TWI770741B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於同時實現基板上表面上的環境氣體控制、與降低對基板上表面所施行之處理的變動。 本發明之解決手段為，使基板依水平姿勢由保持部保持，從位於與該基板上表面呈相對向狀態的環境氣體控制構件朝基板上表面上供給惰性氣體，並一邊使保持部以沿鉛直方向的虛擬旋轉軸為中心進行旋轉，一邊從液體吐出部的吐出口朝沿基板上表面的方向吐出處理液，藉此而將處理液供給給基板上表面上。此時，變更從處理液供給源朝液體吐出部的處理液每單位時間之供給量，而使從液體吐出部所吐出之處理液的吐出速度變化，藉此使基板上表面中被供給有從液體吐出部吐出之處理液的液體供給位置變化。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於對基板執行處理的基板處理方法及基板處理裝置。基板係例如：半導體晶圓、液晶顯示器用基板、有機EL(Electroluminescence，電致發光)用基板、FPD(Flat Panel Display，平面顯示器)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、光碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、太陽電池用基板等。
自習知起，為能對基板施行良好處理，有如下情況：從與由旋轉夾具所保持基板上表面呈對向配置的阻斷板或氣體噴嘴等構件(亦稱「環境氣體控制構件」)朝基板上表面吐出惰性氣體，藉此，控制沿基板上表面的空間之環境氣體，並執行基板處理(例如參照專利文獻1~3等)。
再者，為降低對基板上表面施行之處理出現變動，有如下情況：在由旋轉夾具所保持之基板進行旋轉的狀態下，使處理液掉落於基板上表面的落滴位置，能在中央部與周緣部之間進行掃描(scanning)，為此而使吐出處理液的噴嘴(亦稱「處理液吐出噴嘴」)進行擺動(例如參照專利文獻1~3等)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2018-157061號公報 [專利文獻2]日本專利特開2014-197571號公報 [專利文獻3]日本專利特開2017-69346號公報
(發明所欲解決之問題)
但是，例如依照處理液的種類，對基板上表面的處理會容易受沿基板上表面空間的氧濃度或濕氣等影響，因而會有欲進而降低對基板上表面施行之處理的變動的情況。即，會有欲兼顧基板上表面的環境氣體控制、與基板上表面的落滴位置之掃描之情況。
然而，例如有如下情況：假設為了能充分控制基板上表面的環境氣體，當使環境氣體控制構件接近基板上表面時，則利用處理液吐出噴嘴的擺動而進行的處理液落滴位置之掃描並無法遍及基板上表面廣範圍地進行，導致無法充分降低對基板上表面施行之處理的變動。
另一方面，例如假設為了能對基板上表面廣範圍施行落滴位置之掃描，當使環境氣體控制構件遠離基板上表面時，則基板上表面的環境氣體之控制不足，會導致基板處理品質降低。又，例如若從處理液吐出噴嘴對基板上表面朝重力方向吐出處理液，則在基板上表面上會發生處理液飛濺，導致處理液吐出噴嘴及環境氣體控制構件遭污染，亦會有造成基板處理品質降低的情況。
本發明係有鑑於上述課題而完成，其目的在於提供：可同時實現基板上表面上的環境氣體控制、與降低對基板上表面施行之處理的變動的基板處理方法及基板處理裝置。 (解決問題之技術手段)
為解決上述課題，第1態樣的基板處理方法係包括有：保持步驟、與處理步驟。上述保持步驟中，將基板以水平姿勢保持於保持部。上述處理步驟中，從位處於與由上述保持部以水平姿勢保持的上述基板上表面呈相對向狀態的環境氣體控制構件朝上述上表面上供給惰性氣體，並一邊使上述保持部以沿鉛直方向的虛擬旋轉軸為中心進行旋轉，一邊從液體吐出部的吐出口朝沿上述上表面的方向吐出處理液，藉此而對上述上表面上供給該處理液。又，上述處理步驟中，變更從上述處理液的供給源朝上述液體吐出部每單位時間的上述處理液之供給量，藉由使從上述液體吐出部吐出的上述處理液之吐出速度變化，而使上述上表面中被供給有從上述液體吐出部吐出之上述處理液的液體供給位置變化。
第2態樣的基板處理方法係就第1態樣的基板處理方法，其中，上述處理步驟中，以相較於上述液體供給位置在上述上表面中的中央區域內時，上述液體供給位置在上述上表面中的端部側區域內時之上述吐出速度變小之方式，而降低從上述供給源朝上述液體吐出部每單位時間的上述處理液之供給量。
第3態樣的基板處理方法係就第2態樣的基板處理方法，其中，上述處理步驟中，藉由使從上述供給源朝上述液體吐出部每單位時間的上述處理液之供給量增減，而使上述液體供給位置在上述中央區域內與上述端部側區域內之間往返複數次。
第4態樣的基板處理方法係就第1至第3中任一態樣的基板處理方法，其中，上述處理步驟中，從上述液體吐出部吐出的上述處理液係通過上述上表面與上述環境氣體控制構件間的空間而落滴於上述上表面。
第5態樣的基板處理方法係就第1至第4中任一態樣的基板處理方法，其中，上述處理步驟中，上述吐出口係在鉛直方向上，配置於較上述上表面更高的位置，且配置於較上述環境氣體控制構件之下表面更低的位置。
第6態樣的基板處理方法係就第5態樣的基板處理方法，其中，上述處理步驟中，將以上述上表面為基準的上述吐出口鉛直方向之高度設為H，將上述虛擬旋轉軸與上述吐出口間之水平方向距離設為R，將通過上述吐出口的虛擬水平面與上述吐出口吐出上述處理液的吐出方向所成角度設為θ，若上述吐出方向為較水平方向更往下之方向時，上述角度θ表示正值，且上述吐出方向為較水平方向更往上之方向時，上述角度θ表示負值時，滿足0≦θ≦tan-1 (H/R)的關係。
第7態樣的基板處理方法係就第1至第6中任一態樣的基板處理方法，其中，上述處理步驟中，上述環境氣體控制構件係在位於覆蓋上述上表面的狀態下，朝上述上表面與上述環境氣體控制構件間供給惰性氣體。
第8態樣的基板處理方法係就第1至第6中任一態樣的基板處理方法，其中，上述處理步驟中，上述環境氣體控制構件係位於與上述上表面中的中央區域相對向之狀態下，朝上述基板上方供給惰性氣體，藉此而形成沿上述上表面流動的氣流。
第9態樣的基板處理裝置係具備有：保持部、第1驅動部、環境氣體控制構件、液體吐出部、液供給路、變更部、以及控制部。上述保持部係以水平姿勢保持基板。上述第1驅動部係使上述保持部以沿鉛直方向的虛擬旋轉軸為中心進行旋轉。上述環境氣體控制構件係在與由上述保持部呈水平姿勢保持的上述基板上表面呈相對向之狀態下，朝上述上表面上供給惰性氣體。上述液體吐出部係藉由朝向沿由上述保持部以水平姿勢保持的上述基板的上述上表面之方向，從吐出口吐出處理液，而對上述上表面上供給上述處理液。上述液供給路係連接上述處理液之供給源與上述液體吐出部。上述變更部係位於上述液供給路之途中，變更從上述供給源朝上述液體吐出部每單位時間的上述處理液之供給量。上述控制部係，藉由上述變更部變更從上述供給源朝上述液體吐出部每單位時間的上述處理液之供給量，而使從上述液體吐出部所吐出之上述處理液的吐出速度變化，使上述上表面中被供給有從上述液體吐出部吐出之上述處理液的液體供給位置變化。
第10態樣的基板處理裝置係就第9態樣的基板處理裝置，其中，上述控制部係以相較於上述液體供給位置在上述上表面中的中央區域內時，上述液體供給位置在上述上表面中的端部側區域內時之上述吐出速度變小之方式，利用上述變更部來降低從上述供給源朝上述液體吐出部每單位時間的上述處理液之供給量。
第11態樣的基板處理裝置係就第10態樣的基板處理裝置，其中，上述控制部係藉由利用上述變更部，使從上述供給源朝上述液體吐出部每單位時間的上述處理液之供給量增減，而使上述液體供給位置在上述中央區域內與上述端部側區域內之間往返複數次。
第12態樣的基板處理裝置係就第9至第11中任一態樣的基板處理裝置，其中，上述液體吐出部係以上述處理液通過上述上表面與上述環境氣體控制構件間的空間而落滴於上述上表面的方式，吐出上述處理液。
第13態樣的基板處理裝置係就第9至第12中任一態樣的基板處理裝置，其中，上述吐出口係在鉛直方向上配置於較上述上表面更高且較上述環境氣體控制構件之下表面更低之位置的狀態下，朝沿上述上表面的方向吐出上述處理液。
第14態樣的基板處理裝置係就第13態樣的基板處理裝置，其中，上述液體吐出部朝上述上表面供給上述處理液時，將以上述上表面為基準的上述吐出口鉛直方向之高度設為H，將上述虛擬旋轉軸與上述吐出口間之水平方向距離設為R，將通過上述吐出口的虛擬水平面與上述吐出口吐出上述處理液的吐出方向所成角度設為θ，若上述吐出方向為較水平方向更往下之方向時，上述角度θ表示正值，且上述吐出方向為較水平方向更往上之方向時，上述角度θ表示負值時，滿足0≦θ≦tan-1 (H/R)的關係。
第15態樣的基板處理裝置係就第9至第14中任一態樣的基板處理裝置，其中，上述環境氣體控制構件係包含：阻斷板，其在覆蓋上述上表面的狀態下，朝上述上表面與上述環境氣體控制構件間供給惰性氣體。
第16態樣的基板處理裝置係就第9至第14中任一態樣的基板處理裝置，其中，上述環境氣體控制構件係在與上述上表面中的中央區域相對向之狀態下，朝上述基板上方供給惰性氣體，藉此而形成沿上述上表面流動的氣流。
第17態樣的基板處理裝置係就第9至第16中任一態樣的基板處理裝置，其中，具備有：擋板部，其包圍上述保持部之周圍；以及第2驅動部，其使上述擋板部沿鉛直方向升降；上述控制部係利用上述第2驅動部而使上述擋板部升降，上述液體吐出部係具有：第1管狀部，其在沿水平方向延伸之狀態下，於前端具有上述吐出口；第2管狀部，其在連通於上述第1管狀部之狀態下，呈從上述第1管狀部朝上方延伸之狀態；以及第3管狀部，其在連通上述第2管狀部之狀態下，呈從上述第2管狀部朝水平方向延伸之狀態。
第18態樣的基板處理裝置係就第17態樣的基板處理裝置，其中，具備有：第3驅動部，其使上述液體吐出部沿鉛直方向升降；當朝下方平面透視時，上述擋板部係具備設有朝遠離上述環境氣體控制構件方向凹陷之凹部的內周緣部，上述控制部係進行如下動作中之至少一動作：下降動作，其利用上述第3驅動部而使上述液體吐出部下降，藉此而使上述第2管狀部插通於上述凹部內之空間；以及上升動作，其利用上述第3驅動部而使上述液體吐出部上升，藉此而使上述第2管狀部從上述凹部內之空間朝上方移動。
第19態樣的基板處理裝置係就第9至第16中任一態樣的基板處理裝置，其中，具備有：擋板部，其包圍上述保持部之周圍；第2驅動部，其使上述擋板部沿鉛直方向升降的；以及第3驅動部，其使上述液體吐出部沿鉛直方向升降；上述液體吐出部係具備有管狀的前端部，其呈沿鉛直方向延伸之狀態；上述前端部係具備有上述吐出口，其朝水平方向呈開口；上述控制部係以利用上述第2驅動部來使上述擋板部升降，而上述前端部對上述擋板部與上述環境氣體控制構件間之間隙進行插拔之方式，利用上述第3驅動部而使上述液體吐出部升降。
第20態樣的基板處理裝置係就第9至第16中任一態樣的基板處理裝置，其中，具備有：擋板部，其包圍上述保持部之周圍；以及第2驅動部，其使上述擋板部沿鉛直方向升降；上述控制部係利用上述第2驅動部而使上述擋板部升降，上述液體吐出部係處於與上述擋板部一體地構成之狀態。 (對照先前技術之功效)
根據第1態樣的基板處理方法，例如可執行基板上表面的環境氣體之控制，並在未使液體吐出部擺動之情況下，執行基板上表面廣範圍的處理液之液體供給位置的掃描。藉此，例如可同時實現基板上表面的環境氣體控制與降低對基板上表面所施行之處理的變動。
根據第2態樣的基板處理方法，例如在對端部側區域供給處理液時，降低處理液的速度及供給量。所以，例如於保持部中保持著基板外緣部的夾持銷處不易發生處理液之飛濺。
根據第3態樣的基板處理方法，例如藉由在基板上表面廣範圍複數次掃描處理液的液體供給位置，便可更加降低對基板上表面的處理之變動。
根據第4態樣的基板處理方法，例如在使環境氣體控制構件相對向於基板上表面廣範圍之狀態下，可更嚴格地施行基板上表面上的環境氣體之控制，並在未使液體吐出部擺動之情況下，於基板上表面廣範圍執行處理液的液體供給位置的掃描。
根據第5態樣的基板處理方法，例如可利用環境氣體控制構件進行基板上的環境氣體之控制，並朝基板上表面廣範圍供給處理液。
根據第6態樣的基板處理方法，例如可輕易地將處理液供給至基板上表面中虛擬旋轉軸上的部分為止。
根據第7態樣的基板處理方法，例如可嚴格地控制基板上表面上的環境氣體。
根據第8態樣的基板處理方法，例如可輕易使液體吐出部在吐出處理液之位置與退避位置之間移動。
根據第9態樣的基板處理裝置，例如可藉由來自環境氣體控制構件的惰性氣體之供給而良好地進行基板上表面上的環境氣體之控制，並於未使液體吐出部擺動之情況下，對基板上表面廣範圍之處理液的液體供給位置進行掃描。藉此，例如可同時實現基板上表面的環境氣體之控制與降低對基板上表面施行之處理的變動。
根據第10態樣的基板處理裝置，例如在朝端部側區域供給處理液時，降低處理液的速度及供給量。所以，例如保持部中保持著基板外緣部的夾持銷處不易發生處理液之飛濺。
根據第11態樣的基板處理裝置，例如藉由在基板上表面廣範圍複數次執行處理液的液體供給位置之掃描，便可更加降低對基板上表面的處理之變動。
根據第12態樣的基板處理裝置，例如可在使環境氣體控制構件相對向於基板上表面廣範圍之狀態下，更嚴格施行基板上表面上的環境氣體之控制，並在未使液體吐出部擺動之情況下，於基板上表面廣範圍執行處理液的液體供給位置之掃描。
根據第13態樣的基板處理裝置，例如可利用環境氣體控制構件進行基板上的環境氣體之控制，並朝基板上表面廣範圍供給處理液。
根據第14態樣的基板處理裝置，例如可輕易將處理液供給至基板上表面中虛擬旋轉軸上的部分為止。
根據第15態樣的基板處理裝置，例如可嚴格地控制基板上表面上的環境氣體。
根據第16態樣的基板處理裝置，例如可輕易地使液體吐出部在吐出處理液之位置與退避位置之間移動。
根據第17態樣的基板處理裝置，例如可在第2管狀部插通於擋板部與環境氣體控制構件間之間隙的狀態下，將吐出口朝向沿著由保持部保持之基板的上表面之方向而配置於用以吐出處理液的位置。而且，例如可使從吐出口吐出之處理液的吐出方向呈穩定。
根據第18態樣的基板處理裝置，例如即使擋板部上表面配置於較環境氣體控制構件之下表面更高的位置，而擋板部與環境氣體控制構件間之間隙狹窄之情況下，仍可使液體吐出部輕易地對擋板部與環境氣體控制構件間之間隙進行插拔。藉此，例如即使擋板部與環境氣體控制構件間之間隙狹窄，仍可使液體吐出部輕易地在吐出處理液之位置與退避位置之間移動。
根據第19態樣的基板處理裝置，例如即使擋板部上表面配置於較環境氣體控制構件之下表面更高的位置，而擋板部與環境氣體控制構件間之間隙狹窄之情況下，仍可使液體吐出部輕易地對擋板部與環境氣體控制構件間之間隙進行插拔。藉此，例如即使擋板部與環境氣體控制構件間之間隙狹窄，仍可使液體吐出部輕易地在吐出處理液之位置與退避位置之間移動。
根據第20態樣的基板處理裝置，例如可使液體吐出部的配置容易。
以下，一邊參照所附圖式，針對本發明各種實施形態進行說明。該等實施形態所記載的構成要件充其量僅為例示而已，本發明範圍並不僅侷限於該等。圖式中，為求容易理解，視需要會有將各部位的尺寸與數量進行誇大或簡單化圖示的情況。又，各圖中，為說明各要件的位置關係，會賦予右手系統的XYZ正交座標系統。此處，X軸及Y軸設定為朝水平方向延伸，Z軸設定為朝鉛直方向(上下方向)延伸。又，以下說明中，將箭頭前端的朝向設定為+(plus)方向，並將其反方向設定為-(minus)方向。此處，鉛直方向朝上為+Z方向，鉛直方向朝下為-Z方向。
表示相對性或絕對性位置關係的表現(例如「朝一方向」「沿一方向」「平行」「正交」「中心」「同心」「同軸」等)，在無特別聲明的前提下，不僅嚴格地表示其位置關係，亦表示在可獲得公差或同程度功能之範圍內相對性地關於角度或距離而位移之狀態。表示相等狀態的表現(例如「同一」「相等」「均質」等)，在無特別聲明的前提下，不僅表示定量性嚴格地相等之狀態，亦表示存在能獲得公差或同程度功能之差的狀態。表示形狀的表現(例如「四角形狀」或「圓筒形狀」等)，在無特別聲明的前提下，不僅為於幾何學上嚴格地表示該形狀，在能獲得同程度效果之範圍內，亦表示具有例如凹凸、倒角等的形狀。「設置」「具有」「具備」「含有」或「設有」一構成要件的表現，並非排除其他構成要件之存在的排他性表現。所謂「在~之上」，在無特別聲明的前提下，除2個要件相鄰接的情況外，亦有包含2個要件相離開的情況。所謂「使朝特定方向移動」，在無特別聲明的前提下，不僅為使其與該特定方向平行地移動的情況，亦有包含使其朝具該特定方向之成分的方向移動之情況。
＜1.  第1實施形態＞ ＜1-1.  基板處理裝置的概略構成＞ 圖1係第1實施形態的基板處理裝置1之俯視圖。基板處理裝置1係對基板(例如半導體晶圓)W施行處理。
基板W係例如：半導體晶圓、液晶顯示器用基板、有機EL(Electroluminescence)用基板、FPD(Flat Panel Display)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、光碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、太陽電池用基板。基板W係具有薄平板形狀。本實施形態中，基板W係列舉俯視時具圓形形狀的半導體晶圓為例而進行說明。基板W係具有例如300毫米(mm)左右的直徑、與0.5mm至3mm左右的厚度。
基板處理裝置1係具備有：分度器部2、處理區塊5、以及控制部9。
＜1-1-1.  分度器部＞ 分度器部2係具備有：複數(例如4個)載具載置部3、及第1搬送機構4。分度器部2係具備有：搬送空間32。搬送空間32係配置於載具載置部3的+X側。搬送空間32係沿Y軸方向延伸。
複數個載具載置部3係例如沿Y軸方向呈一列地排列。各載具載置部3分別載置1個載具C。
