JP2012091218A - レーザー加工装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】加工送り方向(X軸方向)と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)にも分散されている加工位置にも1回のレーザー加工工程においてレーザー加工することができるレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブルと、レーザー光線照射手段と、チャックテーブルを相対的に加工送りする加工送り手段(X軸方向)と割り出し送り手段(Y軸方向)とを具備するレーザー加工装置であって、レーザー光線照射手段は、レーザー光線発振器と集光器との間に配設され集光器に入光せしめるレーザー光線の光軸を少なくともX軸方向に偏向して該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射すべき領域を規定する第1のレーザー光線走査手段と、第1のレーザー光線走査手段に規定された領域においてレーザー光線発振器から発振されたレーザー光線をX軸方向およびY軸方向に偏向する第2のレーザー光線走査手段とを具備する。
【選択図】図10
【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブルと、レーザー光線照射手段と、チャックテーブルを相対的に加工送りする加工送り手段(X軸方向)と割り出し送り手段(Y軸方向)とを具備するレーザー加工装置であって、レーザー光線照射手段は、レーザー光線発振器と集光器との間に配設され集光器に入光せしめるレーザー光線の光軸を少なくともX軸方向に偏向して該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射すべき領域を規定する第1のレーザー光線走査手段と、第1のレーザー光線走査手段に規定された領域においてレーザー光線発振器から発振されたレーザー光線をX軸方向およびY軸方向に偏向する第2のレーザー光線走査手段とを具備する。
【選択図】図10
Description
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物にレーザー加工を施すためのレーザー加工装置に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。
装置の小型化、高機能化を図るため、複数のデバイスを積層し、積層されたデバイスに設けられたボンディングパッドを接続するモジュール構造が実用化されている。このモジュール構造は、半導体ウエーハにおけるボンディングパッドが設けられた箇所に貫通孔(ビアホール)を形成し、このビアホールにボンディングパッドと接続するアルミニウム等の導電性材料を埋め込む構成である。(例えば、特許文献1参照。)
上述した半導体ウエーハに設けられるビアホールは、ドリルによって形成されている。しかるに、半導体ウエーハに設けられるビアホールは直径が90〜300μmと小さく、ドリルによる穿孔では生産性が悪いという問題がある。
上記問題を解消するために、基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともに該デバイスにボンディングパッドが形成されているウエーハに、基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを効率よく形成することができるレーザー加工装置が提案されている。(例えば、特許文献2参照。)
而して、上記特許文献2に開示されたレーザー加工装置は、同一の加工送り方向(X軸方向)に沿って配設されたボンディングパッドに対応する位置には連続加工が可能であるが、加工送り方向(X軸方向)と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)にも分散してボンディングパッドが形成されている場合には、同一のX軸方向線方向毎にレーザー加工工程を実施しなければならず、生産性の面で必ずしも満足し得るものではない。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、加工送り方向(X軸方向)と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)にも分散されている加工位置にも1回のレーザー加工工程においてレーザー加工することができるレーザー加工装置を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを加工送り方向(X軸方向)に相対的に加工送りする加工送り手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを加工送り方向(X軸方向)と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)に相対的に加工送りする割り出し送り手段と、該チャックテーブルのX軸方向の移動位置を検出するためのX軸方向位置検出手段と、該チャックテーブルのY軸方向の移動位置を検出するためのY軸方向位置検出手段と、該X軸方向位置検出手段およびY軸方向位置検出手段からの検出信号に基づいて該レーザー光線照射手段と該加工送り手段と該割り出し送り手段を制御する制御手段と、を具備するレーザー加工装置において、
該レーザー光線照射手段は、該レーザー光線発振器と該集光器との間に配設され該集光器に入光せしめるレーザー光線の光軸を少なくともX軸方向に偏向して該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射すべき領域を規定する第1のレーザー光線走査手段と、
該第1のレーザー光線走査手段に規定された領域において該レーザー光線発振器から発振されたレーザー光線をX軸方向およびY軸方向に偏向する第2のレーザー光線走査手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー光線照射装置。
該レーザー光線照射手段は、該レーザー光線発振器と該集光器との間に配設され該集光器に入光せしめるレーザー光線の光軸を少なくともX軸方向に偏向して該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射すべき領域を規定する第1のレーザー光線走査手段と、
該第1のレーザー光線走査手段に規定された領域において該レーザー光線発振器から発振されたレーザー光線をX軸方向およびY軸方向に偏向する第2のレーザー光線走査手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー光線照射装置。
上記第1のレーザー光線走査手段は、少なくともX軸方向位置検出手段からの検出信号に基づいてチャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射すべき領域を規定する。
また、上記第1のレーザー光線走査手段は、ガルバノスキャナーからなっている。
更に、上記第2のレーザー光線走査手段は、パルスレーザー光線発振器が発振したレーザー光線の光軸をX軸方向に偏向する第1の音響光学偏向手段と、レーザー光線発振器が発振したレーザー光線の光軸をY軸方向に偏向する第2の音響光学偏向手段とからなっている。
また、上記第1のレーザー光線走査手段は、ガルバノスキャナーからなっている。
更に、上記第2のレーザー光線走査手段は、パルスレーザー光線発振器が発振したレーザー光線の光軸をX軸方向に偏向する第1の音響光学偏向手段と、レーザー光線発振器が発振したレーザー光線の光軸をY軸方向に偏向する第2の音響光学偏向手段とからなっている。
