CN111052315B - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

一种基板处理方法，包含：基板旋转工序，使被保持成水平的基板绕着在铅垂方向延伸的旋转轴线旋转；对向构件配置工序，使从上方与所述基板对向且包含了具有在俯视观察时围绕所述基板的内周面的延伸设置部的对向构件配置于以下位置：所述延伸设置部的内周面从以所述旋转轴线作为中心的径向的外方与所述基板对向的位置；对向构件旋转工序，使所述对向构件绕着所述旋转轴线旋转；处理液供给工序，对旋转状态的所述基板的上表面供给处理液；以及防护罩配置工序，根据所述处理液对于所述延伸设置部的内周面的亲和性，将防护罩配置于承接从所述基板的上表面朝向所述径向的外方飞散的所述处理液的高度位置，所述防护罩在俯视观察时在所述延伸设置部的所述径向的外方围绕所述基板。

Description

基板处理方法以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种处理基板的基板处理方法以及基板处理装置。在成为处理对象的基板中，例如包含有半导体晶片(wafer)、液晶显示设备用基板、有机EL(Electroluminescence；电致发光)显示设备等的FPD(Flat Panel Display；平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太阳能电池用基板等的基板。
背景技术
在用以逐片处理基板的单张式的基板处理装置的基板处理中，例如对在被旋转卡盘(spin chuck)大致水平地保持的状态下进行旋转的基板供给处理液。被供给至基板的处理液通过离心力飞散至基板外。飞散至基板外的药液通过围绕旋转卡盘的杯体(cup)(防护罩)而被承接。
在下述专利文献1中所记载的基板处理装置的基板处理中，使用稀氢氟酸、去离子水(Deionized Water；DIW)以及异丙醇(Isopropyl Alcohol；IPA)等作为处理液。具体而言，在基板供给稀氢氟酸，由此处理基板的表面。之后，通过在基板的上表面供给DIW，而以DIW置换基板上的稀氢氟酸。然后，通过在基板的上表面供给IPA，由此以IPA置换基板上的DIW。然后，通过从基板甩开IPA而使基板的上表面干燥。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开第2015/234296号说明书。
发明内容
发明所要解决的课题
在专利文献1所记载的基板处理装置的基板处理中，设置有阻断构件，该阻断构件包含有：圆板部，具有与基板对向的下表面；以及延伸设置部，从圆板部朝下方延伸。阻断构件与旋转卡盘一起旋转。为此，在阻断构件接近于基板的上表面时，从基板飞散出的处理液碰触于阻断构件的延伸设置部的内周面。之后，附着于延伸设置部的内周面的处理液通过离心力从阻断构件飞散出而被防护罩所承接。
在此，会因为处理液相对于阻断构件的亲和度的不同，而使附着于阻断构件的处理液的对于阻断构件的残留度有所差异。为此，会因为处理液相对于阻断构件的亲和度的不同而使从阻断构件飞散出的处理液的飞散方向有所差异。从而，在专利文献1所记载的基板处理之中，会因从阻断构件飞散出的处理液的方向的不同而存有不被处理液防护罩所承接且到达防护罩的外方的疑虑。如此，既有无法回收处理液的担心，且亦有基板处理装置内被处理液污染的担心。
因此，本发明的目的之一在于提供一种基板处理方法以及基板处理装置，能无关于处理液的种类地通过防护罩良好地承接处理液。
用以解决课题的手段
本发明的一实施方式提供一种基板处理方法，包含：基板旋转工序，使被保持成水平的基板绕着在铅垂方向延伸的旋转轴线旋转；对向构件配置工序，使从上方与所述基板对向且包含了具有在俯视观察时围绕所述基板的内周面的延伸设置部的对向构件配置于以下位置：所述延伸设置部的内周面从以所述旋转轴线作为中心的径向的外方与所述基板相对向的位置；对向构件旋转工序，使所述对向构件绕着所述旋转轴线旋转；处理液供给工序，对旋转状态的所述基板的上表面供给处理液；以及防护罩配置工序，根据所述处理液对于所述延伸设置部的内周面的亲和性将防护罩配置于承接从所述基板的上表面朝向所述径向的外方飞散的所述处理液的高度位置，所述防护罩在俯视观察时在所述延伸设置部的所述径向的外方围绕所述基板。
依据该方法，从基板的上表面飞散至以旋转轴线作为中心的径向的外方的处理液通过对向构件的延伸设置部的内周面暂时被承接后，则可通过从延伸设置部朝径向的外方飞散而被防护罩承接。能根据处理液对于延伸设置部的内周面的亲和性，将防护罩配置于适合的高度位置。为此，能与供给至基板的处理液的种类(对于对向构件的延伸设置部的内周面的亲和性)无关地通过防护罩而良好地承接处理液。
在此，所谓对于延伸设置部的内周面的亲和性是指对于延伸设置部的内周面的亲和度。所谓对于延伸设置部的内周面的亲和性高的处理液是对于延伸设置部的内周面容易亲近的处理液。所谓对于延伸设置部的内周面的亲和性低的处理液是对于延伸设置部的内周面不容易亲近的处理液。对于延伸设置部的内周面的处理液的亲和性越高，处理液就越容易附着于延伸设置部的内周面。对于延伸设置部的内周面的处理液的亲和性越低，处理液就越不容易附着于延伸设置部的内周面。
在本发明的一实施方式中，所述处理液供给工序包含：低亲和性处理液供给工序，对所述基板的上表面供给低亲和性处理液；以及高亲和性处理液供给工序，对所述基板的上表面供给对于所述延伸设置部的内周面的亲和性比所述低亲和性处理液高的高亲和性处理液。然后，所述防护罩配置工序包含：第一配置工序，在所述防护罩承接所述低亲和性处理液时，将所述防护罩配置于第一液承接位置；以及第二配置工序，在所述防护罩承接所述高亲和性处理液时，将所述防护罩配置于比第一液承接位置靠下方的第二液承接位置。
高亲和性处理液比低亲和性处理液还要难以从对向构件的延伸设置部的内周面脱离。为此，附着于内周面的高亲和性处理液比低亲和性处理液还要容易形成大液滴。由于液滴承受自身的重量，因此其尺寸越大就越容易从延伸设置部的内周面落下至下方。为此，与低亲和性处理液的飞散方向相比较，高亲和性处理液的飞散方向倾向于下方。
于是，通过将第二液承接位置设定为比第一液承接位置(承接低亲和性处理液时的防护罩的位置)靠下方，能将防护罩配置于适合的位置。从而，能与处理液的种类无关地通过防护罩而良好地承接处理液。
在第一配置工序中，较佳是以防护罩的上端比基板的上表面靠上方的方式配置防护罩，在第二配置工序中，较佳是以防护罩的上端比基板的上表面靠下方且比延伸设置部的下端部靠上方的方式配置防护罩。在防护罩配置工序中，通过将防护罩以上述方式配置，得以使防护罩更良好地承接处理液。
依据本发明的一实施方式，所述处理液供给工序包含：第一置换工序，在所述低亲和性处理液供给工序之后执行所述高亲和性处理液供给工序，由此将所述基板的上表面的所述低亲和性处理液置换为所述高亲和性处理液。然后，所述防护罩配置工序包含以下工序：以在所述第一置换工序开始时所述防护罩位于第一液承接位置，且所述第一置换工序结束后所述防护罩位于所述第二液承接位置的方式变更所述防护罩的高度位置。
在第一置换工序中，从基板飞散出的液体低亲和性处理液与高亲和性处理液的混合液。在第一置换工序之中，由于将基板的上表面的低亲和性处理液置换为高亲和性处理液，因此在第一置换工序刚开始后从基板飞散出的液体中，所包含的是比高亲和性处理液还要多的低亲和性处理液。之后，从基板飞散出的液体中的高亲和性处理液的比率逐渐变大，在第一置换工序结束后从基板飞散出的液体变成只有高亲和性处理液。从而，在第一置换工序开始时使防护罩位于第一液承接位置，且在第一置换工序结束后，使防护罩位于第二液承接位置，由此得以通过防护罩更良好地承接处理液。
在本发明的一实施方式中，所述处理液供给工序包含：第二置换工序，在所述高亲和性处理液供给工序之后执行所述低亲和性处理液供给工序，由此将所述基板的上表面的所述高亲和性处理液置换为所述低亲和性处理液。然后，所述防护罩配置工序包含以下工序：以在所述第二置换工序开始时所述防护罩位于第二液承接位置，且所述第二置换工序结束后所述防护罩位于所述第一液承接位置的方式变更所述防护罩的高度位置。
在第二置换工序中，从基板飞散出的液体是低亲和性处理液与高亲和性处理液的混合液。在第二置换工序之中，由于将基板的上表面的高亲和性处理液置换为低亲和性处理液，因此在第二置换工序刚开始后从基板飞散出的液体中，所包含的是比低亲和性处理液还要多的高亲和性处理液。之后，从基板飞散出的液体中的低亲和性处理液的比率逐渐变大，在第二置换工序结束后从基板飞散出的液体变成只有低亲和性处理液。从而，在第二置换工序开始时使防护罩位于第二液承接位置，且在第二置换工序的结束后，使防护罩位于第一液承接位置，由此得以通过防护罩更良好地承接处理液。
