KR100564871B1 - 초소형반복패턴의검사방법및장치 - Google Patents

Abstract

초소형 반복패턴내의 이물검사방법 및 장치에 관한 것으로서, 치명결함을 효율좋게 얻을 수 있고 그의 사이즈 및 형상을 검사할 수 있는 이물검사방법 및 장치를 제공하기 위해, 피검사물의 표면상에 형성된 초소형 반복패턴의 이물검사방법으로서, 암시야 검사광 조사장치에 의해 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면상의 바로위에 경사방향으로 암시야 검사광을 조사하는 공정, 적어도 산란광 검출기에 의해 피검사물의 표면에서 산란되는 암시야 검사광의 산랑광을 검출하는 공정, 상기 공정에서 산란광의 검출에 따라 피검사물의 표면상의 이물의 좌표위치를 판정해서 이물의 위치정보를 생성하는 공정, 명시야 검사광 조사장치에 의해 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면상과 직접 직교하는 명시야 검사광을 조사하는 공정, 명시야 검사광의 좌표가 이물의 좌표와 일치하는 경우, 상기 공정에서 명시야 검사광을 조사하는 조사수단에 의한 명시야 조명 하에서 상기 공정에서 좌표가 판정된 이물의 화상을 촬상하는 공정, 상기 공정에서 촬상된 상기 화상에 따라서 추출된 이물의 화상에 따라, 적어도 이물의 사이즈, 형상, 색 및 특성 중의 어느 하나를 결정하는 공정, 결정공정에서의 결정에 따라 상기 이물에 관한 정보를 처리하는 공정 및 좌표위치를 판정하는 상기 공정에서 생성된 이물의 좌표위치정보와 함께 이물에 관한 정보를 표시하는 공정을 포함하는 구성으로 하였다.

이것에 의해, 검사시간이 긴 장치나 여러대의 검사장치를 사용하지 않고 이물의 사이즈를 출력할 수 있으므로, 1피검사물당 검사에 걸리는 시간을 대폭으로 단축할 수 있다는 등의 효과가 얻어진다.

Description

초소형 반복패턴의 검사방법 및 장치{INSPECTING METHOD AND APPARATUS FOR REPEATED MICRO-MINIATURE PATTERNS}

본 발명은 초소형 반복패턴내의 이물검사방법 및 장치에 관한 것으로서, 특히, 반도체웨이퍼에 형성된 초소형 반복패턴과 같은 피검사물 표면의 미소한 이물을 고감도로 검사 또는 검출하는데에 사용하는 방법 및 장치에 관한 것이다.

최근, 반도체집적회로(이하, 단지 "IC"라 한다)의 고집적화 및 회로패턴의 미세화가 진전되고 있고, 그것에 형성되는 회로패턴이 폭 1㎛이하로 되고 있다. 이와 같은 IC를 고생산성으로 제조하기 위해서, 웨이퍼의 표면에 부착된 입자 또는 이물을 검출하고, 그의 사이즈, 형상, 특징 및 특성을 검사해서 반도체를 제조하기 위한 각종 장치 및 공정의 청정도를 정량적으로 파악해서 제조공정을 정확하게 관리할 필요가 있다. 그러므로, 종래부터 공장의 IC제조공정의 작업으로서 웨이퍼에 부착 또는 점착된 이물의 검사방법 및 장치에 의해 웨이퍼상의 이물을 검출 또는 검사하여 정확하게 제조공정을 관리한다.

종래의 웨이퍼상의 이물검사를 위한 검사장치는 크게 2종류로 나눌수 있다. 첫번째는 조명의 명시야 하의 화상과 미리 기억된 참조패턴 사이의 비교를 실행하는 화상비교방식의 패턴화된 웨이퍼 검사장치(이하, 외관검사장치라 한다)이다. 두번째는 경사방향(斜方) 조명하의 암시야에 있어서의 산란광을 검출하고 결함 또는 이물의 유무를 인식하고 산란광의 검출시 얻어진 좌표에 의해 좌표위치와 개수를 판정하는 형태(이하, 검사장치라 한다)의 패턴화된 웨이퍼 검사장치이다.

또, 웨이퍼상의 결함검사장치의 1예는 닛케이(주) BP사가 발행한 "Nikkei Micro-devices, March, 1997" pp.97∼116 에 기재되어 있다.

상기 외관검사장치는 검사정밀도가 높다는 이점도 있지만, 스루풋이 낮고 고가라는 단점이 있다. 그리고, 외관검사장치에 의해 화상 또는 외관데이타를 얻을 수 있으므로, 소위 리뷰(review)(즉, 시각적으로 화상에 의해 확인 또는 검사작업)를 실행할 수 있다. 그러나, 외관검사장치에 있어서 검사될 웨이퍼수에 비해 미소한 결함 등의 리뷰될 필요/불필요한 정보가 너무 많이 마련되어 있으므로, 치명 결함을 얻기 위한 가능성이 매우 낮고 리뷰 효율이 저하한다는 문제점이 있는 것이 본 발명의 발명자들에 의해 명확하게 되었다.

반면, 상기 검사장치는 외관검사장치보다 검사정밀도가 낮다는 문제점을 갖고 있지만, 외관검사장치에 비해 스루풋이 높고 비용이 저렴하다는 이점을 갖고 있다. 또, 검사장치에서 얻을 수 있는 데이타가 웨이퍼의 영역에서의 결함의 좌표 위치와 산란광의 강도를 포함하고 있으므로, 결함의 사이즈(즉 입자의 직경)와 형상 (대략 S(small), M(medium), L(large)로 분류하는 범위내)에 관한 정보를 얻을 수 없다. 따라서, 이것에 관한 정보를 더욱 상세하게 얻기 위해서는 상기 외관검사 장치 혹은 SEM(Scanning Electron Microscope)등의 다른 종류의 검사장치와 같은 검사 또는 분석에 긴 시간이 걸리고 고가인 해석계의 검사장치를 사용할 필요가 있다.

본 발명의 목적은 치명결함을 효율좋게 얻을 수 있고 그의 사이즈 및 형상을 검사할 수 있는 이물검사방법 및 장치를 제공하는 것이다.

본 발명에 따르면, 상기 목적을 달성하기 위해서, 피검사물의 표면상에 형성된 초소형 반복패턴의 이물검사방법으로서, 검사광 조사장치로 상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면의 바로 위에 검사광을 조사하는 공정, 산란광 검출기로 상기 피검사물의 표면상으로 산란되는 상기 검사광의 산란광을 검출하는 공정, 상기 공정에 있어서의 상기 산란광의 검출에 따라 상기 피검사물의 표면상의 이물의 좌표위치를 판정하는 공정, 상기 산란광의 검출공정에 있어서 좌표위치에 대응하는 좌표위치에서 조사수단에 의한 명시야 조명 하에서 상기 공정에서 좌표위치가 판정된 상기 이물의 화상을 촬상하는 공정 및 상기 공정에서 얻어진 상기 화상의 촬상에 따라서 추출된 상기 이물 화상에 따라, 적어도 상기 이물의 사이즈, 형상, 색 및 특성 중의 어느 하나를 결정하는 공정을 포함한다.

또, 본 발명에 다르면, 상기 목적을 달성하기 위해서, 피검사물의 표면상에 형성된 초소형 반복패턴의 이물검사장치로서, 상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면의 바로위에 검사광을 조사하는 검사광 조사장치, 상기 피검사물의 표면에서 산란되는 상기 검사광의 산란광을 검출하는 산란광 검출기, 상기 산란광의 검출에 따라 상기 피검사물의 표면상의 상기 이물의 좌표위치를 판정하는 수단, 상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면상에 명시야 조명을 인가하는 조사수단, 상기 좌표위치 판정수단에 의해 판정된 좌표위치에 대응하는 좌표위치에서 상기 조사수단에 의한 명시야 조명 하에서 상기 좌표위치에 의해 판정된 상기 이물의 화상을 촬상하는 수단 및 상기 촬상수단에 의해 얻어진 화상의 상기 촬상에 따라서 추출된 이물의 화상에 따라, 적어도 상기 이물의 사이즈, 형상, 색 및 특성 중의 어느 하나를 결정하는 수단을 포함한다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 이물검사장치는 상기 판정수단에 의해 판정된 상기 좌표위치와는 다르고 상기 좌표위치에 대응하는 상기 피검사물의 표면상의 다른 좌표위치에서 명시야 조명하에서 상기 초소형 패턴의 화상을 촬상하는 것에 의해 참조화상을 얻는 수단 및 상기 대상의 화상과 상기 참조화상 사이에서 연산처리된 화상을 얻는 수단을 더 포함하고, 상기 결정수단은 상기 연산처리된 화상을 얻는 수단에 의해 얻어진 연산처리된 화상에 따라, 미리 지정된 상기 피검사물상에서 판정된 좌표위치에서 결함의 존재유무를 결정한다.

