TWI652754B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI652754B TW106108171A TW106108171A TWI652754B TW I652754 B TWI652754 B TW I652754B TW 106108171 A TW106108171 A TW 106108171A TW 106108171 A TW106108171 A TW 106108171A TW I652754 B TWI652754 B TW I652754B
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Abstract

用以接住被排除至基板外的處理液之防護罩係以俯視觀看時圍繞基板保持單元及對向構件之方式配置。防護罩係與基板以及具有與基板的上表面相對向的對向面之對向構件一起形成與周圍的氛圍隔離之空間。惰性氣體供給單元係對空間供給惰性氣體，藉此空間內的氛圍係被惰性氣體置換。以在形成有空間的狀態下配置於空間內之方式從防護罩的內壁延伸之處理液供給噴嘴係對基板的上表面供給處理液。

Description

基板處理裝置
本發明係有關於一種用以處理基板之基板處理裝置。成為處理對象之基板係包括例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display；場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板以及太陽能電池用基板等基板。
在用以逐片處理基板之葉片式的基板處理裝置所為之基板處理中，例如對被自轉夾具(spin chuck)大致水平地保持的基板供給藥液。之後，對基板供給清洗(rinse)液，藉此基板上的藥液被置換成清洗液。之後，進行用以排除基板上的清洗液之離心法脫水(spin drying)步驟。
如圖15所示，在基板的表面形成有細微的圖案(pattern)之情形，在離心法脫水步驟中，有無法去除進入至圖案的內部的清洗液之虞，從而有產生乾燥不量之虞。由於進入至圖案的內部之清洗液的液面(空氣與液體之間的界面)係 形成於圖案的內部，因此液體的表面張力作用於液面與圖案之間的接觸位置。在該表面張力大之情形中，容易導致圖案的崩壞。由於屬於典型的清洗液之水的表面張力大，因此無法無視離心法脫水步驟中的圖案的崩壞。
因此，能考慮將表面張力比水還低之屬於低表面張力液體之異丙醇(Isopropyl Alcohol；IPA)供給至基板，並將進入至圖案的內部的水置換成IPA，然後去除IPA，藉此使基板的上表面乾燥。
為了去除IPA並使基板的上表面迅速地乾燥，需要降低基板的上表面附近的氛圍的溼度。此外，由於有圖案會因為溶入至IPA的氧而氧化之虞，因此需要預先降低基板的上表面附近的氛圍的氧濃度，以使溶入至IPA的氧的量降低。然而，由於處理腔室(processing chamber)的內部空間收容有自轉夾具等構件，因此難以降低處理腔室內的氛圍整體的氧濃度及濕度。
於美國專利公開第2014/0026926號說明書揭示了一種用以覆蓋基板的上表面整體之氣體供給裝置。於氣體供給裝置的氣罩(gas hood)收容有用以將IPA等流體供給至基板的上表面之流體分配器(fluid dispenser)。於氣罩的中央形成有用以供給氮氣等惰性氣體之氣體入口。於流體分配器的一端安裝有噴嘴，於流體分配器的另一端安裝有用以驅 動流體分配器之馬達的輸出軸。該輸出軸係貫通氣罩。
在美國專利公開第2014/0026926號說明書的圖10及圖11所記載的氣體供給裝置中，使惰性氣體充滿氣罩內，藉此降低氣罩內的氛圍的氧濃度及濕度。然而，由於馬達的輸出軸安裝至氣罩，因此氣罩會被馬達的輸出軸阻礙而無法充分地接近至基板的上表面。如此，有無法迅速地降低氣罩內的氛圍的氧濃度及濕度之虞。
因此，本發明的目的之一在於提供一種能迅速地降低被基板保持單元保持的基板與對向構件之間的氛圍的氧濃度及濕度之基板處理裝置。
本發明提供一種基板處理裝置，係用於以處理液處理基板，並包含有：基板保持單元，係水平地保持基板；對向構件，係具有與被前述基板保持單元保持的基板的上表面相對向之對向面；防護罩(guard)，係以俯視觀看時圍繞前述基板保持單元及前述對向構件之方式配置，並可與被前述基板保持單元保持的基板與前述對向構件一起形成與周圍的氛圍隔離的空間，並接住被排除至基板外的處理液；處理液供給噴嘴，係以在形成有前述空間的狀態下配置於前述空間內之方式從前述防護罩的內壁延伸，並將處理液供給至被前述基板保持單元保持的基板的上表面；以及惰 性氣體供給單元，係將惰性氣體供給至前述空間俾以惰性氣體置換前述空間內的氛圍。
依據此構成，處理液供給噴嘴係從以俯視觀看時圍繞基板保持單元及對向構件之方式配置的防護罩的內壁延伸。因此，與處理液供給噴嘴等構件安裝至對向構件的構成相比，能在將對向面充分地接近至基板的上表面的狀態下配置對向構件。因此，能將防護罩與對向構件及被基板保持單元保持的基板一起形成的空間縮小。在此狀態下，從惰性氣體供給單元供給惰性氣體並以惰性氣體置換該空間內的氛圍，藉此能迅速地降低對向構件與被基板保持單元保持的基板之間的氛圍的氧濃度及濕度。
此外，處理液供給噴嘴係配置於該空間內。因此，處理液供給噴嘴係能在已經以惰性氣體置換該空間內的氛圍的狀態下將處理液供給至基板的上表面，亦即能在已經降低氛圍中的氧濃度及濕度的狀態下將處理液供給至基板的上表面。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步包含有：噴嘴移動單元，係連結至前述防護罩，並使前述處理液供給噴嘴在被前述基板保持單元保持的基板的上表面與前述對向構件的前述對向面之間移動。
依據此構成，用以使處理液供給噴嘴在被基板保持單元保持的基板的上表面與對向面之間移動之噴嘴移動單元係連結至防護罩。藉此，能使處理液供給噴嘴在防護罩與對向構件及被基板保持單元保持的基板一起形成的空間內移動，並降低該基板與對向構件之間的氛圍的氧濃度及濕度。
在本發明的實施形態之一中，前述噴嘴移動單元係包含有：噴嘴支撐構件，係支撐前述處理液供給噴嘴；以及驅動單元，係固定於前述防護罩，用以驅動前述噴嘴支撐構件。
依據此構成，能藉由包含有噴嘴支撐構件與驅動單元這種簡單構成的噴嘴移動單元，使處理液供給噴嘴在防護罩與對向構件及被基板保持單元保持的基板一起形成的空間內移動。
在本發明的實施形態之一中，前述噴嘴支撐構件係插通至形成於前述防護罩的貫通孔。此外，前述驅動單元係在形成有前述空間的狀態下配置於前述空間外。
依據此構成，噴嘴支撐構件係插通至形成於防護罩的貫通孔。在防護罩與對向構件及被基板保持單元保持的基板一起形成空間的狀態下，驅動單元係配置於該空間外。 因此，不論驅動單元的大小為何，處理液供給噴嘴皆可在該空間內移動，且能縮小該空間。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步包含有：防護罩升降單元，係使前述防護罩升降；以及移動單元固定構件，係安裝至前述防護罩升降單元，並將前述噴嘴移動單元固定至前述防護罩。此外，在前述噴嘴移動單元中被前述移動單元固定構件固定的部分係在俯視觀看時與前述防護罩升降單元重疊。
依據此構成，移動單元固定構件係安裝至防護罩升降單元。並且，在噴嘴移動單元中被移動單元固定構件固定的部分係在俯視觀看時與防護罩升降單元重疊。藉此，防護罩升降單元係能經由移動單元固定構件承受噴嘴移動單元。因此，能降低防護罩所承受之來自噴嘴移動單元的重量，從而能抑制經年劣化所導致之防護罩的破損及變形。因此，由於即使防護罩在長期間使用後亦能穩定地形成空間，因此即使在長期間使用後亦能降低對向構件與被基板保持單元保持的基板之間的氛圍的氧濃度及濕度。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步包含有：固定構件，係配置於前述防護罩的上方，且相對於前述基板保持單元之上下方向的位置已被固定；以及可上下伸縮的伸縮軟管(bellows)，係配置於前述防護罩 與前述固定構件之間，並將前述噴嘴移動單元與周圍的氛圍隔離。
依據此構成，配置於防護罩與固定構件之間的伸縮軟管係在防護罩升降時於上下方向伸縮。因此，不論上下方向中的防護罩的位置為何，皆能將噴嘴移動單元與周圍的氛圍隔離。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步包含有：下側防護罩，係從前述防護罩的下方區劃前述空間，用以接住排除至基板外的處理液。此外，於前述防護罩與前述下側防護罩之間設置有可收容前述處理液供給噴嘴之收容空間。
依據此構成，處理液供給噴嘴係收容於收容空間。因此，能將下側防護罩配置成接近至防護罩。因此，在下側防護罩從下方區劃防護罩所形成的空間之構成中，能縮小該空間。
在本發明的實施形態之一中，前述防護罩係包含有：筒狀部，係圍繞前述基板保持單元；以及平坦部，係從前述筒狀部延伸，且於水平方向呈平坦；前述下側防護罩係包含有：對向部，係相對於水平方向傾斜地延伸，並從下方與前述平坦部相對向。此外，前述收容空間係被前述筒 狀部、前述平坦部以及前述對向部區劃。
依據此構成，下側防護罩的對向部係相對於水平方向傾斜地延伸。並且，對向部係從下方與從防護罩的筒狀部延伸且於水平方向呈平坦的平坦部相對向。因此，即使將對向部接近至平坦部地配置防護罩及下側防護罩，亦能確保用以收容處理液供給噴嘴之充分大小的收容空間。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步包含有：液體去除單元，係去除附著於前述處理液供給噴嘴的表面之液體。
依據此構成，液體去除單元係能去除附著於處理液供給噴嘴的表面之液體。因此，能防止附著於處理液供給噴嘴的表面之液體落下至基板的上表面導致基板的污染。
本發明的上述目的、特徵及功效以及其他的目的、特徵及功效可參照圖式並藉由下述實施形態的說明而明瞭。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制器
