JP2007218638A - 多結晶半導体ウエハの割れ検査装置および割れ検査方法 - Google Patents
多結晶半導体ウエハの割れ検査装置および割れ検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007218638A JP2007218638A JP2006037117A JP2006037117A JP2007218638A JP 2007218638 A JP2007218638 A JP 2007218638A JP 2006037117 A JP2006037117 A JP 2006037117A JP 2006037117 A JP2006037117 A JP 2006037117A JP 2007218638 A JP2007218638 A JP 2007218638A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- polycrystalline semiconductor
- image
- crack
- image data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
- G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
【課題】 粒界のある多結晶半導体ウエハでも、内部クラックを検出することができる多結晶半導体ウエハの割れ検査装置を提供する。
【解決手段】 コンピュータ10は、赤外線カメラ40によって、透過用赤外線投光器20から多結晶シリコンウエハ2の裏面に照射された赤外線の透過光による画像、および反射用赤外線投光器30から多結晶シリコンウエハ2の表面に照射された赤外線の反射光による画像を撮像し、撮像した透過光による画像データと反射光による画像データを比較する。透過光の画像データと反射光による画像をポジネガ反転した画像データとを、多結晶シリコンウエハ2のいずれか1つの面の同じ位置に対応する画素毎に差分をとり、差分が予め定める値より大きい位置の画素を不一致画素とする不一致画像データを生成する。不一致画素を含む領域が、予め定める割れ条件を満たすと、内部にクラックがあると判定する。
【選択図】 図1
Description
Television)カメラによって撮像した太陽電池セル表面の画像の差に基づいて、太陽電池セル表面のクラック欠陥の存在を判定するものである(たとえば特許文献1参照)。
第1の照射手段から照射され、多結晶半導体ウエハを透過した赤外線の透過光による画像を撮像する第1の撮像手段と、
多結晶半導体ウエハの他の面に赤外線を照射する第2の照射手段と、
第2の照射手段から照射され、多結晶半導体ウエハで反射された赤外線の反射光による画像を撮像する第2の撮像手段と、
第1の撮像手段によって撮像された画像を表す画像データと第2の撮像手段によって撮像された画像を表す画像データとを、多結晶半導体ウエハのいずれか1つの面の同じ位置に対応する画素毎に比較する比較手段と、
比較手段によって比較された比較結果が予め定める割れ条件を満たすとき、多結晶半導体ウエハの内部にクラックがあると判定する判定手段とを含むことを特徴とする多結晶半導体ウエハの割れ検査装置である。
前記第1の照射手段と前記第2の照射手段とは、多結晶半導体ウエハを通過する1つの直線上に配置されることを特徴とする。
照射手段から照射され、多結晶半導体ウエハを透過した赤外線の透過光による画像を撮像する第1の撮像手段と、
照射手段から照射され、多結晶半導体ウエハで反射された赤外線の反射光による画像を撮像する第2の撮像手段と、
第1の撮像手段によって撮像された画像を表す画像データと第2の撮像手段によって撮像された画像を表す画像データとを、多結晶半導体ウエハのいずれか1つの面の同じ位置に対応する画素毎に比較する比較手段と、
比較手段によって比較された比較結果が予め定める割れ条件を満たすとき、多結晶半導体ウエハの内部にクラックがあると判定する判定手段とを含むことを特徴とする多結晶半導体ウエハの割れ検査装置である。
前記判定手段は、比較手段によって生成された不一致画像データが示す画像の画素のうち、不一致画素を含む領域が予め定める割れ条件を満たすとき、内部にクラックがあると判定することを特徴とする。
本発明に従えば、特性値は、明度または輝度であるので、画素毎の明度差または輝度差によって、内部クラックを抽出することができる。
第1の照射工程で照射され、多結晶半導体ウエハを透過した赤外線の透過光による画像を撮像する第1の撮像工程と、
多結晶半導体ウエハの他の面に赤外線を照射する第2の照射工程と、
第2の照射工程で照射され、多結晶半導体ウエハで反射された赤外線の反射光による画像を撮像する第2の撮像工程と、
第1の撮像工程で撮像された画像を表す画像データと第2の撮像工程で撮像された画像を表す画像データとを、多結晶半導体ウエハのいずれか1つの面の同じ位置に対応する画素毎に比較する比較工程と、
比較工程で比較された比較結果が予め定める割れ条件を満たすとき、多結晶半導体ウエハの内部にクラックがあると判定する判定工程とを含むことを特徴とする多結晶半導体ウエハの割れ検査方法である。
照射工程で照射され、多結晶半導体ウエハを透過した赤外線の透過光による画像を撮像する第1の撮像工程と、
照射工程で照射され、多結晶半導体ウエハで反射された赤外線の反射光による画像を撮像する第2の撮像工程と、
第1の撮像工程で撮像された画像を表す画像データと第2の撮像工程で撮像された画像を表す画像データとを、多結晶半導体ウエハのいずれか1つの面の同じ位置に対応する画素毎に比較する比較工程と、
比較工程で比較された比較結果が予め定める割れ条件を満たすとき、多結晶半導体ウエハの内部にクラックがあると判定する判定工程とを含むことを特徴とする多結晶半導体ウエハの割れ検査方法である。
前記判定工程では、比較工程で生成された不一致画像データが示す画像の画素のうち、不一致画素を含む領域が予め定める割れ条件を満たすとき、内部にクラックがあると判定することを特徴とする。
