JP6670674B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
図12に示すように、基板の表面に微細なパターンが形成されている場合、スピンドライ工程では、パターンの内部に入り込んだリンス液を除去できないおそれがあり、それによって、乾燥不良が生じるおそれがある。パターンの内部に入り込んだリンス液の液面(空気と液体との界面)は、パターンの内部に形成されるので、液面とパターンとの接触位置に、液体の表面張力が働く。この表面張力が大きい場合には、パターンの倒壊が起こりやすくなる。典型的なリンス液である水は、表面張力が大きいために、スピンドライ工程におけるパターンの倒壊が無視できない。
IPAを除去して基板の上面を速やかに乾燥させるためには、基板の上面付近の雰囲気の湿度を低減する必要がある。また、IPAに溶け込んだ酸素によってパターンが酸化するおそれがあるため、IPAに酸素が溶け込まないように基板の上面付近の雰囲気の酸素濃度を低減しておく必要がある。しかしながら、処理チャンバの内部空間には、スピンチャック等の部材が収容されているため、処理チャンバ内の雰囲気全体の酸素濃度および湿度を低減するのは困難である。
しかし、処理液の用途や基板処理装置の仕様等に応じて、水平方向に移動可能なノズルを用いて基板に処理液を供給したい場合がある。このような場合、ノズルから基板に処理液を供給するには、ノズルと遮断部材の円筒部とが干渉しないように、遮断部材を上方に移動させなければならない。これでは、基板上の空間を充分に制限できないので、基板と遮断部材との間の雰囲気の酸素濃度および湿度を低く保つことができないおそれがある。
この構成によれば、環状部よりも回転軸線側の位置と、環状部に対して前記回転軸線とは反対側の位置との間で、通過許容部を介して処理液供給ノズルが移動する。そのため、遮断部材と基板保持手段に保持された基板の上面との間の雰囲気の酸素濃度および湿度が低減された状態で、基板保持手段に保持された基板の上面に処理液供給ノズルから処理液を供給することができる。特に、処理液供給ノズルは、基板の上面の回転中心位置に処理液を供給することが好ましい。それにより、基板保持手段に保持された基板の上面全体に処理液を行き渡らせやすい。基板の上面の回転中心位置とは、基板保持手段に保持された基板の上面における回転軸線との交差位置である。
この構成によれば、遮断部材昇降手段によって遮断部材を昇降させることで、基板保持手段に保持された基板の上面よりも通過許容部が上方に位置する位置と、基板保持手段に保持された基板の上面よりも通過許容部が下方に位置する位置とに、鉛直方向における遮断部材の位置を切り換えることができる。
この構成によれば、環状部移動機構によって、基板保持手段に保持された基板の上面に対向する対向部に対して環状部が上下動される。そのため、基板保持手段に保持された基板の上面と対向部との間の間隔を狭めつつ、環状部を対向部に対して相対的に上下動させることで通過許容部を基板の上方に位置させることができる。したがって、基板保持手段に保持された基板の上面と遮断部材との間の雰囲気の酸素濃度および湿度を速やかに低減でき、かつ、処理液供給ノズルが通過許容部を介して環状部を通過できる。
この発明の一実施形態では、前記通過許容部が、前記環状部を下端から上方に向けて切り欠く切り欠きを含む。この構成によれば、切り欠きを介して、処理液供給ノズルが環状部を通過することが許容される。
この構成によれば、基板保持手段に保持された基板外に排除される処理液が通過許容部を介して環状部を通過することが、処理液通過抑制手段によって抑制される。したがって、通過許容部は、処理液供給ノズルが環状部を通過することを許容しつつ、当該基板外に排除される処理液が通過許容部を通過して環状部の外部に流出することを効果的に抑制できる。
<第1実施形態>
図1は、この発明の第1実施形態に係る基板処理装置1の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置1は、シリコンウエハ等の基板Wを一枚ずつ処理液で処理する枚葉式の装置である。処理液としては、薬液、リンス液および有機溶剤等が挙げられる。この実施形態では、基板Wは、円形状の基板である。基板Wの表面には、微細なパターン(図12参照)が形成されている。
