JP4885650B2 - 表面位置検出装置およびレーザー加工機 - Google Patents
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Description
該表面位置検出装置は、検査用レーザー光線を発振する検査用レーザー光線発振手段と、該加工用レーザー光線発振手段と該集光器との間に配設され該加工用レーザー光線発振手段から発振される波長の加工用レーザー光線を通過し該検査用レーザー光線発振手段から発振される波長の検査用レーザー光線を該集光器に向けて反射せしめるダイクロイックハーフミラーと、該検査用レーザー光線発振手段と該ダイクロイックハーフミラーとを結ぶ第1の光路に配設され被加工物の露出部で反射した検査用レーザー光線の反射光を第2の光路に分岐する第1のビームスプリッターと、該第2の光路に配設され該第1のビームスプリッターによって分岐された検査用レーザー光線の反射光のうち検査用レーザー光線の波長に対応する反射光のみを通過せしめるバンドパスフィルターと、該バンドパスフィルターを通過した反射光を第3の光路と第4の光路に分岐する第2のビームスプリッターと、該第2のビームスプリッターによって該第3の光路に分岐された反射光を100%受光する第1の受光素子と、該第2のビームスプリッターによって該第4の光路に分光された反射光を受光する第2の受光素子と、該第4の光路に配設され該第2の受光素子が受光する反射光の受光領域を規制する受光領域規制手段と、該第1の受光素子と該第2の受光素子の検出信号に基づいて被加工物の露出部の高さ位置を求める制御手段と、を具備し、
該制御手段は、該第1の受光素子と該第2の受光素子の検出信号に基づいて該第1の受光素子が受光した光量と該第2の受光素子が受光した光量との比を演算し、該光量の比に基づいて被加工物の露出部の高さ位置を求める、
ことを特徴とする表面位置検出装置を備えたレーザー加工機が提供される。
被加工物の露出部は被加工物に形成されている加工孔の底面であり、上記制御マップは第1の受光素子が受光した光量と第2の受光素子が受光した光量との比と被加工物に形成されている加工孔の底面の高さ位置との相関関係が設定されている。また、上記制御手段のメモリは、複数の物質の反射率に関するデータを格納するする記憶領域を備えており、制御手段は第1の受光素子が受光した光量に基づいて被加工物に形成されている加工孔が加工された物質から他の物質に達したたか否かを判定する。
検査用レーザー光線発振手段90から発振された検査用レーザー光線LB2は、第1のキュービックスプリッター92を通過してダイクロイックハーフミラー91に達し、該ダイクロイックハーフミラー91によって方向変換ミラー7に向けて反射される。方向変換ミラー7に向けて反射された検査用レーザー光線LB2は、上記加工用パルスレーザー光線LB1と同様に集光レンズ81によって集光される。このようにして集光される検査用レーザー光線LB2は、チャックテーブル36に保持された被加工物の露出面(後述する加工孔の底面)で反射し、その反射光が図2において破線で示すように集光レンズ81、方向変換ミラー7、ダイクロイックハーフミラー91、第1のキュービックスプリッター92を介してバンドパスフィルター93に達する。なお、上記加工用パルスレーザー光線LB1の反射光も検査用レーザー光線LB2と同様の経路を介してバンドパスフィルター93に達する。バンドパスフィルター93は上述したように検査用レーザー光線LB2の周波数に対応する反射光のみを通過せしめるように構成されているので、加工用パルスレーザー光線LB1の反射光はバンドパスフィルター93によって遮断される。従って、検査用レーザー光線LB2の反射光だけがバンドパスフィルター93を通過し、第2のキュービックスプリッター94に達する。
図6にはレーザー加工される被加工物としての半導体ウエーハ30の平面図が示されている。図6に示す半導体ウエーハ30は、例えば100μmのシリコンウエーハからなっており、その表面30aに格子状に配列された複数の分割予定ライン301によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス302がそれぞれ形成されている。この各デバイス302は、全て同一の構成をしている。デバイス302の表面にはそれぞれ図7に示すように複数の電極303(303a〜303j)が形成されている。なお、図示の実施形態においては、303aと303f、303bと303g、303cと303h、303dと303i、303eと303jは、X方向位置が同一である。この複数の電極303(303a〜303j)部にそれぞれ裏面10bから電極303に達する加工穴(ビアホール)が形成される。各デバイス302における電極303(303a〜303j)のX方向(図7おいて左右方向)の間隔A、および各デバイス302に形成された電極303における分割予定301を挟んでX方向(図7において左右方向)に隣接する電極即ち電極303eと電極303aとの間隔Bは、図示の実施形態においては同一間隔に設定されている。また、各デバイス302における電極303(303a〜303j)のY方向(図7において上下方向)の間隔C、および各デバイス302に形成された電極303における分割予定ライン301を挟んでY方向(図7において上下方向)に隣接する電極即ち電極303fと電極303aおよび電極303jと電極303eとの間隔Dは、図示の実施形態においては同一間隔に設定されている。このように構成された半導体ウエーハ30について、図6に示す各行E1・・・・Enおよび各列F1・・・・Fnに配設されたデバイス302の個数と上記各間隔A,B,C,Dは、その設計値のデータが上記ランダムアクセスメモリ(RAM)103の第2に記憶領域203bに格納されている。
