CN112388187A - 激光加工装置 - Google Patents

激光加工装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112388187A
CN112388187A CN202010755803.3A CN202010755803A CN112388187A CN 112388187 A CN112388187 A CN 112388187A CN 202010755803 A CN202010755803 A CN 202010755803A CN 112388187 A CN112388187 A CN 112388187A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
unit
laser processing
chuck table
modified layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010755803.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112388187B (zh
Inventor
中村胜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN112388187A publication Critical patent/CN112388187A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112388187B publication Critical patent/CN112388187B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67271—Sorting devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702—Auxiliary equipment
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
    • G—PHYSICS
    • G08—SIGNALLING
    • G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
    • G08B21/00—Alarms responsive to a single specified undesired or abnormal condition and not otherwise provided for
    • G08B21/18—Status alarms
    • G08B21/182—Level alarms, e.g. alarms responsive to variables exceeding a threshold
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Business, Economics & Management (AREA)
  • Emergency Management (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

提供激光加工装置，不会对已经加工过的晶片再次进行加工。激光加工装置的控制单元包含：基准图像存储部，其通过拍摄单元对形成改质层之前的分割预定线进行拍摄并存储为基准图像；计算部，其对存储在基准图像存储部中的基准图像和由拍摄单元拍摄的卡盘工作台所保持的晶片的图像进行比较而计算一致度；以及判断部，其在计算部计算出的一致度超过第一规定值的情况下，判断为卡盘工作台所保持的晶片是未形成改质层的未加工的晶片，在一致度为第二规定值以下的情况下，判断为卡盘工作台所保持的晶片是形成有改质层的已加工完成的晶片。

Description

激光加工装置
技术领域
本发明涉及对由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片实施激光加工的激光加工装置。
背景技术
由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片被切割装置、激光加工装置分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
激光加工装置构成为包含：卡盘工作台，其对晶片进行保持；激光光线照射单元，其将对于该卡盘工作台所保持的晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于分割预定线的内部而进行照射，形成作为分割的起点的改质层；进给机构，其将该卡盘工作台和该激光光线照射单元相对地进行加工进给；拍摄单元，其对晶片进行拍摄；以及控制单元，该激光加工装置能够将晶片高精度地分割(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特许第3408805号公报
如上所述，在将激光光线的聚光点定位于晶片的分割预定线的内部并进行照射而形成改质层的情况下，凭肉眼无法容易地确认改质层的存在，无法判别该晶片是否加工完成。由此，存在如下的问题：尽管收纳在盒中的晶片已加工完成，但是由于一些原因，该盒被设置于激光加工装置，从而导致对收纳在盒中的已加工完成的晶片再次实施激光加工。如果对在分割预定线上已经形成了改质层的加工完成的晶片再次照射激光光线，则激光光线会由于已经形成的改质层而发生漫反射，从而损伤器件，成为较大的损害。
发明内容