載具C係收容複數片基板W。載具C係例如FOUP(front opening unified pod，前開式晶圓傳送盒)。載具C係例如具備有：容器、配置於容器內且於鉛直方向上排列的複數個晶架。在鉛直方向相鄰的晶架係配置呈具有10mm左右的間隔。各晶架係以水平姿勢載置1片基板W。例如在載具C載置於載具載置部3的狀態下，各晶架具備有：從容器的+Y側內壁朝-Y方向突出且沿X軸方向延伸的第1支撐部、及從容器的-Y側內壁朝+Y方向突出且沿X軸方向延伸的第2支撐部。各晶架中，第1支撐部與第2支撐部的間隔係較基板W的直徑更小。各晶架係例如利用第1支撐部與第2支撐部，來支撐著基板W的周緣部之下表面。複數個晶架係當各晶架支撐著基板W時，在鉛直方向上相鄰之晶架間具有可使基板W朝上方移動的間隔。載具C係具有例如作為供執行載具C之識別、或供識別載具C內之基板W用之識別碼的條碼。條碼係例如安裝於容器上。
再者，分度器部2係例如具備有：條碼讀取機31。條碼讀取機31係讀取安裝於載具載置部3所載置之載具C上的條碼。條碼讀取機31係例如安裝於載具載置部3。條碼讀取機31係可通訊地與控制部9連接。
第1搬送機構4係設置於搬送空間32中。第1搬送機構4係配置於載具載置部3的+X側。第1搬送機構4係具備有：機械手33、及機械手驅動部34。
機械手33係以水平姿勢支撐著1片基板W。機械手33係藉由與基板W之下表面接觸，而支撐著基板W。此時，機械手33亦可例如利用抽吸部等而吸住基板W。機械手驅動部34係連接於機械手33。機械手驅動部34係移動機械手33。
圖2係表示Y軸方向上之基板處理裝置1的中央部構成的側視圖。如圖1及圖2所示，機械手驅動部34係具備有：軌道34a、水平移動部34b、垂直移動部34c、旋轉部34d、及進退移動部34e。軌道34a係固定於分度器部2的下部。例如軌道34a係配置於搬送空間32的底部。軌道34a係沿Y軸方向延伸。水平移動部34b係由軌道34a支撐著。水平移動部34b係相對於軌道34a而沿Y軸方向移動。垂直移動部34c係由水平移動部34b支撐著。垂直移動部34c係相對於水平移動部34b而朝上下方向(±Z方向)移動。旋轉部34d係由垂直移動部34c支撐著。旋轉部34d係相對於垂直移動部34c而進行旋轉。旋轉部34d係以虛擬旋轉軸Ax1為中心進行旋轉。虛擬旋轉軸Ax1係與鉛直方向(±Z方向)平行。進退移動部34e係朝沿著由旋轉部34d之朝向而決定的水平方向之一方向進行往返移動。
機械手33係固定於進退移動部34e。機械手33係藉由機械手驅動部34，而可沿水平方向及上下方向(±Z方向)各者平行地移動。機械手33係能以虛擬旋轉軸Ax1為中心進行旋轉。藉此，第1搬送機構4係可對所有載具載置部3上載置的載具C進行存取。第1搬送機構4係可將基板W搬入於所有載具載置部3所載置的載具C中，且可從所有載具載置部3所載置的載具C中搬出基板W。
＜1-1-2.  處理區塊＞ 處理區塊5係連接於分度器部2。例如處理區塊5係連接於分度器部2的+X側。
處理區塊5係具備有：載置部6、複數個處理單元7、及第2搬送機構8。又，處理區塊5係具備有：搬送空間41。搬送空間41係在Y軸方向上配置於處理區塊5的中央。搬送空間41係沿X軸方向延伸。搬送空間41係與分度器部2的搬送空間32相接。載置部6及第2搬送機構8係設置於搬送空間41中。
載置部6係配置於第2搬送機構8的-X側。載置部6係配置於第1搬送機構4的+X側。在載置部6中，載置有複數片基板W。載置部6係配置於第1搬送機構4與第2搬送機構8之間。在載置部6中，載置著在第1搬送機構4與第2搬送機構8之間搬送的基板W。對於載置部6，上述第1搬送機構4可進行存取。第1搬送機構4係可將基板W搬入於載置部6中，並可從載置部6中搬出基板W。
在載置部6中可載置著複數片基板W。載置部6係例如具備有：在Y軸方向上配置呈相對向的一對支撐壁、及複數個晶架。各支撐壁係例如具有沿XZ平面的形狀。一對支撐壁係支撐著複數個晶架。複數個晶架係配置呈在鉛直方向上排列。各晶架係可以水平姿勢載置著1片基板W。各晶架係例如具備有：從+Y側的支撐壁內壁朝-Y方向突出且沿X軸方向延伸的第3支撐部、以及從-Y側的支撐壁內壁朝+Y方向突出且沿X軸方向延伸的第4支撐部。各晶架中，第3支撐部與第4支撐部的間隔係較基板W的直徑更小。各晶架係例如藉由第3支撐部與第4支撐部，支撐著基板W的周緣部之下表面。複數個晶架係當各晶架支撐著基板W時，在鉛直方向上相鄰之晶架間具有可使基板W朝上方移動的間隔。
第2搬送機構8係具備有：機械手61、與機械手驅動部62。
機械手61係以水平姿勢支撐著1片基板W。機械手61係藉由與基板W的下表面接觸，而支撐著基板W。此時，機械手61亦可例如利用抽吸部等而吸住基板W。機械手驅動部62係連結於機械手61。機械手驅動部62係移動機械手61。
如圖2所示，機械手驅動部62係具備有：支柱62a、垂直移動部62b、旋轉部62c、及進退移動部62d。支柱62a係固定於處理區塊5的下部。支柱62a係沿鉛直方向延伸。垂直移動部62b係由支柱62a支撐著。垂直移動部62b係相對於支柱62a而朝上下方向(±Z方向)移動。旋轉部62c係由垂直移動部62b支撐著。旋轉部62c係相對於垂直移動部62b而進行旋轉。旋轉部62c係以虛擬旋轉軸Ax2為中心而進行旋轉。虛擬旋轉軸Ax2係與鉛直方向平行。進退移動部62d係朝沿著由旋轉部62c之朝向而決定的水平方向之一方向進行往返移動。
機械手61係固定於進退移動部62d。機械手61係藉由機械手驅動部62，而可沿水平方向及上下方向(±Z方向)各者平行地移動。機械手61係能以虛擬旋轉軸Ax2為中心而進行旋轉。藉此，第2搬送機構8係可對載置部6及所有處理單元7進行存取。第2搬送機構8係可將基板W搬入於載置部6或處理單元7，且可從載置部6或處理單元7中搬出基板W。
各處理單元7係處理1片基板W。複數個處理單元7係配置於搬送空間41的兩側。複數個處理單元7係分別配置於第2搬送機構8的+Y側及-Y側。具體而言，處理區塊5係具備有：第1處理分區42、第2處理分區43。第1處理分區42、搬送空間41、及第2處理分區43係依照此記載順序在-Y方向上排列。第1處理分區42係配置於搬送空間41的+Y側。第2處理分區43係配置於搬送空間41的-Y側。
圖3係表示基板處理裝置1的-Y側部分之概略構成的側視圖。在第2處理分區43中，以沿X軸方向及鉛直方向(Z軸方向)各者之方式呈矩陣狀地配置複數個處理單元7。例如在第2處理分區43中，6個處理單元7係在鉛直方向(Z軸方向)上呈3段地配置。在第2處理分區43的各段中，配置有沿X軸方向排列的2個處理單元。雖省略圖示，但第1處理分區42亦係與第2處理分區43同樣，複數個處理單元7係以沿X軸方向及鉛直方向(Z軸方向)各者之方式呈矩陣狀地配置。例如在第1處理分區42中，6個處理單元7係在鉛直方向(Z軸方向)上呈3段地配置。在第1處理分區42的各段中，配置有沿X軸方向排列的2個處理單元。
＜1-1-3.  控制部＞ 圖4係表示用於控制基板處理裝置1的功能性構成的方塊圖。控制部9係可通訊地與條碼讀取機31、第1搬送機構4、第2搬送機構8及複數個處理單元7連接。控制部9係對例如第1搬送機構4、第2搬送機構8及複數個處理單元7進行控制。
圖5係表示控制部9的一構成例的方塊圖。控制部9係例如由一般的電腦等來實現。控制部9係例如具有經由匯流排線9Bu而連接的通訊部91、輸入部92、輸出部93、記憶部94、處理部95及驅動器96。
通訊部91係例如在條碼讀取機31、第1搬送機構4、第2搬送機構8及複數個處理單元7各者之間，經由通訊線路進行訊號之傳送接收。通訊部91亦可接收例如來自用於管理基板處理裝置1之管理用伺服器的訊號。
輸入部92係例如輸入配合操作員動作等的訊號。輸入部92係包含有例如：可輸入配合操作之訊號的滑鼠及鍵盤等操作部、可輸入配合聲音之訊號的麥克風、以及可輸入配合動作之訊號的各種感測器等。
輸出部93係例如可將各種資訊以操作員能辨識的態樣輸出。輸出部93係包括有例如：將各種資訊可視性地輸出的顯示部、及將各種資訊可聽性地輸出的揚聲器等。顯示部亦可例如具有與輸入部92至少一部分一體化的觸控板的形態。
記憶部94係例如記憶著程式Pg1及各種資訊。記憶部94係例如由硬碟或快閃記憶體等非揮發性記憶媒體所構成。記憶部94亦可使用例如：具有1個記憶媒體的構成、一體地具有2個以上記憶媒體的構成、及分開2個以上部分而具有2個以上記憶媒體的構成等任一種構成。記憶媒體係記憶著例如第1搬送機構4、第2搬送機構8及處理單元7之動作條件所相關之資訊。處理單元7之動作條件所相關之資訊係包含有例如：用於處理基板W的處理配方(製程配方)。記憶媒體亦可記憶著例如用於識別各基板W的資訊。
處理部95係包含有例如：當作處理器而運作的運算處理部95a、以及當作運算處理之作業區域的記憶體95b等。運算處理部95a係使用例如中央運算裝置(CPU)等電子電路，記憶體95b係使用例如RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)等。處理部95係例如藉由讀取記憶部94所記憶的程式Pg1並執行，而實現控制部9的功能。所以，在控制部9中，例如藉由依照程式Pg1所記述之順序，由處理部95施行運算處理，而實現對基板處理裝置1各部之動作進行控制的各種功能部。即，藉由利用基板處理裝置1所含的控制部9執行程式Pg1，便可實現基板處理裝置1的功能及動作。由控制部9所實現之一部分或全部的功能部，亦可例如以專用邏輯電路等而硬體性地實現。
驅動器96係例如為可將可攜性之記憶媒體Sm1加以裝卸之部分。驅動器96係例如在裝接記憶媒體Sm1之狀態下，進行該記憶媒體Sm1與處理部95間的資料收授。驅動器96係在記憶著程式Pg1的記憶媒體Sm1裝接於驅動器96的狀態下，從記憶媒體Sm1中讀取程式Pg1並記憶於記憶部94內。
此處，針對基板處理裝置1的全體動作之一例進行說明。基板處理裝置1中，例如由控制部9依照記述基板W之搬送順序與處理條件等的配方，對基板處理裝置1所具備的各部進行控制，藉此而執行以下所說明的一連串動作。
若收容未處理之基板W的載具C載置於載具載置部3上，則第1搬送機構4便從該載具C中取出未處理之基板W。此時，控制部9配合條碼讀取機31的檢測結果(基板W之形狀的資訊等)，對機械手驅動部34進行控制。然後，第1搬送機構4將未處理之基板W搬送至載置部6。第2搬送機構8係從載置部6中，將未處理之基板W搬送至由配方等所指定的處理單元7中。另外，在第1搬送機構4與第2搬送機構8間的基板W之交接，例如亦可直接在機械手33與機械手61間進行。已搬入基板W的處理單元7便對基板W執行既定處理。若於處理單元7中對基板W的處理完成，第2搬送機構8便從處理單元7中取出處理完畢之基板W。第2搬送機構8將處理完畢之基板W搬送至載置部6。第1搬送機構4係從載置部6將基板W搬送至載具載置部3上的載具C。在基板處理裝置1中，由第1搬送機構4及第2搬送機構8依照配方反覆進行上述搬送動作，且由各處理單元7依照處理配方對基板W執行處理。藉此，逐次對基板W執行處理。
＜1-2.  處理單元之構成＞ 各處理單元7係例如可對基板W的上表面Wu，執行將蝕刻、洗淨、疏水化及乾燥等依此記載順序執行之一連串基板處理的單片式處理單元。
圖6係示意性地表示處理單元7之一構成例的側視圖。圖7係示意性地表示處理單元7的內部之一構成例的俯視圖。
如圖6所示，各處理單元7係例如具備有內部形成處理空間的處理腔室7w。在處理腔室7w中，例如形成有用於使第2搬送機構8的機械手61插入於處理腔室7w內部的搬出搬入口(未圖示)。該搬出搬入口係設有例如當機械手61插入於處理單元7內部時便呈開放、當機械手61未插入處理單元7內部時則呈封閉的閘門等。所以，處理單元7係配置為，例如使其搬出搬入口與第2搬送機構8所配置的搬送空間41呈相對向。
此處，針對處理單元7的具體構成而進行說明。
如圖1及圖3所示，各處理單元7係例如具備有：旋轉保持機構72。旋轉保持機構72係例如設有：保持部720。
保持部720係例如以水平姿勢保持著1片基板W。保持部720亦可使用機械式夾具或機械夾持爪，亦可使用白努利吸盤或白努利夾持器。機械式夾具係適用於例如保持較厚之基板W，白努利吸盤係適用於例如保持較薄之基板W。第1實施形態中，例如在第1處理分區42配置的6個處理單元7係分別為保持部720採用機械式夾具或機械夾持爪的第1處理單元7A。例如在第2處理分區43配置的6個處理單元7係分別為保持部720採用白努利吸盤或白努利夾持器的第2處理單元7B。圖6及圖7中，表示第1處理單元7A的一構成例。此處，作為處理單元7的一構成例，列舉第1處理單元7A的構成為例而進行說明。
如圖6所示，保持部720係例如具備有：旋轉基座723、與複數個夾持銷724。旋轉基座723係例如大致水平姿勢的圓板狀之構件。複數個夾持銷724係例如立設於旋轉基座723上表面側的周緣部附近，且為藉由把持著基板W的周緣部而可保持基板W的部分。具體而言，例如複數個夾持銷724係可以水平姿勢保持著基板W。夾持銷724係例如為了能確實保持圓形之基板W，只要設置3個以上便可，其沿旋轉基座723的周緣部而以等角度間隔配置。各夾持銷724係例如具備有：從下方支撐基板W周緣部的部分(亦稱「基板支撐部」)、與按押著由基板支撐部支撐的基板W外周端面而保持著基板W的部分(亦稱「基板把持部」)。又，各夾持銷724係構成為可在如下狀態之間進行切換：基板把持部按押著基板W外周端面的按押狀態、及基板把持部遠離基板W外周端面的放開狀態。此處，當第2搬送機構8對保持部720交接基板W時，各夾持銷724處於放開狀態，而當對基板W施行基板處理時，各夾持銷724處於按押狀態。若各夾持銷724處於按押狀態，便由各夾持銷724把持著基板W周緣部，使基板W與旋轉基座723隔開既定間隔而以大致水平姿勢加以保持。
再者，如圖6所示，旋轉保持機構72係例如具有：中心軸721及旋轉機構722。
中心軸721係例如為具有沿鉛直方向(Z軸方向)的長邊方向與正圓狀截面的棒狀構件。例如在中心軸721的上端部，利用螺絲等鎖固零件固定著旋轉基座723之下表面的大致中央。
旋轉機構722係例如為用於使中心軸721旋轉的馬達等能產生驅動力的部分(亦稱「第1驅動部」)。此處，例如若配合來自控制部9的動作指令，由旋轉機構722使中心軸721進行旋轉，則被固定於中心軸721上的旋轉基座723，便以沿鉛直方向延伸的虛擬軸(亦稱「旋轉軸」)72a為中心進行旋轉。即，旋轉機構722係能使保持部720以旋轉軸72a為中心進行旋轉。藉此，例如由保持部720呈大致水平姿勢保持的基板W便以旋轉軸72a為中心進行旋轉。旋轉軸72a係例如通過由保持部720所保持之基板W的上表面Wu及下表面Wb各者之中心。
再者，如圖6所示，各處理單元7係例如具備有：擋板73。
擋板73係配置呈包圍旋轉保持機構72之側邊周圍。擋板73係例如具有利用升降驅動部73m而可相互獨立地進行升降的複數個擋板部。具體而言，擋板73係例如具有：第1擋板部731、第2擋板部732及第3擋板部733。升降驅動部73m係例如可採用滾珠螺桿機構或氣缸等各種機構。藉此，升降驅動部73m例如作為如下部分(亦稱「第2驅動部」)而發揮功能：其配合來自控制部9的動作指令，而可使第1擋板部731、第2擋板部732及第3擋板部733各者沿鉛直方向進行升降。換言之，控制部9係利用升降驅動部73m，使第1擋板部731、第2擋板部732及第3擋板部733各者沿鉛直方向進行升降。藉此，控制部9係利用升降驅動部73m，使第1~3擋板部731、732、733分別在上升的位置(亦稱「上升位置」)與下降的位置(亦稱「下降位置」)之間進行升降。結果，例如藉由第1擋板部731、第2擋板部732及第3擋板部733中任一者，而可接住從基板W的上表面Wu上飛散的處理液並回收。
第1擋板部731係例如配置呈包圍旋轉保持機構72的側邊周圍。第1擋板部731係例如相對於通過由旋轉保持機構72保持之基板W中心的旋轉軸72a，而具有成為大致旋轉對稱的形狀。該第1擋板部731係例如具有：具以旋轉軸72a為中心之圓筒狀形狀的側壁部、以及具有以旋轉軸72a為中心的圓環狀形狀且從側壁部上端部朝斜上方延伸至接近旋轉軸72a的上方傾斜部。
第2擋板部732係例如配置呈更進一步從側邊包圍著第1擋板部731的外周部，該第1擋板部731係配置成包圍旋轉保持機構72之側邊周圍。第2擋板部732係例如具有相對於通過由旋轉保持機構72保持之基板W中心的旋轉軸72a，而具有成為大致旋轉對稱的形狀。該第2擋板部732係例如具有：具以旋轉軸72a為中心之圓筒狀形狀的側壁部、以及具有以旋轉軸72a為中心的圓環狀形狀且從側壁部上端部朝斜上方延伸至接近旋轉軸72a的上方傾斜部。
第3擋板部733係例如配置呈更進一步從側邊包圍著依序圍繞在旋轉保持機構72側邊周圍的第1擋板部731及第2擋板部732之外周部。第3擋板部733係例如相對於通過由旋轉保持機構72保持之基板W中心的旋轉軸72a，而具有成為大致旋轉對稱的形狀。該第3擋板部733係例如具有：具以旋轉軸72a為中心之圓筒狀形狀的側壁部、以及具有以旋轉軸72a為中心的圓環狀形狀且從側壁部上端部朝斜上方延伸至接近旋轉軸72a的上方傾斜部。
此處，例如當第1擋板部731係以從側邊包圍著保持部720的方式配置於上升位置的情況，朝向由旋轉保持機構72所保持且旋轉中之基板W的上表面Wu吐出的處理液，會從基板W的上表面Wu朝第1擋板部731飛散，並由第1擋板部731之旋轉軸72a側的壁面(亦稱「內壁面」)接住。由第1擋板部731接住的處理液係例如沿第1擋板部731的內壁面流下，再經由第1排液槽734及第1排液埠737回收。
再者，此處例如於第1擋板部731下降至下降位置，而第2擋板部732以從側邊包圍著保持部720之方式配置於上升位置的情況，朝向由旋轉保持機構72所保持且旋轉中之基板W的上表面Wu吐出的處理液，會從基板W的上表面Wu朝第2擋板部732飛散，並由第2擋板部732之旋轉軸72a側的壁面(亦稱「內壁面」)接住。由第2擋板部732接住的處理液係例如沿第2擋板部732的內壁面流下，再經由第2排液槽735及第2排液埠738回收。
