JP5813959B2 - レーザー光線照射機構およびレーザー加工装置 - Google Patents
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Description
該出力調整手段は、該レーザー光線発振器から発振された直線偏光のレーザー光線の偏光面を45度回転する1/2波長板と、
該1/2波長板によって偏光面が45度回転せしめられたレーザー光線を入光してS偏光成分を反射させP偏光成分を透過せしめる第1の偏光ビームスプリッター面および第2の偏光ビームスプリッター面を備えたプリズムと、
該第1の偏光ビームスプリッター面と対向して配設され該第1の偏光ビームスプリッター面を透過したレーザー光線のP偏光成分を反射するミラー面を備えた第1のミラーと、該第1のミラーに装着され印加する電圧に対応して該第1のミラーのミラー面と該第1の偏光ビームスプリッター面との間隔を調整するピエゾアクチュエータとを備え、該第1の偏光ビームスプリッター面で反射したレーザー光線のS偏光成分と該第1のミラーのミラー面で反射したP偏光成分との間に位相差(α)を生成する光路長調整手段と、
該第2の偏光ビームスプリッター面と対向して所定の間隔をもって配設され該第1のミラーのミラー面で反射し該第2の偏光ビームスプリッター面を透過したP偏光成分を反射するミラー面を備えた第2のミラーを備え、該第1の偏光ビームスプリッター面で反射するとともに該第2の偏光ビームスプリッター面で反射したS偏光成分と該第2の偏光ビームスプリッター面を透過し該第2のミラーのミラー面で反射したP偏光成分との間に位相差(β)を生成する偏光成分合成手段と、
該偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線を分光する偏光ビームスプリッター面を備え、該偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線の一部または全部を該集光レンズに導き、該偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線の全部または一部をビームダンパーに導く分光手段と、
該光路長調整手段の該ピエゾアクチュエータに印加する電圧を制御し、該第1のミラーのミラー面と該第1の偏光ビームスプリッター面との間隔を調整することにより該偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線のS偏光成分とP偏光成分との位相差(α+β)を0度から180度の間で制御する制御手段と、を具備し、該位相差(α+β)を変更することにより該集光レンズに導かれるレーザー光線の出力を調整する、
ことを特徴とするレーザー光線照射機構が提供される。
該レーザー光線照射機構は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振器と、該レーザー光線発振器から発振されたレーザー光線を集光して照射する集光レンズと、該レーザー光線発振器と該集光レンズとの間に配設され該レーザー光線発振器から発振されたレーザー光線の出力を調整する出力調整手段と、を具備し、
該出力調整手段は、該レーザー光線発振器から発振された直線偏光のレーザー光線の偏光面を45度回転する1/2波長板と、
該1/2波長板によって偏光面が45度回転せしめられたレーザー光線を入光してS偏光成分を反射させP偏光成分を透過せしめる第1の偏光ビームスプリッター面および第2の偏光ビームスプリッター面を備えたプリズムと、
該第1の偏光ビームスプリッター面と対向して配設され該第1の偏光ビームスプリッター面を透過したレーザー光線のP偏光成分を反射するミラー面を備えた第1のミラーと、該第1のミラーに装着され印加する電圧に対応して該第1のミラーのミラー面と該第1の偏光ビームスプリッター面との間隔を調整するピエゾアクチュエータとを備え、該第1の偏光ビームスプリッター面で反射したレーザー光線のS偏光成分と該第1のミラーのミラー面で反射したP偏光成分との間に位相差(α)を生成する光路長調整手段と、
該第2の偏光ビームスプリッター面と対向して所定の間隔をもって配設され該第1のミラーのミラー面で反射し該第2の偏光ビームスプリッター面を透過したP偏光成分を反射するミラー面を備えた第2のミラーを備え、該第1の偏光ビームスプリッター面で反射するとともに該第2の偏光ビームスプリッター面で反射したS偏光成分と該第2の偏光ビームスプリッター面を透過し該第2のミラーのミラー面で反射したP偏光成分との間に位相差(β)を生成する偏光成分合成手段と、
該偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線を分光する偏光ビームスプリッター面を備え、該偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線の一部または全部を該集光レンズに導き、該偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線の全部または一部をビームダンパーに導く分光手段と、
該光路長調整手段の該ピエゾアクチュエータに印加する電圧を制御し、該第1のミラーのミラー面と該第1の偏光ビームスプリッター面との間隔を調整することにより該偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線のS偏光成分とP偏光成分との位相差(α+β)を0度から180度の間で制御する制御手段と、を具備し、該位相差(α+β)を変更することにより該集光レンズに導かれるレーザー光線の出力を調整する、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
プリズム632の第1の偏光ビームスプリッター面632aおよび第2の偏光ビームスプリッター面632bで反射したレーザー光線のS偏光成分と、第1の偏光ビームスプリッター面632aを透過して光路長調整手段633を構成する第1のミラー634のミラー面634aで反射するとともに第2のミラー637のミラー面637aで反射したP偏光成分との間には、位相差(α+β)が生成される。このように位相差(α+β)が生成されたS偏光成分とP偏光成分は、分光手段639に向けて出力される。レーザー光線のS偏光成分とS偏光成分に対して位相差(α+β)が加わったP偏光成分が合成されると、位相差(α+β)の値によってレーザー光線の偏光特性が異なってくる。即ち、位相差(α+β)が0度の場合、偏光はビームスプリッター639bの偏光ビームスプリッター面に対してP偏光成分のみとなり、レーザー光線は全てビームスプリッター639bを透過して上記集光器62に導かれる。一方、位相差(α+β)が180度の場合、偏光はビームスプリッター639bの偏光ビームスプリッター面に対してS偏光成分のみとなり、レーザー光線は全てビームスプリッター639bの偏光ビームスプリッター面で反射されビームダンパー64に導かれる。位相差(α+β)が0度から180度に変化するに従ってレーザー光線のP偏光成分が徐々に少なくなる。従って、位相差(α+β)を0度から180度の間で制御することにより、レーザー光線のP偏光成分即ち集光器62を介して被加工物に照射されるレーザー光線の出力を調整することができる。なお、位相差(α+β)の調整は、光路長調整手段633を構成するピエゾアクチュエータ635に印加する電圧値を制御し、第1のミラー634のミラー面634aと第1の偏光ビームスプリッター面632aとの間隔(d0)を調整することにより達成できる。光路長調整手段633を構成するピエゾアクチュエータ635は、上述したように印加する電圧値に対応して伸びる圧電素子によって構成され、数μmの変位が可能で共振周波数が300kHzを超えるものもあり、応答性が優れており高速制御が可能である。
なお、図3に示す出力調整手段63は、上記図3に示す出力調整手段63とプリズム632の形状が相違する以外は実質的に同一の構成であるため、同一部材には同一符合を付して、その説明は省略する。
図3に示す出力調整手段63のプリズム632は、第1の偏光ビームスプリッター面632aおよび第2の偏光ビームスプリッター面632bの他に、3個の反射面632c、632d、632eを備えている。このように構成されたプリズム632は、パルスレーザー光線発振手段61から発振され1/2波長板631によって45度回転せしめられた直線偏光のレーザー光線を、次のように反射して出力する。即ち、パルスレーザー光線発振手段61から発振され1/2波長板631によって45度回転せしめられた直線偏光のレーザー光線のS偏光成分は、第1の偏光ビームスプリッター面632aによって反射し、更に反射面632cおよび632dを介して第2の偏光ビームスプリッター面632bに達する。一方、パルスレーザー光線発振手段61から発振され1/2波長板637aによって45度回転せしめられた直線偏光のレーザー光線のP偏光成分は、第1の偏光ビームスプリッター面632aを透過して光路長調整手段633を構成する第1のミラー634のミラー面634aで反射し、更に反射面632cおよび632dを介して第2の偏光ビームスプリッター面632bに達する。第2の偏光ビームスプリッター面632bに達したS偏光成分は、第2の偏光ビームスプリッター面632bで反射面632eに向けて反射する。一方、第2の偏光ビームスプリッター面632bに達したP偏光成分は、第2の偏光ビームスプリッター面632bを透過して第2のミラー637のミラー面637aで反射し、S偏光成分と合成して反射面632eに達する。