処理ユニット2は、一枚の基板Wを水平な姿勢で保持しながら、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線C1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック5と、処理液で基板Wを処理するために基板Wを収容するチャンバ6とを含む。チャンバ6には、基板Wを搬入/搬出するための搬入/搬出口(図示せず)が形成されている。搬入/搬出口には、搬入/搬出口を開閉するシャッタユニット(図示せず)が備えられている。処理ユニット2は、基板Wの上面に対向する対向面70aを備えた遮断部材7をさらに含む。遮断部材7は、基板Wの上面(上方側の主面)との間の雰囲気を周囲の雰囲気から遮断する。周囲の雰囲気とは、遮断部材7と基板Wの上面とによって区画される空間の外部の雰囲気のことである。なお、遮断部材7は、遮断部材7と基板Wの上面との間の雰囲気と周囲の雰囲気との流体の流れに制約を与えることができる部材であればよく、遮断部材7と基板Wの上面との間の雰囲気を周囲の雰囲気から完全に遮断する部材である必要はない。
回転軸22は、回転軸線C1に沿って鉛直方向に延びており、この実施形態では、中空軸である。回転軸22の上端は、スピンベース21の下面の中央に結合されている。スピンベース21は、水平方向に沿う円板形状を有している。スピンベース21の上面の周縁部には、基板Wを把持するための複数のチャックピン20が周方向に間隔を空けて配置されている。スピンベース21およびチャックピン20は、基板Wを水平に保持する基板保持手段の一例である。
遮断部材回転機構75は、遮断部材支持部材73の先端に内蔵された電動モータを含む。電動モータには、遮断部材支持部材73内に配された複数の配線76が接続されている。複数の配線76は、当該電動モータに送電するためのパワーラインと、遮断部材7の回転情報を出力するためのエンコーダラインとを含む。遮断部材7の回転情報を検知することによって、遮断部材7の回転を正確に制御できる。
カップ41は、円筒状である。カップ41は、例えば、ガード43と一体であり、ガード43とともに昇降する。カップ41は、上向きに開いた環状の溝を有している。カップ41の溝には、回収配管(図示せず)または廃液配管(図示せず)が接続されている。カップ41の底部に導かれた処理液は、回収配管または廃液配管を通じて、回収または廃棄される。
ガード43は、ガード昇降機構46によって、ガード43の上端が基板Wの上面よりも下方に位置する下位置と、ガード43の上端が基板Wの上面よりも上方に位置する上位置との間で昇降される。
下面ノズル8は、回転軸22に挿通されている。下面ノズル8は、基板Wの下面中央に臨む吐出口を上端に有している。下面ノズル8には、加熱流体が、加熱流体供給管50を介して加熱流体供給源から供給されている。加熱流体供給管50には、その流路を開閉するための加熱流体バルブ51が介装されている。加熱流体として用いられる温水は、室温よりも高温の水であり、例えば80℃〜85℃の水である。加熱流体は、温水に限らず、高温の窒素ガス等の気体であってもよく、基板Wを加熱することができる流体であればよい。
薬液とは、フッ酸に限られず、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸(例えば、クエン酸、蓚酸等)、有機アルカリ(例えば、TMAH:テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等)、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも1つを含む液であってもよい。これらを混合した薬液の例としては、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水混合液)、SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture:アンモニア過酸化水素水混合液)等が挙げられる。
DIWノズル10には、DIW供給源から、DIW供給管55を介して、DIWが供給される。DIW供給管55には、その流路を開閉するためのDIWバルブ56が介装されている。
中央IPAノズル11には、IPA供給源から、中央IPA供給管57を介して、IPAが供給される。中央IPA供給管57には、その流路を開閉するための中央IPAバルブ58が介装されている。