再者，此處例如使第1擋板部731及第2擋板部732各者下降至下降位置，而第3擋板部733以從側邊包圍保持部720的方式配置於上升位置之情況，朝向由旋轉保持機構72所保持且旋轉中之基板W的上表面Wu吐出的處理液，會從基板W的上表面Wu朝第3擋板部733飛散，並由第3擋板部733之旋轉軸72a側的壁面(亦稱「內壁面」)接住。由第3擋板部733接住的液體係例如沿第3擋板部733的內壁面流下，再經由第3排液槽736及第3排液埠739回收。
再者，如圖6所示，各處理單元7係例如具備有：第1~3液體吐出部751n、752n、753n、第1~3液供給路751p、752p、753p、及第1~3變更部751v、752v、753v。
第1液體吐出部751n係例如朝向沿由保持部720呈水平姿勢保持之基板W的上表面Wu的方向，從吐出口(亦稱「第1吐出口」)751o吐出處理液(亦稱「第1處理液」)，藉此而朝上表面Wu上供給第1處理液。第1液體吐出部751n係例如包含有以連續流狀態吐出第1處理液的直線型噴嘴等噴嘴。第1處理液係含有例如：稀氫氟酸(DHF：Diluted Hydrofluoric acid)、氫氟酸-過氧化氫水混合液(FPM：Hydrofluoric Peroxide Mixture)或磷酸等，可對基板W施行蝕刻的液體(亦稱「藥液」)。
第1液供給路751p係連接第1處理液的供給源(亦稱「第1供給源」)與第1液體吐出部751n。第1液供給路751p係例如採用各種配管等。第1供給源係例如包含有：儲存藥液的槽、以及用於從該槽中送出藥液的泵等機構。
第1變更部751v係位於第1液供給路751p的途中，例如變更從第1供給源朝第1液體吐出部751n供給之第1處理液每單位時間的供給量。第1變更部751v係例如包含有：藉由調整閉鎖程度(亦稱「開度」)而可變更從第1供給源朝第1液體吐出部751n供給之第1處理液每單位時間的供給量的針閥等流量控制閥。流量控制閥的閉鎖程度(開度)係例如由表示馬達位置的脈衝數等來表示。流量控制閥的閉鎖程度(開度)係例如配合來自控制部9的脈衝數等之動作指令而進行變更。所以，例如控制部9係藉由控制第1變更部751v的開度，便可控制有無從第1液體吐出部751n對基板W之上表面Wu上吐出第1處理液，並可變更從第1液體吐出部751n對基板W之上表面Wu上吐出第1處理液的速度(亦稱「吐出速度」)、以及從第1液體吐出部751n對基板W之上表面Wu上每單位時間吐出第1處理液的量(亦稱「吐出量」)。
第2液體吐出部752n係例如朝向沿由保持部720呈水平姿勢保持的基板W之上表面Wu之方向，從吐出口(亦稱「第2吐出口」)752o吐出處理液(亦稱「第2處理液」)，藉此而朝上表面Wu上供給第2處理液。第2液體吐出部752n係例如包含有以連續流狀態吐出第2處理液的直線型噴嘴等噴嘴。第2處理液係例如含有異丙醇(IPA)等溶劑。
第2液供給路752p係連接第2處理液的供給源(亦稱「第2供給源」)與第2液體吐出部752n。第2液供給路752p係例如採用各種配管等。第2供給源係例如包含有：儲存著IPA等溶劑的槽、以及用於從該槽中送出溶劑的泵等機構。
第2變更部752v係位於第2液供給路752p的途中，例如變更從第2供給源朝第2液體吐出部752n供給之第2處理液每單位時間之供給量。第2變更部752v係例如包含有：藉由調整閉鎖程度(亦稱「開度」)而可變更從第2供給源朝第2液體吐出部752n供給之第2處理液每單位時間之供給量的針閥等流量控制閥。流量控制閥的閉鎖程度(開度)係例如由表示馬達位置的脈衝數等來表示。流量控制閥的閉鎖程度(開度)係例如配合來自控制部9的脈衝數等之動作指令而進行變更。所以，例如控制部9係藉由控制第2變更部752v的開度，便可控制有無從第2液體吐出部752n對基板W之上表面Wu上吐出第2處理液，並可變更從第2液體吐出部752n對基板W之上表面Wu上吐出第2處理液的速度(「吐出速度」)、以及從第2液體吐出部752n對基板W之上表面Wu上每單位時間吐出第2處理液的量(亦稱「吐出量」)。
第3液體吐出部753n係例如朝向沿由保持部720呈水平姿勢保持的基板W之上表面Wu之方向，從吐出口(亦稱「第3吐出口」)753o吐出處理液(亦稱「第3處理液」)，藉此而朝上表面Wu上供給第3處理液。第3液體吐出部753n係例如包含有以連續流狀態吐出第3處理液的直線型噴嘴等噴嘴。第3處理液係例如含有疏水化液。疏水化液係例如含有矽系疏水化液。矽系疏水化液係使矽(Si)本身及含矽之化合物疏水化的疏水化液。矽系疏水化液係例如：矽烷偶合劑(亦稱「矽烷化劑」)。該矽烷化劑係例如：分子一端具有利用水解便可提供矽醇基(Si-OH)的乙氧基(或甲氧基)，且另一端具有胺基或環氧丙基等有機官能基的有機矽化合物。矽烷化劑係例如包括有：HMDS(六甲基二矽氮烷)、TMS(四甲矽烷)、氟化烷基氯矽烷、烷基二矽氮烷、及非氯系疏水化液中之至少一者。非氯系疏水化液係例如包括有：二甲矽烷基二甲胺、二甲矽烷基二乙胺、六甲基二矽氮烷、四甲基二矽氮烷、雙(二甲胺基)二甲矽烷、N,N-二甲胺基三甲矽烷、N-(三甲矽烷基)二甲胺及有機矽烷化合物中之至少一者。
第3液供給路753p係連接第3處理液的供給源(亦稱「第3供給源」)與第3液體吐出部753n。第3液供給路753p係例如採用各種配管等。第3供給源係例如包含有：儲存矽烷化劑等疏水化液的槽、以及用於從該槽中送出疏水化液的泵等機構。
第3變更部753v係位於第3液供給路753p的途中，例如變更從第3供給源朝第3液體吐出部753n供給之第3處理液每單位時間之供給量。第3變更部753v係例如包含有：藉由調整閉鎖程度(亦稱「開度」)而可變更從第3供給源朝第3液體吐出部753n供給之第3處理液每單位時間之供給量的針閥等流量控制閥。流量控制閥的閉鎖程度(開度)係例如由表示馬達位置的脈衝數等來表示。流量控制閥的閉鎖程度(開度)係例如配合來自控制部9的脈衝數等之動作指令而進行變更。所以，例如控制部9係藉由控制第3變更部753v的開度，便可控制有無從第3液體吐出部753n對基板W之上表面Wu上吐出第3處理液，並可變更從第3液體吐出部753n對基板W之上表面Wu上吐出第3處理液的速度(吐出速度)、以及從第3液體吐出部753n對基板W之上表面Wu上每單位時間吐出第3處理液的量(亦稱「吐出量」)。
如圖7所示，第1液體吐出部751n係例如連結於在處理腔室7w中設置的第1移動機構751m。第1移動機構751m係使第1液體吐出部751n移動之部分(第3驅動部)之一例。
第1移動機構751m係例如使第1液體吐出部751n以沿鉛直方向延伸的虛擬軸(亦稱「虛擬軸」)751a為中心進行轉動。第1移動機構751m係例如包括有：能以虛擬軸751a為中心轉動自如地支撐的機器臂、以及使該機器臂轉動的馬達等。藉此，第1移動機構751m係例如配合來自控制部9的動作指令，使第1液體吐出部751n的第1吐出口751o，在保持部720外周部上方或其附近位置(亦稱「第1內側位置」)、與較第1內側位置更遠離旋轉軸72a的位置(亦稱「第1外側位置」)之間進行移動。圖7中，位於第1外側位置處的第1液體吐出部751n係以實線描繪，而位於第1內側位置的第1液體吐出部751n係以二點鏈線描繪。
再者，第1移動機構751m係例如使第1液體吐出部751n沿鉛直方向進行升降。第1移動機構751m係例如可使用滾珠螺桿機構或氣缸等各種機構。藉此，第1移動機構751m係例如配合來自控制部9的動作指令，使第1液體吐出部751n的第1吐出口751o，在靠近沿由保持部720保持之基板W的上表面Wu之虛擬平面的位置(亦稱「第1下位置」)、與從沿著由保持部720保持之基板W的上表面Wu的虛擬平面朝上方遠離的位置(亦稱「第1上位置」)之間進行移動。此處，若第1吐出口751o配置於第1內側位置且配置於第1下位置，則第1液體吐出部751n便被配置於對基板W之上表面Wu吐出第1處理液的位置(亦稱「第1吐出位置」)。此時，例如第1吐出口751o亦可不位於基板W之上表面Wu的上方，亦可位於基板W之上表面Wu的外周部上方。又，若第1吐出口751o係配置於第1外側位置且配置於第1上位置，則第1液體吐出部751n便被配置於保持部720上或從其附近退避的位置(亦稱「第1退避位置」)。
如圖7所示，第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n各者例如連結於在處理腔室7w中所設置的第2移動機構752m。第2移動機構752m係使第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n移動之部分(第3驅動部)之一例。
第2移動機構752m係例如使第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n以沿鉛直方向延伸的虛擬軸(亦稱「虛擬軸」)752a為中心進行轉動。第2移動機構752m係例如包括有：能以虛擬軸752a為中心轉動自如地支撐的機器臂、以及使該機器臂轉動的馬達等。藉此，第2移動機構752m係例如配合來自控制部9的動作指令，使第2液體吐出部752n的第2吐出口752o，在保持部720外周部上方或其附近位置(亦稱「第2內側位置」)、與較第2內側位置更遠離旋轉軸72a的位置(亦稱「第2外側位置」)之間進行移動，並且，使第3液體吐出部753n的第3吐出口753o，在保持部720外周部上方或其附近位置(亦稱「第3內側位置」)、與較第3內側位置更遠離旋轉軸72a的位置(亦稱「第3外側位置」)之間進行移動。圖7中，位於第2外側位置的第2液體吐出部752n及位於第3外側位置的第3液體吐出部753n係以實線描繪，而位於第2內側位置的第2液體吐出部752n及位於第3內側位置的第3液體吐出部753n係以二點鏈線描繪。
再者，第2移動機構752m係例如使第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n沿鉛直方向進行升降。第2移動機構752m係例如可使用滾珠螺桿機構或氣缸等各種機構。藉此，第2移動機構752m係例如配合來自控制部9的動作指令，使第2液體吐出部752n的第2吐出口752o，在靠近沿由保持部720保持之基板W的上表面Wu之虛擬平面的位置(亦稱「第2下位置」)、與從沿著由保持部720保持之基板W的上表面Wu的虛擬平面朝上方遠離的位置(亦稱「第2上位置」)之間進行移動，並且，使第3液體吐出部753n的第3吐出口753o，在靠近沿由保持部720保持之基板W的上表面Wu之虛擬平面的位置(亦稱「第3下位置」)、與從沿著由保持部720保持之基板W的上表面Wu的虛擬平面朝上方遠離的位置(亦稱「第3上位置」)之間進行移動。
此處，若第2吐出口752o配置於第2內側位置且配置於第2下位置，則第2液體吐出部752n便被配置於對基板W之上表面Wu吐出第2處理液的位置(亦稱「第2吐出位置」)。此時，例如第2吐出口752o係可不位於基板W之上表面Wu的上方，亦可位於基板W之上表面Wu的外周部上方。又，若第2吐出口752o配置於第2外側位置且配置於第2上位置，則第2液體吐出部752n便被配置於保持部720上或從其附近退避的位置(亦稱「第2退避位置」)。又，若第3吐出口753o配置於第3內側位置且配置於第3下位置，則第3液體吐出部753n便被配置於朝基板W之上表面Wu吐出第3處理液的位置(亦稱「第3吐出位置」)。此時，例如於朝下方向俯視時，第3吐出口753o亦可不位於基板W之上表面Wu的上方，亦可位於基板W之上表面Wu的外周部上方。又，若第3吐出口753o配置於第3外側位置且配置於第3上位置，則第3液體吐出部753n便被配置於保持部720上或從其附近退避的位置(亦稱「第3退避位置」)。
再者，如圖6所示，各處理單元7係例如具備有：環境氣體控制構件74。
環境氣體控制構件74係例如在與由保持部720以水平姿勢保持的基板W之上表面Wu對向的狀態下，朝上表面Wu上供給惰性氣體。藉此，例如可謀求降低沿基板W之上表面Wu的空間中之氧濃度及濕氣等。結果，例如不易因氧及濕氣而對基板W之上表面Wu供給的各種處理液造成不良影響。具體而言，此處所謂「不良影響」係例如可包含：因過度蝕刻而導致材料損失、沿基板W之上表面Wu的表層部遭氧化、疏水化液中的活性種減少(亦稱「去活化」)、疏水化液的塗佈性降低、及從清洗液置換為溶劑的置換性降低等。
第1實施形態中，環境氣體控制構件74係例如包括有：在覆蓋由保持部720以水平姿勢保持之基板W的上表面Wu的狀態下，朝上表面Wu與環境氣體控制構件74間供給惰性氣體的板狀部分(亦稱「阻斷板」)741。阻斷板741係例如為旋轉軸72a通過中心的圓板狀構件。阻斷板741的下表面74b係成為與基板W之上表面Wu呈大致平行地對向之面，具有與基板W直徑同等以上的大小。利用該阻斷板741，例如可嚴格地控制基板W之上表面Wu上的環境氣體。
再者，環境氣體控制構件74係例如具有：支軸742。在支軸742的下端部，呈以大致水平姿勢安裝有阻斷板741的狀態。支軸742係例如依序連結有機器臂743及第3移動機構74m。機器臂743係例如在朝水平方向延伸之狀態下，呈保持著支軸742的狀態。第3移動機構74m係例如可使用滾珠螺桿機構或氣缸等各種機構。藉此，第3移動機構74m係例如配合來自控制部9的動作指令，使機器臂743、支軸742及阻斷板741沿鉛直方向進行升降。第3移動機構74m係例如配合來自控制部9的動作指令，可使阻斷板741配置於靠近由保持部720保持之基板W的上表面Wu的位置(亦稱「靠近位置」)、或遠離由保持部720保持之基板W的上表面Wu的位置(亦稱「遠離位置」)。例如控制部9係當藉由控制著第3移動機構74m的動作，對處理單元7而使基板W搬入搬出時，如圖6所示，使阻斷板741上升至朝上方向(+Y方向)遠離旋轉保持機構72的遠離位置，另一方面，當於處理單元7中對基板W施行既定的基板處理時，使阻斷板741下降至靠近由保持部720保持之基板W的上表面Wu的靠近位置。阻斷板741下降至靠近位置的狀態係例如後述之圖8(a)及圖9(a)所示。
再者，環境氣體控制構件74係例如包含有：從阻斷板741的下表面74b之中央部朝下方吐出處理液的中心噴嘴群74n。中心噴嘴群74n係例如沿通過阻斷板741及基板W中心的虛擬旋轉軸72a，朝鉛直方向延伸。中心噴嘴群74n係配置於保持部720的上方。中心噴嘴群74n係與阻斷板741及支軸742一起進行升降。支軸742係具有沿鉛直方向延伸的筒狀形狀，且具有沿鉛直方向貫通的貫通孔。支軸742的貫通孔係連通於沿鉛直方向貫通阻斷板741中央部的貫通孔。阻斷板741的貫通孔係開設於阻斷板741之下表面74b的中央部。中心噴嘴群74n係處於插入於支軸742之貫通孔內之空間的狀態。中心噴嘴群74n的下表面係位於與阻斷板741之下表面74b相同高度、或較阻斷板741之下表面74b更靠上方處。
中心噴嘴群74n係例如包括有：被收容在沿旋轉軸72a朝鉛直方向延伸之共通箱體內的第1中心噴嘴747n、第2中心噴嘴748n及第3中心噴嘴749n。第1中心噴嘴747n、第2中心噴嘴748n及第3中心噴嘴749n分別沿旋轉軸72a而朝鉛直方向延伸。第1中心噴嘴747n、第2中心噴嘴748n及第3中心噴嘴749n各者例如由沿鉛直方向的直管構成。在第1中心噴嘴747n、第2中心噴嘴748n及第3中心噴嘴749n各者下端設置的開口(吐出口)係配置於與阻斷板741之下表面74b相同高度、或較阻斷板741之下表面74b更靠上方。
第1中心噴嘴747n係連接於中途設有第1液體閥747v的第1液體供給路747p。第1液體供給路747p係例如使用配管。又，第1液體供給路747p係連接於供給作為第4處理液之純水(DIW：De-Ionized water，去離子水)等清洗液的供給源(亦稱「第4供給源」)。第4供給源係例如包括有：儲存作為第4處理液之DIW等清洗液的槽、及用於從該槽中送出清洗液的泵等機構。此處，例如若配合控制部9的動作指令而打開第1液體閥747v，則從第4供給源經由第1液體供給路747p供給給第1中心噴嘴747n的作為第4處理液之清洗液，便從第1中心噴嘴747n的吐出口朝下方吐出。
第2中心噴嘴748n係連接於中途設有第2液體閥748v的第2液體供給路748p。第2液體供給路748p係例如使用配管。又，第2液體供給路748p係連接於供給作為第5處理液之疏水化液的供給源(亦稱「第5供給源」)。第5供給源係例如包括有：儲存矽烷化劑等疏水化液的槽、及用於從該槽中送出疏水化液的泵等機構。第5處理液係可與第3處理液相同，亦可與第3處理液不同。第5供給源係例如可與第3供給源相同，亦可與第3供給源不同。此處，例如若配合控制部9的動作指令而打開第2液體閥748v，則從第5供給源經由第2液體供給路748p供給給第2中心噴嘴748n的作為第5處理液之疏水化液，便從第2中心噴嘴748n的吐出口朝下方吐出。
第3中心噴嘴749n係連接於中途設有第3液體閥749v的第3液體供給路749p。第3液體供給路749p係例如使用配管。又，第3液體供給路749p係連接於供給作為第6處理液之溶劑的供給源(亦稱「第6供給源」)。第6供給源係例如包括有：儲存IPA等溶劑的槽、及用於從該槽中送出溶劑的泵等機構。第6處理液係可與第2處理液相同，亦可與第2處理液不同。第6供給源係例如可與第2供給源相同，亦可與第2供給源不同。此處，例如若配合控制部9的動作指令而打開第3液體閥749v，則從第6供給源經由第3液體供給路749p供給給第3中心噴嘴749n的作為第6處理液之溶劑，便從第3中心噴嘴749n的吐出口朝下方吐出。
