JP2006128544A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 26
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 8
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 6
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 abstract 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 235000002918 Fraxinus excelsior Nutrition 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000002956 ash Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000003467 diminishing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/265—Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/3086—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
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- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Dicing (AREA)
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Abstract
【解決手段】ウェーハの裏面にレジスト膜Rを被覆した後にレジスト膜Rのうちストリートに対応する領域以外の部分を露光して感光させ、レジスト膜Rの上面にシリル化剤を供給して感光した領域のレジスト膜をシリル化し、エッチング装置において、シリル化されたレジスト膜2が被覆されたウェーハWの裏面W2側に酸素または塩素を含むガスをプラズマ化して供給し、シリル化されていないストリートに対応する領域のレジスト膜Rを灰化して除去し、フッ素系安定ガスをプラズマ化してウェーハWの裏面W2に供給し、ストリートに対応する領域をエッチング除去してウェーハWを個々のデバイスDに分割する。すべてのストリートをエッチングによって一度に分離させることができ、切削も行わないため、デバイスの抗折強度が向上する。
【選択図】図5
Description
以外の部分を露光して感光し、感光した領域にシリル化剤を供給してシリル化させた後に、エッチング装置を用いてシリル化していないストリートに対応する領域のレジスト膜を灰化して除去し、次にストリートをエッチングしてウェーハを個々のデバイスに分割することとしたため、1つのエッチング装置において、ストリートに対応する領域のレジスト膜の除去及びストリートのエッチングを行うことができるため、ウェーハを効率良く個々のデバイスに分割することができる。また、切削ブレードによる切削は不要であるため、デバイスに欠けが生じることがなく、デバイスの抗折強度が低下せず、品質が低下することがない。そして、プラズマエッチングによりすべてのストリートを同時に分離させることができるため、極めて効率的であり、生産性を向上させることができる。
W1:表面
D:デバイス S:ストリート
W2:裏面
W2S:ストリート対応部
P:保護部材
R:レジスト膜
変質層
1:研削装置
10:チャックテーブル
11:研削手段
110:スピンドル 111:駆動源 112:ホイールマウント
113:研削ホイール 114:研削砥石 115:ポリッシングパッド
12:研削送り手段
120:壁部 121:ガイドレール 122:ボールネジ
123:パルスモータ 124:支持部
2:シリル化層
5:プラズマエッチング装置
51:ガス供給部 52:エッチング処理部 53…チャンバ
54:ガス供給手段 55:チャックテーブル 56:軸受け
57:ガス流通孔 57a:噴出部 58:モータ 59:ボールネジ
60:昇降部 61:軸受け 62:吸引源 63:吸引路 64:冷却部
65:冷却路 66:開口部 67:シャッター 68:シリンダ 69:ピストン
70:ガス排出部 71:排気口 72:高周波電源
Claims (4)
- ストリートによって区画されて複数のデバイスが表面に形成されたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの裏面にレジスト膜を被覆し、該レジスト膜のうち、ストリートに対応する領域以外の部分を露光して感光させるレジスト膜被覆工程と、
該レジスト膜の上面にシリル化剤を供給して感光した領域のレジスト膜をシリル化するシリル化工程と、
所定のガスをプラズマ化してエッチング処理を施すエッチング装置において、該シリル化工程によってシリル化されたレジスト膜が被覆されたウェーハの裏面側に酸素または塩素を含むガスをプラズマ化して供給し、シリル化されていない該ストリートに対応する領域のレジスト膜を灰化して除去するストリート対応レジスト膜除去工程と、
フッ素系安定ガスをプラズマ化して該ウェーハの裏面に供給し、該ストリートに対応する領域をエッチング除去して該ウェーハを個々のデバイスに分割するストリートエッチング工程と
から構成されるウェーハの加工方法。 - 前記レジスト膜被覆工程の前に、前記ウェーハの表面に保護部材を貼着し、該ウェーハの裏面を研削して所定の厚さに形成する研削工程が遂行される請求項1に記載のウェーハの加工方法。
- 前記ストリートエッチング工程の後に、酸素または塩素を含むガスをプラズマ化して前記デバイスの裏面側に供給し、該デバイスの裏面に残存しているレジスト膜を灰化して除去するレジスト膜除去工程が遂行される請求項1または2に記載のウェーハの加工方法。
- 前記ウェーハはシリコンウェーハであり、前記フッ素系安定ガスはSF6、CF4、C2F6、C2F4、CHF3のいずれかである請求項1、2または3に記載のウェーハの加工方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004317751A JP2006128544A (ja) | 2004-11-01 | 2004-11-01 | ウェーハの加工方法 |
US11/262,770 US7288467B2 (en) | 2004-11-01 | 2005-11-01 | Wafer processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004317751A JP2006128544A (ja) | 2004-11-01 | 2004-11-01 | ウェーハの加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006128544A true JP2006128544A (ja) | 2006-05-18 |
Family
ID=36262575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004317751A Pending JP2006128544A (ja) | 2004-11-01 | 2004-11-01 | ウェーハの加工方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7288467B2 (ja) |
JP (1) | JP2006128544A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8236610B2 (en) * | 2009-05-26 | 2012-08-07 | International Business Machines Corporation | Forming semiconductor chip connections |
KR101343502B1 (ko) * | 2009-07-24 | 2013-12-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 코팅장비의 코터 척 |
JP5781803B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2015-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御方法及びプラズマ処理システム |
CN103646869B (zh) * | 2013-11-29 | 2016-08-17 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆的清洗方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4871651A (en) * | 1988-06-27 | 1989-10-03 | Ford Motor Copmpany | Cryogenic process for metal lift-off |
JP2566098B2 (ja) * | 1992-05-01 | 1996-12-25 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型放射線感応性レジスト組成物 |
JP3690619B2 (ja) * | 1996-01-12 | 2005-08-31 | 忠弘 大見 | 洗浄方法及び洗浄装置 |
US7642145B2 (en) * | 2002-07-30 | 2010-01-05 | Hitachi, Ltd. | Method for producing electronic device |
JP2004228133A (ja) | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの分割方法 |
-
2004
- 2004-11-01 JP JP2004317751A patent/JP2006128544A/ja active Pending
-
2005
- 2005-11-01 US US11/262,770 patent/US7288467B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7288467B2 (en) | 2007-10-30 |
US20060094209A1 (en) | 2006-05-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071024 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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