3A‧‧‧處理器
3B‧‧‧記憶體
5‧‧‧自轉夾具
6‧‧‧阻隔板
6a‧‧‧對向面
7、7A‧‧‧腔室
7a‧‧‧頂板
7b‧‧‧底板
7c‧‧‧搬入搬出口
7d‧‧‧擋門單元
8‧‧‧下表面噴嘴
9‧‧‧藥液噴嘴
9A‧‧‧噴嘴前端部
9B‧‧‧第一水平部
9C‧‧‧第二水平部
9D‧‧‧連結部
10‧‧‧DIW噴嘴
11‧‧‧中央IPA噴嘴
12‧‧‧惰性氣體噴嘴
13、13P、13Q、13R‧‧‧IPA噴嘴
13A‧‧‧圓筒部
13B‧‧‧前端部
13a、13Pa、13Qa‧‧‧噴出口
14‧‧‧IPA噴嘴移動單元
14A‧‧‧部分
15‧‧‧噴嘴支撐構件
16‧‧‧驅動單元
17‧‧‧移動噴嘴
18‧‧‧驅動力傳達構件
20‧‧‧夾具銷
21‧‧‧自轉基座
22‧‧‧旋轉軸
23‧‧‧電動馬達
30‧‧‧中空軸
31‧‧‧阻隔板支撐構件
32‧‧‧阻隔板升降單元
33‧‧‧阻隔板旋轉單元
34、95‧‧‧配線
35‧‧‧噴嘴收容構件
40‧‧‧排氣桶
40A‧‧‧筒部
40B‧‧‧突出部
40C‧‧‧蓋部
41‧‧‧第一杯罩
42‧‧‧第二杯罩
43‧‧‧第一防護罩
43A‧‧‧第一筒狀部
43B‧‧‧第一延設部
43C‧‧‧傾斜部
43D‧‧‧平坦部
43E、104a‧‧‧貫通孔
44‧‧‧第二防護罩
44A‧‧‧第二筒狀部
44B‧‧‧第二延設部
45‧‧‧第三防護罩
45A‧‧‧第三筒狀部
45B‧‧‧第三延設部
46‧‧‧第一防護罩升降單元
47‧‧‧第二防護罩升降單元
48‧‧‧第三防護罩升降單元
49‧‧‧密封構件
50‧‧‧加熱流體供給管
51‧‧‧加熱流體閥
52‧‧‧藥液噴嘴移動單元
53‧‧‧藥液供給管
54‧‧‧藥液閥
55‧‧‧DIW供給管
56‧‧‧DIW閥
57‧‧‧中央IPA供給管
58‧‧‧中央IPA閥
59‧‧‧惰性氣體供給管
60‧‧‧惰性氣體閥
61‧‧‧IPA供給管
61A‧‧‧直線部
61B‧‧‧線圈狀部
61C‧‧‧被插通部
62‧‧‧IPA閥
63‧‧‧IPA流量調整閥
64‧‧‧中央IPA流量調整閥
65‧‧‧移動噴嘴移動單元
70‧‧‧第一托架
71‧‧‧台座
72‧‧‧第二托架
73‧‧‧外罩
74‧‧‧伸縮軟管
80‧‧‧第一旋轉軸
81‧‧‧第一驅動馬達
82‧‧‧馬達托架
83、84、92E‧‧‧滑輪
85、92B‧‧‧傳達帶
90‧‧‧第二驅動源
90A‧‧‧第二旋轉軸
90B‧‧‧第二驅動馬達
91‧‧‧升降頭
91A‧‧‧凹部
91B‧‧‧下板部
91C‧‧‧上板部
92‧‧‧旋轉傳達單元
92A‧‧‧螺桿軸
92C‧‧‧螺帽
92D‧‧‧軸承
93‧‧‧第一支撐托架
94‧‧‧第二支撐托架
95A‧‧‧圓筒狀空間
96‧‧‧配線導引件
97‧‧‧隔離構件
97A‧‧‧殼體
97B‧‧‧阻隔板用第一伸縮軟管
97C‧‧‧阻隔板用第二伸縮軟管
100‧‧‧過濾器
101‧‧‧風扇
102‧‧‧導管
103‧‧‧段差
104‧‧‧上部
105‧‧‧下部
110‧‧‧液膜
111‧‧‧開口
120、130‧‧‧液體去除單元
121‧‧‧彈性抵接構件
122‧‧‧安裝構件
122A‧‧‧被固定部
122B‧‧‧固定部
123、124、133‧‧‧螺栓
125‧‧‧第一槽
126‧‧‧第二槽
127、137‧‧‧液體
131‧‧‧收容構件
131A‧‧‧收容凹部
132‧‧‧減壓單元
134‧‧‧配管
135‧‧‧廢液流路
140‧‧‧噴出方向調整構件
141‧‧‧流路
141b、141Qb‧‧‧第二流路
141a‧‧‧第一流路
142‧‧‧流路形成部
143‧‧‧周方向位置調整部
150‧‧‧第一部分
151‧‧‧第二部分
152‧‧‧連結部
A‧‧‧空間
B‧‧‧收容空間
C‧‧‧承載器
C1‧‧‧旋轉軸線
C2‧‧‧噴嘴軸線
CR、IR‧‧‧搬運機器人
D1、D2‧‧‧噴出方向
LP‧‧‧裝載埠
V‧‧‧區域
W‧‧‧基板
Z‧‧‧上下方向
H‧‧‧水平方向
圖1係用以說明本發明第一實施形態的基板處理裝置的內部的布局(layout)之示意性的俯視圖。
圖2係用以說明前述基板處理裝置所具備的處理單元 的構成例之示意性的橫剖視圖。
圖3係相當於沿著圖2的III-III線之縱剖視圖，且為用以說明前述處理單元的構成例之示意圖。
圖4係前述處理單元所具備的噴嘴移動單元的周邊的示意性的剖視圖。
圖5係相當於沿著圖2的V-V線的剖視圖，且為前述處理單元所具備的阻隔板升降單元的周邊的示意圖。
圖6A係前述處理單元的腔室(chamber)的示意性的俯視圖。
圖6B係前述腔室的上端部周邊的示意性的剖視圖。
圖7係用以說明前述基板處理裝置的主要部分的電性構成之方塊圖。
圖8係用以說明前述基板處理裝置所為之基板處理的一例之流程圖。
圖9A至圖9G係用以說明基板處理的情形之示意性的剖視圖。
圖10A係將本實施形態的第一變化例的處理液供給噴嘴的周邊的剖面予以放大之示意圖。
圖10B係沿著圖10A的XB-XB線之剖面的示意圖。
圖11係將本實施形態的第二變化例的處理液供給噴嘴的周邊的剖面予以放大之示意圖。
圖12A係本實施形態的第三變化例的處理液供給噴嘴的剖面的示意圖。
圖12B係沿著圖12A的XIIB-XIIB線的剖面之示意圖。
圖13係本實施形態的第四變化例的處理液供給噴嘴的剖面之示意圖。
圖14係本實施形態的第五變化例的處理液供給噴嘴的周邊的俯視圖。
圖15係用以說明表面張力所導致的圖案崩壞的原理之示意性的剖視圖。
圖1係用以說明本發明第一實施形態的基板處理裝置1的內部的布局之示意性的俯視圖。基板處理裝置1係用於以處理液逐片地處理矽晶圓等基板W之葉片式的裝置。作為處理液，能例舉藥液、清洗液以及有機溶劑等。在本實施形態中，基板W為圓形狀的基板。於基板W的表面形成有細微的圖案(參照圖15)。
基板處理裝置1係包含有：複數個處理單元2，係以處理液處理基板W；複數個裝載埠(load port)LP，係分別保持承載器(carrier)C，該承載器C係收容用於被處理單元2處理之複數片的基板W；搬運機器人IR及搬運機器人CR，係在裝載埠LP與處理單元2之間搬運基板W；以及控制器3，係控制基板處理裝置1。搬運機器人IR係在承載器C與搬運機器人CR之間搬運基板W。搬運機器人CR係在搬運機器人IR與處理單元2之間搬運基板W。複數個處理單元2係例如具有同樣的構成。
圖2係用以說明處理單元2的構成例之示意性的橫剖視圖。圖3係相當於沿著圖2的III-III線之縱剖視圖，且為用以說明處理單元2的構成例之示意圖。
處理單元2係包含有：自轉夾具5，係一邊以水平的姿勢保持一片基板W，一邊使基板W繞著通過基板W的 中心之鉛直的旋轉軸線C1旋轉。自轉夾具5為用以水平地保持基板W之基板保持單元的一例。基板保持單元亦稱為基板保持器(substrate holder)。處理單元2係進一步包含有：作為對向構件的阻隔板6，係具有與基板W的上表面(上方側的主面)相對向之對向面6a；以及腔室7，係用以收容基板W，俾以處理液處理基板W。於腔室7形成有搬入搬出口7c，該搬入搬出口7c係用以將基板W搬入至腔室7內以及從腔室7搬出基板W。腔室7係具備有：擋門(shutter)單元7d，係用以開閉搬入搬出口7c。
自轉夾具5係包含有夾具銷(chuck pin)20、自轉基座(spin base)21、旋轉軸22以及使旋轉軸22繞著旋轉軸線C1旋轉之電動馬達23。
旋轉軸22係沿著旋轉軸線C1於鉛直方向(亦稱為上下方向Z)延伸。在本實施形態中，旋轉軸22為中空軸。旋轉軸22的上端係結合至自轉基座21的下表面的中央。自轉基座21係具有沿著水平方向H之圓盤形狀。於自轉基座21的上表面的周緣部的周方向隔著間隔配置有用以把持基板W之複數個夾具銷20。藉由電動馬達23使旋轉軸22旋轉，藉此基板W係繞著旋轉軸線C1旋轉。在以下中，將基板W的旋轉徑方向內側簡稱為「徑方向內方」，將基板W的旋轉徑方向外側簡稱為「徑方向外方」。
阻隔板6係形成為具有與基板W大致相同直徑或基板W以上的直徑之圓板狀。阻隔板6係大致水平地配置於自轉夾具5的上方。在阻隔板6中之與對向面6a相反側的面固定有中空軸30。
處理單元2係進一步包含有：阻隔板支撐構件31，係水平地延伸，並經由中空軸30支撐阻隔板6；阻隔板升降單元32，係經由阻隔板支撐構件31連結至阻隔板6，用以驅動阻隔板6的升降；以及阻隔板旋轉單元33，係使阻隔板6繞著旋轉軸線C1旋轉。阻隔板升降單元32係能使阻隔板6位於下位置(如後述的圖9G所示的位置)至上位置(如後述的圖9A所示的位置)中的任意的位置(高度)。所謂下位置係在阻隔板6的可動範圍中阻隔板6的對向面6a最接近基板W之位置。在下位置中，基板W的上表面與對向面6a之間的距離係2.5mm以下。所謂上位置係在阻隔板6的可動範圍中阻隔板6的對向面6a最遠離基板W之位置。
阻隔板旋轉單元33係包含有內建於阻隔板支撐構件31的前端之電動馬達。於電動馬達連接有配設於阻隔板支撐構件31內之複數個配線34。複數個配線34係包含有：電力線(power line)，係對該電動馬達送電；以及編碼器線(encoder line)，係輸出阻隔板6的旋轉資訊。藉由偵測阻隔板6的旋轉資訊，能正確地控制阻隔板6的旋轉。
處理單元2係進一步包含有：排氣桶40，係圍繞自轉夾具5；複數個杯罩(cup)(第一杯罩41及第二杯罩42)，係配置於自轉夾具5與排氣桶40之間；以及複數個防護罩(第一防護罩43、第二防護罩44以及第三防護罩45)，係接住從被自轉夾具5保持的基板W排出至基板W外的處理液。
處理單元2係進一步包含有：複數個防護罩升降單元(第一防護罩升降單元46、第二防護罩升降單元47以及第三防護罩升降單元48)，係分別驅動第一防護罩43、第二防護罩44以及第三防護罩45的升降。防護罩升降單元亦稱為防護罩升降體(guard lifter)。在本實施形態中，第一防護罩升降單元46、第二防護罩升降單元47以及第三防護罩升降單元48係以俯視觀看時將基板W的旋轉軸線C1作為中心而成為點對稱之方式設置一對。藉此，能分別使第一防護罩43、第二防護罩44以及第三防護罩45安定地升降。