第1中心噴嘴747n、第2中心噴嘴748n及第3中心噴嘴749n係由在中心噴嘴群74n周圍形成之具有筒狀的氣體流路的氣體噴嘴745n包圍。氣體噴嘴745n之下端形成配置呈包圍中心噴嘴群74n的環狀之開口(亦稱「環狀開口」)。氣體噴嘴745n係連接於中途設有第1氣體閥745v的第1氣體供給路745p。第1氣體供給路745p係例如使用配管。又，第1氣體供給路745p係連接於供給氮氣等惰性氣體的供給源(亦稱「氣體供給源」)。氣體供給源係例如包含有：儲存著氮氣等惰性氣體的鋼瓶及壓力調節器等。此處，例如若配合控制部9的動作指令而打開第1氣體閥745v，則從氣體供給源經由第1氣體供給路745p供給給氣體噴嘴745n的氮氣等惰性氣體，便從氣體噴嘴745n的環狀開口朝下方吐出。此處，例如即使在阻斷板741位於靠近位置及遠離位置任一位置之狀態，均可配合控制部9的動作指令，使氮氣等惰性氣體從氣體噴嘴745n的環狀開口朝下方吐出。但，相較於阻斷板741位於遠離位置之狀態，若為阻斷板741位於靠近位置之狀態，則配合控制部9的動作指令，將氮氣等惰性氣體從氣體噴嘴745n的環狀開口朝下方吐出，藉此而可將由保持部720保持之基板W的上表面Wu上的環境氣體，例如置換為氧濃度更低、濕氣更少之氮氣等惰性氣體。即，利用來自環境氣體控制構件74的惰性氣體之供給，便可良好地執行基板W之上表面Wu上的環境氣體的控制。
再者，阻斷板741係例如包含有：在阻斷板741之下表面74b的周緣部開設的複數個氣體吐出口746o、以及連接於複數個氣體吐出口746o各者的氣體流路746r。複數個氣體吐出口746o係例如分佈於阻斷板741之下表面74b的周緣部全域。氣體流路746r係設置於阻斷板741的內部。氣體流路746r係連接於中途設有第2氣體閥746v的第2氣體供給路746p。第2氣體供給路746p係例如使用配管。又，第2氣體供給路746p係連接於供給氮氣等惰性氣體的供給源(氣體供給源)。氣體供給源係例如包括有：儲存氮氣等惰性氣體的鋼瓶及壓力調節器等。第1氣體供給路745p及第2氣體供給路746p係分別可連接於同一氣體供給源，亦可分別連接於各自的氣體供給源。此處，例如若打開第2氣體閥746v，則氮氣等惰性氣體便從氣體供給源經由第2氣體供給路746p及氣體流路746r，供給給各氣體吐出口746o，再朝基板W之上表面Wu的周緣部從各氣體吐出口746o朝下方吐出。此處，例如即使為阻斷板741位於靠近位置及遠離位置任一位置之狀態，均可配合控制部9的動作指令，使氮氣等惰性氣體從複數個氣體吐出口746o朝下方吐出。但，相較於阻斷板741位於遠離位置之狀態，若為阻斷板741位於靠近位置之狀態，則配合控制部9的動作指令，將氮氣等惰性氣體從複數個氣體吐出口746o朝下方吐出，藉此而可將由保持部720保持之基板W的上表面Wu上的環境氣體，例如置換為氧濃度更低、濕氣更少之氮氣等惰性氣體。即，利用來自環境氣體控制構件74的惰性氣體之供給，便可良好地執行基板W之上表面Wu上的環境氣體的控制。
再者，處理單元7係例如具備有：風扇過濾器單元(FFU)7f。FFU 7f係可將在基板處理裝置1所設置之無塵室內的空氣，更進一步潔淨化後，才供給給處理腔室7w內的空間。該FFU 7f係例如安裝於處理腔室7w的頂壁。FFU 7f係具備有：用於吸入無塵室內的空氣再輸送給處理腔室7w內的風扇及過濾器(例如：HEPA過濾器)，可在處理腔室7w內的處理空間中形成清淨空氣的降流。為了使從FFU 7f供給之清淨空氣能在處理腔室7w內更均勻分散，亦可在頂壁正下方配置穿設有多個吹出孔的衝孔板。又，例如在處理腔室7w側壁之一部分且處理腔室7w的底壁附近，設有連通連接於排氣機構的排氣風管7e。藉此，例如從FFU 7f供給且在處理腔室7w內流下的清淨空氣中，通過擋板73等附近的空氣便經由排氣風管7e而被排出於基板處理裝置1外。另外，例如亦可在處理腔室7w內的上部追加導入氮氣等惰性氣體的構成。
＜1-3.  從第1~3液體吐出部的處理液之吐出＞ 第1液體吐出部751n、第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n係可以同樣態樣對基板W之上表面Wu吐出處理液。故，此處就將從第1液體吐出部751n朝基板W之上表面Wu上吐出第1處理液的態樣作為代表例，參照圖示並進行說明。
圖8及圖9係分別示意性地表示從第1液體吐出部751n朝基板W之上表面Wu上吐出第1處理液Lq1的情況的圖。圖8(a)及圖9(a)係分別示意性地表示從第1液體吐出部751n朝基板W之上表面Wu上吐出第1處理液Lq1的情況的側視圖。圖8(b)與圖9(b)係分別示意性地表示從第1液體吐出部751n朝基板W之上表面Wu上吐出第1處理液Lq1的情況的俯視圖。此處，如圖8(a)及圖9(a)所示，第1吐出口751o係處於配置於第1內側位置且第1下位置的第1吐出位置之狀態。在此狀態下，第1液體吐出部751n可朝向沿由保持部720呈水平姿勢保持之基板W的上表面Wu的方向，從第1吐出口751o吐出第1處理液Lq1。又，此處，如圖8(a)及圖9(a)所示，阻斷板741處於下降至靠近位置之狀態。
此處，例如控制部9係藉由使第1變更部751v變更從第1供給源朝第1液體吐出部751n的第1處理液Lq1每單位時間之供給量，便可使從第1液體吐出部751n吐出之第1處理液Lq1的吐出速度變化。藉此，例如基板W之上表面Wu中，被供給有從第1液體吐出部751n吐出之第1處理液Lq1的位置(亦稱「液體供給位置」)便產生變化。液體供給位置係例如從第1液體吐出部751n吐出之第1處理液Lq1，最先到達基板W之上表面Wu的位置(亦稱「落滴位置」)。若採用此種構成，例如可藉由來自環境氣體控制構件74的惰性氣體之供給，而良好地控制基板W之上表面Wu上的環境氣體，並可不使第1液體吐出部751n擺動，便在基板W之上表面Wu廣範圍進行第1處理液Lq1的液體供給位置之掃描。所以，例如可同時實現基板W之上表面Wu上的環境氣體之控制、與降低對基板W之上表面Wu的處理之變動。
例如，關於第2液體吐出部752n，亦是由控制部9藉由使第2變更部752v變更從第2供給源朝第2液體吐出部752n的第2處理液每單位時間之供給量，便可使從第2液體吐出部752n吐出之第2處理液的吐出速度變化，藉此，基板W之上表面Wu中，被供給有從第2液體吐出部752n吐出之第2處理液的位置(「液體供給位置」)便產生變化。該液體供給位置係例如從第2液體吐出部752n吐出之第2處理液，最先到達基板W之上表面Wu的位置(「落滴位置」)。例如，關於第3液體吐出部753n，亦是由控制部9藉由使第3變更部753v變更從第3供給源朝第3液體吐出部753n的第3處理液每單位時間之供給量，便可使從第3液體吐出部753n吐出之第3處理液的吐出速度變化，藉此，基板W之上表面Wu中，被供給有從第3液體吐出部753n吐出之第3處理液的位置(「液體供給位置」)便產生變化。該液體供給位置係例如從第3液體吐出部753n吐出之第3處理液，最先到達基板W之上表面Wu的位置(「落滴位置」)。利用該等控制，亦可例如藉由來自環境氣體控制構件74的惰性氣體之供給，而良好地控制基板W之上表面Wu上的環境氣體，並可不使第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n擺動，便在基板W之上表面Wu廣範圍進行第2處理液及第3處理液的液體供給位置之掃描。所以，例如可同時實現基板W之上表面Wu上的環境氣體之控制、與降低對基板W之上表面Wu的處理之變動。
此處，例如可考慮如下態樣：相較於如圖8(a)及圖8(b)所示，當第1處理液Lq1的液體供給位置位於在上表面Wu中包含中央部及其附近之區域(亦稱「中央區域」)A1內時，而使如圖9(a)及圖9(b)所示，當第1處理液Lq1的液體供給位置位於上表面Wu中的外周端部側之區域(亦稱「端部側區域」)A2內時，控制部9以使從第1液體吐出部751n吐出之第1處理液Lq1的吐出速度變小之方式，藉由第1變更部751v而使從第1供給源朝第1液體吐出部751n的第1處理液Lq1每單位時間之供給量降低。此處，例如將從上表面Wu的旋轉軸72a上之點(亦稱「中心點」)距外緣的距離(半徑)設為D，且將3以上整數設為N時，可將上表面Wu中從中心點距D/N的區域設為中央區域A1，將上表面Wu中從外緣距D/N的區域設為端部側區域A2。N較佳係5以上即可。
若採用上述態樣，例如可在基板W之上表面Wu中從中央區域A1至端部側區域A2的廣範圍中，進行第1處理液Lq1的液體供給位置之掃描。又，例如當第1處理液Lq1的液體供給位置位於中央區域A1內時，相對性增加第1處理液Lq1對上表面Wu上的每單位時間之供給量，藉由以基板W的旋轉軸72a為中心進行旋轉，第1處理液Lq1便可擴及於上表面Wu上的廣範圍。相對於此，例如當第1處理液Lq1的液體供給位置位於端部側區域A2內時，相對性降低第1處理液Lq1對上表面Wu上的每單位時間之供給量及吐出速度，便不易在保持部720中保持著基板W外緣部的複數個夾持銷724處發生第1處理液Lq1之飛濺。
例如，關於第2液體吐出部752n，亦可考慮如下態樣：相較於當第2處理液的液體供給位置位於上表面Wu中的中央區域A1內時，而當第2處理液的液體供給位置位於上表面Wu中的端部側區域A2內時，控制部9以使從第2液體吐出部752n吐出之第2處理液的吐出速度變小之方式，藉由第2變更部752v而使從第2供給源朝第2液體吐出部752n的第2處理液每單位時間之供給量降低。例如，關於第3液體吐出部753n，亦可考慮如下態樣：相較於當第3處理液的液體供給位置位於上表面Wu中的中央區域A1內時，而當第3處理液的液體供給位置位於上表面Wu中的端部側區域A2內時，控制部9以使從第3液體吐出部753n吐出之第2處理液的吐出速度小之方式，藉由第3變更部753v而使從第3供給源朝第3液體吐出部753n的第3處理液每單位時間之供給量降低。即使採用該等態樣，例如亦可於基板W之上表面Wu中從中央區域A1至端部側區域A2的廣範圍，進行第2處理液及第3處理液的液體供給位置之掃描，同時不易在保持部720中保持著基板W外緣部的複數個夾持銷724處發生第2處理液及第3處理液之飛濺。
此處，例如控制部9亦可藉由利用第1變更部751v增減從第1供給源朝第1液體吐出部751n的第1處理液Lq1每單位時間之供給量，而使基板W之上表面Wu上的液體供給位置在中央區域A1與端部側區域A2之間往返複數次。藉此，例如藉由第1處理液Lq1的液體供給位置在基板W之上表面Wu的廣範圍進行複數次掃描，便可更加降低對基板W之上表面Wu的處理之變動。例如，關於第2液體吐出部752n，控制部9亦是藉由利用第2變更部752v增減從第2供給源朝第2液體吐出部752n的第2處理液每單位時間之供給量，而使基板W之上表面Wu上的液體供給位置在中央區域A1與端部側區域A2之間往返複數次。例如，關於第3液體吐出部753n，控制部9亦是藉由利用第3變更部753v增減從第3供給源朝第3液體吐出部753n的第3處理液每單位時間之供給量，而使基板W之上表面Wu上的液體供給位置在中央區域A1與端部側區域A2之間往返複數次。
此處，例如若在記憶部94等記憶的處理配方等之中，針對各處理單元7規定：第1液體吐出部751n的第1變更部751v之開度(脈衝數等)的最大值及最小值以及開度變化所需之時間、第2液體吐出部752n的第2變更部752v之開度(脈衝數等)的最大值及最小值以及開度變化所需之時間、以及第3液體吐出部753n的第3變更部753v之開度(脈衝數等)的最大值及最小值以及開度變化所需之時間，便可進行上述控制。處理配方中，例如亦可與開度(脈衝數等)一併地規定處理液之流量。
再者，第1實施形態中，例如第1液體吐出部751n係以第1處理液Lq1通過基板W之上表面Wu與環境氣體控制構件74(此處為下表面74b)間的空間，落滴於上表面Wu的方式，吐出第1處理液Lq1。藉此，例如可在使環境氣體控制構件74相對向於基板W之上表面Wu廣範圍之狀態下，更加嚴格地控制基板W之上表面Wu的環境氣體，且不使第1液體吐出部751n擺動地，在基板W之上表面Wu的廣範圍中進行第1處理液Lq1的液體供給位置之掃描。又，第1實施形態中，例如第2液體吐出部752n係以第2處理液通過基板W之上表面Wu與環境氣體控制構件74(此處為下表面74b)間的空間，落滴於上表面Wu的方式，吐出第2處理液，而第3液體吐出部753n係以第3處理液通過基板W之上表面Wu與環境氣體控制構件74(此處為下表面74b)間的空間，落滴於上表面Wu的方式，吐出第3處理液。藉此，例如可在使環境氣體控制構件74相對向於基板W之上表面Wu廣範圍之狀態下，更加嚴格地控制基板W之上表面Wu的環境氣體，且不使第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n擺動地，在基板W之上表面Wu的廣範圍中進行第2處理液及第3處理液的液體供給位置之掃描。
再者，此處例如若第1吐出口751o係在鉛直方向上配置於較上表面Wu更高、且較環境氣體控制構件74之下表面74b更低的位置之狀態下，朝沿上表面Wu的方向吐出第1處理液Lq1，便可利用環境氣體控制構件74進行基板W上的環境氣體之控制，並朝基板W之上表面Wu廣範圍供給第1處理液Lq1。又，例如若第2吐出口752o係在鉛直方向上配置於較上表面Wu更高、且較環境氣體控制構件74之下表面74b更低的位置之狀態下，朝沿上表面Wu的方向吐出第2處理液，便可利用環境氣體控制構件74進行基板W上的環境氣體之控制，並朝基板W之上表面Wu廣範圍供給第2處理液。又，例如若第3吐出口753o係在鉛直方向上配置於較上表面Wu更高、且較環境氣體控制構件74之下表面74b更低的位置之狀態下，朝沿上表面Wu的方向吐出第3處理液，便可利用環境氣體控制構件74進行基板W上的環境氣體之控制，並朝基板W之上表面Wu廣範圍供給第3處理液。
圖10係示意地表示從第1液體吐出部751n朝基板W之上表面Wu吐出第1處理液Lq1的方向的圖。圖10(a)係示意地表示從第1液體吐出部751n朝基板W之上表面Wu吐出第1處理液Lq1的方向的側視圖。圖10(b)係示意地表示第1液體吐出部751n的構造的縱剖視圖。圖10(a)及圖10(b)中，第1吐出口751o吐出第1處理液Lq1的預設方向(亦稱「吐出方向」)75d係以二點鏈線之箭頭表示。
此處，如圖10(a)所示，當第1液體吐出部751n朝基板W之上表面Wu供給第1處理液Lq1時，將第1吐出口751o以上表面Wu為基準的鉛直方向高度設為H，將虛擬旋轉軸72a與第1吐出口751o的水平方向距離設為R，將通過第1吐出口751o的虛擬水平面與第1吐出口751o吐出第1處理液Lq1的方向(吐出方向)75d所成角度設為θ。又，吐出方向75d為較水平方向更往下之方向時，角度θ表示為正值，且吐出方向75d為較水平方向更往上之方向時，角度θ表示為負值。於此情況，例如若滿足0≦θ≦tan-1 (H/R)之關係式，亦考慮對第1處理液Lq1的重力之影響，而可輕易地將第1處理液Lq1供給至基板W之上表面Wu中的虛擬旋轉軸72a上之部分為止。
再者，例如當第2液體吐出部752n朝基板W之上表面Wu供給第2處理液時，將第2吐出口752o以上表面Wu為基準的鉛直方向高度設為H，將虛擬旋轉軸72a與第2吐出口752o的水平方向距離設為R，將通過第2吐出口752o的虛擬水平面與第2吐出口752o吐出第2處理液的方向(吐出方向)所成角度設為θ，吐出方向為較水平方向更往下之方向時，角度θ表示為正值，且吐出方向為較水平方向更往上之方向時，角度θ表示為負值之情況下，若滿足0≦θ≦tan-1 (H/R)之關係式，亦考慮對第2處理液的重力之影響，而可輕易地將第2處理液供給至基板W之上表面Wu中的虛擬旋轉軸72a上之部分為止。
再者，例如當第3液體吐出部753n朝基板W之上表面Wu供給第3處理液時，將第3吐出口753o以上表面Wu為基準的鉛直方向高度設為H，將虛擬旋轉軸72a與第3吐出口753o的水平方向距離設為R，將通過第3吐出口753o的虛擬水平面與第3吐出口753o吐出第3處理液的方向(吐出方向)所成角度設為θ，將吐出方向為較水平方向更往下之方向時，角度θ表示為正值，且吐出方向為較水平方向更往上之方向時，角度θ表示為負值之情況下，若滿足0≦θ≦tan-1 (H/R)之關係式，亦考慮對第3處理液的重力之影響，而可輕易地將第3處理液供給至基板W之上表面Wu中的虛擬旋轉軸72a上之部分為止。
此處，例如圖10(b)所示，考慮第1液體吐出部751n為具備有第1管狀部75p1、第2管狀部75p2及第3管狀部75p3的態樣。第1管狀部75p1係例如沿水平方向延伸的狀態，且前端具有第1吐出口751o。第2管狀部75p2係例如為連通於第1管狀部75p1的狀態，且為從第1管狀部75p1朝上方延伸的狀態。第3管狀部75p3係例如為連通於第2管狀部75p2的狀態，且為從第2管狀部75p2朝水平方向延伸的狀態。換言之，第1液體吐出部751n係具有如下形態：從第1液供給路751p朝向第1吐出口751o，依記載順序連通地連接有第3管狀部75p3、第2管狀部75p2及第1管狀部75p1。若採用此種構成，例如圖8(a)及圖9(a)所示，可在第2管狀部75p2插通擋板73與環境氣體控制構件74的間隙之狀態下，使第1吐出口751o配置在用於朝沿由保持部720保持之基板W的上表面Wu的方向吐出第1處理液Lq1的位置。然後，例如若第1管狀部75p1沿預設之吐出方向75d延伸，在吐出方向75d的前端具有第1吐出口751o，便可使從第1吐出口751o吐出之第1處理液Lq1的吐出方向75d穩定。此處，例如採用第1管狀部75p1的內徑朝第1吐出口751o逐漸減少的形態。
此處，例如第2液體吐出部752n亦可具有與第1液體吐出部751n同樣的形態。具體而言，考慮第2液體吐出部752n為具備有第1管狀部75p1、第2管狀部75p2及第3管狀部75p3的態樣。於此情況，例如第1管狀部75p1係例如沿水平方向延伸的狀態，且前端具有第2吐出口752o，第2管狀部75p2為連通於第1管狀部75p1的狀態，且為從第1管狀部75p1朝上方延伸的狀態，第3管狀部75p3為連通於第2管狀部75p2的狀態，且為從第2管狀部75p2朝水平方向延伸的狀態。換言之，第2液體吐出部752n係具有如下形態：從第2液供給路752p朝向第2吐出口752o，依記載順序連通地連接有第3管狀部75p3、第2管狀部75p2及第1管狀部75p1。若採用此種構成，例如可在第2管狀部75p2插通擋板73與環境氣體控制構件74的間隙之狀態下，使第2吐出口752o配置在用於朝沿由保持部720保持之基板W的上表面Wu的方向吐出第2處理液的位置。然後，例如若第1管狀部75p1沿預設之吐出方向75d延伸，在吐出方向75d的前端具有第2吐出口752o，便可使從第2吐出口752o吐出之第2處理液的吐出方向75d穩定。此處，亦是例如採用第1管狀部75p1的內徑朝第1吐出口751o逐漸減少的形態。
