JP2020061461A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 163
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 89
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 abstract description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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Abstract
【課題】コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるウェーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウェーハの加工方法は、表面に複数のデバイスが形成されたウェーハを分割する方法である。ウェーハの加工方法は、ウェーハの表面の機能層側に粘着テープを配設する保護部材配設ステップST1と、ウェーハの裏面に切削溝を分割予定ラインに沿って形成する切削ステップST2と、ウェーハの裏面側にプラズマ状態のエッチングガスを供給し、基板を分割するプラズマエッチングステップST3と、粒径が5μm以下の砥粒を有する電着砥石からなり、分割溝の幅より薄い切り刃を備える第2の切削ブレードを、ウェーハの裏面側から分割溝に沿って切り込ませ、分割溝の底で露出した機能層を切削して分割する機能層分割ステップST4と、を備える。【選択図】図2
Description
本発明は、ウェーハの加工方法、特にプラズマダイシングに関する。
シリコン基板等からなる半導体ウェーハは、個々のデバイスチップに分割するため、切削ブレードやレーザー光線を用いた加工方法が適用されることが知られている。これらの加工方法は、分割予定ライン(ストリート)を1本ずつ加工してウェーハをデバイスチップに分割する。近年の電子機器の小型化からデバイスチップの軽薄短小化、コスト削減が進み、サイズが従来のように10mmを超えるようなデバイスチップから2mm以下のようなサイズの小さなデバイスチップが数多く生産されている。サイズの小さなデバイスチップを製造する場合、1枚のウェーハに対する分割予定ラインの数が激増し、1ラインずつの加工では加工時間も長くなってしまう。
そこで、ウェーハの分割予定ライン全てを一括で加工するプラズマダイシングという手法が開発されている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に示されたプラズマダイシングは、マスクによって遮蔽された領域以外をプラズマエッチングによって除去し、ウェーハ単位で加工を実施するため、分割予定ラインの本数が多くなっても加工時間が劇的に長くなることがないという効果がある。
しかしながら、特許文献1に示されたプラズマダイシングは、エッチングによって除去する領域のみを正確に露出させるために、それぞれのウェーハの分割予定ラインにあった精密なマスクを準備する必要がある(例えば、特許文献2及び特許文献3参照)。
しかしながら、特に、特許文献2及び特許文献3に示されたマスクは、製造コスト及び製造工数の抑制、マスクを位置合わせする技術の確立など、切削加工等に比べてコストが高く難易度の高い課題が残されていた。
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるウェーハの加工方法を提供することである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、基板の表面に機能層が積層され複数のデバイスが形成されたウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、該ウェーハの表面の該機能層側に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該ウェーハの裏面に第1の切削ブレードを切り込ませ、該機能層に至らない深さの切削溝を該分割予定ラインに沿って該基板に形成する切削ステップと、該ウェーハの裏面側にプラズマ状態のガスを供給し、該切削溝の底に残存する基板をエッチングして除去し、該分割予定ラインに沿った分割溝で該基板を分割するプラズマエッチングステップと、粒径が5μm以下の砥粒を有する電着砥石からなり、該分割溝の幅より薄い切り刃を備える第2の切削ブレードを、ウェーハの裏面側から該分割溝に沿って切り込ませ、該分割溝の底で露出した該機能層を切削して分割する機能層分割ステップと、を備えることを特徴とする。
前記ウェーハの加工方法において、該プラズマエッチングステップの後に、ウェーハの裏面を研削してウェーハを仕上がり厚さにする仕上げ研削ステップを備えても良い。
前記ウェーハの加工方法において、該プラズマエッチングステップの前に、ウェーハの裏面を予め研削する予備研削ステップと、を備えても良い。
本願発明のウェーハの加工方法は、コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるという効果を奏する。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態1〕
本発明の実施形態1に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。図2は、実施形態1に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
