JP7455597B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板に処理を行う基板処理方法および基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板等である。

従来から、基板に良好な処理を施すために、スピンチャックに保持された基板の上面に対向するように配置された遮断板または気体ノズルなどの部材（雰囲気制御部材ともいう）から不活性ガスを基板の上面に向けて吐出することで基板の上面に沿った空間の雰囲気を制御しつつ、基板の処理を行う場合があった（例えば、特許文献１～３等を参照）。

また、基板の上面に対する処理のばらつきを低減するために、スピンチャックに保持された基板が回転している状態で、基板の上面に対する処理液の着液位置を中央部と周縁部との間で走査（スキャン）させるように、処理液を吐出するノズル（処理液吐出ノズルともいう）を揺動させる場合があった（例えば、特許文献１～３等を参照）。

特開２０１８－１５７０６１号公報 特開２０１４－１９７５７１号公報 特開２０１７－６９３４６号公報

ところで、例えば、処理液の種類によっては、基板の上面に対する処理が基板の上面に沿った空間における酸素濃度または湿気などの影響を受けやすいものの、さらに基板の上面に対する処理のばらつきを低減したい場合がある。つまり、基板の上面上の雰囲気の制御と、基板の上面における着液位置のスキャンと、を両立したい場合がある。

しかしながら、例えば、仮に基板の上面上の雰囲気の制御を十分行うために、基板の上面に雰囲気制御部材を接近させると、処理液吐出ノズルの揺動による処理液の着液位置のスキャンを基板の上面の広範囲にわたって行うことができず、基板の上面に対する処理のばらつきを十分に低減することができない場合がある。

一方、例えば、仮に基板の上面の広範囲における着液位置のスキャンを行うために、雰囲気制御部材を基板の上面から離すと、基板の上面上の雰囲気の制御が不十分となり、基板処理の品質の低下を招き得る。また、例えば、処理液吐出ノズルから基板の上面に向けて重力方向に処理液を吐出すると、基板の上面上で処理液の跳ねが生じて、処理液吐出ノズルおよび雰囲気制御部材が汚染され、基板処理の品質が低下する場合もある。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板の上面上における雰囲気制御と基板の上面に対する処理のばらつきの低減とを同時に実現させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、第１の態様に係る基板処理方法は、保持工程と、処理工程と、を有する。前記保持工程において、基板を水平姿勢で保持部に保持させる。前記処理工程において、前記保持部に水平姿勢で保持された前記基板の上面に対向している状態で位置している雰囲気制御部材から前記上面上に不活性ガスを供給しつつ、前記保持部を鉛直方向に沿った仮想的な回転軸を中心として回転させながら、液吐出部の吐出口から前記上面に沿った方向に向けて処理液を吐出することで前記上面上に該処理液を供給する。また、前記保持工程において、前記処理液の供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を変更して、前記液吐出部から吐出される前記処理液の吐出速度を変化させることにより、前記上面のうちの前記液吐出部から吐出される前記処理液が供給される液供給位置を変化させる。
第２の態様に係る基板処理方法は、第１の態様に係る基板処理方法であって、前記処理工程において、前記液吐出部は揺動せず、前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を変更して、前記液吐出部から吐出される前記処理液の吐出速度を変化させることにより、前記液供給位置を、前記上面上の中央部および該中央部の近傍を含む領域である中央領域内と前記上面上の外周端部側の領域である端部側領域内との間でスキャンさせる。

第３の態様に係る基板処理方法は、第２の態様に係る基板処理方法であって、前記処理工程において、前記液供給位置が前記上面のうちの前記中央領域内であるときよりも、前記液供給位置が前記上面のうちの前記端部側領域内であるときの方が、前記吐出速度が小さくなるように、前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を低下させる。

第４の態様に係る基板処理方法は、第３の態様に係る基板処理方法であって、前記処理工程において、前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を増減させることで、前記液供給位置を前記中央領域内と前記端部側領域内との間で複数回往復させる。

第５の態様に係る基板処理方法は、第１から第４の何れか１つの態様に係る基板処理方法であって、前記処理工程において、前記液吐出部から吐出される前記処理液が、前記上面と前記雰囲気制御部材との間の空間を通って前記上面に着液する。

第６の態様に係る基板処理方法は、第１から第５の何れか１つの態様に係る基板処理方法であって、前記処理工程において、前記吐出口は、鉛直方向において、前記上面よりも高い位置に配置されるとともに、前記雰囲気制御部材の下面よりも低い位置に配置される。

第７の態様に係る基板処理方法は、第６の態様に係る基板処理方法であって、前記処理工程において、前記上面を基準とした前記吐出口の鉛直方向における高さをＨとし、前記仮想的な回転軸と前記吐出口との水平方向における距離をＲとし、前記吐出口を通る仮想的な水平面と前記吐出口が前記処理液を吐出する吐出方向とが成す角度をθとし、前記吐出方向が水平方向よりも下向きの方向であるときに前記角度θが正の値を示し且つ前記吐出方向が水平方向よりも上向きの方向であるときに前記角度θが負の値を示す場合に、０≦θ≦ｔａｎ^－１（Ｈ／Ｒ）の関係を満たす。

第８の態様に係る基板処理方法は、第１から第７の何れか１つの態様に係る基板処理方法であって、前記処理工程において、前記雰囲気制御部材は、前記上面を覆っている状態で位置し、前記上面と前記雰囲気制御部材との間に不活性ガスを供給する。

第９の態様に係る基板処理方法は、第１から第７の何れか１つの態様に係る基板処理方法であって、前記処理工程において、前記雰囲気制御部材は、前記上面のうちの中央領域に対向している状態で位置し、前記基板の上方に不活性ガスを供給することで、前記上面に沿って流れる気流を形成する。

第１０の態様に係る基板処理装置は、保持部と、第１駆動部と、雰囲気制御部材と、液吐出部と、液供給路と、変更部と、制御部と、を備える。前記保持部は、基板を水平姿勢で保持する。前記第１駆動部は、鉛直方向に沿った仮想的な回転軸を中心として前記保持部を回転させる。前記雰囲気制御部材は、前記保持部に水平姿勢で保持された前記基板の上面に対向している状態で前記上面上に不活性ガスを供給する。前記液吐出部は、前記保持部に水平姿勢で保持された前記基板の前記上面に沿った方向に向けて吐出口から処理液を吐出することで前記上面上に前記処理液を供給する。前記液供給路は、前記処理液の供給源と前記液吐出部とを接続している。前記変更部は、前記液供給路の途中に位置し、前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を変更する。前記制御部は、前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を前記変更部に変更させることで、前記液吐出部から吐出される前記処理液の吐出速度を変化させ、前記上面のうちの前記液吐出部から吐出される前記処理液が供給される液供給位置を変化させる。
第１１の態様に係る基板処理装置は、第１０の態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、前記液吐出部を揺動させずに、前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を前記変更部に変更させることで、前記液吐出部から吐出される前記処理液の吐出速度を変化させることにより、前記液供給位置を、前記上面上の中央部および該中央部の近傍を含む領域である中央領域内と前記上面上の外周端部側の領域である端部側領域内との間でスキャンさせる。

第１２の態様に係る基板処理装置は、第１１の態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、前記液供給位置が前記上面のうちの前記中央領域内であるときよりも、前記液供給位置が前記上面のうちの前記端部側領域内であるときの方が、前記吐出速度が小さくなるように、前記変更部によって前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を低下させる。

第１３の態様に係る基板処理装置は、第１２の態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、前記変更部によって前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を増減させることで、前記液供給位置を前記中央領域内と前記端部側領域内との間で複数回往復させる。

第１４の態様に係る基板処理装置は、第１０から第１３の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記液吐出部は、前記処理液が前記上面と前記雰囲気制御部材との間の空間を通って前記上面に着液するように、前記処理液を吐出する。

第１５の態様に係る基板処理装置は、第１０から第１４の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記吐出口は、鉛直方向において前記上面よりも高く且つ前記雰囲気制御部材の下面よりも低い位置に配置された状態で前記上面に沿った方向に向けて前記処理液を吐出する。

第１６の態様に係る基板処理装置は、第１５の態様に係る基板処理装置であって、前記液吐出部が前記上面に前記処理液を供給する際に、前記上面を基準とした前記吐出口の鉛直方向における高さをＨとし、前記仮想的な回転軸と前記吐出口との水平方向における距離をＲとし、前記吐出口を通る仮想的な水平面と前記吐出口が前記処理液を吐出する吐出方向とが成す角度をθとし、前記吐出方向が水平方向よりも下向きの方向であるときに前記角度θが正の値を示し且つ前記吐出方向が水平方向よりも上向きの方向であるときに前記角度θが負の値を示す場合に、０≦θ≦ｔａｎ^－１（Ｈ／Ｒ）の関係を満たす。

第１７の態様に係る基板処理装置は、第１０から第１６の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記雰囲気制御部材は、前記上面を覆っている状態で、前記上面と前記雰囲気制御部材との間に不活性ガスを供給する遮断板、を含む。

第１８の態様に係る基板処理装置は、第１０から第１６の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記雰囲気制御部材は、前記上面のうちの中央領域に対向している状態で前記基板の上方に不活性ガスを供給することによって、前記上面に沿って流れる気流を形成する。

第１９の態様に係る基板処理装置は、第１０から第１８の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記保持部の周囲を取り囲むガード部と、前記ガード部を鉛直方向に沿って昇降させる第２駆動部と、を備え、前記制御部は、前記第２駆動部によって前記ガード部を昇降させ、前記液吐出部は、水平方向に沿って延びている状態で先端に前記吐出口を有する第１管状部と、前記第１管状部に連通している状態で前記第１管状部から上方に向けて延びている状態にある第２管状部と、前記第２管状部に連通している状態で前記第２管状部から水平方向に向けて延びている状態にある第３管状部と、を有する。

第２０の態様に係る基板処理装置は、第１９の態様に係る基板処理装置であって、前記液吐出部を鉛直方向に沿って昇降させる第３駆動部と、を備え、前記ガード部は、下方向に向けて平面透視した場合に、前記雰囲気制御部材から離れる方向に凹んでいる凹部を有する内周縁部を有し、前記制御部は、前記第３駆動部によって前記液吐出部を降下させることで前記第２管状部を前記凹部内の空間に挿通させる下降動作、および前記第３駆動部によって前記液吐出部を上昇させることで前記第２管状部を前記凹部内の空間から上方に移動させる上昇動作のうちの少なくとも一方の動作を行う。

第２１の態様に係る基板処理装置は、第１０から第１８の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記保持部の周囲を取り囲むガード部と、前記ガード部を鉛直方向に沿って昇降させる第２駆動部と、前記液吐出部を鉛直方向に沿って昇降させる第３駆動部と、を備え、前記液吐出部は、鉛直方向に沿って延びている状態の管状の先端部を有し、前記先端部は、水平方向に向けて開口している前記吐出口を有し、前記制御部は、前記第２駆動部によって前記ガード部を昇降させ、前記ガード部と前記雰囲気制御部材との隙間に対して前記先端部が挿抜されるように、前記第３駆動部によって前記液吐出部を昇降させる。

第２２の態様に係る基板処理装置は、第１０から第１８の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記保持部の周囲を取り囲むガード部と、前記ガード部を鉛直方向に沿って昇降させる第２駆動部と、を備え、前記制御部は、前記第２駆動部によって前記ガード部を昇降させ、前記液吐出部は、前記ガード部と一体的に構成された状態にある。

第１の態様に係る基板処理方法によれば、例えば、基板の上面上における雰囲気の制御を行いつつ、液吐出部を揺動させずに、基板の上面の広範囲における処理液の液供給位置のスキャンを行うことができる。これにより、例えば、基板の上面上における雰囲気制御と基板の上面に対する処理のばらつきの低減とを同時に実現することができる。

第３の態様に係る基板処理方法によれば、例えば、端部側領域に処理液が供給される際には、処理液の速度および供給量が低下する。このため、例えば、保持部のうちの基板の外縁部を保持しているチャックピンにおける処理液の液跳ねが生じにくい。

第４の態様に係る基板処理方法によれば、例えば、基板の上面の広範囲において処理液の液供給位置のスキャンを複数回行うことで、基板の上面に対する処理のばらつきをより低減することができる。

第５の態様に係る基板処理方法によれば、例えば、基板の上面の広い範囲に雰囲気制御部材を対向させた状態で、基板の上面上における雰囲気の制御をより厳格に行いつつ、液吐出部を揺動させずに、基板の上面の広範囲において処理液の液供給位置のスキャンを行うことができる。

第６の態様に係る基板処理方法によれば、例えば、雰囲気制御部材による基板上の雰囲気の制御を行いつつ、基板の上面の広範囲に処理液を供給することができる。

第７の態様に係る基板処理方法によれば、例えば、基板の上面のうちの仮想的な回転軸上の部分まで処理液を容易に供給することができる。

第８の態様に係る基板処理方法によれば、例えば、基板の上面上における雰囲気を厳格に制御することができる。

第９の態様に係る基板処理方法によれば、例えば、液吐出部を、処理液を吐出する位置と退避させた位置との間で容易に移動させることができる。

第１０の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、雰囲気制御部材からの不活性ガスの供給によって基板の上面上における雰囲気の制御を良好に行いつつ、液吐出部を揺動させずに、基板の上面の広範囲における処理液の液供給位置のスキャンを行うことができる。これにより、例えば、基板の上面上における雰囲気の制御と基板の上面に対する処理のばらつきの低減とを同時に実現することができる。

第１２の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、端部側領域に処理液が供給される際には、処理液の速度および供給量が低下する。このため、例えば、保持部のうちの基板の外縁部を保持しているチャックピンにおける処理液の液跳ねが生じにくい。

第１３の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、基板の上面の広範囲において処理液の液供給位置のスキャンを複数回行うことで、基板の上面に対する処理のばらつきをより低減することができる。

第１４の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、基板の上面の広い範囲に雰囲気制御部材を対向させた状態で、基板の上面上における雰囲気の制御をより厳格に行いつつ、液吐出部を揺動させずに、基板の上面の広範囲において処理液の液供給位置のスキャンを行うことができる。

第１５の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、雰囲気制御部材による基板上の雰囲気の制御を行いつつ、基板の上面の広範囲に処理液を供給することができる。

第１６の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、基板の上面のうちの仮想的な回転軸上の部分まで処理液を容易に供給することができる。

第１７の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、基板の上面上における雰囲気を厳格に制御することができる。

第１８の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、液吐出部を、処理液を吐出する位置と退避させた位置との間で容易に移動させることができる。

第１９の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、ガード部と雰囲気制御部材との隙間を第２管状部が挿通している状態で、吐出口を、保持部に保持された基板の上面に沿った方向に向けて処理液を吐出するための位置に配置することができる。そして、例えば、吐出口から吐出される処理液の吐出方向が安定し得る。

第２０の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、ガード部の上面が、雰囲気制御部材の下面よりも高い位置に配されていて、ガード部と雰囲気制御部材との間隙が狭い場合であっても、液吐出部を、ガード部と雰囲気制御部材との間隙に対して容易に挿抜することができる。これにより、例えば、ガード部と雰囲気制御部材との間隙が狭くても、液吐出部を、処理液を吐出する位置と退避させた位置との間で容易に移動させることができる。

第２１の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、ガード部の上面が、雰囲気制御部材の下面よりも高い位置に配されていて、ガード部と雰囲気制御部材との間隙が狭い場合であっても、液吐出部を、ガード部と雰囲気制御部材との間隙に対して容易に挿抜することができる。これにより、例えば、ガード部と雰囲気制御部材との間隙が狭くても、液吐出部を、処理液を吐出する位置と退避させた位置との間で容易に移動させることができる。

第２２の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、液吐出部の配置が容易である。

第１実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成を示す平面図である。 Ｙ軸方向における基板処理装置の中央部の概略的な構成を示す側面図である。 基板処理装置の－Ｙ側の部分の概略的な構成を示す側面図である。 基板処理装置を制御するための機能的な構成を示すブロック図である。 制御部の一構成例を示すブロック図である。 処理ユニットの一構成例を模式的に示す側面図である。 処理ユニットの内部の一構成例を模式的に示す平面図である。 第１液吐出部が基板上へ処理液を吐出している様子を模式的に示す図である。 第１液吐出部が基板上へ処理液を吐出している様子を模式的に示す図である。 第１液吐出部から基板上へ処理液を吐出する方向を模式的に示す図である。 処理ユニットにおける基板に対する一連の基板処理の動作フローの一例を示す流れ図である。 処理ユニットにおける基板に対する一連の基板処理の動作フローの一例を示す流れ図である。 処理ユニットにおける基板に対する一連の基板処理の動作の一例を説明するための模式的な側面図である。 処理ユニットにおける基板に対する一連の基板処理の動作の一例を説明するための模式的な側面図である。 処理ユニットにおける基板に対する一連の基板処理の動作の一例を説明するための模式的な側面図である。 処理ユニットにおける基板に対する一連の基板処理の動作の一例を説明するための模式的な側面図である。 処理ユニットにおける基板に対する一連の基板処理の動作の一例を説明するための模式的な側面図である。 処理ユニットにおける基板に対する一連の基板処理の動作の一例を説明するための模式的な側面図である。 処理ユニットにおける基板に対する一連の基板処理の動作の一例を説明するための模式的な側面図である。 第２実施形態に係る処理ユニットの一構成例を模式的に示す側面図である。 第２実施形態に係る雰囲気制御部材の一構成例を模式的に示す縦断面図である。 第３実施形態に係る第１～３液吐出部の形態を模式的に示す縦断面図である。 第４実施形態に係る処理ユニットの内部の一構成例を模式的に示す平面図である。 第５実施形態に係る処理ユニットにおける第１～３液吐出部の配置を模式的に示す側面図である。

以下、添付の図面を参照しながら、本発明の各種実施形態について説明する。これらの実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法および数が誇張または簡略化されて図示されている場合がある。また、各図においては、各要素の位置関係を説明するために、右手系のＸＹＺ直交座標系を付している。ここでは、Ｘ軸およびＹ軸が水平方向に延びており、Ｚ軸が鉛直方向（上下方向）に延びているものとする。また、以下の説明では、矢印の先端が向く方を＋（プラス）方向とし、その逆方向を－（マイナス）方向とする。ここでは、鉛直方向上向きが＋Ｚ方向であり、鉛直方向下向きが－Ｚ方向である。

相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」等）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」等）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」等）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取り等を有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「～の上」とは、特に断らない限り、２つの要素が接している場合のほか、２つの要素が離れている場合も含む場合がある。「特定方向に移動させる」とは、特に断らない限りにおいて、この特定方向と平行に移動させる場合のみならず、この特定方向の成分を持つ方向に移動させることを含む場合がある。

＜１．第１実施形態＞
＜１－１．基板処理装置の概略的な構成＞
図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の平面図である。基板処理装置１は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗに処理を行う。

基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。基板Ｗは、薄い平板形状を有する。本実施形態では、基板Ｗが、平面視で円形形状を有する半導体ウエハである例を挙げて説明する。基板Ｗは、例えば、３００ミリメートル（ｍｍ）程度の直径と、０．５ｍｍから３ｍｍ程度の厚さと、を有する。

基板処理装置１は、インデクサ部２と、処理ブロック５と、制御部９と、を備える。

＜１－１－１．インデクサ部＞
インデクサ部２は、複数（例えば、４つ）のキャリア載置部３と、第１搬送機構４と、を備えている。インデクサ部２は、搬送スペース３２を備えている。搬送スペース３２は、キャリア載置部３の＋Ｘ側に配置される。搬送スペース３２は、Ｙ軸方向に沿って延びている。

