JP7029251B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Description

この発明は、基板を処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。処理対象になる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等の基板が含まれる。

基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置による基板処理では、例えば、スピンチャックによってほぼ水平に保持された状態で回転する基板に処理液が供給される。基板に供給された処理液は、遠心力によって基板外へ飛散する。基板外へ飛散する処理液は、スピンチャックを取り囲むカップ（ガード）によって受けられる。
下記特許文献１に記載の基板処理装置による基板処理では、処理液として、希フッ酸、脱イオン水（Deionized Water: DIW）およびイソプロピルアルコール（Isopropyl Alcohol: IPA）等が用いられる。具体的には、基板に希フッ酸を供給することによって、基板の表面が処理される。その後、基板の上面にＤＩＷが供給されることによって、基板上の希フッ酸がＤＩＷによって置換される。そして、基板の上面にＩＰＡが供給されることによって、基板上のＤＩＷがＩＰＡによって置換される。そして、ＩＰＡが基板から振り切られることによって基板の上面が乾燥する。

特開２０１５－１５３９４７号公報

特許文献１に記載の基板処理装置による基板処理では、基板に対向する下面を有する円板部と、円板部から下方に延びる延設部とを含む遮断部材が設けられている。遮断部材は、スピンチャックとともに回転している。そのため、遮断部材が基板の上面に近接しているときに、基板から飛散した処理液は、遮断部材の延設部の内周面にぶつかる。その後、延設部の内周面に付着した処理液は、遠心力によって遮断部材から飛散してガードによって受けられる。

ここで、遮断部材に対する処理液のなじみやすさによって、遮断部材に付着した後に遮断部材に残留しやすさが異なる。そのため、遮断部材に対する処理液のなじみやすさによって、遮断部材から飛散する処理液の飛散方向が異なる。したがって、特許文献１に記載の基板処理では、遮断部材から飛散する処理液の方向によっては、処理液ガードによって受けられず、ガードの外方まで達するおそれがある。これでは、処理液を回収できないおそれがあり、かつ、基板処理装置内が処理液で汚染されるおそれがある。

そこで、この発明の１つの目的は、処理液の種類にかかわらず、ガードによって処理液を良好に受けることができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。

この発明は、水平に基板を保持された基板を鉛直方向に延びる回転軸線まわりに回転させる基板回転工程と、平面視で前記基板を取り囲む内周面を有する延設部を含み、上方から前記基板に対向する対向部材を、前記延設部の内周面が前記回転軸線を中心とした径方向の外方から前記基板に対向する位置に配置する対向部材配置工程と、前記回転軸線まわりに前記対向部材を回転させる対向部材回転工程と、回転状態の前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給工程と、前記延設部の内周面に対する前記処理液の親和性に応じて、外方に向けて前記基板の上面から飛散する前記処理液が受けられる高さ位置に、平面視で前記延設部よりも前記径方向の外方で前記基板を取り囲むガードを配置するガード配置工程とを含む、基板処理方法を提供する。

この方法によれば、回転軸線を中心とした径方向の外方に基板の上面から飛散する処理液は、対向部材の延設部の内周面によって一度受けられた後、延設部から径方向の外方に飛散することによってガードに受けられる。延設部の内周面に対する処理液の親和性に応じて、ガードが適切な高さ位置に配置される。そのため、基板に供給される処理液の種類（対向部材の延設部の内周面に対する親和性）にかかわらず、ガードによって処理液を良好に受けることができる。

ここで、延設部の内周面に対する親和性とは、延設部の内周面に対するなじみやすさである。延設部の内周面に対する親和性が高い処理液とは、延設部の内周面に対してなじみやすい処理液である。延設部の内周面に対する親和性が低い処理液とは、延設部の内周面に対してなじみにいくい処理液である。延設部の内周面に対する処理液の親和性が高いほど、処理液は、延設部の内周面に付着しやすい。延設部の内周面に対する親和性が低いほど、処理液は、延設部の内周面に付着しにくい。

この発明の一実施形態では、前記処理液供給工程が、前記基板の上面に低親和性処理液を供給する低親和性処理液供給工程と、前記延設部の内周面に対する親和性が前記低親和性処理液よりも高い前記基板の上面に供給する高親和性処理液供給工程とを含む。そして、前記ガード配置工程が、前記ガードが前記低親和性処理液を受ける際、第１液受け位置に前記ガードを配置する第１配置工程と、前記ガードが前記高親和性処理液を受ける際、前記第１液受け位置よりも下方の第２液受け位置に前記ガードを配置する第２配置工程とを含む。

高和性処理液は、低親和性処理液よりも対向部材の延設部の内周面から離れにくい。そのため、内周面に付着した高親和性処理液は、低親和性処理液よりも大きな液滴を形成しやすい。液滴は、自重を受けるので、そのサイズが大きいほど、延設部の内周面から下方に落下しやすい。そのため、高親和性処理液の飛散方向は、低親和性処理液の飛散方向と比較して、下方に傾く。

そこで、第１液受け位置（低親和性処理液を受けるときのガードの位置）よりも第２液受け位置（高親和性処理液を受けるときのガードの位置）を下方に設定しておくことで、ガードが適切な位置に配置される。したがって、処理液の種類にかかわらず、ガードによって処理液が良好に受けられる。
第１配置工程において、ガードの上端が基板の上面よりも上方に位置するようにガードが配置され、第２配置工程において、ガードの上端が基板の上面よりも下方でかつ延設部の下端部よりも上方に位置するようにガードが配置されることが好ましい。ガード配置工程において、ガードがこのように配置されることによって、ガードによって処理液が一層良好に受けられる。

この発明の一実施形態によれば、前記処理液供給工程が、前記低親和性処理液供給工程の後に前記高親和性処理液供給工程を実行することによって、前記基板の上面の前記低親和性処理液を前記高親和性処理液に置換する第１置換工程を含む。そして、前記ガード配置工程が、前記第１置換工程の開始時には前記ガードが前記第１液受け位置に位置し、前記第１置換工程の終了後には前記ガードが前記第２液受け位置に位置するように前記ガードの高さ位置を変更する工程を含む。

第１置換工程において、基板から飛散する液体は、低親和性処理液と高親和性処理液の混合液である。第１置換工程では、基板の上面の低親和性処理液が高親和性処理液に置換されるので、第１置換工程の開始直後に基板から飛散する液体には、高親和性処理液よりも低親和性処理液が多く含まれる。その後、基板から飛散する液体中の高親和性処理液の割合が徐々に大きくなり、第１置換工程の終了後に基板から飛散する液体は、高親和性処理液のみになる。したがって、第１置換工程の開始時にはガードを第１液受け位置に位置させ、第１置換工程の終了後に、ガードを第２液受け位置に位置させることによって、処理液がガードによって一層良好に受けられる。

この発明の一実施形態では、前記処理液供給工程が、前記高親和性処理液供給工程の後に前記低親和性処理液供給工程を実行することによって、前記基板の上面の前記高親和性処理液を前記低親和性処理液に置換する第２置換工程を含む。そして、前記ガード配置工程が、前記第２置換工程の開始時には前記ガードが前記第２液受け位置に位置し、前記第２置換工程の終了後には前記ガードが前記第１液受け位置に位置するように前記ガードの高さ位置を変更する工程を含む。

第２置換工程において、基板から飛散する液体は、低親和性処理液と高親和性処理液の混合液である。第２置換工程では、基板の上面の高親和性処理液が低親和性処理液に置換されるので、第２置換工程の開始直後に基板から飛散する液体には、低親和性処理液よりも高親和性処理液が多く含まれる。その後、基板から飛散する液体中の低親和性処理液の割合が徐々に大きくなり、第２置換工程の終了後に基板から飛散する液体は、低親和性処理液のみになる。したがって、第２置換工程の開始時にはガードを第２液受け位置に位置させ、第２置換工程の終了後に、ガードを第１液受け位置に位置させることによって、処理液がガードによって一層良好に受けられる。

この発明の一実施形態では、前記ガードが、前記低親和性処理液を受ける低親和性処理液用ガードと、前記高親和性処理液を受ける高親和性処理液用ガードとを含む。そして、前記ガード配置工程が、前記第１液受け位置に前記低親和性処理液用ガードを配置する低親和性処理液用ガード配置工程と、前記第２液受け位置に前記高親和性処理液用ガードを配置する高親和性処理液用ガード配置工程とを含む。

この方法によれば、低親和性処理液および高親和性処理液のそれぞれが、異なるガード（個別のガード）によって受けられる。処理液の種類に応じて、低親和性処理液用ガードおよび高親和性処理液用ガードのそれぞれを適切な位置に配置することができる。したがって、基板から飛散する処理液が、ガードによって一層良好に受けられる。
基板の回転速度が高いほど、基板から飛散する処理液に作用する遠心力が大きくなる。そのため、基板の回転速度が高いほど、基板からの処理液の飛散方向が上方に傾く。

