CN111293084B - 器件芯片的制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供器件芯片的制造方法，能够提高器件芯片的抗弯强度。器件芯片的制造方法包含如下的步骤：激光加工槽形成步骤，从在由交叉的分割预定线划分的正面的多个区域内形成有器件的晶片的正面沿着分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，沿着分割预定线形成朝向宽度方向外侧变浅的V形状的激光加工槽；保护部件粘贴步骤，在形成有激光加工槽的晶片的正面上粘贴粘接带；以及磨削步骤，对隔着保护部件而被卡盘工作台保持的晶片从背面进行磨削，薄化至完工厚度并且将晶片分割，从而形成侧面具有倾斜面的多个器件芯片。

Description

器件芯片的制造方法
技术领域
本发明涉及器件芯片的制造方法。
背景技术
半导体器件芯片通常搭载于由平坦的玻璃环氧构成的硬质的基板等安装基板上。但是，近年来，作为安装基板，出现了柔软且富有挠性的柔性基板。柔性基板搭载于具有曲面的有机EL(Electro Luminescence，电致发光)面板、或沿着人体的姿态设置的传感器等。另一方面，本发明的申请人提出了如下的切割技术：在将晶片分割成器件芯片时，实施所谓的阶梯式切割：在利用切刃较厚的切削刀具形成切削槽之后，利用切刃较薄的切削刀具对切削槽的底进行切削(例如参照专利文献1)。
专利文献1：日本特许第2892459号公报
搭载于上述柔性基板的器件芯片必然会被向弯折的方向施加力，因此要求更高的抗弯强度。专利文献1等所示的切割技术存在会产生崩边因而使抗弯强度降低的趋势。切割技术尤其会显著产生背面侧的崩边，因此专利文献1所示的技术即使实施阶梯式切割等，也难以完全消除缺损，存在课题。
发明内容
由此，本发明的目的在于提供器件芯片的制造方法，能够提高器件芯片的抗弯强度。
根据本发明的一个方式，提供器件芯片的制造方法，其中，该器件芯片的制造方法具有如下的步骤：激光加工槽形成步骤，从在由交叉的多条分割预定线划分的正面的多个区域内分别形成有器件的晶片的正面沿着该分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，沿着该分割预定线形成朝向宽度方向外侧变浅的V形状的激光加工槽；保护部件粘贴步骤，在形成有该激光加工槽的晶片的正面上粘贴保护部件；以及磨削步骤，对隔着该保护部件而由卡盘工作台所保持的晶片从背面进行磨削，薄化至完工厚度并且将该晶片分割，从而形成侧面具有倾斜面的多个器件芯片。
优选所述器件芯片的制造方法还具有如下的等离子蚀刻步骤：在实施了该磨削步骤之后，对被该保护部件保持的器件芯片进行等离子蚀刻。
优选所述器件芯片的制造方法还具有如下的槽形成步骤：在实施了该激光加工槽形成步骤之后且在实施该保护部件粘贴步骤之前，利用切削刀具沿着该激光加工槽形成深度超过该器件芯片的厚度的切削槽，在该磨削步骤中，进行磨削直至该切削槽在背面露出。
优选该器件芯片是搭载于具有挠性的柔性基板的器件芯片，该柔性基板形成有布线和电极。
根据本发明的其他方式，提供器件芯片的制造方法，其中，该器件芯片的制造方法具有如下的步骤：保护部件粘贴步骤，在由交叉的多条分割预定线划分的正面的多个区域内分别形成有器件的晶片的正面上粘贴保护部件；磨削步骤，从背面侧对粘贴有该保护部件的该晶片进行磨削，薄化至完工厚度；激光加工步骤，在实施了磨削步骤之后，从晶片的正面或背面沿着该分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，沿着该分割预定线形成朝向宽度方向外侧变浅的V形状的激光加工槽，从而形成侧面具有倾斜面的多个器件芯片。
优选所述器件芯片的制造方法还具有如下的等离子蚀刻步骤：在实施了该激光加工步骤之后，对该保护部件所保持的器件芯片进行等离子蚀刻。
优选所述器件芯片的制造方法还具有如下的槽形成步骤：在实施了该激光加工步骤之后，利用切削刀具沿着该激光加工槽形成将该晶片分割的切削槽。
优选该器件芯片是搭载于具有挠性的柔性基板的器件芯片，该柔性基板形成有布线和电极。
本申请发明的器件芯片的制造方法起到能够提高器件芯片的抗弯强度的效果。
附图说明
图1是示出第1实施方式的器件芯片的制造方法的加工对象的晶片的一例的立体图。
图2是通过第1实施方式的器件芯片的制造方法制造的器件芯片的立体图。
图3是图2所示的器件芯片的侧视图。
图4是示出第1实施方式的器件芯片的制造方法的流程的流程图。
图5是将图4所示的器件芯片的制造方法的保护膜包覆步骤以局部剖面示出的侧视图。
图6是将图4所示的器件芯片的制造方法的激光加工槽形成步骤以局部剖面示出的侧视图。
图7是将图4所示的器件芯片的制造方法的保护膜清洗步骤以局部剖面示出的侧视图。
图8是示出在图4所示的器件芯片的制造方法的保护部件粘贴步骤中使粘接带的粘接层与晶片的正面对置的状态的立体图。
图9是示出在图4所示的器件芯片的制造方法的保护部件粘贴步骤中在晶片的正面上粘贴有粘接带的状态的立体图。
图10是示出图4所示的器件芯片的制造方法的磨削步骤的侧视图。
图11是晶片的主要部分的剖视图，示意性示出图4所示的器件芯片的制造方法的等离子蚀刻步骤。
图12是通过第1实施方式和第1实施方式的变形例的器件芯片的制造方法制造的器件芯片的立体图。
图13是图12所示的器件芯片的侧视图。
图14是示出第2实施方式的器件芯片的制造方法的流程的流程图。
图15是将图14所示的器件芯片的制造方法的激光加工槽形成步骤以局部剖面示出的侧视图。
