JP7292146B2 - レーザー加工条件選定方法 - Google Patents

Description

本発明は、レーザー加工条件選定方法に関する。

半導体デバイスを形成するＬｏｗ－ｋ膜等の機能層は、非常に脆く、切削ブレードで切削すると半導体基板から剥離してしまう。そこで、レーザーアブレーション加工で分割予定ラインに沿って機能層を除去し、その後切削ブレードでダイシングして分割する加工方法が広く採用されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１５－７９７９０号公報

しかし、レーザーアブレーションの加工条件が不適切だと、半導体基板に形成された熱影響層がデバイスチップの抗折強度を下げる事が解ってきた。ただし、熱影響層がどこまで広がっているのかを確認するのは、難しい。

また、レーザーアブレーションの加工条件が不適切だと、レーザーアブレーション時に生じるデブリがデバイスに付着してしまうことが解ってきた。ただし、デブリの飛散状況を確認することは、難しい。このように、従来からレーザー加工条件が適切であるか否かを把握することができることが望まれていた。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、レーザー加工条件が適切であるか否かを容易に把握することを可能とするレーザー加工条件選定方法を提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のレーザー加工条件選定方法は、ウェーハをレーザー光線でアブレーション加工するレーザー加工条件選定方法であって、ウェーハと同じ材料の検査用基板の表面にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆ステップと、検査用基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該レジスト膜側から該検査用基板に照射し、該検査用基板にレーザー加工溝を形成して該レジスト膜を部分的に除去しマスクを形成するマスク形成ステップと、該マスク形成ステップを実施後、検査用基板のマスク側にプラズマ状態のガスを供給し、レーザー加工溝を更にエッチングするプラズマエッチングステップと、該プラズマエッチングステップ実施後、該マスクを除去し、該レーザー加工溝の周辺にプラズマエッチングで形成された凹部の発生状況を検査する凹部検査ステップと、該凹部検査ステップで、該凹部が所定量以上形成されているか否かで加工条件の良・不良を判定する加工条件判定ステップと、該加工条件判定ステップで、加工条件が不良と判定された場合、該レジスト膜の厚さ、種類又はレーザー光線の照射条件を変更する条件変更ステップを実施する加工条件変更ステップと、を備えることを特徴とする。

前記レーザー加工条件選定方法において、該レジスト膜は、水溶性の液状樹脂でも良い。

本願発明は、レーザー加工条件が適切であるか否かを容易に把握することを可能とするという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係るレーザー加工条件選定方法により選定されたレーザー加工条件で加工されるウェーハの一例を示す斜視図である。 図２は、実施形態１に係るレーザー加工条件選定方法の流れを示すフローチャートである。 図３は、図２に示されたレーザー加工条件選定方法の検査用基板準備ステップにおいて準備される検査用基板の構成例を示す斜視図である。 図４は、図２に示されたレーザー加工条件選定方法のレジスト膜被覆ステップを一部断面で示す側面図である。 図５は、図２に示されたレーザー加工条件選定方法のレジスト膜被覆ステップ後のウェーハの要部の断面図である。 図６は、図２に示されたレーザー加工条件選定方法のマスク形成ステップを一部断面で示す側面図である。 図７は、図２に示されたレーザー加工条件選定方法のマスク形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。 図８は、図２に示されたレーザー加工条件選定方法のプラズマエッチングステップを示すウェーハの要部の断面図である。 図９は、図２に示されたレーザー加工条件選定工方法の凹部検査ステップにおいてマスクを除去した後のウェーハの要部の断面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るレーザー加工条件選定方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るレーザー加工条件選定方法により選定されたレーザー加工条件で加工されるウェーハの一例を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係るレーザー加工条件選定方法の流れを示すフローチャートである。

