JP6737670B2 - 基板処理方法、基板処理装置 - Google Patents

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Description

この発明は、基板の上面に液体を供給する処理を実行する基板処理技術に関する。
従来、基板処理技術においては、基板を回転させつつ基板の上面に液体を供給することで、基板の上面の全体に遠心力により液体を行き渡らせる処理が適宜実行される。この際、基板の上面に供給された液体が基板の下面に付着することで、基板の下面が汚染される場合があった。そこで、特許文献１では、基板の下面の周縁部に沿って配置された堰部材が、基板の上面から下面への液体の回り込みを妨げて、基板の下面への液体の付着を防止する。また、特許文献２、３では、基板の下面に対して近接・離間する可動部材（上下移動部材、保護ディスク）が設けられている。そして、基板の上面に液体が供給される間は、可動部材が基板の下面に近接して、液体のミストが基板の下面に付着するのを防止する。
特開２００３−３０３７６２号公報 特開平７−１３０６９５号公報 特開２０１３−２２９５５２号公報
ところで、このような基板処理技術では、基板の上面に行き渡った液体が基板の上面から蒸発することで、問題が引き起こされるおそれがあった。そこで、高速で回転する基板の上面に対する液体の供給が完了した後、基板の上面を濡れた状態に継続的に保つために、基板の回転速度を減速した状態で液体を基板の上面に供給するパドル処理を実行することがある。
ただし、このようなパドル処理の実行中は、基板から振り切られずに落下して可動部材に付着する液体の量が多くなる。したがって、パドル処理を実行する場合には、パドル処理の実行によって可動部材に付着した液体に対する対策が必要であった。しかしながら、従来の技術はこれに十分に対応できるものではなかった。
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板の下面に近接・離間する可動部材に、パドル処理の実行によって付着した液体を除去することを可能とする技術の提供を目的とする。
本発明に係る基板処理方法は、上記目的を達成するために、基板の下面に近接する近接位置と近接位置よりも基板の下面から離れた離間位置との間で移動可能な可動部材を近接位置に位置させた状態で、第１速度で回転する基板の上面に第１液体を供給する第１工程と、第１速度未満でゼロ以上の第２速度へ基板の回転速度を減速した状態で、基板の上面に第１液体を供給する第２工程と、可動部材を離間位置に位置させた状態で、第２速度より速い第３速度で可動部材を回転させる第３工程とを備える。
本発明に係る基板処理装置は、上記目的を達成するために、基板の下面側に設けられた可動部材と、基板あるいは可動部材を回転させる第１駆動部と、基板の下面に近接する近接位置と近接位置よりも基板の下面から離れた離間位置との間で可動部材を駆動する第２駆動部と、基板の上面に液体を供給する液体供給部と、第１駆動部、第２駆動部および液体供給部を制御する制御部とを備え、制御部は、可動部材を近接位置に位置させた状態で、第１速度で回転する基板の上面に液体を供給する制御と、第１速度未満でゼロ以上の第２速度へ基板の回転速度を減速した状態で、基板の上面に液体を供給する制御と、可動部材を離間位置に位置させた状態で、第２速度より速い第３速度で可動部材を回転させる制御とを実行する。
このように構成された発明（基板処理方法、基板処理装置）は、第１速度で回転する基板の上面に液体（第１液体）を供給した後に、第１速度未満でゼロ以上の第２速度へ基板の回転速度を減速した状態で基板の上面に液体を供給する（パドル処理）。したがって、パドル処理の実行により、可動部材には多量の液体が付着しうる。これに対して、本発明では、パドル処理の実行後に、可動部材を離間位置に位置させた状態で、第２速度より速い第３速度で可動部材を回転させる。つまり、基板の下面と可動部材との間隔を広く確保しつつ可動部材を高速で回転させることで、可動部材から液体を振り切って除去することができる。こうして、パドル処理の実行によって可動部材に付着した液体を除去することが可能となっている。
また、第２工程において、可動部材を近接位置から離間位置に移動させるように、基板処理方法を構成しても良い。かかる構成は、第２工程でのパドル処理から第３工程での可動部材の回転へと速やかに移行することができ、好適である。
また、第３工程では、可動部材とともに基板を第３速度で回転させつつ基板の上面に第２液体を供給するように、基板処理方法を構成しても良い。かかる構成では、基板の上面に第２液体を供給する処理と並行して、可動部材から液体を振り切る処理を効率的に実行することができる。
また、第３工程で基板の上面に第２液体を供給する単位時間あたりの量は、第１工程で基板の上面に第１液体を供給する単位時間あたりの量よりも少ないように、基板処理方法を構成しても良い。このように第２液体の単位時間あたりの供給量を抑えることで、可動部材からの液体の除去のために可動部材を基板の下面から離間させた状態であっても、第２液体が基板の下面に付着するのを抑制することができる。
さらに、第３工程で基板の上面に第２液体を供給する単位時間あたりの量は、第１工程で基板の上面に第１液体を供給する単位時間あたりの量の半分以下であるように、基板処理方法を構成しても良い。これによって、第２液体が基板の下面に付着するのをより確実に抑制することができる。
また、第２速度はゼロであるように、基板処理方法を構成しても良い。かかる構成では、第２工程でのパドル処理の実行によって、基板の上面を十分に濡れた状態に保つことができる。
また、基板の上面にパターンが形成されている場合には、本発明を適用することが特に好適となる。つまり、基板の上面にパターンが形成されている場合、高速（第１速度）で回転する基板の上面に供給された液体が基板の上面の全体に行き渡るにつれて、隣接するパターンの間に入り込む。この際、パターンの間の液体が蒸発すると、液体の表面張力によってパターンが倒壊するおそれがある。そのため、基板の上面に液体を行き渡らせた後も基板の上面の乾燥を防ぐ必要がある。そこで、高速で回転する基板の上面に対する液体の供給が完了した後も、基板の上面を濡れた状態に継続的に保つために、基板の回転速度を減速した状態で液体を基板の上面に供給するパドル処理を実行することが適当となる。ただし、上述のとおり、パドル処理を実行することで可動部材に多量の液体が付着するおそれがあった。これに対して本発明は、基板の下面と可動部材との間隔を広く確保しつつ可動部材を高速で回転させることで、パドル処理の際に可動部材に付着した液体を除去することができ、好適である。
