JP3980289B2 - レーザ加工装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層構造のプリント配線板にVIAホールを形成するためのレーザ加工装置及び方法に関し、特に、紫外線レーザを用いてVIAホールを形成する際に、ホール底部の導体表面にダメージを与えることなく、不要な上層のみを除去することができるレーザ加工装置及び方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電子回路用のプリント配線板の高密度化、多層化に伴い、VIAホールの細径化の要求や、中間層の銅薄膜を貫通させ基板の表裏面を連結するスルーホール加工への要求があり、CO2レーザよりも短い波長を持つ紫外線レーザによるレーザビアが実用化されつつある。
【0003】
上記のような紫外線レーザの波長は、CO2レーザの10.6μmに比較して300nm前後と非常に短く、VIAホール径50μm以下の加工が可能である。また、銅は樹脂より吸収係数が低いものの、紫外線も吸収するため、CO2レーザでは不可能であった銅面の貫通加工も可能である。
【0004】
一方、レーザビアでは、VIAホールの加工中にその進捗状態の検査が通常必要になる。CO2レーザ等を用いた従来のレーザビアについては、各種の検査方法が提案されている。例えば、特開平11−192570号公報では、加工用のCO2レーザの加工穴からの反射光を用いて加工穴の状態を検知し、レーザ発振器を制御することで、高品質な穴形状を実現している。また、特開平11−201910号公報では、加工穴の残留材料に照明光を照射することによって発生する蛍光を検出することで、穴形状の加工状況を測定している。さらに、特開2000−137002号公報では、CO2レーザによる加工と並行して加工穴に検査用光を入射させてその反射光を検出したり、CO2レーザによる加工中に発生するプラズマ光を用いるなどして、加工穴底部の残留樹脂の検出を行っている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、紫外線レーザを用いることによって多層構造のプリント配線板に設けた複数の導電層のいずれかに達するVIAホールを形成する場合において、VIAホールの形成状況を正確に検査することができる方法について開示したものはない。
【0006】
例えば、特開平11−192570号公報のように反射光を利用する場合、加工用の光源としてUVレーザを使用すると、加工光が銅薄膜に吸収されてしまうため、検査用の反射光を検出することができない。
【0007】
また、特開平11−201910号公報の場合、検査用の蛍光を検出する際に画像処理等を行う必要があり、加工に際して生じるプラズマ光の影響除去や画像処理によるタイムロスを考慮すると、インラインでの使用には不適である。
【0008】
また、特開2000−137002号公報の場合、加工用にCO2レーザを用いており、銅薄膜を貫通するVIAホールを形成することができない。このため、同公報の技術を多層構造のプリント配線板に適用しようとした場合、最上部の銅薄膜まで到達するVIAホールの形成には活用できるかも知れないが、いずれか任意の深さ位置の銅薄膜に到達する所望のVIAホールを精密に形成することができない。また、検査用にプラズマ光を利用する場合、検出されるプラズマ光の光強度が樹脂の不均一性に影響されるため、較正手段が必要となる。
【0009】
そこで、本発明は、紫外線レーザを用いることによって多層構造のプリント配線板に設けた複数の導電層のいずれかに達するVIAホールを形成する際に、VIAホールの形成状況を正確に検査できるレーザ加工装置及び方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明のレーザ加工装置は、多層プリント配線板のホール形成位置にホール形成用の紫外レーザ光を照射する加工光供給手段と、前記紫外レーザ光と異なる波長を有する検査光を前記ホール形成位置に入射させる検査光供給手段と、前記ホール形成位置から出射する前記検査光に対応する反射光の強度変化を検出する反射光検出手段と、前記反射光検出手段の出力に基づいて前記ホール形成位置に導電層が露出するタイミングを検出する導電層検出手段と、前記導電層検出手段の検出出力に基づいて前記加工光供給手段による前記紫外レーザ光の照射を継続するか否かを判断する判断手段とを備える。
