KR101252874B1 - 레이저 가공기 - Google Patents

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유타카 고바야시
고우이치 네하시
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은, 음향 광학 소자를 이용한 음향 광학 편향 수단에 의해서 레이저 광선의 광축을 편향하더라도 균일한 가공을 할 수 있는 레이저 광선 조사 장치 및 레이저 가공기를 제공하는 것을 과제로 한다.
레이저 광선을 발진하는 레이저 광선 발진 수단과, 레이저 광선 발진 수단이 발진한 레이저 광선의 광축을 편향하는 음향 광학 편향 수단과, 음향 광학 편향 수단에 의해서 편향된 레이저 광선을 집광하는 집광기와, 제어 수단을 구비하는 레이저 광선 조사 장치로서, 음향 광학 편향 수단의 음향 광학 소자와 집광기와의 사이에 설치되어 음향 광학 소자에 의해서 편향된 레이저 광선의 일부를 분광하는 빔 스플리터와, 빔 스플리터에 의해서 분광된 레이저 광선을 수광하는 수광 소자를 구비한 레이저 광선 출력 검출 수단을 구비하고 있고, 제어 수단은 음향 광학 편향 수단의 편향 각도 조정 수단을 제어하는 제어 신호에 대응하여 레이저 광선 출력 검출 수단으로부터 보내지는 수광 신호에 기초하여 레이저 광선의 실출력을 구하고, 실출력의 최저치를 기준으로 하여 각 제어 신호에 대응한 실출력의 비율을 연산하고, 실출력의 비율에 대응한 보정치를 연산하여 제어 맵을 작성하고, 제어 맵에 기초하여 음향 광학 편향 수단의 출력 조정 수단을 제어한다.

Description

레이저 가공기{LASER MACHINE}
본 발명은, 피가공물에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 장치 및 레이저 광선 조사 장치를 장비한 레이저 가공기에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조 공정에서는, 대략 원판 형상인 반도체 웨이퍼의 표면에 격자형으로 배열된 스트리트라 불리는 분할 예정 라인에 의해서 복수의 영역이 구획되어, 이 구획된 영역에 IC, LSI 등의 디바이스를 형성한다. 그리고, 반도체 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 절단함으로써 디바이스가 형성된 영역을 분할하여 개개의 반도체 칩을 제조하고 있다.
장치의 소형화, 고기능화를 도모하기 위해서, 복수의 반도체 칩을 적층하여, 적층된 반도체 칩의 전극을 접속하는 모듈 구조가 실용화되어 있다. 이 모듈 구조는, 반도체 웨이퍼에 있어서의 전극이 형성된 부위에 관통 구멍(비아홀)을 형성하여, 이 관통 구멍(비아홀)에 전극과 접속하는 알루미늄 등의 도전성 재료를 매립하는 구성이다.(예컨대, 특허문헌 1 참조)
<특허문헌 1>
일본 특허 공개 2003-163323호 공보
전술한 반도체 웨이퍼에 형성되는 관통 구멍(비아홀)은 드릴에 의해서 형성되고 있다. 그런데, 반도체 웨이퍼에 형성되는 관통 구멍(비아홀)은 직경이 100∼300 ㎛로 작아, 드릴에 의한 천공은 생산성이 나쁘다고 하는 문제가 있다.
상기 문제를 해소하기 위해서 본 출원인은, 반도체 웨이퍼 등의 피가공물에 효율적으로 세공을 형성할 수 있는 레이저 가공 장치를 일본 특허 출원 2005-64867호로서 제안했다. 이 레이저 가공 장치는, 피가공물을 유지하는 척 테이블과 레이저 광선 조사 수단과의 상대적인 가공 이송량을 검출하는 가공 이송량 검출 수단과, 피가공물에 형성하는 세공의 X, Y 좌표치를 기억하는 기억 수단과, 기억 수단에 기억된 세공의 X, Y 좌표치와 가공 이송량 검출 수단으로부터의 검출 신호에 기초하여 레이저 광선 조사 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하여, 피가공물에 형성하는 세공의 X, Y 좌표치가 레이저 광선 조사 수단의 집광기의 바로 아래에 이르면 1 펄스의 레이저 광선을 조사하도록 구성한 것이다.
그런데, 피가공물에 관통 구멍을 형성하기 위해서는 동일 부위에 여러 번 펄스 레이저 광선을 조사할 필요가 있는데, 전술한 레이저 가공 장치를 이용하면, 피가공물의 이동을 여러 번 실시하지 않으면 안 되어, 생산성의 면에서 반드시 만족할 수 있는 것은 아니다.
또한, 피가공물을 가공 이송 방향(X축 방향)과 직교하는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 인덱싱 이송하지 않고, 가공 이송하는 것만으로 피가공물에 복수의 레이저 가공 홈을 형성할 수 있는 것이 바람직하다.
이러한 요구에 대응하기 위해서 본 출원인은, 음향 광학 소자를 이용한 음향 광학 편향 수단을 갖춘 레이저 광선 조사 수단을 장비하여, 레이저 광선 발진 수단이 발진한 레이저 광선의 광축을 음향 광학 소자를 통과할 때에 편향함으로써, 피가공물을 가공 이송하면서 동일 가공 위치에 레이저 광선을 조사하도록 한 레이저 가공 장치를 일본 특허 출원 2005-362236호로서 제안했다.
그렇게 하여, 레이저 광선을 음향 광학 소자에 의해서 편향하면, 편향 각도에 따라 회절 효율이 달라 레이저 광선의 출력이 변화되기 때문에, 균일하게 가공할 수 없다고 하는 문제가 생겼다.
본 발명은 상기한 사실에 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술적 과제는, 음향 광학 소자를 이용한 음향 광학 편향 수단에 의해서 레이저 광선의 광축을 편향하더라도 균일한 가공을 할 수 있는 레이저 광선 조사 장치 및 레이저 가공기를 제공하는 것이다.
상기 주된 기술과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따르면, 레이저 광선을 발진하는 레이저 광선 발진 수단과, 상기 레이저 광선 발진 수단이 발진한 레이저 광선의 광축을 편향하는 음향 광학 편향 수단과, 상기 음향 광학 편향 수단에 의해서 편향된 레이저 광선을 집광하는 집광기를 구비하고, 상기 음향 광학 편향 수단이 상기 레이저 광선 발진 수단이 발진한 레이저 광선의 광축을 편향하는 음향 광학 소자와, 상기 음향 광학 소자에 RF를 인가하는 RF 발진기와, 상기 RF 발진기로부터 출력되는 RF의 주파수를 조정하는 편향 각도 조정 수단과, RF 발진기에 의해서 생성되는 RF의 진폭을 조정하는 출력 조정 수단과, 상기 편향 각도 조정 수단 및 상기 출력 조정 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하고 있는 레이저 광선 조사 장치에 있어서,
상기 음향 광학 소자와 상기 집광기와의 사이에 설치되어 상기 음향 광학 소자에 의해서 편향된 레이저 광선의 일부를 분광하는 빔 스플리터와, 상기 빔 스플리터에 의해서 분광된 레이저 광선을 수광하는 수광 소자를 구비하고, 상기 수광 소자에 의해서 수광한 수광 신호를 상기 제어 수단에 보내는 레이저 광선 출력 검출 수단을 구비하고 있고,
상기 제어 수단은, 편향 각도 조정 수단을 제어하는 제어 신호에 대응하여 상기 레이저 광선 출력 검출 수단으로부터 보내지는 수광 신호에 기초하여 레이저 광선의 실출력을 구하여, 상기 실출력의 최저치를 기준으로 하여 각 제어 신호에 대응한 실출력의 비율을 연산하고, 상기 실출력의 비율에 대응한 보정치를 연산하여 제어 맵을 작성하고, 상기 제어 맵에 기초하여 상기 출력 조정 수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 레이저 광선 조사 장치가 제공된다.
상기 음향 광학 편향 수단은, 레이저 광선 발진 수단이 발진한 레이저 광선의 광축을 서로 직교하는 방향으로 편향하는 제1 음향 광학 편향 수단과 제2 음향 광학 편향 수단으로 이루어져 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 피가공물을 유지하는 척 테이블과, 상기 척 테이블에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 장치와, 상기 척 테이블과 상기 레이저 광선 조사 장치를 가공 이송 방향(X축 방향)으로 상대적으로 이동시키는 가공 이송 수단과, 상기 척 테이블과 상기 레이저 광선 조사 장치를 상기 가공 이송 방향(X축 방향)에 직교하는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 상대 이동시키는 인덱싱 이송 수단을 구비하는 레이저 가공기에 있어서,
상기 레이저 광선 조사 수단은, 전술한 레이저 광선 조사 장치로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 레이저 가공기가 제공된다.
본 발명에 의한 레이저 광선 조사 장치에 있어서는, 제어 수단이 편향 각도 조정 수단을 제어하는 제어 신호에 대응하여 레이저 광선 출력 검출 수단으로부터 보내지는 수광 신호에 기초하여 레이저 광선의 실출력을 구하고, 상기 실출력의 최저치를 기준으로 하여 각 제어 신호에 대응한 실출력의 비율을 연산하고, 상기 실출력의 비율에 대응한 보정치를 연산하여 제어 맵을 작성하고, 상기 제어 맵에 기초하여 출력 조정 수단을 제어하기 때문에, 음향 광학 소자에 의한 회절 효율이 변화되더라도 음향 광학 소자에 의해서 편향되는 실출력이 같아져, 모든 펄스 레이저 광선의 조사 위치에서 균일한 가공을 실시할 수 있다.
