JP2007305834A

JP2007305834A - 露光装置

Info

Publication number: JP2007305834A
Application number: JP2006133494A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Fujisawa; 晋一藤澤; Takashi Ono; 貴司小野
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2006-05-12
Filing date: 2006-05-12
Publication date: 2007-11-22
Also published as: DE102007021728A1

Abstract

【課題】ウェーハの裏面を研削した後にプラズマエッチングによって個々のデバイスに分割する場合において、ウェーハの裏面研削からエッチングによる分割に至るまでの時間を短縮し、生産性を向上させる。
【解決手段】ウェーハＷの裏面を研削して所定の厚さに形成し、ウェーハＷの分離予定ラインをプラズマエッチングして個々のデバイスに分割するシステム１を構成する露光装置３において、研削装置２から裏面研削後のウェーハを搬入する搬入手段４と、搬入したウェーハＷの裏面にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆手段３２と、被覆されたレジスト膜を乾燥させる乾燥手段３３と、分離予定ラインに対応する領域のレジスト膜を感光させる感光手段３４と、レジスト膜に現像液を供給してレジスト膜のうち感光した部分を除去する現像手段３５と、レジスト膜のうち感光した部分が除去されたウェーハＷをプラズマエッチング装置５に搬出する搬出手段とを少なくとも備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、プラズマエッチングによりウェーハを個々のデバイスに分割するにあたってウェーハに被覆されたレジスト膜の所要部分を感光させる露光装置に関するものである。

複数のデバイスが分離予定ラインによって区画されて形成されたウェーハは、裏面の研削により所望の厚さに形成された後に、切削装置を用いてすべての分離予定ラインを切削して分離させることにより個々のデバイスに分割され、各種電子機器に利用されている。

ところが、ウェーハの厚さが１００μｍ以下、５０μｍ以下というように薄くなると、切削によって生じた欠け等に起因して、デバイスの抗折強度が低下するという問題がある。そこで、分離予定ラインをプラズマエッチングによって除去して個々のデバイスに分割する技術も提案されている（例えば特許文献１参照）。

特開２００６−１０８４２８号公報

しかし、プラズマエッチングによって分離予定ラインを分離させるためには、ウェーハの一方の面にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆装置と、レジスト膜のうち分離予定ラインに対応する部分を感光させる露光装置と、露光させた部分を除去する現像装置とがそれぞれ必要であるため、研削装置においてウェーハの裏面研削が行われてからプラズマエッチング装置において分離予定ラインのエッチングが開始されるまでの間に相当の時間を要し、生産性が低いという問題がある。

そこで、本発明が解決しようとする課題は、ウェーハの裏面を研削した後にプラズマエッチングによって個々のデバイスに分割する場合において、ウェーハの裏面研削からエッチングによる分割に至るまでの時間を短縮し、生産性を向上させることにある。

本発明は、複数のデバイスが分離予定ラインによって区画されて表面に複数形成されたウェーハの裏面を研削して所定の厚さに形成し、分離予定ラインをプラズマエッチングして個々のデバイスに分割するシステムを構成する露光装置であって、ウェーハの裏面を研削する研削装置から裏面研削後のウェーハを搬入する搬入手段と、搬入手段により搬入したウェーハの裏面にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆手段と、被覆されたレジスト膜を乾燥させる乾燥手段と、分離予定ラインに対応する部分のレジスト膜を除去するためにレジスト膜を感光させる感光手段と、レジスト膜に現像液を供給して分離予定ラインに対応する部分のレジスト膜を除去する現像手段と、分離予定ラインに対応する部分のレジスト膜が除去されたウェーハをプラズマエッチング装置に搬出する搬出手段とを少なくとも備えたことを特徴とする。

この露光装置において、ウェーハ受け入れ部、レジスト膜被覆手段、乾燥手段、感光手段及び現像手段は、レジスト膜を感光させる光を遮断する遮光板で覆われていることが望ましい。遮光板としては、例えば遮光ガラスまたは遮光フィルムを用いることができる。

