TW201705353A - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

基板處理裝置係數個夾盤及數個卡合部配置於相較基座支持部擴展至直徑方向更外側之保持基座部之上表面，且數個卡合部相較數個夾盤位於直徑方向更外側。大致圓環狀之下部突出部係於相較保持基座部之更下方，自基座支持部擴展至直徑方向外側。杯部係藉由護罩移動機構使第1護罩於受液位置與待避位置之間於上下方向移動，而於第1護罩與第2護罩之間切換接收來自基板之處理液之護罩。下部突出部係於第1護罩位於待避位置之狀態下，朝向第1護罩頂蓋部之內周緣。藉此，便可抑制第1護罩與第2護罩之間之氣體之流動。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種處理基板之基板處理裝置。
以往，於半導體基板(以下，簡稱為「基板」)之製造步驟中，對基板實施各種之處理。例如，藉由對表面上形成有抗蝕劑之圖案之基板上供給藥液，而對於基板之表面進行蝕刻等藥液處理。又，於藥液處理之結束後，對基板上供給洗淨液，進行洗淨處理，此後，進行基板之乾燥處理。
例如，專利第3621568號公報(文獻1)之基板洗淨裝置係於水平地保持晶圓之旋轉夾盤上載置蓋構件，且該蓋構件與晶圓一同地旋轉。於基板之洗淨處理時，首先，自於蓋構件之上方隔開地配置之上噴嘴，經由設置於蓋構件之旋轉中心之開口，對旋轉中之基板上供給洗淨液。作為洗淨液，利用有氫氟酸、鹽酸、硫酸、磷酸、氨、含氧水等。繼而，藉由自該上噴嘴對旋轉中之基板上供給去離子水，而沖洗附著於基板之洗淨液。此後，於基板之乾燥處理時，自上述上噴嘴吐出氮(N2)氣，且經由蓋構件之開口，將氮(N2)氣供給至晶圓上。藉此，可使蓋構件與晶圓之間之空間中之氧濃度降低，促進基板之乾燥。
日本專利特開2011-254019號公報(文獻2)之基板處理裝置係於保持基板之載置台之周圍，具備接收自旋轉之基板飛散 之液體之液體引導上部杯、液體引導中央杯及液體引導下部杯。該等杯可分別於上下方向移動。各杯具備圓筒狀之鉛垂部、及自該鉛垂部之上端向直徑方向內側擴展之傾斜部。又，於載置台之下部，設置有與載置台一體地固定且相較基板之外周緣向直徑方向更外側擴展之支持突部。於該基板處理裝置中，若自基板飛散之液體之種類出現變化，則將接收來自基板之液體之杯於液體引導上部杯、液體引導中央杯及液體引導下部杯之間進行切換。於利用液體引導上部杯或液體引導中央杯接收來自基板之液體之情形時，液體引導下部杯之傾斜部之內周緣相接於載置台之下部之支持突部。藉此，抑制液體引導下部杯之內側之氛圍上升而向液體引導上部杯及液體引導中央杯之內側侵入。
且說，於文獻1之基板洗淨裝置中，旋轉夾盤相較支持基板之外周緣部之夾盤擴展至直徑方向更外側，且相較該夾盤於直徑方向更外側支持蓋構件。因此，旋轉夾盤於直徑方向上大型化，從而使旋轉夾盤旋轉之旋轉機構中所受之負荷增大。
因而，為減輕旋轉機構中所受之負荷，而考慮維持旋轉夾盤之上部(即，上表面附近之部位)之形狀，且減小旋轉夾盤之下部之外徑。然而，於文獻2之基板處理裝置中，若減小載置台之下部之外徑，則於藉由液體引導上部杯或液體引導中央杯接收來自基板之液體之情形時，液體引導下部杯之傾斜部之內周緣於直徑方向外側，與載置台之下部之支持突部隔開。藉此，液體引導下部杯之內側之氛圍上升而向液體引導上部杯或液體引導中央杯之內側侵入，從而不同種類之處理液之氛圍進行混合。又，若以液體引導下部杯之內側之氛圍不上升之方式，抑制液體引導上部杯或液體引 導中央杯內之氛圍之吸引，則各杯中之吸引之強度之均一性下降。
本發明適於將基板進行處理之基板處理裝置，且目的在於於具備數個護罩之杯部，抑制護罩間之氣體之流動。
本發明之一基板處理裝置具備：基板保持部，其係於水平狀態下保持基板；對向構件，其係藉由上述基板保持部保持，且與上述基板之上表面對向，並且於中央部設置有對向構件開口；基板旋轉機構，其係配置於上述基板保持部之下方，以朝向上下方向之中心軸為中心，使上述基板及上述對向構件與上述基板保持部一同地旋轉；旋轉機構收容部，其係於上述基板保持部之下方收容上述基板旋轉機構；處理液供給部，其係經由上述對向構件開口，對上述基板之上述上表面供給處理液；及杯部，其係配置於上述基板保持部之周圍，接收來自上述基板之處理液；上述基板保持部具備：基座支持部；圓板狀之保持基座部，其係由上述基座支持部自下方支持，並且相較上述基座支持部擴展至直徑方向更外側；數個夾盤，其等配置於上述保持基座部之上表面，且支持上述基板；及對向構件支持部，其係於上述保持基座部之上述上表面，相較上述數個夾盤配置於直徑方向更外側，且支持上述對向構件；上述杯部具備：第1護罩，其具有圓筒狀之第1護罩側壁部、及自上述第1護罩側壁部之上端部擴展至直徑方向內側之圓環板狀之第1護罩頂蓋部；第2護罩，其具有相較上述第1護罩側壁部位於直徑方向更外側之圓筒狀之第2護罩側壁部、及於相較上述第1護罩頂蓋部之更上方自上述第2護罩側壁部之上端部擴展至直徑方向內側之圓環板狀之第2護罩頂蓋部；護罩移動機構，其係於接收來自上述基板 之處理液之受液位置與相較上述受液位置更下方之待避位置之間，使上述第1護罩沿上述上下方向移動，藉此，於上述第1護罩與上述第2護罩之間切換接收來自上述基板之處理液之護罩；及排出埠，其係將上述第1護罩內及上述第2護罩內之氣體排出；上述第1護罩頂蓋部之內徑及上述第2護罩頂蓋部之內徑係大於上述保持基座部之外徑及上述對向構件之外徑，且設置有圓環狀之下部突出部，該圓環狀之下部突出部係於相較上述保持基座部之更下方，自上述基座支持部或上述旋轉機構收容部而擴展至直徑方向外側，於上述第1護罩位於上述待避位置之狀態下朝向上述第1護罩頂蓋部之內周緣設置。根據該基板處理裝置，可於具備數個護罩之杯部，抑制護罩間之氣體之流動。
本發明之一較佳之實施形態更具備對上述基板保持部之上述基座支持部與上述旋轉機構收容部之間之空間供給沖洗氣體，形成自中央部朝向直徑方向外側之氣流之沖洗氣體供給部，且上述下部突出部設置於上述基座支持部。
本發明之其他較佳之實施形態係上述對向構件之外徑大於上述保持基座部之外徑，上述下部突出部之外徑大於上述保持基座部之外徑且為上述對向構件之外徑以下。
