KR20160140461A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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미치노리 이와오
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판 처리 장치에서는, 복수의 척 및 복수의 걸어맞춤부는, 베이스 지지부보다 직경 방향 외방으로 확대되는 유지 베이스부의 상면에 배치되고, 복수의 걸어맞춤부는 복수의 척보다 직경 방향 외측에 위치한다. 대략 원환상의 하부 돌출부는, 유지 베이스부보다 하방에 있어서 베이스 지지부로부터 직경 방향 외방으로 확대된다. 컵부에서는, 가드 이동 기구가 제 1 가드를 수액 위치와 대피 위치 사이에서 상하 방향으로 이동시킴으로써, 기판으로부터의 처리액을 받는 가드를 제 1 가드와 제 2 가드 사이에서 전환한다. 하부 돌출부는, 제 1 가드가 대피 위치에 위치하는 상태에서는, 제 1 가드 천개부의 내주 가장자리를 향한다. 이로써, 제 1 가드와 제 2 가드 사이의 가스의 흐름을 억제할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 기판 (이하, 간단히 「기판」이라고 한다) 의 제조 공정에서는, 기판에 대해 여러 가지 처리가 실시된다. 예를 들어, 표면 상에 레지스트의 패턴이 형성된 기판 상에 약액을 공급함으로써, 기판의 표면에 대해 에칭 등의 약액 처리가 실시된다. 또, 약액 처리의 종료 후, 기판 상에 세정액이 공급되어 세정 처리가 실시되고, 그 후, 기판의 건조 처리가 실시된다.
예를 들어, 일본 특허 제3621568호 (문헌 1) 의 기판 세정 장치에서는, 웨이퍼를 수평으로 유지하는 스핀 척 상에 덮개 부재가 재치 (載置) 되고, 웨이퍼와 함께 회전한다. 기판의 세정 처리시에는, 먼저, 덮개 부재의 상방으로 이간되어 배치된 상측 노즐로부터, 덮개 부재의 회전 중심에 형성된 개구를 통하여, 회전 중인 기판 상에 세정액이 공급된다. 세정액으로는, 불산, 염산, 황산, 인산, 암모니아, 과산화수소수 등이 이용된다. 계속해서, 당해 상측 노즐로부터 회전 중인 기판 상에 순수가 공급됨으로써, 기판에 부착되어 있는 세정액이 씻겨 내려간다. 그 후, 기판의 건조 처리시에는, 상기 상측 노즐로부터 질소 (N2) 가스가 토출되어, 덮개 부재의 개구를 통하여 웨이퍼 상에 공급된다. 이로써, 덮개 부재와 웨이퍼 사이의 공간에 있어서의 산소 농도를 저하시켜, 기판의 건조를 촉진시킬 수 있다.
일본 공개특허공보 2011-254019호 (문헌 2) 의 기판 처리 장치에서는, 기판을 유지하는 재치대의 주위에, 회전하는 기판으로부터 비산되는 액체를 받는 액체 안내 상부컵, 액체 안내 중앙컵 및 액체 안내 하부컵을 구비한다. 이들 컵은 각각 상하 방향으로 이동 가능하다. 각 컵은 원통상의 연직부와, 당해 연직부의 상단 (上端) 으로부터 직경 방향 내방으로 확대되는 경사부를 구비한다. 또, 재치대의 하부에는, 재치대와 일체적으로 고정되어 기판의 외주 가장자리보다 직경 방향 외방으로 확대되는 지지 돌기부가 형성된다. 당해 기판 처리 장치에서는, 기판으로부터 비산되는 액체의 종류가 변화되면, 기판으로부터의 액체를 받는 컵이, 액체 안내 상부컵, 액체 안내 중앙컵 및 액체 안내 하부컵 사이에서 전환된다. 기판으로부터의 액체를 액체 안내 상부컵 또는 액체 안내 중앙컵에 의해 받는 경우, 액체 안내 하부컵의 경사부의 내주 가장자리부는, 재치대의 하부의 지지 돌기부에 접한다. 이로써, 액체 안내 하부컵의 내측의 분위기가 상승되어, 액체 안내 상부컵 및 액체 안내 중앙컵의 내측으로 침입되는 것이 억제된다.
그런데, 문헌 1 의 기판 세정 장치에서는, 스핀 척이 기판의 외주 가장자리부를 지지하는 척보다 직경 방향 외방까지 확대되어, 당해 척보다 직경 방향 외측에서 덮개 부재를 지지한다. 이 때문에, 스핀 척이 직경 방향으로 대형화되어, 스핀 척을 회전시키는 회전 기구에 가해지는 부하가 증대된다.
그래서, 회전 기구에 가해지는 부하를 경감시키기 위해서, 스핀 척의 상부 (즉, 상면 근방의 부위) 의 형상은 유지하고, 스핀 척의 하부의 외경을 작게 하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 문헌 2 의 기판 처리 장치에 있어서, 재치대의 하부의 외경을 작게 하면, 기판으로부터의 액체를 액체 안내 상부컵 또는 액체 안내 중앙컵에 의해 받는 경우, 액체 안내 하부컵의 경사부의 내주 가장자리가, 재치대의 하부의 지지 돌기부로부터 직경 방향 외방으로 이간된다. 이로써, 액체 안내 하부컵의 내측의 분위기가 상승되고, 액체 안내 상부컵 또는 액체 안내 중앙컵의 내측으로 침입하여, 상이한 종류의 처리액의 분위기가 혼합되게 된다. 또, 액체 안내 하부컵의 내측의 분위기가 상승하지 않도록, 액체 안내 상부컵 또는 액체 안내 중앙컵 내의 분위기의 흡인을 억제하면, 각 컵에 있어서의 흡인의 강도의 균일성이 저하된다.
본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 적합한 것으로서, 복수의 가드를 구비하는 컵부에 있어서, 가드 사이의 가스의 흐름을 억제하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명에 관련된 하나의 기판 처리 장치는, 수평 상태에서 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부에 의해 유지되어 상기 기판의 상면에 대향함과 함께 중앙부에 대향 부재 개구가 형성되는 대향 부재와, 상기 기판 유지부의 하방에 배치되어 상하 방향을 향하는 중심축을 중심으로 하여 상기 기판 및 상기 대향 부재를 상기 기판 유지부와 함께 회전시키는 기판 회전 기구와, 상기 기판 유지부의 하방에서 상기 기판 회전 기구를 수용하는 회전 기구 수용부와, 상기 대향 부재 개구를 통하여 상기 기판의 상기 상면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 기판 유지부의 주위에 배치되어 상기 기판으로부터의 처리액을 받는 컵부를 구비하고, 상기 기판 유지부는, 베이스 지지부와, 상기 베이스 지지부에 의해 하방으로부터 지지됨과 함께 상기 베이스 지지부보다 직경 방향 외방으로 확대되는 원판상의 유지 베이스부와, 상기 유지 베이스부의 상면에 배치되어 상기 기판을 지지하는 복수의 척과, 상기 유지 베이스부의 상기 상면에 있어서 상기 복수의 척보다 직경 방향 외측에 배치되어 상기 대향 부재를 지지하는 대향 부재 지지부를 구비하고, 상기 컵부는, 원통상의 제 1 가드 측벽부 및 상기 제 1 가드 측벽부의 상단부로부터 직경 방향 내방으로 확대되는 원환판상의 제 1 가드 천개부 (天蓋部) 를 갖는 제 1 가드와, 상기 제 1 가드 측벽부보다 직경 방향 외측에 위치하는 원통상의 제 2 가드 측벽부 및 상기 제 1 가드 천개부보다 상방에서 상기 제 2 가드 측벽부의 상단부로부터 직경 방향 내방으로 확대되는 원환판상의 제 2 가드 천개부를 갖는 제 2 가드와, 상기 제 1 가드를 상기 기판으로부터의 처리액을 받는 수액 (受液) 위치와 상기 수액 위치보다 하방의 대피 위치 사이에서 상기 상하 방향으로 이동시킴으로써, 상기 기판으로부터의 처리액을 받는 가드를 상기 제 1 가드와 상기 제 2 가드 사이에서 전환하는 가드 이동 기구와, 상기 제 1 가드 내 및 상기 제 2 가드 내의 가스가 배출되는 배출 포트를 구비하고, 상기 제 1 가드 천개부의 내경 및 상기 제 2 가드 천개부의 내경은, 상기 유지 베이스부의 외경 및 상기 대향 부재의 외경보다 크고, 상기 유지 베이스부보다 하방에 있어서 상기 베이스 지지부 또는 상기 회전 기구 수용부로부터 직경 방향 외방으로 확대되고, 상기 제 1 가드가 상기 대피 위치에 위치하는 상태에서는 상기 제 1 가드 천개부의 내주 가장자리를 향하는 원환상의 하부 돌출부가 형성된다. 당해 기판 처리 장치에 의하면, 복수의 가드를 구비하는 컵부에 있어서, 가드 사이의 가스의 흐름을 억제할 수 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 실시형태에서는, 상기 기판 유지부의 상기 베이스 지지부와 상기 회전 기구 수용부 사이의 공간에 퍼지 가스를 공급하고, 중앙부로부터 직경 방향 외방을 향하는 기류를 형성하는 퍼지 가스 공급부를 추가로 구비하고, 상기 하부 돌출부가 상기 베이스 지지부에 형성된다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에서는, 상기 대향 부재의 외경이 상기 유지 베이스부의 외경보다 크고, 상기 하부 돌출부의 외경이 상기 유지 베이스부의 외경보다 크고, 또한, 상기 대향 부재의 외경 이하이다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에서는, 상기 대향 부재는, 상기 기판의 상기 상면에 대향함과 함께 중앙부에 상기 대향 부재 개구가 형성되는 원환판상의 대향 부재 천개부와, 상기 대향 부재 천개부의 외주부로부터 하방으로 확대되는 원통상의 대향 부재 측벽부를 구비하고, 상기 대향 부재 측벽부의 하단은, 상기 유지 베이스부의 상기 상면보다 하방, 또는, 상기 유지 베이스부의 상기 상면과 상기 상하 방향에 관해서 동일한 위치에 위치한다.