複数のキャリア載置部３は、例えば、Ｙ軸方向に沿って一列に並んでいる。各キャリア載置部３はそれぞれ、１つのキャリアＣを載置する。

キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣは、例えば、ＦＯＵＰ（front opening unified pod）である。キャリアＣは、例えば、容器と、容器内に配置された鉛直方向に並ぶ複数の棚と、を備える。鉛直方向において隣り合う棚は、１０ｍｍ程度の間隔を有して配置される。各棚は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で載置する。例えば、キャリアＣがキャリア載置部３に載置された状態において、各棚は、容器の＋Ｙ側の内壁から－Ｙ方向に突出し且つＸ軸方向に沿って延びる第１支持部と、容器の－Ｙ側の内壁から＋Ｙ方向に突出し且つＸ軸方向に沿って延びる第２支持部と、を有する。各棚において、第１支持部と第２支持部との間隔は、基板Ｗの直径よりも小さい。各棚は、例えば、第１支持部と第２支持部とによって、基板Ｗの周縁部の下面を支持する。複数の棚は、各棚が基板Ｗを支持するときに、鉛直方向に隣り合う棚の間において基板Ｗを上方に移動させることが可能な間隔を有する。キャリアＣは、例えば、キャリアＣの識別、またはキャリアＣ内における基板Ｗの識別を行うための識別子としてのバーコードを有する。バーコードは、例えば、容器に付される。

また、インデクサ部２は、例えば、バーコードリーダ３１を備える。バーコードリーダ３１は、キャリア載置部３に載置されたキャリアＣに付されたバーコードを読み取る。バーコードリーダ３１は、例えば、キャリア載置部３に取り付けられる。バーコードリーダ３１は、制御部９と通信可能に接続されている。

第１搬送機構４は、搬送スペース３２に設置されている。第１搬送機構４は、キャリア載置部３の＋Ｘ側に配置されている。第１搬送機構４は、ハンド３３と、ハンド駆動部３４と、を備えている。

ハンド３３は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。ハンド３３は、基板Ｗの下面と接触することによって、基板Ｗを支持する。このとき、ハンド３３は、例えば、吸引部等によって基板Ｗを吸引してもよい。ハンド駆動部３４は、ハンド３３に連結されている。ハンド駆動部３４は、ハンド３３を移動する。

図２は、Ｙ軸方向における基板処理装置１の中央部の構成を示す側面図である。図１および図２で示されるように、ハンド駆動部３４は、レール３４ａと、水平移動部３４ｂと、垂直移動部３４ｃと、回転部３４ｄと、進退移動部３４ｅと、を備える。レール３４ａは、インデクサ部２の下部に固定されている。例えば、レール３４ａは、搬送スペース３２の底部に配置される。レール３４ａは、Ｙ軸方向に沿って延びている。水平移動部３４ｂは、レール３４ａに支持される。水平移動部３４ｂは、レール３４ａに対してＹ軸方向に沿って移動する。垂直移動部３４ｃは、水平移動部３４ｂに支持されている。垂直移動部３４ｃは、水平移動部３４ｂに対して上下方向（±Ｚ方向）に移動する。回転部３４ｄは、垂直移動部３４ｃに支持されている。回転部３４ｄは、垂直移動部３４ｃに対して回転する。回転部３４ｄは、仮想的な回転軸Ａｘ１を中心として回転する。仮想的な回転軸Ａｘ１は、鉛直方向（±Ｚ方向）と平行である。進退移動部３４ｅは、回転部３４ｄの向きによって決まる水平方向に沿った一方向に往復移動する。

ハンド３３は、進退移動部３４ｅに固定されている。ハンド３３は、ハンド駆動部３４によって、水平方向および上下方向（±Ｚ方向）のそれぞれに沿って平行に移動することができる。ハンド３３は、仮想的な回転軸Ａｘ１を中心として回転することができる。これにより、第１搬送機構４は、全てのキャリア載置部３に載置されるキャリアＣにアクセスすることが可能である。第１搬送機構４は、全てのキャリア載置部３に載置されたキャリアＣに基板Ｗを搬入することができるとともに、全てのキャリア載置部３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを搬出することができる。

＜１－１－２．処理ブロック＞
処理ブロック５は、インデクサ部２に接続されている。例えば、処理ブロック５は、インデクサ部２の＋Ｘ側に接続されている。

処理ブロック５は、載置部６と、複数の処理ユニット７と、第２搬送機構８と、を備えている。また、処理ブロック５は、搬送スペース４１を備えている。搬送スペース４１は、Ｙ軸方向における処理ブロック５の中央に配置されている。搬送スペース４１は、Ｘ軸方向に沿って延びている。搬送スペース４１は、インデクサ部２の搬送スペース３２と接している。載置部６および第２搬送機構８は、搬送スペース４１に設置されている。

載置部６は、第２搬送機構８の－Ｘ側に配置されている。載置部６は、第１搬送機構４の＋Ｘ側に配置されている。載置部６には、複数枚の基板Ｗが載置される。載置部６は、第１搬送機構４と第２搬送機構８との間に配置される。載置部６には、第１搬送機構４と第２搬送機構８との間で搬送される基板Ｗが載置される。載置部６には、上述した第１搬送機構４がアクセス可能である。第１搬送機構４は、載置部６に基板Ｗを搬入することが可能であり、載置部６から基板Ｗを搬出することが可能である。

載置部６には、複数枚の基板Ｗを載置することが可能である。載置部６は、例えば、Ｙ軸方向において互いに対向するように配置された一対の支持壁と、複数の棚と、を備えている。各支持壁は、例えば、ＸＺ平面に沿った形状を有する。一対の支持壁は、複数の棚を支持する。複数の棚は、鉛直方向に並ぶように配置されている。各棚は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で載置することが可能である。各棚は、例えば、＋Ｙ側の支持壁の内壁から－Ｙ方向に突出し且つＸ軸方向に沿って延びる第３支持部と、－Ｙ側の支持壁の内壁から＋Ｙ方向に突出し且つＸ軸方向に沿って延びる第４支持部と、を有する。各棚において、第３支持部と第４支持部との間隔は、基板Ｗの直径よりも小さい。各棚は、例えば、第３支持部と第４支持部とによって、基板Ｗの周縁部の下面を支持する。複数の棚は、各棚が基板Ｗを支持するときに、鉛直方向に隣り合う棚の間において基板Ｗを上方に移動させることが可能な間隔を有する。

第２搬送機構８は、ハンド６１と、ハンド駆動部６２と、を備える。

ハンド６１は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。ハンド６１は、基板Ｗの下面と接触することによって、基板Ｗを支持する。このとき、ハンド６１は、例えば、吸引部等によって基板Ｗを吸引してもよい。ハンド駆動部６２は、ハンド６１に連結されている。ハンド駆動部６２は、ハンド６１を移動する。

図２で示されるように、ハンド駆動部６２は、支柱６２ａと、垂直移動部６２ｂと、回転部６２ｃと、進退移動部６２ｄと、を備えている。支柱６２ａは、処理ブロック５の下部に固定されている。支柱６２ａは、鉛直方向に延びている。垂直移動部６２ｂは、支柱６２ａに支持されている。垂直移動部６２ｂは、支柱６２ａに対して上下方向（±Ｚ方向）に移動する。回転部６２ｃは、垂直移動部６２ｂに支持されている。回転部６２ｃは、垂直移動部６２ｂに対して回転する。回転部６２ｃは、仮想的な回転軸Ａｘ２を中心として回転する。仮想的な回転軸Ａｘ２は、鉛直方向と平行である。進退移動部６２ｄは、回転部６２ｃの向きによって決まる水平方向に沿った一方向に往復移動する。

ハンド６１は、進退移動部６２ｄに固定されている。ハンド６１は、ハンド駆動部６２によって、水平方向および上下方向（±Ｚ方向）のそれぞれに沿って平行に移動することができる。ハンド６１は、仮想的な回転軸Ａｘ２を中心として回転することができる。これにより、第２搬送機構８は、載置部６および全ての処理ユニット７にアクセス可能である。第２搬送機構８は、載置部６または処理ユニット７に基板Ｗを搬入することができるとともに、載置部６または処理ユニット７から基板Ｗを搬出することができる。

各処理ユニット７は、１枚の基板Ｗを処理する。複数の処理ユニット７は、搬送スペース４１の両側に配置されている。複数の処理ユニット７は、第２搬送機構８の＋Ｙ側および－Ｙ側のそれぞれに配置されている。具体的には、処理ブロック５は、第１処理セクション４２と、第２処理セクション４３と、を備える。第１処理セクション４２と、搬送スペース４１と、第２処理セクション４３とは、－Ｙ方向においてこの記載の順に並んでいる。第１処理セクション４２は、搬送スペース４１の＋Ｙ側に配置されている。第２処理セクション４３は、搬送スペース４１の－Ｙ側に配置されている。

図３は、基板処理装置１の－Ｙ側の部分の概略的な構成を示す側面図である。第２処理セクション４３には、複数の処理ユニット７が、Ｘ軸方向および鉛直方向（Ｚ軸方向）のそれぞれに沿うように行列状に配置されている。例えば、第２処理セクション４３には、６個の処理ユニット７が、鉛直方向（Ｚ軸方向）において３段をなすように配置されている。第２処理セクション４３の各段には、Ｘ軸方向に沿って並んだ２つの処理ユニットが配置されている。図示を省略しているが、第１処理セクション４２にも、第２処理セクション４３と同様に、複数の処理ユニット７が、Ｘ軸方向および鉛直方向（Ｚ軸方向）のそれぞれに沿うように行列状に配置されている。例えば、第１処理セクション４２には、６個の処理ユニット７が、鉛直方向（Ｚ軸方向）において３段をなすように配置されている。第１処理セクション４２の各段には、Ｘ軸方向に沿って並んだ２つの処理ユニットが配置されている。

＜１－１－３．制御部＞
図４は、基板処理装置１を制御するための機能的な構成を示すブロック図である。制御部９は、バーコードリーダ３１、第１搬送機構４、第２搬送機構８および複数の処理ユニット７と通信可能に接続されている。制御部９は、例えば、第１搬送機構４、第２搬送機構８および複数の処理ユニット７を制御する。

図５は、制御部９の一構成例を示すブロック図である。制御部９は、例えば、一般的なコンピュータ等で実現される。制御部９は、例えば、バスライン９Ｂｕを介して接続された、通信部９１、入力部９２、出力部９３、記憶部９４、処理部９５およびドライブ９６を有する。

通信部９１は、例えば、バーコードリーダ３１、第１搬送機構４、第２搬送機構８および複数の処理ユニット７のそれぞれとの間における通信回線を介した信号の送受信を行う。通信部９１は、例えば、基板処理装置１を管理するための管理用サーバからの信号を受信してもよい。

入力部９２は、例えば、オペレータの動作等に応じた信号を入力する。入力部９２は、例えば、操作に応じた信号を入力可能なマウスおよびキーボード等の操作部、音声に応じた信号を入力可能なマイクおよび動きに応じた信号を入力可能な各種センサ等を含む。

出力部９３は、例えば、各種情報をオペレータが認識可能な態様で出力する。出力部９３は、例えば、各種情報を可視的に出力する表示部および各種情報を可聴的に出力するスピーカ等を含む。表示部は、例えば、入力部９２の少なくとも一部と一体化されたタッチパネルの形態を有していてもよい。

記憶部９４は、例えば、プログラムＰｇ１および各種の情報を記憶する。記憶部９４は、例えば、ハードディスクまたはフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶媒体で構成される。記憶部９４には、例えば、１つの記憶媒体を有する構成、２つ以上の記憶媒体を一体的に有する構成、および２つ以上の記憶媒体を２つ以上の部分に分けて有する構成の何れが適用されてもよい。記憶媒体は、例えば、第１搬送機構４、第２搬送機構８および処理ユニット７の動作条件に関する情報を記憶する。処理ユニット７の動作条件に関する情報は、例えば、基板Ｗを処理するための処理レシピ（プロセスレシピ）を含む。記憶媒体は、例えば、各基板Ｗを識別するための情報を記憶していてもよい。

処理部９５は、例えば、プロセッサとして働く演算処理部９５ａおよび演算処理の作業領域としてのメモリ９５ｂ等を含む。演算処理部９５ａには、例えば、中央演算装置（ＣＰＵ）等の電子回路が適用され、メモリ９５ｂには、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）等が適用される。処理部９５は、例えば、記憶部９４に記憶されたプログラムＰｇ１を読み込んで実行することで、制御部９の機能を実現する。このため、制御部９では、例えば、プログラムＰｇ１に記述された手順に従って処理部９５が演算処理を行うことで、基板処理装置１の各部の動作を制御する各種の機能部が実現される。すなわち、基板処理装置１に含まれる制御部９によってプログラムＰｇ１が実行されることで、基板処理装置１の機能および動作が実現され得る。制御部９で実現される一部あるいは全部の機能部は、例えば、専用の論理回路等でハードウエア的に実現されてもよい。

ドライブ９６は、例えば、可搬性の記憶媒体Ｓｍ１の脱着が可能な部分である。ドライブ９６は、例えば、記憶媒体Ｓｍ１が装着されている状態で、この記憶媒体Ｓｍ１と処理部９５との間におけるデータの授受を行わせる。ドライブ９６は、プログラムＰｇ１が記憶された記憶媒体Ｓｍ１がドライブ９６に装着された状態で、記憶媒体Ｓｍ１から記憶部９４内にプログラムＰｇ１を読み込ませて記憶させる。

ここで、基板処理装置１の全体における動作の一例について説明する。基板処理装置１では、例えば、制御部９が、基板Ｗの搬送手順および処理条件等を記述したレシピにしたがって、基板処理装置１が備える各部を制御することで、以下に説明する一連の動作が実行される。

未処理の基板Ｗを収容したキャリアＣがキャリア載置部３上に載置されると、第１搬送機構４が、このキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出す。このとき、制御部９は、バーコードリーダ３１の検出結果（基板Ｗの形状に係る情報等）に応じて、ハンド駆動部３４を制御する。そして、第１搬送機構４は、載置部６に未処理の基板Ｗを搬送する。第２搬送機構８は、載置部６からレシピ等で指定された処理ユニット７に未処理の基板Ｗを搬送する。なお、第１搬送機構４と第２搬送機構８との間における基板Ｗの受け渡しは、例えば、ハンド３３とハンド６１との間で直接行われてもよい。基板Ｗが搬入された処理ユニット７は、基板Ｗに対して、定められた処理を実行する。処理ユニット７において基板Ｗに対する処理が終了すると、第２搬送機構８は、処理済みの基板Ｗを処理ユニット７から取り出す。第２搬送機構８は、処理済みの基板Ｗを載置部６に搬送する。第１搬送機構４は、載置部６からキャリア載置部３上のキャリアＣに基板Ｗを搬送する。基板処理装置１では、第１搬送機構４および第２搬送機構８がレシピにしたがって上述した搬送動作を反復して行うとともに、各処理ユニット７が処理レシピにしたがって基板Ｗに対する処理を実行する。これによって、基板Ｗに対する処理が次々と行われる。

＜１－２．処理ユニットの構成＞
各処理ユニット７は、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕに対して、エッチング、洗浄、疎水化および乾燥を、この記載の順に行う一連の基板処理を実行可能な枚葉式の処理ユニットである。

図６は、処理ユニット７の一構成例を模式的に示す側面図である。図７は、処理ユニット７の内部の一構成例を模式的に示す平面図である。

図６で示されるように、各処理ユニット７は、例えば、内部に処理空間を形成する処理チャンバ７ｗを備えている。処理チャンバ７ｗには、例えば、第２搬送機構８のハンド６１を処理チャンバ７ｗの内部に挿入させるための搬出入口（不図示）が形成されている。この搬出入口には、例えば、処理ユニット７の内部にハンド６１が挿入される際に開放され、処理ユニット７の内部にハンド６１が挿入されない際に閉鎖されるシャッター等が設けられている。このため、処理ユニット７は、例えば、第２搬送機構８が配置されている搬送スペース４１に、この搬出入口を対向させるようにして位置している。

ここで、処理ユニット７の具体的な構成について説明する。

図１および図３で示されるように、各処理ユニット７は、例えば、回転保持機構７２を備えている。回転保持機構７２は、例えば、保持部７２０を有する。

保持部７２０は、例えば、１枚の基板Ｗを水平姿勢で保持する。保持部７２０には、メカニカルチャックまたはメカニカルグリッパーが適用されてもよいし、ベルヌーイチャックまたはベルヌーイグリッパーが適用されてもよい。メカニカルチャックは、例えば、比較的に厚い基板Ｗを保持するのに適しており、ベルヌーイチャックは、例えば、比較的に薄い基板Ｗを保持するのに適している。第１実施形態では、例えば、第１処理セクション４２に配置される６個の処理ユニット７は、それぞれ、保持部７２０にメカニカルチャックまたはメカニカルグリッパーが適用された第１処理ユニット７Ａである。例えば、第２処理セクション４３に配置される６個の処理ユニット７は、それぞれ、保持部７２０にベルヌーイチャックまたはベルヌーイグリッパーが適用された第２処理ユニット７Ｂである。図６および図７には、第１処理ユニット７Ａの一構成例が示されている。ここでは、処理ユニット７の一構成例として、第１処理ユニット７Ａの構成を例に挙げて説明する。

図６で示されるように、保持部７２０は、例えば、スピンベース７２３と、複数個のチャックピン７２４と、を有する。スピンベース７２３は、例えば、略水平姿勢の円板状の部材である。複数個のチャックピン７２４は、例えば、スピンベース７２３の上面側の周縁部付近に立設されており、基板Ｗの周縁部を把持することで、基板Ｗを保持することが可能な部分である。具体的には、例えば、複数個のチャックピン７２４が、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。チャックピン７２４は、例えば、円形の基板Ｗを確実に保持するために３個以上設けてあればよく、スピンベース７２３の周縁部に沿って等角度間隔で配置されている。各チャックピン７２４は、例えば、基板Ｗの周縁部を下方から支持する部分（基板支持部ともいう）と、基板支持部に支持された基板Ｗの外周端面を押圧して基板Ｗを保持する部分（基板把持部ともいう）とを有する。また、各チャックピン７２４は、基板把持部が基板Ｗの外周端面を押圧する押圧状態と、基板把持部が基板Ｗの外周端面から離れる解放状態と、の間で切り替え可能に構成されている。ここで、第２搬送機構８が保持部７２０に対して基板Ｗを受け渡す際には、各チャックピン７２４が解放状態とされ、基板Ｗに対して基板処理を施す際には、各チャックピン７２４が押圧状態とされる。各チャックピン７２４が押圧状態となると、各チャックピン７２４は基板Ｗの周縁部を把持し、基板Ｗがスピンベース７２３から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持される。

また、図６で示されるように、回転保持機構７２は、例えば、中心軸７２１および回転機構７２２を有する。

中心軸７２１は、例えば、鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った長手方向と真円状の断面とを有する棒状の部材である。例えば、中心軸７２１の上端部に、スピンベース７２３の下面の略中央がネジ等の締結部品で固定されている。

回転機構７２２は、例えば、中心軸７２１を回転させるためのモータ等の駆動力を生じさせる部分（第１駆動部ともいう）である。ここでは、例えば、制御部９からの動作指令に応じて回転機構７２２によって中心軸７２１が回転されると、中心軸７２１に固定されたスピンベース７２３が、鉛直方向に沿って伸びる仮想的な軸（回転軸ともいう）７２ａを中心として回転する。すなわち、回転機構７２２は、回転軸７２ａを中心として保持部７２０を回転させることができる。これにより、例えば、保持部７２０によって略水平姿勢で保持された基板Ｗが回転軸７２ａを中心として回転される。回転軸７２ａは、例えば、保持部７２０に保持された基板Ｗにおける上面Ｗｕおよび下面Ｗｂのそれぞれの中心を通る。

