KR102150813B1 - 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

기판의 하면에 근접·이간하는 가동 부재에, 패들 처리의 실행에 의해 부착된 액체를 제거하는 것을 가능하게 한다. 기판의 하면에 근접하는 근접 위치와 근접 위치보다 기판의 하면으로부터 떨어진 이간 위치 사이에서 이동 가능한 가동 부재를 근접 위치에 위치시킨 상태에서, 제 1 속도로 회전하는 기판의 상면에 제 1 액체를 공급하는 제 1 공정과, 제 1 속도 미만이고 제로 이상인 제 2 속도로 기판의 회전 속도를 감속한 상태에서, 기판의 상면에 제 1 액체를 공급하는 제 2 공정과, 가동 부재를 이간 위치에 위치시킨 상태에서, 제 2 속도보다 빠른 제 3 속도로 가동 부재를 회전시키는 제 3 공정을 구비한다.

Description

기판 처리 방법, 기판 처리 장치
본 발명은, 기판의 상면에 액체를 공급하는 처리를 실행하는 기판 처리 기술에 관한 것이다.
관련 출원의 상호 참조
이하에 나타내는 일본 출원의 명세서, 도면 및 특허 청구의 범위에 있어서의 개시 내용은, 참조에 의해 그 전체 내용이 본서에 삽입된다 :
일본 특허출원 2016-181404 (2016년 9월 16일 출원).
종래, 기판 처리 기술에 있어서는, 기판을 회전시키면서 기판의 상면에 액체를 공급함으로써, 기판의 상면의 전체에 원심력에 의해 액체를 널리 퍼지게 하는 처리가 적절히 실행된다. 이 때, 기판의 상면에 공급된 액체가 기판의 하면에 부착됨으로써, 기판의 하면이 오염되는 경우가 있었다. 그래서, 특허문헌 1 에서는, 기판의 하면의 둘레 가장자리부를 따라 배치된 둑 부재가, 기판의 상면으로부터 하면으로의 액체의 돌아 들어감을 방해하여, 기판의 하면으로의 액체의 부착을 방지한다. 또, 특허문헌 2, 3 에서는, 기판의 하면에 대해 근접·이간하는 가동 부재 (상하 이동 부재, 보호 디스크) 가 형성되어 있다. 그리고, 기판의 상면에 액체가 공급되는 동안에는, 가동 부재가 기판의 하면에 근접하여, 액체의 미스트가 기판의 하면에 부착되는 것을 방지한다.
일본 공개특허공보 2003-303762호 일본 공개특허공보 평7-130695호 일본 공개특허공보 2013-229552호
그런데, 이와 같은 기판 처리 기술에서는, 기판의 상면에 널리 퍼진 액체가 기판의 상면으로부터 증발함으로써, 문제가 야기될 우려가 있었다. 그래서, 고속으로 회전하는 기판의 상면에 대한 액체의 공급이 완료된 후, 기판의 상면을 젖은 상태로 계속적으로 유지하기 위해서, 기판의 회전 속도를 감속한 상태에서 액체를 기판의 상면에 공급하는 패들 처리를 실행하는 경우가 있다.
단, 이와 같은 패들 처리의 실행 중에는, 기판으로부터 털어내지지 않고 않고 낙하하여 가동 부재에 부착되는 액체의 양이 많아진다. 따라서, 패들 처리를 실행하는 경우에는, 패들 처리의 실행에 의해 가동 부재에 부착된 액체에 대한 대책이 필요하였다. 그러나, 종래의 기술은 이것에 충분히 대응할 수 있는 것은 아니었다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 하면에 근접·이간하는 가동 부재에, 패들 처리의 실행에 의해 부착된 액체를 제거하는 것을 가능하게 하는 기술의 제공을 목적으로 한다.
본 발명에 관련된 기판 처리 방법은, 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판의 하면에 근접하는 근접 위치와 근접 위치보다 기판의 하면으로부터 떨어진 이간 위치 사이에서 이동 가능한 가동 부재를 근접 위치에 위치시킨 상태에서, 제 1 속도로 회전하는 기판의 상면에 제 1 액체를 공급하는 제 1 공정과, 제 1 속도 미만이고 제로 이상인 제 2 속도로 기판의 회전 속도를 감속한 상태에서, 기판의 상면에 제 1 액체를 공급하는 제 2 공정과, 가동 부재를 이간 위치에 위치시킨 상태에서, 제 2 속도보다 빠른 제 3 속도로 가동 부재를 회전시키는 제 3 공정을 구비한다.
본 발명에 관련된 기판 처리 장치는, 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판의 하면측에 형성된 가동 부재와, 기판 혹은 가동 부재를 회전시키는 제 1 구동부와, 기판의 하면에 근접하는 근접 위치와 근접 위치보다 기판의 하면으로부터 떨어진 이간 위치 사이에서 가동 부재를 구동시키는 제 2 구동부와, 기판의 상면에 액체를 공급하는 액체 공급부와, 제 1 구동부, 제 2 구동부 및 액체 공급부를 제어하는 제어부를 구비하고, 제어부는, 가동 부재를 근접 위치에 위치시킨 상태에서, 제 1 속도로 회전하는 기판의 상면에 액체를 공급하는 제어와, 제 1 속도 미만이고 제로 이상인 제 2 속도로 기판의 회전 속도를 감속한 상태에서, 기판의 상면에 액체를 공급하는 제어와, 가동 부재를 이간 위치에 위치시킨 상태에서, 제 2 속도보다 빠른 제 3 속도로 가동 부재를 회전시키는 제어를 실행한다.
이와 같이 구성된 발명 (기판 처리 방법, 기판 처리 장치) 은, 제 1 속도로 회전하는 기판의 상면에 액체 (제 1 액체) 를 공급한 후에, 제 1 속도 미만이고 제로 이상인 제 2 속도로 기판의 회전 속도를 감속한 상태에서 기판의 상면에 액체를 공급한다 (패들 처리). 따라서, 패들 처리의 실행에 의해, 가동 부재에는 다량의 액체가 부착될 수 있다. 이에 대하여, 본 발명에서는, 패들 처리의 실행 후에, 가동 부재를 이간 위치에 위치시킨 상태에서, 제 2 속도보다 빠른 제 3 속도로 가동 부재를 회전시킨다. 요컨대, 기판의 하면과 가동 부재의 간격을 넓게 확보하면서 가동 부재를 고속으로 회전시킴으로써, 가동 부재로부터 액체를 털어내어 제거할 수 있다. 이렇게 하여, 패들 처리의 실행에 의해 가동 부재에 부착된 액체를 제거하는 것이 가능하게 되어 있다.
본 발명에 의하면, 기판의 하면에 근접·이간하는 가동 부재에, 패들 처리의 실행에 의해 부착된 액체를 제거하는 것이 가능해진다.
상기 서술한 본 발명의 각 양태가 갖는 복수의 구성 요소는 전부가 필수적인 것은 아니고, 상기 서술한 과제의 일부 또는 전부를 해결하기 위해, 혹은, 본 명세서에 기재된 효과의 일부 또는 전부를 달성하기 위해서, 적절히, 상기 복수의 구성 요소의 일부의 구성 요소에 대해, 그 변경, 삭제, 새로운 다른 구성 요소와의 교환, 한정 내용의 일부 삭제를 실시하는 것이 가능하다. 또, 상기 서술한 과제의 일부 또는 전부를 해결하기 위해, 혹은, 본 명세서에 기재된 효과의 일부 또는 전부를 달성하기 위해서, 상기 서술한 본 발명의 일 양태에 포함되는 기술적 특징의 일부 또는 전부를 상기 서술한 본 발명의 다른 양태에 포함되는 기술적 특징의 일부 또는 전부와 조합하여, 본 발명의 독립적인 일 형태로 할 수도 있다.
도 1 은, 본 발명의 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2 는, 도 1 의 기판 처리 장치가 구비하는 세정 처리 유닛의 일례를 모식적으로 나타내는 부분 단면도이다.
도 3 은, 도 1 의 기판 처리 장치가 구비하는 세정 처리 유닛의 일례를 모식적으로 나타내는 부분 단면도이다.
도 4 는, 도 1 의 기판 처리 장치가 구비하는 전기적 구성의 일부를 나타내는 블록도이다.
도 5 는, 노즐 유닛 및 커버 플레이트의 승강 동작의 일례를 모식적으로 나타내는 부분 단면도이다.
도 6 은, 도 1 의 기판 처리 장치가 도 2 및 도 3 의 세정 처리 유닛을 사용하여 실행하는 기판 처리 방법의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 7 은, 도 6 의 기판 처리 방법에 따라서 실행되는 동작의 일례를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 8 은, 도 6 의 기판 처리 방법에 의해 기판에 대해 실행되는 기판 처리의 모습을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 9 는, 도 1 의 기판 처리 장치가 도 2 및 도 3 의 세정 처리 유닛을 사용하여 실행하는 기판 처리 방법의 변형예를 나타내는 플로 차트이다.
