的图像信号发送至该控制单元并显示在未图示的显示单元上。另外，控制单元由计算机构成，其具有：中央运算处理装置(CPU)，其按照控制程序进行运算处理；只读存储器(ROM)，其对控制程序等进行保存；能够读写的随机存取存储器(RAM)，其对检测到的检测值、运算结果等进行临时保存；以及输入接口和输出接口(省略了详细情况的图示)。
根据图2，对从聚光器44a照射激光光线的激光光线照射单元44进行说明。例如如图2的(a)所示，激光光线照射单元44具有：激光振荡器44b，其振荡出激光光线LB；衰减器44c，其使从激光振荡器44b振荡出的激光光线LB的透过率变化而调整输出；定位组件44d，其发挥将激光光线LB的光轴的角度定位于保持工作台64的规定的位置的作用，本实施方式中的该定位组件44d包含：使光轴向X方向偏转的声光元件(以下称为“X方向AOD”)44d1以及利用与该X方向AOD 44d1同样的结构使该光轴向Y方向偏转的声光元件(以下称为“Y方向AOD”)44d2；反射镜44f，其将因X方向AOD 44d1、Y方向AOD 44d2的作用而偏转的该光轴朝向保持工作台64反射；以及聚光器44a，其将因反射镜44f而反射的激光光线LB1～LB2会聚于后述的被加工物。
聚光器44a构成为包含fθ透镜44g，从该聚光器44a照射的激光光线的照射位置通过上述的构成定位组件44d的X方向AOD 44d1、Y方向AOD 44d2在LB1～LB2的范围内进行控制，并照射至fθ透镜44g的期望的位置。通过对该X方向AOD 44d1、Y方向AOD 44d2进行适当控制，构成为能够将激光光线LB1～LB2定位于定位在聚光器44a的正下方的晶片保持环52、53、54所保持的晶片的期望的位置并进行照射，能够在图2记载的与纸面垂直的Y方向以及表示纸面的左右方向的X方向上对该照射位置进行控制。另外，将该激光光线照射至fθ透镜44g的期望位置的定位组件44d不限于包含上述的X方向AOD 44d1、Y方向AOD 44d2，只要是能够使激光光线的照射方向偏转的单元，则可以使用其他单元，例如X方向共振扫描器、Y方向共振扫描器、X方向电扫描器、Y方向电扫描器等。另外，激光光线照射单元44不限于仅具有上述的结构。例如如图2的(b)所示，除了X方向AOD 44d1、Y方向AOD44d2之外，还可以具有构成为在箭头44i所示的方向上进行旋转的多面镜44h。该多面镜44h与从激光振荡器44b振荡出的脉冲激光光线的频率一致地通过多面电动机(未图示)进行驱动而高速旋转，从而使激光光线LB的照射方向高速地变化(参照双点划线所示的44h′)。由此，能够对晶片保持环52、53、54所保持的晶片的多个期望位置高速地照射激光光线。
返回图1继续进行说明，如图中放大所示，本实施方式的晶片保持单元50具有：能够对形成有器件的三种晶片进行保持的晶片保持环52、53、54；对晶片保持环52、53、54进行支承的保持臂52d、53d、54d(关于54d，参照图7)；以及为了对该保持臂52d、53d、54d进行支承而配设在该壳体45的前端部的下表面上的保持基体56。保持基体56例如形成为大致三角柱形状，在该保持基体56的三个侧壁面上分别形成有沿上下方向开口的开口孔56a、56b、56c(关于56c，参照图7)，保持臂52d、53d、54d经由开口孔56a、56b、56c与内置于保持基体56的驱动单元(省略了图示)连结。另外，保持基体56构成为能够利用未图示的驱动单元在箭头56d所示的方向上进行旋转，从而能够将晶片保持环52、53、54选择性地定位于保持工作台64上所保持的晶片的正上方位置。
晶片保持环52、53、54具有与各自所保持的晶片的尺寸一致地形成的、在上下方向上贯通的开口部58，供晶片载置的环状的阶差部52a、53a、54a沿着晶片保持环52、53、54的内侧配设。在阶差部52a、53a、54a的上表面上，在周向上隔着规定的间隔配设多个用于对所载置的晶片进行吸引保持的吸引孔52b、53b、54b，通过与未图示的吸引单元连接，能够对载置在该阶差部52a、53a、54a上的晶片进行吸引保持。在晶片保持环52、53、54的开口部58形成有直线部52c、53c、54c，通过使晶片的定向平面与其对置地定位来进行载置，能够准确地限定晶片保持环52、53、54所保持的晶片的方向。另外，吸引孔52b、53b、54b与该吸引单元经由沿着晶片保持环52、53、54和保持臂52d、53d、54d形成的吸引通路连结在一起。
对晶片进行保持的晶片保持环52、53、54能够借助配设在保持基体56内部的、对保持臂52d、53d、54d进行支承的该驱动单元而在箭头p所示的方向上进行旋转，能够使晶片保持环52、53、54所保持的器件晶片的正面、背面的任意面朝向上方或下方。另外，晶片保持环52、53、54构成为能够通过该控制单元的指令在箭头q所示的上下方向上移动，从而能够准确地定位于期望的高度位置。
本实施方式中的芯片接合机40大致具有以上那样的结构，在本实施方式中以下述情况为例对其作用进行说明：进行接合的器件是红色LED、绿色LED、蓝色LED，形成有该红色LED、绿色LED、蓝色LED的晶片是LED晶片，供该红色LED、绿色LED、蓝色LED接合的基板是构成三色LED的模块芯片，形成有多个该模块芯片的基板是模块基板。
