JP7032050B2 - レーザー加工装置 - Google Patents

レーザー加工装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7032050B2
JP7032050B2 JP2017048574A JP2017048574A JP7032050B2 JP 7032050 B2 JP7032050 B2 JP 7032050B2 JP 2017048574 A JP2017048574 A JP 2017048574A JP 2017048574 A JP2017048574 A JP 2017048574A JP 7032050 B2 JP7032050 B2 JP 7032050B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser beam
division line
wafer
scheduled division
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017048574A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018152494A (ja
Inventor
豊 小林
大樹 沢辺
秀年 万波
康平 田中
わか奈 尾上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2017048574A priority Critical patent/JP7032050B2/ja
Priority to TW107105881A priority patent/TWI742247B/zh
Priority to MYPI2018700776A priority patent/MY189802A/en
Priority to KR1020180028575A priority patent/KR102355837B1/ko
Priority to CN201810203259.4A priority patent/CN108568593B/zh
Priority to US15/921,137 priority patent/US10695870B2/en
Publication of JP2018152494A publication Critical patent/JP2018152494A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7032050B2 publication Critical patent/JP7032050B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/38Removing material by boring or cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/035Aligning the laser beam
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0869Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
    • B23K26/0876Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction in at least two axial directions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702Auxiliary equipment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76Making of isolation regions between components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices
    • B23K2101/40Semiconductor devices

