KR20180097709A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

기판 처리 장치의 기판 유지부는, 수평 상태에서 기판 (9) 을 유지한다. 기판 회전 기구는, 상하 방향을 향하는 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 기판 유지부를 회전시킨다. 탑 플레이트 (5) 는, 기판 (9) 의 상면에 대향함과 함께, 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 회전한다. 가스 공급부는, 탑 플레이트 (5) 의 하방의 공간인 하방 공간의 직경 방향 중앙부에 처리 분위기용 가스를 공급한다. 이온 발생부 (8) 는, 이온을 생성하여 가스 공급부로부터의 처리 분위기용 가스에 공급한다. 그리고, 탑 플레이트 (5) 가 기판 (9) 의 반입시보다 하방에 위치하는 상태에서 기판 유지부 및 탑 플레이트 (5) 를 회전시키면서, 이온을 포함하는 처리 분위기용 가스를 상기 하방 공간에 공급하고, 하방 공간의 직경 방향 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 확산되는 이온 기류를 형성한다. 이로써, 탑 플레이트 (5) 의 제전을 간소한 구조로 행할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
본 발명은 기판을 처리하는 기술에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 기판 (이하, 간단히「기판」이라고 한다) 의 제조 공정에서는, 기판에 대해서 여러 가지 처리가 실시된다. 예를 들어, 표면 상에 레지스트의 패턴이 형성된 기판 상에 약액을 공급함으로써, 기판의 표면에 대해서 에칭 등의 약액 처리가 행해진다. 또, 약액 처리의 종료 후, 기판 상에 세정액이 공급되어 세정 처리가 행해지고, 그 후, 기판의 건조 처리가 행해진다.
일본 공개특허공보 2003-100694호 (문헌 1) 의 기판 처리 장치는, 기판을 수평으로 유지하여 회전시키는 스핀 척과, 기판의 상방에 대향하여 배치되는 원판상의 차폐판을 구비한다. 스핀 척은, 척 회전 구동 기구의 회전축의 상단에 고정되어 있다. 차단판의 상면에는, 스핀 척의 회전축과 공통되는 축선을 따른 다른 회전축이 고정되어 있다. 당해 다른 회전축은 중공으로 형성되어 있고, 그 내부에는, 기판의 상면에 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐이 삽입 통과되어 있다. 또, 당해 다른 회전축의 내측면과 처리액 노즐의 외측면 사이는, 기판 건조용의 질소 가스가 유통하는 질소 가스 유통로로 되어 있다.
문헌 1 의 기판 처리 장치에서는, 기판에 대한 건조 처리시에, 차단판이 기판과 거의 동일한 속도로 동일한 방향으로 회전된다. 또, 상기 질소 가스 유통로로부터 기판과 차단판 사이의 공간에 질소 가스가 공급된다. 이로써, 기판과 차단판 사이에 질소 가스의 안정적인 기류가 발생되고, 당해 기류에 의해서 기판과 차단판 사이의 분위기가 계속적으로 치환된다. 그 결과, 기판이 신속하게 건조되고, 또, 기판으로부터 털어내어진 처리액의 튀어서 되돌아옴에 의한 기판의 재오염이 방지된다.
그런데, 이와 같은 기판 처리 장치에서는, 차단판의 하면과 질소 가스의 기류의 마찰에 의해서, 차단판의 하면이 정전기를 띨 가능성이 있다. 차단판의 하면이 대전하면, 차단판의 하면에 분위기 중의 파티클이 흡착되고, 당해 파티클이 건조 처리 후의 기판 상에 낙하함으로써, 건조 처리 후의 기판이 오염될 우려가 있다. 또, 차폐판과 기판 사이의 방전에 의해서 기판 상의 배선이 손상될 우려도 있다. 나아가, 기판의 처리에 사용되는 처리액으로서, 가연성 약액의 사용 등이 제한될 우려도 있다.
그래서, 문헌 1 의 기판 처리 장치에서는, 건조 처리 후의 차단판의 하면을 향하여, 제전 (除電) 작용이 있는 전자파인 미약한 X 선을 조사함으로써, 차단판의 하면의 제전이 행해진다. 차단판에 대한 미약한 X 선의 조사는, 건조 처리 전에 차단판이 기판에 근접하여 배치된 상태에서, 스플래시 가드를 하방으로 퇴피시켜 행해져도 된다.
그런데, 특허문헌 1 의 기판 처리 장치에서는, 차단판을 향하여 X 선을 조사하는 기구가 필요하기 때문에, 장치 구조가 복잡화 및 대형화할 우려가 있다. 또, 차단판의 회전축과 처리 노즐 사이의 질소 가스 유통로를 흐르는 질소 가스와의 마찰에 의해서 처리 노즐이 대전하여, 처리액 등이 처리 노즐에 부착될 우려도 있다. 당해 처리 노즐은, 차단판의 회전축의 내부에 수용되어 있기 때문에, X 선을 조사하여 제전하는 것은 용이하지 않다.
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이고, 대향 부재의 제전을 간소한 구조로 행하는 것을 목적으로 하고 있다. 본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 방법에도 관한 것이다.
본 발명에 관련된 기판 처리 장치는, 수평 상태에서 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상하 방향을 향하는 중심축을 중심으로 하여 상기 기판 유지부를 회전시키는 기판 회전 기구와, 상기 기판의 상면에 대향함과 함께 상기 중심축을 중심으로 하여 회전하는 대향 부재와, 상기 기판의 상기 상면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 대향 부재의 하방의 공간인 하방 공간의 직경 방향 중앙부에 처리 분위기용 가스를 공급하는 가스 공급부와, 이온을 생성하여 상기 가스 공급부로부터의 상기 처리 분위기용 가스에 공급하는 이온 발생부와, 상기 기판 회전 기구, 상기 가스 공급부 및 상기 이온 발생부를 제어함으로써, 상기 대향 부재가 상기 기판의 반입시보다 하방에 위치하는 상태에서 상기 기판 유지부 및 상기 대향 부재를 회전시키면서, 상기 이온을 포함하는 상기 처리 분위기용 가스를 상기 하방 공간에 공급하고, 상기 하방 공간의 직경 방향 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 확산되는 이온 기류를 형성하는 제어부를 구비한다. 이로써, 대향 부재의 제전을 간소한 구조로 행할 수 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 실시형태에서는, 상기 이온 기류가 형성되는 상기 하방 공간이, 상기 대향 부재의 하면과 상기 기판의 상기 상면 사이의 공간인 처리 공간이고, 상기 이온 기류의 형성이, 상기 기판 회전 기구에 의한 상기 기판의 회전에 의해서 상기 처리액 공급부로부터의 상기 처리액을 상기 기판 상에서 제거하는 건조 처리시에 행해진다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에서는, 상기 이온 기류가 형성되는 상기 하방 공간이, 상기 대향 부재의 하면과 상기 기판의 상기 상면 사이의 공간인 처리 공간이고, 상기 이온 기류의 형성이, 상기 처리액 공급부로부터의 상기 처리액에 의한 상기 기판의 처리보다도 전에 행해진다.
보다 바람직하게는, 상기 처리액에 의한 상기 기판의 처리 전에 있어서의 상기 이온 기류의 형성이, 상기 처리액에 의한 상기 기판의 처리시에 공급되는 상기 처리 분위기용 가스를 이용하여 행해진다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에서는, 상기 대향 부재를 유지하고, 상기 대향 부재를 상하 방향의 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 상기 기판 유지부에 대해서 상대적으로 이동하는 대향 부재 이동 기구를 추가로 구비하고, 상기 대향 부재는, 상기 제 1 위치에서 상기 대향 부재 이동 기구에 의해서 유지됨과 함께 상기 기판 유지부로부터 상방으로 이간하고, 상기 제 2 위치에서 상기 기판 유지부에 의해서 유지되며, 상기 기판 회전 기구에 의해서 상기 기판 유지부와 함께 회전한다.
보다 바람직하게는, 상기 대향 부재가, 상기 기판의 상기 상면에 대향함과 함께 직경 방향 중앙부에 대향 부재 개구가 형성되는 대향 부재 본체와, 상기 대향 부재 본체의 상기 대향 부재 개구의 주위로부터 상방으로 돌출되는 통상 (筒狀) 의 대향 부재 통부를 구비하고, 상기 처리액 공급부가, 상기 대향 부재 통부에 삽입되어 상기 대향 부재 개구를 통하여 상기 기판의 상기 상면에 상기 처리액을 공급하는 처리액 노즐을 구비하고, 상기 이온을 포함하는 상기 처리 분위기용 가스가, 상기 처리액 노즐과 상기 대향 부재 통부 사이의 공간인 노즐 간극을 통하여 상기 하방 공간에 공급된다.
보다 더 바람직하게는, 상기 대향 부재가, 상기 대향 부재 통부의 상단부로부터 직경 방향 외방으로 환상으로 확대됨과 함께 상기 대향 부재 이동 기구에 유지되는 대향 부재 플랜지부를 추가로 구비하고, 상기 대향 부재가 상기 제 2 위치에 위치하는 상태에서, 상기 노즐 간극에 연속되는 래비린스가, 상기 대향 부재 플랜지부의 상면 상에 형성되고, 상기 이온을 포함하는 상기 처리 분위기용 가스가 상기 래비린스에 공급됨으로써, 상기 노즐 간극이 외부 공간부터 시일됨과 함께, 상기 래비린스로부터 흘러 나온 상기 이온을 포함하는 상기 처리 분위기용 가스에 의해서, 상기 대향 부재의 상면을 따라서 직경 방향 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 확산되는 상부 이온 기류가 형성된다.
더욱 바람직하게는, 상기 이온 발생부가, 방전을 행함으로써 상기 이온을 생성하는 방전 니들을 구비하고, 상기 대향 부재가, 상기 대향 부재 플랜지부의 상기 상면에 있어서 오목부와 볼록부가 동심원상으로 교대로 배치되는 제 1 요철부를 추가로 구비하고, 상기 대향 부재 이동 기구가, 상기 대향 부재 플랜지부의 하면과 상기 상하 방향으로 대향하는 유지부 하부와, 상기 대향 부재 플랜지부의 상기 상면과 상기 상하 방향으로 대향하는 유지부 상부와, 상기 유지부 상부의 하면에 있어서 오목부와 볼록부가 동심원상으로 교대로 배치되는 제 2 요철부를 구비하고, 상기 대향 부재가 상기 제 2 위치에 위치하는 상태에서, 상기 제 1 요철부 및 상기 제 2 요철부의 일방의 오목부 내에 타방의 볼록부가 간극을 통하여 배치됨으로써 상기 래비린스가 형성되고, 상기 방전 니들이, 상기 유지부 상부의 내부에 있어서, 상기 제 2 요철부의 오목부 상면에 형성된 상기 처리 분위기용 가스의 분사구의 내측에 배치된다.
상기 서술한 목적 및 다른 목적, 특징, 양태 및 이점은, 첨부한 도면을 참조하여 이하에서 행하는 이 발명의 상세한 설명에 의해서 명확해진다
도 1 은, 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 2 는, 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3 은, 탑 플레이트 및 대향 부재 이동 기구의 일부를 확대해서 나타내는 단면도이다.
도 4 는, 가스 공급로의 평면도이다.
도 5 는, 기액 공급부를 나타내는 블록도이다.
도 6 은, 처리액 노즐의 일부를 확대해서 나타내는 단면도이다.
도 7 은, 기판 처리의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 8 은, 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 9 는, 다른 래비린스의 예를 나타내는 단면도이다.
도 10 은, 다른 래비린스의 예를 나타내는 단면도이다
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 구성을 나타내는 단면도이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 반도체 기판 (9) (이하, 간단히「기판 (9)」이라고 한다) 을 1 장씩 처리하는 매엽식의 장치이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 기판 유지부 (31) 와, 기판 회전 기구 (33) 와, 컵부 (4) 와, 탑 플레이트 (5) 와, 대향 부재 이동 기구 (6) 와, 처리액 노즐 (71) 을 구비한다. 기판 처리 장치 (1) 의 각 구성은, 하우징 (11) 의 내부에 수용된다.
