JP2007283370A - レーザー加工装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】物質の変化に基いて加工領域を検出することができる機能を備えたレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】レーザー光線発振手段6と集光レンズ72との間に配設されチャックテーブル36に保持された被加工物Wにレーザー光線が照射されることによって発する光を分岐するビームスプリッター8と、ビームスプリッターによって分岐された光を電気信号に変換する光電変換手段10と、被加工物を形成する物質の光特性を記憶した記憶手段111を備え、該記憶手段に記憶された物質の光特性と光電変換手段10によって変換された電気信号に基いてレーザー光線発振手段6を制御する制御手段11とを具備している。
【選択図】図2
【解決手段】レーザー光線発振手段6と集光レンズ72との間に配設されチャックテーブル36に保持された被加工物Wにレーザー光線が照射されることによって発する光を分岐するビームスプリッター8と、ビームスプリッターによって分岐された光を電気信号に変換する光電変換手段10と、被加工物を形成する物質の光特性を記憶した記憶手段111を備え、該記憶手段に記憶された物質の光特性と光電変換手段10によって変換された電気信号に基いてレーザー光線発振手段6を制御する制御手段11とを具備している。
【選択図】図2
Description
本発明は、被加工物にレーザー加工を施すレーザー加工装置に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれるストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。
装置の小型化、高機能化を図るため、複数の半導体チップを積層し、積層された半導体チップの電極を接続するモジュール構造が実用化されている。このモジュール構造は、半導体ウエーハの表面におけるボンディングパッドが形成された位置に裏面からボンディングパッドに達する孔(ビアホール)を形成し、このビアホールに電極と接続するアルミニウム等の導電性材料を埋め込む構成である。(例えば、特許文献1参照。)
特開2003−163323号公報
上述した半導体ウエーハに設けられるビアホールは、ドリルによって形成されている。しかるに、半導体ウエーハに設けられるビアホールは直径が100〜300μmと小さく、ドリルによる穿孔では生産性が悪いという問題がある。
上記問題を解消するために本出願人は、半導体ウエーハ等の被加工物に効率よく細孔を形成することができるレーザー加工装置を特願2005−64867号として提案した。このレーザー加工装置は、被加工物を保持するチャックテーブルとレーザー光線照射手段との相対的な加工送り量を検出する加工送り量検出手段と、被加工物に形成する細孔のX,Y座標値を記憶する記憶手段と、記憶手段に記憶された細孔のX,Y座標値と加工送り量検出手段からの検出信号に基づいてレーザー光線照射手段を制御する制御手段とを具備し、被加工物に形成する細孔のX,Y座標値がレーザー光線照射手段の集光器の直下に達したらレーザー光線を照射するように構成したものである。
上述した半導体ウエーハの裏面からレーザー光線を照射してビアホールを形成する形成方法においては、半導体ウエーハの表面に形成されたボンディングパッドに穴を開けないように寸止めしなければならず、このためにはビアホールがボンディングパッドに達した時点でレーザー光線の照射を停止する必要がある。しかるに、ビアホールがボンディングパッドに達したことを検出することは非常に難しく、レーザー光線によって形成されるビアホールをボンディングパッドに穴を開けないように寸止めすることは実質的に困難である。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、物質の変化を検出して加工領域を判定する機能を備えたレーザー加工装置を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段とを具備し、該レーザー光線照射手段がレーザー光線発振手段と該レーザー光線発振手段によって発振されたレーザー光線を集光する集光レンズとを具備しているレーザー加工装置において、
該レーザー光線発振手段と該集光レンズとの間に配設され該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線が照射されることによって発する光を分岐するビームスプリッターと、
該ビームスプリッターによって分岐された光を電気信号に変換する光電変換手段と、
被加工物を形成する物質の光特性を記憶した記憶手段を備え、該記憶手段に記憶された物質の光特性と該光電変換手段によって変換された電気信号に基いて該レーザー光線発振手段を制御する制御手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
該レーザー光線発振手段と該集光レンズとの間に配設され該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線が照射されることによって発する光を分岐するビームスプリッターと、
該ビームスプリッターによって分岐された光を電気信号に変換する光電変換手段と、
被加工物を形成する物質の光特性を記憶した記憶手段を備え、該記憶手段に記憶された物質の光特性と該光電変換手段によって変換された電気信号に基いて該レーザー光線発振手段を制御する制御手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
上記ビームスプリッターと光電変換手段との間にビームスプリッターによって分光された光を集光する補助集光レンズが配設されていることが望ましい。
上記レーザー光線発振手段は微弱な連続波レーザー光線を発振しており、上記制御手段は微弱な連続波レーザー光線が被被加工物に照射されることによって発する光に対応して上記光電変換手段が出力する電気信号に基いてレーザー光線発振手段を制御する。
