JP2016225427A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】複数のガードを備えるカップ部において、ガード間のガスの流れを抑制する。
【解決手段】基板処理装置1では、複数のチャック312および複数の係合部313は、ベース支持部314よりも径方向外方に広がる保持ベース部311の上面に配置され、複数の係合部313は複数のチャック312よりも径方向外側に位置する。略円環状の下部突出部315は、保持ベース部311よりも下方においてベース支持部314から径方向外方に広がる。カップ部4では、ガード移動機構43が第1ガード41を受液位置と待避位置との間で上下方向に移動することにより、基板9からの処理液を受けるガードを第1ガード41と第2ガード42との間で切り替える。下部突出部315は、第1ガード41が待避位置に位置する状態では、第1ガード天蓋部412の内周縁へと向かう。これにより、第1ガード41と第2ガード42との間のガスの流れを抑制することができる。
【選択図】図6

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。
従来より、半導体基板(以下、単に「基板」という。)の製造工程では、基板に対して様々な処理が施される。例えば、表面上にレジストのパターンが形成された基板上に薬液を供給することにより、基板の表面に対してエッチング等の薬液処理が行われる。また、薬液処理の終了後、基板上に洗浄液が供給されて洗浄処理が行われ、その後、基板の乾燥処理が行われる。
例えば、特許文献1の基板洗浄装置では、ウエハを水平に保持するスピンチャック上に蓋部材が載置され、ウエハと共に回転する。基板の洗浄処理の際には、まず、蓋部材の上方に離間して配置された上ノズルから、蓋部材の回転中心に設けられた開口を介して、回転中の基板上に洗浄液が供給される。洗浄液としては、フッ酸、塩酸、硫酸、リン酸、アンモニア、過酸化水素水等が利用される。続いて、当該上ノズルから回転中の基板上に純水が供給されることにより、基板に付着している洗浄液が洗い流される。その後、基板の乾燥処理の際には、上記上ノズルから窒素(N)ガスが吐出され、蓋部材の開口を介してウエハ上に供給される。これにより、蓋部材とウエハとの間の空間における酸素濃度を低下させ、基板の乾燥を促進することができる。
特許文献2の基板処理装置では、基板を保持する載置台の周囲に、回転する基板から飛散する液体を受ける液体案内上部カップ、液体案内中央カップおよび液体案内下部カップを備える。これらのカップはそれぞれ、上下方向に移動可能である。各カップは、円筒状の鉛直部と、当該鉛直部の上端から径方向内方に広がる傾斜部とを備える。また、載置台の下部には、載置台と一体的に固定されて基板の外周縁よりも径方向外方に広がる支持突部が設けられる。当該基板処理装置では、基板から飛散する液体の種類が変化すると、基板からの液体を受けるカップが、液体案内上部カップ、液体案内中央カップおよび液体案内下部カップの間で切り替えられる。基板からの液体を液体案内上部カップまたは液体案内中央カップにより受ける場合、液体案内下部カップの傾斜部の内周縁部は、載置台の下部の支持突部に接する。これにより、液体案内下部カップの内側の雰囲気が上昇し、液体案内上部カップおよび液体案内中央カップの内側へと侵入することが抑制される。
特許第3621568号公報 特開2011−254019号公報
ところで、特許文献1の基板処理装置では、スピンチャックが、基板の外周縁部を支持するチャックよりも径方向外方まで広がり、当該チャックよりも径方向外側にて蓋部材を支持する。このため、スピンチャックが径方向に大型化し、スピンチャックを回転する回転機構にかかる負荷が増大する。
そこで、回転機構にかかる負荷を軽減するために、スピンチャックの上部(すなわち、上面近傍の部位)の形状は維持し、スピンチャックの下部の外径を小さくすることが考えられる。しかしながら、特許文献2の基板処理装置において、載置台の下部の外径を小さくすると、基板からの液体を液体案内上部カップまたは液体案内中央カップにより受ける場合、液体案内下部カップの傾斜部の内周縁が、載置台の下部の支持突部から径方向外方に離間する。これにより、液体案内下部カップの内側の雰囲気が上昇し、液体案内上部カップまたは液体案内中央カップの内側へと侵入し、異なる種類の処理液の雰囲気が混合することになる。また、液体案内下部カップの内側の雰囲気が上昇しないように、液体案内上部カップまたは液体案内中央カップ内の雰囲気の吸引を抑制すると、各カップにおける吸引の強さの均一性が低下する。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、複数のガードを備えるカップ部において、ガード間のガスの流れを抑制することを目的としている。
請求項1に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、水平状態で基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部により保持されて前記基板の上面に対向するとともに中央部に対向部材開口が設けられる対向部材と、前記基板保持部の下方に配置されて上下方向を向く中心軸を中心として前記基板および前記対向部材を前記基板保持部と共に回転させる基板回転機構と、前記基板保持部の下方にて前記基板回転機構を収容する回転機構収容部と、前記対向部材開口を介して前記基板の前記上面に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板保持部の周囲に配置されて前記基板からの処理液を受けるカップ部とを備え、前記基板保持部は、ベース支持部と、前記ベース支持部により下方から支持されるとともに前記ベース支持部よりも径方向外方に広がる円板状の保持ベース部と、前記保持ベース部の上面に配置されて前記基板を支持する複数のチャックと、前記保持ベース部の前記上面において前記複数のチャックよりも径方向外側に配置されて前記対向部材を支持する対向部材支持部とを備え、前記カップ部は、円筒状の第1ガード側壁部および前記第1ガード側壁部の上端部から径方向内方に広がる円環板状の第1ガード天蓋部を有する第1ガードと、前記第1ガード側壁部よりも径方向外側に位置する円筒状の第2ガード側壁部および前記第1ガード天蓋部よりも上方にて前記第2ガード側壁部の上端部から径方向内方に広がる円環板状の第2ガード天蓋部を有する第2ガードと、前記第1ガードを前記基板からの処理液を受ける受液位置と前記受液位置よりも下方の待避位置との間で前記上下方向に移動することにより、前記基板からの処理液を受けるガードを前記第1ガードと前記第2ガードとの間で切り替えるガード移動機構と、前記第1ガード内および前記第2ガード内のガスが排出される排出ポートとを備え、前記第1ガード天蓋部の内径および前記第2ガード天蓋部の内径は、前記保持ベース部の外径および前記対向部材の外径よりも大きく、前記保持ベース部よりも下方において前記ベース支持部または前記回転機構収容部から径方向外方に広がり、前記第1ガードが前記待避位置に位置する状態では前記第1ガード天蓋部の内周縁へと向かう円環状の下部突出部が設けられる。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記基板保持部の前記ベース支持部と前記回転機構収容部との間の空間にパージガスを供給し、中央部から径方向外方へと向かう気流を形成するパージガス供給部をさらに備え、前記下部突出部が前記ベース支持部に設けられる。
