JP7025873B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
そこで、この発明の目的は、大流量の不活性ガスを用いることなく、基板と遮断部材との間の空間への外気の進入を抑制または防止できる基板処理装置を提供することである。
この構成によれば、スピンベースの外周端と遮断部材の内周面との径方向の距離が、陽圧生成部材の外側縁と遮断部材の内周面との径方向の距離よりも狭くなるように設けられているために、空間外側領域から空間の外部への雰囲気の流出を効果的に抑制することができる。そのため、陽圧生成部材の回転に伴って、陽圧生成部材の後方の領域を、容易に陽圧に保つことができる。
前記複数のピンによって前記基板の周縁部が保持されていてもよい。前記陽圧生成部材が、前記スピンベースの上面において当該上面の周方向の一つまたは複数の位置から立ち上がる部材、および前記基板対向面において当該対向面の周方向の一つまたは複数の位置から垂下する部材の少なくとも一方を含んでいてもよい。前記陽圧生成部材が、前記スピンベースの上面、前記基板対向面および前記内周面によって区画される前記空間においてピンよりも回転軸線に対して遠い位置に存在していてもよい。陽圧生成部材が、その回転により、前記空間における陽圧生成部材の回転方向後方の領域を陽圧領域にしてもよい。
この発明の一実施形態では、前記陽圧生成部材が、前記スピンベースの前記上面および前記基板対向面に繋がるように設けられた接続陽圧生成部材を含む。
この発明の一実施形態では、前記接続陽圧生成部材が、前記スピンベースの前記上面および前記基板対向面にそれぞれ設けられ、互いに係合する第1および第2の係合部材を含み、前記遮断部材が、互いに係合する第1および第2の係合部材を介して、前記スピンベースに支持される。
この発明の一実施形態では、前記陽圧生成部材が、前記スピンベースの前記上面および前記基板対向面の一方に設けられ、前記スピンベースの前記上面および前記基板対向面の一方に対し、前記陽圧生成部材の先端が、前記基板保持ユニットによって保持されている基板との距離よりも大きくなるように設けられている。
<第1の実施形態>
図1は、この発明の第1の実施形態に係る基板処理装置1を上から見た模式図である。
基板処理装置1は、シリコンウエハなどの基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Wは、円板状の基板である。基板処理装置1は、処理液およびリンス液で基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、処理ユニット2で処理される複数枚の基板Wを収容する基板収容器が載置されるロードポートLPと、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送するインデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCRと、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。インデクサロボットIRは、基板収容器と基板搬送ロボットCRとの間で基板Wを搬送する。基板搬送ロボットCRは、インデクサロボットIRと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する。複数の処理ユニット2は、たとえば、同様の構成を有している。
遮断板21は、下向きに凹んだカップ状の内面を含む。遮断板21の内面は、基板Wの上面の上方に対向する基板対向面21aと、遮断部材6が遮断位置にある状態で、基板Wの外周端およびスピンベース18の外周面(外周端)18bと対向する内周面21bとを含む。円板部61の下面が、基板対向面21aに相当する。基板対向面21aは、基板Wの上面と平行な平坦面である。
第2の係合部材51は、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)樹脂等の樹脂によって形成された本体部52と、永久磁石53とを含む。本体部52は、その一部が円板部61に埋め込まれて固定されており、残りの部分が円板部61の基板対向面21aから下方に突出している。本体部52の下端部には、凹部51aが形成されている。
中心軸ノズル7は、遮断板21および基板Wの中心を通る鉛直な軸線、すなわち、回転軸線A1に沿って上下方向に延びている。中心軸ノズル7は、スピンチャック5の上方に配置され、遮断板21および支持部23の内部空間を挿通する。中心軸ノズル7は、遮断板21および支持部23と共に昇降する。