由此，本发明的目的在于，提供不会对已经加工过的晶片再次进行加工的激光加工装置。
根据本发明，提供激光加工装置，其对由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片实施激光加工，其中，该激光加工装置具有：卡盘工作台，其对晶片进行保持；激光光线照射单元，其将对于该卡盘工作台所保持的晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于分割预定线的内部而进行照射，形成作为分割的起点的改质层；进给机构，其将该卡盘工作台与该激光光线照射单元相对地进行加工进给；拍摄单元，其透过晶片进行拍摄；以及控制单元，该控制单元包含：基准图像存储部，其通过该拍摄单元对形成改质层之前的该分割预定线进行拍摄并存储为基准图像；计算部，其对存储在该基准图像存储部中的基准图像和由该拍摄单元拍摄的该卡盘工作台所保持的晶片的图像进行比较而计算一致度；以及判断部，其在该计算部计算出的一致度超过第一规定值的情况下，判断为该卡盘工作台所保持的晶片是未形成改质层的未加工的晶片，在该一致度为第二规定值以下的情况下，判断为该卡盘工作台所保持的晶片是形成有改质层的已加工完成的晶片。
优选的是，在通过该激光光线照射单元对晶片实施形成改质层的激光加工之前，在该判断部判断为该卡盘工作台所保持的晶片已加工完成的情况下，该控制单元发出警告信号。优选的是，将该第一规定值设定为比该第二规定值大的值，在该判断部判断为该计算部计算出的一致度不超过该第一规定值且不低于该第二规定值的情况下，该控制单元发出表示加工不良的警告信号。此外，也可以将上述第一规定值和第二规定值设定为相同的值。
本发明的激光加工装置的控制单元具有判断部，该判断部在计算部计算出的一致度超过第一规定值的情况下，判断为该卡盘工作台所保持的晶片是未形成改质层的未加工的晶片，在一致度为第二规定值以下的情况下，判断为该卡盘工作台所保持的晶片是形成有改质层的已加工完成的晶片，因此不会将已加工完成的晶片再次通过激光加工装置进行加工，解决了激光光线会在先前形成的改质层中发生漫反射而损伤器件的问题。
附图说明
图1是激光加工装置的整体立体图。
图2是通过图1所示的激光加工装置进行加工的晶片和保护带的立体图。
图3是示出在图1所示的激光加工装置中拍摄基准图像并进行存储时的方式的立体图。
图4的(a)是示出在图1所示的激光加工装置中对晶片实施激光加工的方式的立体图，图4的(b)是激光加工实施后的晶片的剖视图。
图5是示出在图1所示的激光加工装置中对晶片进行拍摄并实施计算部和判断部的方式的立体图。
标号说明
1：激光加工装置；2：基台；4：激光光线照射单元；4a：聚光器；6：拍摄单元；10：晶片；12：器件；14：分割预定线；16a、16b：标记；18：改质层；20：进给机构；21：X轴进给机构；22：Y轴进给机构；26：框体；261：垂直壁部；262：水平壁部；30：保持单元；31：X轴方向可动板；32：Y轴方向可动板；33：支柱；34：罩板；35：卡盘工作台；40：盒载置机构；41、41：盒载置区域；42：第1盒；43：第2盒；50：搬出搬入机构；52：驱动机构；53：臂基台；54：臂机构；55：机器人手臂；100：控制单元；110：基准图像存储部；120：计算部；130：判断部；LB：激光光线。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明实施方式的激光加工装置进行详细说明。
在图1中示出本实施方式的激光加工装置1的整体立体图。激光加工装置1具有：作为加工构件的激光光线照射单元4，其配置于基台2之上，对作为被加工物的晶片照射激光光线；保持单元30，其对该晶片进行保持；拍摄单元6，其对保持单元30所保持的晶片进行拍摄；进给机构20，其将激光光线照射单元4和保持单元30相对地进行加工进给，并使拍摄单元6和保持单元30相对地移动；框体26，其由竖立设置于基台2上的里侧的垂直壁部261和从垂直壁部261的上端部沿水平方向延伸的水平壁部262构成；盒载置机构40和搬出搬入机构50，它们与基台2的进给机构20相邻地配设；以及控制单元100，其对激光加工装置1的各动作部进行控制。
在框体26的水平壁部262的内部收纳有构成激光光线照射单元4的光学系统(省略图示)。激光光线照射单元4包含未图示的激光振荡器、输出调整构件等，在水平壁部262的前端部下表面侧配设有构成激光光线照射单元4的一部分的聚光器4a。
拍摄单元6配设于与激光光线照射单元4的聚光器4a在图中箭头X所示的X轴方向上相邻的位置。在水平壁部262的上方配置有显示单元8，该显示单元8与控制单元100连接，具有显示出激光加工装置2的加工条件、供操作者输入加工条件的触摸面板功能。
控制单元100由计算机构成，具有：中央运算处理装置(CPU)，其按照控制程序进行运算处理；只读存储器(ROM)，其对控制程序等进行保存；能够读写的随机存取存储器(RAM)，其用于临时保存拍摄单元6所拍摄的图像、检测出的检测值以及运算结果等；以及输入接口和输出接口(省略了详细的图示)。控制单元100对激光加工装置1的各动作部进行控制，并且对包括拍摄单元6所拍摄的图像在内的适当的信息进行记录，并且具有对拍摄单元6所拍摄的图像进行解析(例如判断晶片是未加工还是已加工完成)的功能。另外，在图1中，为了便于说明，在激光加工装置1的外部示出控制单元100，但实际上控制单元100收纳于激光加工装置1的内部。