Description

本発明は、ウエーハをレーザー加工している最中にレーザー光線のスポットと分割予定ラインとのずれを検出して、そのずれを補正して高精度にレーザー加工を実施するレーザー加工装置に関する。
IC、LSI等のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、レーザー加工装置によって個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
レーザー加工装置は、ウエーハを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたウエーハにレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該保持手段に保持されたウエーハを撮像して該集光器によって集光される集光点と分割予定ラインとを一致させるアライメント手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にX方向に加工送りするX方向送り手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にX方向に直交するY方向に加工送りするY方向送り手段と、制御手段と、を少なくとも含み構成されている。
該レーザー加工装置は、ウエーハの種類、材質、目標とする加工品質等を考慮して、例えば、以下の加工のタイプから適宜選択される。
すなわち、上記レーザー加工装置のタイプとしては、被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工を施し分割予定ラインに溝を形成して個々のデバイスに分割するタイプ(例えば、特許文献1を参照。)、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を内部に位置付けて照射し、分割予定ラインの内部に改質層を形成して個々のデバイスに分割するタイプ(例えば、特許文献2を参照。)、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに位置付けて照射し、分割予定ラインの表面から裏面に至る細孔と該細孔を囲繞する非晶質とでシールドトンネルを形成して個々のデバイスに分割するタイプ(例えば、特許文献3を参照。)と、が存在する。
特開平10-305420号公報 特許第3408805号公報 特開2014-221483号公報
上記したレーザー加工装置のタイプを適宜選択することにより、異なる加工条件が要求される種々のウエーハに対して適切なレーザー加工を施すことができる。しかし、いずれのレーザー加工装置のタイプを採用したとしても、ウエーハの分割予定ラインにレーザー光線を照射して加工を施すと、ウエーハにおけるレーザー光線が照射された部位が微少ながら膨張し、ウエーハ上の複数の分割予定ラインに対してレーザー加工を施すうちに、集光器が集光するレーザー光線の集光点が、レーザー加工が施されるX方向と直交するインデックス送り(割り出し送り)方向、すなわちY方向において徐々にずれて、分割予定ラインに対して高精度なレーザー加工ができなくなるという問題が発生した。
特に、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を内部に位置付けて照射し、分割予定ラインの内部に改質層を形成して個々のデバイスに分割するタイプのレーザー加工装置においては、他のタイプに比較して膨張率が大きく、このずれの問題が顕著となる。
また、分割予定ラインの内部に改質層が形成されるタイプのレーザー加工の場合には、ウエーハの内部に改質層が形成されるため、一見してレーザー加工位置を正確に把握することが困難であり、分割予定ラインに対して、改質層がどの程度ずれているのかを検出することができず、ウエーハにレーザー加工を施している最中にずれを検出してY方向におけるインデックス送り量を補正することができないという問題がある。
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハをレーザー加工している最中にレーザー光線の集光点(スポット)と分割予定ラインとのずれを検出して高精度にレーザー加工を施すことができるレーザー加工装置を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画された表面を有するウエーハを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にX方向に加工送りするX方向送り手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にX方向と直交するY方向に加工送りするY方向送り手段と、制御手段と、を少なくとも含み構成されるレーザー加工装置であって、該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー発振器と、該レーザー発振器が発振したレーザー光線を集光し該保持手段に保持されたウエーハの分割予定ラインにレーザー光線を照射する集光器と、該集光器に対してX方向に配設され該保持手段に保持されたウエーハの分割予定ラインと隣接するデバイスを撮像する撮像手段と、から少なくとも構成され、該レーザー光線照射手段は、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し、該集光器が集光するレーザー光線の集光点が分割予定ラインの内部に位置付けられて分割予定ラインに沿って内部に改質層を形成するものであり、該撮像手段は、赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子と、対物レンズと、赤外線を照射可能なストロボ光源と、を備え、該保持手段に保持されたウエーハと該集光器とがX方向に相対的に移動している際に静止画像を生成し、該保持手段にウエーハの表面が保持され、該撮像手段はウエーハの裏面から表面に形成されている特徴点を撮像するものであって、該制御手段は、該集光器が集光するレーザー光線の集光点と分割予定ラインの所定位置とがY方向で一致する位置を基準として分割予定ラインと所定の位置関係を有する特徴点のY座標を基準値として記憶する座標記憶部と、該Y方向送り手段によってウエーハの分割予定ラインをY方向にインデックス送りし、該撮像手段によって撮像された特徴点のY座標と該座標記憶部に基準値として記憶されたY座標とにより、各分割予定ラインの内部に形成された改質層に起因する膨張がY方向に蓄積されることで生じたY座標のずれ量を検出するずれ量検出部と、該ずれ量が許容値を超えているか否かを判断する判断部と、を備え、該判断部によって該ずれ量が許容値を超えていると判断された場合、該Y方向移動手段によってインデックス送りする量を該ずれ量だけ補正して次のインデックス送りを実施し、該インデックス送り量に対する補正が実行された後は、補正がなされる前の元のインデックス量に戻されるものであって、該ずれ量検出部は、該保持手段に保持されたウエーハと該集光器とがX方向に相対的に移動している際に作動するレーザー加工装置が提供される。
ずれ量検出部は、任意の分割予定ラインで作動するようにしてもよく、該ずれ量検出部は、分割予定ライン毎で作動するように構成することもできる。
該保持手段に保持されたウエーハを撮像して該集光器で集光されるレーザー光線のスポットと分割予定ラインとを一致させるアライメント手段を備え、該撮像手段は、該アライメント手段で兼用されるようにしてもよい。
