JP2016136558A - 被加工物の切削方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】切削屑を完全に除去可能な被加工物の切削方法を提供する。【解決手段】格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成された表面を有する板状の被加工物を切削ブレードで切削する被加工物の切削方法である。被加工物半導体ウェーハ(11)をダイシングテープTを介して環状フレームFで支持し、被加工物の表面に水溶性樹脂を塗布して樹脂膜14を形成し、樹脂膜に紫外線を照射して硬化させ、切削ブレード30を高速回転させながら被加工物の表面から分割予定ラインに沿って切り込み、被加工物を複数のチップに分割した後、被加工物の表面に所定圧以上の水を噴射し、被加工物から樹脂膜を除去することで、分割ステップで発生し樹脂膜に付着した切削屑21は樹脂膜と共に被加工物から除去する。【選択図】図5

Description

本発明は、ウェーハ等の板状の被加工物の切削方法に関する。
IC、LSI等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが複数の分割予定ラインによって区画された半導体ウェーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、切削装置によって分割予定ラインを切削して個々のデバイスチップに分割され、分割されたデバイスチップは携帯電話、パソコン等の各種電子機器に広く利用されている。
切削装置による切削は、半導体ウェーハ、光デバイスウェーハ等のウェーハを個々のチップに分割する用途のみでなく、ガラス、セラミックス等の板状の被加工物を分割する用途にも使用される。
切削ブレードによる被加工物の分割は、破砕加工であるため、必ず切削屑が発生する。従って、切削ブレードによる切削では切削屑の付着を防ぐため、切削液を供給しつつ切削加工が実施され、切削加工後は切削屑を除去する洗浄工程が実施される(例えば、特開2000−306878号公報参照)。
然し、被加工物の表面に付着した微細な切削屑を全て洗い流すことは非常に難しく、洗浄工程での水と高圧エアーとを噴射する2流体ノズルの改良等が行われている(特開2004−303855号公報参照)。
特開2000−306878号公報 特開2004−303855号公報
しかしながら、被加工物の表面に強固に付着した切削屑は切削加工後の洗浄工程で洗浄しても、完全に除去できない場合があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、切削加工により被加工物の表面に付着した切削屑を完全に除去可能な被加工物の切削方法を提供することである。
本発明によると、格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成された表面を有する板状の被加工物を切削ブレードで切削する被加工物の切削方法であって、被加工物をダイシングテープを介して環状フレームで支持する支持ステップと、該支持ステップを実施した後、被加工物の表面に水溶性樹脂を塗布して樹脂膜を形成する被覆ステップと、該被覆ステップを実施した後、該樹脂膜に紫外線を照射して該樹脂膜を硬化させる硬化ステップと、該硬化ステップを実施した後、切削ブレードを高速回転させながら被加工物の表面から該分割予定ラインに沿って切り込み、被加工物を複数のチップに分割する分割ステップと、該分割ステップを実施した後、被加工物の表面に所定圧以上の水を噴射し、被加工物から該樹脂膜を除去する除去ステップと、を備え、該分割ステップで発生し該樹脂膜に付着した切削屑は、該樹脂膜と共に該除去ステップで被加工物から除去されることを特徴とする被加工物の切削方法が提供される。
好ましくは、該除去ステップで噴射される水は、高圧エアーと共に所定圧以上の2流体として噴射される。
本発明の被加工物の切削方法によると、分割ステップの前に、被加工物の表面に水溶性の樹脂膜を被覆しておくことで、切削加工により発生した切削屑が被加工物の表面に付着せず、樹脂膜上に付着する。従って、分割ステップ実施後除去ステップを実施することにより、切削屑を樹脂膜と共に被加工物の表面から完全に除去することが可能となる。
ウェーハをダイシングテープを介して環状フレームで支持する支持ステップを示す斜視図である。 被覆ステップを示す一部断面側面図である。 硬化ステップを示す一部断面側面図である。 分割ステップを示す斜視図である。 分割ステップを示す一部断面側面図である。 除去ステップを示す一部断面側面図である。 除去ステップ実施後の一部断面側面図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、半導体ウェーハ(以下、単にウェーハと略称することがある)11をダイシングテープTを介して環状フレームFで支持する支持ステップの斜視図が示されている。
半導体ウェーハ11の表面11aには格子状に形成された複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。支持ステップでは、ウェーハ11の裏面が外周部が環状フレームFに貼着されたダイシングテープTに貼着され、ウェーハユニット17が形成される。
本発明の切削方法の加工対象となる被加工物は、半導体ウェーハ11に限定されるものではなく、格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成された表面を有する光デバイスウェーハ等の他の板状の被加工物にも、本発明の切削方法は適用可能である。
支持ステップ実施後、ウェーハ11の表面11aに水溶性樹脂を塗布して樹脂膜を形成する被覆ステップを実施する。この被覆ステップは、例えば樹脂膜被覆装置により実施する。代替案として、切削装置内に樹脂膜を被覆する被覆装置を組み込むようにしてもよい。