또, 본 발명에 따르면, 상기 목적을 달성하기 위해서, 피검사물의 표면상에 형성된 초소형 반복패턴의 이물검사장치로서, 상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면의 바로위에 검사광을 조사하는 검사광 조사장치, 상기 피검사물의 표면에서 산란되는 상기 검사광의 산란광을 검출하는 산란광 검출기, 상기 산란광 검출기에 의한 상기 산란광의 검출에 따라 얻어진 상기 피검사물의 표면상에 부착된 이물에 관련된 제1 정보를 얻는 수단, 상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면상에 명시야 조명을 인가하는 조사수단, 상기 조사수단에 의한 명시야 조명 하에서 상기 이물의 화상을 촬상하는 수단, 상기 명시야 조명 하에서 상기 촬상수단에 의한 상기 화상의 촬상에 따라서 얻어진 상기 이물의 화상에 따라, 상기 이물에 관련된 제2 정보를 얻는 수단 및 상기 제1 정보 및 상기 제2 정보를 표시화면상에 표시하는 수단을 포함한다.

또, 본 발명에 따르면, 상기 목적을 달성하기 위해서, 피검사물의 표면상에 형성된 초소형 반복패턴의 이물검사방법으로서, 미리 지정된 상기 피검사물의 표면상의 좌표위치에서 명시야 조명하에 상기 초소형 패턴의 화상을 촬상하여 대상의 화상을 얻는 공정, 상기 공정에 있어서 상기 좌표위치에 대응하고 상기 좌표위치와는 다른 상기 피검사물의 표면상의 다른 좌표위치에서 명시야 조명하에 상기 초소형 패턴의 화상을 촬상하여 참조화상을 얻는 공정, 상기 대상의 화상과 상기 참조화상 사이에서 연산처리된 화상을 얻는 공정 및 상기 공정에서 얻어진 연산처리된 화상의 조건에 따라서 미리 정해진 상기 피검사물상의 좌표위치에서 이물의 존재유무를 결정하는 공정을 포함한다.

본 발명의 상기 및 그 밖의 목적과 특징은 첨부도면과 함께 고려될 실시예에 대한 다음의 상세한 설명에서 명확하게 될 것이다.

이하, 본 발명의 따른 실시예를 첨부도면을 사용해서 상세하게 설명하고, 다음의 설명에 있어서 "이물"이라는 것은 피검사물의 표면상의 패턴형상의 결함, 패턴 부족의 결함, 부착이물 또는 오염, 잔류물, 긁은 흔적(스크래치) 등을 포함해서 말하는 것이다.

도 1은 본 발명의 1실시예에 따른 이물검사장치를 도시한 사시도, 도 2는 본 발명의 1실시예에 따른 이물검사방법을 도시한 흐름도, 도 3∼도 5는 그의 작용을 설명하는 설명도이다.

본 실시예에 있어서, 본 발명에 따른 이물검사장치는 경사방향 조명에 의한 암시야 하에서 피검사물인 웨이퍼로부터 산란된 광을 검출하고, 산랑광이 검출된 경우 그 시점의 좌표에 의해 이물의 유무, 좌표위치 및 개수를 인식하는 방식의 검사장치(10)으로서 구성되어 있다. 피검사물 즉 웨이퍼(1)은 그의 제1 주면(2)상의 칩부(4)마다 예를 들면 DRAM과 같은 IC를 제조하는 과정에 있고, 칩부(4)는 웨이퍼(1)의 일부를 잘라 형성된 배향판(3)에 대해 수직 및 수평방향으로 규칙적으로 배열되어 있다. 웨이퍼(1)의 제1 주면(2)에 이물(5)가 부착 또는 점착될 때 불량의 원인으로 된다. 그러므로, 웨이퍼(1)의 제1 주면(2)에 부착된 이물(5)는 검사장치(10)에 의해 검출되고, 이물의 위치, 개수, 사이즈, 형상, 색, 특성이 검사되어 각종 반도체제조장치 및 공정에 있어서의 청정도를 파악하는 것에 의해 제조공정을 정확하게 관리한다.

검사장치(10)은 피검사물로서의 웨이퍼(1)을 주사시키는 X-Y테이블(12), θ방향으로 웨이퍼(1)을 회전시키는 θ테이블(13), 초점맞춤도구(도시하지 않음) 및 이들을 제어하는 컨트롤러(14)로 이루어지는 스테이지장치(11)를 구비하고 잇다. 또, 웨이퍼(1)의 전체면을 검사하기 위해서, 스테이지장치(11)에 의해 웨이퍼(1)의 XY의 주사가 실행된다. 이 주사동안 피검사물로서의 웨이퍼(1)에 대한 좌표위치정보가 컨트롤러(14)에서 후술하는 이물판정장치로 입력되게 된다.

스테이지장치(11)의 경사방향 위쪽에는 검사광 조사장치(20)이 마련되어 있다. 검사광 조사장치(20)은 웨이퍼(1)상에 레이저광(21)을 조사하는 레이저조사장치(22)와 레이저광(21)을 집광하는 집광렌즈(23)으로 이루어지고, 집광된 레이저광(21)을 스테이지장치(11)상에 유지된 피검사물로서의 웨이퍼(1)에 조사하는 것에 의해 웨이퍼(1)을 경사방향에서 조명하도록 되어 있다.

상기 스테이지장치(11)의 바로 위에는 산란광 검출장치(30)이 마련되어 있다. 이 산란광 검출장치(30)은 레이저광(21)이 웨이퍼(1)의 표면에 경사방향으로 조사되는 것에 따라서 웨이퍼(1)의 표면에 있어서 산란된 산란광(31)을 집광하는 대물렌즈(32), 수광면상에 화상을 형성하기 위해 산란광(31)을 발생시키는 릴레이렌즈(33) 및 그의 수광면상에 형성된 화상에 따라서 산란광을 검출하는 산란광 검출기(34)를 구비하고 있다. 즉, 산란광 검출장치(30)은 암시야 조명 하에서 산란광(31)을 검출하도록 구성되어 있다. 본 실시예에 있어서, 산란광 검출기(34)는 CCD(Charge Coupled Device) 등의 광전변환형의 고체 화상센서가 스테이지의 이동방향과 직교하는 Y방향을 따라서 가늘고 길게 배열된 라인센서로 구성되어 있다.

산란광 검출기(34)는 이물판정장치(35)에 접속되어 있다. 이 이물판정장치(35)는 산란광 검출기(34)로 부터의 산란광을 검출하는 시점에 따라 웨이퍼(1)의 이물의 유무를 판정하고, 스테이지장치(11)의 컨트롤러(14)로 부터의 좌표위ㅣ데이타를 결정하는 데이타를 조회하는 것에 의해 이물의 좌표위치를 특정 또는 결정하도록 구성되어 있다. 또, 산란광 검출기(34)는 산란광의 강도를 이물판정장치(35)로 송신하도록 구성되어 있다.

본 실시예에 있어서, 스테이지장치(11)의 바로 위에는 낙사조명장치(vertical spot illumination device)(40)이 마련되어 있다. 낙사조명장치(40)은 웨이퍼(1)에 명시야 조명광으 조사하는 백색광(41), 백색광(41)을 수직방향으로 반사하는 하프미러(43) 및 백색광(41)을 스폿형상으로 형성하는 렌즈(44)를 구비하고 있는 것에 의해, 백색광(41)을 스테이지장치(11)에 유지된 피검사물로서의 웨이퍼(1)에 수직으로 조사해서 조명하도록 되어 있다.

낙사조명장치(40)의 반대위치에 촬상장치(45)가 마련되어 있다. 즉, 촬상장치(45)는 CCD(Charge Coupled Device)등의 광전변환형의 고체 화상센서가 가늘고 길게 배열된 라인센서로 구성되어 있고, 하프미러(43)의 투과측에서의 낙사조명장치(40)의 광축상에 있어서 스테이지 이동방향과 직교하는 Y방향을 따라서 배치되어 있다. 즉, 촬상장치(45)는 명시야 조명 하에서 난반사광의 화상을 촬영하도록 구성되어 있다.

촬상장치(45)의 화상처리부(46)에는 비교부(47)이 접속되어 있고, 비교부(47)의 출력단에는 검증부(48)이 접속되어 있다. 비교부(47)의 다른 입력단과 검증부(48)의 다른 입력단에는 이물판정장치(35)가 접속되어 있고, 이물판정장치(35)는 검사장치(10)을 제어하는 호스팅컴퓨터(36), 비교부(47) 및 검증부(48)로 판정결과를 송신하도록 구성되어 있다.

다음에, 본 발명의 실시예로서 상기 이물검사장치에 의해 이물을 검사하는 방법에 대해서 도 2를 참조하여 설명한다.

웨이퍼(1)상에 검사광 조사장치(20)에 의해 검사광으로서의 레이저광(21)이 낮은 경사각으로 조사되면, 레이저광(21)의 조사에 의해 웨이퍼(1)의 제1 주면(2)에 부착되어 형성된 이물(5) 및 회로패턴(도시하지 않음)에서 암시야 조명 하에 산란광(31)이 발생한다. 이 산란광은 대물렌즈(32)에 의해 집광되고 릴레이렌즈(33)을 거쳐 산란광 검출기(34)상에 결상된다.

이 때, 산란광을 규칙성이 있기 때문에, 웨이퍼(1)에 있어서의 패턴면의 푸리에변환면에 마련된 공간필터 또는 검광자 등의 차광소자(도시하지 않음)에 의해 회로패턴으로 부터의 산란광(31)이 차광되게 된다. 한편, 이물(5)로 부터의 산란광(31)은 불규칙성이기 때문에, 공간필터 또는 검광자를 거쳐 통과하는 산란광 검출기(34)상에 결상되게 된다. 그러므로, 이물만이 검출된다.