実施形態１に係るレーザー加工条件選定方法は、図１に示すウェーハ１をウェーハ１に対して吸収性を有する波長のパルス状のレーザー光線（図１中に点線で示す）でアブレーション加工してレーザー加工溝２１(図１中に点線で示す)を形成する時のレーザー加工条件の良否を判定する判定方法であるとともに、レーザー加工条件を選定する選定方法でもある。なお、レーザー加工条件は、少なくともパルス状のレーザー光線２０の出力、繰り返し周波数、レーザー光線２０とウェーハ１とを加工送り方向である図１中のＸ軸方向に相対的に移動させる加工送り速度、レジスト膜被覆ステップＳＴ２で形成するレジスト膜２２（図５に示す）の厚さ、及びレジスト膜２２を構成する水溶性の液状樹脂２３の種類である。なお、パルス状のレーザー光線２０の出力、繰り返し周波数及び加工送り速度は、レーザー光線２０の照射条件である。

実施形態１に係るレーザー加工条件選定方法で選定されたレーザー加工条件で加工される加工対象のウェーハ１は、実施形態１では、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板２とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。ウェーハ１は、図１に示すように、交差する複数の分割予定ライン３で区画された各領域それぞれにデバイス４が形成されている。デバイス４は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路等である。

また、ウェーハ１は、図１に示すように、基板２の表面に機能層５が積層されている。機能層５は、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（以下、Ｌｏｗ－ｋ膜と呼ぶ）と、導電性の金属により構成された導電体膜とを備えている。Ｌｏｗ－ｋ膜は、導電体膜と積層されて、デバイス４を形成する。導電体膜は、デバイス４の回路を構成する。このために、デバイス４は、互いに積層されたＬｏｗ－ｋ膜と、Ｌｏｗ－ｋ膜間に積層された導電体膜とにより構成される。なお、分割予定ライン３の機能層５は、Ｌｏｗ－ｋ膜により構成され、ＴＥＧ（Test Element Group）を除いて導電体膜を備えていない。ＴＥＧは、デバイス４に発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すための評価用の素子である。

また、実施形態１において、ウェーハ１は、図１に示すように、基板２の裏面にウェーハ１よりも大径な粘着テープ１０が貼着され、粘着テープ１０の外周縁に環状フレーム１１が貼着されて、粘着テープ１０及び環状フレーム１１により支持されて、レーザー加工される。なお、本発明では、粘着テープ１０に限定されることなく、ウェーハ１は、裏面にウェーハと同径の硬質な支持基板が貼着されて、支持基板に支持されても良い。

実施形態１において、ウェーハ１は、分割予定ライン３に沿ってレーザー光線２０が照射されて分割予定ライン３に沿って機能層５が除去されて、溝底に基板２を露出するレーザー加工溝２１が形成される。ウェーハ１は、レーザー加工溝２１の溝底で露出した基板２が切削ブレードで切削されて、個々のデバイスに分割される。実施形態１に係るレーザー加工条件選定方法は、分割予定ライン３に沿ってレーザー光線２０を照射して分割予定ライン３に沿って機能層５が除去されて、分割予定ライン３に溝底に基板２を露出するレーザー加工溝２１を形成する時のレーザー加工条件の良否を判定し、レーザー加工条件を選定する方法である。なお、本発明のレーザー加工条件選定方法は、ウェーハ１に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射してウェーハ１の内部に改質層を形成する時のレーザー加工条件の良否を判定し、レーザー加工条件を選定する方法でも良く、切削加工以外に、例えば、選定されたレーザー加工条件で加工されたウェーハ１がプラズマエッチングによる加工で個々のデバイスに分割されても良い。

実施形態１に係るレーザー加工条件選定方法は、図２に示すように、検査用基板準備ステップＳＴ１と、レジスト膜被覆ステップＳＴ２と、マスク形成ステップＳＴ３と、プラズマエッチングステップＳＴ４と、凹部検査ステップＳＴ５と、加工条件判定ステップＳＴ６と、加工条件変更ステップＳＴ７とを備える。