이하, 본 발명에 따라서 구성된 레이저 광선 조사 장치 및 레이저 가공기의 적합한 실시 형태에 관해서, 첨부 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다.
도 1에는 본 발명에 따라서 구성된 레이저 가공기의 사시도가 도시되어 있다. 도 1에 도시하는 레이저 가공기는, 정지 베이스(2)와, 상기 정지 베이스(2)에 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)으로 이동 가능하게 설치되어 피가공물을 유지하는 척 테이블 기구(3)와, 정지 베이스(2)에 상기 화살표 X로 나타내는 방향(X축 방향)에 직각인 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동 가능하게 설치된 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구(4)와, 상기 레이저 광선 유닛 지지 기구(4)에 화살표 Z로 나타내는 방향(Z축 방향)으로 이동 가능하게 설치된 레이저 광선 조사 유닛(5)을 구비하고 있다.
상기 척 테이블 기구(3)는, 정지 베이스(2) 상에 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)을 따라 평행하게 설치된 1쌍의 안내 레일(31, 31)과, 상기 안내 레일(31, 31) 상에 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)으로 이동 가능하게 설치된 제1 미끄럼 이동 블록(32)과, 상기 제1 미끄럼 이동 블록(32) 상에 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동 가능하게 설치된 제2 미끄럼 이동 블록(33)과, 상기 제2 미끄럼 이동 블록(33) 상에 원통 부재(34)에 의해서 지지된 커버 테이블(35)과, 피가공물 유지 수단으로서의 척 테이블(36)을 구비하고 있다. 이 척 테이블(36)은 다공성 재료로 형성된 흡착 척(361)을 구비하고 있어, 흡착 척(361) 상에 피가공물인 예컨대 원반형의 반도체 웨이퍼를 도시하지 않는 흡인 수단에 의해서 유지하도록 되어 있다. 이와 같이 구성된 척 테이블(36)은, 원통 부재(34) 내에 설치된 도시하지 않는 펄스 모터에 의해서 회전되게 된다. 한편, 척 테이블(36)에는 후술하는 환상의 프레임을 고정하기 위한 클램프(362)가 설치되어 있다.
상기 제1 미끄럼 이동 블록(32)은, 그 하면에 상기 1쌍의 안내 레일(31, 31)과 끼워 맞추는 1쌍의 피안내홈(321, 321)이 형성되어 있고, 그 상면에 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)을 따라 평행하게 형성된 1쌍의 안내 레일(322, 322)이 설치되어 있다. 이와 같이 구성된 제1 미끄럼 이동 블록(32)은, 피안내홈(321, 321)이 1쌍의 안내 레일(31, 31)에 끼워 맞춰짐으로써, 1쌍의 안내 레일(31, 31)을 따라 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)으로 이동할 수 있게 구성된다. 도시한 실시 형태에 있어서의 척 테이블 기구(3)는, 제1 미끄럼 이동 블록(32)을 1쌍의 안내 레일(31, 31)을 따라 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)으로 이동시키기 위한 가공 이송 수단(37)을 구비하고 있다. 가공 이송 수단(37)은, 상기 1쌍의 안내 레일(31과 31) 사이에 평행하게 설치된 수나사 로드(371)와, 상기 수나사 로드(371)를 회전 구동하기 위한 펄스 모터(372) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로드(371)는, 그 일단이 상기 정지 베이스(2)에 고정된 베어링 블록(373)에 회전이 자유롭게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(372)의 출력축에 전동 연결되어 있다. 한편, 수나사 로드(371)는, 제1 미끄럼 이동 블록(32)의 중앙부 하면에 돌출되어 형성된 도시하지 않는 암나사 블록에 형성된 관통 암나사 구멍에 나사 결합되고 있다. 따라서, 펄스 모터(372)에 의해서 수나사 로드(371)를 정회전 및 역회전 구동함으로써, 제1 미끄럼 이동 블록(32)은 안내 레일(31, 31)을 따라 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)으로 이동되게 된다.
도시한 실시 형태에 있어서의 레이저 가공기는, 상기 척 테이블(36)의 가공 이송량을 검출하기 위한 가공 이송량 검출 수단(374)을 갖추고 있다. 가공 이송량 검출 수단(374)은, 안내 레일(31)을 따라 설치된 리니어 스케일(374a)과, 제1 미끄럼 이동 블록(32)에 설치되어 제1 미끄럼 이동 블록(32)과 함께 리니어 스케일(374a)을 따라 이동하는 판독 헤드(374b)로 이루어져 있다. 이 이송량 검출 수단(374)의 판독 헤드(374b)는, 도시한 실시 형태에 있어서는 1 ㎛마다 1 펄스의 펄 스 신호를 후술하는 제어 수단에 보낸다. 그리고 후술하는 제어 수단은 입력한 펄스 신호를 카운트함으로써, 척 테이블(36)의 가공 이송량을 검출한다. 한편, 상기 가공 이송 수단(37)의 구동원으로서 펄스 모터(372)를 이용한 경우에는, 펄스 모터(372)에 구동 신호를 출력하는 후술하는 제어 수단의 구동 펄스를 카운트함으로써, 척 테이블(36)의 가공 이송량을 검출할 수도 있다. 또한, 상기 가공 이송 수단(37)의 구동원으로서 서보 모터를 이용한 경우에는, 서보 모터의 회전수를 검출하는 로터리 인코더가 출력하는 펄스 신호를 후술하는 제어 수단으로 보내, 제어 수단이 입력한 펄스 신호를 카운트함으로써, 척 테이블(36)의 가공 이송량을 검출할 수도 있다.
상기 제2 미끄럼 이동 블록(33)은, 그 하면에 상기 제1 미끄럼 이동 블록(32)의 상면에 설치된 1쌍의 안내 레일(322, 322)과 끼워 맞추는 1쌍의 피안내홈(331, 331)이 형성되어 있고, 이 피안내홈(331, 331)을 1쌍의 안내 레일(322, 322)에 끼워 맞춤으로써, 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동할 수 있게 구성된다. 도시한 실시 형태에 있어서의 척 테이블 기구(3)는, 제2 미끄럼 이동 블록(33)을 제1 미끄럼 이동 블록(32)에 설치된 1쌍의 안내 레일(322, 322)을 따라 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동시키기 위한 제1 인덱싱 이송 수단(38)을 구비하고 있다. 제1 인덱싱 이송 수단(38)은, 상기 1쌍의 안내 레일(322와 322) 사이에 평행하게 설치된 수나사 로드(381)와, 상기 수나사 로드(381)를 회전 구동하기 위한 펄스 모터(382) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로드(381)는, 그 일단이 상기 제1 미끄럼 이동 블록(32)의 상면에 고정된 베어링 블록(383)에 회전이 자유롭게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(382)의 출력축에 전동 연결되어 있다. 한편, 수나사 로드(381)는, 제2 미끄럼 이동 블록(33)의 중앙부 하면에 돌출하여 형성된 도시하지 않는 암나사 블록에 형성된 관통 암나사 구멍에 나사 결합되어 있다. 따라서, 펄스 모터(382)에 의해서 수나사 로드(381)를 정회전 및 역회전 구동함으로써, 제2 미끄럼 이동 블록(33)은 안내 레일(322, 322)을 따라 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동되게 된다.
도시한 실시 형태에 있어서의 레이저 가공기는, 상기 제2 미끄럼 이동 블록(33)의 인덱싱 가공 이송량을 검출하기 위한 인덱싱 이송량 검출 수단(384)을 갖추고 있다. 인덱싱 이송량 검출 수단(384)은, 안내 레일(322)을 따라 설치된 리니어 스케일(384a)과, 제2 미끄럼 이동 블록(33)에 설치되어 제2 미끄럼 이동 블록(33)과 함께 리니어 스케일(384a)을 따라 이동하는 판독 헤드(384b)로 이루어져 있다. 이 이송량 검출 수단(384)의 판독 헤드(384b)는, 도시한 실시 형태에서는 1 ㎛마다 1 펄스의 펄스 신호를 후술하는 제어 수단으로 보낸다. 그리고 후술하는 제어 수단은, 입력한 펄스 신호를 카운트함으로써, 척 테이블(36)의 인덱싱 이송량을 검출한다. 한편, 상기 인덱싱 이송 수단(38)의 구동원으로서 펄스 모터(382)를 이용한 경우에는, 펄스 모터(382)에 구동 신호를 출력하는 후술하는 제어 수단의 구동 펄스를 카운트함으로써, 척 테이블(36)의 인덱싱 이송량을 검출할 수도 있다. 또한, 상기 가공 이송 수단(37)의 구동원으로서 서보 모터를 이용한 경우에는, 서보 모터의 회전수를 검출하는 로터리 인코더가 출력하는 펄스 신호를 후술하는 제어 수단으로 보내, 제어 수단이 입력한 펄스 신호를 카운트함으로써, 척 테이블(36)의 인덱싱 이송량을 검출할 수도 있다.