「距離D1」は、遮断部材6が遮断位置に配置されているときの、スピンベース18の外周面(外周端)18bと、遮断板21の円筒部62の内周面21bとの径方向Dsの距離を意味する。「距離D2」は、遮断部材6が遮断位置に配置されているときの、陽圧生成部材63の外側縁と、遮断板21の円筒部62の内周面21bとの径方向Dsの最長距離(径方向の距離)を意味する。陽圧生成部材63の外側縁とは、陽圧生成部材63の外周面のうち、径方向Dsの外端部分を指す。この実施形態では、陽圧生成部材63の外側縁とは、より大径を有する第2の係合部材51の径方向Dsの外端部分を指す。すなわち、「陽圧生成部材63の外側縁と、遮断板21の円筒部62の内周面21bとの径方向Dsの最長距離」とは、この実施形態では、第2の係合部材51の先端部(下端部)における内周面21bとの径方向Dsの距離である。
距離D1は、距離D2よりも短い(狭い)。遮断部材6が遮断位置に配置されているとき、距離D1は、たとえば約2.5mmであり、距離D2は、たとえば約6mmである。
図4に示すように、第4のノズル配管34は、鉛直方向に沿って延びる鉛直部分を含む。第4のノズル配管34の下端は、ケーシング30の基板対向面30bに開口して、第4の吐出口34aを形成している。第4のノズル配管34には、不活性ガス供給ユニット12からの不活性ガスが供給される。不活性ガス供給ユニット12は、第4のノズル配管34の上流端側に接続された不活性ガス配管48と、不活性ガス配管48の途中部に介装された不活性ガスバルブ49と、不活性ガス配管48の開度を調整する第5の流量調整バルブ50とを含む。不活性ガスバルブ49が開かれると、第4の吐出口34aから下方に向けて不活性ガスが吐出される。不活性ガスバルブ49が閉じられると、第4の吐出口34aからの不活性ガスの吐出が停止される。第5の流量調整バルブ50によって、第4の吐出口34aからの不活性ガスの吐出流量が調整される。不活性ガスは、窒素ガスに限らず、
ヘリウムガスやアルゴンガスなどの他の不活性ガスであってもよい。また、不活性ガスは、窒素ガスであってもよいし、窒素ガスと窒素ガス以外のガスとの混合ガスであってもよい。
図2に示すように、処理カップ13は、スピンチャック5に保持されている基板Wよりも外方(回転軸線A1から離れる方向)に配置されている。処理カップ13は、スピンベース18を取り囲んでいる。スピンチャック5が基板Wを回転させている状態で、処理液が基板Wに供給されると、基板Wに供給された処理液が基板Wの周囲に振り切られる。処理液が基板Wに供給されるとき、上向きに開いた処理カップ13の上端部13aは、スピンベース18よりも上方に配置される。したがって、基板Wの周囲に排出された薬液や水などの処理液は、処理カップ13によって受け止められる。そして、処理カップ13に受け止められた処理液は、図示しない回収処理設備または廃液処理設備に送られる。
制御装置3は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置3はCPU等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニットを有している。記憶ユニットには、演算ユニットが実行するプログラムが記憶されている。
また、制御装置3は、予め定められたプログラムに従って、薬液バルブ37、リンス液バルブ40、有機溶剤バルブ43、疎水化剤バルブ46、不活性ガスバルブ49等を開閉する。また、制御装置3は、予め定められたプログラムに従って、第1の流量調整バルブ38、第2の流量調整バルブ41、第3の流量調整バルブ44、第4の流量調整バルブ47、第5の流量調整バルブ50等の開度を調整する。
図8は、処理ユニット2において実行される基板処理例の内容を説明するための流れ図である。図9は、スピンベース18および遮断部材6の回転に伴って空間SPに発生する陽圧領域Paの分布を説明するための図解的な平面図である。図10A~10Dは、基板処理例を説明するための図解的な図である。図1~図8を参照しながら、基板処理例について説明する。図9~10Dについては適宜参照する。
未処理の基板W(たとえば直径300mmの円形基板)は、インデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCRによって基板収容器Cから処理ユニット2に搬入され、チャンバ4内に搬入され、基板Wがその表面(処理対象面。この実施形態ではパターン形成面)を上方に向けた状態でスピンチャック5に受け渡され、スピンチャック5に基板Wが保持される(図8のS1:基板W搬入)。