본 발명에 관련된 다른 기판 처리 장치는, 수평 상태에서 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부에 유지되어 상기 기판의 상면에 대향함과 함께 중앙부에 대향 부재 개구가 형성되는 대향 부재와, 상기 기판 유지부의 하방에 배치되어 상하 방향을 향하는 중심축을 중심으로 하여 상기 기판을 상기 기판 유지부와 함께 회전시키는 기판 회전 기구와, 상기 대향 부재 개구를 통하여 상기 기판의 상기 상면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 기판 유지부의 주위에 배치되어 상기 기판으로부터의 처리액을 받는 컵부를 구비하고, 상기 기판 유지부는, 유지 베이스부와, 상기 유지 베이스부의 상면에 배치되어 상기 기판을 지지하는 복수의 척과, 상기 유지 베이스부의 상기 상면에 있어서 상기 복수의 척보다 직경 방향 외측에 배치되어 상기 대향 부재를 지지하는 대향 부재 지지부를 구비하고, 상기 컵부는, 원통상의 제 1 가드 측벽부 및 상기 제 1 가드 측벽부의 상단부로부터 직경 방향 내방으로 확대되는 원환판상의 제 1 가드 천개부를 갖는 제 1 가드와, 상기 제 1 가드 측벽부보다 직경 방향 외측에 위치하는 원통상의 제 2 가드 측벽부 및 상기 제 1 가드 천개부보다 상방에서 상기 제 2 가드 측벽부의 상단부로부터 직경 방향 내방으로 확대되는 원환판상의 제 2 가드 천개부를 갖는 제 2 가드와, 상기 제 1 가드를 상기 기판으로부터의 처리액을 받는 수액 위치와 상기 수액 위치보다 하방의 대피 위치 사이에서 상기 상하 방향으로 이동시킴으로써, 상기 기판으로부터의 처리액을 받는 가드를 상기 제 1 가드와 상기 제 2 가드 사이에서 전환하는 가드 이동 기구와, 상기 제 1 가드 내 및 상기 제 2 가드 내의 가스가 배출되는 배출 포트를 구비하고, 상기 대향 부재는, 상기 기판의 상기 상면에 대향함과 함께 중앙부에 상기 대향 부재 개구가 형성되는 원환판상의 대향 부재 천개부와, 상기 대향 부재 천개부의 외주부로부터 하방으로 확대되는 원통상의 대향 부재 측벽부를 구비하고, 상기 제 1 가드 천개부의 내경 및 상기 제 2 가드 천개부의 내경은, 상기 유지 베이스부의 외경 및 상기 대향 부재의 외경보다 크고, 상기 대향 부재 측벽부의 하단은, 상기 유지 베이스부의 상기 상면보다 하방, 또는, 상기 유지 베이스부의 상기 상면과 상기 상하 방향에 관해서 동일한 위치에 위치하고, 상기 제 1 가드가 상기 대피 위치에 위치하는 상태에서는, 상기 제 1 가드 천개부의 내주 가장자리가, 상기 유지 베이스부의 외측면과 직경 방향으로 대향한다. 당해 기판 처리 장치에 의하면, 복수의 가드를 구비하는 컵부에 있어서, 가드 사이의 가스의 흐름을 억제할 수 있다.
본 발명의 이들 및 다른 목적들, 특징들, 양태들 및 이점들은 첨부하는 도면들과 함께 취해질 때 본 발명의 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 분명해질 것이다.
도 1 은, 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 2 는, 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3 은, 기액 공급부를 나타내는 블록도이다.
도 4 는, 처리액 노즐의 일부를 확대하여 나타내는 단면도이다.
도 5 는, 기판의 처리의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 6 은, 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 7 은, 제 2 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 8 은, 제 3 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 구성을 나타내는 단면도이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 반도체 기판 (9) (이하, 간단히 「기판 (9)」이라고 한다) 을 1 장씩 처리하는 매엽식의 장치이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 기판 유지부 (31) 와, 기판 회전 기구 (33) 와, 컵부 (4) 와, 탑 플레이트 (5) 와, 대향 부재 이동 기구 (6) 와, 처리액 노즐 (71) 을 구비하고, 이들 구성은 하우징 (11) 의 내부에 수용된다.
기판 유지부 (31) 는, 수평 상태에서 기판 (9) 을 유지한다. 기판 유지부 (31) 는, 유지 베이스부 (311) 와, 복수의 척 (312) 과, 복수의 걸어맞춤부 (313) 와, 베이스 지지부 (314) 와, 하부 돌출부 (315) 를 구비한다. 기판 (9) 은, 유지 베이스부 (311) 의 상방에 배치된다. 유지 베이스부 (311) 및 베이스 지지부 (314) 는 각각, 상하 방향을 향하는 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원판상의 부재이다. 유지 베이스부 (311) 는, 베이스 지지부 (314) 의 상방에 배치되고, 베이스 지지부 (314) 에 의해 하방으로부터 지지된다. 유지 베이스부 (311) 의 외경은, 베이스 지지부 (314) 의 외경보다 크다. 유지 베이스부 (311) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 둘레 방향의 전체 둘레에 걸쳐, 베이스 지지부 (314) 보다 직경 방향 외방으로 확대된다. 유지 베이스부 (311) 는, 예를 들어, 비교적 높은 내약품성을 갖는 불소 수지에 의해 형성된다. 베이스 지지부 (314) 는, 예를 들어, 비교적 경량 또한 고강도의 염화비닐에 의해 형성된다.
하부 돌출부 (315) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환상의 부재이고, 베이스 지지부 (314) 의 측면으로부터 직경 방향 외방으로 확대된다. 하부 돌출부 (315) 는, 유지 베이스부 (311) 보다 하방에 있어서, 유지 베이스부 (311) 로부터 이간되어 형성된다. 하부 돌출부 (315) 의 외경은, 유지 베이스부 (311) 의 외경보다 크고, 또한, 탑 플레이트 (5) 의 외경 이하이다. 도 1 에 나타내는 예에서는, 하부 돌출부 (315) 는, 베이스 지지부 (314) 의 하단부로부터 직경 방향 외방으로 확대된다. 하부 돌출부 (315) 의 상면 및 하면은 각각, 직경 방향 외방을 향함에 따라 하방을 향하는 경사면이다.
복수의 척 (312) 은, 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 대략 등각도 간격으로, 유지 베이스부 (311) 의 상면의 외주부에 둘레 방향에 배치된다. 기판 유지부 (31) 에서는, 복수의 척 (312) 에 의해, 기판 (9) 의 외연부가 지지된다. 각 척 (312) 을 구동시키는 구조는, 베이스 지지부 (314) 의 내부에 형성된다. 복수의 걸어맞춤부 (313) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 대략 등각도 간격으로, 유지 베이스부 (311) 의 상면의 외주부에 둘레 방향에 배치된다. 복수의 걸어맞춤부 (313) 는, 복수의 척 (312) 보다 직경 방향 외측에 배치된다.
기판 회전 기구 (33) 는, 회전 기구 수용부 (34) 의 내부에 수용된다. 기판 회전 기구 (33) 및 회전 기구 수용부 (34) 는, 기판 유지부 (31) 의 하방에 배치된다. 기판 회전 기구 (33) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 기판 (9) 을 기판 유지부 (31) 와 함께 회전시킨다.
회전 기구 수용부 (34) 는, 기판 회전 기구 (33) 의 상방을 덮는 대략 원환판상의 상면 (341) 과, 기판 회전 기구 (33) 의 측방을 덮는 대략 원통상의 측면 (342) 을 구비한다. 회전 기구 수용부 (34) 의 상면 (341) 의 중앙부에는, 기판 회전 기구 (33) 의 회전축 (331) 이 삽입되는 개구가 형성된다. 회전축 (331) 은, 베이스 지지부 (314) 의 하면에 접속된다. 회전 기구 수용부 (34) 의 상면 (341) 은, 회전축 (331) 으로부터 직경 방향으로 이간되어 직경 방향 외방으로 확대된다. 회전 기구 수용부 (34) 의 상면 (341) 은, 간극을 개재하여 베이스 지지부 (314) 의 하면과 상하 방향으로 대향한다. 이하의 설명에서는, 당해 간극, 즉, 회전 기구 수용부 (34) 의 상면 (341) 과 베이스 지지부 (314) 의 하면 사이의 공간을 「유지부 하방 간극 (310)」이라고 한다.