また、図６で示されるように、各処理ユニット７は、例えば、ガード７３を備えている。

ガード７３は、回転保持機構７２の側方の周囲を取り囲むように配置されている。ガード７３は、例えば、昇降駆動部７３ｍによって互いに独立して昇降可能な複数のガード部を有する。具体的には、ガード７３は、例えば、第１ガード部７３１、第２ガード部７３２および第３ガード部７３３を有する。昇降駆動部７３ｍには、例えば、ボールネジ機構またはエアシリンダ等の種々の機構を適用することができる。これにより、昇降駆動部７３ｍは、例えば、制御部９からの動作指令に応じて、第１ガード部７３１、第２ガード部７３２および第３ガード部７３３のそれぞれを、鉛直方向に沿って昇降させることができる部分（第２駆動部ともいう）として機能する。換言すれば、制御部９は、昇降駆動部７３ｍによって第１ガード部７３１、第２ガード部７３２および第３ガード部７３３のそれぞれを鉛直方向に沿って昇降させる。これにより、制御部９は、昇降駆動部７３ｍによって、第１～３ガード部７３１，７３２，７３３を、それぞれ上昇された位置（上昇位置ともいう）と下降された位置（下降位置ともいう）との間で昇降させる。その結果、例えば、第１ガード部７３１、第２ガード部７３２および第３ガード部７３３の何れかによって、基板Ｗの上面Ｗｕ上から飛散する処理液を受け止めて回収することができる。

第１ガード部７３１は、例えば、回転保持機構７２の側方の周囲を取り囲むように配置される。第１ガード部７３１は、例えば、回転保持機構７２に保持された基板Ｗの中心を通る回転軸７２ａに対してほぼ回転対称となる形状を有する。この第１ガード部７３１は、例えば、回転軸７２ａを中心とした円筒状の形状を有する側壁部と、回転軸７２ａを中心とした円環状の形状を有し且つ側壁部の上端部から回転軸７２ａに近づくように斜め上方に伸びている上方傾斜部と、を有する。

第２ガード部７３２は、例えば、回転保持機構７２の側方の周囲を取り囲むように位置している第１ガード部７３１の外周部をさらに側方から取り囲むように配置されている。第２ガード部７３２は、例えば、回転保持機構７２に保持された基板Ｗの中心を通る回転軸７２ａに対してほぼ回転対称となる形状を有する。この第２ガード部７３２は、例えば、回転軸７２ａを中心とした円筒状の形状を有する側壁部と、回転軸７２ａを中心とした円環状の形状を有し且つ側壁部の上端部から回転軸７２ａに近づくように斜め上方に伸びている上方傾斜部と、を有する。

第３ガード部７３３は、例えば、回転保持機構７２の側方の周囲を順に取り囲むように位置している第１ガード部７３１および第２ガード部７３２の外周部をさらに側方から取り囲むように配置されている。第３ガード部７３３は、例えば、回転保持機構７２に保持された基板Ｗの中心を通る回転軸７２ａに対してほぼ回転対称となる形状を有する。この第３ガード部７３３は、例えば、回転軸７２ａを中心とした円筒状の形状を有する側壁部と、回転軸７２ａを中心とした円環状の形状を有し且つ側壁部の上端部から回転軸７２ａに近づくように斜め上方に伸びている上方傾斜部と、を有する。

ここで、例えば、第１ガード部７３１が、保持部７２０を側方から囲むように上昇位置に配されている場合には、回転保持機構７２に保持されて回転されている基板Ｗの上面Ｗｕに向けて吐出された処理液が、基板Ｗの上面Ｗｕから第１ガード部７３１に向けて飛散し、第１ガード部７３１の回転軸７２ａ側の壁面（内壁面ともいう）で受け止められる。第１ガード部７３１で受け止められた処理液は、例えば、第１ガード部７３１の内壁面に沿って流下し、第１排液槽７３４および第１排液ポート７３７を介して回収される。

また、ここで、例えば、第１ガード部７３１が下降位置まで下降されて、第２ガード部７３２が保持部７２０を側方から囲むように上昇位置に配されている場合には、回転保持機構７２に保持されて回転されている基板Ｗの上面Ｗｕに向けて吐出された処理液が、基板Ｗの上面Ｗｕから第２ガード部７３２に向けて飛散し、第２ガード部７３２の回転軸７２ａ側の壁面（内壁面ともいう）で受け止められる。第２ガード部７３２で受け止められた処理液は、例えば、第２ガード部７３２の内壁面に沿って流下し、第２排液槽７３５および第２排液ポート７３８を介して回収される。

また、ここで、例えば、第１ガード部７３１および第２ガード部７３２のそれぞれが下降位置まで下降されて、第３ガード部７３３が保持部７２０を側方から囲むように上昇位置に配されている場合には、回転保持機構７２に保持されて回転されている基板Ｗの上面Ｗｕに向けて吐出された処理液が、基板Ｗの上面Ｗｕから第３ガード部７３３に向けて飛散し、第３ガード部７３３の回転軸７２ａ側の壁面（内壁面ともいう）で受け止められる。第３ガード部７３３で受け止められた液体は、例えば、第３ガード部７３３の内壁面に沿って流下し、第３排液槽７３６および第３排液ポート７３９を介して回収される。

また、図６で示されるように、各処理ユニット７は、例えば、第１～３液吐出部７５１ｎ，７５２ｎ，７５３ｎ、第１～３液供給路７５１ｐ，７５２ｐ，７５３ｐおよび第１～３変更部７５１ｖ，７５２ｖ，７５３ｖを備えている。

第１液吐出部７５１ｎは、例えば、保持部７２０に水平姿勢で保持された基板Ｗの上面Ｗｕに沿った方向に向けて吐出口（第１吐出口ともいう）７５１ｏから処理液（第１処理液ともいう）を吐出することで、上面Ｗｕ上に第１処理液を供給する。第１液吐出部７５１ｎは、例えば、第１処理液を連続流の状態で吐出するストレートノズル等のノズルを含む。第１処理液は、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ：Diluted Hydrofluoric acid）、フッ酸－過酸化水素水混合液（ＦＰＭ：Hydrofluoric Peroxide Mixture）またはリン酸等の基板Ｗに対するエッチングを施すことが可能な液体（薬液ともいう）を含む。

第１液供給路７５１ｐは、第１処理液の供給源（第１供給源ともいう）と第１液吐出部７５１ｎとを接続している。第１液供給路７５１ｐには、例えば、各種の配管等が適用される。第１供給源は、例えば、薬液を貯留しているタンクおよびこのタンクから薬液を送り出すためのポンプ等の機構を含む。

第１変更部７５１ｖは、第１液供給路７５１ｐの途中に位置し、例えば、第１供給源から第１液吐出部７５１ｎへの第１処理液の単位時間あたりの供給量を変更する。第１変更部７５１ｖは、例えば、絞り度合い（開度ともいう）を調整することで第１供給源から第１液吐出部７５１ｎへの第１処理液の単位時間あたりの供給量を変更することが可能なニードル弁等の流量制御弁を含む。流量制御弁における絞り度合い（開度）は、例えば、モータの位置を示すパルス数等によって示される。流量制御弁の絞り度合い（開度）は、例えば、制御部９からのパルス数等に係る動作指令に応じて変更される。このため、例えば、制御部９は、第１変更部７５１ｖの開度を制御することで、第１液吐出部７５１ｎから基板Ｗの上面Ｗｕ上に対する第１処理液の吐出の有無を制御することができるとともに、第１液吐出部７５１ｎから基板Ｗの上面Ｗｕ上に対して第１処理液が吐出される速度（吐出速度ともいう）および第１液吐出部７５１ｎから基板Ｗの上面Ｗｕ上に対して単位時間あたりに第１処理液が吐出される量（吐出量ともいう）を変更することができる。

第２液吐出部７５２ｎは、例えば、保持部７２０に水平姿勢で保持された基板Ｗの上面Ｗｕに沿った方向に向けて吐出口（第２吐出口ともいう）７５２ｏから処理液（第２処理液ともいう）を吐出することで、上面Ｗｕ上に第２処理液を供給する。第２液吐出部７５２ｎは、例えば、第２処理液を連続流の状態で吐出するストレートノズル等のノズルを含む。第２処理液は、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の溶剤を含む。

第２液供給路７５２ｐは、第２処理液の供給源（第２供給源ともいう）と第２液吐出部７５２ｎとを接続している。第２液供給路７５２ｐには、例えば、各種の配管等が適用される。第２供給源は、例えば、ＩＰＡ等の溶剤を貯留しているタンクおよびこのタンクから溶剤を送り出すためのポンプ等の機構を含む。

第２変更部７５２ｖは、第２液供給路７５２ｐの途中に位置し、例えば、第２供給源から第２液吐出部７５２ｎへの第２処理液の単位時間あたりの供給量を変更する。第２変更部７５２ｖは、例えば、絞り度合い（開度ともいう）を調整することで第２供給源から第２液吐出部７５２ｎへの第２処理液の単位時間あたりの供給量を変更することが可能なニードル弁等の流量制御弁を含む。流量制御弁における絞り度合い（開度）は、例えば、モータの位置を示すパルス数等によって示される。流量制御弁の絞り度合い（開度）は、例えば、制御部９からのパルス数等に係る動作指令に応じて変更される。このため、例えば、制御部９は、第２変更部７５２ｖの開度を制御することで、第２液吐出部７５２ｎから基板Ｗの上面Ｗｕ上に対する第２処理液の吐出の有無を制御することができるとともに、第２液吐出部７５２ｎから基板Ｗの上面Ｗｕ上に対して第２処理液が吐出される速度（吐出速度）および第２液吐出部７５２ｎから基板Ｗの上面Ｗｕ上に対して単位時間あたりに第２処理液が吐出される量（吐出量ともいう）を変更することができる。

第３液吐出部７５３ｎは、例えば、保持部７２０に水平姿勢で保持された基板Ｗの上面Ｗｕに沿った方向に向けて吐出口（第３吐出口ともいう）７５３ｏから処理液（第３処理液ともいう）を吐出することで、上面Ｗｕ上に第３処理液を供給する。第３液吐出部７５３ｎは、例えば、第３処理液を連続流の状態で吐出するストレートノズル等のノズルを含む。第３処理液は、例えば、疎水化液を含む。疎水化液は、例えば、シリコン系の疎水化液を含む。シリコン系の疎水化液は、シリコン（Ｓｉ）自体およびシリコンを含む化合物を疎水化させる疎水化液である。シリコン系の疎水化液は、例えば、シランカップリング剤（シリル化剤ともいう）である。このシリル化剤は、例えば、分子の一端に加水分解でシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）を与えるエトキシ（又はメトキシ）基を有し、他端にアミノ基またはグリシジル基等の有機官能基を有する有機ケイ素化合物である。シリル化剤は、例えば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＳ（テトラメチルシラン）、フッ素化アルキルクロロシラン、アルキルジシラザン、および非クロロ系疎水化液の少なくとも一つを含む。非クロロ系疎水化液は、たとえば、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノトリメチルシラン、Ｎ－（トリメチルシリル）ジメチルアミンおよびオルガノシラン化合物の少なくとも一つを含む。

第３液供給路７５３ｐは、第３処理液の供給源（第３供給源ともいう）と第３液吐出部７５３ｎとを接続している。第３液供給路７５３ｐには、例えば、各種の配管等が適用される。第３供給源は、例えば、シリル化剤等の疎水化液を貯留しているタンクおよびこのタンクから疎水化液を送り出すためのポンプ等の機構を含む。

第３変更部７５３ｖは、第３液供給路７５３ｐの途中に位置し、例えば、第３供給源から第３液吐出部７５３ｎへの第３処理液の単位時間あたりの供給量を変更する。第３変更部７５３ｖは、例えば、絞り度合い（開度ともいう）を調整することで第３供給源から第３液吐出部７５３ｎへの第３処理液の単位時間あたりの供給量を変更することが可能なニードル弁等の流量制御弁を含む。流量制御弁における絞り度合い（開度）は、例えば、モータの位置を示すパルス数等によって示される。流量制御弁の絞り度合い（開度）は、例えば、制御部９からのパルス数等に係る動作指令に応じて変更される。このため、例えば、制御部９は、第３変更部７５３ｖの開度を制御することで、第３液吐出部７５３ｎから基板Ｗの上面Ｗｕ上に対する第３処理液の吐出の有無を制御することができるとともに、第３液吐出部７５３ｎから基板Ｗの上面Ｗｕ上に対して第３処理液が吐出される速度（吐出速度）および第３液吐出部７５３ｎから基板Ｗの上面Ｗｕ上に対して単位時間あたりに第３処理液が吐出される量（吐出量ともいう）を変更することができる。

図７で示されるように、第１液吐出部７５１ｎは、例えば、処理チャンバ７ｗに設けられた第１移動機構７５１ｍに連結されている。第１移動機構７５１ｍは、第１液吐出部７５１ｎを移動させる部分（第３駆動部）の一例である。

第１移動機構７５１ｍは、例えば、鉛直方向に沿って延びる仮想的な軸（仮想軸ともいう）７５１ａを中心として第１液吐出部７５１ｎを回動させる。第１移動機構７５１ｍは、例えば、仮想軸７５１ａを中心として回動自在に支持されているアームと、このアームを回動させるモータ等と、を含む。これにより、第１移動機構７５１ｍは、例えば、制御部９からの動作指令に応じて、第１液吐出部７５１ｎの第１吐出口７５１ｏを、保持部７２０の外周部の上方またはその近傍の位置（第１内側位置ともいう）と、第１内側位置よりも回転軸７２ａから離れた位置（第１外側位置ともいう）と、の間で移動させる。図７には、第１外側位置に位置している第１液吐出部７５１ｎが実線で描かれ、第１内側位置に位置している第１液吐出部７５１ｎが２点鎖線で描かれている。

また、第１移動機構７５１ｍは、例えば、第１液吐出部７５１ｎを鉛直方向に沿って昇降させる。第１移動機構７５１ｍには、例えば、ボールネジ機構またはエアシリンダ等の種々の機構を適用することができる。これにより、第１移動機構７５１ｍは、例えば、制御部９からの動作指令に応じて、第１液吐出部７５１ｎの第１吐出口７５１ｏを、保持部７２０に保持された基板Ｗの上面Ｗｕに沿った仮想平面に近接した位置（第１下位置ともいう）と、保持部７２０に保持された基板Ｗの上面Ｗｕに沿った仮想平面から上方に離れた位置（第１上位置ともいう）と、の間で移動させる。ここで、第１吐出口７５１ｏが、第１内側位置に配され且つ第１下位置に配されていれば、第１液吐出部７５１ｎは、基板Ｗの上面Ｗｕに対して第１処理液を吐出する位置（第１吐出位置ともいう）に配されている。このとき、例えば、第１吐出口７５１ｏは、基板Ｗの上面Ｗｕの上方に位置していなくてもよいし、基板Ｗの上面Ｗｕの外周部の上方に位置していてもよい。また、第１吐出口７５１ｏが、第１外側位置に配され且つ第１上位置に配されていれば、第１液吐出部７５１ｎは、保持部７２０上またはその近傍から退避された位置（第１退避位置ともいう）に配されている。

図７で示されるように、第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎのそれぞれは、例えば、処理チャンバ７ｗに設けられた第２移動機構７５２ｍに連結されている。第２移動機構７５２ｍは、第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎを移動させる部分（第３駆動部）の一例である。

第２移動機構７５２ｍは、例えば、鉛直方向に沿って延びる仮想的な軸（仮想軸ともいう）７５２ａを中心として第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎを回動させる。第２移動機構７５２ｍは、例えば、仮想軸７５２ａを中心として回動自在に支持されているアームと、このアームを回動させるモータ等と、を含む。これにより、第２移動機構７５２ｍは、例えば、制御部９からの動作指令に応じて、第２液吐出部７５２ｎの第２吐出口７５２ｏを、保持部７２０の外周部の上方またはその近傍の位置（第２内側位置ともいう）と、第２内側位置よりも回転軸７２ａから離れた位置（第２外側位置ともいう）と、の間で移動させるとともに、第３液吐出部７５３ｎの第３吐出口７５３ｏを、保持部７２０の外周部の上方またはその近傍の位置（第３内側位置ともいう）と、第３内側位置よりも回転軸７２ａから離れた位置（第３外側位置ともいう）と、の間で移動させる。図７には、第２外側位置に位置している第２液吐出部７５２ｎおよび第３外側位置に位置している第３液吐出部７５３ｎが実線で描かれ、第２内側位置に位置している第２液吐出部７５２ｎおよび第３内側位置に位置している第３液吐出部７５３ｎが２点鎖線で描かれている。

また、第２移動機構７５２ｍは、例えば、第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎを鉛直方向に沿って昇降させる。第２移動機構７５２ｍには、例えば、ボールネジ機構またはエアシリンダ等の種々の機構を適用することができる。これにより、第２移動機構７５２ｍは、例えば、制御部９からの動作指令に応じて、第２液吐出部７５２ｎの第２吐出口７５２ｏを、保持部７２０に保持された基板Ｗの上面Ｗｕに沿った仮想平面に近接した位置（第２下位置ともいう）と、保持部７２０に保持された基板Ｗの上面Ｗｕに沿った仮想平面から上方に離れた位置（第２上位置ともいう）と、の間で移動させるとともに、第３液吐出部７５３ｎの第３吐出口７５３ｏを、保持部７２０に保持された基板Ｗの上面Ｗｕに沿った仮想平面に近接した位置（第３下位置ともいう）と、保持部７２０に保持された基板Ｗの上面Ｗｕに沿った仮想平面から上方に離れた位置（第３上位置ともいう）と、の間で移動させる。

ここで、第２吐出口７５２ｏが、第２内側位置に配され且つ第２下位置に配されていれば、第２液吐出部７５２ｎは、基板Ｗの上面Ｗｕに対して第２処理液を吐出する位置（第２吐出位置ともいう）に配されている。このとき、例えば、第２吐出口７５２ｏは、基板Ｗの上面Ｗｕの上方に位置していなくてもよいし、基板Ｗの上面Ｗｕの外周部の上方に位置していてもよい。また、第２吐出口７５２ｏが、第２外側位置に配され且つ第２上位置に配されていれば、第２液吐出部７５２ｎは、保持部７２０上またはその近傍から退避された位置（第２退避位置ともいう）に配されている。また、第３吐出口７５３ｏが、第３内側位置に配され且つ第３下位置に配されていれば、第３液吐出部７５３ｎは、基板Ｗの上面Ｗｕに向けて第３処理液を吐出する位置（第３吐出位置ともいう）に配されている。このとき、例えば、下方向に向けて平面視して、第３吐出口７５３ｏは、基板Ｗの上面Ｗｕの上方に位置していなくてもよいし、基板Ｗの上面Ｗｕの外周部の上方に位置していてもよい。また、第３吐出口７５３ｏが、第３外側位置に配され且つ第３上位置に配されていれば、第３液吐出部７５３ｎは、保持部７２０上またはその近傍から退避された位置（第３退避位置ともいう）に配されている。

また、図６で示されるように、各処理ユニット７は、例えば、雰囲気制御部材７４を備えている。

雰囲気制御部材７４は、例えば、保持部７２０に水平姿勢で保持された基板Ｗの上面Ｗｕに対向している状態で上面Ｗｕ上に不活性ガスを供給する。これにより、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕに沿った空間における酸素濃度および湿気の低下等を図ることができる。その結果、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕ上に供給される各種の処理液に対する酸素および湿気による悪影響が生じにくくなる。具体的には、ここで言う悪影響は、例えば、過度なエッチングによる材料損失、基板Ｗの上面Ｗｕに沿った表層部の酸化、疎水化液における活性種の減少（失活ともいう）、疎水化液の塗布性の低下およびリンス液から溶剤への置換性の低下等を含み得る。