如图3的(a)所示，模块基板10形成为大致圆板形状，将背面10b侧粘贴在粘接带T上，借助粘接带T而保持于环状的框架F(参照图3的(b))。模块基板10按照直径4英寸≒100mm形成，在由分割预定线呈格子状划分的正面10a侧的各区域中，形成供LED接合的基板、即模块芯片12。
如图中将模块基板10的一部分放大所示，各模块芯片12至少具有：收纳区域121，其由具有供红色LED接合的矩形状的开口的凹部构成；收纳区域122，其由具有供绿色LED接合的矩形状的开口的凹部构成；以及收纳区域123，其由具有供蓝色LED接合的矩形状的开口部的凹部构成，在各收纳区域121～123的各底部各配设两个在对LED进行收纳时与各LED的电极(阳电极、阴电极)对置的电极、即凸块124。
采用下述构造：在长度方向上在与模块芯片12的各收纳区域121～123相邻的上表面上设置六个与配设在各收纳区域121～123的该凸块124、124导通的电极125，从该电极125经由凸块124、124向收纳在各收纳区域121～123的LED提供电力。该模块芯片12的外径尺寸按照俯视时在长度方向上为40μm、在宽度方向上为10μm左右的大小形成，各收纳区域的开口按照1条边为9μm的正方形形成。另外，为了便于说明，所记载的表现在图3的模块基板10上的模块芯片12大于实际尺寸，实际上与图示的模块芯片12相比极其小的、更多的模块芯片12形成在模块基板10上。
在图4的(a)～(c)中示出形成有作为接合在上述的模块芯片12上的器件的红色LED 21的LED晶片20、形成有作为接合在上述的模块芯片12上的器件的绿色LED 23的LED晶片22、形成有作为接合在上述的模块芯片12上的器件的蓝色LED 25的LED晶片24、以及各自的局部放大剖视图A-A、B-B、C-C。如图所示，各LED晶片20、22、24形成为大致圆板状，按照与模块基板10大致相同的尺寸(直径4英寸≒100mm)构成。各LED晶片20、22、24均在蓝宝石基板或SiC基板等外延基板201、221、241的上表面上隔着由Ga化合物(例如氮化镓：GaN)构成的剥离层30而形成有构成呈红色发光的LED 21、呈绿色发光的LED 23、呈蓝色发光的LED25(以下，将LED 21称为红色LED 21、将LED 23称为绿色LED 23、将LED 25称为蓝色LED 25)的LED层。该红色LED 21、绿色LED 23、蓝色LED 25按照各个尺寸俯视时为8μm×8μm的尺寸形成，由外延层和电极构成，其中，该外延层由N型半导体层、发光层、P型半导体层构成，该电极由配设在该外延层的上表面上的P型半导体、N型半导体构成(省略了图示)。在各LED晶片20、22、24中，相邻的LED以规定的间隔202、222、242划分而形成，对形成有构成各LED之间的规定的间隔202、222、242的区域在形成该LED层时进行掩模，因此成为剥离层30露出的状态。如上所述，该红色LED 21、绿色LED 23、蓝色LED 25按照各个尺寸俯视时1条边为8μm的正方形状形成，由此能够收纳在形成为1条边为9μm的正方形状的模块芯片12的各收纳区域121～123中。
在各LED晶片20、22、24的外周形成有表示晶体取向的直线部分、即所谓的定向平面OF，形成在LED晶片20、22、24的上表面的红色LED 21、绿色LED 23、蓝色LED 25以该晶体取向为基准在规定的方向上排列。已知通过变更构成发光层的材料来得到红色LED 21、绿色LED 23、蓝色LED 25中的红色、绿色、蓝色的发光，例如红色LED 21使用铝砷化镓(AlGaAs)、绿色LED 23使用磷化镓(GaP)、蓝色LED 25使用氮化镓(GaN)。另外，形成本发明的红色LED 21、绿色LED 23、蓝色LED 25的材料不限于此，可以采用用于呈各色发光的公知的材料，也可以使用其他材料呈各色发光。另外，在本实施方式中，如图4的(b)、(c)所示，在正面具有绿色LED 23、蓝色LED 25的LED晶片22、24按照在进行后述的LED收纳工序时绿色LED 23、蓝色LED 25不与先收纳在模块芯片12的LED重叠的方式隔开间隔222、242而形成在LED晶片22、24的正面上。对于该点在后文进行详细叙述。
根据图1、图5～图11，对将红色LED 21、绿色LED 23、蓝色LED 25接合在形成于模块基板10的模块芯片12上的工序进行说明。若准备好了上述的LED晶片20、22、24和模块基板10，则实施如下的工序：定位工序，将该LED晶片20、22、24的红色LED 21、绿色LED 23、蓝色LED 25定位于该模块芯片12的规定的收纳区域121～123；以及LED收纳工序，将各LED从该外延基板201、221、241剥离，并将各LED收纳在用于收纳该模块芯片的红、绿、蓝的LED的规定的收纳区域121～123并进行接合。
首先，通过使移动单元43进行动作而使配设在图1所示的芯片接合机40中的基板保持单元42上的保持工作台64成为移动至图中近前侧的基板搭载区域的状态。若使保持工作台64移动到了图1所示的位置，则使借助粘接带T而利用框架F进行保持的模块基板10的正面10a朝向上方、背面10b侧朝向下方地载置在保持工作台64的上表面上，并使未图示的吸引单元进行动作而将其吸引保持在保持工作台64上，并且若利用配设在保持工作台64的外周的夹具机构65对模块基板10的该框架F进行了固定，则使用上述的拍摄单元48对吸引保持在保持工作台64上的模块基板10进行拍摄，执行对准，进行激光光线照射单元44的聚光器44a与模块基板10的位置的对位。