本発明では、研削装置から裏面研削後のウェーハを搬入する搬入手段と、搬入したウェーハの裏面にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆手段と、被覆されたレジスト膜を乾燥させる乾燥手段と、分離予定ラインに対応する領域のレジスト膜を感光させる感光手段と、レジスト膜に現像液を供給してレジスト膜のうち感光した部分を除去する現像手段と、レジスト膜のうち感光した部分が除去されたウェーハをプラズマエッチング装置に搬出する搬出手段とを備えたため、研削により所望の厚さに形成されたウェーハを受け入れて、効率良くレジスト膜を被覆すると共に分離予定ラインに対応する部分を除去してプラズマエッチング装置に供給することができるため、ウェーハの裏面研削からエッチングによる分割に至るまでの時間を短縮し、生産性を向上させることができる。

図１に示すウェーハ分割システム１は、ウェーハの裏面を研削してウェーハを所定の厚さに形成する研削装置２と、ウェーハの裏面にレジスト膜を被覆すると共にレジスト膜の所要部分を感光させる露光装置３と、プラズマエッチングによりウェーハを個々のデバイスに分割するプラズマエッチング装置５とを備えている。

研削装置２においては、ウェーハを複数段に重ねて収容する第一のウェーハカセット２０ａ、第二のウェーハカセット２０ｂを備えており、研削前のウェーハが第一のウェーハカセット２０ａ及び第二のウェーハカセット２０ｂに収容される。

第一のウェーハカセット２０ａ、第二のウェーハカセット２０ｂの間には、ウェーハを搬出入する機能を有する搬出入手段２１が配設されている。搬出入手段２１は、屈曲及び旋回動可能なアーム部２１０の先端に保持板２１１が設けられた構成となっており、保持板２１１は、アーム部２１０によって第一のウェーハカセット２０ａ、第二のウェーハカセット２０ｂの内部に進入可能となっている。

搬出入手段２１を構成する保持板２１１の可動域には、ウェーハを一定の位置に位置合わせする機能を有する仮置きテーブル２２が配設され、仮置きテーブル２２には、互いが近づく方向または離れる方向に移動可能な複数の位置合わせ部材２２０が配設されている。

仮置きテーブル２２に近接する位置にはターンテーブル２３が配設されている。ターンテーブル２３は、４つのチャックテーブル２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄを自転及び公転可能に支持している。ターンテーブル２３及び仮置きテーブル２２の近傍には、昇降及び旋回動可能なアーム部２５０の先端に吸着板２５１を備えた構成の第一の搬送手段２５が配設されており、第一の搬送手段２５は、仮置きテーブル２２に載置されているウェーハを、仮置きテーブル２２に近い位置にあるチャックテーブルに搬送することができる。

チャックテーブル２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄの移動経路の上方には、ウェーハの面を研削する機能を有する第一の研削手段２６及び第二の研削手段２７が配設されている。

第一の研削手段２６は、垂直方向の軸心を有するスピンドル２６０がハウジング２６１によって回転可能に支持され、スピンドル２６０の下端に形成されたホイールマウント２６２に研削ホイール２６３が固定され、例えば粗研削用の研削砥石２６４が研削ホイール２６３の下面に固着され、スピンドル２６０の上端にモータ２６５が連結された構成となっている。ハウジング２６１はブラケット２６６を介して昇降板２６７に固定されている。昇降板２６７は、垂直方向に配設された一対のガイドレール２６８に摺接しており、モータ２６９の駆動により昇降板２６７が昇降し、これに伴い第一の研削手段２６が昇降する構成となっている。

第二の研削手段２７は、垂直方向の軸心を有するスピンドル２７０がハウジング２７１によって回転可能に支持され、スピンドル２７０の下端に形成されたホイールマウント２７２に研削ホイール２７３が固定され、例えば粗研削用の研削砥石２７４が研削ホイール２７３の下面に固着され、スピンドル２７０の上端にモータ２７５が連結された構成となっている。ハウジング２７１はブラケット２７６を介して昇降板２７７に固定されている。昇降板２７７は、垂直方向に配設された一対のガイドレール２７８に摺接しており、モータ２７９の駆動により昇降板２７７が昇降し、これに伴い第二の研削手段２７が昇降する構成となっている。