排氣桶40係包含有：圓筒狀的筒部40A；複數個(在本實施形態中為兩個)突出部40B，係從筒部40A突出於筒部40A的徑方向外方；以及複數個蓋部40C，係安裝於複數個突出部40B的上端。第一防護罩升降單元46、第二防護罩升降單元47以及第三防護罩升降單元48係在筒部 40A的周方向中與突出部40B相同的位置，配置於比突出部40B還靠近徑方向內方。詳細而言，於筒部40A的周方向中與各個突出部40B相同的位置分別配置有各一組由第一防護罩升降單元46、第二防護罩升降單元47以及第三防護罩升降單元48所構成的組。
第一杯罩41及第二杯罩42為圓筒狀。第一杯罩41及第二杯罩42係在比排氣桶40的筒部40A還徑方向內方圍繞自轉夾具5。第二杯罩42係配置於比第一杯罩41還徑方向外方。第二杯罩42係例如與第三防護罩45為一體，並與第三防護罩45一起升降。第一杯罩41及第二杯罩42係具有朝上開口的環狀的槽。於第一杯罩41及第二杯罩42的槽係連接有回收配管(未圖式)或廢液配管(未圖式)。被引導至第一杯罩41及第二杯罩42的底部之處理液係通過回收配管或廢液配管而回收或廢棄。
第一防護罩43、第二防護罩44以及第三防護罩45係以俯視觀看時圍繞自轉夾具5及阻隔板6之方式配置。
第一防護罩43係包含有：第一筒狀部43A，係在比排氣桶40的筒部40A還靠近徑方向內方圍繞自轉夾具5；以及第一延設部43B，係從第一筒狀部43A朝徑方向內方延伸。
第一防護罩43係藉由第一防護罩升降單元46而在第一防護罩43的上端位於比基板W還下方之下位置與第一防護罩43的上端位於比基板W還上方之上位置之間升降。第一防護罩43係藉由第一防護罩升降單元46而升降，藉此能位於下位置與上位置之間的阻隔板對向位置。藉由第一防護罩43位於阻隔板對向位置，第一延設部43B(的上方端)係從水平方向H與阻隔板6相對向。
第二防護罩44係包含有：第二筒狀部44A，係在比第一防護罩43的第一筒狀部43A還靠近徑方向內方圍繞自轉夾具5；以及第二延設部44B，係從第二筒狀部44A朝徑方向內方延伸。第二延設部44B係以隨著愈朝向徑方向內方會愈朝向上方之方式相對於水平方向H呈傾斜。第二延設部44B係從下方與第一延設部43B相對向。
第二防護罩44係藉由第二防護罩升降單元47而在第二防護罩44的上端位於比基板W還下方之下位置與第二防護罩44的上端位於比基板W還上方之上位置之間升降。第二防護罩44係藉由第二防護罩升降單元47而升降，藉此能位於下位置與上位置之間的基板對向位置以及阻隔板對向位置。藉由第二防護罩44位於基板對向位置，第二延設部44B(的上方端)係從水平方向H與基板W相對向。藉由第二防護罩44位於阻隔板對向位置，第二延設部44B(的上方端)係從水平方向H與阻隔板6相對向。
第三防護罩45係包含有：第三筒狀部45A，係在比第二防護罩44的第二筒狀部44A還靠近徑方向內方圍繞自轉夾具5；以及第三延設部45B，係從第三筒狀部45A朝徑方向內方延伸。第三延設部45B係從下方與第二延設部44B相對向。
第三防護罩45係藉由第三防護罩升降單元48於第三防護罩45的上端位於比基板W還下方之下位置與第三防護罩45的上端位於比基板W還上方之上位置之間升降。第三防護罩45係藉由第三防護罩升降單元48升降，藉此能位於下位置與上位置之間的基板對向位置。藉由第三防護罩45位於基板對向位置，第三延設部45B(的上方端)係從水平方向H與基板W相對向。
在第一防護罩43位於阻隔板對向位置的狀態下，第一防護罩43係可與被自轉夾具5保持的基板W以及阻隔板6一起形成與周圍的氛圍隔離的空間A。所謂周圍的氛圍係指比阻隔板6還上方的氛圍或比第一防護罩43還靠近徑方向外方的氛圍。空間A係在第二防護罩44位於基板對向位置的狀態下藉由第二防護罩44從下方區劃。如此，第二防護罩44為用以從第一防護罩43的下方區劃空間A並接住排除至基板W外的處理液之下側防護罩的一例。
處理單元2係包含有：下表面噴嘴8，係將加熱流體供給至基板W的下表面；以及藥液噴嘴9，係將氟酸等藥液供給至基板W的上表面。
下表面噴嘴8係插通至旋轉軸22。下表面噴嘴8的上端係具有面向基板W的下表面中央之噴出口。溫水等加熱流體係從加熱流體供給源經由加熱流體供給管50供給至下表面噴嘴8。於加熱流體供給管50夾設有用以將加熱流體供給管50的流路予以開閉之加熱流體閥51。溫水係比室溫還高溫的水，例如為80℃至85℃的水。加熱流體並未限定於溫水，亦可為高溫的氮氣等氣體，只要為能加熱基板W之流體即可。
藥液係從藥液供給源經由藥液供給管53供給至藥液噴嘴9。於藥液供給管53夾設有用以將藥液供給管53的流路予以開閉之藥液閥54。
所謂藥液並未限定於氟酸，亦可為包含有硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide；氫氧化四甲銨)等)、界面活性劑、防腐蝕劑中的至少一種的液體。作為混合有該等的藥液之例子，可例舉SPM(sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture；硫酸-過氧化氫混合液)、SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture； 氨水-過氧化氫混和液)等。
藥液噴嘴9係藉由藥液噴嘴移動單元52(參照圖2)於鉛直方向及水平方向H移動。藥液噴嘴9係能藉由朝向水平方向H的移動而在與基板W的上表面的旋轉中心位置相對向之中央位置以及未與基板W的上表面相對向之退避位置之間移動。所謂基板W的上表面的旋轉中心位置係指基板W的上表面中與旋轉軸線C1的交叉位置。所謂未與基板W的上表面相對向之退避位置係指俯視觀看時在自轉夾具21的外方的位置。
藥液噴嘴9係具有階段性地彎曲之形狀。具體而言，藥液噴嘴9係包含有：噴嘴前端部9A，係朝下方延伸，用以噴出藥液；第一水平部9B，係從噴嘴前端部9A的上端水平地延伸；第二水平部9C，係在比第一水平部9B還上方水平地延伸；以及連結部9D，係朝相對於水平方向H呈傾斜的方向延伸，並連結第一水平部9B與第二水平部9C。
藉由此構成，藥液噴嘴9係能在未形成有空間A的狀態下避免與阻隔板6之間的干擾，並從接近基板W的上表面的位置供給藥液。具體而言，在連結部9D位於從水平方向H與阻隔板6相對向的位置的狀態下，藥液噴嘴9係朝中央位置移動，藉此使第一水平部9B進入至阻隔板6 與基板W之間。接著，藥液噴嘴9係以連結部9D未抵接至第一防護罩43的第一延設部43B的程度移動至下方，藉此能使噴嘴前端部9A接近至基板W的上表面。
如此，由於藥液噴嘴9具有階段性地彎曲的形狀，因此容易進入至阻隔板6的對向面6a與基板W的上表面之間。因此，由於能將阻隔板6的上位置設定成較低，因此能將腔室7於上下方向Z小型化。
此外，在噴嘴前端部9A接近至基板W的上表面的狀態下，藥液噴嘴9係對基板W的上表面供給藥液，藉此減少藥液從基板W的上表面濺回。
處理單元2係進一步包含有：DIW(Deionized Water；去離子水)噴嘴10，係對基板W的上表面的中央區域供給作為清洗液的去離子水；中央IPA噴嘴11，係將作為有機溶劑的IPA供給至基板W的上表面的中央區域；以及惰性氣體噴嘴12，係對基板W的上表面的中央區域供給氮氣(N2)等惰性氣體。所謂基板W的上表面的中央區域係指包含基板W的上表面中與旋轉軸線C1的交叉位置之基板W的上表面的中央周圍的區域。
在本實施形態中，DIW噴嘴10、中央IPA噴嘴11以及惰性氣體噴嘴12係共通地收容於已插通至中空軸30的 噴嘴收容構件35，並可分別地噴出DIW、IPA以及惰性氣體。各個DIW噴嘴10、中央IPA噴嘴11以及惰性氣體噴嘴12的前端係配置於與阻隔板6的對向面6a大致相同的高度。各個DIW噴嘴10、中央IPA噴嘴11以及惰性氣體噴嘴12即使在形成有空間A的狀態下亦能分別對基板W的上表面的中央區域供給DIW、IPA以及惰性氣體。
從DIW供給源經由DIW供給管55對DIW噴嘴10供給DIW。於DIW供給管55夾設有用以將DIW供給管55的流路予以開閉之DIW閥56。
DIW噴嘴10亦可為用以供給DIW以外的清洗液之清洗液噴嘴。所謂清洗液除了DIW以外，亦可例示碳酸水、電解離子水、臭氧水、稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水、還原水(氫水)等。
從IPA供給源經由中央IPA供給管57對中央IPA噴嘴11供給IPA。於中央IPA供給管57夾設有：中央IPA閥58，用以將中央IPA供給管57的流路予以開閉；以及中央IPA流量調整閥64，用以調整供給至中央IPA噴嘴11的IPA的流量。
在本實施形態中，雖然中央IPA噴嘴11為用以供給IPA之構成，但只要能作為用以將表面張力比水還小的低 表面張力液體供給至基板W的上表面的中央區域之中央低表面張力液體噴嘴發揮作用即可。
作為低表面張力液體，能使用不會與基板W的上表面以及形成於基板W的圖案(參照圖15)進行化學反應(反應性薄弱)之IPA以外的有機溶劑。更具體而言，能使用包含有IPA、HFE(hydrofluoroether；氫氟醚)、甲醇、乙醇、丙酮以及反-1,2-二氯乙烯(Trans-1,2-Dichloroethylene)中的至少一者的液體作為低表面張力液體。此外，低表面張力液體無須僅由單體成分所構成，亦可為與其他成分混合的液體。例如，亦可為IPA液與純水的混合液，或者亦可為IPA液體與HFE液體的混合液。
從惰性氣體供給源經由惰性氣體供給管59對惰性氣體噴嘴12供給氮氣等惰性氣體。於惰性氣體供給管59夾設有用以將惰性氣體供給管59的流路予以開閉之惰性氣體閥60。所謂惰性氣體並未限定於氮氣，亦可為相對於基板W的上表面以及圖案為惰性的氣體，例如亦可為氬等稀有氣體(rare gas)類。
處理單元2亦可進一步包含有用以對基板W的上表面供給處理液之移動噴嘴17(參照圖2)。移動噴嘴17係藉由移動噴嘴移動單元65於鉛直方向及水平方向H移動。從移動噴嘴17供給至基板W的處理液係例如為藥液、清洗 液或低表面張力液體等。
