JP5869259B2 - 穿孔方法およびレーザー加工装置 - Google Patents

穿孔方法およびレーザー加工装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5869259B2
JP5869259B2 JP2011182358A JP2011182358A JP5869259B2 JP 5869259 B2 JP5869259 B2 JP 5869259B2 JP 2011182358 A JP2011182358 A JP 2011182358A JP 2011182358 A JP2011182358 A JP 2011182358A JP 5869259 B2 JP5869259 B2 JP 5869259B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser beam
spectrum
workpiece
shots
pulse
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011182358A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013043198A (ja
Inventor
洋司 森數
洋司 森數
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2011182358A priority Critical patent/JP5869259B2/ja
Priority to TW101124413A priority patent/TWI575632B/zh
Priority to KR1020120089321A priority patent/KR20130023085A/ko
Priority to DE102012214908A priority patent/DE102012214908A1/de
Priority to CN201210300833.0A priority patent/CN102950383B/zh
Priority to US13/592,974 priority patent/US8912464B2/en
Publication of JP2013043198A publication Critical patent/JP2013043198A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5869259B2 publication Critical patent/JP5869259B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0626—Energy control of the laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/361—Removing material for deburring or mechanical trimming
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B23K2103/166—Multilayered materials
    • B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics

Description

本発明は、第１の材料によって形成された第１の部材と第２の材料によって形成された第２の部材とが接続された被加工物に第１の部材から第２の部材に達するレーザー加工孔を形成する穿孔方法およびレーザー加工装置に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。
装置の小型化、高機能化を図るため、複数のデバイスを積層し、積層されたデバイスに設けられたボンディングパッドを接続するモジュール構造が実用化されている。このモジュール構造は、半導体ウエーハにおけるボンディングパッドが設けられた箇所に貫通孔（ビアホール）を形成し、この貫通孔（ビアホール）にボンディングパッドと接続するアルミニウム等の導電性材料を埋め込む構成である。（例えば、特許文献１参照。）
上述した半導体ウエーハに設けられる貫通孔（ビアホール）は、ドリルによって形成されている。しかるに、半導体ウエーハに設けられる貫通孔（ビアホール）は直径が９０〜３００μmと小さく、ドリルによる穿孔では生産性が悪いという問題がある。
上記問題を解消するために、基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともに該デバイスにボンディングパッドが形成されているウエーハに、基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを効率よく形成するウエーハの穿孔方法が提案されている。（例えば、特許文献２参照。）
しかるに、パルスレーザー光線は、ボンディングパッドを形成する金属に対して吸収率が低く、基板を形成するシリコンやリチウムタンタレート等の基板材料に対しては吸収率が高い波長が選ばれているものの、基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成する際に、基板に形成されたビアホールがボンディングパッドに達した時点でパルスレーザー光線の照射を停止することが困難であり、ボンディングパッドが溶融して穴が開くという問題がある。
下記特許文献２に開示されたウエーハの穿孔方法の問題を解消するために、レーザー光線の照射によって物質がプラズマ化し、そのプラズマが発する物質固有のスペクトルを検出することによりレーザー光線が金属からなるボンディングパッドに達したと判定するレーザー加工装置が提案されている。（例えば、特許文献３参照。）
特開２００３−１６３３２３号公報 特開２００７−６７０８２号公報 特開２００９−１２５７５６号公報
而して、レーザー光線の照射によって形成された細孔の底に位置する金属からなるボンディングパッドにレーザー光線が照射されても基板材料がノイズとなってボンディングパッドを形成する金属の適正なプラズマの発生を妨げ、レーザー光線が金属からなるボンディングパッドに達したとの判定が困難となり、ボンディングパッドを溶融して穴を開けてしまうという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、第１の材料によって形成された第１の部材と第２の材料によって形成された第２の部材とが接続された被加工物に第１の部材から第２の部材に達するレーザー加工孔を効率よく形成することができる穿孔方法およびレーザー加工装置を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、第１の材料によって形成された第１の部材と第２の材料によって形成された第２の部材とが接合された被加工物に第１の部材から第２の部材に達するレーザー加工孔を形成する穿孔方法であって、
被加工物の任意の領域に第１の部材側からパルスレーザー光線を照射してレーザー加工孔を形成する際に、パルスレーザー光線のショット数をカウントするとともにレーザー光線の照射によってプラズマが発する物質固有のスペクトルを計測し、レーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料固有のスペクトルから第２の材料固有のスペクトルに変化する変換時までのパルスレーザー光線のショット数を最小値として設定する最小ショット数設定工程、および第１の材料固有のスペクトルから完全に第２の材料固有のスペクトルに変化した時までのパルスレーザー光線のショット数を最大値として設定する最大ショット数設定工程と、
被加工物の所定の加工位置に第１の部材側からパルスレーザー光線を照射してレーザー加工孔を形成する際に、パルスレーザー光線のショット数をカウントするとともにレーザー光線の照射によってプラズマが発する物質固有のスペクトルを計測し、パルスレーザー光線のショット数が該最小値に達しレーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料固有のスペクトルから第２の材料固有のスペクトルに変化した場合にはパルスレーザー光線の照射を停止し、パルスレーザー光線のショット数が該最小値に達してもレーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料固有のスペクトルから第２の材料固有のスペクトルに変化しない場合にはパルスレーザー光線のショット数が該最大値に達するまでパルスレーザー光線の照射を継続した後に停止する穿孔工程と、を含み、
該穿孔工程において実行される該スペクトルの計測は、該照射される該パルスレーザー光線を被加工物に対して照射する集光器に備えられた集光レンズと被加工物との間の光軸上に配置され、レーザー光線は通過するが被加工物で発せられるプラズマ光を反射する反射手段によって反射された光の該スペクトルの波長を検出する波長検出手段によりなされる、
ことを特徴とする穿孔方法が提供される。
また、本発明においては、被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該被加工物保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に移動せしめる移動手段と、該レーザー光線照射手段から被加工物にレーザー光線が照射されることによって発生するプラズマのスペクトルを検出するプラズマ検出手段と、該プラズマ検出手からの検出信号に基づいて該レーザー光線照射手段を制御する制御手段とを具備し、第１の材料によって形成された第１の部材と第２の材料によって形成された第２の部材とが接合された被加工物に第１の部材から第２の部材に達するレーザー加工孔を形成するレーザー加工装置において、