도 1 은 본 발명의 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 1 의 기판 처리 장치 (1) 는, 세정 처리 및 열 처리 와 같은 각종의 기판 처리를 기판 (W) 에 대해 1 장씩 실행하는 매엽식의 장치이다. 처리의 대상이 되는 기판 (W) 으로는, 예를 들어 액정 표시 장치용 유리 기판, 반도체 기판, PDP 용 유리 기판, 포토마스크용 유리 기판, 컬러 필터용 기판, 기록 디스크용 기판, 태양 전지용 기판, 전자 페이퍼용 기판 등의 정밀 전자 장치용 기판, 사각형 유리 기판, 필름 액정용 플렉시블 기판 혹은 유기 EL 용 기판 등을 들 수 있다. 이하에 설명하는 예에서는, 기판 (W) 은 100 ㎜ ∼ 400 ㎜ 의 소정의 직경의 원형상을 가지고, 미세한 패턴 (Wp) (도 8) 이 형성된 요철 형상의 표면 (Wf) (도 2) 과 평탄한 이면 (Wb) (표면 (Wf) 의 반대측의 면) 을 갖는다. 단, 형상이나 치수를 포함하는 기판의 구성은 이 예에 한정되지 않는다.
기판 처리 장치 (1) 는, 기판 (W) 을 수용하는 복수의 로드 포트 (2) 와, 기판 (W) 에 세정 처리를 실시하는 복수의 세정 처리 유닛 (3) 과, 기판 (W) 에 열 처리를 실시하는 복수의 열 처리 유닛 (4) 을 구비한다. 또, 기판 (W) 을 장치 내에서 반송하기 위해서, 기판 처리 장치 (1) 는 인덱서 로봇 (IR) 및 센터 로봇 (CR) 을 구비한다. 이것들 중, 인덱서 로봇 (IR) 은 로드 포트 (2) 와 센터 로봇 (CR) 사이의 경로 상에서 기판 (W) 을 반송하고, 센터 로봇 (CR) 은 인덱서 로봇 (IR) 과 각 처리 유닛 (3, 4) 사이의 경로 상에서 기판 (W) 을 반송한다. 또한, 기판 처리 장치 (1) 는 컴퓨터로 구성된 컨트롤러 (9) 를 구비하고, 컨트롤러 (9) 가 소정의 프로그램에 따라서 장치 각 부를 제어함으로써, 이하에 설명하는 각 기판 처리가 기판 (W) 에 대해 실행된다.
로드 포트 (2) 는, 복수의 기판 (W) 을 연직 방향으로 중첩하여 수용하는 캐리어 (C) 를 유지한다. 이 로드 포트 (2) 내에서는, 각 기판 (W) 은 그 표면 (Wf) 이 상방을 향한 상태 (즉, 그 이면 (Wb) 이 하방을 향한 상태) 에서 수용되어 있다. 그리고, 인덱서 로봇 (IR) 은 미처리된 기판 (W) 을 로드 포트 (2) 의 캐리어 (C) 로부터 취출하면, 이 기판 (W) 을 센터 로봇 (CR) 에 전달하고, 센터 로봇 (CR) 은 인덱서 로봇 (IR) 으로부터 수취한 기판 (W) 을 세정 처리 유닛 (3) 에 반입한다.
세정 처리 유닛 (3) 은, 반입된 기판 (W) 을 세정하고 나서 (세정 처리), 패턴 (Wp) 사이를 포함하는 기판 (W) 의 표면 (Wf) 을 충전재 용액의 액막에 의해 덮는다 (도포 처리). 여기서, 충전재 용액은 용질인 충전재를 포함하는 용액이다. 이와 같이 세정 처리 유닛 (3) 은 세정 처리뿐만 아니라, 도포 처리 등의 다른 기판 처리도 실행하는 기판 처리 유닛이다. 또한, 세정 처리 유닛 (3) 의 구성 및 동작은 이후에 상세하게 서술한다.
세정 처리 유닛 (3) 에서의 각 기판 처리가 완료되면, 센터 로봇 (CR) 은 세정 처리 유닛 (3) 으로부터 기판 (W) 을 반출하고, 열 처리 유닛 (4) 에 이 기판 (W) 을 반입한다. 열 처리 유닛 (4) 은 핫 플레이트를 가지고, 센터 로봇 (CR) 에 의해 반입된 기판 (W) 을 핫 플레이트에 의해 가열한다 (열 처리). 이 열 처리에 의해, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 을 덮고 있던 충전재 용액의 액막으로부터 용매가 증발하고, 충전재 용액의 용질, 즉 충전재가 인접하는 패턴 (Wp) 사이에서 고화된다. 또한, 기판 (W) 의 가열 방법은 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 기판 (W) 으로의 적외선의 조사나, 기판 (W) 으로의 온풍의 부여 등에 의해 기판 (W) 을 가열해도 된다.
열 처리 유닛 (4) 에서의 열 처리가 완료되면, 센터 로봇 (CR) 은 열 처리 유닛 (4) 으로부터 반출한 기판 (W) 을 인덱서 로봇 (IR) 에 전달하고, 인덱서 로봇 (IR) 은 수취한 기판 (W) 을 로드 포트 (2) 의 캐리어 (C) 에 수용한다. 이렇게 하여 기판 처리 장치 (1) 에서의 각 기판 처리가 실행 완료된 기판 (W) 은, 외부의 충전재 제거 장치에 반송된다. 이 충전재 제거 장치는, 패턴 (Wp) 사이를 포함하는 기판 (W) 의 표면 (Wf) 으로부터 드라이 에칭에 의해 충전재를 제거한다. 또한, 충전재의 제거 방법은 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 일본 공개특허공보 2013-258272호와 같은 충전재의 승화나, 일본 공개특허공보 2011-124313호와 같은 플라즈마 처리 등에 의해 충전재를 제거해도 된다.
도 2 및 도 3 은 도 1 의 기판 처리 장치가 구비하는 세정 처리 유닛의 일례를 모식적으로 나타내는 부분 단면도이고, 도 4 는 도 1 의 기판 처리 장치가 구비하는 전기적 구성의 일부를 나타내는 블록도이다. 도 2 와 도 3 은, 후술하는 커버 플레이트 (35) 및 노즐 유닛 (36) 의 높이에 있어서 상이하다. 또, 도 2, 도 3 및 이하의 도면에서는, 연직 방향 (Z) 을 적절히 나타낸다.
세정 처리 유닛 (3) 은, 센터 로봇 (CR) 에 의해 반입된 기판 (W) 을 유지하는 스핀 척 (31) 과, 스핀 척 (31) 에 부압을 공급하는 흡인부 (32) 를 갖는다. 이 스핀 척 (31) 은, 원반의 하면의 중심 부분으로부터 원통형의 축이 하방으로 돌출된 형상을 가지고, 연직 방향 (Z) 과 평행한 중심선 (A) 에 대해 대략 회전 대칭이다. 스핀 척 (31) 의 상면에서는 복수의 흡인공이 개구되고, 기판 (W) 은 스핀 척 (31) 의 상면에 수평하게 재치 (載置) 된다. 이렇게 하여 스핀 척 (31) 은, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 을 상방을 향하게 한 상태에서 기판 (W) 의 이면 (Wb) 의 중심 부분에 하방으로부터 접촉한다. 이 상태에서, 컨트롤러 (9) 가 흡인부 (32) 에 흡인 지령을 출력하면, 흡인부 (32) 가 스핀 척 (31) 의 흡인공에 부압을 공급하여, 기판 (W) 이 스핀 척 (31) 에 의해 흡착·유지된다.
또, 세정 처리 유닛 (3) 은, 스핀 척 (31) 을 유지하는 회전 샤프트 (33) 와, 예를 들어 모터로 구성되어 회전 샤프트 (33) 를 회전시키는 회전 구동부 (34) 를 갖는다. 회전 샤프트 (33) 는 원통부 (331) 의 상면의 중심 부분부터 당해 원통부 (331) 보다 소직경의 원통부 (332) 가 상방으로 돌출된 형상을 가지고, 원통부 (331, 332) 는 중심선 (A) 에 대해 대략 회전 대칭이다. 또, 회전 샤프트 (33) 는, 원통부 (331) 의 상면으로서 원통부 (332) 의 측방에서 상방으로 돌출되는 걸어맞춤 돌기 (333) 를 갖는다. 그리고, 컨트롤러 (9) 가 회전 구동부 (34) 에 회전 지령을 출력하면, 회전 구동부 (34) 가 회전 샤프트 (33) 에 회전 구동력 (토크) 을 주어, 회전 샤프트 (33) 가 스핀 척 (31) 과 일체적으로 중심선 (A) 을 중심으로 회전한다. 그 결과, 스핀 척 (31) 에 유지되는 기판 (W) 도 중심선 (A) 을 중심으로 회전한다.
또한, 세정 처리 유닛 (3) 은, 스핀 척 (31) 에 유지된 기판 (W) 의 하방에 위치하는 커버 플레이트 (35) 를 갖는다. 평면에서 보았을 때, 커버 플레이트 (35) 는 중심선 (A) 을 중심으로 하는 대략 원형의 외형을 가지고, 커버 플레이트 (35) 의 중심부에서는 원형의 중심공 (351) 이 개구되고, 커버 플레이트 (35) 의 중심공 (351) 의 측방에서는 걸어맞춤공 (352) 이 개구되고, 커버 플레이트 (35) 의 둘레 가장자리부에서는 둘레 가장자리공 (353) 이 개구된다. 회전 샤프트 (33) 의 원통부 (332) 는 커버 플레이트 (35) 의 중심공 (351) 의 내측에 삽입되고, 커버 플레이트 (35) 는 회전 샤프트 (33) 의 원통부 (332) 보다 외측에서 기판 (W) 의 이면 (Wb) 에 하방으로부터 대향한다.