遮断位置に遮断板21が配置された(スピンベース18に遮断板21が支持された後)後、次いで、制御装置3は、スピンモータMを制御してスピンベース18の回転速度を、所定の液処理速度(約10~1200rpmの範囲内で、たとえば約800rpm)まで上昇させ、その液処理速度に維持させる(図8のS2:基板W回転開始)。スピンベース18の回転に同伴して、基板Wが回転軸線A1まわりに、回転させられる。また、スピンベース18の回転に同伴して、遮断板21が回転軸線A1まわりに、回転させられる。遮断板21およびスピンベース18の回転軸線A1まわりの回転に伴って、陽圧生成部材63(すなわち、第1および第2の係合部材55,51)も回転軸線A1まわりに回転する。これにより、図9に示すように、回転している陽圧生成部材63の回転方向Drの後方に、陽圧領域Paが形成される。このような現象は、陽圧生成部材63と遮断板21の内周面21bとの間の狭い空間を陽圧生成部材63(55,51)が高速で通過することにより、その高まった圧力が陽圧生成部材63の回転方向Drの後方に開放されることにより発生すると考えられている。これにより、空間SPの内部における、陽圧生成部材63(55,51)に対して径方向Ds外側の環状領域SP1(以下、「空間外側領域SP1」という)が、陽圧になる。一方、空間SPの内部における、陽圧生成部材63(55,51)に対して径方向Ds内側の環状領域SP2(以下、「空間内側領域SP2」という)が、遮断板21およびスピンベース18の回転に伴って発生する遠心力の働きによって径方向Ds外方に促されることにより、負圧になる。このとき、図6に示すように、空間外側領域SP1の圧力P1と、空間内側領域SP2の圧力P2と、空間SPの外部OSにおける圧力Pとの関係は、P1>P>P2である。但し、遮断板21およびスピンベース18の回転の回転速度が遅い場合には、外部OSにおける圧力Pは、空間内側領域SP2の圧力P2に近づくとも考えられている。
次いで、制御装置3は、基板W上の薬液をリンス液に置換して基板W上から薬液を排除するためのリンス工程S4(図8参照)を実行する。具体的には、制御装置3は、基板Wの回転を液処理速度に維持しながら、リンス液バルブ40を開く。これにより、中心軸ノズル7(第1のノズル配管31)の第1の吐出口31aから基板Wの上面中央部に向けてリンス液が吐出される。基板Wの上面中央部に供給されたリンス液は、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの周縁部に移動する。これにより、基板Wの上面上の薬液がリンス液に置換される。
リンス液バルブ40が開かれてから予め定める期間が経過すると、制御装置3はリンス液バルブ40を閉じる。これにより、リンス工程S4が終了する。
置換工程S5において、有機溶剤を低表面張力に維持するために有機溶剤に水が混じらないことが望まれており、そのために、空間SP内の雰囲気を低湿度に保つ必要がある。置換工程S5において空間外側領域SP1を陽圧に保つことができるので、空間SPへの外気(酸素を含む気体)の進入を抑制または防止でき、これにより、空間SP内の雰囲気を低湿度に保つことができる。
次いで、制御装置3は、疎水化剤工程S6(図8参照)を実行する。疎水化剤工程S6は、基板Wの上面に液体の疎水化剤を供給して、基板Wの上面に存在する有機溶剤を疎水化剤に置換する工程である。具体的には、制御装置3は、基板Wの回転を液処理速度に維持しながら、疎水化剤バルブ46を開く。これにより、図10Dに示すように、中心軸ノズル7(第2のノズル配管32)の第3の吐出口33aから基板Wの上面中央部に向けて液体の疎水化剤が吐出される。基板Wの上面中央部に供給された疎水化剤は、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの周縁部に移動する。これにより、基板Wの上面上の有機溶剤が疎水化剤に置換される。
疎水化剤工程S6において、基板Wの上面の疎水化を良好に実現するために、空間SP内の雰囲気を低湿度に保つ必要がある。疎水化剤工程S6において空間外側領域SP1を陽圧に保つことができるので、空間SPへの外気(水分を含む気体)の進入を抑制または防止でき、これにより、空間SP内の雰囲気を低湿度に保つことができる。