また、第２速度より速い第４速度で基板を回転させつつ、隣接するパターンの間に充填される充填材を含む第３液体を基板の上面に供給する第４工程を、第３工程の後にさらに備えるように、基板処理方法が構成されている。これによって、次のような利点がある。つまり、パドル処理の実行により可動部材に多量の液体が付着したことで湿度が上昇すると、その後の第４工程で基板の上面に供給される第３液体中の充填材が変質し、第３液体の液膜の形成やパターン間への充填材の充填に支障が生じる場合がある。これに対して本発明によれば、基板の下面と可動部材との間隔を広く確保しつつ可動部材を高速で回転させることで、パドル処理の際に可動部材に付着した液体を除去している。したがって、第３液体の液膜の形成やパターン間への充填材の充填を適切に実行できる。
この際、第１液体は基板のパターンの間を含む基板の上面をリンスするリンス液であり、充填材はリンス液が置換されたパターンの間に充填されるように、基板処理方法を構成しても良い。こうして、リンス液のリンスにより洗浄された基板の上面のパターン間に充填材を充填することで、パターンの倒壊の抑制を図ることができる。
また、第１工程と並行して、基板の下面と可動部材の上面との間に不活性ガスを供給して、基板の回転中心から基板の周縁に向かう不活性ガスの気流を基板の下面側に生成するように、基板処理方法を構成しても良い。かかる構成では、不活性ガスの気流によって、基板の上面から下面への液体（第１液体）の回り込みをより確実に抑制することができる。
本発明によれば、基板の下面に近接・離間する可動部材に、パドル処理の実行によって付着した液体を除去することが可能となる。
本発明の実施形態に係る基板処理装置の一例を模式的に示す平面図。 図１の基板処理装置が備える洗浄処理ユニットの一例を模式的に示す部分断面図。 図１の基板処理装置が備える洗浄処理ユニットの一例を模式的に示す部分断面図。 図１の基板処理装置が備える電気的構成の一部を示すブロック図。 ノズルユニットおよびカバープレートの昇降動作の一例を模式的示す部分断面図。 図１の基板処理装置が図２および図３の洗浄処理ユニットを用いて実行する基板処理方法の一例を示すフローチャート。 図６の基板処理方法に従って実行される動作の一例を示すタイミングチャート。 図６の基板処理方法によって基板に対して実行される基板処理の様子を模式的に示す側面図。 図１の基板処理装置が図２および図３の洗浄処理ユニットを用いて実行する基板処理方法の変形例を示すフローチャート。
図１は本発明の実施形態に係る基板処理装置の一例を模式的に示す平面図である。図１の基板処理装置１は、洗浄処理および熱処理といった各種の基板処理を基板Ｗに対して１枚ずつ実行する枚葉式の装置である。処理の対象となる基板Ｗとしては、例えば液晶表示装置用ガラス基板、半導体基板、ＰＤＰ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、カラーフィルター用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板、電子ペーパー用基板等の精密電子装置用基板、矩形ガラス基板、フィルム液晶用フレキシブル基板あるいは有機ＥＬ用基板等が挙げられる。以下に説明する例では、基板Ｗは１００ｍｍ〜４００ｍｍの所定の直径の円形状を有し、微細なパターンＷｐ（図８）が形成された凹凸形状の表面Ｗｆ（図２）と平坦な裏面Ｗｂ（表面Ｗｆの反対側の面）とを有する。ただし、形状や寸法を含む基板の構成はこの例に限られない。
基板処理装置１は、基板Ｗを収容する複数のロードポート２と、基板Ｗに洗浄処理を行う複数の洗浄処理ユニット３と、基板Ｗに熱処理を行う複数の熱処理ユニット４とを備える。また、基板Ｗを装置内で搬送するために、基板処理装置１はインデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲを備える。これらのうち、インデクサロボットＩＲはロードポート２とセンターロボットＣＲとの間の経路上で基板Ｗを搬送し、センターロボットＣＲはインデクサロボットＩＲと各処理ユニット３、４との間の経路上で基板Ｗを搬送する。さらに、基板処理装置１はコンピュータで構成されたコントローラ９を備え、コントローラ９が所定のプログラムに従って装置各部を制御することで、以下に説明する各基板処理が基板Ｗに対して実行される。
ロードポート２は、複数の基板Ｗを鉛直方向に重ねて収容するキャリアＣを保持する。このロードポート２内では、各基板Ｗはその表面Ｗｆが上方に向いた状態（すなわち、その裏面Ｗｂが下方に向いた状態）で収容されている。そして、インデクサロボットＩＲは未処理の基板Ｗをロードポート２のキャリアＣから取り出すと、この基板ＷをセンターロボットＣＲに受け渡し、センターロボットＣＲはインデクサロボットＩＲから受け取った基板Ｗを洗浄処理ユニット３に搬入する。
洗浄処理ユニット３は、搬入された基板Ｗを洗浄してから（洗浄処理）、パターンＷｐの間を含む基板Ｗの表面Ｗｆを充填材溶液の液膜により覆う（塗布処理）。ここで、充填材溶液は溶質である充填材を含む溶液である。このように洗浄処理ユニット３は洗浄処理のみならず、塗布処理等の他の基板処理も実行する基板処理ユニットである。なお、洗浄処理ユニット３の構成および動作は後に詳述する。
洗浄処理ユニット３での各基板処理が完了すると、センターロボットＣＲは洗浄処理ユニット３から基板Ｗを搬出し、熱処理ユニット４にこの基板Ｗを搬入する。熱処理ユニット４はホットプレートを有し、センターロボットＣＲによって搬入された基板Ｗをホットプレートにより加熱する（熱処理）。この熱処理によって、基板Ｗの表面Ｗｆを覆っていた充填材溶液の液膜から溶媒が蒸発し、充填材溶液の溶質、すなわち充填材が隣接するパターンＷｐの間で固化する。なお、基板Ｗの加熱方法はこれに限られず、例えば基板Ｗへの赤外線の照射や、基板Ｗへの温風の付与等によって基板Ｗを加熱しても良い。