本発明に基づき構成されるレーザー加工装置は、レーザー加工装置に配設されるレーザー光線照射手段が、レーザー光線を発振するレーザー発振器と、該レーザー発振器が発振したレーザー光線を集光し該保持手段に保持されたウエーハの分割予定ラインにレーザー光線を照射する集光器と、該集光器に対してX方向に配設され該保持手段に保持されたウエーハの分割予定ラインと隣接するデバイスを撮像する撮像手段と、から少なくとも構成され、該レーザー光線照射手段は、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し、該集光器が集光するレーザー光線の集光点が分割予定ラインの内部に位置付けられて分割予定ラインに沿って内部に改質層を形成するものであり、該撮像手段は、赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子と、対物レンズと、赤外線を照射可能なストロボ光源と、を備え、該保持手段に保持されたウエーハと該集光器とがX方向に相対的に移動している際に静止画像を生成し、該保持手段にウエーハの表面が保持され、該撮像手段はウエーハの裏面から表面に形成されている特徴点を撮像するものであって、該制御手段は、該集光器が集光するレーザー光線の集光点と分割予定ラインの所定位置とがY方向で一致する位置を基準として分割予定ラインと所定の位置関係を有する特徴点のY座標を基準値として記憶する座標記憶部と、該Y方向送り手段によってウエーハの分割予定ラインをY方向にインデックス送りし、該撮像手段によって撮像された特徴点のY座標と該座標記憶部に基準値として記憶されたY座標とにより、各分割予定ラインの内部に形成された改質層に起因する膨張がY方向に蓄積されることで生じたY座標のずれ量を検出するずれ量検出部と、該ずれ量が許容値を超えているか否かを判断する判断部と、を備え、該判断部によって該ずれ量が許容値を超えていると判断された場合、該Y方向移動手段によってインデックス送りする量を該ずれ量だけ補正して次のインデックス送りを実施し、該インデックス送り量に対する補正が実行された後は、補正がなされる前の元のインデックス量に戻されるものであって、該ずれ量検出部は、該保持手段に保持されたウエーハと該集光器とがX方向に相対的に移動している際に作動するように構成されていることから、ウエーハにレーザー光線を照射して加工を施すことでウエーハが膨張して集光器が集光するレーザー光線の集光点の位置が分割予定ラインからY方向にずれても直ちに補正して、高精度な加工を維持することができ、分割予定ラインに隣接する特徴点の位置を示すY座標を検出して集光点と分割予定ラインとのずれ量を検出しインデックス送り量を補正するので、内部に形成される改質層の位置を実際に検出することなく、ウエーハにレーザー加工を施している最中にずれを補正することができる。
また、分割予定ラインの内部に改質層が形成されるタイプの場合においても、分割予定ラインに隣接する特徴点の位置を示すY座標を検出して集光点と分割予定ラインとのずれ量を検出しインデックス送り量を補正するので、内部に形成される改質層の位置を実際に検出することなく、ウエーハにレーザー加工を施している最中にずれを補正することができる。
本発明に基づいて構成されたレーザー加工装置の一実施形態を示す全体斜視図である。 図1に示すレーザー加工装置に採用されるレーザー光線照射手段を説明するためのブロック図である。 図2に示すレーザー光線照射手段にて検出される特徴点のずれを説明するためのイメージ図である。 図1に示すレーザー加工装置の制御手段によって実施される制御フローの一例を示すチャート図である。
以下、本発明に基づき構成されたレーザー加工装置の一実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1には、本実施形態のレーザー加工装置2、及び被加工物であるウエーハ10の全体斜視図が示されている。レーザー加工装置2は、ウエーハ10を保持する保持手段6と、静止基台2a上に配設され該保持手段6を移動させる移動手段8と、該保持手段6に保持されるウエーハ10にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段24と、該静止基台2a上の移動手段8の側方に立設される垂直壁部51、及び該垂直壁部51の上端部から水平方向に延びる水平壁部52からなる枠体50とを備えている。該レーザー光線照射手段24は、レーザー光線を照射するための光学系と、保持手段に保持されたウエーハ10の分割予定ライン12と隣接するデバイス14を撮像する第1の撮像手段26と、第2の撮像手段27とから構成される。枠体50の水平壁部52内部には、該レーザー光線照射手段24の光学系が内蔵されており、水平壁部52の先端下面には、該レーザー光線照射手段24の集光器241が配設されている。また、該集光器241に対しX方向で間隔をおいた位置にアライメント用の第1の撮像手段26が、さらに、該集光器241に隣接した位置に後述するずれ量を検出するための第2の撮像手段27のケース部27aが配設される。保持手段6には、図中に拡大して示すように環状のフレームFに粘着テープTを介して保持されたウエーハ10が保持される。ここで、レーザー加工装置2においては、該保持手段6に対し複数の分割予定ライン12よって格子状に区画された各領域にデバイス14が形成された表面10a側を上方に向けて粘着テープT上に保持した状態、裏面10b側を上方に向け粘着テープTに保持した状態のいずれに対してもレーザー加工を実施することができるが、本実施形態では、ウエーハ10の裏面10b側を上方に向け、デバイス14が形成された表面10a側が粘着テープTに貼着された状態で保持手段6に保持させて加工する場合について説明する。
該保持手段6は、図中に矢印Xで示すX方向において移動自在に基台2aに搭載された矩形状のX方向可動板30と、図中に矢印Yで示すY方向において移動自在にX方向可動板30に搭載された矩形状のY方向可動板31と、Y方向可動板31の上面に固定された円筒状の支柱32と、支柱32の上端に固定された矩形状のカバー板33とを含む。カバー板33には、X方向に蛇腹が配設され(図示は省略している。)、該カバー板33上に形成されたY方向に伸びる長穴を通って上方に延びる円形状の被加工物を保持し、図示しない回転駆動手段により周方向に回転可能に構成されたチャックテーブル34が配設されている。チャックテーブル34の上面には、多孔質材料から形成され実質上水平に延在する円形状の吸着チャック35が配置されている。吸着チャック35は、支柱32を通る流路によって図示しない吸引手段に接続されている。なお、X方向は図1に矢印Xで示す方向であり、Y方向は矢印Yで示す方向であってX方向に直交する方向である。X方向、Y方向で規定される平面は実質上水平である。
移動手段8は、X方向移動手段40と、Y方向移動手段41と、を含む。X方向移動手段40は、ボールねじ40aを介してモータ40bの回転運動を直線運動に変換してX方向可動板30に伝達し、基台2a上の案内レールに沿ってX方向可動板30をX方向において進退させる。Y方向移動手段41は、ボールねじ41aを介してモータ41bの回転運動を直線運動に変換し、Y方向可動板31に伝達し、X方向可動板30上の案内レールに沿ってY方向可動板31をY方向において進退させる。なお、図示は省略するが、X方向移動手段40、Y方向移動手段41、該回転駆動手段には、それぞれ位置検出手段が配設されており、チャックテーブル34のX方向の位置、Y方向の位置、周方向の回転位置が正確に検出され、図示しない制御手段から指示される信号に基づいてX方向移動手段40、Y方向移動手段41、及び該回転駆動手段が駆動され、任意の位置および角度にチャックテーブル34を正確に位置付けることが可能になっている。
該第1の撮像手段26は、集光器241とX方向に間隔をおいて枠体50の水平壁部52の先端下面に付設されている。該第1の撮像手段26は、可視光線により撮像する通常の撮像素子(CCD)と、被加工物に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段により照射された赤外線を捕える光学系と、該光学系が捕えた赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)とを含み(いずれも図示していない。)、後述する制御手段20に接続されている。