【0011】
上記装置では、導電層検出手段が前記反射光検出手段の出力に基づいて前記ホール形成位置に導電層が露出するタイミングを検出するので、導電層が露出した段階で加工光供給手段を制御して、この導電層にダメージを与えることなく加工用の紫外レーザ光の供給を停止させることができる。さらに、判断手段が、導電層検出手段の検出出力に基づいて前記加工光供給手段による前記紫外レーザ光の照射を継続するか否かを判断するので、導電層検出手段によって露出を検出した特定の導電層が今回のホール形成で貫通すべき導電層であるか否かを判断しつつ、目的の導電層が露出するまでホールを正確に形成することができる。なお、検査光を、前記多層プリント配線板を構成する導体層及び絶縁層に関して所定以上の反射率差を有するものとすることにより、導電層の露出を正確に判断することができる。
【0012】
また、上記装置の具体的な態様では、前記判断手段が、前記ホール形成位置に導電層が露出した回数を計数する計数手段と、前記計数手段で計数した回数値が所定値に達したか否かを判断する比較手段とを備える。この場合、予め適当な所定値を設定しておくことにより、複数の導電層のうち上記所定値に対応する所望の深さ位置の導電層に達するホールを形成することができる。
【0013】
上記装置の具体的な態様では、前記導電層検出手段が、前記ホール形成位置からの前記反射光の強度が急激に変化する遷移状態から前記反射光の強度が飽和する飽和状態への状態変化の切換を前記導電層が露出するタイミングとして検出する。この場合、導電層が露出した段階を高い再現性で正確かつ迅速に検出することができる。
【0014】
上記装置の具体的な態様では、前記加工光供給手段が、所定のトリガ信号に基づいてパルス状の紫外レーザ光を発生するレーザ光源を有し、前記検査光供給手段が、前記パルス状の紫外レーザ光の発生の合間に所定の時間差で前記検査光を前記ホール形成位置に入射させる。この場合、紫外レーザ光によって発生する蛍光に起因する反射光の吸収やノイズ光の検出を防止しつつ検査光の反射光のみを正確に検出することができ、導電層の露出をより正確に検出することができる。
【0015】
上記装置の具体的な態様では、前記加工光供給手段が、前記紫外レーザ光を前記ホール形成位置に集光する集光光学系を有し、前記検査光供給手段が、前記集光光学系を介して前記検査光を前記ホール形成位置に入射させる光分岐結合手段を有し、前記反射光検出手段が、前記ホール形成位置からの反射光を、前記集光光学系及び前記光分岐結合手段を介して検出する。この場合、加工用の紫外レーザ光の入射位置と検査光の入射位置との毎回のアライメントが不要になり、高精度で迅速な検査が可能になる。
【0016】
また、本発明のレーザ加工方法は、多層プリント配線板のホール形成位置にホール形成用の紫外レーザ光を照射する工程と、前記紫外レーザ光と異なる波長を有する検査光を前記ホール形成位置に入射させる工程と、前記ホール形成位置から出射する前記検査光に対応する反射光の強度変化を検出する工程と、前記反射光の強度変化に基づいて前記ホール形成位置に導電層が露出するタイミングを検出する工程と、前記導電層が露出するタイミングの検出結果に基づいて前記ホール形成位置への前記紫外レーザ光の照射を継続するか否かを判断する工程とを備える。
【0017】
上記方法では、前記反射光の強度変化に基づいて前記ホール形成位置に導電層が露出するタイミングを検出するので、導電層が露出した段階でこの導電層にダメージを与えることなく加工用の紫外レーザ光の供給を停止させることができる。さらに、前記導電層が露出するタイミングの検出結果に基づいて、前記加工光供給手段による前記紫外レーザ光の照射を継続するか否かを判断するので、導電層検出手段によって露出を検出した特定の導電層が今回のホール形成で貫通すべき導電層であるか否かを判断しつつ、目的の導電層が露出するまでホールを正確に形成することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
〔第1実施形態〕