컵부 (4) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 환상의 부재로, 기판 (9) 및 기판 유지부 (31) 의 직경 방향 외측에 배치된다. 컵부 (4) 는, 기판 (9) 및 기판 유지부 (31) 의 주위의 전체 둘레에 걸쳐 배치되고, 기판 (9) 으로부터 주위를 향하여 비산되는 처리액 등을 받는다. 컵부 (4) 는, 제 1 가드 (41) 와, 제 2 가드 (42) 와, 가드 이동 기구 (43) 와, 배출 포트 (44) 를 구비한다.
제 1 가드 (41) 는, 제 1 가드 측벽부 (411) 와, 제 1 가드 천개부 (412) 를 갖는다. 제 1 가드 측벽부 (411) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상이다. 제 1 가드 천개부 (412) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환판상으로, 제 1 가드 측벽부 (411) 의 상단부로부터 직경 방향 내방으로 확대된다. 제 2 가드 (42) 는, 제 2 가드 측벽부 (421) 와, 제 2 가드 천개부 (422) 를 갖는다. 제 2 가드 측벽부 (421) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상으로, 제 1 가드 측벽부 (411) 보다 직경 방향 외측에 위치한다. 제 2 가드 천개부 (422) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환판상으로, 제 1 가드 천개부 (412) 보다 상방에서 제 2 가드 측벽부 (421) 의 상단부로부터 직경 방향 내방으로 확대된다.
제 1 가드 천개부 (412) 의 내경 및 제 2 가드 천개부 (422) 의 내경은, 기판 유지부 (31) 의 유지 베이스부 (311) 의 외경 및 탑 플레이트 (5) 의 외경보다 약간 크다. 제 1 가드 천개부 (412) 의 상면 및 하면은 각각, 직경 방향 외방을 향함에 따라 하방을 향하는 경사면이다. 제 2 가드 천개부 (422) 의 상면 및 하면도 각각, 직경 방향 외방을 향함에 따라 하방을 향하는 경사면이다.
가드 이동 기구 (43) 는, 제 1 가드 (41) 를 상하 방향으로 이동시킴으로써, 기판 (9) 으로부터의 처리액 등을 받는 가드를 제 1 가드 (41) 와 제 2 가드 (42) 사이에서 전환한다. 컵부 (4) 의 제 1 가드 (41) 및 제 2 가드 (42) 에서 받아진 처리액 등은, 배출 포트 (44) 를 통하여 하우징 (11) 의 외부로 배출된다. 또, 제 1 가드 (41) 내 및 제 2 가드 (42) 내의 가스도 배출 포트 (44) 를 통하여 하우징 (11) 의 외부로 배출된다.
탑 플레이트 (5) 는, 평면에서 보았을 때 대략 원형의 부재이다. 탑 플레이트 (5) 는, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대향하는 대향 부재로, 기판 (9) 의 상방을 차폐하는 차폐판이다. 탑 플레이트 (5) 의 외경은, 기판 (9) 의 외경 및 유지 베이스부 (311) 의 외경보다 크다. 탑 플레이트 (5) 는, 대향 부재 본체 (51) 와, 피유지부 (52) 와, 복수의 걸어맞춤부 (53) 를 구비한다. 대향 부재 본체 (51) 는, 대향 부재 천개부 (511) 와, 대향 부재 측벽부 (512) 를 구비한다. 대향 부재 천개부 (511) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환판상의 부재로, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대향한다. 대향 부재 천개부 (511) 의 중앙부에는, 대향 부재 개구 (54) 가 형성된다. 대향 부재 개구 (54) 는, 예를 들어, 평면에서 보았을 때 대략 원형이다. 대향 부재 개구 (54) 의 직경은, 기판 (9) 의 직경에 비해 충분히 작다. 대향 부재 측벽부 (512) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상의 부재로, 대향 부재 천개부 (511) 의 외주부로부터 하방으로 확대된다.
복수의 걸어맞춤부 (53) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 대략 등각도 간격으로, 대향 부재 천개부 (511) 의 하면의 외주부에 둘레 방향에 배치된다. 복수의 걸어맞춤부 (53) 는, 대향 부재 측벽부 (512) 의 직경 방향 내측에 배치된다.
피유지부 (52) 는, 대향 부재 본체 (51) 의 상면에 접속된다. 피유지부 (52) 는, 대향 부재 통부 (521) 와, 대향 부재 플랜지부 (522) 를 구비한다. 대향 부재 통부 (521) 는, 대향 부재 본체 (51) 의 대향 부재 개구 (54) 의 주위로부터 상방으로 돌출되는 대략 통상의 부위이다. 대향 부재 통부 (521) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상이다. 대향 부재 플랜지부 (522) 는, 대향 부재 통부 (521) 의 상단부로부터 직경 방향 외방으로 환상으로 확대된다. 대향 부재 플랜지부 (522) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환판상이다.
대향 부재 이동 기구 (6) 는 대향 부재 유지부 (61) 와, 대향 부재 승강 기구 (62) 를 구비한다. 대향 부재 유지부 (61) 는, 탑 플레이트 (5) 의 피유지부 (52) 를 유지한다. 대향 부재 유지부 (61) 는 유지부 본체 (611) 와, 본체 지지부 (612) 와, 플랜지 지지부 (613) 와, 지지부 접속부 (614) 를 구비한다. 유지부 본체 (611) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원판상이다. 유지부 본체 (611) 는, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 플랜지부 (522) 의 상방을 덮는다. 본체 지지부 (612) 는, 대략 수평으로 연장되는 봉상의 아암이다. 본체 지지부 (612) 의 일방의 단부는 유지부 본체 (611) 에 접속되고, 타방의 단부는 대향 부재 승강 기구 (62) 에 접속된다.
유지부 본체 (611) 의 중앙부로부터는 처리액 노즐 (71) 이 하방으로 돌출된다. 처리액 노즐 (71) 은, 대향 부재 통부 (521) 에 비접촉 상태로 삽입된다. 이하의 설명에서는, 처리액 노즐 (71) 과 대향 부재 통부 (521) 사이의 공간을 「노즐 간극 (56)」이라고 칭한다.
플랜지 지지부 (613) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환판상이다. 플랜지 지지부 (613) 는, 대향 부재 플랜지부 (522) 의 하방에 위치한다. 플랜지 지지부 (613) 의 내경은, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 플랜지부 (522) 의 외경보다 작다. 플랜지 지지부 (613) 의 외경은, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 플랜지부 (522) 의 외경보다 크다. 지지부 접속부 (614) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상이다. 지지부 접속부 (614) 는, 플랜지 지지부 (613) 와 유지부 본체 (611) 를 대향 부재 플랜지부 (522) 의 주위에서 접속시킨다. 대향 부재 유지부 (61) 에서는, 유지부 본체 (611) 는 대향 부재 플랜지부 (522) 의 상면과 상하 방향으로 대향하는 유지부 상부이고, 플랜지 지지부 (613) 는 대향 부재 플랜지부 (522) 의 하면과 상하 방향으로 대향하는 유지부 하부이다.
도 1 에 나타내는 위치에 탑 플레이트 (5) 가 위치하는 상태에서는, 플랜지 지지부 (613) 는, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 플랜지부 (522) 의 외주부에 하측으로부터 접하여 지지한다. 바꾸어 말하면, 대향 부재 플랜지부 (522) 가, 대향 부재 이동 기구 (6) 의 대향 부재 유지부 (61) 에 의해 유지된다. 이로써, 탑 플레이트 (5) 가, 기판 (9) 및 기판 유지부 (31) 의 상방에서, 대향 부재 유지부 (61) 에 의해 매달린다. 이하의 설명에서는, 도 1 에 나타내는 탑 플레이트 (5) 의 상하 방향의 위치를 「제 1 위치」라고 한다. 탑 플레이트 (5) 는, 제 1 위치에서, 대향 부재 이동 기구 (6) 에 의해 유지되어 기판 유지부 (31) 로부터 상방으로 이간된다.
플랜지 지지부 (613) 에는, 탑 플레이트 (5) 의 위치 어긋남 (즉, 탑 플레이트 (5) 의 이동 및 회전) 을 제한하는 이동 제한부 (616) 가 형성된다. 도 1 에 나타내는 예에서는, 이동 제한부 (616) 는, 플랜지 지지부 (613) 의 상면으로부터 상방으로 돌출되는 돌기부이다. 이동 제한부 (616) 가, 대향 부재 플랜지부 (522) 에 형성된 구멍부에 삽입됨으로써, 탑 플레이트 (5) 의 위치 어긋남이 제한된다.
대향 부재 승강 기구 (62) 는, 탑 플레이트 (5) 를 대향 부재 유지부 (61) 와 함께 상하 방향으로 이동시킨다. 도 2 는, 탑 플레이트 (5) 가 도 1 에 나타내는 제 1 위치로부터 하강한 상태를 나타내는 단면도이다. 이하의 설명에서는, 도 2 에 나타내는 탑 플레이트 (5) 의 상하 방향의 위치를 「제 2 위치」라고 한다. 즉, 대향 부재 승강 기구 (62) 는, 탑 플레이트 (5) 를 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 기판 유지부 (31) 에 대해 상대적으로 상하 방향으로 이동시킨다. 제 2 위치는 제 1 위치보다 하방의 위치이다. 바꾸어 말하면, 제 2 위치는, 탑 플레이트 (5) 가 제 1 위치보다 상하 방향에 있어서 기판 유지부 (31) 에 근접하는 위치이다.