次いで、制御装置3は、置換工程S7(図8参照)を実行する。置換工程S7は、基板W上に存在する疎水化剤を有機溶剤(この例では、IPA)に置換する工程である。具体的には、制御装置3は、基板Wの回転を液処理速度に維持しながら、有機溶剤バルブ43を開く。これにより、図10Bに示すように、中心軸ノズル7(第2のノズル配管32)の第2の吐出口32aから基板Wの上面中央部に向けて有機溶剤が吐出される。基板Wの上面中央部に供給された有機溶剤は、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの周縁部に移動する。これにより、基板Wの上面上に存在する疎水化剤が有機溶剤に置換される。
置換工程S7において、有機溶剤を低表面張力に維持するために有機溶剤に水が混じらないことが望まれており、そのために、空間SP内の雰囲気を低湿度に保つ必要がある。置換工程S7において空間外側領域SP1を陽圧に保つことができるので、空間SPへの外気(水分を含む気体)の進入を抑制または防止でき、これにより、空間SP内の雰囲気を低湿度に保つことができる。
次いで、基板Wを乾燥させるスピンドライ工程S8(図8参照)が行われる。具体的には、制御装置3は、遮断板21が遮断位置に配置されている状態で、スピンモータMを制御して薬液工程S3~置換工程S7の各工程における回転速度よりも大きい乾燥回転速度(たとえば数千rpm)まで基板Wを加速させ、その乾燥回転速度で基板Wを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板W上の液体に加わり、基板Wに付着している液体が基板Wの周囲に振り切られる。
基板Wの加速から所定期間が経過すると、制御装置3は、スピンモータMを制御することにより、スピンチャック5による基板Wの回転を停止させる(図8のステップS9)。その後、制御装置3は、遮断部材昇降ユニット35を制御して、遮断板21を上昇させて退避位置に配置する。
<第2の実施形態>
図11は、この発明の第2の実施形態に係る処理ユニット202の構成例を説明するための図解的な断面図である。図12は、スピンベース18と遮断部材206と間の空間SPの外周部の周辺の断面図である。
第2の実施形態に係る処理ユニット202が、第1の実施形態に係る処理ユニット2と相違する点は、遮断部材として、スピンチャックに支持される従動型の遮断部材6に代えて、スピンチャックの上方において、スピンチャックとは別の支持ユニット(支持アーム232)によって支持される支持型の遮断部材206を備えた点にある。そのため、スピンチャックも、スピンベース18上に第1の係合部材55を有していないスピンチャック5が用いられている。スピンチャック5は、スピンベース18上に第1の係合部材55を有していない点を除いて、第1の実施形態に係るスピンチャック5と同一であるので、同一の参照符号を付している。
上スピン軸231は、遮断板221の上方で水平に延びる支持アーム232に相対回転可能に支持されている。遮断板221および上スピン軸231には、電動モータ等を含む構成の遮断板回転ユニット233が結合されている。遮断板回転ユニット233は、遮断板221および上スピン軸231を、支持アーム232に対して回転軸線A1まわりに回転させる。
遮断部材昇降ユニット234は、遮断板221を、基板対向面221aがスピンチャック205に保持されている基板Wの上面に近接し、かつ円筒部262の下端の高さが基板W高さよりも下方に位置するような遮断位置(図11に破線で図示)と、遮断位置よりも大きく上方に退避した退避位置(図11に実線で図示)の間で昇降させる。遮断位置は、基板対向面221aが基板Wの上面との間に、遮断空間である空間SP(図12参照)を形成するような位置である。
「距離D11」は、遮断部材206が遮断位置に配置されているときの、スピンベース18の外周面(外周端)18bと、遮断板221の円筒部262の内周面221bとの径方向Dsの距離を意味する。「距離D12」は、遮断部材206が遮断位置に配置されているときの、陽圧生成部材263の外側縁と、遮断板221の円筒部262の内周面221bとの径方向Dsの最長距離を意味する。陽圧生成部材263の外側縁とは、陽圧生成部材263の外周面のうち、径方向Dsの外端部分を指す。この実施形態では、陽圧生成部材263の外側縁とは、より大径を有する陽圧生成部材263の径方向Dsの外端部分を指す。すなわち、「陽圧生成部材263の外側縁と、遮断板221の円筒部262の内周面221bとの径方向Dsの最長距離」とは、この実施形態では、陽圧生成部材263の根元部(下端部)における内周面221bとの径方向Dsの距離である。