處理單元2係包含有：IPA噴嘴13，係以在形成有空間A的狀態下配置於空間A內之方式從第一防護罩43的內壁延伸，並對基板W的上表面供給IPA；以及IPA噴嘴移動單元14，係連結至第一防護罩43，用以使IPA噴嘴13在基板W的上表面與阻隔板6的對向面6a之間移動。
IPA噴嘴13為以在已形成有空間A的狀態下配置於空間A內之方式從第一防護罩43的內壁延伸並對基板W的上表面供給處理液之處理液供給噴嘴的一例。
IPA係從IPA供給源經由IPA供給管61供給至IPA噴嘴13。於IPA供給管61夾設有：IPA閥62，係用以將IPA供給管61的流路予以開閉；以及IPA流量調整閥63，係用以調整供給至IPA噴嘴13的IPA的流量。參照圖2，IPA閥62及IPA流量調整閥63係與中央IPA閥58及中央IPA流量調整閥64一起配置於腔室7內中之如圖2所示被二點鍊線圍繞的區域V。
IPA噴嘴移動單元14為用以使作為處理液供給噴嘴的IPA噴嘴13在基板W的上表面與對向面6a之間移動之噴嘴移動單元的一例。
IPA噴嘴移動單元14係包含有(亦請參照後述的圖4)：噴嘴支撐構件15，係支撐IPA噴嘴13；驅動單元16，係連結至第一防護罩43，用以驅動噴嘴支撐構件15；以及驅動力傳達構件18，係將驅動單元16的驅動力傳達至噴嘴支撐構件15。
IPA噴嘴13係於水平方向H延伸，俯視觀看時呈彎曲。詳細而言，IPA噴嘴13係具有仿效第一防護罩43的第一筒狀部43A之圓弧形狀。於IPA噴嘴13的前端設置有用以對鉛直方向(下方)朝基板W的上表面噴出IPA之噴出口13a。
噴嘴支撐構件15係具有繞著中心軸線轉動之轉動軸的形態。IPA噴嘴13及噴嘴支撐構件15亦可一體地形成。IPA噴嘴13係能藉由朝水平方向H的移動而於中央位置與退避位置之間移動，該中央位置係與基板W的上表面的旋轉中心位置相對向，該退避位置係未與基板W的上表面相對向。退避位置為俯視觀看時在自轉夾具21的外方的位置。更具體而言，退避位置亦可為從徑方向內方鄰接至第一防護罩43的第一筒狀部43A之位置。
第一防護罩43的第一延設部43B係一體性地包含有相對於水平方向H呈傾斜之傾斜部43C以及於水平方向H呈平坦的平坦部43D。平坦部43D與傾斜部43C係排列地配 置於基板W的旋轉方向。平坦部43D係以隨著愈朝向徑方向外方會愈位於比傾斜部43C還上方之方式突出於比傾斜部43C還上方。平坦部43D係配置成俯視觀看時與噴嘴支撐構件15以及位於自轉基座21的外方之狀態的IPA噴嘴13重疊。平坦部43D只要配置成俯視觀看時至少與位於退避位置的IPA噴嘴13及噴嘴支撐構件15重疊即可。
第二防護罩44的第二延設部44B係從下方與平坦部43D相對向。第二延設部44B為相對於水平方向H呈傾斜地延伸且從下方與平坦部43D相對向之對向部的一例。
於第一防護罩43與第二防護罩44之間形成有可收容IPA噴嘴13之收容空間B。收容空間B係仿效第一防護罩43的第一筒狀部43A朝基板W的旋轉方向延伸，且俯視觀看時具有圓弧形狀。收容空間B為被第一筒狀部43A、平坦部43D以及第二延設部44B區劃的空間。詳細而言，收容空間B係被第一筒狀部43A從徑方向外方區劃，且被平坦部43D從上方區劃，並被第二延設部44B從下方區劃。位於退避位置的IPA噴嘴13係在收容於收容空間B的狀態下從下方接近至平坦部43D。
平坦部43D係於水平方向H呈平坦，第二延設部44B係以隨著愈朝向徑方向內方會愈朝向上方之方式相對於水平方向H呈傾斜。因此，即使在已使第二延設部44B的徑 方向內方端最接近第一防護罩43的第一延設部43B的徑方向內方端的狀態下，亦會於第一防護罩43與第二防護罩44之間形成有收容空間B。
於第一防護罩43的平坦部43D形成有於上下方向Z貫通平坦部43D之貫通孔43E。於貫通孔43E係被噴嘴支撐構件15插通。於噴嘴支撐構件15與貫通孔43E的內壁之間配置有橡膠等密封(seal)構件49(參照後述的圖4)。藉此，噴嘴支撐構件15與貫通孔43E的內壁之間係被密封。驅動單元16及驅動力傳達構件18係配置於空間A外。
處理單元2係包含有：第一托架(bracket)70，係安裝至第一防護罩升降單元46，用以將IPA噴嘴移動單元14固定至第一防護罩43；台座71，係載置固定被第一托架70支撐的驅動單元16；以及第二托架72，係連結至第一防護罩43，用以在比第一托架70還靠近基板W的徑方向內方支撐台座71。第一托架70為移動單元固定構件的一例。在IPA噴嘴移動單元14中被第一托架70固定的部分14A係在俯視觀看時與第一防護罩升降單元46重疊。
處理單元2係包含有：外罩(cover)73，係固定於台座71的上表面，並覆蓋驅動單元16的一部分；以及伸縮軟管74，係配置於第一防護罩43與腔室7的頂板7a之間，並可上下地伸縮。腔室7的頂板7a為配置於第一防護罩 43的上方且相對於自轉夾具5之上下方向Z的位置已被固定之固定構件的一例。伸縮軟管74的下端係固定於外罩73的上端，伸縮軟管74的上端係固定於腔室7的頂板7a。
圖4係驅動單元16的周邊的示意性的剖視圖。
驅動單元16係包含有朝上下延伸之第一旋轉軸80以及用以使第一旋轉軸80旋轉之作為旋轉驅動源的第一驅動馬達81。第一驅動馬達81係包含有略立方體的馬達殼體(motor housing)。
第一驅動馬達81係以第一驅動馬達81的長度方向朝向上下之方式被從台座71的上表面朝上方延伸的馬達托架82固定。驅動單元16亦可包含有用以使第一驅動馬達81所進行的第一旋轉軸80的旋轉減速之減速機(未圖示)或者用以偵測第一驅動馬達81的旋轉資訊之編碼器(未圖示)。於第一驅動馬達81的上端連結有電源纜線等配線。
驅動力傳達構件18係包含有：滑輪(pulley)83，係固定於驅動單元16的第一旋轉軸80；滑輪84，係固定於噴嘴支撐構件15；以及傳達帶85，係架設環繞於滑輪83與滑輪84之間。
當驅動單元16的第一驅動馬達81使第一旋轉軸80旋 轉時，傳達帶85係在滑輪83與滑輪84的周圍旋轉，並經由滑輪84使噴嘴支撐構件15轉動。
噴嘴支撐構件15的上端係位於比外罩73還上方。噴嘴支撐構件15及IPA噴嘴13係具有中空軸的形態。噴嘴支撐構件15的內部空間與IPA噴嘴13的內部空間係連通。於噴嘴支撐構件15從上方插通有IPA供給管61。
IPA供給管61係一體性地包含有：直線部61A，係沿著腔室7的頂板7a配置；被插通部61C，係被插通至噴嘴支撐構件15的內部空間與IPA噴嘴13的內部空間；以及線圈(coil)狀部61B，係在被插通部61C與直線部61A之間上下地延伸。被插通部61C係連結至IPA噴嘴13的前端的噴出口13a(參照圖3)的周邊。
接著，詳細地說明阻隔板升降單元32的構成。
圖5係相當於沿著圖2的V-V線的剖視圖，且為阻隔板升降單元32的周邊的示意圖。
阻隔板升降單元32係包含有：第二驅動源90，係包含有於上下延伸的第二旋轉軸90A；升降頭91，係藉由第二驅動源90而與阻隔板6一起上下動作；以及旋轉傳達單元92，係將第二旋轉軸90A的旋轉傳達至升降頭91，藉此 使升降頭91上下動作。阻隔板升降單元32係進一步包含有：第一支撐托架93，係支撐第二驅動源90；以及第二支撐托架94，係可上下動作地支撐升降頭91。
第二驅動源90係進一步包含有：作為旋轉驅動源的第二驅動馬達90B，係使朝上下延伸的第二旋轉軸90A旋轉。第二驅動馬達90B係包含有略立方體的馬達殼體。
第二驅動馬達90B係以第二驅動馬達90B的長度方向朝向上下之方式被從腔室7的底板7b朝上方延伸的第一支撐托架93固定。第二驅動源90亦可包含有用以使第二驅動馬達90B所進行的第二旋轉軸90A的旋轉減速之減速機(未圖示)或者用以偵測第二驅動馬達90B的旋轉數之編碼器(未圖示)。第二驅動源90的第二旋轉軸90A係被第二驅動馬達90B支撐。第二旋轉軸90A係從第二驅動馬達90B的下端朝下方延伸。
升降頭91為朝上下方向Z延伸之四角柱狀，並配置於第二驅動源90的側方。於升降頭91形成有凹部91A，該凹部91A係從與第二驅動源90側相反側朝第二驅動源90側將升降頭91予以切口。升降頭91係具有：下板部91B，係從下方區劃凹部91A；以及上板部91C，係從上方區劃凹部91A。
第二支撐托架94為從腔室7的底板7b朝上方延伸之略角筒狀。升降頭91係被支撐於第二支撐托架94。詳細而言，升降頭91係可滑動地被支撐於第二支撐托架94的第二驅動源90側的面的兩側方的面。
旋轉傳達單元92係包含有：螺桿軸92A，係上下地延伸；傳達帶92B，係將第二旋轉軸90A的旋轉傳達至螺桿軸92A；以及螺帽92C，係固定至升降頭91，並與螺桿軸92A螺合。
螺桿軸92A係例如經由軸承92D可旋轉地被支撐於第二支撐托架94。螺桿軸92A係被插通至設置於下板部91B的插通孔，且螺桿軸92A的上端係位於升降頭91的凹部91A內。傳達帶92B係架設環繞於第二旋轉軸90A的下端與安裝至螺桿軸92A的下端的滑輪92E。螺帽92C係收容於凹部91A內，並藉由螺絲等固定至下板部91B。
接著，說明阻隔板升降單元32的動作。
當第二驅動源90的第二驅動馬達90B使第二旋轉軸90A旋轉時，傳達帶92B係在第二旋轉軸90A及滑輪92E的周圍旋轉，並經由滑輪92E使螺桿軸92A旋轉。由於第二旋轉軸90A的旋轉係被轉換成已固定有螺合至螺桿軸92A的螺帽92C之升降頭91的上下方向Z的直線運動，因 此阻隔板6(參照圖3)會升降。當第二驅動源90的第二驅動馬達90B使第二旋轉軸90A停止旋轉時，由於與螺桿軸92A螺合之螺帽92C的上下動作停止，因此阻隔板6停止升降。
處理單元2係包含有：線圈狀的複數個配線95，係經由複數個配線34電性連結至阻隔板6，並可上下地伸縮；以及配線導引件(wire guide)96，係與阻隔板6一起升降，用以導引(guide)複數個配線95的伸縮。複數個配線95係設置成與配線34相同的數量，且於各個配線95分別連接有一條配線34。複數個配線95係整體地形成朝上下方向Z延伸的筒狀，並區劃朝上下方向Z延伸的圓筒狀空間95A。配線導引件96為從阻隔板支撐構件31朝下方延伸的軸狀。配線導引件96係插通至被線圈狀的複數個配線95區劃的圓筒狀空間95A。