图16是将图14所示的器件芯片的制造方法的槽形成步骤以局部剖面示出的侧视图。
图17是通过图14所示的器件芯片的制造方法制造的器件芯片的立体图。
图18是图17所示的器件芯片的侧视图。
图19是示出第3实施方式的器件芯片的制造方法的流程的流程图。
图20是示出在图19所示的器件芯片的制造方法的保护部件粘贴步骤中使粘接带的粘接层与晶片的正面对置的状态的立体图。
图21是示出在图19所示的器件芯片的制造方法的保护部件粘贴步骤中在晶片的正面上粘贴有粘接带的状态的立体图。
图22是示出图19所示的器件芯片的制造方法的磨削步骤的侧视图。
图23是示出图19所示的器件芯片的制造方法的换贴步骤的立体图。
图24是将图19所示的器件芯片的制造方法的保护膜包覆步骤以局部剖面示出的侧视图。
图25是将图19所示的器件芯片的制造方法的激光加工步骤以局部剖面示出的侧视图。
图26是将图19所示的器件芯片的制造方法的保护膜清洗步骤以局部剖面示出的侧视图。
图27是晶片的主要部分的剖视图，示意性示出图19所示的器件芯片的制造方法的等离子蚀刻步骤。
图28是图19所示的器件芯片的制造方法的等离子蚀刻步骤后的晶片的主要部分的剖视图。
图29是通过第3实施方式的第1变形例的器件芯片的制造方法制造的器件芯片的立体图。
图30是图29所示的器件芯片的侧视图。
图31是通过第3实施方式的第2变形例的器件芯片的制造方法制造的器件芯片的立体图。
图32是图31所示的器件芯片的侧视图。
图33是示出第3实施方式的第3变形例的器件芯片的制造方法的流程的流程图。
图34是将图33所示的器件芯片的制造方法的槽形成步骤以局部剖面示出的侧视图。
标号说明
1：晶片；2：基板；3：分割预定线；4：正面；5：器件；6：背面；7、7-2、7-3、7-4：激光加工槽；8、8-4：切削槽；10、10′、10-2、10-3、10-3′、10-3″：器件芯片；11：外侧面(侧面)；12、12-1：倾斜面；41：激光光线；61：卡盘工作台；75：切削刀具；100：完工厚度(器件芯片的厚度)；200：粘接带(保护部件)；201：划片带(保护部件)；ST2：激光加工槽形成步骤；ST4：保护部件粘贴步骤；ST5：磨削步骤；ST6：等离子蚀刻步骤；ST10：槽形成步骤；ST11：保护部件粘贴步骤；ST12：磨削步骤；ST15：激光加工步骤；ST17：等离子蚀刻步骤；ST20：槽形成步骤。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明实施方式进行详细说明。本发明并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
[第1实施方式]
根据附图，对本发明的第1实施方式的器件芯片的制造方法进行说明。图1是示出第1实施方式的器件芯片的制造方法的加工对象的晶片的一例的立体图。图2是通过第1实施方式的器件芯片的制造方法制造的器件芯片的立体图。图3是图2所示的器件芯片的侧视图。图4是示出第1实施方式的器件芯片的制造方法的流程的流程图。
第1实施方式的器件芯片的制造方法是将图1所示的晶片1按照各个器件5进行分割而制造图2和图3所示的器件芯片10的方法。在第1实施方式中，晶片1是以硅、蓝宝石或砷化镓等作为基板2的圆板状的半导体晶片或光器件晶片。如图1所示，晶片1在由交叉的多条分割预定线3划分的基板2的正面4的多个区域内分别形成有器件5。
器件5例如是IC(Integrated Circuit，集成电路)或LSI(Large ScaleIntegration，大规模集成)等集成电路、CCD(Charge Coupled Device，电感耦合元件)、或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)等图像传感器。如图2所示，从晶片1一个一个分割的器件芯片10包含基板2的一部分和形成于基板2的正面4的器件5。另外，本发明在器件芯片10的说明中对与晶片1共通的部分标记相同的标号而进行说明。
在第1实施方式中，器件芯片10的基板2的外侧面11成为倾斜面12，该倾斜面12相对于正面4和背面6向基板2的平面形状随着从正面4朝向背面6而放大的方向倾斜。在第1实施方式中，倾斜面12形成为平坦。另外，在第1实施方式中，器件芯片10搭载于具有挠性的柔性基板上，例如用于具有曲面的有机EL(Electro Luminescence，电致发光)面板、或沿着人体的姿态设置的传感器等具有挠性的电子设备。
柔性基板具备具有挠性的基板，在基板上形成有布线和电极。基板是由具有挠性的树脂构成的片或膜，设定有搭载与布线连接的器件芯片10的区域。布线和电极由具有导电性的金属等构成，按照预先设定的图案配置在基板上。另外，也可以是，布线和电极的一部分与器件芯片10的未图示的电极电连接，与器件芯片10的电极连接的一部分以外的部分埋设于基板内。
第1实施方式的器件芯片的制造方法是沿着分割预定线3将晶片1分割成各个器件芯片10并且将器件芯片10薄化至预先设定的规定的完工厚度100(图1等所示)的方法。如图4所示，器件芯片的制造方法具有：保护膜包覆步骤ST1、激光加工槽形成步骤ST2、保护膜清洗步骤ST3、保护部件粘贴步骤ST4、磨削步骤ST5以及等离子蚀刻步骤ST6。
(保护膜包覆步骤)
图5是将图4所示的器件芯片的制造方法的保护膜包覆步骤以局部剖面示出的侧视图。保护膜包覆步骤ST1是在激光加工槽形成步骤ST2之前向晶片1的正面4上提供水溶性树脂31，利用由硬化的水溶性树脂31构成的水溶性保护膜32(图6所示)对晶片1的正面4进行包覆的步骤。