또, 산랑광 검출기(34)에 의해 검출된 이물(5)로 부터의 암시야 조명 하의 산란광(31)에 의한 검출신호는 이물판정장치(35)에 입력된다. 이물판정장치(35)는 이 검출신호에 따라 이물(5)의 유무를 판정하고, 또한 이 판정데이타와 스테이지장치(11)의 컨트롤러(14)로 부터의 좌표위치의 데이타를 조회하는 것에 의해 이물(5)의 좌표위치를 특정한다. 이렇게 해서 특정된 좌표위치는 예를 들면 이물판정장치(35)에서 검사장치(10)을 통괄적으로 실행하는 호스트컴퓨터(36)과 촬상장치(45)에 전기적으로 접속된 비교부(47) 및 검증부(48)로 출력된다.

이물판정장치(35)에서 송신된 이물(5)의 좌표위치가 촬상장치(45)의 촬상위치 즉 낙사조명장치(40)으로 부터의 스폿내로 오면, 비교부(47)은 촬상장치(45)로 부터의 명시야 조명 하의 화상신호를 수신한다. 이물판정장치(35)의 작용에 따르면, 그의 좌표위치에 이물(5)가 부착되어 있어야 하기 때문에, 그 화상에는 이물(5)가 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이 나타나게 된다. 즉, 피검사대상의 화상이 얻어진다.

그 후, 이물판정장치(35)에서 송신된 이물(5)의 좌표위치에서 1칩부(4)의 거리만큼 어긋난 좌표위치 즉 이물(5)가 부착된 좌표위치와 인접하는 다른 칩부(4)에 있어서의 이물(5)의 좌표위치에 대응하는 좌표위치가 촬상장치(45)의 촬상위치로 오면, 비교부(47)은 촬상장치(45)로 부터의 명시야 조명 하의 화상신호를 수신한다. 이물판정장치(35)의 작용에 따르면, 그의 좌표위치에 이물(5)가 부착되지 않기 때문에, 그 화상에는 이물(5)가 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이 나타나지 않게 된다.

계속해서, 도 3의 (a)∼도 3의 (d)에 도시한 바와 같이, 비교부(47)은 이물(5)가 부착되어야 할 칩부(4)의 좌표위치 즉 피검사물의 좌표위치에서 얻어진 화상(도 3의 (a))과 이물(5)가 부착되지 않는 칩부의 좌표위치 즉 비교될 좌표위치에서의 참조화상(도 3의 (b))을 비교한다. 즉, 도 3의 (d)에 도시한 바와 같이, 비교부(47)은 서로 인접하는 항쌍의 칩부(4), (4)에 있어서의 동일 부분의 한쌍의 화상을 받아들여 비교하는 상태로 된다. 도 3의 (a)의 이물(5)가 부착되는 화상과 도 3의 (b)의 참조화상으로 도 3의 (c)에 도시한 차화상을 형성한다. 도 3의 (a)에서의 화상과 도 3의 (b)에서의 화상 사이의 차는 이물(5)일뿐이므로, 도 3의 (c)에 도시한 바와 같이 이물화상(6)만이 추출된다.

또, 비교부(47)은 추출된 이물화상(6)을 검증부(48)로 송신한다. 이물판정장치(35)에서 송신된 이물(5)의 좌표위치에 대해 이물화상(6)이 비교부(47)에서 송신되어 온 경우, 검증부(48)은 이물판정장치(35)에 의해 이루어진 이물 존재의 판정이 적정하다고 검증한다. 이에 반해, 이물판정장치(35)에서 송신된 이물(5)의 좌표위치에 대해 이물화상(6)이 비교부(47)에서 송신되지 않은 경우, 검증부(48)은 이물판정장치(35)에 의해 이루어진 이물 존재의 판정이 에러라고 검증한다. 또, 에러를 검증한 경우 검증부(48)은 그 결과를 호스트컴퓨터(36)으로 송신한다. 또, (100)은 이물과 관련된 다양한 정보를 표시하는 모니터표시부로서, 상기 호스트컴퓨터(36)에 의해 처리된다.

또, 추출된 이물화상(6)은 분류부(49)로 송신된다. 분류부(49)는 미리 설정된 알고리듬에 따라서 이물(5)의 사이즈, 형상, 색 및 특성인 유기물 또는 무기물을 분류한다. 예를 들면, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이 이물화상(6)의 화소수의 계수에 의해 이물화상(6)의 사이즈를 종 및 횡방향으로 특정할 수 있다. 또, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 이물화상(6)의 종길이a와 횡길이b 사이의 곱(a×b)에 의해 이물(5)의 면적 즉 사이즈를 특정할 수 있다. 이물화상(6)의 종길이a와 횡길이b 사이의 몫(a/b)에 의해 이물(5)의 형상이 특정된다. 예를 들면, a/b=1인 경우 이물(5)는 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이 원형형상이라고 특정된다. 또, a/b>1 또는 a/b<1인 경우 이물(5)는 도 4의 (d)에 도시한 바와 같이 가늘고 긴형상이라고 특정된다.

낙사조명광으로서 백색광(41)이 사용되고 있으므로, 색상과 명도(즉, 화상을 형성하는 등급)에 따라서 이물화상(6)의 색을 특정할 수 있다. 이 결과, 예를 들면 추출된 이물 전체가 짙은 블루계통과 거의 유사한 색상 및 등급을 가지면, 이물의 형상이 편평하고 두께가 거의 균일한 유전체층이라고 추정할 수 있다.

또, 산란광 검출기에 의해 검출된 이물의 산란광신호 및 이물화상(6)에 의해 특정된 이물의 사이즈와 특성을 사용해서 표면의 오목볼록의 존재를 또한 인식할 수 있다. 즉, 웨이퍼(1)에 검사광 조사장치(20)에 의해 검사광으로서의 레이저광(21)이 낮은 경사각으로 조사되는 경우, 이물(5)에서 암시야 조명하의 산란광(31)이 발생한다. 이 산란광의 강도는 단면적과 표면의 오목볼록에 관련해서 변경되므로, 검출시에 기록된 산란광 강도 및 이물화상(6)에서 산출된 레이저조사방향과 수직인 방향의 이물의 길이를 사용해서 해석하는 것에 의해 표면의 오목볼록 상태를 인식할 수 있다. 이 결과, 예를 들면 오몰볼록이 적은 경우 이물은 실리카(유리) 또는 실리콘칩 및 금속칩 등의 무기물로서 특정된다. 오몰볼록이 많으면 인간으로부터 기인하는 먼지나 수지 등의 유기물로서 특정된다.

상기와 같이 해서 분류된 분류결과는 분류부(49)에서 호스트컴퓨터(36)으로 송신된다. 호스트컴퓨터(36)은 분류부(49)로 부터의 분류데이타와 이물판정장치(35)로 부터의 이물(5)의 좌표위치데이타 및 개수데이타를 사용해서 도 5의 (a)∼도 5의 (d)에 도시한 각종 데이타를 작성하고 모니터 또는 프린터 등의 출력장치를 통해서 적시에 출력한다. 그러므로, 작업자는 IC의 제조공정을 정확하고 신속하게 관리할 수 있다.

도 5의 (a)는 이물의 사이즈 데이타와 좌표위치 데이타에 의해 작성된 이물의 사이즈별맵을 도시한 도면이다. 도 5의 (b)는 이물의 사이즈별로 도시한 막대그래프로서, 횡축에는 구간분리된 변수로서 이물사이즈가 취해지고, 종축에는 각 이물사이즈에 속하는 측정값의 회수로서 검출개수가 취해지고 있다.

도 5의 (c)는 이물 형상별맵을 도시한 도면으로서, 이물의 형상데이타 및 좌표위치데이타에 의해 작성된다. 도 5의 (d)는 이물 형상별 막대그래프로서, 횡축에는 구간분리된 변수로서 이물형상이 취해지고, 종축에는 각 이물형상에 속하는 측정값의 회수로서 검출개수가 취해지고 있다.

도 5의 (e)는 검사결과시계열추이 그래프로서, 검사일, 이물사이즈 데이타, 이물형상 데이타(예를 들면 가늘고 긴 형상), 특성데이타 등의 유기물 데이타에 의해 작성된다. 그러나, 시계열 대신에 로트번호나 웨이퍼번호 등을 사용해도 좋다.

상기 1실시예에 따라서 다음의 효과를 얻을 수 있다.

[1] 검사장치에 의해 이물의 좌표위치 이외에 이물의 사이즈, 형상, 색, 특성을 특정하는 것에 의해, 작업자는 IC의 제조공정을 정확하고 신속하게 관리할 수 있어 IC의 제조양품률을 향상시킨다.

[2] 산란광 검출기의 검출에 따른 판정장치의 판정이 명시야 조명하에서 동작하는 촬상장치에 접속된 검증부에 의해 검증되므로, 검사장치에 의한 검사 정밀도르 향상시킬 수 있어 상기 [1]과 함께 검사장치의 품질 및 신뢰성을 향상시킨다.

[3] 검사시간이 긴 이물의 외관검사장치 또는 매우 고가인 이물분석장치를 사용하지 않고 이물의 좌표위치 이외의 이물의 사이즈, 형상, 색 및 특성을 특정할 수 있으므로, 단위면적당(즉, 웨이퍼의 1개 당)의 검사 및 리뷰를 위한 시간을 매우 단축할 수 있다. 그 결과, 로트의 전체수의 검사 및 작업자에 의한 IC제조공정을 정확하고 신속하게 관리할 수 있다.