本発明によるレーザー光線照射装置においては、チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段は、レーザー光線発振器と集光器との間に配設され集光器に入光せしめるレーザー光線の光軸を少なくとも加工送り方向(X軸方向)に偏向してチャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射すべき領域を規定する第1のレーザー光線走査手段と、第1のレーザー光線走査手段に規定された領域においてレーザー光線発振器から発振されたレーザー光線をX軸方向およびX軸方向と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)に偏向する第2のレーザー光線走査手段とを具備しているので、X軸方向と直交するY軸方向にも分散して形成されている加工位置に1回の加工工程においてレーザー加工を施すことができる。
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
図1には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図1に示すレーザー加工装置は、静止基台2と、該静止基台2に矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構3と、静止基台2に上記矢印Xで示す方向(X軸方向)と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構4と、該レーザー光線照射ユニット支持機構4に矢印Zで示す方向(Z軸方向)に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット5とを具備している。
上記チャックテーブル機構3は、静止基台2上に矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に沿って平行に配設された一対の案内レール31、31と、該案内レール31、31上に矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に移動可能に配設された第1の滑動ブロック32と、該第1の滑動ブロック32上に矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に配設された第2の滑動ブロック33と、該第2の滑動ブロック33上に円筒部材34によって支持されたカバーテーブル35と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル36を具備している。このチャックテーブル36は多孔性材料から形成された吸着チャック361を具備しており、吸着チャック361上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル36は、円筒部材34内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル36には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ362が配設されている。
上記第1の滑動ブロック32は、その下面に上記一対の案内レール31、31と嵌合する一対の被案内溝321、321が設けられているとともに、その上面に矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に沿って平行に形成された一対の案内レール322、322が設けられている。このように構成された第1の滑動ブロック32は、被案内溝321、321が一対の案内レール31、31に嵌合することにより、一対の案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第1の滑動ブロック32を一対の案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に移動させるための加工送り手段37を具備している。この加工送り手段37は、上記一対の案内レール31と31の間に平行に配設された雄ネジロッド371と、該雄ネジロッド371を回転駆動するためのパルスモータ372等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド371は、その一端が上記静止基台2に固定された軸受ブロック373に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ372の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド371は、第1の滑動ブロック32の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ372によって雄ネジロッド371を正転および逆転駆動することにより、第1の滑動ブロック32は案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に移動せしめられる。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記チャックテーブル36の加工送り量即ちX軸方向位置を検出するためのX軸方向位置検出手段374を備えている。X軸方向位置検出手段374は、案内レール31に沿って配設されたリニアスケール374aと、第1の滑動ブロック32に配設され第1の滑動ブロック32とともにリニアスケール374aに沿って移動する読み取りヘッド374bとからなっている。このX軸方向位置検出手段374の読み取りヘッド374bは、図示の実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36の加工送り量即ちX軸方向の位置を検出する。なお、上記加工送り手段37の駆動源としてパルスモータ372を用いた場合には、パルスモータ372に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル36の加工送り量即ちX軸方向の位置を検出することもできる。また、上記加工送り手段37の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36の加工送り量即ちX軸方向の位置を検出することもできる。
上記第2の滑動ブロック33は、その下面に上記第1の滑動ブロック32の上面に設けられた一対の案内レール322、322と嵌合する一対の被案内溝331、331が設けられており、この被案内溝331、331を一対の案内レール322、322に嵌合することにより、矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第2の滑動ブロック33を第1の滑動ブロック32に設けられた一対の案内レール322、322に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動させるための第1の割り出し送り手段38を具備している。この第1の割り出し送り手段38は、上記一対の案内レール322と322の間に平行に配設された雄ネジロッド381と、該雄ネジロッド381を回転駆動するためのパルスモータ382等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド381は、その一端が上記第1の滑動ブロック32の上面に固定された軸受ブロック383に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ382の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド381は、第2の滑動ブロック33の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ382によって雄ネジロッド381を正転および逆転駆動することにより、第2の滑動ブロック33は案内レール322、322に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動せしめられる。