低表面張力液体としては、基板Wの上面および基板Wに形成されたパターン(図12参照)と化学反応しない(反応性が乏しい)、IPA以外の有機溶剤を用いることができる。より具体的には、IPA、HFE(ハイドロフルオロエーテル)、メタノール、エタノール、アセトンおよびTrans-1,2ジクロロエチレンのうちの少なくとも1つを含む液を低表面張力液体として用いることができる。また、低表面張力液体は、単体成分のみからなる必要はなく、他の成分と混合した液体であってもよい。例えば、IPA液と純水との混合液であってもよいし、IPA液とHFE液との混合液であってもよい。
IPAノズル30の内部空間には、IPAが、IPA供給管61を介してIPA供給源から供給される。IPA供給管61には、その流路を開閉するためのIPAバルブ62が介装されている。
遮断部材7には、環状部71を基板Wの回転径方向に貫通する貫通孔77が形成されている。貫通孔77は、環状部71の内周面および外周面を貫通している。遮断部材7の環状部71の内周面は、下方に向かうに従って径方向外方に向かうように湾曲している。遮断部材7の環状部71の外周面は、鉛直方向に沿って延びている。図4に示すように、貫通孔77は、径方向外方から見て、鉛直方向に長手の長孔の形態を有している。
また、不活性ガス導入機構80は、不活性ガスを貫通孔77内に導入することによって、貫通孔77を通過する気流の発生を抑制できる。したがって、不活性ガス導入機構80は、遮断部材7と基板Wの上面との間に外部の気体が流入したり、遮断部材7と基板Wの上面との間の雰囲気中の気体が外部に流出したりすることを抑制する流出入抑制手段としても機能する。
基板処理装置1による基板処理では、例えば、図6に示すように、基板搬入(S1)、薬液処理(S2)、DIWリンス処理(S3)、有機溶剤処理(S4)、乾燥処理(S5)および基板搬出(S6)がこの順番で実行される。
次に、図7Aを参照して、薬液処理(S2)について説明する。搬送ロボットCRが処理ユニット2外に退避した後、基板Wの上面を薬液で洗浄する薬液処理(S2)が実行される。
そして、制御ユニット3は、電動モータ23を駆動してスピンベース21を所定の薬液速度で回転させる。薬液速度は、例えば1200rpmである。制御ユニット3は、遮断部材回転機構75を制御して、遮断部材7を回転させてもよい。このとき、遮断部材7は、スピンベース21と同期回転する。同期回転とは、同じ方向に同じ回転速度で回転することをいう。そして、制御ユニット3は、遮断部材昇降機構74を制御して遮断部材7を上位置に配置する。制御ユニット3は、薬液ノズル移動機構52を制御して、薬液ノズル9を基板Wの上方の薬液処理位置に配置する。
遠心力によって基板外に飛び散った薬液は、ガード43の延設部43Bの下方を通って、ガード43の筒状部43Aによって受けられる。筒状部43Aによって受けられた薬液は、カップ41(図2参照)へと流れる。
一定時間の薬液処理(S2)の後、基板W上の薬液をDIWに置換することにより、基板Wの上面から薬液を排除するためのDIWリンス処理(S3)が実行される。
具体的には、図7Bを参照して、制御ユニット3は、薬液バルブ54を閉じ、薬液ノズル移動機構52を制御して、薬液ノズル9を基板Wの上方からスピンベース21およびガード43の側方へと退避させる。
そして、制御ユニット3は、DIWバルブ56を開く。それにより、回転状態の基板Wの上面に向けてDIWノズル10からDIWが供給される。供給されたDIWは遠心力によって基板Wの上面全体に行き渡る。このDIWによって基板W上の薬液が洗い流される。
基板Wは、所定の第1DIWリンス速度で回転される。第1DIWリンス速度は、例えば1200rpmである。制御ユニット3は、遮断部材回転機構75を制御して、遮断部材7を回転させてもよい。このとき、遮断部材7は、スピンベース21と同期回転する。制御ユニット3は、遮断部材昇降機構74を制御して、遮断部材7が上位置に位置する状態を維持する。
そして、図7Cを参照して、回転状態の基板Wの上面に向けてDIWノズル10からDIWが供給されている状態で、制御ユニット3は、遮断部材昇降機構74を制御して、遮断部材7を上位置から第1近接位置に移動させる。そして、制御ユニット3は、ガード昇降機構46を制御して、ガード43の上端が基板Wの上面よりも上方に位置するようにガード43を配置した状態を維持する。