도 6은 상기 본 발명에 따른 이물검사장치의 제1 변형예를 도시한 사시도이다. 도 7은 상기 제1 변형예에 따른 검사장치를 사용해서 처리된 이물검사방법을 도시한 흐름도이고, 도 8의 (a) 및 도 8의 (b)는 그의 작용을 도시한 도면이다.

본 제1 변형예에 따른 검사장치(10A)가 상기 1실시예의 검사장치(10)과 다른점은 낙사조명장치(40)이 검사광 조사장치(20)의 광학계를 공용하도록 구성되어 있고, 촬상장치(45A)가 산란광 검출기를 공용하고 있다는 점이다.

제1 변형예에 따른 검사장치(10A)를 사용하는 검사방법에 있어서는 도 7에 도시한 바와 같이 우선 산란광 검출기겸용 촬상장치(45A)와 이물판정장치(35)에 의해 이물(5)의 좌표위치가 웨이퍼(1)의 제1 주면(2)의 전체에 걸쳐 특정된다. 이 좌표위치는 호스트컴퓨터(36)의 메모리(도시하지 않음)내에 기억된다.

예를 들면, 호스트컴퓨터(36)은 웨이퍼(1)의 제1 주면(2)의 전체에 있어서의 이물(5)의 군을 도 8의 (a)에 도시한 바와 같이 그룹핑(거리가 가까운 이물을 일괄정리한다)하고, 각 군의 대표를 촬상대상으로서 샘플링한다. 이것에 의해 촬상대상의 수를 감소시킬 수 있으므로 검사시간을 더욱 단축시킬 수 있다.

또, 호스트컴퓨터(36)은 웨이퍼(1)의 제1 주면(2)의 전체에 있어서의 이물(5)의 군을 도 8의 (b)에 도시한 바와 같이 집단화(산란과 강도에 의해 이물의 사이즈를 분류)하고, 각 클래스의 대표를 촬상대상으로서 샘플링한다. 이것에 의해 촬상대상의 수를 감소시킬 수 있으므로, 검사시간을 더욱 단축시킬 수 있다. 또, 호스트컴퓨터(36)은 최단거리로 촬상할 수 있도록 촬상의 순번을 지정하는 것에 의해 검사시간을 더욱 단축시킴과 동시에 검사효율을 향상시킨다.

이상과 같이 해서 지정된 촬상대상의 좌표위치는 호스트컴퓨터(36)에서 검증부(48)로 송신된다. 지정된 이물(5)의 좌표위치가 산란광 검출기겸용 촬상장치(45A)의 촬상위치 즉 낙사조명장치(40)으로 부터의 스폿내로 오면, 비교부(47)은 산란광 검출기겸용 촬상장치(45A)로 부터의 명시야 조명하의 화상신호를 수신한다.

그 후, 비교부(47)은 인접한 칩부(4)의 동일좌표위치의 화상신호를 수신한다. 다음에, 비교부(47)은 이물(5)가 부착되어 있어야 할 좌표위치의 화상과 후에 수신된 이물(5)가 부착되어 있지 않은 칩부(4)의 화상을 비교해서 이물화상(6)을 추출한다.

또, 비교부(47)은 추출된 이물화상(6)을 검증부(48)로 송신한다. 호스트컴퓨터(36)에 의해 지정된 이물(5)의 좌표위치에 대해서 비교부(47)에서 이물화상(6)이 송신되어 온 경우, 검증부(48)은 이물판정장치(35)의 이물 존재의 판정은 적정하다고 검증한다. 반면, 호스트컴퓨터(36)에 의해 지정된 이물(5)의 좌표위치에 대해서 비교부(47)에서 이물화상(6)이 송신되지 않은 경우, 이물판정장치(35)에 의해 이루어진 이물 존재의 판정은 에러라고 검증한다. 또, 에러를 검증하면 검증부(48)은 그 결과를 호스트컴퓨터(36)으로 송신된다.

또, 추출된 이물화상(6)은 분류부(49)로 송신된다. 분류부(49)는 미리 설정된 알고리듬에 따라서 이물(5)의 사이즈, 형상, 색 및 특성인 유기물 또는 무기물을 분류한다. 분류된 이물(5)의 분류결과는 분류부(49)에서 호스트컴퓨터(36)으로 송신된다. 호스트컴퓨터(36)은 분류부(49)로 부터의 분류데이타 및 이물판정장치(35)로 부터의 이물(5)의 좌표위치 데이타와 개수 데이타 및 산란광 강도를 사용해서 각종 데이타를 적절히 작성하여 모니터 또는 프린터 등의 출력장치에 의해 적시에 출력한다.

도 9는 본 발명에 따른 이물검사장치의 제2 변형예를 도시한 사시도이다.

본 제2 변형예에 따른 검사장치(10B)가 상기 검사장치(10)과 다른 점은 낙사조명장치(40) 및 촬상장치(45) 등으로 이루어지고 명시야 조명하에서 촬상하는 촬상스테이지(50)이 전용적으로 마련되어 있다는 점이다.

검사장치(10B)에 의한 이물검사방법은 상기 제1 변형예에서 실행된 검사방법을 따르고 있으므로, 상세한 설명은 생략한다. 그러나, 명시야 조명하의 촬상스테이지(50)은 제2 변형예에 따른 이물검사장치(10B)내에 마련되어 있으므로, 이물검출, 좌표위치의 특정 및 이물화상의 추출을 병행처리하여 전체로서의 검사시간을 단축한다.

도 10은 상기 본 발명에 따른 검사장치의 제3 변형예를 도시한 사시도이다.

본 제3 변형예에 따른 검사장치(10C)가 상기 검사장치(10)과 다른 점은 촬상장치(45)가 라인센서에서 면적센서(45B)로 변경되어 있다는 점이다.

검사장치(10C)에 의한 검사방법은 상기 제1 변형예에서 실행된 검사방법을 따르고 있고 도 7에 도시한 흐름도에 따라 검사를 실행하고 있으므로, 그의 상세한 설명은 생략한다.

제3 실시예에 다른 검사장치(10C)가 면적센서의 촬상장치를 마련하고 있으므로, 이물화상을 스테이지 정지상태에서 촬상할 수 있어 고분해능의 화상이 용이하게 얻어지고 이물검사결과의 신뢰성 및 품질이 향상된다.

이상, 본 발명의 발명자들에 의해 이루어진 발명을 실시예 및 그의 변형예에 따라 상세하게 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예 및 변형예에 한정되는 것은 아니고 그 요지를 이탈하지 않는 범위내에서 여러가지 변경가능한 것은 물론이다.

예를 들면, 명시야 조명하의 이물위치의 특정은 차광소자에 의해 실행되는 구조에만 한정되는 것은 아니고, 반복패턴에 있어서의 동일위치에서 검출된 데이터를 비교하는 구조에 의해서도 실행할 수 있다. 이 경우, 비교될 데이타는 인접하는 칩의 검출데이타, 미리 기억된 소정의 패턴 또는 표준패턴으로도 할 수 잇다.

촬상장치로서는 라인센서뿐만 아니라 면적센서 또는 촬상관 등을 사용할 수 있다.

이상의 설명에서는 본 발명자들에 의해 이루어진 발명 특히 본 발명의 배경 기술로서 웨이퍼의 이물 또는 결함검사기술 분야에 적용된 경우에 대해서 주로 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니고 포토마스크 또는 액정패널 등을 포함하는 판형상물에 있어서의 이물 또는 결함검사기술 전반에 적용할 수 있다.

이하, 본 실시예 및 변형예에 의해 얻어진 효과를 간단하게 설명한다.

검사장치에 의해 결함 또는 이물의 좌표위치 이외에 이물의 사이즈, 형상, 색, 특성을 특정하는 것에 의해, 작업자가 IC의 제조공정을 정확하고 신속하게 관리할 수 있어 IC의 제조양품률을 향상시킨다.

산란광 검출기의 검출에 따른 이물판정장치의 판정이 명시야 조명하에 동작하는 촬상장치에 접속된 검증부에 의해 검증되므로, 검사장치에 의한 검사의 정밀도를 향상시킬 수 있어 상기 효과와 함께 검사장치의 품질 및 신뢰성을 향상시킨다.

검사시간이 긴 이물의 외부검사장치 또는 매우 고가인 이물분석장치를 사용하지 않고 이물의 좌표위치 이외의 이물의 사이즈, 형상, 색 및 특성을 특정할 수 있으므로, 단위면적당(즉, 웨이퍼 1개 당)의 검사시간 및 리뷰시간을 매우 단축할 수 있다. 그 결과, 로트의 전체수의 검사를 실현할 수 있음과 동시에 작업자에 의한 IC제조공정을 정확하고 또한 신속하게 관리할 수 있다.

다음에, 본 발명에 따른 다른 실시예를 도면을 사용해서 상세하게 설명한다. 이 다른 실시예에 있어서, 검사장치(10)은 도 1에 도시한 것과 구조에 있어서 동일하므로 설명은 생략한다.

또, 상기 구조의 검사장치(10)으로 실행되는 본 발명의 다른 실시예에 다른 검사방법을 도 11를 사용해서 설명한다.