阻隔板6與升降頭91一起下降時，線圈狀的配線95係一邊被用以將圓筒狀空間95A下降之配線導引件96導引一邊於上下方向Z縮短間距，藉此於上下方向Z收縮。反之，阻隔板6與升降頭91一起上升時，線圈狀的配線95係一邊被用以將圓筒狀空間95A上升之配線導引件96導引一邊於上下方向Z擴展間距，藉此於上下方向Z伸長。
處理單元2係進一步包含有：隔離構件97，係用以收容阻隔板升降單元32，並將阻隔板升降單元32與腔室7內的氛圍隔離。隔離構件97係包含有：殼體97A，係固定於腔室7的底板7b；以及可上下伸縮的阻隔板用第一伸縮軟管97B與阻隔板用第二伸縮軟管97C，係設置於殼體97A與阻隔板支撐構件31之間。
殼體97A係收容第二驅動源90與升降頭91的下側部分。阻隔板用第一伸縮軟管97B與阻隔板用第二伸縮軟管97C係例如為鐵氟龍(Teflon)(註冊商標)製。阻隔板用第一伸縮軟管97B係收容升降頭91的上側部分。阻隔板用第二伸縮軟管97C係收容複數個配線95。阻隔板用第一伸縮軟管97B及阻隔板用第二伸縮軟管97C係配合升降頭91的上下動作，於阻隔板支撐構件31上下動作時於上下方向Z伸縮。
在本實施形態中，設置有用以收容升降頭91的上側部分之阻隔板用第一伸縮軟管97B以及用以收容複數個配線95之阻隔板用第二伸縮軟管97C。因此，與本實施形態不同之設置有用以收容升降頭91的上側部分與複數個配線95兩者之伸縮軟管的形態相比，能抑制隔離構件97的俯視尺寸。因此，能減少阻隔板升降單元32的配置空間。
圖6A係腔室7的示意性的俯視圖。圖6B係腔室7的 上端部周邊的示意性的剖視圖。
處理單元2係包含有：FFU(fan filter unit；風扇過濾器單元)17，係從腔室7的上方對腔室7的內部輸送清淨空氣(經過過濾器100過濾的空氣)。FFU117係從上方安裝至腔室7的頂板7a。
FFU117係包含有：過濾器100，係過濾配置有基板處理裝置1的無塵室(cleaning room)內的空氣；風扇101，係朝過濾器100輸送腔室7的外部的空氣；以及導管(duct)102，係將從風扇101輸送來的空氣導引至過濾器100。
俯視觀看時，過濾器100的至少一部分係與基板W重疊。俯視觀看時，過濾器100係與基板W的旋轉軸線C1重疊。俯視觀看時，風扇101係配置於未與基板W重疊的位置。過濾器100與風扇101係配置於俯視觀看時不重疊的位置。
於腔室7的頂板7a設置有段差103。頂板7a係包含有：上部104及下部105，係經由段差103上下地配置。過濾器100係固定至形成於上部104的貫通孔104a。
風扇101係配置於腔室7的外部。詳細而言，風扇101係配置於下部105的上方的位置且配置於比配置於腔室7 的上方的其他的腔室7A的底板7b還下方的位置。
如此，藉由於腔室7的頂板7a設置段差103，能將風扇101配置於腔室7的外部並抑制上下方向Z中的處理單元2的尺寸。換言之，藉由於頂板7a設置段差103，能擴大腔室7的容積並將FFU117配置於腔室7的外部的空間。
FFU117亦可包含有設置有複數個孔的衝孔板(punching plate)(未圖示)。衝孔板係例如安裝於過濾器100的下端。藉此，能防止腔室7內產生空氣的渦流。
圖7係用以說明基板處理裝置1的主要部分的電性構成之方塊圖。控制器3係具備有微電腦(microcomputer)，並依據預定的控制程式控制基板處理裝置1所具備的控制對象。更具體而言，控制器3係包含有處理器(processor)(如CPU(Central Processing Unit；中央處理器))3A以及收容有控制程式的記憶體3B，並構成為藉由處理器3A執行控制程式來執行用於基板處理的各種控制。
特別是，控制器3係控制搬運機器人IR、搬運機器人CR、IPA噴嘴移動單元14、電動馬達23、阻隔板旋轉單元33、阻隔板升降單元32、第一防護罩升降單元46、第二防護罩升降單元47、第三防護罩升降單元48、藥液噴嘴移動單元52以及閥類(51、54、56、58、60、62、63、64)等的 動作。
圖8係用以說明基板處理裝置1所為之基板處理的一例之流程圖，主要為顯示藉由控制器3執行動作程式而實現的處理。圖9A至圖9G係用以說明基板處理的情形之處理單元2的主要部分的示意性的剖視圖。
在基板處理裝置1所為之基板處理中，例如如圖8所示，依序執行基板搬入(S1)、藥液處理(S2)、DIW清洗處理(S3)、有機溶劑處理(S4)、乾燥處理(S5)以及基板搬出(S6)。
首先，在基板處理裝置1所為之基板處理中，未處理的基板W係藉由搬運機器人IR、搬運機器人CR從承載器C被搬入至處理單元2，並被傳遞至自轉夾具5(S1)。之後，基板W係被水平地保持於自轉夾具5，直至被搬運機器人CR搬出。
接著，參照圖9A，說明藥液處理(S2)。搬運機器人CR退避至處理單元2外之後，執行以藥液洗淨基板W的上表面之藥液處理(S2)。
具體而言，首先，控制器3係開啟惰性氣體閥60，使惰性氣體噴嘴12朝基板W的上表面供給惰性氣體(例如N2氣體)。此時的惰性氣體的流量係例如為10升(liter)/分鐘 (min)或未滿10升/分鐘的流量。
接著，控制器3係控制IPA噴嘴移動單元14，藉此使IPA噴嘴13位於退避位置。在IPA噴嘴13配置於退避位置的狀態下，控制器3控制第一防護罩升降單元46及第二防護罩升降單元47，藉此將第一防護罩43及第二防護罩44以在上下方向Z彼此接近的狀態下配置於比基板W還上方。藉此，位於退避位置的IPA噴嘴13係被收容於被第一防護罩43的第一延設部43B的平坦部43D、第一防護罩43的第一筒狀部43A以及第二防護罩44的第二延設部44B區劃的收容空間B內。此外，控制器3係控制第三防護罩升降單元48，藉此將第三防護罩45配置於基板對向位置。
接著，控制器3係驅動電動馬達23，藉此使自轉基座21以預定的藥液速度旋轉。藥液速度例如為300rpm。控制器3亦可控制阻隔板旋轉單元33，藉此使阻隔板6旋轉。此時，阻隔板6係與自轉基座21同步旋轉。所謂同步旋轉係指以相同的旋轉速度朝相同的方向旋轉。接著，控制器3係控制阻隔板升降單元32，藉此將阻隔板6配置於上位置。控制器3係控制藥液噴嘴移動單元52，藉此將藥液噴嘴9配置於基板W的上方的藥液處理位置。
藥液處理位置亦可為從藥液噴嘴9噴出的藥液著液至基板W的上表面的旋轉中心之位置。接著，控制器3係開 啟藥液閥54。藉此，從藥液噴嘴9朝旋轉狀態的基板W的上表面供給藥液。所供給的藥液係藉由離心力遍及至基板W的上表面整體。
藉由離心力飛散至基板外的藥液(參照基板W側方的粗線箭頭)係通過第二防護罩44的第二延設部44B與第三防護罩45的第三延設部45B之間，並被第二防護罩44的第二筒狀部44A接住。被第二筒狀部44A接住的藥液係朝第二杯罩42(參照圖3)流動。此時，IPA噴嘴13係收容被第一防護罩43的平坦部43D及第一筒狀部43A與第二防護罩44的第二延設部44B區劃的收容空間B。因此，能抑制或防止從基板W的上表面飛散的藥液污染IPA噴嘴13。
接著，參照圖9B及圖9C，說明DIW清洗處理(S3)。
一定時間的藥液處理(S2)後，執行DIW清洗處理(S3)，該DIW清洗處理(S3)係將基板W上的藥液置換成DIW，藉此從基板W的上表面排除藥液。
具體而言，參照圖9B，控制器3係關閉藥液閥54。控制器3係控制藥液噴嘴移動單元52，藉此使藥液噴嘴9從基板W的上方朝自轉基座21的側方退避。
控制器3係控制第一防護罩升降單元46、第二防護罩 升降單元47以及第三防護罩升降單元48，藉此將第一防護罩43、第二防護罩44以及第三防護罩45配置於比基板W還上方。在此狀態下，與藥液處理同樣地形成有收容空間B，位於退避位置的IPA噴嘴13係收容於收容空間B內。
接著，控制器3係開啟DIW閥56。藉此，從DIW噴嘴10朝旋轉狀態的基板W的上表面供給DIW。所供給的DIW係藉由離心力遍及至基板W的上表面整體。藉由該DIW沖洗基板W上的藥液。
在DIW清洗處理中，亦持續惰性氣體噴嘴12所為之惰性氣體的供給以及自轉基座21所為之基板W的旋轉。DIW清洗處理中的惰性氣體的流量係例如為10升/分鐘或未滿10升/分鐘的流量。
基板W係以預定的第一DIW清洗速度旋轉。第一DIW清洗速度係例如為300rpm。控制器3亦可控制阻隔板旋轉單元33，藉此使阻隔板6旋轉。此時，阻隔板6係與自轉基座21同步旋轉。控制器3係控制阻隔板升降單元32，藉此維持阻隔板6位於上位置的狀態。
藉由離心力飛散至基板W外的藥液及DIW(參照基板W側方的粗線箭頭)係通過第三防護罩45的第三延設部 45B的下方，並於第三防護罩45被第三筒狀部45A接住。被第三筒狀部45A接住的藥液及DIW係朝第一杯罩41(參照圖3)流動。此時，IPA噴嘴13係收容於被第一防護罩43的平坦部43D及第一筒狀部43A與第二防護罩44的第二延設部44B區劃的收容空間B。因此，能抑制或防止從基板W的上表面飛散的藥液及DIW污染IPA噴嘴13。
接著，參照圖9C，在從DIW噴嘴10朝旋轉狀態的基板W的上表面供給DIW的狀態下，控制器3係藉由控制阻隔板升降單元32使阻隔板6從上位置移動至第一接近位置。所謂第一接近位置係指阻隔板6的對向面6a已接近至基板W的上表面之位置，且為基板W的上表面與對向面6a之間的距離成為7mm以下之位置。
與本實施形態不同，控制器3亦可藉由控制阻隔板升降單元32使阻隔板6從上位置移動至第二接近位置。
所謂第二接近位置係指阻隔板6的對向面6a接近至基板W的上表面之位置，且為比第一接近位置還上方的位置。阻隔板6位於第二接近位置時的對向面6a係位於比阻隔板6位於第一接近位置時的對向面6a還上方。位於第二接近位置的阻隔板6的對向面6a與基板W的上表面的距離為15mm左右。
接著，控制器3係控制第一防護罩升降單元46、第二防護罩升降單元47以及第三防護罩升降單元48，藉此將第一防護罩43配置於阻隔板對向位置，將第二防護罩44配置於基板對向位置。藉此，藉由基板W、阻隔板6、第一防護罩43以及第二防護罩44形成空間A。