第二のウェーハカセット２０ｂの近傍には、スピンナーテーブル２８０において研削後のウェーハを保持して洗浄する洗浄手段２８が配設されている。洗浄手段２８に最も近い位置にあるチャックテーブルの近くには、昇降及び旋回動可能なアーム部２９０の先端に吸着板２９１を備えた構成の第二の搬送手段２９が配設されており、第二の搬送手段２９は、研削済みのウェーハを最も近い位置にあるチャックテーブルからスピンナーテーブル２８０に搬送することができる。

露光装置３には、ターンテーブル３０を備えており、ターンテーブル３０は、図示の例では４つの保持テーブル３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄを自転及び公転可能に支持している。

露光装置３には、いずれかの保持テーブルに保持されたウェーハにレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆手段３２を備えている。レジスト膜被覆手段３２は、ガイド溝３６に沿ってＹ軸方向に移動可能な移動部３２０と、移動部３２０の下部に取り付けられたノズル３２１と、ノズル３２１に連結されレジスト液を蓄えるタンク３２２とを備えており、タンク３２２に蓄えられたレジスト液がノズル３２１からウェーハに向けて滴下される構成となっている。

レジスト膜被覆手段３２に隣接する位置には、ウェーハに被覆したレジスト膜を乾燥させる乾燥手段３３が配設されている。乾燥手段３３は、ガイド溝３６に沿ってＹ軸方向に移動する移動部３３０と、移動部３３０に固定され下方に温風を噴出する噴出部３３１とから構成される。

乾燥手段３３に隣接する位置には、被覆されたレジスト膜の所要領域を感光させる感光手段３４が配設されている。感光手段３４は、レジスト膜を感光させる光をウェーハに向けて発する機能を有する。

露光装置３には、裏面研削後のウェーハを研削装置から搬入すると共にレジスト膜被覆後のウェーハをプラズマエッチング装置５に搬出する搬入搬出手段４が配設されている。搬入搬出手段４は、Ｘ軸方向に延びるガイド溝４０と、ガイド溝４０に沿ってＸ軸方向に移動可能な移動部４１と、移動部４１に対して昇降可能でかつ屈曲可能なアーム部４２と、アーム部４２の先端部に設けられた保持板４３とから構成される。

保持版４３の可動域には、現像手段３５が配設されている。現像手段３５は、現像液を蓄えるタンク３５０と、タンク３５０内の現像液をウェーハに被覆されたレジスト膜に向けて吐出するノズル３５１と、ウェーハを保持する保持部３５２とを備えている。

露光装置３においては、搬入搬出手段４、レジスト膜被覆手段３２、乾燥手段３３、感光手段３４及び現像手段３５は、レジスト膜を感光させる光を遮断する遮光板３７によって覆われており、感光手段３４によってのみレジスト膜を感光させることができる構成となっている。遮光板３７は、例えば遮光フィルムや遮光ガラスにより構成される。遮光フィルムとしては、例えば、アキレス社が提供する「アキレスセイデンＦ」と称される製品を使用することができる。

プラズマエッチング装置５は、ガス供給部５１とエッチング処理部５２とを備えている。ガス供給部５１には、ＳＦ_６、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_２Ｆ_４、ＣＨＦ_３等のフッ素を含む安定ガスであるフッ素系安定ガスが蓄えられる。一方、エッチング処理部５２においてはウェーハＷを収容し、ガス供給部５１から供給されるフッ素系安定ガスをプラズマ化してウェーハＷをエッチングする。

図２に示すように、エッチング処理部５２は、プラズマエッチングが行われるチャンバ５３の上部側からエッチングガス噴出手段５４を収容すると共に、エッチングしようとする板状物を保持するチャックテーブル５５を下部側から収容した構成となっている。