在保护膜包覆步骤ST1中，如图5所示，保护膜包覆装置30将晶片1的背面6侧吸引保持于旋转工作台33的保持面44上，一边使旋转工作台33绕轴心旋转，一边从在晶片1的上方沿着正面4移动的涂布喷嘴35向晶片1的正面4侧涂布液态的水溶性树脂31。水溶性树脂31包含：聚乙烯醇(polyvinyl alcohol：PVA)或聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone：PVP)等水溶性的液态的树脂等。涂布至晶片1的正面的水溶性树脂31通过旋转工作台33的旋转所产生的离心力而向晶片1的外缘侧扩展，从而对晶片1的整个正面4进行包覆。
在保护膜包覆步骤ST1中，保护膜包覆装置30在对晶片1的正面4侧涂布了水溶性树脂31之后，对水溶性树脂31进行干燥或加热而使其硬化，利用水溶性保护膜32对晶片1的整个正面4进行包覆。当利用水溶性保护膜32对晶片1的整个正面4进行包覆时，器件芯片的制造方法进入至激光加工槽形成步骤ST2。
(激光加工槽形成步骤)
图6是将图4所示的器件芯片的制造方法的激光加工槽形成步骤以局部剖面示出的侧视图。激光加工槽形成步骤ST2是从晶片1的正面4沿着分割预定线3照射对于晶片1具有吸收性的波长的激光光线41，沿着分割预定线3形成朝向宽度方向外侧变浅的剖面为V形状的激光加工槽7的步骤。
在激光加工槽形成步骤ST2中，如图6所示，将晶片1的背面6侧吸引保持于激光加工装置40的卡盘工作台43的保持面44上。在激光加工槽形成步骤ST2中，激光加工装置40的未图示的拍摄单元对晶片1的正面4进行拍摄而对分割预定线3进行检测，执行对准，进行晶片1与激光光线照射单元42的对位。
在激光加工槽形成步骤ST2中，激光加工装置40一边使激光光线照射单元42相对于卡盘工作台43沿着分割预定线3相对地移动一边朝向各分割预定线3照射对于晶片1具有吸收性的波长的脉冲状的激光光线41。另外，在第1实施方式中，在激光加工槽形成步骤ST2中，激光加工装置40在一边使激光光线照射单元42相对于卡盘工作台43沿着分割预定线3相对地移动一边从激光光线照射单元42照射激光光线41时，也在各分割预定线3的宽度方向45上扫描激光光线41。另外，激光加工装置40为了在各分割预定线3的宽度方向45上扫描激光光线41而具有多面镜或电扫描仪等。
在激光加工槽形成步骤ST2中，如图6所示，激光加工装置40对晶片1的正面4的分割预定线3实施烧蚀加工，沿着分割预定线3形成激光加工槽7。在烧蚀加工时产生的未图示的碎屑附着于水溶性保护膜32上。另外，在第1实施方式中，在激光加工槽形成步骤ST2中，激光加工装置40形成从正面4至底部的深度超过完工厚度100的激光加工槽7。
另外，在第1实施方式中，在激光加工槽形成步骤ST2中，激光加工装置40使脉冲状的激光光线41一边在各分割预定线3的宽度方向45上进行扫描一边沿着分割预定线3的长度方向进行照射，形成沿着分割预定线3的激光加工槽7。此时，对各分割预定线3的宽度方向的中央照射最多的激光光线41的脉冲，使所照射的激光光线41的脉冲随着朝向各分割预定线3的宽度方向的外侧而减少。因此，在第1实施方式中，在激光加工槽形成步骤ST2中，形成朝向各分割预定线3的宽度方向外侧变浅的剖面为V形状的激光加工槽7。
另外，在第1实施方式中，激光加工槽7的内表面形成为平坦，但在本发明中，也可以不平坦。即，在本发明中所说的剖面为V形状是指宽度随着朝向激光加工槽7的底部慢慢变窄。当在晶片1的所有分割预定线3上形成激光加工槽7时，器件芯片的制造方法进入至保护膜清洗步骤ST3。
(保护膜清洗步骤)
图7是将图4所示的器件芯片的制造方法的保护膜清洗步骤以局部剖面示出的侧视图。保护膜清洗步骤ST3是在实施了激光加工槽形成步骤ST2之后对晶片1的正面4提供由纯水构成的清洗水51而将水溶性保护膜32与在烧蚀加工中产生的碎屑一起去除的步骤。
在保护膜清洗步骤ST3中，如图7所示，清洗装置50将晶片1的背面6侧吸引保持于旋转工作台53的保持面54上，使旋转工作台53绕轴心旋转，并且从在晶片1的上方沿着正面4移动的清洗水喷嘴55将清洗水51朝向晶片1的正面4喷射。在保护膜清洗步骤ST3中，清洗水51通过旋转工作台53的旋转所产生的离心力在晶片1的正面4上顺利地流动，将附着于水溶性保护膜32的碎屑与水溶性保护膜32一起冲洗而去除。对于保护膜清洗步骤ST3，当清洗装置50一边使旋转工作台53旋转一边向晶片1的正面4提供清洗水51经过规定的时间时，结束晶片1的清洗，使晶片1干燥。当结束晶片1的正面4的干燥时，器件芯片的制造方法进入至保护部件粘贴步骤ST4。
另外，在第1实施方式中，保护膜包覆装置30进行了保护膜包覆步骤ST1，与保护膜包覆装置30不同的清洗装置50进行了保护膜清洗步骤ST3，但本发明也可以利用具有喷嘴35、55的一个装置进行保护膜包覆步骤ST1和保护膜清洗步骤ST3。
(保护部件粘贴步骤)
图8是示出在图4所示的器件芯片的制造方法的保护部件粘贴步骤中使粘接带的粘接层与晶片的正面对置的状态的立体图。图9是示出在图4所示的器件芯片的制造方法的保护部件粘贴步骤中在晶片的正面上粘贴有粘接带的状态的立体图。
保护部件粘贴步骤ST4是在形成有激光加工槽7的晶片1的正面4上粘贴作为保护部件的粘接带200的步骤。在第1实施方式中，保护部件粘贴步骤ST4在如图8所示那样使与晶片1相同直径的粘接带200的粘接层与晶片1的正面4对置之后，如图9所示那样在晶片1的正面4上粘贴粘接带200。在第1实施方式中，使用粘接带200作为保护部件，但在本发明中，保护部件不限于粘接带200。当在晶片1的正面4上粘贴粘接带200时，器件芯片的制造方法进入至磨削步骤ST5。