「距離D13」は、スピンベース18の上面18aから基板Wの下面までの鉛直方向の距離を意味する。距離D13は、遮断部材206の位置に拘わらず一定である。距離D13は、たとえば約10mmである。「距離D14」は、スピンベース18の上面18aから陽圧生成部材263の先端までの距離を意味する。すなわち、陽圧生成部材263の高さである。 距離D14は、距離D13よりも長い(大きい)。距離D14は、たとえば約15mmである。
さらに、前述のように、距離D11が距離D12よりも短いので、空間外側領域SP1から空間SPの外部OSへの雰囲気の流出を効果的に抑制することができる。これにより、空間外側領域SP1を陽圧に保つことができる。
<第3の実施形態>
図13は、この発明の第3の実施形態に係るスピンベース18と遮断部材206と間の空間SPの外周部の周辺の断面図である。
第3の実施形態に係る処理ユニット302が、第2の実施形態に係る処理ユニット202と相違する点は、陽圧生成部材を、スピンベース18ではなく、遮断板221に設けた点である。
「距離D22」は、遮断部材206が遮断位置に配置されているときの、陽圧生成部材363の外側縁と、遮断板221の円筒部262の内周面221bとの径方向Dsの最長距離を意味する。陽圧生成部材363の外側縁とは、陽圧生成部材363の外周面のうち、径方向Dsの外端部分を指す。この実施形態では、陽圧生成部材363の外側縁とは、より大径を有する陽圧生成部材363の径方向Dsの外端部分を指す。すなわち、「陽圧生成部材363の外側縁と、遮断板221の円筒部262の内周面221bとの径方向Dsの最長距離」とは、この実施形態では、陽圧生成部材363の先端部(下端部)における内周面221bとの径方向Dsの距離である。
「距離D23」は、遮断部材206が遮断位置に配置されているときの、遮断板221の基板対向面221aから基板Wの上面までの鉛直方向の距離を意味する。距離D23は、たとえば約10mmである。「距離D24」は、遮断板221の基板対向面221aから陽圧生成部材363の先端までの距離を意味する。すなわち、陽圧生成部材363の高さである。 距離D24は、距離D23よりも長い(大きい)。距離D24は、たとえば約15mmである。
さらに、前述のように、距離D11が距離D22よりも短いので、空間外側領域SP1から空間SPの外部OSへの雰囲気の流出を効果的に抑制することができる。これにより、空間外側領域SP1を陽圧に保つことができる。
たとえば、第2の実施形態と第3の実施形態とを組み合わせてもよい。すなわち、陽圧生成部材を、スピンベース18および遮断板221の双方に設けるようにしてもよい。
また、遮断部材6,206またはスピンベース18に陽圧生成部材63,263,363が複数個設けられる構成を例に挙げて説明したが、遮断部材6,206またはスピンベース18に陽圧生成部材63,263,363が1つのみ設けられる構成が採用されていてもよい。
また、前述の各実施形態では、遮断部材6,206およびスピンベース18の双方が同時に回転する構成を例に挙げて説明したが、遮断部材206およびスピンベース18の少なくとも一方のみが回転する構成であってもよい。
また、前述の実施形態において、基板処理装置が半導体ウエハからなる基板Wを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置が、液晶表示装置用基板、有機EL(electroluminescence)表示装置などのFPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板を処理する装置であってもよい。
ある。
2 :処理ユニット
5 :スピンチャック(基板保持ユニット)
6 :遮断部材
18 :スピンベース
18a :上面
18b :外周面(外周端)
19 :挟持ピン(ピン)
21 :遮断板
21a :基板対向面
21b :内周面
51 :第2の係合部材
55 :第1の係合部材
63 :陽圧生成部材(接続陽圧生成部材)
202 :処理ユニット
206 :遮断部材
221 :遮断板
221a:基板対向面
221b:内周面
263 :陽圧生成部材
302 :処理ユニット
363 :陽圧生成部材
A1 :回転軸線
D1 :距離(スピンベースの外周端と内周面との径方向の距離)