本実施形態では、さらに、集光器241に対してX方向に隣接して配設され、保持手段6のチャックテーブル34に保持されたウエーハ10の分割予定ライン12と該分割予定ライン12に隣接するデバイス14とを撮像する第2の撮像手段27が備えられている。該第2の撮像手段27は、下方先端部の外周を囲う様に配設され少なくとも可視光線と赤外線の光を照射可能な複数のストロボ光源を備え内部に対物レンズ272が配設されたケース部27aと、可視光線により撮像する通常の撮像素子(CCD)と(図示は省略する。)、該ケース部27aの後端部に近接した位置に該対物レンズ272が捕えた赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子27b(赤外線CCD)と、から構成されている。
図2に基づいて、本発明のウエーハの加工装置を実現すべく構成されたレーザー光線照射手段24をより具体的に説明する(図中第1の撮像手段26は省略している。)。図に示すように、レーザー光線照射手段24は、シリコン(Si)からなるウエーハ10に対して透過性を有する1064nm波長のレーザー光線LBを該集光器241から照射するためのレーザー発振器242を備え、該レーザー発振器242から発振されたレーザー光線LBは、透過率を調整することにより出力を調整するアッテネータ243に入射される。アッテネータ243にて所望の出力に調整されたレーザー光線LBは、反射ミラー244にて進行方向が変換され、集光器241内に配設された集光レンズ(図示しない。)により集光されて、チャックテーブル34に保持されたウエーハ10に照射される。なお、図2においては、ウエーハ10を保持する保護テープTと、該保護テープTを介してウエーハ10を保持する環状のフレームFは省略されている。
該レーザー光線照射手段24は、さらに、第2の撮像手段27を含み、第2の撮像手段27を構成する該リング照明271、及び撮像素子27bは制御手段20に接続されている。そして、該制御手段20の作用により、リング照明271のストロボ光源を発光させ、チャックテーブル34上のウエーハを撮像するタイミングが制御される。図2に示しているように、該対物レンズ272を介して撮像素子27bが捕えた画像は、制御手段20によって表示手段9に出力され、表示手段9の画面におけるY方向の中心を通り該Y方向と直交するX方向に伸びるセンターラインCLと共に表示される。本実施形態においては、集光器241によって照射されるレーザー光線LBの集光位置は、表示手段9に表示される画像のY方向における中心のY座標と常に一致するように調整されている。すなわち、該レーザー光線LBによってレーザー加工がウエーハに施され、チャックテーブル34がX方向で右方に移動した場合は、常にレーザー加工による加工痕が表示手段9上のセンターラインCL上を通過する。
該制御手段20は、コンピュータにより構成され、制御プログラムに従って演算処理する中央演算処理装置(CPU)と、読み込み専用のリードオンリメモリ(ROM)と、検出した検出値、演算結果等を一時的に格納するための読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)と、入力インターフェース、及び出力インターフェースとを備えている。なお、図示は省略するが、該制御手段20は、第1の撮像手段26、第2の撮像手段27のみならず、当該レーザー加工装置2の各作動部に接続され、各作動部の動作を制御する機能を有している。
本発明のレーザー加工装置2は、概ね以上のような構成を備えており、レーザー加工装置2の作用について、図1~4を参照しながら以下に説明する。
本実施形態では、上述したように、被加工物となるウエーハ10に対してレーザー加工を実施するに際し、複数のデバイス14が形成されたウエーハ10の表面10a側を保護テープTに貼着し、保護テープTを介して環状のフレームFに支持された状態でチャックテーブル34に載置し、吸引保持する。次いで、チャックテーブル34を、移動手段8によって集光器241に対しX方向に隣接した位置に間隔をおいて配設された第1の撮像手段26の直下に位置付ける。該ウエーハ10が第1の撮像手段26の直下に位置付けられたならば、赤外線が照射されることにより表面10a側の分割予定ラインを裏面10b側から捕え、パターンマッチング等の画像処理手段を実行することにより、集光器241から照射されるレーザー光線の照射位置とウエーハ10上の加工位置となる分割予定ラインの中心とを一致させる位置合わせを実施し、該位置合わせした結果は、図示しない制御手段に送られ記憶される(アライメント工程)。このように、第1の撮像手段26と制御手段20とで、アライメント手段が構成される。
該アライメント手段によりアライメント工程を実施した後、制御手段20によって実行される制御を、図2、3、及び図4に示す制御フローを参照しながら説明する。上記したアライメント工程が実施されることにより、集光器241によって照射されるレーザー光線LBの集光点の位置は、分割予定ライン12の中心に位置付けられるため、図3(a)に示すように、第2の撮像手段27によって撮像され表示手段9に表示される画像のY方向の中心を通るセンターラインCLは、分割予定ライン12の中心と一致する。
この状態で、第2の撮像手段27を用いてセンターラインCLと、デバイス14の所定位置に形成された特徴点121を撮像し、特徴点121のY座標を検出する。より具体的にいえば、本実施形態では、図3(a)に示すように、センターラインCLのY座標位置を原点(0)とする場合、該センターラインCLと該特徴点121との距離が60μmと検出されるため、該特徴点121のY座標の値は60μmとなる。なお、該特徴点121は、デバイス14を構成する微細な素子の組み合わせによって形成される特徴的なパターンを採用することができ、ウエーハ10上に形成された全てのデバイス14の所定の位置に現れる特徴的なパターンである。なお、図示したように、分割予定ライン12は、50μmの幅で形成されている。
第2の撮像手段27によって撮像された画像に基づいて、特徴点121のY座標が検出されたならば、該Y座標の値が制御手段20に送られ、制御手段20の座標記憶部に、基準となる特徴点座標:Y0(=60μm)として記憶される(ステップS1)。
上記したステップS1が実行され、制御手段20の座標記憶部に基準となる特徴点座標:Y0(=60μm)が記憶されたならば、上述したアライメント工程に基づき取得された位置情報に基づいて移動手段8を作動し、チャックテーブル34上のウエーハ10の所定の分割予定ライン12の一端部側(加工開始位置)を、集光器241の直下に位置付ける。次いで、集光器241から照射されるレーザー光線の集光点を、分割予定ライン12の幅方向の中央の内部になるように位置付け、レーザー光線発振器242、アッテネータ243を作動させ、チャックテーブル34を図2にて矢印Xで示す方向のうち左方向(往路方向)に向かって所定の加工送り速度で移動させて、該分割予定ライン12に沿ってウエーハ10の内部に改質層を形成するレーザー加工を実施する。該往路方向にチャックテーブル34を移動させながら該レーザー加工を実行し、分割予定ライン12の他端部側が集光器241の直下位置に達したならば、Y方向移動手段41を作動して、チャックテーブル34をウエーハ10に形成された分割予定ライン12の間隔(例えば、5000μm)だけY方向にインデックス送りすると共に、隣接する分割予定ライン12の他端部側を集光器241のレーザー光線照射位置に位置付ける。そして、集光器241から照射されるレーザー光線LBを、上記した往路方向にチャックテーブル34を移動させた場合と同様のレーザー加工条件にて照射しながら、チャックテーブル34の移動方向を図2にて矢印Xで示す方向のうち右方向(復路方向)に変換し、所定の加工送り速度で移動させて、該分割予定ライン12に沿ってレーザー加工を実施する。このように、本実施形態では、往路、復路でレーザー加工を施し、改質層を形成する。
ここで、本実施形態のレーザー加工装置の加工条件は、例えば、以下のように設定される。