이 커버 플레이트 (35) 는 연직 방향 (Z) 으로 자유롭게 승강되고, 기판 (W) 의 이면 (Wb) 에 근접하는 근접 위치 (Pc) (도 2) 와, 근접 위치 (Pc) 보다 기판 (W) 의 이면 (Wb) 으로부터 하방으로 떨어진 이간 위치 (Pd) (도 3) 중 어느 것에 선택적으로 위치할 수 있다. 커버 플레이트 (35) 가 이간 위치 (Pd) 에 위치하는 이간 상태에서는, 커버 플레이트 (35) 의 걸어맞춤공 (352) 에 회전 샤프트 (33) 의 걸어맞춤 돌기 (333) 가 걸어맞추어진다. 커버 플레이트 (35) 는 이렇게 하여 회전 샤프트 (33) 에 걸어맞추어짐으로써, 회전 샤프트 (33) 의 회전에 수반하여 회전할 수 있다. 한편, 커버 플레이트 (35) 가 근접 위치 (Pc) 에 위치하는 근접 상태에서는, 커버 플레이트 (35) 는 예를 들어 1 ㎜ ∼ 10 ㎜ 정도의 클리어런스를 두고 기판 (W) 의 이면 (Wb) 에 근접하여, 기판 (W) 의 이면 (Wb) 의 적어도 둘레 가장자리부를 하방으로부터 덮는다. 또, 이 근접 상태에서는, 커버 플레이트 (35) 의 걸어맞춤공 (352) 은 회전 샤프트 (33) 의 걸어맞춤 돌기 (333) 로부터 이탈되어 있고, 커버 플레이트 (35) 는 회전 샤프트 (33) 의 회전에 상관없이 정지된다.
또, 세정 처리 유닛 (3) 은, 커버 플레이트 (35) 의 둘레 가장자리공 (353) 에 하방으로부터 자유롭게 걸고 뺄 수 있는 노즐 유닛 (36) 과, 노즐 유닛 (36) 을 승강시키는 승강 구동부 (37) 를 갖는다. 그리고, 승강 구동부 (37) 는 노즐 유닛 (36) 의 승강에 수반하여 커버 플레이트 (35) 를 승강시킨다. 도 5 는 노즐 유닛 및 커버 플레이트의 승강 동작의 일례를 모식적으로 나타내는 부분 단면도이다. 도 5 의 「노즐 유닛 하강 위치」 「노즐 유닛 도중 위치」및 「노즐 유닛 상승 위치」의 각 란은 각각 노즐 유닛 (36) 이 하강 위치, 도중 위치 및 상승 위치에 위치하는 상태를 나타낸다. 다음은, 도 2 내지 도 4 에 도 5 를 더하여 세정 처리 유닛 (3) 의 설명을 실시한다.
도 5 에 나타내는 바와 같이, 노즐 유닛 (36) 은, 베이스부 (361) 와, 베이스부 (361) 의 상면에 장착된 2 개의 하측 노즐 (Na, Nb) 을 갖는다. 베이스부 (361) 는, 측방을 향하여 돌출되는 돌기부 (362) 를 그 바닥부에 갖는다. 2 개의 하측 노즐 (Na, Nb) 은, 스핀 척 (31) 에 유지된 기판 (W) 의 직경 방향으로 나열되고, 직경 방향의 둘레 가장자리측의 하측 노즐 (Na) 은, 상방을 향함에 따라 외측으로 경사지는 경사 상방으로 처리액을 토출시키고, 직경 방향의 중심측의 하측 노즐 (Nb) 은, 연직 방향 (Z) 에 대해 평행하게 처리액을 토출시킨다.
승강 구동부 (37) 는 예를 들어 액추에이터로 구성되고, 컨트롤러 (9) 로부터의 지령에 따라, 하강 위치 (도 3) 와 하강 위치보다 높은 상승 위치 (도 2) 사이에서 노즐 유닛 (36) 을 승강시킨다. 도 3 및 도 5 의 「노즐 유닛 하강 위치」의 란에 나타내는 바와 같이, 노즐 유닛 (36) 이 하강 위치에 위치하는 상태에서는, 하강 위치의 노즐 유닛 (36) 은 이간 위치 (Pd) 에 위치하는 커버 플레이트 (35) 보다 하방에 위치한다. 도 5 의 「노즐 유닛 도중 위치」의 란에 나타내는 바와 같이, 노즐 유닛 (36) 이 하강 위치로부터 상승하여 도중 위치에 도달하면, 이간 위치 (Pd) 에 위치하는 커버 플레이트 (35) 의 둘레 가장자리공 (353) 에 노즐 유닛 (36) 이 걸어맞추어지고, 노즐 유닛 (36) 의 돌기부 (362) 가 커버 플레이트 (35) 의 하면에 맞닿는다. 노즐 유닛 (36) 이 더욱 상승하면, 커버 플레이트 (35) 가 노즐 유닛 (36) 에 수반하여 상승하고, 커버 플레이트 (35) 와 회전 샤프트 (33) 의 걸어맞춤이 해제된다. 그리고, 도 2 및 도 5 의 「노즐 유닛 상승 위치」의 란에 나타내는 바와 같이, 노즐 유닛 (36) 이 상승 위치에 도달하는데에 수반하여, 커버 플레이트 (35) 가 근접 위치 (Pc) 에 도달한다.
커버 플레이트 (35) 가 근접 위치 (Pc) 에 위치하는 근접 상태에서는, 베이스부 (361) 의 상면과 커버 플레이트 (35) 의 상면이 면일 (面一) 하게 나열됨과 함께, 하측 노즐 (Na, Nb) 은 스핀 척 (31) 에 유지되는 기판 (W) 의 이면 (Wb) 에 근접한다. 그리고, 하측 노즐 (Na) 은 이면 (Wb) 의 둘레 가장자리부에 대해 처리액을 토출시킬 수 있고, 하측 노즐 (Nb) 은 하측 노즐 (Na) 보다 내측에 있어서 이면 (Wb) 에 대해 처리액을 토출시킬 수 있다.
또, 노즐 유닛 (36) 이 상승 위치로부터 하강 위치로 하강하면, 상기 서술과는 반대의 순서로 각 동작이 실행된다. 요컨대, 커버 플레이트 (35) 는, 노즐 유닛 (36) 의 하강에 수반하여 근접 위치 (Pc) 로부터 이간 위치 (Pd) 로 하강한다. 그리고, 커버 플레이트 (35) 는 이간 위치 (Pd) 에 도달하면 회전 샤프트 (33) 에 걸어맞추어져 하강을 정지시킨다. 노즐 유닛 (36) 은 다시 하강함으로써 커버 플레이트 (35) 의 둘레 가장자리공 (353) 으로부터 하방으로 이탈되어, 하강 위치에 도달한다.
도 2 내지 도 4 로 되돌아와 설명을 계속한다. 도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 세정 처리 유닛 (3) 은, 스핀 척 (31) 에 유지된 기판 (W) 및 커버 플레이트 (35) 를 측방 및 하방으로부터 둘러싸는 컵 (38) 을 구비한다. 따라서, 기판 (W) 이나 커버 플레이트 (35) 로부터 비산 혹은 낙하한 처리액은, 컵 (38) 에 회수된다. 이 컵 (38) 은 도시 생략된 승강 기구에 의해 도 3 의 상승 위치와 당해 상승 위치보다 하방의 하강 위치 사이에서 승강한다. 그리고, 컵 (38) 을 하강 위치에 위치시킨 상태에서 기판 (W) 이 스핀 척 (31) 에 착탈되고, 컵 (38) 을 상승 위치에 위치시킨 상태에서 스핀 척 (31) 에 장착된 기판 (W) 에 대해 각종의 기판 처리가 실행된다.
또, 세정 처리 유닛 (3) 은, 예를 들어 질소 가스 등의 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급원 (Sg) 을 구비한다. 그리고, 회전 샤프트 (33) 의 원통부 (332) 의 상부에서 개구되는 가스 공급구 (334) 가 밸브 (V1) 를 개재하여 불활성 가스 공급원 (Sg) 에 접속되어 있다. 따라서, 컨트롤러 (9) 가 밸브 (V1) 를 열면, 스핀 척 (31) 에 유지된 기판 (W) 의 이면 (Wb) 과 커버 플레이트 (35) 의 상면 사이에 불활성 가스 공급원 (Sg) 으로부터 불활성 가스가 공급된다. 이로써, 기판 (W) 의 이면 (Wb) 과 커버 플레이트 (35) 사이에서는, 불활성 가스가 기판 (W) 의 중심으로부터 둘레 가장자리를 향하는 방향으로 흐른다. 한편, 컨트롤러 (9) 가 밸브 (V1) 를 닫으면, 불활성 가스 공급원 (Sg) 으로부터의 가스의 공급이 정지된다.
또한, 세정 처리 유닛 (3) 은, 스핀 척 (31) 에 유지된 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 처리액을 토출시키는 3 개의 상측 노즐 (Nc, Nd, Ne) 을 구비한다. 또, 세정 처리 유닛 (3) 은, 스핀 척 (31) 에 유지된 기판 (W) 의 표면 (Wf) 의 중심에 대향하는 대향 위치와, 이 기판 (W) 의 표면 (Wf) 으로부터 수평 방향으로 퇴피하는 퇴피 위치 사이에서 상측 노즐 (Nc) 을 이동시키는 노즐 구동부 (39) 를 구비한다. 또, 도시는 생략하지만, 세정 처리 유닛 (3) 은 상측 노즐 (Nd, Ne) 의 각각에 대해서도 동일한 노즐 구동부 (39) 를 구비한다. 그리고, 컨트롤러 (9) 로부터의 지령을 받아 각 노즐 구동부 (39) 는 상측 노즐 (Nc, Nd, Ne) 을 각각 이동시킨다.