制御手段は、該レーザー加工孔を形成するに必要なパルスレーザー光線のショット数の最小値と最大値とを記憶するメモリおよび該レーザー光線照射手段によって照射されるパルスレーザー光線のショット数をカウントとするカウンターを具備しており、被加工物の所定の加工位置に第１の部材側からパルスレーザー光線を照射してレーザー加工孔を形成する際には、パルスレーザー光線のショット数が該最小値に達しレーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料固有のスペクトルから第２の材料固有のスペクトルに変化した場合にはパルスレーザー光線の照射を停止し、パルスレーザー光線のショット数が該最小値に達してもレーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料固有のスペクトルから第２の材料固有のスペクトルに変化しない場合にはパルスレーザー光線のショット数が該最大値に達するまでパルスレーザー光線の照射を継続した後に停止するように該レーザー光線照射手段を制御するものであって、
該プラズマ検出手段によるスペクトルの検出は、該照射されるパルスレーザー光線を被加工物に対して照射する集光器に備えられた集光レンズと被加工物との間の光軸上に配置され、レーザー光線は通過するが被加工物で発せられるプラズマ光を反射する反射手段によって反射された光の該スペクトルの波長を検出する波長検出手段によりなされる、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
上記制御手段は、加工送り手段を作動して被加工物保持手段に保持された被加工物の任意の領域を該レーザー光線照射手段の照射位置に位置付け、レーザー光線照射手段を作動し第１の部材側からパルスレーザー光線を照射してレーザー加工孔を形成する際に、パルスレーザー光線のショット数をカウントするとともにレーザー光線の照射によってプラズマが発する物質固有のスペクトルを計測し、レーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料固有のスペクトルから第２の材料固有のスペクトルに変化する変換時までのパルスレーザー光線のショット数を最小値として設定する最小ショット数設定工程、および第１の材料固有のスペクトルから完全に第２の材料固有のスペクトルに変化した時までのパルスレーザー光線のショット数を最大値として設定する最大ショット数設定工程を実行し、最小値および最大値をメモリに格納する。
本発明による穿孔方法においては、被加工物の任意の領域に第１の部材側からパルスレーザー光線を照射してレーザー加工孔を形成する際に、パルスレーザー光線のショット数をカウントするとともにレーザー光線の照射によってプラズマが発する物質固有のスペクトルを計測し、レーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料固有のスペクトルから第２の材料固有のスペクトルに変化する変換時までのパルスレーザー光線のショット数を最小値として設定する最小ショット数設定工程、および第１の材料固有のスペクトルから完全に第２の材料固有のスペクトルに変化した時までのパルスレーザー光線のショット数を最大値として設定する最大ショット数設定工程と、被加工物の所定の加工位置に第１の部材側からパルスレーザー光線を照射してレーザー加工孔を形成する際に、パルスレーザー光線のショット数をカウントするとともにレーザー光線の照射によってプラズマが発する物質固有のスペクトルを計測し、パルスレーザー光線のショット数が最小値に達しレーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料固有のスペクトルから第２の材料固有のスペクトルに変化した場合にはパルスレーザー光線の照射を停止し、パルスレーザー光線のショット数が最小値に達してもレーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料固有のスペクトルから第２の材料固有のスペクトルに変化しない場合にはパルスレーザー光線のショット数が最大値に達するまでパルスレーザー光線の照射を継続した後に停止する穿孔工程と、を含み、該穿孔工程において実行される該スペクトルの計測は、該照射される該パルスレーザー光線を被加工物に対して照射する集光器が備えた集光レンズと被加工物との間の光軸上に配置され、レーザー光線は通過するが被加工物で発せられるプラズマ光を反射する反射手段によって反射された光の該スペクトルの波長を検出する波長検出手段によりなされるので、レーザー光線の照射によって発生するプラズマ光が適正に発生しない場合であっても第２の部材を溶融することがない。従って、被加工物が基板（第１の部材）の表面に形成された複数のデバイスにそれぞれボンディングパッド（第２の部材）が配設されたウエーハであり、基板（第１の部材）の裏面側からボンディングパッド（第２の部材）に達するレーザー加工孔を形成する場合に、ボンディングパッド（第２の部材）が溶融して穴が開くことがない。
また、本発明によるレーザー加工装置は、レーザー光線照射手段から被加工物にレーザー光線が照射されることによって発生するプラズマのスペクトルを検出するプラズマ検出手段と、該プラズマ検出手からの検出信号に基づいて該レーザー光線照射手段を制御する制御手段とを具備し、制御手段は、レーザー加工孔を形成するに必要なパルスレーザー光線のショット数の最小値と最大値とを記憶するメモリおよびレーザー光線照射手段によって照射されるパルスレーザー光線のショット数をカウントとするカウンターを具備しており、第１の材料によって形成された第１の部材と第２の材料によって形成された第２の部材とが接続された被加工物に第１の部材から第２の部材に達するレーザー加工孔を形成する際には、パルスレーザー光線のショット数が最小値に達しレーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料固有のスペクトルから第２の材料固有のスペクトルに変化した場合にはパルスレーザー光線の照射を停止し、パルスレーザー光線のショット数が最小値に達してもレーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料固有のスペクトルから第２の材料固有のスペクトルに変化しない場合にはパルスレーザー光線のショット数が該最大値に達するまでパルスレーザー光線の照射を継続した後に停止するように該レーザー光線照射手段を制御するものであって、
該制御手段は、該加工送り手段を作動して該被加工物保持手段に保持された被加工物の任意の領域を該レーザー光線照射手段の照射位置に位置付け、該レーザー光線照射手段を作動し第１の部材側からパルスレーザー光線を照射してレーザー加工孔を形成する際に、パルスレーザー光線のショット数をカウントするとともにレーザー光線の照射によってプラズマが発する物質固有のスペクトルを計測し、レーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料固有のスペクトルから第２の材料固有のスペクトルに変化する変換時までのパルスレーザー光線のショット数を最小値として設定する最小ショット数設定工程、および第１の材料固有のスペクトルから完全に第２の材料固有のスペクトルに変化した時までのパルスレーザー光線のショット数を最大値として設定する最大ショット数設定工程が実行されることにより得た該最小値および該最大値が該メモリに格納されており、
該プラズマ検出手段によるスペクトルの検出は、該照射されるパルスレーザー光線を被加工物に対して照射する集光器に備えられた集光レンズと被加工物との間の光軸上に配置され、レーザー光線は通過するが被加工物で発せられるプラズマ光を反射する反射手段によって反射された光の該スペクトルの波長を検出する波長検出手段によりなされるので、レーザー光線の照射によって発生するプラズマ光が適正に発生しない場合であっても第２の部材を溶融することがない。従って、被加工物が基板（第１の部材）の表面に形成された複数のデバイスにそれぞれボンディングパッド（第２の部材）が配設されたウエーハであり、基板（第１の部材）の裏面側からボンディングパッド（第２の部材）に達するレーザー加工孔を形成する場合に、ボンディングパッド（第２の部材）が溶融して穴が開くことがない。
本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。 図１に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段の構成ブロック図。 図１に示すレーザー加工装置に装備される制御手段の構成ブロック図。 被加工物としての半導体ウエーハの平面図。 図４に示す半導体ウエーハの一部を拡大して示す平面図。 図４に示す半導体ウエーハを環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着した状態を示す斜視図。 図４に示す半導体ウエーハが図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブルの所定位置に保持された状態における座標との関係を示す説明図。 本発明による穿孔方法における最小ショット数設定工程および最大ショット数設定工程の説明図。 本発明による穿孔方法における穿孔工程の説明図。 本発明による穿孔方法における穿孔工程の説明図。