若执行该对准而完成了两者的对位，则通过未图示的控制单元的指令使晶片保持环52、53、54的位置向下方降低。若晶片保持环52被定位成了图1所示的状态，则如图5的(a)所示，将形成有红色LED 21的LED晶片20载置于晶片保持环52的阶差部52a。另外，如上所述，在将LED晶片20保持于晶片保持环52时，将LED晶片20的定向平面OF定位在晶片保持环52的直线部52c，将形成有红色LED21的正面20a朝向上方地进行载置，由此相对于晶片保持环52准确地定位于期望的方向(参照图5的(b))。
若将LED晶片20载置在了该阶差部52a，则使未图示的吸引单元进行动作，从吸引孔52b进行吸引，使LED晶片20成为吸引保持状态。若将LED晶片20吸引保持在了晶片保持环52上，则使保持基体56的驱动单元进行动作，使晶片保持环52如图5的(c)所示那样在图中箭头p的方向上旋转180°，按照使LED晶片20的背面20b侧向上方露出、形成有红色LED21的正面20a朝向下方的方式转换方向。至此，完成了LED晶片20的保持。
若完成了LED晶片20的保持，则使保持基体56在图1中箭头56d所示的方向上旋转120°，使晶片保持环53移动至图1所示的保持环52所在的位置。若使晶片保持环53进行了这样移动，则与上述的LED晶片20相同地，如图6的(a)所示，将形成有绿色LED 23的LED晶片22载置于晶片保持环53的阶差部53a。此时，与LED晶片20同样地，在将LED晶片22保持于晶片保持环53时，将LED晶片22的定向平面OF定位在晶片保持环53的直线部53c，将形成有绿色LED23的正面22a朝向上方地进行载置，从而相对于晶片保持环53准确地定位于期望的方向(参照图6的(b))。
若将LED晶片22载置在了该阶差部53a，则使未图示的吸引单元进行动作，从吸引孔53b进行吸引，使LED晶片22成为吸引保持状态。若将LED晶片22吸引保持在了晶片保持环53上，则使保持基体56的驱动单元进行动作，使晶片保持环53与上述的图5的(c)所示的同样地，在图中箭头p的方向上旋转180°，按照形成有绿色LED23的正面22a朝向下方的方式转换方向。至此，完成了LED晶片22的保持。
若完成了LED晶片22的保持，则使保持基体56在图1中箭头56d所示的方向上进一步旋转120°，使晶片保持环54移动至晶片保持环53所在的位置。若使晶片保持环54进行了移动，则与上述的LED晶片20、22相同地，将形成有蓝色LED 25的LED晶片24载置于晶片保持环54的阶差部54a。与LED晶片20、22同样地，在将LED晶片24保持于晶片保持环54时，将LED晶片24的定向平面OF定位在晶片保持环54的直线部54c，将形成有蓝色LED 25的正面24a朝向上方地进行载置，从而相对于晶片保持环54准确地定位于期望的方向(参照图7的(b))。
若将LED晶片24载置在了该阶差部54a，则使未图示的吸引单元进行动作，从吸引孔54b进行吸引，使LED晶片24成为吸引保持状态。若将LED晶片24吸引保持在了晶片保持环54上，则使保持基体56的驱动单元进行动作，使晶片保持环54与上述的图5的(c)所示的同样地，在图中箭头p的方向上旋转180°，按照形成有蓝色LED25的正面24a朝向下方的方式转换方向。至此，完成了LED晶片24的保持。
若如上所述将LED晶片20、22、24保持在了晶片保持环52、53、54上，则准备后述的接合工序，将对LED晶片20进行吸引保持的晶片保持环52移动至图1所示的位置。另外，在上述的实施方式中，在每次将LED晶片20、22、24载置于晶片保持环52、53、54时，为了使背面侧朝向上方，每次都在箭头p的方向上使其旋转，但不限于此，例如也可以是，在将该3张LED晶片20、22、24载置于晶片保持环52、53、54之后，使该晶片保持环52、53、54在箭头p方向上同时旋转。
如上所述，若将LED晶片20、22、24载置在了晶片保持环52、53、54上且使配设有红色LED 21、绿色LED 23、蓝色LED 25的正面侧朝向下方，则根据通过执行上述的对准而得到的位置信息，使移动单元43进行动作，将保持工作台64定位于聚光器44a和晶片保持环52的正下方(参照图8)。并且，若将保持工作台64定位在了晶片保持环52的正下方，则为了使LED晶片20面对模块基板10，使作为本发明的面对单元发挥功能的保持基体56的未图示的驱动单元进行动作，使晶片保持环52朝向保持工作台64上的模块基板10下降。此时，由更具体地示出从侧方观察LED晶片20与模块基板10时的位置关系的图9的(a)能够理解，通过使LED晶片20接近模块基板10的正面10a，从而定位成模块芯片12a的收纳区域121与LED晶片20的红色LED 21a的正下方接近的状态。另外，在图9～11中，为了便于说明，省略了对LED晶片20、22、24进行保持的晶片保持环52、53、54。