이와 같이 세정 처리 유닛 (3) 에는, 기판 (W) 의 이면 (Wb) 에 처리액을 토출시키는 하측 노즐 (Na, Nb) 과, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 처리액을 공급하는 상측 노즐 (Nc, Nd, Ne) 이 형성되어 있다. 그리고, 세정 처리 유닛 (3) 은, 이들 노즐 (Na ∼ Ne) 에 처리액을 공급하는 각종 공급원 (Sc, Sr, Ss, Sf) 을 구비한다.
약액 공급원 (Sc) 은, 예를 들어 희불산 (DHF) 혹은 암모니아수를 함유하는 세정액을 약액으로서 공급한다. 이 약액 공급원 (Sc) 은, 직렬로 접속된 밸브 (V2, V3) 를 통하여 상측 노즐 (Nc) 에 접속되어 있다. 따라서, 컨트롤러 (9) 가 밸브 (V2) 및 밸브 (V3) 를 열면 약액 공급원 (Sc) 으로부터 공급된 약액이 상측 노즐 (Nc) 로부터 토출되고, 컨트롤러 (9) 가 밸브 (V2) 및 밸브 (V3) 중 어느 것을 닫으면 상측 노즐 (Nc) 로부터의 약액의 토출이 정지된다.
린스액 공급원 (Sr) 은, 예를 들어 DIW (De-ionized Water), 탄산수, 오존수 혹은 수소수와 같은 순수를 린스액으로서 공급한다. 이 린스액 공급원 (Sr) 은, 직렬로 접속된 밸브 (V4) 및 밸브 (V3) 를 통하여 상측 노즐 (Nc) 에 접속되어 있다. 따라서, 컨트롤러 (9) 가 밸브 (V4) 및 밸브 (V3) 를 열면 린스액 공급원 (Sr) 으로부터 공급된 린스액이 상측 노즐 (Nc) 로부터 토출되고, 컨트롤러 (9) 가 밸브 (V4) 및 밸브 (V3) 중 어느 것을 닫으면 상측 노즐 (Nc) 로부터의 린스액의 토출이 정지된다. 또, 린스액 공급원 (Sr) 은 밸브 (V5) 를 통하여, 하측 노즐 (Nb) (도 5) 에 접속되어 있다. 따라서, 컨트롤러 (9) 가 밸브 (V5) 를 열면 린스액 공급원 (Sr) 으로부터 공급된 린스액이 하측 노즐 (Nb) 로부터 토출되고, 컨트롤러 (9) 가 밸브 (V5) 를 닫으면 하측 노즐 (Nb) 로부터의 린스액의 토출이 정지된다.
용제 공급원 (Ss) 은, 예를 들어 IPA (Isopropyl Alcohol) 를 용제로서 공급한다. 이 용제 공급원 (Ss) 은, 밸브 (V6) 를 통하여 하측 노즐 (Na) 에 접속되어 있다. 따라서, 컨트롤러 (9) 가 밸브 (V6) 를 열면 용제 공급원 (Ss) 으로부터 공급된 용제가 하측 노즐 (Na) 로부터 토출되고, 컨트롤러 (9) 가 밸브 (V6) 를 닫으면 하측 노즐 (Na) 로부터의 용제의 토출이 정지된다. 또, 용제 공급원 (Ss) 은 밸브 (V7) 를 통하여 상측 노즐 (Nd) 에 접속되어 있다. 따라서, 컨트롤러 (9) 가 밸브 (V7) 를 열면 용제 공급원 (Ss) 으로부터 공급된 용제가 상측 노즐 (Nd) 로부터 토출되고, 컨트롤러 (9) 가 밸브 (V7) 를 닫으면 상측 노즐 (Nd) 로부터의 용제의 토출이 정지된다.
충전재 용액 공급원 (Sf) 은, 아크릴 수지 등의 폴리머인 충전재를 물에 용해시킨 용액을 충전재 용액으로서 공급한다. 이 충전재 용액 공급원 (Sf) 은, 밸브 (V8) 를 통하여 상측 노즐 (Ne) 에 접속되어 있다. 따라서, 컨트롤러 (9) 가 밸브 (V8) 를 열면 충전재 용액 공급원 (Sf) 으로부터 공급된 충전재 용액이 상측 노즐 (Ne) 로부터 토출되고, 컨트롤러 (9) 가 밸브 (V8) 를 닫으면 상측 노즐 (Ne) 로부터의 충전재 용액의 토출이 정지된다.
도 6 은 도 1 의 기판 처리 장치가 도 2 및 도 3 의 세정 처리 유닛을 사용하여 실행하는 기판 처리 방법의 일례를 나타내는 플로 차트이다. 도 7 은 도 6 의 기판 처리 방법에 따라서 실행되는 동작의 일례를 나타내는 타이밍 차트이다. 또, 도 8 은 도 6 의 기판 처리 방법에 의해 기판에 대해 실행되는 기판 처리의 모습을 모식적으로 나타내는 측면도이다. 이 플로 차트는, 컨트롤러 (9) 의 제어에 의해 실행된다. 또한, 도 6 의 플로 차트의 실행 기간을 통하여, 기판 (W) 과 커버 플레이트 (35) 사이에는 가스 공급구 (334) 로부터 계속적으로 질소 가스가 공급되고 있다.
미처리된 기판 (W) 이 센터 로봇 (CR) 에 의해 세정 처리 유닛 (3) 의 스핀 척 (31) 의 상면에 반입되면 (스텝 S101), 스핀 척 (31) 이 이 기판 (W) 을 흡착·유지한다 (스텝 S102). 그리고, 스텝 S101, S102 의 실행 중에 이간 위치 (Pd) 에 위치하고 있던 커버 플레이트 (35) 가 근접 위치 (Pc) 로 상승한다 (스텝 S103).
스텝 S104 에서는, 스핀 척 (31) 이 회전을 개시하여, 기판 (W) 의 회전 속도가 제로에서 속도 v1 까지 가속된다. 계속해서, 커버 플레이트 (35) 가 근접 위치 (Pc) 에 위치한 상태에서, 스텝 S105 의 약액 처리 및 스텝 S106 의 린스 처리를 포함하는 세정 처리가 개시된다.
약액 처리 (스텝 S105) 에서는, 기판 (W) 이 속도 v1 (예를 들어 800 rpm) 로 정속 회전하고 있는 상태에서, 기판 (W) 의 중심에 대향하는 상측 노즐 (Nc) 이 기판 (W) 의 표면 (Wf) 으로의 DHF (약액) 의 공급을 개시한다 (시각 t1). 이 때, 상측 노즐 (Nc) 은 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 공급 속도 F1 로 DHF 를 공급한다. 여기서, 공급 속도 (㎖/min) 는, 단위 시간 (min) 당의 공급량 (㎖) 이다. 시각 t1 에서 시각 t2 까지의 기간, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 의 중심에 계속적으로 공급되는 DHF 는, 기판 (W) 의 회전에 의해 발생하는 원심력을 받아 기판 (W) 의 표면 (Wf) 의 둘레 가장자리에까지 확산되고, 이 둘레 가장자리로부터 비산한다.
시각 t2 에 약액 처리가 완료되면, 상측 노즐 (Nc) 이 DHF 의 공급을 정지시킴과 함께, 린스 처리 (스텝 S106) 가 개시된다. 이 린스 처리에서는, 기판 (W) 의 회전 속도는, 시각 t2 에서 시각 t3 의 기간을 통해서 속도 v1 과 일정하게 유지된 후에, 시각 t3 에서 시각 t4 까지의 기간을 들여 속도 v1 에서 속도 v2 로 감속된다. 여기서, 속도 v2 는 속도 v1 미만이고 제로 이상인 속도이고, 특히 여기의 예에서는 속도 v2 는 제로이다. 또, 기판 (W) 의 중심에 대향하는 상측 노즐 (Nc) 은, 시각 t2 에서 시각 t4 의 기간을 통해서 DIW (린스액) 를 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 계속적으로 공급한다. 이 때, 상측 노즐 (Nc) 은, 공급 속도 F1 보다 빠른 공급 속도 F2 로 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 DIW 를 공급한다.
시각 t2 에서 시각 t3 의 기간은, 비교적 빠른 속도 v1 로 기판 (W) 이 회전하기 때문에, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 의 중심에 공급되는 DIW 는, 원심력을 받아 신속하게 기판 (W) 의 표면 (Wf) 의 둘레 가장자리에까지 확산되고, 이 둘레 가장자리로부터 비산한다. 또, 이전의 약액 처리에 의해 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 공급된 DHF 는, DIW 로 치환된다. 한편, 시각 t3 에서 시각 t4 의 기간을 들여 기판 (W) 의 회전 속도가 감속됨에 따라, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 형성되는 DIW 의 액막의 두께가 증가한다.
이와 같은 세정 처리를 실시함으로써, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 은 DHF 에 의해 세정된 후에 DIW 의 액막에 의해 덮인다. 한편, 세정 처리의 실행 중을 통해서, 기판 (W) 의 이면 (Wb) 은 근접 위치 (Pc) 에 위치하는 커버 플레이트 (35) 에 덮여 있어, 기판 (W) 의 이면 (Wb) 으로의 DHF 나 DIW 의 부착이 억제되어 있다. 특히 세정 처리와 병행하여, 기판 (W) 의 이면 (Wb) 과 커버 플레이트 (35) 의 상면 사이에 질소 가스가 계속적으로 공급되고 있기 때문에, 기판 (W) 의 회전 중심으로부터 기판 (W) 의 둘레 가장자리를 향하는 질소 가스의 기류가 기판 (W) 의 하면측에 생성된다. 이렇게 하여, 질소 가스의 기류에 의해, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 으로부터 이면 (Wb) 으로의 DHF 나 DIW 의 돌아 들어감을 보다 확실하게 억제하는 것이 가능하게 되어 있다.
시각 t4 에 린스 처리가 완료되면, 패들 처리 (스텝 S107 ∼ S109) 가 개시된다. 요컨대, 시각 t4 에 기판 (W) 의 회전 속도가 속도 v2, 즉 제로가 된다 (스텝 S107). 이 때, 컨트롤러 (9) 는, 회전 구동부 (34) 를 구성하는 모터의 인코더의 출력에 기초하여 스핀 척 (31) 이 정지되는 회전 위치를 제어한다. 이로써, 스핀 척 (31) 의 걸어맞춤 돌기 (333) 가 커버 플레이트 (35) 의 걸어맞춤공 (352) 에 연직 방향 (Z) 으로 대향하는 회전 위치에서, 스핀 척 (31) 이 정지된다. 이렇게 하여 기판 (W) 의 회전이 정지되면, 커버 플레이트 (35) 가 근접 위치 (Pc) 로부터 이간 위치 (Pd) 로 하강하여 스핀 척 (31) 에 걸어맞추어진다 (스텝 S108).
시각 t5 가 될 때까지는, 상측 노즐 (Nc) 이 린스 처리의 완료 후에도 계속해서 DIW 를 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 공급하여, 패들 처리가 실행된다. 이 패들 처리에서의 DIW 의 공급 속도는 린스 처리의 그것과 마찬가지로 속도 F2 이다. 그리고, 시각 t5 가 되면, 상측 노즐 (Nc) 은 DIW 의 공급을 정지시킨다 (스텝 S109). 요컨대, 패들 처리에서는, 시각 t4 에서 시각 t5 의 기간을 통해서, 회전 속도가 속도 v1 로부터 감속된 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 DIW 가 계속적으로 공급된다. 이렇게 하여 기판 (W) 의 표면 (Wf) 을 다량의 DIW 로 덮음으로써, DIW 의 증발에 수반하여 발생하는 표면 장력을 받아 패턴 (Wp) 이 도괴되는 것을 억제할 수 있다. 특히 기판 (W) 의 회전을 정지시킨 상태에서 패들 처리를 실행하고 있기 때문에, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 의 전체면을 충분히 젖은 상태로 유지하여, 패턴 (Wp) 의 도괴를 보다 확실하게 억제 가능하게 되어 있다.
시각 t5 에 패들 처리가 완료되면, 스핀 척 (31) 이 회전을 개시하여 (스텝 S110), 스텝 S111 의 IPA 치환 및 스텝 S112 의 폴리머 도포를 포함하는 도포 처리가 개시된다. 또, 이 도포 처리의 실행 중에는, 커버 플레이트 (35) 가 스핀 척 (31) 에 걸어맞추어져 있기 때문에, 기판 (W) 의 회전에 수반하여 커버 플레이트 (35) 도 회전한다.
IPA 치환 (스텝 S111) 에서는, 기판 (W) 의 회전 속도가 제로 (속도 v2) 에서 속도 v3 까지 가속된 후에, 시각 t6 까지 속도 v3 으로 유지된다. 예를 들어 속도 v3 은 300 rpm 이다. 여기서, 속도 v3 은 속도 v2 보다 빠른 속도이며, 특히 여기의 예에서는 속도 v3 은 속도 v1 미만이다. 또, 시각 t5 에서 시각 t6 의 기간을 통해서, 기판 (W) 의 중심에 대향하는 상측 노즐 (Nd) 이 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 IPA (용제) 를 공급 속도 F3 으로 계속적으로 공급한다. 여기서, 공급 속도 F3 은 공급 속도 F1 및 공급 속도 F2 보다 느리고, 특히 여기의 예에서는 공급 속도 F3 은 공급 속도 F1 및 공급 속도 F2 의 절반 이하이다. 이렇게 하여 기판 (W) 의 표면 (Wf) 의 중심에 계속적으로 공급되는 IPA 는, 원심력을 받아 기판 (W) 의 표면 (Wf) 의 둘레 가장자리에까지 확산되면서, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 으로부터 DIW 를 제거한다. 그 결과, 도 8 의 「IPA 치환 후」의 란에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 을 덮고 있던 DIW 가 IPA (51) 로 치환되고, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 형성된 복수의 패턴 (Wp) 사이는 IPA (51) 에 의해 채워져 있다.
시각 t6 에 IPA 치환이 완료되면, 상측 노즐 (Nd) 이 IPA 의 공급을 정지시킴과 함께, 충전재 도포 (스텝 S112) 가 개시된다. 이 충전재 도포에서는, 기판 (W) 의 회전 속도는 속도 v3 에서 속도 v4 까지 급속히 가속된 후에, 시각 t7 까지 속도 v4 로 유지된다. 여기서, 속도 v4 는 속도 v3 보다 빠른 속도이며, 특히 여기의 예에서는 속도 v4 는 속도 v1 이상 (예를 들어 1500 rpm ∼ 2000 rpm) 이다. 또, 시각 t6 에서 시각 t7 의 기간을 통해서, 기판 (W) 의 중심에 대향하는 상측 노즐 (Ne) 이 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 충전재 용액을 공급 속도 F4 로 공급한다. 여기서, 공급 속도 F4 는 공급 속도 F1 및 공급 속도 F2 보다 느리고, 특히 여기의 예에서는 공급 속도 F4 는 공급 속도 F1 및 공급 속도 F2 의 절반 이하이다. 또한, 충전재 용액의 공급은, 상측 노즐 (Ne) 이 충전재 용액을 1 쇼트씩 토출시킴으로써 실행된다. 이렇게 하여, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 의 중심에 공급되는 충전재 용액은, 원심력을 받아 IPA 의 액막 상에서 확산된다. 그 결과, 도 8 의 「충전재 도포 후」의 란에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에서는, IPA (51) 의 액막 위에 충전재 용액 (52) 의 액막이 적층된다.
덧붙여서, 이 실시형태에서는 도포 처리의 실행과 병행하여, 커버 플레이트 (35) 를 고속 (속도 v3, v4) 으로 회전시킨다. 이 커버 플레이트 (35) 의 고속 회전은, 패들 처리시에 기판 (W) 으로부터 커버 플레이트 (35) 에 낙하한 DIW 를 원심력에 의해 커버 플레이트 (35) 로부터 제거하기 위해서 실행된다.
시각 t7 에 충전재 도포가 완료되면, 상측 노즐 (Ne) 이 충전재의 공급을 정지시킴과 함께, 충전재 침하 처리 (스텝 S113 ∼ S115) 가 개시된다. 요컨대, 기판 (W) 및 커버 플레이트 (35) 의 회전 속도의 감속이 시각 t7 에 개시되고, 이들 회전 속도가 속도 v4 로부터 제로가 된다 (스텝 S113). 이 때, 컨트롤러 (9) 는, 회전 구동부 (34) 를 구성하는 모터의 인코더의 출력에 기초하여 스핀 척 (31) 이 정지되는 회전 위치를 제어한다. 이로써, 커버 플레이트 (35) 의 둘레 가장자리공 (353) 이 노즐 유닛 (36) 에 연직 방향 (Z) 으로 대향하는 회전 위치에서, 스핀 척 (31) 이 정지된다. 이렇게 하여 기판 (W) 및 커버 플레이트 (35) 의 회전이 정지되면, 노즐 유닛 (36) 이 상승을 개시하는 데에 수반하여, 커버 플레이트 (35) 가 이간 위치 (Pd) 로부터 근접 위치 (Pc) 로 상승한다 (스텝 S114). 그리고, 스텝 S115 에서는, 기판 (W) 및 커버 플레이트 (35) 의 회전이 정지되고 나서 소정 시간이 경과하는 것을 기다린다. 이 소정 시간의 대기 동안, IPA (51) 상에 적층되어 있던 충전재 용액 (52) 이 침하하는 한편, IPA (51) 가 부상한다. 그 결과, 도 8 의 「충전재 침하 처리 후」의 란에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 형성된 패턴 (Wp) 이 충전재 용액 (52) 의 액막에 덮이고, 인접하는 패턴 (Wp) 사이에는 충전재 용액 (52) 이 충전되어 있다.
시각 t8 에 충전재 침하 처리가 완료되면, 기판 (W) 이 회전을 개시하여 (스텝 S116), 기판 (W) 의 회전 속도가 제로에서 속도 v5 까지 가속된다. 그리고, 시각 t9 까지의 소정 시간, 기판 (W) 이 속도 v5 로 정속 회전함으로써, IPA 와 여분의 충전재 용액을 기판 (W) 의 표면 (Wf) 으로부터 제거하는 스핀오프가 실행된다. 그 결과, 도 8 의 「스핀오프 후」의 란에 나타내는 바와 같이, 패턴 (Wp) 의 높이와 동일한 정도의 두께를 가진 충전재 용액 (52) 의 액막에 의해, 인접하는 패턴 (Wp) 사이가 채워진다.
