JP2016025267A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザーアブレーションの工程を行わずに、接着フィルム(DAF)を直線的に分割予定ラインに沿って破断することができるウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】プラズマエッチングステップで、幅がウェーハWの表面WSから裏面WRに向けて先細り形状の溝Gを作成する。研削ステップで先細りの溝底Gaを露出させ、接着フィルム破断ステップで、ウェーハWの裏面WRに貼着された接着フィルムは、エキスパンドシートの拡張により、露出した先細りの溝底Gaの狭い幅で破断される。ここで、溝底Gaの幅は、分割予定ラインLの線幅と比較して狭い幅となっているので、チップの外周からはみ出す接着フィルムの端部、すなわち接着フィルムのバリが生じることを防止できる。【選択図】図7
Description
本発明は、プラズマダイシングによるウェーハの加工方法に関する。
半導体ウェーハの分割には、通常、ダイシング装置やレーザー加工装置が用いられる。ダイシング装置は、粉砕加工であるため、カケ(チッピング)が発生しやすく、分割されたチップの抗折強度が低くなったり、加工時間が比較的長くなったりするという問題がある。また、レーザー加工装置は、カケが少なく切り代もほとんど無いという利点があるが、チップ同士が隣接しているため、その後の搬送時にチップ同士がこすれてカケを発生させてしまうという問題も残されていた。そこで、プラズマエッチングを利用してウェーハを個々のチップに分割するという加工方法(プラズマダイシング)が考案された。この加工方法であれば、ウェーハの直径が大きくなっても溝を形成する加工時間が変わらず、抗折強度の高いチップが形成できるという利点がある。また、更に抗折強度を上げるため、所謂DBG(Dicing Before Grinding)のダイシングによる溝形成工程をプラズマエッチングで行うP−DBGという加工方法が考案されている(特許文献1)。
P−DBGの対象となるデバイスは、極薄で積層後にパッケージされる製品が多いため、チップの裏面には積層用の接着フィルム(DAF(Die Attach Film))が貼着される。P−DBGでは研削して個々のチップに分割された後のウェーハの裏面にDAFが貼られ、DAFはレーザーアブレーションによって分割予定ラインに沿って切断される(特許文献2)。
しかしながら、個々のチップに分割後にDAFが貼着されるため、分割溝は直線ではなくなっている。そのため、レーザーアブレーション前に、時には全ての分割溝をアライメントし、その位置を登録後に加工する必要があり、レーザーアブレーションによるDAFの分割は時間のかかる工程となってしまうという課題があった。
そこで、本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、レーザーアブレーションの工程を行わずに、接着フィルム(DAF)を直線的に分割予定ラインに沿って破断することができるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るウェーハの加工方法は、表面の交差する複数の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面の該分割予定ラインを除く領域にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆ステップと、該レジスト膜被覆ステップが実施されたウェーハにプラズマエッチングを実施し、ウェーハの表面に該分割予定ラインに沿った仕上げ厚さに至る溝を形成するプラズマエッチングステップと、ウェーハの裏面を露出させてチャックテーブルに保持し、ウェーハの裏面を研削して該仕上げ厚さへと薄化し該溝を露出させる研削ステップと、該研削ステップを実施した後に、ウェーハの裏面に接着フィルムを貼着するとともに該接着フィルムを環状のフレームに装着されたエキスパンドシートによって支持させる接着フィルム貼着ステップと、該接着フィルム貼着ステップを実施した後に、該エキスパンドシートを拡張することにより該接着フィルムをウェーハの該溝に沿って破断する接着フィルム破断ステップと、を備え、該プラズマエッチングステップで幅がウェーハの表面から裏面に向かって先細り形状に作成された該溝が該研削ステップにおいて該先細りの溝底を露出させ、該接着フィルム破断ステップにおいて該接着フィルムは露出した該先細りの溝底の狭い幅で切断されることを特徴とする。