返回图9继续进行说明，若模块芯片12a的收纳区域121被定位在了LED晶片20的红色LED21a的正下方，则使激光光线照射单元44进行动作，将红色LED21a接合在该收纳区域121。更具体而言，通过来自该控制单元的指令，利用激光光线照射单元44的激光振荡器44b振荡出激光光线，使X轴AOD 44d1、Y轴AOD 44d2进行动作，调整对于fθ透镜44g的入射位置，激光光线LB从LED晶片20的背面20b侧朝向位于作为目标的红色LED 21a的背面的剥离层30进行照射。
另外，本实施方式中的芯片接合机40的激光光线照射条件例如如下进行设定。
上述激光光线的波长设定为对于构成LED晶片20的外延基板201具有透过性而对于剥离层30具有吸收性的波长。由此，剥离层被30破坏，在外延基板201与红色LED 21a的边界面瞬间形成气体层而形成冲击波，从而将该红色LED 21从外延基板201剥离。从LED晶片20剥离的红色LED 21a在从LED晶片20剥离前的状态下已经极其接近模块芯片12的该收纳区域121，在剥离的时刻被收纳至该收纳区域121。
若将红色LED 21a从LED晶片20剥离并收纳在了模块芯片12a的收纳区域121，则使作为本发明的器件定位单元发挥功能的移动单元43的X方向移动单元80进行动作，使模块基板10在图9的(b)中箭头所示的方向上移动规定的量，在接下来的模块芯片12b中，将用于收纳红色LED 21b的收纳区域121定位于接下来的红色LED 21b的正下方。若将模块芯片12b的收纳区域121定位在了红色LED 21b的正下方，则通过来自该控制单元的指令，对激光光线照射单元的X轴AOD 44d1和Y轴AOD 44d2进行控制，变更激光光线LB的照射位置，对位于红色LED 21b的背面的剥离层30进行照射。由此，将位于红色LED 21b的背面的剥离层30破坏，与红色LED 21a同样地，从LED晶片20剥离红色LED 21b，在模块芯片12b的收纳区域121收纳红色LED 21b。另外，通过执行与上述同样的工序，在与模块芯片12b相邻地形成的模块芯片12c的收纳区域121收纳接下来的红色LED 21c。若这样在X方向上排列的所有模块芯片12中收纳了红色LED 21，则使模块基板10在Y方向上进行转位进给，再次在X方向上排列的所有模块芯片12的收纳区域121中收纳LED晶片20上的红色LED 21。通过反复进行这样的定位工序、LED收纳工序，在模块基板10上的所有模块芯片12的收纳区域121中收纳红色LED21。这里，通过参照图9的(b)记载的模块芯片12a能够理解，收纳在模块芯片12中的LED 21成为从模块芯片12的正面向上方突出的状态。另外，通过将红色LED 21收纳在各模块芯片12的收纳区域121中，红色LED 21上的由P型半导体、N型半导体构成的电极与形成在收纳区域121的底部的凸块124、124抵接，在本实施方式中，预先在凸块124、124的前端部形成有层叠了由各向异性导电体构成的结合材料的接合层，由此红色LED21侧的电极与该凸块124、124进行电连接，从而完成了红色LED21的接合。
若在形成在模块基板10上的所有模块芯片12上接合了红色LED 21，则接下来实施用于将绿色LED 23接合在各模块芯片12的规定的收纳区域122的定位工序和收纳工序。更具体而言，如上所述在对红色LED 21进行了接合之后，使晶片保持环52上升，使保持基体56在图1的箭头56d所示的方向上旋转120°，从而使保持有LED晶片22的晶片保持环53移动至晶片保持环52所在的位置。并且，重新使移动单元43进行动作，将模块基板10定位于LED晶片22中的规定的位置(正下方)。此时，模块基板10定位成使形成在模块芯片12a的收纳区域122位于LED晶片22的规定的绿色LED 23a的正下方。并且，若模块基板10移动到了LED晶片22的正下方，则使作为本发明的面对单元发挥功能的保持基体56的未图示的驱动单元进行动作，使晶片保持环53下降，从而使LED晶片22接近模块基板10的正面10a(参照图10的(a))。
对本实施方式中的LED晶片22的详细情况进行进一步说明。由图4的(b)、图10记载的LED晶片22能够理解，配设在LED晶片22的绿色LED 23隔开规定的间隔222进行配设，该间隔222与图9所示的配设在LED晶片20的红色LED 21的规定的间隔202相比更宽地形成。这里，如图10的(a)所示，设定LED晶片22中的上述规定的间隔222以便在为了将LED晶片22的绿色LED 23接合在模块芯片12而使其接近时，在俯视下不与先收纳在各模块芯片12的红色LED 21重叠。由此，如图10的(a)所示，即使为了将绿色LED 23接合在模块芯片12上而使LED晶片22接近模块基板10，通过设定规定的间隔222，也能够使该绿色LED 23不与已经收纳在模块芯片12的红色LED 21重叠，从而能够接近至适合将绿色LED 23接合在规定的收纳区域122的位置。
参照图10的(a)继续进行说明，若通过实施上述定位工序使模块芯片12a的收纳区域122接近LED晶片22的绿色LED 23a的正下方而进行了定位，则与上述的红色LED 21的接合同样地，使激光光线照射单元44进行动作，实施将绿色LED 23a收纳在该收纳区域122的LED收纳工序。即，从LED晶片22的背面22b侧朝向位于作为目标的绿色LED 23a的背面的剥离层30照射对于外延基板221具有透过性且对于该剥离层30具有吸收性的波长的激光光线LB。由此，将剥离层30破坏，在外延基板221与绿色LED 23a的边界面形成气体层，该绿色LED23a从外延基板221剥离。从LED晶片22剥离的绿色LED 23a收纳在该收纳区域122。