시각 t9 에 스핀오프가 완료되면, 기판 (W) 의 회전 속도는, 속도 v5 에서 속도 v6 까지 감속된 후, 속도 v6 으로 유지된다. 그리고, 속도 v6 으로 정속 회전하는 기판 (W) 의 이면 (Wb) 에 대해, 하측 노즐 (Na) 및 하측 노즐 (Nb) 이 처리액을 토출시킨다 (에지 린스). 구체적으로는, 하측 노즐 (Na) 은 기판 (W) 의 이면 (Wb) 의 둘레 가장자리를 향하여 IPA (용제) 를 토출시킨다. 이로써, 스텝 S112 에서 충전재 용액을 도포했을 때에, 기판 (W) 의 이면 (Wb) 의 둘레 가장자리에 부착된 충전재 용액이 제거된다. 또, 하측 노즐 (Nb) 은, 기판 (W) 의 이면 (Wb) 의 둘레 가장자리 근방에 DIW (린스액) 를 토출시킨다. 이렇게 하여 토출된 DIW 는, 원심력에 의해 기판 (W) 의 이면 (Wb) 을 둘레 가장자리를 향하여 타고 가면서, 기판 (W) 의 이면 (Wb) 으로부터 파티클 등을 씻어 낸다.
시각 t10 에 에지 린스가 완료되면, 기판 (W) 의 회전이 정지되어 (스텝 S119), 커버 플레이트 (35) 가 하강한다 (스텝 S120). 또한, 스텝 S119 에서는, 상기 서술한 스텝 S107 에서 설명한 스핀 척 (31) 의 정지 위치의 제어와 동일한 제어가 실행되고, 스텝 S120 에서 하강한 커버 플레이트 (35) 는 스핀 척 (31) 에 걸어맞추어진다. 그리고, 스핀 척 (31) 이 기판 (W) 의 흡착을 해제하여, 센터 로봇 (CR) 이 기판 (W) 을 세정 처리 유닛 (3) 으로부터 반출한다 (스텝 S121).
이상에 설명한 바와 같이 본 실시형태에서는, 속도 v1 로 회전하는 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 DIW 를 공급하는 린스 처리 후에, 속도 v1 미만이고 제로 이상인 속도 v2 로 기판 (W) 의 회전 속도를 감속한 상태에서 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 DIW 를 공급한다 (패들 처리). 따라서, 패들 처리의 실행에 의해, 커버 플레이트 (35) 에는 다량의 DIW 가 부착될 수 있다. 이에 대하여, 본 실시형태에서는, 패들 처리의 실행 후에, 커버 플레이트 (35) 를 이간 위치 (Pd) 에 위치시킨 상태에서, 속도 v2 보다 빠른 속도 v3 으로 커버 플레이트 (35) 를 회전시킨다. 요컨대, 기판 (W) 의 이면 (Wb) 과 커버 플레이트 (35) 의 간격을 넓게 확보하면서 커버 플레이트 (35) 를 고속으로 회전시킴으로써, 커버 플레이트 (35) 로부터 DIW 를 털어내어 제거할 수 있다. 이렇게 하여, 패들 처리시에 커버 플레이트 (35) 에 부착된 DIW 를 효율적으로 제거하는 것이 가능하게 되어 있다.
이 때, 패들 처리와 병행하여, 커버 플레이트 (35) 를 근접 위치 (Pc) 로부터 이간 위치 (Pd) 로 이동시키고 있다. 그 때문에, 패들 처리의 완료로부터 커버 플레이트 (35) 의 회전으로 신속하게 이행할 수 있어, 바람직하다.
또, 커버 플레이트 (35) 의 회전과 함께 기판 (W) 을 속도 v3 으로 회전시키면서, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 IPA 를 도포한다. 그 때문에, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 IPA 를 도포하는 도포 처리와 병행하여, 커버 플레이트 (35) 로부터 DIW 를 털어내는 처리를 효율적으로 실행할 수 있다.
또, 도포 처리에서 IPA 를 공급하는 속도 F3 은, 린스 처리에서 DIW 를 공급하는 속도 F2 보다 느리다. 이와 같이 IPA 의 공급 속도를 억제함으로써, 커버 플레이트 (35) 로부터의 DIW 의 제거를 위해서 커버 플레이트 (35) 를 기판 (W) 의 이면 (Wb) 으로부터 이간시킨 상태여도, IPA 가 기판 (W) 의 이면 (Wb) 에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
특히 도포 처리에서 IPA 를 공급하는 속도 F3 은, 린스 처리에서 DIW 를 공급하는 속도 F2 의 절반 이하이다. 이로써, IPA 가 기판 (W) 의 이면 (Wb) 에 부착되는 것을 보다 확실하게 억제할 수 있다.
또, 충전재 용액을 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 공급하는 충전재 도포 (스텝 S112) 의 실행 전에, 커버 플레이트 (35) 에 부착된 DIW 의 제거를 실시하고 있기 때문에, 다음과 같은 이점도 있다. 요컨대, 패들 처리의 실행에 의해 커버 플레이트 (35) 에 다량의 DIW 가 부착됨으로써 습도가 상승하면, 그 후의 충전재 도포 (스텝 S112) 에서 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 공급되는 충전재 용액 중의 충전재가 변질되어, 충전재 용액의 액막의 형성이나 패턴 (Wp) 에 대한 충전재의 충전에 지장이 발생할 우려가 있다. 이에 대하여, 기판 (W) 의 이면 (Wb) 과 커버 플레이트 (35) 의 간격을 넓게 확보하면서 커버 플레이트 (35) 를 고속 (속도 v3) 으로 회전시킴으로써, 패들 처리시에 커버 플레이트 (35) 에 부착된 DIW 를 미리 제거하고 있다. 따라서, 충전재 용액의 액막의 형성이나 패턴 (Wp) 사이로의 충전재의 충전을 적절히 실행할 수 있다.
그런데, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에는 패턴 (Wp) 이 형성되어 있다. 이러한 경우, 고속 (속도 v1) 으로 회전하는 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 공급된 DIW 가 기판 (W) 의 표면 (Wf) 의 전체에 널리 퍼짐에 따라, 인접하는 패턴 (Wp) 사이로 비집고 들어간다. 이 때, 패턴 (Wp) 사이의 DIW 가 증발하면, DIW 의 표면 장력에 의해 패턴 (Wp) 이 도괴될 우려가 있다. 그 때문에, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 DIW 를 널리 퍼지게 한 후에도 기판 (W) 의 표면 (Wf) 의 건조를 방지할 필요가 있다. 그래서, 고속 (속도 v1) 으로 회전하는 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 대한 DIW 의 공급이 완료된 후에도, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 을 젖은 상태로 계속적으로 유지하기 위해서, 기판 (W) 의 회전 속도를 감속한 상태에서 DIW 를 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 공급하는 패들 처리가 실행된다. 단, 패들 처리를 실행함으로써 커버 플레이트 (35) 에 다량의 DIW 가 부착될 우려가 있었다. 이에 대하여 본 실시형태에서는, 기판 (W) 의 이면 (Wb) 과 커버 플레이트 (35) 의 간격을 넓게 확보하면서 커버 플레이트 (35) 를 고속 (속도 v3, v4) 으로 회전시킴으로써, 패들 처리시에 커버 플레이트 (35) 에 부착된 DIW 를 제거할 수 있어, 바람직하다.
이와 같이 본 실시형태에서는, 도 6 의 플로 차트에 나타낸 기판 처리 방법이 본 발명의 「기판 처리 방법」의 일례에 상당하고, 스텝 S106 이 본 발명의 「제 1 공정」의 일례에 상당하고, 스텝 S107 ∼ S109 가 본 발명의 「제 2 공정」의 일례에 상당하고, 스텝 S111 이 본 발명의 「제 3 공정」의 일례에 상당하고, 스텝 S112 가 본 발명의 「제 4 공정」의 일례에 상당하고, 기판 (W) 이 본 발명의 「기판」의 일례에 상당하고, 표면 (Wf) 이 본 발명의 「상면」의 일례에 상당하고, 이면 (Wb) 이 본 발명의 「하면」의 일례에 상당하고, 패턴 (Wp) 이 본 발명의 「패턴」의 일례에 상당하고, 커버 플레이트 (35) 가 본 발명의 「가동 부재」의 일례에 상당하고, 근접 위치 (Pc) 가 본 발명의 「근접 위치」의 일례에 상당하고, 이간 위치 (Pd) 가 본 발명의 「이간 위치」의 일례에 상당하고, 속도 v1 이 본 발명의 「제 1 속도」의 일례에 상당하고, 속도 v2 가 본 발명의 「제 2 속도」의 일례에 상당하고, 속도 v3 이 본 발명의 「제 3 속도」의 일례에 상당하고, 속도 v4 가 본 발명의 「제 4 속도」의 일례에 상당하고, DIW 가 본 발명의 「제 1 액체」의 일례에 상당하고, IPA 가 본 발명의 「제 2 액체」의 일례에 상당하고, 충전재 용액이 본 발명의 「제 2 액체」의 일례에 상당하고, 기판 처리 장치 (1) 가 본 발명의 「기판 처리 장치」의 일례에 상당하고, 회전 구동부 (34) 가 본 발명의 「제 1 구동부」의 일례에 상당하고, 승강 구동부 (37) 가 본 발명의 「제 2 구동부」의 일례에 상당하고, 상측 노즐 (Nc) 이 본 발명의 「액체 공급부」의 일례에 상당하고, 컨트롤러 (9) 가 본 발명의 「제어부」의 일례에 상당한다.
또한, 본 발명은 상기한 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 상기 서술한 것 이외에 여러 가지의 변경을 실시하는 것이 가능하다. 예를 들어, 상기의 실시형태에서는, 기판 (W) 의 회전에 수반하여 이간 위치 (Pd) 의 커버 플레이트 (35) 를 회전시키고 있었다. 그러나, 기판 (W) 과 커버 플레이트 (35) 의 각각에 회전 구동부를 형성하여, 이것들을 독립적으로 회전시킬 수 있도록 세정 처리 유닛 (3) 을 구성해도 된다. 이 경우, 도 9 에 나타내는 기판 처리 방법을 실행할 수 있다.
도 9 는 도 1 의 기판 처리 장치가 도 2 및 도 3 의 세정 처리 유닛을 사용하여 실행하는 기판 처리 방법의 변형예를 나타내는 플로 차트이다. 이하에서는, 도 6 의 예와의 차이점을 중심으로 설명을 실시하고, 공통점에 대해서는 상당 부호를 부여하여 적절히 설명을 생략한다. 이 변형예에서는, 패들 처리가 완료되면, 기판 (W) 이 정지된 채로 커버 플레이트 (35) 가 회전을 개시한다 (스텝 S131). 그리고, 소정의 기간, 커버 플레이트 (35) 가 속도 v3 으로 정속 회전함으로써, 패들 처리시에 커버 플레이트 (35) 에 부착된 DIW 가 커버 플레이트 (35) 로부터 제거된다. 계속해서, 커버 플레이트 (35) 의 회전이 정지되면 (스텝 S132), 커버 플레이트 (35) 가 이간 위치 (Pd) 로부터 근접 위치 (Pc) 로 상승한다 (스텝 S133).
스텝 S134 에서 기판 (W) 이 회전을 개시하면, 상기 서술한 바와 마찬가지로 IPA 치환 (스텝 S112) 과 충전재 도포 (스텝 S113) 를 포함하는 도포 처리가 실행된다. 또한, 이 도포 처리의 실행 중에는, 기판 (W) 의 이면 (Wb) 은 근접 위치 (Pc) 에 위치하는 커버 플레이트 (35) 에 의해 덮여 있다. 그리고, 도포 처리가 완료되면 기판 (W) 의 회전이 정지된다 (스텝 S135). 그 이후의 동작은, 도 6 의 예와 동일하다.
이와 같이 도 9 에 나타내는 변형예에 있어서도, 패들 처리의 실행 후에, 커버 플레이트 (35) 를 이간 위치 (Pd) 에 위치시킨 상태에서, 속도 v2 보다 빠른 속도 v3 으로 커버 플레이트 (35) 를 회전시킨다 (스텝 S131). 요컨대, 기판 (W) 의 이면 (Wb) 과 커버 플레이트 (35) 의 간격을 넓게 확보하면서 커버 플레이트 (35) 를 고속으로 회전시킴으로써, 커버 플레이트 (35) 로부터 DIW 를 털어내어 제거할 수 있다. 이렇게 하여, 패들 처리시에 커버 플레이트 (35) 에 부착된 DIW 를 제거하는 것이 가능하게 되어 있다.
또, 도 9 에 나타내는 변형예 이외의 변형을 실시할 수도 있다. 예를 들어, 커버 플레이트 (35) 를 승강시키는 타이밍을 적절히 변경해도 된다. 요컨대, 도 6 의 예에서는, 커버 플레이트 (35) 의 하강 (스텝 S108) 을 패들 처리와 병행하여 실시하고 있었다. 그러나, 패들 처리의 완료 후에 커버 플레이트 (35) 를 하강시켜도 된다. 또, 커버 플레이트 (35) 의 상승 (스텝 S114) 을 충전재 침하 처리와 병행하여 실시하고 있었다. 그러나, 충전재 침하 처리의 완료 후에 커버 플레이트 (35) 를 상승시켜도 된다.
또, 각 상측 노즐 (Nc ∼ Ne) 로부터 기판 (W) 에 처리액을 공급할 때, 각 상측 노즐 (Nc ∼ Ne) 은 기판 (W) 의 중심에 대향하는 위치에서 정지되어 있었다. 그러나, 각 상측 노즐 (Nc ∼ Ne) 을 기판 (W) 의 직경 방향으로 이동시키면서, 기판 (W) 으로의 처리액의 공급을 실행해도 된다.
또, 기판 (W) 의 회전 속도를 변화시키는 패턴은, 도 7 의 타이밍 차트에 나타낸 패턴에 한정되지 않는다. 따라서, 기판의 회전 속도의 값이나 변경 타이밍 등을 적절히 변경해도 된다.
또, 커버 플레이트 (35) 와 회전 샤프트 (33) 를 걸어맞추게 하는 구체적인 구성은 상기에 한정되지 않는다. 따라서, 예를 들어 커버 플레이트 (35) 에 돌기를 형성함과 함께 스핀 척 (31) 에 걸어맞춤공을 형성하여, 이것들에 의해 커버 플레이트 (35) 와 스핀 척 (31) 을 걸어맞추게 해도 된다.
또, 기판 (W) 이 근접 위치 (Pc) 에 위치한 상태에 있어서, 노즐 유닛 (36) 의 베이스부 (361) 의 상면과 커버 플레이트 (35) 의 상면이 면일해지도록 구성되어 있었다. 그러나, 커버 플레이트 (35) 의 상면보다 베이스부 (361) 의 상면이 내려가 있어도 되고, 올라가 있어도 된다.
또, 각종의 공급원 (Sc, Sr, Ss, Sf, Sg) 으로는, 대상이 되는 처리액이나 가스를 공급할 수 있는 용력 설비가 있는 경우에는 이것을 이용해도 된다.
또, 스텝 S105, S106, S111, S112 등에서 실행되는 각종 기판 처리에서 사용하는 처리액의 종류도 적절히 변경해도 된다.
또, 고화시킨 충전재를 기판 (W) 으로부터 제거하는 처리는, 기판 처리 장치 (1) 와 상이한 외부의 충전재 제거 장치에 의해 실행되고 있었다. 그러나, 기판 처리 장치 (1) 가 충전재 제거 기능을 구비해도 된다. 예를 들어 열 처리 유닛 (4) 에 있어서, 승화에 의해 충전재를 제거해도 된다.
또, 상기 실시형태에서는 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 형성된 패턴 (Wp) 의 도괴를 억제하기 위해서 패들 처리를 실시하는 경우가 나타났다. 그러나, 패들 처리를 실시하는 목적은 이것에 한정되지 않는다. 요컨대, 패들 처리는, 일본 공개특허공보 2015-076558호에 나타내는 기판의 표면에 대한 파티클의 부착을 억제하거나, 2009-212408호에 기재된 바와 같은 기판의 표면에서의 워터 마크나 얼룩 등을 억제하거나 할 목적으로도 실행할 수 있다. 따라서, 패들 처리의 실행에 의해 커버 플레이트 (35) 등의 가동 부재에 처리액이 부착되는 경우에는, 상기의 실시형태와 마찬가지로, 패들 처리의 실행 후에 가동 부재를 회전시켜, 가동 부재에 부착된 액체를 제거할 수 있다.
또, 상기 서술한 기판 처리 장치 (1) 와 상이한 기능을 갖는 장치에 대해서도, 본 발명을 적용 가능하다. 요컨대 패들 처리의 실행에 의해 가동 부재에 처리액이 부착될 가능성이 있는 장치에 대해서는, 본 발명이 유효하게 기능할 수 있다.
이상, 구체적인 실시형태를 예시하여 설명해 온 바와 같이, 본 발명에서는, 제 2 공정에 있어서, 가동 부재를 근접 위치로부터 이간 위치로 이동시키도록, 기판 처리 방법을 구성해도 된다. 이러한 구성은, 제 2 공정에서의 패들 처리로부터 제 3 공정에서의 가동 부재의 회전으로 신속하게 이행할 수 있어, 바람직하다.
또, 제 3 공정에서는, 가동 부재와 함께 기판을 제 3 속도로 회전시키면서 기판의 상면에 제 2 액체를 공급하도록, 기판 처리 방법을 구성해도 된다. 이러한 구성에서는, 기판의 상면에 제 2 액체를 공급하는 처리와 병행하여, 가동 부재로부터 액체를 털어내는 처리를 효율적으로 실행할 수 있다.
또, 제 3 공정에서 기판의 상면에 제 2 액체를 공급하는 단위 시간당의 양은, 제 1 공정에서 기판의 상면에 제 1 액체를 공급하는 단위 시간당의 양보다 적도록, 기판 처리 방법을 구성해도 된다. 이와 같이 제 2 액체의 단위 시간당의 공급량을 억제함으로써, 가동 부재로부터의 액체의 제거를 위해서 가동 부재를 기판의 하면으로부터 이간시킨 상태여도, 제 2 액체가 기판의 하면에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 제 3 공정에서 기판의 상면에 제 2 액체를 공급하는 단위 시간당의 양은, 제 1 공정에서 기판의 상면에 제 1 액체를 공급하는 단위 시간당의 양의 절반 이하이도록, 기판 처리 방법을 구성해도 된다. 이로써, 제 2 액체가 기판의 하면에 부착되는 것을 보다 확실하게 억제할 수 있다.
또, 제 2 속도는 제로이도록, 기판 처리 방법을 구성해도 된다. 이러한 구성에서는, 제 2 공정에서의 패들 처리의 실행에 의해, 기판의 상면을 충분히 젖은 상태로 유지할 수 있다.
또, 기판의 상면에 패턴이 형성되어 있는 경우에는, 본 발명을 적용하는 것이 특히 적합해진다. 요컨대, 기판의 상면에 패턴이 형성되어 있는 경우, 고속 (제 1 속도) 으로 회전하는 기판의 상면에 공급된 액체가 기판의 상면의 전체에 널리 퍼짐에 따라, 인접하는 패턴 사이로 비집고 들어간다. 이 때, 패턴 사이의 액체가 증발하면, 액체의 표면 장력에 의해 패턴이 도괴될 우려가 있다. 그 때문에, 기판의 상면에 액체를 널리 퍼지게 한 후에도 기판의 상면의 건조를 방지할 필요가 있다. 그래서, 고속으로 회전하는 기판의 상면에 대한 액체의 공급이 완료된 후에도, 기판의 상면을 젖은 상태로 계속적으로 유지하기 위해서, 기판의 회전 속도를 감속한 상태에서 액체를 기판의 상면에 공급하는 패들 처리를 실행하는 것이 적당해진다. 단, 상기 서술한 바와 같이, 패들 처리를 실행함으로써 가동 부재에 다량의 액체가 부착될 우려가 있었다. 이에 대하여 본 발명은, 기판의 하면과 가동 부재의 간격을 넓게 확보하면서 가동 부재를 고속으로 회전시킴으로써, 패들 처리시에 가동 부재에 부착된 액체를 제거할 수 있어, 바람직하다.
또, 제 2 속도보다 빠른 제 4 속도로 기판을 회전시키면서, 인접하는 패턴 사이에 충전되는 충전재를 포함하는 제 3 액체를 기판의 상면에 공급하는 제 4 공정을 제 3 공정 후에 추가로 구비하도록, 기판 처리 방법이 구성되어 있다. 이로써, 다음과 같은 이점이 있다. 요컨대, 패들 처리의 실행에 의해 가동 부재에 다량의 액체가 부착됨으로써 습도가 상승하면, 그 후의 제 4 공정에서 기판의 상면에 공급되는 제 3 액체 중의 충전재가 변질되어, 제 3 액체의 액막의 형성이나 패턴 사이로의 충전재의 충전에 지장이 생기는 경우가 있다. 이에 대하여 본 발명에 의하면, 기판의 하면과 가동 부재의 간격을 넓게 확보하면서 가동 부재를 고속으로 회전시킴으로써, 패들 처리시에 가동 부재에 부착된 액체를 제거하고 있다. 따라서, 제 3 액체의 액막의 형성이나 패턴 사이로의 충전재의 충전을 적절히 실행할 수 있다.
이 때, 제 1 액체는 기판의 패턴 사이를 포함하는 기판의 상면을 린스하는 린스액이고, 충전재는 린스액이 치환된 패턴 사이에 충전되도록, 기판 처리 방법을 구성해도 된다. 이렇게 하여, 린스액의 린스에 의해 세정된 기판의 상면의 패턴 사이에 충전재를 충전함으로써, 패턴의 도괴의 억제를 도모할 수 있다.
또, 제 1 공정과 병행하여, 기판의 하면과 가동 부재의 상면 사이에 불활성 가스를 공급하여, 기판의 회전 중심으로부터 기판의 둘레 가장자리를 향하는 불활성 가스의 기류를 기판의 하면측에 생성하도록, 기판 처리 방법을 구성해도 된다. 이러한 구성에서는, 불활성 가스의 기류에 의해, 기판의 상면으로부터 하면으로의 액체 (제 1 액체) 의 돌아 들어감을 보다 확실하게 억제할 수 있다.
이상, 특정한 실시예를 따라 발명을 설명했지만, 이 설명은 한정적인 의미로 해석되는 것을 의도한 것은 아니다. 발명의 설명을 참조하면, 본 발명의 그 밖의 실시형태와 마찬가지로, 개시된 실시형태의 여러 가지 변형예가, 이 기술에 정통한 사람에게 분명해질 것이다. 이 때문에, 첨부하는 특허 청구의 범위는, 발명의 진정한 범위를 일탈하지 않는 범위 내에서, 당해 변형예 또는 실시형태를 포함하는 것이라고 생각할 수 있다.
산업상 이용가능성
본 발명은, 기판의 상면에 액체를 공급하는 처리를 실행하는 기판 처리 기술 전반에 적용할 수 있다.
1 : 기판 처리 장치
34 : 회전 구동부 (제 1 구동부)
35 : 커버 플레이트
37 : 승강 구동부 (제 2 구동부)
9 : 컨트롤러 (제어부)
Nc : 상측 노즐 (액체 공급부)
W : 기판
Wf : 표면
Wb : 이면
Wp : 패턴
Pc : 근접 위치
Pd : 이간 위치
v1 : 속도 (제 1 속도)
v2 : 속도 (제 2 속도)
v3 : 속도 (제 3 속도)
v4 : 속도 (제 4 속도)

Claims (11)

  1. 기판의 하면에 근접하는 근접 위치와 상기 근접 위치보다 상기 기판의 상기 하면으로부터 떨어진 이간 위치 사이에서 이동 가능한 가동 부재를 상기 근접 위치에 위치시킨 상태에서, 제 1 속도로 회전하는 상기 기판의 상면에 제 1 액체를 공급하는 제 1 공정과,
    상기 제 1 속도 미만이고 제로 이상인 제 2 속도로 상기 기판의 회전 속도를 감속한 상태에서, 상기 기판의 상기 상면에 상기 제 1 액체를 공급하는 제 2 공정과,
    상기 가동 부재를 상기 이간 위치에 위치시킨 상태에서, 상기 제 2 속도보다 빠른 제 3 속도로 상기 가동 부재를 회전시키는 제 3 공정을 구비하는, 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 공정에 있어서, 상기 가동 부재를 상기 근접 위치로부터 상기 이간 위치로 이동시키는, 기판 처리 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 공정에서는, 상기 가동 부재와 함께 상기 기판을 상기 제 3 속도로 회전시키면서 상기 기판의 상기 상면에 제 2 액체를 공급하는, 기판 처리 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 3 공정에서 상기 기판의 상기 상면에 상기 제 2 액체를 공급하는 단위 시간당의 부피 (volume) 는, 상기 제 1 공정에서 상기 기판의 상기 상면에 상기 제 1 액체를 공급하는 단위 시간당의 부피 (volume) 보다 적은, 기판 처리 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 3 공정에서 상기 기판의 상기 상면에 상기 제 2 액체를 공급하는 단위 시간당의 부피 (volume) 는, 상기 제 1 공정에서 상기 기판의 상기 상면에 상기 제 1 액체를 공급하는 단위 시간당의 부피 (volume) 의 절반 이하인, 기판 처리 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 속도는 제로인, 기판 처리 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 상면에는 패턴이 형성되어 있는, 기판 처리 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 속도보다 빠른 제 4 속도로 상기 기판을 회전시키면서, 인접하는 상기 패턴 사이에 충전되는 충전재를 포함하는 제 3 액체를 상기 기판의 상면에 공급하는 제 4 공정을, 상기 제 3 공정 후에 추가로 구비하는, 기판 처리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 액체는 상기 기판의 상기 패턴 사이를 포함하는 상기 기판의 상면을 린스하는 린스액이고, 상기 충전재는 상기 린스액이 치환된 상기 패턴 사이에 충전되는, 기판 처리 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 공정과 병행하여, 상기 기판의 상기 하면과 상기 가동 부재의 상면 사이에 불활성 가스를 공급하여, 상기 기판의 회전 중심으로부터 상기 기판의 둘레 가장자리를 향하는 상기 불활성 가스의 기류를 상기 기판의 상기 하면 측에 생성하는, 기판 처리 방법.
  11. 기판의 하면 측에 형성된 가동 부재와,
    상기 기판 혹은 상기 가동 부재를 회전시키는 제 1 구동부와,
    상기 기판의 하면에 근접하는 근접 위치와 상기 근접 위치보다 상기 기판의 상기 하면으로부터 떨어진 이간 위치 사이에서 상기 가동 부재를 구동시키는 제 2 구동부와,
    상기 기판의 상면에 액체를 공급하는 액체 공급부와,
    상기 제 1 구동부, 상기 제 2 구동부 및 상기 액체 공급부를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 가동 부재를 상기 근접 위치에 위치시킨 상태에서, 제 1 속도로 회전하는 상기 기판의 상기 상면에 상기 액체를 공급하는 제어와, 상기 제 1 속도 미만이고 제로 이상인 제 2 속도로 상기 기판의 회전 속도를 감속한 상태에서, 상기 기판의 상기 상면에 상기 액체를 공급하는 제어와, 상기 가동 부재를 상기 이간 위치에 위치시킨 상태에서, 상기 제 2 속도보다 빠른 제 3 속도로 상기 가동 부재를 회전시키는 제어를 실행하는, 기판 처리 장치.
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