JPH04326509A - ホトレジスト処理方法および装置ならびに基板保管装置 - Google Patents

ホトレジスト処理方法および装置ならびに基板保管装置

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JPH04326509A
JPH04326509A JP9655391A JP9655391A JPH04326509A JP H04326509 A JPH04326509 A JP H04326509A JP 9655391 A JP9655391 A JP 9655391A JP 9655391 A JP9655391 A JP 9655391A JP H04326509 A JPH04326509 A JP H04326509A
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JP
Japan
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photoresist
section
substrate
wafer
exposure
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JP9655391A
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Shoji Kanai
昭司 金井
Yoichiro Tamiya
洋一郎 田宮
Aritoshi Sugimoto
有俊 杉本
Hitoshi Arakawa
均 荒川
Keizo Kuroiwa
慶造 黒岩
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Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はホトレジスト処理技術お
よび基板保管技術に関し、特に、半導体装置の製造に用
いられるホトリソグラフィにおけるホトレジスト処理工
程に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、半導体装置の製造工程のホト
リソグラフィにおいては、周知のクリーンルーム内で半
導体基板（ウェハ）にホトレジストを塗布し、ベーク処
理などによって安定に硬化させた後、クリーンルーム内
に設置された周知のステッパなどの露光装置によって所
望のパターンをウェハ上のホトレジストに感光／転写し
、さらに、現像処理によってホトレジストの一部を選択
的に除去した後、当該ホトレジストをマスクとするエッ
チングなどの加工工程に供することが一般に行われてい
る。
【０００３】また、最近では、単位時間当たりのウェハ
の処理枚数を増加させるなどの観点から、ホトレジスト
の塗布、露光、現像の各装置を連結した一貫処理システ
ムを構築し、各連結部間における単位ウェハあたりの処
理所要時間（インデックスタイム）が異なる場合には、
当該連結部に複数のウェハを保管するバッファを設け、
インデックスタイムの差異によるウェハ待ちやウェハの
滞留に起因する処理効率の低下を回避する工夫がなされ
ている。
【０００４】なお、半導体装置の製造工程におけるホト
レジスト処理技術については、株式会社工業調査会、昭
和６１年１１月１８日発行、「電子材料」１９８６年１
１月号別冊、Ｐ９５〜Ｐ１００、などの文献に記載され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の従来
技術では、ウェハに対するホトレジストの塗布後、およ
び露光後の待機状態などにおいてホトレジストに作用す
る光や熱などのエネルギー、さらにはホトレジストの吸
水量の制御について配慮しておらず、現像完了後のホト
レジストのパターン形状が安定しないという問題がある
。
【０００６】すなわち、本発明者らの研究によれば、通
常のクリーンルームの環境中に放置した場合には、たと
えば、図３および図４などの線図において破線で示され
るように、現像後のホトレジストパターンの幅寸法や、
断面両端のテーパー角が放置時間の長短によって大きく
変動することが明らかになっている。なお、図３および
図４において、横軸は露光直後から露光後ベーク処理ま
での経過時間（ＴＥＰ）を示し、縦軸は、それぞれ、現
像後レジスト寸法（相対値）、断面のテーパー角（相対
値）を示している。
【０００７】したがって、本発明の目的は、現像後のホ
トレジストの寸法や形状を確実に安定化することが可能
なホトレジスト処理技術を提供することにある。
【０００８】本発明の他の目的は、基板に対する塗布か
ら現像を経て実際の加工に供されるホトレジストの寸法
や形状の経時変化を防止することが可能な基板保管技術
を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１１】すなわち、本発明のホトレジスト処理方法
は、ホトリソグラフィに用いられるホトレジスト処理方
法であって、所望の基板に対するホトレジストの塗布後
、当該ホトレジストをマスクとして基板を加工するまで
の任意の時点において、ホトレジストが塗布された基板
を待機させるとき、基板の雰囲気の温度、湿度、光およ
び待機時間の少なくとも一つを所定の値に制御するもの
である。