若将绿色LED 23a收纳在了模块芯片12a的收纳区域122，则使作为本发明的器件定位单元发挥功能的移动单元43进行动作，使模块基板10在图10的(b)所示的箭头的方向上移动规定的距离，将接下来的模块芯片12b中的收纳区域122定位于接下来的绿色LED23b的正下方。另外，由图10的(b)能够理解，在LED晶片22接近模块基板10的状态下，形成在LED晶片22的绿色LED 23的下端处于低于先收纳在模块芯片12的红色LED 21的上端的位置，因此无法在该状态下直接使模块基板10在图中的箭头的方向上移动。由此，在实施利用移动单元43向箭头方向的移动时，实施下述动作：使保持基体56所具有的该驱动单元进行动作而使对LED晶片22进行保持的晶片保持环53暂时上升，在使模块基板10移动规定的距离之后再次使其下降，从而接近模块基板10。
若如上所述将该模块芯片12b的收纳区域122定位在了绿色LED 23b的正下方，则通过来自该控制单元的指令，对激光光线照射单元的X方向AOD 44d、Y方向AOD44e进行控制，由此将入射至fθ透镜44g的激光光线LB的位置定位于规定的位置，对位于绿色LED 23b的背面的剥离层30进行照射。由此，将位于绿色LED 23b的背面的剥离层30破坏，从LED晶片22剥离绿色LED 23b，在模块芯片12b的收纳区域122收纳绿色LED 23b。此时，如上所述，在凸块124、124上形成有层叠了由各向异性导电体构成的结合材料的接合层，通过该接合材料，绿色LED 23的电极与凸块124、124进行电连接并进行芯片接合。然后，通过进一步反复执行同样的工序，在与模块芯片12b相邻地形成的模块芯片12c的收纳区域122收纳接下来的绿色LED23c并进行芯片接合。若这样在X方向上排列的所有模块芯片12中接合了绿色LED23，则使模块基板10在Y方向上进行转位进给，再次在X方向上排列的所有模块芯片12的收纳区域122中接合LED晶片22上的绿色LED 23。通过反复进行这样的定位工序、LED收纳工序，在模块基板10上的所有模块芯片12的收纳区域122中芯片接合绿色LED 23。另外，如上所述，与在LED晶片20上形成红色LED 21的情况相比，形成在LED晶片22上的绿色LED 23以较宽的间隔排列，配设在LED晶片22上的绿色LED 23的数量相对于配设红色LED 21的LED晶片20大致为1/2左右，相对于1张LED晶片20，大致需要2张LED晶片22，因此若LED晶片22上的绿色LED 23全部进行了接合，则更换成形成有绿色LED 23的新的LED晶片22。
若在形成在模块基板10上的所有模块芯片12上接合了绿色LED 23，则接下来实施用于将蓝色LED 25收纳在各模块芯片12的规定的收纳区域123的定位工序和LED收纳工序。更具体而言，如上所述在模块基板10上的所有模块芯片12上接合了红色LED 21、绿色LED23之后，使晶片保持环53上升，使保持基体56在图1的箭头56d所示的方向上进一步旋转120°，从而使对配设有蓝色LED 25的LED晶片24进行吸引保持的晶片保持环54移动至晶片保持环53所在的位置。并且，重新使移动单元43进行动作，将模块基板10定位于LED晶片24的正下方。此时，模块基板10的形成在模块芯片12a的收纳区域123定位于LED晶片24的规定的蓝色LED 25a的正下方。并且，若模块基板10移动到了LED晶片24的正下方，则使保持基体56的未图示的驱动单元进行动作，使晶片保持环54下降，从而使LED晶片24接近模块基板10的正面10a(参照图11的(a))。
对本实施方式中的LED晶片24的详细情况进行进一步说明。由图4的(c)、图11记载的LED晶片24能够理解，配设在LED晶片24的蓝色LED 25隔开规定的间隔242进行配设，该间隔242与图10所示的配设在LED晶片22的绿色LED 23的规定的间隔222相比更宽地形成。这里，如图11的(a)所示，设定LED晶片24中的上述规定的间隔242以便在为了将LED晶片24的蓝色LED 25收纳在模块芯片12而使其接近时，在俯视下不与先收纳在模块芯片12的红色LED 21和绿色LED 23重叠。由此，如图11的(a)所示，即使为了将蓝色LED 25接合在模块芯片12而使LED晶片24接近模块基板10，该蓝色LED 25也不与已经收纳在模块芯片的红色LED21和绿色LED 23重叠，从而能够接近至适合将蓝色LED 25接合在规定的收纳区域123的位置。
参照图11的(a)继续进行说明，若通过实施上述定位工序，将LED晶片24的蓝色LED25a定位成接近模块芯片12a的收纳区域123，则与将红色LED 21、绿色LED 23收纳在模块芯片12a的LED收纳工序同样地，使激光光线照射单元44进行动作，将蓝色LED 25a接合在该收纳区域123。即，从LED晶片24的背面24b侧朝向位于作为目标的蓝色LED 25a的背面的剥离层30照射对于外延基板241具有透过性且对于该剥离层30具有吸收性的波长的激光光线LB。由此，将剥离层30破坏，在外延基板241与蓝色LED 25a的边界面形成气体层，该蓝色LED25a从外延基板241剥离。从LED晶片24剥离的蓝色LED 25a在被剥离的时刻收纳在该收纳区域123并进行接合。