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記第2の滑動ブロック33の割り出し加工送り量即ちY軸方向位置を検出するためのY軸方向位置検出手段384を備えている。このY軸方向位置検出手段384は、案内レール322に沿って配設されたリニアスケール384aと、第2の滑動ブロック33に配設され第2の滑動ブロック33とともにリニアスケール384aに沿って移動する読み取りヘッド384bとからなっている。このY軸方向位置検出手段384の読み取りヘッド384bは、図示の実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36の割り出し送り量即ちY軸方向の位置を検出する。なお、上記第1の割り出し送り手段38の駆動源としてパルスモータ382を用いた場合には、パルスモータ382に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル36の割り出し送り量即ちY軸方向の位置を検出することもできる。また、上記第1の割り出し送り手段38の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36の割り出し送り量即ちY軸方向の位置を検出することもできる。
上記レーザー光線照射ユニット支持機構4は、静止基台2上に矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に沿って平行に配設された一対の案内レール41、41と、該案内レール41、41上に矢印Yで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台42を具備している。この可動支持基台42は、案内レール41、41上に移動可能に配設された移動支持部421と、該移動支持部421に取り付けられた装着部422とからなっている。装着部422は、一側面に矢印Zで示す方向(Z軸方向)に延びる一対の案内レール423、423が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構4は、可動支持基台42を一対の案内レール41、41に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動させるための第2の割り出し送り手段43を具備している。この第2の割り出し送り手段43は、上記一対の案内レール41、41の間に平行に配設された雄ネジロッド431と、該雄ネジロッド431を回転駆動するためのパルスモータ432等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド431は、その一端が上記静止基台2に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ432の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド431は、可動支持基台42を構成する移動支持部421の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ432によって雄ネジロッド431を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台42は案内レール41、41に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動せしめられる。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51と、該ユニットホルダ51に取り付けられたレーザー光線照射手段52を具備している。ユニットホルダ51は、上記装着部422に設けられた一対の案内レール423、423に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝511、511が設けられており、この被案内溝511、511を上記案内レール423、423に嵌合することにより、矢印Zで示す方向(Z軸方向)に移動可能に支持される。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51と、該ユニットホルダ51に取り付けられたレーザー光線照射手段52を具備している。ユニットホルダ51は、上記装着部422に設けられた一対の案内レール423、423に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝511、511が設けられており、この被案内溝511、511を上記案内レール423、423に嵌合することにより、矢印Zで示す方向に移動可能に支持される。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51を一対の案内レール423、423に沿って矢印Zで示す方向(Z軸方向)に移動させるための移動手段53を具備している。移動手段53は、一対の案内レール423、423の間に配設された雄ネジロッド(図示せず)と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ532等の駆動源を含んでおり、パルスモータ532によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ51およびレーザ光線照射手段52を案内レール423、423に沿って矢印Zで示す方向(Z軸方向)に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ532を正転駆動することによりレーザー光線照射手段52を上方に移動し、パルスモータ532を逆転駆動することによりレーザー光線照射手段52を下方に移動するようになっている。
図示のレーザー光線照射手段52は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング521を含んでいる。ケーシング521内には図2に示すようにパルスレーザー光線発振手段61と、パルスレーザー光線発振手段61から発振されパルスレーザー光線を集光する集光器62と、パルスレーザー光線発振手段61と集光器62との間に配設され集光器62に入光せしめるパルスレーザー光線の光軸を少なくともX軸方向に偏向してチャックテーブル36に保持された被加工物にレーザー光線を照射すべき領域を規定する第1のレーザー光線走査手段63と、第1のレーザー光線走査手段63に規定された領域においてパルスレーザー光線発振手段61によって発振されたパルスレーザー光線をX軸方向およびY軸方向に偏向する第2のレーザー光線走査手段64とを具備している。
上記パルスレーザー光線発振手段61は、パルスレーザー光線発振器611と、これに付設された繰り返し周波数設定手段612とから構成されている。パルスレーザー光線発振器611は、図示の実施形態においてはYVO4レーザーまたはYAGレーザー発振器からなり、シリコン等の被加工物に対して吸収性を有する波長(例えば355nm)のパルスレーザー光線LBを発振する。繰り返し周波数設定手段612は、パルスレーザー光線発振器611から発振されるパルスレーザー光線の周波数を設定する。