被覆ステップでは、図2に示すように、樹脂膜被覆装置のチャックテーブル2でダイシングテープTを介してウェーハ11を吸引保持し、環状フレームFをクランプ4でクランプして固定する。
被覆ユニット6のアーム8の先端に樹脂供給ノズル10が配設されており、アーム8を回動して樹脂供給ノズル10をウェーハ11の中心部分上方に位置づけ、チャックテーブル2を回転させながら樹脂供給ノズル10から水溶性樹脂12をウェーハ11の表面11a上に供給する。
チャックテーブル2に保持されたウェーハ11が回転しているため、ウェーハ11の表面11aに供給された水溶性樹脂12は表面11a全面にわたって一様な厚さにスピンコーティングされる。水溶性樹脂12としては、例えば、東洋合成工業株式会社が提供するBIOSURFINE AWP(登録商標)を使用することができる。
被覆ステップを実施した後、樹脂膜に紫外線を照射して樹脂膜を硬化させる硬化ステップを実施する。この硬化ステップでは、図3に示すように、ウェーハ11の表面11a上に被覆された樹脂膜14に紫外線照射ユニット16から紫外線を照射することにより、樹脂膜14が硬化(ゲル化)する。このように硬化された樹脂膜14は、後で説明する分割ステップで供給される切削水が樹脂膜14上に飛散しても除去されることはない。
硬化ステップを実施した後、ウェーハ11の表面11aから分割予定ライン13に沿って切削ブレードでダイシングテープまで切り込み、ウェーハ11を複数のデバイスチップに分割する分割ステップを実施する。この分割ステップについて、図4及び図5を参照して説明する。
図4を参照すると、24は切削装置18の切削ユニットであり、スピンドルハウジング26中に収容された図示しないモータにより回転駆動されるスピンドル28と、スピンド28の先端に着脱可能に装着された切削ブレード30とを含んでいる。
切削ブレード30は、ホイールカバー32で覆われており、ホイールカバー32のパイプ34が切削水供給源に接続されている。切削ブレード30は、円形基台の外周にニッケル母材又はニッケル合金母体中にダイヤモンド砥粒が分散された砥石部(切刃)が電着されて構成されている。
各パイプ34には切削ブレード30を挟むように水平方向に配設された一対のクーラーノズル36が接続されており、ウェーハ11の切削加工中には、図5に示すように、クーラーノズル36から切削水が加工点に供給されて切削が遂行される。
なお、図5では、ホイールカバー32は省略されている。切削ブレード30をホイールカバー32で覆ったことにより、切削水が加工点付近から飛散することを抑制することができ、この切削水により水溶性の樹脂膜14が溶け出すのを防止することができる。
分割ステップでは、クーラーノズル36から切削水を噴射しながら、切削ブレード36を矢印A方向に高速(例えば30000rpm)で回転させて、チャックテーブル20を図4でX軸方向に加工送りすることにより、ウェーハ11が分割予定ライン13に沿って切削されてダイシングテープTに達する切削溝19が形成される。
チャックテーブル20をY軸方向に分割予定ライン13のピッチずつ割り出し送りしながら、第1の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿って切削溝19を形成する。次いで、チャックテーブル20を90°回転してから、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿って同様な切削溝19を形成して、ウェーハ11を個々のデバイスチップ23(図7参照)に分割する。分割ステップを実施すると、図5に示すように、切削屑21が樹脂膜14に付着する。
本実施形態のウェーハの切削方法では、分割ステップを実施した後、ウェーハ11の表面に所定圧以上の水を噴射し、ウェーハ11から樹脂膜14を除去する除去ステップを実施する。
この除去ステップについて図6を参照して説明する。洗浄ユニット38のアーム40の先端には洗浄水噴射ノズル42が取り付けられている。アーム40は洗浄水噴射ノズル42がチャックテーブル20上から退避した退避位置と、チャックテーブル20の概略中央部分に位置づけられる洗浄位置との間で回動可能に配設されている。
洗浄水噴射ノズル42は、電磁切替弁44を介して洗浄水供給源46に選択的に接続されると共に、電磁切替弁48を介して圧縮エアー供給源50に選択的に接続されている。
ウェーハ11に被覆された樹脂膜14を除去する除去ステップでは、アーム40を回動して洗浄水噴射ノズル42を洗浄位置に位置づけ、電磁切替弁44及び48を共に連通位置に切り替えて、洗浄水噴射ノズル42から水と高圧エアーとからなる2流体52を噴射して樹脂膜14を洗浄する。
樹脂膜14は水溶性樹脂から形成されているため、水とエアーとからなる2流体52により樹脂膜14は溶け出し、ウェーハ11の表面11aから樹脂膜14を除去することができる。
好ましくは、除去ステップは、アーム40を洗浄位置と待避位置との間で回動させると共に、チャックテーブル20を低速で回転させながら実施する。これにより、水と高圧エアーとからなる2流体52が樹脂膜14の全面に供給されるため、樹脂膜14を効果的にウェーハ11の表面11aから除去することができる。分割ステップで発生した切削屑21は樹脂膜14に付着しているので、これらの切削屑21は樹脂膜14と共にウェーハ11上から除去される。
本実施形態の除去ステップでは、水と高圧エアーとからなる2流体52を洗浄水噴射ノズル42から噴射しているが、所定圧以上に加圧された水を洗浄水噴射ノズル42から噴射して樹脂膜14を除去するようにしても良い。
除去ステップ実施後の一部断面側面図が図7に示されている。ウェーハ11はダイシングテープTに達する切削溝19により個々のデバイスチップ23に分割されている。
6 被覆ユニット
10 樹脂供給ノズル
11 半導体ウェーハ
12 水溶性樹脂
14 樹脂膜
15 デバイス
17 デバイスユニット
18 切削装置
19 切削溝
20 チャックテーブル
21 切削屑
23 デバイスチップ
24 切削ユニット
30 切削ブレード
32 ホイールカバー