（検査用基板準備ステップ）
図３は、図２に示されたレーザー加工条件選定方法の検査用基板準備ステップにおいて準備される検査用基板の構成例を示す斜視図である。ウェーハ１と同じ材料の基板２と、基板２の表面に積層されかつウェーハ１と同じ材料の機能層５とを備える検査用基板９を準備するステップである。検査用基板９は、ウェーハ１と同径の円板状であり、基板２及び機能層５の厚みが、ウェーハ１と等しい。即ち、検査用基板９は、デバイス４が形成されていないこと以外、構成がウェーハ１と同じであり、ウェーハ１と同一部分に同一符号を付して説明する。なお、実施形態１では、検査用基板９は、Ｌｏｗ－ｋ膜を含む機能層５を備えているが、本発明では、機能層５を備えていなくても良い。

実施形態１において、検査用基板準備ステップＳＴ１は、検査用基板９を準備し、図３に示すように、検査用基板９の基板２の裏面に検査用基板９よりも大径な粘着テープ１０を貼着し、粘着テープ１０の外周縁に環状フレーム１１を貼着して、粘着テープ１０及び環状フレーム１１により検査用基板９を支持する。レーザー加工条件選定方法は、図３に示す検査用基板９を準備するとレジスト膜被覆ステップＳＴ２に進む。

（レジスト膜被覆ステップ）
図４は、図２に示されたレーザー加工条件選定方法のレジスト膜被覆ステップを一部断面で示す側面図である。図５は、図２に示されたレーザー加工条件選定方法のレジスト膜被覆ステップ後のウェーハの要部の断面図である。レジスト膜被覆ステップＳＴ２は、検査用基板９の表面にレジスト膜２２を被覆するステップである。

実施形態１において、レジスト膜被覆ステップＳＴ２では、レジスト膜被覆装置３０が、スピンナテーブル３１の保持面３２に粘着テープ１０を介して検査用基板９の裏面側を吸引保持し、クランプ部３３で環状フレーム１１をクランプする。実施形態１において、レジスト膜被覆ステップＳＴ２では、スピンナテーブル３１を鉛直方向と平行な軸心回りに回転させながら、検査用基板９の表面に液状樹脂供給ノズル３４から水溶性の液状樹脂２３を塗布する。水溶性の液状樹脂２３は、ポリビニルアルコール（polyvinyl alcohol：ＰＶＡ）又はポリビニルピロリドン（polyvinyl pyrrolidone：ＰＶＰ）等の水溶性の液状の樹脂からなり、乾燥させ半硬化するとプラズマエッチングで用いられるプラズマ状態のガス５０（図８に示す）に対して耐性を有して、プラズマ状態のガス５０によりエッチングされにくい樹脂により構成されている。

レジスト膜被覆ステップＳＴ２では、検査用基板９の表面に水溶性の液状樹脂２３を塗布した後、水溶性の液状樹脂２３を乾燥や加熱し硬化させる。レジスト膜被覆ステップＳＴ２では、図５に示すように、検査用基板９の表面全体を水溶性の液状樹脂２３が覆い、プラズマ状態のガス５０に対して耐性を有するレジスト膜２２で被覆する。レーザー加工条件選定方法は、検査用基板９の表面全体をレジスト膜２２になると、スピンナテーブル３１の検査用基板９の吸引保持及びクランプ部３３の環状フレーム１１のクランプを解除して、マスク形成ステップＳＴ３に進む。こうして、実施形態１では、レジスト膜２２は、水溶性の液状樹脂２３で構成されるが、本発明では、水溶性の液状樹脂２３に限定されない。

（マスク形成ステップ）
図６は、図２に示されたレーザー加工条件選定方法のマスク形成ステップを一部断面で示す側面図である。図７は、図２に示されたレーザー加工条件選定方法のマスク形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。マスク形成ステップＳＴ３は、検査用基板９に対して吸収性を有する波長のレーザー光線２０をレジスト膜２２側から検査用基板９に照射し、検査用基板９にレーザー加工溝２１を形成してレジスト膜２２を部分的に除去しプラズマエッチンングする際に検査用基板９を保護するマスク２４を形成するステップである。