請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の基板処理装置であって、前記対向部材の外径が、前記保持ベース部の外径よりも大きく、前記下部突出部の外径が、前記保持ベース部の外径よりも大きく、かつ、前記対向部材の外径以下である。
請求項4に記載の発明は、請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記対向部材は、前記基板の前記上面に対向するとともに中央部に前記対向部材開口が設けられる円環板状の対向部材天蓋部と、前記対向部材天蓋部の外周部から下方に広がる円筒状の対向部材側壁部とを備え、前記対向部材側壁部の下端は、前記保持ベース部の前記上面よりも下方、または、前記保持ベース部の前記上面と前記上下方向に関して同じ位置に位置する。
請求項5に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、水平状態で基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持されて前記基板の上面に対向するとともに中央部に対向部材開口が設けられる対向部材と、前記基板保持部の下方に配置されて上下方向を向く中心軸を中心として前記基板を前記基板保持部と共に回転させる基板回転機構と、前記対向部材開口を介して前記基板の前記上面に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板保持部の周囲に配置されて前記基板からの処理液を受けるカップ部とを備え、前記基板保持部は、保持ベース部と、前記保持ベース部の上面に配置されて前記基板を支持する複数のチャックと、前記保持ベース部の前記上面において前記複数のチャックよりも径方向外側に配置されて前記対向部材を支持する対向部材支持部とを備え、前記カップ部は、円筒状の第1ガード側壁部および前記第1ガード側壁部の上端部から径方向内方に広がる円環板状の第1ガード天蓋部を有する第1ガードと、前記第1ガード側壁部よりも径方向外側に位置する円筒状の第2ガード側壁部および前記第1ガード天蓋部よりも上方にて前記第2ガード側壁部の上端部から径方向内方に広がる円環板状の第2ガード天蓋部を有する第2ガードと、前記第1ガードを前記基板からの処理液を受ける受液位置と前記受液位置よりも下方の待避位置との間で前記上下方向に移動することにより、前記基板からの処理液を受けるガードを前記第1ガードと前記第2ガードとの間で切り替えるガード移動機構と、前記第1ガード内および前記第2ガード内のガスが排出される排出ポートとを備え、前記対向部材は、前記基板の前記上面に対向するとともに中央部に前記対向部材開口が設けられる円環板状の対向部材天蓋部と、前記対向部材天蓋部の外周部から下方に広がる円筒状の対向部材側壁部とを備え、前記第1ガード天蓋部の内径および前記第2ガード天蓋部の内径は、前記保持ベース部の外径および前記対向部材の外径よりも大きく、前記対向部材側壁部の下端は、前記保持ベース部の前記上面よりも下方、または、前記保持ベース部の前記上面と前記上下方向に関して同じ位置に位置し、前記第1ガードが前記待避位置に位置する状態では、前記第1ガード天蓋部の内周縁が、前記保持ベース部の外側面と径方向に対向する。
本発明では、複数のガードを備えるカップ部において、ガード間のガスの流れを抑制することができる。
第1の実施の形態に係る基板処理装置の断面図である。 基板処理装置の断面図である。 気液供給部を示すブロック図である。 処理液ノズルの一部を拡大して示す断面図である。 基板の処理の流れを示す図である。 基板処理装置の断面図である。 第2の実施の形態に係る基板処理装置の断面図である。 第3の実施の形態に係る基板処理装置の断面図である。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置1の構成を示す断面図である。基板処理装置1は、半導体基板9(以下、単に「基板9」という。)を1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、基板保持部31と、基板回転機構33と、カップ部4と、トッププレート5と、対向部材移動機構6と、処理液ノズル71とを備え、これらの構成はハウジング11の内部に収容される。
基板保持部31は、水平状態で基板9を保持する。基板保持部31は、保持ベース部311と、複数のチャック312と、複数の係合部313と、ベース支持部314と、下部突出部315とを備える。基板9は、保持ベース部311の上方に配置される。保持ベース部311およびベース支持部314はそれぞれ、上下方向を向く中心軸J1を中心とする略円板状の部材である。保持ベース部311は、ベース支持部314の上方に配置され、ベース支持部314により下方から支持される。保持ベース部311の外径は、ベース支持部314の外径よりも大きい。保持ベース部311は、中心軸J1を中心とする周方向の全周に亘って、ベース支持部314よりも径方向外方に広がる。保持ベース部311は、例えば、比較的高い耐薬品性を有するフッ素樹脂により形成される。ベース支持部314は、例えば、比較的軽量かつ高強度の塩化ビニルにより形成される。
下部突出部315は、中心軸J1を中心とする略円環状の部材であり、ベース支持部314の側面から径方向外方に広がる。下部突出部315は、保持ベース部311よりも下方において、保持ベース部311から離間して設けられる。下部突出部315の外径は、保持ベース部311の外径よりも大きく、かつ、トッププレート5の外径以下である。図1に示す例では、下部突出部315は、ベース支持部314の下端部から径方向外方に広がる。下部突出部315の上面および下面はそれぞれ、径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面である。
複数のチャック312は、中心軸J1を中心として略等角度間隔にて、保持ベース部311の上面の外周部に周方向に配置される。基板保持部31では、複数のチャック312により、基板9の外縁部が支持される。各チャック312を駆動する構造は、ベース支持部314の内部に設けられる。複数の係合部313は、中心軸J1を中心として略等角度間隔にて、保持ベース部311の上面の外周部に周方向に配置される。複数の係合部313は、複数のチャック312よりも径方向外側に配置される。