本發明之其他較佳之實施形態係上述對向構件具備與上述基板之上述上表面對向並且於中央部設置有上述對向構件開口之圓環板狀之對向構件頂蓋部、及自上述對向構件頂蓋部之外周部擴展至下方之圓筒狀之對向構件側壁部，上述對向構件側壁部之下端係相較上述保持基座部之上述上表面位於更下方，或者，位於與上述保持基座部之上述上表面於上述上下方向上相同之位置。
本發明之其他基板處理裝置具備：基板保持部，其係於水平狀態下保持基板；對向構件，其係藉由上述基板保持部保持，且與上述基板之上表面對向，並且於中央部設置有對向構件開口；基板旋轉機構，其係配置於上述基板保持部之下方，以朝向上下方向之中心軸為中心，使上述基板與上述基板保持部一同地旋轉；處理液供給部，其係經由上述對向構件開口，對上述基板之上述上表面供給處理液；及杯部，其係配置於上述基板保持部之周圍，接收來自上述基板之處理液；上述基板保持部具備：保持基座部；數個夾盤，其等配置於上述保持基座部之上表面，支持上述基板；及對向構件支持部，其係於上述保持基座部之上述上表面，相較上述數個夾盤配置於直徑方向更外側，且支持上述對向構件；上述杯部具備：第1護罩，其具有圓筒狀之第1護罩側壁部、及自上述第1護罩側壁部之上端部擴展至直徑方向內側之圓環板狀之第1護罩頂蓋部；第2護罩，其具有相較上述第1護罩側壁部位於直徑方向更外側之圓筒狀之第2護罩側壁部、及於相較上述第1護罩頂蓋部之更上方自上述第2護罩側壁部之上端部擴展至直徑方向內側之圓環板狀之第2護罩頂蓋部；護罩移動機構，其係使上述第1護罩於接收來自上述基板之處理液之受液位置與相較上述受液位置更下方之待避位置之間沿上述上下方向移動，藉此，於上述第1護罩與上述第2護罩之間切換接收來自上述基板之處理液之護罩；及排出埠，其係將上述第1護罩內及上述第2護罩內之氣體排出；上述對向構件具備：圓環板狀之對向構件頂蓋部，其係與上述基板之上述上表面對向，並且於中央部設置有上述對向構件開口；及圓筒狀之對向構件側壁部，其係自上述對向構件頂蓋部之外周部擴展至 下方；上述第1護罩頂蓋部之內徑及上述第2護罩頂蓋部之內徑係大於上述保持基座部之外徑及上述對向構件之外徑，上述對向構件側壁部之下端係相較上述保持基座部之上述上表面位於更下方，或者位於與上述保持基座部之上述上表面於上述上下方向上相同之位置，且於上述第1護罩位於上述待避位置之狀態下，上述第1護罩頂蓋部之內周緣與上述保持基座部之外側面於直徑方向上對向。根據該基板處理裝置，可於具備數個護罩之杯部，抑制護罩間之氣體之流動。
上述之目的及其他目的、特徵、樣態及優點可參照隨附之圖式，藉由以下所進行之發明之詳細之說明而明確表示。
1、1a、1b‧‧‧基板處理裝置
4‧‧‧杯部
5‧‧‧頂板
6‧‧‧對向構件移動機構
7‧‧‧氣液供給部
9‧‧‧基板
11‧‧‧殼體
31、31a‧‧‧基板保持部
33‧‧‧基板旋轉機構
34‧‧‧旋轉機構收容部
41‧‧‧第1護罩
42‧‧‧第2護罩
43‧‧‧護罩移動機構
44‧‧‧排出埠
51‧‧‧對向構件本體
52‧‧‧被保持部
53‧‧‧卡合部
54‧‧‧對向構件開口
56‧‧‧噴嘴間隙
61‧‧‧對向構件保持部
62‧‧‧對向構件升降機構
71‧‧‧處理液噴嘴
72‧‧‧處理液供給部
73‧‧‧氣體供給部
90‧‧‧處理空間
91‧‧‧(基板之)上表面
310‧‧‧保持部下方間隙
311、311a‧‧‧保持基座部
312‧‧‧夾盤
313‧‧‧卡合部
314‧‧‧基座支持部
315、315a‧‧‧下部突出部
316‧‧‧基座本體部
317‧‧‧基座側壁部
331‧‧‧旋轉軸
341‧‧‧旋轉機構收容部之上表面
342‧‧‧旋轉機構收容部之側面
410‧‧‧第1護罩內空間
411‧‧‧第1護罩側壁部
412‧‧‧第1護罩頂蓋部
420‧‧‧第2護罩內空間
421‧‧‧第2護罩側壁部
422‧‧‧第2護罩頂蓋部
511‧‧‧對向構件頂蓋部
512‧‧‧對向構件側壁部
521‧‧‧對向構件筒部
522‧‧‧對向構件凸緣部
611‧‧‧保持部本體
612‧‧‧本體支持部
613‧‧‧凸緣支持部
614‧‧‧支持部連接部
616‧‧‧移動限制部
716‧‧‧處理液流路
716a‧‧‧吐出口
717‧‧‧氣體流路
717a‧‧‧下表面噴射口
717b‧‧‧側面噴射口
J1‧‧‧中心軸
S11~S19‧‧‧步驟
圖1係第1實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
圖2係基板處理裝置之剖面圖。
圖3係表示氣液供給部之方塊圖。
圖4係將處理液噴嘴之一部分放大表示之剖面圖。
圖5係表示基板之處理之流程之圖。
圖6係基板處理裝置之剖面圖。
圖7係第2實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
圖8係第3實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
圖1係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置1之構成之剖面圖。基板處理裝置1係將半導體基板9(以下，簡稱為「基板9」)逐片地進行處理之單片式裝置。基板處理裝置1具有： 基板保持部31、基板旋轉機構33、杯部4、頂板5、對向構件移動機構6、及處理液噴嘴71，且該等構成收容於殼體11之內部。
基板保持部31係於水平狀態下保持基板9。基板保持部31具有：保持基座部311、數個夾盤312、數個卡合部313、基座支持部314、及下部突出部315。基板9係配置於保持基座部311之上方。保持基座部311及基座支持部314係分別以朝向上下方向之中心軸J1為中心之大致圓板狀之構件。保持基座部311係配置於基座支持部314之上方，且藉由基座支持部314自下方支持。保持基座部311之外徑係大於基座支持部314之外徑。保持基座部311係遍及以中心軸J1為中心之周方向之整周，相較基座支持部314擴展至直徑方向更外側。保持基座部311係藉由例如具有相對較高之耐化學品性之氟樹脂而形成。基座支持部314係藉由例如相對輕量且高強度之氯乙烯而形成。