波長 :1064nm
繰り返し周波数 :80kHz
平均出力 :3.2W
パルス幅 :4ns
送り速度 :500mm/s
インデックス量 :5000μm
ここで、本実施形態では、1つの分割予定ライン12に対する加工を終えたならば、ウエーハ10をY方向に所定幅(本実施形態では5000μm)でインデックス送りして次の分割予定ライン12に加工を施すように設定されている。したがって、ウエーハ10上に各デバイス14が設計通りに配設され、該所定幅のインデックス送り量によってインデックス送りされる限り、集光器241から照射されるレーザー光線LBの集光位置は、次の分割予定ライン12の中心位置に位置付けられる。しかし、ウエーハ10上に複数形成されている分割予定ライン12に対して該レーザー加工を施しているうちに、各分割予定ライン12の微小な膨張が積み重なり、レーザー光線の照射位置が徐々にずれてくることが起こり得る。そこで、本発明に基づき構成される実施形態では、インデックス送りされた後の分割予定ライン12に実施されるレーザー加工時に、制御手段20から第2の撮像手段27に撮像指示がなされる。これにより、リング照明271のストロボ光源が発光し、ウエーハ10上の分割予定ライン12とデバイス14が撮像され、制御手段20に静止画像が出力される。そして、該出力された静止画像(図3(b)を参照。)に基づいて、センターラインCLと該特徴点121との距離を検出して、該特徴点121のY座標、すなわち特徴点座標Y1(=54μm)を取得し、制御手段20に出力される(ステップS2)。
上記したように、加工中の特徴点座標Y1を取得したならば、制御手段20に配設されたずれ量検出部により、基準となる特徴点座標Y0に対する、加工中の特徴点座標Y1のずれ量を以下の式により検出する。
ΔY=|Y0-Y1| ・・・・・(1)
特徴点座標Y1が検出されたならば、制御手段20に設定された判断部によって、上記式(1)によって算出されるずれ量ΔY=|60μm-54μm|=6μmが、許容値(5μm)を超えるものであるのか否かを判断する(ステップS3)。この時、ずれ量ΔYが、許容値を超えない場合(=No)は、そのままステップS2に戻り、引き続きレーザー加工を実施しながらインデックス送りをする毎に、ずれ量検出部により特徴点121のずれ量を検出し、ステップS2、ステップS3を繰り返す。上記ステップS3にて、ずれ量ΔYの値が該許容値を超えた場合は、ステップS4に進み、次にインデックス送りする際は、上記ずれ量(Y0-Y1=6μm)だけ補正をしたインデックス送り量(5000μm+6μm)でインデックス送りを実施する。これにより、次回のインデックス送りが実行された場合には、図3(a)に示すように、特徴点121のY座標の値が60μmになり、基準位置に一致させることができる。なお、ずれ量が許容値を超えてステップS4にてインデックス送り量に対する補正が実行された後は、また、補正がなされる前の元のインデックス送り量に戻され、次回のインデックス送りは、補正される前のインデックス送り量(5000μm)で実行される。
上記ステップS4にてインデックス送り量の補正が実行され、次のインデックス送りが実行された後は、全ての分割予定ライン12に対する加工が完了したかを判定し(ステップS5)、完了した場合は当該制御フローに基づく制御が終了し、全ての分割予定ライン12に対する加工が完了していない場合は、ステップS2に戻り、ステップS2~S5の制御が繰り返し実行される。なお、図4に示す制御フローに基づく制御は、レーザー加工制御を実行するプログラムに対して定期的に割り込み制御として実行されるものであり、レーザー加工制御が終了した場合は、それと同時に当該制御フローに基づく制御も終了となる。
本発明に基づくレーザー加工装置では、上記したように、特徴点121のY座標の値が許容値内に収まるように、インデックス送り量の補正が実行されるため、レーザー加工によってウエーハが膨張しても、分割予定ラインの所定の位置に正確にレーザー加工が施される。また、第2の撮像手段27において、リング照明271のストロボ光源を用いて撮像することで、保持手段6に保持されたウエーハ10と集光器241とがX方向に相対的に移動している最中であっても、分割予定ライン12とデバイス14とを撮像し良好な静止画像を得ることができ、生産性が向上する。
本発明は、上記した実施形態に限定されず、本発明の技術的範囲に含まれる限り、種々の変形例が想定される。
上記した実施形態では、アライメント工程を実施するための第1の撮像手段26と、特徴点121のY座標を検出するための第2の撮像手段27とを別々に設けたが、第2の撮像手段27を、アライメント工程を実施するためのアライメント手段として兼用すれば、第1の撮像手段26を省略することができる。
上記した実施形態では、レーザー加工を実施する全ての分割予定ライン毎に特徴点121のY座標の検出を実施したが、本発明はこれに限定されず、例えば、インデックス送りが所定の回数実施される毎にレーザー加工が施される任意の分割予定ライン12において特徴点121のY座標の値を検出するようにしてもよい。
上記した実施形態では、第2の撮像手段27に対し、ケース部材27aの先端部を囲う様にその外周にリング照明271を配設したが、本発明はこれに限定されず、リング照明271に替えて、ケース部材27aの中腹部にハーフミラーを設け、該ハーフミラーに対して側方からストロボ光源によるストロボ光を照射し、該ハーフミラーにて反射したストロボ光をケース部材27aの内部からウエーハ10に照射してハーフミラーを透過する戻り光を該撮像素子27bにて撮像するようにしてもよい。
上記した実施形態では、ウエーハ10に形成されたデバイス14に形成される特徴点121は、デバイス14を構成する微細な素子の組み合わせによって形成される特徴的なパターンであることを説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば、形状が特徴的なマークをデバイス14上の所定の位置に印刷等により付与し、そのマークを特徴点としてY座標を検出し、ずれ量を検出するようにしてもよい。
2:レーザー加工装置
6:保持手段
8:移動手段
9:表示手段
10:ウエーハ
12:分割予定ライン
121:特徴点
14:デバイス
20:制御手段
24:レーザー光線照射手段
241:集光器
242:レーザー発振器
243:アッテネータ
26:第1の撮像手段
27:第2の撮像手段
27a:ケース部材
27b:撮像素子
271:リング照明
272:対物レンズ
40:X方向移動手段
41:Y方向移動手段
CL:センターライン