基板回転機構33は、回転機構収容部34の内部に収容される。基板回転機構33および回転機構収容部34は、基板保持部31の下方に配置される。基板回転機構33は、中心軸J1を中心として基板9を基板保持部31と共に回転する。
回転機構収容部34は、基板回転機構33の上方を覆う略円環板状の上面341と、基板回転機構33の側方を覆う略円筒状の側面342とを備える。回転機構収容部34の上面341の中央部には、基板回転機構33の回転軸331が挿入される開口が設けられる。回転軸331は、ベース支持部314の下面に接続される。回転機構収容部34の上面341は、回転軸331から径方向に離間して径方向外方へと広がる。回転機構収容部34の上面341は、間隙を介してベース支持部314の下面と上下方向に対向する。以下の説明では、当該間隙、すなわち、回転機構収容部34の上面341とベース支持部314の下面との間の空間を、「保持部下方間隙310」という。
カップ部4は、中心軸J1を中心とする環状の部材であり、基板9および基板保持部31の径方向外側に配置される。カップ部4は、基板9および基板保持部31の周囲の全周に亘って配置され、基板9から周囲に向かって飛散する処理液等を受ける。カップ部4は、第1ガード41と、第2ガード42と、ガード移動機構43と、排出ポート44とを備える。
第1ガード41は、第1ガード側壁部411と、第1ガード天蓋部412とを有する。第1ガード側壁部411は、中心軸J1を中心とする略円筒状である。第1ガード天蓋部412は、中心軸J1を中心とする略円環板状であり、第1ガード側壁部411の上端部から径方向内方に広がる。第2ガード42は、第2ガード側壁部421と、第2ガード天蓋部422とを有する。第2ガード側壁部421は、中心軸J1を中心とする略円筒状であり、第1ガード側壁部411よりも径方向外側に位置する。第2ガード天蓋部422は、中心軸J1を中心とする略円環板状であり、第1ガード天蓋部412よりも上方にて第2ガード側壁部421の上端部から径方向内方に広がる。
第1ガード天蓋部412の内径および第2ガード天蓋部422の内径は、基板保持部31の保持ベース部311の外径およびトッププレート5の外径よりも僅かに大きい。第1ガード天蓋部412の上面および下面はそれぞれ、径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面である。第2ガード天蓋部422の上面および下面もそれぞれ、径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面である。
ガード移動機構43は、第1ガード41を上下方向に移動することにより、基板9からの処理液等を受けるガードを第1ガード41と第2ガード42との間で切り替える。カップ部4の第1ガード41および第2ガード42にて受けられた処理液等は、排出ポート44を介してハウジング11の外部へと排出される。また、第1ガード41内および第2ガード42内のガスも排出ポート44を介してハウジング11の外部へと排出される。
トッププレート5は、平面視において略円形の部材である。トッププレート5は、基板9の上面91に対向する対向部材であり、基板9の上方を遮蔽する遮蔽板である。トッププレート5の外径は、基板9の外径、および、保持ベース部311の外径よりも大きい。トッププレート5は、対向部材本体51と、被保持部52と、複数の係合部53とを備える。対向部材本体51は、対向部材天蓋部511と、対向部材側壁部512とを備える。対向部材天蓋部511は、中心軸J1を中心とする略円環板状の部材であり、基板9の上面91に対向する。対向部材天蓋部511の中央部には、対向部材開口54が設けられる。対向部材開口54は、例えば、平面視において略円形である。対向部材開口54の直径は、基板9の直径に比べて十分に小さい。対向部材側壁部512は、中心軸J1を中心とする略円筒状の部材であり、対向部材天蓋部511の外周部から下方に広がる。
複数の係合部53は、中心軸J1を中心として略等角度間隔にて、対向部材天蓋部511の下面の外周部に周方向に配置される。複数の係合部53は、対向部材側壁部512の径方向内側に配置される。
被保持部52は、対向部材本体51の上面に接続される。被保持部52は、対向部材筒部521と、対向部材フランジ部522とを備える。対向部材筒部521は、対向部材本体51の対向部材開口54の周囲から上方に突出する略筒状の部位である。対向部材筒部521は、例えば、中心軸J1を中心とする略円筒状である。対向部材フランジ部522は、対向部材筒部521の上端部から径方向外方に環状に広がる。対向部材フランジ部522は、例えば、中心軸J1を中心とする略円環板状である。
対向部材移動機構6は、対向部材保持部61と、対向部材昇降機構62とを備える。対向部材保持部61は、トッププレート5の被保持部52を保持する。対向部材保持部61は、保持部本体611と、本体支持部612と、フランジ支持部613と、支持部接続部614とを備える。保持部本体611は、例えば、中心軸J1を中心とする略円板状である。保持部本体611は、トッププレート5の対向部材フランジ部522の上方を覆う。本体支持部612は、略水平に延びる棒状のアームである。本体支持部612の一方の端部は保持部本体611に接続され、他方の端部は対向部材昇降機構62に接続される。
保持部本体611の中央部からは処理液ノズル71が下方に突出する。処理液ノズル71は、対向部材筒部521に非接触状態で挿入される。以下の説明では、処理液ノズル71と対向部材筒部521との間の空間を「ノズル間隙56」と呼ぶ。
フランジ支持部613は、例えば、中心軸J1を中心とする略円環板状である。フランジ支持部613は、対向部材フランジ部522の下方に位置する。フランジ支持部613の内径は、トッププレート5の対向部材フランジ部522の外径よりも小さい。フランジ支持部613の外径は、トッププレート5の対向部材フランジ部522の外径よりも大きい。支持部接続部614は、例えば、中心軸J1を中心とする略円筒状である。支持部接続部614は、フランジ支持部613と保持部本体611とを対向部材フランジ部522の周囲にて接続する。対向部材保持部61では、保持部本体611は対向部材フランジ部522の上面と上下方向に対向する保持部上部であり、フランジ支持部613は対向部材フランジ部522の下面と上下方向に対向する保持部下部である。
図1に示す位置にトッププレート5が位置する状態では、フランジ支持部613は、トッププレート5の対向部材フランジ部522の外周部に下側から接して支持する。換言すれば、対向部材フランジ部522が、対向部材移動機構6の対向部材保持部61により保持される。これにより、トッププレート5が、基板9および基板保持部31の上方にて、対向部材保持部61により吊り下げられる。以下の説明では、図1に示すトッププレート5の上下方向の位置を「第1の位置」という。トッププレート5は、第1の位置にて、対向部材移動機構6により保持されて基板保持部31から上方に離間する。