탑 플레이트 (5) 가 제 2 위치에 위치하는 상태에서는, 탑 플레이트 (5) 의 복수의 걸어맞춤부 (53) 가 각각, 기판 유지부 (31) 의 복수의 걸어맞춤부 (313) 와 걸어맞춰진다. 복수의 걸어맞춤부 (53) 는, 복수의 걸어맞춤부 (313) 에 의해 하방으로부터 지지된다. 바꾸어 말하면, 복수의 걸어맞춤부 (313) 는 탑 플레이트 (5) 를 지지하는 대향 부재 지지부이다. 예를 들어, 걸어맞춤부 (313) 는, 상하 방향으로 대략 평행한 핀으로, 걸어맞춤부 (313) 의 상단부가, 걸어맞춤부 (53) 의 하단부에 상향으로 형성된 오목부에 끼워 맞춘다. 또, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 플랜지부 (522) 는, 대향 부재 유지부 (61) 의 플랜지 지지부 (613) 로부터 상방으로 이간된다. 이로써, 탑 플레이트 (5) 는, 제 2 위치에서, 기판 유지부 (31) 에 의해 유지되어 대향 부재 이동 기구 (6) 로부터 이간된다 (즉, 대향 부재 이동 기구 (6) 와 비접촉 상태가 된다).
탑 플레이트 (5) 가 기판 유지부 (31) 에 의해 유지된 상태에서는, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 측벽부 (512) 의 하단이, 기판 유지부 (31) 의 유지 베이스부 (311) 의 상면보다 하방, 또는, 유지 베이스부 (311) 의 상면과 상하 방향에 관해서 동일한 위치에 위치한다. 탑 플레이트 (5) 가 제 2 위치에 위치하는 상태에서 기판 회전 기구 (33) 가 구동되면, 탑 플레이트 (5) 는, 기판 (9) 및 기판 유지부 (31) 와 함께 회전한다. 바꾸어 말하면, 탑 플레이트 (5) 가 제 2 위치에 위치하는 상태에서는, 탑 플레이트 (5) 는, 기판 회전 기구 (33) 에 의해 기판 (9) 및 기판 유지부 (31) 와 함께 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 회전 가능해진다.
도 3 은, 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 가스 및 처리액의 공급에 관련된 기액 공급부 (7) 를 나타내는 블록도이다. 기액 공급부 (7) 는, 처리액 노즐 (71) 과, 처리액 공급부 (72) 와, 가스 공급부 (73) 를 구비한다. 처리액 공급부 (72) 는 처리액 노즐 (71) 에 접속되고, 처리액 노즐 (71) 에 처리액을 공급한다. 가스 공급부 (73) 는 처리액 노즐 (71) 에 접속되고, 처리액 노즐 (71) 에 가스를 공급한다. 가스 공급부 (73) 는, 또, 회전 기구 수용부 (34) 에도 접속되고, 회전 기구 수용부 (34) 를 통하여 유지부 하방 간극 (310) 에 가스를 공급한다.
기판 처리 장치 (1) 에서는, 처리액으로서 여러 가지 종류의 액체가 이용된다. 처리액은, 예를 들어, 기판 (9) 의 약액 처리에 사용되는 약액 (폴리머 제거액, 불산이나 수산화테트라메틸암모늄 수용액 등의 에칭액 등) 이어도 된다. 처리액은, 예를 들어, 기판 (9) 의 세정 처리에 사용되는 순수 (DIW : deionized water) 나 탄산수 등의 세정액이어도 된다. 처리액은, 예를 들어, 기판 (9) 상의 액체를 치환하기 위해서 공급되는 이소프로필알코올 (IPA) 등이어도 된다. 가스 공급부 (73) 로부터 공급되는 가스는, 예를 들어, 질소 (N2) 가스 등의 불활성 가스이다. 가스 공급부 (73) 로부터는, 불활성 가스 이외의 여러 가지 가스가 공급되어도 된다.
도 4 는, 처리액 노즐 (71) 의 일부를 확대하여 나타내는 단면도이다. 처리액 노즐 (71) 은, 예를 들어, PFA (테트라플루오로에틸렌·퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체) 에 의해 형성된다. 처리액 노즐 (71) 의 내부에는, 처리액 유로 (716) 와, 2 개의 가스 유로 (717) 가 형성된다. 처리액 유로 (716) 는, 도 3 에 나타내는 처리액 공급부 (72) 에 접속된다. 2 개의 가스 유로 (717) 는, 도 3 에 나타내는 가스 공급부 (73) 에 접속된다.
처리액 공급부 (72) 로부터 도 4 에 나타내는 처리액 유로 (716) 에 공급된 처리액은, 처리액 노즐 (71) 의 하단면에 형성된 토출구 (716a) 로부터 하방에 토출된다. 처리액 노즐 (71) 로부터 복수 종류의 처리액이 토출되는 경우, 처리액 노즐 (71) 에는, 복수 종류의 처리액에 각각 대응하는 복수의 처리액 유로 (716) 가 형성되고, 복수 종류의 처리액은 각각 복수의 토출구 (716a) 로부터 토출되어도 된다.
가스 공급부 (73) 로부터 중앙의 가스 유로 (717) (도면 중의 우측의 가스 유로 (717)) 에 공급된 불활성 가스는, 처리액 노즐 (71) 의 하단면에 형성된 하면 분사구 (717a) 로부터 하방을 향하여 공급 (예를 들어, 분사) 된다. 가스 공급부 (73) 로부터 외주부의 가스 유로 (717) 에 공급된 불활성 가스는, 처리액 노즐 (71) 의 측면에 형성된 복수의 측면 분사구 (717b) 로부터 주위에 공급된다.
복수의 측면 분사구 (717b) 는 둘레 방향에 대략 등각도 간격으로 배열된다. 복수의 측면 분사구 (717b) 는, 외주부의 가스 유로 (717) 의 하단부로부터 둘레 방향으로 연장되는 둘레상 유로에 접속된다. 가스 공급부 (73) 로부터 공급된 불활성 가스는, 복수의 측면 분사구 (717b) 로부터, 대각선 하방을 향하여 공급 (예를 들어, 분사) 된다. 또한, 측면 분사구 (717b) 는 1 개만 형성되어도 된다.
처리액 공급부 (72) (도 3 참조) 로부터 공급된 처리액은, 처리액 노즐 (71) 의 토출구 (716a) 로부터, 도 2 에 나타내는 대향 부재 개구 (54) 를 통하여 기판 (9) 의 상면 (91) 을 향하여 토출된다. 바꾸어 말하면, 처리액 노즐 (71) 은, 처리액 공급부 (72) 로부터 공급된 처리액을, 대향 부재 개구 (54) 를 통하여 기판 (9) 의 상면 (91) 에 공급한다. 기판 처리 장치 (1) 에서는, 처리액 노즐 (71) 은, 대향 부재 본체 (51) 의 대향 부재 개구 (54) 로부터 하방으로 돌출되어도 된다. 바꾸어 말하면, 처리액 노즐 (71) 의 선단이, 대향 부재 개구 (54) 의 하단 가장자리보다 하방에 위치해도 된다. 처리액 공급부 (72) 로부터 공급된 처리액은, 처리액 노즐 (71) 내에서 대향 부재 개구 (54) 를 통하여 하방으로 흐르고, 처리액 노즐 (71) 의 토출구 (716a) (도 4 참조) 로부터 기판 (9) 의 상면 (91) 을 향하여 토출된다. 처리액이 대향 부재 개구 (54) 를 개재하여 공급된다는 경우, 대향 부재 개구 (54) 보다 상방에서 처리액 노즐 (71) 로부터 토출된 처리액이 대향 부재 개구 (54) 를 통과하는 상태뿐만 아니라, 대향 부재 개구 (54) 에 삽입된 처리액 노즐 (71) 을 통하여 처리액이 토출되는 상태도 포함한다.
가스 공급부 (73) (도 3 참조) 로부터 처리액 노즐 (71) 에 공급된 불활성 가스의 일부는, 처리액 노즐 (71) 의 하면 분사구 (717a) (도 4 참조) 로부터, 대향 부재 개구 (54) 를 통하여 탑 플레이트 (5) 와 기판 (9) 사이의 공간 (이하, 「처리 공간 (90)」이라고 한다) 에 공급된다. 또, 가스 공급부 (73) 로부터 처리액 노즐 (71) 에 공급된 불활성 가스의 일부는, 처리액 노즐 (71) 의 복수의 측면 분사구 (717b) (도 4 참조) 로부터 노즐 간극 (56) 에 공급된다. 노즐 간극 (56) 에서는, 가스 공급부 (73) 로부터의 불활성 가스가, 처리액 노즐 (71) 의 측면으로부터 대각선 하방을 향하여 공급되어 하방을 향하여 흘러, 처리 공간 (90) 에 공급된다.
기판 처리 장치 (1) 에서는, 기판 (9) 의 처리는, 바람직하게는 처리 공간 (90) 에 처리액 노즐 (71) 로부터 불활성 가스가 공급되어 처리 공간 (90) 이 불활성 가스 분위기가 되어 있는 상태에서 실시된다. 바꾸어 말하면, 가스 공급부 (73) 로부터 처리 공간 (90) 에 공급되는 가스는, 처리 분위기용 가스이다. 처리 분위기용 가스에는, 처리액 노즐 (71) 로부터 노즐 간극 (56) 에 공급되어, 노즐 간극 (56) 을 통하여 처리 공간 (90) 에 공급되는 가스도 포함된다.