下部突出部315係以中心軸J1為中心之大致圓環狀之構件，且自基座支持部314之側面擴展至直徑方向外側。下部突出部315係於相較保持基座部311之更下方，與保持基座部311隔開地設置。下部突出部315之外徑係大於保持基座部311之外徑，且為頂板5之外徑以下。於圖1所示之例中，下部突出部315係自基座支持部314之下端部擴展至直徑方向外側。下部突出部315之上表面及下表面係分別隨著朝向直徑方向外側而朝向下方之傾斜面。
數個夾盤312係以中心軸J1為中心以大致等角度間隔於周方向上配置於保持基座部311之上表面之外周部。基板保持部31係藉由數個夾盤312支持基板9之外緣部。將各夾盤312驅 動之結構係設置於基座支持部314之內部。數個卡合部313係以中心軸J1為中心以大致等角度間隔於周方向上配置於保持基座部311之上表面之外周部。數個卡合部313係相較數個夾盤312配置於直徑方向更外側。
基板旋轉機構33係收容於旋轉機構收容部34之內部。基板旋轉機構33及旋轉機構收容部34係配置於基板保持部31之下方。基板旋轉機構33係以中心軸J1為中心地使基板9與基板保持部31一同地旋轉。
旋轉機構收容部34具備將基板旋轉機構33之上方覆蓋之大致圓環板狀之上表面341、及將基板旋轉機構33之側方覆蓋之大致圓筒狀之側面342。於旋轉機構收容部34之上表面341之中央部，設置有被插入基板旋轉機構33之旋轉軸331之開口。旋轉軸331係連接於基座支持部314之下表面。旋轉機構收容部34之上表面341係自旋轉軸331於直徑方向上隔開地向直徑方向外側擴展。旋轉機構收容部34之上表面341係介隔間隙而與基座支持部314之下表面於上下方向上對向。於以下之說明中，將該間隙、即旋轉機構收容部34之上表面341與基座支持部314之下表面之間之空間稱作「保持部下方間隙310」。
杯部4係以中心軸J1為中心之環狀之構件，且配置於基板9及基板保持部31之直徑方向外側。杯部4係遍及基板9及基板保持部31之周圍之整周地配置，且接收自基板9朝向周圍飛散之處理液等。杯部4具有：第1護罩41、第2護罩42、護罩移動機構43、及排出埠44。
第1護罩41具有第1護罩側壁部411、及第1護罩 頂蓋部412。第1護罩側壁部411係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。第1護罩頂蓋部412係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，且自第1護罩側壁部411之上端部擴展至直徑方向內側。第2護罩42具有第2護罩側壁部421、及第2護罩頂蓋部422。第2護罩側壁部421係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀，且相較第1護罩側壁部411位於直徑方向更外側。第2護罩頂蓋部422係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，且於相較第1護罩頂蓋部412之更上方，自第2護罩側壁部421之上端部擴展至直徑方向內側。
第1護罩頂蓋部412之內徑及第2護罩頂蓋部422之內徑係略微大於基板保持部31之保持基座部311之外徑及頂板5之外徑。第1護罩頂蓋部412之上表面及下表面係分別隨著朝向直徑方向外側而朝向下方之傾斜面。第2護罩頂蓋部422之上表面及下表面亦係分別隨著朝向直徑方向外側而朝向下方之傾斜面。
護罩移動機構43係藉由使第1護罩41於上下方向移動，而將接收來自基板9之處理液等之護罩於第1護罩41與第2護罩42之間進行切換。由杯部4之第1護罩41及第2護罩42所接收之處理液等係經由排出埠44向殼體11之外部排出。又，第1護罩41內及第2護罩42內之氣體亦經由排出埠44向殼體11之外部排出。
頂板5係俯視為大致圓形之構件。頂板5係與基板9之上表面91對向之對向構件，且係將基板9之上方遮蔽之遮蔽板。頂板5之外徑係大於基板9之外徑、及保持基座部311之外徑。頂板5具有：對向構件本體51、被保持部52、及數個卡合部53。對向構件本體51具備對向構件頂蓋部511、及對向構件側壁部512。 對向構件頂蓋部511係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀之構件，且與基板9之上表面91對向。於對向構件頂蓋部511之中央部，設置有對向構件開口54。對向構件開口54係例如俯視為大致圓形。對向構件開口54之直徑係與基板9之直徑相比極小。對向構件側壁部512係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之構件，且自對向構件頂蓋部511之外周部擴展至下方。
數個卡合部53係以中心軸J1為中心以大致等角度間隔於周方向上配置於對向構件頂蓋部511之下表面之外周部。數個卡合部53係配置於對向構件側壁部512之直徑方向內側。
被保持部52係連接於對向構件本體51之上表面。被保持部52具有對向構件筒部521、及對向構件凸緣部522。對向構件筒部521係自對向構件本體51之對向構件開口54之周圍突出至上方之大致筒狀之部位。對向構件筒部521係例如以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。對向構件凸緣部522係自對向構件筒部521之上端部環狀地擴展至直徑方向外側。對向構件凸緣部522係例如以中心軸J1為中心之大致圓環板狀。
對向構件移動機構6具有對向構件保持部61、及對向構件升降機構62。對向構件保持部61係保持頂板5之被保持部52。對向構件保持部61具有：保持部本體611、本體支持部612、凸緣支持部613、及支持部連接部614。保持部本體611係例如以中心軸J1為中心之大致圓板狀。保持部本體611係將頂板5之對向構件凸緣部522之上方覆蓋。本體支持部612係大致水平地延伸之棒狀之支架。本體支持部612之一端部係連接於保持部本體611，且另一端部連接於對向構件升降機構62。