如图1所示，保持单元30包含：矩形状的X轴方向可动板31，其在X轴方向上移动自如地搭载于基台2上；矩形状的Y轴方向可动板32，其在Y轴方向上移动自如地搭载于X轴方向可动板31上；圆筒状的支柱33，其固定于Y轴方向可动板32的上表面上；以及矩形状的罩板34，其固定于支柱33的上端。在罩板34上配设有通过形成在罩板34上的长孔而向上方延伸的卡盘工作台35。卡盘工作台35对圆形状的晶片进行保持，构成为能够通过收纳在支柱33内的未图示的旋转驱动单元在箭头R1所示的方向上旋转。卡盘工作台35的上表面由具有通气性的多孔质材料形成，构成实质上水平延伸的保持面。卡盘工作台35经由在支柱33内通过的未图示的流路而与吸引单元(省略图示)连接。
进给机构20包含X轴进给机构21、Y轴进给机构22以及上述的未图示的收纳在支柱33内的旋转驱动单元。X轴进给机构21将未图示的电动机的旋转运动借助滚珠丝杠转换成直线运动而传递至X轴方向可动板31，使X轴方向可动板31沿着基台2上的导轨27、27在X轴方向上进退。Y轴进给机构22也具有大致同样的结构，将电动机的旋转运动借助滚珠丝杠转换成直线运动而传递至Y轴方向可动板32，使Y轴方向可动板32沿着X轴方向可动板31上的导轨36、36在Y轴方向上进退。另外，在基台2上的导轨27、27、X轴方向可动板31上的导轨36、36以及卡盘工作台35上配设有由适当的标尺和读取单元构成的位置检测传感器(均省略图示)，构成为能够检测卡盘工作台35的X轴方向、Y轴方向以及旋转方向的准确位置，从而能够一边对卡盘工作台35的位置进行检测一边使进给机构20进行动作，使卡盘工作台35相对于拍摄单元6和激光光线照射单元4的聚光器4a移动而定位于期望的位置。
拍摄单元6包含：通常的拍摄元件(CCD)，其通过可见光线进行拍摄；红外线照射单元，其对被加工物照射红外线；光学系统，其捕捉红外线照射单元所照射的红外线；以及拍摄元件(红外线CCD)，其输出与该光学系统所捕捉的红外线对应的电信号。如上所述，拍摄单元6具有红外线照射构件和红外线CCD，由此即使在从背面对硅等晶片进行拍摄的情况下，也能够透过晶片来拍摄形成于正面侧的分割预定线、沿着分割预定线形成于晶片的内部的改质层、进行对准时所需的基准标记等。这样构成的拍摄单元6被用于进行激光光线照射单元4的聚光器4a的激光照射位置与该晶片的被加工区域的对位时的对准。
本实施方式的盒载置机构40具有对收纳多个晶片的第1盒42和第2盒43进行载置的盒载置区域41、41。操作者使收纳有未加工的晶片的第1盒42、第2盒43朝向规定的方向而载置于各盒载置区域41、41。如果收纳在第1盒42、第2盒43中的各晶片被加工而在第1盒42、第2盒43中收纳着已加工完成的晶片，则将第1盒42、第2盒43从盒载置区域41向后续工序的适当的装置搬送。
搬出搬入机构50配设于与第1盒42的开口部42a和第2盒43的开口部43a对置的区域。搬出搬入机构50具有：驱动机构52；臂基台53；臂机构54，其具有多个臂部；以及机器人手臂55，其形成于臂机构54的前端。驱动机构52将电动机52a的旋转运动借助滚珠丝杠52b转换成直线运动而传递给搬出搬入用可动板52c，使搬出搬入用可动板52c沿着在X轴方向上架设的导轨52d在X轴方向上准确地定位于期望的位置。在搬出搬入用可动板52c的前表面上沿上下方向形成有一对轨道52e、52e，并且支承有沿着轨道52e、52e上下移动的臂基台53。虽然省略了详细的图示，但在搬出搬入用可动板52c与臂基台53之间还具有电动机以及将该电动机的旋转运动借助滚珠丝杠转换成直线运动而传递给臂基台53的驱动机构，将臂基台53沿着一对轨道52e、52e准确地定位于箭头Z所示的Z轴方向(上下方向)的期望的位置。
在臂基台53的内部收纳有用于驱动臂机构54的旋转驱动机构(省略图示)，能够通过与配设于各臂部的关节部的电动机协同动作而将配设于臂机构54的前端部的U字形状的机器人手臂55定位于期望的位置。在机器人手臂55上形成有多个吸引孔，经由臂基台53、臂机构54对该吸引孔提供负压。能够将晶片相对于第1盒42的开口部42a和第2盒43的开口部43a搬出或搬入，并且通过臂机构54和机器人手臂55的动作对期望的晶片进行吸附而搬送至图1中卡盘工作台35所处的搬出搬入位置。被搬送至处于该搬出搬入位置的卡盘工作台35上的晶片按照规定的角度准确地载置在卡盘工作台35上并被吸引保持。卡盘工作台35所吸引保持的晶片在通过配设于支柱33内的旋转驱动单元(省略图示)旋转了规定的角度之后，被定位于拍摄单元6的正下方而被拍摄，进而实施对准工序。在实施了对准工序之后，将卡盘工作台35定位于激光光线照射单元4的聚光器4a的正下方，为了在晶片的内部形成改质层而实施激光加工。
在通过激光光线照射单元4对晶片实施了激光加工之后，将卡盘工作台35再次定位于图1所示的搬出搬入位置，通过搬出搬入机构50的机器人手臂55对已加工完成的晶片进行吸附，使晶片返回至在加工前被收纳的第1盒42或第2盒43中的任意位置。
本实施方式的激光加工装置1具有大致如上所述的结构，以下对其作用进行说明。
在图2中示出了在本实施方式中被实施激光加工的晶片10的立体图。晶片10例如是由呈格子状形成的多条分割预定线14划分而在正面10a上形成有多个器件12的硅晶片。在晶片10的正面10a上粘贴有按照与晶片10相同的形状形成的保护带T而被一体化。在正面10a上粘贴有保护带T的晶片10如图2的最下层所示那样翻转而成为使保护带T朝向下侧、使晶片10的背面10b朝向上方的状态，在第1盒42或第2盒43中隔开规定的间隔而收纳有多张晶片10。
在通过激光加工装置1实施激光加工时，操作者将收纳有多张未加工的晶片10的第1盒42和第2盒43搬送至激光加工装置1并载置于盒载置区域41、41。
在将第1盒42和第2盒43载置于盒载置区域41、41之后，操作者在对激光加工装置1设定了激光加工的加工条件等之后指示激光加工的开始。在指示了激光加工的开始之后，上述的搬送构件50的驱动机构52、臂基台53、臂机构54以及机器人手臂55进行动作，例如从第1盒42吸附规定的晶片10而搬出。从第1盒42搬出的晶片10被搬送并载置在处于图1所示的位置(搬出搬入位置)的卡盘工作台35上。接着，未图示的吸引单元进行动作而将晶片10吸引保持于卡盘工作台35上。