接著，控制器3係控制惰性氣體閥60，藉此將從惰性氣體噴嘴12所供給的惰性氣體的流量控制成預定的置換流量。置換流量係例如為300升/分鐘。藉此，空間A內的氛圍係被惰性氣體置換。如此，惰性氣體噴嘴12係包含於惰性氣體供給單元，該惰性氣體供給單元係對空間A供給惰性氣體，俾使以惰性氣體置換空間A內的氛圍。
控制器3係控制電動馬達23，藉此使自轉基座21以預定的第二DIW清洗速度旋轉。第二DIW清洗速度係例如為300rpm。控制器3亦可控制阻隔板旋轉單元33，藉此使阻隔板6旋轉。此時，阻隔板6係與自轉基座21同步旋轉。
藉由離心力飛散至基板W外的藥液及DIW(參照基板W側方的粗線箭頭)係通過第一防護罩43的第一延設部43B與第二防護罩44的第二延設部44B之間，並被第一防護罩43的第一筒狀部43A接住。
如前述，從上方區劃收容空間B之平坦部43D係以愈朝著徑方向外方愈位於比傾斜部43C還上方之方式突出於比傾斜部43C還上方。此外，如前述，位於退避位置的IPA噴嘴13係從下方鄰接至平坦部43D。因此，即使在從基板W的上表面飛散的藥液及DIW通過第一延設部43B與第二延設部44B之間的情形中，與位於退避位置的IPA噴嘴13從下方鄰接至傾斜部43C之構成相較，能抑制IPA噴嘴13的污染。
接著，參照圖9D至圖9F，說明有機溶劑處理(S4)。一定時間的DIW清洗處理(S3)後，執行有機溶劑處理(S4)，有機溶劑處理(S4)係將基板W上的DIW置換成表面張力比水還低之屬於低表面張力液體之有機溶劑(例如IPA)。在執行有機溶劑處理的期間亦可加熱基板W。具體而言，控制器3係藉由開啟加熱流體閥51使下表面噴嘴8供給加熱流體，藉此加熱基板W。
參照圖9D，在有機溶劑處理中，首先執行IPA置換步驟，該IPA置換步驟係以IPA置換基板W的上表面的DIW。
控制器3係控制阻隔板升降單元32，藉此使阻隔板6從第一接近位置移動至第二接近位置。
接著，控制器3係控制第一防護罩升降單元46、第二防護罩升降單元47以及第三防護罩升降單元48，藉此伴隨著阻隔板6的移動使第一防護罩43移動並配置於阻隔板對向位置，且伴隨著阻隔板6的移動使第二防護罩44移動並配置於基板對向位置。藉此，在維持形成有空間A的狀態下阻隔板6直接從第一接近位置移動至第二接近位置。
控制器3係關閉DIW閥56。藉此停止從DIW噴嘴10供給DIW。控制器3係開啟中央IPA閥58。藉此，從中央IPA噴嘴11朝旋轉狀態的基板W的上表面供給IPA。所供給的IPA係藉由離心力遍及至基板W的上表面整體，基板W上的DIW係被IPA置換。在基板W上的DIW被IPA置換的期間，控制器3係驅動電動馬達23，藉此使自轉基座21以預定的置換速度旋轉。置換速度係例如為300rpm。
藉由離心力飛散至基板外的DIW及IPA(參照基板W側方的粗線箭頭)係通過第一防護罩43的第一延設部43B與第二防護罩44的第二延設部44B之間，並被第一防護罩43的第一筒狀部43A接住。
如前述，用以從上方區劃收容空間B之平坦部43D係以愈隨著朝向徑方向外方愈位於比傾斜部43C還上方之方式突出於比傾斜部43C還上方。此外，如前述，位於退避位置的IPA噴嘴13係從下方鄰接至平坦部43D。因此，即 使在從基板W的上表面飛散的DIW及IPA通過第一延設部43B與第二延設部44B之間的情形中，與位於退避位置的IPA噴嘴13從傾斜部43C的下方鄰接之構成相比，能抑制IPA噴嘴13的污染。
參照圖9E，在有機溶劑處理中，接著執行用以形成IPA的液膜110之液膜形成步驟。
持續對基板W的上表面供給IPA，藉此於基板W的上表面形成有IPA的液膜110。為了形成IPA的液膜110，控制器3係驅動電動馬達23，藉此使自轉基座21以預定的液膜形成速度旋轉。液膜形成速度係例如為300rpm。
控制器3亦可控制阻隔板旋轉單元33，藉此使阻隔板6旋轉。此時，阻隔板6係與自轉基座21同步旋轉。
接著，在基板W上形成有IPA的液膜110的期間，控制器3係控制IPA噴嘴移動單元14，藉此使IPA噴嘴13朝處理位置移動。所謂處理位置係指從基板W的中央區域稍微(例如30mm左右)朝基板W的周緣側錯開的位置。IPA噴嘴13係在阻隔板6至少位於第二接近位置或者位於比第二接近位置還上方的位置時，可在阻隔板6的對向面6a與基板W的上表面之間移動。IPA噴嘴13亦可在阻隔板6位於第一接近位置時，可在阻隔板6的對向面6a與基板W 的上表面之間移動。
參照圖9F，在有機溶劑處理中，接著執行用以排除基板W的上表面的IPA的液膜110之液膜排除步驟。
在液膜排除步驟中，首先，控制器3係關閉中央IPA閥58，使中央IPA噴嘴11停止朝基板W的上表面供給IPA。接著，控制器3係控制惰性氣體閥60，藉此從惰性氣體噴嘴12以例如3升/分鐘朝基板W的上表面的中央區域垂直地噴吹惰性氣體(例如氮(N2)氣)。藉此，於液膜110的中央區域打開小的開口111(例如直徑30mm左右)而露出基板W的上表面的中央區域。
在液膜排除步驟中，不一定需要藉由惰性氣體的噴吹形成開口111。例如，亦可不噴吹惰性氣體，而是藉由下表面噴嘴8朝基板W的下表面的中央區域供給加熱流體，使中央區域的IPA蒸發，藉此於液膜110的中央區域形成有開口111。此外，亦可藉由朝基板W的上表面噴吹惰性氣體以及以加熱流體加熱基板W的下表面的中央區域這兩種方式於液膜110形成有開口111。
控制器3係控制電動馬達23，藉此使自轉基座21的旋轉緩緩地減速至成為預定的液膜排除速度。液膜排除速度係例如為10rpm。液膜排除速度並未限定於10rpm，可在 10rpm至30rpm的範圍內變更。控制器3亦可控制阻隔板旋轉單元33，藉此使阻隔板6旋轉。此時，阻隔板6係與自轉基座21同步旋轉。
藉由基板W的旋轉所致使的離心力，開口111係擴大，且IPA液膜係從基板W的上表面緩緩地被排除。惰性氣體噴嘴12所為之惰性氣體的噴吹亦可持續至液膜110從基板W的上表面排除為止之期間，亦即可持續至液膜排除步驟結束為止。藉由惰性氣體的噴吹力，對IPA的液膜110附加力量，從而促進開口111的擴大。
使開口111擴大時，控制器3係控制IPA閥62，藉此使IPA噴嘴13開始朝基板W的上表面供給IPA。從IPA噴嘴13所供給的IPA的溫度較佳為比室溫還高，例如50℃。此時，控制器3係將從IPA噴嘴13所供給的IPA的著液點設定至開口111的外側。所謂開口111的外側係指相對於開口111的周緣為旋轉軸線C1之相反側。
隨著開口111的擴大，控制器3係控制IPA噴嘴移動單元14，藉此使IPA噴嘴13朝基板W的周緣移動。藉此，對液膜110供給充分的IPA。因此，能抑制因為蒸發或離心力導致比開口111的周緣還外側的IPA局部性地消失。有機溶劑處理(S4)係例如為在從IPA噴嘴13朝向液膜110的IPA供給位置已到達基板W的周緣之時間點時結束。或 者，有機溶劑處理(S4)亦可在開口111的周緣已到達基板W的周緣之時間點時結束。
接著，參照圖9G，說明乾燥處理(S5)。結束有機溶劑處理(S4)後，執行用以藉由離心力甩離基板W的上表面的液體成分之乾燥處理(S5：離心法脫水(spin-drying))。
具體而言，控制器3係關閉加熱流體閥51、IPA閥62以及惰性氣體閥60。接著，控制器3係控制IPA噴嘴移動單元14，藉此使IPA噴嘴13朝退避位置退避。接著，控制器3係控制阻隔板升降單元32，藉此使阻隔板6朝下位置移動。
接著，控制器3係控制電動馬達23，藉此使基板W以乾燥速度高速旋轉。乾燥速度係例如為800rpm。藉此，藉由離心力甩離基板W上的液體成分。控制器3亦可控制阻隔板旋轉單元33，藉此使阻隔板6旋轉。此時，阻隔板6亦可與自轉基座21同步旋轉。
之後，控制器3係控制電動馬達23，使自轉夾具5停止旋轉。接著，控制器3係控制阻隔板升降單元32，藉此使阻隔板6退避至上位置。接著，控制器3係控制第一防護罩升降單元46、第二防護罩升降單元47以及第三防護罩升降單元48，藉此使第一防護罩43、第二防護罩44以 及第三防護罩45朝比基板W還下方的下位置移動。
之後，搬運機器人CR係進入至處理單元2，並從自轉夾具5拾取處理完畢的基板W，並搬出至處理單元2外面(S6)。該基板W係從搬運機器人CR被傳遞至搬運機器人IR，並藉由搬運機器人IR收容至承載器C。
依據本實施形態，IPA噴嘴13係從以俯視觀看時圍繞自轉基座21及阻隔板6之方式配置的第一防護罩43的內壁延伸。因此，與於阻隔板6安裝有IPA噴嘴13及IPA噴嘴移動單元14等構件的構成相比，能在已將對向面6a非常地接近至基板W的上表面的狀態下配置阻隔板6。因此，能縮小藉由基板W與阻隔板6所形成的空間A。在此狀態下，從惰性氣體噴嘴12供給惰性氣體並以惰性氣體置換空間A內的氛圍，藉此能迅速地降低基板W與阻隔板6之間的氛圍的氧濃度及濕度。
此外，IPA噴嘴13係配置於空間A內。因此，IPA噴嘴13係能在已經以惰性氣體置換空間A內的氛圍的狀態下亦即在已降低氛圍中的IPA的濃度的狀態下朝基板W的上表面供給IPA。因此，能使從IPA噴嘴13供給至基板W的上表面的IPA迅速地蒸發。
此外，用以使IPA噴嘴13在基板W的上表面與對向面 6a之間移動之IPA噴嘴移動單元14係連結至第一防護罩43。藉此，能使IPA噴嘴13在第一防護罩43與基板W及阻隔板6一起形成的空間A內移動，並能降低基板W與阻隔板6之間的氛圍的氧濃度及濕度。
此外，能藉由包含有噴嘴支撐構件15與驅動單元16之簡單構成的IPA噴嘴移動單元14，使IPA噴嘴13在第一防護罩43與基板W及阻隔板6一起形成的空間A內移動。
此外，噴嘴支撐構件15係插通至形成於第一防護罩43的貫通孔43E。在第一防護罩43與基板W及阻隔板6一起形成空間A的狀態下，驅動單元16係配置於空間A外。因此，不論驅動單元16的大小為何，IPA噴嘴13皆能在空間A內移動，並能縮小空間A。此外，由於噴嘴支撐構件15與貫通孔43E之間係被密封構件49密封，因此能提升空間A的密閉度。