若将蓝色LED 25a收纳在了模块芯片12a的收纳区域123，则使移动单元43进行动作，使模块基板10在图11的(b)所示的箭头的方向上移动规定的量，在接下来的模块芯片12b中将用于收纳蓝色LED 25b的收纳区域123定位于接下来的蓝色LED 25b的正下方(定位工序)。另外，与将绿色LED 23收纳在模块芯片12时同样地，在LED晶片24接近模块基板10的状态下，形成在LED晶片24上的蓝色LED 25的下端处于低于先收纳在模块芯片12的红色LED22和绿色LED 24的上端的位置，因此无法在该状态下直接使模块基板10在图中的箭头的方向上移动。由此，在实施利用移动单元43向箭头方向的移动时，实施下述动作：使对LED晶片24进行保持的晶片保持环52暂时上升，在使模块基板10移动规定的距离之后再次使其下降，从而接近模块基板10。
若如上所述按照使接下来的模块芯片12b的收纳区域123接近接下来的蓝色LED25b的正下方的方式进行了定位，则通过来自该控制单元的指令，对激光光线照射单元的X方向AOD 44d1、Y方向AOD 44d2进行控制，变更激光光线LB的照射位置，对位于蓝色LED25b的背面的剥离层30进行照射。由此，将位于蓝色LED 25b的背面的剥离层30破坏，与蓝色LED25a同样地，从LED晶片24剥离蓝色LED 25b，在模块芯片12b的收纳区域123收纳蓝色LED25b。通过进一步执行同样的定位工序、LED收纳工序，在与模块芯片12b相邻地形成的模块芯片12c的收纳区域123收纳接下来的蓝色LED 25c。若这样在X方向上排列的所有模块芯片12中收纳了蓝色LED25，则使模块基板10在Y方向上进行转位进给，再次在X方向上排列的所有模块芯片12的收纳区域123中收纳LED晶片24上的蓝色LED 25。如上所述，在凸块124、124上形成有层叠了由各向异性导电体构成的结合材料的接合层，通过在模块芯片12的收纳区域123中收纳LED晶片24上的蓝色LED 25，借助该接合材料，模块芯片12与蓝色LED 25的电极进行电连接并完成芯片接合。通过反复进行这样的定位工序、LED收纳工序，在模块基板10上的所有模块芯片12的收纳区域123收纳蓝色LED 25。另外，如上所述，与在LED晶片22上形成绿色LED 23的情况相比，形成在LED晶片24上的蓝色LED 25以更宽的间隔排列，配设在LED晶片24上的蓝色LED 25的数量相对于配设红色LED 21的LED晶片20大致为1/3左右，相对于1张LED晶片20，大致需要3张LED晶片24。由此，在LED晶片24上的所有蓝色LED 25芯片接合在模块基板10上，进一步继续接合蓝色LED 25的情况下，更换成形成有蓝色LED 25的新的LED晶片24。
如上所述，当在配设在模块基板10上的所有模块芯片12上接合红色、绿色、蓝色的LED时，模块的组装完成。另外，若在上述的所有模块芯片12上接合了LED，则利用周知的方法实施将各模块芯片12单片化的单片化工序即可。该LED单片化工序例如可以如下实施：应用适当的激光加工装置，沿着对模块芯片12进行划分的分割预定线照射对于模块基板10的材质具有吸收性的波长的激光光线来进行分割，利用激光加工装置对该基板进行分割的方法是周知的，因此省略了详细内容。
本发明不限于上述的实施方式，只要属于本发明的技术范围，则可以适当假想变形例。
例如，在上述的实施方式中，说明了进行接合的器件是形成在LED晶片20、22、24上的红色、绿色、蓝色LED 21、LED 23、LED 24、供该器件接合的基板为模块芯片12的情况，但本发明的芯片接合机不限于此，例如也可以应用于将包含IC、LSI等集成电路在内的多个器件接合在构成芯片尺寸封装(CSP)的布线基板上的芯片接合机。例如执行如下的所谓先切割，准备由分割预定线划分而在硅基板的上表面上形成有IC、LSI等多个半导体器件的器件晶片，先从正面侧沿着分割预定线进行切割直至相当于器件的完工厚度的深度左右而形成槽，之后对背面侧进行磨削，由此同时实施器件的薄化加工和分割成各个器件的分割加工。然后，在玻璃基板的上表面上借助由环氧树脂等结合材料构成的接合层而粘贴该多个器件，从而可以形成应用于本发明的芯片接合机的器件晶片。在该情况下，该接合层作为剥离层，从玻璃基板侧、即器件晶片的背面侧照射以该接合层为焦点的激光光线，利用激光光线的冲击波将该接合层破坏，从而能够将器件接合在布线基板侧。
在上述的实施方式中的芯片接合机中，为了同时对作为器件晶片的三种LED晶片进行保持，在基板保持单元中具有三个晶片保持环，但本发明不限于此，构成为对两种以上的器件晶片进行保持即可。

Claims (8)

1.一种芯片接合机，其将器件接合在基板上，其中，该芯片接合机至少包含：
基板保持单元，其具有对供器件接合的基板进行保持的由X轴方向、Y轴方向规定的保持面；
晶片保持单元，其对晶片的外周进行保持，该晶片在正面上隔着剥离层而配设有多个器件；
面对单元，其使该晶片保持单元所保持的晶片的正面面对该基板保持单元所保持的基板的上表面；
器件定位单元，其使该基板保持单元与该晶片保持单元在X方向、Y方向上相对地移动而将配设在晶片上的器件定位于基板的规定的位置；以及
激光光线照射单元，其从晶片的背面照射激光光线而将所对应的器件的剥离层破坏从而将器件接合在基板的规定的位置上，