本発明に従えば、特性値は、明度または輝度であるので、画素毎の明度差または輝度差によって、内部クラックを抽出することができる。
2,102 多結晶シリコンウエハ
10,110 コンピュータ
20 透過用赤外線投光器
30 反射用赤外線投光器
40 赤外線カメラ
50,160 搬送装置
130 赤外線投光器
140 反射用赤外線カメラ
150 透過用赤外線カメラ
Claims (10)
- 多結晶半導体ウエハの1つの面に赤外線を照射する第1の照射手段と、
第1の照射手段から照射され、多結晶半導体ウエハを透過した赤外線の透過光による画像を撮像する第1の撮像手段と、
多結晶半導体ウエハの他の面に赤外線を照射する第2の照射手段と、
第2の照射手段から照射され、多結晶半導体ウエハで反射された赤外線の反射光による画像を撮像する第2の撮像手段と、
第1の撮像手段によって撮像された画像を表す画像データと第2の撮像手段によって撮像された画像を表す画像データとを、多結晶半導体ウエハのいずれか1つの面の同じ位置に対応する画素毎に比較する比較手段と、
比較手段によって比較された比較結果が予め定める割れ条件を満たすとき、多結晶半導体ウエハの内部にクラックがあると判定する判定手段とを含むことを特徴とする多結晶半導体ウエハの割れ検査装置。 - 前記第2の撮像手段は、前記第1の撮像手段であり、
前記第1の照射手段と前記第2の照射手段とは、多結晶半導体ウエハを通過する1つの直線上に配置されることを特徴とする請求項1に記載の多結晶半導体ウエハの割れ検査装置。 - 多結晶半導体ウエハの1つの面に赤外線を照射する照射手段と、
照射手段から照射され、多結晶半導体ウエハを透過した赤外線の透過光による画像を撮像する第1の撮像手段と、
照射手段から照射され、多結晶半導体ウエハで反射された赤外線の反射光による画像を撮像する第2の撮像手段と、
第1の撮像手段によって撮像された画像を表す画像データと第2の撮像手段によって撮像された画像を表す画像データとを、多結晶半導体ウエハのいずれか1つの面の同じ位置に対応する画素毎に比較する比較手段と、
比較手段によって比較された比較結果が予め定める割れ条件を満たすとき、多結晶半導体ウエハの内部にクラックがあると判定する判定手段とを含むことを特徴とする多結晶半導体ウエハの割れ検査装置。 - 前記第1の撮像手段と前記第2の撮像手段とは、多結晶半導体ウエハを通過する1つの直線上に配置されることを特徴とする請求項3に記載の多結晶半導体ウエハの割れ検査装置。
- 前記比較手段は、前記第1の撮像手段によって撮像された画像の画像データと前記第2の撮像手段によって撮像された画像の画像データとを、多結晶半導体ウエハのいずれか1つの面の同じ位置に対応する画素毎に比較する際、画素の特性を表す特性値の差分が予め定める値より大きいか否かを比較し、多結晶半導体ウエハの同じ位置の画素の特性値の差分が予め定める値より大きい位置の画素を、不一致画素とする不一致画像データを比較結果として生成し、
前記判定手段は、比較手段によって生成された不一致画像データが示す画像の画素のうち、不一致画素を含む領域が予め定める割れ条件を満たすとき、内部にクラックがあると判定することを特徴とする請求項1または3に記載の多結晶半導体ウエハの割れ検査装置。 - 前記特性値は、明度または輝度であることを特徴とする請求項5に記載の多結晶半導体ウエハの割れ検査装置。
- 多結晶半導体ウエハの1つの面に赤外線を照射する第1の照射工程と、
第1の照射工程で照射され、多結晶半導体ウエハを透過した赤外線の透過光による画像を撮像する第1の撮像工程と、
多結晶半導体ウエハの他の面に赤外線を照射する第2の照射工程と、
第2の照射工程で照射され、多結晶半導体ウエハで反射された赤外線の反射光による画像を撮像する第2の撮像工程と、
第1の撮像工程で撮像された画像を表す画像データと第2の撮像工程で撮像された画像を表す画像データとを、多結晶半導体ウエハのいずれか1つの面の同じ位置に対応する画素毎に比較する比較工程と、
比較工程で比較された比較結果が予め定める割れ条件を満たすとき、多結晶半導体ウエハの内部にクラックがあると判定する判定工程とを含むことを特徴とする多結晶半導体ウエハの割れ検査方法。 - 多結晶半導体ウエハの1つの面に赤外線を照射する照射工程と、
照射工程で照射され、多結晶半導体ウエハを透過した赤外線の透過光による画像を撮像する第1の撮像工程と、
照射工程で照射され、多結晶半導体ウエハで反射された赤外線の反射光による画像を撮像する第2の撮像工程と、
第1の撮像工程で撮像された画像を表す画像データと第2の撮像工程で撮像された画像を表す画像データとを、多結晶半導体ウエハのいずれか1つの面の同じ位置に対応する画素毎に比較する比較工程と、
比較工程で比較された比較結果が予め定める割れ条件を満たすとき、多結晶半導体ウエハの内部にクラックがあると判定する判定工程とを含むことを特徴とする多結晶半導体ウエハの割れ検査方法。 - 前記比較工程では、前記第1の撮像工程で撮像された画像の画像データと前記第2の撮像工程で撮像された画像の画像データとを、多結晶半導体ウエハのいずれか1つの面の同じ位置に対応する画素毎に比較する際、画素の特性を表す特性値の差分が予め定める値より大きいか否かを比較し、多結晶半導体ウエハの同じ位置の画素の特性値の差分が予め定める値より大きい位置の画素を、不一致画素とする不一致画像データを比較結果として生成し、
前記判定工程では、比較工程で生成された不一致画像データが示す画像の画素のうち、不一致画素を含む領域が予め定める割れ条件を満たすとき、内部にクラックがあると判定することを特徴とする請求項7または8に記載の多結晶半導体ウエハの割れ検査方法。 - 前記特性値は、明度または輝度であることを特徴とする請求項9に記載の多結晶半導体ウエハの割れ検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006037117A JP4575886B2 (ja) | 2006-02-14 | 2006-02-14 | 多結晶半導体ウエハの割れ検査装置および割れ検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006037117A JP4575886B2 (ja) | 2006-02-14 | 2006-02-14 | 多結晶半導体ウエハの割れ検査装置および割れ検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007218638A true JP2007218638A (ja) | 2007-08-30 |