以下、本発明の第1実施形態に係るレーザ加工装置について説明する。このレーザ加工装置は、ホール形成用の加工光である紫外レーザ光ULを発生する紫外レーザ光UL源2と、この紫外レーザ光源2からの紫外レーザ光ULを多層プリント配線板であるワークW上の所望のホール形成位置に入射させる照射光学系3と、紫外レーザ光ULが入射するワークWを支持するステージ4と、紫外レーザ光ULと波長が異なる検査光DLを発生する検査光光源5と、検査光光源5からの検査光DLを照射光学系3に供給する分岐結合手段であるビームスプリッタ6と、検査光DLの強度とこれがホール形成位置に入射することで生じた反射光RLの強度とを検出する検査光検出系7と、紫外レーザ光源2及び検査光光源5からのパルス光の出射タイミングを調節するトリガ制御部8と、照射光学系3、検査光検出系7、トリガ制御部8等の動作を制御する加工制御装置9とを備える。ここで、紫外レーザ光源2、照射光学系3、及びビームスプリッタ6は、加工光供給手段を構成する。また、検査光光源5、ビームスプリッタ6、及び照射光学系3は、検査光供給手段を構成する。また、検査光検出系7、ビームスプリッタ6、及び照射光学系3は、反射光検出手段を構成する。
【0019】
紫外レーザ光源2は、例えば波長308nmの紫外レーザ光ULをパルス状に出射するエキシマレーザとすることができ、例えば数10kHHz程度の発振周波数で、20nsec程度のパルス幅を持つ紫外レーザパルスを発生させることができる。なお、紫外レーザ光源2は、エキシマレーザに限るものではなく、YAGレーザ等からのレーザ光を整数倍の高調波に変換することによって紫外レーザ光ULを発生する他のレーザとすることもできる。
【0020】
照射光学系3は、走査用の一対のガルバノスキャナ31、32と、集光光学系であるfθレンズ34とからなる。ここで、各ガルバノスキャナ31、32は、ガルバノミラー31a、32aと、これらを必要量だけ回転駆動するためのミラー駆動装置及び駆動量検出装置からなる駆動部31b、32bとをそれぞれ備えており、fθレンズ34によってワークW表面に形成されるパルス光の入射スポットをXY面内で任意の点に移動させることができる。また、fθレンズ34は、ガルバノミラー31a、32aが等角速度で回転した場合、紫外レーザ光をワークW上で等速度で移動させる。このようなfθレンズ34によって集光されたパルス光の入射スポットでは、ワークW表面の樹脂層や銅薄膜がアブレーション現象によって分解除去される。なお、ガルバノスキャナ31、32は、駆動部31b、32bを介して加工制御装置9に制御されており、紫外レーザ光源2、検査光光源5等と同期して動作する。
【0021】
ステージ4は、ワークWをXY面内で任意の位置に移動させることができる。すなわち、ワークWが比較的大きい場合、その加工領域がガルバノスキャナ31、32の走査によってVIAホールを形成することができる走査領域よりも大きくなる可能性がある。この場合は、ワークWを適宜ステップ移動させつつ走査領域単位でVIAホールを形成し、これを繰り返すことによってワークW全体にVIAホールを形成する。この際、ステージ4の動作は、加工制御装置9によって制御されており、紫外レーザ光源2、検査光光源5、ガルバノスキャナ31、32等と同期している。なお、レーザ加工の対象となるワークWは、パターニングされた複数の銅薄膜層を樹脂層で層間絶縁した構造を有する多層プリント配線板である。
【0022】
検査光光源5は、例えばYAGレーザ及び高調波発生装置を組み合わせたものとすることができ、この場合、第2高調波である波長532nmの可視レーザ光を検査光DLとしてパルス状に出射する。検査光DLは、銅薄膜層の露出を精密に検出するため、上記紫外レーザ光ULと異なる波長を有するだけでなく、ワークWを構成する銅薄膜層及び樹脂層に関して大きな反射率差を有するものとする。なお、検査光光源5は、上記のようなYAGレーザ及び高調波発生装置を組み合わせたものに限らず、紫外レーザ光源2が発生する紫外レーザ光ULと異なる波長を有するとともにワークWを構成する銅薄膜層や樹脂層にダメージを与えない他のレーザ装置とすることができる。
【0023】