该晶片保持单元配设有两个以上，两个以上的该晶片保持单元同时保持两个以上的晶片，在该两个以上的晶片上分别配设有不同的器件，该两个以上的晶片所配设的两种以上不同的器件被选择性地定位于该基板。
2.根据权利要求1所述的芯片接合机，其中，
在该基板上配设有与器件的电极对置的电极，在基板侧或器件侧敷设有接合层，利用与该器件对应地照射的激光光线的冲击波，将器件接合在基板的规定的位置上。
3.根据权利要求2所述的芯片接合机，其中，
该接合层具有各向异性导电体。
4.根据权利要求1所述的芯片接合机，其中，
该激光光线照射单元包含：
激光振荡器，其振荡出脉冲激光光线；
fθ透镜，其将该激光振荡器所振荡出的激光光线会聚于该晶片保持单元所保持的晶片的剥离层；以及
定位组件，其配设在该激光振荡器与该fθ透镜之间，将激光光线定位于所对应的器件。
5.根据权利要求4所述的芯片接合机，其中，
该定位组件至少包含X方向声光偏转器和Y方向声光偏转器，其中，该X方向声光偏转器使该激光振荡器所振荡出的激光光线向X方向偏转，该Y方向声光偏转器使该激光振荡器所振荡出的激光光线向Y方向偏转。
6.根据权利要求4所述的芯片接合机，其中，
该定位组件至少包含X方向共振扫描器和Y方向共振扫描器，其中，该X方向共振扫描器使该激光振荡器所振荡出的激光光线向X方向偏转，该Y方向共振扫描器使该激光振荡器所振荡出的激光光线向Y方向偏转。
7.根据权利要求4所述的芯片接合机，其中，
该定位组件至少包含X方向振镜扫描器和Y方向振镜扫描器，其中，该X方向振镜扫描器使该激光振荡器所振荡出的激光光线向X方向偏转，该Y方向振镜扫描器使该激光振荡器所振荡出的激光光线向Y方向偏转。
8.根据权利要求5至7中的任意一项所述的芯片接合机，其中，
该激光光线照射单元除了该定位组件之外还具有多面镜。
CN201711317672.5A 2016-12-16 2017-12-12 芯片接合机 Active CN108206150B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016244331A JP2018098441A (ja) 2016-12-16 2016-12-16 ダイボンダー
JP2016-244331 2016-12-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108206150A CN108206150A (zh) 2018-06-26
CN108206150B true CN108206150B (zh) 2023-09-26

Family

ID=62604697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711317672.5A Active CN108206150B (zh) 2016-12-16 2017-12-12 芯片接合机

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2018098441A (zh)
KR (1) KR102399929B1 (zh)
CN (1) CN108206150B (zh)
TW (1) TW201826427A (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI734956B (zh) * 2019-01-31 2021-08-01 惠特科技股份有限公司 半導體元件雷射焊接裝置及方法
CN109757094B (zh) * 2019-02-01 2023-10-03 南昌大学 一种面向Micro LED芯片的检测修补贴装设备
JP7307001B2 (ja) * 2019-06-17 2023-07-11 東レエンジニアリング株式会社 レーザ加工装置および方法、チップ転写装置および方法
JP7406393B2 (ja) 2020-02-14 2023-12-27 東レエンジニアリング株式会社 チップ転写装置
CN113555303A (zh) * 2020-04-23 2021-10-26 华为机器有限公司 Led芯片转移系统及其转移方法
CN111540280B (zh) * 2020-05-06 2022-06-14 惠州雷曼光电科技有限公司 Led显示屏晶片混固方法及led显示屏
JP2022175047A (ja) * 2021-05-12 2022-11-25 デクセリアルズ株式会社 接続構造体の製造方法、及び接続フィルム

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11219990A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Mitsubishi Materials Silicon Corp 半導体ウェーハの検査方法およびその装置
JP2006041500A (ja) * 2004-06-23 2006-02-09 Sony Corp 素子の転写方法、素子の間引き方法及び素子の転写装置
