JP7337633B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

近年、半導体デバイスの更なる薄型化やコストダウンが求められている。そこで、半導体デバイスを支持する基板上において、半導体デバイスを一括で製造することが行われてきている。半導体デバイスを支持する基板（支持基板）として、例えば、半導体用ウェーハや液晶パネル用ガラス基板を用いて、配線形成やチップ載置、モールド封止などの各種処理が支持基板の接着層上に行われ、接着層上に半導体デバイスが形成される。その後、形成された半導体デバイスから支持基板が剥離される。支持基板の剥離工程では、例えば、半導体デバイスと支持基板との間の接着層をレーザ照射により劣化させ、半導体デバイスから支持基板を剥離する。

剥離工程が行われるのに先立ち、最終的に半導体デバイスを個々のチップに切り離すために、支持基板と反対の半導体デバイス側の面に粘着テープであるダイシングテープが貼り付けられる。貼り付けられるダイシングテープには、搬送や支持を行うためのリングが、ダイシングテープ上の支持基板及び半導体デバイスを囲むようにダイシングテープに貼り付けられる。したがって、ダイシングテープの粘着面（粘着性を有する面）の中央領域が支持基板及び半導体デバイスにより覆われ、ダイシングテープの粘着面の外縁領域が環状のリングにより覆われる。ダイシングテープの粘着面の中央領域と外縁領域の間の環状の領域（半導体デバイスとリングとの間のダイシングテープの粘着面）は露出する。

剥離工程により半導体デバイスから支持基板を剥離したあとは、ダイシングテープ上に半導体デバイスのみが貼り付いた状態となる。また、支持基板上に半導体デバイスを形成するので、一括に形成される半導体デバイスは支持基板と同様の外形で形成される。すなわち、半導体用ウェーハを支持基板とした場合、半導体デバイスの外形は半導体ウェーハ同様の円盤状となる。以降、円盤状に形成された半導体デバイスを例に説明する。また、半導体デバイスを単にデバイス（あるいは基板）と称する。

デバイスから支持基板が剥離された際には、接着層である接着物（例えば、カーボン）がデバイスに残留する。このため、残留した接着物をデバイスから除去する必要が生じる。接着物の除去工程では、例えば、複数のチャックピン（固定部材）によりリングを上から押え、デバイスをリング及びダイシングテープと共にテーブルに固定する。そして、デバイスの中心を回転中心としてデバイスをダイシングテープ及びリングと共に水平面内で回転させ、デバイスの中心付近に溶剤などの洗浄液（処理液の一例）を供給し、デバイスの中心付近に供給した洗浄液をデバイス全面（周方向）に広げるとともにデバイスから排出し、デバイスから接着物を除去する。

デバイスから除去された接着物は洗浄液と共にデバイスから排出されるが、排出された接着物がチャックピンあるいはデバイスとリングとの間のダイシングテープの粘着面に付着することがある。接着物が付着すると、搬送工程やダイシング工程などにおいて、チャックピン又はダイシングテープから離れてデバイス（基板）に付着して、デバイスが汚染されるため、デバイス品質、すなわち基板品質が低下する。

特許第６００４１００号公報

本発明が解決しようとする課題は、基板品質を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。

本発明の実施形態に係る基板処理装置は、
基板と、前記基板の周囲を囲むリングと、前記基板の下面及び前記リングの下面に粘着するダイシングテープとを有する処理対象物を支持するテーブルと、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物を前記テーブルに固定する複数のチャックピンと、
前記複数のチャックピンにより前記テーブルに固定された前記処理対象物に、前記基板を処理するための処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液供給部により前記処理液が前記処理対象物に供給されている状態で、全ての前記チャックピンの周囲に流体を供給する流体供給部と、
を備える。

本発明の実施形態に係る基板処理方法は、
基板と、前記基板の周囲を囲むリングと、前記基板の下面及び前記リングの下面に粘着するダイシングテープとを有する処理対象物をテーブルにより支持する工程と、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物を前記テーブルに複数のチャックピンにより固定する工程と、
前記複数のチャックピンにより前記テーブルに固定された前記処理対象物に、前記基板を処理するための処理液を処理液供給部により供給する工程と、
前記処理液供給部により前記処理液が前記処理対象物に供給されている状態で、全ての前記チャックピンの周囲に流体を流体供給部により供給する工程と、
を有する。

本発明の実施形態によれば、基板品質を向上させることができる。

実施の一形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 実施の一形態に係る基板処理装置の一部を示す平面図である。 実施の一形態に係る基板処理工程を説明するための図である。 実施の一形態に係る処理液供給を説明するための図である。 実施の一形態に係る流体供給を説明するための図である。 実施の一形態に係る処理液及び流体供給を説明するための第１の図である。 実施の一形態に係る処理液及び流体供給を説明するための第２の図である。

実施の一形態について図面を参照して説明する。

（基本構成）
図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１０は、テーブル２０と、回転機構（回転駆動部）３０と、処理液供給部４０と、液供給部５０と、流体供給部６０と、制御部７０とを備えている。

処理対象物Ｗは、図１及び図２に示すように、基板（例えば、デバイス）Ｗ１と、リングＷ２と、ダイシングテープＷ３とを有している。基板Ｗ１は、ダイシングテープＷ３の中央に貼り付けられる。リングＷ２は、環状に形成されており、ダイシングテープＷ３上の基板Ｗ１の周囲を囲むようにダイシングテープＷ３に貼り付けられる。したがって、ダイシングテープＷ３の粘着面の中央領域が基板Ｗ１により覆われ、ダイシングテープＷ３の粘着面の外縁領域が環状のリングＷ２により覆われている。このため、ダイシングテープＷ３の粘着面の中央領域と外縁領域の間の環状の領域、すなわち基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の上面は露出している。

テーブル２０は、本体２１と、支持体２２と、複数のチャックピン２３とを有している。このテーブル２０は、カップ（不図示）により囲われており、カップ内の略中央に位置付けられ、水平面内で回転可能に回転機構３０上に設けられている。テーブル２０は、例えば、スピンテーブルと呼ばれる。