在本发明的一实施方式中，所述防护罩包含低亲和性处理液用防护罩以及高亲和性处理液用防护罩，所述低亲和性处理液用防护罩用以承接所述低亲和性处理液，所述高亲和性处理液用防护罩用以承接所述高亲和性处理液。然后，所述防护罩配置工序包含：低亲和性处理液用防护罩配置工序，在所述第一液承接位置配置所述低亲和性处理液用防护罩，高亲和性处理液用防护罩配置工序，在所述第二液承接位置配置所述高亲和性处理液用防护罩。
依据该方法，低亲和性处理液及高亲和性处理液能分别被相异的防护罩(分别单独的防护罩)承接。可根据处理液的种类将各个低亲和性处理液用防护罩及高亲和性处理液用防护罩配置于适当的位置。从而，得以通过防护罩更良好地承接从基板飞散出的处理液。
基板的旋转速度越高，则作用于从基板飞散出的处理液的离心力就变越大。为此，基板的旋转速度越高，来自基板的处理液的飞散方向就越倾向于上方。
在本发明的一实施方式中，所述防护罩配置工序包含以下工序：以所述基板的旋转速度越高就越将所述防护罩配置于上方的方式调整所述防护罩的位置。为此，在防护罩配置工序之中，能将防护罩配置于更好承接处理液的位置。
在本发明的一实施方式中提供一种基板处理装置，包含：基板保持单元，用于将基板保持成水平；基板旋转单元，使所述基板绕着在铅垂方向延伸的旋转轴线旋转；处理液供给单元，对所述基板的上表面供给处理液；对向构件，从上方与所述基板对向且包含延伸设置部，所述延伸设置部具有在俯视观察时围绕所述基板的内周面；防护罩，在俯视观察时在所述延伸设置部的以所述旋转轴线作为中心的径向的外方围绕所述基板；防护罩升降单元，用于升降所述防护罩；对向构件升降单元，用于升降所述对向构件；对向构件旋转单元，用于使所述对向构件绕着所述旋转轴线旋转；以及控制器，控制所述基板旋转单元、所述处理液供给单元、所述防护罩升降单元、所述对向构件升降单元及所述对向构件旋转单元。
然后，所述控制器被编程化为执行以下工序：基板旋转工序，通过所述基板旋转单元使被保持成水平的所述基板绕着所述旋转轴线旋转；对向构件配置工序，通过所述对向构件升降单元使所述对向构件配置于所述延伸设置部的内周面从所述径向的外方与所述基板对向的位置；对向构件旋转工序，通过所述对向构件旋转单元使所述对向构件绕着所述旋转轴线旋转；处理液供给工序，从所述处理液供给单元对旋转状态的所述基板的上表面供给所述处理液；以及防护罩配置工序，根据所述处理液对于所述延伸设置部的内周面的亲和性，通过所述防护罩升降单元将防护罩配置于承接从所述基板的上表面朝向所述径向的外方飞散的所述处理液的高度的位置。
依据该构成，得以使防护罩根据所述处理液对于对向构件的延伸设置部的内周面的亲和性而配置于适当的高度位置。为此，可与供给至基板的处理液的种类(对于延伸设置部的内周面的亲和性)无关地通过防护罩而良好地承接处理液。
本发明中的所述目的、特征及功效以及其他的目的、特征及功效能参照附图并通过以下所述的实施方式的说明而明了。
附图说明
图1是用以说明本发明的一实施方式的基板处理装置的内部布局(layout)的示意性的俯视图。
图2是用以说明所述基板处理装置所具备的处理单元的示意图。
图3A是用以说明所述处理单元所具备的第一防护罩的高度位置的示意图。
图3B是用以说明所述处理单元所具备的第二防护罩的高度位置的示意图。
图3C是用以说明所述处理单元所具备的第三防护罩的高度位置的示意图。
图4是用以说明所述基板处理装置的主要部分的电气构成的框图。
图5是用以说明通过所述基板处理装置的基板处理的第一例的流程图。
图6A是用以说明所述基板处理的第一例的图解剖视图。
图6B是用以说明所述基板处理的第一例的图解剖视图。
图6C是用以说明所述基板处理的第一例的图解剖视图。
图6D是用以说明所述基板处理的第一例的图解剖视图。
图6E是用以说明所述基板处理的第一例的图解剖视图。
图7A是用以说明所述基板处理的第一例中承接低亲和性处理液时的防护罩的高度位置的图解剖视图。
图7B是用以说明所述基板处理的第一例中承接高亲和性处理液时的防护罩的高度位置的图解剖视图。
图8A是用以说明所述基板处理的第二例的图解剖视图。
图8B是用以说明所述基板处理的第二例的图解剖视图。
图9A是用以说明所述基板处理的第三例的图解剖视图。
图9B是用以说明所述基板处理的第三例的图解剖视图。
具体实施方式
图1是用以说明本发明的一实施方式的基板处理装置1的内部布局的图解俯视图。
基板处理装置1是逐片处理硅晶片(silicon wafer)等的基板W的单张式的装置。在本实施方式中，基板W为圆板状的基板。基板处理装置1包含：多个处理单元2，用处理液来处理基板W；装载埠(load port)LP，可供载具(carrier)C载置，所述载具C用以收容在处理单元2所处理的多片基板W；搬运机械手(robot)IR及搬运机械手CR，在装载埠LP与处理单元2之间搬运基板W；以及控制器3，用以控制基板处理装置1。搬运机械手IR在载具C与搬运机械手CR之间搬运基板W。搬运机械手CR在搬运机械手IR与处理单元2之间搬运基板W。多个处理单元2例如具有同样的构成。
图2是用以说明处理单元2的构成例的示意图。
处理单元2包含：腔室(chamber)4(参照图1)、旋转卡盘(spin chuck)5、对向构件6、支撑构件7、药液供给单元8、冲洗液供给单元9、有机溶剂供给单元10、憎水剂供给单元11、支撑构件升降单元12以及处理杯体13。
旋转卡盘5一边以水平的姿势保持一片基板W一边使基板W绕着铅垂的旋转轴线A1而旋转。旋转轴线A1通过基板W的中央部。旋转卡盘5收容于腔室4内部(参照图1)。在腔室4形成有：出入口(未图示)，用以将基板W搬入至腔室4内部或将基板W从腔室4内部搬出。在腔室4具备有开闭该出入口的挡门单元(shutter unit)(未图示)。
旋转卡盘5包含基板保持单元24、旋转轴22及电动马达23。基板保持单元24水平地保持基板W。基板保持单元24包含旋转基座(spin base)21以及多个卡盘销(chuck pin)20。旋转基座21具有沿着水平方向的圆板形状。在旋转基座21的上表面，沿着圆周方向隔出间隔地配置有多个卡盘销20。旋转轴22结合于旋转基座21的下表面中央。旋转轴22沿着旋转轴线A1而在铅垂方向延伸。电动马达23对旋转轴22提供旋转力。旋转轴22通过电动马达23而旋转，由此使基板保持单元24的旋转基座21旋转。由此，基板W可绕着旋转轴线A1而旋转。绕着旋转轴线A1的旋转方向称之为旋转方向S。电动马达23包含于使基板W绕着旋转轴线A1而旋转的基板旋转单元中。
对向构件6在俯视观察下为大致圆形状。旋转轴线A1亦是通过对向构件6的中心部的铅垂轴线。对向构件6由树脂形成。作为形成对向构件6的树脂可列举PEEK(polyetheretherketone；聚醚醚酮树脂)等。因此，对向构件6的表面为疏水面。所谓疏水面是疏水性比较高的面。对向构件6从上方与基板W的上表面对向。对向构件6将对向构件6与基板W的上表面之间的空间65内的环境气体自周围的环境气体中予以阻断。对向构件6亦称之为阻断构件。
对向构件6例如可通过磁力而与基板保持单元24卡合。详言之，对向构件6包含多个第一卡合部66。第一卡合部66从对向部60的对向面60a朝下方延伸。多个第一卡合部66以互相隔着间隔的方式配置于旋转方向S。基板保持单元24包含可与多个第一卡合部66卡合的多个第二卡合部76。第二卡合部76具有凸部，各第一卡合部66具有：凹部，嵌入有所对应的第二卡合部76的凸部。亦可与此实施方式相异，第二卡合部76具有凹部，各第一卡合部66具有：凸部，嵌入于所对应的第二卡合部76的凹部。多个第二卡合部76以互相隔着间隔的方式配置于旋转方向S。
在对向构件6的各第一卡合部66与基板保持单元24的相对应的第二卡合部76已卡合的状态下，对向构件6可与基板保持单元24一体地旋转。在对向构件6与基板保持单元24卡合时，电动马达23旋转旋转基座21，由此使对向构件6与基板保持单元24一起旋转。亦即，电动马达23也具有作为使对向构件6绕着旋转轴线A1旋转的对向构件旋转单元的功能。
对向构件6包含有：对向部60、延伸设置部61、筒状部62以及多个凸缘(flange)部63。
