JP2015149385A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウェーハの表面に保護膜層30を形成する保護膜層形成ステップと、分割予定ラインに沿って保護膜層30に溝35を形成することによりデバイス13を保護するとともに分割予定ラインを露出させるマスクを形成するマスク形成ステップと、マスク形成ステップを実施した後、ウェーハ10の表面にエッチングを施すエッチングステップとを備え、保護膜層形成ステップでは、ウェーハ10の表面を水溶性保護膜33で被覆した後、エッチングに対する耐性を有する耐エッチング保護膜層34を形成する。ウェーハ10の表面の微小凹凸に耐エッチング保護膜が入り込むのを防ぎ、水溶性保護膜33は、水洗いによって容易に除去することができるため、有機溶剤を使用せずに、保護膜を残存させることなく完全に除去することができる。
【選択図】図5
Description
前記エッチングステップを実施した後、前記耐エッチング保護膜層を除去し、その後、前記水溶性保護膜を除去する保護膜層除去ステップを更に備えることが好ましい。
保護膜層形成ステップは、ウェーハ10の表面11aに保護膜層を形成するステップであり、ウェーハ10の表面11aを水溶性保護膜で被覆する水溶性保護膜被覆ステップと、ウェーハ10の表面11aを被覆した水溶性保護膜の上から耐エッチング保護膜で更に被覆する耐エッチング保護膜被覆ステップとから構成される。すなわち、保護膜層形成ステップでは、水溶性保護膜と耐エッチング保護膜との2層からなる保護膜層を形成する。水溶性保護膜被覆ステップ及び耐エッチング保護膜被覆ステップには、例えば図2及び図3に示すスピンコート装置20を使用することができる。
図2に示すように、スピンコート装置20は、ウェーハ10を保持する保持テーブル21と、回転軸29を中心として保持テーブル21を回転させるモータ22と、保持テーブル21に保持されたウェーハ10の中央部に水溶性樹脂31を滴下する滴下部23と、フレーム17を固定する固定部25とを備えている。
図3に示すように、スピンコート装置20は、更に、保持テーブル21に保持されたウェーハ10の中央に耐エッチング樹脂32を滴下する滴下部24を備えている。耐エッチング樹脂32は、例えばレジストなど、後述するエッチングステップで行うエッチングに対する耐性を有する樹脂である。
保護膜層形成ステップを実施した後、ウェーハ10の表面11aに形成された保護膜層30に、図1に示した分割予定ライン12に沿って溝を形成する。マスク形成ステップでは、図5に示す切削手段40を用いる。この切削手段40は、水平方向の回転軸49を中心として切削ブレード41を回転させる構成となっており、ウェーハ10の分割予定ライン12(図1参照)に沿って、水溶性保護膜33と耐エッチング保護膜34とからなる保護膜層30に切削ブレード41を切り込ませることにより、保護膜層30に溝35を形成する。このとき、切削により保護膜層30を完全に切断してウェーハ10の分割予定ライン12を露出させてもよいし、保護膜層30を完全には切断せず、切り残すようにしてもよい。切削では保護膜層30を完全には切断しない構成の場合は、例えば酸素プラズマなど、耐エッチング保護膜34を除去できる方法により、切り残した保護膜層30を除去してウェーハ10の分割予定ライン12を露出させる。
マスク形成ステップを実施した後、保護膜層30が形成されたウェーハ10の表面11a側からエッチングを施すことにより、溝35によって分断された保護膜層30をマスクとして、ウェーハ10をエッチングする。例えば、特許文献2に記載のプラズマエッチング装置を用いて、ウェーハ10をプラズマエッチングする。エッチングガスは、ウェーハ10の基板の材質に応じて適宜選択される。例えば、ウェーハ10の基板がシリコンの場合は、SF6、NF3、XeF2などを用いる。例えば、条件Aとして、SF6ガスを1分間につき1500cc供給し、プラズマ発生部に3000Wの高周波電力を印加し、基板側に300Wの高周波電力を印加する。条件Bとして、C4F8ガスを1分間につき1000cc供給し、プラズマ発生部に3000Wの高周波電力を印加し、基板側に0Wの高周波電力を印加する。処理圧力を10Paとし、条件Aの下でのエッチングを0.6秒間、条件Bの下でのエッチングを0.4秒間、交互に繰り返してシリコン基板をエッチングする。条件Aのときにシリコンが高速にエッチングされ、条件Bのときに保護膜が形成されるため、高いアスペクト比でシリコンを高速にエッチングすることができる。これを4分間続けると、シリコン基板を100μmエッチングすることができる。