處理液噴嘴71自保持部本體611之中央部下方突出。處理液噴嘴71係以非接觸狀態插入至對向構件筒部521。於以下之說明中，將處理液噴嘴71與對向構件筒部521之間之空間稱作「噴嘴間隙56」。
凸緣支持部613係例如以中心軸J1為中心之大致圓環板狀。凸緣支持部613係位於對向構件凸緣部522之下方。凸緣支持部613之內徑係小於頂板5之對向構件凸緣部522之外徑。凸緣支持部613之外徑係大於頂板5之對向構件凸緣部522之外徑。支持部連接部614係例如以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。支持部連接部614係於對向構件凸緣部522之周圍將凸緣支持部613與保持部本體611連接。於對向構件保持部61中，保持部本體611係與對向構件凸緣部522之上表面於上下方向上對向之保持部上部，且凸緣支持部613係與對向構件凸緣部522之下表面於上下方向上對向之保持部下部。
於頂板5位於圖1所示之位置之狀態下，凸緣支持部613自下側相接地支持於頂板5之對向構件凸緣部522之外周部。換言之，對向構件凸緣部522藉由對向構件移動機構6之對向構件保持部61保持。藉此，頂板5於基板9及基板保持部31之上方，由對向構件保持部61懸吊。於以下之說明中，將圖1所示之頂板5之上下方向之位置稱作「第1位置」。頂板5係於第1位置，由對向構件移動機構6保持，且與基板保持部31於上方隔開。
於凸緣支持部613，設置有限制頂板5之位置偏移(即，頂板5之移動及旋轉)之移動限制部616。於圖1所示之例中，移動限制部616係自凸緣支持部613之上表面突出至上方之突起 部。藉由將移動限制部616插入至設置於對向構件凸緣部522之孔部而限制頂板5之位置偏移。
對向構件升降機構62係使頂板5與對向構件保持部61一同地於上下方向移動。圖2係表示頂板5自圖1所示之第1位置下降之狀態之剖面圖。於以下之說明中，將圖2所示之頂板5之上下方向之位置稱作「第2位置」。即，對向構件升降機構62係使頂板5於第1位置與第2位置之間相對於基板保持部31相對地於上下方向移動。第2位置係位於相較第1位置更下方之位置。換言之，第2位置係頂板5相較第1位置於上下方向更接近於基板保持部31之位置。
於頂板5位於第2位置之狀態下，頂板5之數個卡合部53分別與基板保持部31之數個卡合部313卡合。數個卡合部53係由數個卡合部313自下方支持。換言之，數個卡合部313係支持頂板5之對向構件支持部。例如，卡合部313係與上下方向大致平行之銷，且卡合部313之上端部嵌合於卡合部53之下端部朝上地形成之凹部。又，頂板5之對向構件凸緣部522係與對向構件保持部61之凸緣支持部613於上方隔開。藉此，頂板5於第2位置，由基板保持部31保持，且與對向構件移動機構6隔開(即，與對向構件移動機構6成為非接觸狀態)。
於頂板5由基板保持部31保持之狀態下，頂板5之對向構件側壁部512之下端相較基板保持部31之保持基座部311之上表面位於更下方，或者位於與保持基座部311之上表面於上下方向上相同之位置。若於頂板5位於第2位置之狀態下將基板旋轉機構33驅動，則頂板5與基板9及基板保持部31一同地旋轉。換 言之，於頂板5位於第2位置之狀態下，頂板5可藉由基板旋轉機構33而與基板9及基板保持部31一同地以中心軸J1為中心進行旋轉。
圖3係表示基板處理裝置1中之氣體及處理液之供給之氣液供給部7之方塊圖。氣液供給部7具備處理液噴嘴71、處理液供給部72、及氣體供給部73。處理液供給部72係連接於處理液噴嘴71，且對處理液噴嘴71供給處理液。氣體供給部73係連接於處理液噴嘴71，且對處理液噴嘴71供給氣體。又，氣體供給部73亦連接於旋轉機構收容部34，且經由旋轉機構收容部34對保持部下方間隙310供給氣體。
於基板處理裝置1中，作為處理液，利用有各種各樣之液體。處理液亦可為例如基板9之藥液處理中所用之藥液(聚合物去除液、氫氟酸或氫氧化四甲基銨水溶液等蝕刻液等)。處理液亦可為例如基板9之洗淨處理中所用之去離子水(DIW：deionized water)或碳酸水等洗淨液。處理液亦可為例如為置換基板9上之液體而供給之異丙醇(IPA，isopropyl alcohol)等。自氣體供給部73供給之氣體係例如氮(N2)氣等惰性氣體。自氣體供給部73，亦可供給除了惰性氣體以外之各種氣體。
圖4係將處理液噴嘴71之一部分放大表示之剖面圖。處理液噴嘴71係藉由例如四氟乙烯全氟烷氧基乙烯共聚物(PFA，Tetrafluoroethylene perfluoroalkoxyethylen copolymer)而形成。於處理液噴嘴71之內部，設置有處理液流路716、及2個氣體流路717。處理液流路716係連接於圖3所示之處理液供給部72。2個氣體流路717係連接於圖3所示之氣體供給部73。
自處理液供給部72供給至圖4所示之處理液流路716之處理液係自設置於處理液噴嘴71之下端面之吐出口716a朝向下方吐出。於自處理液噴嘴71吐出複數種之處理液之情形時，亦可於處理液噴嘴71，設置與複數種之處理液分別對應之數個處理液流路716，且可將複數種之處理液分別自數個吐出口716a吐出。
自氣體供給部73供給至中央之氣體流路717(圖中之右側之氣體流路717)之惰性氣體係自設置於處理液噴嘴71之下端面之下表面噴射口717a向下方供給(例如，噴射)。自氣體供給部73供給至外周部之氣體流路717之惰性氣體係自設置於處理液噴嘴71之側面之數個側面噴射口717b供給至周圍。
數個側面噴射口717b係於周方向上以大致等角度間隔排列。數個側面噴射口717b係連接於自外周部之氣體流路717之下端部於周方向上延伸之周狀流路。自氣體供給部73供給之惰性氣體係自數個側面噴射口717b向斜下方供給(例如，噴射)。再者，側面噴射口717b亦可僅設置1個。
