JP6740028B2 - 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 - Google Patents

Description

本発明は、回転する基板に処理液を供給することにより基板に液処理を施す技術に関する。

半導体装置の製造工程には、薬液洗浄処理またはウエットエッチング処理等の液処理が含まれる。このような液処理を半導体ウエハ等の基板に施す液処理装置として、チャンバと呼ばれる処理容器内に基板を保持する保持部と、半導体ウエハ等の基板を回転させる回転機構と、回転する基板に処理液を供給するノズルと、振り切られた処理液を受けるカップと、を備えたものが知られている。

基板に供給された処理液の多くはカップにより回収されるが、ミスト化した処理液の一部がカップの外側に飛散する。この飛散した処理液がチャンバの内壁に付着すると、基板周囲に処理液特に薬液由来の雰囲気が形成され、この雰囲気中の薬液成分が液処理中の基板に付着して基板を汚染してしまうことがある。また、チャンバの内壁に水分が付着していると、基板の周囲の湿度が上昇し、基板の乾燥処理に悪影響が生じてしまうことも考えられる。

従って、基板からカップ外に飛散した処理液がチャンバ内壁に付着することを可能な限り防止することが望ましい。

特開２００８−５３６９０号公報

本発明は、基板からカップ外に飛散した処理液がチャンバ内壁に付着することを防止することができる技術を提供するものである。

本発明の一実施形態によれば、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に処理液を吐出する少なくとも１つの処理液ノズルと、前記基板保持部と前記処理液ノズルを収容する処理容器と、前記基板保持部の周囲に配置され基板に供給された少なくとも処理液または処理液のミストを受ける前記処理容器に対して相対的に不動な固定カップ体と、前記固定カップ体を囲むように前記固定カップ体の外側に設けられ、前記固定カップ体の上方を越えて外方に飛散する液を遮断するミストガードと、 前記ミストガードを第１高さと前記第１高さより低い第２高さに昇降させる昇降機構と、を備え、前記ミストガードが、筒状の筒部と、前記筒部の上部から前記筒部の内側に向かって前記固定カップ体の上方に張り出す張出部とを有する、基板処理装置が提供される。

本発明の他の実施形態によれば、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板の上面に処理液を吐出する少なくとも１つの処理液ノズルと、前記基板保持部と前記処理液ノズルを収容する処理容器と、前記基板保持部の周囲に配置され基板に供給された処理液または処理液のミストを受ける前記処理容器に対して相対的に不動な固定カップ体と、前記固定カップ体を囲むように前記固定カップ体の外側に設けられ、前記固定カップ体の上方を越えて外方に飛散する液を遮断するミストガードと、 前記ミストガードを昇降させる昇降機構と、を備え、前記ミストガードが、筒状の筒部と、前記筒部の上端から前記固定カップ体の側に向かって張り出す張出部とを有する、基板処理装置を用い、前記ミストガードを第１高さに位置させた状態で、前記ノズルから前記基板保持部により保持されている基板に処理液を供給する工程と、前記ミストガードを前記第１高さより低い第２高さに位置させた状態で、前記基板を乾燥させる工程と、を備えた基板処理方法が提供される。

本発明のさらに他の実施形態によれば、コンピュータプログラムが格納された記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムが基板処理装置の制御装置をなすコンピュータにより実行されたときに、当該コンピュータが前記基板処理装置の動作を制御して、上記の基板処理方法を実行させる記憶媒体が提供される。

上記本発明の実施形態によれば、張出部を有するミストガードを設けることにより、カップを越えて飛散した処理液が処理容器の内壁に付着することを防止することができる。

発明の一実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す平面図である。 処理ユニットの構成を示す縦断面図である。 処理ユニットの構成を示す平面図である。 ミストガードとノズルアームの動きを説明するための概略図である。 ミストガードが高位置および中間位置にあるときのガスおよび液滴の動きを説明するための説明図である。 ミストガードが低位置にあるときのガスおよび液滴の動きを説明するための説明図である。 ミストガードに設けた通液開口について説明する概略縦断面図である。 ミストガードの洗浄機構について説明する部分縦断面図である。 ノズルアームの動きを説明するための平面図である。 ミストガードに設けた通気開口について説明する概略縦断面図である。 固定ノズルカバー及びミストガードの変形例を備えた実施形態を示す概略縦断面図である。 ミストガードの他の変形例を備えた実施形態を示す概略縦断面図である。

図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚のウエハＷを水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。

処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。

次に、処理ユニット１６の構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、カップ５０とを備える。処理流体供給部４０は、ウエハＷに対して処理流体を供給する。

チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０とカップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。ＦＦＵ２１の吹き出し口の真下に多数の穴（図示せず）が形成された整流板２２が設けられ、チャンバ２０内の空間を流れるダウンフローガスの分布を最適化している。

基板保持機構３０は、保持部３１と、回転軸３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウエハＷを水平に保持することができる。駆動部３３は、回転軸３２を介して保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウエハＷを鉛直方向軸線周りに回転させる。

保持部３１は、円盤状のベースプレート３１ａと、ベースプレート３１ａに設けられたウエハＷを保持する複数の保持要素３１ｂと、処理ユニット１６へのウエハＷの搬出入時に保持要素３１ｂから離れたウエハＷの下面を支持するリフトピン３１ｃを有する。保持要素３１ｂは、ウエハＷの周縁部を保持／解放できるベースプレート３１ａに取り付けられた可動の保持爪、または、ベースプレート３１ａに固定された保持ピン等から構成することができる。

リフトピン３１ｃは、ベースプレート３１ａの上面に形成された凹所に格納されるリング状のリフトピンプレート３１ｄに固定されている。リフトピンプレート３１ｄは図示しない昇降機構により上昇し、ウエハＷを持ち上げることができる。チャンバ２０内に侵入してきた基板搬送装置１７のアームと、上昇したリフトピンプレート３１ｄとの間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。

以下にカップ（カップ組立体）５０について詳述する。カップ５０は、ウエハＷから飛散する処理液を回収するとともに、ウエハＷ周囲の気流を制御する役割を持つ。カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置されており、（幾何学的な意味において）概ね回転体の形状を有している。カップ５０は、複数の構成要素から構成されている。カップ５０は、最も外側にある不動の（固定された）排気カップ５１と、その内側にある処理液案内用の排液カップ５２とを有する。

また、第１回転カップ５３及び第２回転カップ５４が、保持部３１のベースプレート３１ａに取り付けられており、ベースプレート３１ａと一緒に回転する。第１回転カップ５３及び第２回転カップ５４は、ウエハＷの表面（上面）に供給された後にウエハＷから外方に飛散する液を受け止めて、斜め下方（半径方向外向きかつ下方に）案内する。第２回転カップ５４は、ウエハＷの裏面（下面）に供給された後にウエハＷから外方に飛散する液を案内する機能も有している。また、第１回転カップ５３及び第２回転カップ５４は、ウエハＷ周囲の気流を制御する機能も有している。

排液カップ５２は、排液カップ本体５２１と、第１可動カップ要素５２２と、第２可動カップ要素５２３とを有している。排液カップ本体５２１は、概ね鉛直方向に延びる外周筒部５２１ａと、張出部５２１ｂと、底部５２１ｃと、内周部５２１ｄとを有している。張出部５２１ｂは、外周筒部５２１ａの上端部から、ウエハＷ側に向かって延びている。底部５２１ｃから２つの凸部５２１ｅ，５２１ｆが上方に延びている。

外周筒部５２１ａと凸部５２１ｅとの間、凸部５２１ｅと凸部５２１ｆとの間、並びに凸部５２１ｆと内周部５２１ｄとの間に、酸性液、アルカリ性液、有機液をそれぞれ受けるための液溜まり５２２ａ，５２２ｂ，５２２ｃがそれぞれ画定されている。液溜まり５２２ａ，５２２ｂ，５２２ｃは、各々に接続された排液ライン５２３ａ，５２３ｂ，５２３ｃを介して、酸性液用（ＤＲ１）、アルカリ性液用（ＤＲ２）、有機液用（ＤＲ３）の工場廃液系にそれぞれ接続されている。

凸部５２１ｅ，５２１ｆに第１可動カップ要素５２２、第２可動カップ要素５２３がそれぞれ上下動自在に嵌合している。第１可動カップ要素５２２及び第２可動カップ要素５２３は、図示しない昇降機構により昇降する。第１可動カップ要素５２２及び第２可動カップ要素５２３の位置を変更することにより、ウエハＷから外方に飛散した後に第１回転カップ５３及び第２回転カップ５４に案内された処理液を、それぞれ対応する液溜まり（５２２ａ，５２２ｂ，５２２ｃのうちのいずれか一つ）に導くことができる。

排気カップ５１は、外周筒部５１１と、張出部５１２と、底部５１３と、内周部５１４とを有している。排気カップ５１と排液カップ本体５２１との互いに対面する表面の間に、排気通路５５１が形成されている。排気カップ５１の底部５１３には排気口５５２が設けられ、この排気口５５２に排気ダクト（排気路）５５３が接続されている。排気ダクト５５３は減圧雰囲気の工場排気系の工場排気ダクト（図示せず）に接続されている（Ｃ−ＥＸＨ）。排気ダクト５５３にはバタフライ弁またはダンパ等の流量制御弁５５４が介設されている。流量制御弁５５４の開度を調節することにより、排気通路５５１を介して吸引されるガスの流量を調節することができる。なお、排気ダクト５５３に、エジェクタまたは排気ポンプ等の排気を促進する機器を介設してもよい。