Claims (2)

  1. 格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成された表面を有する板状の被加工物を切削ブレードで切削する被加工物の切削方法であって、
    被加工物をダイシングテープを介して環状フレームで支持する支持ステップと、
    該支持ステップを実施した後、被加工物の表面に水溶性樹脂を塗布して樹脂膜を形成する被覆ステップと、
    該被覆ステップを実施した後、該樹脂膜に紫外線を照射して該樹脂膜を硬化させる硬化ステップと、
    該硬化ステップを実施した後、切削ブレードを高速回転させながら被加工物の表面から該分割予定ラインに沿って切り込み、被加工物を複数のチップに分割する分割ステップと、
    該分割ステップを実施した後、被加工物の表面に所定圧以上の水を噴射し、被加工物から該樹脂膜を除去する除去ステップと、を備え、
    該分割ステップで発生し該樹脂膜に付着した切削屑は、該樹脂膜と共に該除去ステップで被加工物から除去されることを特徴とする被加工物の切削方法。
  2. 該除去ステップで噴射される水は、高圧エアーと共に所定圧以上の2流体として噴射されることを特徴とする請求項1記載の被加工物の切削方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021005605A (ja) * 2019-06-25 2021-01-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 素子チップの洗浄方法、素子チップの洗浄装置ならびに素子チップの製造方法
JP7450426B2 (ja) 2020-03-24 2024-03-15 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005533376A (ja) * 2002-07-12 2005-11-04 ケテカ、シンガポール、(プロプライエタリー)、リミテッド ウエハ上に超清浄なボンディングパッドを保つための方法およびウエハ
JP2008080180A (ja) * 2006-09-25 2008-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 洗浄装置および加工装置
JP2014060269A (ja) * 2012-09-18 2014-04-03 Disco Abrasive Syst Ltd 保護被膜被覆方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005533376A (ja) * 2002-07-12 2005-11-04 ケテカ、シンガポール、(プロプライエタリー)、リミテッド ウエハ上に超清浄なボンディングパッドを保つための方法およびウエハ
JP2008080180A (ja) * 2006-09-25 2008-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 洗浄装置および加工装置
JP2014060269A (ja) * 2012-09-18 2014-04-03 Disco Abrasive Syst Ltd 保護被膜被覆方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021005605A (ja) * 2019-06-25 2021-01-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 素子チップの洗浄方法、素子チップの洗浄装置ならびに素子チップの製造方法
US11219929B2 (en) 2019-06-25 2022-01-11 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Element chip cleaning method, element chip cleaning apparatus, and element chip manufacturing method
JP7296601B2 (ja) 2019-06-25 2023-06-23 パナソニックIpマネジメント株式会社 素子チップの洗浄方法および素子チップの製造方法
JP7450426B2 (ja) 2020-03-24 2024-03-15 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法

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