此處，例如第3液體吐出部753n亦可具有與第1液體吐出部751n同樣的形態。具體而言，考慮第3液體吐出部753n為具備有第1管狀部75p1、第2管狀部75p2及第3管狀部75p3的態樣。於此情況，例如第1管狀部75p1係例如沿水平方向延伸的狀態，且前端具有第3吐出口753o，第2管狀部75p2為連通於第1管狀部75p1的狀態，且為從第1管狀部75p1朝上方延伸的狀態，第3管狀部75p3為連通於第2管狀部75p2的狀態，且為從第2管狀部75p2朝水平方向延伸的狀態。換言之，第3液體吐出部753n係具有如下形態：從第3液供給路753p朝向第3吐出口753o，依記載順序連通地連接有第3管狀部75p3、第2管狀部75p2及第1管狀部75p1。若採用此種構成，例如可在第2管狀部75p2插通擋板73與環境氣體控制構件74的間隙之狀態下，使第3吐出口753o配置在用於朝沿由保持部720保持之基板W的上表面Wu的方向吐出第3處理液的位置。然後，例如若第1管狀部75p1沿預設之吐出方向75d延伸，在吐出方向75d的前端具有第3吐出口753o，便可使從第3吐出口753o吐出之第3處理液的吐出方向75d穩定。此處，亦是例如採用第1管狀部75p1的內徑朝第1吐出口751o逐漸減少的形態。
＜1-4.  處理單元之動作＞ 圖11及圖12係表示處理單元7中之對基板W施行之一連串基板處理的動作流程之一例的流程圖。本動作流程係利用控制部9對基板處理裝置1的動作進行控制而實現。此處，處理對象的基板W係使用例如已在裝置形成面的表面上形成薄膜圖案的基板W。薄膜圖案係例如包含有：氧化矽膜等絕緣膜。薄膜圖案係例如亦可包含有用於低阻抗化而導入雜質的非晶矽膜或金屬膜等導電膜，亦可包含有積層著多晶矽膜、氮化矽膜、BSG膜(含硼之氧化矽膜)及TEOS膜(以使用TEOS(四乙氧基矽烷)之CVD法形成的氧化矽膜)等複數膜的積層膜。圖13至圖19係用於說明處理單元7中之對基板W施行之一連串基板處理的動作之一例的示意性側視圖。圖13至圖19中，就從防止圖式複雜化的觀點，為了方便而省略處理單元7之一部分的構成。
在開始一連串基板處理之動作的初始狀態，例如圖13(a)所示，處於第1~3擋板部731、732、733被配置於下降位置，且阻斷板741被配置於遠離位置的狀態。又，雖省略圖示，其處於第1液體吐出部751n配置於第1退避位置、第2液體吐出部752n配置於第2退避位置、第3液體吐出部753n配置於第3退避位置的狀態。
首先，例如圖13(b)所示，利用第2搬送機構8將未處理之基板W搬入於處理單元7內，利用保持部720而以裝置形成面的表面朝上之狀態保持著基板W(圖11中的步驟Sp1)。換言之，例如進行由保持部720使基板W以水平姿勢保持的步驟(亦稱「保持步驟」)。此處，基板W的裝置形成面成為上表面Wu。
其次，例如圖13(c)所示，利用升降驅動部73m而使第1~3擋板部731、732、733從下降位置上升至上升位置，且利用旋轉機構722以保持部720的旋轉軸72a為中心，使其開始旋轉(步驟Sp2)。
其次，如圖14(a)所示，利用第3移動機構74m而使環境氣體控制構件74下降，而將阻斷板741配置於靠近位置(步驟Sp3)。此處，基板W之上表面Wu與阻斷板741之下表面74b的距離係例如設為10mm左右。又，此時，藉由打開第1氣體閥745v及第2氣體閥746v，便從環境氣體控制構件74中的氣體噴嘴745n之環狀開口及複數個氣體吐出口746o，開始朝基板W之上表面Wu吐出惰性氣體。此處，從環境氣體控制構件74朝基板W之上表面Wu吐出的惰性氣體之吐出量係例如設為每分鐘100公升(100L/min)左右。又，此時，利用第1移動機構751m而使第1液體吐出部751n進入至第1吐出位置。此處，例如環境氣體控制構件74之下降、惰性氣體之吐出開始、及第1液體吐出部751n進入至第1吐出位置的順序係可適當地設定。
接著，打開第1變更部751v所含有的流量控制閥，藉由從第1供給源朝第1液體吐出部751n供給第1處理液Lq1(藥液)，而如圖14(b)及圖14(c)所示，從第1液體吐出部751n吐出第1處理液Lq1(藥液)(步驟Sp4)。藉此，對基板W之上表面Wu供給藥液，而對基板W之上表面Wu施行利用藥液之處理(亦稱「藥液處理」)。此處，例如使用DHF作為藥液。然後，若藥液處理已執行經過預設時間，便關閉第1變更部751v所含有的流量控制閥，而停止來自第1液體吐出部751n的藥液吐出。
該步驟Sp4中，實施如下步驟(亦稱「第1處理步驟」)：從位於與由保持部720以水平姿勢保持之基板W的上表面Wu對向之狀態的環境氣體控制構件74，朝上表面Wu上供給惰性氣體，並一邊使保持部720進行旋轉，一邊從第1液體吐出部751n朝沿上表面Wu的方向吐出第1處理液Lq1，藉此而對上表面Wu上供給第1處理液Lq1。該第1處理步驟中，藉由使從第1液體吐出部751n吐出的第1處理液Lq1之吐出速度變化，而使上表面Wu中被供給有從第1液體吐出部751n吐出之第1處理液Lq1的液體供給位置變化。此時，例如藉由控制部9使第1變更部751v變更從第1供給源朝第1液體吐出部751n的第1處理液Lq1每單位時間之供給量，而可使從第1液體吐出部751n吐出之第1處理液Lq1的吐出速度變化。所以，例如可進行基板W之上表面Wu的環境氣體之控制，且不使第1液體吐出部751n擺動地，在基板W之上表面Wu廣範圍進行第1處理液Lq1的液體供給位置之掃描。結果，例如可同時實現基板W之上表面Wu上的環境氣體之控制與減少對基板W之上表面Wu的處理之變動。圖14(b)係表示第1處理液Lq1的液體供給位置位於上表面Wu中的中央區域A1內之狀態的一例，圖14(c)係表示第1處理液Lq1的液體供給位置位於上表面Wu中的端部側區域A2內之狀態的一例。
第1處理步驟中，例如以相較於第1處理液Lq1的液體供給位置位於上表面Wu中的中央區域A1內時，而於第1處理液Lq1的液體供給位置位於上表面Wu中的端部側區域A2內時來自第1液體吐出部751n的第1處理液Lq1之吐出速度變小的方式，使從第1供給源朝第1液體吐出部751n的第1處理液Lq1每單位時間之供給量降低。藉此，例如可在基板W之上表面Wu中從中央區域A1起至端部側區域A2的廣範圍中進行第1處理液Lq1的液體供給位置之掃描。又，例如在第1處理液Lq1的液體供給位置位於中央區域A1內時，藉由相對性增加對上表面Wu上的第1處理液Lq1每單位時間之供給量，並以基板W的旋轉軸72a為中心進行旋轉，而可使第1處理液Lq1擴及上表面Wu上的廣範圍。相對於此，例如當第1處理液Lq1的液體供給位置位於端部側區域A2內時，相對性降低對上表面Wu上的第1處理液Lq1每單位時間之供給量及吐出速度，而在保持部720中保持著基板W外緣部的複數個夾持銷724處不易發生第1處理液Lq1之飛濺。
再者，第1處理步驟中，例如若藉由增減從第1供給源朝第1液體吐出部751n的第1處理液Lq1每單位時間之供給量，使第1處理液Lq1的液體供給位置在中央區域A1內與端部側區域A2內之間往返複數次，便可在基板W之上表面Wu的廣範圍中進行複數次第1處理液Lq1的液體供給位置之掃描，便可更加降低對基板W之上表面Wu的處理之變動。
再者，第1處理步驟中，例如若採用從第1液體吐出部751n吐出的第1處理液Lq1通過基板W之上表面Wu與環境氣體控制構件74(此處係下表面74b)間的空間，再落滴於上表面Wu的構成，便可在使環境氣體控制構件74相對向於基板W之上表面Wu的廣範圍之狀態下，更嚴格地進行基板W之上表面Wu上的環境氣體之控制，且不使第1液體吐出部751n擺動地，於基板W之上表面Wu的廣範圍中進行第1處理液Lq1的液體供給位置之掃描。
再者，第1處理步驟中，例如若第1液體吐出部751n中吐出第1處理液Lq1的第1吐出口751o係在鉛直方向上配置於較上表面Wu更高的位置，且配置於較環境氣體控制構件74之下表面74b更低的位置，便可利用環境氣體控制構件74進行基板W上的環境氣體之控制，朝基板W之上表面Wu廣範圍供給第1處理液Lq1。另外，此處例如若第1吐出口751o在鉛直方向上，配置於較夾持銷724之上表面更高的位置，則從第1吐出口751o朝基板W之上表面Wu的第1處理液Lq1的路徑，便不易因夾持銷724而被阻斷。
再者，第1處理步驟中，例如參照圖10(a)而如上述，將第1吐出口751o以上表面Wu為基準的鉛直方向高度設為H，將旋轉軸72a與第1吐出口751o的水平方向距離設為R，將通過第1吐出口751o的虛擬水平面與第1吐出口751o吐出第1處理液Lq1的吐出方向75d所成的角度設為θ，而於吐出方向75d為較水平方向更往下之方向時，角度θ表示為正值，且吐出方向75d為較水平方向更往上之方向時，角度θ表示為負值時，若滿足0≦θ≦tan-1 (H/R)的關係，亦考慮對第1處理液Lq1的重力之影響，而可輕易將第1處理液Lq1供給至基板W之上表面Wu中的旋轉軸72a上之部分為止。
再者，第1處理步驟中，例如若環境氣體控制構件74(此處為下表面74b)位於覆蓋著上表面Wu的狀態下，對基板W之上表面Wu與環境氣體控制構件74之間供給惰性氣體，便可嚴格地控制基板W之上表面Wu上的環境氣體。
另外，第1處理步驟中，例如若將接受從上表面Wu上飛散的第1處理液Lq1之第1擋板部731配置呈包圍保持部720之周圍及基板W之外周，便可利用第1擋板部731接住從基板W之上表面Wu上飛散的第1處理液Lq1並回收。
其次，打開第1液體閥747v，開始從第4供給源朝第1中心噴嘴747n供給第4處理液Lq4(清洗液)，如圖15(a)所示，開始從第1中心噴嘴747n對基板W之上表面Wu供給第4處理液Lq4(清洗液)(步驟Sp5)。藉此，對基板W之上表面Wu全域供給第4處理液Lq4(清洗液)，利用第4處理液Lq4(清洗液)，施行沖洗掉在基板W上附著第1處理液Lq1(藥液)的處理(亦稱「清洗處理」)。又，此處利用第1移動機構751m而使第1液體吐出部751n從第1吐出位置退避至第1退避位置。此處例如利用第1移動機構751m，使第1液體吐出部751n從第1下位置上升至第1上位置，更使第1液體吐出部751n從第1內側位置移動至第1外側位置。
其次，如圖15(b)所示，利用第2移動機構752m而使第2液體吐出部752n進入至第2吐出位置，同時使第3液體吐出部753n進入至第3吐出位置(步驟Sp6)。
其次，若清洗處理已執行經過預設時間，便關閉第1液體閥747v，停止從第4供給源朝第1中心噴嘴747n供給第4處理液Lq4(清洗液)，如圖15(c)所示，結束從第1中心噴嘴747n朝基板W之上表面Wu上供給第4處理液Lq4(清洗液)(步驟Sp7)。此處，更進一步利用升降驅動部73m，而使第1擋板部731及第2擋板部732從上升位置下降至下降位置。
其次，打開第2變更部752v中所含有的流量控制閥，藉由從第2供給源朝第2液體吐出部752n供給第2處理液Lq2(溶劑)，便如圖16(a)及圖16(b)所示，從第2液體吐出部752n吐出第2處理液Lq2(溶劑)(步驟Sp8)。藉此，在基板W之上表面Wu附著的第4處理液Lq4(清洗液)，便被第2處理液Lq2(溶劑)沖洗掉而被置換為第2處理液Lq2(溶劑)。然後，若自溶劑開始吐出起經過預設時間，便關閉第2變更部752v中所含有的流量控制閥，而停止來自第2液體吐出部752n的溶劑吐出。
該步驟Sp8中，實施如下步驟(第2處理步驟)：從位於與由保持部720以水平姿勢保持之基板W的上表面Wu對向之狀態的環境氣體控制構件74，朝上表面Wu上供給惰性氣體，並一邊使保持部720進行旋轉，一邊從第2液體吐出部752n朝沿上表面Wu的方向吐出第2處理液Lq2，藉此而對上表面Wu上供給第2處理液Lq2。該第2處理步驟中，藉由使從第2液體吐出部752n吐出的第2處理液Lq2之吐出速度變化，而使上表面Wu中被供給有從第2液體吐出部752n吐出之第2處理液Lq2的液體供給位置變化。此時，例如藉由控制部9使第2變更部752v變更從第2供給源朝第2液體吐出部752n的第2處理液Lq2每單位時間之供給量，而可使從第2液體吐出部752n吐出之第2處理液Lq2的吐出速度變化。所以，例如可進行基板W之上表面Wu上的環境氣體之控制，且不使第2液體吐出部752n擺動地，在基板W之上表面Wu廣範圍進行第2處理液Lq2的液體供給位置之掃描。結果，例如可同時實現基板W之上表面Wu上的環境氣體之控制與減少對基板W之上表面Wu的處理之變動。圖16(a)係表示第2處理液Lq2的液體供給位置位於上表面Wu中的中央區域A1內之狀態的一例，圖16(b)係表示第2處理液Lq2的液體供給位置位於上表面Wu中的端部側區域A2內之狀態的一例。
第2處理步驟中，例如以相較於第2處理液Lq2的液體供給位置位於上表面Wu中的中央區域A1內時，而於第2處理液Lq2的液體供給位置位於上表面Wu中的端部側區域A2內時，來自第2液體吐出部752n的第2處理液Lq2之吐出速度小的方式，使從第2供給源朝第2液體吐出部752n的第2處理液Lq2每單位時間之供給量降低。藉此，例如可在基板W之上表面Wu中從中央區域A1起至端部側區域A2的廣範圍中進行第2處理液Lq2的液體供給位置之掃描。又，例如在第2處理液Lq2的液體供給位置位於中央區域A1內時，藉由相對性增加對上表面Wu上的第2處理液Lq2每單位時間之供給量，並以基板W的旋轉軸72a為中心進行旋轉，而可使第2處理液Lq2擴及上表面Wu上的廣範圍。相對於此，例如當第2處理液Lq2的液體供給位置位於端部側區域A2內時，相對性降低對上表面Wu上的第2處理液Lq2每單位時間之供給量及吐出速度，而在保持部720中保持著基板W外緣部的複數個夾持銷724處不易發生第2處理液Lq2之飛濺。
再者，第2處理步驟中，例如若藉由增減從第2供給源朝第2液體吐出部752n的第2處理液Lq2每單位時間之供給量，使第2處理液Lq2的液體供給位置在中央區域A1內與端部側區域A2內之間往返複數次，便可在基板W之上表面Wu的廣範圍中進行複數次第2處理液Lq2的液體供給位置之掃描，便可更加降低對基板W之上表面Wu的處理變動。
再者，第2處理步驟中，例如若採用從第2液體吐出部752n吐出的第2處理液Lq2通過基板W之上表面Wu與環境氣體控制構件74(此處係下表面74b)間的空間，再落滴於上表面Wu的構成，便可在使環境氣體控制構件74相對向於基板W之上表面Wu的廣範圍之狀態下，更嚴格地進行基板W之上表面Wu上的環境氣體之控制，且不使第2液體吐出部752n擺動地，於基板W之上表面Wu的廣範圍中進行第2處理液Lq2的液體供給位置之掃描。
再者，第2處理步驟中，例如若第2液體吐出部752n中吐出第2處理液Lq2的第2吐出口752o係在鉛直方向上配置於較上表面Wu更高的位置，且配置於較環境氣體控制構件74之下表面74b更低的位置，便可利用環境氣體控制構件74進行基板W上的環境氣體之控制，朝基板W之上表面Wu廣範圍供給第2處理液Lq2。另外，此處例如若第2吐出口752o在鉛直方向上，配置於較夾持銷724之上表面更高的位置，則從第2吐出口752o朝基板W之上表面Wu的第2處理液Lq2的路徑，便不易因夾持銷724而被阻斷。
再者，第2處理步驟中，例如參照圖10(a)而如上述，將第2吐出口752o以上表面Wu為基準的鉛直方向高度設為H，將旋轉軸72a與第2吐出口752o的水平方向距離設為R，將通過第2吐出口752o的虛擬水平面與第2吐出口752o吐出第2處理液Lq2的吐出方向所成的角度設為θ，而於吐出方向為較水平方向更往下之方向時，角度θ表示為正值，且吐出方向為較水平方向更往上之方向時，角度θ表示為負值時，若滿足0≦θ≦tan-1 (H/R)的關係，亦考慮對第2處理液Lq2的重力之影響，而可輕易將第1處理液Lq1供給至基板W之上表面Wu中的旋轉軸72a上之部分為止。
再者，第2處理步驟中，例如若在環境氣體控制構件74(此處為下表面74b)位於覆蓋著基板W之上表面Wu的狀態下，對上表面Wu與環境氣體控制構件74之間供給惰性氣體，便可嚴格地控制基板W之上表面Wu上的環境氣體。
另外，第2處理步驟中，例如若將接受從上表面Wu上飛散的第2處理液Lq2之第3擋板部733配置呈包圍保持部720之周圍及基板W之外周，便可利用第3擋板部733接住從基板W之上表面Wu上飛散的第2處理液Lq2並回收。
其次，如圖16(c)所示，利用升降驅動部73m使第2擋板部732從下降位置上升至上升位置，同時利用第3移動機構74m使環境氣體控制構件74更進一步下降，而使阻斷板741配置於更靠近基板W之上表面Wu的位置(亦稱「最靠近位置」)(步驟Sp9)。此處，基板W之上表面Wu與阻斷板741之下表面74b間之距離係例如設為3mm左右。
其次，打開第3變更部753v中所含有的流量控制閥，藉由從第3供給源朝第3液體吐出部753n供給第3處理液Lq3(疏水化液)，而如圖17(a)及圖17(b)所示，從第3液體吐出部753n吐出第3處理液Lq3(疏水化液)(步驟Sp10)。藉此，藉由朝基板W之上表面Wu供給疏水化液，而在基板W上附著的溶劑便被置換為疏水化液，而施行在基板W之上表面Wu上形成低潤濕性之保護膜(亦稱「疏水性保護膜」)的處理(亦稱「疏水化處理」)。結果，例如基板W之上表面Wu的薄膜圖案便被疏水性保護膜所被覆。在施行疏水化處理時，例如亦可藉由以在旋轉基座723中內建的加熱器等來加熱基板W，而更良好地施行疏水化處理。然後，若從疏水化液開始吐出起經過預設時間，便關閉第3變更部753v中所含有的流量控制閥，停止從第3液體吐出部753n吐出疏水化液。