本発明の実施形態1に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。図2は、実施形態1に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
実施形態1に係るウェーハの加工方法は、図1に示すウェーハ1の加工方法である。実施形態1では、ウェーハ1は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板2とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。ウェーハ1は、図1に示すように、基板2の表面3に機能層4が積層され、かつ複数のデバイス5が形成されている。機能層4は、SiOF、BSG(SiOB)等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜(Low−k膜)を含む。機能層4は、基板2の表面3に積層されている。
デバイス5は、表面3の交差する複数の分割予定ライン6で区画された各領域にそれぞれ形成されている。即ち、分割予定ライン6は、複数のデバイス5を区画するものである。デバイス5を構成する回路は、機能層4により形成されている。なお、実施形態1において、デバイス5は、切削加工によりウェーハ1から分割されるデバイスよりも小型であり、例えば、1mm×1mm程度の大きさであり、プラズマエッチング(プラズマダイシングともいう)により個々に分割されるのに好適なものである。また、ウェーハ1は、分割予定ライン6の少なくとも一部において、機能層4側に図示しない金属膜とTEG(Test Element Group)とのうち少なくとも一方が形成されている。TEGは、デバイス5に発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すための評価用の素子である。
実施形態1に係るウェーハの加工方法は、ウェーハ1を分割予定ライン6に沿って個々のデバイス5に分割するとともに、デバイス5を仕上がり厚さ100まで薄化する方法である。ウェーハの加工方法は、図2に示すように、保護部材配設ステップST1と、切削ステップST2と、プラズマエッチングステップST3と、機能層分割ステップST4と、仕上げ研削ステップST5と、ダイアタッチフィルム貼着ステップST6と、ダイアタッチフィルム分割ステップST7とを備える。
(保護部材配設ステップ)
保護部材配設ステップST1は、ウェーハ1の基板2の表面3の機能層4側に保護部材である粘着テープ200を配設するステップである。実施形態1において、保護部材配設ステップST1は、図1に示すように、ウェーハ1よりも大径な粘着テープ200を機能層4側に貼着し、粘着テープ200の外周縁に環状フレーム201を貼着する。実施形態1では、保護部材として粘着テープ200を用いるが、本発明では、保護部材は、粘着テープ200に限定されない。ウェーハの加工方法は、ウェーハ1の機能層4側に粘着テープ200を貼着すると、切削ステップST2に進む。
保護部材配設ステップST1は、ウェーハ1の基板2の表面3の機能層4側に保護部材である粘着テープ200を配設するステップである。実施形態1において、保護部材配設ステップST1は、図1に示すように、ウェーハ1よりも大径な粘着テープ200を機能層4側に貼着し、粘着テープ200の外周縁に環状フレーム201を貼着する。実施形態1では、保護部材として粘着テープ200を用いるが、本発明では、保護部材は、粘着テープ200に限定されない。ウェーハの加工方法は、ウェーハ1の機能層4側に粘着テープ200を貼着すると、切削ステップST2に進む。
(切削ステップ)
図3は、図2に示されたウェーハの加工方法の切削ステップを一部断面で示す側面図である。図4は、図2に示されたウェーハの加工方法の切削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。
図3は、図2に示されたウェーハの加工方法の切削ステップを一部断面で示す側面図である。図4は、図2に示されたウェーハの加工方法の切削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。
切削ステップST2は、ウェーハ1の基板2の裏面7に図3に示す切削装置10の第1の切削ブレード12を切り込ませ、機能層4に至らない深さの切削溝300を分割予定ライン6に沿って基板2に形成するステップである。実施形態1において、切削ステップST2では、図3に示すように、切削ユニット11を2つ備えた、即ち、2スピンドルのダイサ、いわゆるフェイシングデュアルタイプの切削装置10のチャックテーブル13の保持面14に粘着テープ200を介してウェーハ1の機能層4側を吸引保持する。切削ステップST2では、切削装置10の図示しない赤外線カメラがウェーハ1の裏面7を撮像して分割予定ライン6を検出し、ウェーハ1と各切削ユニット11の第1の切削ブレード12との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。
切削ステップST2では、ウェーハ1と各切削ユニット11の第1の切削ブレード12とを分割予定ライン6に沿って相対的に移動させながら第1の切削ブレード12を裏面7に切り込ませて、ウェーハ1の裏面7側に切削溝300を形成する。実施形態1で用いる切削装置10の一対の切削ユニット11のうちの一方の切削ユニット11(以下、符号11−1で記す)の第1の切削ブレード12(以下、符号12−1で記す)の厚さは、他方の切削ユニット11(以下、符号11−2で記す)の第1の切削ブレード12(以下、符号12−2で記す)の厚さよりも厚い。実施形態1の切削ステップST2では、一方の切削ユニット11−1の第1の切削ブレード12−1を裏面7に仕上げ厚さ100分切り込ませて、第1切削溝301をウェーハ1の裏面7に形成する。なお、実施形態1では、切削ステップST2において、一方の切削ユニット11−1の第1の切削ブレード12−1を裏面7に仕上げ厚さ100分切り込ませるが、本発明は、一方の切削ユニット11−1の第1の切削ブレード12−1を裏面7に仕上がり厚さ100よりも浅い深さ切り込ませても良く、仕上がり厚さ100より厚い切り残し部を第1切削溝301の溝底303側に残すのが望ましい。