実施形態１において、マスク形成ステップＳＴ３では、レーザー加工装置４０が、オペレータによりレーザー加工条件が設定され、チャックテーブル４１の保持面４２に粘着テープ１０を介して検査用基板９の裏面側を吸引保持し、クランプ部４３で環状フレーム１１をクランプする。マスク形成ステップＳＴ３では、レーザー加工装置４０が、レーザー光線照射ユニット４４とチャックテーブル４１とを相対的に直線状に移動させながらレーザー光線照射ユニット４４から検査用基板９及びレジスト膜２２に対して吸収性を有する波長のレーザー光線２０をレジスト膜２２に照射する。

マスク形成ステップＳＴ３では、レーザー加工装置４０が、図６に示すように、レーザー光線２０を検査用基板９に照射して、検査用基板９を被覆したレジスト膜２２、機能層５及び基板２の表面付近にアブレーション加工を施す。マスク形成ステップＳＴ３では、レーザー加工装置４０が、レジスト膜２２、機能層５及び基板２の表面付近を部分的除去し、図７に示すように、溝底に基板２が露出したレーザー加工溝２１を形成する。

マスク形成ステップＳＴ３では、検査用基板９は、レーザー加工溝２１の内面にレーザー光線２０の熱の影響を受けてリキャスト（recast）した熱影響層８が形成されるとともに、アブレーション加工の際に生じたデブリ７がレーザー加工溝２１の周囲のレジスト膜２２に付着する。実施形態１では、熱影響層８は、基板２の熱影響層８以外の部分よりもプラズマ状態のガス５０によってエッチングされ易い。デブリ７は、基板２を構成する材料を含み、基板２同様にプラズマ状態のガス５０によってエッチングされる。デブリ７は、マスク２４及び機能層５を貫通して基板２に接触する。こうして、レーザー加工条件選定方法は、レジスト膜２２等を部分的に除去して、レジスト膜２２をプラズマエッチンングする際のマスク２４に形成すると、プラズマエッチングステップＳＴ４に進む。

こうして、マスク形成ステップＳＴ３では、レジスト膜２２を構成する水溶性の液状樹脂２３がプラズマ状態のガス５０に対して耐性を有する樹脂で構成されるので、検査用基板９の表面のレーザー加工溝２１が形成された部分以外を被覆するプラズマ状態のガス５０に対して耐性を有するマスク２４を形成する。

（プラズマエッチングステップ）
図８は、図２に示されたレーザー加工条件選定方法のプラズマエッチングステップを示すウェーハの要部の断面図である。プラズマエッチングステップＳＴ４は、マスク形成ステップＳＴ３を実施後、検査用基板９のマスク２４側にプラズマ状態のガス５０を供給し、レーザー加工溝２１を更にエッチングするステップである。

プラズマエッチングステップＳＴ４では、プラズマ装置が、プラズマエッチングチャンバー内の下部電極上の静電チャックテーブルに粘着テープ１０を介してウェーハ１の裏面側を吸着保持する。プラズマエッチングステップＳＴ４では、プラズマ装置が、プラズマエッチングチャンバー内を真空排気し、エッチングガスを静電チャックテーブルに対向する上部電極の複数の噴出口からウェーハ１に向けて噴出するとともに、エッチングガスを供給した状態で、高周波電源から上部電極にプラズマを作り維持する高周波電力を印加し、高周波電源から下部電極にイオンを引き込むための高周波電力を印加する。

プラズマエッチングステップＳＴ４では、プラズマ装置が、下部電極と上部電極との間の空間にプラズマ状態のガス５０が発生させ、プラズマ状態のガス５０をマスク２４から露出するウェーハ１の基板２に引きこんで、レーザー加工溝２１の溝底で露出した基板２をエッチングして、レーザー加工溝２１をウェーハ１の表面に向かって進行させる。