Claims (4)

  1. 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画された表面を有するウエーハを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にX方向に加工送りするX方向送り手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にX方向と直交するY方向に加工送りするY方向送り手段と、制御手段と、を少なくとも含み構成されるレーザー加工装置であって、
    該レーザー光線照射手段は、
    レーザー光線を発振するレーザー発振器と、該レーザー発振器が発振したレーザー光線を集光し該保持手段に保持されたウエーハの分割予定ラインにレーザー光線を照射する集光器と、
    該集光器に対してX方向に配設され該保持手段に保持されたウエーハの分割予定ラインと隣接するデバイスを撮像する撮像手段と、から少なくとも構成され、
    該レーザー光線照射手段は、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し、該集光器が集光するレーザー光線の集光点が分割予定ラインの内部に位置付けられて分割予定ラインに沿って内部に改質層を形成するものであり、
    該撮像手段は、赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子と、対物レンズと、赤外線を照射可能なストロボ光源と、を備え、該保持手段に保持されたウエーハと該集光器とがX方向に相対的に移動している際に静止画像を生成し、該保持手段にウエーハの表面が保持され、該撮像手段はウエーハの裏面から表面に形成されている特徴点を撮像するものであって、
    該制御手段は、
    該集光器が集光するレーザー光線の集光点と分割予定ラインの所定位置とがY方向で一致する位置を基準として分割予定ラインと所定の位置関係を有する特徴点のY座標を基準値として記憶する座標記憶部と、
    該Y方向送り手段によってウエーハの分割予定ラインをY方向にインデックス送りし、該撮像手段によって撮像された特徴点のY座標と該座標記憶部に基準値として記憶されたY座標とにより、各分割予定ラインの内部に形成された改質層に起因する膨張がY方向に蓄積されることで生じたY座標のずれ量を検出するずれ量検出部と、
    該ずれ量が許容値を超えているか否かを判断する判断部と、を備え、
    該判断部によって該ずれ量が許容値を超えていると判断された場合、該Y方向移動手段によってインデックス送りする量を該ずれ量だけ補正して次のインデックス送りを実施し、該インデックス送り量に対する補正が実行された後は、補正がなされる前の元のインデックス量に戻されるものであって、
    該ずれ量検出部は、該保持手段に保持されたウエーハと該集光器とがX方向に相対的に移動している際に作動するレーザー加工装置。
  2. 該ずれ量検出部は、任意の分割予定ラインで作動する請求項1に記載のレーザー加工装置。
  3. 該ずれ量検出部は、分割予定ライン毎で作動する請求項1に記載のレーザー加工装置。
  4. 該保持手段に保持されたウエーハを撮像して該集光器で集光されるレーザー光線のスポットと分割予定ラインとを一致させるアライメント手段を備え、該撮像手段は、該アライメント手段で兼用される請求項1乃至3のいずれかに記載のレーザー加工装置。
JP2017048574A 2017-03-14 2017-03-14 レーザー加工装置 Active JP7032050B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017048574A JP7032050B2 (ja) 2017-03-14 2017-03-14 レーザー加工装置
TW107105881A TWI742247B (zh) 2017-03-14 2018-02-22 雷射加工裝置
MYPI2018700776A MY189802A (en) 2017-03-14 2018-02-27 Laser processing apparatus
KR1020180028575A KR102355837B1 (ko) 2017-03-14 2018-03-12 레이저 가공 장치
CN201810203259.4A CN108568593B (zh) 2017-03-14 2018-03-13 激光加工装置
US15/921,137 US10695870B2 (en) 2017-03-14 2018-03-14 Laser processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017048574A JP7032050B2 (ja) 2017-03-14 2017-03-14 レーザー加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018152494A JP2018152494A (ja) 2018-09-27
JP7032050B2 true JP7032050B2 (ja) 2022-03-08