【００１２】また、本発明のホトレジスト処理方法は、
基板に対するホトレジストの塗布後、当該ホトレジスト
をマスクとして基板を加工するまでの間に、基板に塗布
されたホトレジストを所望の温度に加熱する第１ベーク
処理と、第１ベーク処理が施されたホトレジストを所望
のパターンに感光させる露光処理と、露光されたホトレ
ジストを所望の温度に加熱する第２ベーク処理と、現像
処理と、現像後のホトレジストを所望の温度に加熱する
第３ベーク処理とを順に行うものである。
【００１３】また、本発明のホトレジスト処理装置は、
所望の基板にホトレジストを塗布する塗布部と、基板に
塗布されたホトレジストを所望のパターンに感光させる
露光部と、露光されたホトレジストを現像する現像部と
を備えたホトレジスト処理装置であって、露光部の前段
または後段および現像部の前段または後段の少なくとも
一つに、内部の温度、湿度、光および待機時間の少なく
とも一つを所定の値に制御する制御手段を有する基板保
管装置を設け、基板を基板保管装置の中に待機させもの
である。
【００１４】また、本発明のホトレジスト処理装置は、
塗布部と露光部との間には、基板に塗布されたホトレジ
ストを所望の温度に加熱する第１ベーク処理部が設けら
れ、露光部と現像部との間には、露光後のホトレジスト
を所定の温度に加熱する第２ベーク処理部が設けられ、
現像部の後段には、現像後のホトレジストを所望の温度
に加熱する第３ベーク処理部が設けられ、基板保管装置
を、第１ベーク処理部と露光部との間、および露光部と
第２ベーク部との間に配置したものである。
【００１５】また、本発明の基板保管装置は、ホトレジ
ストが塗布された基板を収容する基板保管装置であって
、内部の温度、湿度、光および基板の待機時間の少なく
とも一つを所定の値に制御する制御手段を有するもので
ある。
【００１６】
【作用】一般に、ホトレジストの露光時における光反応
には適度の水分が必要であることが知られている。また
、現像処理前にホトレジストが吸熱すると単波長露光の
影響による露光領域の熱拡散が生じる。また露光前後に
おけるホトレジストに対する光の照射が好ましくないこ
とはホトリソグラフィの原理上明らかである。
【００１７】上記した本発明のホトレジスト処理技術に
よれば、所望の基板に対するホトレジストの塗布後、当
該ホトレジストをマスクとして基板を加工するまでの任
意の時点において、ホトレジストのパターン精度に大き
く影響する、上述のような雰囲気の湿度（吸水量）、温
度（吸熱量）、光、さらには待機時間（放置時間）の少
なくとも一つを制御するので、露光時におけるホトレジ
ストの光反応の安定化、露光後の熱拡散の安定化が実現
する。これにより、現像後のホトレジストの寸法や形状
を確実に安定化することができる。
【００１８】また、上記した本発明の基板保管装置によ
れば、同様に、上述のような雰囲気の湿度（吸水量）、
温度（吸熱量）、光、さらには待機時間（放置時間）の
少なくとも一つを制御するので、露光時におけるホトレ
ジストの光反応の安定化、露光後の熱拡散の安定化が実
現し、塗布から現像を経て実際の基板の加工に供される
ホトレジストの寸法や形状の経時変化を防止することが
できる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の一実施例であるホトレジスト
処理方法および装置、さらにはそれに用いられる基板保
管装置について、図面を用いて具体的に説明する。
【００２０】図１は、本発明の一実施例である基板保管
装置の一例であるプロセスコントロールボックスを示す
斜視図であり、図２は、このプロセスコントロールボッ
クスを用いたホトレジスト処理装置の構成の一例を示す
ブロック図である。
【００２１】まず、図１を参照しながら、本実施例のプ
ロセスコントロールボックスの構成について説明する。
【００２２】本実施例のプロセスコントロールボックス
Ｐは、たとえば、後述のウェハに塗布されるホトレジス
トの光反応に感度を有する光を完全に遮断する遮光材か
らなる箱状の遮光筐体８を備えている。
【００２３】この遮光筐体８の内部には、一主面にホト
レジストが塗布された複数のウェハ７を上下方向に配列
収容するウェハ待機治具９が設けられている。
【００２４】遮光筐体８の互いに対向する側面にはウェ
ハ出入口６およびウェハ出入口６ａが開設されており、
当該ウェハ出入口６およびウェハ出入口６ａの近傍には
アームエレベータ４に支持されたウェハ搬送アーム５が
それぞれ配置されている。
【００２５】そして、この各々のウェハ搬送アーム５の
搬送動作によって、ウェハ出入口６およびウェハ出入口
６ａを通じてのウェハ待機治具９に対するウェハ７の搬
入／搬出が行われるものである。
【００２６】なお、図示の都合上、図１ではウェハ出入
口６ａの図示は省略されている。
【００２７】遮光筐体８の内部には、温湿調コントロー
ラ１によって、湿度および温度が精密に制御された清浄
な窒素ガスＮ２　が、ガス流量制御弁１１を介して供給
される構造となっている。遮光筐体８の一部には温湿調
センサ２が配置されており、当該遮光筐体８の内部雰囲
気の湿度および温度を測定して温湿調コントローラ１に
送出し、温湿調コントローラ１は、温湿調センサ２から
得られる測定値に基づいて遮光筐体８に供給される窒素
ガスＮ２　の湿度および温度を制御する。