가스 공급부 (73) 로부터 회전 기구 수용부 (34) 에 공급된 불활성 가스는, 회전축 (331) 을 따라 유지부 하방 간극 (310) 에 하방으로부터 공급되고, 유지부 하방 간극 (310) 에 있어서 직경 방향 외방으로 확대된다. 이로써, 유지부 하방 간극 (310) 의 중앙부로부터 직경 방향 외방을 향하는 불활성 가스의 기류가 형성되어, 회전축 (331) 의 주위, 및, 유지부 하방 간극 (310) 이 불활성 가스에 의해 퍼지된다. 즉, 유지부 하방 간극 (310) 에 공급되는 가스는, 회전축 (331) 을 봉지하기 위한 퍼지 가스이다. 유지부 하방 간극 (310) 의 외주부에 도달한 당해 퍼지 가스는, 하부 돌출부 (315) 의 하면을 따라 직경 방향 외방으로 흐른다. 도 3 에 나타내는 예에서는, 가스 공급부 (73) 는, 퍼지 가스의 공급원인 퍼지 가스 공급부이고, 또한, 처리 분위기용 가스의 공급원인 처리 분위기용 가스 공급부이기도 하다. 그리고, 처리 분위기용 가스와 퍼지 가스가 동일한 종류의 가스이다. 또한, 처리 분위기용 가스와 퍼지 가스는, 상이한 종류의 가스여도 된다.
다음으로, 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 기판 (9) 의 처리의 흐름의 일례 에 대해, 도 5 를 참조하면서 설명한다. 먼저, 탑 플레이트 (5) 가 도 1 에 나타내는 제 1 위치에 위치하는 상태에서, 기판 (9) 이 하우징 (11) 내에 반입되고, 기판 유지부 (31) 에 의해 유지된다 (스텝 S11). 이 때, 탑 플레이트 (5) 는 대향 부재 이동 기구 (6) 의 대향 부재 유지부 (61) 에 의해 유지되고 있다.
계속해서, 대향 부재 승강 기구 (62) 에 의해 대향 부재 유지부 (61) 가 하방으로 이동된다. 이로써, 탑 플레이트 (5) 가 제 1 위치로부터 제 2 위치로 하방으로 이동하고, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 탑 플레이트 (5) 가 기판 유지부 (31) 에 의해 유지된다 (스텝 S12). 그리고, 가스 공급부 (73) 로부터 처리액 노즐 (71) 을 통하여, 노즐 간극 (56) 및 처리 공간 (90) 에 불활성 가스 (즉, 처리 분위기용 가스) 의 공급이 개시된다. 또, 가스 공급부 (73) 로부터 회전 기구 수용부 (34) 를 통하여, 유지부 하방 간극 (310) 에 불활성 가스 (즉, 퍼지 가스) 의 공급이 개시된다.
다음으로, 기판 회전 기구 (33) 에 의해, 기판 유지부 (31), 기판 (9) 및 탑 플레이트 (5) 의 회전이 개시된다 (스텝 S13). 처리액 노즐 (71) 로부터의 불활성 가스의 공급, 및, 유지부 하방 간극 (310) 으로의 불활성 가스의 공급은, 스텝 S13 이후에도 계속된다. 그리고, 처리액 공급부 (72) 로부터 처리액 노즐 (71) 에 제 1 처리액이 공급되고, 제 2 위치에 위치하는 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 개구 (54) 를 통하여, 회전 중인 기판 (9) 의 상면 (91) 의 중앙부에 공급된다 (스텝 S14).
처리액 노즐 (71) 로부터 기판 (9) 의 중앙부에 공급된 제 1 처리액은, 기판 (9) 의 회전에 의해, 기판 (9) 의 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 확산되어, 기판 (9) 의 상면 (91) 전체에 부여된다. 제 1 처리액은, 기판 (9) 의 외연으로부터 직경 방향 외방으로 비산되어, 컵부 (4) 의 제 1 가드 (41) 에 의해 받아진다. 도 2 에 나타내는 제 1 가드 (41) 의 상하 방향의 위치는, 기판 (9) 으로부터의 처리액을 받는 위치로, 이하의 설명에서는 「수액 위치」라고 한다.
제 1 가드 (41) 가 수액 위치에 위치하는 상태에서는, 제 1 가드 (41) 의 내측의 공간 (이하, 「제 1 가드 내 공간 (410)」이라고 한다) 의 분위기가, 배출 포트 (44) 를 통하여 하우징 (11) 의 외부로 배출된다. 또, 처리 공간 (90) 의 분위기가 제 1 가드 내 공간 (410) 및 배출 포트 (44) 를 통하여 하우징 (11) 의 외부로 배출된다. 처리 공간 (90) 및 제 1 가드 내 공간 (410) 의 분위기에는, 제 1 처리액의 미스트 등이 함유된다. 제 1 가드 내 공간 (410) 은, 제 1 가드 (41) 와 기판 유지부 (31) 에 둘러싸이는 환상의 공간이다. 구체적으로는, 제 1 가드 내 공간 (410) 은, 제 1 가드 천개부 (412) 보다 하방의 공간으로서, 제 1 가드 측벽부 (411) 보다 직경 방향 내측, 또한, 제 1 가드 천개부 (412) 의 내주 가장자리보다 직경 방향 외측의 공간을 의미한다. 제 1 가드 (41) 가 수액 위치에 위치하는 상태에서는, 유지부 하방 간극 (310) 으로부터 직경 방향 외방에 흐르는 퍼지 가스는, 하부 돌출부 (315) 의 하면을 따라 제 1 가드 내 공간 (410) 으로 유입되고, 배출 포트 (44) 를 통하여 하우징 (11) 의 외부로 배출된다. 기판 처리 장치 (1) 에서는, 제 1 처리액이 기판 (9) 에 대해 소정 시간 부여됨으로써, 제 1 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리가 종료된다.
제 1 처리액은, 예를 들어, 폴리머 제거액이나 에칭액 등의 약액으로, 스텝 S14 에 있어서, 기판 (9) 에 대한 약액 처리가 실시된다. 또한, 제 1 처리액의 공급 (스텝 S14) 은, 기판 (9) 의 회전 개시 (스텝 S13) 보다 전에 실시되어도 된다. 이 경우, 정지 상태인 기판 (9) 의 상면 (91) 전체에 제 1 처리액이 패들(액마운팅) 되고, 제 1 처리액에 의한 패들 처리가 실시된다.
제 1 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리가 종료되면, 처리액 노즐 (71) 로부터의 제 1 처리액의 공급이 정지된다. 그리고, 가드 이동 기구 (43) 에 의해 제 1 가드 (41) 가 하방으로 이동되고, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 상기 서술한 수액 위치보다 하방의 대피 위치에 위치한다. 이로써, 기판 (9) 으로부터의 처리액을 받는 가드가, 제 1 가드 (41) 에서 제 2 가드 (42) 로 전환된다. 즉, 가드 이동 기구 (43) 는, 제 1 가드 (41) 를 수액 위치와 대피 위치 사이에서 상하 방향으로 이동시킴으로써, 기판 (9) 으로부터의 처리액을 받는 가드를 제 1 가드 (41) 와 제 2 가드 (42) 사이에서 전환하는 가드 전환 기구이다.
제 1 가드 (41) 가 대피 위치에 위치하는 상태에서는, 베이스 지지부 (314) 로부터 직경 방향 외방으로 확대되는 하부 돌출부 (315) 가, 제 1 가드 천개부 (412) 의 내주 가장자리를 향한다. 하부 돌출부 (315) 의 외주 가장자리와 제 1 가드 천개부 (412) 의 내주 가장자리는, 상하 방향의 대략 동일한 위치에 위치하고, 약간의 간극을 개재하여 직경 방향으로 대향한다.
계속해서, 처리액 공급부 (72) 로부터 처리액 노즐 (71) 에 제 2 처리액이 공급되고, 제 2 위치에 위치하는 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 개구 (54) 를 통하여, 회전 중인 기판 (9) 의 상면 (91) 의 중앙부에 공급된다 (스텝 S15). 처리액 노즐 (71) 로부터 기판 (9) 의 중앙부에 공급된 제 2 처리액은, 기판 (9) 의 회전에 의해, 기판 (9) 의 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 확산되어, 기판 (9) 의 상면 (91) 전체에 부여된다. 제 2 처리액은, 기판 (9) 의 외연으로부터 직경 방향 외방으로 비산되고, 컵부 (4) 의 제 2 가드 (42) 에 의해 받아진다.
제 1 가드 (41) 가 대피 위치에 위치하는 상태에서는, 제 2 가드 (42) 의 내측의 공간 (이하, 「제 2 가드 내 공간 (420)」이라고 한다) 의 분위기가, 배출 포트 (44) 를 통하여 하우징 (11) 의 외부로 배출된다. 또, 처리 공간 (90) 의 분위기가 제 2 가드 내 공간 (420) 및 배출 포트 (44) 를 통하여 하우징 (11) 의 외부로 배출된다. 처리 공간 (90) 및 제 2 가드 내 공간 (420) 의 분위기에는, 제 2 처리액의 미스트 등이 함유된다. 제 2 가드 내 공간 (420) 은, 제 2 가드 (42) 와 기판 유지부 (31) 에 둘러싸이는 환상의 공간이다. 구체적으로는, 제 2 가드 내 공간 (420) 은, 제 2 가드 천개부 (422) 보다 하방의 공간으로서, 제 2 가드 측벽부 (421) 보다 직경 방향 내측, 또한, 제 2 가드 천개부 (422) 의 내주 가장자리보다 직경 방향 외측의 공간을 의미한다.