自處理液供給部72(參照圖3)供給之處理液係自處理液噴嘴71之吐出口716a，經由圖2所示之對向構件開口54朝向基板9之上表面91吐出。換言之，處理液噴嘴71係將自處理液供給部72供給之處理液經由對向構件開口54供給至基板9之上表面91。於基板處理裝置1，處理液噴嘴71亦可自對向構件本體51之對向構件開口54突出至下方。換言之，處理液噴嘴71之前端亦可相較對向構件開口54之下端緣位於更下方。自處理液供給部72供給之處理液係於處理液噴嘴71內經由對向構件開口54流向下方，且自處理液噴嘴71之吐出口716a(參照圖4)朝向基板9之上表面 91吐出。於處理液經由對向構件開口54供給之情形時，不僅包含於相較對向構件開口54之更上方，自處理液噴嘴71吐出之處理液通過對向構件開口54之狀態，而且亦包含處理液經由插入至對向構件開口54之處理液噴嘴71吐出之狀態。
自氣體供給部73(參照圖3)供給至處理液噴嘴71之惰性氣體之一部分係自處理液噴嘴71之下表面噴射口717a(參照圖4)，經由對向構件開口54供給至頂板5與基板9之間之空間(以下，稱作「處理空間90」)。又，自氣體供給部73供給至處理液噴嘴71之惰性氣體之一部分係自處理液噴嘴71之數個側面噴射口717b(參照圖4)向噴嘴間隙56供給。於噴嘴間隙56，來自氣體供給部73之惰性氣體係自處理液噴嘴71之側面向斜下方供給，且流向下方，供給至處理空間90。
於基板處理裝置1，基板9之處理較佳為將惰性氣體自處理液噴嘴71供給至處理空間90，於處理空間90成為惰性氣體氛圍之狀態下進行。換言之，自氣體供給部73供給至處理空間90之氣體係處理氛圍用氣體。處理氛圍用氣體中，亦包含自處理液噴嘴71向噴嘴間隙56供給，且經由噴嘴間隙56供給至處理空間90之氣體。
自氣體供給部73供給至旋轉機構收容部34之惰性氣體係沿著旋轉軸331自下方向保持部下方間隙310供給，且於保持部下方間隙310中朝向徑方向外側擴散。藉此，形成自保持部下方間隙310之中央部朝向直徑方向外側之惰性氣體之氣流，從而旋轉軸331之周圍、及保持部下方間隙310被惰性氣體沖洗。即，供給至保持部下方間隙310之氣體係用以將旋轉軸331密閉之沖洗氣 體。到達保持部下方間隙310之外周部之該沖洗氣體係沿著下部突出部315之下表面流向直徑方向外側。於圖3所示之例中，氣體供給部73係作為沖洗氣體之供給源之沖洗氣體供給部，且亦係作為處理氛圍用氣體之供給源之處理氛圍用氣體供給部。繼而，處理氛圍用氣體與沖洗氣體係相同種類之氣體。再者，處理氛圍用氣體與沖洗氣體亦可為不同種類之氣體。
繼之，對基板處理裝置1中之基板9之處理流程之一例，一邊參照圖5一邊進行說明。首先，於頂板5位於圖1所示之第1位置之狀態下，將基板9搬入至殼體11內，且由基板保持部31進行保持(步驟S11)。此時，頂板5由對向構件移動機構6之對向構件保持部61進行保持。
繼而，藉由對向構件升降機構62而使對向構件保持部61朝向下方移動。藉此，頂板5自第1位置朝向第2位置移動至下方，如圖2所示，頂板5被基板保持部31保持(步驟S12)。繼而，自氣體供給部73經由處理液噴嘴71，對噴嘴間隙56及處理空間90開始進行惰性氣體(即，處理氛圍用氣體)之供給。又，自氣體供給部73經由旋轉機構收容部34，對保持部下方間隙310開始進行惰性氣體(即，沖洗氣體)之供給。
繼之，藉由基板旋轉機構33而開始進行基板保持部31、基板9及頂板5之旋轉(步驟S13)。來自處理液噴嘴71之惰性氣體之供給、及對於保持部下方間隙310之惰性氣體之供給亦於步驟S13以後繼續進行。繼而，自處理液供給部72對處理液噴嘴71供給第1處理液，且經由位於第2位置之頂板5之對向構件開口54，將該第1處理液供給至旋轉中之基板9之上表面91之中央部(步 驟S14)。
自處理液噴嘴71供給至基板9之中央部之第1處理液係藉由基板9之旋轉而自基板9之中央部向直徑方向外側擴散，從而賦予至基板9之上表面91整體。第1處理液係自基板9之外緣向直徑方向外側飛散，且由杯部4之第1護罩41接收。圖2所示之第1護罩41之上下方向之位置係接收來自基板9之處理液之位置，於以下之說明中稱作「受液位置」。
於第1護罩41位於受液位置之狀態下，第1護罩41之內側之空間(以下，稱為「第1護罩內空間410」)之氛圍經由排出埠44朝向殼體11之外部排出。又，處理空間90之氛圍經由第1護罩內空間410及排出埠44朝向殼體11之外部排出。於處理空間90及第1護罩內空間410之氛圍，包含第1處理液之霧等。第1護罩內空間410係被第1護罩41與基板保持部31包圍之環狀之空間。具體而言，第1護罩內空間410係指相較第1護罩頂蓋部412更下方之空間，且相較第1護罩側壁部411為直徑方向更內側且相較第1護罩頂蓋部412之內周緣為直徑方向更外側之空間。於第1護罩41位於受液位置之狀態下，自保持部下方間隙310流向直徑方向外側之沖洗氣體係沿著下部突出部315之下表面朝向第1護罩內空間410流入，且經由排出埠44朝向殼體11之外部排出。基板處理裝置1係藉由將第1處理液賦予至基板9特定時間，而結束第1處理液對基板9之處理。
第1處理液係例如聚合物去除液或蝕刻液等藥液，且於步驟S14中，進行對基板9之藥液處理。再者，第1處理液之供給(步驟S14)亦可於基板9之旋轉開始(步驟S13)之前進行。於該情 形時，將第1處理液覆液(puddle)於靜止狀態之基板9之上表面91整體，從而進行第1處理液之覆液處理。
第1處理液對基板9之處理結束後，使來自處理液噴嘴71之第1處理液之供給停止。繼而，藉由護罩移動機構43而將第1護罩41移動至下方，從而如圖6所示，第1護罩41位於相較上述受液位置更下方之待避位置。藉此，接收來自基板9之處理液之護罩自第1護罩41切換為第2護罩42。即，護罩移動機構43係藉由將第1護罩41於受液位置與待避位置之間於上下方向上移動，而將接收來自基板9之處理液之護罩於第1護罩41與第2護罩42之間進行切換之護罩切替機構。
於第1護罩41位於待避位置之狀態下，自基座支持部314向直徑方向外側擴展之下部突出部315朝向第1護罩頂蓋部412之內周緣。下部突出部315之外周緣與第1護罩頂蓋部412之內周緣係位於上下方向之大體相同之位置，且隔著略微之間隙於直徑方向上對向。