상기 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구(4)는, 정지 베이스(2) 상에 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)을 따라 평행하게 설치된 1쌍의 안내 레일(41, 41)과, 상기 안내 레일(41, 41) 상에 화살표 Y로 나타내는 방향으로 이동 가능하게 설치된 가동 지지 베이스(42)를 구비하고 있다. 이 가동 지지 베이스(42)는, 안내 레일(41, 41) 상에 이동 가능하게 설치된 이동 지지부(421)와, 상기 이동 지지부(421)에 부착된 장착부(422)로 이루어지고 있다.
장착부(422)는, 한 측면에 화살표 Z로 나타내는 방향(Z축 방향)으로 연장되는 1쌍의 안내 레일(423, 423)이 평행하게 설치되어 있다. 도시한 실시 형태에 있어서의 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구(4)는, 가동 지지 베이스(42)를 1쌍의 안내 레일(41, 41)을 따라 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동시키기 위한 제2 인덱싱 이송 수단(43)을 구비하고 있다. 제2 인덱싱 이송 수단(43)은, 상기 1쌍의 안내 레일(41, 41) 사이에 평행하게 설치된 수나사 로드(431)와, 상기 수나사 로드(431)를 회전 구동하기 위한 펄스 모터(432) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로드(431)는, 그 일단이 상기 정지 베이스(2)에 고정된 도시하지 않는 베어링 블록에 회전이 자유롭게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(432)의 출력축에 전동 연결되어 있다. 한편, 수나사 로드(431)는, 가동 지지 베이스(42)를 구성하는 이동 지지부(421)의 중앙부 하면에 돌출하여 형성된 도시하지 않는 암나사 블 록에 형성된 암나사 구멍에 나사 결합되어 있다. 이 때문에, 펄스 모터(432)에 의해서 수나사 로드(431)를 정회전 및 역회전 구동함으로써, 가동 지지 베이스(42)는 안내 레일(41, 41)을 따라 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동되게 된다.
도시한 실시 형태에 있어서의 레이저 광선 조사 유닛(5)은, 유닛 홀더(51)와, 상기 유닛 홀더(51)에 부착된 레이저 광선 조사 장치(52)를 구비하고 있다. 유닛 홀더(51)는, 상기 장착부(422)에 설치된 1쌍의 안내 레일(423, 423)에 미끄럼 이동가능하게 끼워 맞추는 1쌍의 피안내홈(511, 511)이 형성되어 있고, 이 피안내홈(511, 511)을 상기 안내 레일(423, 423)에 끼워 맞춤으로써, 화살표 Z로 나타내는 방향(Z축 방향)으로 이동할 수 있게 지지된다.
도시한 실시 형태에 있어서의 레이저 광선 조사 유닛(5)은, 유닛 홀더(51)를 1쌍의 안내 레일(423, 423)을 따라 화살표 Z로 나타내는 방향(Z축 방향)으로 이동시키기 위한 이동 수단(53)을 구비하고 있다. 이동 수단(53)은, 1쌍의 안내 레일(423, 423) 사이에 설치된 수나사 로드(도시하지 않음)와, 상기 수나사 로드를 회전 구동하기 위한 펄스 모터(532) 등의 구동원을 포함하고 있고, 펄스 모터(532)에 의해서 도시하지 않는 수나사 로드를 정회전 및 역회전 구동함으로써, 유닛 홀더(51) 및 레이저 광선 조사 수단(52)을 안내 레일(423, 423)을 따라 화살표 Z로 나타내는 방향(Z축 방향)으로 이동하게 한다. 한편, 도시한 실시 형태에 있어서는 펄스 모터(532)를 정회전 구동함으로써 레이저 광선 조사 장치(52)를 위쪽으로 이동하고, 펄스 모터(532)를 역회전 구동함으로써 레이저 광선 조사 장치(52)를 아래쪽으로 이동하도록 되어 있다.
상기 레이저 광선 조사 장치(52)는, 실질상 수평하게 배치된 원통 형상의 케이싱(521)과, 도 2에 도시한 바와 같이 케이싱(521) 내에 설치된 펄스 레이저 광선발진 수단(6)과, 출력 조정 수단(7)과, 펄스 레이저 광선 발진 수단(6)이 발진한 레이저 광선의 광축을 가공 이송 방향(X축 방향)으로 편향하는 제1 음향 광학 편향 수단(81)과, 레이저 광선 발진 수단(6)이 발진한 레이저 광선의 광축을 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 편향하는 제2 음향 광학 편향 수단(82)을 구비하고 있다. 또한, 레이저 광선 조사 수단(52)은, 제1 음향 광학 편향 수단(81) 및 제2 음향 광학 편향 수단(82)을 통과한 펄스 레이저 광선을 상기 척 테이블(36)에 유지된 피가공물에 조사하는 집광기(9)를 구비하고 있다.
상기 펄스 레이저 광선 발진 수단(6)은, YAG 레이저 발진기 혹은 YVO4 레이저 발진기로 이루어지는 펄스 레이저 광선 발진기(61)와, 이것에 부설된 반복 주파수 설정 수단(62)으로 구성되고 있다. 상기 출력 조정 수단(7)은, 펄스 레이저 광선 발진 수단(6)으로부터 발진된 펄스 레이저 광선 LB를 소정의 출력으로 조정한다.
상기 제1 음향 광학 편향 수단(81)은, 레이저 광선 발진 수단(6)이 발진한 레이저 광선의 광축을 가공 이송 방향(X축 방향)으로 편향하는 제1 음향 광학 소자(811)와, 상기 제1 음향 광학 소자(811)에 인가하는 RF(radio frequency)를 생성하는 제1 RF 발진기(812)와, 상기 제1 RF 발진기(812)에 의해서 생성된 RF의 파워를 증폭하여 제1 음향 광학 소자(811)에 인가하는 제1 RF 증폭기(813)와, 제1 RF 발진기(812)에 의해서 생성되는 RF의 주파수를 조정하는 제1 편향 각도 조정 수단(814)과, 제1 RF 발진기(812)에 의해서 생성되는 RF의 진폭을 조정하는 제1 출력 조정 수단(815)을 구비하고 있다. 상기 제1 음향 광학 소자(811)는, 인가되는 RF의 주파수에 대응하여 레이저 광선의 광축을 편향하는 각도를 조정할 수 있고, 인가되는 RF의 진폭에 대응하여 레이저 광선의 출력을 조정할 수 있다. 한편, 상기 제1 편향 각도 조정 수단(814) 및 제1 출력 조정 수단(815)은 후술하는 제어 수단에 의해서 제어된다.
상기 제2 음향 광학 편향 수단(82)은, 레이저 광선 발진 수단(6)이 발진한 레이저 광선의 광축을 가공 이송 방향(X축 방향)에 직교하는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향 : 도 2에 있어서 지면에 수직인 방향)으로 편향하는 제2 음향 광학 소자(821)와, 상기 제2 음향 광학 소자(821)에 인가하는 RF를 생성하는 제2 RF 발진기(822)와, 상기 RF 발진기(822)에 의해서 생성된 RF의 파워를 증폭하여 제2 음향 광학 소자(821)에 인가하는 제2 RF 증폭기(823)와, 제2 RF 발진기(822)에 의해서 생성되는 RF의 주파수를 조정하는 제2 편향 각도 조정 수단(824)과, 제2 RF 발진기(822)에 의해서 생성되는 RF의 진폭을 조정하는 제2 출력 조정 수단(825)을 구비하고 있다. 상기 제2 음향 광학 소자(821)는, 인가되는 RF의 주파수에 대응하여 레이저 광선의 광축을 편향하는 각도를 조정할 수 있고, 인가되는 RF의 진폭에 대응하여 레이저 광선의 출력을 조정할 수 있다. 한편, 상기 제2 편향 각도 조정 수단(824) 및 제2 출력 조정 수단(825)은 후술하는 제어 수단에 의해서 제어된다.
또한, 도시한 실시 형태에 있어서의 레이저 광선 조사 장치(52)는, 상기 제1 음향 광학 소자(811)에 소정 주파수의 RF가 인가된 경우에, 도 2에 있어서 파선으 로 나타낸 바와 같이 제1 음향 광학 소자(811)에 의해서 편향된 레이저 광선을 흡수하기 위한 레이저 광선 흡수 수단(83)을 구비하고 있다.
상기 집광기(9)는, 케이싱(521)의 선단에 장착되어 있고, 상기 제1 음향 광학 편향 수단(81) 및 제2 음향 광학 편향 수단(82)에 의해서 편향된 펄스 레이저 광선을 아래쪽으로 향해서 방향 변환하는 방향 변환 미러(91)와, 상기 방향 변환 미러(91)에 의해서 방향 변환된 레이저 광선을 집광하는 집광 렌즈(92)를 구비하고 있다.