この発明の一実施形態では、前記ガード配置工程が、前記基板の回転速度が高いほど前記ガードが上方に配置されるように前記ガードの位置を調整する工程を含む。そのため、ガード配置工程では、処理液を受けるのに一層適切な位置にガードを配置することができる。
この発明の一実施形態では、水平に基板を保持する基板保持ユニットと、鉛直方向に延びる回転軸線まわりに前記基板を回転させる基板回転ユニットと、前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給ユニットと、平面視で前記基板を取り囲む内周面を有する延設部を含み、上方から前記基板に対向する対向部材と、平面視で前記延設部よりも前記回転軸線を中心とした径方向の外方で前記基板を取り囲むガードと、前記ガードを昇降させるガード昇降ユニットと、前記対向部材を昇降させる対向部材昇降ユニットと、前記回転軸線まわりに前記対向部材を回転させる対向部材回転ユニットと、前記基板回転ユニット、前記処理液供給ユニット、前記ガード昇降ユニット、前記対向部材昇降ユニットおよび前記対向部材回転ユニットを制御する制御ユニットとを含み、前記制御ユニットが、前記基板回転ユニットによって、水平に保持された前記基板を前記回転軸線まわりに回転させる基板回転工程と、前記延設部の内周面が前記径方向の外方から前記基板に対向する位置に、前記対向部材昇降ユニットによって前記対向部材を配置する対向部材配置工程と、前記対向部材回転ユニットによって、前記回転軸線まわりに前記対向部材を回転させる対向部材回転工程と、回転状態の前記基板の上面に、前記処理液供給ユニットから前記処理液を供給する処理液供給工程と、前記ガード昇降ユニットによって、前記延設部の内周面に対する前記処理液の親和性に応じて、前記基板の上面から前記径方向の外方に向けて飛散する前記処理液が受けられる高さ位置に、前記ガードを配置するガード配置工程とを実行するようにプログラムされている、基板処理装置を提供する。

この構成によれば、対向部材の延設部の内周面に対する処理液の親和性に応じて、ガードが適切な高さ位置に配置される。そのため、基板に供給される処理液の種類（延設部の内周面に対する親和性）にかかわらず、ガードによって処理液が良好に受けられる。

図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための模式的な平面図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの模式図である。 図３Ａは、前記処理ユニットに備えられた第１ガードの高さ位置を説明するための模式図である。 図３Ｂは、前記処理ユニットに備えられた第２ガードの高さ位置を説明するための模式図である。 図３Ｃは、前記処理ユニットに備えられた第３ガードの高さ位置を説明するための模式図である。 図４は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図５は、前記基板処理装置による基板処理の第１例を説明するための流れ図である。 図６Ａは、前記基板処理の第１例を説明するための図解的な断面図である。 図６Ｂは、前記基板処理の第１例を説明するための図解的な断面図である。 図６Ｃは、前記基板処理の第１例を説明するための図解的な断面図である。 図６Ｄは、前記基板処理の第１例を説明するための図解的な断面図である。 図６Ｅは、前記基板処理の第１例を説明するための図解的な断面図である。 図７Ａは、前記基板処理の第１例において低親和性処理液を受けるときのガードの高さ位置について説明するための図解的な断面図である。 図７Ｂは、前記基板処理の第１例において高親和性処理液を受けるときのガードの高さ位置について説明するための図解的な断面図である。 図８Ａは、前記基板処理の第２例を説明するための図解的な断面図である。 図８Ｂは、前記基板処理の第２例を説明するための図解的な断面図である。 図９Ａは、前記基板処理の第３例を説明するための図解的な断面図である。 図９Ｂは、前記基板処理の第３例を説明するための図解的な断面図である。

以下では、この発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置１の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。
基板処理装置１は、シリコンウエハ等の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円板状の基板である。基板処理装置１は、処理液で基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御する制御ユニット３とを含む。搬送ロボットＩＲは、キャリヤＣと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、例えば、同様の構成を有している。

図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための模式図である。
処理ユニット２は、チャンバ４（図１参照）と、スピンチャック５と、対向部材６と、支持部材７と、薬液供給ユニット８と、リンス液供給ユニット９と、有機溶剤供給ユニット１０と、撥水剤供給ユニット１１と、支持部材昇降ユニット１２と、処理カップ１３とを含む。

スピンチャック５は、一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持しながら基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させる。スピンチャック５は、チャンバ４内に収容されている（図１参照）。チャンバ４には、チャンバ４内に基板Ｗを搬入したり、チャンバ４内から基板Ｗを搬出したりするための出入口（図示せず）が形成されている。チャンバ４には、この出入口を開閉するシャッタユニット（図示せず）が備えられている。

スピンチャック５は、基板保持ユニット２４と、回転軸２２と、電動モータ２３とを含む。基板保持ユニット２４は、基板Ｗを水平に保持する。基板保持ユニット２４は、スピンベース２１と複数のチャックピン２０とを含む。スピンベース２１は、水平方向に沿う円板形状を有している。スピンベース２１の上面には、複数のチャックピン２０が周方向に間隔を空けて配置されている。回転軸２２は、スピンベース２１の下面中央に結合されている。回転軸２２は、回転軸線Ａ１に沿って鉛直方向に延びている。電動モータ２３は、回転軸２２に回転力を与える。電動モータ２３によって回転軸２２が回転されることにより、基板保持ユニット２４のスピンベース２１が回転される。これにより、基板Ｗが回転軸線Ａ１のまわりに回転される。回転軸線Ａ１まわりの回転方向を回転方向Ｓという。電動モータ２３は、基板Ｗを回転軸線Ａ１のまわりに回転させる基板回転ユニットに含まれる。

対向部材６は、平面視で略円形状である。回転軸線Ａ１は、対向部材６の中心部を通る鉛直軸線でもある。対向部材６は、樹脂によって形成されている。対向部材６を形成する樹脂としてはＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）等が挙げられる。そのため、対向部材６の表面は、疎水面である。疎水面とは、比較的疎水性が高い面のことである。対向部材６は、基板Ｗの上面に上方から対向する。対向部材６は、対向部材６と基板Ｗの上面との間の空間６５内の雰囲気を周囲の雰囲気から遮断する。対向部材６は、遮断部材ともいわれる。

対向部材６は、例えば、磁力によって基板保持ユニット２４と係合可能である。詳しくは、対向部材６は、複数の第１係合部６６を含む。第１係合部６６は、対向部６０の対向面６０ａから下方に延びている。複数の第１係合部６６は、回転方向Ｓに互いに間隔を隔てて配置されている。基板保持ユニット２４は、複数の第１係合部６６と凹凸係合可能な複数の第２係合部７６を含む。複数の第２係合部７６は、回転方向Ｓに互いに間隔を隔てて配置されている。

対向部材６の各第１係合部６６と、基板保持ユニット２４の対応する第２係合部７６とが係合した状態で、対向部材６は、基板保持ユニット２４と一体回転可能である。対向部材６と基板保持ユニット２４とが係合しているときに電動モータ２３がスピンベース２１を回転させることによって、対向部材６が基板保持ユニット２４とともに回転する。すなわち、電動モータ２３は、回転軸線Ａ１まわりに対向部材６を回転させる対向部材回転ユニットとしても機能する。

対向部材６は、対向部６０と、延設部６１と、筒状部６２と、複数のフランジ部６３とを含む。
対向部６０は、基板Ｗの上面に上方から対向する。対向部６０は、円板状に形成されている。対向部６０は、スピンチャック５の上方でほぼ水平に配置されている。対向部６０は、基板Ｗの上面に対向する対向面６０ａを有する。対向面６０ａは、対向部６０の下面でもある。

延設部６１は、対向部６０の周縁部から下方に延びる。延設部６１の内周面６１ａは、下方に向かうに従って、回転軸線Ａ１を中心とした径方向の外方に向かうように鉛直方向に対して傾斜している。延設部６１の内周面６１ａは、対向部材６の表面の一部であるため、疎水面である。延設部６１の外周面は、鉛直方向に沿って延びている。
以下では、回転軸線Ａ１を中心とした径方向の内方を単に「径方向内方」といい、回転軸線Ａ１を中心とした径方向の外方を単に「径方向外方」という。対向部材６が基板保持ユニット２４と係合しているとき、延設部６１は、第１ガード１７よりも径方向内方で基板Ｗを取り囲んでいる（図２の二点鎖線参照）。対向部材６が基板保持ユニット２４と係合しているとき、延設部６１は、径方向外方から基板Ｗに対向している（図２の二点鎖線参照）。

筒状部６２は、対向部６０の上面に固定されている。複数のフランジ部６３は、筒状部６２の周方向（回転方向Ｓ）に互いに間隔を隔てて、筒状部６２の上端に配置されている。各フランジ部６３は、筒状部６２の上端から水平に延びている。
基板処理装置１で用いられる処理液には、薬液、リンス液、有機溶剤、および撥水剤等が含まれる。薬液供給ユニット８、リンス液供給ユニット９、有機溶剤供給ユニット１０および撥水剤供給ユニット１１は、基板Ｗの上面に処理液を供給する処理液供給ユニットに含まれる。

基板処理装置１で用いられる処理液は、対向部材６の延設部６１の内周面６１ａに対する親和性が比較的低い低親和性処理液と、延設部６１の内周面６１ａに対する親和性が比較的高い高親和性処理液とに分類される。
ここで、延設部６１の内周面６１ａに対する親和性とは、延設部６１の内周面６１ａに対するなじみやすさである。延設部６１の内周面６１ａに対する親和性が高い処理液とは、延設部６１の内周面６１ａに対してなじみやすい（濡れ性が高い）処理液である。延設部６１の内周面６１ａに対する親和性が低い処理液とは、延設部６１の内周面６１ａに対してなじみにいくい（濡れ性が低い）処理液である。延設部６１の内周面６１ａに対する処理液の親和性が高いほど、処理液は、延設部６１の内周面６１ａに付着しやすい。延設部６１の内周面６１ａに対する親和性が低いほど、処理液は、延設部６１の内周面６１ａに付着しにくい。