우선, 상기 도 2에 도시한 바와 같은 동일방식으로 웨이퍼(1)상에 검사광조사장치(20)에 의해 검사광으로서의 레이저광(21)이 낮은 경사각으로 조사되면, 레이저광(21)의 조사에 의해 웨이퍼(1)의 제1 주면(2)에 부착되어 형성된 이물(5) 및 회로패턴(도시하지 않음)에서 암시야 조명하에 산란광(31)이 발생한다. 이 산란광은 대물렌즈(32)에 의해 집광되고, 릴레이렌즈(33)을 거쳐 산란광 검출기(34)상에 결상된다.

이 때, 확산광은 규칙성이 있기 때문에, 웨이퍼(1)에 있어서의 패턴면의 푸리에변환에 마련된 공간필터 또는 검광자 등의 차광소자(도시하지 않음)에 의해 회로패턴으로 부터의 산란광(31)이 차광되게 된다. 한편, 이물(5)로 부터의 산란광(31)은 불규칙성이기 때문에, 공간필터 또는 검광자를 거쳐 통과하는 산란광검출기(34)상에 결상되게 된다. 그러므로, 이물만이 검출된다.

또, 산란광 검출기(34)에 의해 검출된 이물(5)로 부터의 암시야 조명 하의 산란광(31)에 의한 검출신호는 이물판정장치(35)에 입력된다. 이물판정장치(35)는 이 검출신호에 따라 이물(5)의 유무를 판정하고, 또한 이 판정데이타와 스테이지장치(11)의 컨트롤러(14)로 부터의 좌표위치의 데이타를 조회하는 것에 의해 이물(5)의 좌표위치를 특정한다. 이렇게 해서 특정된 좌표위치는 예를 들면 이물판정장치(35)에서 검사장치(10)을 통괄적으로 실행하는 호스트컴퓨터(36)과 촬상장치(45)에 전기적으로 접속된 비교부(47) 및 검증부(48)로 출력된다.

이물판정장치(35)에서 송신된 이물(5)의 좌표위치가 촬상장치(45)의 촬상위치 즉 낙사조명장치(40)으로 부터의 스폿내로 오면, 비교부(47)은 촬상장치(45)로 부터의 명시야 조명 하의 화상신호를 수신한다. 이물판정장치(35)의 작용에 따르면, 그의 좌표위치에 이물(5)가 부착되어 있어야 하기 때문에, 그 화상에는 이물(5)가 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이 나타나게 된다. 즉, 피검사물의 화상이 얻어진다.

그 후, 이물판정장치(35)에서 송신된 이물(5)의 좌표위치에서 1칩부(4)의 거리만큼 어긋난 좌표위치 즉 이물(5)가 부착된 좌표위치와 인접하는 다른 칩부(4)에 있어서의 이물(5)의 좌표위치에 대응하는 좌표위치가 촬상장치(45)의 촬상위치로 오면, 비교부(47)은 촬상장치(45)로 부터의 명시야 조명 하의 화상신호를 수신한다. 이물판정장치(35)의 작용에 따르면, 그의 좌표위치에 이물(5)가 부착되지 않기 때문에, 그 화상에는 이물(5) 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이 나타나지 않게 된다. 즉, 피검사물의 참조화상이 얻어진다.

계속해서, 도 3의 (a)∼도 3의 (d)에 도시한 바와 같이, 비교부(47)은 이물(5)가 부착되어 있어야 할 칩부(4)의 좌표위치 즉 피검사물의 좌표위치에서 얻어진 화상(도 3의 (a))에서 이물(5)가 부착되지 않은 칩부의 좌표위치 즉 비교될 좌표위치에서의 참조화상(도 3의 (b))을 감산한다. 즉, 도 3의 (d)에 도시한 바와 같이, 비교부(47)은 서로 인접하는 한쌍의 칩부(4), (4)에 있어서의 동일 부분의 한쌍의 화상을 받아들여 연산처리 즉 감산하는 상태로 된다. 이 감산에 의해, 도 3의 (a)의 이물(5)가 부착되는 화상과 도 3의 (b)의 참조화상으로 도 3의 (c)에 도시한 차화상을 형성한다. 도 3의 (a)에서의 화상과 도 3의 (b)에서의 화상 사이의 차는 이물(5)일뿐이므로, 도 3의 (c)에 도시한 바와 같이 차화상에 있어서는 이물화상(6)만이 추출된다.

또, 비교부(47)은 추출된 이물화상(6)을 검증부(48)로 송신한다. 이물판정장치(35)에서 송신된 이물(5)의 좌표위치에 대해 이물화상(6)이 비교부(47)에서 송신되어 온 경우, 검증부(48)은 이물판정장치(35)에 의해 이루어진 이물 존재의 판정이 적정하다고 검증한다. 이에 반해, 이물판정장치(35)에서 송신된 이물(5)의 좌표위치에 대해 이물화상(6)이 비교부(47)에서 송신되지 않은 경우, 검증부(48)은 이물판정장치(35)에 의해 이루어진 이물 존재의 판정이 에러라고 검증한다. 또, 에러를 검증한 경우 검증부(48)은 그 결과를 호스트컴퓨터(36)으로 송신한다.

또, 추출된 이물화상(6)은 분류부(49)로 송신된다. 분류부(49)는 미리 설정된 알고리듬에 따라서 이물(5)의 사이즈, 형상, 색 및 특성인 유기물 또는 무기물을 분류한다. 예를 들면, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이 이물화상(6)의 화소수의 계수에 의해 이물화상(6)의 사이즈를 종 및 횡방향으로 특정할 수 있다. 또, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 이물화상(6)의 종길이a와 횡길이b 사이의 곱(a×b)에 의해 이물(5)의 면적 즉 사이즈를 특정할 수 있다. 이물화상(6)의 종길이a와 횡길이b 사이의 몫(a/b)에 의해 이물(5)의 형상이 특정된다. 예를 들면, a/b=1인 경우 이물(5)는 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이 원형형상이라고 특정된다. 또, a/b>1 또는 a/b<1인 경우 이물(5)는 도 4의 (d)에 도시한 바와 같이 가늘고 긴형상이라고 특정된다.

낙사조명광으로서 백색광(41)이 사용되고 있으므로, 색상과 명도(즉, 화상을 형성하는 등급)에 따라서 이물화상(6)의 색을 특정할 수 있다. 이 결과, 예를 들면 추출된 이물 전체가 짙은 블루계통과 거의 유사한 색상 및 등급을 가지면, 이물의 형상이 편평하고 두께가 거의 균일한 유전체층이라고 추정할 수 있다.

또, 산란광 검출기에 의해 검출된 이물의 산란광신호 및 이물화상(6)에 의해 특정된 이물의 사이즈와 특성을 사용해서 표면의 오목볼록의 존재를 또한 인식할 수 있다. 즉, 웨이퍼(1)에 검사광 조사장치(20)에 의해 검사광으로서의 레이저광(21)이 낮은 경사각으로 조사되는 경우, 이물(5)에서 암시야 조명하의 산란광(31)이 발생한다. 이 산란광 강도는 단면적과 표면의 오목볼록에 관련해서 변경되므로, 검출시에 기록된 산란광 강도 및 이물화상에서 산출된 레이저조사방향과 수직인 방향의 이물의 길이를 사용해서 분석하는 것에 의해 표면의 오목볼록 상태를 인식할 수 있다. 이 결과, 예를 들면 오목볼록이 적은 경우 이물은 실리카(유리) 또는 실리콘칩 및 금속칩 등의 무기물로서 특정된다. 오목볼록이 많으면 인간으로부터 기인하는 먼지나 수지 등의 유기물로서 특정된다.

상기와 같이 해서 분류된 분류결과는 분류부(49)에서 호스트컴퓨터(36)으로 송신된다. 호스트컴퓨터(36)은 분류부(49)로 부터의 분류데이타와 이물판정장치(35)로 부터의 이물(5)의 좌표위치 데이타 및 개수 데이타를 사용해서 도5의 (a)∼도 5의 (b)에 도시한 각종 데이타를 작성하고 모니터 또는 프린터 등의 출력장치를 통해서 적시에 출력한다. 그러므로, 작업자는 IC의 제조공정을 정확하게 신속하게 관리할 수 있다.

그러나, 이물이 인접하는 배선패턴상에 걸치도록 부착되어 있는 경우, 좌표위치의 피검사물의 화상에서 좌표위치의 피검사물의 참조화상을 감산하면, 도 12의 (c)에 도시한 바와 같이 검사장치에 있어서 이물화상이 분할되어 버리는 현상이 발생한다는 것이 본 발명의 발명자들에 의해 발견되었다. 이 현상이 발생하는 이유를 다음과 같이 고려할 수 있다.

도 12의 (a)는 좌표위치에서의 피검사대상의 화상을 도시한 도면으로서, 배경화상(7)상에 서로 평행하게 마련된 한쌍의 배선패턴(8), (8)이 나타나고, 양배선패턴화상(8), (8)에 이물화상(6)이 걸쳐서 나타나는 상태로 되어 있다. 도 12의 (b)는 좌표위치에서의 피검사대상의 참조화상을 도시한 도면으로서, 배경화상(7)상에 양배선패턴화상(8), (8)만이 나타난다.