制御ユニット3は、電動モータ23を制御して、スピンベース21の回転速度が所定の第2DIWリンス速度になるまでスピンベース21の回転を徐々に加速させる。第2DIWリンス速度は、例えば2000rpmである。
制御ユニット3は、DIWバルブ56を閉じる。それにより、DIWノズル10からのDIWの供給が停止される。制御ユニット3は、中央IPAバルブ58を開く。これにより、回転状態の基板Wの上面に向けて中央IPAノズル11からIPAが供給される。供給されたIPAは遠心力によって基板Wの上面全体に行き渡り、基板上のDIWがIPAによって置換される。基板上のDIWがIPAによって置換されるまでの間、制御ユニット3は、電動モータ23を駆動してスピンベース21を所定の置換速度で回転させる。置換速度は、例えば2000rpmである。
基板Wの上面にIPAを供給し続けることによって、基板Wの上面にIPAの液膜110が形成される。IPAの液膜110を形成するために、制御ユニット3は、電動モータ23を制御して、回転速度が所定の液膜形成速度になるまでスピンベース21の回転を徐々に減速させる。液膜形成速度は、例えば300rpmである。
液膜排除ステップでは、まず、制御ユニット3は、中央IPAバルブ58を閉じて、中央IPAノズル11による基板Wの上面へのIPAの供給を停止させる。そして、制御ユニット3は、第1不活性ガスバルブ60を制御して、第1不活性ガスノズル12から基板Wの上面の中央領域に向けて垂直に例えば3リットル/分で不活性ガスを吹き付け、液膜110の中央領域に小さな開口111(例えば直径30mm程度)を開けて基板Wの上面の中央領域を露出させる。
また、液膜排除ステップでは、スピンベース21の回転を徐々に加速させてもよい。例えば、液膜排除速度は、300rpm〜1500rpmの範囲で段階的に変化させてもよい。
具体的には、制御ユニット3は、加熱流体バルブ51、IPAバルブ62、第1不活性ガスバルブ60および第2不活性ガスバルブ66を閉じ、IPAノズル移動機構32を制御してIPAノズル30を退避位置へ退避させる。そして、制御ユニット3は、遮断部材昇降機構74を制御して遮断部材7を下位置に配置する。
その後、搬送ロボットCRが、処理ユニット2に進入して、スピンチャック5から処理済みの基板Wをすくい取って、処理ユニット2外へと搬出する(S6)。その基板Wは、搬送ロボットCRから搬送ロボットIRへと渡され、搬送ロボットIRによって、キャリヤCに収納される。
次に、第1実施形態の第1変形例および第2変形例に係る基板処理装置1の処理ユニット2について説明する。図8Aは、第1実施形態の第1変形例に係る遮断部材7の貫通孔77Pの周辺を示す図である。図8Bは、第1実施形態の第2変形例に係る遮断部材7の貫通孔77Qの周辺を示す図である。図8Aおよび図8Bならびに後述する図9〜図11Bでは、今まで説明した部材と同じ部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
この変形例によれば、ノズルアーム31がIPAノズル移動機構32(図2参照)によって、鉛直な回動軸線まわりに旋回される構成であっても、ノズルアーム31が第1孔部77Qaを介して環状部71を通過し、IPAノズル30が第2孔部77Qbを介して環状部71を通過することができる。すなわち、貫通孔77Qは、環状部71に設けられ、IPAノズル30が環状部71を通過することを許容する通過許容部として機能する。
第3変形例に係る処理ユニット2は、水平方向に直線状に延びる回転中心軸91と、回転中心軸91まわりに回転可能に回転中心軸91に結合され、径方向内方から貫通孔77を塞ぐシャッタ部材92とを含む。換言すれば、シャッタ部材92は、貫通孔77の径方向内方端にヒンジ結合する。シャッタ部材92は、例えば薄い樹脂の形態を有している。シャッタ部材92は、帯状のゴム片の形態を有していてもよい。シャッタ部材92は、例えば、貫通孔77を塞いだ状態で環状部71の内周面にならうように湾曲する形状を有している。
また、第3変形例とは異なり、処理ユニット2は、シャッタ部材92を回転中心軸91まわりに回転させて貫通孔77を塞いだり貫通孔77を開放したりするシャッタ駆動機構93(二点鎖線参照)を含んでいてもよい。シャッタ駆動機構93は、制御ユニット3によって制御される(図5の二点鎖線参照)。