在将晶片10载置并吸引保持在卡盘工作台35上之后，仅在对规定的晶片10实施激光加工的最开始时实施以下说明的基准图像拍摄工序。在实施基准图像拍摄工序时，使进给机构20进行动作而使卡盘工作台35移动，如图3所示，将卡盘工作台35所吸引保持的晶片10定位于拍摄单元6的正下方。在将晶片10定位于拍摄单元6的正下方之后，对规定的区域进行拍摄，并经由控制单元100显示在显示单元8上。该规定的区域是以预先确定的规定的标记16a、16b为基准而被规定的。预先确认了在图3中拍摄的晶片10是未加工的，是形成改质层之前的晶片。如图3的显示单元8所示，在对未加工的晶片10的该规定的区域进行了拍摄之后，仅将显示单元8所显示的拍摄区域中的包含被标记16a和16b夹着且沿X轴方向(左右方向)延伸的分割预定线14的中央区域作为基准图像G0而存储在设定于控制单元100的基准图像存储部110中。另外，在存储该基准图像G0时，还一并存储此时的卡盘工作台35的X坐标、Y坐标。另外，如上所述，由于该拍摄单元6是使用红外线进行拍摄的构件，因此基准图像G0是黑白的两色，例如是以256灰度的浓淡表现的图像。由此，完成基准图像拍摄工序。
在如上述那样将基准图像G0存储在控制单元100的基准图像存储部110中之后，使用拍摄单元6来实施对准工序。在实施对准工序时，使收纳于支柱33内的未图示的旋转驱动单元进行动作，为了将晶片10的晶体取向定位于规定的方向而使保持着晶片10的卡盘工作台35适当旋转。通过该对准工序，对由激光光线照射单元4的聚光器4a照射激光光线LB的位置与晶片10的被加工位置(分割预定线14)进行对位。另外，该对准工序可以与上述基准图像拍摄工序同时进行，也可以在实施对准工序的过程中实施上述基准图像拍摄工序。
在如上述那样实施了对准工序之后，根据由该对准工序得到的位置信息，如图4的(a)和(b)所示那样，将激光光线照射单元4的聚光点Q定位于晶片10的分割预定线14的内部。然后，一边使上述X轴进给机构21进行动作而将卡盘工作台35在X轴方向上进行加工进给，一边照射激光光线LB而沿着分割预定线14形成改质层18。在沿着规定的分割预定线14形成了改质层18之后，使Y轴进给机构22进行动作而将晶片10在Y轴方向(分度进给方向)上进行分度进给，对未加工的分割预定线14实施激光光线LB的照射而形成改质层18。通过重复进行这样的激光加工，沿着形成于第1方向的所有分割预定线14形成改质层18。
在沿着形成于第1方向的所有分割预定线14形成了改质层18之后，使卡盘工作台35旋转90°，以沿着X轴方向的方式对在与该第1方向垂直的第2方向上延伸的未加工的分割预定线14进行定位。然后，将激光光线照射单元4的聚光点Q定位于未加工的分割预定线14的内部，一边使X轴进给机构21进行动作而将卡盘工作台35在X轴方向上进行加工进给，一边沿着晶片10的分割预定线14的内部形成改质层18。在这样沿着与第1方向垂直的分割预定线14形成了改质层18之后，使Y轴进给机构22进行动作而在Y轴方向(分度进给方向)上进行分度进给，对相邻的未加工的分割预定线14实施激光光线LB的照射而形成改质层18。通过重复进行上述加工，沿着晶片10上的所有分割预定线14形成改质层18。
另外，本实施方式的激光加工条件例如可以如下设定。
波长：1342nm
重复频率：90kHz
平均输出：1.2W
进给速度：700mm/秒
在沿着晶片10的所有分割预定线14形成了改质层18之后，将吸引保持着晶片10的卡盘工作台35定位于图1所示的搬出搬入位置。接着，使搬出搬入机构50进行动作，使驱动机构52、臂基台53、臂机构54、机器人手臂55等进行动作而对卡盘工作台35所保持的晶片10进行吸附并收纳在第1盒42的规定的位置。
在对第1张晶片10实施了上述基准图像存储工序并且将结束了激光加工的晶片10收纳在第1盒42中之后，依次搬出收纳于第1盒42的其他的未加工的晶片10，实施在晶片10的内部形成改质层18的激光加工。
在实施了上述基准图像存储工序之后，在根据上述加工条件对同一种类的晶片10实施激光加工的情况下，代替实施上述基准图像存储工序而执行控制单元100所具有的计算部120和判断部130的操作。在计算部120中实施一致度计算工序，在该一致度计算工序中，对存储在基准图像存储部110中的基准图像G0和由拍摄单元6新拍摄的保持单元30所保持的晶片10的对比图像G1进行比较，计算一致度。另外，在判断部130中实施判断工序，在该判断工序中，在计算部120计算出的一致度超过规定值的情况下，判断为保持单元30所保持的晶片10是没有形成改质层18的未加工的晶片10，在该一致度低于规定值的情况下，判断为保持单元30所保持的晶片10是形成有改质层18的已加工完成的晶片。
在以下说明的实施方式中，假设对规定的晶片10预先拍摄基准图像G0并存储在基准图像存储部110中，对收纳在第2盒43中的所有晶片10已经实施了形成改质层18的激光加工，并且错误地指示了对收纳在该第2盒43中的晶片10实施激光加工，在该情况下，对在对晶片10实施激光加工之前实施上述计算部120、判断部130的例子进行说明。
如上所述，在本实施方式的激光加工装置1中，在对晶片10实施激光加工时，使搬出搬入机构50进行动作而将晶片10从第2盒43搬出并载置于卡盘工作台35上。载置于卡盘工作台35上的晶片10被定位于拍摄单元6的正下方。
在将晶片10定位于拍摄单元6的正下方时，将卡盘工作台35定位在基于当实施上述基准图像存储工序时与基准图像G0一起存储的X坐标、Y坐标的位置，并且根据标记16a、16b来实施图案匹配并选定应拍摄的区域。然后，如图5所示，拍摄与拍摄基准图像G0时的区域对应的区域，并显示在显示单元8上。通过拍摄单元6所具有的红外线照射构件和红外线CCD的作用来捕捉形成在晶片10的分割预定线14的内部的改质层18，将显示在显示单元8上的图像中的与上述基准图像G0对应的区域的图像确定为对比图像G1。这里，通过构成计算部120的控制程序，对存储在基准图像存储部110中的基准图像G0和由拍摄单元6拍摄的对比图像G1进行比较，计算两个图像的一致度。计算基准图像G0和对比图像G1的一致度的方法可以采用各种方法，但例如能够如下那样计算。另外，为了便于说明，在图4、图5所示的卡盘工作台35所保持的晶片10上显示有改质层18，但实际上无法通过目视来确认改质层18。
基准图像G0和对比图像G1都是使用红外线拍摄的图像，如上所述，是用黑白两色的浓淡显示的图像。这里，计算部120与图3所示的基准图像G0和图5所示的对比图像G1关联起来，对构成各图像的所有点的色调(256等级)的数值进行累计，计算与各图像对应的色调评价值P0、P1。该色调的数值例如在是最黑的色调时为0，随着接近白色而增加，在是最白的色调时为255。在图3所示的基准图像G0中，在沿X轴方向延伸的中央的分割预定线14和沿Y轴方向延伸的分割预定线14中都没有形成改质层18而显现为白色，因此对构成基准图像G0的所有点的色调进行累计而得到的色调评价值P0的数值整体变高。
另一方面，在图5所示的对比图像G1中，在沿X轴方向延伸的分割预定线14和沿Y轴方向延伸的分割预定线14的中央形成有改质层18而显现为黑色。由此，对构成对比图像G1的所有点的色调进行累计而得到的色调评价值P1相对于基准图像G0的色调评价值P0为较小的值。在计算部120中，以基准图像G0的色调评价值P0为基准，评价对比图像G1的色调评价值P1一致到何种程度并计算为一致度。假设在被拍摄了对比图像G1的晶片10上没有形成改质层18的情况下，理论上色调评价值P1与色调评价值P0是一致的，因此计算部120得到的一致度被计算为100％。与此相对，如图5所示，在相对于晶片10的分割预定线已经形成有改质层18的情况下，色调评价值P1被计算为较小的值，因此一致度降低，例如计算出80％以下的较低的数值。
在如上述那样通过计算部120计算出基准图像G0与对比图像G1的一致度之后，根据该一致度来执行判断部130。判断部130在计算部120计算出的一致度超过第一规定值(例如90％)的情况下，判断为该保持单元所保持的晶片是没有形成改质层18的未加工的晶片，在该一致度低于第二规定值(例如80％)的情况下，判断为保持单元30所保持的晶片是形成有改质层18的已加工完成的晶片。
如上所述，收纳在第2盒43中的晶片10是已加工完成的晶片，本实施方式的一致度被计算为低于80％的值，因此通过判断部130判断为保持工作台30的卡盘工作台35所保持的晶片10已加工完成。在该情况下，如果直接实施激光加工，则有可能损伤器件12，因此为了向操作者通知即将对已加工完成的晶片10实施激光加工而发出各种警告。该警告可以采用以往通知的各种警告方法，例如可以采用发出警告声(蜂鸣器等)、将警告信息显示在显示单元8上、从扬声器用声音进行通知、或者利用红色灯的闪烁来通知错误或者将这些方法组合起来等的方法。另外，在发出该警告时，使激光加工装置1的动作停止，以便不再实施激光加工。
另外，假设在收纳在第2盒43中的晶片10是未加工的情况下，通过判断部130判断出保持单元30所保持的晶片10是未加工的，然后直接实施在通常的激光加工中实施的对准工序，从而实施上述激光加工。
在本实施方式的判断部130中，根据作为第1规定值的90％和作为第2规定值的80％来进行基于在计算部120中计算出的一致度的判断，通过利用这两个不同值的规定值，除了判断上述晶片是未加工的晶片还是已加工完成的晶片之外，还能够判断有可能产生加工不良。更具体而言，例如，在计算部120计算出的一致度为85％的情况下，由于不超过第一规定值(90％)且不低于该第二规定值(80％)，因此，推断为虽然为了形成改质层18而实施了激光加工，但改质层18的形成不充分，判断为加工不良的可能性较高。因此，在该情况下，向操作者发出表示产生了加工不良的警告信号。如上所述，发出警告信号的方法可以采用发出警告声(蜂鸣器等)、将警告信息显示在显示单元8上、从扬声器用声音进行通知、或者利用红色灯的闪烁来通知错误或者将这些方法组合起来等方法。
另外，在本发明中，关于在判断部130中进行判断时的规定值，并不限定于第一规定值和第二规定值必须是不同的值。在不需要检测加工不良的情况下，例如可以将第一规定值和第二规定值设定为相同的值(例如90％)，在该一致度超过90％的情况下，判断为保持单元30所保持的晶片10是未加工的，在该一致度为90％以下的情况下，判断为保持单元30所保持的晶片10已加工完成。
这样，能够使用计算部120和判断部130来判断拍摄单元6所拍摄的晶片10是未加工还是已加工完成，因此不会将已加工完成的晶片10再次通过激光加工装置进行加工，能够解决激光光线会在先前形成的改质层中发生漫反射而损伤器件的问题。
在上述实施方式中，从拍摄单元6所拍摄的区域中进一步限定并确定了用于确定基准图像G0、对比图像G1的区域，但本发明并不限定于此，也可以使用拍摄单元6所拍摄的图像整体来执行基准图像存储部110、计算部120、判断部130。但是，如上所述，通过将用于判断的区域限定为包含分割预定线14的狭窄的区域，能够提高判定是未加工还是已加工完成时的精度。

Claims (4)

1.一种激光加工装置，其对由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片实施激光加工，其中，
该激光加工装置具有：
卡盘工作台，其对晶片进行保持；
激光光线照射单元，其将对于该卡盘工作台所保持的晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于分割预定线的内部而进行照射，形成作为分割的起点的改质层；
进给机构，其将该卡盘工作台与该激光光线照射单元相对地进行加工进给；
拍摄单元，其透过晶片进行拍摄；以及
控制单元，
该控制单元包含：
基准图像存储部，其通过该拍摄单元对形成改质层之前的该分割预定线进行拍摄并存储为基准图像；
计算部，其对存储在该基准图像存储部中的基准图像和由该拍摄单元拍摄的该卡盘工作台所保持的晶片的图像进行比较而计算一致度；以及
判断部，其在该计算部计算出的一致度超过第一规定值的情况下，判断为该卡盘工作台所保持的晶片是未形成改质层的未加工的晶片，在该一致度为第二规定值以下的情况下，判断为该卡盘工作台所保持的晶片是形成有改质层的已加工完成的晶片。
2.根据权利要求1所述的激光加工装置，其中，
在通过该激光光线照射单元对晶片实施形成改质层的激光加工之前，在该判断部判断为该卡盘工作台所保持的晶片已加工完成的情况下，该控制单元发出警告信号。
3.根据权利要求1或2所述的激光加工装置，其中，
将该第一规定值设定为比该第二规定值大的值，在该判断部判断为该计算部计算出的一致度不超过该第一规定值且不低于该第二规定值的情况下，该控制单元发出表示加工不良的警告信号。
4.根据权利要求1或2所述的激光加工装置，其中，
该第一规定值和该第二规定值为相同的值。
CN202010755803.3A 2019-08-02 2020-07-31 激光加工装置 Active CN112388187B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019142863A JP7286464B2 (ja) 2019-08-02 2019-08-02 レーザー加工装置
JP2019-142863 2019-08-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112388187A true CN112388187A (zh) 2021-02-23
CN112388187B CN112388187B (zh) 2024-09-24

Family

ID=74259223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010755803.3A Active CN112388187B (zh) 2019-08-02 2020-07-31 激光加工装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11978645B2 (zh)
JP (1) JP7286464B2 (zh)
KR (1) KR20210015687A (zh)
CN (1) CN112388187B (zh)
SG (1) SG10202006743PA (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114120554A (zh) * 2021-12-17 2022-03-01 广东镭泰激光智能装备有限公司 一种用于激光加工的安全警示装置及其控制方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113903676A (zh) * 2020-06-22 2022-01-07 长鑫存储技术有限公司 镭射机台自动化运行方法及系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100188486A1 (en) * 2009-01-13 2010-07-29 Semiconductor Technologies & Instruments Pte Ltd System and method for inspecting a wafer
JP2015012015A (ja) * 2013-06-26 2015-01-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US20160189989A1 (en) * 2014-12-24 2016-06-30 Disco Corporation Processing apparatus
JP2017069340A (ja) * 2015-09-29 2017-04-06 株式会社東京精密 レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP2017204574A (ja) * 2016-05-12 2017-11-16 株式会社ディスコ サファイアウェーハの加工方法及びレーザー加工装置
CN108568593A (zh) * 2017-03-14 2018-09-25 株式会社迪思科 激光加工装置

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
WO2004105109A1 (ja) * 2003-05-22 2004-12-02 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. ダイシング装置
WO2004105110A1 (ja) * 2003-05-22 2004-12-02 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. レーザーダイシング装置