D2 :距離(陽圧生成部材の外側縁と内周面との径方向の最長距離)
D11 :距離(スピンベースの外周端と内周面との径方向の距離)
D12 :距離(陽圧生成部材の外側縁と内周面との径方向の最長距離)
D13 :距離(スピンベースの上面に対する基板の下面の距離)
D14 :距離(スピンベースの上面に対する陽圧生成部材の先端の距離)
D22 :距離(陽圧生成部材の外側縁と内周面との径方向の最長距離)
D23 :距離(遮断部材の基板対向面に対する基板の上面の距離)
D24 :距離(遮断部材の基板対向面に対する陽圧生成部材の先端の距離)
M :スピンモータ(回転ユニット)
W :基板
Claims (4)
- 上面を有するスピンベースと、前記上面に立設された複数のピンとを有し、前記複数のピンによって基板の周縁部を保持するための基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットによって保持されている基板の上面に対向する基板対向面と、前記基板保持ユニットに保持されている基板の外周端および前記スピンベースの外周端の双方に対向する内周面とを有する遮断部材と、
前記スピンベースおよび前記遮断部材を所定の回転軸線回りに回転させる回転ユニットと、
前記スピンベースの前記上面において当該上面の周方向の一つまたは複数の位置から立ち上がる部材、および前記基板対向面において当該基板対向面の周方向の一つまたは複数の位置から垂下する部材の少なくとも一方を含み、前記スピンベースの前記上面、前記基板対向面および前記内周面によって区画される空間において前記ピンよりも前記回転軸線に対して遠い位置に存在し、かつ前記遮断部材および前記スピンベースの少なくとも一方の回転に同伴して回転可能に設けられた陽圧生成部材であって、前記遮断部材および前記スピンベースの少なくとも一方の回転に伴って回転することにより、前記空間における当該陽圧生成部材の回転方向後方の領域を陽圧領域にする陽圧生成部材とを含み、
前記陽圧生成部材が、前記スピンベースの外周端と前記内周面との径方向の距離が、前記陽圧生成部材の外側縁と前記内周面との径方向の距離よりも狭くなるように設けられている、基板処理装置。 - 前記陽圧生成部材が、前記スピンベースの前記上面および前記基板対向面に繋がるように設けられた接続陽圧生成部材を含む、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記接続陽圧生成部材が、前記スピンベースの前記上面および前記基板対向面にそれぞれ設けられ、互いに係合する第1および第2の係合部材を含み、
前記遮断部材が、互いに係合する第1および第2の係合部材を介して、前記スピンベースに支持される、請求項2に記載の基板処理装置。 - 上面を有するスピンベースと、前記上面に立設された複数のピンとを有し、前記複数のピンによって基板の周縁部を保持するための基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットによって保持されている基板の上面に対向する基板対向面と、前記基板保持ユニットに保持されている基板の外周端および前記スピンベースの外周端の双方に対向する内周面とを有する遮断部材と、
前記スピンベースおよび前記遮断部材を所定の回転軸線回りに回転させる回転ユニットと、
前記スピンベースの前記上面において当該上面の周方向の一つまたは複数の位置から立ち上がる部材、および前記基板対向面において当該基板対向面の周方向の一つまたは複数の位置から垂下する部材の少なくとも一方を含み、前記スピンベースの前記上面、前記基板対向面および前記内周面によって区画される空間において前記ピンよりも前記回転軸線に対して遠い位置に存在し、かつ前記遮断部材および前記スピンベースの少なくとも一方の回転に同伴して回転可能に設けられた陽圧生成部材であって、前記遮断部材および前記スピンベースの少なくとも一方の回転に伴って回転することにより、前記空間における当該陽圧生成部材の回転方向後方の領域を陽圧領域にする陽圧生成部材とを含み、
前記陽圧生成部材が、前記スピンベースの前記上面および前記基板対向面の一方に設けられ、前記スピンベースの前記上面および前記基板対向面の一方に対し、前記陽圧生成部材の先端が、前記基板保持ユニットによって保持されている基板との距離よりも大きくなるように設けられている、基板処理装置。
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