对向部60从上方与基板W的上表面对向。对向部60形成为圆板状。对向部60大致水平地配置于旋转卡盘5的上方。对向部60具有：对向面60a，与基板W的上表面对向。对向面60a亦为对向部60的下表面。
延伸设置部61从对向部60的周缘部朝下方延伸。延伸设置部61的内周面61a以随着朝向下方而朝向以旋转轴线A1作为中心的径向的外方的方式相对于铅垂方向呈倾斜。由于延伸设置部61的内周面61a为对向构件6的表面的一部分，因此延伸设置部61的内周面61a为疏水面。延伸设置部61的外周面沿着铅垂方向延伸。
在以下中，将以旋转轴线A1作为中心的径向的内方简称为“径向内方”，将以旋转轴线A1作为中心的径向的外方简称为“径向外方”。对向构件6与基板保持单元24卡合时，延伸设置部61在比第一防护罩17更靠径向内方的位置围绕基板W(参照图2的双点划线)。对向构件6与基板保持单元24卡合时，延伸设置部61从径向外方与基板W对向(参照图2的双点划线)。
筒状部62固定于对向部60的上表面。多个凸缘部63以沿着筒状部62的圆周方向(旋转方向S)互相隔着间隔的方式配置于筒状部62的上端。各凸缘部63水平地从筒状部62的上端延伸。
在基板处理装置1中所使用的处理液包含有药液、冲洗液、有机溶剂以及憎水剂等。药液供给单元8、冲洗液供给单元9、有机溶剂供给单元10以及憎水剂供给单元11包含于供给处理液至基板W的上表面的处理液供给单元中。
在基板处理装置1中所使用的处理液分类为低亲和性处理液及高亲和性处理液，所述低亲和性处理液是对于对向构件6的延伸设置部61的内周面61a的亲和性较低的处理液，所述高亲和性处理液是对于延伸设置部61的内周面61a的亲和性较高的处理液。
在此，所谓对于延伸设置部61的内周面61a的亲和性是指对于延伸设置部61的内周面61a的亲和度。所谓对于延伸设置部61的内周面61a的亲和性高的处理液指对于延伸设置部61的内周面61a容易亲近(润湿性高)的处理液。所谓对于延伸设置部61的内周面61a的亲和性低的处理液指对于延伸设置部61的内周面61a不容易亲近(润湿性低)的处理液。处理液对于延伸设置部61的内周面61a的亲和性越高，处理液就容易附着于延伸设置部61的内周面61a。对于延伸设置部61的内周面61a的亲和性越低，处理液就越不容易附着于延伸设置部61的内周面61a。
由于内周面61a为疏水面，作为低亲和性处理液可列举亲水性处理液，作为高亲和性处理液可列举疏水性处理液。“亲水性”指相对于水的亲和性为高的性质。“疏水性”指相对于水的亲和性为低的性质。一般而言，疏水性处理液具有亲油性。“亲油性”指与脂质或非极性有机溶剂间的亲和性为高的性质。低亲和性处理液为水溶液或水。高亲和性处理液为将有机物作为溶剂的溶液或液状的有机物。
药液供给单元8、冲洗液供给单元9、有机溶剂供给单元10以及憎水剂供给单元11各自被分类为低亲和性处理液供给单元和高亲和性处理液供给单元的某一方。低亲和性处理液供给单元指供给低亲和性处理液至基板W的上表面的单元。高亲和性处理液供给单元指供给高亲和性处理液至基板W的上表面的单元。
药液供给单元8是供给药液至基板W的上表面的中央区域的单元。基板W的上表面的中央区域是包含基板W的上表面与旋转轴线A1间的交叉位置的基板W的上表面的中央附近的区域。药液供给单元8包含：药液喷嘴30，朝基板W的上表面的中央区域喷出药液；药液供给管31，结合于药液喷嘴30以及药液阀32，安装于药液供给管31。在药液供给管31从药液供给源供给有氢氟酸(氟化氢水；HF)等的药液。药液阀32开闭药液供给管31内的流路。
从药液喷嘴30喷出的药液不限于氢氟酸。从药液喷嘴30喷出的药液亦可为包含以下所列举之中的至少一个的液体：硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、缓冲氢氟酸(BHF(buffered hydrofluoric acid))、稀氢氟酸(DHF(diluted hydrofluoric acid))、氨水、过氧化氢水、有机碱(例如，TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide)；氢氧化四钾铵等)、界面活性剂、防腐剂。作为混合它们所成的药液的例，可列举SPM(sulfuric acid/hydrogenperoxide mixture；硫酸过氧化氢混合液)、SC1(亦即氨气过氧化氢混合液(ammonia/hydrogen peroxide mixture))、SC2(亦即盐酸过氧化氢混合液(hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture))等。
从药液喷嘴30喷出的药液除了为有机碱的状况外是水溶液(亲水性处理液)。为此，从药液喷嘴30喷出的药液除了为有机碱的状况外是对于延伸设置部61的内周面61a(疏水面)的亲和性较低的低亲和性处理液。除了从药液喷嘴30喷出的药液为有机碱的状况外，药液供给单元8被分类为低亲和性处理液供给单元。
有机碱是疏水性处理液。为此，从药液喷嘴30喷出的药液为有机碱的状况是对于延伸设置部61的内周面61a的亲和性为高的高亲和性处理液。从药液喷嘴30喷出的药液为有机碱的状况下，药液供给单元8被分类为高亲和性处理液供给单元。
冲洗液供给单元9是供给冲洗液至基板W的上表面的中央区域的单元。冲洗液供给单元9包含：冲洗液喷嘴40，朝基板W的上表面的中央区域喷出冲洗液；冲洗液供给管41，结合于冲洗液喷嘴40；以及冲洗液阀42，安装于冲洗液供给管41。从冲洗液供给源对冲洗液供给管41供给DIW(deionized water；去离子水)等的冲洗液。冲洗液阀42开闭冲洗液供给管41内的流路。
从冲洗液喷嘴40喷出的冲洗液不限于DIW。从冲洗液喷嘴40喷出的冲洗液，亦可为碳酸水、电解离子水、臭氧水、氨水、稀释浓度(例如，10ppm～100ppm左右)的盐酸水、还原水(氢水)。冲洗液含有水。
如此，从冲洗液喷嘴40喷出的冲洗液为水溶液或水。为此，从冲洗液喷嘴40喷出的冲洗液为亲水性处理液。从而，从冲洗液喷嘴40喷出的冲洗液是对于延伸设置部61的内周面61a(疏水面)的亲和性较低的低亲和性处理液。冲洗液供给单元9被分类为低亲和性处理液供给单元。
有机溶剂供给单元10是供给有机溶剂至基板W的上表面的中央区域的单元。有机溶剂供给单元10包含：有机溶剂喷嘴50，朝基板W的上表面的中央区域喷出有机溶剂；有机溶剂供给管51，结合于有机溶剂喷嘴50以及有机溶剂阀52，安装于有机溶剂供给管51。从有机溶剂供给源对有机溶剂供给管51供给IPA(Isopropyl Alcohol；异丙醇)等的有机溶剂。有机溶剂阀52开闭有机溶剂供给管51内的流路。
从有机溶剂喷嘴50喷出的有机溶剂不限于IPA。从有机溶剂喷嘴50喷出的有机溶剂亦可为不会与基板W的上表面以及形成于基板W的图案(未图示)进行化学反应(缺乏反应性)的IPA以外的有机溶剂。更具体而言，从有机溶剂喷嘴50喷出的有机溶剂亦可为包含有以下之中的至少一者的有机溶剂：IPA、HFE(hydrofluoroether；氢氟醚)、甲醇、乙醇、丙酮、反-1,2-二氯乙烯(Trans-1,2-Dichloroethylene)。由于从有机溶剂喷嘴50喷出的有机溶剂为液状的有机物，故是相对于延伸设置部61的内周面61a表现为高亲和性的疏水性处理液。为此，从有机溶剂喷嘴50喷出的有机溶剂是对于延伸设置部61的内周面61a(疏水面)的亲和性较高的高亲和性处理液。为此，有机溶剂供给单元10是高亲和性处理液供给单元。
憎水剂供给单元11指供给憎水剂至基板W的上表面的中央区域的单元。憎水剂供给单元11包含：憎水剂喷嘴80，朝基板W的上表面的中央区域喷出憎水剂；憎水剂供给管81，结合于憎水剂喷嘴80以及憎水剂阀82，安装于憎水剂供给管81。从憎水剂供给源对憎水剂供给管81供给憎水剂。憎水剂阀82开闭憎水剂供给管81内的流路。