上記レーザー光線発振手段は微弱な連続波レーザー光線を発振しており、上記制御手段は微弱な連続波レーザー光線が被被加工物に照射されることによって発する光に対応して上記光電変換手段が出力する電気信号に基いてレーザー光線発振手段を制御する。
本発明によるレーザー加工装置においては、レーザー光線発振手段と集光レンズとの間に配設されチャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線が照射されることによって発する光を分岐するビームスプリッターと、ビームスプリッターによって分岐された光を電気信号に変換する光電変換手段と、被加工物を形成する物質の光特性を記憶した記憶手段を備え、該記憶手段に記憶された物質の光特性と光電変換手段によって変換された電気信号に基いてレーザー光線発振手段を制御する制御手段とを具備しているので、被加工物を形成する物質が変化したことを検出してレーザー光線発振手段を制御することができる。従って、例えば半導体ウエーハの表面に形成されたボンディングパッドと対応する位置にビアホール形成する場合には、ボンディングパッドに穴を開けることなく寸止めすることができる。
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
図1には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図1に示すレーザー加工装置は、静止基台2と、該静止基台2に矢印Xで示す加工送り方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構3と、静止基台2に上記矢印Xで示す方向と直角な矢印Yで示す割り出し送り方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構4と、該レーザー光線ユニット支持機構4に矢印Zで示す方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット5とを具備している。
上記チャックテーブル機構3は、静止基台2上に矢印Xで示す加工送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール31、31と、該案内レール31、31上に矢印Xで示す加工送り方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック32と、該第1の滑動ブロック32上に矢印Yで示す割り出し送り方向に移動可能に配設された第2の滑動ブロック33と、該第2の滑動ブロック33上に円筒部材34によって支持されたカバーテーブル35と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル36を具備している。このチャックテーブル36は多孔性材料から形成された吸着チャック361を具備しており、吸着チャック361上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル36は、円筒部材34内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル36には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ362が配設されている。
上記第1の滑動ブロック32は、その下面に上記一対の案内レール31、31と嵌合する一対の被案内溝321、321が設けられているとともに、その上面に矢印Yで示す割り出し送り方向に沿って平行に形成された一対の案内レール322、322が設けられている。このように構成された第1の滑動ブロック32は、被案内溝321、321が一対の案内レール31、31に嵌合することにより、一対の案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第1の滑動ブロック32を一対の案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向に移動させるための加工送り手段37を具備している。加工送り手段37は、上記一対の案内レール31と31の間に平行に配設された雄ネジロッド371と、該雄ネジロッド371を回転駆動するためのパルスモータ372等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド371は、その一端が上記静止基台2に固定された軸受ブロック373に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ372の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド371は、第1の滑動ブロック32の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ372によって雄ネジロッド371を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック32は案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられる。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記チャックテーブル36の加工送り量を検出するための加工送り量検出手段374を備えている。加工送り量検出手段374は、案内レール31に沿って配設されたリニアスケール374aと、第1の滑動ブロック32に配設され第1の滑動ブロック32とともにリニアスケール374aに沿って移動する読み取りヘッド374bとからなっている。この送り量検出手段374の読み取りヘッド374bは、図示に実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36の加工送り量を検出する。なお、上記加工送り手段37の駆動源としてパルスモータ372を用いた場合には、パルスモータ372に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル36の加工送り量を検出することもできる。また、上記加工送り手段37の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36の加工送り量を検出することもできる。