上記のように構成された半導体ウエーハ30は、図8に示すように環状のフレーム40に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ50に表面30aを貼着する。従って、半導体ウエーハ30は、裏面30bが上側となる。このようにして環状のフレーム40に保護テープ50を介して支持された半導体ウエーハ30は、図1に示すレーザー加工装置のチャックテーブル36上に保護テープ50側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ30は、保護テープ50を介してチャックテーブル36上に吸引保持される。また、環状のフレーム40は、クランプ362によって固定される。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4パルスレーザー
波長 :355nm
エネルギー密度 :30J/cm2
集光スポット径 :φ70μm
このような加工条件によって穿孔工程を実施すると、シリコンウエーハにはパルスレーザー光線の1パルス当たり深さが2μm程度のレーザー加工孔を形成することができる。従って、厚さが100μmのシリコンウエーハにパルスレーザー光線を50パルス照射することにより、図11に示すように電極303に達するレーザー加工孔310を形成することができる。
光源 :He-Ne連続波レーザー
波長 :633nm
平均出力 :2〜3mW
2:静止基台
3:チャックテーブル機構
31:案内レール
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
374:加工送り量検出手段
38:第1の割り出し送り手段
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
41:案内レール
42:可動支持基台
43:第2の割り出し送り手段
433:割り出し送り量検出手段
5:レーザー光線照射ユニット
51:ユニットホルダ
52:レーザー光線加工装置
6:パルスレーザー光線発振手段
7:方向変換ミラー
8:集光器8
81:集光レンズ
9:表面位置検出装置
90:検査用レーザー光線発振手段
91:ダイクロイックハーフミラー
92:第1のキュービックスプリッター
93:バンドパスフィルター
94:第2のキュービックスプリッター
95:集光レンズ
96:第1の受光素子
97:第2の受光素子
98:受光領域規制手段
981:シリンドリカルレンズ
982:一次元マスク
10:制御手段
11:撮像手段
30:半導体ウエーハ
301:ストリート
302:デバイス
40:環状のフレーム
50:保護テープ
Claims (4)
- 被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に照射する加工用レーザー光線を発振する加工用レーザー光線発振手段と、該加工用レーザー光線発振手段から発振された加工用レーザー光線を集光して該チャックテーブルに保持された被加工物に照射する集光器と、該チャックテーブルをX軸方向に移動するX軸移動手段と、該チャックテーブルをX軸方向と直交するY軸方向に移動するY軸移動手段と、該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物の露出部の高さ位置を検出する表面位置検出装置と、を備えたレーザー加工機であって、
該表面位置検出装置は、検査用レーザー光線を発振する検査用レーザー光線発振手段と、該加工用レーザー光線発振手段と該集光器との間に配設され該加工用レーザー光線発振手段から発振される波長の加工用レーザー光線を通過し該検査用レーザー光線発振手段から発振される波長の検査用レーザー光線を該集光器に向けて反射せしめるダイクロイックハーフミラーと、該検査用レーザー光線発振手段と該ダイクロイックハーフミラーとを結ぶ第1の光路に配設され被加工物の露出部で反射した検査用レーザー光線の反射光を第2の光路に分岐する第1のビームスプリッターと、該第2の光路に配設され該第1のビームスプリッターによって分岐された検査用レーザー光線の反射光のうち検査用レーザー光線の波長に対応する反射光のみを通過せしめるバンドパスフィルターと、該バンドパスフィルターを通過した反射光を第3の光路と第4の光路に分岐する第2のビームスプリッターと、該第2のビームスプリッターによって該第3の光路に分岐された反射光を100%受光する第1の受光素子と、該第2のビームスプリッターによって該第4の光路に分光された反射光を受光する第2の受光素子と、該第4の光路に配設され該第2の受光素子が受光する反射光の受光領域を規制する受光領域規制手段と、該第1の受光素子と該第2の受光素子の検出信号に基づいて被加工物の露出部の高さ位置を求める制御手段と、を具備し、
該制御手段は、該第1の受光素子と該第2の受光素子の検出信号に基づいて該第1の受光素子が受光した光量と該第2の受光素子が受光した光量との比を演算し、該光量の比に基づいて被加工物の露出部の高さ位置を求める、
ことを特徴とする表面位置検出装置を備えたレーザー加工機。 - 該制御手段は、該第1の受光素子が受光した光量と該第2の受光素子が受光した光量との比と被加工物の露出部の高さ位置との相関関係が設定された制御マップを格納する記憶領域を備えたメモリを具備しており、該第1の受光素子が受光した光量と該第2の受光素子が受光した光量との比を該制御マップと照合して被加工物の露出部の高さ位置を求める、請求項1記載の表面位置検出装置を備えたレーザー加工機。
- 被加工物の露出部は被加工物に形成されている加工孔の底面であり、該制御マップは該第1の受光素子が受光した光量と該第2の受光素子が受光した光量との比と被加工物に形成されている加工孔の底面の高さ位置との相関関係が設定されている、請求項2記載の表面位置検出装置を備えたレーザー加工機。
- 該制御手段の該メモリは、複数の物質の反射率に関するデータを格納するする記憶領域を備えており、該制御手段は該第1の受光素子が受光した光量に基づいて被加工物に形成されている加工孔が加工された物質から他の物質に達したか否かを判定する、請求項3記載の表面位置検出装置を備えたレーザー加工機。
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