JP2010537217A - 半導体基板の欠陥を検出する装置と方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
a.半導体基板を提供する工程と、
b.基板の検査画像Iを作成する工程と、
c.画像処理により画像Iから画像Kを作成する工程と、
d.画像Kを二値化することで画像Bを作成する工程と、
e.画像Bを使って画像Iを調べる工程とを有し、
工程cは、画像Iからハイパス畳み込みフィルタをかけた画像G(I)と第一の重み画像W1とを乗算することを含む、検出方法に関する。
a.半導体基板保持するための手段と、
b.基板裏面を照明するためのバックライトと、
c.基板前面を照明するための拡散したフロントライトと、
d.画像処理ユニットと、
e.カメラとを有し、
バックライトと拡散したフロントライトの波長は、同一の帯域にあることを特徴とする検出装置に関する。
a.半導体基板を提供する工程と、
b.基板の検査画像Iを作成する工程と、
c.画像処理により画像Iから画像Kを作成する工程と、
d.画像Kを二値化することで画像Bを作成する工程と、
e.画像Bを使って画像Iを調べる工程とを有し、
画像Kを作成する工程は、画像Iからハイパス畳み込みフィルタをかけた画像G(I)と第一の重み画像W1とを乗算することを特徴とする検出方法を提供する。
a.半導体基板を保持する手段(a)と、
b.基板裏面を照明するバックライト(b)と、
c.基板前面を照明する、拡散したフロントライト(c)と、
d.画像処理ユニット(d)と、
e.カメラ(e)とを有し、
バックライトと拡散したフロントライトの波長は、同一の帯域にあることを特徴とする、検出装置を提供する。
図4に示すように、本発明の第1例を以下に記述する。
もしT0≦Ixy≦T1 (xとyはピクセルの座標)であれば、W1xy=1
それ以外であれば、W1xy=0
ここで好ましくは、
貫通していないクラック、ボイド、異物では、 T0=0;T1=150
貫通しているクラックについては、 T0=205;T1=255
もしKxy>2 であれば、Bxy=1
それ以外であれば、Bxy=0
ここで、T2は、85が好ましい.
もし、T0≦Ixy≦T1であれば、W1xy=1
さもなければ、W1xy=0
ここで、T0=0;T1=230が好ましい。
この拡張した方法で、クラックの中心よりも、薄く貫通度が低いクラックの端も検出することが出来る。
図5に示すように本発明による第2例を以下に説明する。
もしT6<Gxy(J)≦T7であれば、W1xy=0
それ以外であれば、W1xy=1
T6=150,T7=255が好ましい(貫通、不貫通のクラックとも)
もしKxy>T2であれば、Bxy=1
それ以外では、Bxy=0
T2は85であることが好ましい。
Claims (16)
- 半導体基板の欠陥検出のための方法であって、
a.半導体の基板を提供する工程と、
b.基板の検査画像Iを作成する工程と、
c.画像処理により画像Iから画像Kを作る工程と、
d.画像Kを二値化することで画像Bを作る工程と、
e.画像Bを使って画像Iを調べる工程とを有し、
工程cは、画像Iからハイパス畳み込みフィルタをかけた画像G(I)と、第一のウエイト画像W1とを乗算することを含むことを特徴とする検出法。 - 請求項1記載の検出法であって、
第一のウエイト画像W1を、画像Iのファジー重み付けまたは閾値フィルタによってつくる、検出法。 - 請求項1記載の検出法であって、さらに、
基板の画像Jを作る工程b’を有し、
第一のウエイト画像W1を、画像Jからハイパス畳み込みフィルタをかけた画像G(J)を、ファジーウエイトする、あるいは、閾値フィルタにかけてつくる、検出法。 - 請求項1〜3に記載の検出法であって、
ハイパス畳み込みフィルタをかけた画像G(I)を、3X3のラプラス畳み込みフィルタリングで実現する、検出法。 - 請求項1〜4に記載の検出法であって、さらに、
畳み込みフィルタをかけた画像G(I)と、画像Iにファジーウエイトあるいは、閾値フィルタをかけることで作られた第二のウエイト画像W2を乗算する工程を含む、検出法。 - 請求項1〜5に記載の検出法であって、
工程bは、近赤外線帯域の範囲にある波長のバックライトで基板を照明することを含む、検出法。 - 請求項3記載の検出法であって、
工程bは、近赤外線帯域の範囲にある波長のバックライトで基板を照明することを含み、
工程b’は、バックライトと全く同じ波長領域の拡散されたフロントライトで基板を照明することを含む、検出法。 - 請求項1〜7に記載の検出法であって、
欠陥は、貫通している微細クラック及び/あるいは貫通していない微細クラックを含む、検出法。 - 請求項1〜8に記載の検出法であって、
半導体の基板は、多結晶シリコンである、検出法。 - 請求項1〜9に記載の検出法を使用する装置。
- 半導体基板の欠陥を検出するための装置であって、
a.半導体基板を保持する手段と、
b.基板の裏面を照明するバックライトと、
c.基板の前面を照明する拡散されたフロントライトと、
d.画像処理装置と、
e.カメラとを有し、
バックライトと拡散されたフロントライトの波長は、同じ領域にあることを特徴とする検出装置。 - 請求項11記載の装置であって、
一基のカメラを有する、装置。 - 請求項11〜12に記載の装置であって、
波長は、近赤外線帯域の波長である、装置。 - 請求項13記載の装置であって、
波長は、約950ナノメータ付近である、装置。 - 請求項11〜14に記載の装置であって、さらに、
可視光線をブロックするフィルターを備えている、装置。 - 請求項11〜15に記載の装置であって、
バックライト及び/あるいは拡散されたフロントライトは、2個のLED間に距離をおき、当該半導体基板から離し、各LEDの光が少なくとも他の一つのLEDの光と重なるように装着された複数のLEDを有する、装置。
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