本発明のウェーハの加工方法によれば、プラズマエッチングで形成する溝を深さ方向で先細りにし、露出する溝底の幅を狭くし、エキスパンドによって破断することで、溝底の幅間隔により接着フィルムを分割予定ラインに沿って直線的に破断することが可能となるという効果を奏する。これにより、レーザーアブレーションの工程を削減することができる。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態〕
実施形態に係るウェーハの加工方法について、図1〜図11に基づいて説明する。図1は、デバイスが形成されたウェーハを示す斜視図である。図2は、レジスト膜の形成例を示す斜視図である。図3は、プラズマエッチング装置の構成例を示す断面図である。図4は、プラズマエッチングによる溝の形成例を示す断面図である。図5は、レジスト膜の除去を示す断面図である。図6は、ウェーハの研削例を示す断面図である。図7は、薄化されたウェーハを示す断面図である。図8は、環状フレームによるウェーハの保持例を示す断面図である。図9は、接着フィルムの破断例(その1)を示す断面図である。図10は、接着フィルムの破断例(その2)を示す断面図である。図11は、ウェーハの加工方法を示すフローチャートである。
実施形態に係るウェーハの加工方法について、図1〜図11に基づいて説明する。図1は、デバイスが形成されたウェーハを示す斜視図である。図2は、レジスト膜の形成例を示す斜視図である。図3は、プラズマエッチング装置の構成例を示す断面図である。図4は、プラズマエッチングによる溝の形成例を示す断面図である。図5は、レジスト膜の除去を示す断面図である。図6は、ウェーハの研削例を示す断面図である。図7は、薄化されたウェーハを示す断面図である。図8は、環状フレームによるウェーハの保持例を示す断面図である。図9は、接着フィルムの破断例(その1)を示す断面図である。図10は、接着フィルムの破断例(その2)を示す断面図である。図11は、ウェーハの加工方法を示すフローチャートである。
図1に示すように、ウェーハWの表面WSには、交差する複数の分割予定ラインLによって区画された領域にデバイスDが形成されている。ウェーハWの裏面WRには、加工時にウェーハWを保護する保護部材N(ガラス、セラミックス、シリコン等で形成されたハードサブストレート又は、保護テープ)が貼り付けられている。ウェーハWは、例えば、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。なお、本実施形態では、ウェーハWはシリコンで構成されている。
実施形態に係るウェーハの加工方法は、レジスト膜被覆ステップと、プラズマエッチングステップと、研削ステップと、接着フィルム貼着ステップと、接着フィルム破断ステップとを備えている。
図11に示すレジスト膜被覆ステップST1は、図2に示すように、ウェーハWの表面WSの分割予定ラインLを除く領域にレジスト膜Rを被覆する。例えば、ウェーハWの裏面WRに貼り付けられた保護部材Nを軸心回りに回転可能な図示しないスピンナーテーブルに吸引保持し、ウェーハWを軸心回りに回転させながら、ウェーハWの表面WSにレジスト膜剤を図示しないノズルなどから塗布して、レジスト膜RをウェーハWの表面WSに薄膜形成する。
レジスト膜RをウェーハWの表面WSに形成後、レジスト膜Rにポジ型又はネガ型の所定のマスクを用いて露光させた後に現像して、図2に示すように、分割予定ラインL上のレジスト膜Rを除去する。これにより、デバイスDがレジスト膜Rによって被膜される。次に、プラズマエッチングステップST2に進む。
プラズマエッチングステップST2は、レジスト膜被覆ステップST1が実施されたウェーハWにプラズマエッチング(以下、単に「エッチング」ともいう)を実施し、図4に示すように、ウェーハWの表面WSに分割予定ラインLに沿った仕上げ厚さに至る溝Gを形成する。溝Gは、その幅がウェーハWの表面WSから裏面WRに向かって先細り(テーパー)形状に形成される。