제 1 가드 (41) 가 대피 위치에 위치하는 상태에 있어서도, 유지부 하방 간극 (310) 으로부터 직경 방향 외방에 흐르는 퍼지 가스는, 하부 돌출부 (315) 의 하면을 따라 제 1 가드 내 공간 (410) 으로 유입되고, 배출 포트 (44) 를 통하여 하우징 (11) 의 외부로 배출된다. 기판 처리 장치 (1) 에서는, 제 2 처리액이 기판 (9) 에 대해 소정 시간 부여됨으로써, 제 2 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리가 종료된다. 제 2 처리액은, 예를 들어, 순수나 탄산수 등의 세정액으로, 스텝 S15 에 있어서, 기판 (9) 에 대한 세정 처리가 실시된다.
제 2 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리가 종료되면, 처리액 노즐 (71) 로부터의 제 2 처리액의 공급이 정지된다. 그리고, 가스 공급부 (73) 에 의해 처리액 노즐 (71) 의 측면으로부터 노즐 간극 (56) 을 향하여 분사되는 불활성 가스의 유량이 증대된다. 또, 처리액 노즐 (71) 의 하단면으로부터 처리 공간 (90) 을 향하여 분사되는 불활성 가스의 유량도 증대된다. 또한, 기판 회전 기구 (33) 에 의한 기판 (9) 의 회전 속도가 증대된다. 이로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 상에 남아 있는 제 2 처리액 등이 직경 방향 외방으로 이동하여 기판 (9) 의 외연으로부터 직경 방향 외방으로 비산되고, 컵부 (4) 의 제 2 가드 (42) 에 의해 받아진다. 기판 (9) 의 회전이 소정 시간만큼 계속됨으로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 상으로부터 처리액을 제거하는 건조 처리가 실시된다 (스텝 S16).
기판 (9) 의 건조 처리가 종료되면, 기판 회전 기구 (33) 에 의한 기판 유지부 (31), 기판 (9) 및 탑 플레이트 (5) 의 회전이 정지된다 (스텝 S17). 또, 가스 공급부 (73) 로부터 노즐 간극 (56), 처리 공간 (90) 및 유지부 하방 간극 (310) 으로의 불활성 가스의 공급이 정지된다. 다음으로, 대향 부재 승강 기구 (62) 에 의해 대향 부재 유지부 (61) 가 상방으로 이동됨으로써, 탑 플레이트 (5) 가, 제 2 위치로부터 도 1 에 나타내는 제 1 위치로 상방으로 이동한다 (스텝 S18). 탑 플레이트 (5) 는, 기판 유지부 (31) 로부터 상방으로 이간되어 대향 부재 유지부 (61) 에 의해 유지된다. 그 후, 기판 (9) 이 하우징 (11) 으로부터 반출된다 (스텝 S19). 기판 처리 장치 (1) 에서는, 복수의 기판 (9) 에 대해, 상기 서술한 스텝 S11 ∼ S19 가 순차적으로 실시되어, 복수의 기판 (9) 이 순차적으로 처리된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 기판 처리 장치 (1) 에서는, 제 2 위치에 위치하는 탑 플레이트 (5) 가 기판 유지부 (31) 에 의해 유지되고, 기판 회전 기구 (33) 에 의해 기판 (9) 및 기판 유지부 (31) 와 함께 회전한다. 가스 공급부 (73) 는, 탑 플레이트 (5) 와 기판 (9) 사이의 처리 공간 (90) 에 처리 분위기용 가스를 공급한다. 이로써, 처리 공간 (90) 을 원하는 가스 분위기로 하여, 기판 (9) 의 처리를 당해 가스 분위기에서 실시할 수 있다. 예를 들어, 처리 공간 (90) 에 불활성 가스를 공급하는 경우, 기판 (9) 을 불활성 가스 분위기 (즉, 저산소 분위기) 에서 처리할 수 있다.
상기 서술한 바와 같이, 기판 유지부 (31) 는, 유지 베이스부 (311) 와, 복수의 척 (312) 과, 복수의 걸어맞춤부 (313) 와, 베이스 지지부 (314) 를 구비한다. 복수의 척 (312) 및 복수의 걸어맞춤부 (313) 는, 유지 베이스부 (311) 의 상면에 배치되고, 복수의 걸어맞춤부 (313) 는 복수의 척 (312) 보다 직경 방향 외측에 위치한다. 유지 베이스부 (311) 는, 베이스 지지부 (314) 에 의해 하방으로부터 지지됨과 함께 베이스 지지부 (314) 보다 직경 방향 외방으로 확대된다. 이로써, 복수의 척 (312) 및 복수의 걸어맞춤부 (313) 를 유지 베이스부 (311) 상에 용이하게 배치할 수 있음과 함께, 베이스 지지부 (314) 의 소직경화에 의한 기판 유지부 (31) 의 질량 저감을 실현할 수 있다. 그 결과, 기판 유지부 (31) 를 회전시키는 기판 회전 기구 (33) 에 가해지는 부하를 경감시킬 수 있다.
기판 처리 장치 (1) 에서는, 상기 서술한 바와 같이, 컵부 (4) 는, 제 1 가드 (41) 와, 제 2 가드 (42) 와, 가드 이동 기구 (43) 와, 배출 포트 (44) 를 구비한다. 가드 이동 기구 (43) 는, 제 1 가드 (41) 를 수액 위치와 대피 위치 사이에서 상하 방향으로 이동시킴으로써, 기판 (9) 으로부터의 처리액을 받는 가드를 제 1 가드 (41) 와 제 2 가드 (42) 사이에서 전환한다. 제 1 가드 (41) 내 및 제 2 가드 (42) 내의 가스는, 배출 포트 (44) 를 통하여 배출된다. 또, 유지 베이스부 (311) 보다 하방에 있어서 베이스 지지부 (314) 로부터 직경 방향 외방으로 확대되는 대략 원환상의 하부 돌출부 (315) 가 형성된다. 하부 돌출부 (315) 는, 제 1 가드 (41) 가 대피 위치에 위치하는 상태에서는, 제 1 가드 천개부 (412) 의 내주 가장자리를 향한다.
하부 돌출부 (315) 가 형성됨에 따라, 제 1 가드 (41) 가 대피 위치에 위치하는 상태에 있어서, 제 1 가드 내 공간 (410) 이 제 2 가드 내 공간 (420) 으로부터 실질적으로 격리되어, 제 1 가드 (41) 와 제 2 가드 (42) 사이의 가스의 흐름을 억제할 수 있다. 이로써, 제 1 처리액 (예를 들어, 폴리머 제거액이나 에칭액 등의 약액) 의 미스트 등을 함유하는 제 1 가드 내 공간 (410) 내의 분위기가, 제 2 가드 내 공간 (420) 으로 유입되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 제 2 처리액 (예를 들어, 기판 (9) 의 세정 처리에 이용되는 세정액) 을 받는 제 2 가드 (42) 의 내면에 제 1 처리액의 미스트 등이 부착되어 제 2 가드 (42) 가 오염되는 것을 억제하고, 제 2 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리를 바람직하게 실시할 수 있다.
상기 서술한 바와 같이, 탑 플레이트 (5) 의 외경은, 유지 베이스부 (311) 의 외경보다 크다. 이로써, 처리 공간 (90) 이 원하는 처리 분위기용 가스에 채워져 있는 상태를 용이하게 유지할 수 있다. 또, 하부 돌출부 (315) 의 외경은, 유지 베이스부 (311) 의 외경보다 크고, 또한, 탑 플레이트 (5) 의 외경 이하이다. 이로써, 제 1 가드 (41) 가 대피 위치에 위치하는 상태에 있어서, 제 1 가드 (41) 와 제 2 가드 (42) 사이의 가스의 흐름을 더욱 더 억제할 수 있다.
또한, 탑 플레이트 (5) 는, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대향하는 대략 원환판상의 대향 부재 천개부 (511) 와, 대향 부재 천개부 (511) 의 외주부로부터 하방으로 확대되는 대략 원통상의 대향 부재 측벽부 (512) 를 구비한다. 대향 부재 측벽부 (512) 의 하단은, 유지 베이스부 (311) 의 상면보다 하방, 또는, 유지 베이스부 (311) 의 상면과 상하 방향에 관해서 동일한 위치에 위치한다. 이로써, 원하는 처리 분위기용 가스에 채워져 있는 처리 공간 (90) 에, 처리 공간 (90) 의 주위의 공간 (즉, 처리 공간 (90) 의 직경 방향 외측의 공간) 의 분위기가 침입하는 것을 억제할 수 있다.