ビームスプリッタ6は、ダイクロイックミラー等からなる光分岐結合手段であり、紫外レーザ光ULを反射し可視の検査光DLを通過させるという性質を持つ。これにより、紫外レーザ光源2からミラーM1を経て入射した紫外レーザ光ULと、検査光光源5から検査光検出系7に設けた光学系を経て入射した検査光DLとを同一の光路として、照射光学系3に入射させることができる。なお、照射光学系3は、紫外レーザ光ULと検査光DLとに対してほぼ同一の結像特性を有し、ワークW上の同一スポットに紫外レーザ光UL及び検査光DLを正確に一致させて入射させることができる。
【0024】
検査光検出系7は、検査光光源5からの検査光DLの一部を参照光として分岐するハーフミラー71と、ハーフミラー71を通過した検査光DLのうち特定偏光成分のみを透過させる偏光ビームスプリッタ72と、検査光DLのうちハーフミラー71で反射された参照光を検出する較正用のフォトセンサ75と、照射光学系3側から偏光ビームスプリッタ72を経て戻って来た反射光RLを検出するフォトセンサ76とを備える。ここで、偏光ビームスプリッタ72は、偏光フィルタ等からなり、ワークWで反射して90度偏光方向が変化した反射光RLのみを反射する。よって、フォトセンサ76には、ワークWのVIAホール底部に銅薄膜層が露出した場合、この銅薄膜層からの反射光RLが入射し、VIAホール底部に銅薄膜層が露出ていない場合、ほとんど光が入射しない。ここで、フォトセンサ75は、検査光DLの変動を相殺するために設けており、検査光DLの変動を反映した参照光を検出し、フォトセンサ76の検出出力を較正するために利用される。なお、両フォトセンサ75、76は、入射した光の強度を高速で電圧等の信号に変換するものであり、例えばフォトダイオードを用いる。
【0025】
トリガ制御部8は、加工制御装置9からの指示に基づいて、パルス光を周期的に出射させるトリガ信号を紫外レーザ光源2と検査光光源5とに出力する。紫外レーザ光源2と検査光光源5に印加されるトリガ信号は、互いに一定の時間差を設けてあり、パルス光の出射のタイミングが互いに重ならないようにしている。このようにタイミングをずらすことにより、紫外レーザ光源2からの紫外レーザ光ULがワークW上に入射することによって生じる蛍光等に起因する感度減少を防止でき、検査光DLに対応する反射光RLのみを正確に検出することができる。
【0026】
加工制御装置9は、コンピュータ等からなり、照射光学系3を動作させてワークW上への紫外レーザ光UL及び検査光DLの入射位置を制御する。また、加工制御装置9は、ステージ4を動作させて照射光学系3に対するワークWの位置を制御する。また、加工制御装置9は、検査光検出系7の検出信号に基づいて導電層の露出を検出する。また、加工制御装置9は、トリガ制御部8の動作を制御して紫外レーザ光源2及び検査光光源5からのパルス光の出射を制御する。
【0027】
図2(a)は、トリガ制御部8から紫外レーザ光源2に出力されるトリガ信号を示し、図2(b)は、トリガ制御部8から検査光光源5に出力されるトリガ信号を示す。図からも明らかなように、両トリガ信号の周期はTpとなっており、検査光光源5へのトリガ信号は、紫外レーザ光源2へのトリガ信号よりもΔTだけ遅れた状態となっている。具体的には、周期Tpを数10kHHzとしており、遅延時間ΔTは数10μsecとなる。つまり、遅延時間ΔTは、数10μsec程度の精度が必要となる。この精度は、紫外レーザ光源2及び検査光光源5のトリガ入力から発光までの時間(いわゆる発振ディレイ)と、計測用のフォトセンサ76の応答時間とにより決定される。
【0028】
以上のような周期Tp及び遅延時間ΔTの設定により、紫外レーザ光ULの照射タイミングと検査光DLの照射タイミングとの位相をずらして干渉を回避することができる。なお、加工制御装置9は、検査光検出系7の検出結果に基づいてトリガ制御部8に適当な指令信号を送ることにより、トリガ信号の出力を随時停止させることができる。
【0029】
図3は、第1層目の銅薄膜層を露出させるだけのワークWの加工について説明する図である。
【0030】