熱処理ユニット４での熱処理が完了すると、センターロボットＣＲは熱処理ユニット４から搬出した基板ＷをインデクサロボットＩＲに受け渡し、インデクサロボットＩＲは受け取った基板Ｗをロードポート２のキャリアＣに収容する。こうして基板処理装置１での各基板処理が実行済みの基板Ｗは、外部の充填材除去装置に搬送される。この充填材除去装置は、パターンＷｐの間を含む基板Ｗの表面Ｗｆからドライエッチングにより充填材を除去する。なお、充填材の除去方法はこれに限られず、例えば特開２０１３−２５８２７２号公報のような充填材の昇華や、特開２０１１−１２４３１３号公報のようなプラズマ処理等によって充填材を除去しても良い。
図２および図３は図１の基板処理装置が備える洗浄処理ユニットの一例を模式的に示す部分断面図であり、図４は図１の基板処理装置が備える電気的構成の一部を示すブロック図である。図２と図３とは、後述するカバープレート３５およびノズルユニット３６の高さにおいて異なる。また、図２、図３および以下の図では、鉛直方向Ｚを適宜示す。
洗浄処理ユニット３は、センターロボットＣＲによって搬入された基板Ｗを保持するスピンチャック３１と、スピンチャック３１に負圧を供給する吸引部３２とを有する。このスピンチャック３１は、円盤の下面の中心部分から円筒形の軸が下方に突出した形状を有し、鉛直方向Ｚに平行な中心線Ａに対して略回転対称である。スピンチャック３１の上面では複数の吸引孔が開口し、基板Ｗはスピンチャック３１の上面に水平に載置される。こうしてスピンチャック３１は、基板Ｗの表面Ｗｆを上方へ向けた状態で基板Ｗの裏面Ｗｂの中心部分に下方から接触する。この状態で、コントローラ９が吸引部３２に吸引指令を出力すると、吸引部３２がスピンチャック３１の吸引孔に負圧を供給し、基板Ｗがスピンチャック３１により吸着・保持される。
また、洗浄処理ユニット３は、スピンチャック３１を保持する回転シャフト３３と、例えばモータで構成されて回転シャフト３３を回転させる回転駆動部３４とを有する。回転シャフト３３は円筒部３３１の上面の中心部分から当該円筒部３３１より小径の円筒部３３２が上方に突出した形状を有し、円筒部３３１、３３２は中心線Ａに対して略回転対称である。また、回転シャフト３３は、円筒部３３１の上面であって円筒部３３２の側方で上方に突出する係合突起３３３を有する。そして、コントローラ９が回転駆動部３４に回転指令を出力すると、回転駆動部３４が回転シャフト３３に回転駆動力（トルク）を与え、回転シャフト３３がスピンチャック３１と一体的に中心線Ａを中心に回転する。その結果、スピンチャック３１に保持される基板Ｗも中心線Ａを中心に回転する。
さらに、洗浄処理ユニット３は、スピンチャック３１に保持された基板Ｗの下方に位置するカバープレート３５を有する。平面視において、カバープレート３５は中心線Ａを中心とする略円形の外形を有し、カバープレート３５の中心部では円形の中心孔３５１が開口し、カバープレート３５の中心孔３５１の側方では係合孔３５２が開口し、カバープレート３５の周縁部では周縁孔３５３が開口する。回転シャフト３３の円筒部３３２はカバープレート３５の中心孔３５１の内側に挿入され、カバープレート３５は回転シャフト３３の円筒部３３２より外側で基板Ｗの裏面Ｗｂに下方から対向する。
このカバープレート３５は鉛直方向Ｚに昇降自在であり、基板Ｗの裏面Ｗｂに近接する近接位置Ｐｃ（図２）と、近接位置Ｐｃよりも基板Ｗの裏面Ｗｂから下方に離れた離間位置Ｐｄ（図３）とのいずれかに選択的に位置することができる。カバープレート３５が離間位置Ｐｄに位置する離間状態では、カバープレート３５の係合孔３５２に回転シャフト３３の係合突起３３３が係合する。カバープレート３５はこうして回転シャフト３３に係合することで、回転シャフト３３の回転に伴って回転することができる。一方、カバープレート３５が近接位置Ｐｃに位置する近接状態では、カバープレート３５は例えば１ｍｍ〜１０ｍｍ程度のクリアランスを空けて基板Ｗの裏面Ｗｂに近接し、基板Ｗの裏面Ｗｂの少なくとも周縁部を下方から覆う。また、この近接状態では、カバープレート３５の係合孔３５２は回転シャフト３３の係合突起３３３から離脱しており、カバープレート３５は回転シャフト３３の回転に依らず静止する。
また、洗浄処理ユニット３は、カバープレート３５の周縁孔３５３に下方から係脱自在なノズルユニット３６と、ノズルユニット３６を昇降させる昇降駆動部３７とを有する。そして、昇降駆動部３７はノズルユニット３６の昇降に伴ってカバープレート３５を昇降させる。図５はノズルユニットおよびカバープレートの昇降動作の一例を模式的示す部分断面図である。図５の「ノズルユニット下降位置」「ノズルユニット途中位置」および「ノズルユニット上昇位置」の各欄はそれぞれノズルユニット３６が下降位置、途中位置および上昇位置に位置する状態を示す。続いては、図２ないし図４に図５を加えて洗浄処理ユニット３の説明を行う。
図５に示すように、ノズルユニット３６は、ベース部３６１と、ベース部３６１の上面に取り付けられた２つの下側ノズルＮａ、Ｎｂを有する。ベース部３６１は、側方に向けて突出する突起部３６２をその底部に有する。２つの下側ノズルＮａ、Ｎｂは、スピンチャック３１に保持された基板Ｗの径方向に並び、径方向の周縁側の下側ノズルＮａは、上方へ向かうに連れて外側へ傾斜する斜め上方へ処理液を吐出し、径方向の中心側の下側ノズルＮｂは、鉛直方向Ｚに対して平行に処理液を吐出する。
昇降駆動部３７は例えばアクチュエータで構成され、コントローラ９からの指令に従って、下降位置（図３）と下降位置より高い上昇位置（図２）との間でノズルユニット３６を昇降させる。図３および図５の「ノズルユニット下降位置」の欄に示すように、ノズルユニット３６が下降位置に位置する状態では、下降位置のノズルユニット３６は離間位置Ｐｄに位置するカバープレート３５よりも下方に位置する。図５の「ノズルユニット途中位置」の欄に示すように、ノズルユニット３６が下降位置から上昇して途中位置に到達すると、離間位置Ｐｄに位置するカバープレート３５の周縁孔３５３にノズルユニット３６が係合し、ノズルユニット３６の突起部３６２がカバープレート３５の下面に当接する。ノズルユニット３６がさらに上昇すると、カバープレート３５がノズルユニット３６に伴って上昇し、カバープレート３５と回転シャフト３３との係合が解除される。そして、図２および図５の「ノズルユニット上昇位置」の欄に示すように、ノズルユニット３６が上昇位置に到達するのに伴って、カバープレート３５が近接位置Ｐｃに到達する。