次に、この発明の第2実施形態に係る基板処理装置1Rの処理ユニット2Rについて説明する。図10Aおよび図10Bは、第2実施形態に係る処理ユニット2Rに備えられた遮断部材7の周辺の模式的な断面図である。
第2実施形態に係る遮断部材7が第1実施形態に係る遮断部材7(図3参照)と主に異なる点は、第2実施形態に係る遮断部材7の環状部71Rが、基板W外に排除される処理液を受け、貫通孔77よりも上方に設けられた液受け部95をさらに含む点である。言い換えると、環状部71Rは、周方向の全周において孔が設けられていない環状の液受け部95と、液受け部95の下方に配置され、貫通孔77が形成された環状の貫通孔形成部96とを含む。液受け部95と貫通孔形成部96とは、一体に形成されている。環状部71Rは、第1実施形態の環状部71(図3参照)よりも下方に延びている。
図10Aを参照して、遮断部材7が第3近接位置に位置する状態で、液受け部95が水平方向から基板Wに対向しており、貫通孔形成部96は、基板Wよりも下方に位置している。そのため、遮断部材7が第3近接位置に位置する状態では、IPAノズル30は、貫通孔77を介して環状部71Rを通過することができない。また、遮断部材7が第3近接位置に位置する状態では、基板W外に排除される処理液を液受け部95が受けることによって、遮断部材7よりも径方向外方に処理液が飛散するのを防止できる。
この実施形態では、DIWリンス処理(S3)および有機溶剤処理(S4)において、制御ユニット3が、遮断部材昇降機構74を制御して、遮断部材7を第1近接位置(図7Cおよび図7D参照)に配置する代わりに第3近接位置に配置する。また、DIWリンス処理(S3)および有機溶剤処理(S4)において、制御ユニット3が、遮断部材昇降機構74を制御して、遮断部材7を第2近接位置(図7Eおよび図7F参照)に配置する代わりに第4近接位置に配置する。
したがって、基板Wの上面よりも貫通孔77が上方に位置するときには、貫通孔77によってIPAノズル30が環状部71Rを通過することができる。一方、基板Wの上面よりも貫通孔77が下方に位置するときには、貫通孔77の上方に設けられた液受け部95が基板W外に排除される処理液を受けることができる。したがって、基板W外に排除される処理液が貫通孔77を通って環状部71Rの外部に流出することを抑制できる。
<第3実施形態>
次に、この発明の第3実施形態に係る基板処理装置1Sの処理ユニット2Sについて説明する。図11Aおよび図11Bは、第3実施形態に係る処理ユニット2Sに備えられた遮断部材7の周辺の模式的な断面図である。
対向部70Sは、前述した対向面70aおよび連通孔70bを有し、基板Wの上面に対向する本体部97と、本体部97の径方向外方端から径方向外方に延び、環状部71Sに下方から当接することによって環状部71Sを支持する支持部98と、対向部70Sに対する環状部71Sの上下動を案内する案内部99とを含む。
支持部98は、例えば、被支持部101に下方から当接する環状の突起である。被支持部101は、支持部98に上方から当接する環状の突起である。案内部99は、本体部97の径方向外方端から上方に延びる円筒部103の外周面である。被案内部102は、円筒部103の外周面に径方向外方から摺動可能に接触する被支持部101の内周面である。被案内部102と案内部99とは、摺動可能な程度に接触しており、処理液および不活性ガスが被案内部102と案内部99との間を通過するのを抑制している。
環状部移動機構105は、前述したガード43と、環状部71Sの下端部から径方向外方に延び、上方からガード43に対向する対向部材106とを含む。対向部材106は、環状部71Sと一体に形成されていてもよいし、環状部71Sとは別体として設けられていてもよい。
また、DIWリンス処理(S3)および有機溶剤処理(S4)において、制御ユニット3が、遮断部材昇降機構74を制御して、遮断部材7を第2近接位置に配置する代わりに対向部70Sを第5近接位置に配置する。このとき、制御ユニット3が、ガード昇降機構46を制御して、ガード43を上昇させることで、環状部71Sを対向部70Sに対して上昇させて貫通孔77を基板Wの上面よりも上方の位置に配置する。
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
例えば、本実施形態では、薬液ノズル9は、水平方向に移動する移動ノズルであるが、本実施形態とは異なり、基板Wの上面の回転中心に向けて薬液を吐出するように配置された固定ノズルであってもよい。詳しくは、薬液ノズル9は、DIWノズル10、第1不活性ガスノズル12および中央IPAノズル11とともに回転軸72に挿通されたノズル収容部材18に挿通される形態を有していてもよい。
また、DIWリンス処理(S3)と有機溶剤処理(S4)のIPA置換ステップとにおいて、遮断部材7を第1近接位置に配置する代わりに(図7Cおよび図7D参照)、遮断部材7を第2近接位置に配置してもよい。
また、貫通孔77,77P,77Qおよび切り欠き78の内壁には、基板W外に排除される処理液を吸収するスポンジ状の部材が設けられていてもよい。これにより、基板W外に排除される処理液が貫通孔77,77P,77Qおよび切り欠き78を介して環状部71を通過することを一層抑制できる。
また、IPAノズル移動機構32がノズルアーム31の一端に結合され鉛直方向に延びる回動軸線を有する回動軸を含んでおり、かつ、ノズルアーム31が回動軸から水平方向に直線的に延びる第1軸と、第1軸の先端から回動軸の回動方向に延びる第2軸とを含んでいてもよい。この場合、IPAノズル30は、ノズルアーム31の第2軸の先端に設けられており、ノズルアーム31の第2軸が延びる方向(回動方向)に移動可能である。
1R 基板処理装置
1S 基板処理装置
3 制御ユニット(制御手段)
7 遮断部材
12 第1不活性ガスノズル(不活性ガス供給手段)
20 チャックピン(基板保持手段)
21 スピンベース(基板保持手段)
22 回転軸(基板回転手段)
23 電動モータ(基板回転手段)
30 IPAノズル(処理液供給ノズル)
31 ノズルアーム
33 IPAノズル回転機構(ノズル回転手段)
70 対向部
70S 対向部
71 環状部
71R 環状部
71S 環状部
74 遮断部材昇降機構(遮断部材昇降手段)
75 遮断部材回転機構(遮断部材回転手段)
14 IPAノズル移動機構(ノズル移動手段)
77 貫通孔(通過許容部)
77P 貫通孔(通過許容部、長孔)
77Q 貫通孔(通過許容部)
78 切り欠き(通過許容部)
80 不活性ガス導入機構(処理液通過抑制手段)
92 シャッタ部材(処理液通過抑制手段)
95 液受け部
105 環状部移動機構
C1 回転軸線
C2 中心軸線
W 基板
Claims (14)
- 基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板を鉛直方向に沿う所定の回転軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
水平方向に移動可能であり、前記基板保持手段に保持された基板の上面に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記基板保持手段に保持された基板の上面との間の雰囲気を周囲の雰囲気から遮断する遮断部材と、
前記基板保持手段に保持された基板の上面と前記遮断部材との間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記回転軸線まわりに前記遮断部材を回転させる遮断部材回転手段とを含み、
前記遮断部材は、
前記基板保持手段に保持された前記基板の上面と対向する対向面を有する対向部と、
前記対向部の周縁部から下方に延び、前記基板保持手段に保持された前記基板を平面視で取り囲む環状部と、
前記環状部に設けられ、前記環状部を前記処理液供給ノズルが通過することを許容する通過許容部とを有し、
前記環状部を平面視で取り囲むガードと、
前記ガードの上端よりも前記環状部の下端が下方に位置し前記環状部が前記基板の回転径方向の外方から前記基板保持手段に対向する近接位置と、前記近接位置よりも上方の上位置とに、前記遮断部材を移動させることができる遮断部材昇降手段と、
前記遮断部材回転手段と、前記遮断部材昇降手段とを制御する制御手段とをさらに含み、
前記ガードが、前記遮断部材が前記近接位置に位置するときに前記回転径方向の外方から前記環状部に対向し、
前記制御手段が、前記遮断部材回転手段を制御することによって、前記処理液供給ノズルが前記環状部を通過できるように回転方向における前記通過許容部の位置を調整し、かつ、前記遮断部材昇降手段を制御することによって、前記処理液供給ノズルが前記環状部を通過する際に前記環状部を前記近接位置に位置させ、
前記遮断部材が前記近接位置に位置するときに前記環状部の下端が前記基板の上面よりも下方に位置し、前記遮断部材が前記上位置に位置するときに前記環状部の下端が前記基板の上面よりも上方に位置する、基板処理装置。 - 前記遮断部材昇降手段が、前記近接位置よりも下方の下位置に前記遮断部材を移動させることができ、
前記遮断部材が前記近接位置に位置するときに、前記通過許容部が前記ガードの上端よりも上方に位置し、前記遮断部材が前記下位置に位置するときに、前記通過許容部が前記ガードの上端よりも下方に位置する、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記処理液供給ノズルが、前記通過許容部を介して、前記環状部よりも前記回転軸線側の位置と、前記環状部に対して前記回転軸線とは反対側の位置との間で移動可能である、請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記環状部が、前記通過許容部よりも上方に設けられ、前記基板外に排除される処理液を受ける液受け部をさらに含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記対向部に対して前記環状部を上下動させる環状部移動機構をさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記通過許容部が、前記環状部を貫通する貫通孔を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記通過許容部が、前記環状部を下端から上方に向けて切り欠く切り欠きを含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給ノズルを支持し、水平方向に延びる軸状のノズルアームと、
前記ノズルアームの中心軸線まわりに前記処理液供給ノズルを回転させるノズル回転手段とをさらに含み、
前記処理液供給ノズルが、前記ノズルアームの中心軸線と交差する方向に延びており、
前記通過許容部が、前記環状部を貫通し、水平方向に長手の長孔を含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記基板保持手段に保持された基板外に排除される処理液が前記通過許容部を介して前記環状部を通過することを抑制する処理液通過抑制手段をさらに含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板保持手段によって水平に保持された基板を、鉛直方向に沿う所定の回転軸線まわりに回転させる基板回転工程と、
前記基板保持手段に保持された前記基板の上面と対向する対向面を有する対向部と、前記対向部の周縁部から下方に延び、前記基板保持手段に保持された前記基板を平面視で取り囲む環状部を含む遮断部材であって、当該基板の上面との間の雰囲気を周囲の雰囲気から遮断する遮断部材を、前記回転軸線まわりに回転させる遮断部材回転工程と、
前記基板の上面と前記遮断部材との間の雰囲気を周囲の雰囲気から遮断した状態で、前記基板の上面と前記遮断部材との間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、
前記環状部を平面視で取り囲むガードの上端よりも前記環状部の下端が下方に位置し前記環状部が前記基板の回転径方向の外方から前記基板保持手段に対向し前記環状部が前記基板の前記回転径方向の内方から前記ガードに対向する近接位置に、前記遮断部材を移動させる遮断部材移動工程と、
前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給ノズルが前記環状部に設けられた通過許容部を介して前記環状部を通過できるように前記遮断部材の回転を停止し、回転方向における前記通過許容部の位置を調整する位置調整工程と、
前記通過許容部を介して前記処理液供給ノズルを前記環状部に通過させて、前記基板と対向する位置に前記処理液供給ノズルを移動させるノズル移動工程とを含み、
前記遮断部材が前記近接位置に位置するときに前記環状部の下端が前記基板の上面よりも下方に位置し、前記遮断部材が前記近接位置よりも上方の上位置に位置するときに前記環状部の下端が前記基板の上面よりも上方に位置する、基板処理方法。 - 前記遮断部材が前記近接位置に位置するときに、前記通過許容部が前記ガードの上端よりも上方に位置する、請求項10に記載の基板処理方法。
- 基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板を鉛直方向に沿う所定の回転軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
水平方向に移動可能であり、前記基板保持手段に保持された基板の上面に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記基板保持手段に保持された基板の上面との間の雰囲気を周囲の雰囲気から遮断する遮断部材であって、当該基板を取り囲む環状部と、前記環状部に設けられ、前記処理液供給ノズルが前記環状部を通過することを許容する通過許容部とを含む遮断部材と、
前記基板保持手段に保持された基板の上面と前記遮断部材との間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記回転軸線まわりに前記遮断部材を回転させる遮断部材回転手段と、
前記遮断部材回転手段を制御することによって、前記処理液供給ノズルが前記環状部を通過できるように回転方向における前記通過許容部の位置を調整する制御手段と、
前記遮断部材を昇降させる遮断部材昇降手段とを含み、
前記環状部が、前記通過許容部よりも上方に設けられ、前記基板保持手段に保持された基板外に排除される処理液を受ける液受け部を含む、基板処理装置。 - 基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板を鉛直方向に沿う所定の回転軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
水平方向に移動可能であり、前記基板保持手段に保持された基板の上面に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記基板保持手段に保持された基板の上面との間の雰囲気を周囲の雰囲気から遮断する遮断部材であって、当該基板を取り囲む環状部と、前記環状部に設けられ、前記処理液供給ノズルが前記環状部を通過することを許容する通過許容部とを含む遮断部材と、
前記基板保持手段に保持された基板の上面と前記遮断部材との間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記回転軸線まわりに前記遮断部材を回転させる遮断部材回転手段と、
前記遮断部材回転手段を制御することによって、前記処理液供給ノズルが前記環状部を通過できるように回転方向における前記通過許容部の位置を調整する制御手段とを含み、
前記遮断部材が、前記基板保持手段に保持された基板の上面に対向する対向部を含み、
前記対向部に対して前記環状部を上下動させる環状部移動機構をさらに含む、基板処理装置。 - 基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板を鉛直方向に沿う所定の回転軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
水平方向に移動可能であり、前記基板保持手段に保持された基板の上面に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記基板保持手段に保持された基板の上面との間の雰囲気を周囲の雰囲気から遮断する遮断部材であって、当該基板を取り囲む環状部と、前記環状部に設けられ、前記処理液供給ノズルが前記環状部を通過することを許容する通過許容部とを含む遮断部材と、
前記基板保持手段に保持された基板の上面と前記遮断部材との間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記回転軸線まわりに前記遮断部材を回転させる遮断部材回転手段と、
前記遮断部材回転手段を制御することによって、前記処理液供給ノズルが前記環状部を通過できるように回転方向における前記通過許容部の位置を調整する制御手段と、
前記処理液供給ノズルを支持し、水平方向に延びる軸状のノズルアームと、
前記ノズルアームの中心軸線まわりに前記処理液供給ノズルを回転させるノズル回転手段とを含み、
前記処理液供給ノズルが、前記ノズルアームの中心軸線と交差する方向に延びており、
前記通過許容部が、前記環状部を貫通し、水平方向に長手の長孔を含む、基板処理装置。
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