該步驟Sp10中，實施如下步驟(第3處理步驟)：從位於與由保持部720以水平姿勢保持之基板W的上表面Wu對向之狀態的環境氣體控制構件74，朝上表面Wu上供給惰性氣體，並一邊使保持部720進行旋轉，一邊從第3液體吐出部753n朝沿上表面Wu的方向吐出第3處理液Lq3，藉此而對上表面Wu上供給第3處理液Lq3。該第3處理步驟中，藉由使從第3液體吐出部753n吐出的第3處理液Lq3之吐出速度變化，而使上表面Wu中被供給有從第3液體吐出部753n吐出之第3處理液Lq3的液體供給位置變化。此時，例如藉由控制部9使第3變更部753v變更從第3供給源朝第3液體吐出部753n的第3處理液Lq3每單位時間之供給量，而可使從第3液體吐出部753n吐出之第3處理液Lq3的吐出速度變化。所以，例如可進行基板W之上表面Wu上的環境氣體之控制，且不使第3液體吐出部753n擺動地，在基板W之上表面Wu廣範圍進行第3處理液Lq3的液體供給位置之掃描。結果，例如可同時實現基板W之上表面Wu上的環境氣體之控制與減少對基板W之上表面Wu的處理之變動。圖17(a)係表示第3處理液Lq3的液體供給位置位於上表面Wu中的中央區域A1內之狀態的一例，圖17(b)係表示第3處理液Lq3的液體供給位置位於上表面Wu中的端部側區域A2內之狀態的一例。
第3處理步驟中，例如以相較於第3處理液Lq3的液體供給位置位於上表面Wu中的中央區域A1內時，而於第3處理液Lq3的液體供給位置位於上表面Wu中的端部側區域A2內時，來自第3液體吐出部753n的第3處理液Lq3之吐出速度變小的方式，使從第3供給源朝第3液體吐出部753n的第3處理液Lq3每單位時間之供給量降低。藉此，例如可在基板W之上表面Wu中從中央區域A1起至端部側區域A2的廣範圍中進行第3處理液Lq3的液體供給位置之掃描。又，例如在第3處理液Lq3的液體供給位置位於中央區域A1內時，藉由相對性增加對上表面Wu上的第3處理液Lq3每單位時間之供給量，並以基板W的旋轉軸72a為中心進行旋轉，而可使第3處理液Lq3擴及上表面Wu上的廣範圍。相對於此，例如當第3處理液Lq3的液體供給位置位於端部側區域A2內時，相對性降低對上表面Wu上的第3處理液Lq3每單位時間之供給量及吐出速度，而在保持部720中保持著基板W外緣部的複數個夾持銷724處不易發生第3處理液Lq3之飛濺。
再者，第3處理步驟中，例如若藉由增減從第3供給源朝第3液體吐出部753n的第3處理液Lq3每單位時間之供給量，使第3處理液Lq3的液體供給位置在中央區域A1內與端部側區域A2內之間往返複數次，便可在基板W之上表面Wu的廣範圍中進行複數次第3處理液Lq3的液體供給位置之掃描，便可更加降低對基板W之上表面Wu的處理之變動。
再者，第3處理步驟中，例如若採用從第3液體吐出部753n吐出的第3處理液Lq3通過基板W之上表面Wu與環境氣體控制構件74(此處係下表面74b)間的空間，再落滴於上表面Wu的構成，便可在使環境氣體控制構件74相對向於基板W之上表面Wu的廣範圍之狀態下，更嚴格地進行基板W之上表面Wu上的環境氣體之控制，且不使第3液體吐出部753n擺動地，於基板W之上表面Wu的廣範圍中進行第3處理液Lq3的液體供給位置之掃描。
再者，第3處理步驟中，例如若第3液體吐出部753n中吐出第3處理液Lq3的第3吐出口753o係在鉛直方向上配置於較上表面Wu更高的位置，且配置於較環境氣體控制構件74之下表面74b更低的位置，便可利用環境氣體控制構件74進行基板W上的環境氣體之控制，朝基板W之上表面Wu廣範圍供給第3處理液Lq3。另外，此處例如若第3吐出口753o在鉛直方向上，配置於較高於夾持銷724之上表面更高的位置，則從第3吐出口753o朝基板W之上表面Wu的第3處理液Lq3的路徑，便不易因夾持銷724而被阻斷。
再者，第3處理步驟中，例如參照圖10(a)而如上述，將第3吐出口753o以上表面Wu為基準的鉛直方向高度設為H，將旋轉軸72a與第3吐出口753o的水平方向距離設為R，將通過第3吐出口753o的虛擬水平面與第3吐出口753o吐出第3處理液Lq3的吐出方向所成的角度設為θ，而於吐出方向為較水平方向更往下之方向時，角度θ表示為正值，且吐出方向為較水平方向更往上之方向時，角度θ表示為負值時，若滿足0≦θ≦tan-1 (H/R)的關係，可輕易將第3處理液Lq3供給至基板W之上表面Wu中的旋轉軸72a上之部分為止。
再者，第3處理步驟中，例如若環境氣體控制構件74(此處為下表面74b)位於覆蓋著基板W之上表面Wu的狀態下，對上表面Wu與環境氣體控制構件74之間供給惰性氣體，便可嚴格地控制基板W之上表面Wu上的環境氣體。
另外，第3處理步驟中，例如若將接受從上表面Wu上飛散的第3處理液Lq3之第2擋板部732配置呈包圍保持部720之周圍及基板W之外周，便可利用第2擋板部732接住從基板W之上表面Wu上飛散的第3處理液Lq3並回收。
其次，打開第2液體閥748v，從第5供給源朝第2中心噴嘴748n供給第5處理液Lq5(疏水化液)，如圖17(c)所示，從第2中心噴嘴748n的吐出口朝下方吐出第5處理液Lq5(疏水化液)(圖12中的步驟Sp11)。藉此，對基板W之上表面Wu全域供給疏水化液，更進一步將基板W上附著的溶劑置換為疏水化液。此時，例如亦可以在旋轉基座723中內建的加熱器等來加熱基板W。然後，從疏水化液開始吐出起經過預設時間，便關閉第2液體閥748v，停止從第2中心噴嘴748n吐出疏水化液。又，此處利用第2移動機構752m使第2液體吐出部752n從第2吐出位置退避至第2退避位置，同時使第3液體吐出部753n從第3吐出位置退避至第3退避位置。此處，例如利用第2移動機構752m，使第2液體吐出部752n從第2下位置上升至第2上位置，同時使第3液體吐出部753n從第3下位置上升至第3上位置，更使第2液體吐出部752n從第2內側位置移動至第2外側位置，同時使第3液體吐出部753n從第3內側位置移動至第3外側位置。
其次，如圖18(a)所示，利用升降驅動部73m使第2擋板部732從上升位置下降至下降位置(步驟Sp12)。
接著，打開第3液體閥749v，從第6供給源朝第3中心噴嘴749n供給第6處理液Lq6(溶劑)，便如圖18(b)所示，從第3中心噴嘴749n的吐出口朝下方吐出第6處理液Lq6(溶劑)(步驟Sp13)。藉此，在基板W之上表面Wu附著的疏水化液便被置換為溶劑。然後，若溶劑開始吐出起經過預設時間，便關閉第3液體閥749v，停止從第3中心噴嘴749n吐出溶劑。
接著，如圖18(c)所示，在來自第3中心噴嘴749n的吐出口之第6處理液Lq6停止吐出之後，便進行使基板W乾燥的乾燥處理(步驟Sp14)。此處，控制部9控制著旋轉機構722，使基板W以高旋轉速度(例如2500rpm以上)進行旋轉。藉此，對基板W之上表面Wu附著的溶劑作用較大之離心力，而將溶劑甩出於基板W的周圍。如此，溶劑便被從基板W除去，而使基板W乾燥。
其次，若從開始乾燥處理起經過預設時間，便如圖19(a)所示，停止利用旋轉機構722使由保持部720保持之基板W的旋轉(步驟Sp15)。又，此處如圖19(a)所示，藉由關閉第1氣體閥745v及第2氣體閥746v，而停止從環境氣體控制構件74朝基板W之上表面Wu吐出惰性氣體，同時利用第3移動機構74m使環境氣體控制構件74上升，而使阻斷板741配置於遠離位置。又，此處如圖19(a)所示，利用升降驅動部73m使第3擋板部733從上升位置下降至下降位置。此處，例如保持部720之旋轉停止、環境氣體控制構件74之上升、惰性氣體之吐出停止、及第3擋板部733之下降的順序係可適當地設定。
其次，例如圖19(b)所示，解除由保持部720對基板W的保持，利用第2搬送機構8從處理單元7內搬出處理完畢之基板W(步驟Sp16)。
＜1-5.  第1實施形態之整理＞ 如上述，第1實施形態的基板處理裝置1中，例如藉由從位於與由保持部720以水平姿勢保持之基板W的上表面Wu對向之狀態的環境氣體控制構件74，朝上表面Wu上供給惰性氣體，並一邊使保持部720進行旋轉，一邊朝沿基板W之上表面Wu的方向，從第1液體吐出部751n的第1吐出口751o吐出第1處理液Lq1，而對上表面Wu上供給第1處理液Lq1。此時，例如變更從第1供給源朝第1液體吐出部751n的第1處理液Lq1每單位時間之供給量，而使從第1液體吐出部751n吐出之第1處理液Lq1的吐出速度變化，而使基板W之上表面Wu中被供給有從第1液體吐出部751n吐出之第1處理液Lq1的液體供給位置變化。藉此，例如可利用從環境氣體控制構件74的惰性氣體之供給，而良好地進行基板W之上表面Wu上的環境氣體之控制，且不使第1液體吐出部751n擺動地，在基板W之上表面Wu廣範圍進行第1處理液Lq1的液體供給位置之掃描。
再者，第1實施形態的基板處理裝置1中，例如藉由從位於與由保持部720以水平姿勢保持之基板W的上表面Wu對向之狀態的環境氣體控制構件74，朝上表面Wu上供給惰性氣體，並一邊使保持部720進行旋轉，一邊朝沿基板W之上表面Wu的方向，從第2液體吐出部752n的第2吐出口752o吐出第2處理液Lq2，而對上表面Wu上供給第2處理液Lq2。此時，例如變更從第2供給源朝第2液體吐出部752n的第2處理液Lq2每單位時間之供給量，而使從第2液體吐出部752n吐出之第2處理液Lq2的吐出速度變化，而使基板W之上表面Wu中被供給有從第2液體吐出部752n吐出之第2處理液Lq2的液體供給位置變化。藉此，例如可利用從環境氣體控制構件74的惰性氣體之供給，而良好地進行基板W之上表面Wu上的環境氣體之控制，且不使第2液體吐出部752n擺動地，在基板W之上表面Wu廣範圍進行第2處理液Lq2的液體供給位置之掃描。
再者，第1實施形態的基板處理裝置1中，例如藉由從位於與由保持部720以水平姿勢保持之基板W的上表面Wu對向之狀態的環境氣體控制構件74，朝上表面Wu上供給惰性氣體，並一邊使保持部720進行旋轉，一邊朝沿基板W之上表面Wu的方向，從第3液體吐出部753n的第3吐出口753o吐出第3處理液Lq3，而對上表面Wu上供給第3處理液Lq3。此時，例如變更從第3供給源朝第3液體吐出部753n的第3處理液Lq3每單位時間之供給量，而使從第3液體吐出部753n吐出之第3處理液Lq3的吐出速度變化，使基板W之上表面Wu中被供給有從第3液體吐出部753n吐出之第3處理液Lq3的液體供給位置變化。藉此，例如可利用從環境氣體控制構件74的惰性氣體之供給，而良好地進行基板W之上表面Wu上的環境氣體之控制，且不使第3液體吐出部753n擺動地，在基板W之上表面Wu廣範圍進行第3處理液Lq3的液體供給位置之掃描。
所以，例如可同時實現基板W之上表面Wu上的環境氣體之控制、與降低對基板W之上表面Wu的處理之變動。
＜2.  其他實施形態＞ 本發明並不僅侷限於上述第1實施形態，在不脫離本發明主旨之範圍內，亦可進行各種變更及改良等。
＜2-1.  第2實施形態＞ 上述第1實施形態中，環境氣體控制構件74係例如亦可置換為小型的環境氣體控制構件74A，其係藉由在與基板W之上表面Wu中的中央區域A1對向之狀態下，朝基板W之上方供給惰性氣體，而形成沿上表面Wu流動之氣流。於此情況，例如亦可為，於上述第1~3處理步驟中，環境氣體控制構件74A位於與基板W之上表面Wu中的中央區域A1對向之狀態下，藉由朝基板W之上方供給惰性氣體，而形成沿上表面Wu流動的氣流。此處，假設如下態樣：相較於基板W之上表面Wu的直徑，環境氣體控制構件74A中相對向於基板W之上表面Wu之部分的下表面74b的直徑更小。更具體而言，例如假設如下態樣：基板W之上表面Wu的直徑係300mm左右，而環境氣體控制構件74A之下表面74b的直徑係95mm至120mm左右。若採用此種構成，例如可在基板W之上表面Wu全域未被環境氣體控制構件74A覆蓋之狀態下，而輕易使第1液體吐出部751n在第1退避位置與第1吐出位置間進行移動。又，例如可輕易使第2液體吐出部752n在第2退避位置與第2吐出位置間進行移動，可輕易使第3液體吐出部753n在第3退避位置與第3吐出位置間進行移動。
圖20係示意性地表示第2實施形態的處理單元7之一構成例的側視圖。圖21係示意性地表示第2實施形態的環境氣體控制構件74A之一構成例的縱剖視圖。
如圖20及圖21所示，環境氣體控制構件74A係例如具有如下形態：以上述第1實施形態的環境氣體控制構件74為基礎，將阻斷板741、支軸742及氣體噴嘴745n置換為氣體噴嘴745nA。換言之，環境氣體控制構件74A係包含有：中心噴嘴群74n及氣體噴嘴745nA。
氣體噴嘴745nA係例如朝由保持部720保持之基板W的上表面Wu上方吐出氮氣等惰性氣體。藉此，便可利用氮氣之環境氣體覆蓋住基板W上方。氣體噴嘴745nA連接有於中途設有第1氣體閥745v的第1氣體供給路745p。
圖20及圖21之例中，於中心噴嘴群74n一體結合有氣體噴嘴745nA。所以，環境氣體控制構件74A係具有如下功能：利用中心噴嘴群74n吐出作為第4處理液Lq4之清洗液、作為第5處理液Lq5之疏水化液及作為第6處理液Lq6之溶劑的功能，以及吐出氮氣等惰性氣體的功能。
氣體噴嘴745nA係具有圓筒狀的噴嘴本體745nm，該噴嘴本體745nm係於下端設有凸緣部745nf。噴嘴本體745nm之最外徑係例如95mm至120mm左右。在凸緣部745nf側面即外周面，分別呈環狀朝外方向開設上側氣體吐出口746o1及下側氣體吐出口746o2。上側氣體吐出口746o1及下側氣體吐出口746o2係上下隔開間隔地配置。在噴嘴本體745nm的下表面74b配置有中心氣體吐出口745o。
在噴嘴本體745nm中，形成有從第1氣體供給路745p供給惰性氣體的氣體導入口745i1、745i2。亦可連接有對氣體導入口745i1、745i2個別供給惰性氣體的氣體供給路。在噴嘴本體745nm內，形成有將氣體導入口745i2與上側氣體吐出口746o1及下側氣體吐出口746o2予以連接的筒狀的氣體流路745nr。又，在噴嘴本體745nm內，於中心噴嘴群74n周圍形成有連通於氣體導入口745i1的筒狀的氣體流路745nw。氣體流路745nw的下部連通有緩衝空間745nb。緩衝空間745nb更進一步經由衝孔板745np而連通於其下方的空間745ns。該空間745ns的下部成為中心氣體吐出口745o。
從氣體導入口745i2導入的惰性氣體係經由氣體流路745nr而供給給上側氣體吐出口746o1及下側氣體吐出口746o2，再從上側氣體吐出口746o1及下側氣體吐出口746o2呈放射狀吐出。藉此，在基板W上方形成有上下重疊的2個放射狀氣流(亦稱「放射狀氣流」)。另一方面，從氣體導入口745i1導入的惰性氣體係經由氣體流路745nw而儲存於緩衝空間745nb中，進而通過衝孔板745np而擴散後，再通過空間745ns而從中心氣體吐出口745o朝基板W的上表面Wu往下吐出。該惰性氣體碰撞到基板W之上表面Wu而改變方向，而在基板W之上方形成惰性氣體的放射狀氣流。
所以，利用從中心氣體吐出口745o吐出之惰性氣體形成的放射狀氣流、與從上側氣體吐出口746o1及下側氣體吐出口746o2吐出的2層放射狀氣流，在基板W之上方形成3層放射狀氣流。利用該3層放射狀氣流，保護著基板W的上表面Wu。例如當使基板W以旋轉軸72a為中心進行高速旋轉時，藉由3層惰性氣體的放射狀氣流而保護著基板W的上表面，藉此，基板W之上表面Wu便可被保護而免受氧、液滴及霧氣等濕氣的影響。
此處，例如，可使環境氣體控制構件74A的下表面74b配置於靠近由保持部720保持之基板W的上表面Wu的位置(靠近位置)、或遠離由保持部720保持之基板W的上表面Wu的位置(遠離位置)。例如，當對基板W之上表面Wu依記載順序施行蝕刻、洗淨、疏水化及乾燥等一連串的基板處理時，可將下表面74b與上表面Wu的間隔設定為例如3mm至10mm左右。
中心噴嘴群74n係貫通氣體流路745nw、緩衝空間745nb及衝孔板745np而朝鉛直方向延伸。中心噴嘴群74n之下端的各吐出口係位於衝孔板745np的下方。中心噴嘴群74n的下表面係位於與環境氣體控制構件74A之下表面74b相同高度、或較下表面74b更靠上方。
此處，例如第3移動機構74m亦可利用馬達等而使機器臂743以沿著鉛直方向的虛擬旋轉軸74a為中心進行轉動，藉此使環境氣體控制構件74A在保持部720上進行擺動。又，例如第3移動機構74m亦可利用馬達等而使機器臂743以旋轉軸74a為中心進行轉動，藉此而使環境氣體控制構件74A從保持部720上退避。
＜2-2.  第3實施形態＞ 上述各實施形態中，第1液體吐出部751n、第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n分別例如亦可不具有第1管狀部75p1(圖10(b))。圖22係示意性地表示第3實施形態的第1~3液體吐出部751n、752n、753n之形態的縱剖視圖。
第3實施形態中，第2管狀部75p2係具有沿鉛直方向延伸之狀態的管狀前端部75p4。然後，例如於第1液體吐出部751n中，沿鉛直方向延伸的前端部75p4亦可設有朝水平方向呈開口的第1吐出口751o。又，例如於第2液體吐出部752n中，沿鉛直方向延伸的前端部75p4亦可設有朝水平方向呈開口的第2吐出口752o。又，例如於第3液體吐出部753n中，沿鉛直方向延伸的前端部75p4亦可設有朝水平方向呈開口的第3吐出口753o。此處，例如控制部9亦可利用第3驅動部之一例即第1移動機構751m，以前端部75p4對第1~3擋板部731、732、733中至少一個擋板部與環境氣體控制構件74、74A間之間隙進行插拔的方式，使第1液體吐出部751n沿鉛直方向進行升降，亦可利用第3驅動部之一例即第2移動機構752m，使第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n沿鉛直方向進行升降。
若採用此種構成，例如即使擋板73之上表面被配置於較環境氣體控制構件74、74A之下表面74b更高的位置，且擋板73與環境氣體控制構件74、74A間之間隙狹窄的情況，仍可使第1液體吐出部751n、第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n的第2管狀部75p2，輕易地對擋板73與環境氣體控制構件74、74A間之間隙進行插拔。具體而言，例如即使擋板73與環境氣體控制構件74、74A間之間隔狹窄，仍可使第1液體吐出部751n輕易地在第1退避位置與第1吐出位置之間進行移動，可輕易地使第2液體吐出部752n在第2退避位置與第2吐出位置之間進行移動，可輕易地使第3液體吐出部753n在第3退避位置與第3吐出位置之間進行移動。