フランジ支持部613には、トッププレート5の位置ずれ(すなわち、トッププレート5の移動および回転)を制限する移動制限部616が設けられる。図1に示す例では、移動制限部616は、フランジ支持部613の上面から上方に突出する突起部である。移動制限部616が、対向部材フランジ部522に設けられた孔部に挿入されることにより、トッププレート5の位置ずれが制限される。
対向部材昇降機構62は、トッププレート5を対向部材保持部61と共に上下方向に移動させる。図2は、トッププレート5が図1に示す第1の位置から下降した状態を示す断面図である。以下の説明では、図2に示すトッププレート5の上下方向の位置を「第2の位置」という。すなわち、対向部材昇降機構62は、トッププレート5を第1の位置と第2の位置との間で基板保持部31に対して相対的に上下方向に移動する。第2の位置は、第1の位置よりも下方の位置である。換言すれば、第2の位置は、トッププレート5が第1の位置よりも上下方向において基板保持部31に近接する位置である。
トッププレート5が第2の位置に位置する状態では、トッププレート5の複数の係合部53がそれぞれ、基板保持部31の複数の係合部313と係合する。複数の係合部53は、複数の係合部313により下方から支持される。換言すれば、複数の係合部313はトッププレート5を支持する対向部材支持部である。例えば、係合部313は、上下方向に略平行なピンであり、係合部313の上端部が、係合部53の下端部に上向きに形成された凹部に嵌合する。また、トッププレート5の対向部材フランジ部522は、対向部材保持部61のフランジ支持部613から上方に離間する。これにより、トッププレート5は、第2の位置にて、基板保持部31により保持されて対向部材移動機構6から離間する(すなわち、対向部材移動機構6と非接触状態となる。)。
トッププレート5が基板保持部31により保持された状態では、トッププレート5の対向部材側壁部512の下端が、基板保持部31の保持ベース部311の上面よりも下方、または、保持ベース部311の上面と上下方向に関して同じ位置に位置する。トッププレート5が第2の位置に位置する状態で基板回転機構33が駆動されると、トッププレート5は、基板9および基板保持部31と共に回転する。換言すれば、トッププレート5が第2の位置に位置する状態では、トッププレート5は、基板回転機構33により基板9および基板保持部31と共に中心軸J1を中心として回転可能となる。
図3は、基板処理装置1におけるガスおよび処理液の供給に係る気液供給部7を示すブロック図である。気液供給部7は、処理液ノズル71と、処理液供給部72と、ガス供給部73とを備える。処理液供給部72は、処理液ノズル71に接続され、処理液ノズル71に処理液を供給する。ガス供給部73は、処理液ノズル71に接続され、処理液ノズル71にガスを供給する。ガス供給部73は、また、回転機構収容部34にも接続され、回転機構収容部34を介して保持部下方間隙310にガスを供給する。
基板処理装置1では、処理液として、様々な種類の液体が利用される。処理液は、例えば、基板9の薬液処理に用いられる薬液(ポリマー除去液、フッ酸や水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液等のエッチング液等)であってもよい。処理液は、例えば、基板9の洗浄処理に用いられる純水(DIW:deionized water)や炭酸水等の洗浄液であってもよい。処理液は、例えば、基板9上の液体を置換するために供給されるイソプロピルアルコール(IPA)等であってもよい。ガス供給部73から供給されるガスは、例えば、窒素(N)ガス等の不活性ガスである。ガス供給部73からは、不活性ガス以外の様々なガスが供給されてもよい。
図4は、処理液ノズル71の一部を拡大して示す断面図である。処理液ノズル71は、例えば、PFA(テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体)により形成される。処理液ノズル71の内部には、処理液流路716と、2つのガス流路717とが設けられる。処理液流路716は、図3に示す処理液供給部72に接続される。2つのガス流路717は、図3に示すガス供給部73に接続される。
処理液供給部72から図4に示す処理液流路716に供給された処理液は、処理液ノズル71の下端面に設けられた吐出口716aから下方へと吐出される。処理液ノズル71から複数種類の処理液が吐出される場合、処理液ノズル71には、複数種類の処理液にそれぞれ対応する複数の処理液流路716が設けられ、複数種類の処理液はそれぞれ複数の吐出口716aから吐出されてもよい。
ガス供給部73から中央のガス流路717(図中の右側のガス流路717)に供給された不活性ガスは、処理液ノズル71の下端面に設けられた下面噴射口717aから下方に向けて供給(例えば、噴射)される。ガス供給部73から外周部のガス流路717に供給された不活性ガスは、処理液ノズル71の側面に設けられた複数の側面噴射口717bから周囲に供給される。
複数の側面噴射口717bは周方向に略等角度間隔にて配列される。複数の側面噴射口717bは、外周部のガス流路717の下端部から周方向に延びる周状流路に接続される。ガス供給部73から供給された不活性ガスは、複数の側面噴射口717bから、斜め下方に向けて供給(例えば、噴射)される。なお、側面噴射口717bは1つだけ設けられてもよい。
処理液供給部72(図3参照)から供給された処理液は、処理液ノズル71の吐出口716aから、図2に示す対向部材開口54を介して基板9の上面91に向けて吐出される。換言すれば、処理液ノズル71は、処理液供給部72から供給された処理液を、対向部材開口54を介して基板9の上面91に供給する。基板処理装置1では、処理液ノズル71は、対向部材本体51の対向部材開口54から下方に突出してもよい。換言すれば、処理液ノズル71の先端が、対向部材開口54の下端縁よりも下方に位置してもよい。処理液供給部72から供給された処理液は、処理液ノズル71内にて対向部材開口54を介して下方に流れ、処理液ノズル71の吐出口716a(図4参照)から基板9の上面91に向けて吐出される。処理液が対向部材開口54を介して供給されるという場合、対向部材開口54よりも上方にて処理液ノズル71から吐出された処理液が対向部材開口54を通過する状態のみならず、対向部材開口54に挿入された処理液ノズル71を介して処理液が吐出される状態も含む。
ガス供給部73(図3参照)から処理液ノズル71に供給された不活性ガスの一部は、処理液ノズル71の下面噴射口717a(図4参照)から、対向部材開口54を介してトッププレート5と基板9との間の空間(以下、「処理空間90」という。)に供給される。また、ガス供給部73から処理液ノズル71に供給された不活性ガスの一部は、処理液ノズル71の複数の側面噴射口717b(図4参照)からノズル間隙56へと供給される。ノズル間隙56では、ガス供給部73からの不活性ガスが、処理液ノズル71の側面から斜め下方に向かって供給されて下方に向かって流れ、処理空間90へと供給される。