기판 유지부 (31) 는, 수평 상태에서 기판 (9) 을 유지한다. 기판 유지부 (31) 는, 유지 베이스부 (311) 와, 복수의 척 (312) 과, 복수의 걸어 맞춤부 (313) 와, 베이스 지지부 (314) 를 구비한다. 기판 (9) 은, 유지 베이스부 (311) 의 상방에 유지 베이스부 (311) 로부터 이간되어 배치된다. 유지 베이스부 (311) 및 베이스 지지부 (314) 는 각각, 상하 방향을 향하는 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원판상의 부재이다. 유지 베이스부 (311) 는, 베이스 지지부 (314) 의 상측에 배치되고, 베이스 지지부 (314) 에 의해서 하방으로부터 지지된다. 유지 베이스부 (311) 의 외경은, 베이스 지지부 (314) 의 외경보다 크다. 유지 베이스부 (311) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 둘레 방향의 전체 둘레에 걸쳐서, 베이스 지지부 (314) 보다 직경 방향 외방으로 확대된다.
복수의 척 (312) 은, 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 대략 등각도 간격으로, 유지 베이스부 (311) 의 상면의 외측 둘레부에 둘레 방향으로 배치된다. 기판 유지부 (31) 에서는, 복수의 척 (312) 에 의해서, 기판 (9) 의 외측 가장자리부가 지지된다. 복수의 걸어 맞춤부 (313) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 대략 등각도 간격으로, 유지 베이스부 (311) 의 상면의 외측 둘레부에 둘레 방향으로 배치된다. 복수의 걸어 맞춤부 (313) 는, 복수의 척 (312) 보다 직경 방향 외측에 배치된다.
기판 회전 기구 (33) 는, 회전 기구 수용부 (34) 의 내부에 수용된다. 기판 회전 기구 (33) 및 회전 기구 수용부 (34) 는, 기판 유지부 (31) 의 하방에 배치된다. 기판 회전 기구 (33) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 기판 유지부 (31) 를 회전시킨다. 이로써, 기판 (9) 이 기판 유지부 (31) 와 함께 회전된다.
컵부 (4) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 환상의 부재로서, 기판 (9) 및 기판 유지부 (31) 의 직경 방향 외측에 배치된다. 컵부 (4) 는, 기판 (9) 및 기판 유지부 (31) 의 주위의 전체 둘레에 걸쳐 배치되고, 기판 (9) 으로부터 주위를 향하여, 비산하는 처리액 등을 받아낸다. 컵부 (4) 는, 제 1 가드 (41) 와, 제 2 가드 (42) 와, 가드 이동 기구 (43) 와, 배출 포트 (44) 를 구비한다.
제 1 가드 (41) 는, 제 1 가드 측벽부 (411) 와, 제 1 가드 천개부 (412) 를 갖는다. 제 1 가드 측벽부 (411) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상이다. 제 1 가드 천개부 (412) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환 판상이고, 제 1 가드 측벽부 (411) 의 상단부로부터 직경 방향 내방으로 확대된다. 제 2 가드 (42) 는, 제 2 가드 측벽부 (421) 와, 제 2 가드 천개부 (422) 를 갖는다. 제 2 가드 측벽부 (421) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상이고, 제 1 가드 측벽부 (411) 보다 직경 방향 외측에 위치한다. 제 2 가드 천개부 (422) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환 판상이고, 제 1 가드 천개부 (412) 보다 상방에서 제 2 가드 측벽부 (421) 의 상단부로부터 직경 방향 내방으로 확대된다. 제 1 가드 천개부 (412) 의 내경 및 제 2 가드 천개부 (422) 의 내경은, 기판 유지부 (31) 의 유지 베이스부 (311) 의 외경 및 탑 플레이트 (5) 의 외경보다 약간 크다.
가드 이동 기구 (43) 는, 제 1 가드 (41) 를 상하 방향으로 이동시킴으로써, 기판 (9) 으로부터의 처리액 등을 수용하는 가드를 제 1 가드 (41) 와 제 2 가드 (42) 사이에서 전환한다. 컵부 (4) 의 제 1 가드 (41) 및 제 2 가드 (42) 에서 받아내어진 처리액 등은, 배출 포트 (44) 를 통하여 하우징 (11) 의 외부로 배출된다. 또, 제 1 가드 (41) 내 및 제 2 가드 (42) 내의 가스도 배출 포트 (44) 를 통하여 하우징 (11) 의 외부로 배출된다.
탑 플레이트 (5) 는, 평면에서 보았을 때 대략 원형의 부재이다. 탑 플레이트 (5) 는, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대향하는 대향 부재로서, 기판 (9) 의 상방을 차폐하는 차폐판이다. 탑 플레이트 (5) 의 외경은, 기판 (9) 의 외경, 및, 유지 베이스부 (311) 의 외경보다 크다. 탑 플레이트 (5) 는, 대향 부재 본체 (51) 와, 피유지부 (52) 와, 복수의 걸어 맞춤부 (53) 와, 제 1 요철부 (55) 를 구비한다. 대향 부재 본체 (51) 는, 대향 부재 천개부 (511) 와, 대향 부재 측벽부 (512) 를 구비한다. 대향 부재 천개부 (511) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환 판상의 부재로서, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대향한다. 탑 플레이트 (5) 는, 예를 들어, 비도전성의 수지에 의해서 형성된다. 탑 플레이트 (5) 를 형성하는 재료로는, 기판 (9) 의 처리에 대해서 의도하지 않은 영향을 주는 것을 방지하기 위해서, 바람직하게는 탄소 등의 도전성 물질을 실질적으로 함유하지 않는 재료가 사용된다.
대향 부재 천개부 (511) 의 중앙부에는, 대향 부재 개구 (54) 가 형성된다. 대향 부재 개구 (54) 는, 예를 들어, 평면에서 보았을 때 대략 원형이다. 대향 부재 개구 (54) 의 직경은, 기판 (9) 의 직경에 비해서 충분히 작다. 대향 부재 측벽부 (512) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상의 부재로서, 대향 부재 천개부 (511) 의 외측 둘레부로부터 하방으로 확대된다.
복수의 걸어 맞춤부 (53) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 대략 등각도 간격으로, 대향 부재 천개부 (511) 의 하면의 외측 둘레부에 둘레 방향으로 배치된다. 복수의 걸어 맞춤부 (53) 는, 대향 부재 측벽부 (512) 의 직경 방향 내측에 배치된다.
피유지부 (52) 는, 대향 부재 본체 (51) 의 상면에 접속된다. 피유지부 (52) 는, 대향 부재 통부 (521) 와, 대향 부재 플랜지부 (522) 를 구비한다. 대향 부재 통부 (521) 는, 대향 부재 본체 (51) 의 대향 부재 개구 (54) 의 주위로부터 상방으로 돌출된 대략 통상의 부위이다. 대향 부재 통부 (521) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상이다. 대향 부재 플랜지부 (522) 는, 대향 부재 통부 (521) 의 상단부로부터 직경 방향 외방으로 환상으로 확대된다. 대향 부재 플랜지부 (522) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환 판상이다. 대향 부재 플랜지부 (522) 의 상면에는, 원주상 (圓周狀) 의 오목부와 원주상의 볼록부가 동심원상으로 교대로 배치되는 제 1 요철부 (55) 가 형성된다. 제 1 요철부 (55) 는, 복수의 오목부와 복수의 볼록부를 갖는다. 당해 복수의 오목부 중 가장 직경 방향 내측의 오목부 (551) 는, 대향 부재 통부 (521) 의 상부에 형성되고, 제 1 요철부 (55) 의 다른 오목부보다 상하 방향의 크기가 크다.
대향 부재 이동 기구 (6) 는, 대향 부재 유지부 (61) 와, 대향 부재 승강 기구 (62) 를 구비한다. 대향 부재 유지부 (61) 는, 탑 플레이트 (5) 의 피유지부 (52) 를 유지한다. 대향 부재 유지부 (61) 는, 유지부 본체 (611) 와, 본체 지지부 (612) 와, 플랜지 지지부 (613) 와, 지지부 접속부 (614) 와, 제 2 요철부 (615) 를 구비한다. 유지부 본체 (611) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원판상이다. 유지부 본체 (611) 는, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 플랜지부 (522) 의 상방을 덮는다. 본체 지지부 (612) 는, 대략 수평으로 연장되는 봉상의 아암이다. 본체 지지부 (612) 의 일방의 단부는 유지부 본체 (611) 에 접속되고, 타방의 단부는 대향 부재 승강 기구 (62) 에 접속된다.
유지부 본체 (611) 의 중앙부로부터는 처리액 노즐 (71) 이 하방으로 돌출된다. 처리액 노즐 (71) 은, 대향 부재 통부 (521) 에 비접촉 상태로 삽입된다. 이하의 설명에서는, 처리액 노즐 (71) 과 대향 부재 통부 (521) 사이의 공간을「노즐 간극 (56)」이라고 부른다. 노즐 간극 (56) 은, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상의 공간이다. 처리액 노즐 (71) 의 주위에는, 유지부 본체 (611) 의 하면에 있어서 원주상의 오목부와 원주상의 볼록부가 동심원상으로 교대로 배치되는 제 2 요철부 (615) 가 형성된다. 제 2 요철부 (615) 는, 제 1 요철부 (55) 와 상하 방향으로 대향한다.
플랜지 지지부 (613) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환 판상이다. 플랜지 지지부 (613) 는, 대향 부재 플랜지부 (522) 의 하방에 위치한다. 플랜지 지지부 (613) 의 내경은, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 플랜지부 (522) 의 외경보다 작다. 플랜지 지지부 (613) 의 외경은, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 플랜지부 (522) 의 외경보다 크다. 지지부 접속부 (614) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상이다. 지지부 접속부 (614) 는, 플랜지 지지부 (613) 와 유지부 본체 (611) 를 대향 부재 플랜지부 (522) 의 주위에서 접속한다. 대향 부재 유지부 (61) 에서는, 유지부 본체 (611) 는 대향 부재 플랜지부 (522) 의 상면과 상하 방향으로 대향하는 유지부 상부이고, 플랜지 지지부 (613) 는 대향 부재 플랜지부 (522) 의 하면과 상하 방향으로 대향하는 유지부 하부이다.
도 1 에 나타내는 위치에 탑 플레이트 (5) 가 위치하는 상태에서는, 플랜지 지지부 (613) 는, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 플랜지부 (522) 의 외측 둘레부에 하측에서 접하여 지지한다. 바꾸어 말하면, 대향 부재 플랜지부 (522) 가, 대향 부재 이동 기구 (6) 의 대향 부재 유지부 (61) 에 의해서 유지된다. 이로써, 탑 플레이트 (5) 가, 기판 (9) 및 기판 유지부 (31) 의 상방에서, 대향 부재 유지부 (61) 에 의해서 메달린다. 이하의 설명에서는, 도 1 에 나타내는 탑 플레이트 (5) 의 상하 방향의 위치를「제 1 위치」라고 한다. 탑 플레이트 (5) 는, 제 1 위치에서, 대향 부재 이동 기구 (6) 에 의해서 유지되어 기판 유지부 (31) 로부터 상방으로 이간한다. 또, 탑 플레이트 (5) 가 제 1 위치에 위치하는 상태에서는, 제 2 요철부 (615) 의 볼록부의 하단은, 제 1 요철부 (55) 의 볼록부의 상단보다 상방에 위치한다.