上記集光器62は、パルスレーザー光線発振手段61から発振されパルスレーザー光線を集光してチャックテーブル36に保持された被加工物に照射する集光レンズ632を具備しており、ケーシング521の先端に装着されている。
上記第1のレーザー光線走査手段63は、ガルバノスキャナーからなっている。ガルバノスキャナーからなる第1のレーザー光線走査手段63は、ミラー631と、該ミラー631の設置角度を調整する角度調整アクチュエータ632とによって構成されている。角度調整アクチュエータ632は、その回動軸632aがミラー631に伝動連結されている。この角度調整アクチュエータ632は、後述する制御手段によって制御され、ミラー631の設置角度を図3において1点鎖線で示す状態から2点差線で示すように変更する。ミラー631が図3において実線で示す状態に位置付けられている場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線LBは、その光軸が図3において実線で示すように集光点Paに集光される。また、ミラー631が図3において1点鎖線で示す状態に位置付けられている場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線LBは、その光軸が図3において1点鎖線で示すように上記集光点Paから加工送り方向(X軸方向)に図3において左方に所定量変位した集光点Pbに集光される。また、ミラー631が図3において2点鎖線で示す状態に位置付けられている場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線LBは、その光軸が図3において2点鎖線で示すように上記集光点Paから加工送り方向(X軸方向)に図3において右方に所定量変位した集光点Pcに集光される。
図2に戻って説明を続けると、上記第2のレーザー光線走査手段64は、パルスレーザー光線発振手段61が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向(X軸方向)に偏向する第1の音響光学偏向手段65と、パルスレーザー光線発振手段61が発振したレーザー光線の光軸を割り出し送り方向(Y軸方向)に偏向する第2の音響光学偏向手段66とからなっている。
上記第1の音響光学偏向手段65は、パルスレーザー光線発振手段61が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向(X軸方向)に偏向する第1の音響光学素子651と、該第1の音響光学素子651に印加するRF(radio frequency)を生成する第1のRF発振器652と、該第1のRF発振器652によって生成されたRFのパワーを増幅して第1の音響光学素子651に印加する第1のRFアンプ653と、第1のRF発振器652によって生成されるRFの周波数を調整する第1の偏向角度調整手段654と、第1のRF発振器652によって生成されるRFの振幅を調整する第1の出力調整手段655を具備している。上記第1の音響光学素子651は、印加されるRFの周波数に対応してレーザー光線の光軸を偏向する角度を調整することができるとともに、印加されるRFの振幅に対応してレーザー光線の出力を調整することができる。なお、上記第1の偏向角度調整手段654および第1の出力調整手段655は、後述する制御手段によって制御される。
上記第2の音響光学偏向手段66は、パルスレーザー光線発振手段61が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向(X軸方向)と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)に偏向する第2の音響光学素子661と、該第2の音響光学素子661に印加するRFを生成する第2のRF発振器662と、該RF発振器662によって生成されたRFのパワーを増幅して第2の音響光学素子661に印加する第2のRFアンプ663と、第2のRF発振器662によって生成されるRFの周波数を調整する第2の偏向角度調整手段664と、第2のRF発振器662によって生成されるRFの振幅を調整する第2の出力調整手段665を具備している。上記第2の音響光学素子661は、印加されるRFの周波数に対応してレーザー光線の光軸を偏向する角度を調整することができるとともに、印加されるRFの振幅に対応してレーザー光線の出力を調整することができる。なお、上記第2の偏向角度調整手段664および第2の出力調整手段665は、後述する制御手段によって制御される。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射手段52は、上記第1の音響光学素子651に所定周波数のRFが印加された場合に、図2において破線で示すように第1の音響光学素子651によって偏向されたレーザー光線を吸収するためのレーザー光線吸収手段67を具備している。
図示の実施形態における第2のレーザー光線走査手段64は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
第2のレーザー光線走査手段64を構成する第1の音響光学偏向手段65の第1の偏向角度調整手段654に例えば10Vの電圧が印加され、第1の音響光学素子651に10Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図4において実線で示すように偏向されガルバノスキャナーからなる第1のレーザー光線走査手段63を構成するミラー631の位置(d1)に導かれる。また、第1の偏向角度調整手段654に例えば15Vの電圧が印加され、第1の音響光学素子651に15Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図4において1点鎖線で示すように偏向されミラー631の位置(d2)に導かれる。一方、第1の偏向角度調整手段654に例えば5Vの電圧が印加され、第1の音響光学素子651に5Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図4において2点鎖線で示すように偏向されミラー631の位置(d3)に導かれる。また、第1の音響光学偏向手段65の第1の偏向角度調整手段654に例えば0Vの電圧が印加され、第1の音響光学素子651に0Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、図2において破線で示すようにレーザー光線吸収手段67に導かれる。このように、第1の音響光学素子651によって偏向されたレーザー光線は、第1の偏向角度調整手段654に印加される電圧に対応して加工送り方向(X軸方向)に偏向せしめられる。
第2のレーザー光線走査手段64を構成する第1の音響光学偏向手段65の第1の偏向角度調整手段654に例えば10Vの電圧が印加され、第1の音響光学素子651に10Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図4において実線で示すように偏向されガルバノスキャナーからなる第1のレーザー光線走査手段63を構成するミラー631の位置(d1)に導かれる。また、第1の偏向角度調整手段654に例えば15Vの電圧が印加され、第1の音響光学素子651に15Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図4において1点鎖線で示すように偏向されミラー631の位置(d2)に導かれる。一方、第1の偏向角度調整手段654に例えば5Vの電圧が印加され、第1の音響光学素子651に5Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図4において2点鎖線で示すように偏向されミラー631の位置(d3)に導かれる。また、第1の音響光学偏向手段65の第1の偏向角度調整手段654に例えば0Vの電圧が印加され、第1の音響光学素子651に0Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、図2において破線で示すようにレーザー光線吸収手段67に導かれる。このように、第1の音響光学素子651によって偏向されたレーザー光線は、第1の偏向角度調整手段654に印加される電圧に対応して加工送り方向(X軸方向)に偏向せしめられる。