なお、実施形態１では、基板２がシリコンで構成される場合、エッチングガスとして、ＳＦ_６、Ｃ_４Ｆ_８又はＣＦ_４等を用いるが、エッチングガスは、これらに限定されない。

実施形態１において、プラズマエッチングステップＳＴ４では、プラズマ装置が、レーザー加工溝２１が粘着テープ１０に到達することなく熱影響層８を除去できる程度の所定時間プラズマエッチングを行う。また、実施形態１において、プラズマエッチングステップＳＴ４では、デブリ７が基板２と同じ材料を含むので、プラズマ装置が、プラズマ状態のガス５０でレーザー加工溝２１の溝底をエッチングすることにくわえ、デブリ７もエッチングする。プラズマエッチングステップＳＴ４では、プラズマ装置が、所定時間、検査用基板９をプラズマエッチングすると、凹部検査ステップＳＴ５に進む。

こうして、実施形態１では、プラズマエッチングステップＳＴ４では、電極に高周波電力を印加してプラズマエッチングチャンバーの密閉空間内でエッチングガスなどをプラズマ化するダイレクトプラズマ方式のプラズマ装置を用いて、ウェーハ１をプラズマダイシングする。また、本発明のレーザー加工条件選定方法は、プラズマエッチングステップＳＴ４において、プラズマ状態のガス５０などをプラズマエッチングチャンバー内の密閉空間に導入するリモートプラズマ方式のプラズマエッチング装置を用いて、プラズマエッチングしても良い。

（凹部検査ステップ）
図９は、図２に示されたレーザー加工条件選定工方法の凹部検査ステップにおいてマスクを除去した後のウェーハの要部の断面図である。凹部検査ステップＳＴ５は、プラズマエッチングステップＳＴ４実施後、マスク２４を除去し、レーザー加工溝２１の周辺にプラズマエッチングで形成された凹部２５の発生状況を検査するステップである。

実施形態１において、凹部検査ステップＳＴ５では、図示しない洗浄装置がスピンナテーブルの保持面に粘着テープ１０を介して検査用基板９の裏面側を吸引保持し、スピンナテーブルを軸心回りに回転させるとともに、検査用基板９の中央の上方の洗浄水ノズルから洗浄水を検査用基板９の表面に向けて噴射する。凹部検査ステップＳＴ５では、洗浄水がマスク２４を溶かしながらスピンナテーブルの回転により生じる遠心力により検査用基板９の表面上をスムーズに流れて、マスク２４を洗い流して除去する。

凹部検査ステップＳＴ５では、図９に示すように、マスク２４を除去すると、デブリ７が基板２とともにプラズマエッチングステップＳＴ４においてエッチングされるので、検査用基板９の表面のデブリ７が付着した箇所に表面から凹の凹部２５が形成されている。凹部検査ステップＳＴ５では、検査用基板９の表面を乾燥させ、レーザー加工溝２１の周辺を例えば上方及び側方から撮像ユニット等で撮像して、レーザー加工溝２１の幅１０１及び深さ１０２を算出する。また、凹部検査ステップＳＴ５では、レーザー加工溝２１の幅方向の中央から凹部２５までの距離１０３を算出し、レーザー加工溝２１の幅方向の両縁から所定の範囲内の凹部２５の数を算出し、加工条件判定ステップＳＴ６に進む。なお、実施形態１では、レーザー加工溝２１の幅方向の中央から凹部２５までの距離１０３は、レーザー加工溝２１の幅方向の中央から凹部２５のレーザー加工溝２１から離れた側の端までの距離である。こうして、実施形態１において、凹部検査ステップＳＴ５では、レーザー加工溝２１の幅方向の両縁から所定の範囲内の凹部２５の数を算出することで、レーザー加工溝２１の周辺にプラズマエッチングで形成された凹部２５の発生状況を検査する。