内周面６１ａは、疎水面であるため、低親和性処理液として親水性処理液が挙げられ、高親和性処理液として疎水性処理液が挙げられる。「親水性」は、水に対する親和性が高い性質のことである。「疎水性」は、水に対する親和性が低い性質のことである。一般に、疎水性処理液は、親油性を有する。「親油性」は、脂質や非極性有機溶媒との親和性が高い性質のことである。低親和性処理液は、水溶液、または水である。高親和性処理液は、有機物を溶媒とする溶液または、液状の有機物である。

薬液供給ユニット８、リンス液供給ユニット９、有機溶剤供給ユニット１０および撥水剤供給ユニット１１のそれぞれは、低親和性処理液供給ユニットまたは高親和性処理液供給ユニットのいずれかに分類される。低親和性処理液供給ユニットは、基板Ｗの上面に低親和性処理液を供給するユニットのことである。高親和性処理液供給ユニットは、基板Ｗの上面に高親和性処理液を供給するユニットのことである。

薬液供給ユニット８は、基板Ｗの上面の中央領域に薬液を供給するユニットである。基板Ｗの上面の中央領域は、基板Ｗの上面と回転軸線Ａ１との交差位置を含む基板Ｗの上面の中央辺りの領域である。薬液供給ユニット８は、基板Ｗの上面の中央領域に向けて薬液を吐出する薬液ノズル３０と、薬液ノズル３０に結合された薬液供給管３１と、薬液供給管３１に介装された薬液バルブ３２とを含む。薬液供給管３１には、薬液供給源から、フッ酸（フッ化水素水：ＨＦ）等の薬液が供給されている。薬液バルブ３２は、薬液供給管３１内の流路を開閉する。

薬液ノズル３０から吐出される薬液は、フッ酸に限られない。薬液ノズル３０から吐出される薬液は、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）、希フッ酸（ＤＨＦ）、アンモニア水、過酸化水素水、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。これらを混合した薬液の例としては、ＳＰＭ（硫酸過酸化水素水混合液）、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）等が挙げられる。

薬液ノズル３０から吐出される薬液は、有機アルカリである場合を除いて、水溶液（親水性処理液）である。そのため、薬液ノズル３０から吐出される薬液は、有機アルカリである場合を除いて、延設部６１の内周面６１ａ（疎水面）に対する親和性が低い低親和性処理液である。薬液ノズル３０から吐出される薬液が有機アルカリである場合を除いて、薬液供給ユニット８は、低親和性処理液供給ユニットに分類される。

有機アルカリは疎水性処理液である。そのため、薬液ノズル３０から吐出される薬液は、有機アルカリである場合、延設部６１の内周面６１ａに対する親和性が高い高親和性処理液である。薬液ノズル３０から吐出される薬液が有機アルカリである場合、薬液供給ユニット８は、高親和性処理液供給ユニットに分類される。
リンス液供給ユニット９は、基板Ｗの上面の中央領域にリンス液を供給するユニットである。リンス液供給ユニット９は、基板Ｗの上面の中央領域に向けてリンス液を吐出するリンス液ノズル４０と、リンス液ノズル４０に結合されたリンス液供給管４１と、リンス液供給管４１に介装されたリンス液バルブ４２とを含む。リンス液供給管４１には、リンス液供給源から、ＤＩＷ等のリンス液が供給されている。リンス液バルブ４２は、リンス液供給管４１内の流路を開閉する。

リンス液ノズル４０から吐出されるリンス液は、ＤＩＷに限られない。リンス液ノズル４０から吐出されるリンス液は、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、還元水（水素水）であってもよい。リンス液は、水を含有している。
このように、リンス液ノズル４０から吐出されるリンス液は、水溶液または水である。そのため、リンス液ノズル４０から吐出されるリンス液は、親水性処理液である。したがって、リンス液ノズル４０から吐出されるリンス液は、延設部６１の内周面６１ａ（疎水面）に対する親和性が低い低親和性処理液である。リンス液供給ユニット９は、低親和性処理液供給ユニットに分類される。

有機溶剤供給ユニット１０は、基板Ｗの上面の中央領域に有機溶剤を供給するユニットである。有機溶剤供給ユニット１０は、基板Ｗの上面の中央領域に向けて有機溶剤を吐出する有機溶剤ノズル５０と、有機溶剤ノズル５０に結合された有機溶剤供給管５１と、有機溶剤供給管５１に介装された有機溶剤バルブ５２とを含む。有機溶剤供給管５１には、有機溶剤供給源から、ＩＰＡ等の有機溶剤が供給されている。有機溶剤バルブ５２は、有機溶剤供給管５１内の流路を開閉する。

有機溶剤ノズル５０から吐出される有機溶剤は、ＩＰＡに限られない。有機溶剤ノズル５０から吐出される有機溶剤は、基板Ｗの上面、および、基板Ｗに形成されたパターン（図示せず）と化学反応しない（反応性が乏しい）、ＩＰＡ以外の有機溶剤であってもよい。より具体的には、有機溶剤ノズル５０から吐出される有機溶剤は、ＩＰＡ、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、メタノール、エタノール、アセトンおよびTrans-1,2ジクロロエチレンのうちの少なくとも１つを含む液を有機溶剤であってもよい。有機溶剤ノズル５０から吐出される有機溶剤は、液状の有機物であるため、疎水性処理液である。そのため、有機溶剤ノズル５０から吐出される有機溶剤は、延設部６１の内周面６１ａ（疎水面）に対する親和性が高い高親和性処理液である。そのため、有機溶剤供給ユニット１０は、高親和性処理液供給ユニットである。

撥水剤供給ユニット１１は、基板Ｗの上面の中央領域に撥水剤を供給するユニットである。撥水剤供給ユニット１１は、基板Ｗの上面の中央領域に向けて撥水剤を吐出する撥水剤ノズル８０と、撥水剤ノズル８０に結合された撥水剤供給管８１と、撥水剤供給管８１に介装された撥水剤バルブ８２とを含む。撥水剤供給管８１には、撥水剤供給源から、撥水剤が供給されている。撥水剤バルブ８２は、撥水剤供給管８１内の流路を開閉する。

撥水剤ノズル８０から吐出される撥水剤は、例えば、シリコン自体およびシリコンを含む化合物を疎水化させるシリコン系の撥水剤、または金属自体および金属を含む化合物を疎水化させるメタル系の撥水剤を用いることができる。メタル系の撥水剤は、たとえば、疎水基を有するアミン、および有機シリコン化合物の少なくとも一つを含む。シリコン系の撥水剤は、たとえば、シランカップリング剤である。シランカップリング剤は、たとえば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＳ（テトラメチルシラン）、フッ素化アルキルクロロシラン、アルキルジシラザン、および非クロロ系の撥水剤の少なくとも一つを含む。非クロロ系の撥水剤は、たとえば、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノトリメチルシラン、Ｎ－（トリメチルシリル）ジメチルアミンおよびオルガノシラン化合物の少なくとも一つを含む。

このように、撥水剤ノズル８０から吐出される撥水剤は、シリコン系の撥水剤やメタル系の撥水剤等の有機物であるため、疎水性処理液である。そのため、撥水剤ノズル８０から吐出される撥水剤は、延設部６１の内周面６１ａ（疎水面）に対する親和性が高い高親和性処理液である。そのため、撥水剤供給ユニット１１は、高親和性処理液供給ユニットである。

薬液ノズル３０、リンス液ノズル４０、有機溶剤ノズル５０および撥水剤ノズル８０は、この実施形態では、ノズル収容部材３５に共通に収容されている。ノズル収容部材３５の下端部は、基板Ｗの上面の中央領域に対向している。
支持部材７は、対向部材６を支持する対向部材支持部７０と、対向部材支持部７０よりも上方に設けられノズル収容部材３５を支持するノズル支持部７２と、対向部材支持部７０とノズル支持部７２とを連結し鉛直方向に延びる壁部７１とを含む。対向部材支持部７０と壁部７１とノズル支持部７２とによって空間７５が区画されている。空間７５は、筒状部６２の上端部とフランジ部６３とを収容する。対向部材支持部７０は、支持部材７の下壁を構成している。ノズル支持部７２は、支持部材７の上壁を構成している。ノズル収容部材３５は、ノズル支持部７２の略中央に取り付けられている。ノズル収容部材３５の先端は、ノズル支持部７２よりも下方に位置している。

対向部材支持部７０は、対向部材６（のフランジ部６３）を下方から支持する。対向部材支持部７０の中央部には、筒状部６２が挿通される筒状部挿通孔７０ａが形成されている。各フランジ部６３には、フランジ部６３を上下方向に貫通する位置決め孔６３ａが形成されている。対向部材支持部７０には、対応するフランジ部６３の位置決め孔６３ａに係合可能な係合突起７０ｂが形成されている。各位置決め孔６３ａに対応する係合突起７０ｂが係合されることによって、回転方向Ｓにおいて支持部材に対して対向部材が位置決めされる。

支持部材昇降ユニット１２は、支持部材７とともに対向部材６を昇降させる。支持部材昇降ユニット１２は、対向部材６を昇降させる対向部材昇降ユニットとして機能する。支持部材昇降ユニット１２は、例えば、ボールねじ機構（図示せず）と、当該ボールねじ機構に駆動力を付与する電動モータ（図示せず）とを含む。
支持部材昇降ユニット１２は、上位置から下位置までの間の所定の高さ位置に支持部材７を位置させることができる。下位置は、後述する図６Ａに示す位置である。詳しくは、下位置は、支持部材７の可動範囲において、支持部材７が基板保持ユニット２４の上面に最も近接する位置である。上位置は、図２に実線で示す位置である。詳しくは、上位置は、支持部材７の可動範囲において、支持部材７が基板保持ユニット２４の上面から最も離間する位置である。