例えば、プラズマエッチングステップST2では、エッチングと保護膜堆積(デポジション)を繰り返しながら行う、所謂ボッシュプロセスにより先細り形状の溝Gを形成する。例えば、先細り形状の溝Gは、ウェーハWの表面WSから裏面WRへ向けて幅が狭くなるように形成され、溝底Gaは鋭角に形成されている。鋭角に形成された溝底Gaは、ウェーハWの裏面WRに対して垂直となる方向を向いている。現時点では、溝底Gaは、ウェーハWの裏面WR側に露出していない。なお、先細り形状の溝Gは、その側壁Gbが完全に平らである必要はなく段差があってもよい。
プラズマエッチングステップST2では、図3に示すプラズマエッチング装置10のハウジング11の開口12を通して、ウェーハWをハウジング11内に収容する。そして、ウェーハWの保護部材Nを高周波電源13に接続された下部電極14の吸着保持部材15に吸引保持して、開口12をゲート16により閉じる。次に、ガス排出手段17を作動してハウジング11内の雰囲気を排気口18を通して真空排気し、ガス供給手段19から上部電極20の噴出口21を通してハウジング11内にエッチングガスをウェーハWの表面WSに向けて噴射する。なお、この際、ハウジング11内を所定の圧力に維持する。そして、エッチングガスを噴射した状態で、高周波電源13から下部電極14と上部電極20とに高周波電力を印加する。これにより、下部電極14と上部電極20との間にプラズマ放電が発生し、ウェーハWの分割予定ラインLに対してエッチング又は保護膜を堆積する。
例えば、ガス供給手段19から上部電極20の噴出口21を通してハウジング11内にエッチングガス(例えばSF6)をウェーハWの表面WSに向けて噴射すると共に、高周波電源13から下部電極14と上部電極20とに高周波電力を印加してプラズマ放電を発生させてSF6をプラズマ化させ、ウェーハWの分割予定ラインLをエッチングする。次に、ガス供給手段19から噴出口21を通してハウジング11内にエッチングガス(例えばC4F8)をウェーハWの表面WSに向けて噴射すると共に、高周波電源13から下部電極14と上部電極20とに高周波電力を印加してプラズマ放電を発生させてC4F8をプラズマ化させ、分割予定ラインL上の溝Gの表面に保護膜であるフルオロカーボン膜を堆積させる。次に、エッチングガス(SF6)を噴射してプラズマ放電を発生させてSF6をプラズマ化させ、溝Gの底面の保護膜を除去してシリコンを露出させ、溝Gの底面をエッチングする。エッチングと保護膜堆積の処理時間を切り替えるタイミングによって、形成される溝Gの側壁Gbの傾きが変化する。例えば、エッチングの処理時間を徐々に短くしていくことで、側壁Gbに堆積した保護膜により溝Gの底面のエッチング領域が狭まり、図4に示すように、側壁Gbの傾きが傾斜して溝Gが先細り形状となる。
プラズマエッチングステップST2における加工条件は一例として以下のように設定する。
〔エッチング及び保護膜堆積の共通条件〕
・高周波電力周波数:13.56MHz
・吸着保持部材15の温度(静電チャック温度):10℃
・ウェーハ冷却用He圧力:2000Pa
〔エッチングの条件〕
・上部電極20の印加電力:2500W
・下部電極14の印加電力:150W
・ガス種:SF6
・ガス流量:400sccm
・ハウジング11内部の圧力:25Pa
・ステップ時間:5秒
〔保護膜堆積の条件〕
・上部電極20の印加電力:2500W
・下部電極14の印加電力:50W
・ガス種:C4F8
・ガス流量:400sccm
・ハウジング11内部の圧力:25Pa
・ステップ時間:3秒
〔エッチング及び保護膜堆積の共通条件〕
・高周波電力周波数:13.56MHz
・吸着保持部材15の温度(静電チャック温度):10℃
・ウェーハ冷却用He圧力:2000Pa
〔エッチングの条件〕
・上部電極20の印加電力:2500W
・下部電極14の印加電力:150W
・ガス種:SF6
・ガス流量:400sccm
・ハウジング11内部の圧力:25Pa
・ステップ時間:5秒
〔保護膜堆積の条件〕
・上部電極20の印加電力:2500W
・下部電極14の印加電力:50W
・ガス種:C4F8
・ガス流量:400sccm
・ハウジング11内部の圧力:25Pa
・ステップ時間:3秒
エッチング(5秒間)と保護膜堆積(3秒間)の処理を1サイクルとし、例えば50サイクル実施する。当該サイクルを重ねる毎にエッチングの時間を徐々に短くすることで先細り形状の溝Gを形成する。溝Gの形成後、プラズマエッチング装置10を用いてウェーハWのレジスト膜Rを除去する。