次に,第2のレーザー光線走査手段64を構成する第2の音響光学偏向手段66の作用について、図5を参照して説明する。
第2の偏向角度調整手段664に例えば10Vの電圧が印加され、第2の音響光学素子661に10Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図5において実線で示すようにガルバノスキャナーからなる第1のレーザー光線走査手段63を構成するミラー631の位置(e1)に導かれる。また、第2の偏向角度調整手段664に例えば15Vの電圧が印加され、第2の音響光学素子661に15Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図5において1点鎖線で示すように偏向され、ガルバノスキャナーからなる第1のレーザー光線走査手段63を構成するミラー631における上記位置(e1)から割り出し送り方向(Y軸方向)に図5において下方に所定量変位した位置(e2)に導かれる。一方、第1の偏向角度調整手段664に例えば5Vの電圧が印加され、第1の音響光学素子651に5Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図5において2点鎖線で示すように偏向され、ガルバノスキャナーからなる第2のレーザー光線走査手段64を構成するミラー631における上記位置(e1)から割り出し送り方向(Y軸方向)に図5において上方に所定量変位した位置(e3)に導かれる。
第2の偏向角度調整手段664に例えば10Vの電圧が印加され、第2の音響光学素子661に10Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図5において実線で示すようにガルバノスキャナーからなる第1のレーザー光線走査手段63を構成するミラー631の位置(e1)に導かれる。また、第2の偏向角度調整手段664に例えば15Vの電圧が印加され、第2の音響光学素子661に15Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図5において1点鎖線で示すように偏向され、ガルバノスキャナーからなる第1のレーザー光線走査手段63を構成するミラー631における上記位置(e1)から割り出し送り方向(Y軸方向)に図5において下方に所定量変位した位置(e2)に導かれる。一方、第1の偏向角度調整手段664に例えば5Vの電圧が印加され、第1の音響光学素子651に5Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図5において2点鎖線で示すように偏向され、ガルバノスキャナーからなる第2のレーザー光線走査手段64を構成するミラー631における上記位置(e1)から割り出し送り方向(Y軸方向)に図5において上方に所定量変位した位置(e3)に導かれる。
ここで、上記第1のレーザー光線走査手段63と第2のレーザー光線走査手段64の特性について説明する。
ガルバノスキャナーからなる第1のレーザー光線走査手段63は、角度調整アクチュエータ632を作動することによりミラー631の設置角度が変更するので、ミラー631の設置角度を大きく変更することができるため、レーザー光線の照射範囲を大きくとることができる。なお、第1のレーザー光線走査手段63としては、ガルバノスキャナーの外にピエゾスキャナーを用いることができる。一方、第2のレーザー光線走査手段64は、図示の実施形態においては第1の音響光学素子651を備えた第1の音響光学偏向手段65および第2の音響光学素子661を備えた第2の音響光学偏向手段66を用いているので、ガルバノスキャナーのように大きな角度偏向は不可能であるが、レーザー光線の光軸の偏向にミラーを用いず慣性力を伴わないため、光軸の制御を迅速且つ正確に実施することができる。なお、第2のレーザー光線走査手段64としては音響光学偏向手段の外に電気光学偏向手段(EOD:Electro Optic Deflector)を用いることができる。
ガルバノスキャナーからなる第1のレーザー光線走査手段63は、角度調整アクチュエータ632を作動することによりミラー631の設置角度が変更するので、ミラー631の設置角度を大きく変更することができるため、レーザー光線の照射範囲を大きくとることができる。なお、第1のレーザー光線走査手段63としては、ガルバノスキャナーの外にピエゾスキャナーを用いることができる。一方、第2のレーザー光線走査手段64は、図示の実施形態においては第1の音響光学素子651を備えた第1の音響光学偏向手段65および第2の音響光学素子661を備えた第2の音響光学偏向手段66を用いているので、ガルバノスキャナーのように大きな角度偏向は不可能であるが、レーザー光線の光軸の偏向にミラーを用いず慣性力を伴わないため、光軸の制御を迅速且つ正確に実施することができる。なお、第2のレーザー光線走査手段64としては音響光学偏向手段の外に電気光学偏向手段(EOD:Electro Optic Deflector)を用いることができる。
図1に戻って説明を続けると、図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、ケーシング521の前端部に配設され上記レーザー光線照射手段52によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段11を備えている。この撮像手段11は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、制御手段20を具備している。制御手段20はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置(CPU)201と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ(ROM)202と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)203と、カウンター204と、入力インターフェース205および出力インターフェース206を備えている。制御手段20の入力インターフェース205には、上記X軸方向位置検出手段374、Y軸方向位置検出手段384および撮像手段11等からの検出信号が入力される。そして、制御手段20の出力インターフェース206からは、上記パルスモータ372、パルスモータ382、パルスモータ432、パルスモータ532、レーザー光線照射手段52のパルスレーザー光線発振手段61、第1のレーザー光線走査手段63を構成する角度調整アクチュエータ632、第2のレーザー光線走査手段64の第1の音響光学偏向手段65を構成する第1の偏向角度調整手段654および第1の出力調整手段655、第2のレーザー光線走査手段64の第2の音響光学偏向手段66を構成する偏向角度調整手段664および第2の出力調整手段665等に制御信号を出力する。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図6にはレーザー加工される被加工物としての半導体ウエーハ30の平面図が示されている。