상기 서술한 바와 같이, 가스 공급부 (73) 는, 유지부 하방 간극 (310) 에 퍼지 가스를 공급하고, 유지부 하방 간극 (310) 의 중앙부로부터 직경 방향 외방을 향하는 퍼지 가스의 기류를 형성하는 퍼지 가스 공급부이다. 또, 하부 돌출부 (315) 는, 베이스 지지부 (314) 에 형성된다. 이로써, 제 1 가드 (41) 가 수액 위치에 위치하는 상태, 및, 대피 위치에 위치하는 상태의 쌍방에 있어서, 유지부 하방 간극 (310) 으로부터 직경 방향 외측에 흐르는 퍼지 가스는, 하부 돌출부 (315) 의 하면을 따라 제 1 가드 내 공간 (410) 으로 유도된다. 따라서, 회전축 (331) 을 봉지하기 위한 퍼지 가스가, 비교적 청정한 제 2 가드 내 공간 (420) 으로 유입되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 제 2 처리액 (예를 들어, 기판 (9) 의 세정 처리에 이용되는 세정액) 을 받는 제 2 가드 (42) 가 퍼지 가스에 의해 오염되는 것을 억제하고, 제 2 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리를 바람직하게 실시할 수 있다.
도 7 은, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1a) 를 나타내는 단면도이다. 기판 처리 장치 (1a) 는, 도 1 에 나타내는 하부 돌출부 (315) 와는 상이한 위치에 하부 돌출부 (315a) 가 형성되는 점을 제외하고, 도 1 에 나타내는 기판 처리 장치 (1) 와 대략 동일한 구성을 구비한다. 이하의 설명에서는, 기판 처리 장치 (1a) 의 구성 중 기판 처리 장치 (1) 와 동일한 구성에 동일 부호를 붙인다. 도 7 에서는, 탑 플레이트 (5) 가 상기 서술한 제 2 위치에 위치하고, 제 1 가드 (41) 가 대피 위치에 위치하는 상태를 나타낸다.
기판 처리 장치 (1a) 에서는, 하부 돌출부 (315a) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환상의 부재로, 회전 기구 수용부 (34) 의 측면으로부터 직경 방향 외방으로 확대된다. 하부 돌출부 (315a) 는, 유지 베이스부 (311) 보다 하방에 있어서, 유지 베이스부 (311) 로부터 이간되어 형성된다. 하부 돌출부 (315a) 의 외경은, 유지 베이스부 (311) 의 외경보다 크고, 또한, 탑 플레이트 (5) 의 외경 이하이다. 도 7 에 나타내는 예에서는, 하부 돌출부 (315a) 는, 회전 기구 수용부 (34) 의 상단부로부터 직경 방향 외방으로 확대된다. 하부 돌출부 (315a) 의 상면은, 직경 방향 외방을 향함에 따라 하방을 향하는 경사면이다.
도 7 에 나타내는 바와 같이, 제 1 가드 (41) 가 대피 위치에 위치하는 상태에서는, 회전 기구 수용부 (34) 로부터 직경 방향 외방으로 확대되는 하부 돌출부 (315a) 가, 제 1 가드 천개부 (412) 의 내주 가장자리를 향한다. 하부 돌출부 (315a) 의 외주 가장자리와 제 1 가드 천개부 (412) 의 내주 가장자리는, 상하 방향의 대략 동일한 위치에 위치하고, 약간의 간극을 개재하여 직경 방향으로 대향한다. 기판 처리 장치 (1a) 에 있어서의 기판 (9) 의 처리의 흐름은, 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 기판 (9) 의 처리의 흐름과 동일하다.
기판 처리 장치 (1a) 에서는, 하부 돌출부 (315a) 가 형성됨에 따라, 제 1 가드 (41) 가 대피 위치에 위치하는 상태에 있어서, 제 1 가드 내 공간 (410) 이 제 2 가드 내 공간 (420) 으로부터 실질적으로 격리되어, 제 1 가드 (41) 와 제 2 가드 (42) 사이의 가스의 흐름을 억제할 수 있다. 이로써, 제 1 처리액 (예를 들어, 폴리머 제거액이나 에칭액 등의 약액) 의 미스트 등을 함유하는 제 1 가드 내 공간 (410) 내의 분위기가, 제 2 가드 내 공간 (420) 으로 유입되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 제 2 처리액 (예를 들어, 기판 (9) 의 세정 처리에 이용되는 세정액) 을 받는 제 2 가드 (42) 의 내면에 제 1 처리액의 미스트 등이 부착되어 제 2 가드 (42) 가 오염되는 것을 억제하고, 제 2 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리를 바람직하게 실시할 수 있다.
상기 서술한 바와 같이, 탑 플레이트 (5) 의 외경은, 유지 베이스부 (311) 의 외경보다 크다. 이로써, 처리 공간 (90) 이 원하는 처리 분위기용 가스로 채워져 있는 상태를 용이하게 유지할 수 있다. 또, 하부 돌출부 (315a) 의 외경은, 유지 베이스부 (311) 의 외경보다 크고, 또한, 탑 플레이트 (5) 의 외경 이하이다. 이로써, 제 1 가드 (41) 가 대피 위치에 위치하는 상태에 있어서, 제 1 가드 (41) 와 제 2 가드 (42) 사이의 가스의 흐름을 더욱 더 억제할 수 있다.
도 8 은, 본 발명의 제 3 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1b) 를 나타내는 단면도이다. 기판 처리 장치 (1b) 는, 도 1 에 나타내는 기판 유지부 (31) 대신에 기판 유지부 (31) 와는 상이한 구조를 갖는 기판 유지부 (31a) 를 구비하는 점을 제외하고, 도 1 에 나타내는 기판 처리 장치 (1) 와 대략 동일한 구성을 구비한다. 이하의 설명에서는, 기판 처리 장치 (1b) 의 구성 중 기판 처리 장치 (1) 와 동일한 구성에 동일 부호를 붙인다. 도 8 에서는, 탑 플레이트 (5) 가 상기 서술한 제 2 위치에 위치하고, 제 1 가드 (41) 가 대피 위치에 위치하는 상태를 나타낸다.
도 8 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부 (31a) 는, 유지 베이스부 (311a) 와, 복수의 척 (312) 과, 복수의 걸어맞춤부 (313) 와, 베이스 지지부 (314) 를 구비한다. 유지 베이스부 (311a) 는, 베이스 본체부 (316) 와, 베이스 측벽부 (317) 를 구비한다. 베이스 본체부 (316) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원판상의 부재로, 상면 상에 복수의 척 (312) 및 복수의 걸어맞춤부 (313) 가 형성된다. 베이스 측벽부 (317) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상의 부재로, 베이스 본체부 (316) 의 외주부로부터 하방으로 확대된다. 베이스 측벽부 (317) 는, 베이스 지지부 (314) 의 주위에 있어서 베이스 지지부 (314) 로부터 직경 방향 외측으로 이간되어 배치된다.
기판 처리 장치 (1b) 에서는, 베이스 본체부 (316) 가 둘레 방향의 전체 둘레에 걸쳐 베이스 지지부 (314) 보다 직경 방향 외방으로 확대됨으로써, 복수의 척 (312) 및 복수의 걸어맞춤부 (313) 를 유지 베이스부 (311a) 상에 용이하게 배치할 수 있음과 함께, 베이스 지지부 (314) 의 소직경화에 의한 기판 유지부 (31a) 의 질량 저감을 실현할 수 있다. 그 결과, 기판 유지부 (31a) 를 회전시키는 기판 회전 기구 (33) 에 가해지는 부하를 경감시킬 수 있다.
도 8 에 나타내는 바와 같이, 탑 플레이트 (5) 가 제 2 위치에 위치하는 상태에서는, 대향 부재 측벽부 (512) 의 하단이, 기판 유지부 (31a) 의 유지 베이스부 (311a) 의 상면보다 하방, 또는, 유지 베이스부 (311a) 의 상면과 상하 방향에 관해서 동일한 위치에 위치한다. 제 1 가드 (41) 가 대피 위치에 위치하는 상태에서는, 제 1 가드 천개부 (412) 의 내주 가장자리가, 베이스 측벽부 (317) 의 외측면 (즉, 유지 베이스부 (311a) 의 외측면) 과 직경 방향으로 대향한다. 기판 처리 장치 (1b) 에 있어서의 기판 (9) 의 처리의 흐름은, 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 기판 (9) 의 처리의 흐름과 동일하다.
기판 처리 장치 (1b) 에서는, 제 1 가드 천개부 (412) 의 내주 가장자리가 유지 베이스부 (311a) 의 외측면과 직경 방향으로 대향함으로써, 제 1 가드 (41) 가 대피 위치에 위치하는 상태에 있어서, 제 1 가드 내 공간 (410) 이 제 2 가드 내 공간 (420) 으로부터 실질적으로 격리되어, 제 1 가드 (41) 와 제 2 가드 (42) 사이의 가스의 흐름을 억제할 수 있다. 이로써, 제 1 처리액 (예를 들어, 폴리머 제거액이나 에칭액 등의 약액) 의 미스트 등을 함유하는 제 1 가드 내 공간 (410) 내의 분위기가, 제 2 가드 내 공간 (420) 으로 유입되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 제 2 처리액 (예를 들어, 기판 (9) 의 세정 처리에 이용되는 세정액) 을 받는 제 2 가드 (42) 의 내면에 제 1 처리액의 미스트 등이 부착되어 제 2 가드 (42) 가 오염되는 것을 억제하고, 제 2 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리를 바람직하게 실시할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치 (1, 1a, 1b) 는 여러 가지 변경이 가능하다.
예를 들어, 컵부 (4) 는, 제 1 가드 (41) 및 제 2 가드 (42) 에 더하여, 제 2 가드 (42) 의 주위에 배치되는 1 개 또는 복수의 가드가 형성되어도 된다. 이 경우에도, 상기와 동일하게, 기판 (9) 으로부터의 처리액을 받는 가드가, 제 1 가드 (41) 및 제 2 가드 (42) 를 포함하는 복수의 가드 사이에서 전환된다.