基板処理装置1では、基板9の処理は、好ましくは処理空間90に処理液ノズル71から不活性ガスが供給されて処理空間90が不活性ガス雰囲気となっている状態で行われる。換言すれば、ガス供給部73から処理空間90に供給されるガスは、処理雰囲気用ガスである。処理雰囲気用ガスには、処理液ノズル71からノズル間隙56へと供給され、ノズル間隙56を介して処理空間90に供給されるガスも含まれる。
ガス供給部73から回転機構収容部34に供給された不活性ガスは、回転軸331に沿って保持部下方間隙310へと下方から供給され、保持部下方間隙310において径方向外方へと拡がる。これにより、保持部下方間隙310の中央部から径方向外方へと向かう不活性ガスの気流が形成され、回転軸331の周囲、および、保持部下方間隙310が不活性ガスによりパージされる。すなわち、保持部下方間隙310に供給されるガスは、回転軸331を封止するためのパージガスである。保持部下方間隙310の外周部へと達した当該パージガスは、下部突出部315の下面に沿って径方向外方へと流れる。図3に示す例では、ガス供給部73は、パージガスの供給源であるパージガス供給部であり、かつ、処理雰囲気用ガスの供給源である処理雰囲気用ガス供給部でもある。そして、処理雰囲気用ガスとパージガスとが同じ種類のガスである。なお、処理雰囲気用ガスとパージガスとは、異なる種類のガスであってもよい。
次に、基板処理装置1における基板9の処理の流れの一例について、図5を参照しつつ説明する。まず、トッププレート5が図1に示す第1の位置に位置する状態で、基板9がハウジング11内に搬入され、基板保持部31により保持される(ステップS11)。このとき、トッププレート5は対向部材移動機構6の対向部材保持部61により保持されている。
続いて、対向部材昇降機構62により対向部材保持部61が下方へと移動される。これにより、トッププレート5が第1の位置から第2の位置へと下方に移動し、図2に示すように、トッププレート5が基板保持部31により保持される(ステップS12)。そして、ガス供給部73から処理液ノズル71を介して、ノズル間隙56および処理空間90に不活性ガス(すなわち、処理雰囲気用ガス)の供給が開始される。また、ガス供給部73から回転機構収容部34を介して、保持部下方間隙310に不活性ガス(すなわち、パージガス)の供給が開始される。
次に、基板回転機構33により、基板保持部31、基板9およびトッププレート5の回転が開始される(ステップS13)。処理液ノズル71からの不活性ガスの供給、および、保持部下方間隙310への不活性ガスの供給は、ステップS13以降も継続される。そして、処理液供給部72から処理液ノズル71へと第1処理液が供給され、第2の位置に位置するトッププレート5の対向部材開口54を介して、回転中の基板9の上面91の中央部に供給される(ステップS14)。
処理液ノズル71から基板9の中央部に供給された第1処理液は、基板9の回転により、基板9の中央部から径方向外方へと拡がり、基板9の上面91全体に付与される。第1処理液は、基板9の外縁から径方向外方へと飛散し、カップ部4の第1ガード41により受けられる。図2に示す第1ガード41の上下方向の位置は、基板9からの処理液を受ける位置であり、以下の説明では「受液位置」という。
第1ガード41が受液位置に位置する状態では、第1ガード41の内側の空間(以下、「第1ガード内空間410」という。)の雰囲気が、排出ポート44を介してハウジング11の外部へと排出される。また、処理空間90の雰囲気が第1ガード内空間410および排出ポート44を介してハウジング11の外部へと排出される。処理空間90および第1ガード内空間410の雰囲気には、第1処理液のミスト等が含まれる。第1ガード内空間410は、第1ガード41と基板保持部31とに囲まれる環状の空間である。具体的には、第1ガード内空間410は、第1ガード天蓋部412よりも下方の空間であって、第1ガード側壁部411よりも径方向内側、かつ、第1ガード天蓋部412の内周縁よりも径方向外側の空間を意味する。第1ガード41が受液位置に位置する状態では、保持部下方間隙310から径方向外方に流れるパージガスは、下部突出部315の下面に沿って第1ガード内空間410へと流入し、排出ポート44を介してハウジング11の外部へと排出される。基板処理装置1では、第1処理液が基板9に対して所定時間付与されることにより、第1処理液による基板9の処理が終了する。
第1処理液は、例えば、ポリマー除去液やエッチング液等の薬液であり、ステップS14において、基板9に対する薬液処理が行われる。なお、第1処理液の供給(ステップS14)は、基板9の回転開始(ステップS13)よりも前に行われてもよい。この場合、静止状態の基板9の上面91全体に第1処理液がパドル(液盛り)され、第1処理液によるパドル処理が行われる。
第1処理液による基板9の処理が終了すると、処理液ノズル71からの第1処理液の供給が停止される。そして、ガード移動機構43により第1ガード41が下方に移動され、図6に示すように、上述の受液位置よりも下方の待避位置へと位置する。これにより、基板9からの処理液を受けるガードが、第1ガード41から第2ガード42に切り替えられる。すなわち、ガード移動機構43は、第1ガード41を受液位置と待避位置との間で上下方向に移動することにより、基板9からの処理液を受けるガードを第1ガード41と第2ガード42との間で切り替えるガード切替機構である。
第1ガード41が待避位置に位置する状態では、ベース支持部314から径方向外方へと広がる下部突出部315が、第1ガード天蓋部412の内周縁へと向かう。下部突出部315の外周縁と第1ガード天蓋部412の内周縁とは、上下方向のおよそ同じ位置に位置し、僅かな間隙を介して径方向に対向する。
続いて、処理液供給部72から処理液ノズル71へと第2処理液が供給され、第2の位置に位置するトッププレート5の対向部材開口54を介して、回転中の基板9の上面91の中央部に供給される(ステップS15)。処理液ノズル71から基板9の中央部に供給された第2処理液は、基板9の回転により、基板9の中央部から径方向外方へと拡がり、基板9の上面91全体に付与される。第2処理液は、基板9の外縁から径方向外方へと飛散し、カップ部4の第2ガード42により受けられる。
第1ガード41が待避位置に位置する状態では、第2ガード42の内側の空間(以下、「第2ガード内空間420」という。)の雰囲気が、排出ポート44を介してハウジング11の外部へと排出される。また、処理空間90の雰囲気が第2ガード内空間420および排出ポート44を介してハウジング11の外部へと排出される。処理空間90および第2ガード内空間420の雰囲気には、第2処理液のミスト等が含まれる。第2ガード内空間420は、第2ガード42と基板保持部31とに囲まれる環状の空間である。具体的には、第2ガード内空間420は、第2ガード天蓋部422よりも下方の空間であって、第2ガード側壁部421よりも径方向内側、かつ、第2ガード天蓋部422の内周縁よりも径方向外側の空間を意味する。