カバープレート３５が近接位置Ｐｃに位置する近接状態では、ベース部３６１の上面とカバープレート３５の上面とが面一に並ぶとともに、下側ノズルＮａ、Ｎｂはスピンチャック３１に保持される基板Ｗの裏面Ｗｂに近接する。そして、下側ノズルＮａは裏面Ｗｂの周縁部に対して処理液を吐出でき、下側ノズルＮｂは下側ノズルＮａよりも内側において裏面Ｗｂに対して処理液を吐出できる。
また、ノズルユニット３６が上昇位置から下降位置へと下降すると、上述とは逆の順序で各動作が実行される。つまり、カバープレート３５は、ノズルユニット３６の下降に伴って近接位置Ｐｃから離間位置Ｐｄへと下降する。そして、カバープレート３５は離間位置Ｐｄに到達すると回転シャフト３３に係合して下降を停止する。ノズルユニット３６はさらに下降することでカバープレート３５の周縁孔３５３から下方へ離脱し、下降位置に到達する。
図２ないし図４に戻って説明を続ける。図２および図３に示すように、洗浄処理ユニット３は、スピンチャック３１に保持された基板Ｗおよびカバープレート３５を側方および下方から囲むカップ３８を備える。したがって、基板Ｗやカバープレート３５から飛散あるいは落下した処理液は、カップ３８に回収される。このカップ３８は不図示の昇降機構により図３の上昇位置と当該上昇位置より下方の下降位置との間で昇降する。そして、カップ３８を下降位置に位置させた状態で基板Ｗがスピンチャック３１に着脱され、カップ３８を上昇位置に位置させた状態でスピンチャック３１に装着された基板Ｗに対して各種の基板処理が実行される。
また、洗浄処理ユニット３は、例えば窒素ガス等の不活性ガスを供給する不活性ガス供給源Ｓｇを備える。そして、回転シャフト３３の円筒部３３２の上部で開口するガス供給口３３４がバルブＶ１を介して不活性ガス供給源Ｓｇに接続されている。したがって、コントローラ９がバルブＶ１を開くと、スピンチャック３１に保持された基板Ｗの裏面Ｗｂとカバープレート３５の上面との間に不活性ガス供給源Ｓｇから不活性ガスが供給される。これによって、基板Ｗの裏面Ｗｂとカバープレート３５との間では、不活性ガスが基板Ｗの中心から周縁に向かう方向に流れる。一方、コントローラ９がバルブＶ１を閉じると、不活性ガス供給源Ｓｇからのガスの供給が停止する。
さらに、洗浄処理ユニット３は、スピンチャック３１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに処理液を吐出する３つの上側ノズルＮｃ、Ｎｄ、Ｎｅを備える。また、洗浄処理ユニット３は、スピンチャック３１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆの中心に対向する対向位置と、この基板Ｗの表面Ｗｆから水平方向に退避する退避位置との間で上側ノズルＮｃを移動させるノズル駆動部３９を備える。また、図示は省略するが、洗浄処理ユニット３は上側ノズルＮｄ、Ｎｅのそれぞれに対しても同様のノズル駆動部３９を備える。そして、コントローラ９からの指令を受けて各ノズル駆動部３９は上側ノズルＮｃ、Ｎｄ、Ｎｅをそれぞれ移動させる。
このように洗浄処理ユニット３には、基板Ｗの裏面Ｗｂに処理液を吐出する下側ノズルＮａ、Ｎｂと、基板Ｗの表面Ｗｆに処理液を供給する上側ノズルＮｃ、Ｎｄ、Ｎｅとが設けられている。そして、洗浄処理ユニット３は、これらノズルＮａ〜Ｎｅに処理液を供給する各種供給源Ｓｃ、Ｓｒ、Ｓｓ、Ｓｆを備える。
薬液供給源Ｓｃは、例えば希フッ酸（ＤＨＦ）あるいはアンモニア水を含む洗浄液を薬液として供給する。この薬液供給源Ｓｃは、直列に接続されたバルブＶ２、Ｖ３を介して上側ノズルＮｃに接続されている。したがって、コントローラ９がバルブＶ２およびバルブＶ３を開くと薬液供給源Ｓｃから供給された薬液が上側ノズルＮｃより吐出され、コントローラ９がバルブＶ２およびバルブＶ３のいずれかを閉じると上側ノズルＮｃからの薬液の吐出が停止する。
リンス液供給源Ｓｒは、例えばＤＩＷ(De-ionized Water)、炭酸水、オゾン水あるいは水素水といった純水をリンス液として供給する。このリンス液供給源Ｓｒは、直列に接続されたバルブＶ４およびバルブＶ３を介して上側ノズルＮｃに接続されている。したがって、コントローラ９がバルブＶ４およびバルブＶ３を開くとリンス液供給源Ｓｒから供給されたリンス液が上側ノズルＮｃから吐出され、コントローラ９がバルブＶ４およびバルブＶ３のいずれかを閉じると上側ノズルＮｃからのリンス液の吐出が停止する。また、リンス液供給源ＳｒはバルブＶ５を介して、下側ノズルＮｂ（図５）に接続されている。したがって、コントローラ９がバルブＶ５を開くとリンス液供給源Ｓｒから供給されたリンス液が下側ノズルＮｂから吐出され、コントローラ９がバルブＶ５を閉じると下側ノズルＮｂからのリンス液の吐出が停止する。
溶剤供給源Ｓｓは、例えばＩＰＡ(Isopropyl Alcohol)を溶剤として供給する。この溶剤供給源Ｓｓは、バルブＶ６を介して下側ノズルＮａに接続されている。したがって、コントローラ９がバルブＶ６を開くと溶剤供給源Ｓｓから供給された溶剤が下側ノズルＮａから吐出され、コントローラ９がバルブＶ６を閉じると下側ノズルＮａからの溶剤の吐出が停止する。また、溶剤供給源ＳｓはバルブＶ７を介して上側ノズルＮｄに接続されている。したがって、コントローラ９がバルブＶ７を開くと溶剤供給源Ｓｓから供給された溶剤が上側ノズルＮｄから吐出され、コントローラ９がバルブＶ７を閉じると上側ノズルＮｄからの溶剤の吐出が停止する。
充填材溶液供給源Ｓｆは、アクリル樹脂等のポリマーである充填材を水に溶解させた溶液を充填材溶液として供給する。この充填材溶液供給源Ｓｆは、バルブＶ８を介して上側ノズルＮｅに接続されている。したがって、コントローラ９がバルブＶ８を開くと充填材溶液供給源Ｓｆから供給された充填材溶液が上側ノズルＮｅから吐出され、コントローラ９がバルブＶ８を閉じると上側ノズルＮｅからの充填材溶液の吐出が停止する。
図６は図１の基板処理装置が図２および図３の洗浄処理ユニットを用いて実行する基板処理方法の一例を示すフローチャートである。図７は図６の基板処理方法に従って実行される動作の一例を示すタイミングチャートである。また、図８は図６の基板処理方法によって基板に対して実行される基板処理の様子を模式的に示す側面図である。このフローチャートは、コントローラ９の制御によって実行される。なお、図６のフローチャートの実行期間を通して、基板Ｗとカバープレート３５との間にはガス供給口３３４から継続的に窒素ガスが供給されている。
未処理の基板ＷがセンターロボットＣＲによって洗浄処理ユニット３のスピンチャック３１の上面に搬入されると（ステップＳ１０１）、スピンチャック３１がこの基板Ｗを吸着・保持する（ステップＳ１０２）。そして、ステップＳ１０１、Ｓ１０２の実行中に離間位置Ｐｄに位置していたカバープレート３５が近接位置Ｐｃに上昇する（ステップＳ１０３）。
ステップＳ１０４では、スピンチャック３１が回転を開始して、基板Ｗの回転速度がゼロから速度ｖ１まで加速される。続いて、カバープレート３５が近接位置Ｐｃに位置した状態で、ステップＳ１０５の薬液処理およびステップＳ１０６のリンス処理を含む洗浄処理が開始する。
薬液処理（ステップＳ１０５）では、基板Ｗが速度ｖ１（例えば８００ｒｐｍ）で定速回転している状態で、基板Ｗの中心に対向する上側ノズルＮｃが基板Ｗの表面ＷｆへのＤＨＦ（薬液）の供給を開始する（時刻ｔ１）。この際、上側ノズルＮｃは基板Ｗの表面Ｗｆへ供給速度Ｆ１でＤＨＦを供給する。ここで、供給速度（ｍＬ／ｍｉｎ）は、単位時間（ｍｉｎ）あたりの供給量（ｍＬ）である。時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間、基板Ｗの表面Ｗｆの中心に継続的に供給されるＤＨＦは、基板Ｗの回転によって生じる遠心力を受けて基板Ｗの表面Ｗｆの周縁にまで広がって、この周縁から飛散する。
時刻ｔ２に薬液処理が完了すると、上側ノズルＮｃがＤＨＦの供給を停止するとともに、リンス処理（ステップＳ１０６）が開始する。このリンス処理では、基板Ｗの回転速度は、時刻ｔ２から時刻ｔ３の期間を通じて速度ｖ１で一定に維持された後に、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間をかけて速度ｖ１から速度ｖ２に減速される。ここで、速度ｖ２は速度ｖ１未満でゼロ以上の速度であり、特にここの例では速度ｖ２はゼロである。また、基板Ｗの中心に対向する上側ノズルＮｃは、時刻ｔ２から時刻ｔ４の期間を通じてＤＩＷ（リンス液）を基板Ｗの表面Ｗｆに継続的に供給する。この際、上側ノズルＮｃは、供給速度Ｆ１よりも速い供給速度Ｆ２で基板Ｗの表面ＷｆにＤＩＷを供給する。
時刻ｔ２から時刻ｔ３の期間は、比較的速い速度ｖ１で基板Ｗが回転するため、基板Ｗの表面Ｗｆの中心に供給されるＤＩＷは、遠心力を受けて速やかに基板Ｗの表面Ｗｆの周縁にまで広がって、この周縁から飛散する。また、先の薬液処理で基板Ｗの表面Ｗｆに供給されたＤＨＦは、ＤＩＷに置換される。一方、時刻ｔ３から時刻ｔ４の期間をかけて基板Ｗの回転速度が減速するにつれて、基板Ｗの表面Ｗｆに形成されるＤＩＷの液膜の厚みが増加する。
このような洗浄処理を行うことで、基板Ｗの表面ＷｆはＤＨＦにより洗浄された後にＤＩＷの液膜により覆われる。一方、洗浄処理の実行中を通じて、基板Ｗの裏面Ｗｂは近接位置Ｐｃに位置するカバープレート３５に覆われており、基板Ｗの裏面ＷｂへのＤＨＦやＤＩＷの付着が抑制されている。特に洗浄処理と並行して、基板Ｗの裏面Ｗｂとカバープレート３５の上面との間に窒素ガスが継続的に供給されているため、基板Ｗの回転中心から基板Ｗの周縁に向かう窒素ガスの気流が基板Ｗの下面側に生成される。こうして、窒素ガスの気流によって、基板Ｗの表面Ｗｆから裏面ＷｂへのＤＨＦやＤＩＷの回り込みをより確実に抑制することが可能となっている。
時刻ｔ４にリンス処理が完了すると、パドル処理（ステップＳ１０７〜Ｓ１０９）が開始する。つまり、時刻ｔ４に基板Ｗの回転速度が速度ｖ２、すなわちゼロになる。（ステップＳ１０７）。この際、コントローラ９は、回転駆動部３４を構成するモータのエンコーダの出力に基づきスピンチャック３１が停止する回転位置を制御する。これによって、スピンチャック３１の係合突起３３３がカバープレート３５の係合孔３５２に鉛直方向Ｚに対向する回転位置で、スピンチャック３１が停止する。こうして基板Ｗの回転が停止すると、カバープレート３５が近接位置Ｐｃから離間位置Ｐｄに下降してスピンチャック３１に係合する（ステップＳ１０８）。
時刻ｔ５となるまでは、上側ノズルＮｃがリンス処理の完了後も継続してＤＩＷを基板Ｗの表面Ｗｆに供給し、パドル処理が実行される。このパドル処理でのＤＩＷの供給速度はリンス処理のそれと同様に速度Ｆ２である。そして、時刻ｔ５になると、上側ノズルＮｃはＤＩＷの供給を停止する（ステップＳ１０９）。つまり、パドル処理では、時刻ｔ４から時刻ｔ５の期間を通じて、回転速度が速度ｖ１から減速された基板Ｗの表面ＷｆにＤＩＷが継続的に供給される。こうして基板Ｗの表面Ｗｆを多量のＤＩＷで覆うことで、ＤＩＷの蒸発に伴って生じる表面張力を受けてパターンＷｐが倒壊するのを抑制できる。特に基板Ｗの回転を停止させた状態でパドル処理を実行しているため、基板Ｗの表面Ｗｆの全面を十分に濡れた状態に保って、パターンＷｐの倒壊をより確実に抑制可能となっている。
時刻ｔ５にパドル処理が完了すると、スピンチャック３１が回転を開始し（ステップＳ１１０）、ステップＳ１１１のＩＰＡ置換およびステップＳ１１２のポリマー塗布を含む塗布処理が開始する。また、この塗布処理の実行中は、カバープレート３５がスピンチャック３１に係合しているため、基板Ｗの回転に伴ってカバープレート３５も回転する。
ＩＰＡ置換（ステップＳ１１１）では、基板Ｗの回転速度がゼロ（速度ｖ２）から速度ｖ３まで加速された後に、時刻ｔ６まで速度ｖ３に維持される。例えば速度ｖ３は３００ｒｐｍである。ここで、速度ｖ３は速度ｖ２よりも速い速度であり、特にここの例では速度ｖ３は速度ｖ１未満である。また、時刻ｔ５から時刻ｔ６の期間を通じて、基板Ｗの中心に対向する上側ノズルＮｄが基板Ｗの表面ＷｆへＩＰＡ（溶剤）を供給速度Ｆ３で継続的に供給する。ここで、供給速度Ｆ３は供給速度Ｆ１および供給速度Ｆ２よりも遅く、特にここの例では供給速度Ｆ３は供給速度Ｆ１および供給速度Ｆ２の半分以下である。こうして基板Ｗの表面Ｗｆの中心に継続的に供給されるＩＰＡは、遠心力を受けて基板Ｗの表面Ｗｆの周縁にまで広がりつつ、基板Ｗの表面ＷｆからＤＩＷを除去する。その結果、図８の「ＩＰＡ置換後」の欄に示すように、基板Ｗの表面Ｗｆを覆っていたＤＩＷがＩＰＡ５１に置換され、基板Ｗの表面Ｗｆに形成された複数のパターンＷｐの間はＩＰＡ５１により満たされている。
時刻ｔ６にＩＰＡ置換が完了すると、上側ノズルＮｄがＩＰＡの供給を停止するとともに、充填材塗布（ステップＳ１１２）が開始する。この充填材塗布では、基板Ｗの回転速度は速度ｖ３から速度ｖ４まで急速に加速された後に、時刻ｔ７まで速度ｖ４に維持される。ここで、速度ｖ４は速度ｖ３よりも速い速度であり、特にここの例では速度ｖ４は速度ｖ１以上（例えば１５００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍ）である。また、時刻ｔ６から時刻ｔ７の期間を通じて、基板Ｗの中心に対向する上側ノズルＮｅが基板Ｗの表面Ｗｆへ充填材溶液を供給速度Ｆ４で供給する。ここで、供給速度Ｆ４は供給速度Ｆ１および供給速度Ｆ２よりも遅く、特にここの例では供給速度Ｆ４は供給速度Ｆ１および供給速度Ｆ２の半分以下である。なお、充填材溶液の供給は、上側ノズルＮｅが充填材溶液を１ショットずつ吐出することで実行される。こうして、基板Ｗの表面Ｗｆの中心に供給される充填材溶液は、遠心力を受けてＩＰＡの液膜の上で広がる。その結果、図８の「充填材塗布後」の欄に示すように、基板Ｗの表面Ｗｆでは、ＩＰＡ５１の液膜の上に充填材溶液５２の液膜が積層される。
ちなみに、この実施形態では塗布処理の実行と並行して、カバープレート３５を高速（速度ｖ３、ｖ４）で回転させる。このカバープレート３５の高速回転は、パドル処理の際に基板Ｗからカバープレート３５に落下したＤＩＷを遠心力によってカバープレート３５から除去するために実行される。
時刻ｔ７に充填材塗布が完了すると、上側ノズルＮｅが充填材の供給を停止するとともに、充填材沈下処理（ステップＳ１１３〜Ｓ１１５）が開始する。つまり、基板Ｗおよびカバープレート３５の回転速度の減速が時刻ｔ７に開始し、これらの回転速度が速度ｖ４からゼロへとなる（ステップＳ１１３）。この際、コントローラ９は、回転駆動部３４を構成するモータのエンコーダの出力に基づきスピンチャック３１が停止する回転位置を制御する。これによって、カバープレート３５の周縁孔３５３がノズルユニット３６に鉛直方向Ｚに対向する回転位置で、スピンチャック３１が停止する。こうして基板Ｗおよびカバープレート３５の回転が停止すると、ノズルユニット３６が上昇を開始するのに伴って、カバープレート３５が離間位置Ｐｄから近接位置Ｐｃに上昇する（ステップＳ１１４）。そして、ステップＳ１１５では、基板Ｗおよびカバープレート３５の回転が停止してから所定時間が経過するのを待つ。この所定時間の待機の間、ＩＰＡ５１の上に積層されていた充填材溶液５２が沈下する一方、ＩＰＡ５１が浮上する。その結果、図８の「充填材沈下処理後」の欄に示すように、基板Ｗの表面Ｗｆに形成されたパターンＷｐが充填材溶液５２の液膜に覆われ、隣接するパターンＷｐの間には充填材溶液５２が充填されている。
時刻ｔ８に充填材沈下処理が完了すると、基板Ｗが回転を開始し（ステップＳ１１６）、基板Ｗの回転速度がゼロから速度ｖ５まで加速される。そして、時刻ｔ９までの所定時間、基板Ｗが速度ｖ５で定速回転することで、ＩＰＡと余分な充填材溶液を基板Ｗの表面Ｗｆから除去するスピンオフが実行される。その結果、図８の「スピンオフ後」の欄に示すように、パターンＷｐの高さと同程度の厚みを有した充填材溶液５２の液膜によって、隣接するパターンＷｐの間が満たされる。
時刻ｔ９にスピンオフが完了すると、基板Ｗの回転速度は、速度ｖ５から速度ｖ６まで減速された後、速度ｖ６に維持される。そして、速度ｖ６で定速回転する基板Ｗの裏面Ｗｂに対して、下側ノズルＮａおよび下側ノズルＮｂが処理液を吐出する（エッジリンス）。具体的には、下側ノズルＮａは基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁に向けてＩＰＡ（溶剤）を吐出する。これによって、ステップＳ１１２で充填材溶液を塗布した際に、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁に付着した充填材溶液が除去される。また、下側ノズルＮｂは、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁近傍にＤＩＷ（リンス液）を吐出する。こうして吐出されたＤＩＷは、遠心力によって基板Ｗの裏面Ｗｂを周縁に向けてつたいながら、基板Ｗの裏面Ｗｂからパーティクル等を洗い流す。
時刻ｔ１０にエッジリンスが完了すると、基板Ｗの回転が停止し（ステップＳ１１９）、カバープレート３５が下降する（ステップＳ１２０）。なお、ステップＳ１１９では、上述のステップＳ１０７で説明したスピンチャック３１の停止位置の制御と同様の制御が実行され、ステップＳ１２０で下降したカバープレート３５はスピンチャック３１に係合する。そして、スピンチャック３１が基板Ｗの吸着を解除し、センターロボットＣＲが基板Ｗを洗浄処理ユニット３から搬出する（ステップＳ１２１）。
以上に説明したように本実施形態では、速度ｖ１で回転する基板Ｗの表面ＷｆにＤＩＷを供給するリンス処理の後に、速度ｖ１未満でゼロ以上の速度ｖ２へ基板Ｗの回転速度を減速した状態で基板Ｗの表面ＷｆにＤＩＷを供給する（パドル処理）。したがって、パドル処理の実行により、カバープレート３５には多量のＤＩＷが付着しうる。これに対して、本実施形態では、パドル処理の実行後に、カバープレート３５を離間位置Ｐｄに位置させた状態で、速度ｖ２より速い速度ｖ３でカバープレート３５を回転させる。つまり、基板Ｗの裏面Ｗｂとカバープレート３５との間隔を広く確保しつつカバープレート３５を高速で回転させることで、カバープレート３５からＤＩＷを振り切って除去することができる。こうして、パドル処理の際にカバープレート３５に付着したＤＩＷを効率良く除去することが可能となっている。
この際、パドル処理と並行して、カバープレート３５を近接位置Ｐｃから離間位置Ｐｄに移動させている。そのため、パドル処理の完了からカバープレート３５の回転へと速やかに移行することができ、好適である。
また、カバープレート３５の回転とともに基板Ｗを速度ｖ３で回転させつつ、基板Ｗの表面ＷｆにＩＰＡを塗布する。そのため、基板Ｗの表面ＷｆにＩＰＡを塗布する塗布処理と並行して、カバープレート３５からＤＩＷを振り切る処理を効率的に実行することができる。
また、塗布処理でＩＰＡを供給する速度Ｆ３は、リンス処理でＤＩＷを供給する速度Ｆ２よりも遅い。このようにＩＰＡの供給速度を抑えることで、カバープレート３５からのＤＩＷの除去のためにカバープレート３５を基板Ｗの裏面Ｗｂから離間させた状態であっても、ＩＰＡが基板Ｗの裏面Ｗｂに付着するのを抑制できる。
特に塗布処理でＩＰＡを供給する速度Ｆ３は、リンス処理でＤＩＷを供給する速度Ｆ２の半分以下である。これによって、ＩＰＡが基板Ｗの裏面Ｗｂに付着するのをより確実に抑制することができる。
また、充填材溶液を基板Ｗの基板Ｗｆに供給する充填材塗布（ステップＳ１１２）の実行の前に、カバープレート３５に付着したＤＩＷの除去を行っているため、次のような利点もある。つまり、パドル処理の実行によりカバープレート３５に多量のＤＩＷが付着したことで湿度が上昇すると、その後の充填材塗布（ステップＳ１１２）で基板Ｗの表面Ｗｆに供給される充填材溶液中の充填材が変質し、充填材溶液の液膜の形成やパターンＷｐへの充填材の充填に支障が生じるおそれがある。これに対して、基板Ｗの裏面Ｗｂとカバープレート３５との間隔を広く確保しつつカバープレート３５を高速（速度ｖ３）で回転させることで、パドル処理の際にカバープレート３５に付着したＤＩＷを予め除去している。したがって、充填材溶液の液膜の形成やパターンＷｐ間への充填材の充填を適切に実行できる。
ところで、基板Ｗの表面ＷｆにはパターンＷｐが形成されている。このような場合、高速（速度ｖ１）で回転する基板Ｗの表面Ｗｆに供給されたＤＩＷが基板Ｗの表面Ｗｆの全体に行き渡るにつれて、隣接するパターンＷｐの間に入り込む。この際、パターンＷｐの間のＤＩＷが蒸発すると、ＤＩＷの表面張力によってパターンＷｐが倒壊するおそれがある。そのため、基板Ｗの表面ＷｆにＤＩＷを行き渡らせた後も基板Ｗの表面Ｗｆの乾燥を防ぐ必要がある。そこで、高速（速度ｖ１）で回転する基板Ｗの表面Ｗｆに対するＤＩＷの供給が完了した後も、基板Ｗの表面Ｗｆを濡れた状態に継続的に保つために、基板Ｗの回転速度を減速した状態でＤＩＷを基板Ｗの表面Ｗｆに供給するパドル処理が実行される。ただし、パドル処理を実行することでカバープレート３５に多量のＤＩＷが付着するおそれがあった。これに対して本実施形態では、基板Ｗの裏面Ｗｂとカバープレート３５との間隔を広く確保しつつカバープレート３５を高速（速度ｖ３、ｖ４）で回転させることで、パドル処理の際にカバープレート３５に付着したＤＩＷを除去することができ、好適である。
このように本実施形態では、図６のフローチャートに示した基板処理方法が本発明の「基板処理方法」の一例に相当し、ステップＳ１０６が本発明の「第１工程」の一例に相当し、ステップＳ１０７〜Ｓ１０９が本発明の「第２工程」の一例に相当し、ステップＳ１１１が本発明の「第３工程」の一例に相当し、ステップＳ１１２が本発明の「第４工程」の一例に相当し、基板Ｗが本発明の「基板」の一例に相当し、表面Ｗｆが本発明の「上面」の一例に相当し、裏面Ｗｂが本発明の「下面」の一例に相当し、パターンＷｐが本発明の「パターン」の一例に相当し、カバープレート３５が本発明の「可動部材」の一例に相当し、近接位置Ｐｃが本発明の「近接位置」の一例に相当し、離間位置Ｐｄが本発明の「離間位置」の一例に相当し、速度ｖ１が本発明の「第１速度」の一例に相当し、速度ｖ２が本発明の「第２速度」の一例に相当し、速度ｖ３が本発明の「第３速度」の一例に相当し、速度ｖ４が本発明の「第４速度」の一例に相当し、ＤＩＷが本発明の「第１液体」の一例に相当し、ＩＰＡが本発明の「第２液体」の一例に相当し、充填材溶液が本発明の「第２液体」の一例に相当し、基板処理装置１が本発明の「基板処理装置」の一例に相当し、回転駆動部３４が本発明の「第１駆動部」の一例に相当し、昇降駆動部３７が本発明の「第２駆動部」の一例に相当し、上側ノズルＮｃが本発明の「液体供給部」の一例に相当し、コントローラ９が本発明の「制御部」の一例に相当する。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記の実施形態では、基板Ｗの回転に伴って離間位置Ｐｄのカバープレート３５を回転させていた。しかしながら、基板Ｗとカバープレート３５とのそれぞれに回転駆動部を設けて、これらを独立して回転できるように洗浄処理ユニット３を構成しても良い。この場合、図９に示す基板処理方法を実行することができる。
図９は図１の基板処理装置が図２および図３の洗浄処理ユニットを用いて実行する基板処理方法の変形例を示すフローチャートである。以下では、図６の例との差異点を中心に説明を行い、共通点については相当符号を付して適宜説明を省略する。この変形例では、パドル処理が完了すると、基板Ｗが静止したままカバープレート３５が回転を開始する（ステップＳ１３１）。そして、所定の期間、カバープレート３５が速度ｖ３で定速回転することで、パドル処理の際にカバープレート３５に付着したＤＩＷがカバープレート３５から除去される。続いて、カバープレート３５の回転が停止すると（ステップＳ１３２）、カバープレート３５が離間位置Ｐｄから近接位置Ｐｃに上昇する（ステップＳ１３３）。
ステップＳ１３４で基板Ｗが回転を開始すると、上述と同様にＩＰＡ置換（ステップＳ１１２）と充填材塗布（ステップＳ１１３）とを含む塗布処理が実行される。なお、この塗布処理の実行中は、基板Ｗの裏面Ｗｂは近接位置Ｐｃに位置するカバープレート３５により覆われている。そして、塗布処理が完了すると基板Ｗの回転が停止する（ステップＳ１３５）。その後の動作は、図６の例と同様である。
このように図９に示す変形例においても、パドル処理の実行後に、カバープレート３５を離間位置Ｐｄに位置させた状態で、速度ｖ２より速い速度ｖ３でカバープレート３５を回転させる（ステップＳ１３１）。つまり、基板Ｗの裏面Ｗｂとカバープレート３５との間隔を広く確保しつつカバープレート３５を高速で回転させることで、カバープレート３５からＤＩＷを振り切って除去することができる。こうして、パドル処理の際にカバープレート３５に付着したＤＩＷを除去することが可能となっている。
また、図９に示す変形例以外の変形を行うこともできる。例えば、カバープレート３５を昇降させるタイミングを適宜変更しても良い。つまり、図６の例では、カバープレート３５の下降（ステップＳ１０８）をパドル処理と並行して行っていた。しかしながら、パドル処理の完了後にカバープレート３５を下降させても良い。また、カバープレート３５の上昇（ステップＳ１１４）を充填材沈下処理と並行して行っていた。しかしながら、充填材沈下処理の完了後にカバープレート３５を上昇させても良い。
また、各上側ノズルＮｃ〜Ｎｅから基板Ｗに処理液を供給する際、各上側ノズルＮｃ〜Ｎｅは基板Ｗの中心に対向する位置で停止していた。しかしながら、各上側ノズルＮｃ〜Ｎｅを基板Ｗの径方向に移動させながら、基板Ｗへの処理液の供給を実行しても良い。
また、基板Ｗの回転速度を変化させるパターンは、図７のタイミングチャートに示したパターンに限られない。したがって、基板の回転速度の値や変更タイミング等を適宜変更しても良い。
また、カバープレート３５と回転シャフト３３とを係合させる具体的な構成は上記に限られない。したがって、例えばカバープレート３５に突起を設けるとともにスピンチャック３１に係合孔を設けて、これらによりカバープレート３５とスピンチャック３１とを係合させても良い。
また、基板Ｗが近接位置Ｐｃに位置した状態において、ノズルユニット３６のベース部３６１の上面とカバープレート３５の上面とが面一となるように構成されていた。しかしながら、カバープレート３５の上面よりもベース部３６１の上面が下がっていても良いし、上がっていても良い。
また、各種の供給源Ｓｃ、Ｓｒ、Ｓｓ、Ｓｆ、Ｓｇとしては、対象となる処理液やガスを供給できる用力設備がある場合にはこれを利用しても良い。
また、ステップＳ１０５、Ｓ１０６、Ｓ１１１、Ｓ１１２等で実行される各種基板処理で用いる処理液の種類も適宜変更しても良い。
また、固化した充填材を基板Ｗから除去する処理は、基板処理装置１と異なる外部の充填材除去装置により実行されていた。しかしながら、基板処理装置１が充填材除去機能を備えても良い。例えば熱処理ユニット４において、昇華により充填材を除去しても良い。
また、上記実施形態では基板Ｗの表面Ｗｆに形成されたパターンＷｐの倒壊を抑制するためにパドル処理を行う場合が示された。しかしながら、パドル処理を行う目的はこれに限られない。つまり、パドル処理は、特開２０１５−０７６５５８号公報に示されるような基板の表面へのパーティクルの付着を抑えたり、２００９−２１２４０８号公報に記載のような基板の表面でのウォーターマークやシミ等を抑えたりする目的でも実行できる。したがって、パドル処理の実行によってカバープレート３５等の可動部材に処理液が付着する場合には、上記の実施形態と同様に、パドル処理の実行後に可動部材を回転させて、可動部材に付着した液体を除去することができる。
また、上述の基板処理装置１と異なる機能を有する装置に対しても、本発明を適用可能である。要するにパドル処理の実行によって可動部材に処理液が付着する可能性がある装置に対しては、本発明が有効に機能しうる。
この発明は、基板の上面に液体を供給する処理を実行する基板処理技術全般に適用することができる。
１…基板処理装置、３４…回転駆動部（第１駆動部）、３５…カバープレート、３７…昇降駆動部（第２駆動部）、９…コントローラ（制御部）、Ｎｃ…上側ノズル（液体供給部）、Ｗ…基板、Ｗｆ…表面、Ｗｂ…裏面、Ｗｐ…パターン、Ｐｃ…近接位置、Ｐｄ…離間位置、 ｖ１…速度（第１速度）、ｖ２…速度（第２速度）、ｖ３…速度（第３速度）、ｖ４…速度（第４速度）

Claims (11)

  1. 基板の下面に近接する近接位置と前記近接位置よりも前記基板の前記下面から離れた離間位置との間で移動可能な可動部材を前記近接位置に位置させた状態で、第１速度で回転する前記基板の上面に第１液体を供給する第１工程と、
    前記第１速度未満でゼロ以上の第２速度へ前記基板の回転速度を減速した状態で、前記基板の前記上面に前記第１液体を供給する第２工程と、
    前記可動部材を前記離間位置に位置させた状態で、前記第２速度より速い第３速度で前記可動部材を回転させる第３工程と
    を備える基板処理方法。
  2. 前記第２工程において、前記可動部材を前記近接位置から前記離間位置に移動させる請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記第３工程では、前記可動部材とともに前記基板を前記第３速度で回転させつつ前記基板の前記上面に第２液体を供給する請求項１または２に記載の基板処理方法。
  4. 前記第３工程で前記基板の前記上面に前記第２液体を供給する単位時間あたりの量は、前記第１工程で前記基板の前記上面に前記第１液体を供給する単位時間あたりの量よりも少ない請求項３に記載の基板処理方法。
  5. 前記第３工程で前記基板の前記上面に前記第２液体を供給する単位時間あたりの量は、前記第１工程で前記基板の前記上面に前記第１液体を供給する単位時間あたりの量の半分以下である請求項４に記載の基板処理方法。
  6. 前記第２速度はゼロである請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  7. 前記基板の前記上面にはパターンが形成されている請求項１ないし６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  8. 前記第２速度より速い第４速度で前記基板を回転させつつ、隣接する前記パターンの間に充填される充填材を含む第３液体を前記基板の上面に供給する第４工程を、前記第３工程の後にさらに備える請求項７に記載の基板処理方法。
  9. 前記第１液体は前記基板の前記パターンの間を含む前記基板の上面をリンスするリンス液であり、前記充填材は前記リンス液が置換された前記パターンの間に充填される請求項８に記載の基板処理方法。
  10. 前記第１工程と並行して、前記基板の前記下面と前記可動部材の上面との間に不活性ガスを供給して、前記基板の回転中心から前記基板の周縁に向かう前記不活性ガスの気流を前記基板の前記下面側に生成する請求項１ないし９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  11. 基板の下面側に設けられた可動部材と、
    前記基板あるいは前記可動部材を回転させる第１駆動部と、
    前記基板の下面に近接する近接位置と前記近接位置よりも前記基板の前記下面から離れた離間位置との間で前記可動部材を駆動する第２駆動部と、
    前記基板の上面に液体を供給する液体供給部と、
    前記第１駆動部、前記第２駆動部および前記液体供給部を制御する制御部と
    を備え、
    前記制御部は、前記可動部材を前記近接位置に位置させた状態で、第１速度で回転する前記基板の前記上面に前記液体を供給する制御と、前記第１速度未満でゼロ以上の第２速度へ前記基板の回転速度を減速した状態で、前記基板の前記上面に前記液体を供給する制御と、前記可動部材を前記離間位置に位置させた状態で、前記第２速度より速い第３速度で前記可動部材を回転させる制御とを実行する基板処理装置。
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