Family

ID=63520938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017048574A Active JP7032050B2 (ja) 2017-03-14 2017-03-14 レーザー加工装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10695870B2 (ja)
JP (1) JP7032050B2 (ja)
KR (1) KR102355837B1 (ja)
CN (1) CN108568593B (ja)
MY (1) MY189802A (ja)
TW (1) TWI742247B (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7120903B2 (ja) 2018-10-30 2022-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
WO2020090894A1 (ja) 2018-10-30 2020-05-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6878391B2 (ja) * 2018-12-18 2021-05-26 ファナック株式会社 ロボットシステムとその調整方法
CN109676269B (zh) * 2019-01-31 2021-02-23 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种led晶圆片的激光预分割方法及装置
WO2020187453A1 (en) * 2019-03-20 2020-09-24 Bobst Mex Sa Characterization method and system for a laser processing machine with a moving sheet or web
KR102330173B1 (ko) 2019-03-29 2021-11-26 엘케이제작소 주식회사 Cnc 레이저 절단기용 얼라이먼트 조절기
JP7273618B2 (ja) * 2019-05-30 2023-05-15 株式会社ディスコ 加工装置
CN110262106B (zh) * 2019-06-24 2021-12-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其激光切割方法
TW202115783A (zh) * 2019-07-18 2021-04-16 日商東京威力科創股份有限公司 處理裝置及處理方法
JP7286464B2 (ja) * 2019-08-02 2023-06-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP7296840B2 (ja) 2019-09-26 2023-06-23 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP7355629B2 (ja) 2019-12-05 2023-10-03 株式会社ディスコ レーザー加工装置の調整方法
CN111889903B (zh) * 2020-07-21 2021-12-10 惠民县久盛铝业有限公司 一种基于铝合金加工用激光切割装置的自动校对机构
CN112611445A (zh) * 2021-01-06 2021-04-06 中国计量大学 一种针对齿轮机构的激光测振系统及方法
WO2023203614A1 (ja) * 2022-04-18 2023-10-26 ヤマハ発動機株式会社 レーザ加工装置、レーザ加工方法、レーザ加工プログラム、記録媒体、半導体チップ製造方法および半導体チップ
WO2023203611A1 (ja) * 2022-04-18 2023-10-26 ヤマハ発動機株式会社 レーザ加工装置、レーザ加工方法、レーザ加工プログラム、記録媒体、半導体チップ製造方法および半導体チップ
WO2023203612A1 (ja) * 2022-04-18 2023-10-26 ヤマハ発動機株式会社 レーザ加工装置、レーザ加工方法、レーザ加工プログラム、記録媒体、半導体チップ製造方法および半導体チップ
WO2023203613A1 (ja) * 2022-04-18 2023-10-26 ヤマハ発動機株式会社 レーザ加工装置、レーザ加工方法、レーザ加工プログラム、記録媒体、半導体チップ製造方法および半導体チップ