上記第2の滑動ブロック33は、その下面に上記第1の滑動ブロック32の上面に設けられた一対の案内レール322、322と嵌合する一対の被案内溝331、331が設けられており、この被案内溝331、331を一対の案内レール322、322に嵌合することにより、矢印Yで示す割り出し送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第2の滑動ブロック33を第1の滑動ブロック32に設けられた一対の案内レール322、322に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動させるための第1の割り出し送り手段38を具備している。第1の割り出し送り手段38は、上記一対の案内レール322と322の間に平行に配設された雄ネジロッド381と、該雄ネジロッド381を回転駆動するためのパルスモータ382等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド381は、その一端が上記第1の滑動ブロック32の上面に固定された軸受ブロック383に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ382の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド381は、第2の滑動ブロック33の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ382によって雄ネジロッド381を正転および逆転駆動することにより、第2の滑動ブロック33は案内レール322、322に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記第2の滑動ブロック33の割り出し加工送り量を検出するための割り出し送り量検出手段384を備えている。割り出し送り量検出手段384は、案内レール322に沿って配設されたリニアスケール384aと、第2の滑動ブロック33に配設され第2の滑動ブロック33とともにリニアスケール384aに沿って移動する読み取りヘッド384bとからなっている。この送り量検出手段384の読み取りヘッド384bは、図示に実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36の割り出し送り量を検出する。なお、上記第1の割り出し送り手段38の駆動源としてパルスモータ382を用いた場合には、パルスモータ382に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル36の割り出し送り量を検出することもできる。また、上記加工送り手段37の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36の割り出し送り量を検出することもできる。
上記レーザー光線照射ユニット支持機構4は、静止基台2上に矢印Yで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール41、41と、該案内レール41、41上に矢印Yで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台42を具備している。この可動支持基台42は、案内レール41、41上に移動可能に配設された移動支持部421と、該移動支持部421に取り付けられた装着部422とからなっている。装着部422は、一側面に矢印Zで示す方向に延びる一対の案内レール423、423が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構4は、可動支持基台42を一対の案内レール41、41に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動させるための第2の割り出し送り手段43を具備している。第2の割り出し送り手段43は、上記一対の案内レール41、41の間に平行に配設された雄ネジロッド431と、該雄ねじロッド431を回転駆動するためのパルスモータ432等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド431は、その一端が上記静止基台2に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ432の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド431は、可動支持基台42を構成する移動支持部421の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ432によって雄ネジロッド431を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台42は案内レール41、41に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
図示の実施形態のおけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51と、該ユニットホルダ51に取り付けられたレーザー光線照射手段52を具備している。ユニットホルダ51は、上記装着部422に設けられた一対の案内レール423、423に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝511、511が設けられており、この被案内溝511、511を上記案内レール423、423に嵌合することにより、矢印Zで示す方向に移動可能に支持される。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51を一対の案内レール423、423に沿って矢印Zで示す方向(Z軸方向)に移動させるための移動手段53を具備している。移動手段53は、一対の案内レール423、423の間に配設された雄ネジロッド(図示せず)と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ532等の駆動源を含んでおり、パルスモータ532によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ51およびレーザビーム照射手段52を案内レール423、423に沿って矢印Zで示す方向(Z軸方向)に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ532を正転駆動することによりレーザー光線照射手段52を上方に移動し、パルスモータ532を逆転駆動することによりレーザー光線照射手段52を下方に移動するようになっている。