WO2012133760A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 ボンドテック株式会社 電子部品実装方法、電子部品実装システムおよび基板
CN103123946A (zh) * 2011-11-17 2013-05-29 株式会社迪思科 光器件层的移换装置和激光加工机
JP2016047547A (ja) * 2014-08-28 2016-04-07 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08286201A (ja) * 1995-04-17 1996-11-01 Hitachi Ltd フリップチップ方式の液晶表示素子およびその製造方法
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JP4612733B2 (ja) * 2008-12-24 2011-01-12 東芝機械株式会社 パルスレーザ加工装置
JP6434360B2 (ja) * 2015-04-27 2018-12-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11219990A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Mitsubishi Materials Silicon Corp 半導体ウェーハの検査方法およびその装置
JP2006041500A (ja) * 2004-06-23 2006-02-09 Sony Corp 素子の転写方法、素子の間引き方法及び素子の転写装置
WO2012133760A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 ボンドテック株式会社 電子部品実装方法、電子部品実装システムおよび基板
CN103123946A (zh) * 2011-11-17 2013-05-29 株式会社迪思科 光器件层的移换装置和激光加工机
JP2016047547A (ja) * 2014-08-28 2016-04-07 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018098441A (ja) 2018-06-21
KR102399929B1 (ko) 2022-05-18
CN108206150A (zh) 2018-06-26
KR20180070479A (ko) 2018-06-26
TW201826427A (zh) 2018-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108206150B (zh) 芯片接合机
CN108962916B (zh) Led显示面板的制造方法
US9997392B2 (en) Wafer processing method
KR101999411B1 (ko) 웨이퍼 가공 방법
JP4640173B2 (ja) ダイシング装置
TW201041178A (en) Laser machining method and method for manufacturing compound semiconductor light-emitting element
KR20190105504A (ko) 디바이스의 이설 방법
KR20140118757A (ko) 웨이퍼 가공 방법
US10297710B2 (en) Method of processing wafer
US11211250B2 (en) Laminated element manufacturing method
JP2004111601A (ja) ダイボンダ
KR20040046422A (ko) 1064/532 ㎚ 파장 겸용 레이저 시스템 및 칩 스케일 마커
CN108123021B (zh) Led组装方法
JP2003045825A (ja) 半導体ウェハのダイシング装置およびダイシング方法
US20230050807A1 (en) Method of processing wafer
CN107799406B (zh) 用于加工晶片的方法和用于加工载体的方法
TW202226398A (zh) 面板級封裝中半導體晶粒的接合後檢測方法及系統
KR20190032193A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
US20230066601A1 (en) Method of processing monocrystalline silicon wafer
JP2022164272A (ja) Ｌｅｄディスプレイパネルの製造方法
US20210242364A1 (en) Method of producing light-emitting device
CN117583724A (zh) 激光加工装置和晶片的制造方法
CN116403960A (zh) 半导体结构及其制造方法
CN112404703A (zh) 激光加工方法
JP2007194515A (ja) ウエーハの分割方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant