JP6990070B2 - 加工方法 - Google Patents
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Description
また、本発明に係る加工方法は、デバイスウェーハに水溶性保護膜剤が塗布された時刻を記録する塗布時刻記録ステップと、保護膜形成ステップが実施されたデバイスウェーハがドライエッチング装置に投入されたことを確認する投入確認ステップと、塗布時刻記録ステップで記録された時刻から所定時間経過しても投入確認ステップにてデバイスウェーハがドライエッチング装置へ投入されたことが確認されない場合に警告を発信する警告発信ステップとを備え、所定時間は、保護膜が変質せずに洗浄によってデバイスウェーハの表面から該保護膜を除去しうる時間であり、水溶性保護膜剤を塗布して保護膜を形成した後エッチングステップを実施する前に、塗布時刻記録ステップで記録された時刻から所定時間経過してもデバイスウェーハがドライエッチング装置へ投入されたことが投入確認ステップで確認されない場合に警告を発信するように構成したため、保護膜をデバイスウェーハから除去できるうちに警告することが可能となり、保護膜を除去して、新たな保護膜をデバイスウェーハの表面に形成することができる。よって、デバイスウェーハ全体を損傷させるおそれがない。
図1に示すデバイスウェーハWは、円形板状の被加工物の一例であって、格子状の複数の分割予定ラインSによって区画されたそれぞれの領域にデバイスDが形成された表面Waを有している。表面Waと反対側にある裏面Wbは、加工等が施される被加工面である。図示の例におけるデバイスウェーハWの表面Waには、個体を識別する番号やバーコード等の個体識別コードIDが形成されている。デバイスウェーハWの裏面Wbや内部に個体識別コードIDを形成してもよい。デバイスウェーハW自体に個体識別コードIDが形成されていない場合は、例えば、デバイスウェーハWに貼着するサポートプレートや保護テープに個体識別コードIDを形成してもよい。また、テープを介して環状のフレームとデバイスウェーハWとを一体にする場合は、フレームに個体識別コードIDを形成してもよい。
まず、図2に示す保護膜形成装置1を用いて、デバイスウェーハWの表面Waにドライエッチングの際にデバイスDを保護するための保護膜を形成する。保護膜形成装置1は、装置ベース100を有し、装置ベース100のY軸方向後部側にはコラム101が立設されている。装置ベース100のX軸方向前部側にコラム101に隣接配置された保護膜形成手段10が配設されている。
このように構成される保護膜形成装置1を用いて、保護膜形成ステップを実施する。保護膜形成ステップは、水溶性保護膜剤を塗布する保護膜剤塗布ステップと水溶性保護膜剤を除去して分割予定ラインSを露出させて保護膜を形成する分割予定ライン露出ステップとを含む構成となっている。
図3に示すように、スピンナーテーブル11の保持面11aにデバイスウェーハWの裏面Wb側を載置する。図示しない吸引原が作動し、スピンナーテーブル11の保持面11aにおいてデバイスウェーハWを吸引保持する。続いて、噴射ノズル13を旋回させ、噴射ノズル13の先端をスピンナーテーブル11に保持されたデバイスウェーハWの上方に移動させる。モータ121が回転軸120を回転させてスピンナーテーブル11を例えば50rpmで矢印A方向に回転させる。
保護膜形成ステップと並行して、デバイスウェーハWの表面Waに水溶性保護膜剤2が塗布された時刻を記録する。水溶性保護膜剤2が塗布された時刻としては、例えば、デバイスウェーハWの表面Waに水溶性保護膜剤2が塗布され表面Waの全面に水溶性保護膜剤2の薄膜2aが所定の厚みで形成された時刻でもよいし、スピンナーテーブル11の回転によって水溶性保護膜剤2の乾燥が完了した時刻でもよい。また、噴射ノズル13から水溶性保護膜剤2をデバイスウェーハWの表面Waに滴下し始めた時刻でもよい。そして、図2に示した制御手段20に水溶性保護膜剤2が塗布された時刻を記憶させる。
次いで、搬送手段15は、スピンナーテーブル11からデバイスウェーハWを搬出し、保持テーブル16にデバイスウェーハWを搬送する。保持テーブル16の保持面16aにデバイスウェーハWを載置したら、図示しない吸引源により保持面16aでデバイスウェーハWを吸引保持する。
後述するエッチングステップに進む前に、デバイスウェーハWがドライエッチング装置3に投入されたことを確認する。具体的には、開閉手段32によってゲート31が下降して開口303を開いて、デバイスウェーハWが開口303からチャンバ30の内部に進入するときに、識別コード読み取りユニット5は、保護膜形成ステップが実施されたデバイスウェーハWの個体識別コードIDを上方から読み取る。読み取った個体識別コードIDは、制御手段45に送られる。制御手段45は、メモリにあらかじめ記憶されているデバイスウェーハWの情報を照会して、読み取った個体識別コードIDとメモリに記憶されている個体識別コードIDとが一致したら、ドライエッチング装置3のチャンバ30内にデバイスウェーハWが投入されたものと確認される。
チャックテーブル340の吸引保持部342にデバイスウェーハWを載置したら、吸引原38の吸引力により吸引保持部342でデバイスウェーハWを吸引保持して表面Waを上向きに露出させる。続いて、上部電極ユニット35を下部電極ユニット34に対して下降させ、その状態で反応ガス供給源42,43から流路353にエッチングガスを供給し、ガス噴射部350の噴射口352からエッチングガスを噴射させ、高周波電源37からガス噴射部350とチャックテーブル340との間に高周波電圧を印加してエッチングガスをプラズマ化させる。デバイスウェーハWにバイアス高周波電圧を印加して、エッチング種(イオン)をデバイスウェーハWに引き込んでエッチングする。本実施形態に示すエッチングステップは、エッチングと被膜堆積とを繰り返し実施するサイクルエッチング(ボッシュプロセス)により行われる。
[エッチング及び被膜堆積の共通条件]
高周波電力周波数 :13.56MHz
ステージ温度 :10℃
デバイスウェーハ冷却用He圧力:2000Pa
[エッチングの条件]
コイル印加電力 :2500W
ステージ印加電力 :150W
ガス種 :SF6
ガス流量 :400sccm
プロセス圧力 :25Pa
処理時間 :5秒
[被膜堆積の条件]
コイル印加電力 :2500W
ステージ印加電力 :50W
ガス種 :C4F8
ガス流量 :400sccm
プロセス圧力 :25Pa
処理時間 :3秒
ここで、上記塗布時刻記録ステップで記録された時刻から所定時間経過しても投入確認ステップにてデバイスウェーハWがドライエッチング装置3へ投入されたことが確認されない場合に警告を発信する。塗布時刻記録ステップで記録された時刻から所定時間とは、少なくとも保護膜2bが変質せずに、洗浄によってデバイスウェーハWの表面Waから保護膜2bを除去しうる時間帯である。例えば、ホストコンピュータ6のRAMに記録された塗布時刻から例えば24時間経過してもデバイスウェーハWがドライエッチング装置3に投入されない場合には、所定の警告を発信する。警告発信ステップは、保護膜形成ステップを実施した後エッチングステップを実施する前に実施される。
ホストコンピュータ6では、ドライエッチング装置3の稼働状況に基づいて保護膜形成ステップを実施すべきデバイスウェーハ数を算出する。ドライエッチング装置3の稼働状況とは、実際にドライエッチングを行って加工結果を得た状態をいう。つまり、制御手段45に入力した条件(エッチングの条件及び被膜堆積の条件)下で、1枚のデバイスウェーハWをドライエッチングしたときに実際にかかった処理時間を意味する。ドライエッチング装置3における処理時間が保護膜形成装置1における処理時間よりも長くなる場合には、ホストコンピュータ6は、保護膜形成装置1で保護膜形成ステップを実施すべき適切なデバイスウェーハWの数を算出してから、上記保護膜形成ステップを実施する。これにより、保護膜形成ステップを経て保護膜2bが形成されたデバイスウェーハWをドライエッチング装置3に投入するまでの滞留時間を短くすることができる。その結果、保護膜2bを変質させることなく、デバイスウェーハWを効率よく個々のチップに分割できる。