次に、処理流体供給部４０について説明する。処理流体供給部４０は、処理流体（液体または気体）を供給する複数のノズルを有する。これらの複数のノズルには、図３に示すように、ＳＣ１液を吐出するＳＣ１ノズル４１１、ＤＩＷ（純水）の液滴と窒素ガスとを含む二流体を吐出するＡＳノズル４１２、ＤＨＦ（希フッ酸）を吐出するＤＨＦノズル４１３、純水（ＤＩＷ）を吐出する第１ＤＩＷノズル４１４、暖められたＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を吐出するＩＰＡノズル４１５、窒素ガスを鉛直方向下方に向けて吐出する第１窒素ガスノズル４１６、窒素ガスを斜め下方に向けて吐出する第２窒素ガスノズル４１７、ＳＣ２液を吐出するＳＣ２ノズル４１８、及び純水（ＤＩＷ）を吐出する第２ＤＩＷノズル４１９が含まれる。

ＡＳノズル４１２は、窒素ガスの流れにＤＩＷを合流させることによりＤＩＷをミスト化させ、このミスト化したＤＩＷと窒素ガスとを含む二流体を吐出する。ＡＳノズル４１２に窒素ガスを供給しないでＤＩＷのみを供給することにより、ＡＳノズル４１２からミスト化されていないＤＩＷのみを吐出させることができる。ＩＰＡノズル４１５から、ＤＩＷと相溶性があり、ＤＩＷより揮発性が高く、かつ、ＤＩＷより表面張力の低いＤＩＷ以外の溶剤を吐出することもできる。

ＳＣ１ノズル４１１及びＡＳノズル４１２は第１ノズルアーム４２１に保持されている。ＤＨＦノズル４１３、第１ＤＩＷノズル４１４及びＩＰＡノズル４１５は、第２ノズルアームに保持されている。第１窒素ガスノズル４１６及び第２窒素ガスノズル４１７は第３ノズルアームに保持されている。第１〜第３ノズルアーム４２１，４２２，４２３は各々に備えられたアーム駆動機構４３１，４３２，４３３により、鉛直軸線周りに旋回することができ、かつ、鉛直方向に昇降することができる。各アーム駆動機構４３１，４３２，４３３は、例えば上記旋回機能を実現するための旋回駆動機構として回転モータ（図示せず）、上記昇降機能を実現するための昇降機構としてエアシリンダ（図示せず）を備えることができる。

アーム駆動機構４３１により第１ノズルアーム４２１を旋回させることにより、ＳＣ１ノズル４１１及びＡＳノズル４１２を、カップ５０外方の待機場所４４１と、ウエハＷの中心部Ｗｃの真上の位置との間の任意の位置に位置させることができる（図３の矢印Ｍ１を参照）。アーム駆動機構４３２により第２ノズルアーム４２２を旋回させることにより、ＤＨＦノズル４１３、第１ＤＩＷノズル４１４及びＩＰＡノズル４１５を、カップ５０外方の待機場所４４２と、ウエハＷの中心部Ｗｃの真上の位置との間の任意の位置に位置させることができる（図３の矢印Ｍ２を参照）。アーム駆動機構４３３により第３ノズルアーム４２３を旋回させることにより、第１窒素ガスノズル４１６及び第２窒素ガスノズル４１７を、カップ５０外方のホーム待機場所４４３と、ウエハＷの中心部Ｗｃの真上の位置との間の任意の位置に位置させることができる（図３の矢印Ｍ３を参照）。

本明細書において、説明の便宜上、待機場所（４４１，４４２，４４３）の真上を、対応するノズル（４１１〜４１７）のホームポジション、対応するノズル（４１１〜４１７）がホームポジションにあるときの対応するノズルアーム（４２１，４２２，４２３）の位置をそのノズルアームのホームポジションとも言う。

アーム駆動機構４３１に備えられた昇降機構により、は、各ノズルアーム（４２１，４２２，４２３）を低位置ＬＮと高位置ＨＮとの間で移動させることができ（図４参照）、これに伴い、該当するノズルアームに担持されたノズルを、ウエハＷに近接した近接位置と近接位置よりもウエハＷから離れた離間位置との間で移動させることができる。

ＳＣ２ノズル４１８及び第２ＤＩＷノズル４１９は不動の固定ノズルであり、後述する床板９６の上に固定されている。ＳＣ２ノズル４１８及び第２ＤＩＷノズル４１９は、予め定められた流量で液を吐出することにより、これらのノズル４１８，４１９から吐出された液が放物線を描いて飛んでウエハＷの中心部Ｗｃに落ちるように設置されている。

回転軸３２の内部を円筒体４５０が上下方向に延びている。円筒体４２０は、回転軸３２が回転しても回転しないように設置されている。円筒体４２０の内部には、１つまたは複数の処理流体供給路４５１（図２では１つだけ示す）が上下方向に延びている。処理流体供給路４５１の上端開口が処理流体を供給するための下面ノズル４５２をとなる。この下面ノズル４５２からは、ウエハＷの裏面（下面）に、例えば、リンス液またはパージ液としてのＤＩＷ、乾燥ガスまたはパージガスとしての窒素ガスを供給することができる。以下の説明においては、この下面ノズル４５２についての言及はしない。

各ノズル（４１１〜４１９）には、対応する処理流体供給源（例えばＳＣ１、ＤＨＦ等を貯留する薬液供給タンク、工場用力として提供される純水、窒素ガス等の供給元等の各種供給部のいずれか（図示せず））から、対応する処理流体供給機構（図示せず）を介して、上記の処理流体のいずれかが供給される。処理流体供給機構は、各ノズル（４１１〜４１９）と対応する処理流体供給源とを接続する供給ラインと、この供給ラインに介設された開閉弁、流量制御弁等の流量制御機器等から構成することができる。

処理液ノズル（ＳＣ１ノズル４１１、ＡＳノズル４１２、ＤＨＦノズル４１３、第１ＤＩＷノズル４１４、ＳＣ２ノズル４１８、第２ＤＩＷノズル４１９等）から回転するウエハＷに供給された処理液は、処理液のウエハＷ表面への衝突により（２つ以上のノズルから同時に液がウエハＷ表面に供給された場合には液同士の衝突にもより）、あるいは、ウエハから遠心力により振り切られることにより、微小な液滴となって飛散する。この飛散した液滴がチャンバ２０の内壁面あるいはチャンバ２０内の装置構成部品に付着すると、背景技術で述べたような問題が生じうる。

飛散した処理液がチャンバ２０の内壁面に到達することを防止するか、少なくとも大幅に抑制するために、カップ５０のさらに外側にミストガード８０が設けられている。

ミストガード８０は、外周筒部８１と、この外周筒部８１の上端部から外周筒部８１の（半径方向）内側に向かって延びて排気カップ５１の上方に張り出す張出部８２とを有している。張出部８２の先端部の下面には、下方に向けて突出する突起８３が設けられている。

ミストガード８０は、昇降機構８４（図３を参照）により昇降させられて、三つの異なる高さ位置、すなわち高位置ＨＧ（図２では一点鎖線で示す）、低位置ＬＧ（図２では実線で示す）及び中間位置ＭＧ（図２では二点鎖線で示す）をとることができる（図４も参照）。昇降機構８４は、図３に概略的に示すように、例えば三位置のエアシリンダ８４ａにより構成することができる。ミストガード８０は、外周筒部８１から外側に張り出すフランジ部８５を有しており、このフランジ部８５に、その下方にあるエアシリンダ８４ａのロッド８４ｂが接続され、ロッド８４ｂの進退に伴いミストガード８０が昇降する。昇降機構は８４は、回転モータにより駆動される直動機構、あるいはリニアモータにより構成してもよい。この場合、ミストガード８０を任意の高さ位置に固定することができる。

図５には、高位置ＨＧにあるミストガード８０が示されている。ミストガード８０は、高位置ＨＧにあるときに、ノズル（ＳＣ１ノズル４１１、ＡＳノズル４１２、ＤＨＦノズル４１３、第１ＤＩＷノズル４１４、ＳＣ２ノズル４１８、第２ＤＩＷノズル４１９等）から回転するウエハＷに供給された後にウエハＷから飛散する処理液（図５では破線矢印で示してある）がチャンバ２０の内壁に到達することを最も効果的に防止するための位置である。ミストガード８０の高位置ＨＧの望ましい高さは、ウエハＷ回転数、ウエハＷ表面上への処理液供給条件（流量等）により異なるので、実験により定めるのがよい。一例として、高位置ＨＧにあるミストガード８０の最上部の高さは、ウエハＷの表面の高さより６０ｍｍ高い。ミストガード８０が高位置ＨＧに位置しているときには、図４（ａ）に示すように、前述した近接位置にあるノズル（ノズル４１１〜４１７のいずれかに対応する。図４では参照符号Ｎを付した。）の吐出口（図４では参照符号ＮＰを付した）がミストガード８０の張出部８２の内周端よりも低い位置に位置し、かつ、当該ノズルＮに対応するノズルアーム（４２１，４２２，４２３のいずれかに対応する。図４では参照符号Ａを付した。）は張出部８２より上方に位置する。なお、ミストガード８０の高位置ＨＧの適切な高さは、ウエハＷ回転数、ウエハＷ表面上への処理液供給条件（流量等）により異なるので、それら条件に応じて高位置ＨＧの高さを決定することが好ましい。