从憎水剂喷嘴80喷出的憎水剂例如能使用硅系的憎水剂或者金属系的憎水剂，该硅系的憎水剂用以使硅本身以及包含有硅的化合物疏水化，该金属系的憎水剂用以使金属本身以及包含有金属的化合物疏水化。金属系的憎水剂例如包含有机硅化合物以及具有疏水基的胺中的至少一者。硅系的憎水剂例如为硅烷耦合剂(silane coupling agent)。硅烷耦合剂例如包含有以下中的至少一者：HMDS(hexamethyldisilazane；六甲基二硅氮烷)、TMS(tetramethylsilane；四甲基硅烷)、氟化烷氯硅烷(fluorinatedalkylchlorosilane)、烷基二硅氮烷(alkyl disilazane)以及非氯系的憎水剂。非氯系的憎水剂例如包含有以下中的至少一者：二甲基甲硅烷基二甲胺(DMSDMA；dimethylsilyldimethylamine)、二甲基甲硅烷基二乙胺(DMSDEA；dimethylsilyldiethylamine)、六甲基二硅氮烷(HMDS；hexamethyldisilazane)、四甲基二硅氮烷(TMDS；tetramethyldisilazane)、双(二甲基氨)二甲基硅烷(Bis(dimethylamino)dimethylsilane)、N,N-二甲基三甲基硅胺(DMATMS；N,N-dimethylaminotrimethylsilane)、N-(三甲基硅基)二甲胺(N-(trimethylsilyl)dimethylamine)以及有机硅烷(organosilane)化合物。
如此，由于从憎水剂喷嘴80喷出的憎水剂为硅系的憎水剂或者金属系的憎水剂等的有机物，故是疏水性处理液。为此，从憎水剂喷嘴80喷出的憎水剂是对于延伸设置部61的内周面61a(疏水面)的亲和性较高的高亲和性处理液。为此，憎水剂供给单元11是高亲和性处理液供给单元。
在此实施方式中，药液喷嘴30、冲洗液喷嘴40、有机溶剂喷嘴50以及憎水剂喷嘴80共通地收容于喷嘴收容构件35。喷嘴收容构件35的下端部对向于基板W的上表面的中央区域。
支撑构件7包含：对向构件支撑部70，支撑对向构件6；喷嘴支撑部72，支撑设置于比对向构件支撑部70靠上方的喷嘴收容构件35；以及壁部71，连结对向构件支撑部70与喷嘴支撑部72且延伸于铅垂方向。通过对向构件支撑部70与壁部71而区划出空间75。空间75收容筒状部62的上端部与凸缘部63。对向构件支撑部70构成支撑构件7的下壁。喷嘴支撑部72构成支撑构件7的上壁。喷嘴收容构件35安装于喷嘴支撑部72的大致中央。喷嘴收容构件35的前端位于比喷嘴支撑部72靠下方的位置。
对向构件支撑部70从下方支撑对向构件6(的凸缘部63)。在对向构件支撑部70的中央部形成有供筒状部62插通的筒状部插通孔70a。各凸缘部63形成有在上下方向贯穿凸缘部63的定位孔63a。在对向构件支撑部70形成有可与凸缘部63的定位孔63a卡合的卡合突起70b。卡合突起70b与相对应的各定位孔63a相卡合，由此使对向构件在旋转方向S中相对于支撑构件而被定位。
支撑构件升降单元12一起使支撑构件7与对向构件6升降。支撑构件升降单元12作为使对向构件6升降的对向构件升降单元而发挥作用。支撑构件升降单元12例如包含：滚珠螺杆机构(未图示)；以及电动马达(未图示)，对该滚珠螺杆机构提供驱动力。
支撑构件升降单元12能使支撑构件7位于下位置至上位置之间的预定的高度位置。下位置例如为后述图6A所示的位置。详言之，下位置是在支撑构件7的可动范围中支撑构件7最为接近于基板保持单元24的上表面的位置。上位置是图2的实线所显示的位置。详言之，上位置是在支撑构件7的可动范围中支撑构件7最为远离基板保持单元24的上表面的位置。
支撑构件7在位于上位置的状态下，将对向构件6予以悬吊支撑。在该状态下，对向构件6从基板保持单元24远离至上方。支撑构件7通过支撑构件升降单元12而升降，由此通过上位置与下位置之间的卡合位置。卡合位置是在图2以双点划线显示的位置。卡合位置是对向构件6从下方被支撑构件7支撑且对向构件6与基板保持单元24卡合时的支撑构件7的高度位置。支撑构件7在位于下位置时从已与基板保持单元24卡合的状态的对向构件6往下方远离。
在支撑构件7在上位置与卡合位置之间升降时，对向构件6与支撑构件7一体地升降。支撑构件7在位于卡合位置与下位置之间的位置时从对向构件6往下方远离。在支撑构件7位于卡合位置与下位置之间的位置时，对向构件6维持在已卡合于基板保持单元24的状态。
处理杯体13配置于比被旋转卡盘5保持的基板W靠径向外方的位置。处理杯体13包含有：排气桶26；多个杯体14～16(第一杯体14、第二杯体15及第三杯体16)；多个防护罩17～19(第一防护罩17、第二防护罩18以及第三防护罩19)；以及多个防护罩升降单元27～29(第一防护罩升降单元27、第二防护罩升降单元28以及第三防护罩升降单元29)。
排气桶26围绕旋转卡盘5。在排气桶26连接有用以将流入腔室4的空气排出至腔室4外的排气管(未图示)。多个杯体14～16及多个防护罩17～19配置于旋转卡盘5与排气桶26之间。多个杯体14～16各自围绕基板W。多个防护罩17～19各自围绕基板W。
各防护罩17～19承接从被旋转卡盘5保持的基板W飞散至径向外方的处理液。第二防护罩18配置于比第一防护罩17靠径向外方的位置。第三防护罩19配置于比第二防护罩18靠径向外方的位置。
第一防护罩17包含有：第一筒状部17A，在比排气桶26靠径向内方的位置围绕旋转卡盘5；以及第一倾斜部17B，以随着朝向径向内方而朝向上方的方式从第一筒状部17A延伸。
第二防护罩18包含有：第二筒状部18A，在比排气桶26靠径向内方且比第一筒状部17A还靠径向外方的位置围绕旋转卡盘5；以及第二倾斜部18B，以随着朝向径向内方而朝向上方的方式从第二筒状部18A延伸。
第三防护罩19包含有：第三筒状部19A，在比排气桶26靠径向内方且比第二筒状部18A靠径向外方的位置围绕旋转卡盘5；以及第三倾斜部19B，以随着朝向径向内方而朝向上方的方式从第三筒状部19A延伸。
第一倾斜部17B从下方与第二倾斜部18B相对向。第二倾斜部18B从下方与第三倾斜部19B相对向。
各杯体14～16具有朝上开口的环状的槽。第二杯体15配置于比第一杯体14靠径向外方的位置。第三杯体16配置于比第二杯体15靠径向外方的位置。第三杯体16与第二防护罩18一体地设置。各杯体14～16的槽连接于回收配管(未图示)或排出配管(未图示)。各杯体14～16的底部引导所对应的防护罩17～19承接的处理液。被引导至各杯体14至杯体16的底部的处理液通过回收配管或排出配管而回收或废弃。
多个防护罩升降单元27～29分别驱动多个防护罩17～19的升降。各防护罩升降单元27～29例如包含：滚珠螺杆机构(未图示)；以及对该滚珠螺杆机构提供驱动力的电动马达(未图示)。
接着，详细地说明各防护罩的高度位置。
图3A是用以说明第一防护罩17的高度位置的示意图。第一防护罩17通过第一防护罩升降单元27(参照图2)而在上位置与下位置之间升降。上位置是第一防护罩17的可动范围中的上方的极限位置。下位置是第一防护罩17的可动范围中的下方的极限位置。
第一防护罩17可位于上位置与下位置之间的第一液承接位置(图3A中以实线显示的位置)以及第二液承接位置(图3A中以双点划线显示的位置)。就位于第二液承接位置的第一防护罩17而言，仅图示第一倾斜部17B而省略第一防护罩17中其他部分的图示。
第二液承接位置是比第一液承接位置靠下方的位置。第一防护罩17位于第一液承接位置时，第一防护罩17的第一倾斜部17B的上端(径向内方端17a)比基板W的上表面靠上方。第一防护罩17位于第二液承接位置时，径向内方端17a位于比基板W的上表面靠下方且比已与基板保持单元24卡合状态的对向构件6的延伸设置部61的下端部靠上方的位置。
虽然详细内容后述，但处理液从延伸设置部61飞散的方向会因处理液属于低亲和性处理液以及高亲和性处理液中的何者而相异。低亲和性处理液的飞散方向D1(参照后述的图7A)比高亲和性处理液的飞散方向D2(参照后述的图7B)还要朝上方倾斜。为此，低亲和性处理液从基板W飞散时，第一防护罩17配置于第一液承接位置。高亲和性处理液从基板W飞散时，第一防护罩17配置于第二液承接位置。
图3B是用以说明第二防护罩18的高度位置的示意图。第二防护罩18通过第二防护罩升降单元28(参照图2)而在上位置与下位置之间升降。上位置是第二防护罩18的可动范围中的上方的极限位置。下位置是第二防护罩18的可动范围中的下方的极限位置。
第二防护罩18可位于上位置与下位置之间的第一液承接位置(图3B中以实线显示的位置)以及第二液承接位置(图3B中以双点划线显示的位置)。就位于第二液承接位置的第二防护罩18而言，仅图示第二倾斜部18B而省略第二防护罩18中其他部分以及第二杯体15的图示。
第二液承接位置是比第一液承接位置靠下方的位置。第二防护罩18位于第一液承接位置时，第二防护罩18的第二倾斜部18B的上端(径向内方端18a)比基板W的上表面靠上方。第二防护罩18位于第二液承接位置时，径向内方端18a位于比基板W的上表面靠下方且比已与基板保持单元24卡合状态的对向构件6的延伸设置部61的下端部靠上方的位置。