エッチングガス噴出手段５４は、チャックテーブル５５に保持されたウェーハＷの露出面にエッチングガスを供給する機能を有し、軸部５４ａがチャンバ５３に対して軸受け５６を介して昇降自在に挿通しており、内部にはガス供給部５１に連通すると共に噴出部５７ａに連通するガス流通孔５７が形成されている。エッチングガス噴出手段５４は、モータ５８に駆動されてボールネジ５９が回動し、ボールネジ５９に螺合したナットを内部に有する昇降部６０が昇降するのに伴い昇降する構成となっている。

一方、チャックテーブル５５は、軸部５５ａが軸受け６１を介して回動可能に挿通しており、内部には吸引源６２に連通する吸引路６３及び冷却部６４に連通する冷却路６５が形成されており、吸引路６３は上面の吸引部５３ａに連通している。

チャンバ５３の側部にはエッチングする板状物の搬出入口となる開口部６６が形成されており、開口部６６の外側には昇降により開口部６６を開閉するシャッター６７が配設されている。このシャッター６７は、シリンダ６８に駆動されて昇降するピストン６９によって昇降する。

チャンバ５３の下部にはガス排気部７０に連通する排気口７１が形成されており、排気口７１から使用済みのガスを排出することができる。また、エッチングガス噴出手段５４及びチャックテーブル５５には高周波電源７２が接続され、高周波電圧を供給し、エッチングガスをプラズマ化することができる。

図３に示すように、ウェーハＷの表面Ｗ１には、複数のデバイスＤが分離予定ライン（ストリート）Ｓによって区画されて形成されている。そして、この研削前のウェーハＷの表面Ｗ１に保護部材Ｐが貼着されて図４に示す状態となり、その状態で図１に示した第一のウェーハカセット２０ａ及び第二のウェーハカセット２０ｂに収容される。

図１を参照して説明すると、表面Ｗ１に保護部材Ｐが貼着されたウェーハＷは、搬出入手段２１を構成する保持板２１１によってウェーハＷの裏面Ｗ２側が保持されて第一のウェーハカセット２０ａから搬出されるか、または第一のウェーハカセット２０ａが空になった場合は第二のウェーハカセット２０ｂから搬出され、保護部材Ｐ側が仮置きテーブル２２に載置され、ウェーハＷの裏面Ｗ２が上を向いて露出した状態となる。そして位置合わせ部材２２０によってウェーハＷが一定に位置に位置合わせされる。

ウェーハＷの位置合わせが行われた後は、第一の搬送手段２５を構成するアーム部２５０の旋回動により吸着板２５１が仮置きテーブル２２の直上に移動し、アーム部２５０と共に吸着板２５１が下降してウェーハＷの裏面Ｗ２を吸着する。そして、吸着板２５１が上昇して保護部材Ｐと共にウェーハＷを持ち上げ、アーム部２５０の旋回動によりチャックテーブル２４ａの直上にウェーハＷを位置付けた後に、吸着板２５１を下降させてウェーハＷをチャックテーブル２４ａに載置する。そして、吸着板２５１による吸着を解除すると、ウェーハＷがチャックテーブル２４ａに保持される。

ウェーハＷがチャックテーブル２４ａに吸引保持されると、ターンテーブル２３が反時計回りに所定角度（図示の例では９０度）回転することで、ウェーハＷが第一の研削手段２６の直下に位置付けられる。そして、図５に示すように、スピンドル２６０の回転により研削ホイール２６３が回転すると共に、第一の研削手段２６が下降して回転する研削砥石２６４がウェーハＷの裏面Ｗ２に接触し、裏面Ｗ２が粗研削される。

粗研削終了後は、ターンテーブル２３が９０度回転することで、ウェーハＷが第二の研削手段２７の直下に位置付けられる。そして、図５に示すように、スピンドル２７０の回転により研削ホイール２７３が回転すると共に、第二の研削手段２７が下降して回転する研削砥石２７４がウェーハＷの裏面Ｗ２に接触し、裏面Ｗ２が仕上げ研削され、ウェーハＷが所定の厚みに形成される。なお、第一の研削手段２６と第二の研削手段２７とは同様の構造となっているため、図５においては第一の研削手段２６による粗研削と第二の研削手段２７による仕上げ研削の双方を示している。