図示のレーザー光線照射手段52は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング521を含んでいる。そして、レーザー光線照射手段52は、図2に示すようにケーシング521内に配設されたパルスレーザー光線発振手段6と、該パルスレーザー光線発振手段6から発振されたパルスレーザー光線をチャックテーブル36に保持された被加工物Wに照射する集光器7を具備している。パルスレーザー光線発振手段6は、被加工物に対して吸収性を有するパルスレーザー光線LB1を発振する。このパルスレーザー光線発振手段6は、被加工物がシリコン基板、炭化珪素基板、リチウムタンタレート基板、ガラス基板或いは石英基板を含むウエーハである場合、例えば波長が355nmであるパルスレーザー光線LB1を発振するYVO4パルスレーザー発振器或いはYAGパルスレーザー発振器を用いることができる。
上記集光器7は、上記ケーシング521の先端部に装着されている。この集光器7は、上記パルスレーザー光線発振手段6によって発振されたパルスレーザー光線LB1を下方に向けて反射せしめる方向変換ミラー71と、該方向変換ミラー71によって方向変換されたパルスレーザー光線LB1を集光する集光レンズ72を備えている。
図2を参照して説明を続けると、図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、方向変換ミラー71と集光レンズ72との間に配設されチャックテーブル36に保持された被加工物Wにレーザー光線が照射されることによって発する光を分岐するビームスプリッター8と、該ビームスプリッター8によって分岐された光を集光する補助集光レンズ9と、該補助集光レンズ9によって集光された光を電気信号に変換する光電変換手段10と、該光電変換手段10によって変換された電気信号に基いて上記レーザー光線発振手段52のパルスレーザー光線発振手段6を制御する制御手段11を具備している。ビームスプリッター8は、上記方向変換ミラー71により集光レンズ72に向けて方向変換されたパルスレーザー光線LB1は通過させるが、チャックテーブル36に保持された被加工物Wにレーザー光線が照射されることによって発する光LB2は反射し補助集光レンズ9に向けて分岐する。補助集光レンズ9は、方向変換ミラー71によって分岐された光LB2を集光して光電変換手段10に送る。
上記光電変換手段10は、第1の実施形態においては、光の強度に対応した電気信号に変換するホトダイオードからなっている。また、光電変換手段10の第2の実施形態としては、光を分光する回析格子と、該回析格子によって分光された光の強弱を電子信号に変換するリニアイメージセンサーとからなっている。
上記制御手段11は、被加工物を形成する物質の光特性を記憶した第1の記憶手段111を備え、該第1の記憶手段111に記憶された物質の光特性と上記光電変換手段10によって変換された電気信号に基いて上記レーザー光線発振手段6を制御する。なお、第1の記憶手段111には、第1の実施形態においては、被加工物を形成する物質の反射率に対応するデータが格納されている。例えば、波長が355nmであるレーザー光線に対する物質の反射率が格納される。波長が355nmであるレーザー光線に対する反射率は、シリコンが57.48%、金が36.28%、銅が43.27%、ニッケルが42.65%であり、これら各物質の反射率に対応してホトダイオードが出力する電圧値のデータが第1の記憶手段111に格納される。また、第1の記憶手段111に記憶された物質の光特性の第2の実施形態としては、物質の特性を示すスペクトルに関するデータが第1の記憶手段111に格納される。
図1に戻って説明を続けると、上記レーザー光線照射手段52を構成するケーシング521の先端部には、レーザー光線照射手段52によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段12が配設されている。この撮像手段12は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を上記制御手段11に送る。なお、制御手段11は、図2に示すように上記光電変換手段10、撮像手段12、加工送り量検出手段374、割り出し送り量検出手段384等から検出信号を入力し、上記パルスレーザー光線発振手段6、パルスモータ372、パルスモータ382、パルスモータ532等に制御信号を出力する。また、制御手段11は、上記第1の記憶手段111の他に後述する被加工物である半導体ウエーハに形成されるボンディングパッドの位置データ等を記憶する第2の記憶手段112を備えている。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下このレーザー加工装置を用いて被加工物としての半導体ウエーハにビアホールを形成する実施形態について、図3乃至図8を参照して説明する。