第１実施形態では、雰囲気制御部材７４は、例えば、保持部７２０に水平姿勢で保持された基板Ｗの上面Ｗｕを覆っている状態で、上面Ｗｕと雰囲気制御部材７４との間に不活性ガスを供給する板状の部分（遮断板ともいう）７４１を含む。遮断板７４１は、例えば、回転軸７２ａが中心を通る円板状の部材である。遮断板７４１の下面７４ｂは、基板Ｗの上面Ｗｕと略平行に対向する面となっており、基板Ｗの直径と同等以上の大きさを有する。この遮断板７４１によって、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気を厳格に制御することができる。

また、雰囲気制御部材７４は、例えば、支軸７４２を有する。支軸７４２の下端部に、遮断板７４１が略水平姿勢で取り付けられた状態にある。支軸７４２には、例えば、アーム７４３および第３移動機構７４ｍが順に連結されている。アーム７４３は、例えば、水平方向に延びている状態で、支軸７４２を保持している状態にある。第３移動機構７４ｍには、例えば、ボールネジ機構またはエアシリンダ等の種々の機構を適用することができる。これにより、第３移動機構７４ｍは、例えば、制御部９からの動作指令に応じて、アーム７４３、支軸７４２および遮断板７４１を鉛直方向に沿って昇降させる。第３移動機構７４ｍは、例えば、制御部９からの動作指令に応じて、遮断板７４１を保持部７２０に保持された基板Ｗの上面Ｗｕに近接させた位置（近接位置ともいう）または保持部７２０に保持された基板Ｗの上面Ｗｕから離間させた位置（離間位置ともいう）に配置させることができる。例えば、制御部９は、第３移動機構７４ｍの動作を制御することで、処理ユニット７に対して基板Ｗを搬入出させる際には、図６で示されるように、遮断板７４１を回転保持機構７２から上方向（＋Ｙ方向）に離間した離間位置に上昇させる一方、処理ユニット７において基板Ｗに対して所定の基板処理を施す際には、遮断板７４１を保持部７２０に保持された基板Ｗの上面Ｗｕに近接した近接位置まで下降させる。遮断板７４１が近接位置まで下降された状態は、例えば、後述する図８（ａ）および図９（ａ）に示されている。

また、雰囲気制御部材７４は、例えば、遮断板７４１の下面７４ｂの中央部から処理液を下方に吐出する中心ノズル群７４ｎを含む。中心ノズル群７４ｎは、例えば、遮断板７４１および基板Ｗの中心を通る仮想的な回転軸７２ａに沿って鉛直方向に延びている。中心ノズル群７４ｎは、保持部７２０の上方に配置されている。中心ノズル群７４ｎは、遮断板７４１および支軸７４２と共に昇降する。支軸７４２は、鉛直方向に沿って延びている筒状の形状を有し、鉛直方向に沿って貫通している貫通孔を有する。支軸７４２の貫通孔は、遮断板７４１の中央部を鉛直方向に沿って貫通する貫通孔に連通している。遮断板７４１の貫通孔は、遮断板７４１の下面７４ｂの中央部で開口している。中心ノズル群７４ｎは、支軸７４２の貫通孔内の空間に挿入された状態で位置している。中心ノズル群７４ｎの下面は、遮断板７４１の下面７４ｂと同じ高さまたは遮断板７４１の下面７４ｂよりも上方に位置している。

中心ノズル群７４ｎは、例えば、回転軸７２ａに沿って鉛直方向に延びている共通のケース内に収容された第１中心ノズル７４７ｎ、第２中心ノズル７４８ｎおよび第３中心ノズル７４９ｎを含む。第１中心ノズル７４７ｎ、第２中心ノズル７４８ｎおよび第３中心ノズル７４９ｎは、それぞれ回転軸７２ａに沿って鉛直方向に延びている。第１中心ノズル７４７ｎ、第２中心ノズル７４８ｎおよび第３中心ノズル７４９ｎのそれぞれは、例えば、鉛直方向に沿った直管で構成されている。第１中心ノズル７４７ｎ、第２中心ノズル７４８ｎおよび第３中心ノズル７４９ｎのそれぞれの下端に設けられた開口（吐出口）は、遮断板７４１の下面７４ｂと同じ高さまたは遮断板７４１の下面７４ｂより上方に配置されている。

第１中心ノズル７４７ｎは、第１液体バルブ７４７ｖが途中に設けられた第１液体供給路７４７ｐに接続されている。第１液体供給路７４７ｐには、例えば、配管が適用される。また、第１液体供給路７４７ｐは、第４処理液としての純水（ＤＩＷ：De-Ionized water）等のリンス液を供給する供給源（第４供給源ともいう）に接続されている。第４供給源は、例えば、第４処理液としてのＤＩＷ等のリンス液を貯留しているタンクおよびこのタンクからリンス液を送り出すためのポンプ等の機構を含む。ここで、例えば、制御部９の動作指令に応じて、第１液体バルブ７４７ｖが開かれると、第４供給源から第１液体供給路７４７ｐを介して第１中心ノズル７４７ｎに供給された第４処理液としてのリンス液が、第１中心ノズル７４７ｎの吐出口から下方に吐出される。

第２中心ノズル７４８ｎは、第２液体バルブ７４８ｖが途中に設けられた第２液体供給路７４８ｐに接続されている。第２液体供給路７４８ｐには、例えば、配管が適用される。また、第２液体供給路７４８ｐは、第５処理液としての疎水化液を供給する供給源（第５供給源ともいう）に接続されている。第５供給源は、例えば、シリル化剤等の疎水化液を貯留しているタンクおよびこのタンクから疎水化液を送り出すためのポンプ等の機構を含む。第５処理液は、第３処理液と同一であってもよいし、第３処理液と異なっていてもよい。第５供給源は、例えば、第３供給源と同一であってもよいし、第３供給源と異なっていてもよい。ここで、例えば、制御部９の動作指令に応じて、第２液体バルブ７４８ｖが開かれると、第５供給源から第２液体供給路７４８ｐを介して第２中心ノズル７４８ｎに供給された第５処理液としての疎水化液が、第２中心ノズル７４８ｎの吐出口から下方に吐出される。

第３中心ノズル７４９ｎは、第３液体バルブ７４９ｖが途中に設けられた第３液体供給路７４９ｐに接続されている。第３液体供給路７４９ｐには、例えば、配管が適用される。また、第３液体供給路７４９ｐは、第６処理液としての溶剤を供給する供給源（第６供給源ともいう）に接続されている。第６供給源は、例えば、ＩＰＡ等の溶剤を貯留しているタンクおよびこのタンクから溶剤を送り出すためのポンプ等の機構を含む。第６処理液は、第２処理液と同一であってもよいし、第２処理液と異なっていてもよい。第６供給源は、例えば、第２供給源と同一であってもよいし、第２供給源と異なっていてもよい。ここで、例えば、制御部９の動作指令に応じて、第３液体バルブ７４９ｖが開かれると、第６供給源から第３液体供給路７４９ｐを介して第３中心ノズル７４９ｎに供給された第６処理液としての溶剤が、第３中心ノズル７４９ｎの吐出口から下方に吐出される。

第１中心ノズル７４７ｎ、第２中心ノズル７４８ｎおよび第３中心ノズル７４９ｎは、中心ノズル群７４ｎの周囲に形成された筒状のガス流路を有する気体ノズル７４５ｎによって取り囲まれている。気体ノズル７４５ｎの下端は、中心ノズル群７４ｎを取り囲むように配された環状の開口（環状開口ともいう）を形成している。気体ノズル７４５ｎは、第１気体バルブ７４５ｖが途中に設けられた第１気体供給路７４５ｐに接続されている。第１気体供給路７４５ｐには、例えば、配管が適用される。また、第１気体供給路７４５ｐは、窒素ガス等の不活性ガスを供給する供給源（ガス供給源ともいう）に接続されている。ガス供給源は、例えば、窒素ガス等の不活性ガスを貯留しているボンベおよび圧力レギュレータ等を含む。ここで、例えば、制御部９の動作指令に応じて、第１気体バルブ７４５ｖが開かれると、ガス供給源から第１気体供給路７４５ｐを介して気体ノズル７４５ｎに供給された窒素ガス等の不活性ガスが、気体ノズル７４５ｎの環状開口から下方に吐出される。ここで、例えば、遮断板７４１が近接位置および離間位置の何れに位置している状態にあっても、制御部９の動作指令に応じて、窒素ガス等の不活性ガスを、気体ノズル７４５ｎの環状開口から下方に吐出することができる。但し、遮断板７４１が離間位置に位置している状態よりも、遮断板７４１が近接位置に位置している状態にあれば、制御部９の動作指令に応じて、窒素ガス等の不活性ガスを、気体ノズル７４５ｎの環状開口から下方に吐出することで、保持部７２０に保持された基板Ｗの上面Ｗｕ上の雰囲気を、例えば、酸素濃度がより低く、湿気がより少ない窒素ガス等の不活性ガスに置換することができる。すなわち、雰囲気制御部材７４からの不活性ガスの供給によって基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御を良好に行うことができる。

また、遮断板７４１は、例えば、遮断板７４１の下面７４ｂの周縁部において開口している複数のガス吐出口７４６ｏと、複数のガス吐出口７４６ｏのそれぞれに接続されたガス流路７４６ｒと、を含む。複数のガス吐出口７４６ｏは、例えば、遮断板７４１の下面７４ｂの周縁部における全域に分布している。ガス流路７４６ｒは、遮断板７４１の内部に設けられている。ガス流路７４６ｒは、第２気体バルブ７４６ｖが途中に設けられた第２気体供給路７４６ｐに接続されている。第２気体供給路７４６ｐには、例えば、配管が適用される。また、第２気体供給路７４６ｐは、窒素ガス等の不活性ガスを供給する供給源（ガス供給源）に接続されている。ガス供給源は、例えば、窒素ガス等の不活性ガスを貯留しているボンベおよび圧力レギュレータ等を含む。第１気体供給路７４５ｐおよび第２気体供給路７４６ｐは、それぞれ同一のガス供給源に接続されていてもよいし、それぞれ別々のガス供給源に接続されていてもよい。ここでは、例えば、第２気体バルブ７４６ｖが開かれると、窒素ガス等の不活性ガスが、ガス供給源から第２気体供給路７４６ｐおよびガス流路７４６ｒを介して各ガス吐出口７４６ｏに供給され、基板Ｗの上面Ｗｕの周縁部に向けて各ガス吐出口７４６ｏから下方に吐出される。ここで、例えば、遮断板７４１が近接位置および離間位置の何れに位置している状態にあっても、制御部９の動作指令に応じて、窒素ガス等の不活性ガスを、複数のガス吐出口７４６ｏから下方に吐出することができる。但し、遮断板７４１が離間位置に位置している状態よりも、遮断板７４１が近接位置に位置している状態にあれば、制御部９の動作指令に応じて、窒素ガス等の不活性ガスを、複数のガス吐出口７４６ｏから下方に吐出することで、保持部７２０に保持された基板Ｗの上面Ｗｕ上の雰囲気を、例えば、酸素濃度がより低く、湿気がより少ない窒素ガス等の不活性ガスに置換することができる。すなわち、雰囲気制御部材７４からの不活性ガスの供給によって基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御を良好に行うことができる。

また、処理ユニット７は、例えば、ファンフィルタユニット（ＦＦＵ）７ｆを備える。ＦＦＵ７ｆは、基板処理装置１が設置されているクリーンルーム内の空気をさらに清浄化して処理チャンバ７ｗ内の空間に供給することができる。このＦＦＵ７ｆは、例えば、処理チャンバ７ｗの天井壁に取り付けられている。ＦＦＵ７ｆは、クリーンルーム内の空気を取り込んで処理チャンバ７ｗ内に送り出すためのファンおよびフィルタ（例えば、ＨＥＰＡフィルタ）を備えており、処理チャンバ７ｗ内の処理空間に清浄空気のダウンフローを形成することができる。ＦＦＵ７ｆから供給された清浄空気を処理チャンバ７ｗ内により均一に分散させるために、多数の吹出し孔を穿設したパンチングプレートを天井壁の直下に配置してもよい。また、例えば、処理チャンバ７ｗの側壁の一部であって処理チャンバ７ｗの床壁の近傍には、排気機構に連通接続されている排気ダクト７ｅが設けられている。これにより、例えば、ＦＦＵ７ｆから供給されて処理チャンバ７ｗ内を流下した清浄空気のうち、ガード７３等の近傍を通過した空気は排気ダクト７ｅを介して基板処理装置１の外に排出される。なお、例えば、処理チャンバ７ｗ内の上部に窒素ガス等の不活性ガスを導入する構成が加えられてもよい。

＜１－３．第１～３液吐出部からの処理液の吐出＞
第１液吐出部７５１ｎ、第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎは、同様な態様で基板Ｗの上面Ｗｕ上に対して処理液を吐出することができる。このため、ここでは、第１液吐出部７５１ｎから基板Ｗの上面Ｗｕ上に向けて第１処理液を吐出する態様を代表例として図示しながら説明する。

図８および図９は、それぞれ第１液吐出部７５１ｎから基板Ｗの上面Ｗｕ上へ第１処理液Ｌｑ１を吐出している様子を模式的に示す図である。図８（ａ）および図９（ａ）は、それぞれ第１液吐出部７５１ｎから基板Ｗの上面Ｗｕ上へ第１処理液Ｌｑ１を吐出している様子を模式的に示す側面図である。図８（ｂ）および図９（ｂ）は、それぞれ第１液吐出部７５１ｎから基板Ｗの上面Ｗｕ上へ第１処理液Ｌｑ１を吐出している様子を模式的に示す平面図である。ここでは、図８（ａ）および図９（ａ）で示されるように、第１吐出口７５１ｏは、第１内側位置であり且つ第１下位置である第１吐出位置に配された状態にある。この状態において、第１液吐出部７５１ｎは、保持部７２０に水平姿勢で保持された基板Ｗの上面Ｗｕに沿った方向に向けて第１吐出口７５１ｏから第１処理液Ｌｑ１を吐出することができる。また、ここでは、図８（ａ）および図９（ａ）で示されるように、遮断板７４１は、近接位置に下降された状態にある。

ここで、例えば、制御部９は、第１供給源から第１液吐出部７５１ｎへの第１処理液Ｌｑ１の単位時間あたりの供給量を第１変更部７５１ｖに変更させることで、第１液吐出部７５１ｎから吐出される第１処理液Ｌｑ１の吐出速度を変化させることができる。これにより、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの第１液吐出部７５１ｎから吐出される第１処理液Ｌｑ１が供給される位置（液供給位置ともいう）が変化する。液供給位置は、例えば、第１液吐出部７５１ｎから吐出された第１処理液Ｌｑ１が基板Ｗの上面Ｗｕに最初に到達する位置（着液位置ともいう）である。このような構成が採用されれば、例えば、雰囲気制御部材７４からの不活性ガスの供給によって基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御を良好に行いつつ、第１液吐出部７５１ｎを揺動させずに、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲における第１処理液Ｌｑ１の液供給位置のスキャンを行うことができる。よって、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御と基板Ｗの上面Ｗｕに対する処理のばらつきの低減とを同時に実現することができる。

例えば、第２液吐出部７５２ｎについても、制御部９は、第２供給源から第２液吐出部７５２ｎへの第２処理液の単位時間あたりの供給量を第２変更部７５２ｖに変更させることで、第２液吐出部７５２ｎから吐出される第２処理液の吐出速度を変化させることにより、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの第２液吐出部７５２ｎから吐出される第２処理液が供給される位置（液供給位置）が変化する。この液供給位置は、例えば、第２液吐出部７５２ｎから吐出された第２処理液が基板Ｗの上面Ｗｕに最初に到達する位置（着液位置）である。例えば、第３液吐出部７５３ｎについても、制御部９は、第３供給源から第３液吐出部７５３ｎへの第３処理液の単位時間あたりの供給量を第３変更部７５３ｖに変更させることで、第３液吐出部７５３ｎから吐出される第３処理液の吐出速度を変化させることにより、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの第３液吐出部７５３ｎから吐出される第３処理液が供給される位置（液供給位置）が変化する。この液供給位置は、例えば、第３液吐出部７５３ｎから吐出された第３処理液が基板Ｗの上面Ｗｕに最初に到達する位置（着液位置）である。これらの制御によっても、例えば、雰囲気制御部材７４からの不活性ガスの供給によって基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御を良好に行いつつ、第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎを揺動させずに、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲における第２処理液および第３処理液の液供給位置のスキャンを行うことができる。よって、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御と基板Ｗの上面Ｗｕに対する処理のばらつきの低減とを同時に実現することができる。

ここでは、例えば、制御部９は、図８（ａ）および図８（ｂ）で示されるように、第１処理液Ｌｑ１の液供給位置が上面Ｗｕのうちの中央部およびその近傍を含む領域（中央領域ともいう）Ａ１内であるときよりも、図９（ａ）および図９（ｂ）で示されるように、第１処理液Ｌｑ１の液供給位置が上面Ｗｕのうちの外周端部側の領域（端部側領域ともいう）Ａ２内であるときの方が、第１液吐出部７５１ｎから吐出される第１処理液Ｌｑ１の吐出速度が小さくなるように、第１変更部７５１ｖによって第１供給源から第１液吐出部７５１ｎへの第１処理液Ｌｑ１の単位時間あたりの供給量を低下させる態様が考えられる。ここでは、例えば、上面Ｗｕにおける回転軸７２ａ上の点（中心点ともいう）から外縁までの距離（半径）をＤとし、３以上の整数をＮとした場合に、上面Ｗｕのうちの中心点からＤ／Ｎまでの領域を中央領域Ａ１とすることができ、上面Ｗｕのうちの外縁からＤ／Ｎまでの領域を端部側領域Ａ２とすることができる。Ｎは、好ましくは、５以上であればよい。

上記態様が採用されれば、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの中央領域Ａ１から端部側領域Ａ２に至る広範囲において第１処理液Ｌｑ１の液供給位置のスキャンを行うことができる。また、例えば、第１処理液Ｌｑ１の液供給位置が中央領域Ａ１内であるときには、上面Ｗｕ上に対する第１処理液Ｌｑ１の単位時間あたりの供給量が相対的に増加し、基板Ｗの回転軸７２ａを中心とした回転によって、第１処理液Ｌｑ１が上面Ｗｕ上の広範囲に拡がる。これに対して、例えば、第１処理液Ｌｑ１の液供給位置が端部側領域Ａ２内であるときには、上面Ｗｕ上に対する第１処理液Ｌｑ１の単位時間あたりの供給量および吐出速度が相対的に低下し、保持部７２０のうちの基板Ｗの外縁部を保持している複数のチャックピン７２４における第１処理液Ｌｑ１の液跳ねが生じにくい。

例えば、第２液吐出部７５２ｎについても、制御部９が、第２処理液の液供給位置が上面Ｗｕのうちの中央領域Ａ１内であるときよりも、第２処理液の液供給位置が上面Ｗｕのうちの端部側領域Ａ２内であるときの方が、第２液吐出部７５２ｎから吐出される第２処理液の吐出速度が小さくなるように、第２変更部７５２ｖによって第２供給源から第２液吐出部７５２ｎへの第２処理液の単位時間あたりの供給量を低下させる態様が考えられる。例えば、第３液吐出部７５３ｎについても、制御部９が、第３処理液の液供給位置が上面Ｗｕのうちの中央領域Ａ１内であるときよりも、第３処理液の液供給位置が上面Ｗｕのうちの端部側領域Ａ２内であるときの方が、第３液吐出部７５３ｎから吐出される第２処理液の吐出速度が小さくなるように、第３変更部７５３ｖによって第３供給源から第３液吐出部７５３ｎへの第３処理液の単位時間あたりの供給量を低下させる態様が考えられる。これらの態様が採用されても、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの中央領域Ａ１から端部側領域Ａ２に至る広範囲において第２処理液および第３処理液の液供給位置のスキャンを行うことができるとともに、保持部７２０のうちの基板Ｗの外縁部を保持している複数のチャックピン７２４における第２処理液および第３処理液の液跳ねが生じにくい。

ここで、例えば、制御部９は、第１変更部７５１ｖによって第１供給源から第１液吐出部７５１ｎへの第１処理液Ｌｑ１の単位時間あたりの供給量を増減させることで、基板Ｗの上面Ｗｕ上における液供給位置を中央領域Ａ１と端部側領域Ａ２との間で複数回往復させてもよい。これにより、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲において第１処理液Ｌｑ１の液供給位置のスキャンを複数回行うことで、基板Ｗの上面Ｗｕに対する処理のばらつきをより低減することができる。例えば、第２液吐出部７５２ｎについても、制御部９は、第２変更部７５２ｖによって第２供給源から第２液吐出部７５２ｎへの第２処理液の単位時間あたりの供給量を増減させることで、基板Ｗの上面Ｗｕ上における液供給位置を中央領域Ａ１と端部側領域Ａ２との間で複数回往復させてもよい。例えば、第３液吐出部７５３ｎについても、制御部９は、第３変更部７５３ｖによって第３供給源から第３液吐出部７５３ｎへの第３処理液の単位時間あたりの供給量を増減させることで、基板Ｗの上面Ｗｕ上における液供給位置を中央領域Ａ１と端部側領域Ａ２との間で複数回往復させてもよい。

ここでは、例えば、記憶部９４等に記憶された処理レシピ等において、各処理ユニット７について、第１液吐出部７５１ｎに係る第１変更部７５１ｖの開度（パルス数等）の最大値および最小値ならびに開度の変化に要する時間と、第２液吐出部７５２ｎに係る第２変更部７５２ｖの開度（パルス数等）の最大値および最小値ならびに開度の変化に要する時間と、第３液吐出部７５３ｎに係る第３変更部７５３ｖの開度（パルス数等）の最大値および最小値ならびに開度の変化に要する時間と、が規定されていれば、上記の制御が可能となる。処理レシピにおいては、例えば、開度（パルス数等）とともに処理液の流量が併せて規定されていてもよい。

また、第１実施形態では、例えば、第１液吐出部７５１ｎは、第１処理液Ｌｑ１が基板Ｗの上面Ｗｕと雰囲気制御部材７４（ここでは、下面７４ｂ）との間の空間を通って上面Ｗｕに着液するように、第１処理液Ｌｑ１を吐出する。これにより、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕの広い範囲に雰囲気制御部材７４を対向させた状態で、基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御をより厳格に行いつつ、第１液吐出部７５１ｎを揺動させずに、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲において第１処理液Ｌｑ１の液供給位置のスキャンを行うことができる。また、第１実施形態では、例えば、第２液吐出部７５２ｎは、第２処理液が基板Ｗの上面Ｗｕと雰囲気制御部材７４（ここでは、下面７４ｂ）との間の空間を通って上面Ｗｕに着液するように第２処理液を吐出し、第３液吐出部７５３ｎは、第３処理液が基板Ｗの上面Ｗｕと雰囲気制御部材７４（ここでは、下面７４ｂ）との間の空間を通って上面Ｗｕに着液するように第３処理液を吐出する。これにより、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕの広い範囲に雰囲気制御部材７４を対向させた状態で、基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御をより厳格に行いつつ、第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎを揺動させずに、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲において第２処理液および第３処理液の液供給位置のスキャンを行うことができる。

また、ここでは、例えば、第１吐出口７５１ｏが、鉛直方向において上面Ｗｕよりも高く且つ雰囲気制御部材７４の下面７４ｂよりも低い位置に配置された状態で上面Ｗｕに沿った方向に向けて第１処理液Ｌｑ１を吐出すれば、雰囲気制御部材７４による基板Ｗ上の雰囲気の制御を行いつつ、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲に第１処理液Ｌｑ１を供給することができる。また、例えば、第２吐出口７５２ｏが、鉛直方向において上面Ｗｕよりも高く且つ雰囲気制御部材７４の下面７４ｂよりも低い位置に配置された状態で上面Ｗｕに沿った方向に向けて第２処理液を吐出すれば、雰囲気制御部材７４による基板Ｗ上の雰囲気の制御を行いつつ、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲に第２処理液を供給することができる。また、例えば、第３吐出口７５３ｏが、鉛直方向において上面Ｗｕよりも高く且つ雰囲気制御部材７４の下面７４ｂよりも低い位置に配置された状態で上面Ｗｕに沿った方向に向けて第３処理液を吐出すれば、雰囲気制御部材７４による基板Ｗ上の雰囲気の制御を行いつつ、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲に第３処理液を供給することができる。

図１０は、第１液吐出部７５１ｎから基板Ｗの上面Ｗｕ上へ第１処理液Ｌｑ１を吐出する方向を模式的に示す図である。図１０（ａ）は、第１液吐出部７５１ｎから基板Ｗの上面Ｗｕ上へ第１処理液Ｌｑ１を吐出する方向を模式的に示す側面図である。図１０（ｂ）は、第１液吐出部７５１ｎの構造を模式的に示す縦断面図である。図１０（ａ）および図１０（ｂ）には、第１吐出口７５１ｏが第１処理液Ｌｑ１を吐出する予め設定された方向（吐出方向ともいう）７５ｄが２点鎖線の矢印で示されている。

ここで、図１０（ａ）で示されるように、第１液吐出部７５１ｎが基板Ｗの上面Ｗｕに第１処理液Ｌｑ１を供給する際に、上面Ｗｕを基準とした第１吐出口７５１ｏの鉛直方向における高さをＨとし、仮想的な回転軸７２ａと第１吐出口７５１ｏとの水平方向における距離をＲとし、第１吐出口７５１ｏを通る仮想的な水平面と第１吐出口７５１ｏが第１処理液Ｌｑ１を吐出する方向（吐出方向）７５ｄとが成す角度をθとする。そして、吐出方向７５ｄが水平方向よりも下向きの方向であるときに角度θが正の値を示し、且つ吐出方向７５ｄが水平方向よりも上向きの方向であるときに角度θが負の値を示すものとする。この場合に、例えば、０≦θ≦ｔａｎ^－１（Ｈ／Ｒ）の関係式を満たせば、第１処理液Ｌｑ１に対する重力の影響も考慮して、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの仮想的な回転軸７２ａ上の部分まで第１処理液Ｌｑ１を容易に供給することができる。

また、例えば、第２液吐出部７５２ｎが基板Ｗの上面Ｗｕに第２処理液を供給する際に、上面Ｗｕを基準とした第２吐出口７５２ｏの鉛直方向における高さをＨとし、仮想的な回転軸７２ａと第２吐出口７５２ｏとの水平方向における距離をＲとし、第２吐出口７５２ｏを通る仮想的な水平面と第２吐出口７５２ｏが第２処理液を吐出する方向（吐出方向）とが成す角度をθとし、吐出方向が水平方向よりも下向きの方向であるときに角度θが正の値を示し、且つ吐出方向が水平方向よりも上向きの方向であるときに角度θが負の値を示すものとした場合に、０≦θ≦ｔａｎ^－１（Ｈ／Ｒ）の関係式を満たせば、第２処理液に対する重力の影響も考慮して、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの仮想的な回転軸７２ａ上の部分まで第２処理液を容易に供給することができる。

また、例えば、第３液吐出部７５３ｎが基板Ｗの上面Ｗｕに第３処理液を供給する際に、上面Ｗｕを基準とした第３吐出口７５３ｏの鉛直方向における高さをＨとし、仮想的な回転軸７２ａと第３吐出口７５３ｏとの水平方向における距離をＲとし、第３吐出口７５３ｏを通る仮想的な水平面と第３吐出口７５３ｏが第３処理液を吐出する方向（吐出方向）とが成す角度をθとし、吐出方向が水平方向よりも下向きの方向であるときに角度θが正の値を示し、且つ吐出方向が水平方向よりも上向きの方向であるときに角度θが負の値を示すものとした場合に、０≦θ≦ｔａｎ^－１（Ｈ／Ｒ）の関係式を満たせば、第３処理液に対する重力の影響も考慮して、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの仮想的な回転軸７２ａ上の部分まで第３処理液を容易に供給することができる。

ここで、例えば、図１０（ｂ）で示されるように、第１液吐出部７５１ｎが、第１管状部７５ｐ１、第２管状部７５ｐ２および第３管状部７５ｐ３を有する態様が考えられる。第１管状部７５ｐ１は、例えば、水平方向に沿って延びている状態にあり、先端に第１吐出口７５１ｏを有する。第２管状部７５ｐ２は、例えば、第１管状部７５ｐ１に連通している状態で、第１管状部７５ｐ１から上方に向けて延びている状態にある。第３管状部７５ｐ３は、例えば、第２管状部７５ｐ２に連通している状態で第２管状部７５ｐ２から水平方向に向けて延びている状態にある。換言すれば、第１液吐出部７５１ｎは、第１液供給路７５１ｐから第１吐出口７５１ｏに向けて、第３管状部７５ｐ３、第２管状部７５ｐ２および第１管状部７５ｐ１が、この記載の順番に連通するように接続された形態を有する。このような構成が採用されれば、例えば、図８（ａ）および図９（ａ）で示されるように、ガード７３と雰囲気制御部材７４との隙間を第２管状部７５ｐ２が挿通している状態で、第１吐出口７５１ｏを、保持部７２０に保持された基板Ｗの上面Ｗｕに沿った方向に向けて第１処理液Ｌｑ１を吐出するための位置に配置することができる。そして、ここで、例えば、第１管状部７５ｐ１が、予め設定された吐出方向７５ｄに沿って延びており、吐出方向７５ｄの先端に第１吐出口７５１ｏを有していれば、第１吐出口７５１ｏから吐出される第１処理液Ｌｑ１の吐出方向７５ｄが安定し得る。ここでは、例えば、第１管状部７５ｐ１の内径が第１吐出口７５１ｏに向けて減少しているような形態が採用される。

ここでは、例えば、第２液吐出部７５２ｎが、第１液吐出部７５１ｎと同様な形態を有していてもよい。具体的には、第２液吐出部７５２ｎが、第１管状部７５ｐ１、第２管状部７５ｐ２および第３管状部７５ｐ３を有する態様が考えられる。この場合には、例えば、第１管状部７５ｐ１は、例えば、水平方向に沿って延びている状態で先端に第２吐出口７５２ｏを有し、第２管状部７５ｐ２は、第１管状部７５ｐ１に連通している状態で第１管状部７５ｐ１から上方に向けて延びている状態にあり、第３管状部７５ｐ３は、第２管状部７５ｐ２に連通している状態で第２管状部７５ｐ２から水平方向に向けて延びている状態にある。換言すれば、第２液吐出部７５２ｎは、第２液供給路７５２ｐから第２吐出口７５２ｏに向けて、第３管状部７５ｐ３、第２管状部７５ｐ２および第１管状部７５ｐ１が、この記載の順番に連通するように接続された形態を有する。このような構成が採用されれば、例えば、ガード７３と雰囲気制御部材７４との隙間を第２管状部７５ｐ２が挿通している状態で、第２吐出口７５２ｏを、保持部７２０に保持された基板Ｗの上面Ｗｕに沿った方向に向けて第２処理液を吐出するための位置に配置することができる。そして、ここで、例えば、第１管状部７５ｐ１が、予め設定された吐出方向７５ｄに沿って延びており、吐出方向７５ｄの先端に第２吐出口７５２ｏを有していれば、第２吐出口７５２ｏから吐出される第２処理液の吐出方向７５ｄが安定し得る。ここでも、例えば、第１管状部７５ｐ１の内径が第１吐出口７５１ｏに向けて減少しているような形態が採用される。

ここでは、例えば、第３液吐出部７５３ｎが、第１液吐出部７５１ｎと同様な形態を有していてもよい。具体的には、第３液吐出部７５３ｎが、第１管状部７５ｐ１、第２管状部７５ｐ２および第３管状部７５ｐ３を有する態様が考えられる。この場合には、例えば、第１管状部７５ｐ１は、例えば、水平方向に沿って延びている状態で先端に第３吐出口７５３ｏを有し、第２管状部７５ｐ２は、第１管状部７５ｐ１に連通している状態で第１管状部７５ｐ１から上方に向けて延びている状態にあり、第３管状部７５ｐ３は、第２管状部７５ｐ２に連通している状態で第２管状部７５ｐ２から水平方向に向けて延びている状態にある。換言すれば、第３液吐出部７５３ｎは、第３液供給路７５３ｐから第３吐出口７５３ｏに向けて、第３管状部７５ｐ３、第２管状部７５ｐ２および第１管状部７５ｐ１が、この記載の順番に連通するように接続された形態を有する。このような構成が採用されれば、例えば、ガード７３と雰囲気制御部材７４との隙間を第２管状部７５ｐ２が挿通している状態で、第３吐出口７５３ｏを、保持部７２０に保持された基板Ｗの上面Ｗｕに沿った方向に向けて第３処理液を吐出するための位置に配置することができる。そして、ここで、例えば、第１管状部７５ｐ１が、予め設定された吐出方向７５ｄに沿って延びており、吐出方向７５ｄの先端に第３吐出口７５３ｏを有していれば、第３吐出口７５３ｏから吐出される第３処理液の吐出方向７５ｄが安定し得る。ここでも、例えば、第１管状部７５ｐ１の内径が第１吐出口７５１ｏに向けて減少しているような形態が採用される。

＜１－４．処理ユニットの動作＞
図１１および図１２は、処理ユニット７における基板Ｗに対する一連の基板処理の動作フローの一例を示す流れ図である。本動作フローは、制御部９によって基板処理装置１の動作が制御されることで実現される。ここで、処理対象となる基板Ｗには、例えば、デバイス形成面である表面に薄膜パターンが形成された基板Ｗが用いられる。薄膜パターンは、例えば、酸化シリコン膜等の絶縁膜を含む。薄膜パターンは、例えば、低抵抗化のための不純物を導入したアモルファスシリコン膜または金属膜等の導電膜を含んでいてもよいし、ポリシリコン膜、窒化シリコン膜、ＢＳＧ膜（ホウ素を含む酸化シリコン膜）およびＴＥＯＳ膜（ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたＣＶＤ法で形成された酸化シリコン膜）等の複数の膜を積層した積層膜を含んでいてもよい。図１３から図１９は、処理ユニット７における基板Ｗに対する一連の基板処理の動作の一例を説明するための模式的な側面図である。図１３から図１９では、図面の複雑化を防ぐ観点から、処理ユニット７の一部の構成が便宜的に省略されている。

一連の基板処理の動作が開始される初期の状態では、例えば、図１３（ａ）で示されるように、第１～３ガード部７３１，７３２，７３３が下降位置に配され、遮断板７４１が離間位置に配されている状態にある。また、ここでは、図示を省略しているが、第１液吐出部７５１ｎが第１退避位置に配され、第２液吐出部７５２ｎが第２退避位置に配され、第３液吐出部７５３ｎが第３退避位置に配されている状態にある。

まず、例えば、図１３（ｂ）で示されるように、第２搬送機構８によって処理ユニット７内に未処理の基板Ｗが搬入され、保持部７２０によってデバイス形成面である表面を上に向けた状態で基板Ｗが保持される（図１１のステップＳｐ１）。換言すれば、例えば、基板Ｗを水平姿勢で保持部７２０に保持させる工程（保持工程ともいう）が行われる。ここでは、基板Ｗのデバイス形成面が上面Ｗｕとなる。

次に、例えば、図１３（ｃ）で示されるように、昇降駆動部７３ｍによって第１～３ガード部７３１，７３２，７３３を下降位置から上昇位置まで上昇させるとともに、回転機構７２２によって保持部７２０の回転軸７２ａを中心とした回転を開始させる（ステップＳｐ２）。

次に、図１４（ａ）で示されるように、第３移動機構７４ｍによって雰囲気制御部材７４を下降させて遮断板７４１を近接位置に配置する（ステップＳｐ３）。ここでは、基板Ｗの上面Ｗｕと遮断板７４１の下面７４ｂとの距離は、例えば、１０ｍｍ程度とされる。また、このとき、第１気体バルブ７４５ｖおよび第２気体バルブ７４６ｖを開けることで雰囲気制御部材７４のうちの気体ノズル７４５ｎの環状開口および複数のガス吐出口７４６ｏから基板Ｗの上面Ｗｕに向けた不活性ガスの吐出を開始させる。ここでは、雰囲気制御部材７４から基板Ｗの上面Ｗｕに向けた不活性ガスの吐出量は、例えば、毎分１００リットル（１００Ｌ／ｍｉｎ）程度とされる。また、このとき、第１移動機構７５１ｍによって第１液吐出部７５１ｎを第１吐出位置まで進出させる。ここでは、例えば、雰囲気制御部材７４の下降、不活性ガスの吐出の開始および第１液吐出部７５１ｎの第１吐出位置までの進出の順番は、適宜設定されてもよい。

次に、第１変更部７５１ｖに含まれる流量制御弁が開かれて、第１供給源から第１液吐出部７５１ｎに向けて第１処理液Ｌｑ１（薬液）が供給されることで、図１４（ｂ）および図１４（ｃ）で示されるように、第１液吐出部７５１ｎから第１処理液Ｌｑ１（薬液）が吐出される（ステップＳｐ４）。これにより、基板Ｗの上面Ｗｕに薬液が供給され、基板Ｗの上面Ｗｕに対して薬液による処理（薬液処理ともいう）が施される。ここでは、例えば、薬液としてＤＨＦが使用される。そして、薬液処理が予め設定された時間にわたって実行されると、第１変更部７５１ｖに含まれる流量制御弁が閉じられて、第１液吐出部７５１ｎからの薬液の吐出が停止される。

このステップＳｐ４では、保持部７２０に水平姿勢で保持された基板Ｗの上面Ｗｕに対向している状態で位置している雰囲気制御部材７４から上面Ｗｕ上に不活性ガスを供給しつつ、保持部７２０を回転させながら、第１液吐出部７５１ｎから上面Ｗｕに沿った方向に向けて第１処理液Ｌｑ１を吐出することで上面Ｗｕ上に第１処理液Ｌｑ１を供給する工程（第１処理工程ともいう）が実施される。この第１処理工程では、第１液吐出部７５１ｎから吐出される第１処理液Ｌｑ１の吐出速度を変化させることで、上面Ｗｕのうちの第１液吐出部７５１ｎから吐出される第１処理液Ｌｑ１が供給される液供給位置を変化させる。このとき、例えば、制御部９が、第１供給源から第１液吐出部７５１ｎへの第１処理液Ｌｑ１の単位時間あたりの供給量を第１変更部７５１ｖに変更させることで、第１液吐出部７５１ｎから吐出される第１処理液Ｌｑ１の吐出速度を変化させることができる。このため、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御を行いつつ、第１液吐出部７５１ｎを揺動させずに、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲における第１処理液Ｌｑ１の液供給位置のスキャンを行うことができる。その結果、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御と基板Ｗの上面Ｗｕに対する処理のばらつきの低減とを同時に実現することができる。図１４（ｂ）には、第１処理液Ｌｑ１の液供給位置が上面Ｗｕのうちの中央領域Ａ１内である状態の一例を示しており、図１４（ｃ）には、第１処理液Ｌｑ１の液供給位置が上面Ｗｕのうちの端部側領域Ａ２内である状態の一例を示している。