도시한 실시 형태에 있어서의 레이저 광선 조사 장치(52)는, 상기 제1 음향 광학 편향 수단(81) 및 제2 음향 광학 편향 수단(82)에 의해서 편향된 펄스 레이저 광선의 출력을 검출하는 레이저 광선 출력 검출 수단(10)을 구비하고 있다. 이 레이저 광선 출력 검출 수단(10)은, 제1 음향 광학 편향 수단(81) 및 제2 음향 광학 편향 수단(82)과 집광기(9)와의 사이에 설치되어 제1 음향 광학 편향 수단(81) 및 제2 음향 광학 편향 수단(82)에 의해서 편향된 레이저 광선의 일부를 분광하는 빔 스플리터(101)와, 상기 빔 스플리터(101)에 의해서 분광된 레이저 광선을 수광하는 수광 소자(102)를 구비하고, 상기 수광 소자(102)에 의해서 수광한 수광 신호를 A/D 변환기(103)를 통해 후술하는 제어 수단으로 보낸다.
도시한 실시 형태에 있어서의 펄스 레이저 조사 장치(52)는 이상과 같이 구성되어 있으며, 이하 그 작용에 관해서 도 2를 참조하여 설명한다.
제1 음향 광학 편향 수단(81)의 제1 편향 각도 조정 수단(814)에 예컨대 5 V의 전압을 인가하고, 제1 음향 광학 소자(811)에 5 V에 대응하는 주파수의 RF가 인 가된 경우에는, 펄스 레이저 광선 발진 수단(6)으로부터 발진된 펄스 레이저 광선은, 그 광축이 도 2에 있어서 실선으로 나타낸 바와 같이 편향되어 집광점 Pa에 집광된다. 또한, 제1 편향 각도 조정 수단(814)에 예컨대 10 V의 전압을 인가하고, 제1 음향 광학 소자(811)에 10 V에 대응하는 주파수의 RF가 인가된 경우에는, 펄스 레이저 광선 발진 수단(6)으로부터 발진된 펄스 레이저 광선은, 그 광축이 도 2에 있어서 1점 쇄선으로 나타낸 바와 같이 편향되어, 상기 집광점 Pa에서부터 가공 이송 방향(X축 방향)으로 도 2에 있어서 좌측으로 소정량 변위된 집광점 Pb에 집광된다. 한편, 제1 편향 각도 조정 수단(814)에 예컨대 0 V의 전압을 인가하고, 제1 음향 광학 소자(811)에 0 V에 대응하는 주파수의 RF가 인가된 경우에는, 펄스 레이저 광선 발진 수단(6)으로부터 발진된 펄스 레이저 광선은, 그 광축이 도 2에 있어서 2점 쇄선으로 나타낸 바와 같이 편향되어, 상기 집광점 Pc에서부터 가공 이송 방향(X축 방향)으로 도 2에 있어서 우측으로 소정량 변위된 집광점 Pc에 집광된다. 또한, 제1 음향 광학 편향 수단(81)의 제1 편향 각도 조정 수단(814)에 예컨대 15 V의 전압을 인가하고, 제1 음향 광학 소자(811)에 15 V에 대응하는 주파수의 RF가 인가된 경우에는, 펄스 레이저 광선 발진 수단(6)으로부터 발진된 펄스 레이저 광선은, 도 2에 있어서 파선으로 도시한 바와 같이 레이저 광선 흡수 수단(83)으로 유도된다. 이와 같이, 제1 음향 광학 소자(811)에 의해서 편향된 레이저 광선은, 제1 편향 각도 조정 수단(814)에 인가되는 전압에 대응하여 가공 이송 방향(X축 방향)으로 편향되게 된다.
또, 제2 음향 광학 편향 수단(82)도 상기 제1 음향 광학 편향 수단(81)과 마찬가지로, 제2 편향 각도 조정 수단(824)에 인가하는 전압을 조정하고, 제2 음향 광학 소자(821)에 인가하는 RF의 주파수를 조정함으로써, 펄스 레이저 광선 발진 수단(6)으로부터 발진된 펄스 레이저 광선의 광축을 가공 이송 방향(X축 방향)에 직교하는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향 : 도 2에 있어서 지면에 수직인 방향)으로 편향할 수 있다.
이어서, 레이저 광선 출력 검출 수단(10)의 작용에 관해서 설명한다.
제1 음향 광학 편향 수단(81) 및 제2 음향 광학 편향 수단(82)을 통과한 레이저 광선은, 도시한 실시 형태에 있어서는 빔 스플리터(101)에 의해서 99%가 집광기(9)로 향해 분광되고, 1%가 수광 소자(102)로 향해 분광된다. 빔 스플리터(101)에 의해서 분광된 1%의 레이저 광선을 수광한 수광 소자(102)는 수광한 광도에 대응한 전압 신호를 출력한다. 이 전압 신호는 A/D 변환기(103)에 의해서 디지털 신호로 변환되어 후술하는 제어 수단에 보내진다.
도 1로 되돌아가 설명을 계속하면, 도시한 실시 형태에 있어서의 레이저 가공기는, 케이싱(521)의 전단부에 설치되어 상기 레이저 광선 조사 장치(52)에 의해 레이저 가공하여야 할 가공 영역을 검출하는 촬상 수단(11)을 갖추고 있다. 이 촬상 수단(11)은, 가시광선에 의해서 촬상하는 통상의 촬상 소자(CCD) 이외에 피가공물에 적외선을 조사하는 적외선 조명 수단과, 상기 적외선 조명 수단에 의해서 조사된 적외선을 잡는 광학계와, 상기 광학계에 의해서 잡힌 적외선에 대응한 전기 신호를 출력하는 촬상 소자(적외선 CCD) 등으로 구성되어 있으며, 촬상한 화상 신호를 후술하는 제어 수단에 보낸다.
도 1에 기초하여 설명을 계속하면, 도시한 실시 형태에 있어서의 레이저 가공기는 제어 수단(20)을 구비하고 있다. 제어 수단(20)은 컴퓨터에 의해서 구성되어 있고, 제어 프로그램에 따라서 연산 처리하는 중앙 처리 장치(CPU)(201)와, 제어 프로그램 등을 저장하는 리드 온리 메모리(ROM)(202)와, 후술하는 피가공물의 설계치 데이터나 연산 결과 등을 저장하는 기록 및 판독 가능한 랜덤 액세스 메모리(RAM)(203)와, 카운터(204)와, 입력 인터페이스(205) 및 출력 인터페이스(206)를 구비하고 있다. 제어 수단(20)의 입력 인터페이스(205)에는 상기 가공 이송량 검출 수단(374), 인덱싱 이송량 검출 수단(384), 레이저 광선 출력 검출 수단(10)의 수광 소자(102) 및 촬상 수단(11) 등으로부터의 검출 신호가 입력된다. 그리고, 제어 수단(20)의 출력 인터페이스(206)로부터는, 상기 펄스 모터(372), 펄스 모터(382), 펄스 모터(432), 펄스 모터(532), 펄스 레이저 광선 발진 수단(6), 출력 조정 수단(7), 제1 음향 광학 편향 수단(81)의 제1 편향 각도 조정 수단(814) 및 제1 출력 조정 수단(815), 제2 음향 광학 편향 수단(82)의 제2 편향 각도 조정 수단(824) 및 제2 출력 조정 수단(825) 등에 제어 신호를 출력한다. 한편, 상기 랜덤 액세스 메모리(RAM)(203)는, 후술하는 피가공물의 설계치 데이터를 기억하는 제1 기억 영역(203a)이나, 후술하는 제어 맵을 기억하는 제2 기억 영역(203b) 및 다른 기억 영역을 갖추고 있다.
이어서, 레이저 광선 출력 검출 수단(10)의 작용에 관해서 설명한다.
제1 음향 광학 편향 수단(81) 및 제2 음향 광학 편향 수단(82)을 통과한 레이저 광선은, 도시한 실시 형태에 있어서는 빔 스플리터(101)에 의해서 99%가 집광 기(9)로 향해서 분광되고, 1%가 수광 소자(102)로 향해서 분광된다. 빔 스플리터(101)에 의해서 분광된 1%의 레이저 광선을 수광한 수광 소자(102)는 수광한 광도에 대응한 전압 신호를 출력한다. 이 전압 신호는 A/D 변환기(103)에 의해서 디지털 신호로 변환되어 상기 제어 수단(20)에 보내진다.
도시한 실시 형태에 있어서의 레이저 가공기는 이상과 같이 구성되어 있으며, 이하 그 작용에 관해서 설명한다.