図６には、低位置ＬＧにあるミストガード８０が示されている。低位置ＬＧは、ミストガード８０がとりうる下限位置であり、このときミストガード８０の張出部８２の突起８３が、排気カップ５１の張出部５１２の上面に接する。つまり、ミストガード８０と排気カップ５１の互いに対面する表面の間の空間が、ウエハＷ近傍のウエハＷの上方空間から隔離される。また、ミストガード８０が低位置ＬＧに位置しているときには、ウエハＷの上方空間からチャンバ２０の周縁部にある排気口（後述するスリット状開口９７）に向かうガスの流れ（図５では実線矢印で示す）がミストガード８０により妨げられなくなる。

ミストガード８０の中間位置ＭＧは、前述した高位置ＨＧと低位置ＬＧとの中間の高さにある。図５には、中間位置ＭＧにあるミストガード８０が鎖線で示されている。ミストガード８０が中間位置ＭＧに位置しているときには、ミストガード８０の張出部８２が排気カップ５１の張出部５１２から上方に離れ、（高位置ＨＧにあるときほどではないが）ウエハＷから飛散する処理液がチャンバ２０の内壁に到達することをある程度抑制することができる。また、ミストガード８０が中間位置ＭＧに位置しているときには、図４（ｂ）に示すようにノズルＮ（前述した離間位置にある）の吐出口ＮＰがミストガード８０の張出部８２の内周端よりも高い位置に位置し、ノズルＮは、ミストガード８０と干渉することなく、ミストガード８０の上方を越えて、ウエハＷの面内の上方の位置と上述した待機位置との間を自在に移動することができる。

前述したように、各アーム駆動機構（４３１，４３２，４３３）は昇降機構を含んでいるため、ミストガード８０を中間位置ＭＧに位置させたときにノズルアーム（４２１，４２２，４２３）を高位置ＨＮに上昇させて、対応するノズルがミストガード８０の上方をより十分なクリアランスをもって（干渉の恐れなく）通過することができるようにすることができる。つまり、アーム駆動機構に昇降機構を設けることにより、ミストガード８０の中間位置ＭＧを比較的高く設定することができ、ミストガード８０が中間位置ＭＧにあるときにウエハＷに供給された処理液がミストガード８０を越えて飛散することを抑制することができる。また、ミストガード８０が高位置ＨＧにありノズルからウエハＷに処理液が供給されているときのノズルの吐出口をウエハＷの表面に十分に近づけることができ、ウエハＷの表面上での処理液の液はねを低減することができる。

なお、ミストガード８０を中間位置ＭＧに位置させたときにノズルアーム（４２１，４２２，４２３）を高位置ＨＮに上昇させることは上記の通り好ましいのであるが、低位置ＬＮに維持し続けても構わない。

図７に示すように、ミストガード８０の外周筒部８１には、ミストガード８０が高位置にあるときにＳＣ２ノズル４１８及び第２ＤＩＷノズル４１９から吐出された液の飛跡が通過する位置に、通液開口８６が形成されている。

図２に示すように、排気カップ５１の外周筒部５１１の外側に、ミストガード８０の外周筒部８１を収容する円筒状のガードポケット９０（ミストガード収容部）が設けられている。ガードポケット９０は、排気カップ５１の外周筒部５１１の外周面と、外周筒部５１１に対面する円筒状の鉛直壁（縦壁）９１と、底壁９２により画定されている。底壁９２には、円周方向に等間隔に複数の排出口９３が形成されている（図３には１つだけ示す）。排出口９３には排出管９４（排出ライン）が接続されている。

ガードポケット９０を構成する鉛直壁９１から概ね水平方向外側に向けてチャンバ２０内に形成される処理空間の下限を画定する床板９６が設けられている。床板９６は、ミストガード８０の全周を囲んでいる。つまり、床板９６にはミストガード８０の外周筒部８１の外形よりやや大きな直径を有する開口（鉛直壁９１に対応）が設けられており、この開口内にミストガード８０およびカップ５０が収容されていることになる。床板９６は、上記開口から、チャンバ２０の側壁２０ａに至るまで延びている。

床板９６の一部は、チャンバ２０の側壁２０ａの手前で終端しており、これにより、床板９６の外側端９６ａとチャンバ２０の側壁２０ａとの間にスリット状開口９７が形成される。床板９６の下方には、チャンバ２０内の空間（処理空間）の雰囲気を排気するための排気空間９８が形成されている。排気空間９８は、床板９６、チャンバ２０の側壁２０ａ、底壁２０ｂ等の壁体、及び鉛直壁９１により画定されている。

図３に示すように、チャンバ２０は４つの側壁２０ａを有しており、そのうちの３つに沿ってそれぞれ１ずつスリット状開口９７が設けられている。これらの３つのスリット状開口９７は共通の１つの排気空間９８に接続されている。残りの１つの側壁２０ａには、ウエハＷをチャンバ２０内に搬出入するためのシャッタ２５付きの搬出入口２４が設けられているので、ここには、スリット状開口９７は設けられていない。

図２に示すように、排気空間９８に面するチャンバ２０の底壁２０ｂには、排気口９９が設けられている。排気口９９には、排気管１００（排気ライン）が接続されている。排気管１００には、排出管９４が合流している。合流点の下流側において、排気管１００には、ミストトラップ（気液分離部）１０１およびバタフライ弁またはダンパ等の流量制御弁１０２が介設されている。排気管１００の下流端は、減圧雰囲気の工場排気系のダクト（図示せず）に接続されている。流量制御弁１０２の開度を調節することにより、排気空間９８及びガードポケット９０内の減圧の度合いを調整することができ、その結果、チャンバ２０内の空間から排気空間９８内に引き込まれるガスの流量、並びにウエハＷの上方の空間からガードポケット９０内に引き込まれるガスの流量を調節することができる。

床板９６の上面は、チャンバ２０の側壁２０ａに近づくに従って高さが低くなるように緩やかに傾斜している。床板９６の上面は平滑かつ平坦である。前述したように、床板９６の上面には、ＳＣ２ノズル４１８及び第２ＤＩＷノズル４１９が設けられている部分並びに必要なセンサ類及び補機類が設けられている部分を除き、実質的に凹凸は無く、床板９６近傍をガスが円滑にスリット状開口９７に向けて流れることができる。また、メンテナンス時にチャンバ２０内を洗浄したときに、スリット状開口９７を介して洗浄液がスムーズに排気空間９８に流れ込むようになっている。

高位置にあるミストガード８０の外周筒部８１の下端は、図５に示すように、ガードポケット９０の上端よりやや上方に位置する。発明者の実験によれば、ミストガード８０が高位置ＨＧにあるときには、外周筒部８１の下端付近には処理液の液滴は殆ど衝突せず、液滴の大半はミストガード８０の比較的高い位置に衝突する。このため、外周筒部８１の下端をガードポケット９０の上端より低くするメリットは殆ど無い。むしろ、外周筒部８１の下端をガードポケット９０の上端より高くすることにより、ミストガード８０の張出部８２と排気カップ５１の張出部５１２との間の空間内の雰囲気（ガス、ミストなど）が、スリット状開口９７またはガードポケット９０内にスムーズに流れ込むようになり、ウエハＷ上方空間に薬液由来の雰囲気や高湿度雰囲気（ミストを含む）が滞留することをより確実に防止することができるというメリットが得られる。

図８に示すように、排気カップ５１の張出部５１２の上面に、ミストガード８０の内面を洗浄するための洗浄液例えばＤＩＷを吐出する複数例えば４つの洗浄液吐出ノズル１１０が、張出部５１２の円周方向に等間隔に配置されている。４つの洗浄液吐出ノズル１１０のうちの一つが図８に示されている。

ミストガード８０が下限位置である低位置ＬＧに位置しているときに、洗浄液供給部から供給された洗浄液が、洗浄液吐出ノズル１１０からミストガード８０の張出部８２の下面に向けて噴射される。張出部８２の下面は、ミストガード８０の半径方向内側にゆくに従って高くなるように傾斜しているので、噴射された洗浄液は張出部８２の下面に沿って斜め上方に進む。このとき、突起８３と排気カップ５１の張出部５１２の上面とが接しているため、洗浄液は突起８３より先へは進まない。このため、洗浄液吐出ノズル１１０から噴射された洗浄液は、排気カップ５１とミストガード８０の互いに対面する表面の間の空間を満たす。洗浄液吐出ノズル１１０からの洗浄液の吐出を止めると、張出部５１２の上面５１６は半径方向内側にゆくに従って高くなるように傾斜しているので、洗浄液はガードポケット９０に向けて流れ落ちてゆく。上記の洗浄液の流れにより、排気カップ５１とミストガード８０の互いに対面する表面が洗浄される。洗浄液は、排出管９４を介してガードポケット９０から排出され、ミストトラップ１０１に流入し、ミストトラップ１０１に接続されたドレン管を介して工場廃液系に流出する。