図3(a)は、第n番目パルスの紫外レーザ光ULをワークW上に照射した段階を示す。この場合、第1層目の樹脂層REのホール形成位置では、紫外レーザ光ULの照射によって分子間結合が切断されるアブレーション現象がn回繰返されており、樹脂層REの表層の一部が除去されてホールHOが形成される。このようなアブレーション現象に際しては、高輝度のプラズマ光PLが発生するので、紫外レーザ光ULの照射時には、検査光光源5からホール形成位置への検査光DLの照射や検査光検出系7によるホール形成位置からの反射光RLの検出を行なわない。図3(b)は、図3(a)の次の段階に対応し、検査光光源5からホールHOに検査光DLを照射するとともに、検査光DLを入射させたホール形成位置からの反射光RLを検査光検出系7によって検出する。この場合、銅薄膜層Cuが露出していないので、反射光RLの強度は小さい。
【0031】
図3(c)は、第n+k番目パルスの紫外レーザ光ULをワークW上に照射した段階を示す。この場合、第1層目の樹脂層REのホール形成位置では、紫外レーザ光ULのn+k回の繰返照射により、樹脂層REの全体が除去されてホールHO底部に第1層目の銅薄膜層Cuが露出する。図3(d)は、図3(c)の次の段階に対応し、検査光光源5からホールHOに検査光DLを照射するとともに、検査光DLを入射させたホール形成位置からの反射光RLを検査光検出系7によって検出する。この場合、銅薄膜層Cuが露出しているので、反射光RLの強度は大きい。つまり、反射光RLの強度を監視することにより、銅薄膜層Cuにダメージを与えることなく、その上層の樹脂層REのみを除去することができる。
【0032】
図4(a)は、ホールHOの底部に露出する銅薄膜層Cuの面積と、ホールHOの底部からの反射光RLの強度との関係を説明するグラフであり、ホールHOの底部に露出する銅薄膜層Cuの面積が増大するとともにホールHO底部からの反射光RLの強度が増大することが分かる。図4(b)は、紫外レーザ光源2にトリガ信号を送って紫外レーザ光ULを発生させた場合のパルス数と、フォトセンサ76から出力される光検出出力との関係を説明するグラフである。以上のグラフからも明らかなように、紫外レーザ光ULのパルス数が少ない初期段階(点A参照、図4(b)に対応)では、ホール形成位置に樹脂層REのみが露出しており、フォトセンサ76の光検出出力は低レベルとなっている。紫外レーザ光ULのパルス数がある程度増すと、フォトセンサ76の光検出出力が急激に増加する遷移領域Atrに移る。この遷移領域Atrでは、ホール形成位置に銅薄膜層Cuが露出し始める。この遷移領域Atrを超えて紫外レーザ光ULの照射を繰り返した飽和段階(点B参照、図4(d)に対応)では、ホール形成位置に銅薄膜層Cuがほぼ完全に露出しており、フォトセンサ76の光検出出力は上限レベルとなっている。
【0033】
なお、飽和段階(点B参照)を超えて紫外レーザ光ULの照射を継続すると、ホール形成位置に露出した銅薄膜層Cuに貫通孔が形成される。つまり、ホールHO底部に再び樹脂層REのみが露出して、フォトセンサ76の光検出出力は低レベルとなる(点C参照)。
【0034】
図5は、第2層目の銅薄膜層を露出させるワークWの加工について説明する図である。
【0035】
図5(a)は、紫外レーザ光ULによる第1層目の樹脂層REの加工を説明する図である。この場合、検査光光源5からホールHOに検査光DLを照射しても、ホールHOからは反射光RLが生じないのでフォトセンサ76の光検出出力は、ほとんど0となる。
【0036】
図5(b)は、紫外レーザ光ULによる第1層目の樹脂層REの貫通を説明する図である。この場合、検査光光源5からホールHOに検査光DLを照射すると、ホールHO底部に露出した銅薄膜層Cuの表面で反射された反射光RLがフォトセンサ76の光検出出力を増大させる。
【0037】
図5(c)は、紫外レーザ光ULによる第2層目の樹脂層REの加工を説明する図である。この場合、検査光光源5からホールHOに検査光DLを照射しても、ホールHOからは反射光RLが生じないのでフォトセンサ76の光検出出力は、再びほとんど0となる。
【0038】
図5(d)は、紫外レーザ光ULによる第2層目の樹脂層REの貫通を説明する図である。この場合、検査光光源5からホールHOに検査光DLを照射すると、ホールHO底部に露出した銅薄膜層Cuの表面で反射された反射光RLがフォトセンサ76の光検出出力を再度増大させる。この段階で紫外レーザ光ULの照射を停止させ、加工を終了する。
