JP2021190557A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本実施形態にかかるウェーハの加工方法で加工されるウェーハ11の斜視図である。図1に示すように、ウェーハ11は、例えば、シリコン等の半導体を用いて、表面(第1面)11aと、表面11aとは反対側(背面側)の裏面(第2面)11bと、を持つ円盤状に形成される。
本実施形態では、上述した実施形態とは異なる方法でウェーハ11を複数のデバイスチップ17に分割するウェーハの加工方法について説明する。なお、本実施形態にかかるウェーハの加工方法は、ウェーハ11の分割にかかる部分を除いて、上述した実施形態にかかるウェーハの加工方法と同じで良い。よって、以下では、主にウェーハ11の分割にかかる部分について説明する。
本実施形態では、上述した実施形態とは異なる方法でウェーハ11を複数のデバイスチップ17に分割するウェーハの加工方法について説明する。なお、本実施形態にかかるウェーハの加工方法は、ウェーハ11の分割にかかる部分を除いて、上述した実施形態にかかるウェーハの加工方法と同じで良い。よって、以下では、主にウェーハ11の分割にかかる部分について説明する。
本実施形態では、上述した実施形態とは異なる方法でウェーハ11を複数のデバイスチップ17に分割するウェーハの加工方法について説明する。なお、本実施形態にかかるウェーハの加工方法は、ウェーハ11の分割にかかる部分を除いて、上述した実施形態にかかるウェーハの加工方法と同じで良い。よって、以下では、主にウェーハ11の分割にかかる部分について説明する。
11a :表面(第1面)
11b :裏面(第2面)
11c :分断面
11d :改質層
13 :分割予定ライン(ストリート)
15 :デバイス
17 :デバイスチップ
19 :基板
19a :上面
21 :保持部材
23 :フレーム
25 :保持部材
27 :フレーム
31 :流体
33 :材料
35 :水溶性保護膜
37 :洗浄液
41 :レーザービーム
43 :レーザービーム
2 :切削装置
4 :チャックテーブル(保持テーブル)
6 :枠体
6a :流路
8 :ポーラス板
8a :上面(保持面)
10 :クランプ
12 :切削ユニット
14 :スピンドル
16 :切削ブレード
22 :スピン洗浄装置
24 :収容部
24a :空間
26 :スピンナテーブル
26a :上面(保持面)
28 :クランプ
30 :スピンドル
32 :回転駆動源
34 :第1ノズル
36 :回転駆動源
38 :第2ノズル
40 :回転駆動源
52 :ピックアップ装置
54 :第1テーブル
56 :コレット
58 :第2テーブル
62 :レーザー加工装置
64 :チャックテーブル(保持テーブル)
66 :枠体
66a :流路
68 :ポーラス板
68a :上面(保持面)
70 :クランプ
72 :レーザー照射ヘッド
82 :拡張装置
84 :支持構造
86 :拡張ドラム
88 :支持テーブル
90 :クランプ
92 :昇降機構
94 :シリンダケース
96 :ピストンロッド
102 :プラズマエッチング装置
104 :真空チャンバ
104a :開口
104b :排気口
106 :ゲート
108 :排気ユニット
110 :下部電極
112 :高周波電源
114 :上部電極
114a :ガス噴出孔
114b :ガス供給孔
116 :絶縁部材
118 :ガス供給源
120 :高周波電源
Claims (5)
- 分割予定ラインによって区画される複数のデバイスが表面に形成されたウェーハを加工する際に用いられるウェーハの加工方法であって、
該ウェーハの該表面及び該表面とは反対側の裏面の一方に保持部材を貼付し、該表面及び該裏面の他方を露出させる貼付ステップと、
該保持部材を貼付した後に、該ウェーハを該分割予定ラインで分割して複数のデバイスチップを形成する分割ステップと、
該ウェーハを該分割予定ラインで分割した後に、該ウェーハの該表面及び該裏面の他方と、該分割によって形成される該ウェーハの分断面と、によって構成される該デバイスチップの露出面を洗浄してパーティクルを除去する洗浄ステップと、
該デバイスチップの該露出面を洗浄した後に、該デバイスチップの該露出面を水溶性保護膜で被覆する被覆ステップと、
該水溶性保護膜で被覆された該デバイスチップを該保持部材からピックアップして、該保持部材に貼付されていた該デバイスチップの被貼付面側を基板にボンディングすることで複数の該デバイスチップを該基板に整列させるボンディングステップと、
該基板にボンディングされた該デバイスチップの該露出面側に水を含む洗浄液を供給して、該デバイスチップの該露出面を被覆する該水溶性保護膜を除去する除去ステップと、を含むウェーハの加工方法。 - 該分割ステップでは、回転させた切削ブレードを該分割予定ラインに切り込ませる請求項1に記載のウェーハの加工方法。
- 該分割ステップでは、該ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザービームを該分割予定ラインに照射する請求項1に記載のウェーハの加工方法。
- 該貼付ステップの前、又は後に、該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該ウェーハの内部に位置付けるように該レーザービームを該ウェーハに照射して該分割予定ラインに改質層を形成する改質層形成ステップと、を更に含み、
該分割ステップでは、該保持部材を拡張して該ウェーハを該分割予定ラインで分割するとともに隣接する該デバイスチップの間隔を拡げる請求項1に記載のウェーハの加工方法。 - 該分割ステップでは、プラズマ化したガスで該分割予定ラインをエッチング加工する請求項1に記載のウェーハの加工方法。
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