【００２８】遮光筐体８には、圧力弁３が設けられてお
り、遮光筐体８の内部雰囲気が外部に対して常に陽圧と
なるように当該遮光筐体８の内圧を制御する動作が行わ
れる構造となっている。
【００２９】遮光筐体８の内部のウェハ搬送アーム５の
動作や、温湿調コントローラ１の動作は、中央制御装置
１０によって制御されている。
【００３０】以下、本実施例のプロセスコントロールボ
ックスＰの作用の一例について説明する。
【００３１】まず、中央制御装置１０からの指令により
、温湿調コントローラ１は、所定の温度および湿度の清
浄な窒素ガスＮ２　を遮光筐体８の内部に供給し、ウェ
ハ待機治具９が位置する遮光筐体８の内部を、一定の温
度および湿度の窒素ガスＮ２　雰囲気とする。
【００３２】この状態で、外部から到来するホトレジス
トが塗布されたウェハ７は、ウェハ出入口６を通じて、
ウェハ搬送アーム５によって遮光筐体８の内部に搬入さ
れ、アームエレベータ４の昇降動作とウェハ搬送アーム
５の搬送動作とを適宜組み合わせることによって、ウェ
ハ待機治具９の空き領域の収納される。
【００３３】この時、中央制御装置１０は、個々のウェ
ハ７の搬入時刻からの経過時間（待機時間）を監視して
おり、外部からの要求に応じて、待機時間が一定となる
ように個々のウェハ７を適宜選択し、前述の搬入動作と
は逆の搬出動作によって外部に払い出す。
【００３４】このように、本実施例のプロセスコントロ
ールボックスＰによれば、ウェハ７が待機する遮光筐体
８の内部は湿度および温度が一定に保たれているととも
に、遮光筐体８によって、外部の光がウェハ７に塗布さ
れているホトレジストに照射することもない。また、待
機時間も一定に制御される。
【００３５】このため、単にクリーンルーム内に放置す
る場合などに比較して、ウェハ７に塗布されているホト
レジスト中の水分量や吸熱量、さらには吸光量が一定に
保たれ、これらの変動に起因するホトレジストの物性や
、パターンの寸法形状のばらつきなどの経時変化が確実
に防止される。
【００３６】このため、ホトレジストをマスクとするウ
ェハ７に対するエッチングなどの加工精度が向上し、ウ
ェハ７にホトリソグラフィによって形成される半導体装
置の品質や歩留りが確実に向上する。
【００３７】また、ホトレジスト処理工程において、ウ
ェハ７に塗布されたホトレジストの経時変化に起因する
運用上の制約が緩和され、ホトレジスト処理工程におけ
る生産性が確実に向上する。
【００３８】一方、図２は、ウェハ７に対するホトレジ
ストの塗布から現像までを一貫して行うホトレジスト処
理装置の一例を示すブロックである。
【００３９】本実施例のホトレジスト処理装置は、外部
から図示しないカセットなどに収納されて到来するウェ
ハ７の受け入れ作業を行う受入部２１、塗布前にウェハ
７の洗浄処理などを行う前処理部２２、回転塗布などに
よってウェハ７の一主面に対するホトレジストの塗布を
行う塗布部２３、ウェハ７に塗布されたホトレジストを
所定の温度で所定の時間だけ加熱して硬化させるソフト
ベーク部２４、ウェハ７に塗布されたホトレジストを所
望のパターンに感光させる露光装置２５を備えている。
【００４０】また、露光装置２５の後段には、露光後の
ウェハ７に塗布されているホトレジストを所定の温度で
所定の時間だけ加熱する露光後ベーク部２６、所望の現
像液等によって、ウェハ７上のホトレジストの感光部ま
たは非感光部を選択的に除去する現像部２７、現像され
たウェハ７上のホトレジストを所定の温度で所定の時間
だけ加熱することにより現像パターンの安定化などを行
うハードベーク部２８、所定のパターンにホトレジスト
が被着されたウェハ７を纏めて、エッチング工程などに
払い出す払出部２９などが連結されている。
【００４１】そして、ウェハ７は、前述の各部を矢印の
順に移動して、当該ウェハ７に対する一連のホトレジス
ト処理が行われる。
【００４２】この場合、たとえば、ソフトベーク部２４
と、露光装置２５との間、および露光装置２５と、露光
後ベーク部２６との間には、プロセスコントロールボッ
クスＰが配置されており、露光前のウェハ７および露光
後のウェハ７が、プロセスコントロールボックスＰの中
で待機する構造となっている。
【００４３】プロセスコントロールボックスＰのウェハ
待機治具９における収容可能枚数は、塗布部２３と露光
装置２５におけるインデックスタイムの差に応じて適宜
設定される。また、本実施例の場合、塗布部２３から露
光装置２５に移動するウェハ７と、露光装置２５から現
像部２７の側に移動する露光済みのウェハ７とが、プロ
セスコントロールボックスＰの内部で混在することにな
るが、個々のウェハ７の処理状態の識別や待機時間は中
央制御装置１０によって正確に管理されており、不具合
が発生することはない。
【００４４】なお、プロセスコントロールボックスＰの
配置位置としては、上述した図２に例示される位置に限
らず、前記受入部２１から払出部２９までの間のいずれ
の接続部に配置してもよいことは言うまでもない。また
、露光装置２５の前段および後段にそれぞれ個別のプロ
セスコントロールボックスＰを配置してもよい。
【００４５】すなわち、塗布部２３と露光装置２５、露
光装置２５と現像部２７との間などにおいては、一般に
処理内容が大きく異なるので、インデックスタイムに差
があり、これらを連結して一貫したホトレジスト処理を