JP4575886B2 JP4575886B2 (ja) | 2010-11-04 |
Family
ID=38496129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006037117A Expired - Fee Related JP4575886B2 (ja) | 2006-02-14 | 2006-02-14 | 多結晶半導体ウエハの割れ検査装置および割れ検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4575886B2 (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010058680A1 (ja) * | 2008-11-21 | 2010-05-27 | タカノ株式会社 | シリコンウェハ欠陥検査装置 |
JP2010256053A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Visco Technologies Corp | 形状欠損検査装置、形状モデリング装置および形状欠損検査プログラム |
JP2010537217A (ja) * | 2007-08-31 | 2010-12-02 | イコス・ビジョン・システムズ・エヌブイ | 半導体基板の欠陥を検出する装置と方法 |
WO2010137431A1 (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | 株式会社ロゼフテクノロジー | 多結晶ウエハの検査方法 |
JP2011052967A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Rayresearch Corp | シリコンウエハー検査装置 |
WO2012004968A1 (ja) | 2010-07-06 | 2012-01-12 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒および多結晶シリコン棒の製造方法 |
CN102401790A (zh) * | 2010-09-07 | 2012-04-04 | 三星移动显示器株式会社 | 多晶硅膜检测装置以及检测方法 |
US8428337B2 (en) | 2008-07-28 | 2013-04-23 | Bluplanet Pte Ltd | Apparatus for detecting micro-cracks in wafers and method therefor |
WO2013139055A1 (zh) * | 2012-03-22 | 2013-09-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 玻璃基板的检测装置及检测方法 |
JP2014085113A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Shimadzu Corp | 検査装置及び検査方法 |
JP2016001139A (ja) * | 2014-06-12 | 2016-01-07 | 株式会社島津製作所 | 検査装置及び検査方法 |
TWI557407B (zh) * | 2014-03-05 | 2016-11-11 | 晶元光電股份有限公司 | 晶粒檢測方法 |
US9651502B2 (en) | 2008-07-28 | 2017-05-16 | Bluplanet Pte Ltd | Method and system for detecting micro-cracks in wafers |
CN106770320A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-05-31 | 阳光硅峰电子科技有限公司 | 一种探测硅片隐裂的设备及其硅片隐裂探测方法 |
JP2017102129A (ja) * | 2009-09-02 | 2017-06-08 | ジーピー・インスペクト・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 物体の欠陥を検出するための方法および装置 |
CN107369740A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-11-21 | 苏州天准科技股份有限公司 | 一种用于检测太阳能硅片隐裂的光学检测装置及检测方法 |
JP2018001276A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | 株式会社ディスコ | 内部クラック検出方法、および内部クラック検出装置 |
CN112540089A (zh) * | 2020-12-16 | 2021-03-23 | 江苏法尔胜材料分析测试有限公司 | 数字成像系统在混凝土桥梁裂缝检测和分析中的应用方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102492053B1 (ko) | 2017-08-23 | 2023-01-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