支持部材７は、上位置に位置する状態で、対向部材６を吊り下げ支持している。この状態で、対向部材６は、基板保持ユニット２４から上方に離間している。支持部材７は、支持部材昇降ユニット１２によって昇降されることによって、上位置と下位置との間の係合位置を通過する。係合位置は、図２に二点鎖線で示す位置である。係合位置は、対向部材６が下方から支持部材７に支持され、かつ、対向部材６と基板保持ユニット２４とが係合するときの支持部材７の高さ位置である。支持部材７は、下位置に位置するとき、基板保持ユニット２４と係合した状態の対向部材６から下方に離間している。

支持部材７が上位置と係合位置との間で昇降される際、対向部材６は、支持部材７と一体的に昇降する。支持部材７は、係合位置と下位置との間の位置に位置するとき、対向部材６から下方に離間している。対向部材６は、支持部材７が係合位置と下位置との間の位置に位置するとき、基板保持ユニット２４に係合された状態で維持される。
処理カップ１３は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗよりも径方向外方に配置されている。処理カップ１３は、排気桶２６と、複数のカップ１４～１６（第１カップ１４、第２カップ１５および第３カップ１６）と、複数のガード１７～１９（第１ガード１７、第２ガード１８および第３ガード１９）と、複数のガード昇降ユニット２７～２９（第１ガード昇降ユニット２７、第２ガード昇降ユニット２８および第３ガード昇降ユニット２９）とを含む。

排気桶２６は、スピンチャック５を取り囲んでいる。排気桶２６には、チャンバ４（図１参照）に流れ込む空気をチャンバ４外へ排出するための排気管（図示せず）が接続されている。複数のカップ１４～１６および複数のガード１７～１９は、スピンチャック５と排気桶２６との間に配置されている。複数のカップ１４～１６のそれぞれは、基板Ｗを取り囲んでいる。複数のガード１７～１９のそれぞれは、基板Ｗを取り囲んでいる。

各ガード１７～１９は、スピンチャック５に保持された基板Ｗから径方向外方に飛散する処理液を受ける。第２ガード１８は、第１ガード１７よりも径方向外方に配置されている。第３ガード１９は、第２ガード１８よりも径方向外方に配置されている。
第１ガード１７は、排気桶２６よりも径方向内方でスピンチャック５を取り囲む第１筒状部１７Ａと、径方向内方に向かうにしたがって上方に向かうように第１筒状部１７Ａから延びる第１傾斜部１７Ｂとを含む。

第２ガード１８は、排気桶２６よりも径方向内方で、かつ第１筒状部１７Ａよりも径方向外方でスピンチャック５を取り囲む第２筒状部１８Ａと、径方向内方に向かうにしたがって上方に向かうように第２筒状部１８Ａから延びる第２傾斜部１８Ｂとを含む。
第３ガード１９は、排気桶２６よりも径方向内方で、かつ第２筒状部１８Ａよりも径方向外方でスピンチャック５を取り囲む第３筒状部１９Ａと、径方向内方に向かうにしたがって上方に向かうように第３筒状部１９Ａから延びる第３傾斜部１９Ｂとを含む。

第１傾斜部１７Ｂは、第２傾斜部１８Ｂに下方から対向している。第２傾斜部１８Ｂは、第３傾斜部１９Ｂに下方から対向している。
各カップ１４～１６は、上向きに開いた環状の溝を有している。第２カップ１５は、第１カップ１４よりも径方向外方に配置されている。第３カップ１６は、第２カップ１５よりも径方向外方に配置されている。第３カップ１６は、第２ガード１８と一体に設けられている。各カップ１４～１６の溝には、回収配管（図示せず）または排出配管（図示せず）が接続されている。各カップ１４～１６の底部には、対応するガード１７～１９が受けた処理液が導かれる。各カップ１４～１６の底部に導かれた処理液は、回収配管または排出配管を通じて、回収または廃棄される。

複数のガード昇降ユニット２７～２９は、複数のガード１７～１９の昇降をそれぞれ駆動する。各ガード昇降ユニット２７～２９は、例えば、ボールねじ機構（図示せず）と、それに駆動力を与える電動モータ（図示せず）とを含む。
次に、各ガード１７～１９の高さ位置について詳しく説明する。
図３Ａは、第１ガード１７の高さ位置を説明するための模式図である。第１ガード１７は、第１ガード昇降ユニット２７（図２参照）によって、上位置と下位置との間で昇降される。上位置は、第１ガード１７の可動範囲における上方の限界位置である。下位置は、第１ガード１７の可動範囲における下方の限界位置である。

第１ガード１７は、上位置と下位置との間の第１液受け位置（図３Ａに実線で示す位置）および第２液受け位置（図３Ａに二点鎖線で示す位置）に位置することができる。第２液受け位置に位置する第１ガード１７では、第１傾斜部１７Ｂのみが図示されており、第１ガード１７におけるその他の部分の図示は省略されている。
第２液受け位置は、第１液受け位置よりも下方の位置である。第１ガード１７が第１液受け位置に位置するとき、第１ガード１７の第１傾斜部１７Ｂの上端（径方向内方端１７ａ）が基板Ｗの上面よりも上方に位置する。第１ガード１７が第２液受け位置に位置するとき、径方向内方端１７ａが基板Ｗの上面よりも下方で、かつ、保持ユニット２４と係合した状態の対向部材６の延設部６１の下端部よりも上方に位置する。

詳しくは後述するが、処理液が低親和性処理液であるか高親和性処理液であるかによって、延設部６１からの処理液の飛散方向が異なる。低親和性処理液の飛散方向Ｄ１（後述する図７Ａ参照）は、高親和性処理液の飛散方向Ｄ２（後述する図７Ｂ参照）よりも上方に傾く。そのため、基板Ｗから低親和性処理液が飛散するとき、第１ガード１７は、第１液受け位置に配置される。基板Ｗから高親和性処理液が飛散するとき、第１ガード１７は、第２液受け位置に配置される。

図３Ｂは、第２ガード１８の高さ位置を説明するための模式図である。第２ガード１８は、第２ガード昇降ユニット２８（図２参照）によって、上位置と下位置との間で昇降される。上位置は、第２ガード１８の可動範囲における上方の限界位置である。下位置は、第２ガード１８の可動範囲における下方の限界位置である。
第２ガード１８は、上位置と下位置との間の第１液受け位置（図３Ｂに実線で示す位置）および第２液受け位置（図３Ｂに二点鎖線で示す位置）に位置することができる。第２液受け位置に位置する第２ガード１８では、第２傾斜部１８Ｂのみが図示されており、第２ガード１８におけるその他の部分および第２カップ１５の図示は省略されている。

第２液受け位置は、第１液受け位置よりも下方の位置である。第２ガード１８が第１液受け位置に位置するとき、第２ガード１８の第２傾斜部１８Ｂの上端（径方向内方端１８ａ）が基板Ｗの上面よりも上方に位置する。第２ガード１８が第２液受け位置に位置するとき、径方向内方端１８ａが基板Ｗの上面よりも下方で、かつ、保持ユニット２４と係合した状態の対向部材６の延設部６１の下端部よりも上方に位置する。

第２ガード１８も、第１ガード１７と同様に、基板Ｗから低親和性処理液が飛散するときは第１液受け位置に配置され、基板Ｗから高親和性処理液が飛散するときは第２液受け位置に配置される。
図３Ｃは、第３ガード１９の高さ位置を説明するための模式図である。第３ガード１９は、第３ガード昇降ユニット２９（図２参照）によって、上位置と下位置との間で昇降される。上位置は、第３ガード１９の可動範囲における上方の限界位置である。下位置は、第３ガード１９の可動範囲における下方の限界位置である。

第３ガード１９は、上位置と下位置との間の第１液受け位置（図３Ｃに実線で示す位置）および第２液受け位置（図３Ｃに二点鎖線で示す位置）に位置することができる。第２液受け位置に位置する第３ガード１９では、第３傾斜部１９Ｂのみが図示されており、第３ガード１９におけるその他の部分の図示は省略されている。
第２液受け位置は、第１液受け位置よりも下方の位置である。第３ガード１９が第１液受け位置に位置するとき、第３ガード１９の第３傾斜部１９Ｂの上端（径方向内方端１９ａ）が基板Ｗの上面よりも上方に位置する。第３ガード１９が第２液受け位置に位置するとき、径方向内方端１９ａが基板Ｗの上面よりも下方で、かつ、保持ユニット２４と係合した状態の対向部材６の延設部６１の下端部よりも上方に位置する。

第３ガード１９も、第１ガード１７および第２ガード１８と同様に、基板Ｗから低親和性処理液が飛散するときは第１液受け位置に配置され、基板Ｗから高親和性処理液が飛散するときは第２液受け位置に配置される。
図４は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。制御ユニット３は、マイクロコンピュータを備えており、所定のプログラムに従って、基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。より具体的には、制御ユニット３は、プロセッサ（ＣＰＵ）３Ａと、プログラムが格納されたメモリ３Ｂとを含み、プロセッサ３Ａがプログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。特に、制御ユニット３は、搬送ロボットＩＲ，ＣＲ、電動モータ２３、支持部材昇降ユニット１２、ガード昇降ユニット２７～２９およびバルブ類３２，４２，５２，８２等の動作を制御する。