此外，第一托架70係安裝至第一防護罩升降單元46。接著，在IPA噴嘴移動單元14中被第一托架70固定的部分14A係在俯視觀看時與第一防護罩升降單元46重疊。藉此，第一防護罩升降單元46係能經由第一托架70承受IPA噴嘴移動單元14。因此，由於能降低第一防護罩43從IPA噴嘴移動單元14承受的重量，因此能抑制經年劣化 導致第一防護罩43的破損及變形。因此，由於即使在長期間使用後第一防護罩43亦能穩定地形成空間A，故即使在長期間使用後亦能降低基板W與阻隔板6之間的氛圍的氧濃度及濕度。
此外，配置於第一防護罩43與頂板7a之間的伸縮軟管74係在第一防護罩43升降時於上下方向Z伸縮。因此，不論上下方向Z中的第一防護罩43的位置為何，皆能將IPA噴嘴移動單元14與周圍的氛圍隔離。
此外，於收容空間B收容有IPA噴嘴13。因此，能將第二防護罩44配置成接近至第一防護罩43。因此，在第二防護罩44從下方區劃第一防護罩43所形成的空間A之構成中，能縮小空間A。
此外，第二防護罩44的第二延設部44B係相對於水平方向H傾斜地延伸。並且，第二延設部44B係從下方與從第一防護罩43的第一筒狀部43A延伸並在水平方向H呈平坦的平坦部43D相對向。因此，即使以將第二延設部44B接近至平坦部43D之方式配置第一防護罩43及第二防護罩44，亦能確保用以收容IPA噴嘴13之充分大的收容空間B。
此外，在本實施形態中，從DIW清洗處理(S3)開始進 行惰性氣體所為之空間A內的氛圍的置換。因此，與從有機溶劑處理(S4)開始進行惰性氣體所為之空間A內的氛圍的置換之情形相比，能使惰性氣體所為之空間A內的氛圍的置換在短時間內完成。
接著，說明本實施形態的第一變化例的基板處理裝置1的處理單元2。圖10A係將第一變化例的IPA噴嘴13的周邊的剖面予以放大之示意圖。圖10B係沿著圖10A的XB-XB線之剖面的示意圖。為了方便說明，與圖10A不同，在圖10B中係顯示在基板W的徑方向中從第一防護罩43的第一筒狀部43A至基板W的旋轉軸線C1附近的範圍。在圖10A及圖10B以及後述的圖11至圖14中，於與至今為止所說明的構件相同的構件附上相同的元件符號，並省略其說明。
第一變化例的處理單元2係進一步包含有：液體去除單元120，係設置於收容空間B，用以去除附著至IPA噴嘴13的表面的液體。
液體去除單元120係包含有：彈性抵接構件121，係彈性地抵接至IPA噴嘴13，俾去除附著在IPA噴嘴13的表面的處理液的液體(液滴)127；以及安裝構件122，係將彈性抵接構件121安裝至第一防護罩43的第一筒狀部43A。
IPA噴嘴13係在中央位置與退避位置之間的抵接位置與彈性抵接構件121抵接。抵接位置為比退避位置還稍微靠近徑方向內方的位置。在圖10A中，以二點鍊線描繪位於退避位置的IPA噴嘴13。在圖10A及圖10B中，以實線描繪位於抵接位置的IPA噴嘴13。此外，在圖10A及圖10B中，以二點鍊線描繪位於比抵接位置還靠近徑方向內方的位置的IPA噴嘴13。
彈性抵接構件121係一邊彎曲一邊於基板W的旋轉方向延伸。詳細而言，彈性抵接構件121係具有與IPA噴嘴13的彎曲形狀整合的彎曲形狀。
彈性抵接構件121至少可與位於中央位置的IPA噴嘴13中之與基板W的上表面相對向之部分抵接。彈性抵接構件121係例如具有薄的橡膠等彈性體的形態。詳細而言，在本實施形態中，彈性抵接構件121為帶狀的橡膠片，且為用以滑接至IPA噴嘴13的下表面並去除附著至IPA噴嘴13的液體127之刮刷(wiper)構件。
安裝構件122係一邊彎曲一邊於基板W的旋轉方向延伸。俯視觀看時，安裝構件122係沿著第一筒狀部43A的內面。
安裝構件122係包含有：被固定部122A，係固定至第一筒狀部43A；以及固定部122B，係固定彈性抵接構件121。安裝構件122的被固定部122A係藉由等間隔地配置於基板W的旋轉方向的複數個螺栓123固定至第一筒狀部43A。
固定部122B係從被固定部122A的上側部分朝徑方向內方突出。於固定部122B的下表面伴隨有彈性抵接構件121。彈性抵接構件121係藉由等間隔地配置於基板W的旋轉方向的複數個螺栓124固定至固定部122B。在此狀態下，彈性抵接構件121係以隨著愈朝向徑方向內方愈朝向上方之方式相對於水平方向H呈傾斜。
於固定部122B的下端形成有使固定部122B朝上方凹陷之第一槽125。於被固定部122A的下側部分形成有使被固定部122A的下側部分朝徑方向外方凹陷之第二槽126。第一槽125係將固定部122B朝徑方向內方貫通。第二槽126係將被固定部122A朝下方貫通。第一槽125的徑方向外方端與第二槽126的上端係連通。
第一槽125及第二槽126係在基板W的旋轉方向中形成於避開螺栓123、124的位置。第一槽125及第二槽126的組亦可沿著基板W的旋轉方向設置於複數個部位。藉由彈性抵接構件121從IPA噴嘴13的表面被去除的液體127係通過第一槽125及第二槽126排出至安裝構件122的下 方(參照圖10A的粗線箭頭)。
在IPA噴嘴13於基板W的上表面與阻隔板6的對向面6a之間移動的情形中，會有從IPA噴嘴13供給至基板W的上表面的IPA從基板W的上表面濺回並附著至IPA噴嘴13的表面之情形。此外，即使在IPA噴嘴13位於退避位置的情形中，亦會有從基板W的上表面飛散的藥液、DIW或IPA等附著至IPA噴嘴13的表面之情形。尤其是以第一防護罩43的第一筒狀部43A接住從基板W的上表面飛散的藥液、DIW或IPA等之情形中，從基板W的上表面飛散的藥液、DIW或IPA等容易附著至IPA噴嘴13的表面。
依據第一變化例的構成，液體去除單元120係能去除附著至IPA噴嘴13的表面的液體127。因此，能防止附著至IPA噴嘴13的表面的液體127落下至基板W的上表面導致基板W的污染。
此外，液體去除單元120係設置於用以收容位於退避位置的IPA噴嘴13之收容空間B。因此，能在IPA噴嘴13從退避位置移動至與基板W的上表面相對向的位置之前去除附著在IPA噴嘴13的表面的液體127。因此，能更防止附著在IPA噴嘴13的表面的液體127落下至基板W的上表面導致基板W的污染。
接著，說明本實施形態的第二變化例的基板處理裝置1的處理單元2。圖11係將本實施形態的第二變化例的IPA噴嘴13的周邊的剖面予以放大之示意圖。
第二變化例的處理單元2係進一步包含有：液體去除單元130，係去除附著至IPA噴嘴13的表面的液體(液滴)137。
液體去除單元130係包含有：收容構件131，係具有收容凹部131A，該收容凹部131A係用以收容位於退避位置的IPA噴嘴13；以及減壓單元132，係用以將收容凹部131A內予以減壓，俾吸引收容凹部131A內的液體。液體去除單元130亦可為用以吸引收容凹部131A內的液體之吸嘴(sucker)。
收容構件131係例如一邊彎曲一邊於基板W的旋轉方向延伸。詳細而言，收容構件131係具有與IPA噴嘴13的彎曲形狀整合的彎曲形狀。俯視觀看時，收容構件131係沿著第一筒狀部43A的內面。收容構件131係藉由等間隔地配置於基板W的旋轉方向的複數個螺栓133固定至第一筒狀部43A。
收容凹部131A係藉由收容構件131的徑方向內方的面朝徑方向外方凹陷而形成。收容凹部131A係沿著基板W 的旋轉方向延伸。收容凹部131A係至少可收容位於中央位置的IPA噴嘴13中之可與基板W的上表面相對向的部分。
減壓單元132係例如具有真空泵的形態。減壓單元132係配置於空間A及收容空間B的外部。減壓單元132係配置於比第一防護罩43的第一延設部43B還上方或者比第一防護罩43的第一筒狀部43A還靠近的徑方向外方。
於收容構件131形成有廢液流路135，廢液流路135係與從減壓單元132延伸的配管134連結，並與收容凹部131A連通。控制器3係控制減壓單元132(參照圖7的二點鍊線)，藉此收容凹部131A內的液體137經由廢液流路135及配管134朝收容凹部131A的外部排除。
依據第二變化例的構成，液體去除單元130係能去除附著至IPA噴嘴13的表面的液體137。因此，能防止附著至IPA噴嘴13的表面的液體137落下至基板W的上表面導致基板W的污染。
此外，液體去除單元130的收容構件131係設置於用以收容位於退避位置的IPA噴嘴13之收容空間B。因此，能在IPA噴嘴13從退避位置移動至與基板W的上表面相對向的位置之前去除附著在IPA噴嘴13的表面的液體137。 因此，能更防止附著在IPA噴嘴13的表面的液體137落下至基板W的上表面導致基板W的污染。
此外，在表面附著有液體137的IPA噴嘴13配置在收容凹部131A的狀態下，藉由減壓單元132將收容凹部131A內予以減壓，藉此確實地去除附著至IPA噴嘴13的表面的液體137。
接著，說明本實施形態的第三變化例的基板處理裝置1的處理單元2。圖12A係第三變化例的IPA噴嘴13P的剖面的示意圖。圖12B係沿著圖12A的XIIB-XIIB線的剖面之示意圖。
第三變化例的IPA噴嘴13P與本實施形態的IPA噴嘴13(參照圖3)主要的不同點在於：IPA噴嘴13P係包含有用以調整從噴出口13Pa噴出的IPA的噴出方向D1之噴出方向調整構件140，且噴出口13Pa設置於噴出方向調整構件140。
IPA噴嘴13P係包含有：圓筒部13A，係具由朝水平方向H延伸的噴嘴軸線C2；以及噴出方向調整構件140，係安裝至圓筒部13A的前端部13B。於圓筒部13A的內部空間插入有IPA供給管61。從IPA供給管61對圓筒部13A供給有IPA。
噴出方向調整構件140係一體性地包含有：噴出口13Pa，係具有正交方向噴出口的形態，該正交方向噴出口係朝相對於水平方向H的正交方向噴出IPA；流路形成部142，係形成有用以將IPA導引至噴出口13Pa之流路141；以及周方向位置調整部143，係嵌合至前端部13B，並可調整圓筒部13A的周方向中的噴出口13Pa的位置。
在第三變化例中，周方向位置調整部143雖然外嵌至前端部13B，但亦可與第三變化例不同而內嵌至前端部13B。
流路141係包含有：第一流路141a，係從圓筒部13A的前端部13B朝水平方向H延伸；以及第二流路141b，係從第一流路141a的前端朝噴出口13Pa延伸。