비교부(47)에 있어서 감산이 이루어질 때, 배경화상(7)의 2진화 화상신호의 값이 백색이라고 가정하면, 이물화상(6)의 값은 흑색에 상당하고, 배선패턴(8)은 회색에 상당한다. 따라서, 도 12의 (a)에서 도 12의 (b)를 감산하면 차화상(9)는 이물화상(6)내에 배선패턴이 옅은 회색으로 남는 상태로 된다. 그러나, 이 차화상이 2진화 신호로 처리되면, 2진화된 차화상(90)은 도 12의 (c)에 도시한 바와 같이 양 배선패턴의 화상(8), (8)에 이해 3개로 분할되는 상태로 된다.

이와 같이 이물화상(6)이 분할된 상태인 채로 인식되면, 분류부(49)는 연속한 작은 이물로 분류해 버리 가능성이 있다. 즉, 이물(5)가 단선이나 단락 등의 치명결함의 원인으로 되어 치명결함의 원인으로 되지 않는 미소한 결함 또는 이물로 판정될 가능성이 있다. 예를 들면, 배선패턴형성공정후의 이물검사공정에 있어서 배선패턴사이에 걸쳐 있는 금속의 이물을 배선패턴사이에 존재하는 미소이물이라고 오판정하면, 단락 이물을 빠뜨리게 되어 치명결함의 대책이 지연된다. 이 때문에, 양품률이 저하해 버린다. 따라서, 차화상(90)이 미소하다고 인식되는 경우라고 배선패턴에 의해 분할된 이물화상인 것인지 또는 배선패턴사이에 존재하는 미소이물인 것인지를 판정할 필요가 있다.

본 실시예에 있어서는 분할된 차화상인지 아닌지가 분할부(49)에 있어서 다음의 알고리듬에 의해 판정된다. 우선, 도 12의 (c)에 도시되어 있는 바와 같이 차화상(90)이 인접하는 배선패턴에 의해 3개 이상 즉 좌측분할상(91), 중앙분할상(92) 및 우측분할상(93)으로 분할되어 있는 경우를 예로 해서 설명한다.

도 12의 (c)에 도시되어 있는 바와 같이, 좌측분할상(91)과 중앙분할상(92) 사이의 거리d 및 중앙분할상(92)와 우측분할상(93) 사이의 거리d에서 배선패턴(8)의 화상의 폭L이 감산된다. 이 감산에 의한 차의 값이 미리 설정한 값ε 이하인 값으로 되는 경우에는 단일 이물의 차화상(90)이라고 인식된다. 그리고, 도 12의 (d)에 도시되어 있는 바와 같이, 배선패턴(8)의 차화상(90)과 직교하는 방향의 폭X는 좌측분할상(91)의 좌측끝과 우측분할상(93)의 우측끝 사이의 거리에 의해 측정된다. 이와 같이 단일 이물의 차화상(90)으로 판정된 이물은 치명불량을 발생하는 것으로 판정된다.

감산에 의한 차의 값이 미리 설정한 값ε보다 큰 값인 경우, 좌측분할상(91), 중앙분할상(92) 및 우측분할상(93)은 개개의 미소한 결함으로 인식되고, 각 폭X가 각각의 결함의 사이즈로서 측정된다. 그리고, 좌측분할상(91), 중앙분할상(92) 및 우측분할상(93)의 사이즈가 배선패턴의 화상(8), (8)사이의 거리S보다 크면, 치명결함을 발생할 가능성이 있는 것 즉 결함후보로 판정되고, 그것보다 작으면 치명결함을 발생할 가능성이 없는 것으로 판정된다.

도 13의 (c)에 도시되어 있는 바와 같이, 좌측분할상(94)와 우측분할상(95)의 2개로 분할되어 있는 경우에는 좌측분할상(94)와 우측분할상(95) 사이의 거리d의 감산에 의해 패턴폭L이 얻어진다. 감산에 의한 차의 값이 미리 설정한 값ε보다 작은 경우에는 단일 이물의 차화상으로 판정된다. 즉, 도 13의 (c)에 도시되어 있는 바와 같이, 배선패턴(8)의 차호상(90)과 직교하는 방향의 폭X는 좌측분할상(94)의 좌측끝과 우측분할상(95)의 우측끝 사이의 거리에 의해 측정된다. 그리고, 이 이물은 치명결함을 발생할 가능성이 있는 것 즉 결함후보로 판정된다.

감산에 의한 차의 값이 미리 설정한 값ε보다 큰 경우에는 좌측분할상(94)와 우측분할상(95)는 개개의 미소한 결함 또는 이물로 인식되고, 각각의 폭X가 각각의 결함 사이즈로서 측정된다. 그리고, 좌측분할상(94) 및 우측분할상(95)의 사이즈가 배선패턴의 화상(8), (8) 사이의 거리S보다 크면 치명결함을 발생할 가능성이 있는 것 즉 결함후보로 판정되고, 그것보다 작으면 치명결함을 발생할 가능성이 없는것으로 판정된다.

이상과 같이 해서 검출되어 판정된 모든 이물의 각 정보와 치명결함 또는 결함후보의 판정결과는 하기의 표 1에 도시되어 있는 바와 같이 정리해서 표시된다. 또, 이물에 관한 정보중에서 칩의 좌표와 칩의 좌표위치는 산란광에 의한 검출에서 얻을 수 있는 것이고, 결함사이즈 및 치명결함 또는 비치명결함 등의 더욱 상세한 정보는 명시야 조명하의 이물의 화상에 따라서 얻을 수 있는 것이다. 이물에 관한 각종 정보는 조합되어 상기 모니터표시부(100)의 스크린상에 표시된다.

또, 검사정보, 이물 수, 공정별 웨이퍼의 양품률 등의 검사결과는 하기의 표 2에 나타낸 바와 같이 정리해서 표시된다.

여기에서, 칩양품률yi라는 것은 치명결함 및 결함후보가 없는 전체칩에 대한 칩수의 비율이고, 칩불량품률fi라는 것은 치명결함이 있는 칩의 전체수의 대한 칩 수의 비율이다. 또, 결함 밀도라는 것은 단위면적당 이물 및 결함의 개수이다. 결함 밀도는 이하의 정의에 따라 2종류 즉 추정범위의 최대값과 최소값으로 표시하였다. 즉, 결함 밀도Di는

Di(max.) = -(1/A)×Ln(yi)

Di(min.) = -(1/A)×Ln(1-fi)이다

A는 칩면적, Ln은 자연대수이다.

결함웨이퍼밀도Wi는

Wi(max.)=(치명결함수 + 결함후보수)/(A×제품칩의 수)

Wi(min.)=(치명결함수)/(A×제품칩수)이다.

또, 도 14에 도시한 바와 같이 웨이퍼맵 표시중에는 치명결함 및 불량칩이 표시된다.

1로트의 검사가 종료되면, 하기의 표 3 및 표 4에 나타낸 바와 같이 로트의 각각에 대해 예를 들면 장치의 표시장치(도시하지 않음)의 스크린상의 검사결과정보가 표시된다. 또, 이들 검사결과정보는 검사정보의 해석시스템 등의 외부시스템으로 전송된다.

상기 표에 있어서, 기호들은 다음과 같다.

AA-1 : 웨이퍼의 총결함수

AA-2 : 치명결함수

AA-3 : 결함후보수

BB-1 : 검출결함을 갖는 칩수

BB-2 : 치명결함을 갖는 칩수

BB-3 : 결함후보를 갖는 칩수

CC-1 : 칩양품률

CC-2 : 칩불량품률

산란광검출식의 검사장치는 웨이퍼의 최표면의 이물만을 검출하기 때문에, 패턴상에 이물이 존재하면 제품 결함으로 된다. 양품률 및 불량품률을 관리하는 것에 의해, 제품의 최종검사에서의 양품률을 예측할 수 있다. 또, 불량품칩의 분포에 의해, 이물이 랜덤이물인지 아닌지를 판정할 수 있다. 이물이 랜덤이물인 경우, 이물이 프와송분포를 이루고 있다고 가정하면,

yi=exp(-A×Di) (여기에서, A는 칩면적이다)

로 한다. 또, 각 공정의 결함 밀도Di(여기에서, 첨자i는 수에 있어서의 공정을 나타낸다)를 계산할 수 있다. 따라서, 각 공정으로 배분된 결함 밀도 관리값과의 괴리도(乖離度)에 의한 공정의 이물 또는 결함에 대한 대책을 실행할 수 있다. 이러한 공정에 있어서의 이물 또는 결함을 관리하는 방법은 이물 또는 결함의 수와 검사면적에서 결함밀도가 산출되는 종래의 방법과는 달리 최종검사의 양품률모델 즉

y=exp(-A×D) (y는 양품률, A는 칩면적, D는 결함밀도이다.)

과 유사한 방법으로 결함밀도Di를 산출한다. 그러므로, 최종공정에 있어서의 양품률의 향상에 직접효과가 있는 공정을 추출할 수 있다.

즉, 상기 다른 실시예에 따르면, 다음의 효과를 얻을 수 있다.

[1] 검사시간이 긴 장치나 여러대의 검사장치를 사용하지 않고 이물의 사이즈를 출력할 수 있으므로, 웨이퍼 1개당의 검사에 걸리는 시간을 대폭 단축할 수 있고 그 결과 조기 양품률향상에 공헌할 수 있다.