레이저 가공을 실시함에 있어서, 제어 수단(20)은 상기 레이저 광선 조사 장치(52)를 작동하여, 펄스 레이저 광선 발진 수단(6)으로부터 발진되어 펄스 레이저 광선의 실출력을 구하는 실출력 검출 공정을 실시한다. 즉, 제어 수단(20)은, 상기 레이저 광선 출력 검출 수단(10)의 수광 소자(102)에 의해서 수광된 펄스 레이저 광선의 광도로부터 제1 음향 광학 편향 수단(81)의 제1 음향 광학 소자(811) 및 제2 음향 광학 편향 수단(82)의 제2 음향 광학 소자(821)에 의해서 편향된 펄스 레이저 광선의 실출력을 구한다. 이 실출력은, 제1 음향 광학 소자(811) 및 제2 음향 광학 소자(821)에 의해서 편향된 펄스 레이저 광선의 편향 각도에 따라 다르며, 도 3에 도시한 바와 같이 나타낸다. 도 3에 도시하는 맵은, 횡축이 제1 음향 광학 편향 수단(81)의 제1 편향 각도 조정 수단(814)에 인가되는 전압이고, 종축이 제2 음향 광학 편향 수단(82)의 제2 편향 각도 조정 수단(824)에 인가되는 전압이며, 제1 음향 광학 편향 수단(81)과 제2 편향 각도 조정 수단(824)에 각각 인가된 전압에 대응한 실출력의 비율(%)이 나타내어져 있다. 한편, 도 3에 있어서의 실출력의 비율(%)은, 제1 음향 광학 편향 수단(81) 및 제2 편향 각도 조정 수단(824)에 각각 5 V의 전압을 인가한 경우에 있어서의 레이저 광선 출력 검출 수단(10)의 수광 소자(102)에 의해서 수광된 펄스 레이저 광선의 출력을 100%로 하여 나타내고 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 제1 음향 광학 편향 수단(81)의 제1 편향 각도 조정 수단(814) 및 제2 음향 광학 편향 수단(82)의 제2 편향 각도 조정 수단(824)에 인가하는 전압에 의해서, 제1 음향 광학 소자(811) 및 제2 음향 광학 소자(821)에 의해서 편향된 펄스 레이저 광선의 실출력이 변화되기 때문에, 제1 음향 광학 소자(811) 및 제2 음향 광학 소자(821)에 의해서 편향되는 펄스 레이저 광선의 실출력을 균일하게 하기 위해서는, 최소의 실출력에 맞출 필요가 있다. 도 3에 도시하는 실시 형태에 있어서는, 최소의 실출력은 70% 나오기 때문에, 모든 실출력을 70%가 되도록 보정한다. 이 보정은, 제1 음향 광학 편향 수단(81)의 제1 출력 조정 수단(815) 또는 제2 음향 광학 편향 수단(82)의 제2 출력 조정 수단(825)에 인가하는 전압을 조정한다. 한편, 도시한 실시 형태에 있어서는 제1 출력 조정 수단(815) 또는 제2 출력 조정 수단(825)에 인가하는 전압이 0 V라면, 제1 음향 광학 소자(811) 및 제2 음향 광학 소자(821)에 의해서 편향되는 펄스 레이저 광선의 실출력은 변화되지 않지만, 제1 출력 조정 수단(815) 또는 제2 출력 조정 수단(825)에 0.1 V의 전압을 인가하면 예컨대 제1 음향 광학 소자(811) 및 제2 음향 광학 소자(821)에 의해서 편향되는 펄스 레이저 광선의 실출력은 1% 저감되게 되고 있다.
도 4는 상기 도 3에 도시하는 제1 음향 광학 소자(811) 및 제2 음향 광학 소자(821)에 의해서 편향된 펄스 레이저 광선의 최소의 실출력(Pmin : 70%)을 기준으로 하여 제1 음향 광학 편향 수단(81)의 제1 출력 조정 수단(815) 또는 제2 음향 광학 편향 수단(82)의 제2 출력 조정 수단(825)에 인가하는 전압을 설정한 제어 맵의 예이다. 따라서, 제어 수단(20)은, 도 3에 도시한 바와 같이 실출력이 70%인 편향 영역에서는 제1 출력 조정 수단(815) 또는 제2 출력 조정 수단(825)에 인가하는 전압은 도 4에 도시한 바와 같이 0 V로 설정한다. 그리고, 제어 수단(20)은, 각 편향 영역(P0)에 있어서의 제1 출력 조정 수단(815) 또는 제2 출력 조정 수단(825)에 인가하는 보정 전압(Va)을 도 4에 도시한 바와 같이 연산한다(Va=(PO-Pmin)×0.1 V). 이와 같이 하여 각 편향 영역에 있어서의 제1 출력 조정 수단(815) 또는 제2 출력 조정 수단(825)에 인가하는 전압을 설정했으면, 제어 수단(20)은 도 4에 도시하는 제어 맵을 랜덤 액세스 메모리(RAM)(203)의 제2 기억 영역(203b)에 저장한다.
이어서, 전술한 레이저 가공기를 이용하여, 피가공물에 레이저 가공 구멍을 천공하는 가공 방법에 관해서 설명한다.
도 5에는 레이저 가공되는 피가공물로서의 반도체 웨이퍼(30)의 평면도가 도시되어 있다. 도 5에 도시하는 반도체 웨이퍼(30)는, 실리콘 웨이퍼로 이루어져 있고, 그 표면(30a)에 격자형으로 배열된 복수의 분할 예정 라인(301)에 의해서 복수의 영역이 구획되어, 이 구획된 영역에 IC, LSI 등의 디바이스(302)가 각각 형성되어 있다. 이 각 디바이스(302)는 전부 동일한 구성을 하고 있다. 디바이스(302)의 표면에는 각각 도 6에 도시한 바와 같이 복수의 전극(303)(303a∼303j)이 형성되어 있다. 한편, 도시한 실시 형태에 있어서는, 303a와 303f, 303b와 303g, 303c와 303h, 303d와 303i, 303e와 303j)는 X 방향 위치가 동일하다. 이 복수의 전극(303)(303a∼303j)부에 각각 이면(10b)에서부터 전극(303)에 이르는 가공 구멍 (비아홀)이 형성된다. 각 디바이스(302)에 있어서의 전극(303)(303a∼303j)의 X 방향(도 6에 있어서 좌우 방향)의 간격 A 및 각 디바이스(302)에 형성된 전극(303)에 있어서의 분할 예정 라인(301)을 사이에 두고 X 방향(도 6에 있어서 좌우 방향)에 인접하는 전극 즉 전극(303e)과 전극(303a)과의 간격 B는, 도시한 실시 형태에서는 동일 간격으로 설정되고 있다. 또한, 각 디바이스(302)에 있어서의 전극(303)(303a∼303j)의 Y 방향(도 6에 있어서 상하 방향)의 간격 C 및 각 디바이스(302)에 형성된 전극(303)에 있어서의 분할 예정 라인(301)을 사이에 두고 Y 방향(도 6에 있어서 상하 방향)에 인접하는 전극 즉 전극(303f)과 전극(303a) 및 전극(303j)과 전극(303e)과의 간격 D는, 도시한 실시 형태에서는 동일 간격으로 설정되고 있다. 이와 같이 구성된 반도체 웨이퍼(30)는, 도 5에 도시하는 각 행 E1……En 및 각 열 F1……Fn에 설치된 디바이스(302)의 개수와 상기 각 간격 A, B, C, D는 그 설계치의 데이터가 상기 랜덤 액세스 메모리(RAM)(203)의 제1 기억 영역(203a)에 저장되고 있다.
전술한 레이저 가공 장치를 이용하여, 상기 반도체 웨이퍼(30)에 형성된 각 디바이스(302)의 전극(303)(303a∼303j)부에 가공 구멍(비아홀)을 형성하는 레이저 가공의 실시 형태에 관해서 설명한다.
상기한 바와 같이 구성된 반도체 웨이퍼(30)는, 도 7에 도시한 바와 같이 환상의 프레임(40)에 장착된 폴리올레핀(polyolefine) 등의 합성수지 시트로 이루어지는 보호 테이프(50)에 표면(30a)을 접착한다. 따라서, 반도체 웨이퍼(30)는 이면(30b)이 상측으로 된다. 이와 같이 하여 환상의 프레임(40)에 보호 테이프(50)를 통해 지지된 반도체 웨이퍼(30)는, 도 1에 도시하는 레이저 가공 장치의 척 테이블(36) 상에 보호 테이프(50) 측을 얹어 놓는다. 그리고, 도시하지 않는 흡인 수단을 작동함으로써 반도체 웨이퍼(30)는 보호 테이프(50)를 통해 척 테이블(36) 상에 흡인 유지된다. 또한, 환상의 프레임(40)은 클램프(362)에 의해서 고정된다.
전술한 바와 같이 반도체 웨이퍼(30)를 흡인 유지한 척 테이블(36)은 가공 이송 수단(37)에 의해서 촬상 수단(11)의 바로 아래에 위치가 부여된다. 척 테이블(36)이 촬상 수단(11)의 바로 아래에 위치 부여되면, 척 테이블(36) 상의 반도체 웨이퍼(30)는 도 8에 도시하는 좌표 위치에 위치 부여된 상태가 된다. 이 상태에서, 척 테이블(36)에 유지된 반도체 웨이퍼(30)에 형성되어 있는 격자형의 분할 예정 라인(301)이 X축 방향과 Y축 방향으로 평행하게 설치되어 있는지 여부의 얼라이먼트 작업을 실시한다. 즉, 촬상 수단(11)에 의해서 척 테이블(36)에 유지된 반도체 웨이퍼(30)를 촬상하고, 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하여 얼라이먼트 작업을 행한다. 이 때, 반도체 웨이퍼(30)의 분할 예정 라인(301)이 형성되어 있는 표면(301a)은 하측에 위치하고 있지만, 촬상 수단(11)이 전술한 바와 같이 적외선 조명 수단과 적외선을 잡는 광학계 및 적외선에 대응한 전기 신호를 출력하는 촬상 소자(적외선 CCD) 등으로 구성된 촬상 수단을 갖추고 있기 때문에, 반도체 웨이퍼(30)의 이면(301b)을 통하여 분할 예정 라인(301)을 촬상할 수 있다.