エッチングステップを実施した後、保護膜層除去ステップでは、保護膜層30を除去する。保護膜層除去ステップは、耐エッチング保護膜34を除去する耐エッチング保護膜除去ステップと、水溶性保護膜33を除去する水溶性保護膜除去ステップとから構成される。
耐エッチング保護膜除去ステップでは、例えば、図7に示す噴射装置50を使用する。噴射装置50は、流体71を噴射して、ウェーハ10に対して表面11a側から流体71を吹き付けることにより、耐エッチング保護膜34を剥離して除去する。流体71は、例えば純水の水蒸気と窒素とを混合した混合気体、あるいは、ドライアイス粒と高圧エアーとの混合気体などである。
耐エッチング保護膜除去ステップの後に行う水溶性保護膜除去ステップでは、例えば図8に示す洗浄装置60を用いる。洗浄装置60は、ウェーハ10を保持する保持テーブル61と、回転軸69を中心として保持テーブル61を回転させるモータ62と、保持テーブル21に保持されたウェーハ10に対して純水などの洗浄液72を吹き付けるノズル63と、フレーム17を固定する固定部64とを備えている。ノズル63は、ウェーハ10に対する洗浄液72を吹き付け位置を変えられるよう、揺動可能に構成されている。
薄化ステップでは、例えば図9に示す研削装置80を使用し、ウェーハ10の裏面11bを研削する。研削装置80は、ウェーハ10を保持する保持テーブル81と、研削ホイール84が装着される研削手段83とを備えている。研削ホイール84の下面には、複数の研削砥石85が固着されている。保持テーブル81は、回転軸88を中心として回転し、研削手段83は、回転軸89を中心として研削ホイール84を回転させる。
11a:表面 12:分割予定ライン 13:デバイス 11b:裏面
15:溝 16:テープ 17:フレーム 18:保護テープ
20:スピンコート装置 21:保持テーブル 22:モータ 23,24:滴下部
25:固定部 29:回転軸
30:保護膜層 31:水溶性樹脂 32:耐エッチング樹脂 33:水溶性保護膜
34:耐エッチング保護膜 35:溝
40:切削手段 41:切削ブレード 49:回転軸
50:噴射装置
60:洗浄装置 61:保持テーブル 62:モータ 63:ノズル 64:固定部
69:回転軸
71:流体 72:洗浄液
80:研削装置 81:保持テーブル 83:研削手段
84:研削ホイール 85:研削砥石 88,89:回転軸、
Claims (2)
- 交差する分割予定ラインによって区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハを加工する加工方法であって、
ウェーハの表面に保護膜層を形成する保護膜層形成ステップと、
該保護膜層形成ステップを実施した後、該分割予定ラインに沿って該保護膜層に溝を形成することにより、該デバイスを保護するとともに該分割予定ラインを露出させるマスクを形成するマスク形成ステップと、
該マスク形成ステップを実施した後、ウェーハの表面にエッチングを施すエッチングステップと、を備え、
該保護膜層形成ステップは、ウェーハの表面を水溶性保護膜で被覆した後、該エッチングステップにおけるエッチングに対する耐性を有する耐エッチング保護膜層を形成する、
ウェーハの加工方法。 - 前記エッチングステップを実施した後、
前記耐エッチング保護膜層を除去し、その後、前記水溶性保護膜を除去する保護膜層除去ステップを更に備える、
請求項1に記載のウェーハの加工方法。
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