CN109545703B - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置与方法，对基板实施使用处理液的处理，包括：基板保持单元，有自旋底座，并用以保持基板；隔断构件，有与由基板保持单元保持的基板的上表面相向的基板相向面，并有比自旋底座大的直径；隔断构件升降单元，使隔断构件在隔断位置与退避位置间升降，隔断位置是将基板相向面与上表面间的空间从上表面上的侧方隔断的位置，退避位置是从隔断位置向上方退避的位置，且空间未从上表面上的侧方被隔断；以及多个防护板，包括环绕在基板保持单元周围的筒状内侧防护板、及环绕在内侧防护板周围的筒状外侧防护板，多个防护板用以捕获从基板与隔断构件之间排出的处理液，外侧防护板的内周端相较于内侧防护板的内周端而位于径向外侧。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法。在作为处理对象的基板中，例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、有机电致发光(electroluminescence，EL)显示装置等平板显示器(Flat Panel Display，FPD)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置的制造工序中，为了对半导体晶片等基板的表面实施使用药液等处理液的处理，有时使用对基板逐片进行处理的单片式基板处理装置。此单片式的基板处理装置在腔室内例如包括：使基板保持为大致水平并旋转的自旋夹头(spin chuck)、用于对通过此自旋夹头而旋转的基板供给处理液的喷嘴、在接近由自旋夹头保持的基板的表面(上表面)的位置相向配置的隔断构件、以及用于捕获从基板排出的处理液并进行排液的处理杯(cup)。
如美国专利申请公开第2016/045938A1号公报所示，处理杯具备多个防护板(guard)。各防护板包括环绕在自旋夹头周围的圆筒状的引导部、以及从引导部的上端向中心侧朝斜上方延伸的圆筒状的倾斜部。各倾斜部的上端构成为各防护板的内周端，并具有比基板与自旋底座大的直径。各防护板的内周端在径向上一致。
另外，在美国专利申请公开第2017/186599A1号公报的基板处理装置的基板处理例中，一面将隔断构件配置于从基板的表面向上方退避的退避位置，一面从配置于隔断构件与基板的上表面之间的喷嘴喷出药液，由此进行药液处理。同样地，一面将隔断构件配置于退避位置，一面从配置于隔断构件与基板的上表面之间的喷嘴喷出冲洗液，由此进行冲洗处理。
冲洗处理后，使隔断构件接近基板的表面。在此状态下，使自旋夹头与隔断构件沿同一方向旋转。由此，将附着于基板表面的冲洗液甩掉并去除(干燥)。
另外，美国专利申请公开第2015/234296A1号公报的隔断构件中，为了更有效地将基板上方的上方空间与上方空间的侧方空间隔断而具备配置于由自旋夹头保持的基板上方的圆板部、以及从与圆板部的周缘下垂的圆筒部。即，此隔断构件包括：与由自旋夹头保持的基板的上表面相向的基板相向面、以及与由自旋夹头保持的基板的外周端相向的内周面。
发明内容
本申请发明人等对使用美国专利申请公开第2015/234296A1号公报的隔断构件来实施下述专利文献2的基板处理例进行了研究。
即，对于具有圆板部与圆筒部的隔断构件，一面将隔断构件配置于从基板的表面向上方退避的退避位置，一面从配置于隔断构件与基板的上表面之间的喷嘴喷出处理液(药液或冲洗液)，由此进行药液处理或冲洗处理。此时，使多个防护板中的一个防护板(退避位置用防护板)与基板的周端面相向。利用退避位置用防护板来捕获从基板的周缘部排出的处理液。
冲洗处理后，使隔断构件接近基板的表面。另外，使与退避位置用防护板不同的防护板(隔断位置用防护板)与隔断构件的圆筒部的下端部相向。在该状态下使基板干燥。利用隔断位置用防护板来捕获从隔断构件的圆筒部的下端部排出的处理液。
所述情况下，存在如下问题。即，美国专利申请公开第2015/234296A1号公报的隔断构件由于具有对内周面进行划分的圆筒部，因此被设置成比自旋底座大的直径。在使用这种大直径的隔断构件的情况下，为了避免与防护板的内周端的干扰，需要扩大各防护板的内径。
然而，若扩大了退避位置用防护板的内径，则认为在药液处理或冲洗处理中，基板的周缘部与退避位置用防护板的间隔变长，无法利用所期望的退避位置用防护板效率良好地捕获从基板的周缘飞散的处理液(药液或冲洗液)。即，退避位置用防护板的防液溅性能下降。不仅如此，由于处理液从隔断构件的圆筒部的下端部的飞散方向为广角，因此，在将隔断构件配置于隔断位置的状态下进行的处理(例如干燥处理)中，若扩大了退避位置用防护板的内径，则担心从隔断构件的圆筒部的下端部飞散的处理液被原本未预料到的退避位置用防护板捕获。所述情况下，担心在退避位置用防护板中发生混合接触。
即，期望一面避免隔断构件与防护板的干扰，一面利用所期望的防护板效率良好地捕获从基板的周缘部排出的处理液。
因此，本发明的目的在于提供一种可一面避免隔断构件与防护板的干扰，一面利用所期望的防护板效率良好地捕获从基板的周缘部排出的处理液的、基板处理装置及基板处理方法。
本发明提供一种基板处理装置，用于对基板实施使用处理液的处理的基板处理装置，包括：基板保持单元，具有自旋底座，并用以保持所述基板；隔断构件，具有与由所述基板保持单元保持的基板的上表面相向的基板相向面，并具有比所述自旋底座大的直径；隔断构件升降单元，使所述隔断构件在隔断位置与退避位置之间升降，其中，所述隔断位置是将所述基板相向面与所述上表面之间的空间从所述上表面上的侧方隔断的位置，所述退避位置是从所述隔断位置向上方退避的位置，且所述空间未从所述上表面上的侧方被隔断；以及多个防护板，包括环绕在所述基板保持单元周围的筒状的内侧防护板、以及环绕在所述内侧防护板周围的筒状的外侧防护板，所述多个防护板用以捕获从所述基板与所述隔断构件之间排出的处理液，所述内侧防护板和所述外侧防护板为筒状。且所述外侧防护板的内周端相较于所述内侧防护板的内周端而位于径向外侧。
根据所述构成，外侧防护板的内周端相较于内侧防护板的内周端而位于径向外侧。即，由外侧防护板的内周端划分的圆周的直径比由内侧防护板的内周端划分的圆周的直径大。
考虑将隔断构件与多个防护板设置成使隔断构件配置于退避位置、且内侧防护板与基板的周端面相向的状态。在此状态下，由于内侧防护板的内周端为比较小的直径，因此可将基板的周缘部与内侧防护板的内周端的径向距离保持为最佳长度。因此，可利用内侧防护板效率良好地捕获从基板的周缘部排出的处理液(防液溅性能提升)。
另外，考虑将隔断构件与多个防护板设置成使隔断构件配置于隔断位置、且外侧防护板与隔断构件的周端相向的状态。由于外侧防护板的内周端为比较大的直径，因此，在此状态下可避免外侧防护板与隔断构件的干扰。
根据以上，可一面避免隔断构件与防护板(外侧防护板)的干扰，一面利用所期望的防护板(内侧防护板)效率良好地捕获从基板的周缘部排出的处理液。
本实施方式中，所述内侧防护板、所述外侧防护板及所述隔断构件被设置为，由所述外侧防护板的内周端划分的圆周的直径大于所述隔断构件的外径，且由所述内侧防护板的内周端划分的圆周的直径等于或小于所述隔断构件的外径。
根据所述构成，由外侧防护板的内周端划分的圆周的直径比隔断构件的外径大。因此，可切实地避免外侧防护板与隔断构件的干扰。
另外，由内侧防护板的内周端划分的圆周的直径等于或小于隔断构件的外径。因此，可切实地防止从基板的周端部排出的处理液进入至内侧防护板，由此可将内侧防护板中的处理液的混合接触防止于未然。
本实施方式中，所述隔断构件还包含与由所述基板保持单元保持的所述基板的周端相向的内周面。
根据所述构成，在隔断构件配置于隔断位置的状态下，可利用隔断构件更有效地将基板上方的上方空间与上方空间的侧方空间隔断。在此状态下使外侧防护板与隔断构件的周端相向。从基板上表面的周缘部排出的处理液由内周面承接。处理液从隔断构件的内周面的下端缘朝径向外侧呈广角飞散。具有此种内周面的隔断构件所具有比自旋底座大的直径，但即便在使用这种大直径的隔断构件的情况下，也能一面避免隔断构件与防护板的干扰，一面利用所期望的防护板效率良好地捕获从基板的周缘部排出的处理液。