行う場合には、インデックスタイムの差を吸収すべくウ
ェハ７を待機させるバッファを配置することが必要とな
る。その場合、従来のように単に、クリーンルーム内の
環境に放置して待機させる場合には、図３や図４に破線
で例示したように、現像後のホトレジストの形状や寸法
のばらつきが大きくなることは避けられない。
【００４６】これに対して、本実施例の場合には、イン
デックスタイムに差のある各部の間に適宜プロセスコン
トロールボックスＰを配置し、このプロセスコントロー
ルボックスＰの中にウェハ７を待機させるので、たとえ
ば、図３や図４において実線で例示したように、ホトレ
ジストのパターン寸法や形状は待機時間などに影響され
ることなく、安定となる。
【００４７】このため、ホトレジストをマスクとするウ
ェハ７に対するエッチングなどの加工精度が向上し、ウ
ェハ７にホトリソグラフィによって形成される半導体装
置の品質や歩留りが確実に向上する。
【００４８】また、処理結果が経時的に変化するホトレ
ジスト処理の場合には、複数の装置を連結した一貫処理
において、個々の装置における保守管理作業などに対す
る制約が大きくなるが、本実施例の場合には、プロセス
コントロールボックスＰをバッファとしてウェハ７を待
機させることにより、ウェハ７に被着されているホトレ
ジストの性状を劣化させることなく、個々の処理部や装
置の稼働状況を柔軟に変更することが可能となり、ホト
レジスト処理を一貫して行うホトレジスト処理工程の生
産性が向上する。
【００４９】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５０】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００５１】すなわち、本発明のホトレジスト処理方法
によれば、現像後のホトレジストの寸法や形状を確実に
安定化できるという効果が得られる。
【００５２】また、本発明のホトレジスト処理装置によ
れば、現像後のホトレジストの寸法や形状を確実に安定
化できるという効果が得られる。
【００５３】また、本発明の基板保管装置によれば、塗
布から現像を経て実際の基板の加工に供されるホトレジ
ストの寸法や形状の経時変化を防止することができると
いう効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例である基板保管装置の一例で
あるプロセスコントロールボックスを示す斜視図である
。
【図２】プロセスコントロールボックスを用いたホトレ
ジスト処理装置の構成の一例を示すブロック図である。
【図３】本発明のホトレジスト処理方法および装置、基
板保管装置の作用の一例を従来の場合と比較対照して例
示した線図である。
【図４】本発明のホトレジスト処理方法および装置、基
板保管装置の作用の一例を従来の場合と比較対照して例
示した線図である。
【符号の説明】
１　　温湿調コントローラ ２　　温湿調センサ ３　　圧力弁 ４　　アームエレベータ ５　　ウェハ搬送アーム ６　　ウェハ出入口 ６ａ　　ウェハ出入口 ７　　ウェハ ８　　遮光筐体 ９　　ウェハ待機治具 １０　　中央制御装置 １１　　ガス流量制御弁 ２１　　受入部 ２２　　前処理部 ２３　　塗布部 ２４　　ソフトベーク部 ２５　　露光装置 ２６　　露光後ベーク部 ２７　　現像部 ２８　　ハードベーク部 ２９　　払出部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　ホトリソグラフィに用いられるホトレ
    ジスト処理方法であって、所望の基板に対する前記ホト
    レジストの塗布後、当該ホトレジストをマスクとして前
    記基板を加工するまでの任意の時点において、前記ホト
    レジストが塗布された前記基板を待機させるとき、前記
    基板の雰囲気の温度、湿度、光および待機時間の少なく
    とも一つを所定の値に制御することを特徴とするホトレ
    ジスト処理方法。
  2. 【請求項２】　　前記基板に対する前記ホトレジストの
    塗布後、当該ホトレジストをマスクとして前記基板を加
    工するまでの間に、前記基板に塗布された前記ホトレジ
    ストを所望の温度に加熱する第１ベーク処理と、前記第
    １ベーク処理が施された前記ホトレジストを所望のパタ
    ーンに感光させる露光処理と、露光された前記ホトレジ
    ストを所望の温度に加熱する第２ベーク処理と、現像処
    理と、現像後の前記ホトレジストを所望の温度に加熱す
    る第３ベーク処理とを順に行うことを特徴とする請求項
    １記載のホトレジスト処理方法。
  3. 【請求項３】　　所望の基板にホトレジストを塗布する
    塗布部と、前記基板に塗布された前記ホトレジストを所
    望のパターンに感光させる露光部と、露光された前記ホ
    トレジストを現像する現像部とを備えたホトレジスト処
    理装置であって、前記露光部の前段または後段および前
    記現像部の前段または後段の少なくとも一つに、内部の
    温度、湿度、光および待機時間の少なくとも一つを所定
    の値に制御する制御手段を有する基板保管装置を設け、
    前記基板を前記基板保管装置の中に待機させてなること
    を特徴とするホトレジスト処理装置。
  4. 【請求項４】　　前記塗布部と前記露光部との間には、