仕上げ研削が終了すると、ターンテーブル２３が９０度回転し、ウェーハＷが洗浄手段２８の近傍に位置付けられる。そして、第二の搬送手段２９を構成するアーム部２９０の旋回動により吸着板２９１が仕上げ研削済みのウェーハＷの直上に移動し、アーム部２９０と共に吸着板２９１が下降してウェーハＷの裏面Ｗ２を吸着する。次に、吸着板２９１が上昇して保護部材Ｐと共にウェーハＷを持ち上げ、アーム２９０の旋回動により洗浄手段２８を構成するスピンナーテーブル２８０の直上にウェーハＷを位置付けた後に、吸着板２９１を下降させてウェーハＷをスピンナーテーブル２８０に載置する。そして、吸着板２９１による吸着を解除すると、ウェーハＷがスピンナーテーブル２８０に保持され、スピンナーテーブル２８０の回転と共に洗浄水がウェーハＷに噴出され、研削屑等が除去される。また、洗浄水の噴出を止めて高圧エアーを噴出することにより洗浄水が除去されて乾燥される。なお、ウェーハの乾燥後は、洗浄手段２８において、露光装置３における液状レジストの裏面Ｗ２への付着を促進して付着状態を向上させるために、下地処理液を噴出させ、裏面Ｗ２の一面に塗布しておいてもよい。

以上のようにして、ウェーハＷの裏面Ｗ２が研削され、洗浄が行われ、更に必要に応じて裏面Ｗ２に下地処理液が塗布されると、ウェーハＷは、スピンナーテーブル２８０から搬入搬出手段４を構成する保持版４３によって保持されて運び出され、露光装置３に搬入される。搬出搬入部４を構成する保持板４３は、洗浄手段２８に進入し、洗浄済みのウェーハＷを保護部材Ｐと共に保持してウェーハＷを露光装置３内に搬入し、保持テーブル３１ａに載置する。そして、吸着を解除すると、裏面Ｗ２が上を向いた状態でウェーハＷが保持テーブル３１ａに保持される。

次に、ターンテーブル３０が時計回りに回転することにより、ウェーハＷを保持した保持テーブル３１ａが、レジスト膜被覆手段３２を構成するノズル３２１の直下に位置付けられる。そして、保持テーブル３１ａが回転すると共に、ノズル３２１からレジスト液が滴下され、図６（ａ）に示すように、ウェーハＷの裏面Ｗ２の一面にレジスト膜Ｒが被覆される。

次に、ターンテーブル３０を時計回りに９０度回転させ、ウェーハＷを乾燥手段３３を構成する噴出部３３１の直下に位置付け、被覆したレジスト膜Ｒに温風を吹き付け乾燥させて固化させた後に、更にターンテーブル３０を時計回りに９０度回転させ、ウェーハＷを感光手段３４の直下に位置付ける。そして、感光手段３４においては、ストリートＳの形状に対応したフォトマスク等を使用し、被覆されたレジスト膜Ｒのうち、図３に示したストリートＳの裏側、すなわち、レジスト膜ＲのうちストリートＳに対応する領域のみを感光させる。

こうしてレジスト膜Ｒの所望の領域が感光した後は、ターンテーブル３０を時計回りに１８０度回転させ、ウェーハＷを現像手段３５の近傍に移動させる。そして、搬入搬出手段４を構成する保持板４３によってレジスト膜Ｒを保持し、現像手段３５を構成する保持部３５２にウェーハＷを移動させる。このとき、レジスト膜Ｒが上を向いて露出するようにする。

その状態で、ノズル３５１から現像液を滴下させると共に、保持部３５２を回転させて現像液を全面に行き渡らせると、図６（ｂ）に示すように、感光した部分、すなわちストリートＳに対応する領域のレジスト膜Ｒが除去される。なお、かかる例は、ポジ型のレジスト膜を用いた場合であるが、ネガ型の場合は、ストリートＳの裏側以外の部分のレジスト膜を感光させ、感光していない部分を除去する。