本实施方式中，所述内侧防护板及所述外侧防护板分别具备随着朝向径向内侧而朝向上方的倾斜部。而且也可为，所述外侧防护板的所述倾斜部相较于所述内侧防护板的所述倾斜部而被配置于上方，且各倾斜部的上端形成为各防护板的内周端。
根据所述构成，外侧防护板的所述倾斜部相较于内侧防护板的所述倾斜部而被配置于上方。各倾斜部的上端形成为各防护板的内周端。
本实施方式中，还包括：旋转单元，用以使由所述基板保持单元保持的基板围绕规定的旋转轴线旋转；防护板升降单元，使所述多个防护板中的至少一者升降；及控制装置，控制所述隔断构件升降单元、所述旋转单元及所述防护板升降单元。而且也可为，所述控制装置执行第一处理工序，在利用所述隔断构件升降单元将所述隔断构件配置于所述退避位置、且利用所述防护板升降单元将所述多个防护板中的所述内侧防护板配置成与所述基板的周端面相向的状态下，利用所述旋转单元使所述基板围绕所述旋转轴线旋转；及第二处理工序，在利用所述隔断构件升降单元将所述隔断构件配置于所述隔断位置、且利用所述防护板升降单元将所述多个防护板中的所述外侧防护板配置成与所述基板的周端面相向的状态下，利用所述旋转单元使所述基板围绕所述旋转轴线旋转。
根据所述构成，外侧防护板的内周端相较于内侧防护板的内周端而位于径向外侧。即，由外侧防护板的内周端划分的圆周的直径比由内侧防护板的内周端划分的圆周的直径大。
另外，第一处理工序中，将隔断构件配置于退避位置，且内侧防护板与基板的周端面相向。由于内侧防护板的内周端为比较小的直径，因此可将基板的周缘部与内侧防护板的内周端的径向距离保持为最佳长度。因此，可利用内侧防护板效率良好地捕获从基板的周缘部排出的处理液(防液溅性能提升)。
第二处理工序中，将隔断构件配置于隔断位置，且外侧防护板与隔断构件的周端相向。由于外侧防护板的内周端为比较大的直径，因此，可避免外侧防护板与隔断构件的干扰。
根据以上，可一面避免隔断构件与防护板(外侧防护板)的干扰，一面利用所期望的防护板(内侧防护板)效率良好地捕获从基板的周缘部排出的处理液。
本实施方式中，还包括：具有设置于所述隔断构件外侧的第一处理液喷出口的第一喷嘴、及对所述第一喷嘴供给第一处理液的第一处理液单元。而且也可为，所述控制装置在所述第一处理工序中还执行利用所述第一处理液单元将第一处理液从所述第一处理液喷出口朝所述基板的上表面喷出的工序。
根据所述构成，在将隔断构件配置于退避位置、且使内侧防护板与基板的周端面相向的第一处理工序中，将第一处理液从设置于隔断构件外侧的第一处理液喷出口朝基板的上表面喷出。被供给至基板的上表面的第一处理液由于基板旋转所产生的离心力而移动至基板的上表面的周缘部，并从基板的上表面的周缘部朝径向外侧飞散。飞散的第一处理液由内侧防护板捕获。由于内侧防护板的内周端为比较小的直径，因此可将基板的周缘部与内侧防护板的内周端的径向距离保持为最佳长度。因此，可利用内侧防护板效率良好地捕获从基板的周缘部排出的第一处理液。
本实施方式中，还包括：具有开口于所述基板相向面的第二处理液喷出口的第二喷嘴、及对所述第二喷嘴供给第二处理液的第二处理液单元。而且也可为，所述控制装置在所述第二处理工序中还执行利用所述第二处理液单元将所述第二处理液从所述第二处理液喷出口朝所述基板的上表面喷出的工序。
根据所述构成，在将隔断构件配置于隔断位置、且使外侧防护板与隔断构件的周端相向的第二处理工序中，从开口于基板相向面的第二处理液喷出口朝基板的上表面喷出第二处理液。被供给至基板的上表面的第二处理液由于基板旋转所产生的离心力而移动至基板的上表面的周缘部，并从基板的上表面的周缘部朝径向外侧飞散。飞散的第二处理液由外侧防护板捕获。由于外侧防护板的内周端为比较大的直径，因此，在此状态下可避免外侧防护板与隔断构件的干扰。
本发明提供一种基板处理方法，在包含具有自旋底座并用以保持基板的基板保持单元的基板处理装置中被执行。所述基板处理方法包括：第一处理工序，在将包含筒状的内侧防护板与外侧防护板的多个防护板中的所述内侧防护板配置成与所述基板的周端面相向的状态下，使所述基板围绕规定的旋转轴线旋转，其中，所述筒状的内侧防护板具有比所述自旋底座大的直径并将与所述基板的上表面相向的隔断构件配置于从所述基板的所述上表面退避的退避位置，且环绕在所述基板保持单元的周围，所述外侧防护板是环绕在所述内侧防护板周围的筒状的外侧防护板，且具有相较于所述内侧防护板的内周端而位于径向外侧的内周端，所述内侧防护板和所述外侧防护板为筒状；及第二处理工序，在将所述隔断构件配置于隔断位置、且将多个防护板中的所述外侧防护板配置成与位于所述隔断位置的所述隔断构件的周端相向的状态下，使所述基板围绕所述旋转轴线旋转，其中，所述隔断位置是将所述基板相向面与所述上表面之间的空间从所述上表面上的侧方隔断的位置。
根据所述方法，外侧防护板的内周端相较于内侧防护板的内周端而位于径向外侧。即，由外侧防护板的内周端划分的圆周的直径大于由内侧防护板的内周端划分的圆周的直径。
另外，第一处理工序中，将隔断构件配置于退避位置，且内侧防护板与基板的周端面相向。由于内侧防护板的内周端为比较小的直径，因此可将基板的周缘部与内侧防护板的内周端的径向距离保持为最佳长度。因此，可利用内侧防护板效率良好地捕获从基板的周缘部排出的处理液(防液溅性能提升)。
第二处理工序中，将隔断构件配置于隔断位置，且外侧防护板与隔断构件的周端相向。由于外侧防护板的内周端为比较大的直径，因此，可避免外侧防护板与隔断构件的干扰。
根据以上，可一面避免隔断构件与防护板(外侧防护板)的干扰，一面利用所期望的防护板(内侧防护板)效率良好地捕获从基板的周缘部排出的处理液。
本实施方式中，所述第一处理工序进而包括将第一处理液从设置于所述隔断构件外侧的第一处理液喷出口朝所述基板的上表面喷出的工序。
根据所述方法，在将隔断构件配置于退避位置、且使内侧防护板与基板的周端面相向的第一处理工序中，将第一处理液从设置于隔断构件外侧的第一处理液喷出口朝基板的上表面喷出。被供给至基板的上表面的第一处理液由于基板旋转所产生的离心力而移动至基板的上表面的周缘部，并从基板的上表面的周缘部朝径向外侧飞散。飞散的第一处理液由内侧防护板捕获。由于内侧防护板的内周端为比较小的直径，因此可将基板的周缘部与内侧防护板的内周端的径向距离保持为最佳长度。因此，可利用内侧防护板效率良好地捕获从基板的周缘部排出的第一处理液。
本实施方式中，所述第二处理工序进而包括将第二处理液从开口于所述基板相向面的第二处理液喷出口朝所述基板的上表面喷出的工序。
根据所述方法，在将隔断构件配置于隔断位置、且使外侧防护板与隔断构件的周端相向的第二处理工序中，从开口于基板相向面的第二处理液喷出口朝基板的上表面喷出第二处理液。被供给至基板的上表面的第二处理液由于基板旋转所产生的离心力而移动至基板的上表面的周缘部，并从基板的上表面的周缘部朝径向外侧飞散。飞散的第二处理液由外侧防护板捕获。由于外侧防护板的内周端为比较大的直径，因此，在此状态下可避免外侧防护板与隔断构件的干扰。
本发明中所述的或者进而另一目的、特征以及效果通过接下来参照附图进行叙述的实施方式的说明而明确。
附图说明
图1是自上观察本发明的一实施方式的基板处理装置的示意图。
图2是用以说明所述基板处理装置所具备的处理单元的构成例的图解性剖面图。
图3是所述处理单元所具备的隔断构件的底视图。
图4是所述处理单元所具备的处理杯的剖面图。
图5是用以说明所述基板处理装置的主要部分的电性构成的框图。
图6是将作为所述基板处理装置的处理对象的基板的表面放大显示的剖面图。
图7是用以说明在所述处理单元中执行的基板处理例的内容的流程图。
图8A～图8E是用以说明所述基板处理例的图解性图。
具体实施方式
图1是自上观察本发明的一实施方式的基板处理装置1的示意图。
基板处理装置1是对硅晶片等基板W逐片进行处理的单片式装置。本实施方式中，基板W为圆板状的基板。基板处理装置1包括：利用处理液及冲洗液对基板W进行处理的多个处理单元2、载置对经处理单元2处理的多片基板W进行收容的基板收容器的装载埠(loadport)LP、在装载埠LP与处理单元2之间搬送基板W的分度器机器人(indexer robot)IR及基板搬送机器人CR、以及对基板处理装置1进行控制的控制装置3。分度器机器人IR在基板收容器与基板搬送机器人CR之间搬送基板W。基板搬送机器人CR在分度器机器人IR与处理单元2之间搬送基板W。多个处理单元2例如具有相同的构成。