플랜지 지지부 (613) 에는, 탑 플레이트 (5) 의 위치 어긋남 (즉, 탑 플레이트 (5) 의 이동 및 회전) 을 제한하는 이동 제한부 (616) 가 형성된다. 도 1 에 나타내는 예에서는, 이동 제한부 (616) 는, 플랜지 지지부 (613) 의 상면으로부터 상방으로 돌출되는 돌기부이다. 이동 제한부 (616) 가, 대향 부재 플랜지부 (522) 에 형성된 구멍부에 삽입됨으로써, 탑 플레이트 (5) 의 위치 어긋남이 제한된다.
대향 부재 승강 기구 (62) 는, 탑 플레이트 (5) 를 대향 부재 유지부 (61) 와 함께 상하 방향으로 이동시킨다. 도 2 는, 탑 플레이트 (5) 가 도 1 에 나타내는 제 1 위치로부터 하강된 상태를 나타내는 단면도이다. 이하의 설명에서는, 도 2 에 나타내는 탑 플레이트 (5) 의 상하 방향의 위치를「제 2 위치」라고 한다. 즉, 대향 부재 승강 기구 (62) 는, 탑 플레이트 (5) 를 상하 방향의 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 기판 유지부 (31) 에 대해서 상대적으로 상하 방향으로 이동시킨다. 제 2 위치는, 제 1 위치보다 하방의 위치이다. 바꾸어 말하면, 제 2 위치는, 탑 플레이트 (5) 가 제 1 위치보다 상하 방향에 있어서 기판 유지부 (31) 에 근접하는 위치이다.
탑 플레이트 (5) 가 제 2 위치에 위치하는 상태에서는, 탑 플레이트 (5) 의 복수의 걸어 맞춤부 (53) 가 각각, 기판 유지부 (31) 의 복수의 걸어 맞춤부 (313) 와 걸어 맞추어진다. 복수의 걸어 맞춤부 (53) 는, 복수의 걸어 맞춤부 (313) 에 의해서 하방으로부터 지지된다. 바꾸어 말하면, 복수의 걸어 맞춤부 (313) 는 탑 플레이트 (5) 를 지지하는 대향 부재 지지부이다. 예를 들어, 걸어 맞춤부 (313) 는, 상하 방향으로 대략 평행한 핀으로서, 걸어 맞춤부 (313) 의 상단부가, 걸어 맞춤부 (53) 의 하단부에 상향으로 형성된 오목부에 끼워 맞추어진다. 또, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 플랜지부 (522) 는, 대향 부재 유지부 (61) 의 플랜지 지지부 (613) 로부터 상방으로 이간한다. 이로써, 탑 플레이트 (5) 는, 제 2 위치에서, 기판 유지부 (31) 에 의해서 유지되어 대향 부재 이동 기구 (6) 로부터 이간한다 (즉, 대향 부재 이동 기구 (6) 와 비접촉 상태가 된다).
탑 플레이트 (5) 가 기판 유지부 (31) 에 의해서 유지된 상태에서는, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 측벽부 (512) 의 하단은, 예를 들어, 기판 유지부 (31) 의 유지 베이스부 (311) 의 상면보다 하방, 또는, 유지 베이스부 (311) 의 상면과 상하 방향에 관해서 동일한 위치에 위치한다. 탑 플레이트 (5) 가 제 2 위치에 위치하는 상태에서 기판 회전 기구 (33) 가 구동되면, 탑 플레이트 (5) 는, 기판 (9) 및 기판 유지부 (31) 와 함께 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 회전한다. 바꾸어 말하면, 탑 플레이트 (5) 가 제 2 위치에 위치하는 상태에서는, 탑 플레이트 (5) 는, 기판 회전 기구 (33) 에 의해서 기판 (9) 및 기판 유지부 (31) 와 함께 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 회전 가능해진다.
처리액 노즐 (71) 은, 상기 서술한 바와 같이, 노즐 간극 (56) 을 통하여 대향 부재 통부 (521) 와 비접촉이고, 탑 플레이트 (5) 가 회전할 때에도 회전하지 않고 대향 부재 통부 (521) 의 직경 방향 내측에 위치한다. 바꾸어 말하면, 탑 플레이트 (5) 가 회전할 때에는, 정지 상태의 처리액 노즐 (71) 의 주위에서, 대향 부재 통부 (521) 가 탑 플레이트 (5) 의 다른 부위와 함께 회전한다.
도 3 은, 탑 플레이트 (5) 및 대향 부재 이동 기구 (6) 의 일부를 확대해서 나타내는 단면도이다. 도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 탑 플레이트 (5) 가 제 2 위치에 위치하는 상태에서는, 제 1 요철부 (55) 와 제 2 요철부 (615) 가, 서로 비접촉 상태에서 상하 방향으로 근접한다. 제 1 요철부 (55) 의 볼록부는, 제 2 요철부 (615) 의 오목부 내에 간극을 통하여 배치되고, 제 2 요철부 (615) 의 볼록부는 제 1 요철부 (55) 의 오목부 내에 간극을 통하여 배치된다. 바꾸어 말하면, 제 1 요철부 (55) 및 제 2 요철부 (615) 의 일방의 오목부 내에 타방의 볼록부가 간극을 통하여 배치된다. 이로써, 대향 부재 플랜지부 (522) 의 상면 상에 래비린스 (57) 가 형성된다. 구체적으로는, 처리액 노즐 (71) 의 주위에 있어서, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 플랜지부 (522) 와 대향 부재 이동 기구 (6) 의 유지부 본체 (611) 사이에 래비린스 (57) 가 형성된다. 래비린스 (57) 전체에 있어서, 제 1 요철부 (55) 와 제 2 요철부 (615) 사이의 상하 방향의 거리 및 직경 방향의 거리는 대략 일정한다. 래비린스 (57) 는, 노즐 간극 (56) 에 연속된다. 탑 플레이트 (5) 가 회전할 때에는, 제 1 요철부 (55) 는 회전하고, 제 2 요철부 (615) 는 회전하지 않는다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 대향 부재 유지부 (61) 의 내부에는, 래비린스 (57) 에 접속되는 가스 공급로 (58) 가 형성된다. 또한, 상기 서술한 도 1 및 도 2 에서는, 가스 공급로 (58) 의 도시를 생략하고 있다. 도 4 는, 가스 공급로 (58) 를 나타내는 평면도이다. 도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 가스 공급로 (58) 는, 제 1 유로 (581) 와, 제 1 매니폴드 (582) 와, 복수의 제 2 유로 (583) 와 제 2 매니폴드 (584) 와 복수의 가스 분사구 (585) 를 구비한다. 제 1 매니폴드 (582), 복수의 제 2 유로 (583) 및 제 2 매니폴드 (584) 는, 유지부 본체 (611) 의 내부에 형성되고, 복수의 가스 분사구 (585) 는 유지부 본체 (611) 의 하면에 형성된다. 구체적으로는, 복수의 가스 분사구 (585) 는, 유지부 본체 (611) 의 제 2 요철부 (615) 의 오목부 상면에 형성된다. 또, 제 1 유로 (581) 는 본체 지지부 (612) 의 내부에 형성된다.
복수의 가스 분사구 (585) 는, 제 2 요철부 (615) 의 1 개의 오목부의 상면 (즉, 오목부의 바닥면) 에 있어서, 대략 등각도 간격으로 둘레 방향으로 배치된다. 복수의 가스 분사구 (585) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 둘레상으로 배치되는 둘레상 분사구이다. 당해 둘레상 분사구는, 래비린스 (57) 의 직경 방향 내단 (內端) 과 직경 방향 외단 사이에 배치된다. 가스 공급로 (58) 에서는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환상의 1 개의 분사구가, 복수의 가스 분사구 (585) 대신에 둘레상 분사구로서 형성되어도 된다.
제 2 매니폴드 (584) 는, 복수의 가스 분사구 (585) 의 상방에 배치되고, 복수의 가스 분사구 (585) 에 접속된다. 제 2 매니폴드 (584) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환상의 유로이다. 제 1 매니폴드 (582) 는, 제 2 매니폴드 (584) 의 직경 방향 외측에 배치된다. 제 1 매니폴드 (582) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환상의 유로이다. 복수의 제 2 유로 (583) 는, 대략 직경 방향으로 연장되는 직선상의 유로로서, 제 1 매니폴드 (582) 와 제 2 매니폴드 (584) 를 접속한다. 도 4 에 나타내는 예에서는, 4 개의 제 2 유로 (583) 가 대략 등각도 간격으로 둘레 방향으로 배치된다. 제 1 유로 (581) 는, 제 1 매니폴드 (582) 로부터 직경 방향 외방으로 연장된다. 제 1 유로 (581) 는, 복수의 제 2 유로 (583) 와 둘레 방향에 있어서 상이한 위치에 배치된다.
도 5 는, 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 가스 및 처리액의 공급에 관련된 기액 공급부 (7) 를 나타내는 블록도이다. 기액 공급부 (7) 는, 처리액 노즐 (71) 과, 처리액 공급부 (72) 와, 가스 공급부 (73) 를 구비한다. 처리액 공급부 (72) 는 처리액 노즐 (71) 에 접속된다. 가스 공급부 (73) 는, 처리액 노즐 (71) 에 접속되고, 처리액 노즐 (71) 에 가스를 공급한다. 가스 공급부 (73) 는, 또, 대향 부재 유지부 (61) 에 형성되는 가스 공급로 (58) 의 제 1 유로 (581) 에도 접속되고, 가스 공급로 (58) 를 통하여 래비린스 (57) 에 가스를 공급한다.
기판 처리 장치 (1) 는, 제어부 (21) 를 추가로 구비한다. 제어부 (21) 는, 기판 회전 기구 (33) 및 대향 부재 이동 기구 (6) (도 1 참조), 그리고, 처리액 공급부 (72), 가스 공급부 (73) 및 후술하는 이온 발생부 (8) 등의 구성을 제어한다. 또한, 도 5 이외의 도면에서는, 도면을 간략화하기 위해서 제어부 (21) 의 도시를 생략한다.
기판 처리 장치 (1) 에서는, 처리액으로서 여러 종류의 액체가 이용된다. 처리액은, 예를 들어, 기판 (9) 의 약액 처리에 사용되는 약액 (폴리머 제거액, 불산이나 수산화테트라메틸암모늄 수용액 등의 에칭액 등) 이어도 된다. 처리액은, 예를 들어, 기판 (9) 의 세정 처리에 사용되는 순수 (DIW) 나 탄산수 등의 세정액이어도 된다. 처리액은, 예를 들어, 기판 (9) 상의 액체를 치환하기 위해서 공급되는 이소프로필알코올 (IPA) 등이어도 된다. 가스 공급부 (73) 로부터 공급되는 가스는, 예를 들어, 질소 (N2) 가스 등의 불활성 가스이다. 가스 공급부 (73) 로부터는, 불활성 가스 이외의 여러 가지 가스가 공급되어도 된다.
도 6 은, 처리액 노즐 (71) 의 일부를 확대해서 나타내는 단면도이다. 처리액 노즐 (71) 은, 예를 들어, PFA (테트라플루오로에틸렌·퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체) 에 의해서 형성된다. 처리액 노즐 (71) 의 내부에는, 처리액 유로 (716) 와, 2 개의 가스 유로 (717) 가 형성된다. 처리액 유로 (716) 는, 도 5 에 나타내는 처리액 공급부 (72) 에 접속된다. 2 개의 가스 유로 (717) 는, 도 5 에 나타내는 가스 공급부 (73) 에 접속된다.
처리액 공급부 (72) 로부터 도 6 에 나타내는 처리액 유로 (716) 에 공급된 처리액은, 처리액 노즐 (71) 의 하단면에 형성된 토출구 (716a) 로부터 하방으로 토출된다. 처리액 노즐 (71) 로부터 복수 종류의 처리액이 토출될 경우, 처리액 노즐 (71) 에는, 복수 종류의 처리액에 각각 대응하는 복수의 처리액 유로 (716) 가 형성되고, 복수 종류의 처리액은 각각 복수의 토출구 (716a) 로부터 토출되어도 된다.