（加工条件判定ステップ）
加工条件判定ステップＳＴ６は、凹部検査ステップＳＴ５で、凹部２５が所定量以上形成されているか否かでレーザー加工条件の良・不良を判定するステップである。加工条件判定ステップＳＴ６では、凹部検査ステップＳＴ５で算出したレーザー加工溝２１の幅１０１が予め定められた範囲内であるか否か、凹部検査ステップＳＴ５で算出したレーザー加工溝２１の深さ１０２が予め定められた範囲内であるか否か、凹部検査ステップＳＴ５で算出したレーザー加工溝２１の幅方向の両縁から所定の範囲内の凹部２５の数が予め定められた数未満であるか否か、レーザー加工溝２１の幅方向の中央から凹部２５までの距離１０３が予め定められた距離以下であるか否かでレーザー加工条件の良否を判定する。

実施形態１において、加工条件判定ステップＳＴ６では、凹部検査ステップＳＴ５で算出したレーザー加工溝２１の幅１０１が予め定められた範囲内であり、凹部検査ステップＳＴ５で算出したレーザー加工溝２１の深さ１０２が予め定められた範囲内であり、凹部検査ステップＳＴ５で算出したレーザー加工溝２１の幅方向の両縁から所定の範囲内の凹部２５の数が予め定められた未満であり、レーザー加工溝２１の幅方向の中央から凹部２５までの距離１０３が予め定められた距離以下であると、レーザー加工条件を良と判定して、終了する。

実施形態１において、加工条件判定ステップＳＴ６では、凹部検査ステップＳＴ５で算出したレーザー加工溝２１の幅１０１が予め定められた範囲外であり、凹部検査ステップＳＴ５で算出したレーザー加工溝２１の深さ１０２が予め定められた範囲外であり、凹部検査ステップＳＴ５で算出したレーザー加工溝２１の幅方向の両縁から所定の範囲内の凹部２５の数が予め定められた数以上であり、又はレーザー加工溝２１の幅方向の中央から凹部２５までの距離１０３が予め定められた距離を超えていると、レーザー加工条件を不良と判定して、加工条件変更ステップＳＴ７に進む。こうして、実施形態１において、加工条件判定ステップＳＴ６では、凹部検査ステップＳＴ５で算出したレーザー加工溝２１の幅１０１が予め定められた範囲外である場合、凹部検査ステップＳＴ５で算出したレーザー加工溝２１の深さ１０２が予め定められた範囲外である場合、凹部検査ステップＳＴ５で算出したレーザー加工溝２１の幅方向の両縁から所定の範囲内の凹部２５の数が予め定められた数以上である場合、又はレーザー加工溝２１の幅方向の中央から凹部２５までの距離１０３が予め定められた距離を超えている場合の少なくとも一つの場合にレーザー加工条件を不良と判定して、加工条件変更ステップＳＴ７に進む。

（加工条件変更ステップ）
加工条件変更ステップＳＴ７は、加工条件判定ステップＳＴ６で、レーザー加工条件が不良と判定された場合、レジスト膜２２の厚さ、レジスト膜２２を構成する水溶性の液状樹脂の種類又はレーザー光線２０の照射条件であるレーザー光線２０の出力、繰り返し周波数及び加工送り速度を変更する条件変更ステップを実施するステップである。

実施形態１では、加工条件変更ステップＳＴ７では、レジスト膜２２の厚さ、レジスト膜２２を構成する水溶性の液状樹脂２３の種類、レーザー光線２０の出力、繰り返し周波数及び加工送り速度のうち少なくとも一つを変更して、レジスト膜被覆ステップＳＴ２に戻り、レーザー加工条件選定方法は、加工条件判定ステップＳＴ６においてレーザー加工条件が良であると判定するまで、レジスト被覆ステップＳＴ２から加工条件判定ステップＳＴ６を繰り返す。なお、２回目以降のマスク形成ステップＳＴ３では、検査用基板９のレーザー加工溝２１が未形成の位置にレーザー加工溝２１を形成する。

以上説明したように、実施形態１に係るレーザー加工条件選定方法は、マスク形成ステップＳＴ３においてアブレーション加工で形成されたレーザー加工溝２１周辺に付着したデブリ７をプラズマエッチングステップＳＴ４でエッチングすることで、凹部２５を検査用基板９の表面に形成する。このために、実施形態１に係るレーザー加工条件選定方法は、アブレーション加工時に発生したデブリ７の飛散状況を可視化でき、容易に把握することができる。

また、レーザー加工溝２１の周辺へのデブリ７の付着や熱影響層８があると、マスク２４が損傷して基板２が露出し、その部分が優先的にエッチングされるため、レーザー加工溝２１の周辺に細かな凹部２５が形成される。これにより、実施形態１に係るレーザー加工条件選定方法は、凹部２５を観察すれば、適切なレーザー加工条件の選定目安にすることができる。その結果、レーザー加工条件選定方法は、凹部検査ステップＳＴ５において、レーザー加工溝２１の幅方向の両縁から所定の範囲内の凹部２５の数、レーザー加工溝２１の幅方向の中央から凹部２５までの距離１０３を算出することで、デブリ７の飛散状況を容易に確認することができる。

また、レーザー加工条件選定方法は、レーザー加工溝２１の幅１０１が予め定められた範囲内であるか否か、凹部検査ステップＳＴ５で算出したレーザー加工溝２１の深さ１０２が予め定められた範囲内であるか否か、凹部検査ステップＳＴ５で算出したレーザー加工溝２１の幅方向の両縁から所定の範囲内の凹部２５の数が予め定められた数未満であるか否か、レーザー加工溝２１の幅方向の中央から凹部２５までの距離１０３が予め定められた距離以下であるか否かでレーザー加工条件の良否を判定するので、レーザー加工条件が適切であるか否かを容易に把握することを可能とするという効果を奏する。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明では、加工条件判定ステップＳＴ６において、加工条件から想定されるレーザー加工溝２１の深さと凹部検査ステップＳＴ５で算出したレーザー加工溝２１の深さ１０２とを対比しても良い。この場合、熱影響層８の形成状況を把握することができる。

１ ウェーハ
９ 検査用基板
２０ レーザー光線
２１ レーザー加工溝
２２ レジスト膜
２３ 水溶性の液状樹脂
２４ マスク
２５ 凹部
５０ プラズマ状態のガス
ＳＴ２ レジスト膜被覆ステップ
ＳＴ３ マスク形成ステップ
ＳＴ４ プラズマエッチングステップ
ＳＴ５ 凹部検査ステップ
ＳＴ６ 加工条件判定ステップ
ＳＴ７ 加工条件変更ステップ

Claims (2)

1. ウェーハをレーザー光線でアブレーション加工するレーザー加工条件選定方法であって、
   ウェーハと同じ材料の検査用基板の表面にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆ステップと、
   検査用基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該レジスト膜側から該検査用基板に照射し、該検査用基板にレーザー加工溝を形成して該レジスト膜を部分的に除去しマスクを形成するマスク形成ステップと、
   該マスク形成ステップを実施後、検査用基板のマスク側にプラズマ状態のガスを供給し、レーザー加工溝を更にエッチングするプラズマエッチングステップと、
   該プラズマエッチングステップ実施後、該マスクを除去し、該レーザー加工溝の周辺にプラズマエッチングで形成された凹部の発生状況を検査する凹部検査ステップと、
   該凹部検査ステップで、該凹部が所定量以上形成されているか否かで加工条件の良・不良を判定する加工条件判定ステップと、
   該加工条件判定ステップで、加工条件が不良と判定された場合、該レジスト膜の厚さ、種類又はレーザー光線の照射条件を変更する条件変更ステップを実施する加工条件変更ステップと、を備えるレーザー加工条件選定方法。
2. 該レジスト膜は、水溶性の液状樹脂である請求項１に記載のレーザー加工条件選定方法。

Images