＜2-3.  第4實施形態＞ 上述各實施形態中，例如為了使第1~3液體吐出部751n、752n、753n分別能對擋板73與環境氣體控制構件74、74A間之狹窄間隙進行插拔，亦可在擋板73的內周緣部設置凹部。圖23係示意性地表示第4實施形態的處理單元7之內部之一構成例的俯視圖。
第4實施形態中，如圖23所示，擋板73亦可具有：當朝下方向俯視或平面透視時，具有朝遠離環境氣體控制構件74之方向凹陷之凹部73r的內周緣部73i。由另一觀點言之，擋板73亦可在內周緣部73i設有朝遠離旋轉軸72a之方向凹陷的凹部73r。圖23之例中，擋板73係設有2個凹部73r。2個凹部73r係包含有：用於第1液體吐出部751n的第1凹部73r1、用於第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n的第2凹部73r2。此處，例如控制部9亦可執行如下動作中之至少一動作：利用作為第3驅動部之一例之第1移動機構751m而使第1液體吐出部751n下降，藉此而使第2管狀部75p2插通於第1凹部73r1內之空間中的動作(下降動作)、以及利用作為第3驅動部之一例之第1移動機構751m而使第1液體吐出部751n上升，藉此而使第2管狀部75p2從第1凹部73r1內之空間朝上方移動的動作(上升動作)。又，例如控制部9亦可執行如下動作中之至少一動作：利用作為第3驅動部之一例之第2移動機構752m而使第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n下降，藉此而使各第2管狀部75p2插通於第2凹部73r2內之空間中的動作(下降動作)、以及利用作為第3驅動部之一例之第2移動機構752m而使第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n上升，藉此而使各第2管狀部75p2從第2凹部73r2內之空間朝上方移動的動作(上升動作)。
藉由採用此種構成，例如即使擋板73之上表面被配置於較環境氣體控制構件74、74A之下表面74b更高的位置，且擋板73與環境氣體控制構件74、74A間之間隙狹窄的情況，仍可使第1液體吐出部751n、第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n的第2管狀部75p2，輕易對擋板73與環境氣體控制構件74、74A間之間隙進行插拔。具體而言，例如即使擋板73與環境氣體控制構件74、74A間之間隔狹窄，仍可使第1液體吐出部751n輕易地在第1退避位置與第1吐出位置之間移動，亦可使第2液體吐出部752n輕易地在第2退避位置與第2吐出位置之間移動，亦可使第3液體吐出部753n輕易地在第3退避位置與第3吐出位置之間移動。
再者，此處，例如亦可在第1液體吐出部751n的第2管狀部75p2插通於第1凹部73r1內之空間的狀態下，利用第1移動機構751m而使第1液體吐出部751n相對於旋轉軸72a朝接近及遠離之方向移動。藉此，例如即使第1液體吐出部751n設有第1管狀部75p1的情況，仍可使第1吐出口751o對環境氣體控制構件74、74A與保持部720間之空間進行插拔。例如，亦可為，在第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n的第2管狀部75p2插通於第2凹部73r2內的空間之狀態下，利用第2移動機構752m而使第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n相對於旋轉軸72a而朝接近及遠離之方向移動。藉此，例如即使第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n設有第1管狀部75p1的情況，仍可使第2吐出口752o及第3吐出口753o對環境氣體控制構件74、74A與保持部720間之空間進行插拔。
＜2-4.  第5實施形態＞ 上述第1實施形態及上述第2實施形態中，例如亦可為，第1液體吐出部751n、第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n分別為與擋板73一體地構成的狀態。圖24係示意性地表示第5實施形態的處理單元7中之第1~3液體吐出部751n、752n、753n的配置的側視圖。圖24(a)係表示從第1液體吐出部751n朝基板W之上表面Wu的中央區域A1吐出第1處理液Lq1的情況，圖24(b)係表示從第1液體吐出部751n朝基板W之上表面Wu的端部側區域A2吐出第1處理液Lq1的情況。
如圖24所示，例如第1液體吐出部751n亦可與第1擋板部731一體地構成，第2液體吐出部752n亦可與第3擋板部733一體地構成，第3液體吐出部753n亦可與第2擋板部732一體地構成。若採用此種構成，例如，第1~3液體吐出部751n、752n、753n的配置較為容易。
＜2-5.  其他＞ 上述各實施形態中，例如當將第1~6處理液Lq1~Lq6中之一者以上之處理液供給給基板W之上表面Wu上時，環境氣體控制構件74、74A亦可朝基板W之上表面Wu上供給惰性氣體。
上述各實施形態中，例如亦可採用如下構成：不設置第2液體吐出部752n、第2液供給路752p及第2變更部752v，且對基板W之上表面Wu上的溶劑吐出係由第3中心噴嘴749n執行。
上述各實施形態中，例如亦可採用如下構成：第2液體吐出部752n吐出清洗液而作為第2處理液，以取代溶劑。
上述各實施形態中，例如亦可採用如下構成：利用第3移動機構74m而使環境氣體控制構件74、74A幾乎或完全不進行升降。
上述各實施形態中，例如關於第1處理單元7A及第2處理單元7B，保持部720亦可採用機械式夾具或機械夾持爪，亦可使用白努利吸盤或白努利夾持器。
上述各實施形態中，例如第1液體吐出部751n、第2液體吐出部752n及第3液體吐出部753n亦可分別與旋轉保持機構72一體地構成。
上述各實施形態中，例如惰性氣體中亦可含有乾燥空氣或清淨空氣等氮氣以外的氣體。
上述第1實施形態中，例如亦可為，第1~3液體吐出部751n、752n、753n中，第1管狀部75p1係能以沿鉛直方向的虛擬旋轉軸為中心進行轉動地設置於第2管狀部75p2上。此處，例如亦可為控制部9利用馬達等驅動部，而以第2管狀部75p2為中心，使第1管狀部75p1之朝向變更。根據此種構成，例如即使擋板73之上表面被配置於較高於環境氣體控制構件74之下表面74b更高的位置，且擋板73與環境氣體控制構件74間之間隙狹窄的情況，仍可使第1~3液體吐出部751n、752n、753n輕易地對擋板73與環境氣體控制構件74間之間隙進行插拔。藉此，例如即使擋板73與環境氣體控制構件74間之間隙狹窄，仍可使第1~3液體吐出部751n、752n、753n輕易地分別在退避位置與吐出位置之間移動。
上述第1、3~5實施形態中，例如亦可為，在支軸742設置馬達等旋轉機構，當對基板W之上表面Wu依記載順序施行蝕刻、洗淨、疏水化及乾燥的一連串基板處理時，能使阻斷板741以旋轉軸72a為中心進行旋轉。於此情況，例如亦可為，控制部9控制旋轉機構的動作，配合由保持部720保持之基板W的旋轉，使阻斷板741以與基板W相同之旋轉方向且大致相同之旋轉速度進行旋轉。
上述第2實施形態中，例如亦可為，第1處理步驟中的第1吐出口751o之位置、第2處理步驟中的第2吐出口752o之位置、及第3處理步驟中的第3吐出口753o之位置係分別在鉛直方向上，位於與環境氣體控制構件74A之下表面74b同等之位置、或位於稍微高於下表面74b的位置。
另外，當然可在適當且不矛盾之範圍內將分別構成上述第1~5實施形態及各種變化例之整體或一部分加以組合。
1:基板處理裝置 2:分度器部 3:載具載置部 4:第1搬送機構 5:處理區塊 6:載置部 7:處理單元 7A:第1處理單元 7B:第2處理單元 7e:排氣風管 7f:風扇過濾器單元(FFU) 7w:處理腔室 8:第2搬送機構 9:控制部 9Bu:匯流排線 31:條碼讀取機 32:搬送空間 33:機械手 34:機械手驅動部 34a:軌道 34b:水平移動部 34c:垂直移動部 34d:旋轉部 34e:進退移動部 41:搬送空間 42:第1處理分區 43:第2處理分區 61:機械手 62:機械手驅動部 62a:支柱 62b:垂直移動部 62c:旋轉部 62d:進退移動部 72:旋轉保持機構 72a:旋轉軸 73:擋板 73i:內周緣部 73m:升降驅動部 73r:凹部 73r1:第1凹部 73r2:第2凹部 74、74A:環境氣體控制構件 74a:旋轉軸 74b:下表面 74m:第3移動機構 74n:中心噴嘴群 75d:吐出方向 75p1:第1管狀部 75p2:第2管狀部 75p3:第3管狀部 75p4:前端部 91:通訊部 92:輸入部 93:輸出部 94:記憶部 95:處理部 95a:運算處理部 95b:記憶體 96:驅動器 720:保持部 721:中心軸 722:旋轉機構 723:旋轉基座 724:夾持銷 731:第1擋板部 732:第2擋板部 733:第3擋板部 734:第1排液槽 735:第2排液槽 736:第3排液槽 737:第1排液埠 738:第2排液埠 739:第3排液埠 741:阻斷板 742:支軸 743:機器臂 745i1、745i2:氣體導入口 745n、745nA:氣體噴嘴 745nb:緩衝空間 745nf:凸緣部 745nm:噴嘴本體 745np:衝孔板 745nr:氣體流路 745ns:空間 745nw:氣體流路 745o:中心氣體吐出口 745p:第1氣體供給路 745v:第1氣體閥 746o:氣體吐出口 746o1:上側氣體吐出口 746o2:下側氣體吐出口 746p:第2氣體供給路 746r:氣體流路 746v:第2氣體閥 747n:第1中心噴嘴 747p:第1液體供給路 747v:第1液體閥 748n:第2中心噴嘴 748p:第2液體供給路 748v:第2液體閥 749n:第3中心噴嘴 749p:第3液體供給路 749v:第3液體閥 751a:虛擬軸 751m:第1移動機構 751n:第1液體吐出部 751o:第1吐出口 751p:第1液供給路 751v:第1變更部 752a:虛擬軸 752m:第2移動機構 752n:第2液體吐出部 752o:第2吐出口 752p:第2液供給路 752v:第2變更部 753m:第3移動機構 753n:第3液體吐出部 753o:第3吐出口 753p:第3液供給路 753v:第3變更部 A1:中央區域 A2:端部側區域 Ax1、Ax2:虛擬旋轉軸 C:載具 H:高度 Lq1:第1處理液 Lq2:第2處理液 Lq3:第3處理液 Lq4:第4處理液 Lq5:第5處理液 Lq6:第6處理液 Pg1:程式 R:距離 Sm1:記憶媒體 W:基板 Wb:下表面 Wu:上表面 θ:角度
圖1係表示第1實施形態的基板處理裝置之概略構成的俯視圖。 圖2係表示Y軸方向上之基板處理裝置之中央部的概略構成的側視圖。 圖3係表示基板處理裝置之-Y側部分的概略構成的側視圖。 圖4係表示用於控制基板處理裝置的功能性構成的方塊圖。 圖5係表示控制部之一構成例的方塊圖。 圖6係示意性地表示處理單元之一構成例的側視圖。 圖7係示意性地表示處理單元內部之一構成例的俯視圖。 圖8(a)及(b)係示意性地表示第1液體吐出部朝基板上吐出處理液之情況的圖。 圖9(a)及(b)係示意性地表示第1液體吐出部朝基板上吐出處理液之情況的圖。 圖10(a)及(b)係示意性地表示從第1液體吐出部朝基板上吐出處理液的方向的圖。 圖11係表示處理單元中之對基板施行之一連串基板處理的動作流程之一例的流程圖。 圖12係表示處理單元中之對基板施行之一連串基板處理的動作流程之一例的流程圖。 圖13(a)至(c)係用於說明處理單元中之對基板施行之一連串基板處理的動作之一例的示意性側視圖。 圖14(a)至(c)係用於說明處理單元中之對基板施行之一連串基板處理的動作之一例的示意性側視圖。 圖15(a)至(c)係用於說明處理單元中之對基板施行之一連串基板處理的動作之一例的示意性側視圖。 圖16(a)至(c)係用於說明處理單元中之對基板施行之一連串基板處理的動作之一例的示意性側視圖。 圖17(a)至(c)係用於說明處理單元中之對基板施行之一連串基板處理的動作之一例的示意性側視圖。 圖18(a)至(c)係用於說明處理單元中之對基板施行之一連串基板處理的動作之一例的示意性側視圖。 圖19(a)及(b)係用於說明處理單元中之對基板施行之一連串基板處理的動作之一例的示意性側視圖。 圖20係示意性地表示第2實施形態的處理單元之一構成例的側視圖。 圖21係示意性地表示第2實施形態的環境氣體控制構件之一構成例的縱剖視圖。 圖22係示意性地表示第3實施形態的第1~3液體吐出部之形態的縱剖視圖。 圖23係示意性地表示第4實施形態的處理單元之內部之一構成例的俯視圖。 圖24(a)及(b)係示意性地表示第5實施形態的處理單元中之第1~3液體吐出部之配置的側視圖。
72a:旋轉軸
73:擋板
74:環境氣體控制構件
74b:下表面
720:保持部
723:旋轉基座
724:夾持銷
731:第1擋板部
732:第2擋板部
733:第3擋板部
741:阻斷板
742:支軸
745n:氣體噴嘴
746o:氣體吐出口
751n:第1液體吐出部
A1:中央區域
A2:端部側區域
Lq1:第1處理液
W:基板
Wu:上表面

Claims (18)

  1. 一種基板處理方法，其具有：保持步驟，係使保持部以水平姿勢保持基板；以及處理步驟，係從位處於與以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板之上表面對向之狀態的環境氣體控制構件對上述上表面上供給惰性氣體，同時一邊使上述保持部以沿著鉛直方向的虛擬旋轉軸為中心旋轉，一邊從液體吐出部的吐出口朝向沿著上述上表面的方向吐出處理液，藉此對上述上表面上供給該處理液；而於上述處理步驟中，藉由變更上述處理液之從上述處理液的供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量，並使上述處理液從上述液體吐出部所吐出的吐出速度變化，而使上述上表面中之從上述液體吐出部所吐出之上述處理液被供給的液體供給位置變化；且於上述處理步驟中，以相較於上述液體供給位置在上述上表面中的中央區域內時，當上述液體供給位置在上述上表面中的端部側區域內時上述吐出速度會變小之方式，使上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量降低。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中，於上述處理步驟中，藉由使上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量增減，而使上述液體供給位置在上述中央區域內與上述端部側區域內之間往返複數次。
  3. 一種基板處理方法，其具有：保持步驟，係使保持部以水平姿勢保持基板；以及 處理步驟，係從位處於與以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板之上表面對向之狀態的環境氣體控制構件對上述上表面上供給惰性氣體，同時一邊使上述保持部以沿著鉛直方向的虛擬旋轉軸為中心旋轉，一邊從液體吐出部的吐出口朝向沿著上述上表面的方向吐出處理液，藉此對上述上表面上供給該處理液；而於上述處理步驟中，藉由變更上述處理液之從上述處理液的供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量，並使上述處理液從上述液體吐出部所吐出的吐出速度變化，而使上述上表面中之從上述液體吐出部所吐出之上述處理液被供給的液體供給位置變化；且於上述處理步驟中，從上述液體吐出部所吐出的上述處理液通過上述上表面與上述環境氣體控制構件之間的空間而落滴於上述上表面。
  4. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，於上述處理步驟中，上述吐出口在鉛直方向上，被配置於較上述上表面更高的位置，並且被配置於較上述環境氣體控制構件之下表面更低的位置。
  5. 一種基板處理方法，其具有：保持步驟，係使保持部以水平姿勢保持基板；以及處理步驟，係從位處於與以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板之上表面對向之狀態的環境氣體控制構件對上述上表面上供給惰性氣體，同時一邊使上述保持部以沿著鉛直方向的虛擬旋轉軸為中心旋轉，一邊從液體吐出部的吐出口朝向沿著上述上表面的方向吐出處理液，藉此對上述上表面上供給該處理液；而於上述處理步驟中，藉由變更上述處理液之從上述處理液的供給源 朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量，並使上述處理液從上述液體吐出部所吐出的吐出速度變化，而使上述上表面中之從上述液體吐出部所吐出之上述處理液被供給的液體供給位置變化；於上述處理步驟中，上述吐出口在鉛直方向上，被配置於較上述上表面更高的位置，並且被配置於較上述環境氣體控制構件之下表面更低的位置；且於上述處理步驟中，將以上述上表面為基準的上述吐出口鉛直方向上之高度設為H，將上述虛擬旋轉軸與上述吐出口之水平方向上的距離設為R，並將由通過上述吐出口的虛擬水平面與上述吐出口吐出上述處理液的吐出方向所成的角度設為θ，而在當上述吐出方向為較水平方向更向下之方向時上述角度θ呈正值、且當上述吐出方向為較水平方向更向上之方向時上述角度θ呈負值之情形時，滿足0≦θ≦tan-1(H/R)的關係。