繼而，將第2處理液自處理液供給部72供給至處理液噴嘴71，且經由位於第2位置之頂板5之對向構件開口54，供給至旋轉中之基板9之上表面91之中央部(步驟S15)。自處理液噴嘴71供給至基板9之中央部之第2處理液係藉由基板9之旋轉，而自基板9之中央部向直徑方向外側擴散，從而賦予至基板9之上表面91整體。第2處理液係自基板9之外緣向直徑方向外側飛散，且由杯部4之第2護罩42接納。
於第1護罩41位於待避位置之狀態下，第2護罩42之內側之空間(以下，稱為「第2護罩內空間420」)之氛圍經由排 出埠44被排出至殼體11之外部。又，處理空間90之氛圍經由第2護罩內空間420及排出埠44被排出至殼體11之外部。處理空間90及第2護罩內空間420之氛圍中，包含有第2處理液之霧等。第2護罩內空間420係被第2護罩42與基板保持部31包圍之環狀之空間。具體而言，第2護罩內空間420係指相較第2護罩頂蓋部422更下方之空間，且相較第2護罩側壁部421為直徑方向更內側且相較第2護罩頂蓋部422之內周緣為直徑方向更外側之空間。
亦於第1護罩41位於待避位置之狀態下，自保持部下方間隙310流向直徑方向外側之沖洗氣體係沿著下部突出部315之下表面朝向第1護罩內空間410流入，且經由排出埠44朝向殼體11之外部排出。基板處理裝置1係藉由將第2處理液賦予基板9特定時間，而結束第2處理液對基板9之處理。第2處理液係例如去離子水或碳酸水等之洗淨液，且於步驟S15中，進行對基板9之洗淨處理。
第2處理液對基板9之處理結束後，使來自處理液噴嘴71之第2處理液之供給停止。繼而，藉由氣體供給部73而自處理液噴嘴71之側面朝向噴嘴間隙56噴射之惰性氣體之流量增大。又，自處理液噴嘴71之下端面朝向處理空間90噴射之惰性氣體之流量亦增大。進而，基板旋轉機構33使基板9旋轉之旋轉速度增大。藉此，殘留於基板9之上表面91上之第2處理液等朝向直徑方向外側移動，自基板9之外緣向著直徑方向外側飛散，被杯部4之第2護罩42接納。進行藉由使基板9之旋轉持續特定之時間而自基板9之上表面91上將處理液去除之乾燥處理(步驟S16)。
基板9之乾燥處理結束後，將藉由基板旋轉機構33 使基板保持部31、基板9及頂板5之旋轉停止(步驟S17)。又，將惰性氣體自氣體供給部73對噴嘴間隙56、處理空間90及保持部下方間隙310之供給停止。繼之，藉由對向構件升降機構62而將對向構件保持部61移動至上方，藉此，頂板5自第2位置朝向圖1所示之第1位置移動至上方(步驟S18)。頂板5係自基板保持部31於上方隔開地由對向構件保持部61保持。此後，將基板9自殼體11搬出(步驟S19)。基板處理裝置1係對於數個基板9，依次地進行上述步驟S11~S19，將數個基板9進行依次處理。
如以上所說明，於基板處理裝置1中，位於第2位置之頂板5由基板保持部31保持，且藉由基板旋轉機構33而與基板9及基板保持部31一同地旋轉。氣體供給部73係對頂板5與基板9之間之處理空間90供給處理氛圍用氣體。藉此，便可使處理空間90作為所期望之氣體氛圍，從而利用該氣體氛圍進行基板9之處理。例如，於對處理空間90供給惰性氣體之情形時，可藉由惰性氣體氛圍(即、低氧氛圍)處理基板9。
如上所述，基板保持部31具有：保持基座部311、數個夾盤312、數個卡合部313、及基座支持部314。數個夾盤312及數個卡合部313係配置於保持基座部311之上表面，數個卡合部313係相較數個夾盤312位於直徑方向更外側。保持基座部311係由基座支持部314自下方支持，並且相較基座支持部314擴展至直徑方向更外側。藉此，可容易地將數個夾盤312及數個卡合部313配置於保持基座部311上，並且實現因基座支持部314小徑化而使基板保持部31重量下降。其結果，可減輕使基板保持部31旋轉之基板旋轉機構33所受之負荷。
基板處理裝置1係如上所述，杯部4具有第1護罩41、第2護罩42、護罩移動機構43、及排出埠44。護罩移動機構43藉由使第1護罩41於受液位置與待避位置之間在上下方向上移動，而將接收來自基板9之處理液之護罩於第1護罩41與第2護罩42之間進行切換。第1護罩41內及第2護罩42內之氣體係經由排出埠44排出。又，於相較保持基座部311之更下方，設置有自基座支持部314擴展至直徑方向外側之大致圓環狀之下部突出部315。下部突出部315係於第1護罩41位於待避位置之狀態下，朝向第1護罩頂蓋部412之內周緣。
可藉由設置下部突出部315，而於第1護罩41位於待避位置之狀態下，將第1護罩內空間410自第2護罩內空間420實質性地隔離，從而抑制第1護罩41與第2護罩42之間之氣體流動。藉此，抑制包含第1處理液(例如，聚合物去除液或蝕刻液等藥液)之霧等之第1護罩內空間410內之氛圍朝向第2護罩內空間420流入。其結果，可抑制第1處理液之霧等附著於接收第2處理液(例如，用於基板9之洗淨處理之洗淨液)之第2護罩42之內面將第2護罩42污染，從而可較佳地進行第2處理液對基板9之處理。
如上所述，頂板5之外徑係大於保持基座部311之外徑。藉此，便可容易地維持處理空間90被所期望之處理氛圍用氣體充滿之狀態。又，下部突出部315之外徑係大於保持基座部311之外徑且為頂板5之外徑以下。藉此，於第1護罩41位於待避位置之狀態下，可進一步抑制第1護罩41與第2護罩42之間之氣體流動。
進而，頂板5具備與基板9之上表面91對向之大致 圓環板狀之對向構件頂蓋部511、及自對向構件頂蓋部511之外周部擴展至下方之大致圓筒狀之對向構件側壁部512。對向構件側壁部512之下端係相較保持基座部311之上表面位於更下方，或者位於與保持基座部311之上表面在上下方向上相同之位置。藉此，可抑制處理空間90之周圍之空間(即，處理空間90之徑方向外側之空間)之氛圍侵入至被所期望之處理氛圍用氣體充滿之處理空間90。
如上所述，氣體供給部73係對保持部下方間隙310供給沖洗氣體，形成自保持部下方間隙310之中央部朝向直徑方向外側之沖洗氣體之氣流之沖洗氣體供給部。又，下部突出部315係設置於基座支持部314。藉此，於第1護罩41位於受液位置之狀態、及位於待避位置之狀態之兩狀態下，自保持部下方間隙310流向直徑方向外側之沖洗氣體沿著下部突出部315之下表面被導入第1護罩內空間410。因此，可抑制用以將旋轉軸331密閉之沖洗氣體朝向相對清潔之第2護罩內空間420流入。其結果，可抑制接收第2處理液(例如，用於基板9之洗淨處理之洗淨液)之第2護罩42被沖洗氣體污染，從而可較佳地進行第2處理液對基板9之處理。