図５は、基板処理装置１による基板処理の第１例を説明するための流れ図であり、主として、制御ユニット３がプログラムを実行することによって実現される処理が示されている。図６Ａ～図６Ｅは、基板処理の第１例を説明するための図解的な断面図である。
基板処理装置１による基板処理では、例えば、図５に示すように、基板搬入（Ｓ１）、薬液処理（Ｓ２）、リンス処理（Ｓ３）、第１有機溶剤処理（Ｓ４）、撥水剤処理（Ｓ５）、第２有機溶剤処理（Ｓ６）、乾燥処理（Ｓ７）および基板搬出（Ｓ８）がこの順番で実行される。

まず、処理ユニット２に基板Ｗが搬入される前に、対向部材６と基板保持ユニット２４とが係合可能となるように、回転方向Ｓにおける対向部材６と基板保持ユニット２４との相対位置が調整される。詳しくは、平面視で、対向部材６の第１係合部６６と基板保持ユニット２４の第２係合部７６とが重なるように、回転方向Ｓにおける基板保持ユニット２４の位置を電動モータ２３が調整する。

そして、図１も参照して、基板処理装置１による基板処理では、基板Ｗが、搬送ロボットＩＲ，ＣＲによってキャリヤＣから処理ユニット２に搬入され、スピンチャック５に渡される（ステップＳ１：基板搬入）。この後、基板Ｗは、搬送ロボットＣＲによって搬出されるまでの間、チャックピン２０によって、スピンベース２１の上面から上方に間隔を空けて水平に保持される（基板保持工程）。

そして、支持部材昇降ユニット１２が、上位置に位置する支持部材７を下位置へ向けて下降させる。支持部材７は、下位置に移動する前に係合位置を通過する。支持部材７が係合位置に達すると、対向部材６と基板保持ユニット２４とが磁力によって係合する。これにより、高さ位置が固定された基板保持ユニット２４によって対向部材６が下方から支持される。対向部材６が基板保持ユニット２４に係合しているとき、対向部材６の延設部６１は、径方向外方から基板Ｗに対向している。また、対向部材６が基板保持ユニット２４に係合しているとき、延設部６１がスピンベース２１に上方から対向する。延設部６１の下端部とスピンベース２１の上面との間には僅かな隙間が設けられている。このように、支持部材昇降ユニット１２によって、延設部６１の内周面が径方向外方から基板Ｗに対向する位置に対向部材６が配置される（対向部材配置工程）。

支持部材７が係合位置からさらに下方へ下降すると、対向部材６は、支持部材７による支持から解放される。詳しくは、支持部材７の対向部材支持部７０が対向部材６のフランジ部６３から下方に退避する。
そして、図６Ａに示すように、支持部材７は、下位置に達する。そして、電動モータ２３が、基板保持ユニット２４のスピンベース２１の回転を開始させる。これにより、水平に保持された基板Ｗが回転する（基板回転工程）。スピンベース２１に設けられた第２係合部７６に対向部材６に設けられた第１係合部６６が係合している。そのため、対向部材６は、基板Ｗと同期回転する（対向部材回転工程）。同期回転とは、同じ方向に同じ回転速度で回転することをいう。

そして、薬液処理（Ｓ２）が開始される。薬液処理（Ｓ２）では、基板Ｗ上に薬液としてフッ酸（ＨＦ）を供給することによって、基板Ｗの上面にエッチング等の処理が施される。
具体的には、図６Ａを参照して、第３ガード昇降ユニット２９が、第３ガード１９を上位置に配置し、第２ガード昇降ユニット２８が、第２ガード１８を上位置に配置する。そして、対向部材６の延設部６１の内周面６１ａに対する処理液の親和性に応じて、第１ガード昇降ユニット２７が、処理液を受けることができる高さ位置に第１ガード１７を配置する（ガード配置工程）。

そして、薬液バルブ３２が開かれる。これにより、薬液供給ユニット８（低親和性処理液供給ユニット）の薬液ノズル３０から回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に薬液（低親和性処理液であるフッ酸）が供給される（低親和性処理液供給工程）。薬液は遠心力によって基板Ｗの上面の全体に行き渡る。
薬液は、遠心力によって基板Ｗから径方向外方に飛散する。基板Ｗから径方向外方に飛散した薬液は、基板Ｗに径方向外方から対向する対向部材６の延設部６１の内周面６１ａに付着する。対向部材６は、基板Ｗとともに回転しているため、延設部６１の内周面６１ａに付着した薬液は、遠心力によって、延設部６１よりも径方向外方に飛散する。延設部６１よりも径方向外方に飛散した薬液は、第１ガード１７によって受けられる。第１ガード１７によって受けられた薬液は、第１筒状部１７Ａを伝って、第１カップ１４へ導かれる。

ここで、延設部６１からの処理液の飛散方向について説明する。前述したように、処理液が低親和性処理液であるか高親和性処理液であるかによって、延設部６１からの処理液の飛散方向が異なる。詳しくは、低親和性処理液は、対向部材６の延設部６１の内周面６１ａとなじみにくい。そのため、低親和性処理液は、内周面６１ａから比較的離れやすい。したがって、図７Ａに示すように、基板Ｗから飛散した低親和性処理液が対向部材６の延設部６１の内周面に付着すると、低親和性処理液は対向部材６の表面の上で集まって大きな液滴となる前に、遠心力によって、比較的小さな液滴の状態で径方向外方に飛散する。

一方、高親和性処理液は、延設部６１の内周面６１ａとなじみやすい。そのため、高親和性処理液は、対向部材６の延設部６１の内周面６１ａに一度付着すると内周面６１ａから離れにくい。したがって、図７Ｂに示すように、高親和性処理液は、遠心力によって径方向外方に飛散する前に、対向部材６の表面に付着した状態で比較的大きな液滴を形成する。

液滴は、自重を受けるので、そのサイズが大きいほど、延設部６１の内周面６１ａから下方に落下しやすい。そのため、高親和性理液の飛散方向Ｄ２は、低親和性処理液の飛散方向Ｄ１と比較して、下方に傾く。なお、図７Ａおよび図７Ｂでは、簡略化のため、１つのガードに符号１７～１９を付しているが、実際には、各ガード１７～１９は、互いに異なる位置に配置されている。

薬液処理（Ｓ２）では処理液としてフッ酸が用いられているので、薬液処理（Ｓ２）において第１ガード１７によって受けられる処理液は、低親和性処理液である。したがって、薬液処理（Ｓ２）のガード配置工程では、第１ガード１７は、第１液受け位置に配置される（第１配置工程、低親和性処理液用ガード配置工程）。このように、薬液処理（Ｓ２）において、第１ガード１７は、低親和性処理液を受ける低親和性処理液用ガードとして機能する。第１ガード昇降ユニット２７は、低親和性処理液用ガード昇降ユニットとして機能する。

薬液処理（Ｓ２）では、基板Ｗの回転速度を、３００ｒｐｍ～１２００ｒｐｍの間で変更可能である。ここで、基板Ｗの回転速度が高いほど、基板Ｗから飛散する処理液に作用する遠心力が大きくなる。そのため、基板Ｗの回転速度が高いほど、基板Ｗからの処理液の飛散方向が上方に傾く。
そこで、薬液処理（Ｓ２）における第１配置工程では、基板Ｗの回転速度が高いほど第１ガード１７が上方に配置されるように、第１ガード１７の位置が調整される。つまり、薬液処理（Ｓ２）では、基板Ｗの回転速度が高いほど第１ガード１７の第１液受け位置が上方に調整（設定）される。そのため、薬液を受けるのに一層適切な位置に第１ガード１７を配置することができる。

一定時間の薬液処理（Ｓ２）の後、リンス処理（Ｓ３）が実行される。リンス処理では、基板Ｗ上のフッ酸（薬液）をリンス液としてのＤＩＷに置換することにより、基板Ｗの上面がリンスされる。
具体的には、薬液バルブ３２が閉じられる。これにより、薬液ノズル３０からのフッ酸の吐出が停止される。図６Ｂを参照して、第３ガード昇降ユニット２９が、第３ガード１９を上位置に維持し、第２ガード昇降ユニット２８が、第２ガード１８を上位置に維持する。そして、対向部材６の延設部６１の内周面６１ａに対する処理液の親和性に応じて、第１ガード昇降ユニット２７によって、処理液を受けることができる高さ位置に第１ガード１７が配置される（ガード配置工程）。

そして、リンス液バルブ４２が開かれる。これにより、リンス液供給ユニット９（低親和性処理液供給ユニット）のリンス液ノズル４０から回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けてリンス液が供給される（低親和性処理液供給工程）。リンス液は遠心力によって基板Ｗの上面の全体に行き渡る。これにより、基板Ｗ上の薬液がリンス液によって置換される。

基板Ｗ上の薬液およびリンス液の混合液またはリンス液は、遠心力によって基板Ｗから径方向外方に飛散する。基板Ｗから径方向外方に飛散した薬液およびリンス液の混合液またはリンス液は、基板Ｗに径方向外方から対向する対向部材６の延設部６１の内周面６１ａに付着する。
対向部材６は、基板Ｗとともに回転しているため、延設部６１の内周面６１ａに付着した薬液およびリンス液の混合液またはリンス液は、遠心力によって、延設部６１よりも径方向外方に飛散する。延設部６１よりも径方向外方に飛散した薬液およびリンス液の混合液またはリンス液は、第１ガード１７によって受けられる。第１ガード１７によって受けられた薬液およびリンス液の混合液またはリンス液は、第１筒状部１７Ａを伝って、第１カップ１４へ導かれる。