第１処理工程では、例えば、第１処理液Ｌｑ１の液供給位置が上面Ｗｕのうちの中央領域Ａ１内であるときよりも、第１処理液Ｌｑ１の液供給位置が上面Ｗｕのうちの端部側領域Ａ２内であるときの方が、第１液吐出部７５１ｎからの第１処理液Ｌｑ１の吐出速度が小さくなるように、第１供給源から第１液吐出部７５１ｎへの第１処理液Ｌｑ１の単位時間あたりの供給量を低下させる。これにより、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの中央領域Ａ１から端部側領域Ａ２に至る広範囲において第１処理液Ｌｑ１の液供給位置のスキャンを行うことができる。また、例えば、第１処理液Ｌｑ１の液供給位置が中央領域Ａ１内であるときには、上面Ｗｕ上に対する第１処理液Ｌｑ１の単位時間あたりの供給量が相対的に増加し、基板Ｗの回転軸７２ａを中心とした回転によって、第１処理液Ｌｑ１が上面Ｗｕ上の広範囲に拡がる。これに対して、例えば、第１処理液Ｌｑ１の液供給位置が端部側領域Ａ２内であるときには、上面Ｗｕ上に対する第１処理液Ｌｑ１の単位時間あたりの供給量および吐出速度が相対的に低下し、保持部７２０のうちの基板Ｗの外縁部を保持している複数のチャックピン７２４における第１処理液Ｌｑ１液跳ねが生じにくい。

また、第１処理工程では、例えば、第１供給源から第１液吐出部７５１ｎへの第１処理液Ｌｑ１の単位時間あたりの供給量を増減させることで、第１処理液Ｌｑ１の液供給位置を中央領域Ａ１内と端部側領域Ａ２内との間で複数回往復させれば、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲において第１処理液Ｌｑ１の液供給位置のスキャンを複数回行うことができ、基板Ｗの上面Ｗｕに対する処理のばらつきをより低減することができる。

また、第１処理工程では、例えば、第１液吐出部７５１ｎから吐出される第１処理液Ｌｑ１が、基板Ｗの上面Ｗｕと雰囲気制御部材７４（ここでは、下面７４ｂ）との間の空間を通って上面Ｗｕに着液する構成が採用されれば、基板Ｗの上面Ｗｕの広い範囲に雰囲気制御部材７４を対向させた状態で、基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御をより厳格に行いつつ、第１液吐出部７５１ｎを揺動させずに、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲において第１処理液Ｌｑ１の液供給位置のスキャンを行うことができる。

また、第１処理工程では、例えば、第１液吐出部７５１ｎのうちの第１処理液Ｌｑ１を吐出する第１吐出口７５１ｏが、鉛直方向において、上面Ｗｕよりも高い位置に配置されるとともに、雰囲気制御部材７４の下面７４ｂよりも低い位置に配置されていれば、雰囲気制御部材７４による基板Ｗ上の雰囲気の制御を行いつつ、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲に第１処理液Ｌｑ１を供給することができる。なお、ここでは、例えば、第１吐出口７５１ｏが、鉛直方向において、チャックピン７２４の上面よりも高い位置に配置されれば、第１吐出口７５１ｏから基板Ｗの上面Ｗｕに向かう第１処理液Ｌｑ１の経路がチャックピン７２４によって遮断されにくい。

また、第１処理工程では、例えば、図１０（ａ）を参照して上述したように、上面Ｗｕを基準とした第１吐出口７５１ｏの鉛直方向における高さをＨとし、回転軸７２ａと第１吐出口７５１ｏとの水平方向における距離をＲとし、第１吐出口７５１ｏを通る仮想的な水平面と第１吐出口７５１ｏが第１処理液Ｌｑ１を吐出する吐出方向７５ｄとが成す角度をθとし、吐出方向７５ｄが水平方向よりも下向きの方向であるときに角度θが正の値を示し且つ吐出方向７５ｄが水平方向よりも上向きの方向であるときに角度θが負の値を示す場合に、０≦θ≦ｔａｎ^－１（Ｈ／Ｒ）の関係を満たせば、第１処理液Ｌｑ１に対する重力の影響も考慮して、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの回転軸７２ａ上の部分まで第１処理液Ｌｑ１を容易に供給することができる。

また、第１処理工程では、例えば、雰囲気制御部材７４（ここでは、下面７４ｂ）が、上面Ｗｕを覆っている状態で位置し、基板Ｗの上面Ｗｕと雰囲気制御部材７４との間に不活性ガスを供給していれば、基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気を厳格に制御することができる。

なお、第１処理工程では、例えば、上面Ｗｕ上から飛散する第１処理液Ｌｑ１を受ける第１ガード部７３１を保持部７２０の周囲および基板Ｗの外周を取り囲むように配置していれば、第１ガード部７３１によって、基板Ｗの上面Ｗｕ上から飛散する第１処理液Ｌｑ１を受け止めて回収することができる。

次に、第１液体バルブ７４７ｖが開けられて、第４供給源から第１中心ノズル７４７ｎに第４処理液Ｌｑ４（リンス液）が供給され始め、図１５（ａ）で示されるように、第１中心ノズル７４７ｎから基板Ｗの上面Ｗｕ上に対する第４処理液Ｌｑ４（リンス液）の供給が開始される（ステップＳｐ５）。これにより、基板Ｗの上面Ｗｕの全域に第４処理液Ｌｑ４（リンス液）が供給され、基板Ｗに付着している第１処理液Ｌｑ１（薬液）を第４処理液Ｌｑ４（リンス液）によって洗い流す処理（リンス処理ともいう）が施される。また、ここでは、第１移動機構７５１ｍによって第１液吐出部７５１ｎを第１吐出位置から第１退避位置まで退避させる。ここでは、例えば、第１移動機構７５１ｍによって、第１液吐出部７５１ｎを第１下位置から第１上位置まで上昇させ、さらに第１液吐出部７５１ｎを第１内側位置から第１外側位置まで移動させる。

次に、図１５（ｂ）で示されるように、第２移動機構７５２ｍによって第２液吐出部７５２ｎを第２吐出位置まで進出させるとともに第３液吐出部７５３ｎを第３吐出位置まで進出させる（ステップＳｐ６）。

次に、リンス処理が予め設定された時間にわたって実行されると、第１液体バルブ７４７ｖが閉められて、第４供給源から第１中心ノズル７４７ｎへの第４処理液Ｌｑ４（リンス液）の供給が停止され、図１５（ｃ）で示されるように、第１中心ノズル７４７ｎから基板Ｗの上面Ｗｕ上への第４処理液Ｌｑ４（リンス液）の供給が終了される（ステップＳｐ７）。ここでは、さらに、昇降駆動部７３ｍによって第１ガード部７３１および第２ガード部７３２を上昇位置から下降位置まで下降させる。

次に、第２変更部７５２ｖに含まれる流量制御弁が開かれて、第２供給源から第２液吐出部７５２ｎに向けて第２処理液Ｌｑ２（溶剤）が供給されることで、図１６（ａ）および図１６（ｂ）で示されるように、第２液吐出部７５２ｎから第２処理液Ｌｑ２（溶剤）が吐出される（ステップＳｐ８）。これにより、基板Ｗの上面Ｗｕに付着している第４処理液Ｌｑ４（リンス液）が、第２処理液Ｌｑ２（溶剤）によって洗い流されて第２処理液Ｌｑ２（溶剤）に置換される。そして、溶剤の吐出の開始から予め設定された時間が経過すると、第２変更部７５２ｖに含まれる流量制御弁が閉じられて、第２液吐出部７５２ｎからの溶剤の吐出が停止される。

このステップＳｐ８では、保持部７２０に水平姿勢で保持された基板Ｗの上面Ｗｕに対向している状態で位置している雰囲気制御部材７４から上面Ｗｕ上に不活性ガスを供給しつつ、保持部７２０を回転させながら、第２液吐出部７５２ｎから上面Ｗｕに沿った方向に向けて第２処理液Ｌｑ２を吐出することで上面Ｗｕ上に第２処理液Ｌｑ２を供給する工程（第２処理工程）が実施される。この第２処理工程では、第２液吐出部７５２ｎから吐出される第２処理液Ｌｑ２の吐出速度を変化させることで、上面Ｗｕのうちの第２液吐出部７５２ｎから吐出される第２処理液Ｌｑ２が供給される液供給位置を変化させる。このとき、例えば、制御部９が、第２供給源から第２液吐出部７５２ｎへの第２処理液Ｌｑ２の単位時間あたりの供給量を第２変更部７５２ｖに変更させることで、第２液吐出部７５２ｎから吐出される第２処理液Ｌｑ２の吐出速度を変化させることができる。このため、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御を行いつつ、第２液吐出部７５２ｎを揺動させずに、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲における第２処理液Ｌｑ２の液供給位置のスキャンを行うことができる。その結果、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御と基板Ｗの上面Ｗｕに対する処理のばらつきの低減とを同時に実現することができる。図１６（ａ）には、第２処理液Ｌｑ２の液供給位置が上面Ｗｕのうちの中央領域Ａ１内である状態の一例を示しており、図１６（ｂ）には、第２処理液Ｌｑ２の液供給位置が上面Ｗｕのうちの端部側領域Ａ２内である状態の一例を示している。

第２処理工程では、例えば、第２処理液Ｌｑ２の液供給位置が上面Ｗｕのうちの中央領域Ａ１内であるときよりも、第２処理液Ｌｑ２の液供給位置が上面Ｗｕのうちの端部側領域Ａ２内であるときの方が、第２液吐出部７５２ｎからの第２処理液Ｌｑ２の吐出速度が小さくなるように、第２供給源から第２液吐出部７５２ｎへの第２処理液Ｌｑ２の単位時間あたりの供給量を低下させる。これにより、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの中央領域Ａ１から端部側領域Ａ２に至る広範囲において第２処理液Ｌｑ２の液供給位置のスキャンを行うことができる。また、例えば、第２処理液Ｌｑ２の液供給位置が中央領域Ａ１内であるときには、上面Ｗｕ上に対する第２処理液Ｌｑ２の単位時間あたりの供給量が相対的に増加し、基板Ｗの回転軸７２ａを中心とした回転によって、第２処理液Ｌｑ２が上面Ｗｕ上の広範囲に拡がる。これに対して、例えば、第２処理液Ｌｑ２の液供給位置が端部側領域Ａ２内であるときには、上面Ｗｕ上に対する第２処理液Ｌｑ２の単位時間あたりの供給量および吐出速度が相対的に低下し、保持部７２０のうちの基板Ｗの外縁部を保持している複数のチャックピン７２４における第２処理液Ｌｑ２の液跳ねが生じにくい。

また、第２処理工程では、例えば、第２供給源から第２液吐出部７５２ｎへの第２処理液Ｌｑ２の単位時間あたりの供給量を増減させることで、第２処理液Ｌｑ２の液供給位置を中央領域Ａ１内と端部側領域Ａ２内との間で複数回往復させれば、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲において第２処理液Ｌｑ２の液供給位置のスキャンを複数回行うことができ、基板Ｗの上面Ｗｕに対する処理のばらつきをより低減することができる。

また、第２処理工程では、例えば、第２液吐出部７５２ｎから吐出される第２処理液Ｌｑ２が、基板Ｗの上面Ｗｕと雰囲気制御部材７４（ここでは、下面７４ｂ）との間の空間を通って上面Ｗｕに着液する構成が採用されれば、基板Ｗの上面Ｗｕの広い範囲に雰囲気制御部材７４を対向させた状態で、基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御をより厳格に行いつつ、第２液吐出部７５２ｎを揺動させずに、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲において第２処理液Ｌｑ２の液供給位置のスキャンを行うことができる。

また、第２処理工程では、例えば、第２液吐出部７５２ｎのうちの第２処理液Ｌｑ２を吐出する第２吐出口７５２ｏが、鉛直方向において、上面Ｗｕよりも高い位置に配置されるとともに、雰囲気制御部材７４の下面７４ｂよりも低い位置に配置されていれば、雰囲気制御部材７４による基板Ｗ上の雰囲気の制御を行いつつ、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲に第２処理液Ｌｑ２を供給することができる。なお、ここでは、例えば、第２吐出口７５２ｏが、鉛直方向において、チャックピン７２４の上面よりも高い位置に配置されれば、第２吐出口７５２ｏから基板Ｗの上面Ｗｕに向かう第２処理液Ｌｑ２の経路がチャックピン７２４によって遮断されにくい。

また、第２処理工程では、例えば、図１０（ａ）を参照して上述したように、上面Ｗｕを基準とした第２吐出口７５２ｏの鉛直方向における高さをＨとし、回転軸７２ａと第２吐出口７５２ｏとの水平方向における距離をＲとし、第２吐出口７５２ｏを通る仮想的な水平面と第２吐出口７５２ｏが第２処理液Ｌｑ２を吐出する吐出方向とが成す角度をθとし、吐出方向が水平方向よりも下向きの方向であるときに角度θが正の値を示し且つ吐出方向が水平方向よりも上向きの方向であるときに角度θが負の値を示す場合に、０≦θ≦ｔａｎ^－１（Ｈ／Ｒ）の関係を満たせば、第２処理液Ｌｑ２に対する重力の影響も考慮して、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの回転軸７２ａ上の部分まで第１処理液Ｌｑ１を容易に供給することができる。

また、第２処理工程では、例えば、雰囲気制御部材７４（ここでは、下面７４ｂ）が、基板Ｗの上面Ｗｕを覆っている状態で位置し、上面Ｗｕと雰囲気制御部材７４との間に不活性ガスを供給していれば、基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気を厳格に制御することができる。

なお、第２処理工程では、例えば、上面Ｗｕ上から飛散する第２処理液Ｌｑ２を受ける第３ガード部７３３を保持部７２０の周囲および基板Ｗの外周を取り囲むように配置していれば、第３ガード部７３３によって、基板Ｗの上面Ｗｕ上から飛散する第２処理液Ｌｑ２を受け止めて回収することができる。

次に、図１６（ｃ）で示されるように、昇降駆動部７３ｍによって第２ガード部７３２を下降位置から上昇位置まで上昇させるとともに、第３移動機構７４ｍによって雰囲気制御部材７４をさらに下降させて遮断板７４１を基板Ｗの上面Ｗｕにさらに近接した位置（最近接位置ともいう）に配置する（ステップＳｐ９）。ここでは、基板Ｗの上面Ｗｕと遮断板７４１の下面７４ｂとの距離は、例えば、３ｍｍ程度とされる。

次に、第３変更部７５３ｖに含まれる流量制御弁が開かれて、第３供給源から第３液吐出部７５３ｎに向けて第３処理液Ｌｑ３（疎水化液）が供給されることで、図１７（ａ）および図１７（ｂ）で示されるように、第３液吐出部７５３ｎから第３処理液Ｌｑ３（疎水化液）が吐出される（ステップＳｐ１０）。これにより、基板Ｗの上面Ｗｕに疎水化液が供給されることで基板Ｗに付着している溶剤が疎水化液に置換され、基板Ｗの上面Ｗｕ上に濡れ性が低い保護膜（疎水性保護膜ともいう）が形成される処理（疎水化処理ともいう）が行われる。その結果、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕにおける薄膜パターンが疎水性保護膜によって被覆される。疎水化処理が行われる際には、例えば、スピンベース７２３に内蔵されたヒータ等で基板Ｗを加熱することで、疎水化処理がより良好に行われるようにしてもよい。そして、疎水化液の吐出開始から予め設定された時間が経過すると、第３変更部７５３ｖに含まれる流量制御弁が閉じられて、第３液吐出部７５３ｎからの疎水化液の吐出が停止される。

このステップＳｐ１０では、保持部７２０に水平姿勢で保持された基板Ｗの上面Ｗｕに対向している状態で位置している雰囲気制御部材７４から上面Ｗｕ上に不活性ガスを供給しつつ、保持部７２０を回転させながら、第３液吐出部７５３ｎから上面Ｗｕに沿った方向に向けて第３処理液Ｌｑ３を吐出することで上面Ｗｕ上に第３処理液Ｌｑ３を供給する工程（第３処理工程）が実施される。この第３処理工程では、第３液吐出部７５３ｎから吐出される第３処理液Ｌｑ３の吐出速度を変化させることで、上面Ｗｕのうちの第３液吐出部７５３ｎから吐出される第３処理液Ｌｑ３が供給される液供給位置を変化させる。このとき、例えば、制御部９が、第３供給源から第３液吐出部７５３ｎへの第３処理液Ｌｑ３の単位時間あたりの供給量を第３変更部７５３ｖに変更させることで、第３液吐出部７５３ｎから吐出される第３処理液Ｌｑ３の吐出速度を変化させることができる。このため、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御を行いつつ、第３液吐出部７５３ｎを揺動させずに、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲における第３処理液Ｌｑ３の液供給位置のスキャンを行うことができる。その結果、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御と基板Ｗの上面Ｗｕに対する処理のばらつきの低減とを同時に実現することができる。図１７（ａ）には、第３処理液Ｌｑ３の液供給位置が上面Ｗｕのうちの中央領域Ａ１内である状態の一例を示しており、図１７（ｂ）には、第３処理液Ｌｑ３の液供給位置が上面Ｗｕのうちの端部側領域Ａ２内である状態の一例を示している。

第３処理工程では、例えば、第３処理液Ｌｑ３の液供給位置が上面Ｗｕのうちの中央領域Ａ１内であるときよりも、第３処理液Ｌｑ３の液供給位置が上面Ｗｕのうちの端部側領域Ａ２内であるときの方が、第３液吐出部７５３ｎからの第３処理液Ｌｑ３の吐出速度が小さくなるように、第３供給源から第３液吐出部７５３ｎへの第３処理液Ｌｑ３の単位時間あたりの供給量を低下させる。これにより、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの中央領域Ａ１から端部側領域Ａ２に至る広範囲において第３処理液Ｌｑ３の液供給位置のスキャンを行うことができる。また、例えば、第３処理液Ｌｑ３の液供給位置が中央領域Ａ１内であるときには、上面Ｗｕ上に対する第３処理液Ｌｑ３の単位時間あたりの供給量が相対的に増加し、基板Ｗの回転軸７２ａを中心とした回転によって、第３処理液Ｌｑ３が上面Ｗｕ上の広範囲に拡がる。これに対して、例えば、第３処理液Ｌｑ３の液供給位置が端部側領域Ａ２内であるときには、上面Ｗｕ上に対する第３処理液Ｌｑ３の単位時間あたりの供給量および吐出速度が相対的に低下し、保持部７２０のうちの基板Ｗの外縁部を保持している複数のチャックピン７２４における第３処理液Ｌｑ３の液跳ねが生じにくい。

また、第３処理工程では、例えば、第３供給源から第３液吐出部７５３ｎへの第３処理液Ｌｑ３の単位時間あたりの供給量を増減させることで、第３処理液Ｌｑ３の液供給位置を中央領域Ａ１内と端部側領域Ａ２内との間で複数回往復させれば、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲において第３処理液Ｌｑ３の液供給位置のスキャンを複数回行うことができ、基板Ｗの上面Ｗｕに対する処理のばらつきをより低減することができる。

また、第３処理工程では、例えば、第３液吐出部７５３ｎから吐出される第３処理液Ｌｑ３が、基板Ｗの上面Ｗｕと雰囲気制御部材７４（ここでは、下面７４ｂ）との間の空間を通って上面Ｗｕに着液する構成が採用されれば、基板Ｗの上面Ｗｕの広い範囲に雰囲気制御部材７４を対向させた状態で、基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御をより厳格に行いつつ、第３液吐出部７５３ｎを揺動させずに、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲において第３処理液Ｌｑ３の液供給位置のスキャンを行うことができる。

また、第３処理工程では、例えば、第３液吐出部７５３ｎのうちの第３処理液Ｌｑ３を吐出する第３吐出口７５３ｏが、鉛直方向において、上面Ｗｕよりも高い位置に配置されるとともに、雰囲気制御部材７４の下面７４ｂよりも低い位置に配置されていれば、雰囲気制御部材７４による基板Ｗ上の雰囲気の制御を行いつつ、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲に第３処理液Ｌｑ３を供給することができる。なお、ここでは、例えば、第３吐出口７５３ｏが、鉛直方向において、チャックピン７２４の上面よりも高い位置に配置されれば、第３吐出口７５３ｏから基板Ｗの上面Ｗｕに向かう第３処理液Ｌｑ３の経路がチャックピン７２４によって遮断されにくい。

また、第３処理工程では、例えば、図１０（ａ）を参照して上述したように、上面Ｗｕを基準とした第３吐出口７５３ｏの鉛直方向における高さをＨとし、回転軸７２ａと第３吐出口７５３ｏとの水平方向における距離をＲとし、第３吐出口７５３ｏを通る仮想的な水平面と第３吐出口７５３ｏが第３処理液Ｌｑ３を吐出する吐出方向とが成す角度をθとし、吐出方向が水平方向よりも下向きの方向であるときに角度θが正の値を示し且つ吐出方向が水平方向よりも上向きの方向であるときに角度θが負の値を示す場合に、０≦θ≦ｔａｎ^－１（Ｈ／Ｒ）の関係を満たせば、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの回転軸７２ａ上の部分まで第３処理液Ｌｑ３を容易に供給することができる。

また、第３処理工程では、例えば、雰囲気制御部材７４（ここでは、下面７４ｂ）が、基板Ｗの上面Ｗｕを覆っている状態で位置し、上面Ｗｕと雰囲気制御部材７４との間に不活性ガスを供給していれば、基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気を厳格に制御することができる。

なお、第３処理工程では、例えば、上面Ｗｕ上から飛散する第３処理液Ｌｑ３を受ける第２ガード部７３２を保持部７２０の周囲および基板Ｗの外周を取り囲むように配置していれば、第２ガード部７３２によって、基板Ｗの上面Ｗｕ上から飛散する第３処理液Ｌｑ３を受け止めて回収することができる。

次に、第２液体バルブ７４８ｖが開けられて、第５供給源から第２中心ノズル７４８ｎに第５処理液Ｌｑ５（疎水化液）が供給され、図１７（ｃ）で示されるように、第２中心ノズル７４８ｎの吐出口から第５処理液Ｌｑ５（疎水化液）が下方に吐出される（図１２のステップＳｐ１１）。これにより、基板Ｗの上面Ｗｕの全域に疎水化液が供給され、さらに基板Ｗに付着している溶剤が疎水化液に置換される。このとき、例えば、スピンベース７２３に内蔵されたヒータ等で基板Ｗが加熱されてもよい。そして、疎水化液の吐出開始から予め設定された時間が経過すると、第２液体バルブ７４８ｖが閉じられて、第２中心ノズル７４８ｎからの疎水化液の吐出が停止される。また、ここでは、第２移動機構７５２ｍによって第２液吐出部７５２ｎを第２吐出位置から第２退避位置まで退避させるとともに第３液吐出部７５３ｎを第３吐出位置から第３退避位置まで退避させる。ここでは、例えば、第２移動機構７５２ｍによって、第２液吐出部７５２ｎを第２下位置から第２上位置まで上昇させるとともに第３液吐出部７５３ｎを第３下位置から第３上位置まで上昇させ、さらに第２液吐出部７５２ｎを第２内側位置から第２外側位置まで移動させるとともに第３液吐出部７５３ｎを第３内側位置から第３外側位置まで移動させる。

次に、図１８（ａ）で示されるように、昇降駆動部７３ｍによって第２ガード部７３２を上昇位置から下降位置まで下降させる（ステップＳｐ１２）。

次に、第３液体バルブ７４９ｖが開けられて、第６供給源から第３中心ノズル７４９ｎに第６処理液Ｌｑ６（溶剤）が供給され、図１８（ｂ）で示されるように、第３中心ノズル７４９ｎの吐出口から第６処理液Ｌｑ６（溶剤）が下方に吐出される（ステップＳｐ１３）。これにより、基板Ｗの上面Ｗｕに付着している疎水化液が溶剤に置換される。そして、溶剤の吐出開始から予め設定された時間が経過すると、第３液体バルブ７４９ｖが閉じられて、第３中心ノズル７４９ｎからの溶剤の吐出が停止される。

次に、図１８（ｃ）で示されるように、第３中心ノズル７４９ｎの吐出口からの第６処理液Ｌｑ６の吐出が停止された後に、基板Ｗを乾燥させる乾燥処理が行われる（ステップＳｐ１４）。ここでは、制御部９は、回転機構７２２を制御して、基板Ｗを高回転速度（例えば、２５００ｒｐｍ以上）で回転させる。これにより、基板Ｗの上面Ｗｕに付着している溶剤に大きな遠心力が作用して、溶剤が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、溶剤が基板Ｗから除去され、基板Ｗが乾燥する。

次に、乾燥処理の開始から予め設定された時間が経過すると、図１９（ａ）で示されるように、回転機構７２２によって保持部７２０による基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳｐ１５）。また、ここでは、図１９（ａ）で示されるように、第１気体バルブ７４５ｖおよび第２気体バルブ７４６ｖを閉めることで雰囲気制御部材７４から基板Ｗの上面Ｗｕに向けた不活性ガスの吐出を停止させるとともに、第３移動機構７４ｍによって雰囲気制御部材７４を上昇させて遮断板７４１を離間位置に配置する。また、ここでは、図１９（ａ）で示されるように、昇降駆動部７３ｍによって第３ガード部７３３を上昇位置から下降位置まで下降させる。ここでは、例えば、保持部７２０の回転の停止、雰囲気制御部材７４の上昇、不活性ガスの吐出の停止および第３ガード部７３３の下降の順番は、適宜設定されてもよい。

次に、例えば、図１９（ｂ）で示されるように、保持部７２０による基板Ｗの保持が解除され、第２搬送機構８によって処理ユニット７内から処理済みの基板Ｗが搬出される（ステップＳｐ１６）。

＜１－５．第１実施形態のまとめ＞
以上のように、第１実施形態に係る基板処理装置１では、例えば、保持部７２０に水平姿勢で保持された基板Ｗの上面Ｗｕに対向している状態で位置している雰囲気制御部材７４から上面Ｗｕ上に不活性ガスを供給しつつ、保持部７２０を回転させながら、基板Ｗの上面Ｗｕに沿った方向に向けて第１液吐出部７５１ｎの第１吐出口７５１ｏから第１処理液Ｌｑ１を吐出することで、上面Ｗｕ上に第１処理液Ｌｑ１を供給する。このとき、例えば、第１供給源から第１液吐出部７５１ｎへの第１処理液Ｌｑ１の単位時間あたりの供給量を変更して、第１液吐出部７５１ｎから吐出される第１処理液Ｌｑ１の吐出速度を変化させ、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの第１液吐出部７５１ｎから吐出される第１処理液Ｌｑ１が供給される液供給位置を変化させる。これにより、例えば、雰囲気制御部材７４からの不活性ガスの供給によって基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御を良好に行いつつ、第１液吐出部７５１ｎを揺動させずに、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲における第１処理液Ｌｑ１の液供給位置のスキャンを行うことができる。

また、第１実施形態に係る基板処理装置１では、例えば、保持部７２０に水平姿勢で保持された基板Ｗの上面Ｗｕに対向している状態で位置している雰囲気制御部材７４から上面Ｗｕ上に不活性ガスを供給しつつ、保持部７２０を回転させながら、基板Ｗの上面Ｗｕに沿った方向に向けて第２液吐出部７５２ｎの第２吐出口７５２ｏから第２処理液Ｌｑ２を吐出することで、上面Ｗｕ上に第２処理液Ｌｑ２を供給する。このとき、例えば、第２供給源から第２液吐出部７５２ｎへの第２処理液Ｌｑ２の単位時間あたりの供給量を変更して、第２液吐出部７５２ｎから吐出される第２処理液Ｌｑ２の吐出速度を変化させ、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの第２液吐出部７５２ｎから吐出される第２処理液Ｌｑ２が供給される液供給位置を変化させる。これにより、例えば、雰囲気制御部材７４からの不活性ガスの供給によって基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御を良好に行いつつ、第２液吐出部７５２ｎを揺動させずに、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲における第２処理液Ｌｑ２の液供給位置のスキャンを行うことができる。

また、第１実施形態に係る基板処理装置１では、例えば、保持部７２０に水平姿勢で保持された基板Ｗの上面Ｗｕに対向している状態で位置している雰囲気制御部材７４から上面Ｗｕ上に不活性ガスを供給しつつ、保持部７２０を回転させながら、基板Ｗの上面Ｗｕに沿った方向に向けて第３液吐出部７５３ｎの第３吐出口７５３ｏから第３処理液Ｌｑ３を吐出することで、上面Ｗｕ上に第３処理液Ｌｑ３を供給する。このとき、例えば、第３供給源から第３液吐出部７５３ｎへの第３処理液Ｌｑ３の単位時間あたりの供給量を変更して、第３液吐出部７５３ｎから吐出される第３処理液Ｌｑ３の吐出速度を変化させ、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの第３液吐出部７５３ｎから吐出される第３処理液Ｌｑ３が供給される液供給位置を変化させる。これにより、例えば、雰囲気制御部材７４からの不活性ガスの供給によって基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御を良好に行いつつ、第３液吐出部７５３ｎを揺動させずに、基板Ｗの上面Ｗｕの広範囲における第３処理液Ｌｑ３の液供給位置のスキャンを行うことができる。

したがって、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕ上における雰囲気の制御と基板Ｗの上面Ｗｕに対する処理のばらつきの低減とを同時に実現することができる。

＜２．その他の実施形態＞
本発明は上述の第１実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更および改良等が可能である。

＜２－１．第２実施形態＞
上記第１実施形態において、雰囲気制御部材７４が、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの中央領域Ａ１に対向している状態で、基板Ｗの上方に不活性ガスを供給することで、上面Ｗｕに沿って流れる気流を形成する小型の雰囲気制御部材７４Ａに置換されてもよい。この場合には、例えば、上述した第１～３処理工程の何れにおいても、雰囲気制御部材７４Ａが、基板Ｗの上面Ｗｕのうちの中央領域Ａ１に対向している状態で位置し、基板Ｗの上方に不活性ガスを供給することで、上面Ｗｕに沿って流れる気流を形成してもよい。ここでは、基板Ｗの上面Ｗｕの直径よりも、雰囲気制御部材７４Ａのうちの基板Ｗの上面Ｗｕに対向している部分の下面７４ｂの直径が小さい態様が想定される。より具体的には、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕの直径が３００ｍｍ程度であり、雰囲気制御部材７４Ａの下面７４ｂの直径が９５ｍｍから１２０ｍｍ程度であるような態様が想定される。このような構成が採用されれば、例えば、基板Ｗの上面Ｗｕの全域が雰囲気制御部材７４Ａによって覆われる状態にはならず、第１液吐出部７５１ｎを第１退避位置と第１吐出位置との間で容易に移動させることができる。また、例えば、第２液吐出部７５２ｎを第２退避位置と第２吐出位置との間で容易に移動させることができ、第３液吐出部７５３ｎを第３退避位置と第３吐出位置との間で容易に移動させることができる。

図２０は、第２実施形態に係る処理ユニット７の一構成例を模式的に示す側面図である。図２１は、第２実施形態に係る雰囲気制御部材７４Ａの一構成例を模式的に示す縦断面図である。

図２０および図２１で示されるように、雰囲気制御部材７４Ａは、例えば、上記第１実施形態に係る雰囲気制御部材７４をベースとして、遮断板７４１、支軸７４２および気体ノズル７４５ｎが、気体ノズル７４５ｎＡに置換された形態を有する。換言すれば、雰囲気制御部材７４Ａは、中心ノズル群７４ｎおよび気体ノズル７４５ｎＡを有する。

気体ノズル７４５ｎＡは、例えば、保持部７２０に保持された基板Ｗの上面Ｗｕの上方に窒素ガス等の不活性ガスを吐出する。これにより、基板Ｗの上方を窒素ガス雰囲気で覆うことができる。気体ノズル７４５ｎＡには、第１気体バルブ７４５ｖが途中に設けられた第１気体供給路７４５ｐが接続されている。

図２０および図２１の例では、中心ノズル群７４ｎに、気体ノズル７４５ｎＡが一体に結合されている。このため、雰囲気制御部材７４Ａは、中心ノズル群７４ｎによって第４処理液Ｌｑ４としてリンス液、第５処理液Ｌｑ５としての疎水化液および第６処理液Ｌｑ６としての溶剤を吐出する機能と、窒素ガス等の不活性ガスを吐出する機能と、を有する。

気体ノズル７４５ｎＡは、下端にフランジ部７４５ｎｆを有する円筒状のノズル本体７４５ｎｍを有する。ノズル本体７４５ｎｍの最外径は、例えば、９５ｍｍから１２０ｍｍ程度である。フランジ部７４５ｎｆの側面である外周面には、上側気体吐出口７４６ｏ１および下側気体吐出口７４６ｏ２が、それぞれ環状に外方に向けて開口している。上側気体吐出口７４６ｏ１および下側気体吐出口７４６ｏ２は、上下に間隔を空けて配置されている。ノズル本体７４５ｎｍの下面７４ｂには、中心気体吐出口７４５ｏが配置されている。

ノズル本体７４５ｎｍには、第１気体供給路７４５ｐから不活性ガスが供給される気体導入口７４５ｉ１，７４５ｉ２が形成されている。気体導入口７４５ｉ１，７４５ｉ２に対して個別に不活性ガスを供給する気体供給路が接続されてもよい。ノズル本体７４５ｎｍ内には、気体導入口７４５ｉ２と上側気体吐出口７４６ｏ１および下側気体吐出口７４６ｏ２とを接続する筒状の気体流路７４５ｎｒが形成されている。また、ノズル本体７４５ｎｍ内には、気体導入口７４５ｉ１に連通する筒状の気体流路７４５ｎｗが中心ノズル群７４ｎのまわりに形成されている。気体流路７４５ｎｗの下部にはバッファ空間７４５ｎｂが連通している。バッファ空間７４５ｎｂは、さらにパンチングプレート７４５ｎｐを介して、その下方の空間７４５ｎｓに連通している。この空間７４５ｎｓの下部が中心気体吐出口７４５ｏとなっている。

気体導入口７４５ｉ２から導入された不活性ガスは、気体流路７４５ｎｒを介して上側気体吐出口７４６ｏ１および下側気体吐出口７４６ｏ２に供給され、上側気体吐出口７４６ｏ１および下側気体吐出口７４６ｏ２から放射状に吐出される。これにより、上下に重なる２つの放射状の気流（放射状気流ともいう）が基板Ｗの上方に形成される。一方、気体導入口７４５ｉ１から導入された不活性ガスは、気体流路７４５ｎｗを介してバッファ空間７４５ｎｂに蓄えられ、さらにパンチングプレート７４５ｎｐを通って拡散された後に、空間７４５ｎｓを通って中心気体吐出口７４５ｏから基板Ｗの上面Ｗｕに向けて下方に吐出される。この不活性ガスは、基板Ｗの上面Ｗｕにぶつかって方向を変え、不活性ガスの放射状気流を基板Ｗの上方に形成する。

よって、中心気体吐出口７４５ｏから吐出される不活性ガスが形成する放射状気流と、上側気体吐出口７４６ｏ１および下側気体吐出口７４６ｏ２から吐出される２層の放射状気流と、によって３層の放射状気流が基板Ｗの上方に形成される。この３層の放射状気流によって、基板Ｗの上面Ｗｕが保護される。例えば、回転軸７２ａを中心として基板Ｗを高速で回転させるときに、３層の不活性ガスの放射状気流によって基板Ｗの上面が保護されることで、基板Ｗの上面Ｗｕが、酸素ならびに液滴およびミスト等の湿気から保護される。

ここでは、例えば、雰囲気制御部材７４Ａの下面７４ｂを保持部７２０に保持された基板Ｗの上面Ｗｕに近接させた位置（近接位置）または保持部７２０に保持された基板Ｗの上面Ｗｕから離間させた位置（離間位置）に配置させることができる。例えば、基板Ｗの上面Ｗｕに対して、エッチング、洗浄、疎水化および乾燥を、この記載の順に行う一連の基板処理を実行する際に、下面７４ｂと上面Ｗｕとの間隔を、例えば、３ｍｍから１０ｍｍ程度に設定することができる。

中心ノズル群７４ｎは、気体流路７４５ｎｗ、バッファ空間７４５ｎｂおよびパンチングプレート７４５ｎｐを貫通して鉛直方向に延びている。中心ノズル群７４ｎの下端の各吐出口は、パンチングプレート７４５ｎｐの下方に位置している。中心ノズル群７４ｎの下面は、雰囲気制御部材７４Ａの下面７４ｂと同じ高さまたは下面７４ｂよりも上方に位置している。

ここで、例えば、第３移動機構７４ｍは、モータ等によって鉛直方向に沿った仮想的な回転軸７４ａを中心としてアーム７４３を回動させることで、雰囲気制御部材７４Ａを保持部７２０上において揺動させることができてもよい。また、例えば、第３移動機構７４ｍは、モータ等によって回転軸７４ａを中心としてアーム７４３を回動させることで、雰囲気制御部材７４Ａを保持部７２０上から退避させることができてもよい。

＜２－２．第３実施形態＞
上記各実施形態では、第１液吐出部７５１ｎ、第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎは、それぞれ、例えば、第１管状部７５ｐ１（図１０（ｂ））を有していなくてもよい。図２２は、第３実施形態に係る第１～３液吐出部７５１ｎ，７５２ｎ，７５３ｎの形態を模式的に示す縦断面図である。

第３実施形態では、第２管状部７５ｐ２は、鉛直方向に沿って延びている状態の管状の先端部７５ｐ４を有する。そして、例えば、第１液吐出部７５１ｎにおいて、鉛直方向に沿って延びている先端部７５ｐ４が、水平方向に向けて開口している第１吐出口７５１ｏを有していてもよい。また、例えば、第２液吐出部７５２ｎにおいて、鉛直方向に沿って延びている先端部７５ｐ４が、水平方向に向けて開口している第２吐出口７５２ｏを有していてもよい。また、例えば、第３液吐出部７５３ｎにおいて、鉛直方向に沿って延びている先端部７５ｐ４が、水平方向に向けて開口している第３吐出口７５３ｏを有していてもよい。ここでは、例えば、制御部９は、第３駆動部の一例である第１移動機構７５１ｍによって、第１～３ガード部７３１、７３２，７３３の少なくとも１つのガード部と雰囲気制御部材７４，７４Ａとの隙間に対して先端部７５ｐ４が挿抜されるように、第１液吐出部７５１ｎを鉛直方向に沿って昇降させてもよいし、第３駆動部の一例である第２移動機構７５２ｍによって、第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎを鉛直方向に沿って昇降させてもよい。