  6. 一種基板處理方法，其具有：保持步驟，係使保持部以水平姿勢保持基板；以及處理步驟，係從位處於與以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板之上表面對向之狀態的環境氣體控制構件對上述上表面上供給惰性氣體，同時一邊使上述保持部以沿著鉛直方向的虛擬旋轉軸為中心旋轉，一邊從液體吐出部的吐出口朝向沿著上述上表面的方向吐出處理液，藉此對上述上表面上供給該處理液；而於上述處理步驟中，藉由變更上述處理液之從上述處理液的供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量，並使上述處理液從上述液體吐出部所吐出的吐出速度變化，而使上述上表面中之從上述液體吐出 部所吐出之上述處理液被供給的液體供給位置變化；而上述環境氣體控制構件包含阻斷板；且於上述處理步驟中，上述環境氣體控制構件位處於上述阻斷板覆蓋上述上表面的狀態，對上述上表面與上述環境氣體控制構件之間供給惰性氣體。
  7. 一種基板處理方法，其具有：保持步驟，係使保持部以水平姿勢保持基板；以及處理步驟，係從位處於與以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板之上表面對向之狀態的環境氣體控制構件對上述上表面上供給惰性氣體，同時一邊使上述保持部以沿著鉛直方向的虛擬旋轉軸為中心旋轉，一邊從液體吐出部的吐出口朝向沿著上述上表面的方向吐出處理液，藉此對上述上表面上供給該處理液；而於上述處理步驟中，藉由變更上述處理液之從上述處理液的供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量，並使上述處理液從上述液體吐出部所吐出的吐出速度變化，而使上述上表面中之從上述液體吐出部所吐出之上述處理液被供給的液體供給位置變化；且於上述處理步驟中，上述環境氣體控制構件位處於與上述上表面中的中央區域對向之狀態，對上述基板之上方供給惰性氣體，藉此形成沿著上述上表面流動的氣流。
  8. 一種基板處理裝置，其具備有：保持部，其以水平姿勢保持基板；第1驅動部，其使上述保持部以沿著鉛直方向的虛擬旋轉軸為中心旋 轉；環境氣體控制構件，其在與以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板之上表面對向之狀態下，對上述上表面上供給惰性氣體；液體吐出部，其藉由朝向沿著以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板的上述上表面之方向從吐出口吐出處理液，而對上述上表面上供給上述處理液；液供給路，其連接上述處理液之供給源與上述液體吐出部；變更部，其位於上述液供給路之途中，變更上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量；以及控制部，其藉由使上述變更部變更上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量，並使上述處理液從上述液體吐出部所吐出的吐出速度變化，而使上述上表面中之從上述液體吐出部所吐出之上述處理液被供給的液體供給位置變化；而上述控制部以相較於上述液體供給位置在上述上表面中的中央區域內時，當上述液體供給位置在上述上表面中的端部側區域內時上述吐出速度會變小之方式，藉由上述變更部使上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量降低。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中，上述控制部藉由上述變更部使上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量增減，藉此使上述液體供給位置在上述中央區域內與上述端部側區域內之間往返複數次。
  10. 一種基板處理裝置，其具備有： 保持部，其以水平姿勢保持基板；第1驅動部，其使上述保持部以沿著鉛直方向的虛擬旋轉軸為中心旋轉；環境氣體控制構件，其在與以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板之上表面對向之狀態下，對上述上表面上供給惰性氣體；液體吐出部，其藉由朝向沿著以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板的上述上表面之方向從吐出口吐出處理液，而對上述上表面上供給上述處理液；液供給路，其連接上述處理液之供給源與上述液體吐出部；變更部，其位於上述液供給路之途中，變更上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量；以及控制部，其藉由使上述變更部變更上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量，並使上述處理液從上述液體吐出部所吐出的吐出速度變化，而使上述上表面中之從上述液體吐出部所吐出之上述處理液被供給的液體供給位置變化；而上述液體吐出部以上述處理液通過上述上表面與上述環境氣體控制構件之間的空間而落滴於上述上表面的方式吐出上述處理液。
  11. 如請求項8或9之基板處理裝置，其中，上述吐出口在被配置於鉛直方向上較上述上表面更高且較上述環境氣體控制構件之下表面更低之位置的狀態下，朝向沿著上述上表面的方向吐出上述處理液。
  12. 一種基板處理裝置，其具備有：保持部，其以水平姿勢保持基板； 第1驅動部，其使上述保持部以沿著鉛直方向的虛擬旋轉軸為中心旋轉；環境氣體控制構件，其在與以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板之上表面對向之狀態下，對上述上表面上供給惰性氣體；液體吐出部，其藉由朝向沿著以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板的上述上表面之方向從吐出口吐出處理液，而對上述上表面上供給上述處理液；液供給路，其連接上述處理液之供給源與上述液體吐出部；變更部，其位於上述液供給路之途中，變更上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量；以及控制部，其藉由使上述變更部變更上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量，並使上述處理液從上述液體吐出部所吐出的吐出速度變化，而使上述上表面中之從上述液體吐出部所吐出之上述處理液被供給的液體供給位置變化；而上述吐出口在被配置於鉛直方向上較上述上表面更高且較上述環境氣體控制構件之下表面更低之位置的狀態下，朝向沿著上述上表面的方向吐出上述處理液；且當上述液體吐出部對上述上表面供給上述處理液時，將以上述上表面為基準的上述吐出口鉛直方向上之高度設為H，將上述虛擬旋轉軸與上述吐出口之水平方向上的距離設為R，並將由通過上述吐出口的虛擬水平面與上述吐出口吐出上述處理液的吐出方向所成的角度設為θ，而在當上述吐出方向為較水平方向更向下之方向時上述角度θ呈正值、且上述吐 出方向為較水平方向更向上之方向時上述角度θ呈負值之情形時，滿足0≦θ≦tan-1(H/R)的關係。
  13. 一種基板處理裝置，其具備有：保持部，其以水平姿勢保持基板；第1驅動部，其使上述保持部以沿著鉛直方向的虛擬旋轉軸為中心旋轉；環境氣體控制構件，其在與以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板之上表面對向之狀態下，對上述上表面上供給惰性氣體；液體吐出部，其藉由朝向沿著以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板的上述上表面之方向從吐出口吐出處理液，而對上述上表面上供給上述處理液；液供給路，其連接上述處理液之供給源與上述液體吐出部；變更部，其位於上述液供給路之途中，變更上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量；以及控制部，其藉由使上述變更部變更上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量，並使上述處理液從上述液體吐出部所吐出的吐出速度變化，而使上述上表面中之從上述液體吐出部所吐出之上述處理液被供給的液體供給位置變化；而上述環境氣體控制構件包含有在覆蓋上述上表面的狀態下對上述上表面與上述環境氣體控制構件之間供給惰性氣體的阻斷板。
  14. 一種基板處理裝置，其具備有：保持部，其以水平姿勢保持基板； 第1驅動部，其使上述保持部以沿著鉛直方向的虛擬旋轉軸為中心旋轉；環境氣體控制構件，其在與以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板之上表面對向之狀態下，對上述上表面上供給惰性氣體；液體吐出部，其藉由朝向沿著以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板的上述上表面之方向從吐出口吐出處理液，而對上述上表面上供給上述處理液；液供給路，其連接上述處理液之供給源與上述液體吐出部；變更部，其位於上述液供給路之途中，變更上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量；以及控制部，其藉由使上述變更部變更上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量，並使上述處理液從上述液體吐出部所吐出的吐出速度變化，而使上述上表面中之從上述液體吐出部所吐出之上述處理液被供給的液體供給位置變化；而上述環境氣體控制構件在與上述上表面中的中央區域對向之狀態下對上述基板上方供給惰性氣體，藉此形成沿著上述上表面流動的氣流。
  15. 一種基板處理裝置，其具備有：保持部，其以水平姿勢保持基板；第1驅動部，其使上述保持部以沿著鉛直方向的虛擬旋轉軸為中心旋轉；環境氣體控制構件，其在與以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板之上表面對向之狀態下，對上述上表面上供給惰性氣體； 液體吐出部，其藉由朝向沿著以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板的上述上表面之方向從吐出口吐出處理液，而對上述上表面上供給上述處理液；液供給路，其連接上述處理液之供給源與上述液體吐出部；變更部，其位於上述液供給路之途中，變更上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量；控制部，其藉由使上述變更部變更上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量，並使上述處理液從上述液體吐出部所吐出的吐出速度變化，而使上述上表面中之從上述液體吐出部所吐出之上述處理液被供給的液體供給位置變化；擋板部，其包圍上述保持部的周圍；以及第2驅動部，其使上述擋板部沿著鉛直方向升降；而上述控制部藉由上述第2驅動部使上述擋板部升降；且上述液體吐出部具有：第1管狀部，其在沿著水平方向延伸之狀態下於前端具有上述吐出口；第2管狀部，其在連通於上述第1管狀部之狀態下處於從上述第1管狀部朝向上方延伸的狀態；以及第3管狀部，其在連通於上述第2管狀部之狀態下處於從上述第2管狀部朝向水平方向延伸的狀態。
  16. 如請求項15之基板處理裝置，其中，其具備有使上述液體吐出部沿著鉛直方向升降的第3驅動部；上述擋板部在朝向下方平面透視之情形時具有內周緣部，該內周緣部 具有朝離開上述環境氣體控制構件方向凹陷之凹部；上述控制部係進行如下之動作中之至少一動作：下降動作，其藉由上述第3驅動部使上述液體吐出部下降，藉此使上述第2管狀部插通於上述凹部內之空間；以及，上升動作，其藉由上述第3驅動部使上述液體吐出部上升，藉此使上述第2管狀部從上述凹部內之空間朝上方移動。
  17. 一種基板處理裝置，其具備有：保持部，其以水平姿勢保持基板；第1驅動部，其使上述保持部以沿著鉛直方向的虛擬旋轉軸為中心旋轉；環境氣體控制構件，其在與以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板之上表面對向之狀態下，對上述上表面上供給惰性氣體；液體吐出部，其藉由朝向沿著以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板的上述上表面之方向從吐出口吐出處理液，而對上述上表面上供給上述處理液；液供給路，其連接上述處理液之供給源與上述液體吐出部；變更部，其位於上述液供給路之途中，變更上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量；控制部，其藉由使上述變更部變更上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量，並使上述處理液從上述液體吐出部所吐出的吐出速度變化，而使上述上表面中之從上述液體吐出部所吐出之上述處理液被供給的液體供給位置變化；擋板部，其包圍上述保持部的周圍； 第2驅動部，其使上述擋板部沿著鉛直方向升降；以及第3驅動部，其使上述液體吐出部沿著鉛直方向升降；而上述液體吐出部具有沿著鉛直方向延伸之狀態之管狀的前端部；上述前端部具有朝向水平方向開口的上述吐出口；且上述控制部藉由上述第2驅動部使上述擋板部升降，並以上述前端部會相對於上述擋板部與上述環境氣體控制構件之間隙被插拔之方式，藉由上述第3驅動部使上述液體吐出部升降。
  18. 一種基板處理裝置，其具備有：保持部，其以水平姿勢保持基板；第1驅動部，其使上述保持部以沿著鉛直方向的虛擬旋轉軸為中心旋轉；環境氣體控制構件，其在與以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板之上表面對向之狀態下，對上述上表面上供給惰性氣體；液體吐出部，其藉由朝向沿著以水平姿勢被保持於上述保持部之上述基板的上述上表面之方向從吐出口吐出處理液，而對上述上表面上供給上述處理液；液供給路，其連接上述處理液之供給源與上述液體吐出部；變更部，其位於上述液供給路之途中，變更上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量；控制部，其藉由使上述變更部變更上述處理液從上述供給源朝向上述液體吐出部之每單位時間的供給量，並使上述處理液從上述液體吐出部所吐出的吐出速度變化，而使上述上表面中之從上述液體吐出部所吐出 之上述處理液被供給的液體供給位置變化；擋板部，其包圍上述保持部的周圍；以及第2驅動部，其使上述擋板部沿著鉛直方向升降；而上述控制部藉由上述第2驅動部使上述擋板部升降；且上述液體吐出部處於被構成為與上述擋板部一體之狀態。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023045549A (ja) * 2021-09-22 2023-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2024078843A (ja) * 2022-11-30 2024-06-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN116444168B (zh) * 2023-04-27 2023-11-10 江苏纳帝电子科技有限公司 一种液晶玻璃蚀刻处理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201814791A (zh) * 2016-09-26 2018-04-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板洗淨方法、基板洗淨配方作成方法以及基板洗淨配方作成裝置
US20190267257A1 (en) * 2015-02-18 2019-08-29 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6317547B2 (ja) 2012-08-28 2018-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
US20140261572A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Dainippon Screen Mfg.Co., Ltd. Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JP6573520B2 (ja) 2015-09-29 2019-09-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2017183595A (ja) 2016-03-31 2017-10-05 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
JP6812279B2 (ja) 2017-03-17 2021-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190267257A1 (en) * 2015-02-18 2019-08-29 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
TW201814791A (zh) * 2016-09-26 2018-04-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板洗淨方法、基板洗淨配方作成方法以及基板洗淨配方作成裝置

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