リンス処理（Ｓ３）において第１ガード１７によって受けられる処理液は、主にＤＩＷである。すなわち、リンス処理（Ｓ３）において第１ガード１７によって受けられる処理液は、主に低親和性処理液である。したがって、リンス処理（Ｓ３）のガード配置工程では、第１ガード１７は、第１液受け位置に配置される（第１配置工程、低親和性処理液用ガード配置工程）。

このように、リンス処理（Ｓ３）では、第１ガード１７は、低親和性処理液を受ける低親和性処理液用ガードとして機能する。また、第１ガード昇降ユニット２７は、低親和性処理液用ガード昇降ユニットとして機能する。
リンス処理（Ｓ３）では、基板Ｗの回転速度を、５０ｒｐｍ～１０００ｒｐｍの間で変更可能である。リンス処理（Ｓ３）における第１配置工程では、基板Ｗの回転速度が高いほど第１ガード１７が上方に配置されるように、第１ガード１７の位置が調整される。つまり、リンス処理（Ｓ３）では、基板Ｗの回転速度が高いほど第１ガード１７の第１液受け位置が上方に調整（設定）される。そのため、リンス液を受けるのに一層適切な位置に第１ガード１７を配置することができる。

一定時間のリンス処理（Ｓ３）の後、第１有機溶剤処理（Ｓ４）が実行される。第１有機溶剤処理（Ｓ４）では、基板Ｗ上のリンス液がＩＰＡ等の有機溶剤で置換される。
具体的には、リンス液バルブ４２が閉じられる。これにより、リンス液ノズル４０からのリンス液の吐出が停止される。そして、図６Ｃを参照して、第１ガード昇降ユニット２７が、第１ガード１７を下位置に配置する。第２ガード昇降ユニット２８が、第２ガード１８を下位置に配置する。対向部材６の延設部６１の内周面６１ａに対する処理液の親和性に応じて、第３ガード昇降ユニット２９によって、処理液を受けることができる高さ位置に第３ガード１９が配置される（ガード配置工程）。

そして、有機溶剤バルブ５２が開かれる。これにより、有機溶剤供給ユニット１０（高親和性処理液供給ユニット）の有機溶剤ノズル５０から回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて有機溶剤が供給される（処理液供給工程、高親和性処理液供給工程）。有機溶剤は、遠心力によって基板Ｗの上面の全体に行き渡る。これにより、基板Ｗ上のリンス液が有機溶剤によって置換される。

基板Ｗ上のリンス液および有機溶剤の混合液または有機溶剤は、遠心力によって基板Ｗから径方向外方に飛散する。基板Ｗから径方向外方に飛散したリンス液および有機溶剤の混合液または有機溶剤は、基板Ｗに径方向外方から対向する対向部材６の延設部６１の内周面６１ａに付着する。
対向部材６は、基板Ｗとともに回転しているため、延設部６１の内周面６１ａに付着したリンス液および有機溶剤の混合液または有機溶剤は、遠心力によって、延設部６１よりも径方向外方に飛散する。延設部６１よりも径方向外方に飛散したリンス液および有機溶剤の混合液または有機溶剤は、第３ガード１９によって受けられる。第３ガード１９によって受けられたリンス液および有機溶剤の混合液または有機溶剤は、第３筒状部１９Ａを伝って、第３カップ１６へ導かれる。

第１有機溶剤処理（Ｓ４）において第３ガード１９によって受けられる処理液は、主にＩＰＡである。すなわち、第１有機溶剤処理（Ｓ４）において第３ガード１９によって受けられる処理液は、主に高親和性処理液である。したがって、第１有機溶剤処理（Ｓ４）のガード配置工程では、第３ガード１９は、第２液受け位置に配置される（第２配置工程、高親和性処理液用ガード配置工程）。このように、第１有機溶剤処理（Ｓ４）において、第３ガード１９は、高親和性処理液を受ける高親和性処理液用ガードとして機能する。また、第３ガード昇降ユニット２９は、高親和性処理液用ガード昇降ユニットとして機能する。

第１有機溶剤処理（Ｓ４）では、基板Ｗの回転速度を、５０ｒｐｍ～１０００ｒｐｍの間で変更可能である。第１有機溶剤処理（Ｓ４）における第２配置工程では、基板Ｗの回転速度が高いほど第３ガード１９が上方に配置されるように、第３ガード１９の位置が調整される。つまり、第１有機溶剤処理（Ｓ４）では、基板Ｗの回転速度が高いほど第３ガード１９の第２液受け位置が上方に調整（設定）される。そのため、有機溶剤を受けるのに一層適切な位置に第３ガード１９を配置することができる。

一定時間の第１有機溶剤処理（Ｓ４）の後、撥水剤処理（Ｓ５）が実行される。撥水剤処理（Ｓ５）では、基板Ｗ上の有機溶剤が撥水剤で置換される。
具体的には、有機溶剤バルブ５２が閉じられる。これにより、有機溶剤ノズル５０からの有機溶剤の吐出が停止される。そして、図６Ｄを参照して、第１ガード昇降ユニット２７が、第１ガード１７を下位置に維持する。第３ガード昇降ユニット２９が、第３ガード１９を上位置に配置する。対向部材６の延設部６１の内周面６１ａに対する処理液の親和性に応じて、第２ガード昇降ユニット２８によって、処理液を受けることができる高さ位置に第２ガード１８が配置される（ガード配置工程）。

そして、撥水剤バルブ８２が開かれる。これにより、撥水剤供給ユニット１１（高親和性処理液供給ユニット）の撥水剤ノズル８０から回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて撥水剤が供給される（処理液供給工程、高親和性処理液供給工程）。撥水剤は、遠心力によって基板Ｗの上面の全体に行き渡る。これにより、基板Ｗ上の有機溶剤が撥水剤によって置換される。

基板Ｗ上の有機溶剤および撥水剤の混合液または撥水剤は、遠心力によって基板Ｗから径方向外方に飛散する。基板Ｗから径方向外方に飛散した有機溶剤および撥水剤の混合液または撥水剤は、基板Ｗに径方向外方から対向する対向部材６の延設部６１の内周面６１ａに付着する。
対向部材６は、基板Ｗとともに回転しているため、延設部６１の内周面６１ａに付着した有機溶剤および撥水剤の混合液または撥水剤は、遠心力によって、延設部６１よりも径方向外方に飛散する。延設部６１よりも径方向外方に飛散した有機溶剤および撥水剤の混合液または撥水剤は、第２ガード１８によって受けられる。第２ガード１８によって受けられた有機溶剤および撥水剤の混合液または撥水剤は、第２筒状部１８Ａを伝って、第２カップ１５へ導かれる。

撥水剤処理（Ｓ５）において第２ガード１８によって受けられる処理液は、主に撥水剤である。すなわち、撥水剤処理（Ｓ５）において第２ガード１８によって受けられる処理液は、主に高親和性処理液である。したがって、撥水剤処理（Ｓ５）のガード配置工程では、第２ガード１８は、第２液受け位置に配置される（第２配置工程、高親和性処理液用ガード配置工程）。

このように、撥水剤処理（Ｓ５）において、第２ガード１８は、高親和性処理液用ガードとして機能する。また、第２ガード昇降ユニット２８は、高親和性処理液用ガード昇降ユニットとして機能する。
撥水剤処理（Ｓ５）では、基板Ｗの回転速度を、５０ｒｐｍ～１０００ｒｐｍの間で変更可能である。撥水剤処理（Ｓ５）におけるガード配置工程では、基板Ｗの回転速度が高いほど第２ガード１８が上方に配置されるように、第２ガード１８の位置が調整される。つまり、撥水剤処理（Ｓ５）では、基板Ｗの回転速度が高いほど第２ガード１８の第２液受け位置が上方に調整（設定）される。そのため、撥水剤を受けるのに一層適切な位置に第２ガード１８を配置することができる。

一定時間の撥水処理（Ｓ５）の後、第２有機溶剤処理（Ｓ６）が実行される。第２有機溶剤処理では、基板Ｗ上の撥水剤が有機溶剤で置換される。
具体的には、撥水剤バルブ８２が閉じられる。そして、図６Ｅを参照して、第１ガード昇降ユニット２７が、第１ガード１７を下位置に維持する。そして、第２ガード昇降ユニット２８が、第２ガード１８を下位置に配置する。対向部材６の延設部６１の内周面６１ａに対する処理液の親和性に応じて、第３ガード昇降ユニット２９によって、処理液を受けることができる高さ位置に第３ガード１９が配置される（ガード配置工程）。

そして、有機溶剤バルブ５２が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、有機溶剤ノズル５０から有機溶剤が吐出される。有機溶剤は、遠心力によって基板Ｗの上面の全体に行き渡る。これにより、基板Ｗ上の撥水剤が有機溶剤によって置換される。
基板Ｗ上の有機溶剤および撥水剤の混合液または有機溶剤は、遠心力によって基板Ｗから径方向外方に飛散する。基板Ｗから径方向外方に飛散した有機溶剤および撥水剤の混合液または有機溶剤は、基板Ｗに径方向外方から対向する対向部材６の延設部６１の内周面に付着する。

対向部材６は、基板Ｗとともに回転しているため、延設部６１の内周面に付着した有機溶剤および撥水剤の混合液または有機溶剤は、遠心力によって、延設部６１よりも径方向外方に飛散する。延設部６１よりも径方向外方に飛散した有機溶剤および撥水剤の混合液または有機溶剤は、第３ガード１９によって受けられる。第３ガード１９によって受けられた有機溶剤および撥水剤の混合液または有機溶剤は、第３筒状部１９Ａを伝って、第３カップ１６へ導かれる。