[2] 프로브검사에 있어서의 양품률 모델의 결함밀도저감에 직접 관련되는 검사데이타를 제공하는 것에 의해, 양품률향상의 포인트와 시책의 시비를 단기간에 판단할 수 있다.

[3] 산란광 검출기의 검출에 따라 판정장치의 판정을 명시야 조명하에서 동작하는 촬상장치에 연결되는 검증부에 의해 검증하므로, 검사장치에 있어서의 검사정밀도를 향상시킬 수 있어 상기 [1]과 함께 검사장치의 품질 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

[4] 분할부분이 단일 이물인지 아닌지를 판정해서 입자직경측정을 하는 것에 의해, 이물의 사이즈를 보다 한층더 정확하게 측정할 수 있다.

[5] 하지패턴과 이물의 사이즈 또는 특성으로부터 이물의 치명성(즉, 치명결함 또는 비치명결함)을 판정할 수 있으므로, 검사방법의 효율을 한층더 향상시킬 수 있다.

[6] 검사될 칩의 양품률 및 결함밀도를 산출할 수 있으므로, 검사방법의 이용효율을 한층더 향상시킬 수 있다.

도 15는 제1 변형예에 있어서의 검사방법의 단일 이물의 인식작용을 설명하기 위한 설명도이다.

본 변형예가 상기 다른 실시예와 다른 점은 이물화상이 배선패턴에 의해 분할된 경우의 단일 이물의 인식방법에 있다. 즉, 도 15의 (a), (b), (c)에 도시되어 있는 바와 같이 감산처리를 통해 차화상(90)이 3분할된 경우에는 분할된 화상의 색판정이 실행된다.

촬상장치(45)에 의한 화상이 컬러화상이고, NTSC(National Television System Committee)신호로 출력되어 있는 경우에는 도 15의 (d)에 도시되어 있는 채도색상분포도를 사용해서 색판정을 실행한다. 좌측분할상(91), 중앙분할상(92) 및 우측분할상(93)이 미리 정해진 Δγ, Δθ의 영역에 있어서 동일색으로 판정된 경우에는 단일 이물의 차화상(90)으로 인식되고, 분할화상을 일괄정리한 이물사이즈의 측정이 실행되고 또한 치명결함으로 판정된다. 동일색이 아니라고 판정된 경우에는 서로 분리된 이물로 인식되고 각각에 대해서 사이즈의 측정이 실행된다. 이물의 사이즈가 패턴 사이의 거리보다 크면 치명결함으로 판정되고, 작으면 비치명결함으로 판정된다.

촬상장치(45)에 의한 화상이 컬러화상이고 RGB신호에 의해 출력되고 있는 경우에 각 색은

Δα+Δβ+Δγ

로서 나타낼 수 있고, 미리 설정된 값η에 대해서

｜Δα｜+｜Δβ｜+｜Δγ｜≤η

으로 되는 경우에는 동일색으로 판정된다. 상기와 같이 해서 분할상이 동일색으로 판정되면, 단일 이물로 인식되고 분할상을 일괄정리해서 이물직경의 측정이 실행되고 치명결함으로 판정된다. 동일색이 아니라고 판정된 경우에는 서로 분리된 이물로 인식되고 그들 각각에 대해서 사이즈의 측정이 실행된다. 이물의 사이즈가 패턴사이의 거리보다 크면 치명결함, 작으면 비치명결함으로 한다.

도 16에 도시되어 있는 바와 같이, 분할수가 2개인 경우에도 분할된 화상의 색판정이 상기 3개 이상으로 분할되어 있는 경우와 마찬가지로 동일 처리가 실행된다. 동일색으로 판정된 경우에는 단일 이물로 인식되고 분할화상을 일괄정리한 이물직경 측정이 실행되고 이 이물이 결함후보로 판정된다. 또한, 검사결과는 상기 다른 실시예와 마찬가지로 처리된다.

도 17은 상기 본 발명의 다른 실시예에 따른 검사방법의 제2 변형예의 단일 이물의 인식작용을 설명하는 도면이다.

본 변형예가 상기 다른 실시예와 다른 점은 이물화상이 배선패턴의 화상에 의해 분할된 경우의 단일 이물의 인식방법에 있다. 즉, 도 17의 (a), (b), (c)에 도시되어 있는 바와 같이 분할된 화상의 팽창처리에 의해 판정이 실행된다.

도 17에 도시되어 있는 바와 같이, 좌측분할상(91), 중앙분할상(92) 및 우측분할상(93)으로 분할된 경우에는 분할된 화상의 각 요소를 처리해서 미리 입력된 수치 ζ만큼 도 17의 (d)에 도시되어 있는 바와 같이 팽창하도록 한다. 본 변형예에 있어서 수치ζ는 패턴 사이의 공간 폭과 동일한 수치로 설정되어 있다. 팽창처리결과, 팽창처리후의 화상의 수가 원래의 화상의 수보다 작은 경우에는 분할요소가 1개로 일괄정리되어 단일 이물로 인식된다. 이물사이즈의 측정은 원래의 좌측분할상(91)의 좌측끝과 우측분할상(93)의 우측끝 사이의 거리의 측정에 의해 실행되고, 단일 이물은 치명결함으로서 판정된다. 팽창처리후의 화상의 수가 원래의 화상의 수와 동일한 경우, 이 이물군은 서로 분리된 이물로 인식되고 결함후보로 판정된다. 그러나, 검사결과는 상기 다른 실시예와 마찬가지로 처리된다.

도 18의 (a)∼도 18의 (d)는 상기 본 발명의 다른 실시예에 따른 검사방법의제3 변형예의 단일 이물의 인식작용을 설명하는 도면이다.

본 변형예가 상기 다른 실시예와 다른 점은 이물화상이 배선패턴의 화상에 의해 분할된 경우의 단일 이물의 인식방법에 있다. 즉, 도 18의 (a), (b), (c)에 도시되어 있는 바와 같이 합화상에 의해 판정이 실행된다.

도 18의 (a)는 피검사대상의 좌표위치의 화상을 도시한 도면으로서, 배경화상(7)상에 서로 평행하게 마련된 1쌍의 배선패턴(8) (8)이 나타나 있고, 양 배선패턴(8), (8)상에 이물화상(6)이 걸쳐서 나타나는 상태로 되어 있다. 도 18의 (b)는 참조대상의 좌표위치의 참조대상을 화상을 도시한 도면으로서, 배경화상(7)상에 양 배선패턴(8), (8)만이 나타나고 있다. 피검사대상의 화상과 배선패턴(8), (8)이 가산되어 합화상(9')가 도 18의 (c)에 도시되어 있는 바와 같이 형성된다. 이 합화상(9')에 대해서 임계값처리가 실행되고, 도 18의 (d)에 도시되어 있는 이물화상(6)에 의해 분할된 배선패턴의 화상(8'), (8')가 형성된다. 이와 같이 분할된 화상이 인식된 경우에는 이물이 치명결함으로 판정된다. 인식되지 않은 경우에는 비치명결함으로 판정된다. 또한, 상기 검사결과는 상기 다른 실시예와 마찬가지로 처리된다.

이상 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시예에 따라 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러가지 변경이 가능한 것은 물론이다.

예를 들면, 명시야 조명하에서 이물위치의 특정은 차광소자에 의해 실행하도록 구성하는 것에 한정되지 않고, 반복패턴에 있어서의 동일위치의 검출데이타를 비교하는 것에 의해 실행하도록 구성해도 좋다. 이 경우, 비교할 데이타는 인접하는 칩의 검출데이타, 미리 기억된 소정의 패턴 또는 표준패턴으로도 할 수 있다.

촬상장치로서는 라인센서뿐만 아니라 면적센서나 촬상관 등을 사용할 수 있다.

이상의 설명에서는 본 발명자들에 의해 이루어진 발명 특히 본 발명의 배경 기술로서 웨이퍼의 이물검사기술 분야에 적용된 경우에 대해서 주로 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니고 포토마스크 또는 액정패널 등을 포함하는 판형상물에 있어서의 검사기술 전반에 적용할 수 있다.

본원에 있어서 개시되는 발명 중 대표적인 것에 의해 얻어지는 효과를 간단히 설명하면 다음과 같다.

검사시간이 긴 장치나 여러대의 검사장치를 사용하지 않고 이물의 사이즈를 출력할 수 있으므로, 1피검사물당 검사에 걸리는 시간을 대폭으로 단축할 수 있다. 분할부분이 단일 이물인지 아닌지를 판정해서 사이즈를 측정하는 것에 의해, 이물의 사이즈를 한층더 정확하게 측정할 수 있다. 패턴과 이물의 사이즈나 특성에서 이물의 치명성(즉, 치명결함 또는 비치명결함)을 판정하는 것에 의해, 검사방법의 효율을 한층더 향상시킬 수 있다.