CN109239078A (zh) * | 2018-09-12 | 2019-01-18 | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司微纳制造分公司 | 一种晶圆缺陷检测装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08220008A (ja) * | 1995-02-15 | 1996-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外検査装置 |
JP2006351669A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外検査装置および赤外検査方法ならびに半導体ウェハの製造方法 |
-
2006
- 2006-02-14 JP JP2006037117A patent/JP4575886B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08220008A (ja) * | 1995-02-15 | 1996-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外検査装置 |
JP2006351669A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外検査装置および赤外検査方法ならびに半導体ウェハの製造方法 |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010537217A (ja) * | 2007-08-31 | 2010-12-02 | イコス・ビジョン・システムズ・エヌブイ | 半導体基板の欠陥を検出する装置と方法 |
US8379964B2 (en) | 2007-08-31 | 2013-02-19 | Kla-Tencor Corporation | Detecting semiconductor substrate anomalies |
US9651502B2 (en) | 2008-07-28 | 2017-05-16 | Bluplanet Pte Ltd | Method and system for detecting micro-cracks in wafers |
US8428337B2 (en) | 2008-07-28 | 2013-04-23 | Bluplanet Pte Ltd | Apparatus for detecting micro-cracks in wafers and method therefor |
WO2010058680A1 (ja) * | 2008-11-21 | 2010-05-27 | タカノ株式会社 | シリコンウェハ欠陥検査装置 |
JP2010256053A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Visco Technologies Corp | 形状欠損検査装置、形状モデリング装置および形状欠損検査プログラム |
CN102422149B (zh) * | 2009-05-29 | 2014-03-19 | 洛塞夫科技股份有限公司 | 多晶片的检查方法 |
CN102422149A (zh) * | 2009-05-29 | 2012-04-18 | 洛塞夫科技股份有限公司 | 多晶片的检查方法 |
KR101323035B1 (ko) * | 2009-05-29 | 2013-10-29 | 로세브 테크놀로지 코포레이션 | 다결정 웨이퍼의 검사 방법 |
WO2010137431A1 (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | 株式会社ロゼフテクノロジー | 多結晶ウエハの検査方法 |
JP5559163B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2014-07-23 | 株式会社ロゼフテクノロジー | 多結晶ウエハの検査方法 |
TWI468674B (zh) * | 2009-05-29 | 2015-01-11 | Lossev Technology Corp | Method for inspection of multi - crystalline wafers |
JP2011052967A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Rayresearch Corp | シリコンウエハー検査装置 |
JP2017102129A (ja) * | 2009-09-02 | 2017-06-08 | ジーピー・インスペクト・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 物体の欠陥を検出するための方法および装置 |
WO2012004968A1 (ja) | 2010-07-06 | 2012-01-12 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒および多結晶シリコン棒の製造方法 |
US9006002B2 (en) | 2010-07-06 | 2015-04-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polycrystalline silicon rod and method for manufacturing polycrystalline silicon rod |
CN102401790A (zh) * | 2010-09-07 | 2012-04-04 | 三星移动显示器株式会社 | 多晶硅膜检测装置以及检测方法 |
WO2013139055A1 (zh) * | 2012-03-22 | 2013-09-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 玻璃基板的检测装置及检测方法 |
JP2014085113A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Shimadzu Corp | 検査装置及び検査方法 |