JP4634089B2 (ja) * 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4917257B2 (ja) * 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2006159254A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
ES2428826T3 (es) * 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2008170366A (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Disco Abrasive Syst Ltd チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機
JP4402708B2 (ja) * 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5449665B2 (ja) * 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5011072B2 (ja) * 2007-11-21 2012-08-29 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5134928B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5054496B2 (ja) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
US20100074515A1 (en) * 2008-02-05 2010-03-25 Kla-Tencor Corporation Defect Detection and Response
JP5007979B2 (ja) * 2008-05-22 2012-08-22 独立行政法人産業技術総合研究所 欠陥を検査する方法及び欠陥検査装置
JP5241525B2 (ja) * 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5878330B2 (ja) * 2011-10-18 2016-03-08 株式会社ディスコ レーザー光線の出力設定方法およびレーザー加工装置
WO2014030645A1 (ja) * 2012-08-23 2014-02-27 ギガフォトン株式会社 光源装置及びデータ処理方法
JP6121733B2 (ja) * 2013-01-31 2017-04-26 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6253356B2 (ja) * 2013-11-11 2017-12-27 株式会社ディスコ ウエーハのレーザー加工方法
CN111584354B (zh) * 2014-04-18 2021-09-03 株式会社荏原制作所 蚀刻方法
CN104827191A (zh) * 2015-05-12 2015-08-12 大族激光科技产业集团股份有限公司 蓝宝石的激光切割方法
JP2017017098A (ja) * 2015-06-29 2017-01-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6716263B2 (ja) * 2016-01-22 2020-07-01 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US10340170B2 (en) * 2016-02-12 2019-07-02 Asm Technology Singapore Pte Ltd Method and device for grooving wafers
JP6444909B2 (ja) * 2016-02-22 2018-12-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6666173B2 (ja) * 2016-03-09 2020-03-13 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6688695B2 (ja) * 2016-06-24 2020-04-28 株式会社ディスコ 保護膜被覆装置および保護膜被覆方法
JP6752638B2 (ja) * 2016-06-27 2020-09-09 株式会社ディスコ 内部クラック検出方法、および内部クラック検出装置
EP3291008A1 (en) * 2016-09-06 2018-03-07 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus to monitor a process apparatus
KR102566170B1 (ko) * 2016-09-12 2023-08-10 삼성전자주식회사 웨이퍼 타공 장치
JP6764322B2 (ja) * 2016-11-22 2020-09-30 株式会社ディスコ デバイスウェーハの加工方法
JP2018121031A (ja) * 2017-01-27 2018-08-02 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2019029560A (ja) * 2017-08-01 2019-02-21 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP2019040919A (ja) * 2017-08-22 2019-03-14 株式会社ディスコ 切削装置及び溝検出方法