검사될 칩의 양품률 및 결함밀도를 산출하는 것에 의해, 검사방법의 이용효율을 한층더 향상시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 1실시예의 따른 이물검사장치를 도시한 사시도,

도 2는 본 발명의 1실시예에 따른 이물검사장치를 사용해서 처리되는 이물검사방법을 도시한 흐름도,

도 3은 이물화상의 추출작용을 도시한 도면으로서, 도 3의 (a)는 이물이 부착된 상태에서의 화상을 도시한 도면, 도 3의 (b)는 이물이 부착되지 않은 상태에서의 화상을 도시한 도면, 도 3의 (c)는 추출된 이물화상을 도시한 도면, 도 3의 (d)는 화상이 추출된 상태를 도시한 도면,

도 4는 분류작용을 도시한 설명도로서, 도 4의 (a)는 이물의 수직 및 수평사이즈를 특정하는 작용을 도시한 도면, 도 4의 (b)는 이물의 다른 사이즈를 특정하는 작용을 도시한 도면, 도 4의 (c)는 원형의 이물을 특정하는 작용을 도시한 도면, 도 4의 (d)는 가늘고 긴 이물을 특정하는 작용을 도시한 도면,

도 5는 각종분석자료를 도시한 설명도로서, 도 5의 (a)는 이물의 사이즈별로 도시한 도면, 도 5의 (b)는 이물의 사이즈별로 도시한 막대그래프, 도 5의 (c)는 이물의 화상별로 도시한 도면, 도 5의 (d)는 이물의 화상별로 도시한 막대그래프, 도 5의 (e)는 검사결과 시계열추이그래프,

도 6은 상기 본 발명에 따른 이물검사장치의 제1 변형예를 도시한 사시도,

도 7은 상기 제1 변형예에 따른 이물검사장치를 사용해서 처리될 이물을 검사하는 방법의 흐름도,

도 8은 상기 제1 변형예에 따른 이물검사장치의 작용을 도시한 도면으로서, 도 8의 (a)는 그룹핑작용을 도시한 도면, 도 8의 (b)는 집단화작용을 도시한 도면,

도 9는 상기 본 발명에 따른 이물검사장치의 제2 변형예를 도시한 사시도,

도 10은 상기 본 발명에 따른 이물검사장치의 제3 변형예를 도시한 사시도,

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이물검사장치를 사용해서 처리될 이물을 검사하는 방법의 흐름도,

도 12의 (a)∼(d)는 상기 본 발명의 다른 실시예에 따른 이물검사방법에 있어서 화상이 3분할된 경우의 단일 이물의 인식을 설명하는 도면,

도 13의 (a)∼(d)는 상기 본 발명의 다른 실시예에 따른 이물검사방법에 있어서 화상이 2분할된 경우의 단일 이물의 인식을 설명하는 도면,

도 14는 상기 본 발명의 다른 실시예에 따른 이물검사방법에 있어서 치명이물(치명결함) 및 불량칩이 표시된 웨이퍼맵도,

도 15의 (a)∼(d)는 상기 본 발명의 다른 실시예의 제1 변형예에 있어서 단일이물의 인식을 설명하는 도면으로서, 도 15의 (a)∼(c)는 그의 화상을 각각 도시한 도면, 도 15의 (d)는 채도색상 분석도,

도 16의 (a)∼(d)는 상기 본 발명의 다른 실시예의 제1 변형예에 있어서 화상이 2분할된 경우의 단일 이물의 인식을 설명하는 도면,

도 17의 (a)∼(d)는 상기 본 발명의 다른 실시예의 제2 변형예에 있어서 단일 이물의 인식을 설명하는 도면,

도 18의 (a)∼(d)는 상기 본 발명의 다른 실시예의 제3 변형예에 있어서 단일이물의 인식을 설명하는 도면.

Claims (12)

1. 피검사물의 표면상에 형성된 초소형 반복패턴의 이물검사방법으로서,

   암시야 검사광 조사장치에 의해 상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면상의 바로 위에 경사방향으로 암시야 검사광을 조사하는 공정,

   적어도 산란광 검출기에 의해 상기 피검사물의 표면에서 산란되는 상기 암시야 검사광의 산란광을 검출하는 공정,

   상기 공정에서 상기 산란광의 검출에 따라 상기 피검사물의 표면상의 이물의 좌표위치를 판정해서 상기 이물의 위치정보를 생성하는 공정,

   명시야 검사광 조사장치에 의해 상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면상과 직접 직교하는 명시야 검사광을 조사하는 공정,

   상기 명시야 검사광의 좌표가 상기 이물의 좌표와 일치하는 경우, 상기 공정에서 상기 명시야 검사광을 조사하는 조사수단에 의한 명시야 조명 하에서 상기 공정에서 좌표가 판정된 상기 이물의 화상을 촬상하는 공정,

   상기 공정에서 촬상된 상기 화상에 따라서 추출된 상기 이물의 화상에 따라, 적어도 상기 이물의 사이즈, 형상, 색 및 특성 중의 어느 하나를 결정하는 공정,

   상기 결정 공정에서의 결정에 따라 상기 이물에 관한 정보를 처리하는 공정 및

   좌표위치를 판정하는 상기 공정에서 생성된 상기 이물의 좌표위치정보와 함께 상기 이물에 관한 정보를 표시하는 공정을 포함하는 이물검사방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 산란광의 검출에 따라 판정된 상기 이물의 좌표위치에 대응하는 위치에서 상기 조사수단에 의한 명시야 조명 하에서 상기 피검사물의 상기 초소형 반복패턴의 다른 위치의 화상을 촬상하는 공정을 더 포함하고,

   상기 결정 공정에서의 이물의 화상은 상기 촬상된 2개의 화상을 비교하여 추출되는 이물검사방법.
3. 제1항에 있어서,

   상기 촬상공정에서 촬상된 화상에서 상기 이물이 나타난다는 결정에 따라, 상기 산란광의 검출시에 상기 이물의 좌표위치의 상기 결정공정에서 이루어진 결정에 대해 정당성을 검증하는 공정을 더 포함하는 이물검사방법.
4. 제1항에 있어서,

   상기 형상은 상기 촬상공정에서 얻어진 상기 이물의 화상의 사이즈를 사용하여 상기 결정 공정에서 결정되는 이물검사방법.
5. 제1항에 있어서,

   상기 색은 상기 촬상공정에서 얻어진 상기 이물의 화상의 색요소와 등급을 사용해서 상기 결정공정에서 결정되는 이물검사방법.
6. 제1항에 있어서,

   상기 특성은 상기 산란광 검출기에 의해 검출된 상기 검출 이물로부터의 산란광을 사용하여 상기 결정공정에서 결정되는 이물검사방법.
7. 피검사물의 표면상에 형성된 초소형 반복패턴의 이물검사장치로서,

   상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면의 바로 위에 경사방향으로 암시야 검사광을 조사하는 암시야 광조사장치,

   상기 피검사물의 표면에서 산란되는 상기 암시야 검사광의 산란광을 검출하는 산란광 검출기,

   상기 암시야 산란광의 검출에 따라 상기 피검사물의 표면상의 상기 이물의 좌표위치를 판정해서 상기 이물의 좌표위치 정보를 생성하는 수단,

   상기 초소형 반복패턴이 형성된 피검사물의 표면상에 명시야 조명을 인가하는 조사수단,

   상기 좌표위치 판정수단에 의해 상기 암시야 검사광하의 상기 산란광 검출기에 의해 검출된 상기 산란광을 통해서 판정된 좌표위치에 대응하는 좌표위치에서 상기 조사수단에 의한 명시야 조명하에서 상기 좌표위치에 의해 판정된 상기 이물의 화상을 촬상하는 수단,

   상기 촬상수단에 의해 얻어진 화상의 상기 촬상에 따라서 추출된 이물의 화상에 따라, 적어도 상기 이물의 사이즈, 형상, 색 및 특성 중의 어느 하나를 결정하는 수단,

   상기 결정수단의 결정에 따라 상기 이물에 관한 정보를 처리하는 수단 및,

   상기 좌표위치 판정수단에 의해 생성된 상기 이물의 좌표위치 정보와 함께 상기 이물에 관한 처리정보를 표시하는 디스플레이를 포함하는 이물검사장치.
8. 제7항에 있어서,

   상기 화상 촬상수단이 상기 산란광 검출기와 겸용되도록 구성되어 있는 이물검사장치.
9. 제7항에 있어서,

   상기 조사수단에 의한 명시야 조명하에서 상기 화상 촬상수단이 상기 화상을 촬상하는 스테이지는 상기 광조사장치로부터의 검사광하에서 상기 산란광 검출기가 상기 산란광을 검출하는 스테이지와는 별도로 마련되어 있는 이물검사장치.
10. 제7항에 있어서,

    상기 판정수단에 의해 판정된 상기 좌표위치와는 다르고 상기 좌표위치에 대응하는 상기 피검사물의 표면상의 다른 좌표위치에서 명시야 조명하에 상기 초소형 패턴의 화상을 촬상하는 것에 의해 참조화상을 얻는 수단 및

    상기 대상 화상과 상기 참조화상 사이에서 연산처리된 화상을 얻는 수단을 더 포함하고,

    상기 결정수단은 상기 연산처리된 화상을 얻는 수단에 의해 얻어진 연산처리된 화상에 따라, 미리 지정된 상기 피검사물상에서 판정된 좌표위치에서 결함의 존재유무를 결정하는 이물검사장치.
11. 제10항에 있어서,

    상기 연산처리된 화상을 얻는 수단은 상기 대상 화상과 상기 참조화상 사이에서 처리된 다른 화상을 얻는 이물검사장치.
12. 제10항에 있어서,

    상기 연산처리된 화상을 얻는 수단은 상기 대상 화상과 상기 참조화상 사이에서 처리된 부가 화상을 얻는 이물검사장치.