次に、搬入搬出手段４を構成する保持板４３によってウェーハＷが保持され、移動部４１が＋Ｘ方向に移動することにより、ウェーハＷがプラズマエッチング装置５に搬出される。このようにしてウェーハを次々と保持テーブル３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄに搬出し、すべてのウェーハの裏面のうち、ストリートＳに相当する領域以外の部分にレジスト膜を被覆し、プラズマエッチング装置５に搬送していく。

図２に示したプラズマエッチング装置５においては、搬入搬出手段４によってレジスト膜Ｒが被覆されたウェーハＷが搬送されてくると、シャッター６７を下降させて開口部６６を開口させ、搬入搬出手段４を構成する保持板４３がウェーハＷを保持した状態でチャンバ５３の内部に進入し、レジスト膜Ｒが被覆された裏面Ｗ２側が上を向いて露出した状態でウェーハＷが、吸引部６３ａに保持される。そして、保持板４３をチャンバ５３の外部に退避させてからシャッター６７を元の位置に戻して開口部６６を閉め、内部を減圧排気する。

次に、エッチングガス噴出手段５４を下降させ、その状態でガス供給部５１からガス流通孔５７にエッチングガスとしてフッ素系安定ガスを供給し、エッチングガス噴出手段５４の下面の噴出部５７ａからエッチングガスを噴出させると共に、高周波電源７２からエッチングガス噴出手段５４とチャックテーブル５５との間に高周波電圧を印加してエッチングガスをプラズマ化させる。そうすると、プラズマのエッチング効果によりウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、レジスト膜Ｒが被覆されていない部分、すなわち、ストリートＳのみがエッチングされる。そして、ウェーハＷの厚み分だけエッチングすると、図６（ｃ）に示すように、個々のデバイスＤに分離される。

ウェーハＷが個々のデバイスに分離された後は、図６（ｄ）に示すように、ウェーハＷの裏面Ｗ２に被覆されたレジスト膜Ｒを除去する。レジスト膜Ｒの除去にも、プラズマエッチング装置５を用いることができる。プラズマエッチング装置５を用いてレジスト膜Ｒを除去する場合は、ストリートＳのエッチングにおいて用いたフッ素系安定ガスを排気口７１からガス排出部７０に排気し、チャンバ５３の内部にフッ素系安定ガスが存在しない状態とする。そして次に、ガス供給部５１からＯ_２ガスをガス流通孔５７に供給し、エッチングガス噴出手段５４の下面の噴出部５７ａからＯ_２ガスを噴出させると共に、高周波電源７２からエッチングガス噴出手段５４とチャックテーブル５５との間に高周波電圧を印加してＯ_２ガスをプラズマ化させる。そうすると、レジスト膜Ｒが酸化し、灰化して除去され、図６（ｄ）に示したように、個々のデバイスＤのみが保護部材Ｐに貼着された状態で残る。

このようにしてウェーハＷが個々のデバイスＤに分割され、レジスト膜Ｒが除去されると、シャッター６７を下降させて開口部６６を開口させ、搬入搬出手段４の保持板４３をチャンバ５３に進入させて、保護部材Ｐに貼着されデバイスＤに分離された状態のウェーハＷを保持する。そして、その状態で保持板４３をチャンバ５３の外に退避させてウェーハＷを搬出し、プラズマエッチング装置５の外部に載置された分割済みウェーハカセット７３に収容する。

以上説明したように、露光装置３では、研削装置２において裏面が研削されたウェーハを受け入れて、効率良くレジスト膜Ｒを被覆すると共にストリートＳに対応する部分を除去してプラズマエッチング装置５に供給することができるため、ウェーハの裏面研削からエッチングによる分割に至るまでの時間を短縮し、生産性を向上させることができる。