本体２１は、中央が円柱状に盛り上がる凸形状に形成されている。この本体２１の凸部の上面は、処理対象物Ｗの基板Ｗ１の下面にダイシングテープＷ３を介して対向した状態で基板Ｗ１を支持する。支持体２２は、環状に形成されており、本体２１の凸部（突出部）を囲むように本体２１の環状の平坦部に設けられている。この支持体２２は、処理対象物ＷのリングＷ２の下面にダイシングテープＷ３を介して対向した状態でリングＷ２を支持する。各チャックピン２３は、それぞれ偏心回転可能に本体２１の環状の平坦部に設けられている。これらのチャックピン２３は、それぞれ同期して偏心回転することで、処理対象物ＷのリングＷ２の外周面を内側に押しつつ、処理対象物Ｗを水平状態に保持する。このとき、処理対象物Ｗの中心は、テーブル２０の回転軸上に位置付けられる。

このテーブル２０は、本体２１及び支持体２２により処理対象物Ｗを支持し、各チャックピン２３により本体２１及び支持体２２に固定して、処理対象物ＷのリングＷ２の上面の高さが基板Ｗ１の上面の高さより低くなるように（例えば２ｍｍ程度の数ｍｍ低くなるように）処理対象物Ｗを支持する。

回転機構３０は、テーブル２０を支持するように設けられ、そのテーブル２０を水平面（平面の一例）内で回転させるように構成されている。この回転機構３０は、回転軸３１と、モータ３２とを有している。回転軸３１の一端はテーブル２０の下方の中央に連結されており、回転軸３１の他端はモータ３２に連結されている。モータ３２はその回転軸３１を回転させる。回転機構３０は、モータ３２の駆動により回転軸３１を介してテーブル２０を水平面内で回転させる。

処理液供給部４０は、ノズル４１を有している。この処理液供給部４０は、テーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近の上方（例えば、基板Ｗ１の中央付近の直上）にノズル４１を位置付け、テーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近にノズル４１から第１の処理液（例えば、ｐ－メンタンやシクロペンタノンなどの溶剤）や第２の処理液（例えば、ＩＰＡ：イソプロピルアルコール）を供給する。なお、第１の処理液は、例えば、ＤＩＷ（超純水）と非相溶性の液体であり、基板Ｗ１に残留した接着物を基板Ｗ１から剥離するための液体である。

ノズル４１は、例えば、ノズル移動機構（不図示）によりテーブル２０の上方をテーブル２０上の処理対象物Ｗに沿って水平方向に移動可能に形成されている。ノズル移動機構としては、例えば、アームを有する揺動機構やリニアガイドなどが用いられる。このノズル４１は、テーブル２０上の処理対象物Ｗの中央付近に対向し、その中央付近に向けて処理液を吐出する。ノズル４１には、基板処理装置１０外の二つのタンク（不図示）から二種類の処理液が個別に供給される。ノズル４１から吐出される第１の処理液の吐出量は調整弁４１ａの開度調整により変更され、ノズル４１から吐出される第２の処理液の吐出量は調整弁４１ｂの開度調整により変更される。

液供給部５０は、第１のノズル５１と、第２のノズル５２とを有している。この液供給部５０は、テーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面の上方（例えば、リングＷ２の上面の直上）に第１のノズル５１を位置付け、そのリングＷ２の上面に第１のノズル５１から液体（例えば、ＤＩＷ）を供給する。また、液供給部５０は、テーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部の上方（例えば、基板Ｗ１の外周面の直上）に第２のノズル５２を位置付け、その基板Ｗ１の外周端部に第２のノズル５２から液体（例えば、ＤＩＷ）を供給する。この液体は、第１の処理液に混和せず第１の処理液よりも比重が大きい（第１の処理液よりも密度が大きい）ものである。

第１のノズル５１及び第２のノズル５２は、例えば、それぞれノズル移動機構（不図示）によりテーブル２０の上方をテーブル２０上の処理対象物Ｗに沿って水平方向に移動可能に形成されている。ノズル移動機構としては、例えば、アームを有する揺動機構やリニアガイドなどが用いられる。第１のノズル５１は、テーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に対向し、その上面に向けて液体を吐出する。第２のノズル５２は、テーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に対向し、その外周端部に向けて液体を吐出する。第１のノズル５１及び第２のノズル５２の水平離間距離は、例えば２００ｍｍ程度である。これらの第１のノズル５１及び第２のノズル５２には、基板処理装置１０外のタンク（不図示）から液体が供給される。第１のノズル５１から吐出される液体の吐出量は調整弁５１ａの開度調整により変更され、第２のノズル５２から吐出される液体の吐出量は調整弁５２ａの開度調整により変更される。

流体供給部６０は、複数のノズル６１を有している。この流体供給部６０は、各ノズル６１からテーブル２０の中央側に向けて流体を吐出し、各チャックピン２３の個々の上部（上面や外周面の上側）の周囲にそれぞれ流体を供給する。ノズル６１としては、チャックピン２３の上部及びチャックピン２３の周囲を覆うように流体を拡散させて吐出する拡散ノズルが用いられる（図５参照）。流体としては、液体又は気体が用いられ、例えば、第１の処理液と親和性のない液体又は気体が用いられる。液体としては、第１の処理液に混和せず第１の処理液よりも比重が大きい液体が用いられ、例えば、ＤＩＷ（超純水）が用いられる。また、気体としては、例えば、Ｎ_２や空気が用いられる。

各ノズル６１は、各チャックピン２３に個別に設けられており、それらのチャックピン２３によりテーブル２０に固定された処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央側に向けて流体をそれぞれ吐出する。具体的には、各ノズル６１は、それぞれの吐出口がテーブル２０の中央側、すなわち回転軸３１に向けられ、各チャックピン２３の個々の上面及び外周面に沿うように設けられている。各ノズル６１には、それぞれ基板処理装置１０外のタンク（不図示）から供給管（不図示）を介して流体が供給される。供給管は、テーブル２０の回転を阻害しないようにノズル６１に流体を供給可能に形成されており、例えば、回転軸３１に設置されたロータリージョイントを介して各ノズル６１に流体を供給可能に形成されている。ノズル６１から吐出される流体の吐出量は調整弁６１ａの開度調整により変更される。

制御部７０は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部（いずれも不図示）を具備している。この制御部７０は、基板処理情報や各種プログラムに基づいて、テーブル２０の各チャックピン２３による処理対象物保持動作、回転機構３０によるテーブル２０の回転動作、処理液供給部４０による処理液供給動作、液供給部５０による液供給動作、流体供給部６０による流体供給動作などの制御を行う。例えば、モータ３２は制御部７０に電気的に接続されており、それらの駆動は制御部７０により制御される。また、各調整弁４１ａ、４１ｂ、５１ａ、５２ａ、６１ａは、例えば電磁弁であり、制御部７０に電気的に接続されており、その駆動は制御部７０により制御される。