图2是用以说明处理单元2的构成例的图解性剖面图。图3是隔断构件8的底视图。图4是处理杯13的剖面图。
如图2所示，处理单元2包括：箱形的腔室4、在腔室4内将一片基板W以水平的姿势加以保持并使基板W围绕着穿过基板W的中心的铅垂的旋转轴线A1旋转的自旋夹头(spinchuck)(基板保持单元)5、用以朝基板的上表面供给药液(第一处理液)的药液供给单元(第一处理液单元)6、用以朝由自旋夹头5保持的基板W的上表面供给冲洗液(第一处理液)的冲洗液供给单元(第一处理液单元)7、与由自旋夹头5保持的基板W的上表面相向的隔断构件8、用以在隔断构件8的内部沿上下插通，并朝由自旋夹头5保持的基板W的上表面的中央部喷出处理液的中心轴喷嘴9、用以朝中心轴喷嘴9供给作为比重比空气大且具有比水低的表面张力的低表面张力液体的有机溶剂(第二处理液)的有机溶剂供给单元(第二处理液单元)10、用以朝中心轴喷嘴9供给液体的疏水剂(第二处理液)的疏水剂供给单元(第二处理液单元)11、用以朝中心轴喷嘴9供给惰性气体的惰性气体供给单元12、以及环绕着自旋夹头5的筒状的处理杯13。
如图2所示，腔室4包括：收容自旋夹头5的箱状的隔壁14、将洁净空气(由过滤器过滤了的空气)从隔壁14的上部送至隔壁14内的作为送风单元的风机·过滤·单元(fanfilter unit，FFU)15、以及从隔壁14的下部将腔室4内的气体排出的排气管道(duct)16。FFU 15配置于隔壁14的上方并被安装于隔壁14的顶部。FFU 15从隔壁14的顶部将洁净空气向下送至腔室4内。排气管道16连接于处理杯13的底部，并朝设在设置有基板处理装置1的工厂中的排气处理设备导出腔室4内的气体。因而，通过FFU 15及排气管道16而形成在腔室4内向下方流动的向下流(downflow)。基板W的处理是在腔室4内形成有向下流的状态下进行。
如图2所示，作为自旋夹头5，采用沿水平方向夹着基板W并将基板W保持为水平的夹持式夹头。具体而言，自旋夹头5包括：自旋马达M、与此自旋马达M的驱动轴一体化的自旋轴17、大致水平地安装于自旋轴17上端的圆板状的自旋底座18。自旋底座18的直径与基板W的直径相等、或者大于基板W的直径。
如图2所示，在自旋底座18的上表面18a，在其周缘部配置着多个(3个以上。例如4个)夹持销19。多个夹持销19是在自旋底座18的上表面18a的外周部，在与基板W的外周形状对应的圆周上空开适当的间隔(例如等间隔)而配置。
药液供给单元6包括：药液喷嘴21、连接于药液喷嘴21并供给源于药液供给源的药液的药液配管22、插装于药液配管22的药液阀23及第一流量调整阀24。药液喷嘴21是从药液喷出口21a(第一处理液喷出口)例如以连续流的状态喷出液体的直式喷嘴(straightnozzle)。例如，药液喷出口21a形成于药液喷嘴21的主体(body)的下端，并从药液喷出口21a向下喷出药液。第一流量调整阀24包括：内部设置有阀座的阀体(valve body)、使阀座开闭的阀元件(valve element)、使阀元件在开位置与闭位置之间移动的致动器(actuator)。其他流量调整阀也相同。
当药液阀23打开时，从药液喷出口21a向下方喷出药液。当药液阀23关闭时，停止从药液喷出口21a喷出药液。通过第一流量调整阀24来调整药液从药液喷出口21a的喷出流量。药液也可为包含例如硫酸、乙酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、氨水、过氧化氢水、有机酸(例如柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如，TMAH：四甲基氢氧化铵(tetramethyl ammonium hydroxide)等)、表面活性剂及防腐剂中的至少一者的液体。
药液供给单元6进而包括：在前端部安装有药液喷嘴21的喷嘴臂25、以及使喷嘴臂25例如围绕着规定的摆动轴线摆动并使药液喷嘴21移动的第一喷嘴移动单元26。第一喷嘴移动单元26包括马达等。第一喷嘴移动单元26使药液喷嘴21在处理位置与退避位置之间移动，其中，所述处理位置是将从药液喷嘴21喷出的药液供给至基板W的上表面的位置，所述退避位置是俯视时药液喷嘴21向自旋夹头5的侧方退避的位置。
冲洗液供给单元7包括：冲洗液喷嘴27、连接于冲洗液喷嘴27并供给源于冲洗液供给源的冲洗液的冲洗液配管28、以及插装于冲洗液配管28的冲洗液阀29及第二流量调整阀30。冲洗液喷嘴27是从冲洗液喷出口(第一处理液喷出口)27a例如以连续流的状态喷出液体的直式喷嘴。例如，冲洗液喷出口27a形成于冲洗液喷嘴27的主体的下端，并从冲洗液喷出口27a向下喷出冲洗液。
当冲洗液阀29打开时，从冲洗液喷出口27a向下方喷出冲洗液。当冲洗液阀29关闭时，停止从冲洗液喷出口27a喷出冲洗液。通过第二流量调整阀30来调整冲洗液从冲洗液喷出口27a的喷出流量。冲洗液是水。本实施方式中，水是纯水(去离子水)、碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水及稀释浓度(例如10ppm～100ppm左右)的氨水中的任一者。
冲洗液供给单元7进而包括：在前端部安装有冲洗液喷嘴27的喷嘴臂31、以及使喷嘴臂31例如围绕着规定的摆动轴线摆动并使冲洗液喷嘴27移动的第二喷嘴移动单元32。第二喷嘴移动单元32包括马达等。第二喷嘴移动单元32使冲洗液喷嘴27在处理位置与退避位置之间移动，其中，所述处理位置是将从冲洗液喷嘴27喷出的冲洗液供给至基板W的上表面的位置，所述退避位置是俯视时冲洗液喷嘴27向自旋夹头5的侧方退避的位置。
隔断构件8包括：隔断板41、可一体旋转地设置于隔断板41的上自旋轴42。隔断板41是比基板W的直径大的圆板状。隔断板41包括：以水平的姿势得到保持的圆板部43、以及从圆板部43的外周部向下方延伸的圆筒部44。圆板部43与圆筒部44同轴。圆板部43相较于圆筒部44的下端而被配置于上方。在圆板部43的中央部形成有将隔断板41及上自旋轴42沿上下贯通的圆筒状的贯通孔45。贯通孔45的内周壁由圆筒面划分。贯通孔45中沿上下插通着中心轴喷嘴9。
隔断板41包含向下凹陷的杯状的内表面。隔断板41的内表面包括：与基板W的上表面的上方相向的基板相向面41a、以及在隔断构件8处于隔断位置的状态下与基板W的外周端及自旋底座18的外周面(外周端)18b相向的内周面41b。圆板部43的下表面相当于基板相向面41a。基板相向面41a是与基板W的上表面平行的平坦面。
圆筒部44的内周面相当于内周面41b。内周面41b包括从基板相向面41a向斜下方朝外侧延伸的环状的内倾斜部。此内倾斜部具有相对于旋转轴线A1的倾斜角连续发生变化的圆弧状的剖面。此内倾斜部的剖面向下敞开。内周面41b的内径随着接近内周面41b的下端而增加。内周面41b的下端具有比自旋底座18的外径大的内径。
中心轴喷嘴9沿着穿过隔断板41及基板W的中心的铅垂的轴线、即旋转轴线A1在上下方向上延伸。中心轴喷嘴9与隔断板41一同升降。
中心轴喷嘴9沿着穿过隔断板41及基板W的中心的铅垂的轴线、即旋转轴线A1在上下方向上延伸。中心轴喷嘴9配置于自旋夹头5的上方，并插通于隔断板41及上自旋轴42的内部空间。中心轴喷嘴9与隔断板41及上自旋轴42一同升降。
上自旋轴42可相对旋转地支撑于在隔断板41的上方水平延伸的支撑臂46。在隔断板41及上自旋轴42上耦合有包含电动马达等的构成的隔断板旋转单元47。隔断板旋转单元47使隔断板41及上自旋轴42相对于支撑臂46而围绕着旋转轴线A1旋转。
另外，在支撑臂46上耦合有包含电动马达、滚珠丝杠等的构成的隔断构件升降单元48。隔断构件升降单元48使隔断构件8(隔断板41及上自旋轴42)及中心轴喷嘴9与支撑臂46一同沿铅垂方向升降。
隔断构件升降单元48使隔断板41在下隔断位置(图2中以虚线图示。隔断位置)与退避位置(图2中以实线图示)之间升降，其中，所述下隔断位置是基板相向面41a接近由自旋夹头5保持的基板W的上表面、且圆筒部44的下端的高度相较于基板W高度而位于下方的位置，所述退避位置是相较于下隔断位置而大幅度向上方退避的位置。
