JP2020061500A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるウェーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウェーハの加工方法は、表面に複数のデバイスが形成されたウェーハを分割する方法である。ウェーハの加工方法は、ウェーハの表面に粘着テープを配設する保護部材配設ステップＳＴ１と、ウェーハの裏面に切削溝を分割予定ラインに沿って形成する切削ステップＳＴ２と、ウェーハの裏面側にプラズマ化したエッチングガスを供給し、基板を分割するプラズマエッチングステップＳＴ３と、切削溝の内面及びウェーハの裏面に水溶性の樹脂層を形成する水溶性樹脂層形成ステップＳＴ４と、レーザー光線を切削溝の底に照射し機能層を切断する機能層切断ステップＳＴ５と、ウェーハの裏面に洗浄水を供給して水溶性の樹脂層をデブリと共に除去する洗浄ステップＳＴ６と、を備える。【選択図】図２

Description

本発明は、ウェーハの加工方法、特にプラズマダイシングに関する。

シリコン基板等からなる半導体ウェーハは、個々のデバイスチップに分割するため、切削ブレードやレーザー光線を用いた加工方法が適用されることが知られている。これらの加工方法は、分割予定ライン（ストリート）を１本ずつ加工してウェーハをデバイスチップに分割する。近年の電子機器の小型化からデバイスチップの軽薄短小化、コスト削減が進み、サイズが従来のように１０ｍｍを超えるようなデバイスチップから２ｍｍ以下のようなサイズの小さなデバイスチップが数多く生産されている。サイズの小さなデバイスチップを製造する場合、１枚のウェーハに対する分割予定ラインの数が激増し、１ラインずつの加工では加工時間も長くなってしまう。

そこで、ウェーハの分割予定ライン全てを一括で加工するプラズマダイシングという手法が開発されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に示されたプラズマダイシングは、マスクによって遮蔽された領域以外をプラズマエッチングによって除去し、ウェーハ単位で加工を実施するため、分割予定ラインの本数が多くなっても加工時間が劇的に長くなることがないという効果がある。

しかしながら、特許文献１に示されたプラズマダイシングは、エッチングによって除去する領域のみを正確に露出させるために、それぞれのウェーハの分割予定ラインにあった精密なマスクを準備する必要がある（例えば、特許文献２及び特許文献３参照）。

特開２００６−１１４８２５号公報 特開２０１３−０５５１２０号公報 特開２０１４−１９９８３３号公報

しかしながら、特に、特許文献２及び特許文献３に示されたマスクは、製造コスト及び製造工数の抑制、マスクを位置合わせする技術の確立など、切削加工等に比べてコストが高く難易度の高い課題が残されていた。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるウェーハの加工方法を提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、基板の表面に積層された機能層によって複数のデバイスが形成されたウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面に保護部材を配設する、保護部材配設ステップと、該ウェーハの該保護部材側を切削装置のチャックテーブルで保持し、該ウェーハの裏面に切削ブレードを切り込ませ、該機能層に至らない深さの切削溝を該分割予定ラインに沿って該基板に形成する切削ステップと、該ウェーハの該保護部材側をプラズマ装置のチャックテーブルで保持し、該ウェーハの裏面側にプラズマ化したガスを供給し、該切削溝の底に残存する基板をエッチングして除去し、該基板を該分割予定ラインに沿って分割するプラズマエッチングステップと、分割された該ウェーハの裏面側から水溶性樹脂を供給し、エッチングした該切削溝の内部及びウェーハの裏面に水溶性の樹脂層を形成する水溶性樹脂層形成ステップと、該水溶性の樹脂層が形成された該ウェーハの裏面側から、レーザー光線の集光点を該切削溝の底に位置づけて照射し、該機能層を該切削溝に沿ってアブレーション加工で切断する機能層切断ステップと、該機能層切断ステップを実施後、該ウェーハの裏面に洗浄水を供給して該水溶性の樹脂層を該アブレーション加工で発生するデブリと共に除去する洗浄ステップと、を備えることを特徴とする。

前記ウェーハの加工方法において、該プラズマエッチングステップの前に、ウェーハの裏面を予め研削する予備研削ステップと、を備えても良い。

前記ウェーハの加工方法において、該プラズマエッチングステップの後に、ウェーハの裏面を研削する研削ステップと、を備えても良い。

本願発明のウェーハの加工方法は、コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。 図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。 図３は、図２に示されたウェーハの加工方法の切削ステップを一部断面で示す側面図である。 図４は、図２に示されたウェーハの加工方法の切削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。 図５は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップで用いられるプラズマ装置の構成を示す断面図である。 図６は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。 図７は、図２に示されたウェーハの加工方法の水溶性樹脂層形成ステップを示す断面図である。 図８は、図２に示されたウェーハの加工方法の水溶性樹脂層形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。 図９は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップを示す断面図である。 図１０は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップ後のウェーハの要部の断面図である。 図１１は、図２に示されたウェーハの加工方法の洗浄ステップを示す側断面図である。 図１２は、図２に示されたウェーハの加工方法の洗浄ステップ後のウェーハの要部の断面図である。 図１３は、図２に示されたウェーハの加工方法の研削ステップを示す側断面図である。 図１４は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム貼着ステップ後のウェーハの断面図である。 図１５は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップを示す断面図である。 図１６は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップ後のウェーハの要部の断面図である。 図１７は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。 図１８は、図１７に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップを示す側断面図である。 図１９は、図１７に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図１に示すウェーハ１の加工方法である。実施形態１では、ウェーハ１は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板２とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。ウェーハ１は、図１に示すように、基板２の表面３に積層された機能層４によって複数のデバイス５が形成されている。機能層４は、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）を含む。機能層４は、基板２の表面３に積層されている。なお、本明細書は、以下、基板２の裏面７をウェーハ１の裏面とし、機能層４の表面８をウェーハ１の表面とする。

デバイス５は、表面３の交差する複数の分割予定ライン６で区画された各領域にそれぞれ形成されている。即ち、分割予定ライン６は、複数のデバイス５を区画するものである。デバイス５を構成する回路は、機能層４により形成されている。なお、実施形態１において、デバイス５は、切削加工によりウェーハ１から分割されるデバイスよりも小型であり、例えば、１ｍｍ×１ｍｍ程度の大きさであり、プラズマエッチング（プラズマダイシングともいう）により個々に分割されるのに好適なものである。また、ウェーハ１は、分割予定ライン６の少なくとも一部において、機能層４側に図示しない金属膜とＴＥＧ（Test Element Group）とのうち少なくとも一方が形成されている。ＴＥＧは、デバイス５に発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すための評価用の素子である。

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、ウェーハ１を分割予定ライン６に沿って個々のデバイス５に分割するとともに、デバイス５を仕上がり厚さ１００まで薄化する方法である。ウェーハの加工方法は、図２に示すように、保護部材配設ステップＳＴ１と、切削ステップＳＴ２と、プラズマエッチングステップＳＴ３と、水溶性樹脂層形成ステップＳＴ４と、機能層切断ステップＳＴ５と、洗浄ステップＳＴ６と、研削ステップＳＴ７と、ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ８と、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ９とを備える。

（保護部材配設ステップ）
保護部材配設ステップＳＴ１は、ウェーハ１の表面８に保護部材である粘着テープ２００を配設するステップである。実施形態１において、保護部材配設ステップＳＴ１は、図１に示すように、ウェーハ１よりも大径な粘着テープ２００をウェーハ１の表面８に貼着し、粘着テープ２００の外周縁に環状フレーム２０１を貼着する。実施形態１では、保護部材として粘着テープ２００を用いるが、本発明では、保護部材は、粘着テープ２００に限定されない。ウェーハの加工方法は、ウェーハ１の表面８に粘着テープ２００を貼着すると、切削ステップＳＴ２に進む。

（切削ステップ）
図３は、図２に示されたウェーハの加工方法の切削ステップを一部断面で示す側面図である。図４は、図２に示されたウェーハの加工方法の切削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。

切削ステップＳＴ２は、ウェーハ１の粘着テープ２００側を図３に示す切削装置１０のチャックテーブル１３で吸引保持し、ウェーハ１の裏面７に切削ブレード１２を切り込ませ、機能層４に至らない深さの切削溝３００を分割予定ライン６に沿って基板２に形成するステップである。実施形態１において、切削ステップＳＴ２では、図３に示すように、切削ユニット１１を１つ備えた切削装置１０のチャックテーブル１３の保持面１４に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持する。切削ステップＳＴ２では、切削装置１０の図示しない赤外線カメラがウェーハ１の裏面７を撮像して分割予定ライン６を検出し、ウェーハ１と切削ユニット１１の切削ブレード１２との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。

切削ステップＳＴ２では、切削装置１０は、ウェーハ１と切削ユニット１１の切削ブレード１２とを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながら切削ブレード１２を裏面７から切り込ませて、ウェーハ１の裏面７側に機能層４に至らない深さの切削溝３００を形成する。

切削ステップＳＴ２では、切削装置１０は、ウェーハ１の裏面７側に機能層４に至らない深さの切削溝３００を形成して、切削溝３００の底３０１に基板２の母材を残存させる。ウェーハの加工方法は、図４に示すように、ウェーハ１の全ての分割予定ライン６の裏面７側に切削溝３００を形成すると、プラズマエッチングステップＳＴ３に進む。なお、実施形態１において、切削ステップＳＴ２では、ウェーハ１を１枚の切削ブレード１２で切削する所謂シングルカットを実施したが、本発明は、ウェーハ１を太い切削ブレードで切削した後に、細い切削ブレードで切削する所謂ステップカットを実施しても良い。

（プラズマエッチングステップ）
図５は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップで用いられるプラズマ装置の構成を示す断面図である。図６は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ中の電極間に発生する反応光の光量の変化を示す図である。図６は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。

プラズマエッチングステップＳＴ３は、ウェーハ１の粘着テープ２００側を図５に示すプラズマ装置２０のプラズマエッチングチャンバー２５内のチャックテーブル２１で保持し、ウェーハ１の裏面７側にプラズマ化したエッチングガスを供給し、切削溝３００の底３０１（図４に示す）に残存する基板２をエッチングして除去し、基板２を分割予定ライン６に沿って分割するステップである。プラズマエッチングステップＳＴ３は、ウェーハ１の基板２をプラズマダイシングするステップである。

プラズマエッチングステップＳＴ３では、プラズマ装置２０の制御ユニット２２が、ゲート作動ユニット２３を作動してゲート２４を図５中の下方に移動させ、プラズマエッチングチャンバー２５の開口２６を開ける。次に、図示しない搬出入手段によって切削ステップＳＴ２が実施されたウェーハ１を開口２６を通してプラズマエッチングチャンバー２５内の密閉空間２７に搬送し、下部電極２８を構成する被加工物保持部２９のチャックテーブル２１（静電チャック、ＥＳＣ：Electrostatic chuck）上に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を載置する。このとき、制御ユニット２２は、昇降駆動ユニット３０を作動して上部電極３１を上昇させておく。制御ユニット２２は、被加工物保持部２９内に設けられた電極３２，３３に電力を印加してチャックテーブル２１上にウェーハ１を吸着保持する。

制御ユニット２２は、ゲート作動ユニット２３を作動してゲート２４を上方に移動させ、プラズマエッチングチャンバー２５の開口２６を閉じる。制御ユニット２２は、昇降駆動ユニット３０を作動して上部電極３１を下降させ、上部電極３１を構成するガス噴出部３４の下面と下部電極２８を構成するチャックテーブル２１に保持されたウェーハ１との間の距離をプラズマエッチング処理に適した所定の電極間距離に位置付ける。

制御ユニット２２は、ガス排出ユニット３５を作動してプラズマエッチングチャンバー２５内の密閉空間２７を真空排気して、密閉空間２７の圧力を所定の圧力に維持するとともに、冷媒供給ユニット３６を作動させて下部電極２８内に設けられた冷媒導入通路３７、冷却通路３８及び冷媒排出通路３９に冷媒であるヘリウムガスを循環させて、下部電極２８の異常昇温を抑制する。

次に、制御ユニット２２は、ガス供給ユニット４０を作動しエッチングガスを上部電極３１の複数の噴出口４１から下部電極２８のチャックテーブル２１上に保持されたウェーハ１に向けて噴出するとともに、エッチングガスを供給した状態で、高周波電源４２から上部電極３１にプラズマを作り維持する高周波電力を印加し、高周波電源４２から下部電極２８にイオンを引き込むための高周波電力を印加する。これにより、下部電極２８と上部電極３１との間の空間にプラズマ化されたエッチングガスが発生し、このプラズマ化されたエッチングガスがウェーハ１側に引き込まれて、ウェーハ１の裏面７、切削溝３００の内部である内面３０２及び底３０１をエッチングして、切削溝３００を基板２の表面３に向かって進行させる。

なお、実施形態１では、基板２がシリコンで構成される場合、エッチングガスとして、ＳＦ_６、Ｃ_４Ｆ_８又はＣＦ_４等を用いるが、エッチングガスは、これらに限定されない。

プラズマエッチングステップＳＴ３では、制御ユニット２２は、切削溝３００の深さ即ちウェーハ１の厚さに応じて、ウェーハ１をプラズマエッチングする所定時間が予め設定されている。プラズマエッチングステップＳＴ３において、所定時間、プラズマエッチングされたウェーハ１は、図６に示すように、裏面７全体がエッチングされて、厚さ１０１分薄化されている。また、所定時間、プラズマエッチングされたウェーハ１は、図６に示すように、切削溝３００の底３０１に残存する基板２がエッチングされ除去され、切削溝３００が機能層４に到達している。ウェーハ１は、基板２が切削溝３００により分割され、切削溝３００内に機能層４が露出して、切削溝３００の底に機能層４が残っている。また、実施形態１において、プラズマエッチングステップＳＴ３において形成される切削溝３００は、裏面７から表面３に向かうにしたがって幅が徐々に狭く形成されている。

ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、所定時間、プラズマエッチングを行うと、水溶性樹脂層形成ステップＳＴ４に進む。なお、図６は、プラズマエッチングステップＳＴ３後のウェーハ１が切削溝３００の底の基板２が除去されている例を示しているが、本発明では、切削溝３００の底３０１に僅かに基板２が残っていても良い。また、本発明のウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、ウェーハ１の裏面７全体をエッチングするとともに切削溝３００を基板２の表面３に向かって進行させるエッチングステップと、エッチングステップに次いでウェーハ１の裏面７、切削溝３００の内面３０２及び底３０１に被膜を堆積させる被膜堆積ステップとを交互に繰り返す、所謂ボッシュ法でウェーハ１をプラズマエッチングしても良い。

（水溶性樹脂層形成ステップ）
図７は、図２に示されたウェーハの加工方法の水溶性樹脂層形成ステップを示す断面図である。図８は、図２に示されたウェーハの加工方法の水溶性樹脂層形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。水溶性樹脂層形成ステップＳＴ４は、切削溝３００により基板２が分割されたウェーハ１の裏面７側から液状の水溶性樹脂９１を供給し、エッチングした切削溝３００の内面３０２及びウェーハ１の裏面７に硬化した水溶性樹脂９１により構成される水溶性の樹脂層９２を形成するステップである。

水溶性樹脂層形成ステップＳＴ４では、樹脂層形成装置９０が、図７に示すように、ウェーハ１の粘着テープ２００側をスピンナテーブル９３の保持面９４で吸引保持し、スピンナテーブル９３を軸心回りに回転させながら、ウェーハ１の中央上の塗布ノズル９５からウェーハ１の裏面７側に液状の水溶性樹脂９１を塗布する。水溶性樹脂９１は、ポリビニルアルコール（polyvinyl alcohol：ＰＶＡ）又はポリビニルピロリドン（polyvinyl pyrrolidone：ＰＶＰ）等の水溶性の液状の樹脂等を含む。ウェーハ１の表面に塗布された水溶性樹脂９１は、スピンナテーブル９３の回転により生じる遠心力によりウェーハ１の外縁側に拡げられて、ウェーハ１の裏面７全体及び全ての切削溝３００の内面３０２を被覆する。

水溶性樹脂層形成ステップＳＴ４では、樹脂層形成装置９０が、ウェーハ１の裏面７側に水溶性樹脂９１を塗布した後、水溶性樹脂９１を乾燥又は加熱して、硬化させてもいい。樹脂層形成装置９０が、図８に示すように、ウェーハ１の裏面７全体及び全ての切削溝３００の内面３０２を水溶性の樹脂層９２で被覆する。ウェーハの加工方法は、ウェーハ１の裏面７全体及び全ての切削溝３００の内面３０２を水溶性の樹脂層９２で被覆すると、機能層切断ステップＳＴ５に進む。

（機能層切断ステップ）
図９は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップを示す断面図である。図１０は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップ後のウェーハの要部の断面図である。

機能層切断ステップＳＴ５は、水溶性樹脂層形成ステップＳＴ４を実施した後、水溶性の樹脂層９２が形成されたウェーハ１の裏面７側から図９に示すレーザー加工装置５０が機能層４に対して吸収性を有する波長のレーザー光線５１の集光点５１−１を切削溝３００の底の機能層４に位置づけて照射し、機能層４を切削溝３００に沿ってアブレーション加工で切断するステップである。

機能層切断ステップＳＴ５では、レーザー加工装置５０が、チャックテーブルに粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を保持し、図９に示すように、レーザー光線照射ユニット５２とチャックテーブルとを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット５２から機能層４に対して吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線５１の集光点５１−１を切削溝３００の底に露出した機能層４に設定して、レーザー光線５１を機能層４に照射する。機能層切断ステップＳＴ５では、各分割予定ライン６において、切削溝３００の底で露出した機能層４にアブレーション加工を施して、切削溝３００の底で露出した機能層４を切断して、ウェーハ１を個々のデバイス５に分割する。なお、機能層切断ステップＳＴ５では、図示しない分割予定ライン６に形成された金属膜やＴＥＧも分割する。なお、実施形態１において、機能層４が切断されたウェーハ１は、図１０に示すように、ウェーハ１の切削溝３００の内面３０２に形成された水溶性の樹脂層９２にアブレーション加工により生じたデブリ３１０が付着している。なお、図１０は、切削溝３００の内面３０２に形成された水溶性の樹脂層９２にデブリ３１０が付着している例を示しているが、本発明では、デブリ３１０がウェーハ１の裏面７に形成された水溶性の樹脂層９２に付着しても良い。ウェーハの加工方法は、図１０に示すように、全ての分割予定ライン６において切削溝３００の底で露出した機能層４を分割すると、洗浄ステップＳＴ６に進む。

（洗浄ステップ）
図１１は、図２に示されたウェーハの加工方法の洗浄ステップを示す側断面図である。図１２は、図２に示されたウェーハの加工方法の洗浄ステップ後のウェーハの要部の断面図である。洗浄ステップＳＴ６は、機能層切断ステップＳＴ５を実施後、ウェーハ１の裏面７に純水からなる洗浄水１１１を供給して、水溶性の樹脂層９２をアブレーション加工で発生するデブリ３１０と共に除去するステップである。

洗浄ステップＳＴ６では、図１１に示すように、洗浄装置１１０がスピンナテーブル１１３の保持面１１４に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持し、スピンナテーブル１１３を軸心回りに回転させるとともに、ウェーハ１の上方を移動する洗浄水ノズル１１５から洗浄水１１１をウェーハ１の裏面７に向けて噴射する。洗浄ステップＳＴ６では、洗浄水１１１がスピンナテーブル１１３の回転により生じる遠心力によりウェーハ１の裏面７及び切削溝３００の内面３０２上をスムーズに流れて、図１２に示すように、水溶性の樹脂層９２とともに、樹脂層９２に付着したデブリ３１０を洗い流して除去することとなる。洗浄ステップＳＴ６では、所定時間、洗浄装置１１０がスピンナテーブル１１３を回転させながらウェーハ１の裏面７に洗浄水１１１を供給すると、ウェーハ１の洗浄を終了し、ウェーハ１を乾燥させる。ウェーハの加工方法は、ウェーハ１の裏面７の乾燥を終了すると、研削ステップＳＴ７に進む。

なお、実施形態１では、水溶性樹脂層形成ステップＳＴ４を樹脂層形成装置９０が行い、洗浄ステップＳＴ６を樹脂層形成装置９０とは別の洗浄装置１１０が行っていたが、本発明は、水溶性樹脂層形成ステップＳＴ４及び洗浄ステップＳＴ６をノズル９５，１１５を備える一つの装置で行っても良い。

（研削ステップ）
図１３は、図２に示されたウェーハの加工方法の研削ステップを示す側断面図である。研削ステップＳＴ７は、プラズマエッチングステップＳＴ３、水溶性機能層形成ステップＳＴ４、切断ステップＳＴ５及び洗浄ステップＳＴ６の後に、ウェーハ１の裏面７を研削してウェーハ１を仕上がり厚さ１００にするステップである。

研削ステップＳＴ７では、研削装置６０が、チャックテーブル６１の保持面６２に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持する。研削ステップＳＴ７では、図１３に示すように、スピンドル６３により仕上げ研削用の研削ホイール６４を回転しかつチャックテーブル６１を軸心回りに回転しながら研削水を供給するとともに、仕上げ研削用砥石６５をチャックテーブル６１に所定の送り速度で近づけることによって、仕上げ研削用砥石６５でウェーハ１即ちデバイス５の裏面７を仕上げ研削する。研削ステップＳＴ７では、仕上がり厚さ１００になるまでウェーハ１即ちデバイス５を研削する。ウェーハの加工方法は、仕上がり厚さ１００までウェーハ１即ちデバイス５を薄化するとダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ８に進む。

（ダイアタッチフィルム貼着ステップ）
図１４は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム貼着ステップ後のウェーハの断面図である。ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ８は、プラズマエッチングステップＳＴ３、水溶性機能層形成ステップＳＴ４、機能層切断ステップＳＴ５、洗浄ステップＳＴ６及び研削ステップＳＴ７の後に、ウェーハ１の裏面７にダイアタッチフィルム２０２を貼着するステップである。

ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ８では、研削ステップＳＴ７において仕上げ研削されたウェーハ１即ちデバイス５の裏面７にデバイス５を接着するためのダイアタッチフィルム２０２を貼着する。ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ８では、図１４に示すように、外周縁に環状フレーム２０４が貼着するとともにダイシングテープ２０３に積層されたダイアタッチフィルム２０２をウェーハ１の裏面７に貼着し、機能層４から粘着テープ２００を剥がす。ウェーハの加工方法は、粘着テープ２００を機能層４から剥がすと、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ９に進む。

（ダイアタッチフィルム分割ステップ）
図１５は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップを示す断面図である。図１６は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップ後のウェーハの要部の断面図である。ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ９は、切削溝３００に沿ってダイアタッチフィルム２０２に図１５に示すレーザー加工装置７０がレーザー光線７１を照射してダイアタッチフィルム２０２を分割するステップである。

ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ９では、レーザー加工装置７０が、チャックテーブルにダイシングテープ２０３を介してウェーハ１の裏面７側を保持し、図１５に示すように、レーザー光線照射ユニット７２とチャックテーブルとを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット７２からダイアタッチフィルム２０２に対して吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線７１を切削溝３００内で露出したダイアタッチフィルム２０２に照射する。ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ９では、各分割予定ライン６において、切削溝３００内で露出したダイアタッチフィルム２０２にアブレーション加工を施して、切削溝３００内で露出したダイアタッチフィルム２０２を分割する。ウェーハの加工方法は、図１６に示すように、全ての分割予定ライン６において切削溝３００内で露出したダイアタッチフィルム２０２を分割すると、終了する。なお、その後、デバイス５は、ダイアタッチフィルム２０２毎、図示しないピックアップによりダイシングテープ２０３からピックアップされる。

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において裏面７から分割予定ライン６に沿って切削溝３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面７側からプラズマエッチングすることで、切削溝３００を基板２の表面３に向かって進行させて、ウェーハ１を分割するため、切削溝３００の方が他の領域より早く裏面７までエッチングが進み、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。このために、ウェーハの加工方法は、切削加工により分割するデバイスよりも小型であるためにプラズマエッチングで分割するのに好適なデバイス５を備えるウェーハ１の加工方法において、高価なマスクが不要となる。その結果、ウェーハの加工方法は、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。

また、ウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２及び研削ステップＳＴ７前の保護部材配設ステップＳＴ１において、機能層４側に粘着テープ２００が貼着されている。このために、切削ステップＳＴ２及び研削ステップＳＴ７時に発生するコンタミがデバイス５に付着することを抑制することができる。

また、ウェーハの加工方法は、機能層切断ステップＳＴ５において、切削溝３００の溝底に残った機能層４にレーザー光線５１を照射して分割するので、プラズマエッチングステップＳＴ３後に、切削溝３００の底にＬｏｗ−ｋ膜等の樹脂を含む機能層４が残ったとしても、Ｌｏｗ−ｋ膜等の機能層４が積層されたウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。また、ウェーハの加工方法は、機能層切断ステップＳＴ５前の保護部材配設ステップＳＴ１において、機能層４側に粘着テープ２００が貼着され、機能層切断ステップＳＴ５において、裏面７側からレーザー光線５１を切削溝３００の底の機能層４に照射するので、アブレーション加工時に発生するデブリがデバイス５に付着することを抑制することができる。

また、ウェーハの加工方法は、水溶性樹脂層形成ステップＳＴ４において裏面７全体及び切削溝３００の内面３０２を水溶性の樹脂層９２で被覆（保護）してから機能層切断ステップＳＴ５においてレーザー光線５１を用いたアブレーション加工を実施するので、裏面７と切削溝３００の内面３０２のいずれにもデブリ３１０の付着がない、という効果を奏する。また、ウェーハの加工方法は、機能層切断ステップＳＴ５後に、洗浄ステップＳＴ６において、ウェーハ１の裏面７を洗浄するので、デブリ３１０がウェーハ１の裏面７及び切削溝３００の内面３０２に残存することを抑制することができる。

また、ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、基板２を分割予定ライン６に沿って分割するために、個々に分割されたデバイス５の側面がプラズマエッチングによって除去された面である。このために、ウェーハの加工方法は、切削加工による欠けが個々に分割されたデバイス５の側面に残らず、抗折強度が高いデバイス５を製造できる、という効果も奏する。

また、ウェーハの加工方法は、ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ８と、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ９とを備えるので、基板などに固定可能なデバイス５を得ることができる。

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１７は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図１８は、図１７に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップを示す側断面図である。図１９は、図１７に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。なお、図１７、図１８及び図１９は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係るウェーハの加工方法は、図１７に示すように、予備研削ステップＳＴ１０を備えること以外、実施形態１と同じである。予備研削ステップＳＴ１０は、プラズマエッチングステップＳＴ３の前に、ウェーハ１の裏面７を予め研削するステップである。実施形態２において、ウェーハの加工方法は、予備研削ステップＳＴ１０を保護部材配設ステップＳＴ１の後でかつ切削ステップＳＴ２の前に実施するが、本発明では、プラズマエッチングステップＳＴ３の前であれば、保護部材配設ステップＳＴ１の前又は切削ステップＳＴ２の後に実施しても良い。

予備研削ステップＳＴ１０では、研削装置８０が、チャックテーブル８１の保持面８２に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持する。予備研削ステップＳＴ１０では、図１８に示すように、スピンドル８３により予備研削用の研削ホイール８４を回転しかつチャックテーブル８１を軸心回りに回転しながら研削水を供給するとともに、予備研削用砥石８５をチャックテーブル８１に所定の送り速度で近づけることによって、予備研削用砥石８５でウェーハ１の裏面７を粗研削する。

予備研削ステップＳＴ１０では、図１９に示すように、仕上がり厚さ１００とプラズマエッチングステップＳＴ３において除去される厚さ１０１とを合わせた厚さ以上になるまでウェーハ１を研削する。実施形態２において、ウェーハの加工方法は、仕上がり厚さ１００とプラズマエッチングステップＳＴ３において除去される厚さ１０１とを合わせた厚さ以上になるまでウェーハ１を研削するとプラズマエッチングステップＳＴ３に進む。なお、本発明は、予備研削ステップＳＴ１０では、仕上がり厚さ１００とプラズマエッチングステップＳＴ３において除去される厚さ１０１と研削ステップＳＴ７で除去される厚さとを合わせた厚さと略等しくなる厚さにウェーハ１を薄化してもいい。

実施形態２に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において裏面７から分割予定ライン６に沿って切削溝３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面７側からプラズマエッチングするので、切削溝３００の方が他の領域より早く裏面７までエッチングが進み、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。その結果、ウェーハの加工方法は、実施形態１と同様に、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。

また、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３の前に予備研削ステップＳＴ１０を実施してウェーハ１を薄化するので、プラズマエッチングステップＳＴ３時のウェーハ１の基板２の除去量を削減することができる。その結果、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において発生する所謂アウトガスの量と加工時間とを削減することができる。

また、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２の前に予備研削ステップＳＴ１０を実施してウェーハ１の裏面７を研削するので、予備研削ステップＳＴ１０の前においてウェーハ１の裏面７が梨地面（細かい凹凸を有する面）であっても、切削ステップＳＴ２の前に裏面７を平坦化することができる。その結果、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において、赤外線カメラによる撮影が可能となり、撮像したウェーハ１表面の画像に基づいてアライメントを遂行した際の切削ブレード１２と分割予定ライン６との位置合わせを可能とする。

〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係るウェーハの加工方法を説明する。実施形態３に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、電極に高周波電力を印加して密閉空間内でエッチングガスなどをプラズマするものではなく、プラズマ状態にしたエッチングガスなどをプラズマエッチングチャンバー内の密閉空間に導入するリモートプラズマ方式のプラズマエッチング装置を用いる。

実施形態３に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、リモートプラズマ方式のプラズマ装置を用いるので、プラズマ装置ではプラズマ化したエッチングガスに混入するイオンが供給管の内面に衝突してプラズマエッチングチャンバー内の密閉空間に到達することを抑制でき、ラジカルが高濃度なエッチングガスを供給できるので、より幅の狭い切削溝３００であっても基板２をデバイス５毎に分割することができる。

なお、実施形態３に係るウェーハの加工方法は、実施形態２と同様に、予備研削ステップＳＴ１０を実施しても良い。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明では、分割予定ライン６に形成される機能層４、金属膜及びＴＥＧを切削ステップＳＴ２の前に、表面からレーザー光線を照射して、アブレーションで除去しても良い。また、本発明は、ウェーハ１の裏面７に予め酸化被膜が形成されている場合、プラズマエッチングステップＳＴ３において、この酸化被膜をマスクとしてプラズマエッチングを行っても良い。また、本発明は、研削ステップＳＴ７及び予備研削ステップＳＴ１０の双方において、予備研削用砥石８５を用いてウェーハ１の裏面７を粗研削した後に、予備研削用砥石８５より砥粒の小さい仕上げ研削用砥石６５でウェーハ１の裏面７を仕上げ研削しても良いし、ウェーハ１の裏面７を粗研削のみしても良いし、ウェーハ１の裏面７を仕上げ研削のみしても良い。また、本発明は、デバイス５のサイズが上記実施形態に記載されたものに限定されない。

１ ウェーハ
２ 基板
３ 表面
４ 機能層
５ デバイス
６ 分割予定ライン
７ 裏面
８ 表面
１０ 切削装置
１２ 切削ブレード
１３ チャックテーブル
２０ プラズマ装置
２１ チャックテーブル
５１ レーザー光線
５１−１ 集光点
９１ 水溶性樹脂
９２ 樹脂層
２００ 粘着テープ（保護部材）
３００ 切削溝
３０１ 底
３０２ 内面（内部）
３１０ デブリ
ＳＴ１ 保護部材配設ステップ
ＳＴ２ 切削ステップ
ＳＴ３ プラズマエッチングステップ
ＳＴ４ 水溶性樹脂層形成ステップ
ＳＴ５ 機能層切断ステップ
ＳＴ６ 洗浄ステップ
ＳＴ７ 研削ステップ
ＳＴ１０ 予備研削ステップ

Claims (3)

1. 基板の表面に積層された機能層によって複数のデバイスが形成されたウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、
   ウェーハの表面に保護部材を配設する、保護部材配設ステップと、
   該ウェーハの該保護部材側を切削装置のチャックテーブルで保持し、該ウェーハの裏面に切削ブレードを切り込ませ、該機能層に至らない深さの切削溝を該分割予定ラインに沿って該基板に形成する切削ステップと、
   該ウェーハの該保護部材側をプラズマ装置のチャックテーブルで保持し、該ウェーハの裏面側にプラズマ化したガスを供給し、該切削溝の底に残存する基板をエッチングして除去し、該基板を該分割予定ラインに沿って分割するプラズマエッチングステップと、
   分割された該ウェーハの裏面側から水溶性樹脂を供給し、エッチングした該切削溝の内部及びウェーハの裏面に水溶性の樹脂層を形成する水溶性樹脂層形成ステップと、
   該水溶性の樹脂層が形成された該ウェーハの裏面側から、レーザー光線の集光点を該切削溝の底に位置づけて照射し、該機能層を該切削溝に沿ってアブレーション加工で切断する機能層切断ステップと、
   該機能層切断ステップを実施後、該ウェーハの裏面に洗浄水を供給して該水溶性の樹脂層を該アブレーション加工で発生するデブリと共に除去する洗浄ステップと、を備えるウェーハの加工方法。
2. 該プラズマエッチングステップの前に、ウェーハの裏面を予め研削する予備研削ステップと、を備える請求項１に記載のウェーハの加工方法。
3. 該プラズマエッチングステップの後に、ウェーハの裏面を研削する研削ステップと、を備える請求項１または請求項２に記載のウェーハの加工方法。

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