도 1 및 도 7 에 나타내는 기판 처리 장치 (1, 1a) 에서는, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 본체 (51) 는, 반드시 대향 부재 측벽부 (512) 를 구비할 필요는 없고, 대향 부재 천개부 (511) 가 대향 부재 본체 (51) 여도 된다. 또, 하부 돌출부 (315, 315a) 의 외경은, 유지 베이스부 (311) 의 외경 이하여도 되고, 혹은, 탑 플레이트 (5) 의 외경보다 커도 된다.
상기 실시형태 및 각 변형예에 있어서의 구성은, 서로 모순되지 않는 한 적절히 조합되어도 된다.
본 발명이 상세히 도시되고 기술되었지만, 상기의 설명은 모든 양태들에서 제한이 아니라 예시적이다. 따라서, 다수의 변경들 및 변형들이 본 발명의 범위로부터 일탈하지 않고 고안될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
1, 1a, 1b : 기판 처리 장치
4 : 컵부
5 : 탑 플레이트
9 : 기판
31, 31a : 기판 유지부
33 : 기판 회전 기구
34 : 회전 기구 수용부
41 : 제 1 가드
42 : 제 2 가드
43 : 가드 이동 기구
44 : 배출 포트
54 : 대향 부재 개구
72 : 처리액 공급부
73 : 가스 공급부
91 : (기판의) 상면
310 : 유지부 하방 간극
311, 311a : 유지 베이스부
312 : 척
313 : 걸어맞춤부
314 : 베이스 지지부
315, 315a : 하부 돌출부
411 : 제 1 가드 측벽부
412 : 제 1 가드 천개부
421 : 제 2 가드 측벽부
422 : 제 2 가드 천개부
511 : 대향 부재 천개부
512 : 대향 부재 측벽부
J1 : 중심축
S11 ∼ S19 : 스텝

Claims (6)

  1. 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
    수평 상태에서 기판을 유지하는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부에 의해 유지되어 상기 기판의 상면에 대향함과 함께 중앙부에 대향 부재 개구가 형성되는 대향 부재와,
    상기 기판 유지부의 하방에 배치되어 상하 방향을 향하는 중심축을 중심으로 하여 상기 기판 및 상기 대향 부재를 상기 기판 유지부와 함께 회전시키는 기판 회전 기구와,
    상기 기판 유지부의 하방에서 상기 기판 회전 기구를 수용하는 회전 기구 수용부와,
    상기 대향 부재 개구를 통하여 상기 기판의 상기 상면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 기판 유지부의 주위에 배치되어 상기 기판으로부터의 처리액을 받는 컵부를 구비하고,
    상기 기판 유지부는,
    베이스 지지부와,
    상기 베이스 지지부에 의해 하방으로부터 지지됨과 함께 상기 베이스 지지부보다 직경 방향 외방으로 확대되는 원판상의 유지 베이스부와,
    상기 유지 베이스부의 상면에 배치되어 상기 기판을 지지하는 복수의 척과,
    상기 유지 베이스부의 상기 상면에 있어서 상기 복수의 척보다 직경 방향 외측에 배치되어 상기 대향 부재를 지지하는 대향 부재 지지부를 구비하고,
    상기 컵부는,
    원통상의 제 1 가드 측벽부 및 상기 제 1 가드 측벽부의 상단부로부터 직경 방향 내방으로 확대되는 원환판상의 제 1 가드 천개부를 갖는 제 1 가드와,
    상기 제 1 가드 측벽부보다 직경 방향 외측에 위치하는 원통상의 제 2 가드 측벽부 및 상기 제 1 가드 천개부보다 상방에서 상기 제 2 가드 측벽부의 상단부로부터 직경 방향 내방으로 확대되는 원환판상의 제 2 가드 천개부를 갖는 제 2 가드와,
    상기 제 1 가드를 상기 기판으로부터의 처리액을 받는 수액 위치와 상기 수액 위치보다 하방의 대피 위치 사이에서 상기 상하 방향으로 이동시킴으로써, 상기 기판으로부터의 처리액을 받는 가드를 상기 제 1 가드와 상기 제 2 가드 사이에서 전환하는 가드 이동 기구와,
    상기 제 1 가드 내 및 상기 제 2 가드 내의 가스가 배출되는 배출 포트를 구비하고,
    상기 제 1 가드 천개부의 내경 및 상기 제 2 가드 천개부의 내경은, 상기 유지 베이스부의 외경 및 상기 대향 부재의 외경보다 크고,
    상기 유지 베이스부보다 하방에 있어서 상기 베이스 지지부 또는 상기 회전 기구 수용부로부터 직경 방향 외방으로 확산되고, 상기 제 1 가드가 상기 대피 위치에 위치하는 상태에서는 상기 제 1 가드 천개부의 내주 가장자리를 향하는 원환상의 하부 돌출부가 형성되는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 유지부의 상기 베이스 지지부와 상기 회전 기구 수용부 사이의 공간에 퍼지 가스를 공급하고, 중앙부로부터 직경 방향 외방을 향하는 기류를 형성하는 퍼지 가스 공급부를 추가로 구비하고,
    상기 하부 돌출부가 상기 베이스 지지부에 형성되는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 대향 부재의 외경이 상기 유지 베이스부의 외경보다 크고,
    상기 하부 돌출부의 외경이 상기 유지 베이스부의 외경보다 크고, 또한, 상기 대향 부재의 외경 이하인, 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 대향 부재의 외경이 상기 유지 베이스부의 외경보다 크고,
    상기 하부 돌출부의 외경이 상기 유지 베이스부의 외경보다 크고, 또한, 상기 대향 부재의 외경 이하인, 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대향 부재는,
    상기 기판의 상기 상면에 대향함과 함께 중앙부에 상기 대향 부재 개구가 형성되는 원환판상의 대향 부재 천개부와,
    상기 대향 부재 천개부의 외주부로부터 하방으로 확대되는 원통상의 대향 부재 측벽부를 구비하고,
    상기 대향 부재 측벽부의 하단은, 상기 유지 베이스부의 상기 상면보다 하방, 또는, 상기 유지 베이스부의 상기 상면과 상기 상하 방향에 관해서 동일한 위치에 위치하는, 기판 처리 장치.
  6. 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
    수평 상태에서 기판을 유지하는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부에 유지되어 상기 기판의 상면에 대향함과 함께 중앙부에 대향 부재 개구가 형성되는 대향 부재와,
    상기 기판 유지부의 하방에 배치되어 상하 방향을 향하는 중심축을 중심으로 하여 상기 기판을 상기 기판 유지부와 함께 회전시키는 기판 회전 기구와,
    상기 대향 부재 개구를 통하여 상기 기판의 상기 상면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 기판 유지부의 주위에 배치되어 상기 기판으로부터의 처리액을 받는 컵부를 구비하고,
    상기 기판 유지부는,
    유지 베이스부와,
    상기 유지 베이스부의 상면에 배치되어 상기 기판을 지지하는 복수의 척과,
    상기 유지 베이스부의 상기 상면에 있어서 상기 복수의 척보다 직경 방향 외측에 배치되어 상기 대향 부재를 지지하는 대향 부재 지지부를 구비하고,
    상기 컵부는,
    원통상의 제 1 가드 측벽부 및 상기 제 1 가드 측벽부의 상단부로부터 직경 방향 내방으로 확대되는 원환판상의 제 1 가드 천개부를 갖는 제 1 가드와,
    상기 제 1 가드 측벽부보다 직경 방향 외측에 위치하는 원통상의 제 2 가드 측벽부 및 상기 제 1 가드 천개부보다 상방에서 상기 제 2 가드 측벽부의 상단부로부터 직경 방향 내방으로 확대되는 원환판상의 제 2 가드 천개부를 갖는 제 2 가드와,
    상기 제 1 가드를 상기 기판으로부터의 처리액을 받는 수액 위치와 상기 수액 위치보다 하방의 대피 위치 사이에서 상기 상하 방향으로 이동시킴으로써, 상기 기판으로부터의 처리액을 받는 가드를 상기 제 1 가드와 상기 제 2 가드 사이에서 전환하는 가드 이동 기구와,
    상기 제 1 가드 내 및 상기 제 2 가드 내의 가스가 배출되는 배출 포트를 구비하고,
    상기 대향 부재는,
    상기 기판의 상기 상면에 대향함과 함께 중앙부에 상기 대향 부재 개구가 형성되는 원환판상의 대향 부재 천개부와,
    상기 대향 부재 천개부의 외주부로부터 하방으로 확대되는 원통상의 대향 부재 측벽부를 구비하고,
    상기 제 1 가드 천개부의 내경 및 상기 제 2 가드 천개부의 내경은, 상기 유지 베이스부의 외경 및 상기 대향 부재의 외경보다 크고,
    상기 대향 부재 측벽부의 하단은, 상기 유지 베이스부의 상기 상면보다 하방, 또는, 상기 유지 베이스부의 상기 상면과 상기 상하 방향에 관해서 동일한 위치에 위치하고,
    상기 제 1 가드가 상기 대피 위치에 위치하는 상태에서는, 상기 제 1 가드 천개부의 내주 가장자리가, 상기 유지 베이스부의 외측면과 직경 방향으로 대향하는, 기판 처리 장치.
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