第1ガード41が待避位置に位置する状態においても、保持部下方間隙310から径方向外方に流れるパージガスは、下部突出部315の下面に沿って第1ガード内空間410へと流入し、排出ポート44を介してハウジング11の外部へと排出される。基板処理装置1では、第2処理液が基板9に対して所定時間付与されることにより、第2処理液による基板9の処理が終了する。第2処理液は、例えば、純水や炭酸水等の洗浄液であり、ステップS15において、基板9に対する洗浄処理が行われる。
第2処理液による基板9の処理が終了すると、処理液ノズル71からの第2処理液の供給が停止される。そして、ガス供給部73により処理液ノズル71の側面からノズル間隙56に向けて噴射される不活性ガスの流量が増大する。また、処理液ノズル71の下端面から処理空間90に向けて噴射される不活性ガスの流量も増大する。さらに、基板回転機構33による基板9の回転速度が増大する。これにより、基板9の上面91上に残っている第2処理液等が径方向外方へと移動して基板9の外縁から径方向外方へと飛散し、カップ部4の第2ガード42により受けられる。基板9の回転が所定の時間だけ継続されることにより、基板9の上面91上から処理液を除去する乾燥処理が行われる(ステップS16)。
基板9の乾燥処理が終了すると、基板回転機構33による基板保持部31、基板9およびトッププレート5の回転が停止される(ステップS17)。また、ガス供給部73からノズル間隙56、処理空間90および保持部下方間隙310への不活性ガスの供給が停止される。次に、対向部材昇降機構62により対向部材保持部61が上方に移動することにより、トッププレート5が、第2の位置から図1に示す第1の位置へと上方に移動する(ステップS18)。トッププレート5は、基板保持部31から上方に離間して対向部材保持部61により保持される。その後、基板9がハウジング11から搬出される(ステップS19)。基板処理装置1では、複数の基板9に対して、上述のステップS11〜S19が順次行われ、複数の基板9が順次処理される。
以上に説明したように、基板処理装置1では、第2の位置に位置するトッププレート5が基板保持部31により保持され、基板回転機構33により基板9および基板保持部31と共に回転する。ガス供給部73は、トッププレート5と基板9との間の処理空間90に処理雰囲気用ガスを供給する。これにより、処理空間90を所望のガス雰囲気として、基板9の処理を当該ガス雰囲気にて行うことができる。例えば、処理空間90に不活性ガスを供給する場合、基板9を不活性ガス雰囲気(すなわち、低酸素雰囲気)にて処理することができる。
上述のように、基板保持部31は、保持ベース部311と、複数のチャック312と、複数の係合部313と、ベース支持部314とを備える。複数のチャック312および複数の係合部313は、保持ベース部311の上面に配置され、複数の係合部313は複数のチャック312よりも径方向外側に位置する。保持ベース部311は、ベース支持部314により下方から支持されるとともにベース支持部314よりも径方向外方に広がる。これにより、複数のチャック312および複数の係合部313を保持ベース部311上に容易に配置することができるとともに、ベース支持部314の小径化による基板保持部31の質量低減を実現することができる。その結果、基板保持部31を回転させる基板回転機構33にかかる負荷を軽減することができる。
基板処理装置1では、上述のように、カップ部4は、第1ガード41と、第2ガード42と、ガード移動機構43と、排出ポート44とを備える。ガード移動機構43は、第1ガード41を受液位置と待避位置との間で上下方向に移動することにより、基板9からの処理液を受けるガードを第1ガード41と第2ガード42との間で切り替える。第1ガード41内および第2ガード42内のガスは、排出ポート44を介して排出される。また、保持ベース部311よりも下方においてベース支持部314から径方向外方に広がる略円環状の下部突出部315が設けられる。下部突出部315は、第1ガード41が待避位置に位置する状態では、第1ガード天蓋部412の内周縁へと向かう。
下部突出部315が設けられることにより、第1ガード41が待避位置に位置する状態において、第1ガード内空間410が第2ガード内空間420から実質的に隔離され、第1ガード41と第2ガード42との間のガスの流れを抑制することができる。これにより、第1処理液(例えば、ポリマー除去液やエッチング液等の薬液)のミスト等を含む第1ガード内空間410内の雰囲気が、第2ガード内空間420へと流入することを抑制することができる。その結果、第2処理液(例えば、基板9の洗浄処理に利用される洗浄液)を受ける第2ガード42の内面に第1処理液のミスト等が付着して第2ガード42が汚染されることを抑制し、第2処理液による基板9の処理を好適に行うことができる。
上述のように、トッププレート5の外径は、保持ベース部311の外径よりも大きい。これにより、処理空間90が所望の処理雰囲気用ガスに満たされている状態を容易に維持することができる。また、下部突出部315の外径は、保持ベース部311の外径よりも大きく、かつ、トッププレート5の外径以下である。これにより、第1ガード41が待避位置に位置する状態において、第1ガード41と第2ガード42との間のガスの流れを、より一層抑制することができる。
さらに、トッププレート5は、基板9の上面91に対向する略円環板状の対向部材天蓋部511と、対向部材天蓋部511の外周部から下方に広がる略円筒状の対向部材側壁部512とを備える。対向部材側壁部512の下端は、保持ベース部311の上面よりも下方、または、保持ベース部311の上面と上下方向に関して同じ位置に位置する。これにより、所望の処理雰囲気用ガスに満たされている処理空間90に、処理空間90の周囲の空間(すなわち、処理空間90の径方向外側の空間)の雰囲気が侵入することを抑制することができる。
上述のように、ガス供給部73は、保持部下方間隙310にパージガスを供給し、保持部下方間隙310の中央部から径方向外方へと向かうパージガスの気流を形成するパージガス供給部である。また、下部突出部315は、ベース支持部314に設けられる。これにより、第1ガード41が受液位置に位置する状態、および、待避位置に位置する状態の双方において、保持部下方間隙310から径方向外方に流れるパージガスは、下部突出部315の下面に沿って第1ガード内空間410へと導かれる。したがって、回転軸331を封止するためのパージガスが、比較的清浄な第2ガード内空間420へと流入することを抑制することができる。その結果、第2処理液(例えば、基板9の洗浄処理に利用される洗浄液)を受ける第2ガード42がパージガスにより汚染されることを抑制し、第2処理液による基板9の処理を好適に行うことができる。