(磨削步骤)
图10是示出图4所示的器件芯片的制造方法的磨削步骤的侧视图。磨削步骤ST5是如下的步骤：从背面6对利用磨削装置60的卡盘工作台61隔着粘接带200而保持的晶片1进行磨削，在薄化至完工厚度100的同时将晶片1分割，形成在外侧面11具有倾斜面12的器件芯片10。
在磨削步骤ST5中，磨削装置60在卡盘工作台61的保持面62上隔着粘接带200而对晶片1的正面4侧进行吸引保持。在磨削步骤ST5中，如图10所示，磨削装置60一边通过主轴63使磨削磨轮64旋转且使卡盘工作台61绕轴心旋转一边提供磨削水，并且使磨削磨轮64的磨削用磨具65按照规定的进给速度靠近卡盘工作台61，从而利用磨削用磨具65对晶片1的背面6侧进行磨削。在磨削步骤ST5中，磨削装置60将晶片1磨削至完工厚度100。当晶片1在磨削步骤ST5中被磨削至完工厚度100时，激光加工槽7为超过完工厚度100的深度，因此激光加工槽7在背面6侧露出，通过激光加工槽7分割成各个器件芯片10。
当将晶片1薄化至完工厚度100时，器件芯片的制造方法进入至等离子蚀刻步骤ST6。另外，在第1实施方式中，在激光加工槽形成步骤ST2中，形成内表面平坦的剖面V形状的激光加工槽7，因此器件芯片10在外侧面11形成有器件芯片10随着从正面4朝向背面6而慢慢增大的平坦的倾斜面12。
(等离子蚀刻步骤)
图11是晶片的主要部分的剖视图，示意性示出图4所示的器件芯片的制造方法的等离子蚀刻步骤。等离子蚀刻步骤ST6是在实施了磨削步骤ST5之后对粘接带200所保持的多个器件芯片10进行等离子蚀刻的步骤。
在等离子蚀刻步骤ST6中，在未图示的等离子装置的蚀刻腔室内收纳粘接带200所保持的多个器件芯片10，在静电卡盘工作台上隔着粘接带200而静电吸附器件芯片10的正面4侧。在等离子蚀刻步骤ST6中，将等离子化的气体提供至蚀刻装置的蚀刻腔室内，从而如图11所示，将等离子化的蚀刻气体210提供至晶片1的背面6侧。
另外，在第1实施方式中，在等离子蚀刻步骤ST6中，使用所谓的远程等离子方式的蚀刻装置，将在蚀刻腔室外进行了等离子化的蚀刻气体210导入至蚀刻腔室内，但在本发明中，也可以使用所谓的直接等离子方式的蚀刻装置，从上部电极向蚀刻腔室内提供等离子前的蚀刻气体，对各电极施加高频电力，在蚀刻腔室内对蚀刻气体进行等离子化。另外，在第1实施方式中，在基板2由硅构成的情况下，使用SF6、C4F8或CF4等作为蚀刻气体，但蚀刻气体不限于此。
在等离子蚀刻步骤ST6中，蚀刻装置按照将受到在激光加工槽形成步骤ST2中在晶片1即器件芯片10上产生的热影响的层以及在磨削步骤ST5中形成的破碎层去除的规定时间对器件芯片10进行等离子蚀刻。当对器件芯片10进行等离子蚀刻等时，器件芯片的制造方法结束。另外，之后器件芯片10通过未图示的拾取器从粘接带200进行拾取。
第1实施方式的器件芯片的制造方法在激光加工槽形成步骤ST2中使脉冲状的激光光线41一边在各分割预定线3的宽度方向45上进行扫描一边进行照射，形成剖面为V形状的激光加工槽7，在器件芯片10的外侧面11形成倾斜面12。根据该芯片形状，能够提高器件芯片10的抗弯强度。另外，在激光加工中未产生崩边，因此能够提高抗弯强度。
另外，第1实施方式的器件芯片的制造方法在磨削步骤ST5之后具有对器件芯片10进行等离子蚀刻的等离子蚀刻步骤ST6，因此能够将受到在激光加工槽形成步骤ST2中产生的热影响的层去除，能够提高器件芯片10的抗弯强度。
另外，第1实施方式的器件芯片的制造方法在等离子蚀刻步骤ST6中使用远程等离子方式的等离子蚀刻装置，因此能够抑制混入等离子化的蚀刻气体的离子与提供管的内表面碰撞而到达蚀刻腔室内的密闭空间中，能够提供自由基为高浓度的蚀刻气体，因此即使激光加工槽7的宽度即器件芯片10间的间隔更窄，也能够对器件芯片10进行等离子蚀刻。
[变形例]
根据附图，对本发明的第1实施方式的变形例的器件芯片的制造方法进行说明。图12是通过第1实施方式和第1实施方式的变形例的器件芯片的制造方法制造的器件芯片的立体图。图13是图12所示的器件芯片的侧视图。另外，在图12和图13中，对与第1实施方式相同的部分标记相同的标号而省略了说明。
第1实施方式的变形例的器件芯片的制造方法制造图12和图13所示的器件芯片10′，该器件芯片10′在外侧面11形成有朝向外侧呈凸状弯曲而相对于正面4和背面6倾斜的曲面状的倾斜面12-1。总之，在本发明中，只要在激光加工槽形成步骤ST2中形成的激光加工槽7形成为宽度随着朝向底部而变窄即可。
变形例的器件芯片的制造方法在激光加工槽形成步骤ST2中，一边在各分割预定线3的宽度方向45上扫描脉冲状的激光光线41一边沿着分割预定线3的长度方向照射激光光线41。此时，通过调整宽度方向45上的扫描，形成剖面朝向器件芯片10′的外侧而呈凸状弯曲的激光加工槽7，因此与第1实施方式同样地，能够提高器件芯片10′的抗弯强度。
[第2实施方式]
根据附图，对本发明的第2实施方式的器件芯片的制造方法进行说明。图14是示出第2实施方式的器件芯片的制造方法的流程的流程图。图15是将图14所示的器件芯片的制造方法的激光加工槽形成步骤以局部剖面示出的侧视图。图16是将图14所示的器件芯片的制造方法的槽形成步骤以局部剖面示出的侧视图。图17是通过图14所示的器件芯片的制造方法制造的器件芯片的立体图。图18是图17所示的器件芯片的侧视图。另外，在图14至图18中，对与第1实施方式相同的部分标记相同的标号而省略了说明。