【0039】
以上の図5(a)〜(d)の説明から明らかなように、反射光RLの増大と飽和の回数をカウントすることにより、目的とする銅薄膜層Cuにダメージを与えることなく、その上層の樹脂層REや銅薄膜層Cuを確実に除去することができる。
【0040】
図6は、図1に示す加工制御装置9の動作を概念的に説明するフローチャートである。まず、加工制御装置9に設けたCPUは、内蔵する記憶装置に設けた変数mに1を代入して初期化を行なう(ステップS1)。ここで、変数mは、現在第m番目の銅薄膜層Cuを露出させる加工を行なっていることを意味する。
【0041】
次に、加工制御装置9に設けたCPUは、ガルバノスキャナ31、32の駆動部31b、32bに制御信号を送って、パルス光を入射させるべき入射スポットを目標のホール形成位置にセットする(ステップS2)。
【0042】
次に、加工制御装置9に設けたCPUは、トリガ制御部8に制御信号を送って、紫外レーザ光源2にパルス光を出射させるトリガ信号をトリガ制御部8から出力させる(ステップS3)。これにより、ワークW上の目標のホール形成位置に浅い窪みが形成される。
【0043】
次に、加工制御装置9に設けたCPUは、トリガ制御部8に制御信号を送って、検査光光源5にパルス光を出射させるトリガ信号をトリガ制御部8から出力させる(ステップS4)。これにより、ワークW上の目標のホール形成位置からの反射光RLが検出される。
【0044】
次に、加工制御装置9に設けたCPUは、検査光検出系7のフォトセンサ75、76の検出出力の差分を求めて、その値が銅薄膜層Cuが露出を示す所定の閾値を超えて飽和したか否かを判定する(ステップS5)。なお、銅薄膜層Cuの露出は、両フォトセンサ75、76の検出出力差を微分したものを用いて、両フォトセンサ75、76の検出出力差が飽和したか否かを判断することとしてもよい。
【0045】
次に、加工制御装置9に設けたCPUは、導電層検出手段として、今回の紫外レーザ光ULの照射(ステップS3)よりも1回先になされた前回の紫外レーザ光ULの照射後に銅薄膜層Cuの露出が検出されたか否かを判断する(ステップS6)。つまり、今回の紫外レーザ光ULの照射(ステップS3)によって初めて銅薄膜層Cuが露出したか否かが判断される。
【0046】
次に、加工制御装置9に設けたCPUは、判断手段若しくは比較手段として、変数mの値と最終的に露出させる銅薄膜層Cuが何番目であるか(すなわち層番号)とを比較し、今回露出した銅薄膜層Cuが最終目標として到達すべき銅薄膜層Cuであるか否かを判断する(ステップS7)。
【0047】
ステップS7で目標の銅薄膜層Cuまで達していないと判断された場合、加工制御装置9に設けたCPUは、計数手段として、内蔵する記憶装置に設けた変数mに1を加算してステップS3の処理に戻る(ステップS8)。以下、ステップS3〜S7の動作が繰り返される。
【0048】
一方、目標の銅薄膜層Cuまで達していると判断された場合、加工制御装置9に設けたCPUは、内蔵する記憶装置に設けたデータに基づいて、次にレーザ加工すべきVIAホールが残っているか否かを判断する(ステップS9)。
【0049】
ステップS9で加工すべきVIAホールが残っていると判断された場合、加工制御装置9に設けたCPUは、ステップS1の処理に戻る。以下、ステップS3〜S9の動作が繰り返される。一方、ステップS9で加工すべきVIAホールが残っていないと判断された場合、全体の処理を終了する。
【0050】
以上説明したレーザ加工装置では、図6のステップS5、S6で説明したように、フォトセンサ75、76の検出出力に基づいてホール形成位置に銅薄膜層Cuが露出するタイミングを検出するので、銅薄膜層CuがVIAホール底部に露出した段階で銅薄膜層Cuにダメージを与えることなく加工用の紫外レーザ光ULの供給を停止させることができる。さらに、ステップS7で説明したように、フォトセンサ75、76の検出結果から得た変数m等に基づいて紫外レーザ光ULの照射を継続するか否かを判断するので、VIAホール底部に露出した銅薄膜層Cuが今回のホール形成で貫通すべき導電層であるか否かを判断することができる。つまり、目的の銅薄膜層Cuが必要かつ十分に露出するまでVIAホールを正確に形成することができる。