切削ステップST2では、第1切削溝301を形成した後、他方の切削ユニット11−2の第1の切削ブレード12−2を第1切削溝301の溝底303に切り込ませて、第1切削溝301より細い第2切削溝302を第1切削溝301の溝底303に形成する。切削ステップST2では、第1切削溝301と第2切削溝302とを形成して、ウェーハ1の裏面7に機能層4に至らない深さの切削溝300を形成して、プラズマエッチングステップST3でのプラズマ状態のエッチングガスの切削溝300への侵入を促進させる。なお、実施形態1において、切削溝300は、第1切削溝301と第2切削溝302とで構成される。ウェーハの加工方法は、図4に示すように、ウェーハ1の全ての分割予定ライン6の裏面7側に第1切削溝301及び第2切削溝302を形成すると、プラズマエッチングステップST3に進む。なお、実施形態1において、切削ステップST2では、ウェーハ1を太い第1の切削ブレード12−1で切削した後に、細い第1の切削ブレード12−2で切削する所謂ステップカットを実施したが、本発明は、ウェーハ1を1枚の切削ブレードで切削する所謂シングルカットを実施しても良い。
(プラズマエッチングステップ)
図5は、図2に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップで用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。図6は、図2に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。
図5は、図2に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップで用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。図6は、図2に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。
プラズマエッチングステップST3は、図5に示すエッチング装置20のプラズマエッチングチャンバー25内のチャックテーブル21で粘着テープ200側を保持したウェーハ1の裏面7側にプラズマ状態のエッチングガスを供給し、切削溝300の底304(図4に示す)に残存する基板2をエッチングして除去し、分割予定ライン6に沿った分割溝310(図6に示す)で基板2を分割するステップである。プラズマエッチングステップST3は、ウェーハ1の基板2をプラズマダイシングするステップである。
プラズマエッチングステップST3では、エッチング装置20の制御ユニット22が、ゲート作動ユニット23を作動してゲート24を図5中の下方に移動させ、プラズマエッチングチャンバー25の開口26を開ける。次に、図示しない搬出入手段によって切削ステップST2が実施されたウェーハ1を開口26を通してプラズマエッチングチャンバー25内の密閉空間27に搬送し、下部電極28を構成する被加工物保持部29のチャックテーブル21(静電チャック、ESC:Electrostatic chuck)上に粘着テープ200を介してウェーハ1の機能層4側を載置する。このとき、制御ユニット22は、昇降駆動ユニット30を作動して上部電極31を上昇させておく。制御ユニット22は、被加工物保持部29内に設けられた電極32,33に電力を印加してチャックテーブル21上にウェーハ1を吸着保持する。
制御ユニット22は、ゲート作動ユニット23を作動してゲート24を上方に移動させ、プラズマエッチングチャンバー25の開口26を閉じる。制御ユニット22は、昇降駆動ユニット30を作動して上部電極31を下降させ、上部電極31を構成するガス噴出部34の下面と下部電極28を構成するチャックテーブル21に保持されたウェーハ1との間の距離をプラズマエッチング処理に適した所定の電極間距離に位置付ける。
制御ユニット22は、ガス排出ユニット35を作動してプラズマエッチングチャンバー25内の密閉空間27を真空排気して、密閉空間27の圧力を所定の圧力に維持するとともに、冷媒供給ユニット36を作動させて下部電極28内に設けられた冷媒導入通路37、冷却通路38及び冷媒排出通路39に冷媒であるヘリウムガスを循環させて、下部電極28の異常昇温を抑制する。
次に、制御ユニット22は、ガス供給ユニット40を作動しエッチングガスを上部電極31の複数の噴出口41から下部電極28のチャックテーブル21上に保持されたウェーハ1に向けて噴出するとともに、エッチングガスを供給した状態で、高周波電源42から上部電極31にプラズマを作り維持する高周波電力を印加し、高周波電源42から下部電極28にイオンを引き込むための高周波電力を印加する。これにより、下部電極28と上部電極31との間の空間にプラズマ状態のエッチングガスが発生し、このプラズマ状態のエッチングガスがウェーハ1側に引き込まれて、ウェーハ1の裏面7、切削溝301,302の内面及び切削溝300の底304をエッチングして、切削溝300を基板2の表面3に向かって進行させる。
なお、実施形態1では、基板2がシリコンで構成される場合、エッチングガスとして、SF6、C4F8又はCF4等を用いるが、エッチングガスは、これらに限定されない。
プラズマエッチングステップST3では、制御ユニット22は、切削溝300の深さやウェーハ1の厚さに応じて、ウェーハ1をプラズマエッチングする所定時間が予め設定されている。プラズマエッチングステップST3において、所定時間、プラズマエッチングされたウェーハ1は、図6に示すように、裏面7全体がエッチングされて、厚さ101分薄化されている。また、所定時間、プラズマエッチングされたウェーハ1は、図6に示すように、切削溝300の底304に残存する基板2がエッチングされ除去され、切削溝300が機能層4に到達して、切削溝300が基板2を分割する分割溝310となる。ウェーハ1は、基板2が分割溝310により分割され、分割溝310内に機能層4が露出して、分割溝310の底に機能層4が残っている。
ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップST3において、所定時間、プラズマエッチングを行うと、機能層分割ステップST4に進む。なお、図6は、プラズマエッチングステップST3後のウェーハ1が分割溝310の底の基板2が除去されている例を示しているが、本発明では、切削溝300の底304に僅かに基板2が残っていても良い。また、本発明のウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップST3において、ウェーハ1の裏面7全体をエッチングするとともに切削溝300を基板2の表面3に向かって進行させるエッチングステップと、エッチングステップに次いでウェーハ1の裏面7、切削溝301,302の内面及び切削溝300の底304に被膜を堆積させる被膜堆積ステップとを交互に繰り返す、所謂ボッシュ法でウェーハ1をプラズマエッチングしても良い。
(機能層分割ステップ)
図7は、図2に示されたウェーハの加工方法の機能層分割ステップを示す断面図である。図8は、図2に示されたウェーハの加工方法の機能層分割ステップ後のウェーハの要部の断面図である。
図7は、図2に示されたウェーハの加工方法の機能層分割ステップを示す断面図である。図8は、図2に示されたウェーハの加工方法の機能層分割ステップ後のウェーハの要部の断面図である。
機能層分割ステップST4は、プラズマエッチングステップST3を実施した後、図7に示す第2の切削装置50が第2の切削ブレード51を、ウェーハ1の基板2の裏面7側から分割溝310に沿って切り込ませ、分割溝310の底で露出した機能層4を切削して、ウェーハ1を個々のデバイス5に分割するステップである。
機能層分割ステップST4では、第2の切削装置50が、チャックテーブル52の保持面53に粘着テープ200を介してウェーハ1の機能層4側を保持し、図示しない撮像ユニットがウェーハ1の裏面7を撮像して分割溝310を検出し、ウェーハ1と第2の切削ブレード51との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。
なお、第2の切削ブレード51は、第2の切削装置50の図示しない切削ユニットのスピンドルに装着される。第2の切削ブレード51は、砥石を電着ボンドで固定して、砥石を有した所謂電着砥石からなる切り刃51−1を備える。実施形態1において、切り刃51−1が有する砥石は、平均粒径が0μmを越えかつ5μm以下である。実施形態1にいて、平均粒径は、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値50%での粒径を意味する。積算値50%での粒径とは、粒子サイズが小さいものから粒子数をカウントして、全粒子数の50%になったところでの粒径を意味する。また、第2の切削ブレード51の切り刃51−1は、分割溝310の幅、即ち第2切削溝302の幅及び他方の第1の切削ブレード12−2の厚みよりも薄い。
機能層分割ステップST4では、第2の切削装置50は、図7に示すように、第2の切削ブレード51とチャックテーブル52とを分割予定ライン6に沿って相対的に移動させながら第2の切削ブレード51の切り刃51−1を第2切削溝302の幅方向の中央の粘着テープ200に到達するまで切り込ませる。機能層分割ステップST4では、第2の切削装置50は、分割溝310の底で露出した機能層4の幅方向の中央を切削して、分割溝310の底で露出した機能層4を切断して、ウェーハ1を個々のデバイス5に分割する。なお、機能層分割ステップST4では、図示しない分割予定ライン6に形成された金属膜やTEGも分割する。ウェーハの加工方法は、図8に示すように、全ての分割予定ライン6において分割溝310の底で露出した機能層4を分割すると、仕上げ研削ステップST5に進む。
(仕上げ研削ステップ)
図9は、図2に示されたウェーハの加工方法の仕上げ研削ステップを示す側断面図である。仕上げ研削ステップST5は、プラズマエッチングステップST3、及び機能層分割ステップST4の後に、ウェーハ1の裏面7を研削してウェーハ1を仕上がり厚さ100にするステップである。
図9は、図2に示されたウェーハの加工方法の仕上げ研削ステップを示す側断面図である。仕上げ研削ステップST5は、プラズマエッチングステップST3、及び機能層分割ステップST4の後に、ウェーハ1の裏面7を研削してウェーハ1を仕上がり厚さ100にするステップである。
仕上げ研削ステップST5では、研削装置60が、チャックテーブル61の保持面62に粘着テープ200を介してウェーハ1の機能層4側を吸引保持する。仕上げ研削ステップST5では、図9に示すように、スピンドル63により仕上げ研削用の研削ホイール64を回転しかつチャックテーブル61を軸心回りに回転しながら研削水を供給するとともに、仕上げ研削用砥石65をチャックテーブル61に所定の送り速度で近づけることによって、仕上げ研削用砥石65でウェーハ1即ちデバイス5の裏面7を仕上げ研削する。仕上げ研削ステップST5では、仕上がり厚さ100になるまでウェーハ1即ちデバイス5を研削する。仕上げ研削ステップST5では、仕上がり厚さ100になるまでウェーハ1即ちデバイス5を研削すると、第1切削溝301と第2切削溝302とを起因とする段差が除去される。ウェーハの加工方法は、仕上がり厚さ100までウェーハ1即ちデバイス5を薄化するとダイアタッチフィルム貼着ステップST6に進む。
(ダイアタッチフィルム貼着ステップ)
図10は、図2に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム貼着ステップを示す断面図である。ダイアタッチフィルム貼着ステップST6は、プラズマエッチングステップST3、機能層分割ステップST4、及び仕上げ研削ステップST5の後に、ウェーハ1の裏面7にダイアタッチフィルム202を貼着するステップである。
図10は、図2に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム貼着ステップを示す断面図である。ダイアタッチフィルム貼着ステップST6は、プラズマエッチングステップST3、機能層分割ステップST4、及び仕上げ研削ステップST5の後に、ウェーハ1の裏面7にダイアタッチフィルム202を貼着するステップである。
ダイアタッチフィルム貼着ステップST6では、仕上げ研削ステップST5において仕上げ研削されたウェーハ1即ちデバイス5の裏面7にデバイス5を接着するためのダイアタッチフィルム202を貼着する。ダイアタッチフィルム貼着ステップST6では、図10に示すように、外周縁に環状フレーム204が貼着するとともにダイシングテープ203に積層されたダイアタッチフィルム202をウェーハ1の裏面7に貼着し、機能層4から粘着テープ200を剥がす。ウェーハの加工方法は、粘着テープ200を機能層4から剥がすと、ダイアタッチフィルム分割ステップST7に進む。
(ダイアタッチフィルム分割ステップ)
図11は、図2に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップを示す断面図である。図12は、図2に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップ後のウェーハの要部の断面図である。ダイアタッチフィルム分割ステップST7は、分割溝310に沿ってダイアタッチフィルム202に図11に示すレーザー加工装置70がレーザー光線71を照射してダイアタッチフィルム202を分割するステップである。
図11は、図2に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップを示す断面図である。図12は、図2に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップ後のウェーハの要部の断面図である。ダイアタッチフィルム分割ステップST7は、分割溝310に沿ってダイアタッチフィルム202に図11に示すレーザー加工装置70がレーザー光線71を照射してダイアタッチフィルム202を分割するステップである。
ダイアタッチフィルム分割ステップST7では、レーザー加工装置70が、チャックテーブルにダイシングテープ203を介してウェーハ1の裏面7側を保持し、図11に示すように、レーザー光線照射ユニット72とチャックテーブルとを分割予定ライン6に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット72からダイアタッチフィルム202に対して吸収性を有する波長(例えば、355nm)のレーザー光線71を分割溝310内で露出したダイアタッチフィルム202に照射する。ダイアタッチフィルム分割ステップST7では、各分割予定ライン6において、分割溝310内で露出したダイアタッチフィルム202にアブレーション加工を施して、分割溝310内で露出したダイアタッチフィルム202を分割する。ウェーハの加工方法は、図12に示すように、全ての分割予定ライン6において分割溝310内で露出したダイアタッチフィルム202を分割すると、終了する。なお、その後、デバイス5は、ダイアタッチフィルム202毎、図示しないピックアップによりダイシングテープ203からピックアップされる。
実施形態1に係るウェーハの加工方法は、切削ステップST2において裏面7から分割予定ライン6に沿って切削溝300を形成した後、プラズマエッチングステップST3において裏面7側からプラズマエッチングすることで、切削溝300を基板2の表面3に向かって進行させて、ウェーハ1を分割するため、切削溝300の方が他の領域より早く裏面7までエッチングが進むため、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。このために、ウェーハの加工方法は、切削加工により分割するデバイスよりも小型であるためにプラズマエッチングで分割するのに好適なデバイス5を備えるウェーハ1の加工方法において、高価なマスクが不要となる。その結果、ウェーハの加工方法は、コストを抑制しながらもウェーハ1にプラズマエッチングを行ってウェーハ1を個々のデバイス5に分割することができる。
また、ウェーハの加工方法は、切削ステップST2、機能層分割ステップST4及び仕上げ研削ステップST5前の保護部材配設ステップST1において、機能層4側に粘着テープ200が貼着されている。このために、切削ステップST2、機能層分割ステップST4及び仕上げ研削ステップST5時に発生するコンタミがデバイス5に付着することを抑制することができる。
一般に、Low−k膜等のデバイス5を形成する機能層4は、切削ブレードで基板2の表面3側から切削されると基板2からの剥離が発生しやすい。そこで、表面3側からレーザーアブレーションして機能層4を除去する加工が考案された。しかしながら、表面3側からレーザーアブレーションして機能層4を除去する加工は、レーザーアブレーションによって発生したデブリがデバイス5に付着してしまうため、レーザーアブレーション前に、ウェーハ1の表面に保護剤を被覆するなど対策が必要である。
そこで、実施形態1に係るウェーハの加工方法は、機能層分割ステップST4において、プラズマエッチングにより基板2が除去された状態の機能層4だけを裏面7から第2の切削ブレード51で切削する。また、実施形態1に係るウェーハの加工方法は、機能層分割ステップST4において、表面3側がチャックテーブル52の保持面53で保持されたウェーハ1の裏面7側から機能層4を切削する。その結果、ウェーハの加工方法は、機能層分割ステップST4において機能層4にかかる負荷を抑制でき、特に粒径が5μm以下の細粒径の砥粒を電着ボンドで固定した第2の切削ブレード51で切削することで基板2からの機能層4の剥離を防止できる。また、実施形態1に係るウェーハの加工方法は、機能層分割ステップST4において、表面3側がチャックテーブル52の保持面53で保持されたウェーハ1の裏面7側から機能層4を切削するので、レーザーアブレーションが不要となり、デバイス5へのデブリの付着を抑制でき、保護剤を被覆する必要も生じない。
また、ウェーハの加工方法は、切削ステップST2において、第1切削溝301を形成した後に第1切削溝301の溝底303に第1切削溝301よりも細い第2切削溝302を形成すると共に、プラズマエッチングステップST3においてウェーハ1をプラズマエッチングする。このために、ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップST3のエッチングステップにおいて、プラズマ状態のエッチングガスを切削溝300の底304を通してウェーハ1に引き込むことができる。その結果、ウェーハの加工方法は、効率的にウェーハ1の基板2を分割することができる。
また、ウェーハの加工方法は、切削ステップST2において、ウェーハ1の仕上がり厚さ100より深い切削溝300を形成することで、裏面7側に仕上がり厚さ100以上の段差を設け、プラズマエッチングステップST3後に残されるウェーハ1の厚さが仕上がり厚さになりつつ、所望の深さの切削溝300を形成できる。
また、ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップST3において、基板2を分割予定ライン6に沿って分割するために、個々に分割されたデバイス5の側面がプラズマエッチングによって除去された面である。このために、ウェーハの加工方法は、切削加工による欠けが個々に分割されたデバイス5の側面に残らず、抗折強度が高いデバイス5を製造できる、という効果も奏する。
また、ウェーハの加工方法は、仕上げ研削ステップST5において、ウェーハ1の裏面7を研削して、第1切削溝301と第2切削溝302との間の段差を除去するので、所定寸法のデバイス5を得ることができる。
また、ウェーハの加工方法は、ダイアタッチフィルム貼着ステップST6と、ダイアタッチフィルム分割ステップST7とを備えるので、基板などに固定可能なデバイス5を得ることができる。
〔実施形態2〕
本発明の実施形態2に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図13は、実施形態2に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図14は、図13に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップを示す側断面図である。図15は、図13に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。なお、図13、図14及び図15は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態2に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図13は、実施形態2に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図14は、図13に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップを示す側断面図である。図15は、図13に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。なお、図13、図14及び図15は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
実施形態2に係るウェーハの加工方法は、図13に示すように、予備研削ステップST10を備えること以外、実施形態1と同じである。予備研削ステップST10は、プラズマエッチングステップST3の前に、ウェーハ1の裏面7を予め研削するステップである。実施形態2において、ウェーハの加工方法は、予備研削ステップST10を保護部材配設ステップST1の後でかつ切削ステップST2の前に実施するが、本発明では、プラズマエッチングステップST3の前であれば、保護部材配設ステップST1の前又は切削ステップST2の後に実施しても良い。
予備研削ステップST10では、研削装置80が、チャックテーブル81の保持面82に粘着テープ200を介してウェーハ1の機能層4側を吸引保持する。予備研削ステップST10では、図14に示すように、スピンドル83により予備研削用の研削ホイール84を回転しかつチャックテーブル81を軸心回りに回転しながら研削水を供給するとともに、予備研削用砥石85をチャックテーブル81に所定の送り速度で近づけることによって、予備研削用砥石85でウェーハ1の裏面7を粗研削する。
予備研削ステップST10では、図15に示すように、仕上がり厚さ100とプラズマエッチングステップST3において除去される厚さ101とを合わせた厚さ以上になるまでウェーハ1を研削する。実施形態2において、ウェーハの加工方法は、仕上がり厚さ100とプラズマエッチングステップST3において除去される厚さ101とを合わせた厚さ以上になるまでウェーハ1を研削するとプラズマエッチングステップST3に進む。なお、本発明は、予備研削ステップST10では、仕上がり厚さ100とプラズマエッチングステップST3において除去される厚さ101と仕上げ研削ステップST5で除去される厚さとを合わせた厚さと略等しくなる厚さにウェーハ1を薄化してもいい。
実施形態2に係るウェーハの加工方法は、切削ステップST2において裏面7から分割予定ライン6に沿って切削溝300を形成した後、プラズマエッチングステップST3において裏面7側からプラズマエッチングするので、切削溝300の方が他の領域よりも早く裏面7までエッチングが進むため、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。その結果、ウェーハの加工方法は、実施形態1と同様に、コストを抑制しながらもウェーハ1にプラズマエッチングを行ってウェーハ1を個々のデバイス5に分割することができる。
また、実施形態2に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップST3の前に予備研削ステップST10を実施してウェーハ1を薄化するので、プラズマエッチングステップST3時のウェーハ1の基板2の除去量を削減することができる。その結果、実施形態2に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップST3において発生する所謂アウトガスの量と加工時間とを削減することができる。
また、実施形態2に係るウェーハの加工方法は、切削ステップST2の前に予備研削ステップST10を実施してウェーハ1の裏面7を研削するので、予備研削ステップST10の前においてウェーハ1の裏面7が梨地面(細かい凹凸を有する面)であっても、切削ステップST2の前に裏面7を平坦化することができる。その結果、実施形態2に係るウェーハの加工方法は、切削ステップST2において、赤外線カメラによる撮影が可能となり、撮像したウェーハ1表面の画像に基づいてアライメントを遂行した際の第1の切削ブレード12−1,12−2と分割予定ライン6との位置合わせを可能とする。
〔実施形態3〕
本発明の実施形態3に係るウェーハの加工方法を説明する。実施形態3に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップST3において、電極に高周波電力を印加して密閉空間内でエッチングガスなどをプラズマするものではなく、プラズマ状態にしたエッチングガスなどをプラズマエッチングチャンバー内の密閉空間に導入するリモートプラズマ方式のプラズマエッチング装置を用いる。
本発明の実施形態3に係るウェーハの加工方法を説明する。実施形態3に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップST3において、電極に高周波電力を印加して密閉空間内でエッチングガスなどをプラズマするものではなく、プラズマ状態にしたエッチングガスなどをプラズマエッチングチャンバー内の密閉空間に導入するリモートプラズマ方式のプラズマエッチング装置を用いる。
実施形態3に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップST3において、リモートプラズマ方式のエッチング装置を用いるので、エッチング装置ではプラズマ状態のエッチングガスに混入するイオンが供給管の内面に衝突してプラズマエッチングチャンバー内の密閉空間に到達することを抑制でき、ラジカルが高濃度なエッチングガスを供給できるので、より幅の狭い切削溝300であっても基板2をデバイス5毎に分割することができる。
なお、実施形態3に係るウェーハの加工方法は、実施形態2と同様に、予備研削ステップST10を実施しても良い。
次に、本発明の発明者は、実施形態1に係るウェーハの加工方法の効果を確認した、結果を表1に示す。表1は、比較例1、2、3、4、5、本発明品1及び2の機能層分割ステップST4後の分割の状況を示している。
表1の比較例1は、機能層分割ステップST4において、平均粒径が0μを超えかつ5μm以下の砥粒を電着ボンドで固定した第2の切削ブレード51を用いて、表面3側から機能層4を切削した。比較例2は、機能層分割ステップST4において、平均粒径が5μを超えかつ10μm以下の砥粒を電着ボンドで固定した切削ブレードを用いて、裏面7側から分割溝310の底に露出した機能層4を切削した。比較例3は、機能層分割ステップST4において、平均粒径が0μを超えかつ5μm以下の砥粒をレジンボンドで固定した切削ブレードを用いて、裏面7側から分割溝310の底に露出した機能層4を切削した。比較例4は、機能層分割ステップST4において、平均粒径が0μを超えかつ5μm以下の砥粒をメタルボンドで固定した切削ブレードを用いて、裏面7側から分割溝310の底に露出した機能層4を切削した。比較例5は、機能層分割ステップST4において、平均粒径が0μを超えかつ5μm以下の砥粒をビトリファイドボンドで固定した切削ブレードを用いて、裏面7側から分割溝310の底に露出した機能層4を切削した。
また、本発明品1は、機能層分割ステップST4において、平均粒径が0μを超えかつ5μm以下の砥粒を電着ボンドで固定した第2の切削ブレード51を用いて、裏面7側から分割溝310の底に露出した機能層4を切削した。本発明品2は、機能層分割ステップST4において、平均粒径が0μを超えかつ3μm以下の砥粒を電着ボンドで固定した第2の切削ブレード51を用いて、裏面7側から分割溝310の底に露出した機能層4を切削した。
表1によれば、比較例1及び比較例2は、機能層4の剥離があったが、本発明品1及び2は、機能層4が剥離することなく機能層4を分割できた。表1によれば、平均粒径が0μを超えかつ5μm以下の砥粒を有する第2の切削ブレード51を裏面7側から分割溝310の底に露出した機能層4を切削することで、機能層4の剥離を抑制しながらも分割できることが明らかとなった。
また、表1によれば、比較例3、4及び5は、エッチングして形成した分割溝310の幅が50μm以下であり、それより薄い切削ブレードをレジンボンド、メタルボンド及びビトリファイドボンドで形成するのが難しく、機能層4の分割が困難であった。また、比較例3、4及び5は、切削ブレードを形成できたとしても切削中に蛇行してしまい側面をプラズマエッチングすることで抗折強度をアップしたデバイス5の側面を傷つけてしまった。このような比較例3、4及び5に対して、本発明品1及び2は、機能層4が剥離することなく機能層4を分割できた。表1によれば、平均粒径が0μを超えかつ5μm以下の砥粒を電着ボンドで固定した第2の切削ブレード51を裏面7側から分割溝310の底に露出した機能層4を切削することで、機能層4の剥離を抑制しながらも分割できることが明らかとなった。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明では、分割予定ライン6に形成される機能層4、金属膜及びTEGを切削ステップST2の前に、表面からレーザー光線を照射して、アブレーションで除去しても良い。また、本発明は、ウェーハ1の裏面7に予め酸化被膜が形成されている場合、プラズマエッチングステップST3において、この酸化被膜をマスクとしてプラズマエッチングを行っても良い。また、本発明は、仕上げ研削ステップST5及び予備研削ステップST10の双方において、予備研削用砥石85を用いてウェーハ1の裏面7を粗研削した後に、予備研削用砥石85より砥粒の小さい仕上げ研削用砥石65でウェーハ1の裏面7を仕上げ研削しても良いし、ウェーハ1の裏面7を粗研削のみしても良いし、ウェーハ1の裏面7を仕上げ研削のみしても良い。また、本発明は、デバイス5のサイズが上記実施形態に記載されたものに限定されない。
1 ウェーハ
2 基板
3 表面
4 機能層
5 デバイス
6 分割予定ライン
7 裏面
12,12−1,12−2 第1の切削ブレード
51 第2の切削ブレード
51−1 切り刃
100 仕上がり厚さ
200 粘着テープ(保護部材)
300 切削溝
304 底
310 分割溝
ST1 保護部材配設ステップ
ST2 切削ステップ
ST3 プラズマエッチングステップ
ST4 機能層分割ステップ
ST5 仕上げ研削ステップ
ST10 予備研削ステップ
2 基板
3 表面
4 機能層
5 デバイス
6 分割予定ライン
7 裏面
12,12−1,12−2 第1の切削ブレード
51 第2の切削ブレード
51−1 切り刃
100 仕上がり厚さ
200 粘着テープ(保護部材)
300 切削溝
304 底
310 分割溝
ST1 保護部材配設ステップ
ST2 切削ステップ
ST3 プラズマエッチングステップ
ST4 機能層分割ステップ
ST5 仕上げ研削ステップ
ST10 予備研削ステップ
Claims (3)
- 基板の表面に機能層が積層され複数のデバイスが形成されたウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、
該ウェーハの表面の該機能層側に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、
該ウェーハの裏面に第1の切削ブレードを切り込ませ、該機能層に至らない深さの切削溝を該分割予定ラインに沿って該基板に形成する切削ステップと、
該ウェーハの裏面側にプラズマ状態のガスを供給し、該切削溝の底に残存する基板をエッチングして除去し、該分割予定ラインに沿った分割溝で該基板を分割するプラズマエッチングステップと、
粒径が5μm以下の砥粒を有する電着砥石からなり、該分割溝の幅より薄い切り刃を備える第2の切削ブレードを、ウェーハの裏面側から該分割溝に沿って切り込ませ、該分割溝の底で露出した該機能層を切削して分割する機能層分割ステップと、を備えるウェーハの加工方法。 - 該プラズマエッチングステップの後に、ウェーハの裏面を研削してウェーハを仕上がり厚さにする仕上げ研削ステップを備える請求項1に記載のウェーハの加工方法。
- 該プラズマエッチングステップの前に、ウェーハの裏面を予め研削する予備研削ステップと、を備える請求項1または請求項2に記載のウェーハの加工方法。
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Family
ID=70220321
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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