図3にはレーザー加工される被加工物としての半導体ウエーハWの平面図が示されている。図3に示す半導体ウエーハWは、シリコン基板21の表面21aに格子状に配列された複数のストリート22によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス23がそれぞれ形成されている。この各デバイス23は、全て同一の構成をしている。デバイス23の表面にはそれぞれ図4に示すように複数のボンディングパッド24(24a〜24j)が形成されている。この複数のボンディングパッド24(24a〜24j)は、図示の実施形態においては銅によって形成されている。なお、図示の実施形態においては、ボンディングパッド24aと24f、24bと24g、24cと24h、24dと24i、24eと24jは、X方向位置が同一である。この複数のボンディングパッド24(24a〜24j)部に対応するシリコン基板21にそれぞれビアホールが形成される。各デバイス23におけるボンディングパッド24(24a〜24j)のX方向(図4において左右方向)の間隔A、および各デバイス23に形成されたボンディングパッド24における分割予定22を挟んでX方向(図4において左右方向)に隣接するボンディングパッド即ちボンディングパッド24eとボンディングパッド24aとの間隔Bは、図示の実施形態においては同一間隔に設定されている。また、各デバイス23におけるボンディングパッド24(24a〜24j)のY方向(図4において上下方向)の間隔C、および各デバイス23に形成されたボンディングパッド24におけるストリート22を挟んでY方向(図4において上下方向)に隣接するボンディングパッド即ちボンディングパッド24fとボンディングパッド24aおよびボンディングパッド24jとボンディングパッド24eとの間隔Dは、図示の実施形態においては同一間隔に設定されている。このように構成された半導体ウエーハWについて、図3に示す各行E1・・・・Enおよび各列F1・・・・Fnに配設されたデバイス23の個数と上記各間隔A,B,C,Dは、その設計値のデータが上記制御手段11の第2の記憶手段112に格納されている。
図3にはレーザー加工される被加工物としての半導体ウエーハWの平面図が示されている。図3に示す半導体ウエーハWは、シリコン基板21の表面21aに格子状に配列された複数のストリート22によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス23がそれぞれ形成されている。この各デバイス23は、全て同一の構成をしている。デバイス23の表面にはそれぞれ図4に示すように複数のボンディングパッド24(24a〜24j)が形成されている。この複数のボンディングパッド24(24a〜24j)は、図示の実施形態においては銅によって形成されている。なお、図示の実施形態においては、ボンディングパッド24aと24f、24bと24g、24cと24h、24dと24i、24eと24jは、X方向位置が同一である。この複数のボンディングパッド24(24a〜24j)部に対応するシリコン基板21にそれぞれビアホールが形成される。各デバイス23におけるボンディングパッド24(24a〜24j)のX方向(図4において左右方向)の間隔A、および各デバイス23に形成されたボンディングパッド24における分割予定22を挟んでX方向(図4において左右方向)に隣接するボンディングパッド即ちボンディングパッド24eとボンディングパッド24aとの間隔Bは、図示の実施形態においては同一間隔に設定されている。また、各デバイス23におけるボンディングパッド24(24a〜24j)のY方向(図4において上下方向)の間隔C、および各デバイス23に形成されたボンディングパッド24におけるストリート22を挟んでY方向(図4において上下方向)に隣接するボンディングパッド即ちボンディングパッド24fとボンディングパッド24aおよびボンディングパッド24jとボンディングパッド24eとの間隔Dは、図示の実施形態においては同一間隔に設定されている。このように構成された半導体ウエーハWについて、図3に示す各行E1・・・・Enおよび各列F1・・・・Fnに配設されたデバイス23の個数と上記各間隔A,B,C,Dは、その設計値のデータが上記制御手段11の第2の記憶手段112に格納されている。
上記のように構成された半導体ウエーハWは、図5に示すように環状のフレームFに装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープTにシリコン基板21の表面21aを貼着する。従って、半導体ウエーハWは、シリコン基板21の裏面21bが上側となる。
このようにして環状のフレームFに保護テープTを介して支持された半導体ウエーハWは、図1に示すレーザー加工装置のチャックテーブル36上に保護テープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハWは、保護テープTを介してチャックテーブル36上に吸引保持される。また、環状のフレームFは、クランプ362によって固定される。
このようにして環状のフレームFに保護テープTを介して支持された半導体ウエーハWは、図1に示すレーザー加工装置のチャックテーブル36上に保護テープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハWは、保護テープTを介してチャックテーブル36上に吸引保持される。また、環状のフレームFは、クランプ362によって固定される。
上述したように半導体ウエーハWを吸引保持したチャックテーブル36は、加工送り手段37によって撮像手段12の直下に位置付けられる。チャックテーブル36が撮像手段12の直下に位置付けられると、チャックテーブル36上の半導体ウエーハWは、図6に示す座標位置に位置付けられた状態となる。この状態で、チャックテーブル36に保持された半導体ウエーハWに形成されている格子状のストリート22がX軸方向とY軸方向に平行に配設されているか否かのアライメント作業を実施する。即ち、撮像手段12によってチャックテーブル36に保持された半導体ウエーハWを撮像し、パターンマッチング等の画像処理を実行してアライメント作業を行う。