【0051】
〔第2実施形態〕
以下、第2実施形態に係るレーザ加工装置について説明する。このレーザ加工装置は、第1実施形態のレーザ加工装置を変形したものであり、異なる部分についてのみ説明する。
【0052】
この場合、検査光検出系7において、ハーフミラー71とフォトセンサ76との間にレンズ178を設け、ハーフミラー71からの反射光RLをフォトセンサ76の感光面に集光する。レンズ178は、加工制御装置9からの制御信号基づいてレンズ駆動装置179によって光軸方向に微動するようになっており、ホール形成位置に設けたVIAホールの深さに応じてフォトセンサ75上における結像状態を調整できる。これにより、反射光RLの変化をより鋭敏に検出することができ、VIAホールの底部に露出させる銅薄膜にダメージを与えることを防止できる。
【0053】
〔第3実施形態〕
以下、第3実施形態に係るレーザ加工装置について説明する。このレーザ加工装置は、第2実施形態のレーザ加工装置をさらに変形したものである。
【0054】
この場合、検査光検出系7において、検査光光源5の出射部近傍とフォトセンサ76の感光面近傍とにそれぞれピンホール277a、277bを設けている。これらのピンホール277a、277bは、光学的に共役な位置に配置されており、共焦点効果が得られるようになっている。これにより、VIAホールの底部からの反射光RLのみを鋭敏に検出することができ、VIAホールの底部に露出させる銅薄膜にダメージを与えることを確実に防止できる。
【0055】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明のレーザ加工装置によれば、導電層検出手段が前記反射光検出手段の出力に基づいて前記ホール形成位置に導電層が露出するタイミングを検出するので、導電層が露出した段階でこの導電層にダメージを与えることなく加工用の紫外レーザ光の供給を停止させることができる。さらに、判断手段が、導電層検出手段の検出出力に基づいて前記加工光供給手段による前記紫外レーザ光の照射を継続するか否かを判断するので、導電層検出手段によって露出を検出した特定の導電層が今回のホール形成で貫通すべき導電層であるか否かを判断しつつ、目的の導電層が露出するまでホールを正確に形成することができる。
【0056】
また、本発明のレーザ加工方法によれば、前記反射光の強度変化に基づいて前記ホール形成位置に導電層が露出するタイミングを検出するので、導電層が露出した段階でこの導電層にダメージを与えることなく加工用の紫外レーザ光の供給を停止することができる。さらに、前記導電層が露出するタイミングの検出結果に基づいて前記加工光供給手段による前記紫外レーザ光の照射を継続するか否かを判断するので、導電層検出手段によって露出を検出した特定の導電層が今回のホール形成で貫通すべき導電層であるか否かを判断しつつ、目的の導電層が露出するまでホールを正確に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態のレーザ加工装置の構成説明するブロック図である。
【図2】(a)は図1のレーザ加工装置からワークに照射される紫外レーザ光の照射タイミングを示し、(b)は図1のレーザ加工装置からワークに照射される検査光の照射タイミングを示す。
【図3】(a)〜(d)は、ワークの第1層目の銅薄膜層を露出させる加工について説明する図である。
【図4】(a)は、ホール底部に露出する銅薄膜層の面積と、ホール底部からの反射光の強度との関係を説明するグラフであり、(b)は、紫外レーザ光の照射パルス数とフォトセンサから出力される光検出出力との関係を説明するグラフである。
【図5】(a)〜(d)は、ワークの第2層目の銅薄膜層を露出させる加工について説明する図である。
【図6】図1のレーザ加工装置の動作を説明するフローチャートである。
【図7】第2実施形態のレーザ加工装置を説明する図である。
【図8】第3実施形態のレーザ加工装置を説明する図である。
【符号の説明】
2 紫外レーザ光源
3 照射光学系
4 ステージ
5 検査光光源
6 ビームスプリッタ
7 検査光検出系
8 トリガ制御部
9 加工制御装置
31,32 ガルバノスキャナ
71 ハーフミラー