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008087026A (ja) 2006-10-02 2008-04-17 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2010075952A (ja) 2008-09-25 2010-04-08 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置
JP2011049454A (ja) 2009-08-28 2011-03-10 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
JP2013031871A (ja) 2011-08-02 2013-02-14 Disco Corp 変位量検出方法およびレーザー加工装置
JP2013128088A (ja) 2011-11-18 2013-06-27 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2014082296A (ja) 2012-10-16 2014-05-08 Disco Abrasive Syst Ltd 加工方法
JP2016104491A (ja) 2014-12-01 2016-06-09 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP5134216B2 (ja) * 2006-06-23 2013-01-30 株式会社ディスコ ウエーハの加工結果管理方法
JP4959318B2 (ja) * 2006-12-20 2012-06-20 株式会社ディスコ ウエーハの計測装置およびレーザー加工機
JP2008207210A (ja) * 2007-02-26 2008-09-11 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー光線照射装置およびレーザー加工機
JP6030299B2 (ja) * 2011-12-20 2016-11-24 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6151557B2 (ja) 2013-05-13 2017-06-21 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP6148108B2 (ja) * 2013-08-05 2017-06-14 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6121281B2 (ja) * 2013-08-06 2017-04-26 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6215730B2 (ja) * 2014-02-26 2017-10-18 株式会社ディスコ 加工装置におけるウエーハの中心検出方法
JP6339514B2 (ja) * 2015-03-25 2018-06-06 Towa株式会社 切断装置及び切断方法
JP6478801B2 (ja) * 2015-05-19 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008087026A (ja) 2006-10-02 2008-04-17 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2010075952A (ja) 2008-09-25 2010-04-08 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置
JP2011049454A (ja) 2009-08-28 2011-03-10 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
JP2013031871A (ja) 2011-08-02 2013-02-14 Disco Corp 変位量検出方法およびレーザー加工装置
JP2013128088A (ja) 2011-11-18 2013-06-27 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2014082296A (ja) 2012-10-16 2014-05-08 Disco Abrasive Syst Ltd 加工方法
JP2016104491A (ja) 2014-12-01 2016-06-09 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180105079A (ko) 2018-09-27
MY189802A (en) 2022-03-08
CN108568593A (zh) 2018-09-25
TWI742247B (zh) 2021-10-11
KR102355837B1 (ko) 2022-01-25
TW201838001A (zh) 2018-10-16
CN108568593B (zh) 2021-08-17
JP2018152494A (ja) 2018-09-27
US10695870B2 (en) 2020-06-30
US20180264599A1 (en) 2018-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7032050B2 (ja) レーザー加工装置
JP6388823B2 (ja) レーザー加工装置
JP6907011B2 (ja) レーザー加工装置、及びレーザー加工方法
JP5395411B2 (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP6411822B2 (ja) レーザー加工装置
JP2008036667A (ja) レーザー光線照射装置およびレーザー加工機
US20160172182A1 (en) Laser processing apparatus
TW201641204A (zh) 雷射加工裝置
JP2008036695A (ja) レーザー光線照射装置およびレーザー加工機
JP5788749B2 (ja) レーザー加工装置
JP2008207210A (ja) レーザー光線照射装置およびレーザー加工機
JP6494991B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2013078785A (ja) レーザー加工装置の集光スポット位置検出方法
JP5902490B2 (ja) レーザー光線のスポット形状検出方法およびスポット形状検出装置
JP5833373B2 (ja) レーザー加工装置
JP6224462B2 (ja) レーザー加工装置における加工送り機構の作動特性検出方法およびレーザー加工装置
JP2017135132A (ja) レーザー加工装置
JP5872814B2 (ja) 変位量検出方法およびレーザー加工装置
JP2012091218A (ja) レーザー加工装置
JP2021087982A (ja) レーザー加工装置の調整方法
JP2016196018A (ja) レーザー加工装置
JP2012192415A (ja) レーザー加工装置
JP2018182111A (ja) 被加工物の加工方法
JP2022072131A (ja) レーザー加工装置
JP7032147B2 (ja) 加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200109

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201208

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210204

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210720

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210913

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220201

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220224

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7032050

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150