図6に示す半導体ウエーハ30は、例えば厚みが100μmのシリコン基板300の表面300aに格子状に配列された複数の分割予定ライン301によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス302がそれぞれ形成されている。この各デバイス302は、全て同一の構成をしている。デバイス302の表面にはそれぞれ図7に示すように複数のボンディングパッド303(303a〜303j)が形成されている。このボンディングパッド303(303a〜303j)は、図示の実施形態においてはアルミニウムによって形成されている。なお、図示の実施形態においては、303aと303f、303bと303g、303cと303h、303dと303i、303eと303jは、X方向位置が同一である。このように各デバイス302に形成されたボンディングパッド303(303a〜303j)のX,Y座標値は、その設計値のデータが上記ランダムアクセスメモリ(RAM)203に格納されている。また、各デバイス302の中心SのX,Y座標値および中心Sから各ボンディングパッド303(303a〜303j)までのX方向距離およびY方向距離の設計値のデータが上記ランダムアクセスメモリ(RAM)203に格納されている。
図6にはレーザー加工される被加工物としての半導体ウエーハ30の平面図が示されている。図6に示す半導体ウエーハ30は、例えば厚みが100μmのシリコン基板300の表面300aに格子状に配列された複数の分割予定ライン301によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス302がそれぞれ形成されている。この各デバイス302は、全て同一の構成をしている。デバイス302の表面にはそれぞれ図7に示すように複数のボンディングパッド303(303a〜303j)が形成されている。このボンディングパッド303(303a〜303j)は、図示の実施形態においてはアルミニウムによって形成されている。なお、図示の実施形態においては、303aと303f、303bと303g、303cと303h、303dと303i、303eと303jは、X方向位置が同一である。このように各デバイス302に形成されたボンディングパッド303(303a〜303j)のX,Y座標値は、その設計値のデータが上記ランダムアクセスメモリ(RAM)203に格納されている。また、各デバイス302の中心SのX,Y座標値および中心Sから各ボンディングパッド303(303a〜303j)までのX方向距離およびY方向距離の設計値のデータが上記ランダムアクセスメモリ(RAM)203に格納されている。
上述したレーザー加工装置を用い、半導体ウエーハ30に形成された各デバイス302のボンディングパッド303(303a〜303j)部にレーザー加工孔(ビアホール)を形成するレーザー加工の実施形態について説明する。
半導体ウエーハ30は、図8に示すように環状のフレーム40に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ50に表面300aを貼着する。従って、半導体ウエーハ30は、裏面300bが上側となる。このようにして環状のフレーム40に保護テープ50を介して支持された半導体ウエーハ30は、図1に示すレーザー加工装置のチャックテーブル36上に保護テープ50側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ30は、保護テープ50を介してチャックテーブル36上に吸引保持される。従って、半導体ウエーハ30は、裏面300bを上側にして保持される。また、環状のフレーム40は、クランプ362によって固定される。
半導体ウエーハ30は、図8に示すように環状のフレーム40に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ50に表面300aを貼着する。従って、半導体ウエーハ30は、裏面300bが上側となる。このようにして環状のフレーム40に保護テープ50を介して支持された半導体ウエーハ30は、図1に示すレーザー加工装置のチャックテーブル36上に保護テープ50側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ30は、保護テープ50を介してチャックテーブル36上に吸引保持される。従って、半導体ウエーハ30は、裏面300bを上側にして保持される。また、環状のフレーム40は、クランプ362によって固定される。
上述したように半導体ウエーハ30を吸引保持したチャックテーブル36は、加工送り手段37によって撮像手段11の直下に位置付けられる。チャックテーブル36が撮像手段11の直下に位置付けられると、チャックテーブル36上の半導体ウエーハ30は、図9に示す座標位置に位置付けられた状態となる。この状態で、チャックテーブル36に保持された半導体ウエーハ30に形成されている格子状の分割予定ライン301がX軸方向とY軸方向に平行に配設されているか否かのアライメント工程を実施する。即ち、撮像手段11によってチャックテーブル36に保持された半導体ウエーハ30を撮像し、パターンマッチング等の画像処理を実行してアライメント作業を行う。このとき、半導体ウエーハ30の分割予定ライン301が形成されている表面300aは下側に位置しているが、撮像手段11が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成された撮像手段を備えているので、半導体ウエーハ30の裏面300bから透かして分割予定ライン301を撮像することができる。このようにしてアライメント工程が実施されたチャックテーブル36上の半導体ウエーハ30は、図9に示す座標値に位置付けられたことになる。
次に、半導体ウエーハ30の各デバイス302に形成された各ボンディングパッド303(303a〜303j)部にレーザー加工孔(ビアホール)を穿孔する穿孔工程を実施する。穿孔工程は、先ず加工送り手段37を作動してチャックテーブル36を移動し、上記ランダムアクセスメモリ(RAM)203に格納されている図9に示す半導体ウエーハ30に形成されたデバイス302における最上位の行E1の最左端のデバイス302の中心Sの座標値を、図10の(a)で示すようにレーザー光線照射手段52の集光器62の直下に位置付ける。そして、制御手段20は、チャックテーブル36を図10の(a)において矢印X1で示す方向に所定の移動速度で加工送りするように上記加工送り手段37を制御すると同時に、レーザー光線照射手段52の第1のレーザー光線走査手段63および第2のレーザー光線走査手段64を制御して集光器62からデバイス302に形成された各ボンディングパッド303(303a〜303j)部にパルスレーザー光線を照射する。
穿孔工程におけるレーザー光線照射手段52の制御について、更に詳細に説明する。