가스 공급부 (73) 로부터 중앙의 가스 유로 (717) (도면 중의 우측의 가스 유로 (717)) 에 공급된 불활성 가스는, 처리액 노즐 (71) 의 하단면에 형성된 하면 분사구 (717a) 로부터 하방을 향하여 공급 (예를 들어, 분사) 된다. 가스 공급부 (73) 로부터 외측 둘레부의 가스 유로 (717) 에 공급된 불활성 가스는, 처리액 노즐 (71) 의 측면에 형성된 복수의 측면 분사구 (717b) 로부터 주위에 공급된다.
복수의 측면 분사구 (717b) 는 둘레 방향으로 대략 등각도 간격으로 배열된다. 복수의 측면 분사구 (717b) 는, 외측 둘레부의 가스 유로 (717) 의 하단부로부터 둘레 방향으로 연장되는 둘레상 유로에 접속된다. 가스 공급부 (73) 로부터 공급된 불활성 가스는, 복수의 측면 분사구 (717b) 로부터, 하방을 향하여 경사지게 공급 (예를 들어, 분사) 된다. 또한, 측면 분사구 (717b) 는 1 개만 형성되어도 된다.
처리액 공급부 (72) (도 5 참조) 로부터 공급된 처리액은, 처리액 노즐 (71) 의 토출구 (716a) 로부터, 도 2 에 나타내는 대향 부재 개구 (54) 를 통하여 기판 (9) 의 상면 (91) 을 향하여 토출된다. 바꾸어 말하면, 처리액 노즐 (71) 은, 처리액 공급부 (72) 로부터 공급된 처리액을, 대향 부재 개구 (54) 를 통하여 기판 (9) 의 상면 (91) 에 공급한다. 기판 처리 장치 (1) 에서는, 처리액 노즐 (71) 은, 대향 부재 본체 (51) 의 대향 부재 개구 (54) 로부터 하방으로 돌출되어도 된다. 바꾸어 말하면, 처리액 노즐 (71) 의 선단이, 대향 부재 개구 (54) 의 하단 가장자리보다 하방에 위치해도 된다. 처리액 공급부 (72) 로부터 공급된 처리액은, 처리액 노즐 (71) 내에서 대향 부재 개구 (54) 를 통하여 하방으로 흐르고, 처리액 노즐 (71) 의 토출구 (716a) (도 6 참조) 로부터 기판 (9) 의 상면 (91) 을 향하여 토출된다. 처리액이 대향 부재 개구 (54) 를 통하여 공급된다고 할 경우, 대향 부재 개구 (54) 보다 상방에서 처리액 노즐 (71) 로부터 토출된 처리액이 대향 부재 개구 (54) 를 통과하는 상태뿐만 아니라, 대향 부재 개구 (54) 에 삽입된 처리액 노즐 (71) 을 통하여 처리액이 토출되는 상태도 포함한다.
가스 공급부 (73) (도 5 참조) 로부터 처리액 노즐 (71) 에 공급된 불활성 가스의 일부는, 처리액 노즐 (71) 의 하면 분사구 (717a) (도 6 참조) 로부터, 탑 플레이트 (5) 의 하방의 공간인 하방 공간의 직경 방향 중앙부에 공급된다. 상세하게는, 가스 공급부 (73) 로부터의 불활성 가스의 일부는, 처리액 노즐 (71) 의 하면 분사구 (717a) 로부터, 대향 부재 개구 (54) 를 통하여 탑 플레이트 (5) 의 하면과 기판 (9) 의 상면 (91) 사이의 공간인 처리 공간 (90) 의 직경 방향 중앙부에 공급된다. 또, 가스 공급부 (73) 로부터 처리액 노즐 (71) 에 공급된 불활성 가스의 일부는, 처리액 노즐 (71) 의 복수의 측면 분사구 (717b) (도 6 참조) 로부터 노즐 간극 (56) 에 공급된다. 노즐 간극 (56) 에서는, 가스 공급부 (73) 로부터의 불활성 가스가, 처리액 노즐 (71) 의 측면으로부터 하방을 향하여 경사지게 공급되어 하방을 향하여 흐르고, 처리 공간 (90) 에 공급된다.
기판 처리 장치 (1) 에서는, 기판 (9) 의 처리는, 바람직하게는 처리 공간 (90) 에 처리액 노즐 (71) 로부터 불활성 가스가 공급되고, 처리 공간 (90) 이 불활성 가스 분위기로 되어 있는 상태에서 행해진다. 바꾸어 말하면, 가스 공급부 (73) 로부터 처리 공간 (90) 에 공급되는 가스는, 처리 분위기용 가스이다. 처리 분위기용 가스에는, 처리액 노즐 (71) 로부터 노즐 간극 (56) 에 공급되고, 노즐 간극 (56) 을 통하여 상기 서술한 하방 공간 (즉, 처리 공간 (90)) 에 공급되는 가스도 포함된다.
가스 공급부 (73) 로부터 도 3 및 도 4 에 나타내는 가스 공급로 (58) 의 제 1 유로 (581) 에 공급된 불활성 가스는, 제 1 매니폴드 (582) 에서 둘레 방향으로 확산되고, 복수의 제 2 유로 (583) 를 통하여 제 2 매니폴드 (584) 로 유도된다. 당해 불활성 가스는, 제 2 매니폴드 (584) 에 있어서도 둘레 방향으로 확산되고, 래비린스 (57) 의 직경 방향 내단과 직경 방향 외단 사이에서, 복수의 가스 분사구 (585) 로부터 하방의 래비린스 (57) 를 향하여 분사된다. 복수의 가스 분사구 (585) 로부터 래비린스 (57) 에 불활성 가스가 공급됨으로써, 래비린스 (57) 보다 직경 방향 내측의 공간인 노즐 간극 (56), 및, 노즐 간극 (56) 에 연속되는 처리 공간 (90) 이, 래비린스 (57) 의 직경 방향 외측의 공간부터 시일된다. 즉, 가스 공급부 (73) 로부터 래비린스 (57) 에 공급되는 가스는 시일 가스이다. 복수의 가스 분사구 (585) 로부터 래비린스 (57) 에 공급된 불활성 가스는, 래비린스 (57) 내에 있어서 직경 방향 외방 및 직경 방향 내방으로 확산된다.
래비린스 (57) 내에 있어서 직경 방향 내방으로 확산되는 불활성 가스는, 래비린스 (57) 로부터 노즐 간극 (56) 에 공급되고, 노즐 간극 (56) 을 통하여 상기 서술한 하방 공간 (즉, 처리 공간 (90)) 에 공급된다. 래비린스 (57) 내에 있어서 직경 방향 외방으로 확산되는 불활성 가스는, 래비린스 (57) 를 통과하고, 대향 부재 플랜지부 (522) 의 하방으로 돌아 들어가, 대향 부재 플랜지부 (522) 와 플랜지 지지부 (613) 사이로부터 탑 플레이트 (5) 의 상면 (즉, 대향 부재 본체 (51) 의 상면) 상에 공급된다.
도 5 에 나타내는 예에서는, 가스 공급부 (73) 는, 시일 가스의 공급원인 시일 가스 공급부이며, 또한, 처리 분위기용 가스의 공급원인 처리 분위기용 가스 공급부이기도 하다. 또, 도 3 에 나타내는 가스 분사구 (585) 는, 시일 가스의 분사구이며, 또한, 처리 분위기용 가스의 분사구이기도 하다. 그리고, 처리 분위기용 가스와 시일 가스가 동일한 종류의 가스이다. 또한, 처리 분위기용 가스와 시일 가스는 상이한 종류의 가스여도 된다. 가스 공급로 (58) 에서는, 제 1 매니폴드 (582) 및 제 2 매니폴드 (584) 는 각각, 시일 가스 공급부인 가스 공급부 (73) 와 복수의 가스 분사구 (585) 사이에서, 시일 가스를 일시적으로 저류하는 환상의 매니폴드이다.
도 3 및 도 5 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (1) 는, 이온 발생부 (8) 를 추가로 구비한다. 이온 발생부 (8) 는, 이온을 생성하여, 가스 공급부 (73) 로부터의 불활성 가스에 당해 이온을 공급한다. 이온 발생부 (8) 는, 방전을 행함으로써 이온을 생성하는 방전 니들 (81) 을 구비한다. 방전 니들 (81) 은, 예를 들어, 유지부 본체 (611) 의 내부에 배치된다. 바람직하게는, 방전 니들 (81) 은, 가스 분사구 (585) 의 내측에서, 가스 분사구 (585) 에 근접하여 배치된다. 도 3 에 나타내는 예에서는, 방전 니들 (81) 은, 유지부 본체 (611) 의 내부에 있어서 제 2 매니폴드 (584) 에 배치되고, 가스 공급부 (73) 로부터 공급된 제 2 매니폴드 (584) 내의 불활성 가스의 일부를 이온화함으로써, 상기 서술한 이온을 생성한다. 이온 발생부 (8) 에 형성되는 방전 니들 (81) 의 수는 하나여도 되고, 복수여도 된다. 이온 발생부 (8) 가 복수의 방전 니들 (81) 을 구비할 경우, 당해 복수의 방전 니들 (81) 은, 예를 들어, 제 2 매니폴드 (584) 에 있어서 둘레 방향으로 대략 등각도 간격으로 배치된다.
다음으로, 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 기판 (9) 처리의 흐름의 일례에 대해서, 도 7 을 참조하면서 설명한다. 먼저, 탑 플레이트 (5) 가 도 1 에 나타내는 제 1 위치에 위치하는 상태에서, 기판 (9) 이 하우징 (11) 내에 반입되고, 기판 유지부 (31) 에 의해서 유지된다 (스텝 S11). 이 때, 탑 플레이트 (5) 는 대향 부재 이동 기구 (6) 의 대향 부재 유지부 (61) 에 의해서 유지되어 있다.
계속해서, 대향 부재 승강 기구 (62) 에 의해서 대향 부재 유지부 (61) 가 하방으로 이동된다. 이로써, 탑 플레이트 (5) 가, 제 1 위치로부터 하방으로 이동하고, 스텝 S11 에 있어서의 위치 (즉, 기판 (9) 의 반입시에 있어서의 위치) 보다 하방에 위치한다. 구체적으로는, 탑 플레이트 (5) 는, 제 1 위치로부터 제 2 위치로 이동하고, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부 (31) 에 의해서 유지된다 (스텝 S12). 또, 도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 탑 플레이트 (5) 와 대향 부재 유지부 (61) 사이에 래비린스 (57) 가 형성된다.
그리고, 제어부 (21) (도 5 참조) 에 의해서 가스 공급부 (73) 가 제어됨으로써, 처리액 노즐 (71) 을 통하여, 노즐 간극 (56) 및 처리 공간 (90) 에 대한 불활성 가스 (즉, 처리 분위기용 가스) 의 공급이 개시된다. 또, 도 3 에 나타내는 가스 공급로 (58) 를 통하여, 래비린스 (57) 에 대한 불활성 가스 (즉, 시일 가스) 의 공급도 개시된다 (스텝 S13). 처리액 노즐 (71) 로부터의 불활성 가스의 공급, 및, 래비린스 (57) 에 대한 불활성 가스의 공급은 스텝 S13 이후에도 계속된다.