次に、チャックテーブル36を移動して、半導体ウエーハWに形成されたデバイス23における最上位の行E1の図6において最左端のデバイス23を撮像手段12の直下に位置付ける。そして、更にデバイス23に形成された複数のボンディングパッド24(24a〜24j)における図6において左上のボンディングパッド24aを撮像手段12の直下に位置付ける。この状態で撮像手段12がボンディングパッド24aを検出したならばその座標値(a1)を第1の加工送り開始位置座標値として制御手段20に送る。このとき、半導体ウエーハWを構成するシリコン基板21の表面に形成されたデバイス23に形成されているボンディングパッド24は下側に位置しているが、撮像手段12が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成された撮像手段を備えているので、シリコン基板21の裏面21bから透かしてボンディングパッド24を撮像することができる。そして、制御手段20は、この座標値(a1)を第1の加工送り開始位置座標値として第2の記憶手段112に格納する(加工送り開始位置検出工程)。このとき、撮像手段12とレーザー光線照射手段52の集光器7はX軸方向に所定の間隔を置いて配設されているので、X座標値は上記撮像手段12と集光器7との間隔を加えた値が格納される。
このようにして図6において最上位の行E1のデバイス23における第1の加工送り開始位置座標値(a1)を検出したならば、チャックテーブル36をストリート22の間隔だけY軸方向に割り出し送りするとともにX軸方向に移動して、図6において最上位から2番目の行E2における最左端のデバイス23を撮像手段12の直下に位置付ける。そして、更にデバイス23に形成されたボンディングパッド24(24a〜24j)における図6において左上のボンディングパッド24aを撮像手段12の直下に位置付ける。この状態で撮像手段12がボンディングパッド24aを検出したならばその座標値(a2)を第2の加工送り開始位置座標値として制御手段20に送る。そして、制御手段20は、この座標値(a2)を第2の加工送り開始位置座標値として第2の記憶手段112に格納する。このとき、撮像手段12とレーザー光線照射手段52の集光器7は上述したようにX軸方向に所定の間隔を置いて配設されているので、X座標値は上記撮像手段12と集光器7との間隔を加えた値が格納される。以後、上述した割り出し送りと加工送り開始位置検出工程を図6において最下位の行Enまで繰り返し実行し、各行に形成されたデバイス23の加工送り開始位置座標値(a3〜an)を検出して、これを上記制御手段11の第2の記憶手段112に格納する。
次に、半導体ウエーハWの各デバイス23に形成された各ボンディングパッド24(24a〜24j)部に対応するシリコン基板21にビアホールを穿孔する穿孔工程を実施する。穿孔工程は、先ず加工送り手段37を作動しチャックテーブル36を移動して、上記制御手段11の第2の記憶手段112に格納されている第1の加工送り開始位置座標値(a1)をレーザー光線照射手段52の集光器7の直下に位置付ける。このように第1の加工送り開始位置座標値(a1)が集光器7の直下に位置付けられた状態が図7に示す状態である。図7に示す状態から制御手段11は、レーザー光線照射手段52のパルスレーザー光線発振手段6を作動して集光器7からシリコン基板21に対して吸収性を有する波長(例えば、355nm)のパルスレーザー光線を照射する。なお、集光器7から照射されるパルスレーザー光線の集光点Pは、半導体ウエーハWを構成するシリコン基板21の裏面21a(上面)付近に合わせる。なお、穿孔工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4
波長 :355nm
繰り返し周波数 :50kHz
出力 :3W
集光スポット径 :φ15μm
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4
波長 :355nm
繰り返し周波数 :50kHz
出力 :3W
集光スポット径 :φ15μm
上述したように穿孔工程においてシリコン基板21にパルスレーザー光線を照射すると、シリコン基板21に細孔が形成されるとともに、シリコン基板21にパルスレーザー光線が照射されることによって発生する光LB2がビームスプリッター8によって分岐され補助集光レンズ9によって集光されて光電変換手段10に入光される。光電変換手段10は、ホトダイオードからなっている場合には、入光された光LB2の強度に対応した電圧信号を制御手段11に出力する。即ち、集光器7から照射されるパルスレーザー光線LB1によってシリコン基板21を加工している際には、光電変換手段10はシリコンの反射率(57.48%)に対応した電圧信号を制御手段に出力する。そして、図8に示すようにシリコン基板21に形成された細孔211がシリコン基板21の表面21aに形成されたボンディングパッド24に達すると、パルスレーザー光線が照射されることによって発生する光LB2がボンディングパッド24を形成する銅に対応した光となる。この結果、ビームスプリッター8および補助集光レンズ9を介して光LB2を入光した電変換手段10は、銅の反射率(43.27%)に対応した電圧信号を制御手段11に出力する。そして、制御手段11は、電変換手段10から入力した電圧信号と第1の記憶手段111に格納されている各物質の反射率に対応した電圧値と照合し、シリコン基板21に形成された細孔211がシリコン基板21の表面21aに形成されたボンディングパッド24に達したと判断し、レーザー光線照射手段52のパルスレーザー光線発振手段6に停止信号を出力する。この結果、ボンディングパッド24に穴を開けることなくシリコン基板21にボンディングパッド24に達する細孔211を形成することができる。
上述したようにして、第1の加工送り開始位置座標値(a1)に穿孔工程を実施したならば、加工送り手段37を作動しチャックテーブル36を上記間隔Aだけ移動して、ボンディングパッド24bに対応する位置をレーザー光線照射手段52の集光器7の直下に位置付ける。そして、上記穿孔工程を実施する。このように半導体ウエーハWに形成された全てのボンディングパッド24に対応する位置をレーザー光線照射手段52の集光器7の直下に位置付け上記穿孔工程を実施することにより、シリコン基板21にはボンディングパッド24に達する細孔211を形成することができる。
次に、上述したレーザー加工装置を用いてレーザー加工する他の実施形態について、図9乃至図11を参照して説明する。
図9には、被加工物としての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図9に示す半導体ウエーハWは、シリコン基板ウエーハ21の表面21aに格子状に配列された複数のストリート22によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス23が形成されている。この半導体ウエーハWには、ストリート22にデバイス23の機能をテストするためのテスト エレメント グループ(TEG)と称するテスト用の金属パターン25が部分的に複数配設されている。なお、金属パターン25は、図示の実施形態においては銅によって形成されている。
図9には、被加工物としての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図9に示す半導体ウエーハWは、シリコン基板ウエーハ21の表面21aに格子状に配列された複数のストリート22によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス23が形成されている。この半導体ウエーハWには、ストリート22にデバイス23の機能をテストするためのテスト エレメント グループ(TEG)と称するテスト用の金属パターン25が部分的に複数配設されている。なお、金属パターン25は、図示の実施形態においては銅によって形成されている。
この実施形態においては、上述した半導体ウエーハWの金属パターン25のみにパルスレーザー光線を照射して、金属パターン25を除去するレーザー加工を実施する。なお、この実施形態においてはレーザー光線照射手段52のパルスレーザー光線発振手段6に制御手段11からパルスレーザー光線の照射信号が出力されていない場合には、パルスレーザー光線発振手段6は微弱な連続波レーザー光線を発振している。
上記のように構成された半導体ウエーハWは、図10に示すように環状のフレームFに装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープTにシリコン基板21の裏面21bを貼着する。従って、半導体ウエーハWは、シリコン基板21の表面21aが上側となる。
このようにして環状のフレームFに保護テープTを介して支持された半導体ウエーハWは、図1に示すレーザー加工装置のチャックテーブル36上に保護テープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハWは、保護テープTを介してチャックテーブル36上に吸引保持される。また、環状のフレームFは、クランプ362によって固定される。
このようにして環状のフレームFに保護テープTを介して支持された半導体ウエーハWは、図1に示すレーザー加工装置のチャックテーブル36上に保護テープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハWは、保護テープTを介してチャックテーブル36上に吸引保持される。また、環状のフレームFは、クランプ362によって固定される。
上述したように半導体ウエーハWを吸引保持したチャックテーブル36は、加工送り手段37によって撮像手段12の直下に位置付けられる。チャックテーブル36が撮像手段12の直下に位置付けられると、撮像手段12および制御手段11によって半導体ウエーハWのレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段12および制御手段11は、半導体ウエーハWの所定方向に形成されているストリート22と、ストリート22に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52の集光器8との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハWに形成されている所定方向と直交する方向に形成されているストリート22に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。
上述したようにチャックテーブル36上に保持されている半導体ウエーハWに形成されているストリート22を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル36を移動して図11の(a)に示すように所定のストリート22の一端(図11の(a)において左端)をレーザー光線照射手段52の集光器7の直下に位置付ける。そして、制御手段11は、加工送り手段37を作動してチャックテーブル36を矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。このようにチャックテーブル36を矢印X1で示す方向に移動している間に、レーザー光線照射手段52のパルスレーザー光線発振手段6から発振されている微弱な連続波レーザー光線が集光器7からチャックテーブル36上に保持されている半導体ウエーハWを構成するシリコン基板21に形成されたストリート22に照射される。従って、微弱な連続波レーザー光線が半導体ウエーハWに照射されることによって発生する光が上記図2に示すようにビームスプリッター8によって分岐され補助集光レンズ9によって集光されて光電変換手段10に入光される。光電変換手段10は、ホトダイオードからなっている場合には、入光された光の強度に対応した電気信号を制御手段に出力する。即ち、微弱な連続波レーザー光線の反射光を入光した光電変換手段10は、図12において破線(A)で示すように低い電圧信号を出力する。なお、図12において、横軸は加工送り量(μm)であり、縦軸は電圧(V)である。
光電変換手段10が出力する微弱な連続波レーザー光線が半導体ウエーハWに照射されることによって発生する光に対応した電圧信号は、図12において破線(A)で示すようにシリコン基板21に微弱な連続波レーザー光線が照射されている際にはシリコンの反射率(57.48%)に対応した電圧(V2)となり、銅からなる金属パターン25に微弱な連続波レーザー光線されている際には銅の反射率(43.27%)に対応した電圧(V1)となる。この微弱な連続波レーザー光線が半導体ウエーハWに照射されることによって発生する光に対応した電圧信号を入力した上記制御手段11は、上記電圧の変化に基づいて上記レーザー光線照射手段52のパルスレーザー光線発振手段6を制御する。
図11の(a)に示す状態からチャックテーブル36が矢印X1で示す方向に移動している際に、シリコン基板21が集光器7の直下を移動している場合には光電変換手段10が上記(V2)の電圧信号を出力するので、制御手段11はパルスレーザー光線発振手段6に制御信号を出力しない。そして、シリコン基板21に形成されたストリート22に形成されている金属パターン25が集光器7の直下に達すると、光電変換手段10が上記(V1)の電圧信号を出力するので、制御手段11は金属パターン25が集光器7の直下に達したと判断し、パルスレーザー光線発振手段6にパルスレーザー光線を発振するように制御信号を出力する。この制御手段11からの制御信号に基づいて、パルスレーザー光線発振手段6は例えば波長が355nm、繰り返し周波数が50kHz、出力が3Wのパルスレーザー光線を発振する。従って、集光器7から金属パターン25にパルスレーザー光線が照射されるため、金属パターン25が溶融除去される。なお、パルスレーザー光線発振手段6から発振されたパルスレーザー光線が金属パターン25に照射されている際には、図12において(B)で示すように光電変換手段10が出力するパルス状の電圧は(V3)と高くなるが、制御手段11はこのパルスレーザー光線に対応する電圧(V3)を無視して図12において破線(A)で示す微弱な連続波レーザー光線に対応した電圧に基づいてパルスレーザー光線発振手段6を制御する。
そして、金属パターン25が集光器7の直下を通過したら、上記光電変換手段10がシリコンの反射率(57.48%)に対応した電圧(V2)を出力するので、制御手段11は金属パターン25が集光器7の直下を通過したと判断し、パルスレーザー光線発振手段6にパルスレーザー光線の発振を停止する制御信号を出力する。このようにパルスレーザー光線発振手段6にパルスレーザー光線の発振と停止を繰り返し制御し、図11の(b)で示すように集光器7の照射位置がストリート22の他端(図11の(b)において右端)に達すると、シリコン基板21に形成されたストリート22に形成されている全ての金属パターン25が溶融除去される。
なお、上述した実施形態においてはシリコン基板21に形成されたストリート22に形成されている金属パターン25をレーザー加工する例を示したが、本発明によるレーザー加工装置においては金属パターン25を残してストリート22にレーザー加工を施すことができる。
2:静止基台
3:チャックテーブル機構
31:案内レール
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
374:加工送り量検出手段
38:第1の割り出し送り手段
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
41:案内レール
42:可動支持基台
43:第2の割り出し送り手段
433:割り出し送り量検出手段
5:レーザー光線照射ユニット
51:ユニットホルダ
52:レーザー光線加工手段
6:パルスレーザー光線発振手段
7:集光器
71:方向変換ミラー
72:集光レンズ
8:ビームスプリッター
9:補助集光レンズ
10:光電変換手段
11:制御手段
12:撮像手段
3:チャックテーブル機構
31:案内レール
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
374:加工送り量検出手段
38:第1の割り出し送り手段
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
41:案内レール
42:可動支持基台
43:第2の割り出し送り手段
433:割り出し送り量検出手段
5:レーザー光線照射ユニット
51:ユニットホルダ
52:レーザー光線加工手段
6:パルスレーザー光線発振手段
7:集光器
71:方向変換ミラー
72:集光レンズ
8:ビームスプリッター
9:補助集光レンズ
10:光電変換手段
11:制御手段
12:撮像手段
Claims (3)
- 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段とを具備し、該レーザー光線照射手段がレーザー光線発振手段と該レーザー光線発振手段によって発振されたレーザー光線を集光する集光レンズとを具備しているレーザー加工装置において、
該レーザー光線発振手段と該集光レンズとの間に配設され該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線が照射されることによって発する光を分岐するビームスプリッターと、
該ビームスプリッターによって分岐された光を電気信号に変換する光電変換手段と、
被加工物を形成する物質の光特性を記憶した記憶手段を備え、該記憶手段に記憶された物質の光特性と該光電変換手段によって変換された電気信号に基いて該レーザー光線発振手段を制御する制御手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置。 - 該ビームスプリッターと該光電変換手段との間に該ビームスプリッターによって分光された光を集光する補助集光レンズが配設されている、請求項1記載のレーザー加工装置。
- 該レーザー光線発振手段は微弱な連続波レーザー光線を発振しており、
該制御手段は該微弱な連続波レーザー光線が被被加工物に照射されることによって発する光に対応して該光電変換手段が出力する電気信号に基いて該レーザー光線発振手段を制御する、請求項1又は2記載のレーザー加工装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009113106A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
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