隔断构件升降单元48能够在上隔断位置(图8C及图8D所示的隔断板41的位置。隔断位置)、下隔断位置及退避位置将隔断板41加以保持。下隔断位置是在基板相向面41a与基板W的上表面之间形成隔断空间的位置。此隔断空间并未与其周围的空间完全隔离，但实质上被与其周围的空间隔断。上隔断位置是相较于下隔断位置而稍靠上方(上方数毫米)的位置。在隔断板41被配置于上隔断位置的状态下，也在基板相向面41a与基板W的上表面之间形成隔断空间。
中心轴喷嘴9包括：在贯通孔45的内部沿上下延伸的圆柱状的套管(casing)50、以及在套管50的内部沿上下插通的第一喷嘴配管51、第二喷嘴配管52及第三喷嘴配管53。套管50包括：圆筒状的外周面50a、以及设置于套管50的下端部并与基板W的上表面的中央部相向的基板相向面50b。第一喷嘴配管51～第三喷嘴配管53分别为内管(inner tube)。
如图2所示，第一喷嘴配管51包括沿铅垂方向延伸的铅垂部分。如图3所示，第一喷嘴配管51的下端在套管50的基板相向面50b开口并形成有第一喷出口(第一处理液喷出口)51a。对第一喷嘴配管51供给源于有机溶剂供给单元10的液体的有机溶剂。有机溶剂供给单元10包括：连接于第一喷嘴配管51的上游端侧的有机溶剂配管56、插装于有机溶剂配管56的中途部的有机溶剂阀57、以及对有机溶剂配管56的开度进行调整的第三流量调整阀58。当有机溶剂阀57打开时，从第一喷出口51a向下方喷出液体的有机溶剂。当有机溶剂阀57关闭时，停止从第一喷出口51a喷出液体的有机溶剂。通过第三流量调整阀58来调整液体的有机溶剂从第一喷出口51a的喷出流量。
本实施方式中，有机溶剂例如为异丙醇(isopropyl alcohol，IPA)，但作为此种有机溶剂，除IPA以外，例如可例示甲醇、乙醇、丙酮、乙二醇(ethylene glycol，EG)及氢氟醚(hydrofluoroether，HFE)。另外，作为有机溶剂，不仅是仅包含单体成分的情况，也可为与其他成分混合而成的液体。例如，可为IPA与丙酮的混合液，或者也可为IPA与甲醇的混合液。
如图2所示，第二喷嘴配管52包括沿铅垂方向延伸的铅垂部分。如图3所示，第二喷嘴配管52的下端在套管50的基板相向面50b开口并形成有第二喷出口(第二处理液喷出口)52a。对第二喷嘴配管52供给源于疏水剂供给单元11的液体的疏水剂。疏水剂供给单元11包括：连接于第二喷嘴配管52的上游端侧的疏水剂配管59、插装于疏水剂配管59的中途部的疏水剂阀60、以及对疏水剂配管59的开度进行调整的第四流量调整阀61。当疏水剂阀60打开时，从第二喷出口52a向下方喷出液体的疏水剂。当疏水剂阀60关闭时，停止从第二喷出口52a喷出液体的疏水剂。通过第四流量调整阀61来调整液体的疏水剂从第二喷出口52a的喷出流量。疏水剂可为硅系的疏水剂，或者也可为金属系的疏水剂。
硅系的疏水剂是使硅(Si)自身及包含硅的化合物疏水化的疏水剂。硅系疏水剂例如是硅烷偶联剂。硅烷偶联剂例如包含六甲基二硅氮烷(hexamethyl disilazane，HMDS)、四甲基硅烷(tetramethylsilane，TMS)、氟化烷基氯硅烷、烷基二硅氮烷及非氯系疏水剂中的至少一者。非氯系疏水剂例如包含二甲基硅烷基二甲基胺、二甲基硅烷基二乙基胺、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、双(二甲基氨基)二甲基硅烷、N,N-二甲基氨基三甲基硅烷、N-(三甲基硅烷基)二甲基胺及有机硅烷化合物中的至少一者。
金属系的疏水剂例如是具有高配位性、且主要通过配位键来使金属疏水化的溶剂。此疏水剂例如包含具有疏水基的胺、及有机硅化合物中的至少一者。
如图3所示，第三喷嘴配管53包括沿铅垂方向延伸的铅垂部分。第三喷嘴配管53的下端在套管50的基板相向面50b开口并形成有第三喷出口53a。对第三喷嘴配管53供给源于惰性气体供给单元12的惰性气体。惰性气体供给单元12包括：连接于第三喷嘴配管53的上游端侧的惰性气体配管62、插装于惰性气体配管62的中途部的惰性气体阀63、以及对惰性气体配管62的开度进行调整的第五流量调整阀64。当惰性气体阀63打开时，从第三喷出口53a向下方喷出惰性气体。当惰性气体阀63关闭时，停止从第三喷出口53a喷出惰性气体。通过第五流量调整阀64来调整惰性气体从第三喷出口53a的喷出流量。惰性气体不限于氮气，也可为氦气或氩气等其他惰性气体。另外，惰性气体可为氮气，或者也可为氮气与氮气以外的气体的混合气体。
另外，通过中心轴喷嘴9的筒状的外周壁(套管50的外周面50a)与贯通孔45的筒状的内周面45a形成了筒状间隙65(参照图3)。筒状间隙65作为供惰性气体流通的流路而发挥功能。筒状间隙65的下端呈环绕着中心轴喷嘴9的环状地开口，并形成有周围中央气体喷出口66(参照图3)。
如图2及图4所示，处理杯13相较于由自旋夹头5保持的基板W而被配置于外侧(远离旋转轴线A1的方向)。
以下，主要参照图4来说明处理杯13的构成。
处理杯13包括：圆筒构件70、在圆筒构件70的内侧环绕在自旋底座18周围的多个杯71～杯73(第一杯71～第三杯73)、接住飞散在基板W周围的处理液(药液、冲洗液、有机溶剂、疏水剂等)的多个防护板74～防护板77(第一防护板74、第二防护板75、第三防护板76及第四防护板77)、以及使多个防护板74～防护板77单独升降的防护板升降单元78。处理杯13相较于由自旋夹头5保持的基板W的外周而被配置于外侧(远离旋转轴线A1的方向)。
各杯71～杯73是圆筒状(圆环状)，且环绕在自旋夹头5的周围。从内侧起第二个的第二杯72相较于第一杯71而被配置于外侧，最外侧的第三杯73相较于第二杯72而被配置于外侧。第三杯73例如与第二防护板75为一体，且与第二防护板75一同升降。各杯71～杯73形成有向上敞开的环状的槽。
第一杯71的槽上连接有第一排液配管79。引导至第一杯71的槽中的处理液(主要是冲洗液)穿过第一排液配管79被送至机器外的排液处理设备，并在此排液处理设备中进行排液处理。
第二杯72的槽上连接有第二排液配管80。引导至第二杯72的槽中的处理液(主要是药液)穿过第二排液配管80被送至机器外的排液处理设备，并在此排液处理设备中进行排液处理。
第三杯73的槽上连接有第三排液配管81。引导至第三杯73的槽中的处理液(例如疏水剂)穿过第三排液配管81被送至机器外的回收设备，并在此回收设备中进行回收处理。
最内侧的第一防护板74环绕在自旋夹头5的周围，且具有相对于保持在自旋夹头5的基板W的旋转轴线A1而大致旋转对称的形状。第一防护板74包括：环绕在自旋夹头5周围的圆筒状的下端部83、从下端部83的上端向外侧(远离基板W的旋转轴线A1的方向)延伸的筒状部84、从筒状部84的上表面外周部向铅垂上方延伸的圆筒状的中段部85、以及从中段部85的上端向内侧(接近基板W的旋转轴线A1的方向)朝斜上方延伸的圆环状的第一倾斜部86。下端部83位于第一杯71的槽上，且在第一防护板74与第一杯71最接近的状态下收容于第一杯71的槽的内部。第一防护板74的内周端74a(第一倾斜部86的前端)在俯视时形成为相较于由自旋夹头5保持的基板W而为大直径的圆形。另外，第一倾斜部86如图2等所示，其剖面形状是直线状。
从内侧起第二个的第二防护板75在第一防护板74的外侧环绕在自旋夹头5的周围，且具有相对于保持在自旋夹头5的基板W的旋转轴线A1而大致旋转对称的形状。第二防护板75包括：与第一防护板74同轴的圆筒部87、以及从圆筒部87的上端向中心侧(接近基板W的旋转轴线A1的方向)斜上方延伸的第二倾斜部88。第二防护板75的内周端75a(第二倾斜部88的前端)在俯视时形成为相较于由自旋夹头5保持的基板W而为大直径的圆形。再者，第二倾斜部88如图4所示，其剖面形状是直线状。
圆筒部87位于第二杯72的槽上。另外，第二倾斜部88被设置成与第一防护板74的第一倾斜部86的上方重叠，且是以在第一防护板74与第二防护板75最接近的状态下保持微小间隙地接近第一倾斜部86的方式而形成。
从内侧起第三个的第三防护板76在第二防护板75的外侧环绕在自旋夹头5的周围，且具有相对于保持在自旋夹头5的基板W的旋转轴线A1而大致旋转对称的形状。第三防护板76包括：与第二防护板75同轴的圆筒部89、以及从圆筒部89的上端向中心侧(接近基板W的旋转轴线A1的方向)斜上方延伸的第三倾斜部90。第三防护板76的内周端76a(第三倾斜部90的前端)在俯视时形成为相较于由自旋夹头5保持的基板W而为大直径的圆形。第三倾斜部90如图4所示，其剖面形状是直线状。