図7は、本発明の第2の実施の形態に係る基板処理装置1aを示す断面図である。基板処理装置1aは、図1に示す下部突出部315とは異なる位置に下部突出部315aが設けられる点を除き、図1に示す基板処理装置1とおよそ同様の構成を備える。以下の説明では、基板処理装置1aの構成のうち基板処理装置1と同様の構成に同符号を付す。図7では、トッププレート5が上述の第2の位置に位置し、第1ガード41が待避位置に位置する状態を示す。
基板処理装置1aでは、下部突出部315aは、中心軸J1を中心とする略円環状の部材であり、回転機構収容部34の側面から径方向外方に広がる。下部突出部315aは、保持ベース部311よりも下方において、保持ベース部311から離間して設けられる。下部突出部315aの外径は、保持ベース部311の外径よりも大きく、かつ、トッププレート5の外径以下である。図7に示す例では、下部突出部315aは、回転機構収容部34の上端部から径方向外方に広がる。下部突出部315aの上面は、径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面である。
図7に示すように、第1ガード41が待避位置に位置する状態では、回転機構収容部34から径方向外方へと広がる下部突出部315aが、第1ガード天蓋部412の内周縁へと向かう。下部突出部315aの外周縁と第1ガード天蓋部412の内周縁とは、上下方向のおよそ同じ位置に位置し、僅かな間隙を介して径方向に対向する。基板処理装置1aにおける基板9の処理の流れは、基板処理装置1における基板9の処理の流れと同様である。
基板処理装置1aでは、下部突出部315aが設けられることにより、第1ガード41が待避位置に位置する状態において、第1ガード内空間410が第2ガード内空間420から実質的に隔離され、第1ガード41と第2ガード42との間のガスの流れを抑制することができる。これにより、第1処理液(例えば、ポリマー除去液やエッチング液等の薬液)のミスト等を含む第1ガード内空間410内の雰囲気が、第2ガード内空間420へと流入することを抑制することができる。その結果、第2処理液(例えば、基板9の洗浄処理に利用される洗浄液)を受ける第2ガード42の内面に第1処理液のミスト等が付着して第2ガード42が汚染されることを抑制し、第2処理液による基板9の処理を好適に行うことができる。
上述のように、トッププレート5の外径は、保持ベース部311の外径よりも大きい。これにより、処理空間90が所望の処理雰囲気用ガスに満たされている状態を容易に維持することができる。また、下部突出部315aの外径は、保持ベース部311の外径よりも大きく、かつ、トッププレート5の外径以下である。これにより、第1ガード41が待避位置に位置する状態において、第1ガード41と第2ガード42との間のガスの流れを、より一層抑制することができる。
図8は、本発明の第3の実施の形態に係る基板処理装置1bを示す断面図である。基板処理装置1bは、図1に示す基板保持部31に代えて基板保持部31とは異なる構造を有する基板保持部31aを備える点を除き、図1に示す基板処理装置1とおよそ同様の構成を備える。以下の説明では、基板処理装置1bの構成のうち基板処理装置1と同様の構成に同符号を付す。図8では、トッププレート5が上述の第2の位置に位置し、第1ガード41が待避位置に位置する状態を示す。
図8に示すように、基板保持部31aは、保持ベース部311aと、複数のチャック312と、複数の係合部313と、ベース支持部314とを備える。保持ベース部311aは、ベース本体部316と、ベース側壁部317とを備える。ベース本体部316は、中心軸J1を中心とする略円板状の部材であり、上面上に複数のチャック312および複数の係合部313が設けられる。ベース側壁部317は、中心軸J1を中心とする略円筒状の部材であり、ベース本体部316の外周部から下方に広がる。ベース側壁部317は、ベース支持部314の周囲においてベース支持部314から径方向外側に離間して配置される。
基板処理装置1bでは、ベース本体部316が周方向の全周に亘ってベース支持部314よりも径方向外方に広がることにより、複数のチャック312および複数の係合部313を保持ベース部311a上に容易に配置することができるとともに、ベース支持部314の小径化による基板保持部31aの質量低減を実現することができる。その結果、基板保持部31aを回転させる基板回転機構33にかかる負荷を軽減することができる。
図8に示すように、トッププレート5が第2の位置に位置する状態では、対向部材側壁部512の下端が、基板保持部31aの保持ベース部311aの上面よりも下方、または、保持ベース部311aの上面と上下方向に関して同じ位置に位置する。第1ガード41が待避位置に位置する状態では、第1ガード天蓋部412の内周縁が、ベース側壁部317の外側面(すなわち、保持ベース部311aの外側面)と径方向に対向する。基板処理装置1bにおける基板9の処理の流れは、基板処理装置1における基板9の処理の流れと同様である。
基板処理装置1bでは、第1ガード天蓋部412の内周縁が保持ベース部311aの外側面と径方向に対向することにより、第1ガード41が待避位置に位置する状態において、第1ガード内空間410が第2ガード内空間420から実質的に隔離され、第1ガード41と第2ガード42との間のガスの流れを抑制することができる。これにより、第1処理液(例えば、ポリマー除去液やエッチング液等の薬液)のミスト等を含む第1ガード内空間410内の雰囲気が、第2ガード内空間420へと流入することを抑制することができる。その結果、第2処理液(例えば、基板9の洗浄処理に利用される洗浄液)を受ける第2ガード42の内面に第1処理液のミスト等が付着して第2ガード42が汚染されることを抑制し、第2処理液による基板9の処理を好適に行うことができる。
上述の基板処理装置1,1a,1bは、様々な変更が可能である。
例えば、カップ部4は、第1ガード41および第2ガード42に加えて、第2ガード42の周囲に配置される1つまたは複数のガードが設けられてもよい。この場合も、上記と同様に、基板9からの処理液を受けるガードが、第1ガード41および第2ガード42を含む複数のガードの間で切り替えられる。
図1および図7に示す基板処理装置1,1aでは、トッププレート5の対向部材本体51は、必ずしも対向部材側壁部512を備える必要はなく、対向部材天蓋部511が対向部材本体51であってもよい。また、下部突出部315,315aの外径は、保持ベース部311の外径以下であってもよく、あるいは、トッププレート5の外径よりも大きくてもよい。
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。
1,1a,1b 基板処理装置
4 カップ部
5 トッププレート
9 基板
31,31a 基板保持部
33 基板回転機構
34 回転機構収容部
41 第1ガード
42 第2ガード
43 ガード移動機構
44 排出ポート
54 対向部材開口
72 処理液供給部
73 ガス供給部
91 (基板の)上面