第二流路141b為沿著相對於水平方向H的正交方向延伸之正交流路。在將噴出口13Pa朝向下方的狀態下，IPA的噴出方向D1為下方。在已將噴出口13Pa的位置調整至圓筒部13A的周方向的狀態下，將周方向位置調整部143嵌合至圓筒部13A的前端部13B，藉此能將噴出方向D1調整至圓筒部13A的周方向(參照圖12B的二點鍊線)。
接著，說明本實施形態的第四變化例的基板處理裝置 1的處理單元2。圖13係本實施形態的第四變化例的IPA噴嘴13Q的剖面的示意圖。
第四變化例的IPA噴嘴13Q與第三變化例的IPA噴嘴13P(參照圖12A)的主要差異點在於：噴出方向調整構件140的噴出口13Qa係可朝與水平方向H正交的方向以外的方向且為相對於水平方向H呈傾斜的方向(噴出方向D2)噴出IPA。噴出方向D2為以在水平方向H中愈朝著IPA噴嘴13P的前端愈從第一流路141a的前端離開之方式相對於水平方向H及鉛直方向雙方呈傾斜之方向。第二流路141Qb為朝噴出方向D2延伸的傾斜流路。
接著，說明本實施形態的第五變化例的基板處理裝置1的處理單元2。圖14係本實施形態的第五變化例的IPA噴嘴13R的周邊的俯視圖。
第五變化例的IPA噴嘴13R與本實施形態的IPA噴嘴13(參照圖14的二點鍊線)的主要差異點在於：俯視觀看時，IPA噴嘴13R的前端係比前端以外的部分還彎曲。詳細而言，IPA噴嘴13R係包含有：第一部分150，係連結至噴嘴支撐構件15，並朝水平方向H延伸；以及第二部分151，係連結至第一部分150的前端，且俯視觀看時朝相對於第一部分150延伸的方向交叉之水平方向H延伸。於第二部分151的前端設置有用以將IPA朝下方向基板W噴出之噴 出口13a。第一部分150與第二部分151之間的連結部152係配置於比IPA噴嘴13R的長度方向的中央部還靠近IPA噴嘴13R的前端側。
依據此變化例，IPA噴嘴13R係能在繞著噴嘴支撐構件15的旋轉軸線移動時使設置有噴出口13a的第二部分151沿著基板W的徑方向移動。
本發明並未限定於以上說明的實施形態，能進一步以其他的形態來實施。
例如，在本實施形態中，雖然IPA噴嘴13構成為繞著噴嘴支撐構件15的旋轉軸線移動，但亦可與本實施形態不同，而是構成為朝IPA噴嘴13延伸的方向直線性地移動。
此外，在本實施形態中，雖然藥液噴嘴9為朝水平方向H移動之移動噴嘴，但亦可與本實施形態不同，為以朝基板W的上表面的旋轉中心噴出藥液之方式配置的固定噴嘴。詳細而言，藥液噴嘴9亦可具有與DIW噴嘴10、惰性氣體噴嘴12以及中央IPA噴嘴11一起插通至已插通至中空軸30的噴嘴收容構件35之形態。
此外，在DIW清洗處理中，亦可將阻隔板6配置於第一接近位置，以取代將阻隔板6配置於第二接近位置(參照 圖9C)。
在此狀態下，控制器3亦可控制第一防護罩升降單元46及第二防護罩升降單元47，藉此使第一防護罩43及第二防護罩44彼此於上下方向Z接近，並將第二防護罩44配置於比阻隔板對向位置或阻隔板對向位置還上方。藉此，收容空間B被區劃，IPA噴嘴13係位於收容空間B內。
再者，在此狀態下，控制器3亦可控制第三防護罩升降單元48，藉此使第三防護罩45位於比基板W還上方。藉由離心力飛散至基板外的藥液及DIW係通過第三防護罩45的第三延設部45B的下方，並在第三防護罩45被第三筒狀部45A接住。由於IPA噴嘴13收容至收容空間B，因此抑制或防止從基板W的上表面飛散的藥液及DIW導致IPA噴嘴13的污染。在此情形中，空間A係在有機溶劑處理的IPA置換步驟中形成，而惰性氣體所為之空間A內的氛圍的置換係在IPA置換步驟中進行。
此外，處理單元2亦可包含有用以在有機溶劑處理中加熱基板W之加熱器。加熱器係可內建於自轉基座21，亦可內建於阻隔板6，亦可內建於自轉基座21與阻隔板6雙方。在以有機溶劑處理加熱基板W的情形中，使用內建於下表面噴嘴8、自轉基座21的加熱器以及內建於阻隔板6的加熱器中的至少一個加熱器。
此外，在有機溶劑處理中，阻隔板6不一定需要與自轉基座21同步旋轉，阻隔板6的旋轉數與自轉基座21的旋轉數亦可不同。
此外，處理液供給噴嘴的構成並未限定於例如用以將IPA等有機溶劑供給至基板W的上表面之IPA噴嘴13，只要是用以將處理液供給至基板W的上表面之構成即可。亦即，處理液供給噴嘴亦可為用以將表面張力比水還低的低表面張力液體供給至基板W的上表面之低表面張力液體噴嘴，亦可為用以將藥液供給至基板W的上表面之藥液噴嘴，亦可為用以將DIW等清洗液供給至基板W的上表面之清洗液噴嘴。
此外，噴出方向調整構件140亦可包含有用以朝第三變化例的噴出口13Pa及第四變化例的噴出口13Qa以外的方向噴出IPA之噴出口。亦即，噴出方向調整構件140只要包含有用以朝與IPA噴嘴的水平方向H不同的方向(未與噴嘴軸線C2平行的方向)噴出IPA之噴出口即可。
雖然已詳細地說明本發明的實施形態，但這些僅是用以明瞭本發明的技術性內容之具體例，本發明不應解釋成限定於這些具體例，本發明的範圍僅被添付的申請專利範圍所限定。
本發明係與2016年3月30日於日本特許廳所提出的日本特願2016-069652號對應，本申請的所有內容係被引用並組入於此。

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，係用於以處理液處理基板，並包含有：基板保持單元，係水平地保持基板；對向構件，係具有與被前述基板保持單元保持的基板的上表面相對向之對向面；防護罩，係以俯視觀看時圍繞前述基板保持單元及前述對向構件之方式配置，並可與被前述基板保持單元保持的基板與前述對向構件一起形成與周圍的氛圍隔離的空間，並接住被排除至基板外的處理液；處理液供給噴嘴，係以在形成有前述空間的狀態下配置於前述空間內之方式從前述防護罩的內壁延伸，並將處理液供給至被前述基板保持單元保持的基板的上表面；惰性氣體供給單元，係將惰性氣體供給至前述空間俾以惰性氣體置換前述空間內的氛圍；下側防護罩，係從前述防護罩的下方區劃前述空間，用以接住排除至基板外的處理液；防護罩升降單元，係使前述防護罩升降；以及下側防護罩升降單元，係使從前述防護罩獨立出之前述下側防護罩升降。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：噴嘴移動單元，係連結至前述防護罩，並使前述處理液供給噴嘴在被前述基板保持單元保持的基板的上表面與前述對向構件的前述對向面之間移動。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中前述噴嘴移動單元係包含有：噴嘴支撐構件，係支撐前述處理液供給噴嘴；以及驅動單元，係固定於前述防護罩，用以驅動前述噴嘴支撐構件。
  4. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中前述噴嘴支撐構件係插通至形成於前述防護罩的貫通孔；前述驅動單元係在形成有前述空間的狀態下配置於前述空間外。
  5. 如請求項2至4中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：移動單元固定構件，係安裝至前述防護罩升降單元，並將前述噴嘴移動單元固定至前述防護罩；在前述噴嘴移動單元中被前述移動單元固定構件固定的部分係在俯視觀看時與前述防護罩升降單元重疊。
  6. 如請求項5所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：台座，係載置固定被前述移動單元固定構件支撐的前述噴嘴移動單元；以及托架，係安裝於防護罩，用以支撐前述台座。
  7. 如請求項5所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：固定構件，係配置於前述防護罩的上方，且相對於前述基板保持單元之上下方向的位置已被固定；以及可上下伸縮的伸縮軟管，係配置於前述防護罩與前述固定構件之間，並將前述噴嘴移動單元與周圍的氛圍隔離。
  8. 如請求項1至4中任一項所記載之基板處理裝置，其中於前述防護罩與前述下側防護罩之間設置有可收容前述處理液供給噴嘴之收容空間。
  9. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中前述防護罩係包含有：筒狀部，係圍繞前述基板保持單元；以及平坦部，係從前述筒狀部延伸，且於水平方向呈平坦；前述下側防護罩係包含有：對向部，係相對於水平方向傾斜地延伸，並從下方與前述平坦部相對向；前述收容空間係被前述筒狀部、前述平坦部以及前述對向部區劃。
  10. 如請求項2至4中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：液體去除單元，係去除附著於前述處理液供給噴嘴的表面之液體。
  11. 如請求項10所記載之基板處理裝置，其中於前述防護罩與前述下側防護罩之間設置有可收容前述處理液供給噴嘴之收容空間；前述噴嘴移動單元係使前述處理液供給噴嘴在退避位置與前述處理液供給噴嘴與前述基板相對向之位置之間移動，前述退避位置係前述處理液供給噴嘴被收容於前述收容空間之位置；前述液體去除單元係從位於前述退避位置之前述處理液供給噴嘴去除液體。
  12. 如請求項1至4中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：對向防護罩，係從下方與前述下側防護罩對向，用以接住排除至基板外的處理液；對向防護罩升降單元，係使從前述防護罩以及前述下側防護罩獨立出之前述對向防護罩升降。
  13. 如請求項12所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：控制器，係控制前述防護罩升降單元、前述下側防護罩升降單元以及前述對向防護罩升降單元，而於上下方向改變前述防護罩、前述下側防護罩以及前述對向防護罩的相對位置。
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