このような構成が採用されれば、例えば、ガード７３の上面が、雰囲気制御部材７４，７４Ａの下面７４ｂよりも高い位置に配されていて、ガード７３と雰囲気制御部材７４，７４Ａとの間隙が狭い場合であっても、第１液吐出部７５１ｎ、第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎの第２管状部７５ｐ２を、ガード７３と雰囲気制御部材７４，７４Ａとの間隙に対して容易に挿抜することができる。具体的には、例えば、ガード７３と雰囲気制御部材７４，７４Ａとの間隔が狭くても、第１液吐出部７５１ｎを、第１退避位置と第１吐出位置との間で容易に移動させることができ、第２液吐出部７５２ｎを、第２退避位置と第２吐出位置との間で容易に移動させることができ、第３液吐出部７５３ｎを、第３退避位置と第３吐出位置との間で容易に移動させることができる。

＜２－３．第４実施形態＞
上記各実施形態において、例えば、ガード７３と雰囲気制御部材７４，７４Ａとの狭い間隙に対して、第１～３液吐出部７５１ｎ，７５２ｎ，７５３ｎをそれぞれ挿抜可能とするために、カード７３の内周縁部に凹部が設けられてもよい。図２３は、第４実施形態に係る処理ユニット７の内部の一構成例を模式的に示す平面図である。

第４実施形態では、図２３で示されるように、ガード７３は、下方向に向けて平面視あるいは平面透視した場合に、雰囲気制御部材７４から離れる方向に凹んでいる凹部７３ｒを有する内周縁部７３ｉを有していてもよい。別の観点から言えば、ガード７３は、内周縁部７３ｉにおいて、回転軸７２ａから離れる方向に凹んでいる凹部７３ｒを有していてもよい。図２３の例では、ガード７３は、２つの凹部７３ｒを有する。２つの凹部７３ｒは、第１液吐出部７５１ｎのための第１凹部７３ｒ１と、第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎのための第２凹部７３ｒ２と、を含む。ここでは、例えば、制御部９は、第３駆動部の一例としての第１移動機構７５１ｍによって第１液吐出部７５１ｎを降下させることで第２管状部７５ｐ２を第１凹部７３ｒ１内の空間に挿通させる動作（下降動作）、および第３駆動部の一例としての第１移動機構７５１ｍによって第１液吐出部７５１ｎを上昇させることで第２管状部７５ｐ２を第１凹部７３ｒ１内の空間から上方に移動させる動作（上昇動作）のうちの少なくとも一方の動作を実行させてもよい。また、例えば、制御部９は、第３駆動部の一例としての第２移動機構７５２ｍによって第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎを降下させることで各第２管状部７５ｐ２を第２凹部７３ｒ２内の空間に挿通させる動作（下降動作）、および第３駆動部の一例としての第２移動機構７５２ｍによって第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎを上昇させることで各第２管状部７５ｐ２を第２凹部７３ｒ２内の空間から上方に移動させる動作（上昇動作）のうちの少なくとも一方の動作を実行させてもよい。

このような構成が採用されれば、例えば、ガード７３の上面が、雰囲気制御部材７４，７４Ａの下面７４ｂよりも高い位置に配されていて、ガード７３と雰囲気制御部材７４，７４Ａとの間隙が狭い場合であっても、第１液吐出部７５１ｎ、第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎの第２管状部７５ｐ２を、ガード７３と雰囲気制御部材７４，７４Ａとの間隙に対して容易に挿抜することができる。具体的には、例えば、ガード７３と雰囲気制御部材７４，７４Ａとの間隔が狭くても、第１液吐出部７５１ｎを、第１退避位置と第１吐出位置との間で容易に移動させることができ、第２液吐出部７５２ｎを、第２退避位置と第２吐出位置との間で容易に移動させることができ、第３液吐出部７５３ｎを、第３退避位置と第３吐出位置との間で容易に移動させることができる。

また、ここでは、例えば、第１液吐出部７５１ｎの第２管状部７５ｐ２が第１凹部７３ｒ１内の空間に挿通された状態で、第１移動機構７５１ｍによって第１液吐出部７５１ｎが回転軸７２ａに対して接近および離間する方向に移動されてもよい。これにより、例えば、第１液吐出部７５１ｎが第１管状部７５ｐ１を有する場合でも、第１吐出口７５１ｏを雰囲気制御部材７４，７４Ａと保持部７２０との間の空間に対して挿抜することができる。例えば、第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎの第２管状部７５ｐ２が第２凹部７３ｒ２内の空間に挿通された状態で、第２移動機構７５２ｍによって第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎが回転軸７２ａに対して接近および離間する方向に移動されてもよい。これにより、例えば、第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎが第１管状部７５ｐ１を有する場合でも、第２吐出口７５２ｏおよび第３吐出口７５３ｏを雰囲気制御部材７４，７４Ａと保持部７２０との間の空間に対して挿抜することができる。

＜２－４．第５実施形態＞
上記第１実施形態および上記第２実施形態において、例えば、第１液吐出部７５１ｎ、第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎは、それぞれガード７３と一体的に構成された状態にあってもよい。図２４は、第５実施形態に係る処理ユニット７における第１～３液吐出部７５１ｎ，７５２ｎ，７５３ｎの配置を模式的に示す側面図である。図２４（ａ）には、第１液吐出部７５１ｎから基板Ｗの上面Ｗｕにおける中央領域Ａ１に第１処理液Ｌｑ１を吐出している様子が示されており、図２４（ｂ）には、第１液吐出部７５１ｎから基板Ｗの上面Ｗｕにおける端部側領域Ａ２に第１処理液Ｌｑ１を吐出している様子が示されている。

図２４で示されるように、例えば、第１液吐出部７５１ｎが第１ガード部７３１と一体的に構成されてもよいし、第２液吐出部７５２ｎが第３ガード部７３３と一体的に構成されてもよいし、第３液吐出部７５３ｎが第２ガード部７３２と一体的に構成されてもよい。このような構成が採用されれば、例えば、第１～３液吐出部７５１ｎ，７５２ｎ，７５３ｎの配置が容易である。

＜２－５．その他＞
上記各実施形態では、例えば、第１～６処理液Ｌｑ１～Ｌｑ６のうちの１つ以上の処理液を基板Ｗの上面Ｗｕ上に供給している際に、雰囲気制御部材７４，７４Ａが、基板Ｗの上面Ｗｕ上に不活性ガスを供給してもよい。

上記各実施形態では、例えば、第２液吐出部７５２ｎ、第２液供給路７５２ｐおよび第２変更部７５２ｖを設けることなく、基板Ｗの上面Ｗｕ上に対する溶剤の吐出が、第３中心ノズル７４９ｎから行われる構成が採用されてもよい。

上記各実施形態では、例えば、第２液吐出部７５２ｎが、第２処理液として、溶剤の代わりに、リンス液を吐出する構成が採用されてもよい。

上記各実施形態では、例えば、第３移動機構７４ｍによって雰囲気制御部材７４，７４Ａを殆どあるいは全く昇降させない構成が採用されてもよい。

上記各実施形態では、例えば、第１処理ユニット７Ａおよび第２処理ユニット７Ｂについては、保持部７２０に、メカニカルチャックまたはメカニカルグリッパーが適用されてもよいし、ベルヌーイチャックまたはベルヌーイグリッパーが適用されてもよい。

上記各実施形態では、例えば、第１液吐出部７５１ｎ、第２液吐出部７５２ｎおよび第３液吐出部７５３ｎは、それぞれ回転保持機構７２と一体的に構成されてもよい。

上記各実施形態では、例えば、不活性ガスに、乾燥空気または清浄空気等の窒素ガス以外のガスが含まれてもよい。

上記第１実施形態では、例えば、第１～３液吐出部７５１ｎ，７５２ｎ，７５３ｎにおいて、第１管状部７５ｐ１が、鉛直方向に沿った仮想的な回転軸を中心として回動可能に第２管状部７５ｐ２に設けられていてもよい。ここで、例えば、制御部９が、モータ等の駆動部によって第２管状部７５ｐ２を中心として第１管状部７５ｐ１の向きを変更することが可能であってもよい。このような構成によれば、例えば、ガード７３の上面が、雰囲気制御部材７４の下面７４ｂよりも高い位置に配されていて、ガード７３と雰囲気制御部材７４との間隙が狭い場合であっても、第１～３液吐出部７５１ｎ，７５２ｎ，７５３ｎを、ガード７３と雰囲気制御部材７４との間隙に対して容易に挿抜することができる。これにより、例えば、ガード７３と雰囲気制御部材７４との間隙が狭くても、第１～３液吐出部７５１ｎ，７５２ｎ，７５３ｎを、それぞれ退避位置と吐出位置との間で容易に移動させることができる。

上記第１，３～５実施形態では、例えば、支軸７４２にモータ等の回転機構を設けて、基板Ｗの上面Ｗｕに対して、エッチング、洗浄、疎水化および乾燥を、この記載の順に行う一連の基板処理を実行する際に、回転軸７２ａを中心として遮断板７４１を回転させてもよい。この場合には、例えば、制御部９は、回転機構の動作を制御して、保持部７２０に保持された基板Ｗの回転に応じて基板Ｗと同じ回転方向でかつ略同一の回転速度で遮断板７４１を回転させてもよい。

上記第２実施形態では、例えば、第１処理工程における第１吐出口７５１ｏの位置、第２処理工程における第２吐出口７５２ｏの位置、および第３処理工程における第３吐出口７５３ｏの位置は、それぞれ鉛直方向において雰囲気制御部材７４Ａの下面７４ｂと同等あるいは下面７４ｂよりも若干高い位置であってもよい。

なお、上記第１～５実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。

１ 基板処理装置
７ 処理ユニット
７２ 回転保持機構
７２０ 保持部
７２１ 中心軸
７２２ 回転機構
７２３ スピンベース
７２４ チャックピン
７２ａ 回転軸
７３ カード
７３１，７３２，７３３ 第１～３ガード部
７３ｉ 内周縁部
７３ｍ 昇降駆動部
７３ｒ 凹部
７３ｒ１，７３ｒ２ 第１，２凹部
７４，７４Ａ 雰囲気制御部材
７４１ 遮断板
７４５ｎ，７４５ｎＡ 気体ノズル
７４ｍ 第３移動機構
７４ｎ 中心ノズル群
７４ｂ 下面
７５１ａ 仮想軸
７５１ｍ 第１移動機構
７５１ｎ 第１液吐出部
７５１ｏ 第１吐出口
７５１ｐ 第１液供給路
７５１ｖ 第１変更部
７５２ａ 仮想軸
７５２ｍ 第２移動機構
７５２ｎ 第２液吐出部
７５２ｏ 第２吐出口
７５２ｐ 第２液供給路
７５２ｖ 第２変更部
７５３ｍ 第３移動機構
７５３ｎ 第３液吐出部
７５３ｏ 第３吐出口
７５３ｐ 第３液供給路
７５３ｖ 第３変更部
７５ｄ 吐出方向
７５ｐ１ 第１管状部
７５ｐ２ 第２管状部
７５ｐ３ 第３管状部
７５ｐ４ 先端部
９ 制御部
Ａ１ 中央領域
Ａ２ 端部側領域
Ｌｑ１～Ｌｑ６ 第１～６処理液
Ｗ 基板

Claims (22)

1. 基板を水平姿勢で保持部に保持させる保持工程と、
   前記保持部に水平姿勢で保持された前記基板の上面に対向している状態で位置している雰囲気制御部材から前記上面上に不活性ガスを供給しつつ、前記保持部を鉛直方向に沿った仮想的な回転軸を中心として回転させながら、液吐出部の吐出口から前記上面に沿った方向に向けて処理液を吐出することで前記上面上に該処理液を供給する処理工程と、を有し、
   前記処理工程において、前記処理液の供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を変更して、前記液吐出部から吐出される前記処理液の吐出速度を変化させることにより、前記上面のうちの前記液吐出部から吐出される前記処理液が供給される液供給位置を変化させる、基板処理方法。
2. 請求項１に記載の基板処理方法であって、
   前記処理工程において、前記液吐出部は揺動せず、前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を変更して、前記液吐出部から吐出される前記処理液の吐出速度を変化させることにより、前記液供給位置を、前記上面上の中央部および該中央部の近傍を含む領域である中央領域内と前記上面上の外周端部側の領域である端部側領域内との間でスキャンさせる、基板処理方法。
3. 請求項２に記載の基板処理方法であって、
   前記処理工程において、前記液供給位置が前記上面のうちの前記中央領域内であるときよりも、前記液供給位置が前記上面のうちの前記端部側領域内であるときの方が、前記吐出速度が小さくなるように、前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を低下させる、基板処理方法。
4. 請求項３に記載の基板処理方法であって、
   前記処理工程において、前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を増減させることで、前記液供給位置を前記中央領域内と前記端部側領域内との間で複数回往復させる、基板処理方法。
5. 請求項１から請求項４の何れか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
   前記処理工程において、前記液吐出部から吐出される前記処理液が、前記上面と前記雰囲気制御部材との間の空間を通って前記上面に着液する、基板処理方法。
6. 請求項１から請求項５の何れか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
   前記処理工程において、前記吐出口は、鉛直方向において、前記上面よりも高い位置に配置されるとともに、前記雰囲気制御部材の下面よりも低い位置に配置される、基板処理方法。
7. 請求項６に記載の基板処理方法であって、
   前記処理工程において、前記上面を基準とした前記吐出口の鉛直方向における高さをＨとし、前記仮想的な回転軸と前記吐出口との水平方向における距離をＲとし、前記吐出口を通る仮想的な水平面と前記吐出口が前記処理液を吐出する吐出方向とが成す角度をθとし、前記吐出方向が水平方向よりも下向きの方向であるときに前記角度θが正の値を示し且つ前記吐出方向が水平方向よりも上向きの方向であるときに前記角度θが負の値を示す場合に、０≦θ≦ｔａｎ^－１（Ｈ／Ｒ）の関係を満たす、基板処理方法。
8. 請求項１から請求項７の何れか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
   前記処理工程において、前記雰囲気制御部材は、前記上面を覆っている状態で位置し、前記上面と前記雰囲気制御部材との間に不活性ガスを供給する、基板処理方法。
9. 請求項１から請求項７の何れか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
   前記処理工程において、前記雰囲気制御部材は、前記上面のうちの中央領域に対向している状態で位置し、前記基板の上方に不活性ガスを供給することで、前記上面に沿って流れる気流を形成する、基板処理方法。
10. 基板を水平姿勢で保持する保持部と、
    鉛直方向に沿った仮想的な回転軸を中心として前記保持部を回転させる第１駆動部と、
    前記保持部に水平姿勢で保持された前記基板の上面に対向している状態で前記上面上に不活性ガスを供給する雰囲気制御部材と、
    前記保持部に水平姿勢で保持された前記基板の前記上面に沿った方向に向けて吐出口から処理液を吐出することで前記上面上に前記処理液を供給する液吐出部と、
    前記処理液の供給源と前記液吐出部とを接続している液供給路と、
    前記液供給路の途中に位置し、前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を変更する変更部と、
    前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を前記変更部に変更させることで、前記液吐出部から吐出される前記処理液の吐出速度を変化させ、前記上面のうちの前記液吐出部から吐出される前記処理液が供給される液供給位置を変化させる制御部と、を備える、基板処理装置。
11. 請求項１０に記載の基板処理装置であって、
    前記制御部は、前記液吐出部を揺動させずに、前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を前記変更部に変更させることで、前記液吐出部から吐出される前記処理液の吐出速度を変化させることにより、前記液供給位置を、前記上面上の中央部および該中央部の近傍を含む領域である中央領域内と前記上面上の外周端部側の領域である端部側領域内との間でスキャンさせる、基板処理装置。
12. 請求項１１に記載の基板処理装置であって、
    前記制御部は、前記液供給位置が前記上面のうちの前記中央領域内であるときよりも、前記液供給位置が前記上面のうちの前記端部側領域内であるときの方が、前記吐出速度が小さくなるように、前記変更部によって前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を低下させる、基板処理装置。
13. 請求項１２に記載の基板処理装置であって、
    前記制御部は、前記変更部によって前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を増減させることで、前記液供給位置を前記中央領域内と前記端部側領域内との間で複数回往復させる、基板処理装置。
14. 請求項１０から請求項１３の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記液吐出部は、前記処理液が前記上面と前記雰囲気制御部材との間の空間を通って前記上面に着液するように、前記処理液を吐出する、基板処理装置。
15. 請求項１０から請求項１４の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記吐出口は、鉛直方向において前記上面よりも高く且つ前記雰囲気制御部材の下面よりも低い位置に配置された状態で前記上面に沿った方向に向けて前記処理液を吐出する、基板処理装置。
16. 請求項１５に記載の基板処理装置であって、
    前記液吐出部が前記上面に前記処理液を供給する際に、前記上面を基準とした前記吐出口の鉛直方向における高さをＨとし、前記仮想的な回転軸と前記吐出口との水平方向における距離をＲとし、前記吐出口を通る仮想的な水平面と前記吐出口が前記処理液を吐出する吐出方向とが成す角度をθとし、前記吐出方向が水平方向よりも下向きの方向であるときに前記角度θが正の値を示し且つ前記吐出方向が水平方向よりも上向きの方向であるときに前記角度θが負の値を示す場合に、０≦θ≦ｔａｎ^－１（Ｈ／Ｒ）の関係を満たす、基板処理装置。
17. 請求項１０から請求項１６の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記雰囲気制御部材は、前記上面を覆っている状態で、前記上面と前記雰囲気制御部材との間に不活性ガスを供給する遮断板、を含む、基板処理装置。
18. 請求項１０から請求項１６の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記雰囲気制御部材は、前記上面のうちの中央領域に対向している状態で前記基板の上方に不活性ガスを供給することによって、前記上面に沿って流れる気流を形成する、基板処理装置。
19. 請求項１０から請求項１８の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記保持部の周囲を取り囲むガード部と、
    前記ガード部を鉛直方向に沿って昇降させる第２駆動部と、を備え、
    前記制御部は、前記第２駆動部によって前記ガード部を昇降させ、
    前記液吐出部は、
    水平方向に沿って延びている状態で先端に前記吐出口を有する第１管状部と、
    前記第１管状部に連通している状態で前記第１管状部から上方に向けて延びている状態にある第２管状部と、
    前記第２管状部に連通している状態で前記第２管状部から水平方向に向けて延びている状態にある第３管状部と、を有する、基板処理装置。
20. 請求項１９に記載の基板処理装置であって、
    前記液吐出部を鉛直方向に沿って昇降させる第３駆動部と、を備え、
    前記ガード部は、下方向に向けて平面透視した場合に、前記雰囲気制御部材から離れる方向に凹んでいる凹部を有する内周縁部を有し、
    前記制御部は、前記第３駆動部によって前記液吐出部を降下させることで前記第２管状部を前記凹部内の空間に挿通させる下降動作、および前記第３駆動部によって前記液吐出部を上昇させることで前記第２管状部を前記凹部内の空間から上方に移動させる上昇動作のうちの少なくとも一方の動作を行う、基板処理装置。
21. 請求項１０から請求項１８の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記保持部の周囲を取り囲むガード部と、
    前記ガード部を鉛直方向に沿って昇降させる第２駆動部と、
    前記液吐出部を鉛直方向に沿って昇降させる第３駆動部と、を備え、
    前記液吐出部は、鉛直方向に沿って延びている状態の管状の先端部を有し、
    前記先端部は、水平方向に向けて開口している前記吐出口を有し、
    前記制御部は、前記第２駆動部によって前記ガード部を昇降させ、前記ガード部と前記雰囲気制御部材との隙間に対して前記先端部が挿抜されるように、前記第３駆動部によって前記液吐出部を昇降させる、基板処理装置。
22. 請求項１０から請求項１８の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記保持部の周囲を取り囲むガード部と、
    前記ガード部を鉛直方向に沿って昇降させる第２駆動部と、を備え、
    前記制御部は、前記第２駆動部によって前記ガード部を昇降させ、
    前記液吐出部は、前記ガード部と一体的に構成された状態にある、基板処理装置。

Images