このようにS偏光成分とP偏光成分が合成されたレーザー光線は、反射面632eで反射して分光手段639に向けて出力される。以上のようにしてプリズム632内を複数回反射して出力されるレーザー光線も、上記図2に示す実施形態と同様に第1の偏光ビームスプリッター面632a、反射面632cおよび632d、第2の偏光ビームスプリッター面632bで反射したレーザー光線のS偏光成分と、第1の偏光ビームスプリッター面632aを透過して光路長調整手段633を構成する第1のミラー634のミラー面634a、反射面632cおよび632d、第2の偏光ビームスプリッター面632bを透過して第2のミラー637のミラー面637aで反射したP偏光成分との間には、位相差(α+β)が生成される。
図5にはレーザー加工装置1によって加工処理される半導体ウエーハの斜視図が示されており、図6には図5に示す半導体ウエーハのストリートにおける拡大断面図が示されている。図5および図6に示す半導体ウエーハ10は、シリコンウエーハからなる半導体基板11の表面11aに格子状に配列された複数のストリート(切断予定ライン)111によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス112が形成されている。なお、この半導体ウエーハ10は、半導体基板11の表面11aに低誘電率絶縁体被膜113が積層して形成されており、ストリート111にはデバイス112の機能をテストするためのテスト エレメント グループ(Teg)と呼ばれるテスト用の金属パターン114が部分的に複数配設されている。このように構成された半導体ウエーハ10の各ストリート111および各金属パターン114の設計上の座標値が入力手段9によって制御手段8に入力される。そして制御手段8は、入力された各ストリート111および各金属パターン114の設計上の座標値をランダムアクセスメモリ(RAM)83に格納する。
上述した半導体ウエーハ10は、図1に示すレーザー加工装置1のチャックテーブル機構3を構成するチャックテーブル36の吸着チャック361上に表面10aを上側にして搬送され、該吸着チャック361に吸引保持される。このようにしてチャックテーブル36上に半導体ウエーハ10を吸引保持したならば、制御手段8は加工送り手段37を作動して半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル36を撮像手段7の直下に位置付ける。
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
374:加工送り量検出手段
38:第1の割り出し送り手段
43:第2の割り出し送り手段
5:レーザー光線照射ユニット
53:集光点位置調整手段
6:レーザー光線照射機構
61:パルスレーザー光線発振手段
611:パルスレーザー光線発振器
62:集光器
622:集光レンズ
63:出力調整手段
631:1/2波長板
632:プリズム
633:光路長調整手段
634:第1のミラー
635:ピエゾアクチュエータ
636:偏光成分合成手段
637:第2のミラー
639:分光手段
64:ビームダンパー
7:撮像手段
8:制御手段
10:半導体ウエーハ
Claims (2)
- レーザー光線を発振するレーザー光線発振器と、該レーザー光線発振器から発振されたレーザー光線を集光して照射する集光レンズと、該レーザー光線発振器と該集光レンズとの間に配設され該レーザー光線発振器から発振されたレーザー光線の出力を調整する出力調整手段と、を具備するレーザー光線照射機構であって、
該出力調整手段は、該レーザー光線発振器から発振された直線偏光のレーザー光線の偏光面を45度回転する1/2波長板と、
該1/2波長板によって偏光面が45度回転せしめられたレーザー光線を入光してS偏光成分を反射させP偏光成分を透過せしめる第1の偏光ビームスプリッター面および第2の偏光ビームスプリッター面を備えたプリズムと、
該第1の偏光ビームスプリッター面と対向して配設され該第1の偏光ビームスプリッター面を透過したレーザー光線のP偏光成分を反射するミラー面を備えた第1のミラーと、該第1のミラーに装着され印加する電圧に対応して該第1のミラーのミラー面と該第1の偏光ビームスプリッター面との間隔を調整するピエゾアクチュエータとを備え、該第1の偏光ビームスプリッター面で反射したレーザー光線のS偏光成分と該第1のミラーのミラー面で反射したP偏光成分との間に位相差(α)を生成する光路長調整手段と、
該第2の偏光ビームスプリッター面と対向して所定の間隔をもって配設され該第1のミラーのミラー面で反射し該第2の偏光ビームスプリッター面を透過したP偏光成分を反射するミラー面を備えた第2のミラーを備え、該第1の偏光ビームスプリッター面で反射するとともに該第2の偏光ビームスプリッター面で反射したS偏光成分と該第2の偏光ビームスプリッター面を透過し該第2のミラーのミラー面で反射したP偏光成分との間に位相差(β)を生成する偏光成分合成手段と、
該偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線を分光する偏光ビームスプリッター面を備え、該偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線の一部または全部を該集光レンズに導き、該偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線の全部または一部をビームダンパーに導く分光手段と、
該光路長調整手段の該ピエゾアクチュエータに印加する電圧を制御し、該第1のミラーのミラー面と該第1の偏光ビームスプリッター面との間隔を調整することにより該偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線のS偏光成分とP偏光成分との位相差(α+β)を0度から180度の間で制御する制御手段と、を具備し、該位相差(α+β)を変更することにより該集光レンズに導かれるレーザー光線の出力を調整する、
ことを特徴とするレーザー光線照射機構。 - 被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射機構と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射機構とを加工送り方向に相対的に加工送りする加工送り手段と、を具備するレーザー加工装置において、
該レーザー光線照射機構は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振器と、該レーザー光線発振器から発振されたレーザー光線を集光して照射する集光レンズと、該レーザー光線発振器と該集光レンズとの間に配設され該レーザー光線発振器から発振されたレーザー光線の出力を調整する出力調整手段と、を具備し、
該出力調整手段は、該レーザー光線発振器から発振された直線偏光のレーザー光線の偏光面を45度回転する1/2波長板と、
該1/2波長板によって偏光面が45度回転せしめられたレーザー光線を入光してS偏光成分を反射させP偏光成分を透過せしめる第1の偏光ビームスプリッター面および第2の偏光ビームスプリッター面を備えたプリズムと、
該第1の偏光ビームスプリッター面と対向して配設され該第1の偏光ビームスプリッター面を透過したレーザー光線のP偏光成分を反射するミラー面を備えた第1のミラーと、該第1のミラーに装着され印加する電圧に対応して該第1のミラーのミラー面と該第1の偏光ビームスプリッター面との間隔を調整するピエゾアクチュエータとを備え、該第1の偏光ビームスプリッター面で反射したレーザー光線のS偏光成分と該第1のミラーのミラー面で反射したP偏光成分との間に位相差(α)を生成する光路長調整手段と、
該第2の偏光ビームスプリッター面と対向して所定の間隔をもって配設され該第1のミラーのミラー面で反射し該第2の偏光ビームスプリッター面を透過したP偏光成分を反射するミラー面を備えた第2のミラーを備え、該第1の偏光ビームスプリッター面で反射するとともに該第2の偏光ビームスプリッター面で反射したS偏光成分と該第2の偏光ビームスプリッター面を透過し該第2のミラーのミラー面で反射したP偏光成分との間に位相差(β)を生成する偏光成分合成手段と、
該偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線を分光する偏光ビームスプリッター面を備え、該偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線の一部または全部を該集光レンズに導き、該偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線の全部または一部をビームダンパーに導く分光手段と、
該光路長調整手段の該ピエゾアクチュエータに印加する電圧を制御し、該第1のミラーのミラー面と該第1の偏光ビームスプリッター面との間隔を調整することにより該偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線のS偏光成分とP偏光成分との位相差(α+β)を0度から180度の間で制御する制御手段と、を具備し、該位相差(α+β)を変更することにより該集光レンズに導かれるレーザー光線の出力を調整する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
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