第2实施方式的器件芯片的制造方法与第1实施方式同样地是沿着分割预定线3将晶片1分割成各个器件芯片10-2，并且将器件芯片10-2薄化至预先设定的规定的完工厚度100的方法。如图14所示，第2实施方式的器件芯片的制造方法具有：保护膜包覆步骤ST1、激光加工槽形成步骤ST2、保护膜清洗步骤ST3、保护部件粘贴步骤ST4、磨削步骤ST5、等离子蚀刻步骤ST6以及槽形成步骤ST10。
第2实施方式的器件芯片的制造方法的激光加工槽形成步骤ST2中，激光加工装置40如图15所示那样形成从正面4至底部的深度比完工厚度100浅的激光加工槽7-2。
第2实施方式的器件芯片的制造方法的槽形成步骤ST10是在实施激光加工槽形成步骤ST2之后且在实施保护部件粘贴步骤ST4之前利用图16所示的切削装置70的切削刀具75沿着激光加工槽7-2形成深度超过作为器件芯片10的厚度的完工厚度100的切削槽8的步骤。
在槽形成步骤ST10中，在实施了保护膜清洗步骤ST3之后，如图16所示，切削装置70将晶片1的背面6侧吸引保持于卡盘工作台71的保持面72上。另外，在第2实施方式中，对于切削装置70的切削单元73的安装于主轴74的前端的切削刀具75，切刃76的前端沿着主轴74的轴心形成为平坦。
在槽形成步骤ST10中，在将背面6侧吸引保持于保持面72之后，切削装置70的未图示的拍摄单元对晶片1的正面4进行拍摄而对分割预定线3进行检测，从而执行对准，进行晶片1与切削单元73的切削刀具75的对位。
在槽形成步骤ST10中，切削装置70在将通过主轴74绕轴心旋转的切削刀具75的切刃76的下端定位于超过完工厚度100且未到达背面6的高度之后，使晶片1和切削单元73的切削刀具75沿着分割预定线3在水平方向上相对地移动。在槽形成步骤ST10中，切削装置70使晶片1和切削单元73的切削刀具75沿着分割预定线3在水平方向上相对地移动，使切削刀具75切入至激光加工槽7-2的底部，在激光加工槽7-2的底部形成深度未到达晶片1的背面6侧的切削槽8。
当使切削刀具75切入至晶片1的所有分割预定线3的激光加工槽7-2的底部而形成切削槽8时，器件芯片的制造方法进入至保护部件粘贴步骤ST4。
另外，在第2实施方式的器件芯片的制造方法的磨削步骤ST5中，磨削装置60对晶片1进行磨削直至切削槽8在背面6上露出，分割成图17和图18所示的器件芯片10-2。
另外，如图17和图18所示，通过第2实施方式的器件芯片的制造方法制造的器件芯片10-2在外侧面11上除了倾斜面12以外，还形成有与倾斜面12连接的垂直面13。垂直面13位于比倾斜面12靠背面6侧的位置，是在槽形成步骤ST10中所形成的切削槽8的内表面。
第2实施方式的器件芯片的制造方法在激光加工槽形成步骤ST2中使脉冲状的激光光线41一边在各分割预定线3的宽度方向45上进行扫描一边进行照射，形成剖面为V形状的激光加工槽7-2，因此与第1实施方式同样地，能够提高器件芯片10的抗弯强度。
另外，在第2实施方式中，槽形成步骤ST10在保护膜清洗步骤ST3之后实施，但在本发明中，只要是在激光加工槽形成步骤ST2之后，则也可以在保护膜清洗步骤ST3之前实施，与在槽形成步骤ST10之后实施的切削屑清洗步骤一起实施保护膜清洗。另外，第2实施方式的器件芯片的制造方法也可以与第1实施方式的变形例同样地，使倾斜面12为朝向外侧凸出的曲面状的倾斜面12-1。
[第3实施方式]
根据附图，对本发明的第3实施方式的器件芯片的制造方法进行说明。图19是示出第3实施方式的器件芯片的制造方法的流程的流程图。本说明书在第3实施方式的说明中，对与第1实施方式相同的部分标记相同的标号而省略了说明。
第3实施方式的器件芯片的制造方法是在将晶片1薄化至规定的完工厚度100之后沿着分割预定线3分割成各个器件芯片10-3的方法。如图19所示，第3实施方式的器件芯片的制造方法具有：保护部件粘贴步骤ST11、磨削步骤ST12、换贴步骤ST13、保护膜包覆步骤ST14、激光加工步骤ST15、保护膜清洗步骤ST16以及等离子蚀刻步骤ST17。
(保护部件粘贴步骤)
图20是示出在图19所示的器件芯片的制造方法的保护部件粘贴步骤中使粘接带的粘接层与晶片的正面对置的状态的立体图。图21是示出在图19所示的器件芯片的制造方法的保护部件粘贴步骤中在晶片的正面上粘贴有粘接带的状态的立体图。
保护部件粘贴步骤ST11是在图20所示的晶片1的正面4上粘贴作为保护部件的粘接带200的步骤。在第3实施方式中，保护部件粘贴步骤ST11如图21所示那样将与晶片1相同直径的粘接带200粘贴于晶片1的正面4上。在第3实施方式中，使用粘接带200作为保护部件，但在本发明中，保护部件不限于粘接带200。当在晶片1的正面4上粘贴粘接带200时，器件芯片的制造方法进入至磨削步骤ST12。
(磨削步骤)
图22是示出图19所示的器件芯片的制造方法的磨削步骤的侧视图。磨削步骤ST12是从背面6侧对粘贴有粘接带200的晶片1进行磨削而薄化至完工厚度100的步骤。
在磨削步骤ST12中，磨削装置60在卡盘工作台61的保持面62上隔着粘接带200而对晶片1的正面4侧进行吸引保持。在磨削步骤ST12中，如图22所示，磨削装置60一边通过主轴63使磨削磨轮64旋转且使卡盘工作台61绕轴心旋转一边提供磨削水，并且使磨削磨轮64的磨削用磨具65按照规定的进给速度靠近卡盘工作台61，从而利用磨削用磨具65对晶片1的背面6侧进行磨削。在磨削步骤ST12中，磨削装置60将晶片1磨削至完工厚度100。当将晶片1薄化至完工厚度100时，器件芯片的制造方法进入至换贴步骤ST13。