例えば、プラズマエッチング装置10では、プラズマエッチングステップST2において用いたフッ素系安定ガスを排気口18からガス排出手段17に排気し、ハウジング11の内部にフッ素系安定ガスが存在しない状態とする。次に、ガス供給手段19によりO2ガスを噴出口21から噴射させると共に、高周波電源13から下部電極14と上部電極20とに高周波電力を印加してO2ガスをプラズマ化させ、レジスト膜Rの有機成分を燃焼させて灰化(アッシング)して薬液洗浄を行い、図5に示すようにレジスト膜RをウェーハWから除去する。なお、プラズマエッチング装置10を用いてレジスト膜Rを除去したが、アッシング装置を用いるようにしてもよい。次に、研削ステップST3に進む。
研削ステップST3は、図6に示すように、ウェーハWの裏面WRを露出させてウェーハWをチャックテーブル40により保持し、ウェーハWの裏面WRを研削して仕上げ厚さへと薄化して溝Gを露出させる。例えば、ウェーハWの表面WSにBGテープ(バックグラインドテープ)Tを貼り付け、ウェーハWの裏面WRから保護部材Nを取り外す。そして、BGテープTを介してウェーハWをチャックテーブル40により吸引保持する。ウェーハWを吸引保持した状態で、チャックテーブル40を矢印Q1方向に回転させると共に研削手段30の砥石31を矢印Q2方向に回転させて、ウェーハWの裏面WRを砥石31により研削する。
例えば、図7に示すように、溝Gが裏面WR側に露出するまでウェーハWの裏面WRを研削する。この例では、溝Gの溝底GaをウェーハWの裏面WR側から露出させる。露出された溝底Gaは、溝Gが先細り形状に形成されているため、分割予定ラインLの線幅Lw(図4参照)と比較して狭い幅となっている。
このようにして、ウェーハWの表面WSに形成されたデバイスDの各々は、分割予定ラインLに基づいて分割されてチップ化される。チップ化されたデバイスDの各々は、BGテープTにより固定されているので、分割予定ラインLに沿って整列された状態である。なお、研削されてチップ化されたウェーハWは、洗浄及び乾燥が実施されて研削屑が除去される。次に、接着フィルム貼着ステップST4に進む。
接着フィルム貼着ステップST4は、研削ステップST3を実施した後に、図8に示すように、ウェーハWの裏面WRに接着フィルム(DAF)Fを貼着するとともに、当該接着フィルムFを環状のフレームCに装着されたエキスパンドシートEによって支持させる。そして、図示しない剥離テープを用いて、BGテープTをウェーハWの表面WSから剥離する。接着フィルムFは、チップ化されたデバイスDを積層してパッケージするために用いるものである。次に、接着フィルム破断ステップST5に進む。
接着フィルム破断ステップST5は、接着フィルム貼着ステップST4を実施した後に、伸縮性を有するエキスパンドシートEを拡張することにより接着フィルムFをウェーハWの溝Gに沿って破断する。例えば、図9に示すように、冷気Iが送られる冷却チャンバ50内に配設されたフレーム保持手段51により環状のフレームCを挟持して保持する。次に、図10に示すように、エキスパンドシートEの下面側から環状の押圧部材52によりエキスパンドシートを押し上げて、エキスパンドシートEを拡張させる。エキスパンドシートEに貼着された接着フィルムFは冷却により伸縮性が抑制されているので、エキスパンドシートEの拡張により、溝Gの溝底Gaの狭い幅で破断される。この場合、接着フィルムFがチップPにより支持されていない溝Gの溝底Gaに張力が集中するので、接着フィルムFは、溝底Gaの狭い幅で破断される。
以上のように、実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、プラズマエッチングステップST2で幅がウェーハWの表面WSから裏面WRに向かって先細り形状に作成された溝Gが、研削ステップST3において先細りの溝底Gaを露出させ、接着フィルム破断ステップST5において接着フィルムFは露出した先細りの溝底Gaの狭い幅で切断される。溝底Gaの幅は、分割予定ラインLの線幅Lw(図4参照)と比較して狭い幅となっているので、チップPの外周からはみ出す接着フィルムFの端部、すなわち接着フィルムFのバリが生じることを防止できる。これにより、接着フィルムFを分割予定ラインLに沿って直線的に破断することができる。従って、レーザー光線を用いて接着フィルムFを切断するレーザーアブレーションの工程を削減することができる。また、チップPにおいて接着フィルムFのバリが生じないので、チップPの接着フィルムFの端部が不要な箇所へ貼りつくことを防止できる。
なお、上述の実施形態では、図4等に示すように先細り形状の溝Gの溝底Gaが尖るように図示したが、必ずしも溝底Gaを尖らせる必要はなく、溝底Gaは平らであってもよい。すなわち、露出する溝底の幅を狭く形成することが実現できればよく、先細り形状の溝における溝底Gaの形状は限定されない。
また、溝Gの溝底Gaを露出させることにより接着フィルムFを切断したが、溝底Gaの幅と同程度の露出幅を有する溝が形成できれば、溝の形状は先細り形状でなくてもよい。例えば、溝の上端から下端までの範囲において、露出される溝底Gaの幅と同程度の幅を有した極細溝を分割予定ラインに沿って形成するようにしてもよい。ただし、アスペクト比が大きくなる為に加工速度が低下し、加工形状の制御が比較的困難になる。また、極細溝を形成する場合、ウェーハの厚みによって形成できる極細溝の幅が違ってくる。例えば、ウェーハの厚みが10〜20μmでは、幅が1μm程度の極細溝を形成することが可能である。一方、ウェーハの厚みが200μm程度では、極細溝の幅は5〜10μmが限界であり、これ以上極細溝の幅を狭く形成することは難しい。
また、ボッシュプロセスを用いたエッチングにより先細り形状の溝Gを形成したが、エッチング方法はこれに限定されない。例えば、異方性エッチングにより先細り形状の溝Gを形成してもよい。
また、レジスト膜Rはマスク等で分割予定ラインLを覆った状態で、分割予定ラインL以外の領域に被覆させる等しても良い。
W ウェーハ
WS 表面
WR 裏面
L 分割予定ライン
Lw 線幅
D デバイス
N 保護部材
R レジスト膜
G 溝
Ga 溝底
Gb 側壁
T BGテープ
F 接着フィルム
C 環状のフレーム
E エキスパンドシート
P チップ
WS 表面
WR 裏面
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R レジスト膜
G 溝
Ga 溝底
Gb 側壁
T BGテープ
F 接着フィルム
C 環状のフレーム
E エキスパンドシート
P チップ
Claims (1)
- 表面の交差する複数の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面の該分割予定ラインを除く領域にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆ステップと、
該レジスト膜被覆ステップが実施されたウェーハにプラズマエッチングを実施し、ウェーハの表面に該分割予定ラインに沿った仕上げ厚さに至る溝を形成するプラズマエッチングステップと、
ウェーハの裏面を露出させてチャックテーブルに保持し、ウェーハの裏面を研削して該仕上げ厚さへと薄化し該溝を露出させる研削ステップと、
該研削ステップを実施した後に、ウェーハの裏面に接着フィルムを貼着するとともに該接着フィルムを環状のフレームに装着されたエキスパンドシートによって支持させる接着フィルム貼着ステップと、
該接着フィルム貼着ステップを実施した後に、該エキスパンドシートを拡張することにより該接着フィルムをウェーハの該溝に沿って破断する接着フィルム破断ステップと、を備え、
該プラズマエッチングステップで幅がウェーハの表面から裏面に向かって先細り形状に作成された該溝が該研削ステップにおいて該先細りの溝底を露出させ、該接着フィルム破断ステップにおいて該接着フィルムは露出した該先細りの溝底の狭い幅で切断されることを特徴とするウェーハの加工方法。
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---|---|---|---|---|
JP2019212839A (ja) * | 2018-06-07 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2019212769A (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
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- 2014-07-23 JP JP2014149595A patent/JP2016025267A/ja active Pending
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