다음으로, 제어부 (21) 에 의해서, 도 2 에 나타내는 기판 회전 기구 (33) 가 제어됨으로써, 기판 유지부 (31), 기판 (9) 및 탑 플레이트 (5) 의 회전이 개시된다 (스텝 S14). 또, 제어부 (21) 에 의해서 이온 발생부 (8) 가 제어됨으로써, 이온의 생성이 개시되고, 가스 공급부 (73) 로부터의 불활성 가스에 대한 이온의 공급이 개시된다 (스텝 S15). 구체적으로는, 도 3 에 나타내는 이온 발생부 (8) 에 의해서, 가스 분사구 (585) 로부터 래비린스 (57) 에 공급되기 전의 불활성 가스에 이온이 공급된다. 가스 분사구 (585) 로부터 래비린스 (57) 에 공급되는 불활성 가스는 당해 이온을 포함한다. 스텝 S15 는, 스텝 S14 보다도 전에 행해져도 되고, 스텝 S13, S14 와 병행하여 행해져도 된다.
이와 같이, 스텝 S12 보다도 후에 스텝 S13 ∼ S15 가 행해짐으로써, 탑 플레이트 (5) 가 제 2 위치에 위치하는 상태에서 기판 유지부 (31) 및 탑 플레이트 (5) 를 회전시키면서, 상기 서술한 이온을 포함하는 불활성 가스의 일부가, 래비린스 (57) 및 노즐 간극 (56) 을 통하여 처리 공간 (90) 의 직경 방향 중앙부에 공급된다. 이로써, 처리 공간 (90) 의 직경 방향 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 확산되는 이온 기류 (즉, 이온을 포함하는 가스의 흐름) 가 형성된다. 처리 공간 (90) 에 있어서의 이온 기류의 형성은, 후술하는 처리액 공급부 (72) 로부터의 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리보다도 전에 행해진다.
기판 처리 장치 (1) 에서는, 대전한 상태의 기판 (9) 이 반입되는 경우가 있다. 기판 (9) 은, 예를 들어, 기판 처리 장치 (1) 에 대한 반입 전에 드라이 에칭이나 플라즈마 CVD (Chemical Vapor Deposition) 등의 드라이 공정이 실시됨으로써 대전한다. 구체적으로는, 기판 (9) 의 상면 (91) 상에 미리 형성되어 있는 디바이스 내에, 상기 드라이 공정에 의해서 전하가 발생된다. 기판 처리 장치 (1) 에서는, 상기 서술한 바와 같이, 기판 (9) 의 상면 (91) 과 탑 플레이트 (5) 의 하면 사이의 공간인 처리 공간 (90) 에 이온 기류가 형성됨으로써, 기판 처리 장치 (1) 에 대한 반입시에 이미 발생되어 있는 기판 (9) 의 대전 (이른바, 반입 대전) 이 제거된다.
기판 처리 장치 (1) 에서는, 이온 기류에 의한 기판 (9) 의 반입 대전의 제거 처리 (즉, 제전 처리) 가, 소정 시간 행해진다 (스텝 S16). 스텝 S16 에서는, 도 3 에 나타내는 탑 플레이트 (5) 의 하면이 대전하고 있는 경우, 당해 이온 기류에 의해서, 탑 플레이트 (5) 의 하면의 제전도 행해진다. 또, 처리액 노즐 (71) 및 대향 부재 통부 (521) 가 대전하고 있는 경우, 래비린스 (57) 로부터 처리 공간 (90) 을 향하여, 노즐 간극 (56) 을 흐르는 이온을 포함하는 불활성 가스에 의해서, 처리액 노즐 (71) 및 대향 부재 통부 (521) 의 제전도 행해진다.
기판 처리 장치 (1) 에서는, 스텝 S16 에 있어서 래비린스 (57) 에 공급되는 불활성 가스 (즉, 이온을 포함하는 불활성 가스) 의 일부는, 래비린스 (57) 내를 직경 방향 외방으로 흐른다. 이로써, 노즐 간극 (56) 이, 래비린스 (57) 의 직경 방향 외측의 공간인 외부 공간부터 시일된다. 래비린스 (57) 내를 직경 방향 외방으로 흐르는 불활성 가스는, 대향 부재 플랜지부 (522) 와 플랜지 지지부 (613) 사이로부터, 탑 플레이트 (5) 의 상면의 직경 방향 중앙부로 향하여 공급되어 탑 플레이트 (5) 의 상면을 따라서 직경 방향 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 흐른다. 바꾸어 말하면, 래비린스 (57) 로부터 직경 방향 외측으로 흘러 나온 이온을 포함하는 불활성 가스에 의해서, 탑 플레이트 (5) 의 상면을 따라서 직경 방향 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 확산되는 상부 이온 기류가 형성된다. 이로써, 탑 플레이트 (5) 의 상면이 대전하고 있을 경우, 당해 상부 이온 기류에 의해서, 탑 플레이트 (5) 의 상면의 제전이 행해진다.
기판 (9) 의 반입 대전의 제거 처리가 종료되면, 처리액 공급부 (72) 로부터 처리액 노즐 (71) 에 제 1 처리액이 공급되고, 도 2 에 나타내는 제 2 위치에 위치하는 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 개구 (54) 를 통하여, 회전 중인 기판 (9) 의 상면 (91) 의 중앙부에 공급된다 (스텝 S17). 처리액 노즐 (71) 로부터 기판 (9) 의 중앙부에 공급된 제 1 처리액은, 기판 (9) 의 회전에 의해서, 기판 (9) 의 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 확산되고, 기판 (9) 의 상면 (91) 전체에 부여된다. 제 1 처리액은, 기판 (9) 의 외측 가장자리로부터 직경 방향 외방으로 비산되고, 컵부 (4) 의 제 1 가드 (41) 에 의해서 받아내어진다. 도 2 에 나타내는 제 1 가드 (41) 의 상하 방향의 위치는, 기판 (9) 으로부터의 처리액을 받아내는 위치이고, 이하의 설명에서는「수액 위치」라고 한다. 제 1 처리액이 기판 (9) 에 대해서 소정 시간 부여됨으로써, 제 1 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리가 종료된다. 제 1 처리액은, 예를 들어, 폴리머 제거액이나 에칭액 등의 약액이고, 스텝 S17 에 있어서, 기판 (9) 에 대한 약액 처리가 행해진다. 제 1 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리가 행해지고 있는 동안, 래비린스 (57), 노즐 간극 (56) 및 처리 공간 (90) 에 대한 이온을 포함하는 불활성 가스의 공급은 계속된다.
제 1 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리가 종료되면, 처리액 노즐 (71) 로부터의 제 1 처리액의 공급이 정지된다. 그리고, 가드 이동 기구 (43) 에 의해서 제 1 가드 (41) 가 하방으로 이동되고, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 상기 서술한 수액 위치보다 하방의 대피 위치에 위치한다. 이로써, 기판 (9) 으로부터의 처리액을 수용하는 가드가, 제 1 가드 (41) 로부터 제 2 가드 (42) 로 전환된다. 즉, 가드 이동 기구 (43) 는, 제 1 가드 (41) 를 수액 위치와 대피 위치 사이에서 상하 방향으로 이동시킴으로써, 기판 (9) 으로부터의 처리액을 받아내는 가드를 제 1 가드 (41) 와 제 2 가드 (42) 사이에서 전환하는 가드 전환 기구이다.
계속해서, 처리액 공급부 (72) 로부터 처리액 노즐 (71) 에 제 2 처리액이 공급되고, 제 2 위치에 위치하는 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 개구 (54) 를 통하여, 회전 중인 기판 (9) 의 상면 (91) 의 중앙부에 공급된다 (스텝 S18). 처리액 노즐 (71) 로부터 기판 (9) 의 중앙부에 공급된 제 2 처리액은, 기판 (9) 의 회전에 의해서, 기판 (9) 의 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 확산되어, 기판 (9) 의 상면 (91) 전체에 부여된다. 제 2 처리액은, 기판 (9) 의 외측 가장자리로부터 직경 방향 외방으로 비산하고, 컵부 (4) 의 제 2 가드 (42) 에 의해서 받아내어진다. 제 2 처리액이 기판 (9) 에 대해서 소정 시간 부여됨으로써, 제 2 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리가 종료된다. 제 2 처리액은, 예를 들어, 순수나 탄산수 등의 세정액이고, 스텝 S18 에 있어서, 기판 (9) 에 대한 세정 처리가 행해진다. 제 2 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리가 행해지는 동안에도, 래비린스 (57), 노즐 간극 (56) 및 처리 공간 (90) 에 대한 이온을 포함하는 불활성 가스의 공급은 계속된다.
제 2 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리가 종료되면, 처리액 노즐 (71) 로부터의 제 2 처리액의 공급이 정지된다. 그리고, 가스 공급부 (73) 에 의해서 처리액 노즐 (71) 의 측면으로부터 노즐 간극 (56) 을 향하여 분사되는 불활성 가스의 유량이 증대된다. 또, 처리액 노즐 (71) 의 하단면으로부터 처리 공간 (90) 을 향하여 분사되는 불활성 가스의 유량도 증대된다. 또한, 기판 회전 기구 (33) 에 의한 기판 (9) 의 회전 속도가 증대된다. 이로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 상에 남아 있는 제 2 처리액 등이 직경 방향 외방으로 이동하여, 기판 (9) 의 외측 가장자리로부터 직경 방향 외방으로 비산하고, 컵부 (4) 의 제 2 가드 (42) 에 의해서 받아내어진다. 기판 회전 기구 (33) 에 의한 기판 (9) 의 회전이 소정 시간만 계속됨으로써, 처리액 공급부 (72) 로부터의 처리액을 기판 (9) 의 상면 (91) 상에서 제거하는 건조 처리가 행해진다 (스텝 S19).
스텝 S19 의 건조 처리에서는, 탑 플레이트 (5) 및 기판 (9) 이 고속으로 회전하기 때문에, 탑 플레이트 (5) 및 기판 (9) 과 공기의 마찰에 의해서, 탑 플레이트 (5) 및 기판 (9) 의 대전이 발생된다. 기판 처리 장치 (1) 에서는, 상기 서술한 처리 공간 (90) 에 있어서의 이온 기류의 형성이, 스텝 S19 의 건조 처리시에 있어서도 계속적으로 행해진다. 이로써, 탑 플레이트 (5) 의 하면, 및, 기판 (9) 의 상면 (91) 의 제전이 행해진다. 기판 처리 장치 (1) 에서는, 또, 탑 플레이트 (5) 의 상면을 따른 상부 이온 기류의 형성도, 스텝 S19 의 건조 처리시에 있어서 계속적으로 행해진다. 이로써, 탑 플레이트 (5) 의 상면의 제전이 행해진다.
스텝 S19 의 건조 처리에서는, 회전하는 대향 부재 통부 (521) 에도, 공기와의 마찰에 의한 대전이 발생된다. 또, 대향 부재 통부 (521) 의 회전에 의해서 노즐 간극 (56) 에 둘레 방향의 기류가 발생되고, 당해 기류와의 마찰에 의해서 처리액 노즐 (71) 에도 대전이 발생된다. 기판 처리 장치 (1) 에서는, 래비린스 (57) 로부터 처리 공간 (90) 으로 흐르는 이온을 포함하는 불활성 가스에 의해서, 대향 부재 통부 (521) 및 처리액 노즐 (71) 의 제전이 행해진다.
이와 같이, 기판 처리 장치 (1) 에서는, 스텝 S19 에 있어서의 기판 (9) 의 건조 처리와 병행하여, 탑 플레이트 (5), 기판 (9) 및 처리액 노즐 (71) 의 제전 처리가 행해진다. 또한, 스텝 S19 에 있어서의 탑 플레이트 (5), 기판 (9) 및 처리액 노즐 (71) 의 제전 처리는, 이온을 포함한 불활성 가스의 공급에 의해서, 탑 플레이트 (5), 기판 (9) 및 처리액 노즐 (71) 의 대전을 제거할 뿐만 아니라, 당해 대전이 발생되지 않도록 방지 또는 억제하는 것도 포함한다. 당해 제전 처리는, 예를 들어, 기판 (9) 의 건조 처리가 종료될 때까지 계속적으로 행해지고, 건조 처리의 종료와 동시에 종료된다.