制御手段20は、チャックテーブル36の移動に伴ってガルバノスキャナーからなる第1のレーザー光線走査手段63を構成する角度調整アクチュエータ632を次のように制御する。即ち、第2のレーザー光線走査手段64を構成する第1の音響光学偏向手段65の第1の偏向角度調整手段654に例えば10Vの電圧が印加された状態(パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線の光軸が図4において実線で示すように偏向されガルバノスキャナーからなる第1のレーザー光線走査手段63を構成するミラー631の位置(d1)に導かれる状態)、および第2の音響光学偏向手段66の第2の偏向角度調整手段664に例えば10Vの電圧が印加された状態(パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図5において実線で示すようにガルバノスキャナーからなる第1のレーザー光線走査手段63を構成するミラー631の位置(e1)に導かれる状態)において、ミラー631によって反射され集光器62を通して導かれるレーザー光線が図10の(b)に示すようにデバイス302の中心Sに位置付けられるようにチャックテーブル36の移動に追随して角度調整アクチュエータ632を制御する(図3も参照)。そして、この間に制御手段20は、第2のレーザー光線走査手段64を構成する第1の音響光学偏向手段65および第2のレーザー光線走査手段64を構成する第2の音響光学偏向手段66を制御して、各ボンディングパッド303(303a〜303j)部にパルスレーザー光線を照射する。即ち、制御手段20は、ランダムアクセスメモリ(RAM)203に格納されているデバイス302の中心Sから各ボンディングパッド303(303a〜303j)までのX方向距離およびY方向距離に基づいて、例えばボンディングパッド303a部からボンディングパッド303j部の順にパルスレーザー光線が照射されるように第1の音響光学偏向手段65および第2の音響光学偏向手段66を制御する。そして、各ボンディングパッド303(303a〜303j)部に例えば100ショットのパルスレーザー光線を照射したならば、第1の音響光学偏向手段65の第1の音響光学素子651に0Vに対応する周波数のRFが印加し、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線をレーザー光線吸収手段67に導く。この結果、半導体ウエーハ30のシリコン基板300には、図10の(c)に示すようにボンディングパッド303(303a〜303j)に達する加工孔304を形成することができる。なお、図10の(c)には、ボンディングパッド303a〜303f部が示されている。このように図示の実施形態におけるレーザー加工装置においては、加工送り方向(X軸方向)と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)にも分散して形成されているボンディングパッド303a〜303j部(加工位置)に1回の穿孔工程においてレーザー加工孔304を形成することができる。
制御手段20は、チャックテーブル36の移動に伴ってガルバノスキャナーからなる第1のレーザー光線走査手段63を構成する角度調整アクチュエータ632を次のように制御する。即ち、第2のレーザー光線走査手段64を構成する第1の音響光学偏向手段65の第1の偏向角度調整手段654に例えば10Vの電圧が印加された状態(パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線の光軸が図4において実線で示すように偏向されガルバノスキャナーからなる第1のレーザー光線走査手段63を構成するミラー631の位置(d1)に導かれる状態)、および第2の音響光学偏向手段66の第2の偏向角度調整手段664に例えば10Vの電圧が印加された状態(パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図5において実線で示すようにガルバノスキャナーからなる第1のレーザー光線走査手段63を構成するミラー631の位置(e1)に導かれる状態)において、ミラー631によって反射され集光器62を通して導かれるレーザー光線が図10の(b)に示すようにデバイス302の中心Sに位置付けられるようにチャックテーブル36の移動に追随して角度調整アクチュエータ632を制御する(図3も参照)。そして、この間に制御手段20は、第2のレーザー光線走査手段64を構成する第1の音響光学偏向手段65および第2のレーザー光線走査手段64を構成する第2の音響光学偏向手段66を制御して、各ボンディングパッド303(303a〜303j)部にパルスレーザー光線を照射する。即ち、制御手段20は、ランダムアクセスメモリ(RAM)203に格納されているデバイス302の中心Sから各ボンディングパッド303(303a〜303j)までのX方向距離およびY方向距離に基づいて、例えばボンディングパッド303a部からボンディングパッド303j部の順にパルスレーザー光線が照射されるように第1の音響光学偏向手段65および第2の音響光学偏向手段66を制御する。そして、各ボンディングパッド303(303a〜303j)部に例えば100ショットのパルスレーザー光線を照射したならば、第1の音響光学偏向手段65の第1の音響光学素子651に0Vに対応する周波数のRFが印加し、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線をレーザー光線吸収手段67に導く。この結果、半導体ウエーハ30のシリコン基板300には、図10の(c)に示すようにボンディングパッド303(303a〜303j)に達する加工孔304を形成することができる。なお、図10の(c)には、ボンディングパッド303a〜303f部が示されている。このように図示の実施形態におけるレーザー加工装置においては、加工送り方向(X軸方向)と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)にも分散して形成されているボンディングパッド303a〜303j部(加工位置)に1回の穿孔工程においてレーザー加工孔304を形成することができる。
上記穿孔工程における加工条件は、例えば下記の通り設定されている。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4
波長 :355nm
平均出力 :4W
繰り返し周波数 :50〜100kHz
集光スポット径 :φ50μm
加工送り速度 :100〜200mm/秒
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4
波長 :355nm
平均出力 :4W
繰り返し周波数 :50〜100kHz
集光スポット径 :φ50μm
加工送り速度 :100〜200mm/秒
上述したように図9に示す半導体ウエーハ30に形成されたデバイス302における最上位の行E1の最左端のデバイス302に形成された各ボンディングパッド303(303a〜303j)部に穿孔工程を実施し、図11に示すように隣接するデバイス302の中心Sの座標値がレーザー光線照射手段52の集光器62の直下に達したならば、制御手段20はガルバノスキャナーからなる第1のレーザー光線走査手段63を構成する角度調整アクチュエータ632および第2のレーザー光線走査手段64を構成する第1の音響光学偏向手段65および第2のレーザー光線走査手段64を構成する第2の音響光学偏向手段66を上述したように制御して上記穿孔工程を実施する。以後、順次図9に示す半導体ウエーハ30に形成されたデバイス302における最上位の行E1の最左端のデバイス302に対して上記穿孔工程を実施する。以上のようにして、半導体ウエーハ30のシリコン基板300に形成された全てのボンディングパッド303部に穿孔工程を実施する。
次に、本発明の他の実施形態について、図12を参照して説明する。
