JP2018156973A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

ウェーハの加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018156973A
JP2018156973A JP2017050064A JP2017050064A JP2018156973A JP 2018156973 A JP2018156973 A JP 2018156973A JP 2017050064 A JP2017050064 A JP 2017050064A JP 2017050064 A JP2017050064 A JP 2017050064A JP 2018156973 A JP2018156973 A JP 2018156973A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
processing
vacuum chamber
cutting
processing method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017050064A
Other languages
English (en)
Inventor
義雄 渡邊
Yoshio Watanabe
義雄 渡邊
シリー ミラン
Silley Millan
シリー ミラン
健志 岡崎
Kenji Okazaki
健志 岡崎
宏行 高橋
Hiroyuki Takahashi
宏行 高橋
吉輝 西田
Yoshiteru Nishida
吉輝 西田
哲 熊澤
Satoru Kumazawa
哲 熊澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2017050064A priority Critical patent/JP2018156973A/ja
Priority to TW107105919A priority patent/TWI732999B/zh
Priority to KR1020180026799A priority patent/KR20180105571A/ko
Priority to CN201810208636.3A priority patent/CN108630602A/zh
Priority to DE102018203879.1A priority patent/DE102018203879A1/de
Priority to US15/922,086 priority patent/US10177004B2/en
Publication of JP2018156973A publication Critical patent/JP2018156973A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/0234—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
    • H01L21/2236—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase from or into a plasma phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32577—Electrical connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape

Abstract

【課題】ウェーハの一方の面側でエッチングを過度に進行させることなく、ウェーハの一方の面から離れた位置にある加工歪やデブリ、改質層等を除去できるウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】ウェーハの加工方法であって、ウェーハにプラズマ状態のエッチングガスを供給し、加工歪、デブリ、又は改質層を除去するプラズマエッチング工程を含み、プラズマエッチング工程では、ウェーハが収容される真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたエッチングガスを、真空チャンバーに接続された供給ノズルを通じて真空チャンバーの内部に供給する。【選択図】図５

Description

本発明は、プラズマ状態のガスを用いるウェーハの加工方法に関する。
携帯電話機やパーソナルコンピュータに代表される電子機器では、電子回路等のデバイスを備えるデバイスチップが必須の構成要素になっている。デバイスチップは、例えば、シリコン等の半導体材料でなるウェーハの表面を複数の分割予定ライン（ストリート）で区画し、各領域にデバイスを形成した後、この分割予定ラインに沿ってウェーハを分割することで製造できる。
近年では、デバイスチップの小型化、軽量化等を目的として、デバイスを形成した後のウェーハを研削等の方法で薄く加工する機会が増えている。しかしながら、ウェーハを研削によって薄くすると、この研削による歪（加工歪）が被研削面に残存し、デバイスチップの抗折強度は低下してしまう。そこで、ウェーハを研削した後には、プラズマ状態のガスを用いるプラズマエッチング等の方法で加工歪を除去することがある（例えば、特許文献１参照）。
上述した加工歪の除去に用いられるプラズマエッチング装置は、通常、互いに平行な一対の平板状電極が内部に配置された真空チャンバーを備えている。例えば、電極間にウェーハを配置した状態で真空チャンバー内を減圧し、エッチング用のガスを供給しながら電極に高周波電圧を加えることで、このガスをプラズマ状態にできる。プラズマ状態のガスをウェーハの被研削面に作用させることで、加工歪は除去される。
特開２０００−３５３６７６号公報
ところで、上述のようなプラズマエッチングは、研削以外の加工方法でウェーハに発生する加工歪等の除去にも有効と考えられる。具体的には、例えば、砥粒を含む切削ブレードや吸収性のレーザービームを用いる加工の際にウェーハに発生する加工歪又はデブリ（加工屑）の除去、透過性のレーザービームをウェーハに集光して形成される改質層の除去等が想定される。
しかしながら、一対の平板状電極を用いてガスをプラズマ状態にする従来の方法では、ガスに曝され易いウェーハの一方の面側で主にエッチングが進行する。そのため、この方法では、ウェーハの一方の面側でエッチングを過度に進行させることなく、一方の面から離れた位置（深い位置）にある加工歪やデブリ、改質層等を除去するのが難しかった。すなわち、この方法では、加工によって形成される溝の内側等に存在する加工歪やデブリ、改質層等を適切に除去できなかった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウェーハの一方の面側でエッチングを過度に進行させることなく、ウェーハの一方の面から離れた位置にある加工歪やデブリ、改質層等を除去できるウェーハの加工方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、該ウェーハの表面に保護膜を被覆する保護膜被覆工程と、該ウェーハの該分割予定ラインに沿って該ウェーハの表面側から加工溝を形成する加工溝形成工程と、該ウェーハの表面側からプラズマ状態のエッチングガスを供給し、該加工溝に残存する加工歪又はデブリを除去するプラズマエッチング工程と、該ウェーハから保護膜を除去する保護膜除去工程と、を備え、該プラズマエッチング工程では、該ウェーハが収容される真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたエッチングガスを、該真空チャンバーに接続された供給ノズルを通じて該真空チャンバーの内部に供給するウェーハの加工方法が提供される。
上述した本発明の一態様において、前記加工溝形成工程では、前記ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射して前記加工溝を形成しても良い。また、前記加工溝形成工程では、前記ウェーハに対して切削ブレードを切り込ませることによって前記加工溝を形成しても良い。
本発明の別の一態様によれば、格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、該ウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って切削ブレードを切り込ませ、表面に達しない深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、該ウェーハの裏面側から該切削溝の底にレーザービームを照射して、該ウェーハを個々のデバイスに対応するデバイスチップへと分割する分割工程と、該ウェーハの裏面側からプラズマ状態のエッチングガスを供給し、該デバイスチップに残存する加工歪又はデブリを除去するプラズマエッチング工程と、を備え、該プラズマエッチング工程では、該ウェーハが収容される真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたエッチングガスを、該真空チャンバーに接続された供給ノズルを通じて該真空チャンバーの内部に供給するウェーハの加工方法が提供される。
本発明の更に別の一態様によれば、格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、該ウェーハの該分割予定ラインに沿って該ウェーハの裏面側から該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを該ウェーハの内部に集光点を位置付けながら照射し、該ウェーハの内部に改質層を形成するとともに該改質層から該ウェーハの表面又は裏面に向けてクラックを発生させて該ウェーハを個々のデバイスに対応するデバイスチップへと分割する分割工程と、該ウェーハの裏面側からプラズマ状態のエッチングガスを供給し、該デバイスチップに残存する改質層を除去するプラズマエッチング工程と、を備え、該プラズマエッチング工程では、該ウェーハが収容される真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたエッチングガスを、該真空チャンバーに接続された供給ノズルを通じて該真空チャンバーの内部に供給するウェーハの加工方法が提供される。
本発明の更に別の一態様によれば、格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、該ウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って切削ブレードを切り込ませ、該ウェーハを個々のデバイスに対応するデバイスチップへと分割する分割工程と、該ウェーハの裏面側からプラズマ状態のエッチングガスを供給し、該デバイスチップに残存する加工歪又はデブリを除去するプラズマエッチング工程と、を備え、該プラズマエッチング工程では、該ウェーハが収容される真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたエッチングガスを、該真空チャンバーに接続された供給ノズルを通じて該真空チャンバーの内部に供給するウェーハの加工方法が提供される。
本発明に係るウェーハの加工方法では、プラズマ状態のエッチングガスをウェーハに供給するプラズマエッチング工程において、ウェーハが収容される真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたエッチングガスを真空チャンバーの内部に供給するので、ウェーハの一方の面側でエッチングを過度に進行させることなく、ウェーハの一方の面から離れた位置にある加工歪やデブリ、改質層等を除去できる。
プラズマ状態のエッチングガス中でラジカルよりもイオンが優勢の場合には、ガスに曝され易いウェーハの一方の面側で主にイオンの作用によってエッチングが進行する。そのため、この場合には、ウェーハの一方の面側でエッチングを過度に進行させることなく、この一方の面から離れた位置（深い位置）にある加工歪やデブリ、改質層等を除去するのが難しい。
これに対して、本発明では、真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたエッチングガスを真空チャンバーの内部に供給するので、真空チャンバーの内部では、イオンよりもラジカルが優勢になっていると推察される。よって、ガスに曝され易いウェーハの一方の面側でイオンに起因するエッチングの進行が抑制され、ウェーハの一方の面側でエッチングを過度に進行させることなく、ウェーハの一方の面から離れた位置にある加工歪やデブリ、改質層等を除去できる。
ウェーハ等の構成例を模式的に示す斜視図である。 図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、実施形態１の保護膜被覆工程について説明するための一部断面側面図である。 実施形態１の加工溝形成工程について説明するための一部断面側面図である。 プラズマエッチング装置の構成例を模式的に示す図である。 実施形態１のプラズマエッチング工程について説明するための一部断面側面図である。 変形例に係る加工溝形成工程について説明するための一部断面側面図である。 ウェーハ等の構成例を模式的に示す斜視図である。 実施形態２の切削溝形成工程について説明するための一部断面側面図である。 実施形態２の分割工程について説明するための一部断面側面図である。 実施形態２のプラズマエッチング工程について説明するための一部断面側面図である。 図１１（Ａ）は、実施形態３の分割工程について説明するための一部断面側面図であり、図１１（Ｂ）は、実施形態３の分割工程について説明するための断面図である。 実施形態３のプラズマエッチング工程について説明するための一部断面側面図である。 実施形態４の分割工程について説明するための一部断面側面図である。 実施形態４のプラズマエッチング工程について説明するための一部断面側面図である。
添付図面を参照して、本発明の各実施形態について説明する。
（実施形態１）
本実施形態では、ウェーハの表面に保護膜を被覆してから溝（加工溝）を形成するウェーハの加工方法について説明する。図１は、本実施形態で加工されるウェーハ１１等の構成例を模式的に示す斜視図である。
図１に示すように、ウェーハ１１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）や炭化珪素（ＳｉＣ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）等の材料で円盤状に形成されている。このウェーハ１１の表面１１ａ側は、格子状に設定された分割予定ライン（ストリート）１３で複数の領域に区画されており、各領域には、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等のデバイス１５が形成されている。
なお、本実施形態では、シリコンや炭化珪素、サファイア等の材料でなる円盤状のウェーハ１１を用いているが、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなるウェーハ１１を用いることもできる。同様に、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。
このウェーハ１１の裏面１１ｂ側には、ウェーハ１１よりも径の大きいダイシングテープ１７が貼付されている。ダイシングテープ１７の外周部分は、環状のフレーム１９に固定されている。すなわち、ウェーハ１１は、ダイシングテープ１７を介してフレーム１９に支持されている。
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、まず、このウェーハ１１の表面１１ａ側に保護膜を被覆する保護膜被覆工程を行う。図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、保護膜被覆工程について説明するための一部断面側面図である。本実施形態の保護膜被覆工程は、例えば、図２（Ａ）に示すスピンコーター２を用いて行われる。
スピンコーター２は、ウェーハ１１を保持するためのスピンナテーブル（保持テーブル）４を備えている。スピンナテーブル４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。スピンナテーブル４の上面の一部は、ウェーハ１１を吸引、保持するための保持面になっている。
この保持面は、スピンナテーブル４の内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）に接続されている。スピンナテーブル４の上方には、保護膜の原料である液状樹脂２１を滴下するためのノズル６が配置されている。また、スピンナテーブル４の周囲には、環状のフレーム１９を固定するための複数のクランプ（不図示）が設けられている。
保護膜被覆工程では、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に貼付されているダイシングテープ１７をスピンナテーブル４の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、クランプでフレーム１９を固定する。これにより、ウェーハ１１は、表面１１ａ側が上方に露出した状態で保持される。
続いて、図２（Ａ）に示すように、ノズル６から液状樹脂２１を滴下するとともに、スピンナテーブル４を回転させて、ウェーハ１１の表面１１ａ側に液状樹脂２１を塗布する。その後、表面１１ａ側に塗布された液状樹脂２１を乾燥、硬化等させることで、図２（Ｂ）に示すような保護膜２３が完成する。
保護膜被覆工程の後には、分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１の表面１１ａ側に加工溝を形成する加工溝形成工程を行う。図３は、本実施形態に係る加工溝形成工程について説明するための一部断面側面図である。本実施形態の加工溝形成工程は、例えば、図３に示すレーザー加工装置１２を用いて行われる。
レーザー加工装置１２は、ウェーハ１１を保持するためのチャックテーブル（保持テーブル）１４を備えている。チャックテーブル１４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル１４の下方には、テーブル移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル１４は、このテーブル移動機構によって加工送り方向（第１水平方向）及び割り出し送り方向（第２水平方向）に移動する。
チャックテーブル１４の上面の一部は、ウェーハ１１を吸引、保持するための保持面になっている。この保持面は、チャックテーブル１４の内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）に接続されている。チャックテーブル１４の周囲には、環状のフレーム１９を固定するための複数のクランプ（不図示）が設けられている。
また、チャックテーブル１４の上方には、レーザー照射ユニット１６が配置されている。レーザー照射ユニット１６は、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザービーム２５を所定の位置に照射、集光する。レーザー発振器は、例えば、ウェーハ１１に吸収される波長（ウェーハ１１に対して吸収性を有する波長、吸収され易い波長）のレーザービーム２５をパルス発振できるように構成されている。
加工溝形成工程では、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に貼付されているダイシングテープ１７をチャックテーブル１４の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、クランプでフレーム１９を固定する。これにより、ウェーハ１１は、表面１１ａ側を被覆する保護膜２３が上方に露出した状態で保持される。
次に、チャックテーブル１４を回転させて、対象となる分割予定ライン１３の伸長する方向をレーザー加工装置１２の加工送り方向に合わせる。また、チャックテーブル１４を移動させて、例えば、対象となる分割予定ライン１３の延長線上にレーザー照射ユニット１６の位置を合わせる。
そして、図３に示すように、レーザー照射ユニット１６からウェーハ１１の表面１１ａ側に向けてレーザービーム２５を照射しながら、チャックテーブル１４を加工送り方向に移動させる。ここでは、例えば、ウェーハ１１の表面１１ａにレーザービーム２５を集光させる。また、レーザービーム２５の照射条件（パワー、スポット径、繰り返し周波数等）は、ウェーハ１１を切断しない範囲で調整される。
これにより、対象の分割予定ライン１３に沿ってレーザービーム２５を照射し、ウェーハ１１を切断しない深さの加工溝２７を形成できる。上述の動作を繰り返し、例えば、全ての分割予定ライン１３に沿って加工溝２７が形成されると、加工溝形成工程は終了する。なお、この加工溝形成工程において、加工溝２７及びその近傍には、デブリ（加工屑）２９や加工歪（不図示）が発生する。
加工溝形成工程の後には、加工溝２７及びその近傍に残存するデブリ２９や加工歪を除去するプラズマエッチング工程を行う。図４は、本実施形態のプラズマエッチング工程で使用されるプラズマエッチング装置２２の構成例を模式的に示す図である。このプラズマエッチング装置２２は、内部に処理空間を有する真空チャンバー２４を備えている。真空チャンバー２４の側壁２４ａの一部には、ウェーハ１１を搬入、搬出するための開口２４ｂが設けられている。
側壁２４ａの外側には、開口２４ｂを閉じるためのゲート２６が配置されている。ゲート２６の下方には、エアシリンダ等でなる開閉ユニット２８が設けられており、ゲート２６は、この開閉ユニット２８で上下に移動する。開閉ユニット２８でゲート２６を下方に移動させ、開口２４ｂを露出させれば、この開口２４ｂを通じてウェーハ１１を処理空間に搬入し、又はウェーハ１１を処理空間から搬出できる。
真空チャンバー２４の底壁２４ｃには、配管３０等を介して排気ポンプ３２が接続されている。ウェーハ１１を加工する際には、開閉ユニット２８でゲート２６を上方に移動させて開口２４ｂを閉じ、その後、排気ポンプ３２で処理空間を排気、減圧する。
処理空間には、ウェーハ１１等を支持するためのテーブルベース３４が設けられている。テーブルベース３４は、円盤状の円盤部３６と、円盤部３６の下面中央から下方に伸びる柱状の柱部３８とで構成される。
円盤部３６の上面には、円盤部３６よりも径の小さい円盤状の静電チャックテーブル４０が配置されている。静電チャックテーブル４０は、絶縁材料によって形成されたテーブル本体４２と、テーブル本体４２に埋め込まれた複数の電極４４とを備え、例えば、電極４４間に発生する静電気の力によってウェーハ１１を吸着、保持する。各電極４４は、例えば、５ｋＶ程度の高電圧を発生可能なＤＣ電源４６に接続されている。
また、静電チャックテーブル４０のテーブル本体４２には、ウェーハ１１を吸引するための吸引路４２ａが形成されている。この吸引路４２ａは、テーブルベース３４の内部に形成された吸引路３４ａ等を通じて吸引ポンプ４８に接続されている。
静電チャックテーブル４０でウェーハ１１を保持する際には、まず、静電チャックテーブル４０の上面にウェーハ１１を載せて吸引ポンプ４８を作動させる。これにより、ウェーハ１１は、吸引ポンプ４８の吸引力によって静電チャックテーブル４０の上面に密着する。この状態で、例えば、電極４４間に電位差を生じさせれば、静電気の力によってウェーハ１１を吸着、保持できる。
また、テーブルベース３４の内部には、冷却流路３４ｂが形成されている。冷却流路３４ｂの両端は、冷媒を循環させる循環ユニット５０に接続されている。循環ユニット５０を作動させると、冷媒は、冷却流路３４ｂの一端から他端に向かって流れ、テーブルベース３４等が冷却される。
真空チャンバー２４の上壁２４ｄには、静電チャックテーブル４０によって保持されるウェーハ１１に対してプラズマ状態のエッチングガスを供給する供給ノズル５２の下流側が接続されている。一方で、供給ノズル５２の上流側には、複数のガス供給源が並列に接続される。
供給ノズル５２の上流側には、例えば、バルブ５４ａ、流量コントローラー５６ａ、バルブ５８ａ等を介して、ＳＦ６を供給する第１ガス供給源６０ａが接続され、バルブ５４ｂ、流量コントローラー５６ｂ、バルブ５８ｂ等を介して、Ｏ２を供給する第２ガス供給源６０ｂが接続され、バルブ５４ｃ、流量コントローラー５６ｃ、バルブ５８ｃ等を介して、不活性ガスを供給する第３ガス供給源６０ｃが接続される。
これにより、異なる複数のガスが所望の流量比で混合された混合ガス（エッチングガス）を供給ノズル５２に供給できる。供給ノズル５２の中流部には、供給ノズル５２を流れる混合ガスに高周波電圧を加えるための電極（高周波電圧印加ユニット）６２が設けられている。電極６２には、高周波電源（高周波電圧印加ユニット）６４が接続されている。高周波電源６４は、電極６２に対して、例えば、０．５ｋＶ〜５ｋＶ、４５０ｋＨｚ〜２．４５ＧＨｚ程度の高周波電圧を供給する。
電極６２及び高周波電源６４を用いて、供給ノズル５２を流れる混合ガスに高周波電圧を作用させることで、この混合ガスを、イオンやラジカルが存在するプラズマ状態に変化させることができる。プラズマ状態の混合ガスは、供給ノズル５２の下流端に形成された供給口５２ａから処理空間に供給される。なお、ガス供給源の数や、各ガス供給源から供給されるガスの種類は、ウェーハ１１の種類等に応じて任意に変更できる。また、各ガスの流量比は、混合ガスをプラズマ状態にできる範囲内で適切に設定される。
供給口５２ａに対応する上壁２４ｄの内側（すなわち、真空チャンバー２４の供給ノズル５２が接続する部分）には、分散部材６６が取り付けられている。この分散部材６６により、供給ノズル５２から真空チャンバー２４の処理空間に流れ込むプラズマ状態の混合ガスは、静電チャックテーブル４０の上方で分散される。
側壁２４ａの別の一部には、配管６８が設けられている。この配管６８は、例えば、バルブ（不図示）、流量コントローラー（不図示）等を介して、第３ガス供給源６０ｃに接続されている。配管６８を通じて第３ガス供給源６０ｃから供給される不活性ガスは、真空チャンバー２４の処理空間を満たすインナーガスとなる。
プラズマエッチング工程では、まず、開閉ユニット２８でゲート２６を下降させる。次に、開口２４ｂを通じてウェーハ１１を真空チャンバー２４の処理空間に搬入し、表面１１ａ側を被覆する保護膜２３が上方に露出するようにウェーハ１１を静電チャックテーブル４０の上面に載せる。
すなわち、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に貼付されているダイシングテープ１７を静電チャックテーブル４０の上面に接触させる。なお、フレーム１９は、ダイシングテープ１７の外周部分に固定されたままで構わない。もちろん、必要に応じてフレーム１９を除去することもできる。
その後、吸引ポンプ４８を作動させて、ウェーハ１１（ダイシングテープ１７）を静電チャックテーブル４０に密着させる。そして、電極４４間に電位差を生じさせて、ウェーハ１１を静電気の力で吸着、保持する。また、開閉ユニット２８でゲート２６を上昇させて開口２４ｂを閉じ、排気ポンプ３２で処理空間を排気、減圧する。
例えば、処理空間を２００Ｐａ程度まで減圧した後には、配管６８を通じて第３ガス供給源６０ｃから供給される不活性ガスで処理空間内を満たす。なお、処理空間内を満たすインナーガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ等の希ガスや、希ガスにＮ２、Ｈ２等を混合した混合ガス等を用いることができる。
不活性ガスで処理空間内を満たした後には、第１ガス供給源６０ａ、第２ガス供給源６０ｂ、第３ガス供給源６０ｃから、それぞれ、ＳＦ６、Ｏ２、不活性ガスを任意の流量で供給する。また、高周波電源６４から電極６２に高周波電圧を供給して、ＳＦ６、Ｏ２、不活性ガスの混合ガスを、イオンやラジカルを含むプラズマ状態にする。
これにより、供給ノズル５２の供給口５２ａからプラズマ状態の混合ガスを処理空間に供給できる。供給口５２ａから供給されたプラズマ状態の混合ガスは、供給口５２ａの下方に設けられた分散部材６６で分散され、静電チャックテーブル４０に吸着、保持されたウェーハ１１の表面１１ａ側に供給される。
図５は、プラズマエッチング工程でプラズマ状態の混合ガス（エッチングガス）３１がウェーハ１１の表面１１ａ側に供給される様子を説明するための一部断面側面図である。本実施形態では、真空チャンバー２４の外部でプラズマ状態に変化させた混合ガス３１を、供給ノズル５２を通じて真空チャンバー２４の内部に供給するので、反応性が高いイオンの多くは、真空チャンバー２４の内部へと供給される前に失われ、真空チャンバー２４の内部（処理空間）では、イオンよりもラジカルが優勢になると推察される。
これにより、ウェーハ１１の表面１１ａ側でイオンによるエッチングの進行が抑制され、図５に示すように、ウェーハ１１の表面１１ａ側（一方の面側）でエッチングを過度に進行させることなく、加工溝２７及びその近傍のデブリ２９や加工歪を適切に除去できる。
プラズマエッチング工程の後には、ウェーハ１１の表面１１ａから保護膜２３を除去する保護膜除去工程を行う。この保護膜除去工程では、例えば、水による溶解、剥離、アッシング等の方法で保護膜２３を除去する。ただし、保護膜２３の除去方法に特段の制限はない。
以上のように、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、プラズマ状態の混合ガス（エッチングガス）３１をウェーハ１１に供給するプラズマエッチング工程において、ウェーハ１１が収容される真空チャンバー２４の外部でプラズマ状態に変化させた混合ガスを真空チャンバー２４の内部に供給するので、ウェーハ１１の表面１１ａ側（一方の面側）でエッチングを過度に進行させることなく、ウェーハ１１の表面１１ａから離れた位置にある加工歪やデブリ２９等を除去できる。
なお、本実施形態の加工溝形成工程では、ウェーハ１１の表面１１ａ側にレーザービーム２５を照射して加工溝２７を形成しているが、他の方法で加工溝を形成することもできる。図６は、変形例に係る加工溝形成工程について説明するための一部断面側面図である。変形例に係る加工溝形成工程は、例えば、図６に示す切削装置７２を用いて行われる。
切削装置７２は、ウェーハ１１を保持するためのチャックテーブル（保持テーブル）７４を備えている。チャックテーブル７４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル７４の下方には、テーブル移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル７４は、このテーブル移動機構によって加工送り方向（第１水平方向）に移動する。
チャックテーブル７４の上面の一部は、ウェーハ１１を吸引、保持するための保持面になっている。この保持面は、チャックテーブル７４の内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）に接続されている。チャックテーブル７４の周囲には、環状のフレーム１９を固定するための複数のクランプ（不図示）が設けられている。
また、チャックテーブル７４の上方には、切削ユニット７６が配置されている。切削ユニット７６は、加工送り方向に対して概ね垂直な回転軸となるスピンドル７８を備えている。スピンドル７８の一端側には、結合材に砥粒が分散されてなる環状の切削ブレード８０が装着されている。切削ブレード８０の近傍には、ウェーハ１１や切削ブレード８０に対して切削液を供給するためのノズル（不図示）が配置されている。
スピンドル７８の他端側には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、スピンドルの一端側に装着された切削ブレード８０は、この回転駆動源から伝わる力によって回転する。切削ユニット７６は、切削ユニット移動機構（不図示）に支持されている。切削ユニット７６は、この切削ユニット移動機構によって、割り出し送り方向（第２水平方向）及び鉛直方向に移動する。
変形例に係る加工溝形成工程では、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に貼付されているダイシングテープ１７をチャックテーブル７４の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、クランプでフレーム１９を固定する。これにより、ウェーハ１１は、表面１１ａ側を被覆する保護膜２３が上方に露出した状態で保持される。
次に、チャックテーブル７４を回転させて、対象となる分割予定ライン１３の伸長する方向を切削装置７２の加工送り方向に合わせる。また、チャックテーブル７４及び切削ユニット７６を相対的に移動させて、例えば、対象となる分割予定ライン１３の延長線上に切削ブレード８０の位置を合わせる。そして、切削ブレード８０の下端をウェーハ１１の表面１１ａより低く、裏面１１ｂより高い位置まで移動させる。
その後、切削ブレード８０を回転させながら、チャックテーブル７４を加工送り方向に移動させる。併せて、ノズルから、ウェーハ１１及び切削ブレード８０に対して切削液を供給する。これにより、対象の分割予定ライン１３に沿って切削ブレード８０を切り込ませ、ウェーハ１１を切断しない深さの加工溝３３を形成できる。
上述の動作を繰り返し、例えば、全ての分割予定ライン１３に沿って加工溝３３が形成されると、変形例に係る加工溝形成工程は終了する。なお、この加工溝形成工程においても、加工溝３３及びその近傍には、デブリ（加工屑）３５や加工歪（不図示）が発生する。
（実施形態２）
本実施形態では、ウェーハの裏面に切削溝を形成した後に、この切削溝の底にレーザービームを照射してウェーハを分割するウェーハの加工方法について説明する。図７は、本実施形態で加工されるウェーハ１１等の構成例を模式的に示す斜視図である。本実施形態でも、実施形態１のウェーハ１１と同じウェーハ１１が使用される。
本実施形態では、ウェーハ１１の表面１１ａ側に、ウェーハ１１よりも径の大きいダイシングテープ３７が貼付されている。ダイシングテープ３７の外周部分は、環状のフレーム３９に固定されている。すなわち、ウェーハ１１は、ダイシングテープ３７を介してフレーム３９に支持されている。
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、まず、分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１の裏面１１ｂ側に切削溝を形成する切削溝形成工程を行う。図８は、切削溝形成工程について説明するための一部断面側面図である。この切削溝形成工程は、例えば、上述した切削装置７２を用いて行われる。
切削溝形成工程では、まず、ウェーハ１１の表面１１ａ側に貼付されているダイシングテープ３７をチャックテーブル７４の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、クランプでフレーム３９を固定する。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で保持される。
次に、チャックテーブル７４を回転させて、対象となる分割予定ライン１３の伸長する方向を切削装置７２の加工送り方向に合わせる。また、チャックテーブル７４及び切削ユニット７６を相対的に移動させて、例えば、対象となる分割予定ライン１３の延長線上に切削ブレード８０の位置を合わせる。そして、切削ブレード８０の下端をウェーハ１１の裏面１１ｂより低く、表面１１ａより高い位置まで移動させる。
その後、切削ブレード８０を回転させながら、チャックテーブル７４を加工送り方向に移動させる。併せて、ノズルから、ウェーハ１１及び切削ブレード８０に対して切削液を供給する。これにより、対象の分割予定ライン１３に沿って切削ブレード８０を切り込ませ、ウェーハ１１を切断しない深さの切削溝４１を形成できる。
上述の動作を繰り返し、例えば、全ての分割予定ライン１３に沿って切削溝４１が形成されると、切削溝形成工程は終了する。なお、この切削溝形成工程において、切削溝４１及びその近傍には、デブリ（加工屑）４３や加工歪（不図示）が発生する。
切削溝形成工程の後には、切削溝４１の底にレーザービームを照射して、ウェーハ１１を個々のデバイス１５に対応するデバイスチップへと分割する分割工程を行う。図９は、分割工程について説明するための一部断面側面図である。この分割工程は、例えば、上述したレーザー加工装置１２を用いて行われる。
分割工程では、まず、ウェーハ１１の表面１１ａ側に貼付されているダイシングテープ３７をチャックテーブル１４の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、クランプでフレーム３９を固定する。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で保持される。
次に、チャックテーブル１４を回転させて、対象となる切削溝４１の伸長する方向をレーザー加工装置１２の加工送り方向に合わせる。また、チャックテーブル１４を移動させて、例えば、対象となる切削溝４１の延長線上にレーザー照射ユニット１６の位置を合わせる。
そして、図９に示すように、レーザー照射ユニット１６からウェーハ１１の裏面１１ｂ側に向けてレーザービーム４５を照射しながら、チャックテーブル１４を加工送り方向に移動させる。ここでは、例えば、対象となる切削溝４１の底にレーザービーム４５を集光させる。また、レーザービーム４５の照射条件（パワー、スポット径、繰り返し周波数等）は、切削溝４１の底部においてウェーハ１１を切断できる範囲で調整される。
これにより、切削溝４１（すなわち、分割予定ライン１３）に沿ってレーザービーム４５を照射し、ウェーハ１１を切断できる。上述の動作を繰り返し、例えば、全ての分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１が切断され、各デバイス１５に対応するデバイスチップが形成されると、分割工程は終了する。なお、この分割工程においても、切削溝４１及びその近傍には、デブリ４３や加工歪（不図示）が発生する。すなわち、各デバイスチップには、切削溝形成工程又は分割工程で発生したデブリ４３や加工歪が残存する。
分割工程の後には、各デバイスチップに残存するデブリ４３や加工歪を除去するプラズマエッチング工程を行う。図１０は、プラズマエッチング工程について説明するための一部断面側面図である。本実施形態のプラズマエッチング工程は、上述したプラズマエッチング装置２２を用いて行われる。また、具体的な手順も、実施形態１のプラズマエッチング工程と同様である。
本実施形態のプラズマエッチング工程では、まず、開閉ユニット２８でゲート２６を下降させる。次に、開口２４ｂを通じてウェーハ１１を真空チャンバー２４の処理空間に搬入し、裏面１１ｂ側が上方に露出するようにウェーハ１１を静電チャックテーブル４０の上面に載せる。
すなわち、ウェーハ１１の表面１１ａ側に貼付されているダイシングテープ３７を静電チャックテーブル４０の上面に接触させる。なお、フレーム３９は、ダイシングテープ３７の外周部分に固定されたままで構わない。もちろん、必要に応じてフレーム３９を除去することもできる。
その後、吸引ポンプ４８を作動させて、ウェーハ１１（ダイシングテープ３７）を静電チャックテーブル４０に密着させる。そして、電極４４間に電位差を生じさせて、ウェーハ１１を静電気の力で吸着、保持する。また、開閉ユニット２８でゲート２６を上昇させて開口２４ｂを閉じ、排気ポンプ３２で処理空間を排気、減圧する。
例えば、処理空間を２００Ｐａ程度まで減圧した後には、配管６８を通じて第３ガス供給源６０ｃから供給される不活性ガスで処理空間内を満たす。なお、処理空間内を満たすインナーガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ等の希ガスや、希ガスにＮ２、Ｈ２等を混合した混合ガス等を用いることができる。
不活性ガスで処理空間内を満たした後には、第１ガス供給源６０ａ、第２ガス供給源６０ｂ、第３ガス供給源６０ｃから、それぞれ、ＳＦ６、Ｏ２、不活性ガスを任意の流量で供給する。また、高周波電源６４から電極６２に高周波電圧を供給して、ＳＦ６、Ｏ２、不活性ガスの混合ガスを、イオンやラジカルを含むプラズマ状態にする。
これにより、供給ノズル５２の供給口５２ａからプラズマ状態の混合ガス（エッチングガス）４７を処理空間に供給できる。供給口５２ａから供給されたプラズマ状態の混合ガス４７は、供給口５２ａの下方に設けられた分散部材６６で分散され、静電チャックテーブル４０に吸着、保持されたウェーハ１１の裏面１１ｂ側に供給される。
本実施形態でも、真空チャンバー２４の外部でプラズマ状態に変化させた混合ガス４７を、供給ノズル５２を通じて真空チャンバー２４の内部に供給するので、反応性が高いイオンの多くは、真空チャンバー２４の内部へと供給される前に失われ、真空チャンバー２４の内部（処理空間）では、イオンよりもラジカルが優勢になると推察される。
これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側でイオンによるエッチングの進行が抑制され、図１０に示すように、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側（一方の面側）でエッチングを過度に進行させることなく、各デバイスチップに残存するデブリ４３や加工歪を適切に除去できる。
（実施形態３）
本実施形態では、分割予定ラインに沿って改質層及びクラックを形成することでウェーハを分割するウェーハの加工方法について説明する。なお、本実施形態では、実施形態２と同じ状態のウェーハ１１が使用される。すなわち、ウェーハ１１の表面１１ａ側には、ダイシングテープ３７が貼付されている。
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、まず、分割予定ライン１３に沿う改質層及びクラックを形成してウェーハ１１を分割する分割工程を行う。図１１（Ａ）は、分割工程について説明するための一部断面側面図であり、図１１（Ｂ）は、分割工程について説明するための断面図である。この分割工程は、例えば、上述したレーザー加工装置１２を用いて行われる。
ただし、本実施形態で使用されるレーザー照射ユニット１６のレーザー発振器（不図示）は、ウェーハ１１を透過する波長（ウェーハ１１に対して透過性を有する波長、吸収され難い波長）のレーザービーム４９をパルス発振できるように構成されている。つまり、本実施形態のレーザー照射ユニット１６は、ウェーハ１１を透過する波長のレーザービーム４９を所定の位置に照射、集光する。
分割工程では、まず、ウェーハ１１の表面１１ａ側に貼付されているダイシングテープ３７をチャックテーブル１４の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、クランプでフレーム３９を固定する。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で保持される。
次に、チャックテーブル１４を回転させて、対象となる分割予定ライン１３の伸長する方向をレーザー加工装置１２の加工送り方向に合わせる。また、チャックテーブル１４を移動させて、例えば、対象となる分割予定ライン１３の延長線上にレーザー照射ユニット１６の位置を合わせる。
そして、図１１（Ａ）に示すように、レーザー照射ユニット１６からウェーハ１１の裏面１１ｂ側に向けてレーザービーム４９を照射しながら、チャックテーブル１４を加工送り方向に移動させる。ここでは、例えば、ウェーハ１１の内部にレーザービーム４９を集光させる。
また、レーザービーム４９の照射条件（パワー、スポット径、繰り返し周波数等）は、ウェーハ１１の内部を多光子吸収によって改質して、改質層５１及びクラック５３を形成できる範囲で調整される。これにより、分割予定ライン１３に沿ってレーザービーム４９を照射してウェーハ１１の内部に改質層５１を形成するとともに、図１１（Ｂ）に示すように、改質層５１から表面１１ａ又は裏面１１ｂに向かうクラック５３を発生させてウェーハ１１を分割できる。
上述の動作を繰り返し、例えば、全ての分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１が分割され、各デバイス１５に対応するデバイスチップが形成されると、分割工程は終了する。なお、分割の起点となった改質層５１は、各デバイスチップの側面に残存することになる。
分割工程の後には、各デバイスチップに残存する改質層５１を除去するプラズマエッチング工程を行う。図１２は、プラズマエッチング工程について説明するための一部断面側面図である。本実施形態のプラズマエッチング工程は、上述したプラズマエッチング装置２２を用いて行われる。また、具体的な手順も、実施形態２のプラズマエッチング工程と同じである。
本実施形態のプラズマエッチング工程でも、真空チャンバー２４の外部でプラズマ状態に変化させた混合ガス（エッチングガス）５５を、供給ノズル５２を通じて真空チャンバー２４の内部に供給する。よって、反応性が高いイオンの多くは、真空チャンバー２４の内部へと供給される前に失われ、真空チャンバー２４の内部（処理空間）では、イオンよりもラジカルが優勢になると推察される。
これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側でイオンによるエッチングの進行が抑制されるので、図１２に示すように、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側（一方の面側）でエッチングを過度に進行させることなく、各デバイスチップに残存する改質層５１を適切に除去できる。
（実施形態４）
本実施形態では、分割予定ラインに沿って切削ブレードを切り込ませることでウェーハを分割するウェーハの加工方法について説明する。なお、本実施形態では、実施形態２と同じ状態のウェーハ１１が使用される。すなわち、ウェーハ１１の表面１１ａ側には、ダイシングテープ３７が貼付されている。
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、まず、分割予定ライン１３に沿って切削ブレードを切り込ませ、ウェーハ１１を分割する分割工程を行う。図１３は、分割工程について説明するための一部断面側面図である。この分割工程は、例えば、上述した切削装置７２を用いて行われる。
分割工程では、まず、ウェーハ１１の表面１１ａ側に貼付されているダイシングテープ３７をチャックテーブル７４の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、クランプでフレーム３９を固定する。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で保持される。
次に、チャックテーブル７４を回転させて、対象となる分割予定ライン１３の伸長する方向を切削装置７２の加工送り方向に合わせる。また、チャックテーブル７４及び切削ユニット７６を相対的に移動させて、例えば、対象となる分割予定ライン１３の延長線上に切削ブレード８０の位置を合わせる。そして、切削ブレード８０の下端をウェーハ１１の表面１１ａより低い位置まで移動させる。
その後、切削ブレード８０を回転させながら、チャックテーブル７４を加工送り方向に移動させる。併せて、ノズルから、ウェーハ１１及び切削ブレード８０に対して切削液を供給する。これにより、対象の分割予定ライン１３に沿って切削ブレード８０を切り込ませ、ウェーハ１１を切断するカーフ（切り口）５７を形成できる。
上述の動作を繰り返し、例えば、全ての分割予定ライン１３に沿ってカーフ５７が形成され、各デバイス１５に対応するデバイスチップが形成されると、分割工程は終了する。なお、この分割工程において、カーフ５７及びその近傍には、デブリ（加工屑）５９や加工歪（不図示）が発生する。すなわち、各デバイスチップには、デブリ５９や加工歪が残存する。
分割工程の後には、各デバイスチップに残存するデブリ５９や加工歪を除去するプラズマエッチング工程を行う。図１４は、プラズマエッチング工程について説明するための一部断面側面図である。本実施形態のプラズマエッチング工程は、上述したプラズマエッチング装置２２を用いて行われる。また、具体的な手順も、実施形態２のプラズマエッチング工程と同じである。
本実施形態のプラズマエッチング工程でも、真空チャンバー２４の外部でプラズマ状態に変化させた混合ガス（エッチングガス）６１を、供給ノズル５２を通じて真空チャンバー２４の内部に供給する。よって、反応性が高いイオンの多くは、真空チャンバー２４の内部へと供給される前に失われ、真空チャンバー２４の内部（処理空間）では、イオンよりもラジカルが優勢になると推察される。
これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側でイオンによるエッチングの進行が抑制されるので、図１４に示すように、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側（一方の面側）でエッチングを過度に進行させることなく、各デバイスチップに残存する改質層５１を適切に除去できる。
なお、上記各実施形態及び変形例に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更できる。
１１ ウェーハ
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ デバイス
１７ ダイシングテープ
１９ フレーム
２１ 液状樹脂
２３ 保護膜
２５ レーザービーム
２７ 加工溝
２９ デブリ（加工屑）
３１ 混合ガス（エッチングガス）
３３ 加工溝
３５ デブリ（加工屑）
３７ ダイシングテープ
３９ フレーム
４１ 切削溝
４３ デブリ（加工屑）
４５ レーザービーム
４７ 混合ガス（エッチングガス）
４９ レーザービーム
５１ 改質層
５３ クラック
５５ 混合ガス（エッチングガス）
５７ カーフ（切り口）
５９ デブリ（加工屑）
６１ 混合ガス（エッチングガス）
２ スピンコーター
４ スピンナテーブル（保持テーブル）
６ ノズル
１２ レーザー加工装置
１４ チャックテーブル（保持テーブル）
１６ レーザー照射ユニット
２２ プラズマエッチング装置
２４ 真空チャンバー
２４ａ 側壁
２４ｂ 開口
２４ｃ 底壁
２４ｄ 上壁
２６ ゲート
２８ 開閉ユニット
３０ 配管
３２ 排気ポンプ
３４ テーブルベース
３４ａ 吸引路
３４ｂ 冷却流路
３６ 円盤部
３８ 柱部
４０ 静電チャックテーブル
４２ テーブル本体
４２ａ 吸引路
４４ 電極
４６ ＤＣ電源
４８ 吸引ポンプ
５０ 循環ユニット
５２ 供給ノズル
５２ａ 供給口
５４ａ、５４ｂ、５４ｃ バルブ
５６ａ、５６ｂ、５６ｃ 流量コントローラー
５８ａ、５８ｂ、５８ｃ バルブ
６０ａ 第１ガス供給源
６０ｂ 第２ガス供給源
６０ｃ 第３ガス供給源
６２ 電極（高周波電圧印加ユニット）
６４ 高周波電源（高周波電圧印加ユニット）
６６ 分散部材
６８ 配管
７２ 切削装置
７４ チャックテーブル（保持テーブル）
７６ 切削ユニット
７８ スピンドル
８０ 切削ブレード

Claims (6)

  1. 格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、
    該ウェーハの表面に保護膜を被覆する保護膜被覆工程と、
    該ウェーハの該分割予定ラインに沿って該ウェーハの表面側から加工溝を形成する加工溝形成工程と、
    該ウェーハの表面側からプラズマ状態のエッチングガスを供給し、該加工溝に残存する加工歪又はデブリを除去するプラズマエッチング工程と、
    該ウェーハから保護膜を除去する保護膜除去工程と、を備え、
    該プラズマエッチング工程では、該ウェーハが収容される真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたエッチングガスを、該真空チャンバーに接続された供給ノズルを通じて該真空チャンバーの内部に供給することを特徴とするウェーハの加工方法。
  2. 前記加工溝形成工程では、前記ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射して前記加工溝を形成することを特徴とする請求項１に記載のウェーハの加工方法。
  3. 前記加工溝形成工程では、前記ウェーハに対して切削ブレードを切り込ませることによって前記加工溝を形成することを特徴とする請求項１に記載のウェーハの加工方法。
  4. 格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、
    該ウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って切削ブレードを切り込ませ、表面に達しない深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、
    該ウェーハの裏面側から該切削溝の底にレーザービームを照射して、該ウェーハを個々のデバイスに対応するデバイスチップへと分割する分割工程と、
    該ウェーハの裏面側からプラズマ状態のエッチングガスを供給し、該デバイスチップに残存する加工歪又はデブリを除去するプラズマエッチング工程と、を備え、
    該プラズマエッチング工程では、該ウェーハが収容される真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたエッチングガスを、該真空チャンバーに接続された供給ノズルを通じて該真空チャンバーの内部に供給することを特徴とするウェーハの加工方法。
  5. 格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、
    該ウェーハの該分割予定ラインに沿って該ウェーハの裏面側から該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを該ウェーハの内部に集光点を位置付けながら照射し、該ウェーハの内部に改質層を形成するとともに該改質層から該ウェーハの表面又は裏面に向けてクラックを発生させて該ウェーハを個々のデバイスに対応するデバイスチップへと分割する分割工程と、
    該ウェーハの裏面側からプラズマ状態のエッチングガスを供給し、該デバイスチップに残存する改質層を除去するプラズマエッチング工程と、を備え、
    該プラズマエッチング工程では、該ウェーハが収容される真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたエッチングガスを、該真空チャンバーに接続された供給ノズルを通じて該真空チャンバーの内部に供給することを特徴とするウェーハの加工方法。
  6. 格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画される表面側の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、
    該ウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って切削ブレードを切り込ませ、該ウェーハを個々のデバイスに対応するデバイスチップへと分割する分割工程と、
    該ウェーハの裏面側からプラズマ状態のエッチングガスを供給し、該デバイスチップに残存する加工歪又はデブリを除去するプラズマエッチング工程と、を備え、
    該プラズマエッチング工程では、該ウェーハが収容される真空チャンバーの外部でプラズマ状態に変化させたエッチングガスを、該真空チャンバーに接続された供給ノズルを通じて該真空チャンバーの内部に供給することを特徴とするウェーハの加工方法。
JP2017050064A 2017-03-15 2017-03-15 ウェーハの加工方法 Pending JP2018156973A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017050064A JP2018156973A (ja) 2017-03-15 2017-03-15 ウェーハの加工方法
TW107105919A TWI732999B (zh) 2017-03-15 2018-02-22 晶圓的加工方法
KR1020180026799A KR20180105571A (ko) 2017-03-15 2018-03-07 웨이퍼의 가공 방법
CN201810208636.3A CN108630602A (zh) 2017-03-15 2018-03-14 晶片的加工方法
DE102018203879.1A DE102018203879A1 (de) 2017-03-15 2018-03-14 Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
US15/922,086 US10177004B2 (en) 2017-03-15 2018-03-15 Method of processing wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017050064A JP2018156973A (ja) 2017-03-15 2017-03-15 ウェーハの加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018156973A true JP2018156973A (ja) 2018-10-04