기판 (9) 의 건조 처리가 종료되면, 기판 회전 기구 (33) 에 의한 기판 유지부 (31), 기판 (9) 및 탑 플레이트 (5) 의 회전이 정지된다 (스텝 S20). 또, 가스 공급부 (73) 로부터 노즐 간극 (56), 처리 공간 (90) 및 래비린스 (57) 에 대한 불활성 가스의 공급이 정지된다. 또한, 이온 발생부 (8) 에 의한 이온의 생성, 및, 불활성 가스에 대한 이온의 공급도 정지된다 (스텝 S21). 다음으로, 대향 부재 승강 기구 (62) 에 의해서 대향 부재 유지부 (61) 가 상방으로 이동함으로써, 탑 플레이트 (5) 가, 제 2 위치로부터 도 1 에 나타내는 제 1 위치로 상방으로 이동한다 (스텝 S22). 탑 플레이트 (5) 는, 기판 유지부 (31) 로부터 상방으로 이간하고, 대향 부재 유지부 (61) 에 의해서 유지된다. 그 후, 기판 (9) 이 하우징 (11) 으로부터 반출된다 (스텝 S23). 기판 처리 장치 (1) 에서는, 복수의 기판 (9) 에 대해서, 상기 서술한 스텝 S11 ∼ S23 이 순차적으로 행해져, 복수의 기판 (9) 이 순차적으로 처리된다.
이상으로 설명한 바와 같이, 기판 처리 장치 (1) 는, 기판 유지부 (31) 와, 기판 회전 기구 (33) 와, 탑 플레이트 (5) 와, 처리액 공급부 (72) 와, 가스 공급부 (73) 와, 이온 발생부 (8) 와, 제어부 (21) 를 구비한다. 기판 유지부 (31) 는, 수평 상태에서 기판 (9) 을 유지한다. 기판 회전 기구 (33) 는, 상하 방향을 향하는 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 기판 유지부 (31) 를 회전시킨다. 탑 플레이트 (5) 는, 기판 (9) 의 상면에 대향함과 함께, 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 회전한다. 처리액 공급부 (72) 는, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 처리액을 공급한다. 가스 공급부 (73) 는, 탑 플레이트 (5) 의 하방의 공간인 하방 공간의 직경 방향 중앙부에 처리 분위기용 가스를 공급한다. 이온 발생부 (8) 는, 이온을 생성하여, 가스 공급부 (73) 로부터의 처리 분위기용 가스에 공급한다. 제어부 (21) 는, 기판 회전 기구 (33), 가스 공급부 (73) 및 이온 발생부 (8) 를 제어함으로써, 탑 플레이트 (5) 가 기판 (9) 의 반입시보다 하방에 위치하는 상태에서 기판 유지부 (31) 및 탑 플레이트 (5) 를 회전시키면서, 이온을 포함하는 처리 분위기용 가스를 상기 하방 공간에 공급하여, 하방 공간의 직경 방향 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 확산되는 이온 기류를 형성한다.
이로써, 탑 플레이트를 향하여 X 선을 조사함으로써 탑 플레이트를 제전하는 경우 등에 비해서, 탑 플레이트 (5) 의 제전을 간소한 구조로 행할 수 있다. 그 결과, 탑 플레이트 (5) 에 대한 파티클 등의 부착을 방지할 수 있다. 또, 탑 플레이트 (5) 와 기판 (9) 사이에 방전이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 당해 방전을 방지할 수 있기 때문에, 기판 (9) 에 대한 가연성 약액 등의 공급이 제한될 우려도 없다.
기판 처리 장치 (1) 에서는, 또, 탑 플레이트 (5) 를 기판 유지부 (31) 에 근접시킴으로써, 하방 공간을 작게 하여, 하방 공간에 공급되는 이온을 포함하는 처리 분위기용 가스의 양을 적게 할 수 있다. 또한, 탑 플레이트 (5) 및 기판 유지부 (31) 를 회전시킴으로써, 하방 공간에 공급된 이온을 포함하는 처리 분위기용 가스를, 하방 공간의 직경 방향 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 대략 균일하게, 그리고 신속하게 확산시킬 수 있다. 이로써, 이온 기류를 형성할 때에 필요해지는 처리 분위기용 가스의 양을 더욱 적게 할 수 있다. 그 결과, 처리 분위기용 가스의 사용량을 저감하면서 탑 플레이트 (5) 의 제전을 행할 수 있다.
상기 서술한 바와 같이, 이온 기류가 형성되는 하방 공간은, 탑 플레이트 (5) 의 하면과 기판 (9) 의 상면 (91) 사이의 공간인 처리 공간 (90) 이다. 처리 공간 (90) 에 있어서의 이온 기류의 형성은, 기판 회전 기구 (33) 에 의한 기판 (9) 의 회전에 의해서 처리액 공급부 (72) 로부터의 처리액을 기판 (9) 상으로부터 제거하는 건조 처리시 (스텝 S19) 에 행해진다. 이로써, 건조 처리시에 있어서의 탑 플레이트 (5) 및 기판 (9) 의 제전을 행할 수 있다.
또, 처리 공간 (90) 에 있어서의 이온 기류의 형성은, 처리액 공급부 (72) 로부터의 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리 (스텝 S17) 보다 전에도 행해진다. 이로써, 기판 (9) 에 처리액이 공급되기보다도 전에, 탑 플레이트 (5) 및 기판 (9) 의 제전을 행할 수 있다. 이 때문에, 기판 처리 장치 (1) 에 반입된 기판 (9) 이 이미 대전하고 있는 경우 (즉, 반입 대전이 발생되어 있는 경우) 여도, 당해 대전에서 기인하여 기판 (9) 상에 공급된 처리액과 기판 (9) 사이에 있어서 방전이 발생되는 것을 방지 또는 억제할 수 있다. 그 결과, 처리액과 기판 (9) 사이에 있어서의 방전에 의한 기판 (9) 의 손상 등을 방지 또는 억제할 수 있다.
나아가, 기판 처리 장치 (1) 에서는, 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리 전에 있어서의 이온 기류의 형성이, 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리시에 처리 공간 (90) 에 공급되는 처리 분위기용 가스를 이용하여 행해진다. 이와 같이, 처리액에 의한 처리 전의 제전 처리 (스텝 S16) 에서 처리 공간 (90) 에 공급되는 가스와, 당해 제전 처리 후의 처리액에 의한 처리 (스텝 S17) 시에 처리 공간 (90) 에 공급되는 가스를 동일한 종류로 함으로써, 처리 공간 (90) 에 공급되는 가스를 스텝 S16 과 스텝 S17 사이에서 전환하는 공정이 불필요해진다. 그 결과, 스텝 S16 의 제전 처리에서 기인하는 기판 (9) 의 처리 시간의 증대를 억제할 수 있다.
기판 처리 장치 (1) 는, 대향 부재 이동 기구 (6) 를 추가로 구비한다. 대향 부재 이동 기구 (6) 는, 탑 플레이트 (5) 를 유지하고, 탑 플레이트 (5) 를 상하 방향의 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 기판 유지부 (31) 에 대해서 상대적으로 이동시킨다. 탑 플레이트 (5) 는, 제 1 위치에서 대향 부재 이동 기구 (6) 에 의해서 유지됨과 함께, 기판 유지부 (31) 로부터 상방으로 이간한다. 또, 탑 플레이트 (5) 는, 제 2 위치에서 기판 유지부 (31) 에 의해서 유지되고, 기판 회전 기구 (33) 에 의해서 기판 유지부 (31) 와 함께 회전한다.
이와 같이, 탑 플레이트 (5) 의 회전시에는, 탑 플레이트 (5) 는 대향 부재 이동 기구 (6) 로부터 이간되기 때문에, 대향 부재 이동 기구 (6) 를 통하여 탑 플레이트 (5) 를 접지시키거나 하여 제전을 행하는 것은 곤란하다. 기판 처리 장치 (1) 에서는, 상기 서술한 바와 같이, 탑 플레이트 (5) 의 하방에 위치하는 하방 공간에 이온 기류를 형성함으로써, 기판 회전 기구 (33) 에 의해서 기판 유지부 (31) 와 함께 회전하는 탑 플레이트 (5) 의 제전을 용이하게 행할 수 있다. 또, 기판 처리 장치 (1) 에서는, 탑 플레이트 (5) 를 회전시키기 위한 기구를 기판 회전 기구 (33) 와는 별도로 형성할 필요가 없기 때문에, 장치 구조를 간소화할 수 있다.
기판 처리 장치 (1) 에서는, 탑 플레이트 (5) 는, 대향 부재 본체 (51) 와, 대향 부재 통부 (521) 를 구비한다. 대향 부재 본체 (51) 는, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대향한다. 대향 부재 본체 (51) 의 직경 방향 중앙부에는, 대향 부재 개구 (54) 가 형성된다. 대향 부재 통부 (521) 는, 대향 부재 본체 (51) 의 대향 부재 개구 (54) 의 주위로부터 상방으로 돌출되는 통상의 부위이다. 또, 처리액 공급부 (72) 는, 처리액 노즐 (71) 을 구비한다. 처리액 노즐 (71) 은, 대향 부재 통부 (521) 에 삽입되고, 대향 부재 개구 (54) 를 통하여 기판 (9) 의 상면 (91) 에 처리액을 공급한다. 그리고, 이온을 포함하는 처리 분위기용 가스는, 처리액 노즐 (71) 과 대향 부재 통부 (521) 사이의 공간인 노즐 간극 (56) 을 통하여, 상기 서술한 하방 공간에 공급된다. 이 때문에, 노즐 간극 (56) 을 흐르는 이온을 포함하는 처리 분위기용 가스를 이용하여, 처리액 노즐 (71) 의 제전을 행할 수 있다. 또, 대향 부재 통부 (521) 의 제전도 행할 수 있다.
상기 서술한 바와 같이, 탑 플레이트 (5) 는, 대향 부재 플랜지부 (522) 를 추가로 구비한다. 대향 부재 플랜지부 (522) 는, 대향 부재 통부 (521) 의 상단부로부터 직경 방향 외방으로 환상으로 확대됨과 함께, 대향 부재 이동 기구 (6) 에 유지된다. 탑 플레이트 (5) 가 제 2 위치에 위치하는 상태에서는, 대향 부재 플랜지부 (522) 의 상면 상에, 노즐 간극 (56) 에 연속되는 래비린스 (57) 가 형성된다. 그리고, 이온을 포함하는 처리 분위기용 가스가 래비린스 (57) 에 공급됨으로써, 노즐 간극 (56) 이 외부 공간부터 시일됨과 함께, 탑 플레이트 (5) 의 상면을 따라서 직경 방향 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 확산되는 상부 이온 기류가 형성된다. 이로써, 탑 플레이트 (5) 의 상면의 제전도 행할 수 있다.
기판 처리 장치 (1) 에서는, 이온 발생부 (8) 는, 방전을 행함으로써 이온을 생성하는 방전 니들 (81) 을 구비한다. 탑 플레이트 (5) 는, 대향 부재 플랜지부 (522) 의 상면에 있어서 오목부와 볼록부가 동심원상으로 교대로 배치되는 제 1 요철부를 추가로 구비한다. 대향 부재 이동 기구 (6) 는, 플랜지 지지부 (613) 와, 유지부 본체 (611) 와, 제 2 요철부 (615) 를 구비한다. 플랜지 지지부 (613) 는, 대향 부재 플랜지부 (522) 의 하면과 상하 방향으로 대향한다. 유지부 본체 (611) 는, 대향 부재 플랜지부 (522) 의 상면과 상하 방향으로 대향한다. 제 2 요철부 (615) 에서는, 유지부 본체 (611) 의 하면에 있어서 오목부와 볼록부가 동심원상으로 교대로 배치된다. 그리고, 탑 플레이트 (5) 가 제 2 위치에 위치하는 상태에서, 제 1 요철부 (55) 및 제 2 요철부 (615) 의 일방의 오목부 내에 타방의 볼록부가 간극을 통하여 배치됨으로써, 래비린스 (57) 가 형성된다. 또, 방전 니들 (81) 은, 제 2 요철부 (615) 의 오목부 상면에 형성된 처리 분위기용 가스의 가스 분사구 (585) 의 내측에 배치된다.