第２有機溶剤処理（Ｓ６）において第３ガード１９によって受けられる処理液は、主にＩＰＡである。すなわち、第２有機溶剤処理（Ｓ６）において第３ガード１９によって受けられる処理液は、主に高親和性処理液である。したがって、第２有機溶剤処理（Ｓ６）のガード配置工程では、第３ガード１９は、第２液受け位置に配置される（第２配置工程、高親和性処理液用ガード配置工程）。

このように、第２有機溶剤処理（Ｓ６）において、第３ガード１９は、高親和性処理液用ガードとして機能する。また、第３ガード昇降ユニット２９が高親和性処理液用ガード昇降ユニットとして機能する。
第２有機溶剤処理（Ｓ６）では、基板Ｗの回転速度を、５０ｒｐｍ～１０００ｒｐｍの間で変更可能である。第２有機溶剤処理（Ｓ６）におけるガード配置工程では、基板Ｗの回転速度が高いほど第３ガード１９が上方に配置されるように、第３ガード１９の位置が調整される。つまり、第２有機溶剤処理（Ｓ６）では、基板Ｗの回転速度が高いほど第３ガード１９の第２液受け位置が上方に調整（設定）される。そのため、有機溶剤を受けるのに一層適切な位置に第３ガード１９を配置することができる。

一定時間の第２有機溶剤処理（Ｓ６）の後、基板Ｗの上面の液成分を遠心力によって振り切る乾燥処理（Ｓ７）が実行される。具体的には、有機溶剤バルブ５２が閉じられた後、基板Ｗが高速度で（例えば２０００ｒｐｍで）回転される。そして、電動モータ２３が基板Ｗの回転を停止させる。
その後、搬送ロボットＣＲが、処理ユニット２に進入して、スピンチャック５から処理済みの基板Ｗをすくい取って、処理ユニット２外へと搬出する（ステップＳ８：基板搬出）。その基板Ｗは、搬送ロボットＣＲから搬送ロボットＩＲへと渡され、搬送ロボットＩＲによって、キャリヤＣに収納される。

本実施形態によれば、基板処理装置１が、基板保持ユニット２４と、電動モータ２３（基板回転ユニット、対向部材回転ユニット）と、薬液供給ユニット８、リンス液供給ユニット９、有機溶剤供給ユニット１０および撥水剤供給ユニット１１（処理液供給ユニット）と、ガード１７～１９と、ガード昇降ユニット２７～２９と、対向部材６と、支持部材昇降ユニット１２（対向部材昇降ユニット）と、制御ユニット３とを含む。

そして、水平に保持された基板Ｗが電動モータ２３によって回転軸線Ａ１まわりに回転される。対向部材６が回転軸線Ａ１まわりに回転される。回転状態の基板Ｗの上面に、薬液供給ユニット８、リンス液供給ユニット９、有機溶剤供給ユニット１０および撥水剤供給ユニット１１から処理液（薬液、リンス液、有機溶剤および撥水剤）が供給される。ガード昇降ユニット２７～２９によって、対向部材６の延設部６１の内周面６１ａに対する処理液の親和性に応じて、基板Ｗの上面から径方向外方に向けて飛散する処理液が受けられる高さ位置に、ガード１７～１９が配置される。

この構成によれば、基板Ｗの上面から径方向の外方に飛散する処理液は、対向部材６の延設部６１の内周面６１ａによって一度受けられた後、延設部６１から径方向の外方に飛散することによってガード１７～１９に受けられる。延設部６１の内周面６１ａに対する処理液の親和性に応じて、複数のガード１７～１９のそれぞれが適切な高さ位置に配置される。そのため、基板Ｗに供給される処理液の種類（延設部６１の内周面６１ａに対する親和性）にかかわらず、複数のガード１７～１９によって処理液を良好に受けることができる。

本実施形態によれば、ガード配置工程において、第１ガード１７が低親和性処理液を受ける際、ガード昇降ユニット２７によって、第１液受け位置に第１ガード１７を配置する第１配置工程が実行される。また、ガード配置工程において、第２ガード１８が高親和性処理液を受ける際、第２ガード昇降ユニット２８によって、第２液受け位置に第２ガード１８を配置する第２配置工程が実行される。さらに、ガード配置工程において、第３ガード１９が高親和性処理液を受ける際、第３ガード昇降ユニット２９によって、第２液受け位置に第３ガード１９を配置する第２配置工程が実行される。

第１液受け位置（低親和性処理液を受けるときの第１ガード１７の位置）よりも第２液受け位置（高親和性処理液を受けるときの第２ガード１８および第３ガード１９の位置）を下方に設定しておくことで、各ガード１７～１９が適切な位置に配置される。したがって、処理液の種類にかかわらず、複数のガード１７～１９によって処理液が良好に受けられる。

第１ガード１７が第１液受け位置に位置するとき、第１ガード１７の上端が基板Ｗの上面よりも上方に位置するように第１ガード１７を配置することが好ましい。また、第２ガード１８が第２液受け位置に位置するとき、第２ガード１８の上端が基板Ｗの上面よりも下方で延設部６１の下端部よりも上方に位置するように第２ガード１８を配置することが好ましい。また、第３ガード１９が第２液受け位置に位置するとき、第３ガード１９の上端が基板Ｗの上面よりも下方で延設部６１の下端部よりも上方に位置するように第３ガード１９を配置することが好ましい。そうであるならば、ガード１７～１９によって処理液が一層良好に受けられる。

また本実施形態によれば、低親和性処理液および高親和性処理液のそれぞれが異なるガード１７～１９によって受けられる。詳しくは、低親和性処理液が第１ガード１７（低親和性処理液用ガード）によって受けられ、高親和性処理液が第２ガード１８および第３ガード１９（高親和性処理液用ガード）によって受けられる。つまり、処理液の種類に応じて、複数のガード１７～１９のそれぞれを適切な位置（第１液受け位置または第２液受け位置）に配置することができる。基板Ｗから飛散する処理液が複数のガード１７～１９によって、良好に受けられる。

上述の実施形態に係る基板処理装置１による基板処理は、上述した例に限られない。基板処理装置１による基板処理は、以下に示すような例であってもよい。
図８Ａおよび図８Ｂは、基板処理装置１による基板処理の第２例を説明するための図解的な断面図である。第１有機溶剤処理（Ｓ４）では、基板処理の第１例と同様に基板Ｗの上面へのＩＰＡの供給によって、基板Ｗ上のＤＩＷがＩＰＡによって置換される。すなわち、低親和性処理液供給工程（リンス液供給工程）の後に高親和性処理液供給工程（有機溶剤供給工程）が実行されることによって、基板Ｗの上面の低親和性処理液（ＤＩＷ）が高親和性処理液（ＩＰＡ）に置換されている（第１置換工程）。

ここで、図８Ａに示すように、第１置換工程において、基板Ｗから飛散する液体は、低親和性処理液と高親和性処理液の混合液である。第１置換工程では、基板Ｗの上面の低親和性処理液が高親和性処理液に置換されるので、第１置換工程の開始直後に基板Ｗから飛散する液体には、高親和性処理液よりも低親和性処理液が多く含まれる。その後、基板Ｗから飛散する液体中の高親和性処理液の割合が徐々に大きくなり、図８Ｂに示すように、第１置換工程の終了後に基板Ｗから飛散する液体は、高親和性処理液のみになる。

そのため、第１置換工程では、上述の基板処理とは異なり、以下のように第３ガード１９の高さ位置を変更してもよい。詳しくは、図８Ａに示すように、第１置換工程の開始時には第３ガード１９が第１液受け位置に配置され、図８Ｂに示すように、第１置換工程の終了後に、第３ガード１９が第２液受け位置に配置されるように、第３ガード昇降ユニット２９が第３ガード１９の高さ位置を変更してもよい。これによって、処理液が第３ガード１９によって一層良好に受けられる。

第３ガード１９の高さ位置は、第１置換工程の終了と同時に、第２液受け位置にされることが好ましい。第３ガード１９の高さ位置は、第１置換工程の終了の直前に変更されてもよいし、第１置換工程中に徐々に変更されてもよい。なお、第１置換工程は、基板Ｗ上の低親和性処理液が高親和性処理液に完全に置き換えられたときに終了する。
図９Ａおよび図９Ｂは、基板処理装置１による基板処理の第３例を説明するための図解的な断面図である。基板処理装置１による基板処理の第３例では、上述の基板処理とは異なり、薬液処理（Ｓ２）において、薬液として有機アルカリが用いられる。つまり、基板処理の第３例では薬液が高親和性処理液である。

リンス処理（Ｓ３）において、基板Ｗ上の有機アルカリ（高親和性処理液）がＤＩＷ（低親和性処理液）によって置換される。すなわち、薬液供給工程（高親和性処理液供給工程）の後にリンス液供給工程（低親和性処理液供給工程）が実行されることによって、基板Ｗの上面の高親和性処理液（有機アルカリ）が低親和性処理液（ＤＩＷ）に置換される（第２置換工程）。

ここで、図９Ａに示すように、第２置換工程において、基板Ｗから飛散する液体は、低親和性処理液と高親和性処理液の混合液である。第２置換工程では、基板Ｗの上面の高親和性処理液が低親和性処理液に置換されるので、第２置換工程の開始直後に基板Ｗから飛散する液体には、低親和性処理液よりも高親和性処理液が多く含まれる。その後、基板Ｗから飛散する液体中の低親和性処理液の割合が徐々に大きくなり、図９Ｂに示すように、第２置換工程の終了後に基板Ｗから飛散する液体は、低親和性処理液のみになる。

さらに、第２置換工程において、図９Ａに示すように、第２置換工程の開始時には第１ガード１７が第２液受け位置に配置され、図９Ｂに示すように、第２置換工程の終了後に、第１ガード１７が第１液受け位置に配置されるように、第１ガード昇降ユニット２７が第１ガード１７の位置を変更してもよい。
第１ガード１７の高さ位置は、第２置換工程の終了と同時に、第１液受け位置にされることが好ましい。第１ガード１７の高さ位置は、第２置換工程の終了の直前に変更されてもよいし、第２置換工程中に徐々に変更されてもよい。なお、第２置換工程は、基板Ｗ上の高親和性処理液が低親和性処理液に完全に置き換えられたときに終了する。

また、上述の基板処理では、薬液およびリンス液を第１ガード１７が受け、有機溶剤を第３ガード１９が受けるとした。また、撥水剤を第２ガード１８が受けるとした。しかしながら、薬液、リンス液、有機溶剤および撥水剤は、いずれのガード１７～１９によって受けられてもよい。
例えば、薬液およびリンス液を第２ガード１８が受け、有機溶剤を第１ガード１７が受け、撥水剤を第３ガード１９が受けてもよい。また、薬液およびリンス液を第３ガード１９が受け、有機溶剤を第２ガード１８が受け、撥水剤を第１ガード１７が受けてもよい。要するに、第１ガード１７が高親和性処理液用ガードとして機能してもよいし、第２ガード１８および第３ガード１９が低親和性処理液用ガードとして機能してもよい。

第１ガード１７が高親和性処理液用ガードとして機能するとき、第１ガード１７は、第２液受け位置に位置する（図３Ａ参照）。第２ガード１８が低親和性処理液用ガードとして機能するとき、第２ガード１８は、第１液受け位置に位置する（図３Ｂ参照）。第３ガード１９が低親和性処理液用ガードとして機能するとき、第３ガード１９は、第１液受け位置に位置する（図３Ｃ参照）。

また、全ての処理液が複数のガード１７～１９のうちの１つのガードによって受けられてもよい。例えば、第１ガード１７が全ての処理液を受けてもよい。この場合、第１ガード１７が低親和性処理液用ガードとして機能し、かつ、高親和性処理液用ガードとして機能する。また、第１ガード昇降ユニット２７が、低親和性処理液用ガード昇降ユニットとして機能し、かつ、高親和性処理液用ガード昇降ユニットとして機能する。当然、第２ガード１８が全ての処理液を受けてもよいし、第３ガード１９が全ての処理液を受けてもよい。

この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
例えば、ガードの数は３つに限られない。ガードは、４つ以上設けられていてもよいし、２つであってもよい。また、ガードが１つであってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。

１ ：基板処理装置
３ ：制御ユニット
６ ：対向部材
８ ：薬液供給ユニット（処理液供給ユニット、低親和性処理液供給ユニット、高親和性処理液供給ユニット）
９ ：リンス液供給ユニット（処理液供給ユニット、低親和性処理液供給ユニット）
１０ ：有機溶剤供給ユニット（処理液供給ユニット、高親和性処理液供給ユニット）
１１ ：撥水剤供給ユニット（処理液供給ユニット、高親和性処理液供給ユニット）
１２ ：支持部材昇降ユニット（対向部材昇降ユニット）
１７ ：第１ガード（低親和性処理液用ガード、高親和性処理液用ガード）
１８ ：第２ガード（高親和性処理液用ガード、低親和性処理液用ガード）
１９ ：第３ガード（高親和性処理液用ガード、低親和性処理液用ガード）
２３ ：電動モータ（基板回転ユニット、対向部材回転ユニット）
２４ ：基板保持ユニット
２７ ：第１ガード昇降ユニット（低親和性処理液用ガード昇降ユニット、高親和性処理液用ガード昇降ユニット）
２８ ：第２ガード昇降ユニット（高親和性処理液用ガード昇降ユニット、低親和性処理液用ガード昇降ユニット）
２９ ：第３ガード昇降ユニット（高親和性処理液用ガード昇降ユニット、低親和性処理液用ガード昇降ユニット）
６１ ：延設部
６１ａ ：内周面
Ａ１ ：回転軸線
Ｗ ：基板

Claims (8)

1. 水平に保持された基板を鉛直方向に延びる回転軸線まわりに回転させる基板回転工程と、
   平面視で前記基板を取り囲む内周面を有する延設部を含み、上方から前記基板に対向する対向部材を、前記延設部の内周面が前記回転軸線を中心とした径方向の外方から前記基板に対向する位置に配置する対向部材配置工程と、
   前記回転軸線まわりに前記対向部材を回転させる対向部材回転工程と、
   回転状態の前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給工程と、
   前記延設部の内周面に対する前記処理液の親和性に応じて、前記径方向の外方に向けて前記基板の上面から飛散する前記処理液が受けられる高さ位置に、平面視で前記延設部よりも前記径方向の外方で前記基板を取り囲むガードを配置するガード配置工程とを含む、基板処理方法。
2. 前記処理液供給工程が、前記基板の上面に低親和性処理液を供給する低親和性処理液供給工程と、前記延設部の内周面に対する親和性が前記低親和性処理液よりも高い高親和性処理液を前記基板の上面に供給する高親和性処理液供給工程とを含み、
   前記ガード配置工程が、前記ガードが前記低親和性処理液を受ける際、第１液受け位置に前記ガードを配置する第１配置工程と、前記ガードが前記高親和性処理液を受ける際、前記第１液受け位置よりも下方の第２液受け位置に前記ガードを配置する第２配置工程とを含む、請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記第１配置工程が、前記ガードの上端が前記基板の上面よりも上方に位置するように、前記ガードを前記第１液受け位置に配置する工程を含み、
   前記第２配置工程が、前記ガードの上端が前記基板の上面よりも下方でかつ前記延設部の下端部よりも上方に位置するように、前記ガードを前記第２液受け位置に配置する工程を含む、請求項２に記載の基板処理方法。
4. 前記処理液供給工程が、前記低親和性処理液供給工程の後に前記高親和性処理液供給工程を実行することによって、前記基板の上面の前記低親和性処理液を前記高親和性処理液に置換する第１置換工程を含み、
   前記ガード配置工程が、前記第１置換工程の開始時には前記ガードが前記第１液受け位置に位置し、前記第１置換工程の終了後には前記ガードが前記第２液受け位置に位置するように前記ガードの高さ位置を変更する工程を含む、請求項２または３に記載の基板処理方法。
5. 前記処理液供給工程が、前記高親和性処理液供給工程の後に前記低親和性処理液供給工程を実行することによって、前記基板の上面の前記高親和性処理液を前記低親和性処理液に置換する第２置換工程を含み、
   前記ガード配置工程が、前記第２置換工程の開始時には前記ガードが前記第２液受け位置に位置し、前記第２置換工程の終了後には前記ガードが前記第１液受け位置に位置するように前記ガードの高さ位置を変更する工程を含む、請求項２～４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
6. 前記ガードが、前記低親和性処理液を受ける低親和性処理液用ガードと、前記高親和性処理液を受ける高親和性処理液用ガードとを含み、
   前記ガード配置工程が、前記第１液受け位置に前記低親和性処理液用ガードを配置する低親和性処理液用ガード配置工程と、前記第２液受け位置に前記高親和性処理液用ガードを配置する高親和性処理液用ガード配置工程とを含む、請求項２～５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
7. 前記ガード配置工程が、前記基板の回転速度が高いほど前記ガードが上方に配置されるように前記ガードの位置を調整する工程を含む、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
8. 水平に基板を保持する基板保持ユニットと、
   鉛直方向に延びる回転軸線まわりに前記基板を回転させる基板回転ユニットと、
   前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給ユニットと、
   平面視で前記基板を取り囲む内周面を有する延設部を含み、上方から前記基板に対向する対向部材と、
   平面視で前記延設部よりも前記回転軸線を中心とした径方向の外方で前記基板を取り囲むガードと、
   前記ガードを昇降させるガード昇降ユニットと、
   前記対向部材を昇降させる対向部材昇降ユニットと、
   前記回転軸線まわりに前記対向部材を回転させる対向部材回転ユニットと、
   前記基板回転ユニット、前記処理液供給ユニット、前記ガード昇降ユニット、前記対向部材昇降ユニットおよび前記対向部材回転ユニットを制御する制御ユニットとを含み、
   前記制御ユニットが、前記基板回転ユニットによって、水平に保持された前記基板を前記回転軸線まわりに回転させる基板回転工程と、前記延設部の内周面が前記径方向の外方から前記基板に対向する位置に、前記対向部材昇降ユニットによって前記対向部材を配置する対向部材配置工程と、前記対向部材回転ユニットによって、前記回転軸線まわりに前記対向部材を回転させる対向部材回転工程と、回転状態の前記基板の上面に、前記処理液供給ユニットから前記処理液を供給する処理液供給工程と、前記ガード昇降ユニットによって、前記延設部の内周面に対する前記処理液の親和性に応じて、前記基板の上面から前記径方向の外方に向けて飛散する前記処理液が受けられる高さ位置に、前記ガードを配置するガード配置工程と、を実行するようにプログラムされている、基板処理装置。

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