第二防护罩18也与第一防护罩17相同，在低亲和性处理液从基板W飞散时，第二防护罩18配置于第一液承接位置。高亲和性处理液从基板W飞散时，第二防护罩18配置于第二液承接位置。
图3C是用以说明第三防护罩19的高度位置的示意图。第三防护罩19通过第三防护罩升降单元29(参照图2)而在上位置与下位置之间升降。上位置是第三防护罩19的可动范围中的上方的极限位置。下位置是第三防护罩19的可动范围中的下方的极限位置。
第三防护罩19可位于上位置与下位置之间的第一液承接位置(图3C中以实线显示的位置)以及第二液承接位置(图3C中以双点划线显示的位置)。就位于第二液承接位置的第三防护罩19而言，仅图示第三倾斜部19B而省略第三防护罩19中的其他部分的图示。
第二液承接位置是比第一液承接位置靠下方的位置。第三防护罩19位于第一液承接位置时，第三防护罩19的第三倾斜部19B的上端(径向内方端19a)比基板W的上表面靠上方。第三防护罩19位于第二液承接位置时，径向内方端19a位于比基板W的上表面靠下方且比已与基板保持单元24卡合状态的对向构件6的延伸设置部61的下端部靠上方的位置。
第三防护罩19也与第一防护罩17以及第二防护罩18相同，在低亲和性处理液从基板W飞散时，第三防护罩19配置于第一液承接位置。高亲和性处理液从基板W飞散时，第三防护罩19配置于第二液承接位置。
图4是用以说明基板处理装置1的主要部分的电性构成的框图。控制器3具备有微电脑(microcomputer)，并依据预定的程序来控制基板处理装置1所具备的控制对象。更具体而言，控制器3包含有处理器(processor)(如CPU(Central Processing Unit；中央处理器))3A以及保存有程序的存储器3B，控制器3构成为通过处理器3A执行程序来执行用于基板处理的各种控制。特别是，控制器3控制搬运机械手IR、搬运机械手CR、电动马达23、支撑构件升降单元12、防护罩升降单元27～29以及阀类(32、42、52、82)等的动作。
图5是用以说明基板处理装置1的基板处理的第一例的流程图，主要显示通过控制器3执行程序而实现的处理。图6A至图6E是用以说明基板处理的第一例的示意性的剖视图。
在基板处理装置1的基板处理中，例如如图5所示，依序执行基板搬入(S1)、药液处理(S2)、冲洗处理(S3)、第一有机溶剂处理(S4)、憎水剂处理(S5)、第二有机溶剂处理(S6)、干燥处理(S7)以及基板搬出(S8)。
首先，在基板W搬入处理单元2之前，以对向构件6能与基板保持单元24卡合的方式调整旋转方向S中的对向构件6与基板保持单元24之间的相对位置。详言之，电动马达23调整旋转方向S中的基板保持单元24的位置而使得在俯视观察时对向构件6的第一卡合部66与基板保持单元24的第二卡合部76重叠。
然后，亦请参照图1，在基板处理装置1的基板处理中，基板W通过搬运机械手IR、搬运机械手CR从载具C被搬入至处理单元2，并被传递至旋转卡盘5(步骤S1：基板搬入)。之后，直到被搬运机械手CR搬出的期间，基板W通过卡盘销20以从旋转基座21的上表面往上方隔出间隔的方式被水平地保持(基板保持工序)。
然后，支撑构件升降单元12使位于上位置的支撑构件7朝向下位置下降。支撑构件7在移动至下位置前通过卡合位置。若支撑构件7到达卡合位置，则对向构件6与基板保持单元24通过磁力而卡合。由此，对向构件6通过高度位置被固定的基板保持单元24而从下方被支撑。对向构件6卡合于基板保持单元24时，对向构件6的延伸设置部61从径向外方与基板W对向。此外，对向构件6卡合于基板保持单元24时，延伸设置部61从上方与旋转基座21对向。延伸设置部61的下端部与旋转基座21的上表面之间设置有微小间隙。如此，通过支撑构件升降单元12而将对向构件6配置于延伸设置部61的内周面从径向外方对向于基板W的位置(对向构件配置工序)。
支撑构件7从卡合位置往更下方下降时，对向构件6则被解除支撑构件7的支撑。详言之，支撑构件7的对向构件支撑部70从对向构件6的凸缘部63退避至下方。
然后，如图6A所示，支撑构件7到达下位置。然后，电动马达23开始使基板保持单元24的旋转基座21旋转。由此，使被保持成水平的基板W旋转(基板旋转工序)。设置于旋转基座21的第二卡合部76与设置于对向构件6的第一卡合部66卡合。为此，对向构件6与基板W同步旋转(对向构件旋转工序)。所谓同步旋转指以相同的旋转速度朝相同的方向旋转。
然后，开始药液处理(S2)。在药液处理(S2)之中，在基板W上供给作为药液的氢氟酸(HF)，由此对基板W的上表面实施蚀刻等的处理。
具体而言，参照图6A，第三防护罩升降单元29将第三防护罩19配置于上位置，第二防护罩升降单元28将第二防护罩18配置于上位置。然后，根据处理液对于对向构件6的延伸设置部61的内周面61a的亲和性，第一防护罩升降单元27将第一防护罩17配置于能承接处理液的高度位置(防护罩配置工序)。
然后，开启药液阀32。由此，从药液供给单元8(低亲和性处理液供给单元)的药液喷嘴30供给药液(属于低亲和性处理液的氢氟酸)至旋转状态的基板W的上表面的中央区域(低亲和性处理液供给工序)。药液通过离心力遍及至基板W的上表面的整体。
药液通过离心力从基板W飞散至径向外方。从基板W飞散至径向外方的药液附着于从径向外方与基板W对向的对向构件6的延伸设置部61的内周面61a。由于对向构件6与基板W一起旋转，因此附着于延伸设置部61的内周面61a的药液通过离心力飞散至延伸设置部61的径向外方。飞散至延伸设置部61的径向外方的药液通过第一防护罩17而被承接。通过第一防护罩17而被承接的药液顺着第一筒状部17A而被导往第一杯体14。
在此说明处理液从延伸设置部61飞散的方向。如上所述，处理液从延伸设置部61飞散的方向会因处理液属于低亲和性处理液以及高亲和性处理液的何者而相异。详言之，低亲和性处理液不容易亲近对向构件6的延伸设置部61的内周面61a。为此，低亲和性处理液比较容易从内周面61a离开。从而，如图7A所示，若已从基板W飞散的低亲和性处理液附着于对向构件6的延伸设置部61的内周面，则在低亲和性处理液在对向构件6的表面之上聚集成大液滴之前，就会通过离心力而以较小的液滴的状态飞散至径向外方。
另一方面，高亲和性处理液容易亲近延伸设置部61的内周面61a。为此，高亲和性处理液一旦附着于对向构件6的延伸设置部61的内周面61a之后则比较不容易从内周面61a离开。从而，如图7B所示，在高亲和性处理液通过离心力飞散至径向外方之前，就会以附着于对向构件6的表面的状态形成较大的液滴。
由于液滴承受着本身的重量，因此其体积越大就越容易从延伸设置部61的内周面61a落下至下方。为此，与低亲和性处理液的飞散方向D1相比较，高亲和性处理液的飞散方向D2倾向下方。再者，在图7A及图7B之中，虽为了简化而只在一个防护罩标示附图标记17～19，实际上各防护罩17～19配置于互相不同的位置
由于在药液处理(S2)中使用氢氟酸作为处理液，因此在药液处理(S2)中通过第一防护罩17承接的处理液为低亲和性处理液。从而，在药液处理(S2)的防护罩配置工序中，第一防护罩17配置于第一液承接位置(第一配置工序，低亲和性处理液用防护罩配置工序)。如此，在药液处理(S2)中，第一防护罩17作为承接低亲和性处理液的低亲和性处理液用防护罩而发挥作用。第一防护罩升降单元27作为低亲和性处理液用防护罩升降单元而发挥作用。
在药液处理(S2)之中，能将基板W的旋转速度在300rpm至1200rpm之间变更。在此，基板W的旋转速度越高，则作用于从基板W飞散出的处理液的离心力就变越大。为此，基板W的旋转速度越高则处理液从基板W飞散的方向就越倾向上方。
于是，在药液处理(S2)中的第一配置工序之中，以基板W的旋转速度越高就越使第一防护罩17往上方配置的方式调整第一防护罩17的位置。换句话说，在药液处理(S2)之中，基板W的旋转速度越高就越使第一防护罩17的第一液承接位置往上方调整(设定)。为此，能将第一防护罩17配置于更好承接药液的位置。
在一定时间的药液处理(S2)之后，执行冲洗处理(S3)。在冲洗处理(S3)中，通过将基板W上的氢氟酸(药液)置换成作为冲洗液的DIW，就能冲洗基板W的上表面。
具体而言，药液阀32被关闭。由此停止从药液喷嘴30喷出氢氟酸。参照图6B，第三防护罩升降单元29将第三防护罩19维持于上位置，第二防护罩升降单元28将第二防护罩18维持于上位置。然后，根据处理液对于对向构件6的延伸设置部61的内周面61a的亲和性，通过第一防护罩升降单元27而使第一防护罩17配置于能承接处理液的高度位置(防护罩配置工序)。
然后，开启冲洗液阀42。由此，从冲洗液供给单元9(低亲和性处理液供给单元)的冲洗液喷嘴40朝向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给冲洗液(低亲和性处理液供给工序)。冲洗液通过离心力遍及至基板W的上表面的整体。由此，能通过冲洗液而置换基板W上的药液。
基板W上的药液以及冲洗液的混合液、或冲洗液通过离心力从基板W飞散至径向外方。从基板W飞散至径向外方的药液以及冲洗液的混合液、或冲洗液附着于从径向外方与基板W对向的对向构件6的延伸设置部61的内周面61a。
由于对向构件6与基板W一起旋转，故附着于延伸设置部61的内周面61a的药液以及冲洗液的混合液、或冲洗液通过离心力飞散至延伸设置部61的径向外方。飞散至延伸设置部61的径向外方的药液以及冲洗液的混合液、或冲洗液通过第一防护罩17而被承接。通过第一防护罩17而被承接的药液以及冲洗液的混合液、或冲洗液顺着第一筒状部17A而被导往第一杯体14。
在冲洗处理(S3)中通过第一防护罩17承接的处理液主要为DIW。亦即，在冲洗处理(S3)中通过第一防护罩17承接的处理液主要为低亲和性处理液。从而，在冲洗处理(S3)的防护罩配置工序中，第一防护罩17配置于第一液承接位置(第一配置工序，低亲和性处理液用防护罩配置工序)。
如此，在冲洗处理(S3)中，第一防护罩17作为承接低亲和性处理液的低亲和性处理液用防护罩而发挥作用。另外，第一防护罩升降单元27作为低亲和性处理液用防护罩升降单元而发挥作用。
在冲洗处理(S3)之中，能将基板W的旋转速度在50rpm至1000rpm之间变更。在冲洗处理(S3)中的第一配置工序之中，以基板W的旋转速度越高就越使第一防护罩17配置于上方的方式调整第一防护罩17的位置。换句话说，在冲洗处理(S3)之中，基板W的旋转速度越高就越使第一防护罩17的第一液承接位置往上方调整(设定)。为此，能将第一防护罩17配置于更好承接冲洗液的位置。
在一定时间的冲洗处理(S3)之后，执行第一有机溶剂处理(S4)。在第一有机溶剂处理(S4)中，以IPA等的有机溶剂置换基板W上的冲洗液。
具体而言，冲洗液阀42被关闭。由此停止从冲洗液喷嘴40喷出冲洗液。然后，参照图6C，第一防护罩升降单元27将第一防护罩17配置于下位置，第二防护罩升降单元28将第二防护罩18配置于下位置。根据处理液对于对向构件6的延伸设置部61的内周面61a的亲和性，并通过第三防护罩升降单元29而使第三防护罩19配置于能承接处理液的高度位置(防护罩配置工序)。
然后，开启有机溶剂阀52。由此，从有机溶剂供给单元10(高亲和性处理液供给单元)的有机溶剂喷嘴50朝向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给有机溶剂(处理液供给工序，高亲和性处理液供给工序)。有机溶剂通过离心力遍及至基板W的上表面的整体。由此，能通过有机溶剂而置换基板W上的冲洗液。
基板W上的冲洗液以及有机溶剂的混合液、或有机溶剂通过离心力从基板W飞散至径向外方。从基板W飞散至径向外方的冲洗液以及有机溶剂的混合液、或有机溶剂附着于从径向外方与基板W对向的对向构件6的延伸设置部61的内周面61a。
由于对向构件6与基板W一起旋转，故附着于延伸设置部61的内周面61a的冲洗液以及有机溶剂的混合液、或有机溶剂通过离心力飞散至延伸设置部61的径向外方。飞散至延伸设置部61de径向外方的冲洗液以及有机溶剂的混合液、或有机溶剂通过第三防护罩19而被承接。通过第三防护罩19而被承接的冲洗液以及有机溶剂的混合液、或有机溶剂顺着第三筒状部19A而被导往第三杯体16。
在第一有机溶剂处理(S4)中通过第三防护罩19承接的处理液主要为IPA。亦即，在第一有机溶剂处理(S4)中通过第三防护罩19承接的处理液主要为高亲和性处理液。从而，在第一有机溶剂处理(S4)的防护罩配置工序中，第三防护罩19配置于第二液承接位置(第二配置工序，高亲和性处理液用防护罩配置工序)。如此，在第一有机溶剂处理(S4)中，第三防护罩19作为承接高亲和性处理液的高亲和性处理液用防护罩而发挥作用。另外，第三防护罩升降单元29作为高亲和性处理液用防护罩升降单元而发挥作用。
在第一有机溶剂处理(S4)之中，能将基板W的旋转速度在50rpm至1000rpm之间变更。在第一有机溶剂处理(S4)中的第二配置工序之中，以基板W的旋转速度越高就越使第三防护罩19配置于上方的方式调整第三防护罩19的位置。换句话说，在第一有机溶剂处理(S4)之中，基板W的旋转速度越高就越使第三防护罩19的第二液承接位置往上方调整(设定)。为此，能将第三防护罩19配置于更好承接有机溶剂的位置。
在一定时间的第一有机溶剂处理(S4)之后，执行憎水剂处理(S5)。在憎水剂处理(S5)中，以憎水剂置换基板W上的有机溶剂。
具体而言，有机溶剂阀52被关闭。由此停止从有机溶剂喷嘴50喷出有机溶剂。然后，参照图6D，第一防护罩升降单元27将第一防护罩17维持于下位置，第三防护罩升降单元29将第三防护罩19配置于上位置。根据处理液对于对向构件6的延伸设置部61的内周面61a的亲和性，并通过第二防护罩升降单元28而使第二防护罩18配置于能承接处理液的高度位置(防护罩配置工序)。
然后，开启憎水剂阀82。由此，从憎水剂供给单元11(高亲和性处理液供给单元)的憎水剂喷嘴80朝向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给憎水剂(处理液供给工序，高亲和性处理液供给工序)。憎水剂通过离心力遍及至基板W的上表面的整体。由此，能通过憎水剂而置换基板W上的有机溶剂。
基板W上的有机溶剂以及憎水剂的混合液、或憎水剂通过离心力从基板W飞散至径向外方。从基板W飞散至径向外方的有机溶剂以及憎水剂的混合液、或憎水剂附着于从径向外方与基板W对向的对向构件6的延伸设置部61的内周面61a。
由于对向构件6与基板W一起旋转，故附着于延伸设置部61的内周面61a的有机溶剂以及憎水剂的混合液、或憎水剂通过离心力飞散至延伸设置部61的径向外方。飞散至延伸设置部61的径向外方的有机溶剂以及憎水剂的混合液、或憎水剂通过第二防护罩18而被承接。通过第二防护罩18而被承接的有机溶剂以及憎水剂的混合液、或憎水剂顺着第二筒状部18A而被导往第二杯体15。
在憎水剂处理(S5)中通过第二防护罩18承接的处理液主要为憎水剂。亦即，在憎水剂处理(S5)中通过第二防护罩18承接的处理液主要为高亲和性处理液。从而，在憎水剂处理(S5)的防护罩配置工序中，第二防护罩18配置于第二液承接位置(第二配置工序，高亲和性处理液用防护罩配置工序)。
如此，在憎水剂处理(S5)中，第二防护罩18作为高亲和性处理液用防护罩而发挥作用。另外，第二防护罩升降单元28作为高亲和性处理液用防护罩升降单元而发挥作用。
在憎水剂处理(S5)之中，能将基板W的旋转速度在50rpm至1000rpm之间变更。在憎水剂处理(S5)中的防护罩配置工序之中，以基板W的旋转速度越高就越使第二防护罩18配置于上方的方式调整第二防护罩18的位置。换句话说，在憎水剂处理(S5)之中，基板W的旋转速度越高就越使第二防护罩18的第二液承接位置往上方调整(设定)。为此，能将第二防护罩18配置于更好承接憎水剂的位置。
在一定时间的憎水剂处理(S5)之后，执行第二有机溶剂处理(S6)。在第二有机溶剂处理中，以有机溶剂置换基板W上的憎水剂。
具体而言，憎水剂阀82被关闭。然后，参照图6E，第一防护罩升降单元27将第一防护罩17维持于下位置。然后，第二防护罩升降单元28将第二防护罩18配置于下位置。根据处理液对于对向构件6的延伸设置部61的内周面61a的亲和性，通过第三防护罩升降单元29而使第三防护罩19配置于能承接处理液的高度位置(防护罩配置工序)。
然后，开启有机溶剂阀52。由此，从有机溶剂喷嘴50朝向旋转状态的基板W的上表面的中央区域喷出有机溶剂。有机溶剂通过离心力遍及至基板W的上表面的整体。由此，能通过有机溶剂而置换基板W上的憎水剂。
基板W上的有机溶剂以及憎水剂的混合液、或憎水剂通过离心力从基板W飞散至径向外方。从基板W飞散至径向外方的有机溶剂以及憎水剂的混合液、或憎水剂附着于从径向外方与基板W对向的对向构件6的延伸设置部61的内周面。
由于对向构件6与基板W一起旋转，故附着于延伸设置部61的内周面的有机溶剂以及憎水剂的混合液、或有机溶剂通过离心力飞散至延伸设置部61的径向外方。飞散至延伸设置部61的径向外方的有机溶剂以及憎水剂的混合液、或有机溶剂通过第三防护罩19而被承接。通过第三防护罩19而被承接的有机溶剂以及憎水剂的混合液、或有机溶剂顺着第三筒状部19A而被导往第三杯体16。
在第二有机溶剂处理(S6)中通过第三防护罩19承接的处理液主要为IPA。亦即，在第二有机溶剂处理(S6)中通过第三防护罩19承接的处理液主要为高亲和性处理液。从而，在第二有机溶剂处理(S6)的防护罩配置工序中，第三防护罩19配置于第三液承接位置(第二配置工序，高亲和性处理液用防护罩配置工序)。
如此，在第二有机溶剂处理(S6)中，第三防护罩19作为高亲和性处理液用防护罩而发挥作用。另外，第三防护罩升降单元29作为高亲和性处理液用防护罩升降单元而发挥作用。
在第二有机溶剂处理(S6)之中，能将基板W的旋转速度在50rpm至1000rpm之间变更。在第二有机溶剂处理(S6)中的防护罩配置工序之中，以基板W的旋转速度越高就越使第三防护罩19配置于上方的方式调整第三防护罩19的位置。换句话说，在第二有机溶剂处理(S6)之中，基板W的旋转速度越高就越使第三防护罩19的第二液承接位置往上方调整(设定)。为此，能将第三防护罩19配置于更好承接有机溶剂的位置。
在一定时间的第二有机溶剂处理(S6)之后，通过离心力执行将基板W的上表面的液体成分甩开的干燥处理(S7)。具体而言，有机溶剂阀52被关闭之后，基板W以高速(例如以2000rpm)旋转。然后，电动马达23使基板W的旋转停止。
之后，搬运机械手CR进入至处理单元2，并从旋转卡盘5拾取处理完毕的基板W，并搬出至处理单元2外面(步骤S8：基板搬出)。该基板W从搬运机械手CR被传递至搬运机械手IR，并通过搬运机械手IR收容至载具C。
依据本实施方式，基板处理装置1包含：基板保持单元24、电动马达23(基板旋转单元、对向构件旋转单元)、药液供给单元8、冲洗液供给单元9、有机溶剂供给单元10及憎水剂供给单元11(处理液供给单元)、防护罩17～19、防护罩升降单元27～29、对向构件6、支撑构件升降单元12(对向构件升降单元)以及控制器3。
然后，通过电动马达23使被保持成水平的基板W绕着旋转轴线A1旋转。对向构件6绕着旋转轴线A1旋转。从药液供给单元8、冲洗液供给单元9、有机溶剂供给单元10及憎水剂供给单元11供给处理液(药液、冲洗液、有机溶剂及憎水剂)至旋转状态的基板W的上表面。通过防护罩升降单元27～29并根据处理液对于对向构件6的延伸设置部61的内周面61a的亲和性，使防护罩17～19配置于能承接从基板W的上表面朝向径向外方飞散的处理液的高度位置。
依据该构成，从基板W的上表面飞散至径向的外方的处理液通过对向构件6的延伸设置部61的内周面61a暂时被承接后，则可通过从延伸设置部61朝径向的外方飞散而被防护罩17～19承接。能根据处理液对于延伸设置部61的内周面61a的亲和性，将多个防护罩17～19分别配置于适合的高度位置。为此，能与供给至基板W的处理液的种类(对于延伸设置部61的内周面61a的亲和性)无关地通过多个防护罩17～19而良好地承接处理液。
依据本实施方式，在防护罩配置工序中，在以第一防护罩17承接低亲和性处理液时，执行通过第一防护罩升降单元27将第一防护罩17配置于第一液承接位置的第一配置工序。另外，在防护罩配置工序中，在第二防护罩18承接高亲和性处理液时，执行通过第二防护罩升降单元28将第二防护罩18配置于第二液承接位置的第二配置工序。并且，在防护罩配置工序中，在第三防护罩19承接高亲和性处理液时，执行通过第三防护罩升降单元29将第三防护罩19配置于第二液承接位置的第二配置工序。
通过将第二液承接位置(承接高亲和性处理液时的第二防护罩18及第三防护罩19的位置)设置为比第一液承接位置(承接低亲和性处理液时的第一防护罩17的位置)靠下方的位置，就能将各防护罩17～19配置于适当的位置。从而，能无关于处理液的种类地通过多个防护罩17～19而良好地承接处理液。
较佳的，在第一防护罩17位于第一液承接位置时，以第一防护罩17的上端位于比基板W的上表面靠上方的位置的方式配置第一防护罩17。并且，较佳的，在第二防护罩18位于第二液承接位置时，以第二防护罩18的上端比基板W的上表面靠下方且比延伸设置部61的下端部靠上方的方式配置第二防护罩18。并且，较佳的，在第三防护罩19位于第二液承接位置时，以第三防护罩19的上端比基板W的上表面靠下方且比延伸设置部61的下端部靠上方的方式配置第三防护罩19。只要是依据此方式，能通过防护罩17～19而更良好地承接处理液。
另外，依据本实施方式，各个低亲和性处理液及高亲和性处理液能通过不同的防护罩17～19而被承接。详言之，低亲和性处理液被第一防护罩17(低亲和性处理液用防护罩)而承接，高亲和性处理液被第二防护罩18及第三防护罩19(高亲和性处理液用防护罩)而承接。也就是说，能根据处理液的种类将多个防护罩17～19分别配置于适当的位置(第一液承接位置或第二液承接位置)。通过多个防护罩17～19而能良好的承接从基板W飞散出的处理液。
上述的实施方式中通过基板处理装置1的基板处理并不限于上述的例子。通过基板处理装置1的基板处理亦可以是以下所显示的例子。
图8A及图8B是用以说明通过基板处理装置1的基板处理的第二例的图解剖视图。在第一有机溶剂处理(S4)之中，与基板处理的第一例相同地通过往基板W的上表面供给IPA，由此使基板W上的DIW被置换为IPA。亦即，在低亲和性处理液供给工序(冲洗液供给工序)之后执行高亲和性处理液供给工序(有机溶剂供给工序)，由此使基板W的上表面的低亲和性处理液(DIW)被置换为高亲和性处理液(IPA)(第一置换工序)。
在此，如图8A所示，在第一置换工序中，从基板W飞散出的液体是低亲和性处理液与高亲和性处理液的混合液。在第一置换工序之中，由于将基板W的上表面的低亲和性处理液置换为高亲和性处理液，因此在第一置换工序刚开始后从基板W飞散出的液体中，所包含的是比高亲和性处理液还要多的低亲和性处理液。之后，从基板W飞散出的液体中的高亲和性处理液的比率逐渐变大，如图8B所示，在第一置换工序的结束后从基板W飞散出的液体变成只有高亲和性处理液。
为此，在第一置换工序之中与上述的基板处理不同，亦可如以下所述地变更第三防护罩19的高度位置。详言之，如图8A所示，在第一置换工序开始时使第三防护罩19配置于第一液承接位置，如图8B所示，在第一置换工序结束后，第三防护罩升降单元29亦可以第三防护罩19配置于第二液承接位置的方式变更第三防护罩19的高度位置。由此，能通过第三防护罩19而更良好的承接处理液。
较佳地，在第一置换工序的结束的同时使第三防护罩19的高度位置位于第二液承接位置。第三防护罩19的高度位置既可在第一置换工序的即将结束前变更，亦可在第一置换工序中慢慢地变更。再者，第一置换工序在基板W上的低亲和性处理液被完全置换为高亲和性处理液时结束。
图9A及图9B是用以说明通过基板处理装置1的基板处理的第三例的图解剖视图。通过基板处理装置1的基板处理的第三例之中，与上述的基板处理不同，在药液处理(S2)中作为药液所使用的是有机碱。也就是说，基板处理的第三例之中的药液是高亲和性处理液。
在冲洗处理(S3)中，基板W上的有机碱(高亲和性处理液)被DIW(低亲和性处理液)而置换。亦即，在药液供给工序(高亲和性处理液供给工序)之后执行冲洗液供给工序(低亲和性处理液供给工序)，由此使基板W的上表面的高亲和性处理液(有机碱)被置换为低亲和性处理液(DIW)(第二置换工序)。
在此，如图9A所示，在第二置换工序中，从基板W飞散出的液体是低亲和性处理液与高亲和性处理液的混合液。在第二置换工序之中，由于将基板W的上表面的高亲和性处理液置换为低亲和性处理液，故在第二置换工序刚开始后从基板W飞散出的液体中所包含的是比低亲和性处理液还要多的高亲和性处理液。之后，从基板W飞散出的液体中的低亲和性处理液的比率逐渐变大，如图9B所示，在第二置换工序的结束后从基板W飞散出的液体变成只有低亲和性处理液。
为此，在第二置换工序之中与上述的基板处理不同，亦可如以下所述地变更第一防护罩17的高度位置。详言之，在第二置换工序中，如图9A所示，在第二置换工序开始时使第一防护罩17配置于第二液承接位置，如图9B所示，在第二置换工序结束后，第一防护罩升降单元27亦可以第一防护罩17配置于第一液承接位置的方式变更第一防护罩17的高度位置。由此，能通过第一防护罩17而更良好的承接处理液。
较佳地，在第二置换工序的结束的同时使第一防护罩17的高度位置位于第一液承接位置。第一防护罩17的高度位置既可在第二置换工序的即将结束前变更，亦可在第二置换工中慢慢地变更。再者，第二置换工序在基板W上的高亲和性处理液被完全置换为低亲和性处理液时结束。
此外，在上述的基板处理之中，药液及冲洗液设为由第一防护罩17承接，有机溶剂则设为由第三防护罩19承接。此外，憎水剂设为由第二防护罩18承接。然而，药液、冲洗液、有机溶剂以及憎水剂通过任一个防护罩17～19而被承接皆可。
例如，亦可为：由第二防护罩18承接药液以及冲洗液，由第一防护罩17承接有机溶剂，由第三防护罩19承接憎水剂。此外，亦可为：由第三防护罩19承接药液以及冲洗液，由第二防护罩18承接有机溶剂，由第一防护罩17承接憎水剂。简单地说，可使第一防护罩17作为高亲和性处理液用防护罩而发挥作用，亦可使第二防护罩18以及第三防护罩19作为低亲和性处理液用防护罩而发挥作用。
在第一防护罩17作为高亲和性处理液用防护罩而发挥作用时，第一防护罩17位于第二液承接位置(参照图3A)。在第二防护罩18作为低亲和性处理液用防护罩而发挥作用时，第二防护罩18位于第一液承接位置(参照图3B)。在第三防护罩19作为低亲和性处理液用防护罩而发挥作用时，第三防护罩19位于第一液承接位置(参照图3C)。
此外，亦可使全部的处理液通过多个防护罩17～19之中的一个的防护罩来承接。例如，亦可使第一防护罩17承接全部的处理液。此状况下，第一防护罩17既作为低亲和性处理液用防护罩发挥作用且也作为高亲和性处理液用防护罩发挥作用。此外，第一防护罩升降单元27既作为低亲和性处理液用防护罩升降单元发挥作用且也作为高亲和性处理液用防护罩升降单元发挥作用。当然，亦可为使第二防护罩18承接全部的处理液，或亦可为使第三防护罩19承接全部的处理液。
本发明并未限定于以上说明的实施方式，能进一步以其他的方式来实施。
例如，防护罩的个数不限于三个。防护罩既可设为四个以上，也可以设为两个。此外，也可以只有一个防护罩。
虽然已详细地说明本发明的实施方式，但这些仅是用以明了本发明的技术性内容的具体例，本发明不应解释成限定于这些具体例，本发明的范围仅被随附的权利要求书所限定。
本申请与2017年8月28日向日本特许厅所提出的日本特愿2017-163538号对应，该申请的所有内容被引用并组入于此。
附图标记的说明
1：基板处理装置
3：控制器
6：对向构件
8：药液供给单元(处理液供给单元、低亲和性处理液供给单元、高亲和性处理液供给单元)
9：冲洗液供给单元(处理液供给单元、低亲和性处理液供给单元)
10：有机溶剂供给单元(处理液供给单元、高亲和性处理液供给单元)
11：憎水剂供给单元(处理液供给单元、高亲和性处理液供给单元)
12：支撑构件升降单元(对向构件升降单元)
17：第一防护罩(低亲和性处理液用防护罩、高亲和性处理液用防护罩)
18：第二防护罩(高亲和性处理液用防护罩、低亲和性处理液用防护罩)
19：第三防护罩(高亲和性处理液用防护罩、低亲和性处理液用防护罩)
23：电动马达(基板旋转单元、对向构件旋转单元)
24：基板保持单元
27：第一防护罩升降单元(低亲和性处理液用防护罩升降单元、高亲和性处理液用防护罩升降单元)
28：第二防护罩升降单元(高亲和性处理液用防护罩升降单元、低亲和性处理液用防护罩升降单元)
29：第三防护罩升降单元(高亲和性处理液用防护罩升降单元、低亲和性处理液用防护罩升降单元)
61：延伸设置部
61a：内周面
A1：旋转轴线
W：基板

Claims (8)

1.一种基板处理方法，包含：
基板旋转工序，使被保持成水平的基板绕着在铅垂方向延伸的旋转轴线旋转；
对向构件配置工序，使从上方与所述基板对向且包含了具有在俯视观察时围绕所述基板的内周面的延伸设置部的对向构件配置于以下位置：所述延伸设置部的内周面从以所述旋转轴线作为中心的径向外方与所述基板对向的位置；
对向构件旋转工序，使所述对向构件绕着所述旋转轴线旋转；
处理液供给工序，对旋转状态的所述基板的上表面供给处理液；以及
防护罩配置工序，根据所述处理液对于所述延伸设置部的内周面的亲和性，将防护罩配置于承接从所述基板的上表面朝向所述径向外方飞散的所述处理液的高度位置，所述防护罩在俯视观察时在所述延伸设置部的所述径向外方围绕所述基板。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述处理液供给工序包含：
低亲和性处理液供给工序，对所述基板的上表面供给低亲和性处理液；以及
高亲和性处理液供给工序，对所述基板的上表面供给高亲和性处理液，所述高亲和性处理液的对于所述延伸设置部的内周面的亲和性比所述低亲和性处理液高；
所述防护罩配置工序包含：
第一配置工序，在所述防护罩承接所述低亲和性处理液时，将所述防护罩配置于第一液承接位置；以及
第二配置工序，在所述防护罩承接所述高亲和性处理液时，将所述防护罩配置于比第一液承接位置靠下方的第二液承接位置。
3.如权利要求2所述的基板处理方法，其中，
所述第一配置工序包含以下工序：将所述防护罩以所述防护罩的上端比所述基板的上表面靠上方的方式配置于所述第一液承接位置；
所述第二配置工序包含以下工序：将所述防护罩以所述防护罩的上端比所述基板的上表面靠下方且比所述延伸设置部的下端部靠上方的方式配置于所述第二液承接位置。
4.如权利要求2或3所述的基板处理方法，其中，
所述处理液供给工序包含：第一置换工序，在所述低亲和性处理液供给工序之后执行所述高亲和性处理液供给工序，由此将所述基板的上表面的所述低亲和性处理液置换为所述高亲和性处理液；
所述防护罩配置工序包含以下工序：以在所述第一置换工序开始时所述防护罩位于第一液承接位置，在所述第一置换工序结束后所述防护罩位于所述第二液承接位置的方式变更所述防护罩的高度位置。
5.如权利要求2或3所述的基板处理方法，其中，
所述处理液供给工序包含：第二置换工序，在所述高亲和性处理液供给工序之后执行所述低亲和性处理液供给工序，由此将所述基板的上表面的所述高亲和性处理液置换为所述低亲和性处理液；
所述防护罩配置工序包含以下工序：以在所述第二置换工序开始时所述防护罩位于第二液承接位置，在所述第二置换工序结束后所述防护罩位于所述第一液承接位置的方式变更所述防护罩的高度位置。
6.如权利要求2或3所述的基板处理方法，其中，
所述防护罩包含低亲和性处理液用防护罩以及高亲和性处理液用防护罩，所述低亲和性处理液用防护罩用以承接所述低亲和性处理液，所述高亲和性处理液用防护罩用以承接所述高亲和性处理液；
所述防护罩配置工序包含：
低亲和性处理液用防护罩配置工序，在所述第一液承接位置配置所述低亲和性处理液用防护罩，
高亲和性处理液用防护罩配置工序，在所述第二液承接位置配置所述高亲和性处理液用防护罩。
7.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述防护罩配置工序包含以下工序：以所述基板的旋转速度越高就越将所述防护罩配置于上方的方式调整所述防护罩的位置。
8.一种基板处理装置，包含：
基板保持单元，用于将基板保持成水平；
基板旋转单元，使所述基板绕着在铅垂方向延伸的旋转轴线旋转；
处理液供给单元，对所述基板的上表面供给处理液；
对向构件，从上方与所述基板对向且包含延伸设置部，所述延伸设置部具有在俯视观察时围绕所述基板的内周面；
防护罩，在俯视观察时在所述延伸设置部的以所述旋转轴线作为中心的径向外方围绕所述基板；
防护罩升降单元，用于升降所述防护罩；
对向构件升降单元，用于升降所述对向构件；
对向构件旋转单元，用于使所述对向构件绕着所述旋转轴线旋转；以及
控制器，控制所述基板旋转单元、所述处理液供给单元、所述防护罩升降单元、所述对向构件升降单元及所述对向构件旋转单元；
所述控制器被编程为执行以下工序：
基板旋转工序，通过所述基板旋转单元使被保持成水平的所述基板绕着所述旋转轴线旋转；
对向构件配置工序，通过所述对向构件升降单元使所述对向构件配置于所述延伸设置部的内周面从所述径向外方与所述基板对向的位置；
对向构件旋转工序，通过所述对向构件旋转单元使所述对向构件绕着所述旋转轴线旋转；
处理液供给工序，从所述处理液供给单元对旋转状态的所述基板的上表面供给所述处理液；
防护罩配置工序，根据所述处理液对于所述延伸设置部的内周面的亲和性，通过所述防护罩升降单元将所述防护罩配置于承接从所述基板的上表面朝向所述径向外方飞散的所述处理液的高度位置。
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