이와 같이, 방전 니들 (81) 을 가스 분사구 (585) 의 근방에 배치함으로써, 이온의 경시적 (經時的) 감소를 억제하면서, 이온을 포함하는 처리 분위기용 가스를 노즐 간극 (56), 처리 공간 (90) 및 탑 플레이트 (5) 의 상면 상에 공급할 수 있다. 그 결과, 대향 부재 통부 (521) 및 처리액 노즐 (71) 의 제전, 탑 플레이트 (5) 의 상면 및 하면의 제전, 그리고, 기판 (9) 의 상면 (91) 의 제전을 효율적으로 행할 수 있다.
기판 처리 장치 (1) 에서는, 이온 기류에 의한 제전은, 반드시 기판 (9) 의 처리액에 의한 처리 전 (스텝 S16), 및, 기판 (9) 의 건조 처리와 병행하여 (스텝 S19) 행해질 필요는 없다. 기판 처리 장치 (1) 에서는, 예를 들어, 스텝 S16 및 스텝 S19 중 일방의 제전 처리만이 행해져도 된다. 혹은, 스텝 S16 및 스텝 S19 의 제전 처리는 행해지지 않고, 다른 상태에 있어서 이온 기류에 의한 제전이 행해져도 된다.
또, 이온 기류에 의한 제전은, 반드시 기판 (9) 의 반입 후에 행해질 필요는 없다. 예를 들어, 기판 (9) 이 반입되어 있지 않은 상태 (즉, 기판 유지부 (31) 가 기판 (9) 을 유지하고 있지 않는 상태) 에 있어서, 제어부 (21) 가 기판 회전 기구 (33), 가스 공급부 (73) 및 이온 발생부 (8) 를 제어함으로써, 탑 플레이트 (5) 및 기판 유지부 (31) 의 제전이 행해져도 된다. 구체적으로는, 탑 플레이트 (5) 가 제 2 위치에 위치한 상태 (즉, 기판 (9) 의 반입시보다 하방에 위치한 상태) 에서 기판 유지부 (31) 및 탑 플레이트 (5) 를 회전시키면서, 이온을 포함하는 처리 분위기용 가스가, 탑 플레이트 (5) 의 하방 공간의 직경 방향 중앙부에 공급된다. 이로써, 탑 플레이트 (5) 와 기판 유지부 (31) 사이의 공간인 당해 하방 공간에 있어서, 직경 방향 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 확산되는 이온 기류가 형성된다. 그 결과, 탑 플레이트 (5) 및 기판 유지부 (31) 의 제전을, 처리 분위기용 가스의 사용량을 줄이면서, 간소한 구조로 행할 수 있다. 당해 제전은, 예를 들어, 기판 처리 장치 (1) 의 메인터넌스시, 혹은, 기판 처리 장치 (1) 에 대한 기판 (9) 의 반입 직전에 행해진다.
다음으로, 다른 바람직한 래비린스의 예에 대해서 설명한다. 도 9 는, 도 3 과 마찬가지로, 탑 플레이트 (5) 및 대향 부재 이동 기구 (6) 의 일부를 확대해서 나타내는 단면도이다 (후술하는 도 10 에 있어서도 동일). 도 9 에 나타내는 래비린스 (57a) 에 있어서는, 복수의 가스 분사구 (585) (즉, 둘레상 분사구) 에 대향하는 면 (553) 이, 직경 방향 외방을 향함에 따라서 하방으로 향하는 경사면이다. 상세하게는, 탑 플레이트 (5) 의 제 1 요철부 (55) 중, 복수의 가스 분사구 (585) 의 하방에 위치하는 하나의 환상의 볼록부 (552) 의 직경 방향 외측의 측면 (553) 이, 직경 방향 외방을 향함에 따라서 하방으로 향하는 경사면이다.
이로써, 복수의 가스 분사구 (585) 로부터 래비린스 (57a) 내에 분사된 이온을 포함하는 불활성 가스 (즉, 시일 가스) 를, 경사면인 측면 (553) 을 따라서 직경 방향 외방으로 용이하게 유도할 수 있다. 그 결과, 외부 공간의 분위기가 래비린스 (57) 내에 침입하는 것을 보다 더 억제할 수 있다. 또, 각 가스 분사구 (585) 로부터 측면 (553) 으로 분사된 불활성 가스는 둘레 방향으로 확산되기 때문에, 래비린스 (57a) 에 있어서의 복수의 가스 분사구 (585) 사이의 영역에도 대략 균일하게 불활성 가스를 공급할 수 있다. 그 결과, 래비린스 (57a) 에 있어서, 불활성 가스의 압력의 둘레 방향에 있어서의 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 래비린스 (57a) 에 있어서의 불활성 가스의 유량의 둘레 방향에 있어서의 균일성을 더욱 향상시킬 수도 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치 (1) 에서는, 여러 가지 변경이 가능하다.
예를 들어, 제 1 처리액 및 제 2 처리액에 의한 기판 (9) 의 처리 중 (스텝 S17, S18) 에는, 이온 발생부 (8) 에 의한 이온의 생성은 정지되어도 된다. 이 경우, 노즐 간극 (56), 처리 공간 (90) 및 래비린스 (57, 57a) 에는, 이온 발생부 (8) 에 의한 이온을 실질적으로 포함하지 않는 처리 분위기용 가스가 공급된다. 또, 스텝 S16 에 있어서의 제전 처리시에 노즐 간극 (56), 처리 공간 (90) 및 래비린스 (57, 57a) 에 공급되는 이온을 포함하는 처리 분위기용 가스는, 스텝 S17, S18 에 있어서 노즐 간극 (56), 처리 공간 (90) 및 래비린스 (57, 57a) 에 공급되는 처리 분위기용 가스와는 상이한 종류의 가스여도 된다.
기판 처리 장치 (1) 에서는, 이온 발생부 (8) 의 방전 니들 (81) 은, 유지부 본체 (611) 의 내부 이외의 부위에 배치되어도 된다. 예를 들어, 방전 니들 (81) 은, 처리액 노즐 (71) 의 내부, 또는, 처리액 노즐 (71) 과 가스 공급부 (73) 사이의 유로 상에 형성되고, 당해 방전 니들 (81) 에 의해서, 처리액 노즐 (71) 로부터 처리 공간 (90) 및/또는 노즐 간극 (56) 에 공급되는 처리 분위기용 가스에 이온이 공급되어도 된다. 또, 이온 발생부 (8) 는, 방전 니들 (81) 이외의 여러 가지 이온 발생 기구를 구비하고 있어도 된다.
이온 발생부 (8) 는, 반드시 가스 공급부 (73) 로부터 공급된 처리 분위기용 가스의 일부를 이온화할 필요는 없다. 예를 들어, 이온 발생부 (8) 에 있어서, 가스 공급부 (73) 와는 상이한 공급부로부터 공급된 가스가 이온화되고, 당해 이온화된 가스가, 가스 공급부 (73) 로부터의 처리 분위기용 가스에 공급되어도 된다. 이 경우, 이온 발생부 (8) 에 의해서 이온화되는 가스는, 처리 분위기용 가스와 상이한 종류의 가스여도 되고, 동일한 종류의 가스여도 된다.
래비린스 (57, 57a) 는, 반드시 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 플랜지부 (522) 와 대향 부재 유지부 (61) 의 유지부 본체 (611) 사이에 형성될 필요는 없다. 래비린스 (57, 57a) 의 형상 및 배치는, 여러 가지로 변경되어도 된다. 예를 들어, 탑 플레이트 (5) 가 제 2 위치에서 기판 유지부 (31) 에 의해서 유지된 상태에서, 대향 부재 유지부 (61) 와 탑 플레이트 (5) 상으로부터 퇴피하고, 노즐 이동 기구에 의해서 이동되는 처리액 노즐이 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 통부 (521) 에 삽입될 경우, 당해 처리액 노즐의 상단부의 주위에 형성된 원주상의 요철부와, 탑 플레이트 (5) 의 제 1 요철부 (55) 에 의해서, 대향 부재 플랜지부 (522) 의 상면 상에 래비린스가 형성되어도 된다. 또, 래비린스 (57, 57a) 는, 반드시, 탑 플레이트 (5) 가 제 2 위치의 위치하는 상태에서만 형성될 필요는 없고, 탑 플레이트 (5) 의 위치에 관계없이 형성되어 있어도 된다.
기판 처리 장치 (1) 에서는, 탑 플레이트 (5) 의 상면의 제전 필요성이 그다지 높지 않을 경우 등, 탑 플레이트 (5) 의 상면을 따라서 확산되는 상부 이온 기류는 반드시 형성될 필요는 없다. 이 경우, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 대향 부재 유지부 (61) 의 유지부 본체 (611) 에, 래비린스 (57b) 의 직경 방향 외측 단부 (즉, 상기 서술한 외부 공간측의 단부) 에 있어서 래비린스 (57b) 내의 가스를 흡인하는 복수의 가스 흡인구 (591) 가 형성되어도 된다. 복수의 가스 흡인구 (591) 는, 제 2 요철부 (615) 의 직경 방향 외측 단부의 하나인 오목부의 상면 (즉, 오목부의 바닥면) 에 있어서, 대략 등각도 간격으로 둘레 방향으로 배치된다. 복수의 가스 흡인구 (591) 는, 대향 부재 유지부 (61) 의 내부에 형성되는 흡인로 (592) 를 통하여, 도시 생략된 흡인부에 접속된다. 복수의 가스 흡인구 (591) 는, 래비린스 (57b) 의 직경 방향 외측 단부에 있어서, 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 둘레상으로 배치되는 둘레상 흡인구이다. 당해 흡인부가 구동됨으로써, 당해 둘레상 흡인구를 통하여 래비린스 (57b) 내의 가스가 흡인된다.
이로써, 래비린스 (57b) 에 있어서, 외부 공간의 분위기가 복수의 가스 흡인구 (591) 보다 직경 방향 내방으로 침입하는 것을 억제할 수 있다. 또, 복수의 가스 분사구 (585) 로부터 래비린스 (57b) 내에 공급된 불활성 가스 (즉, 시일 가스) 를, 직경 방향 외방으로 보다 더 용이하게 유도할 수 있다. 그 결과, 외부 공간의 분위기가 래비린스 (57b) 내에 침입하는 것을, 더욱 억제할 수 있다. 래비린스 (57b) 에서는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환상의 1 개의 흡인구가, 복수의 가스 흡인구 (591) 대신에 둘레상 흡인구로서 형성되어도 된다. 래비린스 (57b) 에 형성되는 둘레상 흡인구는, 도 9 에 나타내는 래비린스 (57a) 에도 형성되어도 된다.
기판 처리 장치 (1) 에서는, 처리액 노즐 (71) 의 측면으로부터의 처리 분위기용 가스의 분사는 행해지지 않아도 된다.