以下、本発明による穿孔方法およびレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
図１には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示すレーザー加工装置１は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２にX軸方向と直交する矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構４と、該レーザー光線照射ユニット支持機構４に矢印Ｚで示す集光点位置調整方向（Z軸方向）に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット５とを具備している。
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上にX軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上にX軸方向に移動可能に配設された第１の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上にY軸方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持されたカバーテーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル３６には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ３６２が配設されている。
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面にY軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿ってX軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿ってX軸方向に移動させるためのX軸方向移動手段（加工送り手段３７）を具備している。この加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第１の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿ってX軸方向に移動せしめられる。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記チャックテーブル３６の加工送り量即ちX軸方向位置を検出するためのX軸方向位置検出手段３７４を備えている。X軸方向位置検出手段３７４は、案内レール３１に沿って配設されたリニアスケール３７４aと、第１の滑動ブロック３２に配設され第１の滑動ブロック３２とともにリニアスケール３７４aに沿って移動する読み取りヘッド３７４bとからなっている。このX軸方向位置検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bは、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量即ちX軸方向の位置を検出する。なお、上記加工送り手段３７の駆動源としてパルスモータ３７２を用いた場合には、パルスモータ３７２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量即ちX軸方向の位置を検出することもできる。また、上記加工送り手段３７の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量即ちX軸方向の位置を検出することもできる。
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、Y軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿ってY軸方向に移動させるための第１のY軸方向移動手段（第１の割り出し送り手段３８）を具備している。この第１の割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３8１と、該雄ネジロッド３8１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３8１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３8２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３8１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３8２によって雄ネジロッド３8１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿ってY軸方向に移動せしめられる。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記第２の滑動ブロック３３の割り出し加工送り量即ちY軸方向位置を検出するためのY軸方向位置検出手段３８４を備えている。このY軸方向位置検出手段３８４は、案内レール３２２に沿って配設されたリニアスケール３８４aと、第２の滑動ブロック３３に配設され第２の滑動ブロック３３とともにリニアスケール３８４aに沿って移動する読み取りヘッド３８４bとからなっている。このY軸方向位置検出手段３８４の読み取りヘッド３８４bは、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の割り出し送り量即ちY軸方向の位置を検出する。なお、上記第１の割り出し送り手段３８の駆動源としてパルスモータ３8２を用いた場合には、パルスモータ３8２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル３６の割り出し送り量即ちY軸方向の位置を検出することもできる。また、上記第１の割り出し送り手段３８の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の割り出し送り量即ちY軸方向の位置を検出することもできる。
上記レーザー光線照射ユニット支持機構４は、静止基台２上にY軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面にZ軸方向に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構４は、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿ってY軸方向に移動させるための第２のY軸方向移動手段（第２の割り出し送り手段４３）を具備している。この第２の割り出し送り手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ネジロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿ってY軸方向に移動せしめられる。
図示の実施形態のおけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたレーザー光線照射手段５２を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、Z軸方向に移動可能に支持される。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたレーザー光線照射手段５２を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、Z軸方向に移動可能に支持される。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３、４２３に沿ってZ軸方向に移動させるためのZ軸方向移動手段（集光点位置調整手段５３）を具備している。集光点位置調整手段５３は、一対の案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１およびレーザー光線照射手段５２を案内レール４２３、４２３に沿ってZ軸方向に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ５３２を正転駆動することによりレーザー光線照射手段５２を上方に移動し、パルスモータ５３２を逆転駆動することによりレーザー光線照射手段５２を下方に移動するようになっている。
上記レーザー光線照射手段５２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１と、図２に示すようにケーシング５２１内に配設されたパルスレーザー光線発振手段６と、パルスレーザー光線発振手段６が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向（X軸方向）に偏向する光偏向手段としての音響光学偏向手段７と、該音響光学偏向手段７を通過したパルスレーザー光線を上記チャックテーブル３６に保持された被加工物Wに照射する集光器８を具備している。
上記パルスレーザー光線発振手段６は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器６１と、これに付設された繰り返し周波数設定手段６２とから構成されている。パルスレーザー光線発振器６１は、繰り返し周波数設定手段６２によって設定された所定周波数のパルスレーザー光線(LB)を発振する。繰り返し周波数設定手段６２は、パルスレーザー光線発振器６１が発振するパルスレーザー光線の繰り返し周波数を設定する。