TWI557407B (zh) * | 2014-03-05 | 2016-11-11 | 晶元光電股份有限公司 | 晶粒檢測方法 |
JP2016001139A (ja) * | 2014-06-12 | 2016-01-07 | 株式会社島津製作所 | 検査装置及び検査方法 |
JP2018001276A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | 株式会社ディスコ | 内部クラック検出方法、および内部クラック検出装置 |
CN106770320A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-05-31 | 阳光硅峰电子科技有限公司 | 一种探测硅片隐裂的设备及其硅片隐裂探测方法 |
CN106770320B (zh) * | 2016-12-08 | 2019-06-11 | 阳光硅峰电子科技有限公司 | 一种探测硅片隐裂的设备及其硅片隐裂探测方法 |
CN107369740A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-11-21 | 苏州天准科技股份有限公司 | 一种用于检测太阳能硅片隐裂的光学检测装置及检测方法 |
CN112540089A (zh) * | 2020-12-16 | 2021-03-23 | 江苏法尔胜材料分析测试有限公司 | 数字成像系统在混凝土桥梁裂缝检测和分析中的应用方法 |
CN112540089B (zh) * | 2020-12-16 | 2022-11-25 | 江苏法尔胜材料分析测试有限公司 | 数字成像系统在混凝土桥梁裂缝检测和分析中的应用方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4575886B2 (ja) | 2010-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4575886B2 (ja) | 多結晶半導体ウエハの割れ検査装置および割れ検査方法 | |
US9341580B2 (en) | Linear inspection system | |
JP5500414B2 (ja) | ウェーハの微小割れを検出する検査方法および検査装置 | |
JP4713278B2 (ja) | 多結晶半導体ウエハの外観検査方法および外観検査装置 | |
US20070237385A1 (en) | Defect inspection apparatus | |
CN110418958B (zh) | 外延晶圆背面检查方法及其检查装置、外延成长装置的起模针管理方法及外延晶圆制造方法 | |
US8428337B2 (en) | Apparatus for detecting micro-cracks in wafers and method therefor | |
KR20230111273A (ko) | 기판의 검사 방법, 기판 처리 시스템 및 컴퓨터 기억매체 | |
JP5409677B2 (ja) | 画像作成方法、基板検査方法、その画像作成方法又はその基板検査方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板検査装置 | |
JP2013053973A (ja) | 太陽電池セル検査装置 | |
JP2010107471A (ja) | キズ検査装置および検査方法 | |
TW201140043A (en) | End face inspection method for light-pervious rectangular sheets and end face inspection apparatus | |
JP2010034133A (ja) | 多結晶シリコンウエハのクラック検出装置 | |
JP5549985B2 (ja) | ウェーハの微小割れを検出するための装置およびそのための方法 | |
JP2010117337A (ja) | 表面欠陥検査装置 | |
JP2014109436A (ja) | 基板の欠陥検査方法、基板の欠陥検査装置、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
TW201432252A (zh) | 基板之缺陷檢查方法、基板之缺陷檢查裝置、程式及電腦記憶媒體 | |
JP2007093330A (ja) | 欠陥抽出装置及び欠陥抽出方法 | |
JP2012037425A (ja) | 多結晶シリコンウェーハの検査方法及びその装置 | |
JP2009097928A (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
JP6861092B2 (ja) | 電子部品の外観検査方法及び外観検査装置 | |
JP2013117490A (ja) | 検査システム及びレシピ設定方法 | |
JP2009216647A (ja) | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 | |
US9772296B2 (en) | Method of inspecting a surface of a substrate and apparatus for performing the same | |
JP4613090B2 (ja) | 検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100806 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100817 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100820 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130827 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |