JP2020027889A - 被加工物の加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 93
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 51
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 61
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 26
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Abstract
Description
11a 表面
11b 裏面
13 機能層
13a 構造物
13b 金属
15a デバイス
15b 分割予定ライン(ストリート)
19 被加工物
19a 表面
21 保護部材
23 フレーム
25 被加工物ユニット
30 スピンコーター
31 第1の保護膜
32 スピンナテーブル
32a 保持面
33 第1のレーザー加工溝
34 クランプ
35 底部
36 ノズル
36a 樹脂
38 ノズル
38a 洗浄液
40 レーザー加工装置
42 チャックテーブル
42a 保持面
44 クランプ
46 レーザー加工ヘッド
51 第2の保護膜
53 第2のレーザー加工溝
55 底部
57 溝部
60 プラズマエッチング装置
62 処理空間
64 エッチングチャンバ
64a 底壁
64b 上壁
64c 第1側壁
64d 第2側壁
64e 第3側壁
66 開口
68 ゲート
70 開閉機構
72 エアシリンダ
74 ピストンロッド
76 ブラケット
78 排気口
80 排気機構
82 下部電極
84 上部電極
86 保持部
88 支持部
90 開口
92 絶縁部材
94 高周波電源
96 テーブル
98 流路
100 吸引源
102 冷却流路
104 冷媒導入路
106 冷媒循環機構
108 冷媒排出路
110 ガス噴出部
112 支持部
114 開口
116 絶縁部材
118 高周波電源
120 昇降機構
122 支持アーム
124 噴出口
126 流路
128 流路
130 第1のガス供給源
132 第2のガス供給源
134 制御装置
140 研削装置
141 保護テープ
142 チャックテーブル
142a 保持面
144 スピンドル
146 ホイールマウント
148 研削ホイール
148a 環状基台
148b 研削砥石
W1 幅
W2 幅
L レーザービーム
P プラズマ
C 仕上げ厚さ
Claims (3)
- 基板と、該基板の表面上に設けられた機能層とを含み、分割予定ラインによって区画される複数の領域の各々に該機能層を含むデバイスが形成され、該機能層の該分割予定ラインと重なる領域に金属の構造物が形成された被加工物を、該分割予定ラインに沿って加工する被加工物の加工方法であって、
該基板の該表面とは反対側に位置する該基板の裏面に保護部材を貼り付ける保護部材貼り付けステップと、
該機能層の該基板とは反対側の面である該被加工物の表面を水溶性の第1の保護膜で被覆する第1の被覆ステップと、
該第1の被覆ステップの後、該機能層に対して吸収性を有する波長のレーザービームを該被加工物の該表面側から照射し、該機能層が除去された第1のレーザー加工溝を該分割予定ラインに沿って形成する第1のレーザー加工溝形成ステップと、
該第1のレーザー加工溝形成ステップで飛散した該構造物の金属が付着した該該第1の保護膜を洗浄によって除去し、該構造物の金属を該被加工物の該表面側から除去する第1の洗浄ステップと、
該第1の洗浄ステップの後、該被加工物の該表面及び該第1のレーザー加工溝を水溶性の第2の保護膜で被覆する第2の被覆ステップと、
該第2の被覆ステップの後、該基板に対して吸収性を有する波長のレーザービームを該被加工物の該表面側から該第1のレーザー加工溝に照射し、該第1のレーザー加工溝の底部に該第1のレーザー加工溝よりも幅の狭い第2のレーザー加工溝を形成する第2のレーザー加工溝形成ステップと、
該第2のレーザー加工溝以外の該被加工物の該表面が該第2の保護膜で被覆された該被加工物をプラズマエッチング装置のエッチングチャンバに収容し、プラズマ化したガスを該被加工物の該表面側に供給して該第2のレーザー加工溝の底部に露出する該基板に対してエッチングを行うプラズマエッチングステップと、
該プラズマエッチングステップの後、該該第2の保護膜を洗浄によって除去する第2の洗浄ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。 - 該プラズマエッチングステップでは、該第2のレーザー加工溝の該底部で露出する該基板を該プラズマ化したガスでエッチングすることにより該基板を分割することを特徴とする請求項1に記載の被加工物の加工方法。
- 該プラズマエッチングステップ後の該第2のレーザー加工溝は、該基板の該表面から該基板の仕上げ厚さを超え且つ該基板の該裏面までは至らない深さを有し、
該第2の洗浄ステップの後に、該基板の該裏面を該仕上げ厚さまで研削することにより該基板を分割する研削ステップを更に備えることを特徴とする請求項1に記載の被加工物の加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018152309A JP7154697B2 (ja) | 2018-08-13 | 2018-08-13 | 被加工物の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018152309A JP7154697B2 (ja) | 2018-08-13 | 2018-08-13 | 被加工物の加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020027889A true JP2020027889A (ja) | 2020-02-20 |
JP7154697B2 JP7154697B2 (ja) | 2022-10-18 |
Family
ID=69620380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018152309A Active JP7154697B2 (ja) | 2018-08-13 | 2018-08-13 | 被加工物の加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7154697B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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A621 | Written request for application examination |
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