上記音響光学偏向手段７は、レーザー光線発振手段６が発振したレーザー光線(LB)の光軸を加工送り方向（X軸方向）に偏向する音響光学素子７１と、該音響光学素子７１に印加するRF（radio frequency）を生成するRF発振器７２と、該RF発振器７２によって生成されたRFのパワーを増幅して音響光学素子７１に印加するRFアンプ７３と、RF発振器７２によって生成されるRFの周波数を調整する偏向角度調整手段７４と、RF発振器７２によって生成されるRFの振幅を調整する出力調整手段７５を具備している。上記音響光学素子７１は、印加されるRFの周波数に対応してレーザー光線の光軸を偏向する角度を調整することができるとともに、印加されるRFの振幅に対応してレーザー光線の出力を調整することができる。なお、光偏向手段としては上記音響光学偏向手段７に代えて電子光学素子を用いた電子光学偏向手段を使用してもよい。上述した偏向角度調整手段７４および出力調整手段７５は、後述する制御手段によって制御される。
また、図示の実施形態におけるレーザー光線照射手段５２は、上記音響光学素子７１に所定周波数のRFが印加された場合に、図２において破線で示すように音響光学素子７１によって偏向されたレーザー光線を吸収するためのレーザー光線吸収手段７６を具備している。
上記集光器８はケーシング５２１の先端に装着されており、上記音響光学偏向手段７によって偏向されたパルスレーザー光線を下方に向けて方向変換する方向変換ミラー８１と、該方向変換ミラー８１によって方向変換されたレーザー光線を集光するテレセントリックレンズからなる集光レンズ８２を具備している。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射手段５２は以上のように構成されており、以下その作用について図２を参照して説明する。
音響光学偏向手段７の偏向角度調整手段７４に後述する制御手段から例えば５Vの電圧が印加され、音響光学素子７１に５Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において１点鎖線で示すように偏向され集光点Paに集光される。また、偏向角度調整手段７４に後述する制御手段から例えば１０Vの電圧が印加され、音響光学素子７１に１０Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において実線で示すように偏向され、上記集光点Paから加工送り方向（X軸方向）に図２において左方に所定量変位した集光点Pbに集光される。一方、偏向角度調整手段７４に後述する制御手段から例えば１５Vの電圧が印加され、音響光学素子７１に１５Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において２点鎖線で示すように偏向され、上記集光点Pbから加工送り方向（X軸方向）に図２において左方に所定量変位した集光点Pcに集光される。また、音響光学偏向手段７の偏向角度調整手段７４に後述する制御手段から例えば０Vの電圧が印加され、音響光学素子７１に０Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線は、図２において破線で示すようにレーザー光線吸収手段７６に導かれる。このように、音響光学素子７１によって偏向されたレーザー光線は、偏向角度調整手段７４に印加される電圧に対応して加工送り方向（X軸方向）に偏向せしめられる。
図２を参照して説明を続けると、図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、集光器８の光軸上に配設されレーザー光線発振手段６が発振するレーザー光線は通過するが被加工物Wで発するプラズマ光を反射する反射手段９と、該反射手段９によって反射された光の波長を検出する波長検出手段１０を具備している。反射手段９は、図２に示す実施形態においては、レーザー光線が通過する開口９１１を備えたミラー９１からなっている。
図２を参照して説明を続けると、波長検出手段１０は、上記反射手段９によって反射された光を各波長毎に分光する回折格子１０１と、該回折格子１０１によって分光された光の各波長の光強度を検出し光強度信号を出力するラインイメージセンサー１０２とからなっており、ラインイメージセンサー１０２は光強度信号を後述する制御手段に出力する。なお、後述する制御手段は、波長検出手段１０のラインイメージセンサー１０２からの光強度信号に基づいて被加工物の材質を判定し、レーザー光線照射手段５２を制御する。回折格子１０１によって分光されるスペクトルの中、シリコンのスペクトルは波長が２５１nmであり、リチウムタンタレートのスペクトルは波長が６７０nmであり、銅のスペクトルは波長が５１５nmである。このように被加工物を形成する物質とプラズマの波長との関係は、後述する制御手段のメモリに記憶されている。従って、後述する制御手段は、波長検出手段１０のラインイメージセンサー１０２によって測定されたスペクトルの波長が２５１nm付近であるならばレーザー光線照射手段５２の集光器８から照射されるレーザー光線によって加工されている被加工物はシリコンであり、波長検出手段１０のラインイメージセンサー１０２によって測定されたスペクトルの波長が６７０nm付近であるならばレーザー光線照射手段５２の集光器８から照射されるレーザー光線によって加工されている被加工物はリチウムタンタレートであり、波長検出手段１０のラインイメージセンサー１０２によって測定されたスペクトルの波長が５１５nm付近であるならばレーザー光線照射手段５２の集光器８から照射されるレーザー光線によって加工されている被加工物は銅であると判定することができる。図示の実施形態においては、反射手段９を集光器８の光軸上に配設し、レーザー光線を被加工物に照射することによって発するプラズマ光を光軸上で検出できるので、細孔が形成された底に位置する金属からなるボンディングパッドにレーザー光線が照射されることによって発するプラズマ光を確実に検出することができる。
図１に戻って説明を続けると、図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、ケーシング５２１の前端部に配設され上記レーザー光線照射手段５２によってレーザー加工すべき加工領域を撮像する撮像手段１１を備えている。この撮像手段１１は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、図３に示す制御手段２０を具備している。制御手段２０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）２０１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）２０２と、後述する制御マップや被加工物の設計値のデータや演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３と、カウンター２０４と、入力インターフェース２０５および出力インターフェース２０６とを備えている。制御手段２０の入力インターフェース２０５には、上記X軸方向位置検出手段３７４、Y軸方向位置検出手段３８４、波長検出手段１０のラインイメージセンサー１０２および撮像手段１１等からの検出信号が入力される。そして、制御手段２０の出力インターフェース２０６からは、上記パルスモータ３７２、パルスモータ３８２、パルスモータ４３２、パルスモータ５３２、レーザー光線照射手段５２、表示手段２００等に制御信号を出力する。なお、上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３は、被加工物を形成する物質とプラズマの波長との関係を記憶する第１の記憶領域２０３aや後述するウエーハの設計値のデータを記憶する第２の記憶領域２０３bや後述するパルスレーザー光線の最小ショット数を記憶する第３の記憶領域２０３cや他の記憶領域を備えている。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図４にはレーザー加工される被加工物としての半導体ウエーハ３０の平面図が示されている。図４に示す半導体ウエーハ３０は、シリコン基板３００（第１の部材）の表面３００ａに格子状に配列された複数の分割予定ライン３０１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス３０２がそれぞれ形成されている。この各デバイス３０２は、全て同一の構成をしている。デバイス３０２の表面にはそれぞれ図５に示すように複数のボンディングパッド３０３（３０３a〜３０３j）（第２の部材）が形成されている。この第２の部材としてのボンディングパッド３０３（３０３a〜３０３j）は、図示の実施形態においては銅によって形成されている。なお、図示の実施形態においては、３０３aと３０３f、３０３bと３０３g、３０３cと３０３h、３０３dと３０３i、３０３eと３０３jは、X方向位置が同一である。この複数のボンディングパッド３０３（３０３a〜３０３j）にそれぞれ裏面３００bからボンディングパッド３０３に達する加工穴（ビアホール）が形成される。各デバイス３０２におけるボンディングパッド３０３（３０３a〜３０３j）のX方向（図５おいて左右方向）の間隔Ａ、および各デバイス３０２に形成されたボンディングパッド３０３における分割予定ライン３０１を挟んでX方向（図５において左右方向）に隣接するボンディングパッド即ちボンディングパッド３０３eとボンディングパッド３０３aとの間隔Bは、図示の実施形態においては同一間隔に設定されている。また、各デバイス３０２におけるボンディングパッド３０３（３０３a〜３０３j）のY方向（図５において上下方向）の間隔C、および各デバイス３０２に形成されたボンディングパッド３０３における分割予定ライン３０１を挟んでY方向（図５において上下方向）に隣接するボンディングパッド即ちボンディングパッド３０３fとボンディングパッド３０３aおよびボンディングパッド３０３jとボンディングパッド３０３eとの間隔Dは、図示の実施形態においては同一間隔に設定されている。このように構成された半導体ウエーハ３０について、図４に示す各行Ｅ1・・・・Enおよび各列F1・・・・Fnに配設されたデバイス３０２の個数と上記各間隔A,B,C,DおよびX,Y座標値は、その設計値のデータが上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３の第2の記憶領域２０３ｂに格納されている。
上述したレーザー加工装置を用い、半導体ウエーハ３０に形成された各デバイス３０２のボンディングパッド３０３（３０３a〜３０３j）部にレーザー加工孔（ビアホール）を形成するレーザー加工の実施形態について説明する。
半導体ウエーハ３０は、図６に示すように環状のフレーム４０に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ５０に表面３００ａを貼着する。従って、半導体ウエーハ３０は、裏面３００bが上側となる。このようにして環状のフレーム４０に保護テープ５０を介して支持された半導体ウエーハ３０は、図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブル３６上に保護テープ５０側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ３０は、保護テープ５０を介してチャックテーブル３６上に吸引保持される。従って、半導体ウエーハ３０は、裏面３００bを上側にして保持される。また、環状のフレーム４０は、クランプ３６２によって固定される。
上述したように半導体ウエーハ３０を吸引保持したチャックテーブル３６は、加工送り手段３７によって撮像手段１１の直下に位置付けられる。チャックテーブル３６が撮像手段１１の直下に位置付けられると、チャックテーブル３６上の半導体ウエーハ３０は、図７に示す座標位置に位置付けられた状態となる。この状態で、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ３０に形成されている格子状の分割予定ライン３０１がX軸方向とY軸方向に平行に配設されているか否かのアライメント作業を実施する。即ち、撮像手段１１によってチャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ３０を撮像し、パターンマッチング等の画像処理を実行してアライメント作業を行う。このとき、半導体ウエーハ３０の分割予定ライン３０１が形成されている表面３００ａは下側に位置しているが、撮像手段１１が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、半導体ウエーハ３０の裏面３００ｂから透かして分割予定ライン３０１を撮像することができる。
次に、チャックテーブル３６を移動して、半導体ウエーハ３０に形成されたデバイス３０２における最上位の行E1の図７において最左端のデバイス３０２を撮像手段１１の直下に位置付ける。そして、更にデバイス３０２に形成された電極３０３（３０３a〜３０３j）における図７において左上の電極３０３aを撮像手段１１の直下に位置付ける。この状態で撮像手段１１が電極３０３aを検出したならばその座標値(a1)を第１の加工送り開始位置座標値として制御手段２０に送る。そして、制御手段２０は、この座標値(a1)を第１の加工送り開始位置座標値としてランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に格納する（加工送り開始位置検出工程）。このとき、撮像手段１１とレーザー光線照射手段５２の集光器８はX軸方向に所定の間隔を置いて配設されているので、X座標値は上記撮像手段１１と集光器８との間隔を加えた値が格納される。
このようにして図７において最上位の行E1のデバイス３０２における第１の加工送り開始位置座標値(a1)を検出したならば、チャックテーブル３６を分割予定ライン３０１の間隔だけＹ軸方向に割り出し送りするとともにX軸方向に移動して、図７において最上位から２番目の行E2における最左端のデバイス３０２を撮像手段１１の直下に位置付ける。そして、更にデバイス３０２に形成された電極３０３(３０３a〜３０３j）における図５において左上の電極３０３aを撮像手段１１の直下に位置付ける。この状態で撮像手段１１が電極３０３aを検出したならばその座標値(a2)を第２の加工送り開始位置座標値として制御手段２０に送る。そして、制御手段２０は、この座標値(a2)を第２の加工送り開始位置座標値としてランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に格納する。このとき、撮像手段１１とレーザー光線照射手段５２の集光器８は上述したようにX軸方向に所定の間隔を置いて配設されているので、X座標値は上記撮像手段１１と集光器８との間隔を加えた値が格納される。以後、制御手段２０は、上述した割り出し送りと加工送り開始位置検出工程を図７において最下位の行Ｅｎまで繰り返し実行し、各行に形成されたデバイス３０２の加工送り開始位置座標値（a３〜aｎ）を検出して、これをランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に格納する。なお、図示の実施形態においては、半導体ウエーハ３０に形成された複数のデバイス３０２における図７において最下位の行Enの最左端のデバイス３０２が計測デバイスとして設定されており、この計測デバイスの開始位置座標値（aｎ）が計測位置座標値（aｎ）としてランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に格納する。
上述した加工送り開始位置検出工程を実施したならば、チャックテーブル３６を移動して、上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に格納されている計測位置座標値（aｎ）をレーザー光線照射手段５２の集光器８の直下に位置付ける。このように計測位置座標値（aｎ）が集光器８の直下に位置付けられた状態が図８の(a)に示す状態である。次に、制御手段２０は、上記偏向角度調整手段７４に例えば１０Vの電圧を印加しパルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線の光軸を図２において実線で示すように集光点Pbに集光されるようにセットする。次に、制御手段２０は、レーザー光線照射手段５２を作動し集光器８からパルスレーザー光線を照射し、シリコン基板３００に裏面側からボンディングパッド３０３に達するレーザー加工孔を形成する。このレーザー加工孔を形成する際に、制御手段２０はレーザー光線発振手段６が発振するパルスレーザー光線のショット数をカウンター２０４によってカウントするとともに、上記波長検出手段１０を作動しラインイメージセンサー１０２から検出信号を入力している。制御手段２０は、波長検出手段１０のラインイメージセンサー１０２によって測定されたスペクトルの波長が２５１nmであるならばシリコン基板３００を加工していると判断し、上記パルスレーザー光線の照射を継続する。そして、波長検出手段１０のラインイメージセンサー１０２によって測定されたスペクトルの波長が５１５nmに変化したならば、制御手段２０は銅によって形成されたボンディングパッド３０３が加工されたと判断し、この変換時までのパルスレーザー光線のショット数を最小値として設定し、この最小ショット数をランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に格納する（最小ショット数設定工程）。制御手段２０はパルスレーザー光線の照射を継続し、波長検出手段１０のラインイメージセンサー１０２によって測定されたスペクトルの波長が２５１nmから５１５nmに完全に変化したならば、この時点までのパルスレーザー光線のショット数を最大値として設定し、この最大ショット数をランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に格納する（最大ショット数設定工程）。そして、制御手段２０は、音響光学偏向手段７の偏向角度調整手段７４に０Vの電圧を印加し、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線を図２において破線で示すようにレーザー光線吸収手段７６に導く。なお、最小ショット数設定工程および最大ショット数設定工程を実施するために用いられたデバイスには図８の(b)に示すように裏面側からボンディングパッド３０３に達するレーザー加工孔３０４が形成される。このようにレーザー加工孔３０４が形成されるとボンディングパッド３０３は溶融して穴が開くことがあるが、計測用のデバイスとして設定されたデバイス３０２は製品として使用されない。
上記最小ショット数設定工程および最大ショット数設定工程における加工条件は次のように設定されている。
光源 ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４
波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：５０kHz
平均出力 ：２W
集光スポット径 ：φ５０μｍ
上述した最小ショット数設定工程および最大ショット数設定工程を実施したならば、半導体ウエーハ３０の各デバイス３０２に形成された各電極３０３(３０３a〜３０３j）の裏面にレーザー加工孔（ビアホール）を穿孔する穿孔工程を実施する。穿孔工程は、先ず加工送り手段３７を作動しチャックテーブル３６を移動して、上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に格納されている第１の加工送り開始位置座標値（a１）をレーザー光線照射手段５２の集光器８の直下に位置付ける。このように第１の加工送り開始位置座標値（a１）が集光器８の直下に位置付けられた状態が図９の(a)に示す状態である。図９の(a)に示す状態から制御手段２０は、チャックテーブル３６を図９の(a)において矢印Ｘ１で示す方向に所定の移動速度で加工送りするように上記加工送り手段３７を制御すると同時に、レーザー光線照射手段５２を作動し集光器８からパルスレーザー光線を照射する。なお、集光器８から照射されるレーザー光線の集光点Pは、半導体ウエーハ３０の表面３０a付近に合わせる。このとき、制御手段２０は、X軸方向位置検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bからの検出信号に基いて音響光学偏向手段７の偏向角度調整手段７４および出力調整手段７５を制御するための制御信号を出力する。
一方、RF発振器７２は偏向角度調整手段７４および出力調整手段７５からの制御信号に対応したRFを出力する。RF発振器７２から出力されたRFのパワーは、RFアンプ７３によって増幅され音響光学素子７１に印加される。この結果、音響光学素子７１は、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線の光軸を図２において１点鎖線で示す位置から２点鎖線で示す位置までの範囲で偏向して移動速度に同期させる。この結果、第１の加工送り開始位置座標値（a１）に所定出力のパルスレーザー光線を照射することができる。なお、上記穿孔工程における加工条件は、上記最小ショット数設定工程および最大ショット数設定工程における加工条件と同一である。
上述した穿孔工程を実施している際に、制御手段２０はレーザー光線発振手段６が発振するパルスレーザー光線のショット数をカウンター２０４によってカウントするとともに、上記波長検出手段１０を作動しラインイメージセンサー１０２から検出信号を入力している。制御手段２０は、パルスレーザー光線のショット数が該最小値に達しても波長検出手段１０のラインイメージセンサー１０２によって測定されたスペクトルの波長が２５１nmであるならばシリコン基板３００を加工していると判断し、上記穿孔工程を継続する。そして、制御手段２０は、パルスレーザー光線のショット数が最小値に達し、波長検出手段１０のラインイメージセンサー１０２によって測定されたスペクトルの波長が５１５nmに変化したならば、銅によって形成されたボンディングパッド３０３が加工されたと判断し、音響光学偏向手段７の偏向角度調整手段７４に０Vの電圧を印加し、音響光学素子７１に０Vに対応する周波数のRFを印加し、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線を図２において破線で示すようにレーザー光線吸収手段７６に導く。従って、パルスレーザー光線がチャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ３０に照射されない。このように、ボンディングパッド３０３にパルスレーザー光線が照射されると、上記波長検出手段１０のラインイメージセンサー１０２によってボンディングパッド３０３が加工されたことを検出して、ボンディングパッド３０３へのパルスレーザー光線の照射を止めるので、ボンディングパッド３０３が溶融して穴が開くことがない。この結果、図９の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ３０のシリコン基板３００にはボンディングパッド３０３に達する加工孔３０４を形成することができる。なお、上記波長検出手段１０によるボンディングパッド３０３が加工されたことの検出は、上述したように反射手段９を集光器８の光軸上に配設し、レーザー光線を被加工物である半導体ウエーハ３０に照射することによって発するプラズマ光を光軸上で検出するので、加工孔３０４が形成され底に位置する銅からなるボンディングパッド３０３にレーザー光線が照射されることによって発するプラズマ光を確実に検出することができる。
また、上記穿孔工程において、パルスレーザー光線のショット数が最小値に達しても波長検出手段１０のラインイメージセンサー１０２によって測定されたスペクトルの波長が２５１nmであるならば、即ちボンディングパッドを形成する銅のスペクトルの波長（５１５nm）に変化しない場合には、制御手段２０はパルスレーザー光線のショット数が最大値に達するまでパルスレーザー光線の照射を継続する。そして、パルスレーザー光線のショット数が最大値に達したら、制御手段２０は音響光学偏向手段７の偏向角度調整手段７４に０Vの電圧を印加し、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線を図２において破線で示すようにレーザー光線吸収手段７６に導く。このように、ボンディングパッドを形成する銅のスペクトルの波長（５１５nm）に変化しない場合には、パルスレーザー光線のショット数が最大値に達した際にパルスレーザー光線の照射を停止するので、プラズマ光を適正に発生しない場合であってもボンディングパッド３０３が溶融して穴が開くことがない。
一方、制御手段２０は、X軸方向位置検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bからの検出信号を入力しており、この検出信号をカウンター２０４によってカウントしている。そして、カウンター２０４によるカウント値が次のボンディングパッド３０３座標値に達したら、制御手段２０はレーザー光線照射手段５２を制御し上記穿孔工程を実施する。その後も制御手段２０は、カウンター２０４によるカウント値がボンディングパッド３０３の座標値に達する都度、制御手段２０はレーザー光線照射手段５２を作動し上記穿孔工程を実施する。そして、図９の（ｂ）で示すように半導体ウエーハ３０のE1行の最右端のデバイス３０２に形成されたボンディングパッド３０３における図９の（ｂ）において最右端の電極３０３e位置に上記穿孔工程を実施したら、上記加工送り手段３７の作動を停止してチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ３０のシリコン基板３００には、図９の（ｂ）で示すようにボンディングパッド３０３に達する加工孔３０４が形成される。
次に、制御手段２０は、レーザー光線照射手段５２の集光器８を図９の（ｂ）において紙面に垂直な方向に割り出し送りするように上記第1の割り出し送り手段３８を制御する。一方、制御手段２０は、Y軸方向位置検出手段３８４の読み取りヘッド３８４bからの検出信号を入力しており、この検出信号をカウンター２０４によってカウントしている。そして、カウンター２０４によるカウント値がボンディングパッド３０３の図５においてY軸方向の間隔Cに相当する値に達したら、第１の割り出し送り手段３８の作動を停止し、レーザー光線照射手段５２の集光器８の割り出し送りを停止する。この結果、集光器８は上記ボンディングパッド３０３eと対向するボンディングパッド３０３j（図５参照）の直上に位置付けられる。この状態が図１０の(a)に示す状態である。図１０の(a)に示す状態で制御手段２０は、チャックテーブル３６を図１０の(a)において矢印Ｘ２で示す方向に所定の移動速度で加工送りするように上記加工送り手段３７を制御すると同時に、レーザー光線照射手段５２を作動し上記穿孔工程を実施する。そして、制御手段２０は、上述したようにX軸方向位置検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bからの検出信号をカウンター２０４によりカウントし、そのカウント値がボンディングパッド３０３に達する都度、制御手段２０はレーザー光線照射手段５２を作動し上記穿孔工程を実施する。そして、図１０の（ｂ）で示すように半導体ウエーハ３０のE1行の最右端のデバイス３０２に形成されたボンディングパッド３０３f位置に上記穿孔工程を実施したら、上記加工送り手段３７の作動を停止してチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ３０のシリコン基板３００には、図１０の（ｂ）で示すようにボンディングパッド３０３の裏面側にレーザー加工孔３０４が形成される。
以上のようにして、半導体ウエーハ３０のE1行のデバイス３０２に形成されたボンディングパッド３０３の裏面側にレーザー加工孔３０４が形成されたならば、制御手段２０は加工送り手段３７および第１の割り出し送り手段３８を作動し、半導体ウエーハ３０のE2行のデバイス３０２に形成されたボンディングパッド３０３における上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に格納されている第２の加工送り開始位置座標値（a2）をレーザー光線照射手段５２の集光器８の直下に位置付ける。そして、制御装置２０は、レーザー光線照射手段５２と加工送り手段３７および第１の割り出し送り手段３８を制御し、半導体ウエーハ３０のE2行のデバイス３０２に形成されたボンディングパッド３０３の裏面側に上述した穿孔工程を実施する。以後、半導体ウエーハ３０のE3〜En行のデバイス３０２に形成されたボンディングパッド３０３の裏面側に対しても上述した穿孔工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ３０のシリコン基板３００には、各デバイス３０２に形成されたボンディングパッド３０３の裏面側にレーザー加工孔３０４が形成される。
なお、上記穿孔工程において、図６におけるX軸方向の間隔Ａ領域と間隔B領域および図６におけるY軸方向の間隔C領域と間隔D領域には半導体ウエーハ３０にパルスレーザー光線を照射しない。このように、半導体ウエーハ３０にパルスレーザー光線を照射しないために、上記制御手段２０は音響光学偏向手段７の偏向角度調整手段７４に０Vの電圧を印加する。この結果音響光学素子７１には０Vに対応する周波数のRFが印加され、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線(LB)は図２において破線で示すようにレーザー光線吸収手段７６に導かれるので、半導体ウエーハ３０に照射されることはない。
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、上述した実施形態においては、基板（第１の部材）の表面に形成された複数のデバイスにそれぞれボンディングパッド（第２の部材）が配設されたウエーハに、基板（第１の部材）の裏面側からボンディングパッド（第２の部材）に達するレーザー加工孔を形成する例について説明したが、第１の材料によって形成された第１の部材と第２の材料によって形成された第２の部材とが接合された被加工物に第１の部材から第２の部材に達するレーザー加工孔を形成する場合に、広く適用することができる。
１：レーザー加工装置
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３１：案内レール
３６：チャックテーブル
３７：加工送り手段
３７４：X軸方向位置検出手段
３８：第１の割り出し送り手段
３８４：Y軸方向位置検出手段
４：レーザー光線照射ユニット支持機構
４１：案内レール
４２：可動支持基台
４３：第２の割り出し送り手段
５：レーザー光線照射ユニット
５１：ユニットホルダ
５２：レーザー光線照射手段
６：パルスレーザー光線発振手段
６１：パルスレーザー光線発振器
６２：繰り返し周波数設定手段
７：音響光学偏向手段
７１：音響光学素子
７２：RF発振器
７３：RFアンプ
７４：偏向角度調整手段
７５：出力調整手段
７６：レーザー光線吸収手段
８：集光器
９：反射手段
１０：波長検出手段
１０１：回折格子
１０２：ラインイメージセンサー
１１：撮像手段
２０：制御手段
３０：半導体ウエーハ
３０１：分割予定ライン
３０２：デバイス
３０３：ボンディングパッド
３０４：レーザー加工孔
４０：環状のフレーム
５０：保護テープ

Claims (2)

  1. 第１の材料によって形成された第１の部材と第２の材料によって形成された第２の部材とが接合された被加工物に第１の部材から第２の部材に達するレーザー加工孔を形成する穿孔方法であって、
    被加工物の任意の領域に第１の部材側からパルスレーザー光線を照射してレーザー加工孔を形成する際に、パルスレーザー光線のショット数をカウントするとともにレーザー光線の照射によってプラズマが発する物質固有のスペクトルを計測し、レーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料固有のスペクトルから第２の材料固有のスペクトルに変化する変換時までのパルスレーザー光線のショット数を最小値として設定する最小ショット数設定工程、および第１の材料固有のスペクトルから完全に第２の材料固有のスペクトルに変化した時までのパルスレーザー光線のショット数を最大値として設定する最大ショット数設定工程と、
    被加工物の所定の加工位置に第１の部材側からパルスレーザー光線を照射してレーザー加工孔を形成する際に、パルスレーザー光線のショット数をカウントするとともにレーザー光線の照射によってプラズマが発する物質固有のスペクトルを計測し、パルスレーザー光線のショット数が該最小値に達しレーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料固有のスペクトルから第２の材料固有のスペクトルに変化した場合にはパルスレーザー光線の照射を停止し、パルスレーザー光線のショット数が該最小値に達してもレーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料固有のスペクトルから第２の材料固有のスペクトルに変化しない場合にはパルスレーザー光線のショット数が該最大値に達するまでパルスレーザー光線の照射を継続した後に停止する穿孔工程と、を含み、
    該穿孔工程において実行される該スペクトルの計測は、該照射されるパルスレーザー光線を被加工物に対して照射する集光器に備えられた集光レンズと、被加工物との間の光軸上に配置され、該パルスレーザー光線は通過するが被加工物で発せられるプラズマ光を反射する反射手段によって反射された光の該スペクトルの波長を検出する波長検出手段によりなされる、
    ことを特徴とする穿孔方法。
  2. 被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該被加工物保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に移動せしめる移動手段と、該レーザー光線照射手段から被加工物にレーザー光線が照射されることによって発生するプラズマのスペクトルを検出するプラズマ検出手段と、該プラズマ検出手からの検出信号に基づいて該レーザー光線照射手段を制御する制御手段とを具備し、第１の材料によって形成された第１の部材と第２の材料によって形成された第２の部材とが接合された被加工物に第１の部材から第２の部材に達するレーザー加工孔を形成するレーザー加工装置において、
    制御手段は、該レーザー加工孔を形成するに必要なパルスレーザー光線のショット数の最小値と最大値とを記憶するメモリおよび該レーザー光線照射手段によって照射されるパルスレーザー光線のショット数をカウントとするカウンターを具備しており、被加工物の所定の加工位置に第１の部材側からパルスレーザー光線を照射してレーザー加工孔を形成する際には、パルスレーザー光線のショット数が該最小値に達しレーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料固有のスペクトルから第２の材料固有のスペクトルに変化した場合にはパルスレーザー光線の照射を停止し、パルスレーザー光線のショット数が該最小値に達してもレーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料固有のスペクトルから第２の材料固有のスペクトルに変化しない場合にはパルスレーザー光線のショット数が該最大値に達するまでパルスレーザー光線の照射を継続した後に停止するように該レーザー光線照射手段を制御するものであって、
    該制御手段は、該加工送り手段を作動して該被加工物保持手段に保持された被加工物の任意の領域を該レーザー光線照射手段の照射位置に位置付け、該レーザー光線照射手段を作動し第１の部材側からパルスレーザー光線を照射してレーザー加工孔を形成する際に、パルスレーザー光線のショット数をカウントするとともにレーザー光線の照射によってプラズマが発する物質固有のスペクトルを計測し、レーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料固有のスペクトルから第２の材料固有のスペクトルに変化する変換時までのパルスレーザー光線のショット数を最小値として設定する最小ショット数設定工程、および第１の材料固有のスペクトルから完全に第２の材料固有のスペクトルに変化した時までのパルスレーザー光線のショット数を最大値として設定する最大ショット数設定工程を実行することにより得た該最小値および該最大値が該メモリに格納されており、
    該プラズマ検出手段によるスペクトルの検出は、該照射されるパルスレーザー光線を被加工物に対して照射する集光器に備えられた集光レンズと被加工物との間の光軸上に配置され、該パルスレーザー光線は通過するが被加工物で発せられるプラズマ光を反射する反射手段によって反射された光の該スペクトルの波長を検出する波長検出手段によりなされる、
    ことを特徴とするレーザー加工装置。
JP2011182358A 2011-08-24 2011-08-24 穿孔方法およびレーザー加工装置 Active JP5869259B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011182358A JP5869259B2 (ja) 2011-08-24 2011-08-24 穿孔方法およびレーザー加工装置
TW101124413A TWI575632B (zh) 2011-08-24 2012-07-06 Perforation method and laser processing device
KR1020120089321A KR20130023085A (ko) 2011-08-24 2012-08-16 천공 방법 및 레이저 가공 장치
DE102012214908A DE102012214908A1 (de) 2011-08-24 2012-08-22 Lochbildungsverfahren und Laserbearbeitungsvorrichtung
CN201210300833.0A CN102950383B (zh) 2011-08-24 2012-08-22 穿孔方法及激光加工装置
US13/592,974 US8912464B2 (en) 2011-08-24 2012-08-23 Hole forming method and laser processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011182358A JP5869259B2 (ja) 2011-08-24 2011-08-24 穿孔方法およびレーザー加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013043198A JP2013043198A (ja) 2013-03-04
JP5869259B2 true JP5869259B2 (ja) 2016-02-24

Family

ID=47665470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011182358A Active JP5869259B2 (ja) 2011-08-24 2011-08-24 穿孔方法およびレーザー加工装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8912464B2 (ja)
JP (1) JP5869259B2 (ja)
KR (1) KR20130023085A (ja)
CN (1) CN102950383B (ja)
DE (1) DE102012214908A1 (ja)
TW (1) TWI575632B (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6034030B2 (ja) * 2012-03-09 2016-11-30 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびレーザー加工装置
CN103264216B (zh) * 2013-05-15 2016-05-04 山东大学 基于背面小孔视觉检测的受控穿孔等离子弧焊接系统与工艺
EP2862664A1 (de) * 2013-10-15 2015-04-22 Siemens Aktiengesellschaft Optische Überwachung eines Bohrprozesses und Vorrichtung
JP6328518B2 (ja) * 2014-08-04 2018-05-23 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US10589385B2 (en) * 2015-01-08 2020-03-17 General Electric Company Method and system for confined laser drilling
CN106001941B (zh) * 2016-05-05 2018-06-05 张玉峰 一种激光拉丝模打孔机及其线性变频控制方法
JP2020066015A (ja) * 2018-10-23 2020-04-30 株式会社ディスコ レーザー加工方法
DE102019108131A1 (de) * 2019-03-28 2020-10-01 Pulsar Photonics Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Ausbildung von VIA-Laserbohrungen
JP2020201221A (ja) * 2019-06-13 2020-12-17 株式会社ブイ・テクノロジー レーザ修正方法、レーザ修正装置
CN110605488A (zh) * 2019-10-22 2019-12-24 北京大学东莞光电研究院 一种陶瓷激光打孔装置
CN112605535A (zh) * 2020-11-19 2021-04-06 天津三安光电有限公司 一种晶圆及晶圆划片方法及一种芯粒
WO2022185472A1 (ja) * 2021-03-04 2022-09-09 国立大学法人名古屋工業大学 レーザ加工装置および関係判定方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999030864A1 (fr) * 1997-12-12 1999-06-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Procede et dispositif d'usinage laser, et procede de commande de l'usinage laser
JP3011183B2 (ja) * 1998-05-08 2000-02-21 松下電器産業株式会社 レーザ加工方法および加工装置
US6075593A (en) * 1999-08-03 2000-06-13 General Electric Company Method for monitoring and controlling laser shock peening using temporal light spectrum analysis
CN1287945C (zh) * 2001-03-22 2006-12-06 埃克赛尔技术有限公司 激光加工系统和方法
JP2003163323A (ja) 2001-11-27 2003-06-06 Sony Corp 回路モジュール及びその製造方法
US7273998B2 (en) * 2004-09-15 2007-09-25 General Electric Company System and method for monitoring laser shock processing
JP2007067082A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの穿孔方法
JP5011072B2 (ja) * 2007-11-21 2012-08-29 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
US8912464B2 (en) 2014-12-16
CN102950383B (zh) 2015-12-16
US20130048617A1 (en) 2013-02-28
TWI575632B (zh) 2017-03-21
KR20130023085A (ko) 2013-03-07
JP2013043198A (ja) 2013-03-04
DE102012214908A1 (de) 2013-02-28
CN102950383A (zh) 2013-03-06
TW201310563A (zh) 2013-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5912293B2 (ja) レーザー加工装置
JP5869259B2 (ja) 穿孔方法およびレーザー加工装置
JP5011072B2 (ja) レーザー加工装置
JP5122773B2 (ja) レーザー加工機
JP5964604B2 (ja) レーザー加工装置
JP5902540B2 (ja) レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP4917382B2 (ja) レーザー光線照射装置およびレーザー加工機
JP5969767B2 (ja) レーザー加工装置
JP5000944B2 (ja) レーザー加工装置のアライメント方法
JP5395411B2 (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP2008212999A (ja) レーザー加工装置
JP2008068270A (ja) レーザー加工装置
JP2008207210A (ja) レーザー光線照射装置およびレーザー加工機
JP6034030B2 (ja) レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2010123723A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP2008119741A (ja) レーザー加工装置およびウエーハの加工方法
JP2012094591A (ja) ビアホールの加工方法およびレーザー加工装置
KR20120131096A (ko) 레이저 가공 장치
JP2012091218A (ja) レーザー加工装置
JP5053727B2 (ja) レーザー加工装置
JP6017809B2 (ja) レーザー加工装置
JP2013198905A (ja) レーザー加工装置
JP2007283370A (ja) レーザー加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140716

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150515

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150526

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150724

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151215

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160107

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5869259

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250