圖7係表示本發明之第2實施形態之基板處理裝置1a之剖面圖。基板處理裝置1a係除了於與圖1所示之下部突出部315不同之位置設置下部突出部315a之方面以外，具備與圖1所示之基板處理裝置1大體上相同之構成。於以下之說明中，對於基板處理裝置1a之構成中之與基板處理裝置1相同之構成標註同一符號。圖7係表示頂板5位於上述第2位置，且第1護罩41位於待避位置之狀態。
於基板處理裝置1a中，下部突出部315a係以中心軸J1為中心之大致圓環狀之構件，且自旋轉機構收容部34之側面擴展至直徑方向外側。下部突出部315a係於相較保持基座部311更下方，與保持基座部311隔開地設置。下部突出部315a之外徑係大於保持基座部311之外徑且為頂板5之外徑以下。於圖7所示之例中，下部突出部315a係自旋轉機構收容部34之上端部擴展至直徑方向外側。下部突出部315a之上表面係隨著朝向直徑方向外側而朝向下方之傾斜面。
如圖7所示，於第1護罩41位於待避位置之狀態下，自旋轉機構收容部34向直徑方向外側擴展之下部突出部315a朝向第1護罩頂蓋部412之內周緣。下部突出部315a之外周緣與第1護罩頂蓋部412之內周緣係位於上下方向之大體相同之位置，且隔著略微之間隙於直徑方向上對向。基板處理裝置1a中之基板9之處理流程係與基板處理裝置1中之基板9之處理流程相同。
基板處理裝置1a可藉由設置下部突出部315a，而於第1護罩41位於待避位置之狀態下，將第1護罩內空間410自第2護罩內空間420實質性地隔離，從而抑制第1護罩41與第2護罩42之間之氣體流動。藉此，便可抑制包含第1處理液(例如，聚合物去除液或蝕刻液等之藥液)之霧等之第1護罩內空間410內之氛圍向第2護罩內空間420流入。其結果，可抑制第1處理液之霧等附著於接收第2處理液(例如，用於基板9之洗淨處理之洗淨液)之第2護罩42之內面導致第2護罩42被污染，從而可較佳地進行第2處理液對基板9之處理。
如上所述，頂板5之外徑係大於保持基座部311之外 徑。藉此，便可容易地維持處理空間90被所期望之處理氛圍用氣體充滿之狀態。又，下部突出部315a之外徑係大於保持基座部311之外徑且為頂板5之外徑以下。藉此，可於第1護罩41位於待避位置之狀態下，更進一步抑制第1護罩41與第2護罩42之間之氣體流動。
圖8係表示本發明之第3實施形態之基板處理裝置1b之剖面圖。基板處理裝置1b係除了取代圖1所示之基板保持部31而具有與基板保持部31不同之結構之基板保持部31a之方面以外，具有與圖1所示之基板處理裝置1大體相同之構成。於以下之說明中，對於基板處理裝置1b之構成中與基板處理裝置1相同之構成標註相同符號。圖8係表示頂板5位於上述第2位置，且第1護罩41位於待避位置之狀態。
如圖8所示，基板保持部31a具有保持基座部311a、數個夾盤312、數個卡合部313、及基座支持部314。保持基座部311a具有基座本體部316、及基座側壁部317。基座本體部316係以中心軸J1為中心之大致圓板狀之構件，且於上表面上設置有數個夾盤312及數個卡合部313。基座側壁部317係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之構件，且自基座本體部316之外周部擴展至下方。基座側壁部317係於基座支持部314之周圍自基座支持部314於直徑方向外側隔開地配置。
基板處理裝置1b可藉由基座本體部316遍及周方向之整周地相較基座支持部314擴展至直徑方向更外側，而容易地將數個夾盤312及數個卡合部313配置於保持基座部311a上，並且實現因基座支持部314小徑化而基板保持部31a重量下降。其結 果，可減輕使基板保持部31a旋轉之基板旋轉機構33所受之負荷。
如圖8所示，於頂板5位於第2位置之狀態下，對向構件側壁部512之下端相較基板保持部31a之保持基座部311a之上表面位於更下方，或者位於與保持基座部311a之上表面在上下方向上相同之位置。於第1護罩41位於待避位置之狀態下，第1護罩頂蓋部412之內周緣與基座側壁部317之外側面(即，保持基座部311a之外側面)於直徑方向上對向。基板處理裝置1b中之基板9之處理流程係與基板處理裝置1中之基板9之處理流程相同。
基板處理裝置1b可藉由第1護罩頂蓋部412之內周緣與保持基座部311a之外側面於直徑方向上對向，而於第1護罩41位於待避位置之狀態下，將第1護罩內空間410自第2護罩內空間420實質性地隔離，從而抑制第1護罩41與第2護罩42之間之氣體流動。藉此，便可抑制包含第1處理液(例如，聚合物去除液或蝕刻液等之藥液)之霧等第1護罩內空間410內之氛圍向第2護罩內空間420流入。其結果，可抑制第1處理液之霧等附著於接收第2處理液(例如，用於基板9之洗淨處理之洗淨液)之第2護罩42之內面導致第2護罩42之污染，從而可較佳地進行第2處理液對基板9之處理。
上述基板處理裝置1、1a、1b可進行各種變更。
例如，杯部4不僅可設置第1護罩41及第2護罩42，而且可設置配置於第2護罩42之周圍之1個或數個護罩。亦於該情形時，與上述同樣地，將接收來自基板9之處理液之護罩於包含第1護罩41及第2護罩42之數個護罩之間進行切換。
圖1及圖7所示之基板處理裝置1、1a亦可無需頂板 5之對向構件本體51具備對向構件側壁部512，且對向構件頂蓋部511可為對向構件本體51。又，下部突出部315、315a之外徑既可為保持基座部311之外徑以下，或者亦可大於頂板5之外徑。
上述實施形態及各變形例中之構成只要不相互矛盾便可適當地進行組合。
已對發明詳細描述地進行了說明，但已述之說明係為例示者而並非限定性者。因此，只要不脫離本發明之範圍，大量之變形或樣態皆為可能。
1‧‧‧基板處理裝置
4‧‧‧杯部
5‧‧‧頂板
9‧‧‧基板
11‧‧‧殼體
31‧‧‧基板保持部
33‧‧‧基板旋轉機構
41‧‧‧第1護罩
42‧‧‧第2護罩
43‧‧‧護罩移動機構
44‧‧‧排出埠
54‧‧‧對向構件開口