    前記基板に塗布された前記ホトレジストを所望の温度に
    加熱する第１ベーク処理部が設けられ、前記露光部と前
    記現像部との間には、露光後の前記ホトレジストを所定
    の温度に加熱する第２ベーク処理部が設けられ、前記現
    像部の後段には、現像後の前記ホトレジストを所望の温
    度に加熱する第３ベーク処理部が設けられ、前記基板保
    管装置は、前記第１ベーク処理部と前記露光部との間、
    および前記露光部と前記第２ベーク部との間に配置され
    てなることを特徴とする請求項４記載のホトレジスト処
    理装置。
  5. 【請求項５】　　ホトレジストが塗布された基板を収容
    する基板保管装置であって、内部の温度、湿度、光およ
    び前記基板の待機時間の少なくとも一つを所定の値に制
    御する制御手段を有することを特徴とする基板保管装置
    。
JP9655391A 1991-04-26 1991-04-26 ホトレジスト処理方法および装置ならびに基板保管装置 Pending JPH04326509A (ja)

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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11145246A (ja) * 1997-11-14 1999-05-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2003100621A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
KR100432880B1 (ko) * 2001-07-18 2004-05-24 삼성전자주식회사 반도체 제조 공정에서 사용되는 스피너 시스템
JP2007305834A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Disco Abrasive Syst Ltd 露光装置
JP2008016579A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Orion Mach Co Ltd 板状ワークの温度調整装置及びその始動開始方法
SG145526A1 (en) * 2000-02-01 2008-09-29 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2010186812A (ja) * 2009-02-10 2010-08-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JPWO2019159736A1 (ja) * 2018-02-16 2021-01-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2022188287A (ja) * 2019-01-22 2022-12-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法、及び記憶媒体

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11145246A (ja) * 1997-11-14 1999-05-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
SG145526A1 (en) * 2000-02-01 2008-09-29 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100432880B1 (ko) * 2001-07-18 2004-05-24 삼성전자주식회사 반도체 제조 공정에서 사용되는 스피너 시스템
JP2003100621A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2007305834A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Disco Abrasive Syst Ltd 露光装置
JP2008016579A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Orion Mach Co Ltd 板状ワークの温度調整装置及びその始動開始方法
JP2010186812A (ja) * 2009-02-10 2010-08-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JPWO2019159736A1 (ja) * 2018-02-16 2021-01-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2022188287A (ja) * 2019-01-22 2022-12-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法、及び記憶媒体

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