KR102508528B1 (ko) * 2017-09-12 2023-03-09 삼성전자주식회사 측정 장치 및 이를 포함하는 반도체 패키지 제조 시스템
JP6906859B2 (ja) * 2017-09-13 2021-07-21 株式会社ディスコ 加工装置
JP6925745B2 (ja) * 2017-11-30 2021-08-25 株式会社ディスコ ウェーハのレーザー加工方法
JP7137930B2 (ja) 2018-01-11 2022-09-15 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
WO2019181063A1 (ja) * 2018-03-20 2019-09-26 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
US11138722B2 (en) * 2018-12-21 2021-10-05 Kla-Tencor Corporation Differential imaging for single-path optical wafer inspection

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100188486A1 (en) * 2009-01-13 2010-07-29 Semiconductor Technologies & Instruments Pte Ltd System and method for inspecting a wafer
JP2015012015A (ja) * 2013-06-26 2015-01-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US20160189989A1 (en) * 2014-12-24 2016-06-30 Disco Corporation Processing apparatus
JP2017069340A (ja) * 2015-09-29 2017-04-06 株式会社東京精密 レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP2017204574A (ja) * 2016-05-12 2017-11-16 株式会社ディスコ サファイアウェーハの加工方法及びレーザー加工装置
CN108568593A (zh) * 2017-03-14 2018-09-25 株式会社迪思科 激光加工装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114120554A (zh) * 2021-12-17 2022-03-01 广东镭泰激光智能装备有限公司 一种用于激光加工的安全警示装置及其控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
SG10202006743PA (en) 2021-03-30
KR20210015687A (ko) 2021-02-10
CN112388187B (zh) 2024-09-24
JP2021027119A (ja) 2021-02-22
US11978645B2 (en) 2024-05-07
JP7286464B2 (ja) 2023-06-05
US20210035826A1 (en) 2021-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI389757B (zh) 雷射加工裝置
KR102467559B1 (ko) 장치
CN112388154B (zh) 激光加工装置
CN109382591B (zh) 激光加工方法
TW201641204A (zh) 雷射加工裝置
JP3090567B2 (ja) 実装機における部品認識方法および同装置
CN112388187B (zh) 激光加工装置
US20210291404A1 (en) Edge alignment method
CN113146064A (zh) 加工装置
JP2001330413A (ja) 厚さ測定方法および厚さ測定装置
CN110834385B (zh) 切削装置
JP2985045B2 (ja) Ｘ線を用いた穴明け方法及びｘ線穴明け装置
KR20170088752A (ko) 레이저 가공 장치
JP6721468B2 (ja) 加工装置
JP3248086B2 (ja) マーク位置検出方法およびワークの穴明け方法
JP2013063490A (ja) 切削装置および切削方法
KR20210033888A (ko) 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP7368177B2 (ja) ワークのストリート位置の検出方法
KR20210069583A (ko) 레이저 가공 장치의 조정 방법
CN116779472A (zh) 被加工物的处理方法
KR20220069815A (ko) 가공 장치
JP2001217599A (ja) 表面実装部品装着機および表面実装部品装着機における電子部品検出方法
JP2024148906A (ja) 加工装置
CN117238798A (zh) 加工装置
CN118404434A (zh) 切削装置和切削方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant