JP2023056102A - デバイスチップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
波長 :355nm
平均出力 :2W
繰り返し周波数:200kHz
加工送り速度 :400mm/s
波長 :1064nm
平均出力 :1W
繰り返し周波数:100kHz
加工送り速度 :800mm/s
11a 表面(第1面)
11b 裏面(第2面)
13 積層体
15 分割予定ライン(ストリート)
17 デバイス
19 接続電極(バンプ)
21 電極(埋め込み電極、貫通電極)
23 支持部材
25 接着層
27 パターン層
29 フレーム
29a 開口
31 テープ
33 保護膜
35 加工溝
37 樹脂層
39 カーフ(切り口)
41 デバイスチップ
43 改質層(変質層)
45 クラック(亀裂)
2 研削装置
4 チャックテーブル(保持テーブル)
4a 保持面
6 研削ユニット
8 スピンドル
10 マウント
12 研削ホイール
14 基台
16 研削砥石
20 スピンコーター
22 スピンナテーブル(チャックテーブル)
22a 保持面
24 クランプ
26 保護膜材供給ユニット
28 保護膜材
30 レーザー加工装置
32 チャックテーブル(保持テーブル)
32a 保持面
34 クランプ
36 レーザー照射ユニット
38 レーザー加工ヘッド
40 レーザービーム
50 プラズマ処理装置
52 チャンバー
52a 側壁
52b 開口
52c 底壁
52d 上壁
54 ゲート
56 開閉ユニット
58 配管
60 減圧ユニット
62 テーブルベース
62a 吸引路
62b 流路
64 保持部
66 支持部
68 チャックテーブル(保持テーブル)
70 本体部
70a 吸引路
72 電極
74 DC電源
76 吸引ポンプ
78 循環ユニット
80 ガス供給ユニット
82 供給管
82a 供給口
84a,84b,84c バルブ
86a,86b,86c 流量コントローラー
88a,88b,88c バルブ
90a,90b、90c ガス供給源
92 電極
94 高周波電源
96 分散部材
98 配管
100 切削装置
102 チャックテーブル(保持テーブル)
102a 保持面
104 クランプ
106 切削ユニット
108 ハウジング
110 スピンドル
112 切削ブレード
120 レーザー加工装置
122 チャックテーブル(保持テーブル)
122a 保持面
124 クランプ
126 レーザー照射ユニット
128 レーザー加工ヘッド
130 レーザービーム
140 拡張装置
142 ドラム
144 コロ
146 支持部材
148 テーブル
150 クランプ
Claims (6)
- 複数の交差する分割予定ラインによって区画された複数の領域に設けられたデバイスを構成する積層体を表面側に備える被加工物を分割してデバイスチップを製造するデバイスチップの製造方法であって、
該被加工物の表面側に支持部材を固定する支持部材固定ステップと、
該支持部材固定ステップの後、該被加工物の裏面側を研削する裏面研削ステップと、
該裏面研削ステップの後、該支持部材を該被加工物の表面側から除去する支持部材除去ステップと、
該支持部材除去ステップの後、該被加工物の表面側から該積層体に対して吸収性を有する波長のレーザービームを該分割予定ラインに沿って照射して、該積層体を分断する加工溝を該分割予定ラインに沿って形成する加工溝形成ステップと、
該加工溝形成ステップの後、該被加工物の表面側に樹脂層を形成する樹脂層形成ステップと、
該樹脂層形成ステップの後、該分割予定ラインに沿って該被加工物及び該樹脂層を分割する分割ステップと、を含むことを特徴とするデバイスチップの製造方法。 - 該裏面研削ステップの後、該被加工物の裏面側にパターンを形成する裏面パターン形成ステップを更に含むことを特徴とする、請求項1に記載のデバイスチップの製造方法。
- 該加工溝形成ステップの前に、該被加工物の表面側に保護膜を形成する保護膜形成ステップを更に含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載のデバイスチップの製造方法。
- 該加工溝形成ステップの後、該被加工物の表面側からプラズマ状態のエッチングガスを供給し、該被加工物又は該積層体に残存する加工歪又は異物を除去するプラズマエッチングステップを更に含むことを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載のデバイスチップの製造方法。
- 該分割ステップでは、切削ブレードで該被加工物及び該樹脂層を該分割予定ラインに沿って切断することを特徴とする、請求項1乃至4のいずれかに記載のデバイスチップの製造方法。
- 該分割ステップの前に、伸長性を有するエキスパンドシートを該被加工物に貼着するエキスパンドシート貼着ステップを更に含み、
該分割ステップは、
該被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービームを、該レーザービームの集光点を該被加工物の内部に位置付けて照射することで、該被加工物に改質層を該分割予定ラインに沿って形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップの後、該エキスパンドシートを拡張する拡張ステップと、を含むことを特徴とする、請求項1乃至4のいずれかに記載のデバイスチップの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021165212A JP7687929B2 (ja) | 2021-10-07 | 2021-10-07 | デバイスチップの製造方法 |
CN202211190045.0A CN115954326A (zh) | 2021-10-07 | 2022-09-28 | 器件芯片的制造方法 |
KR1020220124552A KR20230050240A (ko) | 2021-10-07 | 2022-09-29 | 디바이스 칩의 제조 방법 |
TW111137318A TW202316507A (zh) | 2021-10-07 | 2022-09-30 | 器件晶片之製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021165212A JP7687929B2 (ja) | 2021-10-07 | 2021-10-07 | デバイスチップの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023056102A true JP2023056102A (ja) | 2023-04-19 |
JP7687929B2 JP7687929B2 (ja) | 2025-06-03 |
Family
ID=85901617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021165212A Active JP7687929B2 (ja) | 2021-10-07 | 2021-10-07 | デバイスチップの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7687929B2 (ja) |
KR (1) | KR20230050240A (ja) |
CN (1) | CN115954326A (ja) |
TW (1) | TW202316507A (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173475A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2007227810A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Sharp Corp | 表面保護シートおよび表面保護シートを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2009027054A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Lintec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2011109022A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体チップの製造方法及び加工用フィルム |
JP2014053358A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2017092125A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2017103330A (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP2019186336A (ja) * | 2018-04-06 | 2019-10-24 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016092188A (ja) | 2014-11-04 | 2016-05-23 | 積水化学工業株式会社 | 半導体ウエハ用接着フィルム |
-
2021
- 2021-10-07 JP JP2021165212A patent/JP7687929B2/ja active Active
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2022
- 2022-09-28 CN CN202211190045.0A patent/CN115954326A/zh active Pending
- 2022-09-29 KR KR1020220124552A patent/KR20230050240A/ko active Pending
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173475A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2007227810A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Sharp Corp | 表面保護シートおよび表面保護シートを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2009027054A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Lintec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2011109022A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体チップの製造方法及び加工用フィルム |
JP2014053358A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2017092125A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2017103330A (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP2019186336A (ja) * | 2018-04-06 | 2019-10-24 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
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Publication number | Publication date |
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JP7687929B2 (ja) | 2025-06-03 |
KR20230050240A (ko) | 2023-04-14 |
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CN115954326A (zh) | 2023-04-11 |
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