이어서, 척 테이블(36)을 이동하여, 반도체 웨이퍼(30)에 형성된 디바이스(302)에 있어서의 최상위의 행 E1의 도 8에 있어서 제일 좌측 단의 디바이스(302)를 촬상 수단(11)의 바로 아래에 위치 부여한다. 그리고, 더욱 디바이 스(302)에 형성된 전극(303)(303a∼303j)에 있어서의 도 8에서 좌측 위의 전극(303a)을 촬상 수단(11)의 바로 아래에 위치 부여한다. 이 상태에서 촬상 수단(11)이 전극(303a)을 검출했다면 그 좌표치(a1)를 제1 가공 이송 시작 위치 좌표치로서 제어 수단(20)에 보낸다. 그리고, 제어 수단(20)은, 이 좌표치(a1)를 제1 가공 이송 시작 위치 좌표치로서 랜덤 액세스 메모리(RAM)(203)에 저장한다(가공 이송 시작 위치 검출 공정). 이 때, 촬상 수단(11)과 레이저 광선 조사 수단(52)의 집광기(9)는 X축 방향으로 소정의 간격을 두고 설치되어 있기 때문에, X 좌표치는 상기 촬상 수단(11)과 집광기(9)와의 간격을 더한 값이 저장된다.
이와 같이 하여 도 8에서 최상위의 행 E1의 디바이스(302)에 있어서의 제1 가공 이송 시작 위치 좌표치(a1)를 검출했으면, 척 테이블(36)을 분할 예정 라인(301)의 간격만큼 Y축 방향으로 인덱싱 이송하고 X축 방향으로 이동하여, 도 8에서 최상위에서부터 2번째의 행 E2에 있어서의 제일 좌측 단의 디바이스(302)를 촬상 수단(11)의 바로 아래에 위치 부여한다. 그리고, 또한 디바이스(302)에 형성된 전극(303)(303a∼303j)에 있어서의 도 8에서 좌측 위의 전극(303a)을 촬상 수단(11)의 바로 아래에 위치 부여한다. 이 상태에서 촬상 수단(11)이 전극(303a)을 검출했다면 그 좌표치(a2)를 제2 가공 이송 시작 위치 좌표치로서 제어 수단(20)에 보낸다. 그리고, 제어 수단(20)은, 이 좌표치(a2)를 제2 가공 이송 시작 위치 좌표치로서 랜덤 액세스 메모리(RAM)(203)에 저장한다. 이 때, 촬상 수단(11)과 레이저 광선 조사 수단(52)의 집광기(9)는 전술한 바와 같이 X축 방향으로 소정의 간격을 두고 설치되어 있기 때문에, X 좌표치는 상기 촬상 수단(11)과 집광기(9)와의 간격을 더한 값이 저장된다. 이후, 제어 수단(20)은, 전술한 인덱싱 이송과 가공 이송 시작 위치 검출 공정을 도 8에 있어서 최하위의 행 En까지 반복 실행하고, 각 행에 형성된 디바이스(302)의 가공 이송 시작 위치 좌표치(a3∼an)를 검출하여, 이것을 랜덤 액세스 메모리(RAM)에 저장한다.
이어서, 반도체 웨이퍼(30)의 각 디바이스(302)에 형성된 각 전극(303)(303a∼303j)부에 레이저 가공 구멍(비아홀)을 천공하는 천공 공정을 실시한다. 천공 공정은, 우선 가공 이송 수단(37)을 작동하여 척 테이블(36)을 이동하고, 상기 랜덤 액세스 메모리(RAM)(103)에 저장되어 있는 제1 가공 이송 시작 위치 좌표치(a1)를 레이저 광선 조사 수단(52)의 집광기(9)의 바로 아래에 위치 부여한다. 이와 같이 제1 가공 이송 시작 위치 좌표치(al)가 집광기(9)의 바로 아래에 위치 부여된 상태가 도 9의 (a)에 도시하는 상태이다. 도 9의 (a)에 도시하는 상태에서 제어 수단(20)은, 척 테이블(36)을 도 9의 (a)에 있어서 화살표 X1로 나타내는 방향으로 소정의 이동 속도로 가공 이송하도록 상기 가공 이송 수단(37)을 제어하는 동시에, 레이저 광선 조사 수단(52)을 작동하여 집광기(9)로부터 소정 시간 펄스 레이저 광선을 조사한다. 한편, 집광기(9)로부터 조사되는 레이저 광선의 집광점 P는 반도체 웨이퍼(30)의 표면(30a) 부근에 맞춘다. 이 때, 제어 수단(20)은, 펄스 레이저 광선을 조사하는 소정 시간 동안에, 가공 이송량 검출 수단(374)의 판독 헤드(374b)로부터의 검출 신호에 기초하여 제1 음향 광학 편향 수단(81)의 제1 편향 각도 조정 수단(814) 및 제1 출력 조정 수단(815)에 제어 신호를 출력한다. 즉, 제어 수단(20)은, 제1 편향 각도 조정 수단(814)에 0∼10 V의 범위에서 제어 신호를 출력하고, 제1 출력 조정 수단(815)에 도 4에 도시하는 제어 맵에 기초하여 보정 전압의 제어 신호를 출력한다. 한편, 도시한 실시 형태에 있어서의 천공 공정에서는 펄스 레이저 광선을 Y축 방향으로는 편향하지 않기 때문에, 제2 음향 광학 편향 수단(82)의 제2 편향 각도 조정 수단(824)에는 5 V의 전압이 인가된다. 또한, 도시한 실시 형태에 있어서는, 상기 보정 전압을 제1 출력 조정 수단(815)에 인가하기 때문에, 제2 음향 광학 편향 수단(82)의 제2 출력 조정 수단(825)에는 보정 전압을 인가하지 않는다.
한편, 제1 RF 발진기(812)는 제1 편향 각도 조정 수단(814) 및 제1 출력 조정 수단(815)으로부터의 제어 신호에 대응한 RF를 출력한다. 제1 RF 발진기(812)로부터 출력된 RF의 파워는 제1 RF 증폭기(813)에 의해서 증폭되어 제1 음향 광학 소자(811)에 인가된다. 제1 RF 발진기(812)로부터 출력된 RF의 파워는 제1 RF 증폭기(813)에 의해서 증폭되어 제1 음향 광학 소자(811)에 인가된다. 또한, 제2 RF 발진기(822)도 제2 편향 각도 조정 수단(824) 및 제2 출력 조정 수단(825)으로부터의 제어 신호에 대응한 RF를 출력한다. 제2 RF 발진기(822)로부터 출력된 RF의 파워는 제2 RF 증폭기(823)에 의해서 증폭되어 제2 음향 광학 소자(821)에 인가된다. 이 결과, 제1 음향 광학 소자(811) 및 제2 음향 광학 소자(821)는, 펄스 레이저 광선 발진 수단(6)으로부터 발진된 펄스 레이저 광선의 광축을 도 2에 있어서 1점 쇄선으로 나타내는 위치에서 2점 차선으로 나타내는 위치까지의 범위에서 편향한다.
상기 천공 공정에 있어서의 가공 조건의 일례에 관해서 설명한다.
광원 : LD 여기 Q 스위치 Nd : YVO4
파장 : 355 ㎚
반복 주파수 : 50 ㎑
평균 출력 : 5 W
집광 스폿 직경 : φ15 ㎛
가공 이송 속도 : 300 ㎜/초
이러한 가공 조건에 의해서 천공 공정을 실시하면, 실리콘 웨이퍼에는 펄스 레이저 광선의 1 펄스당 깊이가 5 ㎛ 정도인 레이저 가공 구멍을 형성할 수 있다.
따라서, 두께가 50 ㎛인 실리콘 웨이퍼에 전극(303)에 이르는 가공 구멍을 형성하기 위해서는 펄스 레이저 광선 10개의 펄스를 조사할 필요가 있다. 이 때문에, 상기 가공 조건에 있어서는 300 ㎜/초의 가공 이송 속도로 이동하고 있는 척 테이블(36)에 유지된 반도체 웨이퍼(30)의 제1 가공 이송 시작 위치 좌표치(a1)에 10개의 펄스의 펄스 레이저 광선을 조사함으로써, 전극(303)에 이르는 가공 구멍을 형성할 수 있다.
여기서, 반도체 웨이퍼(30)가 300 ㎜/초의 가공 이송 속도로 이동하고 있을 때에, 반도체 웨이퍼(30)의 제1 가공 이송 시작 위치 좌표치(a1)에 10개의 펄스의 펄스 레이저 광선을 조사하는 방법에 관해서, 도 10을 참조하여 설명한다.