また、ホストコンピュータ6では、保護膜形成装置1及びドライエッチング装置3にそれぞれ入力された情報に基づき、保護膜形成ステップを実施すべきデバイスウェーハ数を算出することもできる。通常、保護膜形成装置1及びドライエッチング装置3には、複数のデバイスウェーハWを水平な状態で収容可能なカセットを設置して装置内にデバイスウェーハWを供給することが可能となっている。すなわち、カセット単位で複数のデバイスウェーハWが保護膜形成装置1及びドライエッチング装置3にそれぞれ供給される。ホストコンピュータ6は、カセットに収容されたデバイスウェーハWの数、種類、サイズ、個体識別コードID等のデバイスウェーハWの情報や、保護膜形成装置1及びドライエッチング装置3に入力された加工条件などに基づき、保護膜形成装置1やドライエッチング装置3のそれぞれにおける1枚当たりのデバイスウェーハWの加工に要する時間を算出する。
10:保護膜形成手段 11:スピンナーテーブル 11a:保持面 12:回転手段
120:スピンドル 121:モータ 13:噴射ノズル 14:カバー部
15:搬送手段 150:保持部 151:ボールネジ 152:モータ
153:ガイドレール 154:移動部 16:保持テーブル 16a:保持面
17:加工送り手段 170:ボールネジ 171:モータ 172:ガイドレール
173:X軸ベース
18:割り出し送り手段 180:ボールネジ 181:モータ
182:ガイドレール 183:Y軸ベース
19:レーザビーム照射手段 190:ケーシング 191:加工ヘッド
20:制御手段
2:保護膜剤 2a:保護膜 3:ドライエッチング装置 30:チャンバ
30a:密閉空間 300:底壁 301:上壁 302:側壁
303:開口 304:排気口 305,306:穴 31:ゲート 32:開閉手段
320:エアシリンダ 321:ピストン 322:ブラケット 33:ガス排出手段
34:下部電極ユニット 340:チャックテーブル 341:支持部
342:吸引保持部 343:吸引溝 344:吸引路 345:冷却通路
35:上部電極ユニット 350:ガス噴射部 351:支持部
352:噴射口 353:連通路
36:絶縁体 37:高周波電源 38:吸引原 39:冷媒供給手段
40:昇降機構 400:エアシリンダ 401:ピストン 402:昇降部材
42,43:反応ガス供給源 44:シール部材 45:制御手段
5:識別コード読み取りユニット 6:ホストコンピュータ(端末装置)
Claims (3)
- 分割予定ラインで区画された領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有したデバイスウェーハの加工方法であって、
保護膜形成装置でデバイスウェーハの表面に水溶性保護膜剤を塗布してデバイスを保護するとともに該分割予定ラインを露出させた保護膜を形成する保護膜形成ステップと、
該保護膜形成ステップを実施した後、ドライエッチング装置でデバイスウェーハに該保護膜を介してドライエッチングを施すエッチングステップと、を備え、
該デバイスウェーハに該水溶性保護膜剤が塗布された時刻を記録する塗布時刻記録ステップと、
該保護膜形成ステップが実施されたデバイスウェーハが該ドライエッチング装置に投入されたことを確認する投入確認ステップと、
該塗布時刻記録ステップで記録された時刻から所定時間経過しても該投入確認ステップにてデバイスウェーハが該ドライエッチング装置へ投入されたことが確認されない場合に警告を発信する警告発信ステップと、を備え、
該所定時間は、該保護膜が変質せずに洗浄によってデバイスウェーハの表面から該保護膜を除去しうる時間である
加工方法。 - 前記保護膜形成装置と前記ドライエッチング装置とはそれぞれ通信回線を介して端末装置に接続され、該端末装置では該ドライエッチング装置の稼働状況に基づいて前記保護膜形成ステップを実施すべきデバイスウェーハ数を算出する算出ステップを備えた、請求項1に記載の加工方法。
- 前記保護膜形成装置と前記ドライエッチング装置とはそれぞれ通信回線を介して端末装置に接続され、該端末装置では該保護膜形成装置と該ドライエッチング装置とに入力された情報に基づいて前記保護膜形成ステップを実施すべきデバイスウェーハ数を算出する算出ステップを備えた、請求項1に記載の加工方法。
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