56‧‧‧噴嘴間隙
61‧‧‧對向構件保持部
62‧‧‧對向構件升降機構
71‧‧‧處理液噴嘴
90‧‧‧處理空間
91‧‧‧(基板之)上表面
310‧‧‧保持部下方間隙
311‧‧‧保持基座部
312‧‧‧夾盤
313‧‧‧卡合部
314‧‧‧基座支持部
315‧‧‧下部突出部
410‧‧‧第1護罩內空間
412‧‧‧第1護罩頂蓋部
420‧‧‧第2護罩內空間
421‧‧‧第2護罩側壁部
422‧‧‧第2護罩頂蓋部
J1‧‧‧中心軸

Claims (6)

  1. 一種基板處理裝置，其係處理基板者，且具備：基板保持部，其係於水平狀態下保持基板；對向構件，其係藉由上述基板保持部保持，且與上述基板之上表面對向，並且於中央部設置有對向構件開口；基板旋轉機構，其係配置於上述基板保持部之下方，以朝向上下方向之中心軸為中心，使上述基板及上述對向構件與上述基板保持部一同地旋轉；旋轉機構收容部，其係於上述基板保持部之下方收容上述基板旋轉機構；處理液供給部，其係經由上述對向構件開口，對上述基板之上述上表面供給處理液；及杯部，其係配置於上述基板保持部之周圍，接收來自上述基板之處理液；上述基板保持部具備：基座支持部；圓板狀之保持基座部，其係由上述基座支持部自下方支持，並且相較上述基座支持部擴展至直徑方向更外側；數個夾盤，其等配置於上述保持基座部之上表面，支持上述基板；及對向構件支持部，其係於上述保持基座部之上述上表面，相較上述數個夾盤配置於直徑方向更外側，且支持上述對向構件；上述杯部具備：第1護罩，其具有圓筒狀之第1護罩側壁部、及自上述第1護罩 側壁部之上端部擴展至直徑方向內側之圓環板狀之第1護罩頂蓋部；第2護罩，其具有相較上述第1護罩側壁部位於直徑方向更外側之圓筒狀之第2護罩側壁部、及於相較上述第1護罩頂蓋部之更上方自上述第2護罩側壁部之上端部擴展至直徑方向內側之圓環板狀之第2護罩頂蓋部；護罩移動機構，其係使上述第1護罩於接收來自上述基板之處理液之受液位置與相較上述受液位置更下方之待避位置之間沿上述上下方向移動，藉此，於上述第1護罩與上述第2護罩之間切換接收來自上述基板之處理液之護罩；及排出埠，其係將上述第1護罩內及上述第2護罩內之氣體排出；上述第1護罩頂蓋部之內徑及上述第2護罩頂蓋部之內徑係大於上述保持基座部之外徑及上述對向構件之外徑，且設置有圓環狀之下部突出部，該圓環狀之下部突出部係位於相較上述保持基座部之更下方，自上述基座支持部或上述旋轉機構收容部擴展至直徑方向外側，且於上述第1護罩位於上述待避位置之狀態下朝向上述第1護罩頂蓋部之內周緣。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其更具備對上述基板保持部之上述基座支持部與上述旋轉機構收容部之間之空間供給沖洗氣體，形成自中央部朝向直徑方向外側之氣流之沖洗氣體供給部，且上述下部突出部係設置於上述基座支持部。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述對向構件之外徑係大於上述保持基座部之外徑，上述下部突出部之外徑係大於上述保持基座部之外徑且為上述 對向構件之外徑以下。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述對向構件之外徑係大於上述保持基座部之外徑，上述下部突出部之外徑係大於上述保持基座部之外徑且為上述對向構件之外徑以下。
  5. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中，上述對向構件具備：圓環板狀之對向構件頂蓋部，其係與上述基板之上述上表面對向，並且於中央部設置有上述對向構件開口；及圓筒狀之對向構件側壁部，其係自上述對向構件頂蓋部之外周部擴展至下方；上述對向構件側壁部之下端係相較上述保持基座部之上述上表面位於更下方，或者位於與上述保持基座部之上述上表面於上述上下方向上相同之位置。
  6. 一種基板處理裝置，其係處理基板者，且具備：基板保持部，其係於水平狀態下保持基板；對向構件，其係藉由上述基板保持部保持，且與上述基板之上表面對向，並且於中央部設置有對向構件開口；基板旋轉機構，其係配置於上述基板保持部之下方，以朝向上下方向之中心軸為中心，使上述基板與上述基板保持部一同地旋轉；處理液供給部，其係經由上述對向構件開口，對上述基板之上述上表面供給處理液；及杯部，其係配置於上述基板保持部之周圍，接收來自上述基板之處理液； 上述基板保持部具備：保持基座部；數個夾盤，其等配置於上述保持基座部之上表面，支持上述基板；及對向構件支持部，其係於上述保持基座部之上述上表面，相較上述數個夾盤配置於直徑方向更外側，且支持上述對向構件；上述杯部具備：第1護罩，其具有圓筒狀之第1護罩側壁部、及自上述第1護罩側壁部之上端部擴展至直徑方向內側之圓環板狀之第1護罩頂蓋部；第2護罩，其具有相較上述第1護罩側壁部位於直徑方向更外側之圓筒狀之第2護罩側壁部、及於相較上述第1護罩頂蓋部之更上方自上述第2護罩側壁部之上端部擴展至直徑方向內側之圓環板狀之第2護罩頂蓋部；護罩移動機構，其係使上述第1護罩於接收來自上述基板之處理液之受液位置與相較上述受液位置更下方之待避位置之間沿上述上下方向移動，藉此，於上述第1護罩與上述第2護罩之間切換接收來自上述基板之處理液之護罩；及排出埠，其係將上述第1護罩內及上述第2護罩內之氣體排出；上述對向構件具備：圓環板狀之對向構件頂蓋部，其係與上述基板之上述上表面對向，並且於中央部設置有上述對向構件開口；及圓筒狀之對向構件側壁部，其係自上述對向構件頂蓋部之外周部擴展至下方； 上述第1護罩頂蓋部之內徑及上述第2護罩頂蓋部之內徑係大於上述保持基座部之外徑及上述對向構件之外徑，上述對向構件側壁部之下端係相較上述保持基座部之上述上表面位於更下方，或者位於與上述保持基座部之上述上表面於上述上下方向上相同之位置，且於上述第1護罩位於上述待避位置之狀態下，上述第1護罩頂蓋部之內周緣與上述保持基座部之外側面於直徑方向上對向。
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