상기 가공 조건에 있어서는 펄스 레이저 광선의 반복 주파수가 50 kHz이기 때문에, 1초 동안에 50000 펄스(50000/초)의 펄스 레이저 광선이 조사된다. 따라서, 10개의 펄스의 펄스 레이저 광선을 조사하기 위한 시간은 1/5000초가 된다. 한편, 300 ㎜/초의 가공 이송 속도로 X1로 나타내는 방향으로 이동하고 있는 반도체 웨이퍼(20)는 1/5000초 동안에 60 ㎛ 이동한다. 따라서, 반도체 웨이퍼(30)가 60 ㎛ 이동하는 사이에 1/5000초 동안 레이저 광선 조사 수단(52)을 작동하여, 이 사이에 펄스 레이저 광선의 집광점을 제1 가공 이송 시작 위치 좌표치(a1)에 위치 부여하도록, 제1 음향 광학 편향 수단(81)의 제1 편향 각도 조정 수단(814) 및 제1 출력 조정 수단(815)과 제2 음향 광학 편향 수단(82)의 제2 편향 각도 조정 수단(824) 및 제2 출력 조정 수단(825)을 제어하면 된다. 전술한 바와 같이 가공 이송량 검출 수단(374)의 판독 헤드(374b)로부터의 검출 신호에 기초하여, 제어 수단(9)이 전술한 바와 같이 제1 음향 광학 편향 수단(81)의 제1 편향 각도 조정 수단(814) 및 제1 출력 조정 수단(815)과 제2 음향 광학 편향 수단(82)의 제2 편향 각도 조정 수단(824) 및 제2 출력 조정 수단(825)에 인가하는 전압을 제어하고, 제1 음향 광학 편향 수단(81)의 제1 음향 광학 소자(811) 및 제2 음향 광학 편향 수단(82)의 제2 음향 광학 소자(821)에 인가하는 RF 파워의 주파수를 제어함으로써 행할 수 있다. 이 결과, 반도체 웨이퍼(30)가 가공 이송 방향 X1로 이동하고 있는 상태에 있어서도 제1 가공 이송 시작 위치 좌표치(a1)에 10개의 펄스의 펄스 레이저 광선을 조사할 수 있으므로, 도 10의 (b)에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(30)의 제1 가공 이송 시작 위치 좌표치(a1)에 전극(303)에 이르는 레이저 가공 구멍(304)이 형성된다. 이와 같이 하여, 제1 가공 이송 시작 위치 좌표치(a1)에 10 개의 펄스의 펄스 레이저 광선을 조사했다면, 제어 수단(20)은 제1 음향 광학 편향 수단(81)의 제1 편향 각도 조정 수단(814)에 15 V의 전압을 인가하고, 제1 음향 광학 소자(811)에 15 V에 대응하는 주파수의 RF 인가하여, 펄스 레이저 광선 발진 수 단(6)으로부터 발진된 펄스 레이저 광선을 도 2에 있어서 파선으로 도시한 바와 같이 레이저 광선 흡수 수단(83)으로 유도한다.
한편, 상기 천공 공정에서는, 제1 편향 각도 조정 수단(814) 및 제2 편향 각도 조정 수단(824)에 인가되는 전압에 기초하여 펄스 레이저 광선이 편향됨으로써 실출력이 변화되는 데 대응하여, 제1 출력 조정 수단(815)에 보정 전압을 인가하기 때문에, 제1 음향 광학 소자(811) 및 제2 음향 광학 소자(821)에 의해서 편향되는 펄스 레이저 광선의 실출력은 같아진다. 따라서, 도시한 실시 형태에 있어서는 펄스 레이저 광선 10개의 펄스를 조사함으로써, 전극(303)에 이르는 레이저 가공 구멍(304)을 정확하게 가공할 수 있다. 만약에 제1 출력 조정 수단(815)에 보정 전압을 인가하지 않고서 가공하면, 제1 음향 광학 소자(811) 및 제2 음향 광학 소자(821)에 의한 회절 효율이 변화되기 때문에, 제1 음향 광학 소자(811) 및 제2 음향 광학 소자(821)에 의해서 편향되는 펄스 레이저 광선의 실출력이 변화되므로, 펄스 레이저 광선을 10개의 펄스 조사하더라도 레이저 가공 구멍이 전극(303)에 달하거나, 전극(303)을 가공하여 버리는 경우도 있다.
한편, 제어 수단(20)은, 가공 이송량 검출 수단(374)의 판독 헤드(374b)로부터의 검출 신호를 입력하고 있으며, 이 검출 신호를 카운터(204)에 의해서 카운트하고 있다. 그리고, 카운터(204)에 의한 카운트치가 전극(303)의 도 6에 있어서 X축 방향의 간격 A에 상당하는 값에 이르면, 제어 수단(20)은 레이저 광선 조사 수단(52)을 제어하여 상기 천공 공정을 실시한다. 그 후에도 제어 수단(20)은, 카운터(204)에 의한 카운트치가 전극(303)의 도 6에 있어서 X축 방향의 간격 A 및 B에 달할 때마다, 제어 수단(20)은 레이저 광선 조사 수단(52)을 작동하여 상기 천공 공정을 실시한다. 그리고, 도 9의 (b)에서 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(30)의 E1행의 제일 우측 단의 디바이스(302)에 형성된 전극(303)에 있어서의 도 9의 (b)에서 제일 우측 단의 전극(303e) 위치에 상기 천공 공정을 실시하면, 상기 가공 이송 수단(37)의 작동을 정지하여 척 테이블(36)의 이동을 정지한다. 이 결과, 반도체 웨이퍼(30)에는, 도 9의 (b)에서 도시한 바와 같이 각 전극(303)(도시하지 않음)부에 레이저 가공 구멍(304)이 형성된다.
이어서, 제어 수단(20)은, 레이저 광선 조사 수단(52)의 집광기(9)를 도 9의(b)에 있어서 지면에 수직인 방향으로 인덱싱 이송하도록 상기 제1 인덱싱 이송 수단(38)을 제어한다. 한편, 제어 수단(20)은, 인덱싱 이송량 검출 수단(384)의 판독 헤드(384b)로부터의 검출 신호를 입력하고 있고, 이 검출 신호를 카운터(204)에 의해서 카운트하고 있다. 그리고, 카운터(204)에 의한 카운트치가 전극(303)의 도 6에 있어서 Y축 방향의 간격 C에 상당하는 값에 이르면, 제1 인덱싱 이송 수단(38)의 작동을 정지하여, 레이저 광선 조사 수단(52)의 집광기(9)의 인덱싱 이송을 정지한다. 이 결과, 집광기(9)는 상기 전극(303e)과 대향하는 전극(303j)(도 6 참조)의 바로 위에 위치 부여된다. 이 상태가 도 11의 (a)에 도시하는 상태이다. 도 11의 (a)에 도시하는 상태에서 제어 수단(20)은, 척 테이블(36)을 도 11의 (a)에 있어서 화살표 X2로 나타내는 방향으로 소정의 이동 속도로 가공 이송하도록 상기 가공 이송 수단(37)을 제어하는 동시에, 레이저 광선 조사 수단(52)을 작동하여 상기 천공 공정을 실시한다. 그리고, 제어 수단(20)은, 전술한 바와 같이 가공 이송량 검출 수단(374)의 판독 헤드(374b)로부터의 검출 신호를 카운터(204)에 의해 카운트하여, 그 카운트치가 전극(303)의 도 6에 있어서 X축 방향의 간격 A 및 B 에 달할 때마다, 제어 수단(20)은 레이저 광선 조사 수단(52)을 작동하여 상기 천공 공정을 실시한다. 그리고, 도 11의 (b)에서 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(30)의 E1행의 제일 우측 단의 디바이스(302)에 형성된 전극(303f) 위치에 상기 천공 공정을 실시하면, 상기 가공 이송 수단(37)의 작동을 정지하여 척 테이블(36)의 이동을 정지한다. 이 결과, 반도체 웨이퍼(30)에는 도 11의 (b)에서 도시한 바와 같이 각 전극(303)(도시하지 않음)부에 레이저 가공 구멍(304)이 형성된다.
이상과 같이 하여, 반도체 웨이퍼(30)의 E1행의 디바이스(302)에 형성된 전극(303)부에 레이저 가공 구멍(304)이 형성되었다면, 제어 수단(20)은 가공 이송 수단(37) 및 제1 인덱싱 이송 수단(38)을 작동하여, 반도체 웨이퍼(30)의 E2행의 디바이스(302)에 형성된 전극(303)에 있어서의 상기 랜덤 액세스 메모리(RAM)(203)에 저장되어 있는 제2 가공 이송 시작 위치 좌표치(a2)를 레이저 광선 조사 수단(52)의 집광기(9)의 바로 아래에 위치 부여한다. 그리고, 제어 장치(20)는, 레이저 광선 조사 수단(52)과 가공 이송 수단(37) 및 제1 인덱싱 이송 수단(38)을 제어하여, 반도체 웨이퍼(30)의 E2행의 디바이스(302)에 형성된 전극(303)부에 전술한 천공 공정을 실시한다. 이후, 반도체 웨이퍼(30)의 E3∼En행의 디바이스(302)에 형성된 전극(303)부에 대하여도 전술한 천공 공정을 실시한다. 이 결과, 반도체 웨이퍼(30)의 각 디바이스(302)에 형성된 모든 전극(303)부에 레이저 가공 구멍(304)이 형성된다.