Family

ID=63372516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017050064A Pending JP2018156973A (ja) 2017-03-15 2017-03-15 ウェーハの加工方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10177004B2 (ja)
JP (1) JP2018156973A (ja)
KR (1) KR20180105571A (ja)
CN (1) CN108630602A (ja)
DE (1) DE102018203879A1 (ja)
TW (1) TWI732999B (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020061461A (ja) * 2018-10-10 2020-04-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020061494A (ja) * 2018-10-11 2020-04-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020061501A (ja) * 2018-10-11 2020-04-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020072141A (ja) * 2018-10-30 2020-05-07 株式会社ディスコ プラズマエッチング装置及びウェーハの加工方法
KR20210011878A (ko) 2019-07-23 2021-02-02 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
JP2021027254A (ja) * 2019-08-07 2021-02-22 株式会社ディスコ レーザー加工条件選定方法
JP2021027305A (ja) * 2019-08-09 2021-02-22 株式会社ディスコ プラズマエッチング装置
JP2021034635A (ja) * 2019-08-28 2021-03-01 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021044422A (ja) * 2019-09-12 2021-03-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021107879A (ja) * 2019-12-27 2021-07-29 株式会社ディスコ ディスプレイパネルの製造方法
JP2021168335A (ja) * 2020-04-09 2021-10-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
CN114582713A (zh) * 2022-03-11 2022-06-03 江苏京创先进电子科技有限公司 晶圆加工方法及晶圆加工装置
JP2022536751A (ja) * 2019-06-13 2022-08-18 ウルフスピード インコーポレイテッド 半導体ウェハをダイシングする方法およびこの方法によって作製された半導体装置
KR20240013049A (ko) 2022-07-21 2024-01-30 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 가공 방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018107922A1 (de) 2018-04-04 2019-10-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Verarbeiten eines Siliciumcarbid enthaltenden kristallinen Substrats, Siliciumcarbidchip und Verarbeitungskammer
JP7296718B2 (ja) * 2018-12-11 2023-06-23 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR102439099B1 (ko) 2020-03-19 2022-09-02 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 다이 형성 및 칩-온-플라스틱 패키징 방법
CN114083135B (zh) * 2020-12-07 2024-02-02 宁夏小牛自动化设备股份有限公司 一种使用激光划裂电池片的方法及装置
KR102507019B1 (ko) * 2022-10-05 2023-03-07 주식회사 아이티아이 레이저 가공 및 에칭 장치 및 방법

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001118826A (ja) * 1999-10-14 2001-04-27 Seiko Epson Corp ドライエッチング装置
JP2005252126A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2005322738A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2008153348A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの分割方法
JP2009105298A (ja) * 2007-10-25 2009-05-14 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体デバイスの製造方法
JP2009111147A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Denso Corp 半導体チップ及びその製造方法
JP2010177430A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの処理方法
JP2012023085A (ja) * 2010-07-12 2012-02-02 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP2012146892A (ja) * 2011-01-14 2012-08-02 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2013222849A (ja) * 2012-04-17 2013-10-28 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工歪除去方法
JP2015149385A (ja) * 2014-02-06 2015-08-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2016111119A (ja) * 2014-12-04 2016-06-20 株式会社ディスコ 光デバイスの加工方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000353676A (ja) 1999-06-14 2000-12-19 Disco Abrasive Syst Ltd 研削システム
JP4288229B2 (ja) * 2004-12-24 2009-07-01 パナソニック株式会社 半導体チップの製造方法
JP2010182753A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
US8802545B2 (en) * 2011-03-14 2014-08-12 Plasma-Therm Llc Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer
US8815706B2 (en) * 2012-01-20 2014-08-26 Infineon Technologies Ag Methods of forming semiconductor devices
US8940619B2 (en) * 2012-07-13 2015-01-27 Applied Materials, Inc. Method of diced wafer transportation
US9236305B2 (en) * 2013-01-25 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Wafer dicing with etch chamber shield ring for film frame wafer applications
JP6062287B2 (ja) * 2013-03-01 2017-01-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US20140273401A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Wei-Sheng Lei Substrate laser dicing mask including laser energy absorbing water-soluble film
JP2016004830A (ja) * 2014-06-13 2016-01-12 株式会社ディスコ 半導体チップの製造方法
JP2016100343A (ja) * 2014-11-18 2016-05-30 株式会社ディスコ エッチング方法
JP2016207737A (ja) * 2015-04-17 2016-12-08 株式会社ディスコ 分割方法
US9721839B2 (en) * 2015-06-12 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Etch-resistant water soluble mask for hybrid wafer dicing using laser scribing and plasma etch

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001118826A (ja) * 1999-10-14 2001-04-27 Seiko Epson Corp ドライエッチング装置
JP2005252126A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2005322738A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2008153348A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの分割方法
JP2009105298A (ja) * 2007-10-25 2009-05-14 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体デバイスの製造方法
JP2009111147A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Denso Corp 半導体チップ及びその製造方法
JP2010177430A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの処理方法
JP2012023085A (ja) * 2010-07-12 2012-02-02 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP2012146892A (ja) * 2011-01-14 2012-08-02 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2013222849A (ja) * 2012-04-17 2013-10-28 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工歪除去方法
JP2015149385A (ja) * 2014-02-06 2015-08-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2016111119A (ja) * 2014-12-04 2016-06-20 株式会社ディスコ 光デバイスの加工方法

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020061461A (ja) * 2018-10-10 2020-04-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020061494A (ja) * 2018-10-11 2020-04-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020061501A (ja) * 2018-10-11 2020-04-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020072141A (ja) * 2018-10-30 2020-05-07 株式会社ディスコ プラズマエッチング装置及びウェーハの加工方法
JP7465288B2 (ja) 2019-06-13 2024-04-10 ウルフスピード インコーポレイテッド 半導体ウェハをダイシングする方法およびこの方法によって作製された半導体装置
JP2022536751A (ja) * 2019-06-13 2022-08-18 ウルフスピード インコーポレイテッド 半導体ウェハをダイシングする方法およびこの方法によって作製された半導体装置
US11171009B2 (en) 2019-07-23 2021-11-09 Disco Corporation Processing method of wafer
KR20210011878A (ko) 2019-07-23 2021-02-02 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
JP7292146B2 (ja) 2019-08-07 2023-06-16 株式会社ディスコ レーザー加工条件選定方法
JP2021027254A (ja) * 2019-08-07 2021-02-22 株式会社ディスコ レーザー加工条件選定方法
JP2021027305A (ja) * 2019-08-09 2021-02-22 株式会社ディスコ プラズマエッチング装置
JP7353712B2 (ja) 2019-08-28 2023-10-02 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021034635A (ja) * 2019-08-28 2021-03-01 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021044422A (ja) * 2019-09-12 2021-03-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7292803B2 (ja) 2019-09-12 2023-06-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7321653B2 (ja) 2019-12-27 2023-08-07 株式会社ディスコ ディスプレイパネルの製造方法
JP2021107879A (ja) * 2019-12-27 2021-07-29 株式会社ディスコ ディスプレイパネルの製造方法
JP7446146B2 (ja) 2020-04-09 2024-03-08 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021168335A (ja) * 2020-04-09 2021-10-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
CN114582713A (zh) * 2022-03-11 2022-06-03 江苏京创先进电子科技有限公司 晶圆加工方法及晶圆加工装置
CN114582713B (zh) * 2022-03-11 2023-01-24 江苏京创先进电子科技有限公司 晶圆加工方法及晶圆加工装置
KR20240013049A (ko) 2022-07-21 2024-01-30 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 가공 방법
DE102023206669A1 (de) 2022-07-21 2024-02-01 Disco Corporation Werkstückbearbeitungsverfahren

Also Published As

Publication number Publication date
DE102018203879A1 (de) 2018-09-20
CN108630602A (zh) 2018-10-09
US10177004B2 (en) 2019-01-08
TW201838010A (zh) 2018-10-16
TWI732999B (zh) 2021-07-11
US20180269068A1 (en) 2018-09-20
KR20180105571A (ko) 2018-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018156973A (ja) ウェーハの加工方法
TW201643957A (zh) 晶圓的分割方法
TWI732934B (zh) 晶圓之加工方法
JP2004349623A (ja) 非金属基板の分割方法
CN110364481B (zh) 晶片的加工方法
JP2020031135A (ja) シリコンウェーハの加工方法及びプラズマエッチングシステム
JP2016100346A (ja) ウェーハの加工方法
KR20170029385A (ko) 웨이퍼 가공 방법
JP2020027889A (ja) 被加工物の加工方法
JP7358011B2 (ja) 複数のデバイスチップの製造方法
TW201812880A (zh) 晶圓的加工方法
TWI732959B (zh) 晶圓的加工方法
JP2023081007A (ja) デバイスチップの製造方法
JP7309280B2 (ja) 被加工体、被加工体製造方法、及び被加工体の加工方法
JP7399565B2 (ja) 被加工物の加工方法
JP2012222016A (ja) 粉塵除去方法
JP2012222017A (ja) 粉塵排出装置
JP2023056102A (ja) デバイスチップの製造方法
JP2023082761A (ja) 支持板の除去方法及び板状部材の加工方法
TW202316506A (zh) 器件晶片之製造方法
JP2021027183A (ja) チップの製造方法
JP2023172142A (ja) チップの製造方法
JP2020102588A (ja) ウェーハの加工方法
JP2023091896A (ja) デバイスチップの製造方法
TW202111793A (zh) 晶圓加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200109

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210114

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210622

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210817

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20220118