ウェーハ分割システムの一例を示す斜視図である。プラズマエッチング装置を構成するエッチング処理部の構成の一例を示す略示的断面図である。ウェーハ及び保護部材を示す斜視図である。保護部材がウェーハの表面に貼着された状態を示す斜視図である。ウェーハの裏面を研削する様子を示す略示的断面図である。ウェーハを分割する手順を示す略示的断面図であり、（ａ）はウェーハ裏面にレジスト膜が被覆された状態を示し、（ｂ）はレジスト膜のうちストリートに相当する領域が除去された状態を示し、（ｃ）はストリートがエッチングされた状態を示し、（ｄ）はレジスト膜が除去された状態を示す。

符号の説明

１：ウェーハ分割システム
２：研削手段
２０ａ：第一のウェーハカセット２０ｂ：第二のウェーハカセット
２１：搬出入手段
２１０：アーム部２１１：保持板
２２：仮置きテーブル
２２０：位置合わせ部材
２３：ターンテーブル
２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ：チャックテーブル
２５：第一の搬送手段
２５０：アーム部２５１：吸着板
２６：第一の研削手段
２６０：スピンドル２６１：ハウジング２６２：ホイールマウント
２６３：研削ホイール２６４：研削砥石２６５：モータ
２６６：固定板２６７：昇降板２６８：ガイドレール２６９：モータ
２７：第二の研削手段
２７０：スピンドル２７１：ハウジング２７２：ホイールマウント
２７３：研削ホイール２７４：研削砥石２７５：モータ
２７６：固定板２７７：昇降板２７８：ガイドレール２７９：モータ
２８：洗浄手段
２８０：スピンナーテーブル
２９：第二の搬送手段
２９０：アーム部２９１：吸着板
３：レジスト膜被覆手段
３０：ターンテーブル
３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ：保持テーブル
３２：レジスト膜被覆手段
３２０：移動部３２１：ノズル３２２：タンク
３３：乾燥手段
３３０：移動部３３１：噴出部
３４：感光手段
３５：現像手段
３５０：タンク３５１：ノズル３５２：保持部
４：搬入搬出手段
４０：ガイドレール４１：移動部４２：アーム部４３：保持板
５：プラズマエッチング手段
５１：ガス供給部５２：エッチング処理部５３…チャンバ
５４：エッチングガス噴出手段５５：チャックテーブル５６：軸受け
５７：ガス流通孔５７ａ：噴出部５８：モータ５９：ボールネジ
６０：昇降部６１：軸受け６２：吸引源６３：吸引路６４：冷却部
６５：冷却路６６：開口部６７：シャッター６８：シリンダ６９：ピストン
７０：ガス排出部７１：排気口７２：高周波電源
７３：分割済みウェーハカセット
Ｗ：ウェーハ
Ｗ１：表面Ｗ２：裏面Ｓ：ストリート（分離予定ライン）
Ｄ：デバイスＲ：レジスト膜
Ｐ：保護部材

Claims

複数のデバイスが分離予定ラインによって区画されて表面に複数形成されたウェーハの裏面を研削して所定の厚さに形成し、該分離予定ラインをプラズマエッチングして個々のデバイスに分割するシステムを構成する露光装置であって、
ウェーハの裏面を研削する研削装置から裏面研削後のウェーハを搬入する搬入手段と、該搬入手段により搬入したウェーハの裏面にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆手段と、被覆されたレジスト膜を乾燥させる乾燥手段と、該分離予定ラインに対応する部分のレジスト膜を除去するために該レジスト膜を感光させる感光手段と、該レジスト膜に現像液を供給して該分離予定ラインに対応する部分のレジスト膜を除去する現像手段と、該分離予定ラインに対応する部分のレジスト膜が除去されたウェーハをプラズマエッチング装置に搬出する搬出手段と
を少なくとも備えた露光装置。
前記搬入手段、前記レジスト膜被覆手段、前記乾燥手段、前記感光手段及び前記現像手段は、レジスト膜を感光させる光を遮断する遮光板で覆われている請求項１に記載の露光装置。
前記遮光板は、遮光ガラスまたは遮光フィルムである請求項１に記載の露光装置。