한편, 상기 천공 공정에서, 도 6에 있어서의 X축 방향의 간격 A 영역 및 간격 B 영역에는 반도체 웨이퍼(30)에 펄스 레이저 광선을 조사하지 않는다. 이와 같이, 반도체 웨이퍼(30)에 펄스 레이저 광선을 조사하지 않기 때문에, 상기 제어 수단(20)은 제1 음향 광학 편향 수단(81)의 제1 편향 각도 조정 수단(814)에 15 V의 전압을 인가한다. 이 결과, 제1 음향 광학 소자(811)에는 15 V에 대응하는 주파수의 RF가 인가되고, 펄스 레이저 광선 발진 수단(6)으로부터 발진된 펄스 레이저 광선(LB)은 도 2에 있어서 파선으로 나타낸 바와 같이 레이저 광선 흡수 수단(83)으로 유도되기 때문에, 반도체 웨이퍼(30)에 조사되는 일은 없다.
이어서, 전술한 레이저 광선 조사 수단(52)의 제1 음향 광학 편향 수단(81)과 제2 음향 광학 편향 수단(82)을 작동하여 레이저 가공하는 다른 실시 형태에 관해서, 도 12를 참조하여 설명한다.
즉, 상기 척 테이블(36)에 유지된 피가공물을 가공 이송한 상태에서, 제1 음향 광학 편향 수단(81) 및 제2 음향 광학 편향 수단(82)을 작동하여 펄스 레이저 광선의 광축을 X축 방향과 Y축 방향으로 순차 편향시키고, 펄스 레이저 광선의 출력을 조정하여 피가공물에 펄스 레이저 광선을 조사함으로써, 도 12의 (a)에 도시한 바와 같이 트리패닝(trepaning) 등의 2차원 가공을 하여 복수의 레이저 가공 구멍(304)을 형성함으로써, 도 12의 (b)에 도시한 바와 같이 원하는 크기의 구멍(305)을 뚫을 수 있다. 이 때, 제1 음향 광학 편향 수단(81)의 제1 편향 각도 조정 수단(814) 및 제2 음향 광학 편향 수단(82)의 제2 편향 각도 조정 수단(824)에 인가하는 제어 전압에 대응하여, 제1 음향 광학 편향 수단(81)의 제1 출력 조정 수단(815) 및 제2 음향 광학 편향 수단(82)의 제2 편향 각도 조정 수단(824)에 도 4에서 도시하는 보정 전압을 인가하기 때문에, 제1 음향 광학 소자(811) 및 제2 음향 광학 소자(821)에 의한 회절 효율이 변화되더라도 제1 음향 광학 소자(811) 및 제2 음향 광학 소자(821)에 의해서 편향되는 실출력이 같아져, 모든 펄스 레이저 광선의 조사 위치에서 균일한 가공을 실시할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따라서 구성된 레이저 가공기의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 레이저 가공기에 장비되는 레이저 광선 조사 장치의 구성 블럭도이다.
도 3은 도 2에 도시하는 레이저 광선 조사 장치를 구성하는 제1 음향 광학 편향 수단 및 제2 음향 광학 편향 수단에 의해서 편향된 펄스 레이저 광선의 실출력을 도시하는 맵이다.
도 4는 도 3에 도시하는 실출력 맵에 기초하여 작성된 보정 전압의 제어 맵이다.
도 5는 피가공물로서의 반도체 웨이퍼의 평면도이다.
도 6은 도 5에 도시하는 반도체 웨이퍼의 일부를 확대하여 도시하는 평면도이다.
도 7은 도 5에 도시하는 반도체 웨이퍼를 환상의 프레임에 장착된 보호 테이프의 표면에 접착한 상태를 도시하는 사시도이다.
도 8은 도 5에 도시하는 반도체 웨이퍼가 도 1에 도시하는 레이저 가공 장치의 척 테이블의 소정 위치에 유지된 상태에 있어서의 좌표와의 관계를 도시하는 설명도이다.
도 9는 도 1에 도시하는 레이저 가공기에 의해서 실시하는 천공 공정의 설명도이다.
도 10은 도 9에 도시하는 천공 공정의 상세한 것을 확대하여 도시하는 설명 도이다.
도 11은 도 1에 도시하는 레이저 가공기에 의해서 실시하는 천공 공정의 설명도이다.
도 12는 도 1에 도시하는 레이저 가공기에 의해서 실시하는 레이저 가공 방법의 다른 실시 형태를 도시하는 설명도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
2 : 정지 베이스 3 :척 테이블 기구
31 : 안내 레일 36 : 척 테이블
37 : 가공 이송 수단 374 : 가공 이송량 검출 수단
38 : 제1 인덱싱 이송 수단 4 : 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구
41 : 안내 레일 42 : 가동 지지 베이스
43 : 제2 인덱싱 이송 수단 433 : 인덱싱 이송량 검출 수단
5 : 레이저 광선 조사 유닛 51 : 유닛 홀더
52 : 레이저 광선 가공 장치 6 : 펄스 레이저 광선 발진 수단
61 : 펄스 레이저 광선 발진기 62 : 반복 주파수 설정 수단
7 : 출력 조정 수단 81 : 제1 음향 광학 편향 수단
811 : 제1 음향 광학 소자 812 : 제1 RF 발진기
813 : 제1 RF 증폭기 814 : 제1 편향 각도 조정 수단
815 : 제1 출력 조정 수단 82 : 제2 음향 광학 편향 수단
821 : 제2 음향 광학 소자 822 : 제2 RF 발진기
823 : 제2 RF 증폭기 824 : 제2 편향 각도 조정 수단
825 : 제2 출력 조정 수단 83 : 레이저 광선 흡수 수단
9 : 집광기 91 : 방향 변환 미러
92 : 집광 렌즈 10 : 레이저 광선 출력 검출 수단
101 :빔 스플리터 102 : 수광 소자
103 : A/D 변환기 11 : 촬상 수단
20 : 제어 수단 30 : 반도체 웨이퍼
301 : 분할 예정 라인 302 : 회로
303 : 디바이스 304 : 레이저 가공 구멍
40 : 환상의 프레임 50 : 보호 테이프

Claims (3)

  1. 피가공물을 유지하는 척 테이블과, 상기 척 테이블에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단과, 상기 척 테이블과 상기 레이저 광선 조사 수단을 가공 이송 방향(X축 방향)으로 상대적으로 이동시키는 가공 이송 수단과, 상기 척 테이블과 상기 레이저 광선 조사 수단을 상기 가공 이송 방향(X축 방향)에 직교하는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 상대 이동시키는 인덱싱 이송 수단과, 상기 척 테이블의 가공 이송량을 검출하기 위한 가공 이송량 검출 수단을 구비하는 레이저 가공기에 있어서,
    상기 레이저 광선 조사 수단은, 레이저 광선을 발진하는 레이저 광선 발진 수단과, 상기 레이저 광선 발진 수단이 발진한 레이저 광선의 광축을 편향하는 음향 광학 편향 수단과, 상기 음향 광학 편향 수단에 의해서 편향된 레이저 광선을 집광하는 집광기를 구비하고, 상기 음향 광학 편향 수단이 상기 레이저 광선 발진 수단이 발진한 레이저 광선의 광축을 편향하는 음향 광학 소자와, 상기 음향 광학 소자에 RF를 인가하는 RF 발진기와, 상기 RF 발진기로부터 출력되는 RF의 주파수를 조정하는 편향 각도 조정 수단과, RF 발진기에 의해서 생성되는 RF의 진폭을 조정하는 출력 조정 수단과, 상기 가공 이송량 검출 수단으로부터의 검출 신호에 기초하여 상기 편향 각도 조정 수단 및 상기 출력 조정 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하고,
    상기 음향 광학 소자와 상기 집광기와의 사이에 설치되어 상기 음향 광학 소자에 의해서 편향된 레이저 광선의 일부를 분광하는 빔 스플리터와, 상기 빔 스플리터에 의해서 분광된 레이저 광선을 수광하는 수광 소자를 구비하고, 상기 수광 소자에 의해서 수광한 수광 신호를 상기 제어 수단에 보내는 레이저 광선 출력 검출 수단을 구비하고 있고,
    상기 제어 수단은, 편향 각도 조정 수단을 제어하는 제어 신호에 대응하여 상기 레이저 광선 출력 검출 수단으로부터 보내지는 수광 신호에 기초하여 레이저 광선의 실출력을 구하고, 상기 실출력의 최저치를 기준으로 하여 각 제어 신호에 대응한 실출력의 비율을 연산하고, 상기 실출력의 비율에 대응한 보정치를 연산하여 제어 맵을 작성하고, 상기 제어 맵에 기초하여 상기 출력 조정 수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 음향 광학 편향 수단은, 레이저 광선 발진 수단이 발진한 레이저 광선의 광축을 서로 직교하는 방향으로 편향하는 제1 음향 광학 편향 수단과 제2 음향 광학 편향 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공기.
  3. 삭제
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