기판 처리 장치 (1) 에서는, 탑 플레이트 (5) 를 회전시키는 기구가, 기판 회전 기구 (33) 와는 별도로 형성되어도 된다. 이 경우, 스텝 S12 에서는, 탑 플레이트 (5) 는, 반드시 제 2 위치에 위치할 필요는 없고, 기판 (9) 의 반입시보다 하방에 위치하는 상태 (즉, 스텝 S11 에 있어서의 위치보다 하방에 위치하는 상태) 이면 된다. 이 상태에서 기판 유지부 (31) 및 탑 플레이트 (5) 를 회전시키면서, 이온을 포함하는 처리 분위기용 가스가, 탑 플레이트 (5) 의 하방 공간의 직경 방향 중앙부에 공급된다. 이로써, 하방 공간의 직경 방향 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 확산되는 이온 기류가 형성된다. 그 결과, 상기와 마찬가지로, 탑 플레이트 (5) 및 기판 (9) 의 제전, 또는, 탑 플레이트 (5) 및 기판 유지부 (31) 의 제전을, 처리 분위기용 가스의 사용량을 적게 하면서, 간소한 구조로 행할 수 있다.
또, 기판 처리 장치 (1) 에서는, 노즐 간극 (56) 및 래비린스 (57, 57a), 57b) 는 반드시 형성되어 있지 않아도 된다. 예를 들어, 상기 서술한 바와 같이, 탑 플레이트 (5) 를 회전시키는 기구가 기판 회전 기구 (33) 와는 별도로 형성될 경우, 처리액 노즐 (71) 은, 측방에 간극을 통하지 않고 탑 플레이트 (5) 에 고정되어, 탑 플레이트 (5) 와 함께 회전해도 된다. 이 경우, 탑 플레이트 (5) 의 하방 공간에 대한 처리 분위기용 가스의 공급은, 예를 들어, 처리액 노즐 (71) 의 하단면만으로부터 행해진다. 또, 이온 발생부 (8) 는, 처리액 노즐 (71) 의 내부, 또는, 처리액 노즐 (71) 과 가스 공급부 (73) 사이의 유로 상에 형성되고, 처리액 노즐 (71) 의 하단면으로부터 하방 공간에 공급되는 처리 분위기용 가스에 이온을 공급한다.
상기 실시형태 및 각 변형예에 있어서의 구성은 서로 모순되지 않는 한, 적절히 조합되어도 된다.
발명을 상세하게 묘사하여 설명했지만, 앞서 서술한 설명은 예시적이지, 한정적인 것은 아니다. 따라서, 본 발명의 범위를 일탈하지 않는 한, 다수의 변형이나 양태가 가능하다고 할 수 있다.
1 : 기판 처리 장치
5 : 탑 플레이트
6 : 대향 부재 이동 기구
8 : 이온 발생부
9 : 기판
21 : 제어부
31 : 기판 유지부
33 : 기판 회전 기구
51 : 대향 부재 본체
54 : 대향 부재 개구
55 : 제 1 요철부
56 : 노즐 간극
57, 57a, 57b : 래비린스
71 : 처리액 노즐
72 : 처리액 공급부
73 : 가스 공급부
81 : 방전 니들
90 : 처리 공간
91 : (기판의) 상면
521 : 대향 부재 통부
522 : 대향 부재 플랜지부
585 : 가스 분사구
611 : 유지부 본체
613 : 플랜지 지지부
615 : 제 2 요철부
J1 : 중심축
S11 ∼ S23 : 스텝

Claims (15)

  1. 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
    수평 상태에서 기판을 유지하는 기판 유지부와,
    상하 방향을 향하는 중심축을 중심으로 하여 상기 기판 유지부를 회전시키는 기판 회전 기구와,
    상기 기판의 상면에 대향함과 함께 상기 중심축을 중심으로 하여 회전하는 대향 부재와,
    상기 기판의 상기 상면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 대향 부재의 하방의 공간인 하방 공간의 직경 방향 중앙부에 처리 분위기용 가스를 공급하는 가스 공급부와,
    이온을 생성하여 상기 가스 공급부로부터의 상기 처리 분위기용 가스에 공급하는 이온 발생부와,
    상기 기판 회전 기구, 상기 가스 공급부 및 상기 이온 발생부를 제어함으로써, 상기 대향 부재가 상기 기판의 반입시보다 하방에 위치하는 상태에서 상기 기판 유지부 및 상기 대향 부재를 회전시키면서, 상기 이온을 포함하는 상기 처리 분위기용 가스를 상기 하방 공간에 공급하고, 상기 하방 공간의 직경 방향 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 확산되는 이온 기류를 형성하는 제어부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 이온 기류가 형성되는 상기 하방 공간이, 상기 대향 부재의 하면과 상기 기판의 상기 상면 사이의 공간인 처리 공간이고,
    상기 이온 기류의 형성이, 상기 기판 회전 기구에 의한 상기 기판의 회전에 의해서 상기 처리액 공급부로부터의 상기 처리액을 상기 기판 상에서 제거하는 건조 처리시에 행해지는, 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 이온 기류가 형성되는 상기 하방 공간이, 상기 대향 부재의 하면과 상기 기판의 상기 상면 사이의 공간인 처리 공간이고,
    상기 이온 기류의 형성이, 상기 처리액 공급부로부터의 상기 처리액에 의한 상기 기판의 처리보다도 전에 행해지는, 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 처리액에 의한 상기 기판의 처리 전에 있어서의 상기 이온 기류의 형성이, 상기 처리액에 의한 상기 기판의 처리시에 공급되는 상기 처리 분위기용 가스를 이용하여 행해지는, 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대향 부재를 유지하고, 상기 대향 부재를 상하 방향의 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 상기 기판 유지부에 대해서 상대적으로 이동하는 대향 부재 이동 기구를 추가로 구비하고,
    상기 대향 부재는, 상기 제 1 위치에서 상기 대향 부재 이동 기구에 의해서 유지됨과 함께 상기 기판 유지부로부터 상방으로 이간하고, 상기 제 2 위치에서 상기 기판 유지부에 의해서 유지되며, 상기 기판 회전 기구에 의해서 상기 기판 유지부와 함께 회전하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 대향 부재가,
    상기 기판의 상기 상면에 대향함과 함께 직경 방향 중앙부에 대향 부재 개구가 형성되는 대향 부재 본체와,
    상기 대향 부재 본체의 상기 대향 부재 개구의 주위로부터 상방으로 돌출되는 통상 (筒狀) 의 대향 부재 통부를 구비하고,
    상기 처리액 공급부가, 상기 대향 부재 통부에 삽입되어 상기 대향 부재 개구를 통하여 상기 기판의 상기 상면에 상기 처리액을 공급하는 처리액 노즐을 구비하고,
    상기 이온을 포함하는 상기 처리 분위기용 가스가, 상기 처리액 노즐과 상기 대향 부재 통부 사이의 공간인 노즐 간극을 통하여 상기 하방 공간에 공급되는, 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 대향 부재가, 상기 대향 부재 통부의 상단부로부터 직경 방향 외방으로 환상으로 확대됨과 함께 상기 대향 부재 이동 기구에 유지되는 대향 부재 플랜지부를 추가로 구비하고,
    상기 대향 부재가 상기 제 2 위치에 위치하는 상태에서, 상기 노즐 간극에 연속되는 래비린스가, 상기 대향 부재 플랜지부의 상면 상에 형성되고,
    상기 이온을 포함하는 상기 처리 분위기용 가스가 상기 래비린스에 공급됨으로써, 상기 노즐 간극이 외부 공간부터 시일됨과 함께, 상기 래비린스로부터 흘러 나온 상기 이온을 포함하는 상기 처리 분위기용 가스에 의해서, 상기 대향 부재의 상면을 따라서 직경 방향 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 확산되는 상부 이온 기류가 형성되는, 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 이온 발생부가, 방전을 행함으로써 상기 이온을 생성하는 방전 니들을 구비하고,
    상기 대향 부재가, 상기 대향 부재 플랜지부의 상기 상면에 있어서 오목부와 볼록부가 동심원상으로 교대로 배치되는 제 1 요철부를 추가로 구비하고,
    상기 대향 부재 이동 기구가,
    상기 대향 부재 플랜지부의 하면과 상기 상하 방향으로 대향하는 유지부 하부와,
    상기 대향 부재 플랜지부의 상기 상면과 상기 상하 방향으로 대향하는 유지부 상부와,
    상기 유지부 상부의 하면에 있어서 오목부와 볼록부가 동심원상으로 교대로 배치되는 제 2 요철부를 구비하고,
    상기 대향 부재가 상기 제 2 위치에 위치하는 상태에서, 상기 제 1 요철부 및 상기 제 2 요철부의 일방의 오목부 내에 타방의 볼록부가 간극을 통하여 배치됨으로써 상기 래비린스가 형성되며,
    상기 방전 니들이, 상기 유지부 상부의 내부에 있어서, 상기 제 2 요철부의 오목부 상면에 형성된 상기 처리 분위기용 가스의 분사구의 내측에 배치되는, 기판 처리 장치.
  9. 수평 상태에서 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상하 방향을 향하는 중심축을 중심으로 하여 상기 기판 유지부를 회전시키는 기판 회전 기구와, 상기 기판의 상면에 대향함과 함께 상기 중심축을 중심으로 하여 회전하는 대향 부재와, 상기 기판의 상기 상면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 대향 부재의 하방의 공간인 하방 공간의 직경 방향 중앙부에 처리 분위기용 가스를 공급하는 가스 공급부를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    a) 상기 기판을 반입하여 상기 기판 유지부에 의해서 유지하는 공정과,
    b) 상기 대향 부재를 하방으로 이동시켜, 상기 a) 공정에 있어서의 위치보다 하방에 위치시키는 공정과,
    c) 상기 b) 공정보다도 후에, 상기 기판 유지부 및 상기 대향 부재를 회전시키면서, 이온을 생성하여 상기 가스 공급부로부터의 상기 처리 분위기용 가스에 공급하고, 상기 이온을 포함하는 상기 처리 분위기용 가스를 상기 하방 공간에 공급하고, 상기 하방 공간의 직경 방향 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 확산되는 이온 기류를 형성하는 공정을 구비하는, 기판 처리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 이온 기류가 형성되는 상기 하방 공간이, 상기 대향 부재의 하면과 상기 기판의 상기 상면 사이의 공간인 처리 공간이고,
    d) 상기 처리액 공급부로부터 상기 기판의 상기 상면 상에 상기 처리액을 공급하는 공정을 추가로 구비하고,
    상기 c) 공정이, 상기 d) 공정에서 상기 기판 상에 공급된 상기 처리액을, 상기 기판 회전 기구에 의한 회전에 의해서 상기 기판 상에서 제거하는 건조 처리시에 행해지는, 기판 처리 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 c) 공정이, 상기 d) 공정보다도 전에도 행해지는, 기판 처리 방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 이온 기류가 형성되는 상기 하방 공간이, 상기 대향 부재의 하면과 상기 기판의 상기 상면 사이의 공간인 처리 공간이고,
    d) 상기 처리액 공급부로부터 상기 기판의 상기 상면 상에 상기 처리액을 공급하는 공정을 추가로 구비하고,
    상기 c) 공정이, 상기 d) 공정보다도 전에 행해지는, 기판 처리 방법.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 d) 공정보다도 전에 행해지는 상기 c) 공정에 있어서의 상기 이온 기류의 형성이, 상기 d) 공정에 있어서 상기 가스 공급부로부터 공급되는 상기 처리 분위기용 가스를 이용하여 행해지는, 기판 처리 방법.
  14. 제 9 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 b) 공정에 있어서, 상기 대향 부재가 상기 기판 유지부에 의해서 유지되고,
    상기 c) 공정에 있어서, 상기 기판 회전 기구에 의해서 상기 대향 부재가 상기 기판 유지부와 함께 회전하는, 기판 처리 방법.
  15. 제 9 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 c) 공정과 병행하여, 상기 이온을 포함하는 상기 처리 분위기용 가스를 상기 대향 부재의 상면을 향하여 공급하고, 상기 대향 부재의 상기 상면을 따라서 직경 방향 중앙부로부터 직경 방향 외방으로 확산되는 상부 이온 기류를 형성하는 공정을 추가로 구비하는, 기판 처리 방법.
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