(换贴步骤)
图23是示出图19所示的器件芯片的制造方法的换贴步骤的立体图。换贴步骤ST13是在晶片1的背面6侧粘贴作为保护部件的划片带201，并且将粘接带200从晶片1的正面4侧剥离的步骤。
在换贴步骤ST13中，在磨削步骤ST12中进行了磨削的晶片1的背面6上，如图23所示那样粘贴在外周缘粘贴有环状框架202的划片带201，并将粘接带200从正面4侧剥离。当将粘接带200从正面4侧剥离时，器件芯片的制造方法进入至保护膜包覆步骤ST14。
(保护膜包覆步骤)
图24是将图19所示的器件芯片的制造方法的保护膜包覆步骤以局部剖面示出的侧视图。保护膜包覆步骤ST14是在激光加工步骤ST15之前对晶片1的正面4提供水溶性树脂31，利用由硬化的水溶性树脂31构成的水溶性保护膜32(图25所示)对晶片1的正面4进行包覆的步骤。
在保护膜包覆步骤ST14中，如图24所示，保护膜包覆装置30将晶片1的背面6侧隔着划片带201而吸引保持于旋转工作台33的保持面34上，一边使旋转工作台33绕轴心旋转，一边从在晶片1的上方沿着正面4移动的涂布喷嘴35向晶片1的正面4侧涂布液态的水溶性树脂31。涂布至晶片1的正面的水溶性树脂31通过旋转工作台93的旋转所产生的离心力而向晶片1的外缘侧扩展，从而对晶片1的整个背面6进行包覆。
在保护膜包覆步骤ST14中，保护膜包覆装置30在对晶片1的正面4侧涂布了水溶性树脂31之后，对水溶性树脂31进行干燥或加热而使其硬化，利用水溶性保护膜32对晶片1的整个正面4进行包覆。当利用水溶性保护膜32对晶片1的整个正面4进行包覆时，器件芯片的制造方法进入至激光加工步骤ST15。
(激光加工步骤)
图25是将图19所示的器件芯片的制造方法的激光加工步骤以局部剖面示出的侧视图。激光加工步骤ST15是在实施了磨削步骤ST12之后从晶片1的正面4侧沿着分割预定线3照射对于晶片1具有吸收性的波长的激光光线41，沿着分割预定线3形成朝向宽度方向外侧变浅的V形状的激光加工槽7-3的步骤。另外，激光加工步骤ST15是利用激光加工槽7-3沿着分割预定线3将晶片1分割而形成在外侧面11具有倾斜面12的器件芯片10-3的步骤。
在激光加工步骤ST15中，如图25所示，在激光加工装置40的卡盘工作台43的保持面44上隔着划片带201而对晶片1的背面6侧进行吸引保持。在激光加工步骤ST15中，激光加工装置40的未图示的拍摄单元对晶片1的正面4进行拍摄而对分割预定线3进行检测，执行对准，进行晶片1与激光光线照射单元42的对位。
在激光加工步骤ST15中，激光加工装置40一边使激光光线照射单元42相对于卡盘工作台43沿着分割预定线3相对地移动一边朝向各分割预定线3照射对于晶片1具有吸收性的波长的脉冲状的激光光线41。另外，在第3实施方式中，在激光加工步骤ST15中，激光加工装置40在一边使激光光线照射单元42相对于卡盘工作台43沿着分割预定线3相对地移动一边从激光光线照射单元42照射激光光线41时，在各分割预定线3的宽度方向45上扫描激光光线41。
在激光加工步骤ST15中，如图25所示，激光加工装置40对晶片1的正面4的分割预定线3实施烧蚀加工，沿着分割预定线3形成激光加工槽7-3。在烧蚀加工时产生的未图示的碎屑附着于水溶性保护膜32上。另外，在第3实施方式中，在激光加工步骤ST15中，激光加工装置40形成贯通晶片1的激光加工槽7-3，通过激光加工槽7-3将晶片1分割成各个器件芯片10-3。
另外，在第3实施方式中，在激光加工步骤ST15中，激光加工装置40使脉冲状的激光光线41一边在各分割预定线3的宽度方向45上进行扫描一边沿着分割预定线3的长度方向进行照射，形成沿着分割预定线3的激光加工槽7-3。此时，对各分割预定线3的宽度方向的中央照射最多的激光光线41的脉冲，使所照射的激光光线41的脉冲随着朝向各分割预定线3的宽度方向的外侧而减少。因此，在第3实施方式中，在激光加工步骤ST15中，形成朝向各分割预定线3的宽度方向外侧变浅的剖面为V形状的激光加工槽7-3。
另外，在第3实施方式中，激光加工槽7的内表面形成为平坦，但在本发明中，也可以不平坦。当在晶片1的所有分割预定线3上形成激光加工槽7-3时，器件芯片的制造方法进入至保护膜清洗步骤ST3。
另外，在第3实施方式中，在激光加工步骤ST15中，形成有内表面平坦的剖面V形状的激光加工槽7-3，因此器件芯片10-3在外侧面11形成有器件芯片10随着从正面4朝向背面6而慢慢增大的平坦的倾斜面12。
(保护膜清洗步骤)
图26是将图19所示的器件芯片的制造方法的保护膜清洗步骤以局部剖面示出的侧视图。保护膜清洗步骤ST16是在实施了激光加工步骤ST15之后对晶片1的正面4提供由纯水构成的清洗水51而将水溶性保护膜32与在烧蚀加工中产生的碎屑一起去除的步骤。
在保护膜清洗步骤ST16中，如图26所示，清洗装置50将多个器件芯片10-3的背面6侧隔着划片带201而吸引保持于旋转工作台53的保持面54上，使旋转工作台53绕轴心旋转，并且从在器件芯片10-3的上方沿着正面4移动的清洗水喷嘴55将清洗水51朝向器件芯片10-3的正面4喷射。在保护膜清洗步骤ST16中，清洗水51通过旋转工作台53的旋转所产生的离心力在器件芯片10-3的正面4上顺利地流动，将附着于水溶性保护膜32的碎屑与水溶性保护膜32一起冲洗而去除。对于保护膜清洗步骤ST16，当清洗装置50一边使旋转工作台53旋转一边向器件芯片10-3的正面4提供清洗水51经过规定的时间时，结束器件芯片10-3的清洗，使器件芯片10-3干燥。当结束器件芯片10-3的正面4的干燥时，器件芯片的制造方法进入至等离子蚀刻步骤ST17。
另外，在第3实施方式中，保护膜包覆装置30进行了保护膜包覆步骤ST1，与保护膜包覆装置30不同的清洗装置50进行了保护膜清洗步骤ST16，但本发明也可以利用具有喷嘴35、55的一个装置进行保护膜包覆步骤ST1和保护膜清洗步骤ST16。
(等离子蚀刻步骤)
图27是晶片的主要部分的剖视图，示意性示出图19所示的器件芯片的制造方法的等离子蚀刻步骤。图28是图19所示的器件芯片的制造方法的等离子蚀刻步骤后的晶片的主要部分的剖视图。
等离子蚀刻步骤ST17是在实施了激光加工步骤ST15之后对划片带201所保持的多个器件芯片10-3进行等离子蚀刻的步骤。在等离子蚀刻步骤ST17中，对器件5进行包覆，在正面4侧形成使器件芯片10-3的外侧面11等露出的掩模203-3。在实施方式中，在等离子蚀刻步骤ST17中，通过与水溶性保护膜32同样的水溶性树脂31形成掩模203-3，但在本发明中，构成掩模203-3的材料不限于上述的水溶性树脂31。例如也可以利用对器件5进行包覆的钝化膜作为掩模203-3。
在等离子蚀刻步骤ST17中，在未图示的等离子装置的蚀刻腔室内收纳划片带201所保持的多个器件芯片10-3，在静电卡盘工作台上隔着划片带201而静电吸附器件芯片10-3的背面6侧。在等离子蚀刻步骤ST17中，将等离子化的气体提供至蚀刻装置的蚀刻腔室内，从而如图27所示，将等离子化的蚀刻气体210提供至器件芯片10-3的正面4侧。
另外，在第3实施方式中，在等离子蚀刻步骤ST17中，与第1实施方式的等离子蚀刻步骤ST6同样地，使用远程等离子方式的蚀刻装置，但在本发明中，也可以使用直接等离子方式的蚀刻装置。另外，在第3实施方式中，在基板2由硅构成的情况下，与第1实施方式同样地，使用SF6、C4F8或CF4等作为蚀刻气体，但蚀刻气体不限于此。
在等离子蚀刻步骤ST17中，蚀刻装置按照将受到在激光加工步骤ST15中在晶片1即器件芯片10-3上产生的热影响的层去除的规定时间对器件芯片10-3进行等离子蚀刻。在等离子蚀刻步骤ST17中，在按照规定时间对器件芯片10-3进行了等离子蚀刻之后，将掩模203-3去除。当对器件芯片10-3进行等离子蚀刻等时，器件芯片的制造方法结束。另外，之后器件芯片10-3通过未图示的拾取从划片带201进行拾取。
第3实施方式的器件芯片的制造方法在激光加工步骤ST15中，使脉冲状的激光光线41一边在各分割预定线3的宽度方向45上进行扫描一边进行照射，形成剖面为V形状的激光加工槽7-3，在器件芯片10-3的外侧面11形成倾斜面12。根据该芯片形状，能够提高器件芯片10-3的抗弯强度。另外，在激光加工中未产生崩边，因此能够提高抗弯强度。
另外，第3实施方式的器件芯片的制造方法也可以与第1实施方式的变形例同样地，形成朝向外侧凸出的曲面状的倾斜面12-1。另外，第3实施方式的器件芯片的制造方法也可以在激光加工步骤ST15之后实施等离子蚀刻步骤ST17，在等离子蚀刻步骤ST17之后实施保护膜清洗步骤ST16，在该情况下，能够将激光加工用的水溶性保护膜32挪用为等离子蚀刻的掩模。
[变形例]
根据附图，对本发明的第3实施方式的变形例的器件芯片的制造方法进行说明。图29是通过第3实施方式的第1变形例的器件芯片的制造方法制造的器件芯片的立体图。图30是图29所示的器件芯片的侧视图。图31是通过第3实施方式的第2变形例的器件芯片的制造方法制造的器件芯片的立体图。图32是图31所示的器件芯片的侧视图。图33是示出第3实施方式的第3变形例的器件芯片的制造方法的流程的流程图。图34是将图33所示的器件芯片的制造方法的槽形成步骤以局部剖面示出的侧视图。另外，在图29至图34中，对与第3实施方式等相同的部分标记相同的标号而省略了说明。
第3实施方式的第1变形例和第2变形例的器件芯片的制造方法在激光加工步骤ST15中从晶片1的背面6侧沿着分割预定线3照射激光光线41，如图29、图30、图31以及图32所示，在器件芯片10-3′、10-3″的外侧面11形成器件5随着从正面4朝向背面6而慢慢缩小的倾斜面12、12-1。另外，在图29和图30所示的第1变形例中，形成平坦的倾斜面12，在图31和图32所示的第2变形例中，形成朝向外侧呈凸状弯曲的曲面状的倾斜面12-1。
另外，第3实施方式的第1变形例和第2变形例的器件芯片的制造方法不实施换贴步骤ST13、保护膜包覆步骤ST14、保护膜清洗步骤ST16而在磨削步骤ST12之后进入至激光加工步骤ST15，在激光加工步骤ST15中，激光加工装置40在卡盘工作台43的保持面44上隔着粘接带200而对正面4侧进行保持，从背面6照射激光光线41，形成激光加工槽7-3，分割成器件芯片10-3′、10-3″。第3实施方式的第1变形例和第2变形例的器件芯片的制造方法在激光加工步骤ST15之后，进入至等离子蚀刻步骤ST17，从背面6侧对器件芯片10-3′、10-3″进行等离子蚀刻。另外，也可以是，第3实施方式的第1变形例和第2变形例的器件芯片的制造方法在激光加工步骤ST15之前实施保护膜包覆步骤ST14，在激光加工步骤ST15之后或等离子蚀刻步骤ST17之后将水溶性保护膜32去除。
如图33所示，第3实施方式的第3变形例的器件芯片的制造方法在实施了激光加工步骤ST15和保护膜清洗步骤ST16之后，具有如下的槽形成步骤ST20，利用图34所示的切削刀具75沿着激光加工槽7-4形成将晶片1分割的切削槽8-4，制造第2实施方式的器件芯片10-2，除此以外，与第3实施方式相同。
第3实施方式的第3变形例的器件芯片的制造方法在激光加工步骤ST15中形成深度超过器件芯片10-2的完工厚度100的激光加工槽7-4，在槽形成步骤ST20中利用切削刀具75在激光加工槽7-4上进一步形成切削槽8-4，从而将晶片1分割成器件芯片10-2。另外，第3实施方式的第3变形例的器件芯片的制造方法也可以与第1实施方式的变形例同样地，使倾斜面12成为朝向外侧凸出的曲面状的倾斜面12-1，也可以是，在激光加工步骤ST15中，从晶片1的背面6侧照射激光光线41，在器件芯片10-2的外侧面11形成器件5随着从正面4朝向背面6而慢慢缩小的倾斜面12、12-1。
第1变形例、第2变形例以及第3变形例的器件芯片的制造方法在激光加工步骤ST15中形成剖面为V形状的激光加工槽7-3、7-4，因此能够与第3实施方式同样地，提高器件芯片10-2、10-3′、10-3″的抗弯强度。
另外，第1变形例和第2变形例的器件芯片的制造方法在激光加工步骤ST15中从晶片1的背面6侧照射激光光线41，因此无需实施换贴步骤ST13。其结果是，第1变形例和第2变形例的器件芯片的制造方法能够抑制所需的工时数。
接着，本发明的发明人确认本申请发明的器件芯片的制造方法的效果。在确认中，测量比较例、本发明品1以及本发明品2各自的抗弯强度。将结果示于表1。
【表1】
抗弯强度
比较例 1000MPa
本发明品1 1400MPa
本发明品2 1400MPa
另外，表1中的比较例是使用切刃的前端沿着轴心平坦的切削刀具从晶片1分割的器件芯片。本发明品1是通过第2实施方式的器件芯片的制造方法制造且倾斜面12与正面4和背面6所成的角度θ(图18所示)为40度的器件芯片10-2。本发明品2是通过第2实施方式的器件芯片的制造方法制造且倾斜面12与正面4和背面6所成的角度θ(图18所示)为70度的器件芯片10-2。
根据表1，比较例的抗弯强度为1000MPa，与此相对，本发明品1和本发明品2的抗弯强度为1400MPa。由此，根据表1可知，在器件芯片10的外侧面11形成倾斜面12、12-1，从而与比较例相比能够提高器件芯片10、10′、10-2、10-3、10-3′、10-3″的抗弯强度。
另外，根据表1可知，使形成于器件芯片10的外侧面11的倾斜面12、12-1、12-2、12-3的角度θ为40度以上且70度以下，从而与比较例相比能够提高器件芯片10、10′、10-2、10-3、10-3′、10-3″的抗弯强度。
另外，本发明不限于上述实施方式。即，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形并实施。

Claims (6)

1.一种器件芯片的制造方法，其中，
该器件芯片的制造方法具有如下的步骤：
激光加工槽形成步骤，从在由交叉的多条分割预定线划分的正面的多个区域内分别形成有器件的晶片的正面沿着该分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，沿着该分割预定线形成朝向宽度方向外侧变浅的V形状的激光加工槽；
保护部件粘贴步骤，在形成有该激光加工槽的晶片的正面上粘贴保护部件；
磨削步骤，对隔着该保护部件而由卡盘工作台所保持的晶片从背面进行磨削，薄化至完工厚度并且将该晶片分割，从而形成侧面具有倾斜面的多个器件芯片；以及
等离子蚀刻步骤，在实施了该磨削步骤之后，对被该保护部件保持的器件芯片进行等离子蚀刻，
该器件芯片是搭载于具有挠性的柔性基板而用于具有挠性的电子设备的器件芯片，该柔性基板形成有布线和电极。
2.根据权利要求1所述的器件芯片的制造方法，其中，
该器件芯片的制造方法还具有如下的槽形成步骤：在实施了该激光加工槽形成步骤之后且在实施该保护部件粘贴步骤之前，利用切削刀具沿着该激光加工槽形成深度超过该器件芯片的厚度的切削槽，
在该磨削步骤中，进行磨削直至该切削槽在背面露出。
3.根据权利要求1或2所述的器件芯片的制造方法，其中，
该器件芯片的该倾斜面的该正面和该背面所成的角度为40度以上且70度以下。
4.一种器件芯片的制造方法，其中，
该器件芯片的制造方法具有如下的步骤：
保护部件粘贴步骤，在由交叉的多条分割预定线划分的正面的多个区域内分别形成有器件的晶片的正面上粘贴保护部件；
磨削步骤，从背面侧对粘贴有该保护部件的该晶片进行磨削，薄化至完工厚度；
激光加工步骤，在实施了磨削步骤之后，从晶片的正面或背面沿着该分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，沿着该分割预定线形成朝向宽度方向外侧变浅的V形状的激光加工槽，从而形成侧面具有倾斜面的多个器件芯片；以及
等离子蚀刻步骤，在实施了该激光加工步骤之后，对该保护部件所保持的器件芯片进行等离子蚀刻，
该器件芯片是搭载于具有挠性的柔性基板而用于具有挠性的电子设备的器件芯片，该柔性基板形成有布线和电极。
5.根据权利要求4所述的器件芯片的制造方法，其中，
该器件芯片的制造方法还具有如下的槽形成步骤：在实施了该激光加工步骤之后，利用切削刀具沿着该激光加工槽形成将该晶片分割的切削槽。
6.根据权利要求4或5所述的器件芯片的制造方法，其中，
该器件芯片的该倾斜面的该正面和该背面所成的角度为40度以上且70度以下。
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