上記洗浄液吐出ノズル１１０以外にも、カップ５０の内部および近傍の部材を自動的に洗浄するための洗浄液ノズルを設けることができるが、本明細書ではそれらには言及しない。

次に、上記処理ユニット１６の運転シーケンスの一例について説明する。以下の運転シーケンスは制御装置４の記憶部１９に記憶されたプロセスレシピ及び制御プログラムにより、制御装置４の制御の下で自動的に実行される。

まず、基板搬送装置１７のアームが搬出入口２４を通してウエハＷをチャンバ２０内に搬入し、ウエハＷは基板保持機構３０の保持部３１により保持される。基板搬送装置１７のアームがチャンバから退出した後、シャッタ２５が閉じられる。ウエハＷの搬入時には、ミストガード８０は低位置に位置している。以下、このウエハＷに対して、一連の処理が行われる。ここでは、ウエハＷに対して、ＤＨＦ洗浄工程、ＤＩＷリンス工程、ＳＣ１洗浄工程、ＤＩＷリンス工程、ＩＰＡ置換工程、乾燥工程が順次行われる場合について説明する。

［ＤＨＦ洗浄工程］
まず、第２ノズルアーム４２２が旋回し（図３の矢印Ｍ２を参照）、ＤＨＦノズル４１３、第１ＤＩＷノズル４１４及びＩＰＡノズル４１５が、低位置ＬＧにあるミストガード８０（図４（ｃ）を参照）の上方を越えて、ウエハＷの中心部の真上に位置する（図９（ａ）を参照）。次いで、ミストガード８０が上昇して高位置ＨＧに位置する（図４（ａ）、図５を参照）。次いで、ウエハＷが回転を開始する。ウエハＷの回転はウエハＷに対する一連の処理が収容するまでずっと継続する。回転するウエハＷの中心部にＤＨＦノズル４１３からＤＨＦが供給される。ＤＨＦは遠心力によりウエハＷの表面をウエハＷの周縁に向かって流れ、ウエハＷの表面全体がＤＨＦの液膜により覆われ、ウエハＷの表面がＤＨＦにより処理される。

ウエハＷから飛散した処理液（ここではＤＨＦ）は、その殆どが第１、第２回転カップ５３，５４の間を通って斜め下方に向けて流れる。その後、処理液は、処理液の種類（酸性、アルカリ性、有機）に応じて予め定められている第１及び第２可動カップ要素５２２，５２３の位置に応じて、液体通路５２５ａ，５２５ｂ，５２５ｃのいずれか（入口が開いているもの）に流入し、次いで液溜まり５２２ａ，５２２ｂ，５２２ｃのいずれかに流入し、排液ライン５２３ａ，５２３ｂ，５２３ｃのいずれかを介して工場廃液系に廃棄される。なお、上記の処理液の流れについては、ウエハＷの表面に処理液が供給される工程全てにおいて共通するため、これ以降の工程における重複説明は省略する。

ウエハＷから飛散した処理液の一部は、排気カップ５１の張出部５１２の上方を越えて、チャンバ２０の側壁２０ａに向かおうとする。このような処理液の液滴の殆どが、高位置にあるミストガード８０の内面に衝突し、捕捉される。このため、チャンバ２０の側壁２０ａへの処理液の液滴の付着が防止されるか、あるいは最小限に抑制される。ミストガード８０に捕捉された液は、ミストガード８０の内面上に付着するか、あるいはミストガード８０の内面上を重力により下方に流れてゆく。

遅くともウエハＷに対する最初の処理液（ここではＤＨＦ）の供給が開始されるときには（通常は、基板処理システム１が通常運転されているときには常時）、ＦＦＵ２１からチャンバ２０の内部空間すなわち処理空間内に向けて清浄空気が下向きに吹き出している。この清浄空気の流れは整流板２２により整流され、ウエハＷに向かう。

遅くともウエハＷに対する最初の処理液の供給が開始されるときには、排気ダクト５５３を介して排気通路５５１内が排気されており、これにより、排気カップ５１の張出部５１２の先端と排液カップ５２の張出部５２１ｂの先端との間の隙間から、ウエハＷ近傍のウエハＷ上方空間の雰囲気が吸引される（図５の実線矢印を参照）。排気ダクト５５３を介した排気流量は、ウエハＷがチャンバ２０内に搬入されてから搬出されるまでずっと一定に維持される。従って、ウエハＷの上方の空間にＦＦＵ２１から供給された清浄空気が供給される一方で、ウエハＷの上方の空間内にある雰囲気が排気通路５５１内に引き込まれる。これにより、ウエハＷ近傍のウエハＷ上方空間の雰囲気が清浄に維持される。

本実施形態では、液体通路５２５ａ，５２５ｂ，５２５ｃは排気（吸引）されていない。つまり、ウエハＷ近傍のウエハＷ上方空間からカップ５０内に流入するガスは、液体通路５２５ａ，５２５ｂ，５２５ｃには流入せずに、全て排気通路５５１に流入する。液体通路５２５ａ，５２５ｂ，５２５ｃの断面形状を互いに同一にすることは不可能であり、液体通路５２５ａ，５２５ｂ，５２５ｃの流路抵抗は互いに異なる。液体通路５２５ａ，５２５ｂ，５２５ｃを吸引している場合、この流路抵抗の相違を原因として、開放されている液体通路に応じて、ウエハＷ近傍のウエハＷ上方空間からカップ５０内に流入するガスの流量が異なることになる。本実施形態ではこのような問題が生じず、ウエハＷ近傍のウエハＷ上方空間におけるガスの流れが、処理に使用している処理液の種類に関わらず一定に維持される。このことは処理の均一性の向上に寄与する。

遅くともウエハＷに対する最初の処理液の供給が開始されるときには、排出管９４及び排気管１００を介してガードポケット９０の内部空間および排気空間９８が吸引（排気）されている。この排気は、ウエハＷがチャンバ２０内に搬入されてから搬出されるまでずっと維持される。この排気により、床板９６より上方のミストガード８０とチャンバ２０の側壁２０ａとの間の空間、並びにミストガード８０の張出部８２と排気カップ５１の張出部５１２の間の空間に存在する雰囲気（ガス、ミスト等）が、ガードポケット９０内に吸い込まれるか、あるいは、スリット状開口９７を介して排気空間９８内に吸い込まれる（図５及び図６の実線矢印を参照）。これにより上記の空間に汚染性または高湿度の雰囲気が滞留することを防止することができる。

ミストガード８０の内面上を重力により下方に流れる液滴は、ガードポケット９０内に落ち、排出管９４及び排気管１００を通って流れ、ミストトラップ１０１のドレン１０３から図示しない工場廃液系に排出される。

［ＤＩＷリンス工程（１回目）］
ＤＨＦ洗浄工程が終了したら、ミストガード８０を高位置ＨＧに維持したまま、第１ＤＩＷノズル４１４からのＤＩＷの吐出を開始するともに、その直後にＤＨＦノズル４１３からのＤＨＦの吐出を止める。このＤＩＷにより、ウエハＷ上に残留するＤＨＦと反応生成物が洗い流される。

［ＳＣ１洗浄工程］
ＤＩＷリンス工程からＳＣ１洗浄工程への移行にあたって、まず最初にノズルアームの入れ替えが行われる（図９（ａ）〜（ｃ）を参照）。第１ＤＩＷノズル４１４からＤＩＷを吐出し続けたまま（ウエハＷの表面のＤＩＷの液膜切れが生じない範囲で吐出流量を減少させてもよい）、ミストガード８０を下げ中間位置ＭＧに位置させ、さらに、ノズルアーム４２１，４２２を上昇させ高位置ＨＮに位置させる（図４（ｂ）を参照）。次いで、第１ノズルアーム４２１を旋回させ、ＡＳノズル４１２をウエハＷの中心部の真上に位置させる。このとき、第１ノズルアーム４２１の先端部にあるノズルと第２ノズルアーム４２２の先端部にあるノズル同士が衝突しないように、ＳＣ１ノズル４１１がウエハＷの中心部の真上に到達する直前から、第２ノズルアーム４２２の第１ＤＩＷノズル４１４からＤＩＷを吐出し続けたままで第２ノズルアーム４２２の退避旋回、すなわち第２ノズルアーム４２２のホームポジションに向けた移動を開始する（図９（ｂ）を参照）。また、ＡＳノズル４１２がウエハＷの中心部の真上に到達するやや前の時点で、ＡＳノズル４１２からＤＩＷの吐出を開始する。なおこのとき、ＡＳノズル４１２の二流体生成機能を用いずに（すなわち窒素ガスをＡＳノズル４１２に供給しないで）、ＡＳノズル４１２からミスト化されていないＤＩＷの吐出を行う。ウエハＷの中心部にＡＳノズル４１２からＤＩＷの供給が開始された後、第１ＤＩＷノズル４１４からのＤＩＷの吐出が停止される。ＡＳノズル４１２がウエハＷの中心部の真上に位置し、第１ＤＩＷノズル４１４がホームポジションに戻ったら（図９（ｃ）を参照）、ミストガード８０を上昇させて高位置ＨＧに位置させ、さらに、第１ノズルアーム４２１を低位置ＬＮに位置させる（図４（ａ）を参照）。