図12に示すレーザー光線照射手段52は、上記図2に示すレーザー光線照射手段52における第1のレーザー光線走査手段63のレーザー光線照射方向上流側に第2のレーザー光線走査手段64から出力されるレーサー光線を加工送り方向(X軸方向)と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)に偏向するガルバノスキャナーからなるレーザー光線走査手段63aを配設したものである。なお、ガルバノスキャナーからなるレーザー光線走査手段63aは、ガルバノスキャナーからなる第1のレーザー光線走査手段63と実質的に同一の構成であるため、同一部材には同一符号を付してその説明は省略する。このように構成することにより、第2のレーザー光線走査手段64を構成する第1の音響光学偏向手段65および第2の音響光学偏向手段66によってX軸方向およびY軸方向に偏向されたレーサー光線を更にレーザー光線走査手段63aによってY軸方向に偏向するので、加工範囲を増大することができる。なお、図12に示すレーザー光線照射手段52におけるガルバノスキャナーからなるレーザー光線走査手段63aは、レーザー光線を集光器62を介して照射しない場合にレーザー光線吸収手段67に導く機能を備えている。
図12に示すレーザー光線照射手段52は、上記図2に示すレーザー光線照射手段52における第1のレーザー光線走査手段63のレーザー光線照射方向上流側に第2のレーザー光線走査手段64から出力されるレーサー光線を加工送り方向(X軸方向)と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)に偏向するガルバノスキャナーからなるレーザー光線走査手段63aを配設したものである。なお、ガルバノスキャナーからなるレーザー光線走査手段63aは、ガルバノスキャナーからなる第1のレーザー光線走査手段63と実質的に同一の構成であるため、同一部材には同一符号を付してその説明は省略する。このように構成することにより、第2のレーザー光線走査手段64を構成する第1の音響光学偏向手段65および第2の音響光学偏向手段66によってX軸方向およびY軸方向に偏向されたレーサー光線を更にレーザー光線走査手段63aによってY軸方向に偏向するので、加工範囲を増大することができる。なお、図12に示すレーザー光線照射手段52におけるガルバノスキャナーからなるレーザー光線走査手段63aは、レーザー光線を集光器62を介して照射しない場合にレーザー光線吸収手段67に導く機能を備えている。
2:静止基台
3:チャックテーブル機構
31:案内レール
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
374:X軸方向位置検出手段
38:第1の割り出し送り手段
384:Y軸方向位置検出手段
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
41:案内レール
42:可動支持基台
43:第2の割り出し送り手段
5:レーザー光線照射ユニット
51:ユニットホルダ
52:レーザー光線照射手段
61:パルスレーザー光線発振手段
62:集光器
63:第1のレーザー光線走査手段
631:ミラー
632:角度調整アクチュエータ
64:第2のレーザー光線走査手段
65:第1の音響光学偏向手段
651:第1の音響光学素子
66:第2の音響光学偏向手段
661:第2の音響光学素子
67:レーザー光線吸収手段
11:撮像手段
20:制御手段
30:半導体ウエーハ
301:分割予定ライン
302:デバイス
303:ボンディングパッド
304:レーザー加工孔
40:環状のフレーム
50:保護テープ
3:チャックテーブル機構
31:案内レール
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
374:X軸方向位置検出手段
38:第1の割り出し送り手段
384:Y軸方向位置検出手段
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
41:案内レール
42:可動支持基台
43:第2の割り出し送り手段
5:レーザー光線照射ユニット
51:ユニットホルダ
52:レーザー光線照射手段
61:パルスレーザー光線発振手段
62:集光器
63:第1のレーザー光線走査手段
631:ミラー
632:角度調整アクチュエータ
64:第2のレーザー光線走査手段
65:第1の音響光学偏向手段
651:第1の音響光学素子
66:第2の音響光学偏向手段
661:第2の音響光学素子
67:レーザー光線吸収手段
11:撮像手段
20:制御手段
30:半導体ウエーハ
301:分割予定ライン
302:デバイス
303:ボンディングパッド
304:レーザー加工孔
40:環状のフレーム
50:保護テープ
Claims (4)
- 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを加工送り方向(X軸方向)に相対的に加工送りする加工送り手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを加工送り方向(X軸方向)と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)に相対的に加工送りする割り出し送り手段と、該チャックテーブルのX軸方向の移動位置を検出するためのX軸方向位置検出手段と、該チャックテーブルのY軸方向の移動位置を検出するためのY軸方向位置検出手段と、該X軸方向位置検出手段およびY軸方向位置検出手段からの検出信号に基づいて該レーザー光線照射手段と該加工送り手段と該割り出し送り手段を制御する制御手段と、を具備するレーザー加工装置において、
該レーザー光線照射手段は、該レーザー光線発振器と該集光器との間に配設され該集光器に入光せしめるレーザー光線の光軸を少なくともX軸方向に偏向して該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射すべき領域を規定する第1のレーザー光線走査手段と、
該第1のレーザー光線走査手段に規定された領域において該レーザー光線発振器から発振されたレーザー光線をX軸方向およびY軸方向に偏向する第2のレーザー光線走査手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置。 - 該第1のレーザー光線走査手段は、少なくともX軸方向位置検出手段からの検出信号に基づいて該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射すべき領域を規定する、請求項1記載のレーザー加工装置。
- 該第1のレーザー光線走査手段は、ガルバノスキャナーからなる、請求項1又は2記載のレーザー加工装置。
- 該第2のレーザー光線走査手段は、パルスレーザー光線発振器が発振したレーザー光線の光軸をX軸方向に偏向する第1の音響光学偏向手段と、レーザー光線発振器が発振したレーザー光線の光軸をY軸方向に偏向する第2の音響光学偏向手段とからなっている、請求項1から3のいずれかに記載のレーザー加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010242547A JP2012091218A (ja) | 2010-10-28 | 2010-10-28 | レーザー加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2010242547A JP2012091218A (ja) | 2010-10-28 | 2010-10-28 | レーザー加工装置 |
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JP2012091218A true JP2012091218A (ja) | 2012-05-17 |
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- 2010-10-28 JP JP2010242547A patent/JP2012091218A/ja active Pending
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