JP5267471B2 - 半導体デバイスの検査方法および検査装置 - Google Patents
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Description
2 第1の電極
2a 第1の電極の像
3 第2の電極
11 第1のプローブ
11a 第1のプローブの像
12 第2のプローブ
20 電力供給手段としてのデバイス計測手段
30 撮像手段
Claims (4)
- 360nm〜2500nmの波長の光を透過する半導体材料の一面側に前記波長の光を遮断する金属よりなる第1の電極(2)、当該一面とは反対側の他面側に前記半導体材料自身よりなる第2の電極(3)を有する半導体デバイス(1)の発光検査方法であって、
前記半導体デバイス(1)の一面側に設けた第1のプローブ(11)を前記第1の電極(2)に接触して導通させるとともに、前記半導体デバイス(1)の他面側に設けた第2のプローブ(12)を前記第2の電極(3)に接触して導通させた状態で、前記各プローブ(11、12)を介して前記半導体デバイス(1)に電力を供給するようにし、
前記半導体デバイス(1)の他面側に、当該他面側から照射される前記波長の光の反射光像として、前記波長の光が前記半導体デバイス(1)の他面側から一面側へ透過することにより形成される画像を撮影する撮像手段(30)を設け、
前記撮像手段(30)の視点を前記第1の電極(2)の中心に合わせた状態で前記画像の撮影を行うとともに、前記撮像手段(30)によって、前記半導体デバイス(1)の他面側から当該半導体デバイス(1)を介して見える前記第1の電極の像(2a)、前記半導体デバイス(1)の他面側から当該半導体デバイス(1)を介して見える前記第1のプローブの像(11a)、前記第2の電極(3)、および、前記第2のプローブ(12)を認識し、これら認識された4個の画像の重なり具合を視覚化するようにし、
前記撮像手段(30)の視点と前記第1の電極(2)の中心とを結ぶ軸に直交する断面において、前記第1のプローブ(11)の断面積を、前記第1の電極(2)の断面積よりも大きいものとし、
前記第1の電極の像(2a)、前記第1のプローブの像(11a)、前記第2の電極(3)および前記第2のプローブ(12)の4個の画像の重なり具合を、前記撮像手段(30)からの画像によって認識し、
前記第2のプローブ(12)は、前記第2の電極(3)と接触しつつ、前記第1の電極の像(2a)とは重ならず、また当該第1の電極の像(2a)とも重ならない状態にて、前記プローブ(11、12)を介して前記半導体デバイス(1)に電力を供給して、前記両電極(2、3)が重なる部分における前記半導体デバイス(1)の発光状態を前記撮像手段(30)でエミッション像として検出するようにしたことを特徴とする半導体デバイスの検査方法。 - 前記半導体デバイス(1)を構成する前記半導体材料は、可視光を透過するものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイスの検査方法。
- 前記半導体材料は、少なくともGaN、SiC、ダイアモンドのいずれか一つを含有するものであることを特徴とする請求項2に記載の半導体デバイスの検査方法。
- 360nm〜2500nmの波長の光を透過する半導体材料の一面側に前記波長の光を遮断する金属よりなる第1の電極(2)、当該一面とは反対側の他面側に前記半導体材料自身よりなる第2の電極(3)を有する半導体デバイス(1)の発光検査装置であって、
前記半導体デバイス(1)の一面側に設けられ前記第1の電極(2)に接触して導通する第1のプローブ(11)と、
前記半導体デバイス(1)の他面側に設けられ前記第2の電極(3)に接触して導通する第2のプローブ(12)と、
前記各プローブ(11、12)を介して前記半導体デバイス(1)に電力を供給する電力供給手段(20)と、
前記半導体デバイス(1)の他面側に配置され、当該他面側から照射される前記波長の光の反射光像として、前記波長の光が前記半導体デバイス(1)の他面側から一面側へ透過することにより形成される画像を認識する撮像手段(30)とを備え、
前記撮像手段(30)の視点を前記第1の電極(2)の中心に合わせた状態で前記画像の撮影を行うものであり、
前記撮像手段(30)は、前記半導体デバイス(1)の他面側から当該半導体デバイス(1)を介して見える前記第1の電極の像(2a)、前記半導体デバイス(1)の他面側から当該半導体デバイス(1)を介して見える前記第1のプローブの像(11a)、前記第2の電極(3)、および、前記第2のプローブ(12)を認識し、これら認識された4個の画像の重なり具合を視覚化するものであり、
前記撮像手段(30)の視点と前記第1の電極(2)の中心とを結ぶ軸に直交する断面において、前記第1のプローブ(11)の断面積は、前記第1の電極(2)の断面積よりも大きいものとなっており、
前記第1の電極の像(2a)、前記第1のプローブの像(11a)、前記第2の電極(3)および前記第2のプローブ(12)の4個の画像の重なり具合を、前記撮像手段(30)からの画像によって認識し、
前記第2のプローブ(12)は、前記第2の電極(3)と接触しつつ、前記第1の電極の像(2a)とは重ならず、また当該第1の電極の像(2a)とも重ならない状態にて、前記プローブ(11、12)を介して前記半導体デバイス(1)に電力を供給して、前記両電極(2、3)が重なる部分における前記半導体デバイス(1)の発光状態を前記撮像手段(30)でエミッション像として検出するものであることを特徴とする半導体デバイスの検査装置。
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