このようにＡＳノズル４１２からウエハＷ中心部付近にＤＩＷを供給している期間と、第１ＤＩＷノズル４１４からウエハＷ中心部付近にＤＩＷを供給している期間とを重複させることにより、ウエハＷ表面からＤＩＷの液膜が部分的に消失することによりウエハＷ表面の一部が大気雰囲気に晒されること（ウオーターマーク、パーティクル発生の原因となる）を防止することができる。この効果を達成可能である限りにおいて、ＡＳノズル４１２からのＤＩＷの吐出開始タイミングおよび第１ＤＩＷノズル４１４からのＤＩＷの吐出停止タイミングは任意である。

なお、ミストガード８０が中間位置ＭＧに位置しているときには、高位置ＨＧに位置しているときと比較して、ミストガード８０の液滴飛散遮断機能が低下している。このため、ウエハＷからの液滴の飛散量、飛散高さ等を減少させるため、ウエハＷの回転速度を減少させること、及び／又はＡＳノズル４１２及び第１ＤＩＷノズル４１４からのＤＩＷの吐出流量を減少させること（ウエハＷの表面露出が生じない範囲で）、ＡＳノズル４１２と第１ＤＩＷノズル４１４とが同時にＤＩＷを吐出している時間をできるだけ短くすること（別々のノズルから吐出された液がウエハＷ上で衝突するとスプラッシュが生じやすいため）等の対策を講じることが好ましい。

次いで、ＳＣ１ノズル４１１からウエハＷ中心部にＳＣ１の供給を開始し、その直後にＡＳノズル４１２からのＤＩＷの吐出を停止する。予め定められた時間だけＳＣ１をウエハＷに供給することにより、ウエハＷにＳＣ１洗浄が施される。このときも、ウエハＷから飛散する処理液の液滴は、ミストガード８０により捕捉される。ＳＣ１洗浄工程を実施しているときの排気動作は、ＤＨＦ洗浄工程を実施しているときと同じであるので、重複説明は省略する。

［ＤＩＷリンス工程（２回目）］
ＳＣ１洗浄工程が終了したら、ミストガード８０を高位置ＨＧに維持したまま、ＡＳノズル４１２からのＤＩＷの吐出を開始するとともに、その直後にＳＣ１ノズル４１１からのＳＣ１の吐出を止める。このＤＩＷにより、ウエハＷ上に残留するＳＣ１と反応生成物が洗い流される。

［ＩＰＡ置換工程］
ＤＩＷリンス工程（２回目）からＩＰＡ置換工程への移行にあたって、まず最初に、ノズルアームの入れ替えが行われる。ＡＳノズル４１２からＤＩＷを吐出し続けたまま（ウエハＷの表面のＤＩＷの液膜切れが生じない範囲で吐出流量を減少させてもよい）、ミストガード８０を下げ、中間位置ＭＧに位置させ、さらに、ノズルアーム４２１，４２２を上昇させ高位置ＨＮに位置させる（図４（ｂ）を参照）。次いで、第２ノズルアーム４２２を旋回させ、第１ＤＩＷノズル４１４をウエハＷの中心部の真上に位置させる。このとき、第１ノズルアーム４２１の先端部にあるノズルと第２ノズルアーム４２２の先端部にあるノズル同士が衝突しないように、第１ＤＩＷノズル４１４がウエハＷの中心部の真上に到達する直前から、第１ノズルアーム４２１のＡＳノズル４１２からＤＩＷを吐出し続けたままで、ノズルアーム４２１の退避旋回、すなわち第２ノズルアーム４２１のホームポジションに向けた移動を開始する（図９（ｄ）を参照）。また、第１ＤＩＷノズル４１４がウエハＷの中心部の真上に到達するやや前の時点で、第１ＤＩＷノズル４１４からＤＩＷの吐出を開始する。なおこのとき、ウエハＷの中心部に第１ＤＩＷノズル４１４からＤＩＷの供給が開始された後、ＡＳノズル４１２からのＤＩＷの吐出が停止される。

次に、図９（ｄ）の状態で、ＩＰＡノズル４１５からＩＰＡの吐出を開始するとともに、その直後に第１ＤＩＷノズル４１４からのからのＤＩＷの吐出を止める。ＩＰＡの吐出開始と同時、あるいはそのやや後に、ミストガード８０を下降させ、低位置ＬＧに位置させる。供給されたＩＰＡによりウエハＷ表面上にあるＤＩＷが置換され、ウエハＷの表面がＩＰＡの液膜により覆われる。

［乾燥工程］
第１ノズルアーム４２１がホームポジションに戻った後、第３ノズルアーム４２３を旋回させ、第１窒素ガスノズル４１６をウエハＷの中心部の真上に位置させる。第１窒素ガスノズル４１６がウエハＷの中心部の真上に近づいてきたら、ＩＰＡノズル４１５からＩＰＡの吐出を継続しつつ第２ノズルアーム４２２をホームポジションに向けて（ウエハＷの周縁部に向けて）移動させ始める。第１窒素ガスノズル４１６がウエハＷの中心部の真上に位置したときに第１窒素ガスノズル４１６から窒素ガスの吐出を開始する。次いで、第２窒素ガスノズル４１７からの窒素ガスの吐出を開始し、第３ノズルアーム４２３をホームポジションに向けて（ウエハＷの周縁部に向けて）移動させ始める（図９（ｆ）を参照）。

ＩＰＡノズル４１５から吐出されるＩＰＡのウエハＷ表面上への衝突位置が、第２窒素ガスノズル４１７から吐出される窒素ガスのウエハＷ表面上への衝突位置よりもウエハＷの半径方向外側に維持されるように、第１ノズルアーム４２１及び第３ノズルアーム４２３の旋回運動が制御される。これにより、第２窒素ガスノズル４１７から吐出した窒素ガスがＩＰＡの液膜をウエハ周縁方向に押しやり、ウエハＷ表面に形成される円形の乾燥領域が中心部から周縁部に向けて徐々に広がってゆく。ＩＰＡノズル４１５がウエハＷの周縁を通過した後、第２窒素ガスノズル４１７がウエハＷの周縁を通過する時点において、ウエハＷの表面全域が乾燥する。以上により乾燥工程が終了する。ノズルアーム４２１、４２３はそれぞれのホームポジションに戻り、そこで待機する。

この乾燥工程においては、ミストガード８０が低位置ＬＧに位置している。このため、ウエハＷの上方の空間からスリット状開口９７に向かうガスの流れがミストガード８０により妨げられない。これにより、ウエハＷの上方の空間に前工程で飛散したＤＩＷのミストまたは蒸気が滞留することが防止または低減される。このためウエハＷの上方の空間を低湿度に維持することができ、乾燥効率を向上させることができる。なお、ＩＰＡが飛散してチャンバ２０の側壁２０ａに付着したとしても、高揮発性のＩＰＡは短時間で蒸発してチャンバ２０外部に排気されるため、チャンバ２０内の雰囲気に悪影響を及ぼすことはない。

なお、乾燥工程を実施している間に、先に図８を参照して説明した手順により、低位置ＬＧに位置しているミストガード８０に対して洗浄処理が行われ、ミストガード８０の表面（ウエハＷ側の面）に付着している薬液成分が除去される。

乾燥工程の終了後、搬入時と逆の手順により、処理済みのウエハＷがチャンバ２０の外部に搬出される。

なお、上記の運転シーケンスには含まれなかったが、図７に示すように、ミストガード８０を高位置ＨＧにした状態で、ＳＣ２ノズル４１８からウエハＷの中心部にＳＣ２液を供給してＳＣ２洗浄を行い、その後に、第２ＤＩＷノズル４１９からウエハＷの中心部にＤＩＷを供給してリンス処理を行う工程を運転シーケンスに含めてもよい。

上記の実施形態によれば、昇降可能なミストガード８０を設けることにより、上昇したミストガード８０により飛散する薬液成分または水分を遮蔽することにより、薬液成分または水分がチャンバ２０の内壁面、あるいはチャンバ内機器に付着することを効率良く防止することができる。また、ミストガード８０が張出部８２を有しているため、上記の遮蔽効果を一層高めることができる。また、ミストガード８０を下降させておくことにより、例えば乾燥時にウエハＷ上方の雰囲気の排気がミストガード８０により妨げられないので、乾燥効率を向上させることができる。

上記実施形態においては、高位置ＨＧにあるミストガード８０の外周筒部８１の下端部はガードポケット９０の外にあったが、中にあってもよい。この場合、図１０に示すように、外周筒部８１の下端部に通気開口８７を設けることができる。好ましくは、ミストガード８０の周方向に沿って延びる複数の通気開口８７が、ミストガード８０の周方向に間隔を空けて設けられる。通気開口８７を設けることにより、ミストガード８０のウエハ側の空間からチャンバ２０の側壁２０ａにガスを通過させてスリット状開口９７に流入させることができる。

上記実施形態においては、排気カップ５１がカップ５０を構成する最外周の不動のカップ形構成要素であったが、これには限定されない。カップ５０から排気カップ５１を取り除き、排液カップ５２をカップ５０を構成する最外周の不動のカップ形構成要素としてもよい。この場合、排液カップ５２の外側に隣接してミストガード８０が設けられる。この場合の排液カップ５２とミストガード８０との位置関係は、図４において、排気カップ５１を排液カップ（５２）と見なすことにより理解できる。なお、この場合、例えば、排液ライン５２３ａ、５２３ｂ、５２３ｃを構成する配管は工場排気系（または吸引ポンプ若しくはエジェクタ等の吸引装置）に接続されて排気ラインとしての役割も持たされる。この場合、排気ラインに、ミストトラップ等の気液分離装置が設けられ、ミストトラップで分離された液体は例えば工場廃液系に廃棄される。

図１１を参照してミストガード８０の洗浄処理について他の実施形態について説明する。図１１において、図１〜図１０を参照して既に説明した部材と同一部材については、同一符号を付し、重複説明は省略する。

図１１に示すミストガード８０Ａは、図８に示すミストガード８０に対して、張出部８２の下面にリング状（円環状）の隙間形成部８２３（下方に突出している部分）を設けた点が異なる。隙間形成部８２３は、ミストガード８０Ａの外周筒部８１の内周面から半径方向内側に向けて延びている。この隙間形成部８２３を設けることにより、隙間形成部８２３の下面とこれと対向する排気カップ５１の張出部５１２の上面との間の隙間Ｇ１が、ミストガード８０Ａの隙間形成部８２３が設けられていない部分（隙間Ｇ１より半径方向内側）とこれと対向する排気カップ５１の張出部５１２の上面との間の隙間Ｇ２よりも狭くなっている。

隙間Ｇ１の大きさは、隙間Ｇ１の全域に後述する洗浄液が広がることができる程度には大きく、しかしながら隙間Ｇ１から容易には洗浄液が流出しない程度に小さいような値とすることが好ましく、例えば０．１〜０．５ｍｍ程度である。

隙間形成部８２３は、ミストガード８０Ａの張出部８２の全周にわたって円周方向に連続的に延びている。隙間形成部８２３の下面には、洗浄液吐出ノズル１１０から供給された洗浄液を隙間Ｇ２に導くための複数の径方向溝８２４が形成されている。径方向溝８２４の溝底面（溝の上端面）とこれに対向する排気カップ５１の張出部５１２の上面との間の隙間は、隙間Ｇ１より広い。径方向溝８２４は、半径方向内側へ向けて延び、隙間Ｇ２と連通している。径方向溝８２４は洗浄液ノズル１１０と同じ数設けられている。洗浄液ノズル１１０は、径方向溝８２４に対向する位置において張出部５１２に設けられ、径方向溝８２４に向けて洗浄液を供給する。径方向溝８２４は、厳密に径方向に延びている必要はなく、径方向に対して角度を成して延びていても構わない。

リング状の隙間形成部８２３の下面には、円周方向にミストガード８０Ａの全周にわたって延びる円周溝（周方向溝）８２５が形成されている。この円周溝８２５は全ての径方向溝８２４と交差し、全ての径方向溝８２４と連通している。円周溝８２５の半径方向位置は、洗浄液吐出ノズル１１０よりも半径方向内側にある。

隙間形成部８２３、径方向溝８２４、円周溝８２５を設けたことの効果について以下に説明する。

ミストガード８０Ａを図１１に示すように前述した低位置ＬＧに位置させ、洗浄液吐出ノズル１１０から洗浄液としてのＤＩＷを吐出させる。各洗浄液吐出ノズル１１０から吐出された洗浄液は、対応する径方向溝８２４を通って、隙間Ｇ２内に流入する。

このとき、洗浄液吐出ノズル１１０から吐出される洗浄液の流量は、隙間Ｇ１を通ってガードポケット９０内に流出する洗浄液の流量よりも多くしている。このため、隙間Ｇ２を全周にわたって洗浄液で満たすことができる。このとき、ミストガード８０Ａの張出部８２の内周端にある突起８３の下面と排気カップ５１の張出部５１２の上面とが接しているため、洗浄液が突起８３の下面と張出部５１２の上面との間から漏出することは殆ど無い。このため、隙間Ｇ２内の周方向全域を均一に洗浄液で満たすことができる。

突起８３の下面が張出部５１２の上面に接していなくてもよい。この場合、洗浄液ノズル１１０から吐出する洗浄液の流量は、隙間Ｇ１を通ってガードポケット９０内に流出する洗浄液の流量と、突起８３と張出部５１２の上面との間の隙間から流出する洗浄液の流量の合計よりも多くすればよい。

径方向溝８２４内を流れる洗浄液は円周溝８２５にも流入して円周方向に広がってゆく。隙間Ｇ２、径方向溝８２４及び円周溝８２５が洗浄液で満たされると、狭い隙間Ｇ１内への洗浄液の拡散も進行してゆく。ミストガード８０Ａの張出部８２の下面と排気カップ５１の張出部５１２の上面との間の空間の全域（すなわち隙間Ｇ１＋Ｇ２）が洗浄液で満たされる。この洗浄液に、張出部８２の下面及び張出部５１２の上面に付着した薬液及び反応生成物等の付着物が溶け込む。洗浄液に溶け込んだ付着物は、洗浄液とともにガードポケット９０内へ排出される。このようにして、ミストガード８０Ａの表面（ウエハＷ側の面）を洗浄することができる。

その後、ミストガード８０Ａを上昇させると、ミストガード８０Ａの張出部８２の下面と排気カップ５１の張出部５１２の上面との間の空間にある洗浄液が、傾斜面である張出部５１２の上面に沿ってガードポケット９０内に流れ込む。以上により洗浄が終了する。上記の洗浄操作を繰り返し行ってもよい。

図１１の実施形態のうちの上述した構成によれば、ミストガード８０Ａの張出部８２の下面と排気カップ５１の張出部５１２の上面との間の空間を満遍なく洗浄液で満たすことができ、張出部８２の下面及び張出部５１２の上面の洗浄対象面の全域をムラ無く洗浄することができる。

上記実施形態においては、隙間形成部８２３には、径方向溝８２４が形成されているが、径方向溝８２４がなくてもよい。この場合、図１２に示すように、洗浄液吐出ノズル１１０Ｂが、ミストガード８０Ｂの隙間形成部８２３Ｂよりも半径方向内側の位置において排気カップ５１の張出部５１２に設けられる。洗浄液吐出ノズル１１０Ｂから供給される洗浄液によって隙間Ｇ２を全周にわたって洗浄液で満たすことができる。また、隙間形成部８２３の下面と張出部５１２の上面との間の隙間Ｇ１も全周にわたって洗浄液で満たすことができる。洗浄液に溶け込んだ付着物は、洗浄液とともにガードポケット９０Ｂ内へ排出される。このようにして、ミストガード８０Ｂの表面（ウエハＷ側の面）を洗浄することができる。

図１１に示すＳＣ２ノズル４１８すなわち固定ノズルの周囲には、カバー６０が設けられている。カバー６０は床板９６に固定されている。カバー６０のミストガード８０Ａの方を向いた正面６１には、開口６２が形成されている。この開口６２を介して、カバー６０に覆われたＳＣ２ノズル４１８からウエハＷに向けてＳＣ２液（処理液）を吐出することができる。

ミストガード８０Ａの外周筒部の最上部すなわち張出部８２の上面の最外周部には、遮蔽部材８８が設けられている。遮蔽部材８８は、ミストガード８０Ａと一体不可分の部材であってもよいし、ミストガード８０Ａとは別に製造された後にミストガード８０Ａに固定された部材であってもよい。ミストガード８０Ａが低位置ＬＧに位置しているときに、遮蔽部材８８は、カバー６０の正面６１のうちの開口６２が形成されていない部分と狭い（例えば１〜２ｍｍ程度の）隙間６３を空けて対向する。

狭い隙間６３にはガスが流れにくい。このため、ＳＣ２ノズル４１８からのＳＣ２液の吐出が停止しているときにＳＣ２ノズル４１８の吐出口付近に滞留しているＳＣ２液（処理液）の蒸気がチャンバ２０内に拡散すること、並びに、ＳＣ２ノズル４１８からダミーディスペンスを行うときに（固定ノズルであるのでダミーディスペンス時の吐出流量は非常に少ない）ＳＣ２液（処理液）の蒸気がチャンバ２０内に拡散することを防止することができる。

カバー６０と遮蔽部材８８を一体化してもよい。この場合、カバー６０及び遮蔽部材８８はミストガード８０Ａと連動して昇降する。またこの場合、ミストガード８０Ａの昇降時にカバー６０と遮蔽部材８８の干渉を防止するために設けられていた隙間６３は必要ない。このため、ＳＣ２液（処理液）の蒸気がチャンバ２０内に拡散することを防止することをより確実に防止することができる。

ＳＣ２ノズル４１８の吐出口の下方には、樋６４（液案内部材）が設けられている。ＳＣ２ノズル４１８の吐出口から垂れ落ちたＳＣ２液は、樋６４を介してガードポケット９０内に流れ込む。このため、ＳＣ２ノズル４１８から垂れ落ちたＳＣ２液により床板９６が汚染されたり、床板９６に垂れ落ちたＳＣ２が蒸発してチャンバ２０内に拡散することを防止することができる。

上記各実施形態では、処理対象の基板は半導体ウエハであったが、これに限定されるものではなく、他の基板、例えば液晶ディスプレイ用のガラス基板、セラミック基板等であってもよい。

Ｗ 基板（半導体ウエハ）
４ 制御部（制御装置）
３１ 基板保持部
１１０ 洗浄液ノズル
４１１〜４１５ 処理液ノズル
４１８，４１９ 固定ノズル
４２１，４２２，４２３ ノズルアーム
２０ 処理容器（チャンバ）
２０ａ 処理容器の側壁
９６ 床板
９７ 隙間（スリット状開口）
５０ カップ
５１ 固定カップ体（排気カップ）
５１２ 固定カップ体の張出部
５１６ 固定カップ体の傾斜上面
５２２，５２３ 可動カップ体（可動カップ要素）
８０ ミストガード
８１ ミストガードの筒部（外周筒部）
８２ ミストガードの張出部
８２４ 径方向溝
８２５ 周方向溝
８４ ミストガードの昇降機構（エアシリンダ）
８６ ミストガードの通液開口
ＨＧ ミストガードの第１高さ（高位置）
ＬＧ ミストガードの第２高さ（低位置）
ＭＧ ミストガードの中間高さ（中間位置）
９０ ミストガード収容部（ガードポケット）
９３，９４ ミストガード収容部の排出部（排出口および排出管）
１１０ ミストガードの洗浄機構（洗浄液吐出ノズル）

Claims (22)

1. 基板を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部に保持された基板に処理液を吐出する少なくとも１つの処理液ノズルと、
   前記基板保持部と前記処理液ノズルを収容する処理容器と、
   前記基板保持部の周囲に配置され基板に供給された少なくとも処理液または処理液のミストを受ける、前記処理容器に対して相対的に不動な固定カップ体と、
   前記固定カップ体を囲むように前記固定カップ体の外側に設けられ、前記固定カップ体の上方を越えて外方に飛散する液を遮断するミストガードと、
   前記ミストガードを第１高さと前記第１高さより低い第２高さに昇降させる昇降機構と、
   前記処理液ノズルから前記基板保持部により保持されている基板に処理液を供給するときに前記ミストガードを前記第１高さに位置させ、前記基板を乾燥させるときに前記ミストガードを前記第２高さに位置させるように前記昇降機構を制御する制御部と、
   を備え、
   前記ミストガードが、筒状の筒部と、前記筒部の上部から前記筒部の内側に向かって前記固定カップ体の上方に張り出す張出部とを有し、
   前記ミストガードが前記第１高さにあるとき、前記ミストガードと前記固定カップ体の間に気流を形成し、前記ミストガードが前記第２高さにあるとき、前記ミストガードの上方に気流を形成する、基板処理装置。
2. 基板を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部に保持された基板に処理液を吐出する少なくとも１つの処理液ノズルと、
   前記基板保持部と前記処理液ノズルを収容する処理容器と、
   前記基板保持部の周囲に配置され基板に供給された少なくとも処理液または処理液のミストを受ける、前記処理容器に対して相対的に不動な固定カップ体と、
   前記固定カップ体を囲むように前記固定カップ体の外側に設けられ、前記固定カップ体の上方を越えて外方に飛散する液を遮断するミストガードと、
   前記ミストガードを第１高さと前記第１高さより低い第２高さに昇降させる昇降機構と、
   前記ミストガードの外側に設けられた、前記処理容器内の処理空間の底部を画定する床板と、
   前記処理空間内の雰囲気を前記処理空間の外側に排気する排気口と、
   を備え、
   前記ミストガードが、筒状の筒部と、前記筒部の上部から前記筒部の内側に向かって前記固定カップ体の上方に張り出す張出部とを有し、
   前記床板は、前記処理容器の側壁まで延び、前記床板の上面は、前記側壁に近づくに従って高さが低くなるように傾斜している、基板処理装置。
3. 基板処理装置であって、
   基板を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部に保持された基板に処理液を吐出する少なくとも１つの処理液ノズルと、
   前記基板保持部と前記処理液ノズルを収容する処理容器と、
   前記基板保持部の周囲に配置され基板に供給された少なくとも処理液または処理液のミストを受ける、前記処理容器に対して相対的に不動な固定カップ体と、
   前記固定カップ体を囲むように前記固定カップ体の外側に設けられ、前記固定カップ体の上方を越えて外方に飛散する液を遮断するミストガードと、
   前記ミストガードを第１高さと前記第１高さより低い第２高さに昇降させる昇降機構と、を備え、
   前記ミストガードが、筒状の筒部と、前記筒部の上部から前記筒部の内側に向かって前記固定カップ体の上方に張り出す張出部とを有し、
   前記処理液ノズルとして第１処理液ノズルと第２処理液ノズルが設けられ、
   前記基板処理装置は、前記第１処理液ノズルを保持して前記第１処理液ノズルを移動させる第１ノズルアームと、前記第２処理液ノズルを保持して前記第２処理液ノズルを移動させる第２ノズルアームと、前記基板処理装置の動作を制御する制御部と、をさらに備え、
   前記制御部は、前記第２ノズルアームを駆動して前記第２処理液ノズルを前記基板保持部により保持されている基板の外方の位置から前記基板の上方の位置に進出させるとともに前記第１ノズルアームを駆動して前記第１処理液ノズルを前記基板の上方の位置から前記基板の外方の位置に退避させるノズル入替操作を行うときに、前記ミストガードを前記第１高さと前記第２高さの中間の第３高さに位置させる、基板処理装置。
4. 前記第１ノズルアームを、第１ノズル高さと、前記第１ノズル高さよりも低い第２ノズル高さの間で昇降させる第１ノズル昇降機構と、
   前記第２ノズルアームを、第３ノズル高さと、前記第３高さよりも低い第４高さの間で昇降させる第２ノズル昇降機構と、
   を備え、
   前記制御部は、前記ノズル入替操作を行うときに、前記第１ノズル昇降機構を制御して前記第１高さに前記第１ノズルアームを位置させ、前記第２ノズル昇降機構を制御して前記第４高さに前記第２ノズルアームを位置させる、請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記基板保持部に保持された基板を回転させる回転機構をさらに備え、
   前記制御部は、前記ノズル入替操作を行うときに、前記回転機構を制御して、前記ノズル入替操作を行う前に前記第１処理液ノズルが処理液を基板に吐出しているときよりも基板の回転数を低下させる、請求項３記載の基板処理装置。
6. 基板を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部に保持された基板に処理液を吐出する少なくとも１つの処理液ノズルと、
   前記基板保持部と前記処理液ノズルを収容する処理容器と、
   前記基板保持部の周囲に配置され基板に供給された少なくとも処理液または処理液のミストを受ける、前記処理容器に対して相対的に不動な固定カップ体と、
   前記固定カップ体を囲むように前記固定カップ体の外側に設けられ、前記固定カップ体の上方を越えて外方に飛散する液を遮断するミストガードと、
   前記ミストガードを第１高さと前記第１高さより低い第２高さに昇降させる昇降機構と、
   前記ミストガードの外側から前記基板保持部に保持された基板に処理液を供給する固定ノズルと、
   を備え、
   前記ミストガードが、筒状の筒部と、前記筒部の上部から前記筒部の内側に向かって前記固定カップ体の上方に張り出す張出部とを有し、
   前記ミストガードが前記第１高さにあるときに前記固定ノズルから吐出された処理液が前記ミストガードを通過して基板に到達することを許容する通液開口が前記ミストガードに形成されている、基板処理装置。
7. 基板を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部に保持された基板に処理液を吐出する少なくとも１つの処理液ノズルと、
   前記基板保持部と前記処理液ノズルを収容する処理容器と、
   前記基板保持部の周囲に配置され基板に供給された少なくとも処理液または処理液のミストを受ける、前記処理容器に対して相対的に不動な固定カップ体と、
   前記固定カップ体を囲むように前記固定カップ体の外側に設けられ、前記固定カップ体の上方を越えて外方に飛散する液を遮断するミストガードと、
   前記ミストガードを第１高さと前記第１高さより低い第２高さに昇降させる昇降機構と、
   前記ミストガードの前記固定カップ体を向いた面を洗浄する洗浄機構と、
   を備え、
   前記ミストガードが、筒状の筒部と、前記筒部の上部から前記筒部の内側に向かって前記固定カップ体の上方に張り出す張出部とを有する、基板処理装置。
8. 前記洗浄機構は、前記ミストガードが前記第２高さにあるとき、洗浄液を供給することにより前記ミストガードの洗浄を行う、請求項７記載の基板処理装置。
9. 前記固定カップ体は、筒状の筒部と、前記筒部の上部から前記筒部の内側に向かって張り出す張出部とを有し、
   前記ミストガードの前記張出部の下面に隙間形成部を形成し、前記隙間形成部は、前記隙間形成部の下面と前記固定カップ体の前記張出部の上面との間に第１隙間を形成し、前記ミストガードの前記隙間形成部がない部分と前記固定カップ体の前記張出部の上面との間に第２隙間が形成され、
   前記洗浄機構は、前記第２隙間に洗浄液を供給する洗浄液ノズルを有する
   請求項８記載の基板処理装置。
10. 前記隙間形成部は、前記ミストガードの前記張出部の全周にわたって延びており、
    前記隙間形成部の下面には、半径方向に延びる径方向溝と、径方向溝と交差し円周方向に延びる円周溝とが形成され、
    前記洗浄液ノズルは、前記径方向溝と対向する位置において前記固定カップ体に設けられ、前記円周溝は、前記洗浄液ノズルの半径方向内側に設けられている
    請求項９記載の基板処理装置。
11. 基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持された基板に処理液を吐出する少なくとも１つの処理液ノズルと、
    前記基板保持部と前記処理液ノズルを収容する処理容器と、
    前記基板保持部の周囲に配置され基板に供給された少なくとも処理液または処理液のミストを受ける、前記処理容器に対して相対的に不動な固定カップ体と、
    前記固定カップ体を囲むように前記固定カップ体の外側に設けられ、前記固定カップ体の上方を越えて外方に飛散する液を遮断するミストガードと、
    前記ミストガードを第１高さと前記第１高さより低い第２高さに昇降させる昇降機構と、を備え、
    前記ミストガードが、筒状の筒部と、前記筒部の上部から前記筒部の内側に向かって前記固定カップ体の上方に張り出す張出部とを有し、
    前記固定カップ体は、前記固定カップ体の径方向外側に、前記固定カップ体に対して不動のカップ構成要素を有し、前記固定カップ体と前記カップ構成要素との間の空間が排気される、基板処理装置。
12. 前記基板保持部とともに回転する回転カップをさらに備え、前記固定カップ体は、前記回転カップと前記基板保持部との間の隙間から外方に飛散する処理液を受け、
    前記固定カップ体と前記回転カップとの間の隙間が前記固定カップ体と前記カップ構成要素との間の空間と連通し、前記固定カップ体と前記回転カップとの間の隙間を介して前記回転カップの上方の空間から前記固定カップ体と前記カップ構成要素との間の空間にガスが流入する、請求項１１記載の基板処理装置。
13. 前記カップ構成要素は、筒部と、この筒部の上部から筒部の内方に向けて前記固定カップ体の上方に向かって張り出す張出部とを有する、請求項１１記載の基板処理装置。
14. 基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持された基板に処理液を吐出する少なくとも１つの処理液ノズルと、
    前記基板保持部と前記処理液ノズルを収容する処理容器と、
    前記基板保持部の周囲に配置され基板に供給された少なくとも処理液または処理液のミストを受ける、前記処理容器に対して相対的に不動な固定カップ体と、
    前記固定カップ体を囲むように前記固定カップ体の外側に設けられ、前記固定カップ体の上方を越えて外方に飛散する液を遮断するミストガードと、
    前記ミストガードを第１高さと前記第１高さより低い第２高さに昇降させる昇降機構と、
    前記ミストガードの外側に設けられ、前記処理容器内の処理空間の底部を画定する床板と、
    前記処理空間内の雰囲気を前記処理空間の外側に排気する排気口と、
    を備え、
    前記ミストガードが、筒状の筒部と、前記筒部の上部から前記筒部の内側に向かって前記固定カップ体の上方に張り出す張出部とを有し、
    前記ミストガードの前記筒部に、前記ミストガードと前記固定カップ体との間から前記床板の前記排気口に向かって流れる気流が通過するスリットを設けた、基板処理装置。
15. 基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持された基板に処理液を吐出する少なくとも１つの処理液ノズルと、
    前記基板保持部と前記処理液ノズルを収容する処理容器と、
    前記基板保持部の周囲に配置され基板に供給された少なくとも処理液または処理液のミストを受ける、前記処理容器に対して相対的に不動な固定カップ体と、
    前記固定カップ体の内側に設けられ、前記固定カップ体に対して昇降可能な可動カップ体と、
    前記固定カップ体を囲むように前記固定カップ体の外側に設けられ、前記固定カップ体の上方を越えて外方に飛散する液を遮断するミストガードと、
    前記ミストガードを第１高さと前記第１高さより低い第２高さに昇降させる昇降機構と、を備え、
    前記ミストガードが、筒状の筒部と、前記筒部の上部から前記筒部の内側に向かって前記固定カップ体の上方に張り出す張出部とを有する、基板処理装置。
16. 基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持された基板に処理液を吐出する少なくとも１つの処理液ノズルと、
    前記基板保持部と前記処理液ノズルを収容する処理容器と、
    前記基板保持部の周囲に配置され基板に供給された少なくとも処理液または処理液のミストを受ける、前記処理容器に対して相対的に不動な固定カップ体であって、筒状の外周筒部と、前記外周筒部の上部から前記外周筒部の内側に向かって張り出す張出部とを有し、前記張出部の内周端が、前記基板保持部に保持された基板よりも高い位置にある、前記固定カップ体と、
    前記固定カップ体を囲むように前記固定カップ体の外側に設けられ、前記固定カップ体の上方を越えて外方に飛散する液を遮断するミストガードと、
    前記ミストガードを第１高さと前記第１高さより低い第２高さに昇降させる昇降機構と、を備え、
    前記ミストガードが、筒状の筒部と、前記筒部の上部から前記筒部の内側に向かって前記固定カップ体の上方に張り出す張出部とを有する、基板処理装置。
17. 前記ミストガードの外側に、前記処理容器内の処理空間の底部を画定する床板と、前記処理空間内の雰囲気を前記処理空間の外側に排気する排気口と、を備えた、請求項１６記載の基板処理装置。
18. 前記ミストガードが前記第１高さに位置しているとき、前記ミストガードの前記筒部の下端は前記床板の上面より高い位置に位置する、請求項１７記載の基板処理装置。
19. 前記ミストガードの前記筒部を収容するミストガード収容部と、
    前記ミストガード収容部の内部に流れ込む液またはガスを排出する排出部と、
    をさらに備えた、請求項１６記載の基板処理装置。
20. 前記固定カップ体は、前記基板保持部により保持された基板の中心部側に向かって延びる傾斜上面を有し、この傾斜上面は、前記基板の中心部に近づくに従って高さが高くなるように傾斜し、前記傾斜上面は、前記第２高さにある前記ミストガードの前記張出部の先端部分と接触し、これにより前記ミストガードの前記固定カップ体の側を向いた面に面する空間が、前記基板保持部により保持された基板の上方の空間から隔離される、請求項１６記載の基板処理装置。
21. 基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持された基板の上面に処理液を吐出する少なくとも１つの処理液ノズルと、
    前記基板保持部と前記処理液ノズルを収容する処理容器と、
    前記基板保持部の周囲に配置され基板に供給された処理液または処理液のミストを受ける、前記処理容器に対して相対的に不動な固定カップ体と、
    前記固定カップ体を囲むように前記固定カップ体の外側に設けられ、前記固定カップ体の上方を越えて外方に飛散する液を遮断するミストガードと、
    前記ミストガードを昇降させる昇降機構と、を備え、
    前記ミストガードが、筒状の筒部と、前記筒部の上端から前記固定カップ体の側に向かって張り出す張出部とを有する、基板処理装置を用いて実行される基板処理方法であって、
    前記基板処理方法は、
    前記ミストガードを第１高さに位置させた状態で、前記処理液ノズルから前記基板保持部により保持されている基板に処理液を供給する工程と、
    前記ミストガードを前記第１高さより低い第２高さに位置させた状態で、前記基板を乾燥させる工程と、
    を備え、
    前記処理液ノズルとして第１処理液ノズルと第２処理液ノズルが設けられ、前記基板処理装置は、前記第１処理液ノズルを保持して前記第１処理液ノズルを移動させる第１ノズルアームと、前記第２処理液ノズルを保持して前記第２処理液ノズルを移動させる第２ノズルアームとをさらに備え、
    前記基板処理方法は、前記基板に処理液を供給する工程として、前記第２処理液ノズルを前記基板の上方から退避させた状態で前記基板の上方に位置する前記第１処理液ノズルから前記基板に処理液を供給する工程と、前記第１処理液ノズルを前記基板の上方から退避させた状態で前記基板の上方に位置する前記第２処理液ノズルから前記基板に処理液を供給する工程と、を含み、
    前記第２処理液ノズルを前記基板保持部により保持されている基板の外方の位置から前記基板の上方の位置に進出させるとともに前記第１処理液ノズルを前記基板の上方の位置から前記基板の外方の位置に退避させるノズル入替操作を行うときに、前記ミストガードを前記第１高さと前記第２高さの中間の第３高さに位置させる、基板処理方法。
22. コンピュータプログラムが格納された記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムが基板処理装置の制御装置をなすコンピュータにより実行されたときに、当該コンピュータが前記基板処理装置の動作を制御して、請求項２１記載の基板処理方法を実行させる、記憶媒体。

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