310 保持部下方間隙
311,311a 保持ベース部
312 チャック
313 係合部
314 ベース支持部
315,315a 下部突出部
411 第1ガード側壁部
412 第1ガード天蓋部
421 第2ガード側壁部
422 第2ガード天蓋部
511 対向部材天蓋部
512 対向部材側壁部
J1 中心軸
S11〜S19 ステップ

Claims (5)

  1. 基板を処理する基板処理装置であって、
    水平状態で基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部により保持されて前記基板の上面に対向するとともに中央部に対向部材開口が設けられる対向部材と、
    前記基板保持部の下方に配置されて上下方向を向く中心軸を中心として前記基板および前記対向部材を前記基板保持部と共に回転させる基板回転機構と、
    前記基板保持部の下方にて前記基板回転機構を収容する回転機構収容部と、
    前記対向部材開口を介して前記基板の前記上面に処理液を供給する処理液供給部と、
    前記基板保持部の周囲に配置されて前記基板からの処理液を受けるカップ部と、
    を備え、
    前記基板保持部は、
    ベース支持部と、
    前記ベース支持部により下方から支持されるとともに前記ベース支持部よりも径方向外方に広がる円板状の保持ベース部と、
    前記保持ベース部の上面に配置されて前記基板を支持する複数のチャックと、
    前記保持ベース部の前記上面において前記複数のチャックよりも径方向外側に配置されて前記対向部材を支持する対向部材支持部と、
    を備え、
    前記カップ部は、
    円筒状の第1ガード側壁部および前記第1ガード側壁部の上端部から径方向内方に広がる円環板状の第1ガード天蓋部を有する第1ガードと、
    前記第1ガード側壁部よりも径方向外側に位置する円筒状の第2ガード側壁部および前記第1ガード天蓋部よりも上方にて前記第2ガード側壁部の上端部から径方向内方に広がる円環板状の第2ガード天蓋部を有する第2ガードと、
    前記第1ガードを前記基板からの処理液を受ける受液位置と前記受液位置よりも下方の待避位置との間で前記上下方向に移動することにより、前記基板からの処理液を受けるガードを前記第1ガードと前記第2ガードとの間で切り替えるガード移動機構と、
    前記第1ガード内および前記第2ガード内のガスが排出される排出ポートと、
    を備え、
    前記第1ガード天蓋部の内径および前記第2ガード天蓋部の内径は、前記保持ベース部の外径および前記対向部材の外径よりも大きく、
    前記保持ベース部よりも下方において前記ベース支持部または前記回転機構収容部から径方向外方に広がり、前記第1ガードが前記待避位置に位置する状態では前記第1ガード天蓋部の内周縁へと向かう円環状の下部突出部が設けられることを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項1に記載の基板処理装置であって、
    前記基板保持部の前記ベース支持部と前記回転機構収容部との間の空間にパージガスを供給し、中央部から径方向外方へと向かう気流を形成するパージガス供給部をさらに備え、
    前記下部突出部が前記ベース支持部に設けられることを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項1または2に記載の基板処理装置であって、
    前記対向部材の外径が、前記保持ベース部の外径よりも大きく、
    前記下部突出部の外径が、前記保持ベース部の外径よりも大きく、かつ、前記対向部材の外径以下であることを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、
    前記対向部材は、
    前記基板の前記上面に対向するとともに中央部に前記対向部材開口が設けられる円環板状の対向部材天蓋部と、
    前記対向部材天蓋部の外周部から下方に広がる円筒状の対向部材側壁部と、
    を備え、
    前記対向部材側壁部の下端は、前記保持ベース部の前記上面よりも下方、または、前記保持ベース部の前記上面と前記上下方向に関して同じ位置に位置することを特徴とする基板処理装置。
  5. 基板を処理する基板処理装置であって、
    水平状態で基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持されて前記基板の上面に対向するとともに中央部に対向部材開口が設けられる対向部材と、
    前記基板保持部の下方に配置されて上下方向を向く中心軸を中心として前記基板を前記基板保持部と共に回転させる基板回転機構と、
    前記対向部材開口を介して前記基板の前記上面に処理液を供給する処理液供給部と、
    前記基板保持部の周囲に配置されて前記基板からの処理液を受けるカップ部と、
    を備え、
    前記基板保持部は、
    保持ベース部と、
    前記保持ベース部の上面に配置されて前記基板を支持する複数のチャックと、
    前記保持ベース部の前記上面において前記複数のチャックよりも径方向外側に配置されて前記対向部材を支持する対向部材支持部と、
    を備え、
    前記カップ部は、
    円筒状の第1ガード側壁部および前記第1ガード側壁部の上端部から径方向内方に広がる円環板状の第1ガード天蓋部を有する第1ガードと、
    前記第1ガード側壁部よりも径方向外側に位置する円筒状の第2ガード側壁部および前記第1ガード天蓋部よりも上方にて前記第2ガード側壁部の上端部から径方向内方に広がる円環板状の第2ガード天蓋部を有する第2ガードと、
    前記第1ガードを前記基板からの処理液を受ける受液位置と前記受液位置よりも下方の待避位置との間で前記上下方向に移動することにより、前記基板からの処理液を受けるガードを前記第1ガードと前記第2ガードとの間で切り替えるガード移動機構と、
    前記第1ガード内および前記第2ガード内のガスが排出される排出ポートと、
    を備え、
    前記対向部材は、
    前記基板の前記上面に対向するとともに中央部に前記対向部材開口が設けられる円環板状の対向部材天蓋部と、
    前記対向部材天蓋部の外周部から下方に広がる円筒状の対向部材側壁部と、
    を備え、
    前記第1ガード天蓋部の内径および前記第2ガード天蓋部の内径は、前記保持ベース部の外径および前記対向部材の外径よりも大きく、
    前記対向部材側壁部の下端は、前記保持ベース部の前記上面よりも下方、または、前記保持ベース部の前記上面と前記上下方向に関して同じ位置に位置し、
    前記第1ガードが前記待避位置に位置する状態では、前記第1ガード天蓋部の内周縁が、前記保持ベース部の外側面と径方向に対向することを特徴とする基板処理装置。
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