圆筒部89位于第三杯73的槽上。另外，第三倾斜部90被设置成与第二防护板75的第二倾斜部88在上方重叠，且是以在第二防护板75与第三防护板76最接近的状态下保持微小间隙地靠近第二倾斜部88的方式而形成。
最外侧的第四防护板77在第三防护板76的外侧环绕在自旋夹头5的周围，且具有相对于保持在自旋夹头5的基板W的旋转轴线A1而大致旋转对称的形状。第四防护板77包括：与第三防护板76同轴的圆筒部91、以及从圆筒部91的上端向中心侧(接近基板W的旋转轴线A1的方向)斜上方延伸的第四倾斜部92。第四防护板77的内周端77a(第四倾斜部92的前端)在俯视时形成为相较于由自旋夹头5保持的基板W而为大直径的圆形。第四倾斜部92如图4所示，其剖面形状是直线状。
在各倾斜部86、倾斜部88、倾斜部90、倾斜部92的前端(各防护板74～防护板77的内周端74a～内周端77a)形成有向下方弯折的翻折部。
即，处理杯13能够折叠，通过由防护板升降单元78使四个防护板74～防护板77中的至少一者升降来进行处理杯13的展开及折叠。
通过防护板升降单元78的驱动，使处理杯13在上位置(倾斜部86、倾斜部88、倾斜部90、倾斜部92的前端相较于基板W的上表面而在上方的位置)与下位置(倾斜部86、倾斜部88、倾斜部90、倾斜部92的前端相较于基板W的上表面而在下方的位置)之间升降。
对基板W供给处理液(药液、冲洗液、有机溶剂、疏水剂等)或基板W的干燥是在防护板74～防护板77中的任一者与基板W的周端面相向的状态下进行。
为了实现第一防护板74与基板W的周端面相向的状态(图8A所示的状态。以下有时称为“第一防护板相向状态”)，将四个防护板74～防护板77全部配置于上位置。在第一防护板相向状态下，从处于旋转状态的基板W的周缘部排出的处理液全部由第一防护板74接住。在由处理单元2执行的基板处理例中，在后述药液工序S3(第一处理工序。参照图7)中，在处理杯13处于第一防护板相向状态的状态下执行。
另外，为了实现第二防护板75与基板W的周端面相向的状态(以下有时称为“第二防护板相向状态”)，将第一防护板74配置于下位置，并将剩余三个防护板75～防护板77配置于上位置。在第二防护板相向状态下，从处于旋转状态的基板W的周缘部排出的处理液全部由第二防护板75接住。在由处理单元2执行的基板处理例中，在后述冲洗工序S4(参照图7)中，在处理杯13处于第二防护板相向状态的状态下执行。
另外，为了实现第三防护板76与基板W的周端面相向的状态(以下有时称为“第三防护板相向状态”)，将第一防护板74及第二防护板75配置于下位置，并将剩余两个防护板76、防护板77配置于上位置。在第三防护板相向状态下，从处于旋转状态的基板W的周缘部排出的处理液全部由第三防护板76接住。在由处理单元2执行的基板处理例中，在后述冲洗工序S4(参照图7)中，在处理杯13处于第三防护板相向状态的状态下执行。
另外，为了实现第四防护板77与基板W的周端面相向的状态(以下有时称为“第四防护板相向状态”)，将第一防护板74～第三防护板76配置于下位置，并将剩余的防护板77配置于上位置。在第四防护板相向状态下，从处于旋转状态的基板W的周缘部排出的处理液全部由第四防护板77接住。在由处理单元2执行的基板处理例中，在后述冲洗工序S4(参照图7)中，在处理杯13处于第四防护板相向状态的状态下执行。
如图4所示，本实施方式中，相较于自旋底座18的外径D1而隔断构件8(隔断板41)的外径D2为大直径(D2＞D1)。
另外，第三防护板76及第四防护板77的内周端76a、内周端77a相较于第一防护板74及第二防护板75的内周端74a、内周端75a而位于径向外侧。即，由第三防护板76及第四防护板77的内周端76a、内周端77a划分的圆周的直径D4大于由第一防护板74及第二防护板75的内周端74a、内周端75a划分的圆周的直径D3(D4＞D3)。直径D4与直径D3之间的距离L1例如是5mm。
另外，本实施方式中，由第一防护板74及第二防护板75的内周端74a、内周端75a划分的圆周的直径D3与隔断构件8的外径D2大致相等(D3≒D2)。
另外，关于第一防护板74及第二防护板75的内周端74a、内周端75a的径向位置，以使基板W的周缘部与第一防护板74及第二防护板75之间的径向距离L2成为可利用第一防护板74及第二防护板75切实地捕获从基板W的周缘部飞散的处理液(药液、冲洗液)的最佳长度的方式进行设置。
图5是用以说明基板处理装置1的主要部分的电性构成的框图。
控制装置3例如是使用微计算机所构成。控制装置3包括：中央处理器(centralprocessing unit，CPU)等运算单元、固定存储器件(memory device)、硬盘驱动器(harddisk drive)等存储单元、以及输入输出单元。存储单元中存储着运算单元所执行的程序。
另外，控制装置3中连接有自旋马达M、隔断构件升降单元48、隔断板旋转单元47及防护板升降单元78等作为控制对象。控制装置3按照预定的程序来控制自旋马达M、隔断构件升降单元48、隔断板旋转单元47及防护板升降单元78等的动作。
另外，控制装置3按照预定的程序对药液阀23、冲洗液阀29、有机溶剂阀57、疏水剂阀60、惰性气体阀63等进行开闭。另外，控制装置3按照预定的程序来调整第一流量调整阀24、第二流量调整阀30、第三流量调整阀58、第四流量调整阀61、第五流量调整阀64等的开度。
以下，说明对在作为器件形成面的表面形成有图案的基板W进行处理的情况。
图6是将作为基板处理装置1的处理对象的基板W的表面Wa放大显示的剖面图。作为处理对象的基板W例如是硅晶片，并在作为其图案形成面的表面Wa形成有图案100。图案100例如是微细图案。如图6所示，图案100也可为将具有凸形状(柱状)的结构体101配置成矩阵状的图案。所述情况下，结构体101的线宽W1例如设置成10nm～45nm左右，图案100的间隙W2例如设置成10nm～数μm左右。图案100的膜厚T例如是1μm左右。另外，关于图案100，例如纵横比(膜厚T相对于线宽W1之比)例如也可为5～500左右(典型来说是5～50左右)。
另外，图案100也可为将由微细的沟槽(trench)所形成的线状图案反复排列而成者。另外，图案100也可通过在薄膜上设置多个微细孔(空隙(void)或孔隙(pore))而形成。
图案100例如包含绝缘膜。另外，图案100也可包含导体膜。更具体而言，图案100由层叠有多个膜的层叠膜形成，进而也可包含绝缘膜与导体膜。图案100也可为包含单层膜的图案。绝缘膜也可为硅氧化膜(SiO2膜)或硅氮化膜(SiN膜)。另外，导体膜可为将用于低电阻化的杂质导入而成的非晶硅膜，或者也可为金属膜(例如金属配线膜)。
另外，图案100也可为亲水性膜。作为亲水性膜，可例示正硅酸四乙酯(Tetraethylorthosilicate，TEOS)膜(硅氧化膜的一种)。
图7是用以说明在处理单元2中执行的基板处理例的内容的流程图。图8A～8E是说明所述基板处理例的示意性图。
参照图1～图7来说明第一基板处理例。适当参照图8A～图8E。
未处理的基板W(例如直径300mm的圆形基板)由分度器机器人IR及基板搬送机器人CR从基板收容器C搬入至处理单元2，并搬入至腔室4内，基板W在使其表面Wa(参照图6等)朝向上方的状态下被传递至自旋夹头5，基板W被保持于自旋夹头5(图7的S1：搬入基板W)。将基板W朝腔室4的搬入是且在将防护板74～防护板77配置于下位置的状态下，且使药液喷嘴21及冲洗液喷嘴27退避至退避位置的状态下进行。
基板搬送机器人CR退避至处理单元2外之后，控制装置3对自旋马达M进行控制，使自旋底座18的旋转速度上升至规定的液处理速度(在约10rpm～1200rpm的范围内，例如约800rpm)，并维持为所述液处理速度(图7的S2：基板W开始旋转)。
若基板W的旋转达到液处理速度，则控制装置3执行朝基板W的上表面供给药液的药液工序S3(第一处理工序。参照图7)。
具体而言，控制装置3对第一喷嘴移动单元26进行控制，使药液喷嘴21从退避位置移动至处理位置。由此，将药液喷嘴21配置于基板W的上方。例如，如图8A所示，也可将药液喷嘴21配置于基板W的上表面中央部上。
另外，配置于处理位置后，控制装置3对防护板升降单元78(参照图2)进行控制，使第一防护板74～第四防护板77上升至上位置，由此使第一防护板74与基板W的周端面相向(实现第一防护板相向状态)。即，药液工序S3是在将隔断构件8配置于退避位置、且处理杯13的第一防护板相向状态下执行。
在药液工序S3中，控制装置3将药液阀23打开。由此，从药液喷嘴21的药液喷出口21a朝旋转状态的基板W的上表面(表面Wa(参照图6))喷出药液。被供给至基板W的上表面的药液受到基板W旋转所产生的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，使用药液对基板W的上表面的整个区域进行处理。
移动至基板W的周缘部的药液从基板W的周缘部朝基板W的侧方飞散。从基板W的周缘部飞散的药液由第一防护板74的内壁挡住，并沿着第一防护板74的内壁流下，经由第一杯71及第一排液配管79(参照图2)被送至机器外的排液处理设备。
如上所述，关于第一防护板74的内周端74a的径向位置，以使基板W的周缘部与第一防护板74之间的径向距离L2成为可利用第一防护板74切实地捕获从基板W的周缘部飞散的药液的最佳长度的方式进行设置。因此，可利用第一防护板74效率良好地捕获从基板W的周缘部排出的药液。
若从开始喷出药液起经过预定的期间，则控制装置3将药液阀23关闭，并停止从药液喷嘴21喷出药液。由此，药液工序S3结束。然后，控制装置3对第一喷嘴移动单元26(参照图2)进行控制，使药液喷嘴21回到退避位置。
继而，控制装置3执行用以将基板W上的药液置换为冲洗液并从基板W上将药液排除的冲洗工序S4(第一处理工序。参照图7)。具体来说，控制装置3对第二喷嘴移动单元32(参照图2)进行控制，使冲洗液喷嘴27从退避位置移动至处理位置。由此将冲洗液喷嘴27配置于基板W的上方。例如，如图8B所示，也可将冲洗液喷嘴27配置于基板W的上表面中央部上。另外，控制装置3对防护板升降单元78(参照图2)进行控制，使处于第一防护板相向状态的处理杯13的第一防护板74下降至下位置，由此使第二防护板75与基板W的周端面相向(实现第二防护板相向状态)。即，冲洗工序S4是在将隔断构件8配置于退避位置、且处理杯13的第二防护板相向状态下执行。
在冲洗工序S4中，控制装置3将冲洗液阀29打开。由此，从冲洗液喷嘴27的冲洗液喷出口27a朝旋转状态的基板W的上表面(表面Wa(参照图6))喷出冲洗液。被供给至基板W的上表面的冲洗液受到基板W旋转所产生的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，利用冲洗液将附着于基板W上的药液冲洗掉。
从基板W的周缘部飞散的冲洗液从基板W的周缘部朝基板W的侧方被排出。从基板W的周缘部飞散的冲洗液由第二防护板75的内壁挡住，并沿着第二防护板75的内壁流下，经由第二杯72及第二排液配管80被送至机器外的排液处理设备。
如上所述，关于第二防护板75的内周端75a的径向位置，以使基板W的周缘部与第二防护板75之间的径向距离L3成为可利用第二防护板75切实地捕获从基板W的周缘部飞散的冲洗液的最佳长度的方式进行设置。因此，可利用第二防护板75效率良好地捕获从基板W的周缘部排出的冲洗液。
若从开始供给冲洗液起经过预定的期间，则控制装置3将冲洗液阀29关闭，并停止从冲洗液喷嘴27喷出冲洗液。由此，冲洗工序S4结束。然后，控制装置3对第二喷嘴移动单元32进行控制，使冲洗液喷嘴27回到退避位置。
继而，控制装置3执行置换工序S5(第二处理工序。参照图7)。置换工序S5是将基板W上的冲洗液置换为表面张力低于冲洗液(水)的有机溶剂(本例中为IPA)的工序。
具体来说，控制装置3对隔断构件升降单元48进行控制，使隔断板41下降，如图8C所示，将其配置于上隔断位置。由此，在基板相向面41a与基板W的上表面之间形成隔断空间。
另外，控制装置3对防护板升降单元78进行控制，使处于第二防护板相向状态的处理杯13的第二防护板75及第三防护板76下降至下位置，由此使第四防护板77与基板W的周端面相向(实现第四防护板相向状态)。即，置换工序S5是在将隔断构件8配置于上隔断位置、且处理杯13的第四防护板相向状态下执行。如上所述，由第四防护板77的内周端77a划分的圆周的直径D4大于隔断构件8的外径D2，因此，即便在处理杯13成为第四防护板相向状态的情况下，也避免隔断构件8与第四防护板77的干扰。
在置换工序S5中，控制装置3一面将基板W的旋转维持为桨叶速度，一面将有机溶剂阀57打开。由此，如图8C所示，从中心轴喷嘴9的第一喷出口51a朝基板W的上表面中央部喷出有机溶剂。被供给至基板W的上表面中央部的有机溶剂受到基板W旋转所产生的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，将基板W的上表面上的冲洗液置换为有机溶剂。
有机溶剂从基板W的周缘部向侧方飞散。从基板W的周缘部飞散的有机溶剂由隔断构件8的内周面41b挡住后，从隔断板41的圆筒部44的下端缘向侧方飞散。此时，有机溶剂从隔断板41的圆筒部44的下端缘呈广角飞散。飞散的有机溶剂被第四防护板77的内壁捕获。本实施方式中，如上所述，由第一防护板74及第二防护板75的内周端74a、内周端75a划分的圆周的直径D3与隔断构件8的外径D2大致相等(参照图4。D3≒D2)，因此，即便在有机溶剂从隔断板41呈广角飞散的情况下，也能切实地防止有机溶剂进入至第一防护板74或第二防护板75。所捕获的有机溶剂沿着第四防护板77的内壁流下，在腔室4的底壁上穿过而被送至机器外的排液处理设备。
若从打开有机溶剂阀57起经过预定的期间，则控制装置3将有机溶剂阀57关闭。由此，置换工序S5结束。
继而，控制装置3执行疏水剂工序S6(第二处理工序。参照图7)。疏水剂工序S6是朝基板W的上表面供给液体的疏水剂，并将基板W的上表面所存在的有机溶剂置换为疏水剂的工序。
具体来说，控制装置3一面保持将隔断板41配置于上隔断位置的状态，一面对防护板升降单元78进行控制，使处于第四防护板相向状态的处理杯13的第三防护板76上升至上位置，由此使第三防护板76与基板W的周端面相向(实现第三防护板相向状态)。即，置换工序S5是在将隔断构件8配置于上隔断位置、且处理杯13的第三防护板相向状态下执行。如上所述，由第三防护板76的内周端76a划分的圆周的直径D3大于隔断构件8的外径D2，因此，即便在处理杯13成为第三防护板相向状态的情况下，也避免隔断构件8与第三防护板76的干扰。
在疏水剂工序S6中，控制装置3一面将基板W的旋转维持为桨叶速度，一面将疏水剂阀60打开。由此，如图8D所示，从中心轴喷嘴9的第二喷出口52a朝基板W的上表面中央部喷出疏水剂。被供给至基板W的上表面中央部的有机溶剂移动至基板W的周缘部。由此，将基板W的上表面上的有机溶剂置换为疏水剂。
疏水剂从基板W的周缘部向侧方飞散。从基板W的周缘部飞散的疏水剂由隔断构件8的内周面41b挡住后，从隔断板41的圆筒部44的下端缘向侧方飞散。此时，疏水剂从隔断板41的圆筒部44的下端缘呈广角飞散。飞散的疏水剂被第三防护板76的内壁捕获。本实施方式中，如上所述，由第一防护板74及第二防护板75的内周端74a、内周端75a划分的圆周的直径D3与隔断构件8的外径D2大致相等(参照图4。D3≒D2)，因此，即便在疏水剂从隔断板41呈广角飞散的情况下，也能切实地防止疏水剂进入至第一防护板74或第二防护板75。所捕获的疏水剂沿着第三防护板76的内壁流下，并沿着第二防护板75的内壁流下，经由第二杯71及第三排液配管81(参照图2)而被送至机器外的排液处理设备。
若从打开疏水剂阀60起经过预定的期间，则控制装置3将疏水剂阀60关闭。由此，疏水剂工序S6结束。
继而，控制装置3执行置换工序S7(第二处理工序。参照图7)。置换工序S7是将基板W上所存在的疏水剂置换为有机溶剂(本例中为IPA)的工序。
具体来说，控制装置3一面保持将隔断板41配置于上隔断位置的状态，一面对防护板升降单元78进行控制，使处于第三防护板相向状态的处理杯13的第三防护板76下降至下位置，由此使第四防护板77与基板W的周端面相向(实现第四防护板相向状态)。
在所述状态下，控制装置3一面将基板W的旋转维持为液处理速度，一面将有机溶剂阀57打开。由此，如图8C所示，从中心轴喷嘴9(第一喷嘴配管51)的第一喷出口51a朝基板W的上表面中央部喷出有机溶剂。被供给至基板W的上表面中央部的有机溶剂受到由基板W的旋转产生的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，将基板W的上表面上所存在的疏水剂置换为有机溶剂。
有机溶剂从基板W的周缘部向侧方飞散。从基板W的周缘部飞散的有机溶剂由隔断构件8的内周面41b挡住后，从隔断板41的圆筒部44的下端缘向侧方飞散。飞散的有机溶剂被第四防护板77的内壁挡住，并沿着第四防护板77的内壁流下，在腔室4的底壁上穿过而被送至机器外的排液处理设备。
若从打开有机溶剂阀57起经过预定的期间，则控制装置3将有机溶剂阀57关闭。由此，置换工序S7结束。
继而，进行使基板W干燥的干燥工序S8(第二处理工序。参照图7)。具体而言，控制装置3一面将处理杯13的状态保持为第四防护板相向状态，一面对隔断构件升降单元48进行控制，使隔断板41下降，如图8E，将其配置于下隔断位置。即，干燥工序S8是在将隔断构件8配置于下隔断位置、且处理杯13的第四防护板相向状态下执行。
在所述基板处理例的干燥工序S8中，控制装置3在隔断板41被配置于隔断位置的状态下，对自旋马达M进行控制，使基板W加速至比药液工序S3～置换工序S7的各工序中的旋转速度大的干燥旋转速度(例如数千rpm)为止，并使基板W以所述干燥旋转速度旋转。由此，大的离心力施加至基板W上的液体，且附着于基板W上的液体被甩到基板W的周围。
另外，在干燥工序S8中，控制装置3将惰性气体阀63打开。由此，如图8E所示，从中心轴喷嘴9的第三喷出口53a朝基板W的上表面中央部喷出惰性气体。此时惰性气体的喷出流量例如是150(升/分钟)。即，在空间内，除至今为止穿过中心轴喷嘴9的外周壁(套管50的外周面50a)与贯通孔45的筒状的内周面45a之间的间隙所供给的惰性气体以外，还被供给从第三喷出口53a喷出的惰性气体。
若从基板W的加速起经过规定期间，则控制装置3对自旋马达M进行控制，由此使由自旋夹头5引起的基板W的旋转停止(图7的步骤S9)。然后，控制装置3对隔断构件升降单元48进行控制，使隔断板41上升并将其配置于退避位置。
然后，将基板W从腔室4内搬出(图7的步骤S10)。具体来说，控制装置3使基板搬送机器人CR的手部进入至腔室4的内部。而且，控制装置3使自旋夹头5上的基板W保持于基板搬送机器人CR的手部。然后，控制装置3使基板搬送机器人CR的手部从腔室4内退避。由此，将处理后的基板W从腔室4搬出，一系列的基板处理例结束。所搬出的基板W从基板搬送机器人CR被传递至分度器机器人IR，并通过分度器机器人IR而收纳于基板收容器C中。
根据以上，根据本实施方式，第三防护板76及第四防护板77的内周端76a、内周端77a相较于第一防护板74及第二防护板75的内周端74a、内周端75a而位于径向外侧。即，由第三防护板76及第四防护板77的内周端76a、内周端77a划分的圆周的直径D4大于由第一防护板74及第二防护板75的内周端74a、内周端75a划分的圆周的直径D3(D4＞D3)。
而且，在药液工序S3及冲洗工序S4中，将隔断构件8配置于退避位置，且第一防护板74及第二防护板75分别与基板W的周端面相向。由于第一防护板74及第二防护板75的内周端74a、内周端75a分别为比较小的直径，因此可将基板W的周缘部与第一防护板74及第二防护板75之间的径向距离L2保持为最佳长度。因此，可利用第一防护板74或第二防护板75效率良好地捕获从基板W的周缘部飞散的处理液(药液或冲洗液)(防液溅性能提升)。
在置换工序S5及疏水剂工序S6中，将隔断构件8配置于上隔断位置，且第三防护板76及第四防护板77分别与配置于隔断位置的隔断构件8的圆筒部44的下端缘相向。第三防护板76及第四防护板77的内周端76a、内周端77a分别为比较大的直径，因此可避免隔断构件8与第三防护板76及第四防护板77的干扰。
在干燥工序S8中，将隔断构件8配置于下隔断位置，且第四防护板77与配置于下隔断位置的隔断构件8的圆筒部44的下端缘相向。第四防护板77的内周端77a为比较大的直径，因此可避免隔断构件8与第四防护板77的干扰。
根据以上，可一面避免隔断构件8与第三防护板76及第四防护板77的干扰，一面利用所期望的防护板(第一防护板74及第二防护板75)效率良好地捕获从基板W的周缘部排出的处理液。
另外，由第一防护板74及第二防护板75的内周端74a、内周端75a划分的圆周的直径D3与隔断构件8的外径D2大致相等(参照图4。D3≒D2)，因此，在置换工序S5、置换工序S7及疏水剂工序S6中，即便在处理液(有机溶剂、疏水剂)从隔断板41呈广角飞散的情况下，也能切实地防止处理液进入至第一防护板74或第二防护板75。由此可将在第一防护板74或第二防护板75中发生处理液的混合接触防止于未然。
以上对本发明的实施方式进行了说明，但本发明还能以其他形态实施。
例如，将由第一防护板74及第二防护板75的内周端74a、内周端75a划分的圆周的直径D3设为与隔断构件8的外径D2大致相等而进行了说明，但也可设置成比隔断构件8的外径D2小的直径。
另外，在所述实施方式中，使第三防护板76及第四防护板77的内周端76a、内周端77a两者比其他防护板短，但也可仅使作为最外侧防护板的第四防护板77的内周端77a短。其中，所述情况下，在将隔断构件8配置于隔断位置(上隔断位置或下隔断位置)的状态下执行的处理(相当于所述基板处理例的置换工序S5、置换工序S7及疏水剂工序S6)中，需要使第四防护板77必须与配置于隔断位置的隔断构件8的圆筒部44的下端缘相向。
另外，也可使第一防护板74的内周端74a的径向位置与第二防护板75的内周端75a的径向位置互不相同。另外，也可使第三防护板76的内周端76a的径向位置与第四防护板77的内周端77a的径向位置互不相同。
另外，关于处理杯13的各防护板74～防护板77的倾斜部86、倾斜部88、倾斜部90、倾斜部92，其剖面形状例如也可一面描绘光滑且凸的圆弧一面进行延伸。
进而，举例说明了处理杯13为三段的杯的情况，但处理杯13若具备内侧防护板及外侧防护板，则可为二段、三段的杯，或者也可为四段以上的多段杯。
另外，将隔断构件8的内周面41b设为具有圆弧状的剖面而进行了说明，但隔断构件8的内周面41b也可具有弯曲状(例如，弯曲成直角)的剖面。
另外，在所述实施方式中，作为隔断构件8，举例说明了由支撑臂46支撑的支撑型的隔断构件，但还可采用支撑于自旋夹头5的自旋底座18并与自旋夹头5的旋转一同旋转的从动型的隔断构件。
另外，在所述基板处理工序中，当冲洗工序结束时，将基板W的旋转速度从液处理速度阶段性地减速至桨叶速度(零或约40rpm以下的低旋转速度。例如约10rpm)，然后，也可执行将基板W的旋转速度维持为桨叶速度的桨叶冲洗工序。
所述情况下，在干燥工序S8中，也可采用在桨叶状的液膜中开孔且将所述孔扩展于基板W整个区域，由此使基板W干燥的所谓开孔干燥。
另外，在所述实施方式中，针对基板处理装置为对包含半导体晶片的基板W进行处理的装置的情况进行了说明，但基板处理装置也可为对液晶显示装置用基板、有机EL(electroluminescence)显示装置等FPD(Flat Panel Display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等基板进行处理的装置。
虽针对本发明的实施方式进行了详细的说明，但这些只不过是为了明确本发明的技术内容而使用的具体例，本发明不应限定于这些具体例来解释，本发明的范围仅由随附的权利要求来限定。

Claims (9)

1.一种基板处理装置，用于对基板实施使用处理液的处理，所述基板处理装置包括：
基板保持单元，具有自旋底座，并用以保持所述基板；
隔断构件，具有与由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面相向的基板相向面，并具有比所述自旋底座大的直径；
隔断构件升降单元，使所述隔断构件在隔断位置与退避位置之间升降，其中，所述隔断位置是将所述基板相向面与所述上表面之间的空间从所述上表面上的侧方隔断的位置，所述退避位置是从所述隔断位置向上方退避的位置，且所述空间未从所述上表面上的侧方被隔断；以及
多个防护板，包括环绕在所述基板保持单元周围的内侧防护板、以及环绕在所述内侧防护板周围的外侧防护板，所述多个防护板用以捕获从所述基板与所述隔断构件之间排出的处理液，所述内侧防护板和所述外侧防护板为筒状，
其中所述外侧防护板的内周端相较于所述内侧防护板的内周端而位于径向外侧，
所述隔断构件包括圆板部以及从所述圆板部的外周部向下方延伸的圆筒部，
所述外侧防护板的内周端的直径大于所述圆筒部的外径，所述内侧防护板的内周端的直径等于或小于所述圆筒部的外径。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述隔断构件还包含与由所述基板保持单元保持的所述基板的周端相向的内周面。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中所述内侧防护板及所述外侧防护板分别具备随着朝向径向内侧而朝向上方的倾斜部，且
所述外侧防护板的所述倾斜部相较于所述内侧防护板的所述倾斜部而被配置于上方，且各所述倾斜部的上端形成为所述内侧防护板和所述外侧防护板的内周端。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括：
旋转单元，用以使由所述基板保持单元保持的所述基板围绕规定的旋转轴线旋转；
防护板升降单元，使所述多个防护板中的至少一者升降；及
控制装置，控制所述隔断构件升降单元、所述旋转单元及所述防护板升降单元，且
所述控制装置执行
第一处理工序，在利用所述隔断构件升降单元将所述隔断构件配置于所述退避位置、且利用所述防护板升降单元将所述多个防护板中的所述内侧防护板配置成与所述基板的周端面相向的状态下，利用所述旋转单元使所述基板围绕所述旋转轴线旋转；及
第二处理工序，在利用所述隔断构件升降单元将所述隔断构件配置于所述隔断位置、且利用所述防护板升降单元将所述多个防护板中的所述外侧防护板配置成与所述基板的周端面相向的状态下，利用所述旋转单元使所述基板围绕所述旋转轴线旋转。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，还包括：
第一喷嘴，具有设置于所述隔断构件外侧的第一处理液喷出口；及
第一处理液单元，对所述第一喷嘴供给第一处理液，
其中所述控制装置在所述第一处理工序中还执行利用所述第一处理液单元将第一处理液从所述第一处理液喷出口朝所述基板的所述上表面喷出的工序。
6.根据权利要求4或5所述的基板处理装置，还包括：
第二喷嘴，具有开口于所述基板相向面的第二处理液喷出口；及
第二处理液单元，对所述第二喷嘴供给第二处理液，
其中所述控制装置在所述第二处理工序中还执行利用所述第二处理液单元将所述第二处理液从所述第二处理液喷出口朝所述基板的所述上表面喷出的工序。
7.一种基板处理方法，在包含基板保持单元的基板处理装置中被执行，所述基板保持单元具有自旋底座并用以保持基板，所述基板处理方法包括：
第一处理工序，在将包含内侧防护板与外侧防护板的多个防护板中的所述内侧防护板配置成与所述基板的周端面相向的状态下，使所述基板围绕规定的旋转轴线旋转，其中，所述内侧防护板具有比所述自旋底座大的直径并将与所述基板的上表面相向的隔断构件配置于从所述基板的所述上表面退避的退避位置，且环绕在所述基板保持单元的周围，所述外侧防护板是环绕在所述内侧防护板周围的所述外侧防护板，且具有相较于所述内侧防护板的内周端而位于径向外侧的内周端，所述内侧防护板和所述外侧防护板为筒状，其中所述隔断构件包括圆板部以及从所述圆板部的外周部向下方延伸的圆筒部，所述外侧防护板的内周端的直径大于所述圆筒部的外径，且所述内侧防护板的内周端的直径等于或小于所述圆筒部的外径；及第二处理工序，在将所述隔断构件配置于隔断位置、且将所述多个防护板中的所述外侧防护板配置成与位于所述隔断位置的所述隔断构件的周端相向的状态下，使所述基板围绕所述旋转轴线旋转，其中，所述隔断位置是将基板相向面与所述上表面之间的空间从所述上表面上的侧方隔断的位置。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，所述第一处理工序包括将第一处理液从设置于所述隔断构件外侧的第一处理液喷出口朝所述基板的所述上表面喷出的工序。
9.根据权利要求7或8所述的基板处理方法，其中，所述第二处理工序包括将第二处理液从开口于所述基板相向面的第二处理液喷出口朝所述基板的所述上表面喷出的工序。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP7017342B2 (ja) * 2017-08-31 2022-02-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7194645B2 (ja) * 2019-05-31 2022-12-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008130948A (ja) * 2006-11-24 2008-06-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置およびそれを備える基板処理装置
CN205944045U (zh) * 2016-07-19 2017-02-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 冷却装置及半导体加工设备
JP2017034235A (ja) * 2015-07-29 2017-02-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4172781B2 (ja) * 2003-08-26 2008-10-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4762098B2 (ja) 2006-09-28 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2009224692A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
TWI480937B (zh) * 2011-01-06 2015-04-11 Screen Holdings Co Ltd 基板處理方法及基板處理裝置
JP5978071B2 (ja) * 2012-08-31 2016-08-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6330998B2 (ja) * 2014-02-17 2018-05-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US9601358B2 (en) 2014-08-15 2017-03-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treatment apparatus, and substrate treatment method
JP6588819B2 (ja) 2015-12-24 2019-10-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6688112B2 (ja) * 2016-03-18 2020-04-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008130948A (ja) * 2006-11-24 2008-06-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置およびそれを備える基板処理装置
JP2017034235A (ja) * 2015-07-29 2017-02-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
CN205944045U (zh) * 2016-07-19 2017-02-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 冷却装置及半导体加工设备

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