（基板処理工程）
次に、前述の基板処理装置１０が行う基板処理工程の流れについて説明する。この基板処理工程は、処理対象物Ｗの基板Ｗ１上に残留した接着物を除去する工程である。なお、下記の各種数値はあくまでも例示である。

図３に示すように、例えば、ステップ１から６までの工程が連続して実行される。ノズル４１の第１の処理液としては溶剤（洗浄液の一例）が用いられ、ノズル４１の第２の処理液としてはＩＰＡが用いられる。第１のノズル５１及び第２のノズル５２の液体、また、各ノズル６１の流体としては、ＤＩＷが用いられる。なお、処理対象物Ｗは各チャックピン２３によりテーブル２０に固定され、基板処理工程中、テーブル２０は回転している。テーブル２０の回転数や処理時間は制御部７０により変更される。また、各ノズル４１、５１、５２、６１の個々の吐出量は、各調整弁４１ａ、４１ｂ、５１ａ、５２ａ、６１ａが制御部７０により制御されて変更される。

ステップ１では、ＤＩＷが第１のノズル５１から吐出され、回転するテーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に供給される。このステップ１では、第１のノズル５１から吐出されるＤＩＷの吐出量は３８０ｍｌ／ｍｉｎであり、テーブル２０の回転数（第１の回転数）は２０ｒｐｍであり、処理時間（吐出時間）は１０ｓである。

ＤＩＷの吐出量はチャックピン２３の上部及びチャックピン２３の周囲を被液できる量であり、基板Ｗ１上には供給されない量であることが望ましい。ただし、例えば、第１のノズル５１からのＤＩＷの供給だけでは、チャックピン２３をＤＩＷで被覆している状態でもチャックピン２３に接着物が付着することがあり、また、ＤＩＷの被覆が不十分でチャックピン２３に接着物が付着することがある。このため、後述するステップ２において各ノズル６１によるＤＩＷの供給動作が必要となる。また、テーブル２０の回転数（回転速度）は、ＤＩＷを液膜の状態で保持できる回転速度に設定されている。ＤＩＷは、回転するテーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に到達し、リングＷ２の上面に広がる。このとき、リングＷ２は回転しており、リングＷ２の上面に供給されたＤＩＷは、リングＷ２の外側及び内側に広がる。この時のテーブル２０の単位時間当たりの回転数、すなわち、処理対象物ＷのリングＷ２の単位時間当たりの回転数（第１の回転数）は、リングＷ２の上面における遠心力の働きが弱い回転数であるため、第１のノズル５１から吐出されて処理対象物ＷのリングＷ２の上面に到達したＤＩＷが、回転するテーブル２０により支持された処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に流れるように設定されている。また、処理時間は、設定されたＤＩＷの吐出量により基板Ｗ１とリングＷ２の間を被液するのに要する時間に設定されている。例えば、処理時間は、設定されたＤＩＷの吐出量が３８０ｍｌ／ｍｉｎとすると１０ｓである。ＤＩＷの吐出量、テーブル２０の回転数及び処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。

ステップ１において、図４に示すように、第１のノズル５１から吐出されたＤＩＷ（図４中のクロスハッチングによる塗りつぶし領域により示す）は、回転するテーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に到達し、リングＷ２の外側及びリングＷ２の内側（基板Ｗ１側）に広がる。このため、リングＷ２の内側に広がるＤＩＷは、基板Ｗ１とリングＷ２との間に流れ込み、基板Ｗ１、リングＷ２及びダイシングテープＷ３により囲まれる環状の空間に溜まる。これにより、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面にはＤＩＷの液膜が形成され、また、リングＷ２の上面にもＤＩＷの液膜が形成される。

ステップ２では、まず、図５に示すように、全てのノズル６１がＤＩＷ（図５中のドットによる塗りつぶし領域により示す）の吐出を開始する。次いで、全てのノズル６１がＤＩＷを吐出している状態で、ステップ２において（図３参照）、溶剤がノズル４１から吐出され、回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近に供給され、また、ＤＩＷが第１のノズル５１から吐出され（ステップ１から継続）、回転するテーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に供給される。このステップ２では、第１のノズル５１から吐出されるＤＩＷの吐出量は３８０ｍｌ／ｍｉｎであり、テーブル２０の回転数（第１の回転数）は２０ｒｐｍであり、処理時間（吐出時間）は２４０ｓである。なお、ノズル４１から吐出される溶剤の吐出量は４８０ｍｌ／ｍｉｎであり（不図示）、各ノズル６１の個々の吐出量はステップ２、３において同じで一定である（不図示）。

テーブル２０の回転数（回転速度）は、基板Ｗ１上に溶剤を液膜の状態で保持できる回転速度に設定されているため、接着物を溶剤に反応させやすくなる。処理時間は、溶剤が後述するレーザ吸収層を溶解するために要する時間に設定されている。溶剤の吐出量は、前述の設定された処理時間内に、レーザ吸収層を十分に溶かすことができる供給量に設定されている。テーブル２０の回転数、処理時間及び溶剤の吐出量は、予め実験などで求められ設定されている。

ステップ２において、図６に示すように、基板Ｗ１とリングＷ２の間やリングＷ２の上面、チャックピン２３の上部（上面や外周面の上側）などにＤＩＷの液膜が存在した状態で、ノズル４１から吐出された溶剤は、回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近に到達し、処理対象物Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗ１の上面の全体に広がる。基板Ｗ１の上面には溶剤の液膜が形成され、基板Ｗ１から接着物（図４中の基板Ｗ１上の太黒線により示す）が溶剤によって徐々に溶融される。ステップ２は、基板Ｗ１上の接着物を溶融するためのステップである。接着物は溶融し、基板Ｗ１から剥がれる。基板Ｗ１から剥がれた接着物は、基板Ｗ１上の溶剤の液膜に浮遊する。なお、基板Ｗ１上の接着物は、溶融の進行が速い部分から先に剥がれていき、基板Ｗ１上の溶剤の液膜に浮遊することになる。

ここで、例えば、接着物は、レーザ吸収層が基板Ｗ１上に積層され、基板Ｗ１上のレーザ吸収層上にレーザ反応層が積層されて構成されている。基板Ｗ１側のレーザ吸収層が溶剤により溶かされ、接着物は基板Ｗ１から剥がされて除去される。支持基板の剥離工程前において、デバイス（基板Ｗ１）は接着層を介して支持基板に支持されている。この接着層は２層構造（レーザ反応層とレーザ吸収層）である。支持基板との剥離時は、支持基板側からレーザを照射すると、レーザ光により反応層が破壊される。レーザ吸収層によりレーザ光は、吸収されてデバイス側には影響を与えないようにしている。レーザ反応層が破壊されると、支持基板を剥離することができる。デバイス側には、破壊されたレーザ反応層及びレーザ吸収層、すなわち、接着層が残る状態になる。デバイスは破壊された接着層の上部（レーザ反応層）が上面で露出した状態でダイシングテープＷ３に支持される状態となる。第１の処理液である溶剤は、この２層の接着層にうち、レーザ吸収層を溶解させ、レーザ吸収層の上に形成するレーザ反応層ごと一緒に除去する。

また、ステップ２において、第１のノズル５１から吐出されたＤＩＷは、回転するテーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に向けて進行するが、基板Ｗ１の上面から流れてくる溶剤に混和することなく、リングＷ２の上面に到達してリングＷ２の外側及び内側に広がる。ＤＩＷは、溶剤に混和せず溶剤よりも比重が大きい液体である。リングＷ２の内側に広がるＤＩＷは、基板Ｗ１とリングＷ２との間に流れ込み、基板Ｗ１、リングＷ２及びダイシングテープＷ３により囲まれる空間に溜まる。これにより、基板Ｗ１及びリングＷ２の間にはＤＩＷの液膜が維持され、また、リングＷ２の周囲にもＤＩＷの液膜が維持される。なお、上述したようにＤＩＷは、溶剤に混和せず溶剤よりも比重が大きいものである。そのため、基板Ｗ１の上面から排出された溶剤は、基板Ｗ１の上面から基板Ｗ１とリングＷ２の間に形成されるＤＩＷに流れ込んだとき、基板Ｗ１とリングＷ２との間に形成されるＤＩＷの液膜と混和せず、ＤＩＷの液膜の上を流れることになる（図６参照）。

また、各ノズル６１から吐出されたＤＩＷは、各チャックピン２３の個々の上部を覆うように流れるため、チャックピン２３の周囲にＤＩＷの液膜が形成される。詳しくは、ノズル６１から吐出されたＤＩＷは、チャックピン２３の上面を伝って（回転により伝わらない場合もあり）、リングＷ２側に流れ落ちることになる（図５及び図６参照）。これにより、ＤＩＷはチャックピン２３の上部だけでなくチャックピン２３の外周面にも流れ、つまり、チャックピン２３の周囲に液膜が存在することになる。これにより、基板Ｗ１から剥離された接着物がチャックピン２３に付着しないよう、チャックピン２３をＤＩＷの液膜でカバーすることができる。ＤＩＷの一部は、基板Ｗ１から排出される処理液の流れに逆らうことになるため、接着物をチャックピン２３に寄せ付けない。

通常、ステップ２では、基板Ｗ１から除去された接着物は、基板Ｗ１上の溶剤の液膜に浮遊して留まっているが、浮遊する接着物の中には、溶剤の流れによって溶剤と共に基板Ｗ１から排出されるものもある。つまり、基板Ｗ１上の溶剤の液膜に浮遊する接着物のうち一部は、基板Ｗ１及びリングＷ２の間やリングＷ２の上面、各チャックピン２３の周囲に存在するＤＩＷの液膜の上を流れる溶剤と共に流れ、処理対象物Ｗから排出される。このとき、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面がＤＩＷの液膜により覆われている状態で、処理対象物Ｗから接着物が溶剤と共に排出されるので、接着物が基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に付着することを抑えることができる。また、基板Ｗ１から除去された接着物は溶剤と共に流れるが、各チャックピン２３の周囲がＤＩＷの液膜により覆われるので、接着物が各チャックピン２３に付着することも抑えることができる。ＤＩＷが基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面を覆うこと及びＤＩＷは溶剤と混和せず、かつ、比重が大きい関係であるため、溶剤と共に流れる接着物は、基板Ｗ１とリングＷ２の間においてＤＩＷの液膜上を流れる。このため、接着物が基板Ｗ１とリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に付着することを抑制できる。また、チャックピン２３の周囲にＤＩＷの液膜を形成することにより、溶剤と共に流れる接着物は、チャックピン２３の周囲においてＤＩＷの液膜上を流れるため、チャックピン２３への接着物の付着を抑制できる。

また、テーブル２０は、リングＷ２の上面の高さが基板Ｗ１の上面の高さより低くなる位置で処理対象物Ｗを支持している。これにより、基板Ｗ１から除去された接着物がリングＷ２に引っかかり残留することが抑制されるので、接着物の排出効率を向上させることができる。なお、テーブル２０が、リングＷ２の上面の高さが基板Ｗ１の上面の高さ以上となる位置で処理対象物Ｗを支持する場合、基板Ｗ１から除去された接着物がリングＷ２に引っかかり残留することがある。

ステップ３では、ＤＩＷが全てのノズル６１から吐出されている状態で、溶剤がノズル４１から吐出され（ステップ２から継続）、回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近に供給され、ＤＩＷが第１のノズル５１から吐出され（ステップ２から継続）、回転するテーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に供給され、さらに、ＤＩＷが第２のノズル５２から吐出され、回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に供給される。このステップ３では、第１のノズル５１から吐出されるＤＩＷの吐出量は３８０ｍｌ／ｍｉｎであり、第２のノズル５２から吐出されるＤＩＷの吐出量は２００ｍｌ／ｍｉｎであり、テーブル２０の回転数（第２の回転数）は４００ｒｐｍであり、処理時間（吐出時間）は６０ｓである。なお、ノズル４１から吐出される溶剤の吐出量は４８０ｍｌ／ｍｉｎである（不図示）。

ＤＩＷの吐出量は、テーブル２０の回転数が第２の回転数に変更された際に、基板Ｗ１とリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面を被液できる吐出量に設定されている。テーブル２０の回転数（回転速度）は、基板Ｗ１上で浮遊する接着物を基板Ｗ１外に排出させることができる速度に設定されている。処理時間は、設定されたテーブル２０の回転数とともに、接着物が基板Ｗ１上からすべて排出される時間に設定されている。ＤＩＷの吐出量、テーブル２０の回転数及び処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。

ステップ３において、図７に示すように、処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間にＤＩＷの液膜が形成され続け、また、基板Ｗ１の上面には溶剤の液膜が形成され続ける。テーブル２０の回転数が上がり（２０→４００ｒｐｍ）、処理対象物Ｗ上の溶剤の液膜に浮遊する接着物は、基板Ｗ１及びリングＷ２の間やリングＷ２の上面に存在するＤＩＷの液膜の上を流れる溶剤と共に流れ、処理対象物Ｗから流れ落ちる。ステップ３は、ステップ２で溶融して基板Ｗ１上の溶剤に浮遊する接着物を処理対象物Ｗから排出するためのステップである。

なお、ステップ３において、ノズル４１による溶剤の供給、第１のノズル５１によるＤＩＷの供給、各ノズル６１によるＤＩＷの供給は、前述のステップ２と同じであるが、加えて、第２のノズル５２によるＤＩＷの供給が行われる。第２のノズル５２から吐出されたＤＩＷは、基板Ｗ１の上面から流れてくる溶剤に混和することなく、テーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に到達し、基板Ｗ１とリングＷ２との間に流れ込み、基板Ｗ１、リングＷ２及びダイシングテープＷ３により囲まれる空間に溜まる。テーブル２０の回転数が上がると（２０→４００ｒｐｍ）、遠心力が働いて、第１のノズル５１から吐出されたＤＩＷが基板Ｗ１及びリングＷ２の間に流れ込み難くなり、ダイシングテープＷ３の露出面（粘着面）に形成される液膜が薄くなる。また、露出面の一部では、液膜が完全にない状態になる。ところが、第２のノズル５２から吐出されたＤＩＷが基板Ｗ１及びリングＷ２の間に供給され、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のＤＩＷの液膜の厚さ（膜厚）が維持されるので、溶剤の供給中、基板Ｗ１とリングＷ２との間のダイシングテープＷ３の粘着面はＤＩＷの液膜により確実に覆われる。これにより、テーブル２０の回転数を上げても、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面がＤＩＷの液膜により覆われている状態となる。結果として、基板Ｗ１上の溶剤の液膜に浮遊する接着物は、基板Ｗ１基板Ｗ１及びリングＷ２の間やリングＷ２の上面に存在するＤＩＷの液膜の上を流れる溶剤と共に流れ、処理対象物Ｗから接着物が溶剤と共に排出される。したがって、基板Ｗ１から除去された接着物が、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に付着することを抑えることができる。

前述したように、第１のノズル５１による供給だけでは、ＤＩＷの液膜が薄くなる状態及び液膜が無くなる状態になるので、第２のノズル５２により、更に液量をアシストすることでＤＩＷの液膜の形成を維持するようにする。さらに、第２のノズル５２は、処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に向けてＤＩＷを吐出することで、遠心力の影響を考慮して、基板Ｗ１とリングＷ２の間にＤＩＷの液膜を形成できるようにしている。リングＷ２の上面に第２のノズル５２からＤＩＷを供給しても、回転数が第２の回転数になることで遠心力が増えるので、ＤＩＷがリングＷ２の内側に流れず外側に排出されてしまう。このため、第２のノズル５２によって、基板Ｗ１の外周端部にＤＩＷを供給し、その外周端部の外側に位置する、基板Ｗ１とリングＷ２の間のダイシングテープの粘着面にＤＩＷが流れ、そこにＤＩＷの液膜を形成するようにしている。なお、ステップ３でも溶剤（第１の処理液）を供給しており、ステップ４で溶剤の供給を停止する。

また、処理対象物Ｗから接着物を排出するため、テーブル２０の回転数をステップ２より上げる（２０→４００ｒｐｍ）。これにより、処理対象物Ｗ上での遠心力が強くなり、処理対象物Ｗからの接着物排出が促進されるので、溶剤と共に流れる接着物を排出する排出性能（接着物の排出性能）を向上させることができる。つまり、ステップ２で基板Ｗ１上に溶剤の液膜を形成し、基板Ｗ１の接着物を溶融して溶剤の液膜に浮遊させ、ステップ３でテーブル２０の回転数を上げ、溶剤に浮遊する接着物を処理対象物Ｗ上から溶剤と共に排出する。テーブル２０の回転数を上げることによって、接着物の排出性能を向上させることが可能である。つまり、基板Ｗ１の回転数（回転速度）を上昇させることで、遠心力を発生させ、基板Ｗ１の表面上に浮遊した接着物を遠心力で基板Ｗ１の外側に排出する。これにより、基板Ｗ１の表面上から接着物を除去することができる。なお、基板Ｗ１の回転数を上昇した際にも、基板Ｗ１中央に溶剤の供給を継続している。これは、基板Ｗ１の表面上の液膜が遠心力により薄くなり、基板Ｗ１の表面上から剥離した接着物が、再度基板Ｗ１の表面上に付着することを抑えるためである。さらに、基板Ｗ１上から接着物を排出する排出性能を補助もする。

ステップ４では、全てのノズル６１がＤＩＷの吐出を停止し（全ての液供給が無い状態で）、ＩＰＡだけがノズル４１から回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近に供給される。このステップ４では、テーブル２０の回転数は４００ｒｐｍであり、処理時間（吐出時間）は６０ｓである。なお、ノズル４１から供給されるＩＰＡの量は２００ｍｌ／ｍｉｎである（不図示）。

ステップ４において、基板Ｗ１上に残留する溶剤を除去するため、ＩＰＡを供給する。なお、溶剤を排出するためには、溶剤と混和可能であり揮発性が高い液体を用いることが好ましい。テーブル２０の回転数（回転速度）は、基板Ｗ１上に残留する処理液を基板Ｗ１外に排出させることができる速度に設定されている。処理時間は、設定されたテーブル２０の回転数とともに、溶剤の残留が基板Ｗ１上からすべて無くなる時間に設定されている。テーブル２０の回転数及び処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。

ステップ５では、全ての液供給が無い状態で、高速回転により乾燥が行われる。このステップ５では、テーブル２０の回転数は１０００ｒｐｍであり、処理時間は５０ｓである。基板Ｗ１上が乾燥するのに必要な回転数、処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。

ステップ６では、高速回転により乾燥を停止するため、全ての液供給が無い状態で、回転速度が遅くされる。このステップ６では、テーブル２０の回転数は５０ｒｐｍであり、処理時間は１０ｓである。

前述の基板処理工程では、ステップ２及びステップ３において、回転機構３０により回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の上面に溶剤が供給されている状態で、各ノズル６１はそれぞれＤＩＷを吐出する。基板Ｗ１から除去された接着物は、溶剤と共に流れるが、各チャックピン２３がＤＩＷの液膜により覆われているため、接着物がチャックピン２３に付着することが抑えられる。したがって、チャックピン２３に付着した接着物が、搬送工程などでチャックピン２３から離れて基板Ｗ１に付着し、基板Ｗ１が汚染されることが抑制されるので、基板品質を向上させることができる。詳しくは、チャックピン２３の上部にＤＩＷが供給されると、その上部で広がり、チャックピン２３の周囲にもＤＩＷが供給されることになる。これにより、チャックピン２３の周囲にＤＩＷの液膜が形成されることになる。結果として、接着物はチャックピン２３に付着せずに、チャックピン２３の上部もしくは、チャックピン２３の周囲を流れていくことになる。なお、例えば、接着物がチャックピン２３に付くと、次に搬送されてきた未処理の処理対象物Ｗが、汚染されたチャックピン２３によって保持されることになる。これにより、リングＷ２に接着物が付着してしまい、そのまま処理が進むと搬送工程やダイシング工程などで基板Ｗ１に影響を与えることがある。

また、ステップ２において、第１のノズル５１は、回転機構３０により回転するテーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に向けてＤＩＷを吐出し、処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間にＤＩＷを供給する。これにより、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面やリングＷ２の上面がＤＩＷの液膜により覆われる。この状態で、ノズル４１は、回転機構３０により回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近に向けて溶剤を吐出する。また、ステップ３において、テーブル２０の回転数が上昇すると、第２のノズル５２は、回転機構３０により回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に向けてＤＩＷを吐出し、処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間にＤＩＷを供給する。これにより、テーブル２０の回転数が例えば１００ｒｐｍ以上に上昇し（高速回転）、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のＤＩＷの液膜の厚さが薄くなっても、その基板Ｗ１及びリングＷ２の間にＤＩＷが供給され、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のＤＩＷの液膜の厚さが保持される。したがって、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面がＤＩＷの液膜により覆われている状態が確実に維持される。

このようにして、溶剤の供給中、基板Ｗ１とリングＷ２との間のダイシングテープＷ３の粘着面やリングＷ２の上面は、ＤＩＷの液膜により確実に覆われている。これにより、基板Ｗ１から除去された接着物が溶剤と共に基板Ｗ１から排出されても、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面やリングＷ２の上面に付着することが抑えられる。したがって、ダイシングテープＷ３の粘着面やリングＷ２の上面に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程（例えば後工程）などでダイシングテープＷ３やリングＷ２から離れて基板Ｗ１に付着し、基板Ｗ１が汚染されることが抑制されるので、基板品質を確実に向上させることができる。

ここで、例えば、第１のノズル５１が基板Ｗ１の外周端部に供給すると、ＤＩＷが基板Ｗ１の端面側から中心方向に広がってしまう。つまり、第１の回転数では、遠心力が弱いから基板Ｗ１の外周に排出する性能が出ない。このため、基板Ｗ１の中心方向にＤＩＷが広がると、ステップ２で基板Ｗ１の中心に供給される溶剤が基板Ｗ１の外周に広がるのを阻害し、溶剤が基板Ｗ１の外周部における接着物と反応することができなくなる。前述したように、ＤＩＷと第１の処理液である溶剤は混和しないものであり、ＤＩＷの方が第１の処理液である溶剤より比重が大きい。そのため、ＤＩＷが基板Ｗ１の外周端部から中心方向に広がると、基板Ｗ１の中心から供給された溶剤が、基板Ｗ１の外周付近で、ＤＩＷとは混和せずにＤＩＷの上を流れる状態になる。つまり、基板Ｗ１の外周付近は、溶剤が基板Ｗ１上の接着物に接触することが難しくなり、基板Ｗ１上の接着物に対して溶剤を供給することができない。つまり、テーブル２０の回転数に応じてＤＩＷの供給位置を変えている理由は、上記したように、基板Ｗ１上に供給される第１の処理液である溶剤が、ＤＩＷによって阻害されることなく、基板Ｗ１の外周までに広がり、基板Ｗ１上の接着物の剥離を確実に行うことと、基板Ｗ１とリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に接着物の付着を抑制するためである。

以上説明したように、第１の実施形態によれば、処理液供給部４０により第１の処理液（例えば、溶剤）が処理対象物Ｗに供給されている状態で、流体供給部６０により全てのチャックピン２３の周囲に流体（例えば、ＤＩＷ）を供給する。基板Ｗ１から除去された接着物は第１の処理液と共に流れるが、各チャックピン２３の少なくとも個々の上部やその外周面が流体により覆われるため、接着物がチャックピン２３に付着することが抑えられる。したがって、チャックピン２３に付着した接着物が、搬送工程などでチャックピン２３から離れて基板Ｗ１に付着し、基板Ｗ１が汚染されることが抑制されるので、基板品質を向上させることができる。

また、第１の実施形態によれば、処理対象物Ｗをテーブル２０により支持し、そのテーブル２０を回転機構３０により回転させ、テーブル２０の回転数に応じて、テーブル２０により支持された処理対象物ＷのリングＷ２の上面、又は、テーブル２０により支持された処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に向けて、第１の処理液（例えば、溶剤）に混和せず第１の処理液よりも比重が大きい液体（例えば、ＤＩＷ）を吐出し、処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に液体を供給し、液体が処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に供給されている状態で、回転するテーブル２０により支持された処理対象物Ｗの基板Ｗ１の上面に処理液を供給する。

つまり、第１の処理液に混和せず第１の処理液よりも比重が大きい液体が基板Ｗ１及びリングＷ２の間に流れ込み、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面がＤＩＷの液膜により覆われる。このため、基板Ｗ１から除去された接着物は、基板Ｗ１及びリングＷ２の間やリングＷ２の上面に存在するＤＩＷの液膜の上を流れる第１の処理液と共に処理対象物Ｗから排出されるので、その際に基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に付着することが抑えられる。したがって、ダイシングテープＷ３の粘着面に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程などでダイシングテープＷ３から離れて基板Ｗ１に付着し、基板Ｗ１が汚染されることが抑制されるので、基板品質を確実に向上させることができる。

また、リングＷ２の上面の高さが基板Ｗ１の上面の高さより低くなる位置でテーブル２０が処理対象物Ｗを支持することで、接着物の排出性能を向上させることが可能になり、また、リングＷ２の上面を液膜により覆うことが可能になる。これにより、基板Ｗ１から除去された接着物が、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面やリングＷ２の上面に付着することが確実に抑えられる。したがって、ダイシングテープＷ３の粘着面やリングＷ２の上面に付着した接着物が、搬送途中やダイシング工程などの後工程でダイシングテープＷ３やリングＷ２から離れて基板Ｗ１に付着し、基板Ｗ１が汚染されることが確実に抑制されるので、基板品質をより確実に向上させることができる。

また、第２のノズル５２によるＤＩＷの供給が行われる。第１のノズル５１による供給だけでは、ＤＩＷの液膜が薄くなる状態及び液膜が無くなる状態になるので、第２のノズル５２により、更に液量をアシストすることでＤＩＷの液膜を維持する。さらに、第２のノズル５２は、処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に向けてＤＩＷを吐出することで、遠心力の影響を考慮して、基板Ｗ１とリングＷ２の間にＤＩＷの液膜を形成する。これにより基板Ｗ１及びリングＷ２の間のＤＩＷの液膜の厚さ（膜厚）が維持されるので、溶剤の供給中、基板Ｗ１とリングＷ２との間のダイシングテープＷ３の粘着面はＤＩＷの液膜により確実に覆われる。これにより、テーブル２０の回転数を上げても、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面がＤＩＷの液膜により覆われている状態となる。結果として、基板Ｗ１上の溶剤の液膜に浮遊する接着物は、基板Ｗ１基板Ｗ１及びリングＷ２の間やリングＷ２の上面に存在するＤＩＷの液膜の上を流れる溶剤と共に流れ、処理対象物Ｗから接着物が溶剤と共に排出される。したがって、基板Ｗ１から除去された接着物が、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に付着することを抑えることができる。

なお、処理液供給部４０により第１の処理液が処理対象物Ｗに供給されていない状態で、流体供給部６０により全てのチャックピン２３に流体を当てることがある。例えば、基板Ｗ１から除去された接着物がチャックピン２３に付着した場合でも、ステップ４以降において、流体として液体を用い、各ノズル６１から液体を吐出することで、チャックピン２３に付着した接着物を洗い流し、そのチャックピン２３から洗浄して除去することが可能である。あるいは、流体として気体を用い、各ノズル６１から気体を吐出することで、チャックピン２３に付着した接着物を乾燥させ、乾燥した接着物をチャックピン２３から吹き飛ばして除去することも可能である。この除去された接着物は、ステップ４で処理対象物Ｗから排出される。このようにして、接着物がチャックピン２３に付着することを確実に抑えることができる。例えば、接着物がチャックピン２３に付着した場合、基板処理が終了し、処理対象物Ｗがチャンバから搬送され、次の処理対象物Ｗがチャンバに搬送される間で、チャックピン２３に対して気体を供給し、チャックピン２３から接着物を吹き飛ばして除去することが可能である。なお、ステップ４まで、ノズル６１からＤＩＷが供給されているので、この供給をステップ５まで延長することも可能である。供給延長により、接着物がチャックピン２３に付着することをより抑えることができる。

＜他の実施形態＞
前述の説明においては、各ノズル６１を各チャックピン２３の上面や外周面に沿わして各チャックピン２３に個別に設けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、各チャックピン２３の内部を通過させて個別に設けるようにしてもよく（内蔵）、また、各チャックピン２３の周囲に個別に設けるようにしてもよい。

ここで、チャックピン２３の上部、その周囲に流体を供給することが望ましいが、少なくとも、各チャックピン２３の個々の周囲の基板Ｗ１側に供給する。また、予め実験などでチャックピン２３に接着物が付着しやすいエリアが判っているのであれば、そのエリアだけに供給することも可能である。流体が気体である場合には、チャックピン２３の上部に気体を供給することは可能であるが、その上部から拡散しても、チャックピン２３の周囲（下部）に対して供給することは難しい。気体に関しては、チャックピン２３の上方（離れた位置）から、チャックピン２３の上部及びその周囲に狙って気体を供給することが可能である。例えば、チャックピン２３の上部とその周囲（周囲を流れる液面に対して）に気体を噴射するノズルを個別に設けても良く、そのノズルをチャックピン２３に内蔵させてもよい。

また、前述の説明においては、全てのノズル６１から同時に流体を吐出させることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、各ノズル６１から順番に流体を吐出させることも可能であり、所定の順序で各ノズル６１から流体を吐出させるようにしてもよく、また、不規則に吐出させるようにしてもよい。つまり、各ノズル６１から選択的に流体を吐出させても、また、各ノズル６１から同時に流体を吐出させるようにしてもよい。

また、前述の説明においては、全てのノズル６１から流体を吐出させてからテーブル２０上の処理対象物Ｗに対する処理液の供給を開始することを例示したが、これに限るものではなく、例えば、テーブル２０上の処理対象物Ｗに対する処理液の供給を開始してから、全てのノズル６１から流体を吐出させるようにしてもよい。すなわち、処理液の供給開前に各ノズル６１からの流体吐出を開始するようにしてもよく、また、処理液の供給開始後に各ノズル６１からの流体吐出を開始するようにしてもよいが、いずれの場合でも、処理液が処理対象物Ｗに供給されている状態で、各ノズル６１から流体を吐出させる。

また、前述の説明においては、各ノズル６１の個々の吐出量を同じで一定にすることを例示したが、これに限るものではなく、各ノズル６１の個々の吐出量を異ならせてもよく、あるいは、一定ではなく変化させるようにしてもよい。例えば、各ノズル６１の個々の吐出量を全て異ならせたり、組ごとに異ならせたりする。また、テーブル２０の回転数に応じて各ノズル６１の個々の吐出量を変える。例えば、テーブル２０の回転数の上昇に応じて各ノズル６１の個々の吐出量を上げ、テーブル２０の回転数の下降に応じてノズル６１の個々の吐出量を下げる。これにより、基板Ｗ１から除去された接着物が処理液と共に流れるときの速さに応じ、ノズル６１の個々の吐出量を調整することが可能になるので、接着物がチャックピン２３に付着することを確実に抑えることができる。なお、テーブル２０の回転数に応じて、ノズル６１の吐出量を変えることに加え、流体を吐出させるノズル６１の個数を変えることも可能である。

なお、テーブル２０の回転数を応じてノズル６１の吐出量を変化させる理由として、テーブル２０の回転数に応じて遠心力による影響に変化が生じるからである。テーブル２０の回転数が第１の回転数である場合、前述したように、遠心力の働きが弱いため、ノズル６１から吐出したＤＩＷは遠心力には負けない。ＤＩＷはチャックピン２３の上部及びその周囲に供給される。しかし、テーブル２０の回転数が第２の回転数になると、ノズル６１から吐出されるＤＩＷは、遠心力の影響を受けるので、吐出されたＤＩＷがチャックピン２３の周囲には届かず、吐出した後すぐに、チャックピン２３外（テーブル２０の外方）に排出されてしまうことがある。つまり、テーブル２０の回転数が第２の回転数である場合、遠心力の影響を考慮して、チャックピン２３の周囲にもＤＩＷを確実に供給できるように、第１の回転数のときよりもノズル６１の吐出量を多くする必要がある。また、ノズル６１からの吐出量を、テーブル２０の回転数に応じて変化させるとしているが、言い変えると、処理ステップごとにノズル６１の吐出量を変化させることができる。剥離された接着物がチャックピン２３に向かって付着しやすい環境の時だけ、吐出量を多くするが、それ以外は、吐出量を少なくできる。つまり、ＤＩＷの消費を抑制することができる。

また、前述の説明においては、テーブル２０の回転数に応じて、テーブル２０により支持された処理対象物ＷのリングＷ２の上面、あるいは、テーブル２０により支持された処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に向けて液供給部５０により液体を吐出することを例示したが、これに限るものではなく、例えば、テーブル２０により支持された処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に向けて吐出するようにしてもよい。なお、テーブル２０により支持された処理対象物ＷのリングＷ２の上面及び基板Ｗ１の外周端部の両方に同時に液体を供給することも可能であり、テーブル２０により支持された処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部及び基板Ｗ１とリングＷ２との間の両方に、また、テーブル２０により支持された処理対象物ＷのリングＷ２の上面、基板Ｗ１の外周端部及び基板Ｗ１とリングＷ２との間の三個所に同時に液体を供給することも可能である。

また、前述の説明においては、第１のノズル５１及び第２のノズル５２の二本のノズルを設けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、第１のノズル５１だけを設け、その第１のノズル５１を移動機構により移動させて第２のノズル５２のかわりに用いるようにしても良い。すなわち、第１のノズル５１は、テーブル２０の回転数が第１の回転数である場合、テーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に向けて液体を吐出し、テーブル２０の回転数が第２の回転数である場合、テーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に向けて液体を吐出する。なお、第１のノズル５１は、テーブル２０の回転数が第１の回転数から第２の回転数に変更される前に、テーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に向けて液体を吐出する位置から、テーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に向けて液体を吐出する位置に移動する。また、第１のノズル５１及び第２のノズル５２のどちらか一方又は両方をリングＷ２及び基板Ｗ１の周方向に所定の間隔で複数設けることも可能である。

また、前述の説明においては、第１のノズル５１及び第２のノズル５２は、鉛直方向に対して傾いていてもよく、鉛直方向に平行であってもよい。また、第１のノズル５１の傾斜角度及び第２のノズル５２の傾斜角度は同じであっても、異なっていてもよい。第１のノズル５１及び第２のノズル５２の個々の傾斜角度をテーブル２０の回転数に応じて変更するようにしてもよく、例えば、連結部材やモータなどを有する角度変更機構（角度変更部）によりテーブル２０の回転数に応じて変更するようにしてもよい。また、テーブル２０の回転数ごとに傾斜角度の異なる複数のノズルを設けておき、それらのノズルをテーブル２０の回転数に応じて選択して用い、テーブル２０の回転数に応じてノズルの傾斜角度を変更するようにしてもよい。このようにして、第１のノズル５１や第２のノズル５２などのノズルがテーブル２０上の処理対象物Ｗに対して液体を吐出する角度（吐出角度）を変更することができる。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０ 基板処理装置
２０ テーブル
２３ チャックピン
４０ 処理液供給部
６０ 流体供給部
６１ ノズル
Ｗ 処理対象物
Ｗ１ 基板
Ｗ２ リング
Ｗ３ ダイシングテープ

Claims (10)

1. 基板と、前記基板の周囲を囲むリングと、前記基板の下面及び前記リングの下面に粘着するダイシングテープとを有する処理対象物を支持するテーブルと、
   前記テーブルにより支持された前記処理対象物を前記テーブルに固定する複数のチャックピンと、
   前記複数のチャックピンにより前記テーブルに固定された前記処理対象物に、前記基板を処理するための処理液を供給する処理液供給部と、
   前記処理液供給部により前記処理液が前記処理対象物に供給されている状態で、全ての前記チャックピンの周囲に流体を供給する流体供給部と、
   を備える基板処理装置。
2. 前記流体供給部は、少なくとも、前記複数のチャックピンの個々の周囲の基板側に前記流体を供給する請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記流体供給部は、
   前記複数のチャックピンの全てに個別に設けられ、前記複数のチャックピンにより前記テーブルに固定された前記処理対象物の中央側に向けて流体をそれぞれ吐出する複数のノズルを有する請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記流体供給部は、前記処理液供給部により前記処理液が前記処理対象物に供給されていない状態で、前記複数のチャックピンの全てに前記流体を当てる請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記流体は、前記処理液に混和せず前記処理液よりも比重が大きい液体である請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記流体は、前記処理液と親和性のない液体又は気体である請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 基板と、前記基板の周囲を囲むリングと、前記基板の下面及び前記リングの下面に粘着するダイシングテープとを有する処理対象物をテーブルにより支持する工程と、
   前記テーブルにより支持された前記処理対象物を前記テーブルに複数のチャックピンにより固定する工程と、
   前記複数のチャックピンにより前記テーブルに固定された前記処理対象物に、前記基板を処理するための処理液を処理液供給部により供給する工程と、
   前記処理液供給部により前記処理液が前記処理対象物に供給されている状態で、全ての前記チャックピンの周囲に流体を流体供給部により供給する工程と、
   を有する基板処理方法。
8. 前記流体供給部は、少なくとも、前記複数のチャックピンの個々の周囲の基板側に前記流体を供給する請求項７に記載の基板処理方法。
9. 前記流体供給部は、
   前記複数のチャックピンの全てに個別に設けられ、前記複数のチャックピンにより前記テーブルに固定された前記処理対象物の中央側に向けて流体をそれぞれ吹き出す複数のノズルを有する請求項７又は請求項８に記載の基板処理方法。
10. 前記流体供給部は、前記処理液供給部により前記処理液が前記処理対象物に供給されていない状態で、前記複数のチャックピンの全てに前記流体を当てる請求項７から請求項９のいずれか一項に記載の基板処理方法。

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