72 偏光ビームスプリッタ
75,76 フォトセンサ
UL 紫外レーザ光
DL 検査光
RL 反射光
W ワーク
Claims (7)
- 多層プリント配線板のホール形成位置にホール形成用の紫外レーザ光を照射する加工光供給手段と、
前記紫外レーザ光と異なる波長を有するとともに、前記多層プリント配線板を構成する導電層及び絶縁層に関して所定以上の反射率差を有する検査光を前記ホール形成位置に入射させる検査光供給手段と、
前記ホール形成位置から出射する前記検査光に対応する反射光の強度変化を検出する反射光検出手段と、
前記反射光検出手段の出力に基づいて前記ホール形成位置に導電層が露出するタイミングを検出する導電層検出手段と、
前記導電層検出手段の検出出力に基づいて前記加工光供給手段による前記紫外レーザ光の照射を継続するか否かを判断する判断手段とを備え、
前記導電層検出手段は、前記ホール形成位置からの前記検査光に対応する前記反射光の強度が急激に変化する遷移状態から前記反射光の強度が飽和する飽和状態への状態変化の切換を前記導電層が露出するタイミングとして検出し、
前記反射光検出手段は、前記ホール形成位置からの前記反射光を検出するフォトセンサを備え、前記ホール形成位置に設けたホールの深さに応じて前記フォトセンサ上における結像状態を調整する、
レーザ加工装置。 - 前記検査光供給手段からの前記検査光を前記ホール形成位置に入射させる前に分岐して検出するための校正用フォトセンサをさらに備える請求項1記載のレーザ加工装置。
- 前記反射光検出手段は、前記ホール形成位置からの前記反射光のうち偏光方向が変化した反射光のみを分岐する偏光ビームスプリッタを備え、前記フォトセンサは、前記偏光ビームスプリッタで分岐された反射光を検出する請求項1及び請求項2のいずれか一項記載のレーザ加工装置。
- 前記判断手段は、前記ホール形成位置に導電層が露出した回数を計数する計数手段と、前記計数手段で計数した回数値が所定値に達したか否かを判断する比較手段とを備えることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項記載のレーザ加工装置。
- 前記加工光供給手段は、所定のトリガ信号に基づいてパルス状の紫外レーザ光を発生するレーザ光源を有し、前記検査光供給手段は、前記パルス状の紫外レーザ光の発生の合間に所定の時間差で前記検査光を前記ホール形成位置に入射させることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか記載のレーザ加工装置。
- 前記加工光供給手段は、前記紫外レーザ光を前記ホール形成位置に集光する集光光学系を有し、前記検査光供給手段は、前記集光光学系を介して前記検査光を前記ホール形成位置に入射させる光分岐結合手段を有し、前記反射光検出手段は、前記ホール形成位置からの反射光を、前記集光光学系及び前記光分岐結合手段を介して検出することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか記載のレーザ加工装置。
- 多層プリント配線板のホール形成位置にホール形成用の紫外レーザ光を照射する工程と、
前記紫外レーザ光と異なる波長を有するとともに、前記多層プリント配線板を構成する導電層及び絶縁層に関して所定以上の反射率差を有する検査光を前記ホール形成位置に入射させる工程と、
前記ホール形成位置から出射する前記検査光に対応する反射光の強度変化を検出する工程と、
前記反射光の強度変化に基づいて、前記ホール形成位置に導電層が露出するタイミングを検出する工程と、
前記導電層が露出するタイミングの検出結果に基づいて、前記ホール形成位置への前記紫外レーザ光の照射を継続するか否かを判断する工程とを備え、
前記ホール形成位置からの前記検査光に対応する前記反射光の強度が急激に変化する遷移状態から前記反射光の強度が飽和する飽和状態への状態変化の切換を前記導電層が露出するタイミングとして検出し、
前記ホール形成位置からの前記反射光を検出するフォトセンサ上における結像状態を、前記ホール形成位置に設けたホールの深さに応じて調整する、
レーザ加工方法。
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